CN101126874A - 具有浮动电极的液晶显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种具有提高的图像质量的液晶显示面板。该液晶显示面板具有多条栅极线、多条数据线、连接于栅极线和数据线的多个薄膜晶体管、多个像素电极，以及(多个)浮动电极。浮动电极沿数据线方向延伸以防止光泄漏和垂直色度亮度干扰。在遍及整个液晶显示面板中，浮动电极相互电连接，以减少垂直色度亮度干扰。

Description

具有浮动电极的液晶显示面板
技术领域
本发明涉及一种液晶显示(LCD)面板，且更具体地，本发明涉及一种具有提高的图像质量的LCD面板。
背景技术
液晶显示(LCD)面板包括一对相对的基板，其中液晶层介于其间。这两个基板之一是具有共用电极的共用电极基板，而另一基板是具有多个薄膜晶体管(TFT)的TFT基板。共用电极基板和TFT基板由设置在共用电极基板和TFT基板两者的边缘处的密封线组装。液晶层设置在共用电极基板与TFT基板之间。液晶层的液晶分子根据分别提供至共用电极基板和TFT基板的电(electricity)而排列。
TFT基板具有多条栅极线、多条数据线、和多个像素。每条栅极线水平延伸并传输栅极信号。另一方面，每条数据线垂直延伸并传输数据信号。每个像素可由一条栅极线和一条数据线限定并具有开关元件和存储电容。
开关元件可接近一条栅极线和一条数据线的交叉点形成。开关元件为薄膜晶体管(TFT)，其中栅电极连接于栅极线，源电极连接于数据线，而漏电极连接于像素电极。漏电极可电连接于液晶电容器以及连接于存储电容。
由于不是自发射显示装置，所以LCD模块具有位于LCD面板后方的背光单元，该背光单元向LCD面板提供光。使用从背光单元提供的光，每个像素液晶分子的排列通过选择性地使光传递至显示图像来控制LCD面板的透射率。
使用上述结构的传统LCD模块，光易于在数据线与像素电极之间的间隙中泄漏，使得图像质量变差。因此，为了减少光泄漏，通常调整共用电极基板上的黑矩阵。具体地，黑矩阵位于泄漏光经过之处。然而，黑矩阵可导致整个LCD模块的孔径比更小，使得显示器亮度降低，从而导致图像质量变差。
此外，使用传统的LCD模块，数据信号和像素电极可相互影响。即，在数据线和像素电极之间可能发生电荷耦合(chargecoupling)，造成沿数据线的不规则垂直色度亮度干扰(crosstalk)。
发明内容
因此，本发明的一个方面在于提供一种在数据线与像素电极之间具有较少的光泄漏和电荷耦合的LCD模块，以提高LCD模块的图像质量。
本发明的前述和/或其它方面通过提供具有多条栅极线、多条数据线、多个像素和浮动电极的LCD面板而实现。
根据本发明的一个实施例，浮动电极包括：阻光图案，沿数据线延伸；像素间(inter-pixel)连接图案，连接不同像素的阻光图案；以及像素内(intra-pixel)连接图案，连接一个像素内的阻光图案。
根据本发明的另一实施例，浮动电极包括：阻光图案，沿数据线延伸；以及多个像素间连接图案，每一个连接不同像素的阻光图案。
根据本发明的替换实施例，浮动电极包括宽于数据线并与该数据线交叠的阻光图案。
根据本发明的另一替换实施例，浮动电极包括阻光图案以及连接水平方向邻近像素的阻光图案的像素间连接图案。此外，桥电极连接一个像素的阻光图案和垂直方向邻近像素中的像素间连接图案。
附图说明
本发明的上述和/或其它方面和优点将从下面结合附图对示例性实施例的详细描述而变得更容易理解，附图中：
图1A是根据本发明示例性实施例的薄膜晶体管(TFT)基板的像素布局图；
图1B是沿根据本发明的图1A的示例性实施例的线Ib-Ib′截取的像素的横截面图；
