CN101075652A - 粗化电极用于高亮度正装led芯片和垂直led芯片的制作工艺 - Google Patents
粗化电极用于高亮度正装led芯片和垂直led芯片的制作工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101075652A CN101075652A CN 200610124447 CN200610124447A CN101075652A CN 101075652 A CN101075652 A CN 101075652A CN 200610124447 CN200610124447 CN 200610124447 CN 200610124447 A CN200610124447 A CN 200610124447A CN 101075652 A CN101075652 A CN 101075652A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- type
- lithography
- ito
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Abstract
Description
Claims (5)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNB2006101244475A CN100568555C (zh) | 2006-09-05 | 2006-09-05 | 粗化电极用于高亮度正装led芯片和垂直led芯片 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNB2006101244475A CN100568555C (zh) | 2006-09-05 | 2006-09-05 | 粗化电极用于高亮度正装led芯片和垂直led芯片 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101075652A true CN101075652A (zh) | 2007-11-21 |
CN100568555C CN100568555C (zh) | 2009-12-09 |
Family
ID=38976545
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB2006101244475A Expired - Fee Related CN100568555C (zh) | 2006-09-05 | 2006-09-05 | 粗化电极用于高亮度正装led芯片和垂直led芯片 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN100568555C (zh) |
Cited By (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010009598A1 (zh) * | 2008-07-22 | 2010-01-28 | 东莞宏威数码机械有限公司 | 透明导电氧化物绒面的制备方法 |
CN101257075B (zh) * | 2008-03-13 | 2010-05-12 | 鹤山丽得电子实业有限公司 | 一种发光二极管器件及其制造方法 |
CN101702419B (zh) * | 2009-10-30 | 2011-07-06 | 华南师范大学 | 一种GaN基LED芯片结构中p-GaN层或ITO层的表面粗化方法 |
CN102130252A (zh) * | 2010-11-03 | 2011-07-20 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 发光二极管及其制造方法 |
CN102142494A (zh) * | 2011-02-24 | 2011-08-03 | 武汉迪源光电科技有限公司 | 新型图形衬底的发光二极管及其制备方法 |
CN102169944A (zh) * | 2011-04-06 | 2011-08-31 | 上海大学 | Ag/ITO/氧化锌基复合透明电极的发光二极管及其制备方法 |
CN102214745A (zh) * | 2011-06-13 | 2011-10-12 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种氮化镓基半导体发光器件的制造方法 |
CN102255025A (zh) * | 2010-05-18 | 2011-11-23 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管 |
CN102280541A (zh) * | 2011-08-29 | 2011-12-14 | 中国科学院力学研究所 | 一种蓝宝石基片表面有序粗化方法及蓝宝石基片、led制备方法和led |
CN102437263A (zh) * | 2011-12-16 | 2012-05-02 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 发光二极管及其制造方法 |
CN102479886A (zh) * | 2010-11-22 | 2012-05-30 | 鼎元光电科技股份有限公司 | 具有粗化层的发光二极管的制造方法 |
CN102569578A (zh) * | 2010-12-13 | 2012-07-11 | 株式会社东芝 | 半导体发光元件 |
CN102569548A (zh) * | 2010-12-21 | 2012-07-11 | 隆达电子股份有限公司 | 半导体表面粗糙化方法 |
CN102637782A (zh) * | 2011-02-14 | 2012-08-15 | 同方光电科技有限公司 | 一种提高光提取效率发光二极管的制作方法 |
CN102832297A (zh) * | 2011-06-17 | 2012-12-19 | 比亚迪股份有限公司 | 一种半导体发光器件及电流扩散层的制备方法 |
CN102856456A (zh) * | 2012-09-20 | 2013-01-02 | 江苏威纳德照明科技有限公司 | 垂直型发光二极管 |
CN102856457A (zh) * | 2012-09-20 | 2013-01-02 | 江苏威纳德照明科技有限公司 | 氮化镓基发光二极管 |
CN102017156B (zh) * | 2008-02-25 | 2013-03-13 | 光波光电技术公司 | 电流注入/隧穿发光器件和方法 |
CN103022288A (zh) * | 2011-09-27 | 2013-04-03 | 比亚迪股份有限公司 | 一种发光二极管及其制造方法 |
CN103078020A (zh) * | 2012-08-03 | 2013-05-01 | 光达光电设备科技(嘉兴)有限公司 | Led外延结构 |
CN103078037A (zh) * | 2012-08-03 | 2013-05-01 | 光达光电设备科技(嘉兴)有限公司 | Led外延结构 |
CN103137813A (zh) * | 2011-11-23 | 2013-06-05 | 株式会社东芝 | 半导体发光元件 |
