CN101123133A - 一种低电阻/高温度系数硅单晶热敏电阻及其制备方法 - Google Patents
一种低电阻/高温度系数硅单晶热敏电阻及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101123133A CN101123133A CNA2007101137726A CN200710113772A CN101123133A CN 101123133 A CN101123133 A CN 101123133A CN A2007101137726 A CNA2007101137726 A CN A2007101137726A CN 200710113772 A CN200710113772 A CN 200710113772A CN 101123133 A CN101123133 A CN 101123133A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- resistance
- low
- single crystal
- temperature coefficient
- diffusion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 60
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 60
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 60
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 39
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims abstract description 14
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 15
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 8
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910019032 PtCl2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- PQLVXDKIJBQVDF-UHFFFAOYSA-N acetic acid;hydrate Chemical compound O.CC(O)=O PQLVXDKIJBQVDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CEYULKASIQJZGP-UHFFFAOYSA-L disodium;2-(carboxymethyl)-2-hydroxybutanedioate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C(=O)CC(O)(C(=O)O)CC([O-])=O CEYULKASIQJZGP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001488 sodium phosphate Substances 0.000 claims description 3
- 229910000162 sodium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- RCIVOBGSMSSVTR-UHFFFAOYSA-L stannous sulfate Chemical compound [SnH2+2].[O-]S([O-])(=O)=O RCIVOBGSMSSVTR-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 229910000375 tin(II) sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K trisodium phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]P([O-])([O-])=O RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 3
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 12
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 9
- 101000635799 Homo sapiens Run domain Beclin-1-interacting and cysteine-rich domain-containing protein Proteins 0.000 abstract 1
