CN101055839A - 硅整流器件的电泳法玻璃钝化工艺 - Google Patents
硅整流器件的电泳法玻璃钝化工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101055839A CN101055839A CN 200710057091 CN200710057091A CN101055839A CN 101055839 A CN101055839 A CN 101055839A CN 200710057091 CN200710057091 CN 200710057091 CN 200710057091 A CN200710057091 A CN 200710057091A CN 101055839 A CN101055839 A CN 101055839A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrophoresis
- nitric acid
- silicon
- glass
- silicon chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
本发明涉及一种硅整流器件的玻璃钝化工艺,特别涉及一种硅整流器件的电泳法玻璃钝化工艺,首先用混酸将经光刻后的扩散硅片腐蚀出PN结沟槽,然后将丙酮、玻璃粉、硝酸按比例混合,配制成电泳液。使用电泳装置,利用电泳法将玻璃粉均匀的沉积在硅PN结台面沟槽中,最后在温度820℃的纯氧气条件下,将电泳处理后硅片进行玻璃烧成。该工艺能有效地控制硅PN结沟槽玻璃钝化层厚度,使制成的器件的反向电性能稳定。
Description
技术领域
本发明涉及一种硅整流器件的玻璃钝化工艺,特别涉及一种硅整流器件的电泳法玻璃钝化工艺。
技术背景
当前,硅整流器件的芯片多采用玻璃钝化,而方法有几种,较为普遍的是刀刮法、光阻玻璃法等,其中刀刮法工艺相对简单,但由于是人工涂敷玻璃粉,玻璃钝化膜薄厚均匀性较难控制;而光阻玻璃法在进行钝化时引用光刻胶,受光刻胶材料纯度的影响,其产品稳定性不易控制,器件反向漏电流不稳定,可靠性差。
发明内容
鉴于以上技术上存在的不足,本发明提供一种硅整流器件的电泳法玻璃钝化工艺,其技术方案是:该方法包括以下工艺步骤:
(1).将扩散后硅片在高温1120℃下分别通干氧、湿氧、干氧,进行氧化;
(2).再将氧化后硅片进行涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜等光刻过程,做好光刻图形;
(3).将硝酸、氢氟酸、乙酸按以下的比例配制成混酸腐蚀液:
硝酸:30~65%
氢氟酸:15~30%
乙酸:10~45%
然后将光刻后的硅片进行腐蚀,刻蚀出PN结沟槽;
(4).配制电泳液:将丙酮、玻璃粉、硝酸按照以下的比例配制成电泳液:
丙酮:80~97%
玻璃粉:2~19%
硝酸:0.005~1%
(5).将装有电泳液的石英方杯放置在电泳装置中,启动超声波进行超声15min,即可进行电泳;
(6).将电泳后的硅片在温度为820℃的氧气氛围下进行玻璃烧成。
本发明的特点是:该工艺能有效地控制硅PN结沟槽玻璃钝化层厚度,使制成器件的反向电性能稳定。
具体实施方式
下面根据具体实例描述本发明实施过程:
将扩散后硅片放在温度为1120℃的氧化炉中,在干氧、湿氧、干氧的气氛下生长保护膜,时间分别为干氧20min、湿氧60min、干氧20min,氧化膜厚度为8000埃——9000埃,将生长氧化膜的硅片进行光刻。
将硝酸、氢氟酸、乙酸按以下的比例:
硝酸:2500mL
氢氟酸:1000mL
乙酸:1500mL
依次倒入腐蚀槽。将光刻后硅片放入混酸液中腐蚀出PN结台面,并超声清洗干净。
将丙酮、玻璃粉(SiO2、PbO)、硝酸按照以下的比例配制成电泳液:
丙酮:5100g
玻璃粉:840g
硝酸:60mg
依次倒入石英杯中,配制成电泳液,超声15min。
将腐蚀出沟槽的硅片装到电泳架上,将电泳架安到电泳装置上,并设定电泳时间为5min,进行电泳,使玻璃粉沉积到硅片沟槽中。
电泳结束后,取出硅片,放到石英舟中。
烧成炉的温度调到820℃,接通氧气,将放有电泳后硅片的石英舟放到烧成炉中,使玻璃粉熔融,时间为20min。
Claims (1)
1.本发明涉及一种硅整流器件的玻璃钝化工艺,该方法包括以下工艺步骤:
(1).将扩散后硅片在高温1120℃下分别通干氧、湿氧、干氧,生成氧化膜;
(2).再将氧化后硅片进行涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜等光刻过程,做好光刻图形;
(3).将硝酸、氢氟酸、乙酸按以下比例配制成混酸腐蚀液:
硝酸: 30~65%
氢氟酸: 15~30%
乙酸: 10~45%
然后将光刻后的硅片进行腐蚀,刻蚀出PN结沟槽,并去胶清洗;
(4).配制电泳液:将丙酮、玻璃粉、硝酸按照以下比例配制成电泳液:
丙酮: 80~97%
玻璃粉: 2~19%
硝酸: 0.005~1%
(5).将装有电泳液的石英方杯放置在电泳装置中,启动超声波进行超声15min,即可进行电泳;
(6).将电泳后的硅片在温度为820℃的氧气氛围下进行玻璃烧成。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNB2007100570912A CN100463110C (zh) | 2007-04-06 | 2007-04-06 | 硅整流器件的电泳法玻璃钝化工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNB2007100570912A CN100463110C (zh) | 2007-04-06 | 2007-04-06 | 硅整流器件的电泳法玻璃钝化工艺 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101055839A true CN101055839A (zh) | 2007-10-17 |
CN100463110C CN100463110C (zh) | 2009-02-18 |
Family
ID=38795583
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB2007100570912A Expired - Fee Related CN100463110C (zh) | 2007-04-06 | 2007-04-06 | 硅整流器件的电泳法玻璃钝化工艺 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN100463110C (zh) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102082092B (zh) * | 2009-11-27 | 2013-03-20 | 中国振华集团永光电子有限公司 | 玻璃钝化台面二极管酸腐蚀工艺 |
CN104445973A (zh) * | 2014-11-28 | 2015-03-25 | 张家港市德力特新材料有限公司 | 一种用于电子设备屏幕上的玻璃的制备方法 |
CN104599963A (zh) * | 2015-01-15 | 2015-05-06 | 苏州启澜功率电子有限公司 | 一种台面芯片双面电泳玻璃钝化工艺 |
CN105826172A (zh) * | 2016-05-13 | 2016-08-03 | 上海微世半导体有限公司 | 一种提升半导体芯片可靠性与良率的钝化保护方法 |
CN109309015A (zh) * | 2017-07-26 | 2019-02-05 | 天津环鑫科技发展有限公司 | 一种两阶段式电泳工艺 |
CN109750342A (zh) * | 2017-11-01 | 2019-05-14 | 天津环鑫科技发展有限公司 | 一种硅片玻璃钝化电泳工艺 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN85100410B (zh) * | 1985-04-01 | 1987-08-19 | 山东师范大学 | 台面半导体器件玻璃钝化工艺 |
US7223672B2 (en) * | 2002-04-24 | 2007-05-29 | E Ink Corporation | Processes for forming backplanes for electro-optic displays |
CN1298029C (zh) * | 2003-03-26 | 2007-01-31 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 射频台式硅二极管电泳沉积玻璃钝化共形膜制备方法 |
CN1302523C (zh) * | 2004-12-21 | 2007-02-28 | 天津中环半导体股份有限公司 | 一种台面整流器件的玻璃钝化形成工艺 |
-
2007
- 2007-04-06 CN CNB2007100570912A patent/CN100463110C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102082092B (zh) * | 2009-11-27 | 2013-03-20 | 中国振华集团永光电子有限公司 | 玻璃钝化台面二极管酸腐蚀工艺 |
CN104445973A (zh) * | 2014-11-28 | 2015-03-25 | 张家港市德力特新材料有限公司 | 一种用于电子设备屏幕上的玻璃的制备方法 |
CN104599963A (zh) * | 2015-01-15 | 2015-05-06 | 苏州启澜功率电子有限公司 | 一种台面芯片双面电泳玻璃钝化工艺 |
CN104599963B (zh) * | 2015-01-15 | 2017-12-19 | 苏州启澜功率电子有限公司 | 一种台面芯片双面电泳玻璃钝化工艺 |