图1C是沿根据本发明的图1A的示例性实施例的线Ic-Ic′截取的像素的横截面图；
图1D是形成在根据本发明的图1A的示例性实施例的TFT基板上的浮动电极的布局图；
图2是根据本发明示例性实施例的共用电极基板的像素布局图；
图3A是根据本发明示例性实施例的液晶显示(LCD)面板(其作为图1A的TFT基板的组件)的像素和图2的共用电极基板的结合布局图；
图3B是沿根据本发明的图3A的示例性实施例的线IIIb-IIIb′截取的像素的横截面图；
图4是根据本发明的示例性实施例的TFT基板的简化整体布局图；
图5A是根据本发明的示例性实施例的TFT基板的像素布局图；
图5B是形成在根据本发明的图5A的示例性实施例的TFT基板上的浮动图案的布局图；
图6A是根据本发明示例性实施例的TFT基板的像素布局图；
图6B是沿根据本发明的图6A的示例性实施例的线VIb-VIb′截取的像素的横截面图；
图6C是形成在根据本发明的图6A的示例性实施例的TFT基板上的浮动图案的布局图；
图7A是根据本发明示例性实施例的TFT基板的像素布局图；
图7B是沿根据本发明的图7A的示例性实施例的线VIIb-VIIb′截取的像素的横截面图；
图7C是形成在根据本发明的图7A的示例性实施例的TFT基板上的浮动图案和桥电极的布局图；
图7D是根据本发明的图7A的示例性实施例的TFT基板的简化整体布局图；
图8A是根据本发明示例性实施例的TFT基板的像素布局图；
图8B是形成在根据本发明的图8A的示例性实施例的TFT基板上的浮动图案和桥电极的布局图；
图9A是根据本发明示例性实施例的TFT基板的像素布局图；
图9B是形成在根据本发明的图9A的示例性实施例的TFT基板上的浮动图案和桥电极的布局图。
具体实施方式
现在将详细描述本发明的示例性实施例，附图中示出了本发明的实例，其中相同参考标号通篇表示相同元件。下面通过参照附图来描述实施例，以便说明本发明。
根据本发明的一个实施例说明图1A至图4中所示的LCD面板。LCD面板包括TFT基板、共用电极基板以及介于TFT基板与共用电极基板中间的液晶层。TFT基板包括多条栅极线、多条数据线、以及电连接于栅极线和数据线以便向像素电极传输电压的多个TFT。共用电极基板面对TFT基板并包括共用电极，以控制液晶层。
图1A是TFT基板的像素布局图。图1B是沿图1A的线Ib-Ib′截取的像素的横截面图。图1C是沿图1A的线Ic-Ic′截取的像素的横截面图。最后，图1D是形成在图1A的TFT基板上的浮动电极的布局图。
在绝缘基板10上，形成有栅极配线，该栅极配线包括栅极线22以及从栅极线22突出的栅电极26。浮动电极21形成在绝缘基板10上并沿水平方向排列，其中垂直延伸的阻光图案21a位于数据线62附近。在整个TFT基板中，每个像素的浮动电极21彼此相互连接并与TFT基板的外部电压电源电绝缘。可替换地，只要浮动电极对于垂直色度亮度干扰是有效的，就对整个TFT基板中的相互连接的浮动电极21提供预定电压。
具体地，浮动电极21包括阻光图案21a、像素内连接图案21b、以及像素间连接图案21c。阻光图案21a沿数据线62设置，以防止数据线62与像素电极82之间的光泄漏。阻光图案21a可与数据线62交叠或不交叠。此外，阻光图案21a可与像素电极82交叠或不交叠。
多个阻光图案21a可形成在一个像素内。这样，由于在TFT基板的一条水平线内的每个像素可具有相同或相似的结构，因此每个像素可具有多个阻光图案21a。此处，多个阻光图案21a通过浮动电极21的像素内连接图案21b而连接。类似地，不同像素的阻光图案21a通过浮动电极21的像素间连接图案21c而连接。
因此，在沿栅极线22的一条水平线内，每个阻光图案21a通过像素间连接图案21c和像素内连接图案21b而电连接。另一方面，整个浮动电极21不与外部电压电源电连接。