- 102100030852 Run domain Beclin-1-interacting and cysteine-rich domain-containing protein Human genes 0.000 abstract 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 239000012047 saturated solution Substances 0.000 description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 239000003708 ampul Substances 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003771 Gold(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- FDWREHZXQUYJFJ-UHFFFAOYSA-M gold monochloride Chemical compound [Cl-].[Au+] FDWREHZXQUYJFJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明公开了一种低电阻/高温度系数硅单晶热敏电阻及其制备方法,属于信息领域的传感器技术中的热敏元件。该低阻/高温度系数的硅单晶热敏电阻,其特殊之处在于:采用如下方法制成:以N型或P型硅单晶为基片,利用磷或硼扩散在硅片两面形成N+或P+低阻层;采用重金属离子的扩散在硅片的中心部份形成N+BN+或P+BP+结构的高B值层,用半导工艺做成具有低阻/高温度系数的NTCR元件。本发明采用硅片两面扩高浓度的浅能级杂质,硅片的中心部份用金属离形成高B值的热敏层,实现了低阻/高B值的NTCR元件。本发明工艺简单,生产周期短,制造成本低,产品的一致性高并适合大批量生产。
Description
(一)技术领域
本发明涉及一种低电阻/高温度系数硅单晶热敏电阻及其制备方法,属于信息领域的传感器技术中的热敏元件。
(二)背景技术
低阻/高B值(即高温度系数)和高互换精度一直是困搅NTCR元件制造的两大难题。在金属氧化物中B值在400K以上材料电阻率大于1.0KΩcm。为此低阻值/高B值的NTCR不得不采用多层结构。多层结构的内电极问题,端电极问题致使元件一致性差,机械强度低,而且工艺复杂,制造成本高。
近年来,为获得低阻/高B值元件,人们做了种种努力,有人曾在氧化物配方中加入Li、Ca等低价杂质,虽然能降低电阻率,然B值亦随之下降;有人也用金属如Au、Pt粉体掺入氧化物中亦能降低低阻值,同时也大幅度降低B值。
金属离子在硅形成深能级,产生俘获中心,形成高B值热敏材料。中科院新疆物理所在硅中掺Au做成的单晶硅热敏电阻B值高达6000K。但是这种材料与氧化物半导体一样,B值越大电阻率越高,如果采用单片结构元件的阻值仍不可能做到很低。
(三)发明内容
本发明为了弥补现有技术的不足,提供了一种工艺简单、制造成本低的低电阻/高温度系数硅单晶热敏电阻及其制备方法。
本发明是通过如下技术方案实现的:
一种低阻/高温度系数的硅单晶热敏电阻,其特殊之处在于:采用如下方法制成:以N型或P型硅单晶为基片,利用磷或硼扩散在硅片两面形成N+或P+低阻层;采用重金属离子的扩散在硅片中形成N+BN+或P+BP+结构的高B值层,用半导工艺做成具有低阻/高温度系数的NTCR元件。
本发明的低阻/高温度系数的硅单晶热敏电阻,所述硅单晶为直接单晶,晶面为(111)面,电阻率为5-10Ωcm,电阻率的径向分布≤±5%。当Si片为N型时,用P2O5作扩散源,Si片为P型时,用B(NO3)2为扩散源。金属离子扩散为用Au、Ni、Fe、Pt、Mn、Cr、Co的金属盐作扩散源。所述金属盐扩散源,对于N型硅片采用AuCl2、PtCl2、Ni(NO3)2的一种或几种配成5-8%浓度的溶液作为涂敷扩散的扩散源;对P型硅单晶用AuCl2、PtCl2、FeCl3和Mn(NO3)2的任意一种或几种作扩散剂配成浓度为5-8%的扩散源。
本发明的低阻/高温度系数的硅单晶热敏电阻的制造方法,其特殊之处在于:以N型或P型硅单晶为基片,利用磷或硼扩散在硅片两面形成N+或P+低阻层;采用重金属离子的扩散在硅片的中心部份形成高B值层,用半导工艺做成具有低阻/高温度系数的NTCR元件;扩散为涂层扩散,扩散源涂敷在硅片的表面,在N2保护下进行高温扩散;P和B的扩散温度为1200-1250℃,时间为20-25小时;金属离子扩散的扩散温度为1000-1100℃,时间为4-6小时。
本发明的低阻/高温度系数的硅单晶热敏电阻的制造方法,半导体工艺包括扩散片经表面处理、表面电极制作、划片、引线焊接和包封工艺几个步骤,其中表面电极制作采用化学镀镍工艺,镀液的重量配比为:
氧化镍 16.5g
次亚磷酸钠 7.5g
柠檬酸钠 2.5g
硫酸亚锡 0.0005g
水醋酸 2.5g
水 471g;
镀液PH值8-9、温度保持在90-95℃,镀层的厚度为2-3um。
本发明的原理和具体内容如下:
1、N+ N N+或P+PP+硅片的制备是在N-型或P-型硅片的两面采用涂层扩散形成N+ N N+或P+PP+结构。扩散的深度和浓度由扩散温度和扩散时决定。以N型硅为例,采用P2O5饱和溶液作扩散源硅片厚度为250Um,扩散20小时,杂质分布如图1,电阻率分布如图2,即在硅片的两面的电阻率远远低于原始材料的电阻率,中心部分仍为原始电阻率。控制扩散时间可以调整中部的宽度,将中心部份的宽度做到5-10um。这对形成极薄的高B值热敏层提供了方便。
2、N+B N+结构的制备
Au在Si中既不是余误差分布,也不是高斯分布,只有Au浓度接近Si的浅杂质浓度时材料的电阻才迅速升高,热敏特性才呈现(如图3)。
