CN101076835A

CN101076835A - 具有发光特性的有价文件

Info

Publication number: CN101076835A
Application number: CNA2005800369566A
Authority: CN
Inventors: 托马斯·吉林; 格哈特·施文克; 沃尔夫冈·劳舍尔; 奥利弗·马丁; 扬尼克·米琴; 利西斯·丘比里斯
Original assignee: BANK OF FRANCE; Giesecke and Devrient GmbH
Current assignee: BANK OF FRANCE; Giesecke and Devrient GmbH
Priority date: 2004-09-02
Filing date: 2005-09-01
Publication date: 2007-11-21
Anticipated expiration: 2025-09-01
Also published as: EP1805727A1; CN101076835B; ES2627416T3; KR101280751B1; KR20070064611A; WO2006024530A1; EP1805727B1; AU2005279291A1; US20080116272A1; AU2005279291B2

Abstract

本发明涉及发光***件***，具有所述发光***件的基底，和用于检查发光***件的仪器及方法。本发明的特征在于，其中，***件包含至少两种发光材料，其在响应激发辐射时产生相应的重叠发射峰。

Description

具有发光特性的有价文件

本发明涉及一种发光***件(luminescent security feature，发光防伪标记)，其中该***件在受到激发后发出发光辐射。

本发明也涉及一种具有所述发光***件的基底。

本发明进一步涉及检查一种基底的发光***件从而确保例如基底的真实性被确定的仪器和方法。

利用发光物质标记钞票已经公知了一段时间。尤其是，在目标中同时采用不同的发光物质以确保这些分别的标记也被相互分别的评价。这样做的前提条件是不同物质发出不同光谱范围。尤其是，采用在紫外光或红外线的激发下发出可见光的物质，例如上转换型发光材料或铕-掺杂的钇钒酸盐或锰-掺杂的硅酸盐。

为了确保相应的目的，发光材料被印制在支持材料上或掺入其中，例如加入纸中或也加入安全元件中，例如安全线或者斑点纤维中。

即使当几种发光物质被同时采用时，物质的单独发射被相互分别的评价，或者当发光重叠时评价被完全防止。这使得其对于伪造者来说很容易，首先，检测相距甚远的单一的发光光谱谱带并且，进而，能够用仅仅类似的物质来仿冒它们。

另一个已知的想法是用重叠在不同光谱以上的明显分开的发光谱谱带的存在或缺失形成编码以提高可区分的编码数量。不同编码这样就使例如面额或者货币被区分。然而，带有明显分开的发光光谱谱带的光谱编码的缺点在于伪造者仍然很容易分辨出后者并且当分辨几个钞票时也很容易确定例如单独的面额的编码。

EP1182048公开了例如用于鉴定安全文件的方法，其中发光部件的发射已经被编码并且所述的发射与参考光谱比较。

除此之外还有很多其他***用于自动检查钞票。相关的传感器在最近几年之内迅速发展，因为不仅像以前中央银行要确证货币，而且还有商业银行和贸易也要采用设备自动检查钞票，例如点钞机，分拣机或存款机或自动贩卖机。

然而，某些高质量银行验钞机在银行部门之外的传播增加也带来一些缺点，即伪造者也提高了获得这样的传感器的能力并且通过评价所述传感器的测量信号而特异性的改变他们的伪造品。

为了解决这个问题，WO97/39428提出了钞票应该包含高***件，其由两种不同物质的混合物组成，被掺入或施加在纸上，和由另一种物质组成的低***件。其描述说高***件在高安全区域被检查，例如银行，而在低安全区域只有低***件被检查，例如公众可接触的自动贩卖机。

然而，不同特征物质用于不同安全级别的这种组合提高了选择合适的适配部件基底的成本并且因此提高了相关有价文件的生产成本。

因此，需要一种替代的***用于确保货币防止伪造同时还要考虑到上述银行验钞机传播增加所带来的问题。

本发明的问题因而就是提高钞票或其他安全文件的防伪安全性。

本发明的问题通过主权利要求和其他分别权利要求而被解决。

应该强调的是从属权利要求的部件和在如下说明书中的实施方式可以彼此与主权利要求组合或分别使用。

根据本发明的基底是典型的安全文件例如钞票或支票，由纸和/或聚合物制成的有价文件例如护照，安全卡片例如ID或***，用于确保贵重物品的标记，等。

根据本发明，基底的定义也包括安全文件生产过程中可能的中间产品。这些是例如，被施加或掺入要被确保的最终基底中的具有安全特征的支撑材料。例如，支撑材料可以是薄膜元件，例如具有安全特征的安全线。支撑材料本身通过已知的方式被连接到目标上，例如钞票。

根据本发明，″具有***件的基底″的形成意味着***件通过各种方式被连接至基底上。这通过以下方式进行。

***件可以被施加于基底，例如直接通过印制，喷射，平铺，等，或间接通过胶合或叠合装配有特征的其他材料至基底上。

或者是，***件可以被掺入到基底本身中，即它可以被掺入到纸或聚合物基底的体积中。例如，***件可以在造纸过程中混合到纸浆中，或者它可以在薄膜挤压期间被加入到塑料中。

术语″辐射″不限制于可见(VIS)辐射还包括其它种类的辐射例如红外线(IR)中的或近红外线的(NIR)光谱或在UV光谱中的辐射。所述种类的辐射的组合在这里也算作术语″辐射″。这既指激发也指发射辐射。

优选的，激发采用不可见光谱范围的辐射作用，尤其优选采用IR，NIR或UV辐射或其组合。

术语″响应信号″指的是在发光***件受到激发辐射时发射的辐射。响应信号通常存在于不可见光谱中并且能以例如IR，NIR和/或UV光谱或其组合的形式存在。响应信号以发射光谱的形式代表，即发光强度对发射波长。

或者是，响应信号以激发光谱的形式代表，即发光强度对激发波长。

此外，本发明的实施方式和优点可见于如下的说明和附图中，其中：

图1是根据本发明的基底的示意性代表，

图2是用于读取连接至这样的基底的发光***件的读取设备的示意性图，

图3是这样的发光***件的响应信号的示意性实例，

图4是发光***件的响应信号的另一个示意性实例，

图5是发光***件的响应信号的另一个示意性实例，并且

图6还是发光***件的响应信号的另一个示意性实例。

简述

图1显示基底10，其为一种钞票10在这里作为实例。

如上所述，基底10可以是其它种类，包括以支撑材料的形式作为中间产品的基底，例如薄膜或细线，其被连接至要被确保的最终基底上。基底10包括发光***件100。

部件100可以用以上所述的任何方式连接至基底10。

部件100包括发光特征物质，其发射对应于激发辐射的发光辐射。这种响应包含基于响应和/或激发的光谱分布(例如波长范围内响应的强度的分布)的信息。

发光部件的材料

发光***件100优选包括至少两种发光材料，它们的发射和/或激发光谱不相同并且它们的响应信号在光谱上邻近。

发光物质的激发和发射可在UV，VIS和/或IR种产生。在IR之后还包括NIR。

例如，可以被采用的物质在UV被激发并且发射在可见光谱范围，例如铕-掺杂的钇钒酸盐Eu:YVO₄，锰-掺杂的硅酸盐等。还可能利用在可见光中被激发并且发射可见光的发光物质。还可能利用的发光物质是在可见光中被激发并且发射红外线。还可能利用的发光物质是在红外线中被激发并且发射可见光，例如上转换型发光材料。在UV中被激发并在UV中发射的发光物质是优选的。在红外线中被激发并在红外线中发射的物质时更加优选的。

在UV中激发-在VIS中发射(UV-VIS)的实例：

如下根据本发明可被用作在紫外线(UV)中被激发而在可见光(VIS)中发射的基底：

化合物	发射峰λmax[nm]
化合物	发射峰λmax[nm]	Mn:Zn₂SiO₄	520
Ag，Ni:ZnS	460	Mn:Zn₂SiO₄	520
Ag，Ni:ZnS	460	Eu:YVO₄	632
Eu:鳌合物	600	Eu:YVO₄	632
Eu:鳌合物	600	Mn，Pb:CaSiO₃	610
Mn:KMgF₃	596	Mn，Pb:CaSiO₃	610
Mn:KMgF₃	596	Pr:Y₂O₂S	515
Tb:Y₂O₂S	544	Pr:Y₂O₂S	515
Tb:Y₂O₂S	544	Tb:La₂O₂S	548
Ce:Y₂SiO₅	415	Tb:La₂O₂S	548
Ce:Y₂SiO₅	415	Dy:YVO₄	570
Ti:Ba₂P₂O₇	500	Dy:YVO₄	570

表1

在VIS中激发-在IR中发射(VIS-IR)的实例：

如下根据本发明可被用作在可见光(VIS)中被激发而在红外线(IR)中发射的物质：

Er:Gd₂O₂S，

Er:NaYW₂O₆，

Yb，Er:CaF₂。

所述物质在大约550nm被激发而发射在大约1100nm。

在IR中激发-在VIS中发射(IR-VIS)的实例：

在红外线(IR)被激发并且在可见光(VIS)中发射的物质被称为上转换型物质。根据本发明可以使用

Yb，Er:Y₂O₂S，

Yb，Er:YVO₄，

Yb，Er:ZBLAN玻璃。

在UV中激发-在UV中发射(UV-UV)的实例：

如下根据本发明可被用作在紫外线(UV)中被激发而在紫外线(UV)中发射的物质：

Ce:YPO₄(发射峰在380nm)

Pr:GdBO₃(发射峰在312nm)

Ce:SrAl₁₂O₁₉(发射峰在305nm)

Pb:BaSi₂O₅(发射峰在350nm)

Eu:SrBeO₇(发射峰在370nm)

在IR中激发-在IR中发射(IR-IR)的实例：

如下根据本发明可被用作在红外线(IR)中被激发而在红外线(IR)中发射的物质：

Er:CaF₂

Er:LiYF₄

Er:KY(WO₄)₂

Er:YAG

其中这些在大约850nm被激发而在大约1500nm发射。

还可能采用

Nd:Y₃Ga₅O₁₂

Nd:KY(WO₄)₂

Nd:SrAl₁₂O₁₉

Nd:ZBLAN

这些在大约800nm被激发。

还可能采用：

Pr:SrMoO₄，其在大约1040nm发射，

V:MgF₂，其在大约1122nm发射，并且

Ni:MgO，其在大约1314nm发射。

尤其是被用于本发明的物质是在基质中具有发光团的发光物质。发光团可以是离子或者分子。

发光团特别优选稀土元素，例如La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、或者Bi、Pb、Ni、Sn、Sb、W、Tl、Ag、Cu、Zn、Ti、Mn、Cr或V的其他离子、以及有机发光团或它们的任何组合。