对于LCD模块的存储电容的设计而言，已经介绍了之前的电容类型和独立电容线类型。通过使像素电极82与之前的栅极的延伸宽度交叠，之前的电容类型使用存储电容，而通过使像素电极82与相同栅极金属的特别增加的共用电极电压(Vcom)线交叠，独立电容线类型使用存储电容。尽管示出了具有之前的电容类型的本发明，但是在本发明的范围内还可使用独立电容线类型。
在TFT基板上，栅极配线22、26和浮动电极21可包括Al、Al合金、Ag、Ag合金、Cu、Cu合金、Mo、Mo合金、Cr、Ti和Ta的至少一种。栅极配线22、26和浮动电极21可具有包含不同物理特性的导电层的多层结构。多层结构的至少一个可以是Al、Al合金、Ag、Ag合金、Cu、或Cu合金形成的低电阻系数导电金属，以降低栅极配线22、26和浮动电极21的信号延迟或电压降。相反，多层结构的至少一层可以是氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)，其中诸如Mo、Mo合金、Cr、Ti、或Ta的材料与其是友好的。低电阻系数与良好的接触特性的示例性组合是Cr下层和Al上层或者Al下层和Mo上层。然而，栅极配线和浮动电极材料并不限于已介绍的实例，而是可以是各种导电材料的任意组合。
在栅极配线和浮动电极21上，栅极绝缘层30由诸如SiNx的绝缘材料形成。在栅极绝缘层30上，半导体层40由诸如氢化非晶硅或多晶硅的材料形成。半导体层40可以是线路(line)图案或绝缘图案。如本发明所示，绝缘图案半导体层形成在栅极线22上，而线路图案半导体层可形成在数据线62下面并延伸至具有数据线62的形状的栅极线22。
在半导体层40上，电阻接触层55、56由高度掺杂的氢化非晶硅或硅化物形成。电阻接触层55、56可以是线路图案或绝缘图案。例如，在本发明中，绝缘图案电阻接触层可位于源电极和漏电极下面，而线路图案电阻接触层可在数据线62下面延伸。
在电阻接触层55、56和栅极绝缘层30上形成数据线62、源电极65和漏电极66。数据线62垂直延伸以与栅极线22交叉。源电极65从数据线62伸出并延伸至半导体层40，而半导体层上的漏电极66与源电极65分离并面对该源电极，其中栅电极26位于二者中间。TFT由栅电极22、源电极65和漏电极66组成，并且当栅电极26接收栅极电压时，TFT将电从源电极65传输至漏电极66。
漏电极66包括形成在半导体层40上的条形图案以及从具有接触孔76的条形图案延长的外延区域。数据线62、源电极65和漏电极66统称为数据配线。
此外，与数据线62具有相同材料并且处于相同层的电容电极67可形成为，通过经由接触孔77与像素电极82电连接，而与之前的栅极线22交叠。电容电极67、之前的栅极线22以及介于其间的栅极绝缘层30的组合能够存储液晶层的电容。
数据配线和电容电极67可以是包括Al、Cr、Mo、Ta和Ti的至少一种的单一层或多层。例如，数据配线和电容电极可以是Cr、Mo基材料、Ta或Ti处于一层的多层，其中下层为Cr、Mo基材料、Ta或Ti以及上层为低电阻系数。更具体地，Cr下层和Al上层、Al下层和Mo上层、或Mo下层、Al中层和Mo上层可用作多层数据配线和电容电极。
在TFT中，面对面(confronting)的源电极65和漏电极66与栅电极26和半导体层40两者至少部分地交叠，以传输像素驱动电压。此外，电阻接触层55、56夹在半导体层与源电极65或漏电极66之间，以降低接触电阻。