重金属离子是快扩散杂质,一般经2-4小时扩散后在材料有均匀分布,对于高浅杂质浓度层(N+),重金属离子对其电阻率影响很小,基本保持N+的低电阻率。对N层(中间层)由于金属离子补偿,电阻率升高,形成很高的B值(如图4)。
本发明正是利用了这一性质设计和和制造了的低阻/高B值的热敏元件。用5Ωcm的N型硅单,做Ni扩散,可实现标称电阻为100Ω,B值为4000K的NTCR,其电阻分散性≤±1.2%,如果用Au作扩散源可以得制成B=5000K的NTCR元件。
3、低阻/高温度系数元件(以玻封NTCR为例)制造工艺流程如图5:
①扩散片处理:用M20金刚砂打毛(5-8um),用HF+H(NO3)漂洗2min(HF∶H(NO3)=1∶3)。
②镀镍:镀Ni液配方:
氧化镍 | 16.5g |
次亚磷酸钠 | 7.5g |
柠檬酸钠 | 2.5g |
硫酸亚锡 | 0.0005g |
水醋酸 | 2.5g |
水 | 471g |
PH | 8-9 |
镀Ni时间为15-20min,镀层厚度2-3um,镀Ni的温度90-95℃。
③蒸银:1.5-2.0um
真空度:0.1-0.3Pa
衬底温度560℃
④划片:对于玻封元件,划片尺寸为0.5×0.5mm,对于环氧封装的元件,划片尺寸为1.2×1.2。
⑤玻封:在玻封机中进行,封结温度以玻璃管的软化温度为准,通常为605-620℃,时间为15min。
⑥老化:125℃/1000小时
⑦测试:在温度油槽中进行。恒温精度0.01℃,测量R25、B25/50、H、τ。
本发明采用硅片两面扩高浓度的浅能级杂质,硅片的中心部份用金属离形成高B值的热敏层,实现了低阻/高B值的NTCR元件,对于0.5×0.5×0.3(mm)芯片的元件其标称是R25为10-100Ω,B值可达到3600-4200K(相当温度系数α=4.0-4.5%/℃)。元件的阻值误差ΔR/R=±1.15%,B值误差ΔB/B≤1%。本发明工艺简单,生产周期短,制造成本低,产品的一致性高并适合大批量生产。
(四)附图说明
下面结合附图对本发明作进一步的说明。
图1为本发明N型硅采用P2O5饱和溶液作扩散源的杂质分布图;
图2为本发明N型硅采用P2O5饱和溶液作扩散源的电阻率分布图;
图3为本发明N+B N+结构中材料电阻率与金浓度的关系;
图4为本发明N+B N+结构中扩金后的电阻率分布;
图5为本发明的制造工艺流程图。
(五)具体实施方式
实施例1:以玻封元件和环氧树脂包封元件为例
采用阻率为5Ωcm的N型直拉单晶,直径为Φ40,晶面为(111)面,电阻率的径向分布为±3%,表面平整度为±3um。
1.磷(P)扩散
扩散源为P2O5饱和溶液,将Si片浸入溶液中,然后取出,用红外灯烘干。将浸源的硅片送入石英管中,通入N2(5ml/min),在1200℃下扩散20小时。
2.Ni扩散
将P扩散后的硅片,用M2O金刚砂双面打毛,清洗烘干。扩散源为Ni(NO3)2∶水=90∶10(重量)。将Si片浸入溶液中3分钟取出红外灯烘干,然后放入干净的石英管中,通入N2(5ml/min),在1100℃扩散240min。
3.电极制作
Ni扩散后,Si片用M2O金刚砂双面打毛,清洗干净,浸泡在PaCl2溶液中(浓度为5%)10min,取出后放入镀Ni液中(镀Ni液配方如前所述),镀Ni温度保持在90-95℃,PH值保持为8-9,镀Ni时间为15-20min。镀Ni后的硅用清水洗干、烘干,进行蒸银,蒸银的真空度为0.1Pa,衬底温为560℃,Ag层厚度为1.5-2.0um。
4.划片尺寸及包封
将做好电极的硅片粘在兰膜上,在精密划片机上划成0.5×0.5(mm)的芯片,并装入模具中,在玻封机上封结。
5.封结完成的元件置于125℃烘箱内,存放100小时进行老练处理。
6、测试结果(以100支元件统计)
元件结构 | R25/Ω | R25/50/ | H/mw/℃ | τ/sec | ΔR/R/% |
玻封元件 | 85.5 | 3930 | 2.5 | 11 | ±1.02% |
环氧封元件 | 70.2 | 3920 | 3.0 | 10 | ±0.87% |
±1%的元件的合格率为80.4%,结果表明用此法可以制成低阻值/高B值元件,而且有较好的一致性。
实施例2:
选用电阻率为5Ωcm的N型直拉硅单晶,(111)晶面,直径Φ40,片厚0.25mm,P扩散按实施例1的方法进行。
深能级杂质采用AuCl2溶于乙醇中,配成5%浓度的扩散。按实施例1的Ni扩散同样的方法做Au扩散。扩散温1100℃,时间240min。
元件制作按实施例1的方法进行。
其结果(以100支元件统计)
元件结构 | R25/Ω | B25/50/K | H/mw/℃ | τ/sec | ΔR/R/% |
玻封元件 | 102.2 | 4300 | 2.5 | 11 | ±1.08% |
环氧封元件 | 93.4 | 4300 | 3.0 | 10 | ±0.73% |
结果表明扩Au可获得更高的B值,阻值亦有相应增加。
实施例3:
采用5Ωcm电阻率的P型直拉单晶,直径为Φ40硅片厚度为0.3mm。低电阻层扩散源为B(NO3)2的饱和溶液,扩散方法与实施例1相同。
深能级杂质Au,扩散源Aucl2∶乙醇=90∶10(重量比)溶液扩散方法与实施例1相同。元件制作亦与实施例1的方法相同。
测试结果(以100支元件统计)
元件结构 | R25/Ω | B25/50/K | H/mw/℃ | τ/sec | ΔR/R/% |