CN103299438A (zh) * | 2010-10-08 | 2013-09-11 | 葛迪恩实业公司 | 具有光散射特征的光源、包括光散射特征光源的装置和/或制作其的方法 |
CN103474528A (zh) * | 2013-09-12 | 2013-12-25 | 昆山奥德鲁自动化技术有限公司 | 一种ito表面粗化处理方法 |
CN103489980A (zh) * | 2012-06-12 | 2014-01-01 | 群康科技(深圳)有限公司 | 一种发光元件及其制作方法 |
CN103594594A (zh) * | 2013-11-08 | 2014-02-19 | 溧阳市江大技术转移中心有限公司 | 具有粗化透明电极的倒装发光二极管 |
CN103594592A (zh) * | 2013-11-08 | 2014-02-19 | 溧阳市江大技术转移中心有限公司 | 具有粗化透明电极的倒装发光二极管 |
CN103594593A (zh) * | 2013-11-08 | 2014-02-19 | 溧阳市江大技术转移中心有限公司 | 具有粗化透明电极的倒装发光二极管的制造方法 |
CN103594582A (zh) * | 2013-10-26 | 2014-02-19 | 溧阳市东大技术转移中心有限公司 | 一种高出光效率的垂直型发光二极管 |
CN103794714A (zh) * | 2014-01-30 | 2014-05-14 | 中国科学院半导体研究所 | 一种基于纳米柱二极管压电效应的应力传感器的制备方法 |
CN103915535A (zh) * | 2012-12-31 | 2014-07-09 | 比亚迪股份有限公司 | 一种量子阱发光层及其形成方法 |
CN104701429A (zh) * | 2013-12-04 | 2015-06-10 | 上海蓝光科技有限公司 | 发光二极管及其制作方法 |
CN105190920A (zh) * | 2013-03-14 | 2015-12-23 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法 |
US9433974B2 (en) | 2010-10-08 | 2016-09-06 | Gaurdian Industries Corp. | Light source with hybrid coating, device including light source with hybrid coating, and/or methods of making the same |
CN106256026A (zh) * | 2014-04-22 | 2016-12-21 | 首尔伟傲世有限公司 | 发光二极管及其制造方法 |
CN105161594B (zh) * | 2008-01-11 | 2018-03-09 | 晶元光电股份有限公司 | 发光元件 |
CN112750933A (zh) * | 2021-01-26 | 2021-05-04 | 长沙壹纳光电材料有限公司 | 一种led芯片及其制作方法 |
CN113906490A (zh) * | 2019-06-11 | 2022-01-07 | 京瓷株式会社 | 发光元件基板以及显示装置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102789976A (zh) * | 2012-08-28 | 2012-11-21 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种GaN基LED芯片的制作方法 |
-
2006
- 2006-09-05 CN CNB2006101244475A patent/CN100568555C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (63)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105161594B (zh) * | 2008-01-11 | 2018-03-09 | 晶元光电股份有限公司 | 发光元件 |
CN102017156B (zh) * | 2008-02-25 | 2013-03-13 | 光波光电技术公司 | 电流注入/隧穿发光器件和方法 |
CN101257075B (zh) * | 2008-03-13 | 2010-05-12 | 鹤山丽得电子实业有限公司 | 一种发光二极管器件及其制造方法 |
WO2010009598A1 (zh) * | 2008-07-22 | 2010-01-28 | 东莞宏威数码机械有限公司 | 透明导电氧化物绒面的制备方法 |
CN101702419B (zh) * | 2009-10-30 | 2011-07-06 | 华南师范大学 | 一种GaN基LED芯片结构中p-GaN层或ITO层的表面粗化方法 |
CN102255025A (zh) * | 2010-05-18 | 2011-11-23 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管 |
US9293653B2 (en) | 2010-10-08 | 2016-03-22 | Guardian Industries Corp. | Light source with light scattering features, device including light source with light scattering features, and/or methods of making the same |
CN103299438A (zh) * | 2010-10-08 | 2013-09-11 | 葛迪恩实业公司 | 具有光散射特征的光源、包括光散射特征光源的装置和/或制作其的方法 |
US9433974B2 (en) | 2010-10-08 | 2016-09-06 | Gaurdian Industries Corp. | Light source with hybrid coating, device including light source with hybrid coating, and/or methods of making the same |
CN103299438B (zh) * | 2010-10-08 | 2017-08-11 | 葛迪恩实业公司 | 具有光散射特征的光源、包括光散射特征光源的装置和/或制作其的方法 |
WO2011143919A1 (zh) * | 2010-11-03 | 2011-11-24 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 发光二极管及其制造方法 |
EP2626916A4 (en) * | 2010-11-03 | 2014-09-17 | Enraytek Optoelectronics Co | LIGHT-EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR |
EP2626916A1 (en) * | 2010-11-03 | 2013-08-14 | Enraytek Optoelectronics Co., Ltd. | Light emitting diode and manufacturing method thereof |
CN102130252A (zh) * | 2010-11-03 | 2011-07-20 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 发光二极管及其制造方法 |
CN102130252B (zh) * | 2010-11-03 | 2013-02-27 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 发光二极管及其制造方法 |
CN102479886A (zh) * | 2010-11-22 | 2012-05-30 | 鼎元光电科技股份有限公司 | 具有粗化层的发光二极管的制造方法 |
US9287448B2 (en) | 2010-12-13 | 2016-03-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting element |
US9991418B2 (en) | 2010-12-13 | 2018-06-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting element |
CN102569578B (zh) * | 2010-12-13 | 2015-11-25 | 株式会社东芝 | 半导体发光元件 |
CN102569578A (zh) * | 2010-12-13 | 2012-07-11 | 株式会社东芝 | 半导体发光元件 |
CN102569548B (zh) * | 2010-12-21 | 2014-05-07 | 隆达电子股份有限公司 | 半导体表面粗糙化方法 |
CN102569548A (zh) * | 2010-12-21 | 2012-07-11 | 隆达电子股份有限公司 | 半导体表面粗糙化方法 |
CN102637782A (zh) * | 2011-02-14 | 2012-08-15 | 同方光电科技有限公司 | 一种提高光提取效率发光二极管的制作方法 |
CN102142494A (zh) * | 2011-02-24 | 2011-08-03 | 武汉迪源光电科技有限公司 | 新型图形衬底的发光二极管及其制备方法 |
CN102169944B (zh) * | 2011-04-06 | 2012-11-07 | 上海大学 | Ag/ITO/氧化锌基复合透明电极的发光二极管及其制备方法 |
CN102169944A (zh) * | 2011-04-06 | 2011-08-31 | 上海大学 | Ag/ITO/氧化锌基复合透明电极的发光二极管及其制备方法 |
CN102214745A (zh) * | 2011-06-13 | 2011-10-12 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种氮化镓基半导体发光器件的制造方法 |
CN102214745B (zh) * | 2011-06-13 | 2013-05-15 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种氮化镓基半导体发光器件的制造方法 |
WO2012171493A1 (en) * | 2011-06-17 | 2012-12-20 | Shenzhen Byd Auto R&D Company Limited | Method for forming current diffusion layer in semiconductor light emitting device and method for fabricating semiconductor light emitting device |
US9401457B2 (en) | 2011-06-17 | 2016-07-26 | Byd Company Limited | Method for forming current diffusion layer in light emitting diode device and method for fabricating the same |
CN102832297B (zh) * | 2011-06-17 | 2015-09-30 | 比亚迪股份有限公司 | 一种半导体发光器件及电流扩散层的制备方法 |
CN102832297A (zh) * | 2011-06-17 | 2012-12-19 | 比亚迪股份有限公司 | 一种半导体发光器件及电流扩散层的制备方法 |
CN102280541A (zh) * | 2011-08-29 | 2011-12-14 | 中国科学院力学研究所 | 一种蓝宝石基片表面有序粗化方法及蓝宝石基片、led制备方法和led |
CN103022288B (zh) * | 2011-09-27 | 2017-02-01 | 比亚迪股份有限公司 | 一种发光二极管及其制造方法 |
CN103022288A (zh) * | 2011-09-27 | 2013-04-03 | 比亚迪股份有限公司 | 一种发光二极管及其制造方法 |
US9224916B2 (en) | 2011-11-23 | 2015-12-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device |
CN103137813A (zh) * | 2011-11-23 | 2013-06-05 | 株式会社东芝 | 半导体发光元件 |
CN102437263A (zh) * | 2011-12-16 | 2012-05-02 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 发光二极管及其制造方法 |
CN103489980A (zh) * | 2012-06-12 | 2014-01-01 | 群康科技(深圳)有限公司 | 一种发光元件及其制作方法 |
CN103078037A (zh) * | 2012-08-03 | 2013-05-01 | 光达光电设备科技(嘉兴)有限公司 | Led外延结构 |
CN103078020A (zh) * | 2012-08-03 | 2013-05-01 | 光达光电设备科技(嘉兴)有限公司 | Led外延结构 |
CN102856456A (zh) * | 2012-09-20 | 2013-01-02 | 江苏威纳德照明科技有限公司 | 垂直型发光二极管 |
CN102856456B (zh) * | 2012-09-20 | 2015-11-25 | 江苏威纳德照明科技有限公司 | 垂直型发光二极管 |
CN102856457A (zh) * | 2012-09-20 | 2013-01-02 | 江苏威纳德照明科技有限公司 | 氮化镓基发光二极管 |
CN102856457B (zh) * | 2012-09-20 | 2015-08-05 | 江苏威纳德照明科技有限公司 | 氮化镓基发光二极管 |