发光团的实例是列于表2中的荧光团。激发波长和发射峰的示出值是近似的，因为这些值强烈依赖于荧光团被嵌入的基质(溶剂位移)。

荧光团	激发波长	发射峰
荧光团	激发波长	发射峰	罗丹明6G	520nm	560nm
罗丹明700	645nm	644nm	罗丹明6G	520nm	560nm
罗丹明700	645nm	644nm	carbazine720	650	670
IR125	800	850	carbazine720	650	670
IR125	800	850	IR144	760	850
HDITCI	780	830	IR144	760	850

表2

有机发光团进一步的实例有三联苯、四联苯、五联苯、六联苯、唑、苯基呋喃、二唑、均二苯代乙烯、喹诺酮、香豆素、苯乙烯基-苯、磺胺黄素(sulfaflavine)、羰花青-碘化物、荧光素、fluororole、罗丹明、硫化罗丹明、嗪、胺基脲、氮苯、六花青素(hexacyanine)、苯乙烯、酞菁、萘菁(naphthalocyanine)、六二苯并花青素、二羰花青素(dicarbocyanine)。

任选地，如果有机发光团的稳定性对于应用来说不够，其应该通过合适的方法被稳定化。

具体的基质是无机主晶格，例如YAG、ZnS、YAM、YAP、AlPO₅沸石、Zn₂SiO₄、YVO₄、CaSiO₃、KMgF₃、Y₂O₂S、La₂O₂S、Ba₂P₂O₇、Gd₂O₂S、NaYW₂O₆、SrMoO₄、MgF₂、MgO、CaF₂、Y₃Ga₅O₁₂、KY(WO₄)₂、SrAl₁₂O₁₉、ZBLAN、LiYF₄、YPO₄、GdBO₃、BaSi₂O₅、SrBeO₇等。

有机基质例如PMMA，PE，PVB，PS，PP等，也是特别合适的。

优选的，采用在无机基质中带有稀土元素的无机发光物质。特别是如下物质可以被采用:

RE:A₂O₃，其中

RE代表一个或多个选自Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb中的元素，

A代表一个或多个选自Y、La、Gd、Lu、Sc、Al、Hf中的元素。

RE:A₂O₂S，其中

A代表一个或多个选自Y、La、Gd、Lu中的元素。

RE:ADO₄，其中

A代表一个或多个选自Zn、Sn中的元素，

D代表一个或多个选自Si、Ge中的元素。

RE:A₅D(EO₄)₃或RE:A₂D(EO₄)₂，其中

RE分别代表一个或多个选自Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb中的元素，

A分别代表一个或多个选自Ca、Sr、Ba中的元素，

D分别代表一个或多个选自F、Cl、OH中的元素，

E分别代表一个或多个选自P、Sb、Bi、V、Nb、Ta中的元素。

RE:A₃D，其中

A代表一个或多个选自Li、Na、K中的元素，

D代表一个或多个选自P、Sb、Bi、V、Nb、Ta中的元素。

RE:A₃D_2-xE_3+xO₁₂，其中0≤x≤2并且

A代表一个或多个选自Y、La、Gd、Lu中的元素，

D代表一个或多个选自Al、Ga、Tl、Sc、Fe、Cr中的元素，

E代表一个或多个选自Al、Ga、Tl、Fe中的元素。

RE:ADO₄，其中

A代表一个或多个选自Ca、Sr、Ba、Pb中的元素，

D代表一个或多个选自Cr、Mo、W、S、Se、Te中的元素。

RE:AD(EO₄)₂，其中

A代表一个或多个选自Li、Na、K中的元素，

D代表一个或多个选自Y、La、Gd、Lu中的元素，

E代表一个或多个选自P、Cr、Mo、W、S、Se、Te中的元素。

RE:A₂DO₈，其中

A代表一个或多个选自Y、La、Gd、Lu中的元素，

D代表一个或多个选自Cr、Mo、W、SSe、Te中的元素。

RE:ADE₂O₆，其中

A代表一个或多个选自Li、Na、K中的元素，

D代表一个或多个选自Y、La、Gd、Lu中的元素，

E代表一个或多个选自Mo、W中的元素。

RE:ADO₄，其中

A代表一个或多个选自Ce、Y、La、Gd、Lu中的元素，

D代表一个或多个选自P、V、Sb、Nb、Ta中的元素。

RE:A₂DEO₈，其中

A代表一个或多个选自Y、La、Gd、Lu中的元素，

D代表一个或多个选自Si、Ge、Sn中的元素，

E代表一个或多个选自Cr、Mo、W中的元素。

RE:AD₅O₁₄，其中

A代表一个或多个选自Y、La、Ce、Gd、Lu中的元素，

D代表P。

RE:AD₁₂O₁₉，其中

A代表一个或多个选自Y、La、Ce、Gd、Lu中的元素，

D代表一个或多个选自Al、Ga、Tl、Sc中的元素。

RE:AD₄O₇，其中

A代表一个或多个选自Ca、Sr、Ba、Mg中的元素，

D代表一个或多个选自Al、B中的元素。

RE:ADO₅，其中

A代表一个或多个选自Y、La、Gd、Lu、Sc中的元素，

D代表一个或多个选自Si、Ge中的元素。

RE:ADTiO₆，其中

A代表一个或多个选自Y、La、Gd、Lu、Sc中的元素，

D代表一个或多个选自Nb、Ta中的元素。

RE:AF₂或RE:AD₂E₂G₃O₁₂或RE:A₂DG₂O₇，其中

A分别代表一个或多个选自Ca、Sr、Ba中的元素，

D分别代表一个或多个选自Mg、Ca、Sr中的元素，

E分别代表一个或多个选自Y、La、Ce、Gd、Lu中的元素，

G分别代表一个或多个选自Si、Ge、Sn中的元素。

RE:ADO₄，其中

A代表一个或多个选自Li、Na、K中的元素，

D代表一个或多个选自P、Nb中的元素。

RE:AE或RE:ADE₂或RE:AO，其中

RE分别代表一个或多个选自Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Cu、Ag、Mn、Pb、Ni中的元素，