在数据配线62、65、66、存储电容半导体67、和露出的半导体层40上，设置钝化层70。该钝化层可由诸如无机材料、有机材料、或具有低介电常数的绝缘材料的各种材料制成。此处，无机材料可以是SiNx或SiOx，而有机材料可以是感光性的并用于形成平坦表面。具有低介电常数的绝缘材料通过等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺设置并可以是a-Si:C:O或a-Si:O:F。多于两种的不同材料可用于形成钝化层70。例如，当应用有机材料时，可使用无机材料形成的辅助底层以防止有机材料与露出的TFT半导体层直接接触。
形成接触孔76、77以使漏电极66或存储电容电极67部分地露出。在钝化层上，像素电极82沿每个像素的内边形成。像素电极82经由漏电极接触孔76电连接于漏电极66。此外，像素电极82经由存储电容电极接触孔77电连接于存储电容电极67。
因此，具有像素驱动电压的像素电极82可通过与共用电极基板的共用电极90共同作用产生电场而控制液晶分子的排列。此处，像素电极82由诸如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)的透明导电材料或诸如Al的反射导电材料制成。在像素电极82或钝化层70上，可设置定向层(未示出)以建立液晶分子的基本方向。
现在，参照图1A、1C和1D，详细描述浮动电极21。在图1A中，浮动电极21以至少部分交叠的关系沿数据线62延伸。另外，像素电极的最接近数据线的部分还与浮动线交叠。更具体地，浮动电极21的阻光图案21a沿数据线62设置并与像素电极82的部分交叠。此外，像素间连接电极21c与数据线62部分交叠。
由此开始，说明阻光电极的功能。由于来自数据线62的电场比来自像素电极的电场更明显，从而围绕数据线的液晶分子可能会被不期望地排列。因此，围绕数据线的光沿错误的方向穿过并且从LCD面板外可看到光泄漏。然而，误导的光可被围绕数据线的图案遮挡。在图1A中，阻光图案21a遮挡误导的光并防止光泄漏。
然而，浮动的阻光电极21a可能与数据线62电耦合并可能造成LCD面板的不规则垂直色度亮度干扰。为解决这个潜在问题，在该实施例中，阻光图案21a的每一个通过像素间连接图案21c和像素内连接图案21b与邻近的阻光电极21a互相电连接。现在，由于统一标准的浮动电极不受特定数据线的影响或不耦合于具体数据线，因而不会看到不规则的垂直色度亮度干扰。
如果统一标准的浮动电极21经过共用电压，那么由于受共用电压的影响而不是像素电极电压的影响，因而围绕数据线的液晶分子可能经历不期望的电场并被错误地排列。因此，浮动电极21电独立于其它电压，以防止光泄漏。
在图2中，介绍了根据本发明一个实施例的共用电极基板的像素布局图。另外，在图3A中，介绍了由TFT基板、共用电极基板和液晶层组装的LCD面板的像素布局图。此外，图3B示出图3A的沿线IIIb-IIIb′截取的LCD面板的横截面图。
在整个图2、图3A和图3B中，黑矩阵94形成在透明玻璃基板96上。还围绕每一个像素设置黑矩阵94，以防止不期望的光传输。黑矩阵94可由诸如Cr、诸如CrOx的金属氧化物以及有机材料中的至少一种制成。
在相邻黑矩阵94之间的光经过区域中，滤色片98设置为传输红、绿或蓝光。辅助覆盖层(未示出)可形成在滤色层98及黑矩阵94上，以覆盖不平坦的滤色层并形成一个平坦表面。最终，在滤色层98或覆盖层上，形成ITO或IZO制成的透明共用电极层90。辅助定向层(未示出)可覆盖在共用电极层90上，以使液晶分子围绕共用电极90排列。
如图3B所示，LCD面板具有液晶层300和结合的TFT基板100以及共用电极基板200。在组装中，共用电极基板200的滤色层98排列为几乎精确地与TFT基板100的像素电极82交叠。然后，通过将一对偏振器垂直地附在TFT基板100和共用电极基板200的最外层表面上而完成LCD面板。最终，通过组装LCD面板、LCD面板后面的背光单元以及包围LCD面板和背光单元的框架而完成LCD模块。