CN105826172A (zh) * | 2016-05-13 | 2016-08-03 | 上海微世半导体有限公司 | 一种提升半导体芯片可靠性与良率的钝化保护方法 |
CN109309015A (zh) * | 2017-07-26 | 2019-02-05 | 天津环鑫科技发展有限公司 | 一种两阶段式电泳工艺 |
CN109309015B (zh) * | 2017-07-26 | 2020-09-29 | 天津环鑫科技发展有限公司 | 一种两阶段式电泳工艺 |
CN109750342A (zh) * | 2017-11-01 | 2019-05-14 | 天津环鑫科技发展有限公司 | 一种硅片玻璃钝化电泳工艺 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100463110C (zh) | 2009-02-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101055839A (zh) | 硅整流器件的电泳法玻璃钝化工艺 | |
CN101038892A (zh) | 硅整流器件的刀刮法玻璃钝化工艺 | |
JP6060202B2 (ja) | 透明導電膜の製造方法、スパッタリング装置及びスパッタリングターゲット | |
CN100587910C (zh) | 石英/镍酸镧/铁酸铋-钛酸铅三层结构铁电材料的制备方法 | |
JPH02244507A (ja) | インジウムすず酸化物薄層のエッチング方法及び透明電気導電パターンの形成方法 | |
CN103360107B (zh) | 一种金-镍酸镧复合导电薄膜材料及其制备方法 | |
CN102277573B (zh) | 液晶显示屏用铬蚀刻液及其制备方法 | |
JP2006194926A (ja) | 透明電極の製造方法 | |
CN1397986A (zh) | 金属剥离方法 | |
CN101034659A (zh) | 基板的制造方法及基板处理装置 | |
JP5165388B2 (ja) | 積層構造及びそれを用いた電気回路用電極 | |
CN114496710A (zh) | 一种半导体设备陶瓷窗氧化钇涂层清洗方法 | |
CN108206229A (zh) | 一种GaN基LED中ITO图形的制作方法 | |
CN114318264A (zh) | 一种基于磁控溅射和刻蚀处理制备ito薄膜的方法 | |
CN1447389A (zh) | 制作多晶硅薄膜的方法 | |
EP3220414A1 (en) | Polycrystalline oxide thin-film transistor array substrate and preparation method therefor | |
JP3229610B2 (ja) | Ito電極の作製方法 | |
JP2006196201A (ja) | 透明電極の製造方法 | |
CN1610078A (zh) | 消除晶片边缘剥离的方法 | |
TW200817849A (en) | System using ozonated acetic anhydride to remove photoresist materials | |
JP2002093701A (ja) | 多結晶シリコン薄膜の製造方法 | |
JPS6258663A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
CN1850362A (zh) | 一种去除附着于氧化钇零件表面聚合物薄膜的清洗方法 | |
CN114921750A (zh) | 一种高附着力光电薄膜及其制备方法和应用 | |
JP3649600B2 (ja) | Ito電極の成膜加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: Electrophoresis method glass passivation technology of the silicon rectifier Effective date of registration: 20161027 Granted publication date: 20090218 Pledgee: Tianjin Zhonghuan Electronics Information Group Co., Ltd. Pledgor: Tianjin Zhonghuan Semiconductor Joint-Stock Co., Ltd. Registration number: 2016120000064 |
|
PLDC | Enforcement, change and cancellation of contracts on pledge of patent right or utility model | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20090218 Termination date: 20200406 |