A分别代表一个或多个选自Zn、Cd中的元素，

D分别代表一个或多个选自Zn、Cd中的元素，

E分别代表一个或多个选自S、Se中的元素。

Ti:ADSiO₃，其中

A代表一个或多个选自Mg、Ca、Sr中的元素，

D代表一个或多个选自Mg、Ca、Sr中的元素。

Ti:AD₂O₇，其中

A代表一个或多个选自Mg、Ca、Sr、Ba中的元素，

D代表一个或多个选自P、Sb中的元素。

RE:A₃D₃O₉，其中

A代表一个或多个选自Y、La、Gd、Lu中的元素，

D代表一个或多个选自Al、Ga、Sc中的元素。

RE:A₃(DO₄)₂，其中

RE代表一个或多个选自Cu、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb中的元素，

A代表一个或多个选自Mg、Ca、Sr、Ba中的元素，

D代表一个或多个选自P、Sb、Bi、V、Nb、Ta中的元素。

X:A₅D(EO₄)₃或X:A₂D(EO₄)₂或X:AG₂Al₁₆O₂₇其中

X分别代表一个或多个选自Mn、Eu中的元素，

A分别代表一个或多个选自Ca、Sr、Ba中的元素，

D分别代表一个或多个选自F、Cl、OH中的元素，

E分别代表一个或多个选自P、Sb、Bi、V、Nb、Ta中的元素，

G代表一个或多个选自Mg、Ca、Sr、Ba中的元素。

Mn:A₃D、其中

A代表一个或多个选自Li、Na、K中的元素，

D代表一个或多个选自P、Sb、Bi、V、Nb、Ta中的元素。

Mn:AD(EO₄)或Mn:A₂EO₄或Mn:GEO₄、其中

A分别代表Zn，

D代表一个或多个选自Be、Mg、Ca、Sr、Ba中的元素，

E分别代表一个或多个选自Si、Ge、Sn、Ti、Zr中的元素，

G代表一个或多个选自Ge、Sn中的元素。

Mn:A₃(DO₄)、其中

A代表Zn，

D代表一个或多个选自P、Sb、Bi、V、Nb、Ta中的元素。

Mn:ADO₃、其中

A代表一个或多个选自Mg、Ca、Sr、Ba中的元素，

D代表一个或多个选自Si、Ge、Sn中的元素。

Eu:AB₄O₇或Eu:A₂P₂O₇，其中

A分别代表一个或多个选自Mg、Ca、Sr、Ba中的元素。

Eu:AB₄O₇或Eu:ASO₄或Eu:A₄Al₁₄O₂₅或Eu:AAl₂Si₂O₈，其中

A分别代表一个或多个选自Mg、Ca、Sr、Ba中的元素。

Eu:AD₃(EO₄)₂，其中

A代表一个或多个选自Mg、Ca、Sr、Ba中的元素，

D代表一个或多个选自Mg、Ca、Sr、Ba中的元素，

E代表一个或多个选自P、Sb、Bi、V、Nb、Ta中的元素。

Pb:AD₂O₅或Pb:ADO₃、其中

A分别代表一个或多个选自Mg、Ca、Sr、Ba中的元素，

D分别代表一个或多个选自Si、Ge、Sn中的元素。

Pb:A₂DSiO₇或Pb:ASiO₃或Pb:ASi₂O₇或Pb:A₃Si₂O₇，其中

A分别代表一个或多个选自Mg、Ca、Sr、Ba中的元素，

D代表一个或多个选自Mg、Zn中的元素。

Pb:ADO₄，其中

A代表一个或多个选自Mg、Ca、Sr、Ba中的元素，

D代表一个或多个选自Cr、Mo、W中的元素。

Bi:A₃ECl₆、其中

A代表一个或多个选自Li、Na、K、Cs中的元素、

E代表一个或多个选自Y、La、Ce、Gd、Lu中的元素。

Bi:ABO₃，其中

A代表一个或多个选自Sc、Y、La中的元素。

Bi:ADB₄O₁₂、其中

A代表一个或多个选自Y、La、Ce、Gd、Lu中的元素，

D代表一个或多个选自Al、Ga、Tl中的元素。

Bi:ADAlO₄或Bi:DOCl或Bi:D₂O₃，其中

A分别代表一个或多个选自Mg、Ca、Sr、Ba中的元素，

D分别代表一个或多个选自Y、La、Ce、Gd、Lu中的元素。

Bi₂Al₄O₉或Bi₄AlGe₃O₁₂

Bi:ADO₄，其中

A代表一个或多个选自Y、La、Gd、Lu中的元素，

D代表一个或多个选自P、V、Sb、Nb、Ta中的元素。

Sn:A₃(DO₄)₂或Sn:A₂D₂O₇，其中

A分别代表一个或多个选自Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Al中的元素，

D分别代表一个或多个选自P、Sb、Bi、V、Nb、Ta中的元素。

Sb:A₅D(EO₄)₃或Sb:A_5-xD_1-x(EO₄)₃(SbO)_x，其中0≤x≤0.1并且

A分别代表一个或多个选自Ca、Sr、Ba中的元素，

D分别代表一个或多个选自F、Cl、OH中的元素，

E分别代表一个或多个选自P、Sb、Bi、V、Nb、Ta中的元素。

W:AWO₄，其中

A代表一个或多个选自Mg、Ca、Sr、Ba中的元素。

Tl:A(DO₄)₂，其中

A代表一个或多个选自Mg、Ca、Sr、Ba、Zn中的元素，

D代表一个或多个选自P、Sb、Bi、V、Nb、Ta中的元素。

Ni:AO，其中

A代表一个或多个选自Mg、Ca中的元素。

V:AF₂，其中

A代表一个或多个选自Mg、Ca、Sr中的元素。

V:AD₃F₁₉，其中

A代表一个或多个选自Mg、Ca、Sr、Ba中的元素，

D代表一个或多个选自Y、La、Gd、Lu中的元素。

V:AD₅O₁₄，其中

A代表一个或多个选自Y、La、Gd、Lu、Ce中的元素，

D代表一个或多个选自P、Sb中的元素。

V:ADE₄O₁₂，其中

A代表一个或多个选自Li、Na、K中的元素，

D代表一个或多个选自Y、La、Gd、Lu、Ce中的元素，

E代表一个或多个选自P、Sb中的元素。

V:AD₄(EO₄)₃O，其中

A代表一个或多个选自Mg、Ca、Sr、Ba中的元素，

D代表一个或多个选自Y、La、Gd、Lu中的元素，

E代表一个或多个选自Si、Ge、Sn、Pb中的元素。

RE：玻璃，其中

玻璃代表ZBLAN，AZF，Ca-铝酸盐-玻璃，氟化玻璃，氟磷酸盐玻璃，硅酸盐-玻璃，硫化-玻璃，磷酸盐-玻璃，锗酸盐-玻璃。

生产有机***的实例：

为了生产能用于本发明的有机发光物质，荧光团被溶解在有机基质中，完全聚合并被冷冻研磨。这样产生的颜料随后可进行进一步加工，通过任选地加入TiO₂并与粘合剂混合以形成印刷油墨。

或者，在第一步中可以产生粉末形式的无掺杂基质，并且在第二步中与荧光团一起在高压灭菌锅中在压力下被处理。

在可行的发光团和基质中，作为发光团的稀土元素优选与无机基质组合，而有机发光团与有机基质组合。

然而，利用螯合物作为发光物质也是可以想到的，其中例如稀土元素被整合入有机笼中。

为了根据本发明生产发射光谱重叠，优选采用基于稀土的***。这些***是基于***主晶格也称为“基质”中的稀土离子的发光的***。

这里具有重叠发射光谱的至少两种发光物质优选具有相同的基质但是不同的发光团，或者是不同基质带有相同的发光团。

如果在不同主晶格中只采用一种发光团，主晶格可以在结晶的构型和/或化学组成中有所不同。

然而主晶格结晶的结构和/或化学组成的变化，导致发光物质的光谱仅仅在小的测量不同，因此根据本发明它们重叠光谱。

基质可以首先具有相同的化学组成(例如产生自相同的化学元素，一般具有不同的所述元素的含量)，但是具有不同结晶的构型。

这样的基质形成的基质家族在化学上非常相似但是其结晶的结构是不同的。这样家族的实例包括YAG(Y铝石榴子石Y₃Al₅O₁₂)基质和YAM(单斜晶系钇铝酸盐Y₄Al₂O₉)基质。

如果伪造者试图通过化学分辨来确定发光部件从而通过假冒该部件而伪造基底，他可能分辨到个别的元素但是掌握基质的相应结晶的构型是不可能的。伪造者将会推测在发光部件中只有一种基质。如果他在复制部件时无法考虑在真实部件中不同基质中相应的结晶结构，仿冒的发光部件将不包含至少两种发光材料而只有一种。

其次，基质可以具有相同的结晶构型但是不同的化学组成。

这样的基质可以为给定的结晶结构产生，包含选自例如O、N、C、Y、Al、Fe、Cr、P、W、Si、Zn、Gd、Ga、S、La、Ca的原子或基团。

有利的，根据本发明使用窄谱带发光物质。在一个特别优选的实施方式中，所述窄谱带发光物质与发射宽谱带辐射并且与窄谱带发光物质在相同波长范围发光的发光物质相组合。宽谱带发光物质可以是无机或有机物质。根据本发明还可能的是利用仅仅显示宽谱带发光的物质。

从目前众多的发光物质中，选择相应的发光物质以便至少两种物质的发射光谱重叠。图4示意了光谱(发光强度相对于波长)，其中几种具有单一光谱谱带P的物质组合形成了发光部件100，整个发光部件的包迹如虚线所示。

采用商业可获得的光谱仪无法将这样的***的光谱分开，特别是在组合于***件中的发光物质为了安全应用而浓度很低，并且只有短的测量时间可获得时。由于光谱的重叠，分析不是产生良好分离的各个光谱而是产生了很差或者无结构的光谱(宽谱带包迹)，其很难被解释。这样的宽谱带包迹如图4中的点线所示。在理想的情况下，鉴别出单种物质本身的可能性被排除。这使得其对于伪造者来说很难或者不可能分辨并了解本发明的组合。

根据本发明，术语“光谱重叠”指的是至少两种不同物质的光谱谱带基本上重叠，即光谱谱带不能被彼此分别的分辨。这样，各个光谱谱带的完全分离是不可能的。测量的分辨率通常为大约10至15nm。

术语“宽谱带”指的是宽谱带包迹所代表的响应信号，它不是结构化的，因而重叠光谱的光谱细节没有被分辨(见例如图4的点线)。

术语“窄谱带”指的是由光谱指纹绘制所代表的响应信号，即重叠光谱的光谱细节可以被分辨(见例如图4中的虚线)。窄光谱谱带优选具有大约50nm或更小的FHWM，例如有关的有机***或UV-VIS***。更优选的，窄光谱谱带具有大约15nm或更小的FHWM，例如有关的稀土***。

或者是，可以用激发光谱的重叠代替发射光谱的重叠。

在两外优选的实施方式中，不仅发射光谱而且激发光谱都是重叠的。

如果不仅***件的两种物质光谱重叠，而且如果物质的数量被进一步增加，***件就可以被进一步提高复杂性。这使得能提供覆盖宽波长范围的发光***件。在这个波长范围之内，由于不同的光谱可以产生很多不同的编码组合。

根据本发明，至少两个光谱的重叠存在于至少一个光谱范围中。该区域也将在以下被指为重叠区域。

当然也可能形成整个光谱以便所述的重叠区域和不与重叠区域重叠的另外光谱组合。所述另外光谱的光谱谱带因而就存在于另一个光谱范围中，其能与第一重叠区域相邻或者与其间隔。另外光谱本身也由不同物质的重叠光谱的组合所组成以便形成第二重叠区域，否则就成为单一物质的光谱。

在另一实施方式中，也可能组合刚说的两种以上光谱范围。

然而，优选的是组合不直接相邻而是波长范围分离的光谱范围。例如，一个光谱范围位于可见光而另一个位于红外光。如果不同辐射被用来激发两个光谱范围，例如激发用UV辐射/发射在可见光和激发在可见光/发射在红外光，这就尤其优选。

具有两种发光物质的无机***件的实例(激发在UV-发射在VIS)：

在一个实施方式中，粉末状的Mn:Zn₂SiO₄与粉末状的Pr:Y₂O₂S混合并且在造纸期间被加入到纸浆中。采用UV辐射对形成的纸照射，Mn:Zn₂SiO₄发出的光在520nm而Pr:Y₂O₂S在515nm。

具有三种发光物质的无机***件的实例(激发在UV-发射在VIS)：

在另一实施方式中，粉末状的Tb:La₂O₂S，粉末状的Tb:Y₂O₂S和粉末状的Ag，Ni:ZnS被混合。粉末混合物被加工成印刷油墨并且印刷在安全纸张上。采用UV辐射照射印刷的纸，这三种化合物发出表格中列出值的光线，其中这三种发光光谱谱带重叠。

具有三种发光物质的无机***件的实例(激发在IR-发射在IR)：

在另一实施方式中，粉末状的Er:LaPO₄，粉末状的Er:GdPO₄和粉末状的Er:CePO₄被混合。发光物质具有相同的发光团但是具有不同基质。粉末混合物被加工成印刷油墨并且印刷在安全纸张上。采用IR辐射照射印刷的纸，这三种化合物在IR发光，其中这三种发光光谱谱带重叠。

具有两种发光物质的无机***件的实例(激发在IR-发射在IR)：

在另一个实施方式中，粉末状的Er:YAl₁₂O₁₉和粉末状的Er:GdAl₁₂O₁₉被混合。发光物质具有相同发光团但是具有不同基质。粉末混合物被加工成印刷油墨并且印刷在安全纸张上。采用IR辐射照射印刷的纸，这两种化合物在IR发光，其中这两种发光光谱谱带重叠。

根据本发明，或者组合发光物质以便不同物质被不同光谱范围的辐射激发和/或发出不同光谱范围，例如被UV激发而在VIS辐射的物质可以与在可见光中激发而在可见光中辐射的物质组合。如果这些物质组合的光谱范围是邻近的，非常简单的传感器可以被生产因为光谱的分离可通过单一元件，例如光谱仪或过滤***来完成，只要其覆盖组合的波长范围。

根据本发明，单一物质的重叠组合位于至少一个所述的波长范围中。首先可行的是在一个光谱范围内的这样重叠组合与另一光谱范围中的纯光谱(即纯物质的光谱)组合。这就使得能被区分的单一物质的数量极大提高，而对于现在可得到的***而言安全提高了。

具有三种发光物质的无机***件的实例(激发在UV-发射在UV和VIS)：。

粉末状的Ce:YPO₄(发射峰在大约380nm)，粉末状的Ti:Ba₂P₂O₇(发射峰在大约500nm)和粉末状的Mn，Pb:CaSiO₃(发射峰在大约610nm)被混合。粉末混合物被加工成印刷油墨并且印刷在安全纸张上。在UV和VIS中这三种化合物在所述值发出光线，其中Ti:Ba₂P₂O₇和Mn，Pb:CaSiO₃的发光光谱谱带在VIS中重叠，而Ce:YPO₄作为单一物质在另一个光谱范围(UV)中发光。通过单一物质的变化就能够***地增加可获得***的数量。然而，还可以想象的是，利用在两个光谱范围都重叠的组合，即也在UV中重叠。

根据本发明的研发是发光物质在整个可获得的光谱范围覆盖的边沿中组合两种或多个波长范围，重叠的各个物质位于其中。随后可选择每个单一光谱范围，不管是单一物质或重叠光谱的组合都可采用，只要至少一种光谱范围显示重叠光谱。

如果被组合的物质的激发和/或发射光谱不是邻近的并且波长间隔，例如激发在UV/发射在VIS的物质与激发在VIS/发射在IR的物质相组合，根据本发明特别有利于提高安全性。

如果采用不同的技术来激发两个光谱范围，这里特别有利。采用检测仪技术，相同的也是可行的，或者甚至在激发侧和发射侧。类似的，这也可以用于NIR或者IR。例如，***可被用于波低于或高于1100nm，其能采用硅制成的检测仪检测或不再能被检测。完全检测这样***的努力明显高于常规***的能力。

如果这些***彼此不组合-象通常一样-以便发出的窄谱带线不重叠以允许它们被更好的光谱分离，但是只有窄谱带线重叠，抗分辨和仿冒的能力会更好。

然而，特别有利的是，如果所述的窄谱带发光***与在相同波长范围内发光的非常宽谱带的发光***组合。具体的，有机荧光***在这里被提及，但是也有无机***发射宽谱带辐射，例如公知的***ZnS:Cu。

重叠的激发和发射光谱的实例：

根据本发明的实施方式，三种发光物质Mn:MgGa₂O₄(21)，Eu:Sr₂P₂O₇(22)和YNBO₄:TB(23)被组合。例如发光物质可以以粉末的形式在造纸期间被加入纸浆中或者与粘合剂混合以产生印刷油墨。

图6显示了三种发光物质的激发光谱(虚线)以及发射光谱(实线)。Eu:Sr₂P₂O₇的发射峰为在大约450nm，Mn:MgGa₂O₄的发射峰为在大约500nm而YNBO₄:Tb的发射峰为在大约545nm。

通过采用不同波长的光源照射发光物质并且探明哪种辐射触发发光而产生激发光谱。在目前的实例中，采用两种UV灯，其在254和365nm发光，和在380，400或420nm发光的三种LEDs。不同的光源交替照射样本以便具体的响应信号可以被确定。

通过上述的物质，激发和发射光谱都重叠，因此两种光谱可以用于评价本发明。

对于评价，只有在相应的光谱范围内的信号的存在或缺失可以被确定，否则单独光谱的分辨将是可能的，取决于使用者。这样，中央银行能够例如既分辨激发光谱也能分辨发射光谱，而例如商业银行可以分辨激发光谱但是不能分辨发射光谱并且只能检测在500nm左右范围内的包迹30(点虚线)。对于自动贩卖机制造商，只有发射包迹30和激发包迹31的信息可以获得。

重叠和非-重叠发射光谱应用的实例：

如果理想的是区分货币的不同面额并且此外提供给不同的机构以不同的检查能力，这可以通过例如采用如下***而获得。

面额	Ce:YPO₄	Ce:Y₂SiO₅	Ti:Ba₂P₂O₇	Mn，Pb:CaSiO₃
面额	Ce:YPO₄	Ce:Y₂SiO₅	Ti:Ba₂P₂O₇	Mn，Pb:CaSiO₃		第一光谱范围		第二光谱范围
10	+	+	-	-		第一光谱范围		第二光谱范围
10	+	+	-	-	20	+	+	+	-
30	+	+	-	+	20	+	+	+	-
30	+	+	-	+	40	+	+	+	+
50	+	-	+	+	40	+	+	+	+

表3

区分不同面额基本上是通过列于表3中的发光物质的存在(+)或缺失(-)来进行的。Ce:YPO₄具有380nm的发射峰，Ce:Y₂SiO₅的发射峰为415nm，Ti:Ba₂P₂O₇的发射峰为500nm而Mn，Pb:CaSiO₃的发射峰为610nm。两种光谱范围就这样能被相互划界，第一光谱范围从大约300至450nm而第二光谱范围从大约450至650nm。

面额10被第一光谱范围内的两种重叠光谱特征化，其中没有信号存在于第二光谱范围中。

面额20被第一光谱范围内的两种重叠光谱特征化，其中Ti:Ba₂P₂O₇的单一光谱谱带额外存在于第二光谱范围中。

面额30被第一光谱范围内的两种重叠光谱特征化，其中Mn，Pb:CaSiO₃的单一光谱谱带额外存在于第二光谱范围中。

面额40被既存在于第一光谱范围又存在于第二光谱范围内的两种重叠光谱特征化。

面额50被Ce:YPO₄的单一谱带和存在于第二光谱范围内的两种重叠光谱特征化。

可以根据***提供者的要求选择他想传递给使用者的有关各个光谱范围的信息。例如，中央银行可以被给予有关重叠和非重叠光谱特异存在的全部信息。中央银行从而能够确定哪种面额存在单一光谱谱带和/或重叠光谱。基于这种信息，可行的现行编码随后可能被补充选择。商业银行可以只给予部分信息。例如，商业银行可以分辨面额10和40的第一光谱范围内的重叠光谱，但是只能检测面额40中第二光谱范围内的包迹。自动贩卖机的制造商，例如，可获得更少的信息。因此他们不能完成对任何面额的重叠光谱分辨，而只能确定在第一和/或第二光谱范围中信号的存在或缺失。如果想要减少使用者获得的信息，甚至还可以，对于带有在第一和第二光谱范围内信号的面额，只提供一个范围独特的包迹信息。

组合的可行性可以进一步提高，例如通过进一步采用在单一光谱范围内的发光物质，通过利用进一步的光谱范围和通过采用假基质(dummy matrix)，因而对于大量的应用获得一致排外的编码。

编码：

根据本发明的又一目的，预期响应信号的复杂图像可以包含多于一种光谱谱带。

所述复杂图像的光谱谱带可以形成编码，其与存储的复杂图像的光谱谱带所形成的编码相比较。

这种编码可以基于单一光谱谱带的特定波长。

或者，该编码可以基于单一光谱谱带的特定强度。

还可以编码既基于单一光谱谱带的特定波长又基于强度的编码。

当然这里也可能，编码只基于发射光谱和/或激发光谱的光谱谱带。

优选的，在不同基质中的只基于稀土离子的稀土***也可用于本发明的***。对于通常采用发光光谱的编码，这样的差异非常小以至于不能够清楚分离彼此分别的单一物质。

然而，在本发明的***中，稀土离子在不同基质中的重叠光谱能被用作编码。

在最简单的情况下，发明的组合是由稀土离子组成，其被***到两种不同的被嵌入到安全元件中的基质中。而且在这里，这种类型的编码既可以采用发射光谱也可以采用激发光谱(或采用两者)。精确的分析显示稀土离子特别适合于这种类型的编码，因为它们具有非常窄的谱带光谱，并且在不同波长范围内的非常多的不同发明的组合可以组合成完整***，其极大提高了部件***的复杂性并且因此提高了针对伪造者的安全性。

带有几个激发波长的发光部件：

如果不仅发射光谱重叠而且激发光谱也重叠，发明的***的安全性可以进一步提高。

在这样情况下，可以让两种发明的重叠***被调节以便当激发波长λ1激发时，给定的发射光谱被调节。这就意味着给定的发射光谱在给定公差之内对应发射光谱。在这种情况下，特别有利的是如果单一物质的激发光谱不同的不同批次被采用。

这可能采用相同或相似的化学物因为例如粉末的颗粒尺寸分布不同。有价文件的不同批次采用物质的不同批次标记。基于不同批次的有价文件的分析随后确定当采用不等于λ1的波长λ激发时，文件的发射光谱不同，因此保护了编码的***性不被分析出来。只有采用特定波长λ1激发，***才显示出特定的发射光谱。如果采用异常的激发波长用于检测***，这就使得***的分析更加困难。

发明***的安全性通过组合不同的采用不同激发波长而被相互调节的发明组合而得以进一步的提高。

如果两个发明的组合K(1，2)＝αA1+βA2+A3包含被组合的单一物质A1，A2，A3，可以提供的是单一物质A1和A2的发射光谱显示在激发波长λ1的给定的发射光谱，而单一物质A2和A3显示在激发波长λ2给定的发射光谱。指数α，β和γ描述物质的含量。单一物质A1，A2和A3的激发光谱不同的不同批次可以被组合。

在生产期间，要确保(只有在)采用波长λ1激发时单一物质A1和A2的重叠光谱对应于A1和A2的所有批次的给定规律，同时(只有在)采用不等于λ1的波长λ2激发时单一物质A2和A3的重叠光谱才对应于A2和A3的所有批次的给定规律。

为了进行这一目标，光源例如光源20，将在随后组合附图2详细说明，必须在至少两种激发波长λ1和λ2发光。延伸至多于三种单一物质是可能的而没有限制。

当不是采用发射光谱而是采用激发光谱进行编码时，该原则是适用的。在这种情况下，响应R必须在至少两种波长来检测，通过其可以相互校正单一物质。

惰性假基质

在任何情况下，发光部件可以进一步包含至少一种惰性假基质。

这样的惰性假基质的优点在于能够进一步困扰想要进行发光特征化学分析的伪造者。惰性假基质专有的由基质材料组成，即基质不包含发光团。结果惰性假基质在暴露于激发辐射时不显示任何发光效果。或者，假基质包含与发光基底相同的发光团，但是假基质中的发光团的发光通过被称为发光猝灭剂的小量添加而完全被禁止。

这样惰性假基质对于伪造者的部件分析结果有很强的作用，但是不会对部件的光谱发射特性有任何影响。

在可替换实施方式中，发光部件中的一种或多种惰性假基质，可以不同于包含发光团并且是光学活性的基质。

除了发光团的发射特性的光谱分析之外，***件的化学组成也能通过元素分析的方式被确定从而用于检查真实性。

为了进一步提高安全性，结晶的构型也可被用作真实性特征。特别是，惰性假基质的细节分析可以适用于基底的真实性鉴定。

在优选实施方式中，***件包含至少两种惰性假基质，其中所述的惰性假基质形成编码，其能通过细节分析而确定，如上所述。假基质的实例及其应用：

在表4中，与一种或两种假基质组合的不同发光基底被用于标记货币XY的不同面额。

面额	物质1	物质2	物质3
面额	物质1	物质2	物质3	10	Yb，Er:Y₂O₂S(发光物质)	YVO₄(假基质)	ZBLAN(假基质)
20	Yb，Er，Dy:Y₂O₂S(假基质)	Yb，Er:YVO₄(发光物质)	ZBLAN(假基质)	10	Yb，Er:Y₂O₂S(发光物质)	YVO₄(假基质)	ZBLAN(假基质)
20	Yb，Er，Dy:Y₂O₂S(假基质)	Yb，Er:YVO₄(发光物质)	ZBLAN(假基质)	30	Y₂O₂S(假基质)	Yb，Er:YVO₄(发光物质)	Yb，Er:ZBLAN(发光物质)

表4

面额10包含作为发光物质的Yb，Er:Y₂O₂S和其他两种物质，即YVO₄和ZBLAN，其作为假基质。后者本身不发光。

面额20包含作为发光物质的Yb，Er:YVO₄以及假基质ZBLAN和Yb，Er，Dy:Y₂O₂S。与面额10的物质1相比，面额20的物质1另外还包含作为猝灭剂的DY，因此面额20的物质不显示发光。

面额30包含两种发光物质和一种假基质。

在不同面额中采用的物质非常相似，因此试图伪造显然更加困难。

这一实例用于说明假基质的使用。为了进一步进行本发明，发光物质应该被选择以便具有重叠光谱。列于表4中的发光物质因而可以被合适的方式补充或替换。

发光部件的应用方法：

应用例如将特征物质作为粉末混合物掺入到基底中(纸，聚合物基底，包括聚合物涂层，包括纸涂层，纸板，补片，线，粘贴物，屏幕打印元件)。这里的问题是将混合物颜料以编码信息被保留的方式掺入到基底中。

这里如下加工步骤是有关特征物质的应用。

对于产生粉末混合物(″编码″)，粉末以生粉(raw powder)方式被提供并且通过混和仪的方式在干燥过程中被混合。这里，添加提高可混合性的添加剂可能是有用的。

重要的是，在混合后检查粉末混合物，考察编码存在于正确的混合物中，即在预定公差度之内光谱对应于预定光谱。

在实验室规模，生产安全元件或另一个对应的元件(例如医生刮刀箔片)并与标准相比较，其允许定量比较。

随后在造纸工厂中粉末在大容器中被分散并且以合适的形式成功的加入到纸浆中。

在掺入期间的质量控制：

掺入到基底的过程被监控，即，将可能比这里随后描述的用于检查流通中的钞票的检测仪更加特异的检测仪移动通过纸网或者通常的基底并证明它是正确的编码。在这种形式中检测仪只能指示被检测的编码与预定的编码的关联度或其质量，但是它不能干涉控制或调节方式。

为了防止在掺入期间各个粉末物质的分离，可以提供测量站，其具有如下作用：对于粉末中的每种物质产生浓缩物，其填在测量站中的不同容器中。也可以再采用一个检测仪，其通过控制***确保，各种物质被正确分配。

可考虑更进一步的设计，粉末的主要量作为预备混合物填装，并且只有偏离了预定值的偏差物通过测量站添加。这样的结果是，这样的测量站可以更加简便，因为只有校正目的的粉末量需要被提供。

在这部分的结尾，两个具体的实例将被更加详细的解释：

详细实例1：

Cu:ZnS是激发在UV中并且宽-谱带发射在黄绿波长范围中的发光***，在λ＝365nm被激发，发射光谱S1_365(λ)。

另一方面，Mn:ZnSiO₄是激发在UV中并且宽-谱带发射在红波长范围中的发光***，在λ＝365nm被激发，发射光谱S2_365(λ)。

这些两种单独物质现在被组合，例如在发光印刷中，即采用准确预定的浓度比例选择这样的调节：通过在预定的限制内选择参数α和β，使光谱达到S_tot(λ)＝α*S1_365(λ)+β*S2_365(λ)。

在最简单的情况下，***这样被调节，在通常为365nm的激发波长下，导致限定的发射光谱。但是，而且，可以想象并且是本发明的主题，异常激发波长，例如254nm被采用，也导致各个物质的发光辐射。

本发明的问题的解决方案优点在于可以采用不同加料特异的物质(例如Cu:ZnS)，在λ＝365nm和在λ＝254nm的发射光谱的比例A(365nm)/A(254nm)由于不同加料而变化。这可以进行例如通过控制制造条件，例如韧化时间或通过选择合适的颗粒尺寸。这样，在254nm的激发波长的强度值可以保持常数，尽管在365nm处变化。

在分析这样的***时，在采用仅仅一种波长(这里为365nm)照射时，编码的表现完全不同，虽然质量控制以这样的方式调节即采用***波长(这里为254nm)激发的结果总是相同的光谱s_tot(λ)＝α′*S1_254(λ)+β′*S2_254(λ)。当以这种方式分析大量的BN时，不同光谱非常明显并且对于伪造者来说不清楚该如何正确调节比例。

详细实例2：

作为详细实例1的扩展，此外还可以组合其它的物质，例如Ag，Ni:ZnS。这里要注意发光光谱的不同重叠。

利用这种补充的组合，采用预定数量的物质就可以产生大量的编码。此外，***变得越来越复杂，因为试图仿冒***的攻击者不能识别光谱被相互调节至哪种波长。

在这里讨论的实例2中，也可采用几个波长，即例如前面的两个***(来自实例1)在254nm相互被调节，而第三***(Ag-共掺杂的)在波长365nm被调节至先前两个***中之一。也可以所有三种***都在相同波长被互相调节。

发光部件的检查

图2以示意性的方式显示了用于检查这样的部件100的仪器的实例。这样的仪器可以用于，例如钞票计数仪器或钞票分拣仪器，钞票存放机器或钞票分送机器或在自动贩卖机中或还可以在手持检查设备中。

在图2中，基底10带有部件100，即例如钞票10，被激发辐射E照射，其是由光源20或几个光源20发出的。当暴露于辐射时，部件100以发光辐射的形式发出响应信号R。

这个响应信号R，即来自钞票10的辐射，被检测仪30检测，其包含一个或几个传感器以便能够测量不同光谱区域，检测仪30优选的具有光谱仪。检测仪30被连接至处理单元31，其能评价发光响应信号R给出的信息。处理单元31被连接至存储单元32，在其中真实钞票的预期响应信号或从其派生的数量作为参考信号被存储。

为了确定例如被检查钞票的10的真实性和/或面额，在处理单元31中响应信号R与作为参考信号的预定的响应信号或派生的数量相比较，并且被存储在存储单元32中。

取决于使用这里可以包括读取设备1，在一个外壳中只有检测仪30，或任选地还有元件20，31，32。

根据不同安全级别的检测：

本发明的一个基本目的是，在具有不同安全级别的区域中发光***件的检查以不同方式进行，对于不同的安全级别采用不同传感器参数。

与WO97/39428中已知的***相比，其中采用不同物质作为不同安全级别的***件，而根据本发明可以采用相同的发光物质用于所有的安全级别，该物质，然而，必须被使用者在不同安全级别的区域采用不同方式检查。

根据本发明，与提供给中央银行特异采用的相应标准一致，传感器的制造商可以为在低安全级别区域使用的客户，例如用于生产自动贩卖机，其通常没有高的安全要求并且每个人都可接触到，只提供能以比制造商可以提供给客户例如具有较高安全级别的商业银行的传感器低的光谱分辨率进行测量钞票的发光辐射的传感器。

结果，中央银行(最高安全级别)用于检查在流通中的钞票所采用的高质量传感器是其独有的并且不会提供给任何其它社会机构。

事实上本发明进行的结果是，伪造者无法获得高安全级别区域中采用的传感器和采用这些传感器正确检查和评价方法的知识。

作为这样的结果，伪造者无法通过参考传感器特别是，中央银行所采用的，而改进其钞票的伪造技术。作为这样的结果，制造“完美的”伪钞(其即使在中央银行的自动检查中也不能被检测出来)，能被有效防止。

进行该***的不同实例将在以下被详细解释，当其相互组合时也可能产生有利的应用。

分别被用于简化模式和复杂模式的激发辐射E不必要具有相同的波长。优选的，激发辐射是IR-或UV-辐射。不同波长的辐射，取决于模式，也可被采用。

根据本发明的设想，还可以提供光源20在不同波长发光。光源也可以用于在最接近具体情况的波长激发包含在基底10中的作为组合中的不同特征物质发光。优选的，为该目的采用光源20，其仅仅在空间分离的波长范围内明显发光。

实例：

如果***件100是例如Eu:BaMg₂Al₁₁O₂₇(最大发射在大约430nm)和Ce:YAG(最大发射在大约500nm，非常宽谱带)的组合，用于在低安全级别的区域例如在自动贩卖机中的读取设备可以只在采用波长λ＝365nm激发时检测响应信号，即发出的发光辐射，并将其与这个激发波长特异的参考信号相比较。

与其相比，只有那些用于在较高安全级别的区域，例如在中央银行的读取设备可以检测在另一个波长，例如254nm激发出的发光辐射，并将其与这个激发波长特异的参考信号相比较。

通过限制高安全读取设备激发至这个高安全区域的波长的有关信息，导致伪造者事实上在采用更容易获得的较低安全级别的读取设备不能获得有关中央银行在254nm检测发光辐射的任何信息，制造“完美的”伪钞显然就更加困难。

作为已经提到的发光部件100，根据本发明的进一步设想，包括例如至少两种发光材料，在被激发辐射E激发时分别发出各自的发光光谱谱带作为响应。

实际检测的光谱谱带具有特定的不会消失的宽度，即使在采用最高质量的传感器时，单独的光谱谱带不会模糊成一个连续的光谱从而光谱的细节可以被保留。当进一步减少分辨率时，所保留下来的是如图4所示的宽-谱带包迹(点线)。