参照图4，详细说明浮动电极FP。在图4中，TFT基板具有多条水平延伸的栅极线(G1、G2...Gn)、多条垂直延伸的数据线(D1、D2...Dm)以及有每条栅极线和数据线限定的多个像素PX。遍及整个LCD面板中，每个浮动电极(FP)沿每条栅极线互连在处于一个水平线中的像素之间，而这些水平线的每一端点彼此互连。此外，整个浮动电极与外部电压电源绝缘。
参照图5A和图5B，说明本发明的另一实施例。图5A是该实施例的TFT基板的一个像素的布局图，而图5B是图5A的浮动电极的布局图。为进行简要说明，用相同参考标记表示图1至图4所示的相同元件并省略对其的相应说明。基本上，在图5A和图5B中，除了浮动电极之外，每个元件都与图1至图4中的相应元件相同。
在图5A和图5B中，一对浮动电极的阻光图案21a通过多个像素间连接图案21c而互连。这里，尽管图5A和图5B示出两个像素间连接图案，但是像素间连接图案的数量可以多于两个。
当具有多于两个的像素间连接图案21c时，可在数据线62与浮动电极21之间获得更大交叠区域。
扩大的交叠区域可有助于减少在不同像素的浮动电极21的相邻阻光图案21a之间的可能的覆盖(overlay)差异。从而，减少的覆盖差异可有助于克服每条数据线和每个阻光图案21a的耦合电容差异。因此，观看者较少能够识别不规则垂直色度亮度干扰。
当半导体层在数据线62下面延伸时，数据线62与阻光图案21a之间的扩大交叠区域对于图像质量更加有效。具体地，由于感光半导体层在数据线62下面，因此进入数据线62区域的光可引起不想要的光电流(photo current)，损坏图像质量。然而，当具有扩大的像素间连接图案21c时，由于浮动电极21形成有栅极配线以阻挡光进入数据线62，从而可抑制光电流。因此，可提高图像质量。
参照图6A至图6C，说明本发明的另一实施例。图6A是该实施例的TFT基板的一个像素的布局图，而图6B和图6C分别是沿图6A的线VIb-VIb′截取的像素的横截面图以及图6A的浮动电极的布局图。为进行简要说明，用相同参考标记表示图5A和图5B中所示的相同元件并省略相应说明。基本上，在图6A至图6C中，除了浮动电极之外，每个元件都与图5A和图5B中的相应元件相同。
具体地，图6A至图6C的浮动电极221由与数据线62交叠的阻光图案221a以及连接一个像素内的一对阻光图案221a的像素内连接图案21b组成。更具体地，阻光图案221a可足够宽，以沿至少一个水平方向与数据线62完全交叠。此外，阻光图案221a可被加宽，以与接近一条数据线62的一对像素电极82部分交叠。类似于图5A和图5B的实施例，半导体层可位于数据线62下方。因此，加宽的阻光图案221a可减少对垂直色度亮度干扰的识别以及出现在数据线62下面的半导体层上的光泄漏。
参照图7A至图7D，说明本发明的另一实施例。图7A是该实施例的TFT基板的一个像素的布局图，而图7B和图7C分别是沿图7A的线VIIIb-VIIIb′截取的像素的横截面图以及图7A的浮动电极和桥电极的布局图。为进一步说明，图7D示出该实施例的简化的LCD面板。为进行简要说明，用相同参考标记表示图1A至图4中所示的相同元件并省略相应的说明。基本上，在图7A至图7D中，除桥电极之外的每个元件都与图1A至图4中的相应元件相同。
在图7A至图7D的该实施例中，垂直延伸的桥电极84电连接不同像素的不同浮动电极21。更具体地，桥电极84电连接一个像素的像素内连接图案21b与其它像素的阻光图案21a。
在图7B和图7C中，两个相邻像素的钝化层30下方的浮动电极21a部分地露出于用于电连接的桥电极84。在该实施例中，桥电极84可与相同层上的像素电极82是相同材料。