CN103915535A (zh) * | 2012-12-31 | 2014-07-09 | 比亚迪股份有限公司 | 一种量子阱发光层及其形成方法 |
US9923130B2 (en) | 2013-03-14 | 2018-03-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor device and method for producing an optoelectronic semiconductor device |
CN105190920A (zh) * | 2013-03-14 | 2015-12-23 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法 |
CN103474528A (zh) * | 2013-09-12 | 2013-12-25 | 昆山奥德鲁自动化技术有限公司 | 一种ito表面粗化处理方法 |
CN103594582A (zh) * | 2013-10-26 | 2014-02-19 | 溧阳市东大技术转移中心有限公司 | 一种高出光效率的垂直型发光二极管 |
CN103594582B (zh) * | 2013-10-26 | 2016-04-27 | 溧阳市东大技术转移中心有限公司 | 一种高出光效率的垂直型发光二极管 |
CN103594593B (zh) * | 2013-11-08 | 2016-04-06 | 溧阳市江大技术转移中心有限公司 | 具有粗化透明电极的倒装发光二极管的制造方法 |
CN103594592B (zh) * | 2013-11-08 | 2016-06-01 | 溧阳市江大技术转移中心有限公司 | 具有粗化透明电极的倒装发光二极管 |
CN103594594B (zh) * | 2013-11-08 | 2016-09-07 | 溧阳市江大技术转移中心有限公司 | 具有粗化透明电极的倒装发光二极管 |
CN103594594A (zh) * | 2013-11-08 | 2014-02-19 | 溧阳市江大技术转移中心有限公司 | 具有粗化透明电极的倒装发光二极管 |
CN103594592A (zh) * | 2013-11-08 | 2014-02-19 | 溧阳市江大技术转移中心有限公司 | 具有粗化透明电极的倒装发光二极管 |
CN103594593A (zh) * | 2013-11-08 | 2014-02-19 | 溧阳市江大技术转移中心有限公司 | 具有粗化透明电极的倒装发光二极管的制造方法 |
CN104701429A (zh) * | 2013-12-04 | 2015-06-10 | 上海蓝光科技有限公司 | 发光二极管及其制作方法 |
CN103794714A (zh) * | 2014-01-30 | 2014-05-14 | 中国科学院半导体研究所 | 一种基于纳米柱二极管压电效应的应力传感器的制备方法 |
CN106256026A (zh) * | 2014-04-22 | 2016-12-21 | 首尔伟傲世有限公司 | 发光二极管及其制造方法 |
CN106256026B (zh) * | 2014-04-22 | 2019-01-04 | 首尔伟傲世有限公司 | 发光二极管及其制造方法 |
CN113906490A (zh) * | 2019-06-11 | 2022-01-07 | 京瓷株式会社 | 发光元件基板以及显示装置 |
CN112750933A (zh) * | 2021-01-26 | 2021-05-04 | 长沙壹纳光电材料有限公司 | 一种led芯片及其制作方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100568555C (zh) | 2009-12-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN100568555C (zh) | 粗化电极用于高亮度正装led芯片和垂直led芯片 | |
CN102157640B (zh) | 具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 | |
TWI451597B (zh) | 光電元件及其製造方法 | |
CN1917246A (zh) | 氮化物基白光发射装置及其制造方法 | |
CN102709426A (zh) | 一种表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 | |
CN1851947A (zh) | 高效高亮全反射发光二极管及制作方法 | |
Lee et al. | Enhanced Performance of GaN-Based Vertical Light-Emitting Diodes with Circular Protrusions Surmounted by Hexagonal Cones and Indium–Zinc Oxide Current Spreading Layer | |
WO2012058961A1 (zh) | 发光二极管及其制造方法 | |
CN102931308B (zh) | 渐变半径光子晶体发光二极管制备方法 | |
CN1812146A (zh) | 高光提取效率led电极及其制备方法 | |
KR101014339B1 (ko) | 발광 효율이 향상된 질화물 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
CN2760762Y (zh) | 氮化镓系发光二极管结构 | |
CN104769733B (zh) | 用于改进发光器件的光提取效率的方法以及用于制造发光器件的方法 | |
Zhang et al. | Enhancement in the light output power of GaN-based light-emitting diodes with nanotextured indium tin oxide layer using self-assembled cesium chloride nanospheres | |
CN101777616A (zh) | 氧化锌基透明电极发光二极管及其制作方法 | |
CN2909538Y (zh) | 高效高亮全反射发光二极管 | |
CN108461586B (zh) | 一种基于NiO纳米点反射镜的垂直结构LED芯片及其制备方法 | |
CN104465907A (zh) | 一种改善p型氮化镓薄膜电学特性的方法 | |
Lee et al. | High-brightness InGaN–GaN flip-chip light-emitting diodes with triple-light scattering layers | |
KR20130000262A (ko) | 광효율이 향상된 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | |
CN114400276A (zh) | 一种高压led芯片的制作方法 | |
CN109166953B (zh) | 一种发光二极管芯片及其制作方法 | |