该包迹代表简化的宽-谱带响应信号，而分辨的各个频率代表单独光谱谱带可被视为相同响应信号的复杂图像。简化的宽-谱带响应信号的分辨率是这样一个低的程度即响应信号的单独光谱谱带没有被分辨出来，而仅仅是给定波长范围的平均响应信号被测量。

即部件的响应信号可以根据本发明被测量：

-作为低级分辨率的简化图像，其仅仅显示作为包迹宽-谱带光谱而没有分辨出单独的光谱谱带，或者

-作为复杂图像，其以频率分辨的形式显示单独的光谱谱带。而且，是可能的，该部件的响应信号的复杂图像仅仅分辨出某些或者甚至只分辨出一个事实上包含在响应信号中的光谱谱带。

根据这一点可以按如下测量发光部件：

-在简化模式中，其对应于较低安全级别并且被用于例如自动贩卖机的传感器中，其中响应信号仅被读取成宽-谱带光谱并且与预期响应信号的简化图像相比较，其由宽-谱带光谱所代表，和/或

-通过复杂模式，其对应于较高的安全级别并且仅仅在例如中央银行和/或商业银行中被采用，其中响应信号的至少一个光谱谱带以单独的频率分辨模式被读取，并且信号与更加复杂的即更高分辨率的预期响应信号的代表相比较，其至少包含一个光谱谱带。

在这两种模式之外，可以存在对应于不同安全级别的其它模式。例如采用更高光谱分辨率检测和/或比提供给商业银行或自动贩卖机的生产者的传感器检测更大数量单独光谱谱带的传感器，只提供给中央银行。

简化模式只需要简单的检测仪并且可以通过例如低成本宽谱带传感器而进行，而复杂模式只能通过较高分辨率检测仪进行，其还能检测响应信号的单独光谱谱带。

一个其他模式例如如下情况，其中中央银行可以将响应信号作为通过整个可测量波长范围的被完全高度分辨的光谱而确定下来。商业银行例如只能分辨第一光谱部分区域，而对第二光谱部分区域他们能检测到信号的存在或缺失，但是无法进行分辨。自动贩卖机或钱箱的生产者例如将只能接收到有关第二光谱部分区域的信息。最好，最后介绍的组也只能检测信号的存在或缺失而不能分辨它。

实例：

如果***件100是例如具有在370nm的光谱谱带的Eu:SrB₄O₇和具有在350nm的光谱谱带的Pb:BaSi₂O₅的组合，可以提供，只有在中央银行中采用的读取设备中利用几个纳米分辨率的光谱仪，从而能够确定在***件中存在两种基底。

商业银行或自动贩卖机的生产者将仅仅被提供只能确定在大约360nm发光的存在而不能确定光谱形状的光谱仪，具体的就是不能区分Eu:SrB₄O₇和Pb:BaSi₂O₅的光谱仪。

如果，或者，商业银行和自动贩卖机的生产者的读取设备配备了光谱仪，那么它被提供了有特征性较低的分辨率，例如30-50nm，因而***件的光谱，即Eu:SrB₄O₇和Pb:BaSi₂O₅的光谱差异不能被发现。通过这样的方式有关重叠光谱的组合信息被严格限制给中央银行的领域。

由于伪造者通常只能获得根据简化模式的这样的检测仪，其仅仅以较低的分辨率检测，本发明的工艺使得伪造者更加难以仿制***件。

已经介绍，不同分辨率的光谱的过程的测定一方面可以通过提供用于不同的使用领域的读取设备1来进行，其具有不同的分辨率例如由于不同的衍射光栅设计。因此，不同传感器参数通过读取设备1的不同设计而产生。

或者，也可能，提供用于不同领域中的读取设备1的设计相同并且也具有例如相同的衍射光栅，而不同的检测精确度仅仅存在于被检测信号的不同测评方式中。这可能例如意味着用于进行简单检查模式中在较低安全级别的检测仪30的处理单元31中的软件控制仅根据图5中曲线16评价检测值，而用于进行复杂检查模式的更高安全级别的检测仪30的处理单元31的软件根据图5中曲线15评价光谱。

换句话说，这样简化模式也可以通过较高分辨率的检测仪来进行，在这种情况下，通过在信号与作为参考信号储存的简化图像比较之前转换响应进入宽-谱带信号而进行(例如通过分辨率降低折叠)。因此，传感器中要存放的不是高分辨率参考信号，而只是宽谱带信号，其在安全性方面要求不太苛刻。

这里优选的，还可以提供，不同传感器参数，即简单或复杂的检查模式，依赖于应用领域的安全级别而被释放。传感器生产者可以提供，例如，具有检测仪30和处理单元31的读取设备1，其既能进行高安全领域要求的复杂检查也能进行较低安全领域要求的简单检查。

由于释放是通过软件的方式起作用，对于不同应用领域处理单元31的特定软件被释放或者锁定，以便例如只有在高安全级别的领域中对发光的检测可采用高分辨率(例如图5中的曲线15)而在低安全级别的领域中对发光的检测仅能采用低分辨率(例如图5中的曲线16)。特别在这种情况下，参考信号优选以编码的形式存放于传感器中。

实例：

对于上述由Eu:SrB₄O₇和Pb:BaSi₂O₅组成的***件100的实例，例如在所有的相关读取设备中将采用具有2nm的分辨率的光谱仪，但是只有在中央银行采用的读取设备中安装了评价软件，其随后能确实利用这种分辨率来评价检测到的值。所有其他的传感器将在处理单元中具有评价软件，其将2nm的高分辨率的检测数据转换成较低的分辨率并且直至随后评价。

由于在所有其他的实例中，评价软件通常被编码存储在读取设备中，伪造者不能通过利用设计用于低安全级别的读取设备而获得***件的组成细节。

而且，有利的是，至少当读取设备1要按照较高安全级别检查时必须要进行授权许可。这可以适用于具有可释放软件功能的读取设备以及专门能根据较高安全级别进行检查的读取设备。

实例：

这里为了授权许可，例如读取设备1的使用者的安全级别可以被检查。该使用者可以自己授权许可例如通过芯片，生物基质识别或PIN入场证。

在复杂模式中，读取仪的读取单元优选包括几个窄-谱带检测仪，每个窄-谱带检测仪适用于检测在光谱窄谱带区域中响应信号的一部分。

结果，在复杂模式中响应作为窄-谱带响应信号的总和被读取。组成光谱的各个窄-谱带波长范围，可以以连续或不连续的模式覆盖波长光谱，即仅仅以区域模式。优选的，窄-谱带波长范围是10nm宽度。

在复杂模式中，其对应于较高的安全级别，结果响应信号被表示为特别优选的窄-谱带响应信号的量，每个窄-谱带响应信号通过各自的窄-谱带检测仪检测。

在复杂模式中，响应信号R的至少一个光谱谱带被单独测量并且窄-谱带响应信号R与预期响应信号的复杂图像相比较，其由预期的窄-谱带响应信号形成并且至少包含一个光谱谱带，即参考信号，其比简化模式的各个参考信号具有更高分辨率。

在两种模式中(简化的和复杂的)，基底至少采用一个激发辐射E照射，***件对于这种激发辐射的发光响应被检测并且响应信号与预期的代表，即响应信号的预期参考信号(这里的代表是简化的或复杂的，取决于模式)相比较。

通过将检测到的响应信号R与存储的代表(简化的或复杂的)相比较，在响应信号R中所含的信息真实性可以被鉴别并且因此被检查的钞票10的真实性被证实。

实例：

如果***件100是例如具有在845nm的光谱谱带的Er:CaF₂和具有在862nm的光谱谱带的Er:YAG的组合，可以提供，只在中央银行采用的读取设备中使用用于进行复杂检查模式的两个具有滤光器的窄-谱带检测仪，每个检测在光谱范围中的宽度为大约15nm。这里的第一窄-谱带检测仪检测840至855nm范围而第二窄-谱带检测仪检测855至870nm的范围。

通过评价这两个窄-谱带检测仪的信号，例如通过确定两个窄-谱带检测仪的信号强度与预定参考值的相关性，钞票的真实性可以被得出。

然而，当传感器被用于自动贩卖机中时，只能检测到包迹而没有检测范围从855至870nm的信号强度与范围从840至855nm的信号强度之间的正确关系，伪造者，最多能获得自动贩卖机中采用的传感器，不能认识到正确调节在从(840至855nm)到(855至870nm)之内信号的关系，而其代表了钞票10的***件100特有的并且正确被观察到的真实性特征。

已经介绍了，在评价响应信号R时，一方面测量的响应信号可以与预期响应信号相比较，以便检查钞票10的真实性。

另一方面，响应信号可以代表更多的信息，也可连接至基底10，例如被检查的钞票10的面额或者序号。只有在被检测的响应信号对应于预期响应信号并且，除此之外，进一步的信息例如响应信号所代表的面额特异信息对应于因为其他检查而已知的面额时，基底10的真实性才被确认。

实例：

如果任选地与其他物质组合的***件100具有在520nm光谱谱带的Mn:Zn₂SiO₄和在380nm光谱谱带的Ce:YPO₄，可以提供Mn:Zn₂SiO₄和Ce:YPO₄之间的数量比例，并因此相关响应信号被面额特异性地不同地选择。

当中央银行的读取设备已经例如从检查钞票10的印制的图像和/或尺寸断定它的面额，就可以检查是否在380至520nm的信号强度比例对应于以前确定的对于面额特异的数量。如果不是，它就是伪造的。

实例：

然而，也是对于最后提到的实例，首先可以从确定380nm至520nm的信号强度比例来断定面额并且，任选地，只有这时其它评价，例如通过其他检查确定面额才被进行。

编码的发光部件的检查

尤其在简化模式中，其在较低安全水平的领域中被采用，可以提供，在这个领域中采用的检测仪读取编码的光谱(激发光谱和/或发射光谱)并且检查，是否其为特定光谱特征，即钞票可能具有的几个编码中的一个，然而，不可能确定几个可能编码中的具体哪个事实上存在。

实例：

例如在该简化模式中，能检查到采用低光谱分辨率检测的整个光谱包迹的形式(例如根据图4中的点线)具有预期的轨迹，不能够断定光谱谱带P的单独种类并且因此不能断定，哪个编码事实上存在于与这个包迹适配的几个可能的编码之外。

换句话说，尤其在简化模式中，编码只能被部分确定，即检查读取编码是否归属于真实钞票的预定编码部分量(即家族)，而其不能确定它是哪种单独的编码。

实例：

采用由Eu:YVO₄(632nm)，Mn，Pb:CaSiO₃(610nm)和Mn:KMgF3(596nm)组成的具有重叠光谱600nm的***件100的实例，用于不同编码的各个物质的数量比例可以不同地选择。