参照图7D的简化的LCD面板，浮动电极FP覆盖TFT基板的彼此互连所有像素PX，同时浮动电极并与外部电路隔离。更具体地，浮动电极FP形成在每一行像素上，以平行于TFT基板的栅极线而延伸。各浮动电极的每个端部彼此连接。最终，各浮动电极在图像显示区域内通过沿数据线方向延伸的桥电极而彼此电连接。
结果，由于水平延伸的浮动电极被垂直延伸的桥电极垂直连接，所以面板显示区域内的每个浮动电极在整个TFT面板上承受均匀的浮动电势。平均分布的浮动电势可防止数据线与每个像素的浮动电极之间的不均匀耦合，以通过抑制数据线与每个像素的像素电极之间的不同耦合电势而使不规则垂直色度亮度干扰最小化。
参照图8A和图8B，说明本发明的另一实施例。图8A是该实施例的TFT基板的一个像素的布局图；图8B是图8A的浮动电极和桥电极的布局图。为进行简要说明，使用相同参考标记表示图7A至图7D中所示的相同元件并省略相应的说明。基本上，在图8A和图8B中，除了浮动电极的形状之外，每个元件都与图7A至图7D中的相应元件相同。
图8A和图8B的浮动图案具有其中间设有一条数据线的一对阻光图案21a以及连接该对阻光图案21a的像素间连接图案21c。此处，尽管图8A和图8B示出一个像素间连接图案，但是像素间连接图案的数量可多于一个。
由于浮动电极21与数据线62之间具有扩大的交叠区域，所以当每个阻光图案21a与数据线62不具有相同覆盖图(overlay)时，浮动电极的每个阻光图案21a与数据线62之间的耦合电容差异可减少。因此，较少识别到不规则垂直色度亮度干扰。
如果半导体层延伸于数据线62下面，那么可能由于从背光进入半导体层的光而发生光泄漏并造成图像质量变差。然而，该实施例的扩大交叠区域可遮挡光进入半导体层并提高图像质量。
参照图9A和图9B，说明本发明的另一实施例。图9A是该实施例的TFT基板的一个像素的布局图；图9B是图9A的浮动电极和桥电极的布局图。为进行简要说明，用相同参考标记表示图8A至图8B中所示的相同元件并省略相应说明。基本上，在图9A和图9B中，除浮动电极的形状之外，每个元件都与图8A和图8B中的相应元件相同。
图9A和图9B的浮动电极21包括与数据线62交叠的阻光图案21a以及像素内连接图案21b。阻光图案21a可足够宽，以至少沿一个水平方向以比数据线62宽度更大的宽度完全覆盖该数据线。阻光图案21a还可与沿数据线62设置的像素电极82部分交叠。
因此，扩大的阻光图案对于控制不规则垂直色度亮度干扰是有效的。而且，当TFT基板具有位于数据线62下方的半导体层时，扩大的阻光图案21a更加有效，这是因为半导体层易于引起对图像质量产生不利影响的光泄漏电流。
本发明的上述实施例仅用于说明性的目的而非限制性的。因此，对于本领域的那些技术人员来说，很明显，在不背离本发明的前提下，在更广阔的方面，可以进行各种变化和更改。因此，所附权利要求包括诸如落入本发明真实精神和范围中的所有这种变化和更改。

Claims (23)

1.一种液晶显示面板，包括：
绝缘基板；
多条栅极线，沿第一方向在所述绝缘基板上延伸；
多条数据线，沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向在交叉点处交叉，以限定像素；
薄膜晶体管，形成在所述栅极线与所述数据线的所述交叉点附近；
像素电极，连接于所述薄膜晶体管并设置在所述像素内；
以及
浮动电极，包括沿所述第二方向延伸的第一部分以及沿所述第一方向延伸的第二部分，其中，第一像素的所述第二部分与第二像素的所述第二部分互连，并且其中，所述第一像素与所述第二像素沿所述第一方向彼此相邻。