KR101286211B1 (ko) | 발광 소자 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 발광 소자 | |
KR101221075B1 (ko) | 나노 임프린트를 이용한 질화갈륨계 발광 다이오드 제조방법과 이를 통해 제조된 발광 다이오드 소자 | |
Lee et al. | Nitride-based thin-film light-emitting diodes with photonic quasi-crystal surface |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C57 | Notification of unclear or unknown address | ||
DD01 | Delivery of document by public notice |
Addressee: Dong Zhijiang Document name: Written notice of preliminary examination of application for patent for invention |
|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: Production of coarsening electrode for high-brightness packed LED chip and vertical LED chip Effective date of registration: 20110815 Granted publication date: 20091209 Pledgee: Bank of Hankou, Limited by Share Ltd, Optics Valley branch Pledgor: Diyuan Photoelectric Science & Technology Co., Ltd., Wuhan Registration number: 2011990000310 |
|
PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right |
Date of cancellation: 20130315 Granted publication date: 20091209 Pledgee: Bank of Hankou, Limited by Share Ltd, Optics Valley branch Pledgor: Diyuan Photoelectric Science & Technology Co., Ltd., Wuhan Registration number: 2011990000310 |
|
PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: Production of coarsening electrode for high-brightness packed LED chip and vertical LED chip Effective date of registration: 20130315 Granted publication date: 20091209 Pledgee: Bank of Hankou Limited by Share Ltd Optics Valley branch Pledgor: Diyuan Photoelectric Science & Technology Co., Ltd., Wuhan Registration number: 2013990000147 |
|
PLDC | Enforcement, change and cancellation of contracts on pledge of patent right or utility model | ||
C56 | Change in the name or address of the patentee |
Owner name: AQUALITE OPTOELECTRONICS CO., LTD. Free format text: FORMER NAME: DIYUAN PHOTOELECTRIC SCIENCE + TECHNOLOGY CO., LTD., WUHAN |
|
CP03 | Change of name, title or address |
Address after: 430000 No. 227, Optics Valley Road, East Lake Development Zone, Hubei, Wuhan, China Patentee after: AQUALITE OPTOELECTRONICS CO., LTD. Address before: 430074 building, No. 18, Huaguang Avenue, Kanto science and Technology Industrial Zone, East Lake District, Hubei, Wuhan, 12 Patentee before: Diyuan Photoelectric Science & Technology Co., Ltd., Wuhan |
|
PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right |
Date of cancellation: 20150430 Granted publication date: 20091209 Pledgee: Bank of Hankou Limited by Share Ltd Optics Valley branch Pledgor: AQUALITE OPTOELECTRONICS CO., LTD. Registration number: 2013990000147 |
|
PLDC | Enforcement, change and cancellation of contracts on pledge of patent right or utility model | ||
PM01 | Change of the registration of the contract for pledge of patent right |
Change date: 20150430 Registration number: 2013990000147 Pledgor after: AQUALITE OPTOELECTRONICS CO., LTD. Pledgor before: Diyuan Photoelectric Science & Technology Co., Ltd., Wuhan |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20091209 Termination date: 20150905 |
|
EXPY | Termination of patent right or utility model |