高-安全级别的读取设备被用于中央银行中并且以例如10nm的分辨率工作并因此可以区分三种物质的单独光谱谱带，可以正确鉴别出596nm，632nm和610nm这三种单独的光谱谱带波长的信号强度比例。因此，用这样的读取设备，单独的编码例如是面额特异性，就可以被鉴别出来。

然而，例如对于商业银行，只有这样的传感器被提供，其以50nm的分辨率检测或评价并且因而只能确定在大约600nm范围的发光的存在并因此确定用于这个编码***的可能编码的存在，但是他们不能鉴别出单独的编码。

已经介绍，在复杂模式中，即当在高安全水平的领域中检查时，可以提供，通过在充足的模式中检测响应信号而确定正确的编码，以便能够将其与真实钞票的预定编码匹配或者确定它不是真实钞票的编码。

两个-波长-范围的检测

响应信号R的检测可以在不同波长范围中进行-无论在简化或复杂模式中。

例如图3显示了两个波长范围D1和D₂。图3示意了响应信号R另一个实例的代表，即当分别激发时信号强度依赖于部件100的发射光谱的波长。这个光谱在一定波长具有发光光谱谱带P。光谱谱带，如图3所示，是理想化的光谱谱带，沿着水平波长轴没有任何宽度。真实响应将根据图4的实例，显示光谱谱带，其当然具有一定宽度并且光谱相互重叠。

实例：

波长范围D1和D2之间的边沿优选通过硅检测仪的谱带边沿限定。这个谱带边沿存在于大约1100nm。硅检测仪很容易获得并且效果良好，而对于位于硅检测仪谱带边沿以上的更高波长，不得不采用基本上更复杂和更加昂贵的技术。而且，这些很难得到，这对于防止伪造很有利。

响应信号R的简化图像优选延伸至硅检测仪的谱带边沿之外。

在这些情况下，检测仪的传感器单元应该被改进(无论在简化或复杂模式中使用时)，以便能够完全读取响应信号R的波长光谱。

在上述介绍的响应信号R的简化图像中，拥有硅检测仪的伪造者将检测到响应信号具有宽-谱带包迹的特征，宽-谱带包迹被限制在硅检测仪灵敏的光谱区域内。

在这种情况下，伪造者甚至不能完全检测到预定光谱的简化图像。

或者是，响应信号R的简化图像由至少两种预期响应信号的的简化图像组成，预期光谱的每个简化图像被限定为分别的，优选相互分离的波长范围。

例如可能看见两个简化的代表，一个位于阈值以下的第一区域中而另一个位于阈值以上的第二区域中。

实例：

阈值对应于常见的硅检测仪的谱带边沿。

所述用于简化模式的方法也可以用于进行复杂模式。除了难以检测在硅检测仪谱带边沿之外的光谱谱带，每个单独的光谱谱带还必须以频率分辨模式才能被检测。

结果，可能将响应信号R的复杂图像存储为单一光谱，但也有可能以高频率分辨率存储为预期响应信号的至少两个复杂图像D1、D2，响应的每个复杂图像被限定在特定的优选相互分离的波长范围中。

为了进一步说明本发明，图5示意了相同的部件100的发光管谱R，可采用具有不同光谱分辨率的两个不同检测仪30检测，即被检测的辐射强度I对发光辐射的波长λ依赖性。连续曲线15显示采用较高分辨率检测的发光光谱R而点线16为采用较低分辨率检测的发光光谱R。

实例：

要被检查的部件应该是两种发光物质A和B的混合物。在所示的光谱区域中，通过实例的方法所示的物质A应该具有在λ_A1的主要极大光波和在λ_A.2的第二极大光波。物质B在所示光谱区域中应该仅仅具有在波长λ_B1的单一极大光波，其在光谱中应该仅仅稍微远离成分A的极大光波λ_A1。在波长λ_A1和λ_B1的区域中两种物质A和B因此具有强烈的重叠光谱。

物质A和B的该光谱重叠事实上导致，只有在采用较高分辨率检测时，根据曲线15，检测曲线的良好结构才能在波长λ_A1和λ_B1区域中被捕获。当根据曲线16采用较低的分辨率检测时，其不能以分辨模式捕获在波长λ_A1和λ_B1之间区域中强度I的差异，而仅仅检测到整个光谱16的包迹，不能确定光谱结构的细节，例如在λ_A和λ_B极大波的差异。

这具有作用，特别是在波长λ_B1区域中的物质B的发光强度远远低于在波长λ_A1区域中物质A的发光强度的情况下，只有在采用较高分辨率(曲线15)检测时，不仅包含有物质A而且包含有物质B的被检查特征物质的情况能被鉴别出来。

因此，优选只有在根据较高安全级别检查时，光谱分离即由几种不同物质组成的发光部件中单一成分A，B的确定将被进行。

如果根据本发明，给较高安全级别领域中的使用者提供较高的分辨率的读取设备，给较低安全级别领域中的使用者提供较低的分辨率的读取设备，那么只有在具有高安全级别使用领域中能鉴别出具有强烈重叠光谱的单一物质A和B的差别，而这样的差异不能被采用根据检测曲线16的较低分辨率鉴别出来。

这导致事实上，只有在高安全级别的领域使用，在被检查的钞票中两种不同物质A和B的存在信息才能被获取，而在较低安全级别领域中的较低检测无法认识到该信息。

如果用于进行简单或复杂模式的不同读取设备1不仅取决于安全级别采用不同光谱分辨率检测，并且还或者也在其它光谱区域进行检测，可提供的具体实例在图5中，只有具有高安全级别的读取设备1可以在波长范围dλ_H，中检测，其能捕获主要的极大光波λ_A1，λ_B1以及与它们分开的第二极大光波λ_A2。

与此相反，可以提供，所有安全级别的读取设备1只能检测或评价较小波长范围dλ_N，在其中不包含第二极大波长λ_A2。由于这个检测范围被排除，伪造者无法比较在λ_A1和λ_A2的极大波长的相对强度，也无法推出物质A或B的实际存在。这将只有在如果(I(λ_A1)/I(λ_A2))的强度比例能被确定的情况下才可能，其随着附加物质B的存在或缺失将显著变化。在采用低分辨率检测时，由于相似的光谱表现和受限制的光谱检测范围dλ_N，鉴别出物质A和B原则上是不可能的。

因为这一点，真实钞票BN的***件包含两种物质A和B并且必须在λ_A2具有极大光波，的信息被严格限制在高安全领域使用。

实例：

如果***件100具有例如其中包括具有在520nm的光谱谱带的Mn:Zn₂SiO₄和具有在380nm的光谱谱带的Ce:YPO₄，可以提供只有中央银行的高安全级别的读取设备1在两个波长范围380nm和520nm检测，而在例如自动贩卖机中，只有低安全级别的读取设备被采用，其检测范围是450至550nm。

由于这一点，伪造者最多只能接触到低安全级别的读取设备，将不能从这种读取设备的信息评价中断定添加物Ce:YPO₄的存在，其在380nm发光。

该进一步的实例显示，本发明的特别有利于检查包含于基底10中的组合的特征物质，由于这些物质的正确组成通常被更加特异的保密，因此伪造就更加困难。

其他检查方法

在前面已经说明了一些不同检查方法。然而，此外，也可以考虑其它替代或修改。

根据本发明的进一步设想，也可以提供，在检测仪30中进行多级的检查。这可以起作用例如，通过在第一阶段以较低的分辨率在简化模式中评价检测，在随后的阶段，采用较高的分辨率在复杂模式中评价检测。

在第一阶段中，例如，采用低分辨率(根据简化模式中的检测)只能确定重叠光谱的包迹16，以便进行第一评价。为了检查例如由几种具有重叠光谱谱带的基底A，B组成的发光部件100，在第一阶段只有发光基底的一般存在被确定，例如特定组的物质和/或编码的一般存在，而在这一阶段的检查中该特定组的物质和/或编码仍然没有确定。

这可以例如通过检测例如在特异光谱区域中发光辐射的存在而实现。

如果在这个阶段中，预期响应信号没有被检测到，检查可以被终止。

否则，在第二阶段中(根据复杂模式检测)，响应信号的重叠实际上已被证实。即它被确定，是否是预定光谱之一，预定光谱每个由发光部件的单独物质的几个单一光谱组成，相互重叠。这可以例如通过响应信号R的至少一个或几个光谱谱带(例如根据图5中曲线15的单一光谱谱带的复杂图像)以分辨模式被捕获并检查而实现。

实例：

在前面已经描述过包含Eu:YVO₄(632nm)，Mn，Pb:CaSiO₃(610nm)和Mn:KMgF₃(596nm)的***件100的实例，在其中用于不同编码的单独物质的数量比例被不同的选择。

可以假定在中央银行中采用的读取设备具有分辨率为例如15nm的光谱仪，这样能鉴别三种物质的单独光谱谱带。而且，它可以带有具有滤光器的宽谱带检测仪，其例如完全在550至640nm范围内检测。从宽谱带检测仪信号的单纯快速评价可以断定伪造，如果它的信号低于预定的参考值。那么随后阶段就不再必要，随后阶段是以复杂的方法确定光谱仪在单独的光谱谱带在596nm，632nm和610nm这三种波长的信号强度和它们彼此的比例。由于这样评估可以被加速。

而且，在前述提及的内容中，在简单或复杂模式中的检测可以在几个不同光谱区域中进行。具体在这种情况下，不能仅仅提供，所有发光波长范围的激发被不同激发波长实现，还要提供所有发光波长范围的激发被相同激发波长实现。

而且，可以提供，激发光谱被编码，即光源20不发射恒定的信号，而是发出时间调节的激发辐射E。而响应信号R也以一种方法调节，其中各个特征物质或特征物质的组合。

而且，应该强调，例如也是对于在复杂模式中检测，在一个波长范围中的高分辨率检测可以和在另一波长范围中的较低分辨率的检测组合。这可以被采用，例如，以便单独的只确定在形成发光部件100的物质的组合中的特定具体的重要特征物质。

已经在前面详细解释过，本发明的特征在于，对于不同安全级别领域提供不同检测仪。在低-安全领域，检查可以仅仅在简化模式中进行，例如只有响应信号R的包迹被检查，而在高-安全领域中，采用复杂模式，可以确定例如在检测包迹时不可识别的响应信号R的单独光谱谱带P。

然而，也可提供依赖于使用领域或相关的安全级别，相同部件100的另一种特性被检查。

实例：

可以提供，在低-安全领域的使用中，例如在自动贩卖机中，只有特征物质的特定光学性质可以被检查，例如发光信号的包迹，而在高-安全领域中，即例如在中央银行，还有其他的光学特性和/或其它特性，例如***件100的磁力特性被检查。

因此，例如，当组合发光检查和磁力检查时，只有具有较高安全级别的读取设备1可以实现磁性的检测，或者比较低安全级别的读取设备具有更高的精确性。

已经提及，检测可以不同方式进行，不仅通过不同精确性检测，例如采用不同光谱分辨率，或在不同光谱区域中检测。取决于安全级别，检测还可以在钞票表面的不同区域中进行。

Claims

1.有价文件***，尤其是货币***，包含大量被细分成定义的亚组的各个文件，每个亚组具有所述亚组所有各个文件共同的不可见但是机可读的编码，不同亚组的编码彼此不相同，其中所述编码是通过至少两种具有重叠光谱谱带的发光材料形成的光谱编码。

2.连接到基底(10)用于提高所述基底安全水平的发光***件(100)，该部件能够发射带有信息的发光响应，其中该***件包含至少两种发光材料，其产生相应的重叠光谱谱带(P)作为对激发辐射(E)的响应(R)。

3.根据权利要求2的发光***件，其中发光材料包含在基质中的至少一种发光团。

4.根据权利要求3的部件，其中发光材料具有不同发光团但有相同的基质，或者具有不同基质但有相同的发光团。

5.根据权利要求3或4的部件，其中不同基质基本上由相同的化学元素产生并且具有不同结晶构型。

6.根据权利要求3或4的部件，其中不同基质具有基本上相同的结晶构型但由不同化学元素产生。

7.根据权利要求2至6至少之一的部件，其中该部件包含至少一种惰性假基质，其不与发光团组合，或者与发光团以这样的方式组合即该发光团不显示任何发光特性，因此惰性假基质在辐射中不显示任何发光效应。

8.根据权利要求7的部件，其中惰性假基质与组合了发光团的基质不同。

9.根据权利要求2至8至少之一的部件，其中该部件包含至少两种惰性假基质，其中惰性假基质形成编码。

10.根据权利要求2至9至少之一的部件，其中至少发光材料的一些光谱谱带形成编码。

11.根据权利要求2至10至少之一的部件，其中在激发时该部件在硅检测仪的谱带边沿以下的光谱范围内部分地发光，并在硅检测仪的谱带边沿以上的光谱范围内部分地发光。

12.根据权利要求2至11至少之一的具有发光***件(100)的基底(10)。

13.检查基底(10)例如钞票(10)的发光***件(100)的方法，其包括如下步骤：

用至少一种激发辐射(E)照射基底(10)，

测量来自基底的发光响应信号(R)，

将该响应信号(R)与预期响应信号相比较，

其中所测量的响应信号具有重叠光谱谱带(P)并且可以根据如下读取响应信号：

简化模式，对应于较低的安全级别，其中所测量的响应信号作为宽谱带响应信号被测量，并且响应信号与具有较低分辨率的预期响应信号的简化图像相比较，其由宽谱带光谱所限定，和/或

复杂模式，对应于较高安全级别，其中所测量的响应信号作为一组窄谱带响应信号被测量，并且其中所测量响应信号的至少一个光谱谱带被测量单独分辨，并且窄谱带所测量的响应信号与具有较高分辨率的预期响应信号的复杂图像相比较，其由预期的窄谱带响应信号所形成并且包含至少一个光谱谱带。

14.根据权利要求13的方法，其中预期响应信号的复杂图像包含多于一个光谱谱带。

15.根据权利要求13或14的方法，其中预期响应信号的复杂图像包含基于预期响应信号复杂图像的光谱谱带的编码。

16.根据权利要求13至15至少之一的方法，其中编码基于预期响应信号中光谱谱带的相应波长。

17.根据权利要求15或16的方法，其中编码基于预期响应信号中光谱谱带的相应强度。

18.根据权利要求13至17至少之一的方法，其中简化模式通过检测预期响应信号的至少一个简化图像而进行。

19.根据权利要求18的方法，其中预期响应信号的至少一个简化图像存在于在硅检测仪的谱带边沿以下的光谱范围中。

20.根据权利要求18的方法，其中预期响应信号的至少一个简化图像包含硅检测仪的谱带边沿的光谱范围。

21.根据权利要求18的方法，其中简化模式通过检测预期响应信号在不同波长优选是分开的波长范围(D1，D2)中的至少两种简化图像而进行。

22.根据权利要求13至21至少之一的方法，其中预期响应信号的至少一个简化图像被限定在在硅检测仪的谱带边沿以下的第一波长范围(D1)中，而预期响应信号的另一个简化图像被限定在至少部分在硅检测仪的谱带边沿以上的第二波长范围(D2)中。

23.根据权利要求13至22至少之一的方法，其中复杂模式通过检测预期响应信号的至少一个复杂图像而进行。

24.根据权利要求23的方法，其中预期响应信号的至少一个复杂图像包含硅检测仪谱带边沿的光谱范围。

25.根据权利要求22或24的方法，其中预期响应信号的至少一个复杂图像存在于在硅检测仪谱带边沿以下的光谱范围中。

26.一种根据权利要求13至25至少之一的方法，其中复杂模式通过检测预期响应信号在不同的波长优选分开的波长范围(D1，D2)中的至少两个复杂图像而进行。

27.根据权利要求26的方法，其中预期响应信号的至少一个复杂图像存在于在硅检测仪的谱带边沿以下的第一波长范围(D1)中，而预期响应信号的另一个复杂图像存在于至少部分在硅检测仪的谱带边沿以上的第二波长范围(D2)中。

28.根据权利要求13至27至少之一的方法，其中激发辐射(E)的波长在简化模式和在复杂模式中不同。

29.根据权利要求13至28至少之一的方法，其中激发辐射(E)具有IR辐射。

30.根据权利要求13至29至少之一的方法，其中预期响应信号对应于使基底(10)通过与预期响应信号比较而被鉴别的信息。

31.根据权利要求13至30至少之一的方法，其中预期响应信号对基底(10)的面额和/或序号是特异性的。

32.根据权利要求13至31至少之一的方法，其中预期响应信号具有在第一光谱范围(D1)中的一部分，其可用第一检测***检测，并具有在另一个光谱范围(D2)中的另一部分，其可采用另一个检测***检测。

33.根据权利要求32的方法，其中第一光谱范围(D1)全部在硅检测仪谱带边沿以下，而第二光谱范围(D2)至少部分在硅检测仪的谱带边沿以上。

34.根据权利要求13至33至少之一的方法，其中多级检查在检测仪(30)中进行。

35.根据权利要求13至34至少之一的方法，其中，在检测仪(30)中，所测量的响应信号的评价在第一检查步骤中采用较低分辨率进行，在复杂模式中所测量的响应信号评价在随后的检查步骤中采用较高的分辨率进行。

36.根据权利要求13至35至少之一的方法，其中，在检测仪(30)中，在第一检查步骤中仅检查发光***件(100)的大致存在，所述发光***件(100)包含具有重叠光谱的几种物质，并且发光***件(100)的至少一种物质在随后的检查步骤中被确定。

37.根据权利要求13至36至少之一的方法，其中发光***件(100)被不同波长的一个或多个光源(20)激发。

38.根据权利要求13至37至少之一的方法，其中发光***件(100)被时间调节的激发辐射(E)激发发光。

39.根据权利要求13至38至少之一的方法，其中在发光辐射量度的测量或评价时，测量或评价采用不同光谱分辨率在不同波长范围进行。

40.根据权利要求13至39至少之一的方法，其中***件(100)组成编码从而区分不同基底，例如货币***的不同面额和/或系列，在简化模式中只能检查先前已知的编码的存在或不存在，而编码的具体类型只能在复杂模式中检查。

41.根据权利要求13至40至少之一的方法，其中对于检查基底(10)的发光***件(100)，所述部件在低安全级别的区域与在较高安全级别区域中相比采用不同波长激发。

42.生产发光***件的方法，包括如下步骤：

分别合成具有重叠光谱谱带(P)的至少两种发光材料，

将所述材料研磨成具有预定大小的粉末状颜料，

混合所述颜料以获得均质的混合物。

43.生产具有发光***件的基底的方法，包括如下步骤：

分别合成具有重叠光谱谱带(P)的至少两种发光材料，

将所述材料研磨成具有预定大小的粉末状颜料，

混合所述颜料以获得均质的混合物，以及

在基底(10)中或其上沉积所述混合物。

44.生产根据权利要求1的有价文件***的方法，包括如下步骤：

为每个亚组选择至少两种发光材料以形成对各个亚组特异性的编码，以及

将对所述亚组特异性选择的材料沉积在所述各个亚组的各个文件中或其上。

45.权利要求44的方法，其中沉积步骤通过测量编码而被监控。

46.权利要求45的方法，其中发光材料的剂量依据监控的结果而调节。

47.用于检查基底(10)的发光***件(100)的读取设备，特别适用于根据权利要求13至41至少之一的方法，读取设备包括用于读取***件(100)激发时响应信号的检测仪(30)，其中检测仪(30)包括一个或多个用于检测在硅检测仪谱带边沿以上的光谱谱带的单元。

48.根据权利要求1的***，其中发光材料包含在基质中的至少一种发光团。

49.根据权利要求48的***，其中至少两种发光材料具有不同发光团但有相同的基质，或具有不同基质但有相同的发光团。

50.根据权利要求48或49的***，其中不同基质基本上由相同的化学元素产生并且具有不同结晶构型。

51.根据权利要求48或49的***，其中不同基质具有基本上相同的结晶构型但由不同化学元素产生。

52.根据权利要求1，48-51至少之一的***，其中该***包含至少一种惰性假基质，其不与发光团组合，或者与发光团以这样的方式组合即该发光团不显示任何发光特性，因此惰性假基质在辐射中不显示任何发光效应。

53.根据权利要求52的***，其中惰性假基质与组合了发光团的基质不同。

54.根据权利要求1，48至53至少之一的部件，其中该***包含至少两种惰性假基质，其中惰性假基质形成编码。

55.根据权利要求1，48至54至少之一的***，其中至少发光材料的一些光谱谱带形成编码。

56.根据权利要求1，48至55至少之一的***，其中在激发时该***在硅检测仪的谱带边沿以下的光谱范围内部分地发光，并在硅检测仪的谱带边以上的光谱范围内部分地发光。