玻封元件 | 121.50 | 4019 | 2.5 | 11 | ±1.12% |
环氧封元件 | 100.08 | 4021 | 3.0 | 11 | ±0.95% |
根据上面实施例表明,此发明技术能很好的地实现低阻/高B值NTCR,且有很高的互换性,且制作工艺简单,制造成本低,适合批量生产。
Claims (7)
1.一种低阻/高温度系数的硅单晶热敏电阻,其特征在于:采用如下方法制成:以N型或P型硅单晶为基片,利用磷或硼扩散在硅片两面形成N+或P+低阻层;采用重金属离子的扩散在硅片中形成N+BN+或P+BP+结构的高B值层,用半导工艺做成具有低阻/高温度系数的NTCR元件。
2.根据权利要求1所述的低阻/高温度系数的硅单晶热敏电阻,其特征在于:所述硅单晶为直拉单晶,晶面为(111)面,电阻率为5-10Ωcm,电阻率的径向分布≤±5%。
3.根据权利要求1所述的低阻/高温度系数的硅单晶热敏电阻,其特征在于:当Si片为N型时,用P205作扩散源,Si片为P型时,用B(NO3)2为扩散源。
4.根据权利要求1所述的低阻/高温度系数的硅单晶热敏电阻,其特征在于:金属离子扩散为用Au、Ni、Fe、Pt、Mn、Cr、Co的金属盐作扩散源。
5.根据权利要求4所述的低阻/高温度系数的硅单晶热敏电阻,其特征在于:所述金属盐扩散源,对于N型硅片采用AuCl2、PtCl2、Ni(NO3)2的一种或几种配成5-8%浓度的溶液作为涂敷扩散的扩散源;对P型硅单晶用AuCl2、PtCl2、FeCl3和Mn(NO3)2的任意一种或几种作扩散剂配成浓度为5-8%的扩散源。
6.根据权利要求1所述的低阻/高温度系数的硅单晶热敏电阻的制备方法,其特征在于:以N型或P型硅单晶为基片,利用磷或硼扩散在硅片两面形成N+或P+低阻层;采用重金属离子的扩散在硅片的中心部份形成N+BN+或P+BP+结构的高B值层,用半导工艺做成具有低阻/高温度系数的NTCR元件;扩散为涂层扩散,扩散源涂敷在硅片的表面,在N2保护下进行高温扩散;P和B的扩散温度为1200-1250℃,时间为20-25小时;金属离子扩散的扩散温度为1000-1100℃,时间为4-6小时。
7.根据权利要求6所述的低阻/高温度系数的硅单晶热敏电阻的制备方法,其特征在于:半导工艺包括扩散片经表面处理、表面电极制作、划片、引线焊接和包封工艺几个步骤,其中表面电极制作采用化学镀镍工艺,镀液的重量配比为:
氧化镍 16.5g
次亚磷酸钠 7.5g
柠檬酸钠 2.5g
硫酸亚锡 0.0005g
水醋酸 2.5g
水 471g ;
镀液PH值8-9、温度保持在90-95℃,镀层的厚度为2-3um。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN200710113772A CN100583316C (zh) | 2007-09-12 | 2007-09-12 | 一种低电阻/高温度系数硅单晶热敏电阻及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN200710113772A CN100583316C (zh) | 2007-09-12 | 2007-09-12 | 一种低电阻/高温度系数硅单晶热敏电阻及其制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101123133A true CN101123133A (zh) | 2008-02-13 |
CN100583316C CN100583316C (zh) | 2010-01-20 |
Family
ID=39085417
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN200710113772A Expired - Fee Related CN100583316C (zh) | 2007-09-12 | 2007-09-12 | 一种低电阻/高温度系数硅单晶热敏电阻及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN100583316C (zh) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101399106B (zh) * | 2008-10-15 | 2011-03-23 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 金和镍掺杂单晶硅片式负温度系数热敏电阻及其制备方法 |
CN106190616A (zh) * | 2016-07-13 | 2016-12-07 | 苏州普锐晶科技有限公司 | 频率片的腐蚀方法 |
CN106501130A (zh) * | 2016-10-18 | 2017-03-15 | 西安理工大学 | 一种有机涂层扩散系数测试装置及基于该装置的测试方法 |
CN112837875A (zh) * | 2020-12-28 | 2021-05-25 | 成都宏明电子股份有限公司 | 一种高可靠玻封二极管ptc热敏电阻器及制备方法 |
CN114107924A (zh) * | 2021-11-11 | 2022-03-01 | 淮阴工学院 | 一种非制冷红外微测辐射热计用热敏薄膜 |
-
2007