2.根据权利要求1所述的液晶显示面板，进一步包括所述浮动电极的第三部分，所述第三部分在所述第一像素内沿所述第一方向延伸，其中，所述第三部分连接所述第一像素内的多个所述第一部分。
3.根据权利要求2所述的液晶显示面板，其中，所述第一部分的数量多于两个。
4.根据权利要求2所述的液晶显示面板，其中，所述浮动电极设置并互连在所述第一方向的一系列像素中，以形成第一浮动电极线和第二浮动电极线，其中，所述第一浮动电极线和所述第二浮动电极线位于不同系列的像素中，其中，所述第一浮动电极线具有第一端点和第二端点，并且其中，所述第二浮动电极线具有第三端点和第四端点。
5.根据权利要求4所述的液晶显示面板，其中，所述第一端点和所述第三端点位于所述基板的第一侧并互相连接，并且其中，所述第二端点和所述第四端点位于所述基板的第二侧并互相连接。
6.根据权利要求5所述的液晶显示面板，其中，所述第一浮动电极线和所述第二浮动电极线与外部电路电断开。
7.根据权利要求1所述的液晶显示面板，进一步包括桥电极，所述桥电极连接第三像素的所述第一部分与第四像素的所述第二部分，所述第四像素沿所述第二方向邻近所述第三像素设置。
8.根据权利要求7所述的液晶显示面板，其中，所述桥电极与栅电极交叉。
9.根据权利要求7所述的液晶显示面板，其中，所述第三像素具有第一接触孔，所述第一接触孔露出所述浮动电极的所述第一部分，并且其中，所述第四像素具有第二接触孔，所述第二接触孔露出所述浮动电极的所述第二部分。
10.根据权利要求7所述的液晶显示面板，其中，所述桥电极与所述像素电极为同一层。
11.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其中，所述第一部分阻挡所述数据线与所述第一像素的所述像素电极之间的间隙中的光泄漏。
12.根据权利要求11所述的液晶显示面板，其中，所述浮动电极的所述第一部分与所述数据线至少部分地交叠。
13.根据权利要求11所述的液晶显示面板，其中，所述浮动电极的所述第一部分与所述像素电极部分地交叠。
14.一种液晶显示面板，包括：
绝缘基板；
多条栅极线，在所述绝缘基板上沿第一方向延伸；
多条数据线，沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向在交叉点交叉，以限定像素；
薄膜晶体管，邻近所述栅极线与所述数据线的所述交叉点形成；
像素电极，连接于所述薄膜晶体管并设置在所述像素内；
以及
浮动电极，包括沿所述数据线延伸的阻光图案以及像素内连接图案。
15.根据权利要求14所述的液晶显示面板，其中，所述阻光图案至少沿所述第一方向的一个方向具有比所述数据线的宽度更宽的第一宽度。
16.根据权利要求15所述的液晶显示面板，其中，所述阻光图案与第五像素的所述数据线完全交叠。
17.根据权利要求16所述的液晶显示面板，其中，所述阻光图案与所述像素电极部分地交叠。
18.根据权利要求14所述的液晶显示面板，其中，所述像素内连接图案连接一个像素内的多个阻光图案。
19.根据权利要求18所述的液晶显示面板，进一步包括桥电极，所述桥电极连接第六像素的阻光图案与第七像素的像素内连接图案，所述第七像素沿所述第二方向邻近所述第六像素。
20.根据权利要求19所述的液晶显示面板，所述桥电极与所述像素电极为同一层。
21.根据权利要求14所述的液晶显示面板，其中，所述浮动电极在显示区域内互相电连接，其中，所述显示区域用于有效的图像显示。
22.根据权利要求14所述的液晶显示面板，其中，所述浮动电极与外部电路电断开。
23.根据权利要求14所述的液晶显示面板，其中，所述浮动电极与所述栅极线为同一层。
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