CN101089997A - 存储器电路 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种存储器电路,存储器(3)的数据端(4)既通过电阻(10)与微处理器(1)的数据端(2)相连,又通过上拉电阻(9)与电源端(8)相连,还依次通过干扰脉冲检测电路(6)、高低电平切换电路(7)与存储器(3)的写保护端(5)相连。当无干扰脉冲时,高低电平切换电路(7)输出低电平,存储器(3)处于允许写入状态;当干扰脉冲出现时,高低电平切换电路(7)输出高电平,存储器(3)处于禁止写入状态,从而有效地防止干扰脉冲改写存储器内的数据,达到对存储器内的数据进行保护的目的。
Description
技术领域
本发明涉及一种存储器电路,具体地说,是涉及一种用于电可擦可改写只读存储器的数据保护电路。
背景技术
目前,许多电器产品中采用电可擦可改写只读存储器存储数据。电可擦可改写只读存储器,亦称EEPROM,常简称为存储器。其中,24CXX系列或PCF859X系列最为常见。该类存储器设有一个写保护端口WP,高电平有效,即高电平时阻止一切写入操作。但在实际应用中,许多电路并未在微处理器上设置对存储器写保护端口进行控制的端子,而是将存储器的写保护端口固定为低电平,即一直处于允许写入状态,以方便微处理器对存储器的读写。这样处理虽然简化了电路,方便了数据的读写,但在电器工作时,机器内部或外部的干扰脉冲也就可能从数据线上进入并改写存储器内的原有数据,致使机器无法正常工作。为此,部分电路在数据线中串入电阻,并在数据线与地间连接电容或稳压二极管,以削减干扰脉冲的幅度,这样处理仍不能有效地阻止干扰脉冲对存储器内数据的改写。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种存储器电路,在微处理器未设置写保护控制端的情况下,能有效地阻止干扰脉冲对存储器中数据的改写。
为实现本发明的目的,本发明提供了一种存储器电路,由微处理器的数据端经电阻与存储器的数据端相连,形成双向传输数据线,数据线经上拉电阻与电源端相连,在存储器的数据端与其写保护端之间接入干扰脉冲检测电路及高低电平切换电路,干扰脉冲检测电路的输入端与存储器的数据端相连,其输出端与高低电平切换电路的输入端相连,高低电平切换电路输出端与存储器的写保护端相连。干扰脉冲检测电路对存储器数据端的的电压进行检测、比较,并平滑滤波成直流电压送入高低电平切换电路。高低电平切换电路根据输入直流电压的高低调整输出的电平状态,并送往存储器的写保护端,使存储器处于允许写入或禁止写入状态。
本发明的有益效果是,当存储器数据端上无干扰脉冲时,高低电平切换电路输出低电平,存储器处于允许写入状态,不影响微处理器对存储器内数据的读写操作;当存储器数据端上有较强干扰脉冲时,在干扰脉冲检测电路输出的直流电压作用下,高低电平切换电路输出高电平,存储器处于禁止写入状态,阻止数据的写入操作,从而防止干扰脉冲改写存储器中的数据,达到对存储器内数据进行保护的目的。
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步说明。
附图说明
图1是现有技术中存储器的数据传输电路图。
图2是本发明中存储器的数据传输电路框图。
图3是本发明中干扰脉冲检测电路及高低电平切换电路的第一个实施例的具体电路图。
图4是本发明中干扰脉冲检测电路及高低电平切换电路的第二个实施例的具体电路图。
具体实施方式
图1是现有技术中存储器的数据传输电路图。微处理器1的数据端2经电阻10与存储器3的数据端4相连;存储器3的写保护端5接地;电阻10与电容11组成低通滤波器,吸收干扰脉冲,以削减干扰脉冲幅度。由于存储器一直处于允许写入状态,幅度被消减后的干扰脉冲仍有可能改写存储器内的数据。
在图2中,存储器3的数据端4与其写保护端5之间接入了干扰脉冲检测电路6及高低电平切换电路7。其中,干扰脉冲检测电路6对数据端4的电压进行检测与比较,并根据结果输出控制电压;高低电平切换电路7在控制电压的作用下调整输出的电平状态;存储器3的写保护端5根据高低电平切换电路7的输出电平高低自动改变状态。
图3是干扰脉冲检测电路6及高低电平切换电路7的第一个实施例的具体电路图。图中稳压二极管DW1及电容C1组成干扰脉冲检测电路6;电阻R1至电阻R6与三极管Q1、Q2组成了高低电平切换电路7。该高低电平切换电路7的连接形式为发射极耦合双稳态电路,又称施密特触发器,该触发器中三极管Q2集电极与存储器3的写保护端5相连。
无干扰脉冲时,稳压二极管DW1截止,三极管Q1截止,Q1集电极为高电平,经电阻R3与R4分压后加到三极管Q2基极,Q2饱和导通,Q2集电极为低电平,即存储器3的写保护端5为低电平,存储器处于允许写入状态;当干扰脉冲到来时,稳压二极管DW1导通,三极管Q1导通,三极管Q1集电极电压下降,三极管Q2基极电压下降,三极管Q2退出饱和状态,Q2的发射极电流减小,电阻R6的两端电压下降,即三极管Q1发射极电压下降,三极管Q1基极电流更大,在这一正反馈过程的作用下,三极管Q1迅速进入饱和状态,三极管Q2迅速进入截止状态,三极管Q2集电极输出高电平,即存储器3的写保护端5为高电平,存储器处于禁止写入状态,阻止一切写入操作。
图4是干扰脉冲检测电路6及高低电平切换电路7的另一个实施例的具体电路图。该例中电压比较器8的同相输入端经二极管D10、电阻R10接存储器数据端4;其反相输入端接稳压二极管DW10的负极,稳压二极管DW10正极接地。稳压二极管DW10在电阻R11的限流降压的作用下,为电压比较器8的反相输入端提供一个基准电压。电压比较器8的输出端与存储器3的写保护端5相连。
无干扰脉冲时,电容C10两端电压低于稳压二极管DW10的稳压值,即电压比较器8反相输入端电压高于其同相输入端电压,电压比较器8输出低电平,即存储器3的写保护端5为低电平,存储器3处于允许写入状态;当干扰脉冲到来时,干扰脉冲经电阻R10限流及二极管D10、电容C10整流滤波使电容C10的两端电压升高,并很快超过稳压二极管DW10的稳压值,即电压比较器8同相输入端电压高于其反相输入端电压,电压比较器8输入高电平,即存储器3的写保护端5为高电平,存储器处于禁止写入状态,阻止一切写入操作。
Claims (4)
1.一种存储器电路,由微处理器(1)的数据端(2)经电阻(10)与存储器(3)的数据端(4)相连形成双向传输的数据线,数据线经上拉电阻(9)与电源端(8)相连,其特征是,在所述存储器(3)的数据端(4)与其写保护端(5)之间接入干扰脉冲检测电路(6)及高低电平切换电路(7),所述干扰脉冲检测电路(6)的输入端与存储器(3)的数据端(4)相连,其输出端与高低电平切换电路(7)的输入端相连,所述高低电平切换电路(7)输出端与存储器(3)的写保护端(5)相连。
2.根据权利要求1所述的存储器电路,其中所述的高低电平切换电路(7)为双稳态电路。
3.根据权利要求1所述的存储器电路,其中所述的高低电平切换电路(7)为电压比较器。
4.根据权利要求2所述的存储器电路,其中所述的双稳态电路为发射极耦合双稳态电路,即施密特触发器。
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