- 2007-09-12 CN CN200710113772A patent/CN100583316C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101399106B (zh) * | 2008-10-15 | 2011-03-23 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 金和镍掺杂单晶硅片式负温度系数热敏电阻及其制备方法 |
CN106190616A (zh) * | 2016-07-13 | 2016-12-07 | 苏州普锐晶科技有限公司 | 频率片的腐蚀方法 |
CN106501130A (zh) * | 2016-10-18 | 2017-03-15 | 西安理工大学 | 一种有机涂层扩散系数测试装置及基于该装置的测试方法 |
CN106501130B (zh) * | 2016-10-18 | 2019-08-16 | 西安理工大学 | 一种有机涂层扩散系数测试装置及基于该装置的测试方法 |
CN112837875A (zh) * | 2020-12-28 | 2021-05-25 | 成都宏明电子股份有限公司 | 一种高可靠玻封二极管ptc热敏电阻器及制备方法 |
CN114107924A (zh) * | 2021-11-11 | 2022-03-01 | 淮阴工学院 | 一种非制冷红外微测辐射热计用热敏薄膜 |
CN114107924B (zh) * | 2021-11-11 | 2023-06-20 | 淮阴工学院 | 一种非制冷红外微测辐射热计用热敏薄膜 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100583316C (zh) | 2010-01-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN100583316C (zh) | 一种低电阻/高温度系数硅单晶热敏电阻及其制备方法 | |
Hilali et al. | Effect of glass frit chemistry on the physical and electrical properties of thick-film Ag contacts for silicon solar cells | |
US4235644A (en) | Thick film silver metallizations for silicon solar cells | |
CN107968127A (zh) | 一种钝化接触n型太阳能电池及制备方法、组件和*** | |
US8134068B2 (en) | Paste for back contact-type solar cell | |
CN102117840B (zh) | 一种多重金属扩散快恢复二极管及其制备方法 | |
CN110265497B (zh) | 一种选择性发射极的n型晶体硅太阳电池及其制备方法 | |
CN101952904A (zh) | 用于硅太阳能电池的导体浆料和栅极 | |
CN102027600B (zh) | 太阳能电池和太阳能电池的制造方法 | |
CN104404626B (zh) | 物理冶金多晶硅太阳能电池的磷扩散方法 | |
CN108666376A (zh) | 一种p型背接触太阳电池及其制备方法 | |
US20050087226A1 (en) | Electrode arranging method | |
KR101484833B1 (ko) | n 형 확산층 형성 조성물, n 형 확산층의 제조 방법, 및 태양 전지 소자의 제조 방법 | |
RU2758588C1 (ru) | Керамический нагревательный элемент, способ его изготовления и его применение | |
CN208422924U (zh) | 一种钝化接触n型太阳能电池、组件和*** | |
KR20140032492A (ko) | n 형 확산층 형성 조성물, n 형 확산층의 제조 방법, 및 태양 전지 소자의 제조 방법 | |
CN105826408B (zh) | 局部背表面场n型太阳能电池及制备方法和组件、*** | |
CN110739366B (zh) | 一种修复perc太阳能电池背膜激光开槽损伤的方法 | |
CN203869512U (zh) | 一种硼扩散炉防止粘连的自热炉门 | |
CN109860312A (zh) | 用于p型晶体硅太阳能电池硼扩散背钝化工艺 | |
CN102593244B (zh) | 一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法 | |
CN109545673B (zh) | 一种晶体硅太阳电池用无氧扩散方法 | |
CN115588612B (zh) | 一种碳化硅栅极氧化层的制备方法以及相应的器件 | |
CN106981544A (zh) | 全背接触太阳能电池的制备方法和电池及其组件、*** | |
JP5176158B1 (ja) | n型拡散層形成組成物、n型拡散層の製造方法及び太陽電池素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20100120 |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |