CN101053027A - 光学记录介质 - Google Patents

Abstract

一种光学记录介质包含由其中含有至少四种元素Ga、Sb、Sn和Ge并且转变线速度为20m/s－30m/s的相变记录材料组成的记录层，并且当记录/复制光的波长处于650nm－665nm范围内并且记录线速度为20m/s－28m/s时，记录层在晶态下的折射率Nc和消光系数Kc以及在非晶态下的折射率Na和消光系数Ka分别满足以下数值表达式：2.0≤Nc≤3.0，4.0≤Kc≤5.0，4.0≤Na≤5.0，和2.5≤Ka≤3.1，并且在20m/s－28m/s的记录线速度范围内可记录信息。

Description

光学记录介质

技术领域

本发明涉及一种其中激光束的照射引起记录层的记录材料光学变化而因此记录和复制信息并且可重写信息的相变光学记录介质(例如DVD-RW、DVD+RW或DVD-RAM)，并且还特别地涉及一种具有响应高速记录线速度的性能的光学记录介质。

背景技术

就常规而言，在其中将信息记录和复制到记录层上/由记录层记录和复制信息并且可重写信息的相变光学记录介质中，记录层含有四种元素Ag、In、Sb和Te作为主要组分。目的是在稳定的信号处理基础上提高记录线速度，这使得可以在目前市售DVD-ROM的记录线速度(3.49m/s)的1倍速度-4倍速度下稳定地进行记录和复制。

在光学记录介质中，传热的方式随着层压在基底上的各层的光学常数或薄膜厚度而细微改变，并且可能极大地影响记录在记录层上的标记中的记录特性，或者反射率或调制系数可能变化。正如专利文献1中的那样，层压在基底上的每一层的薄膜厚度、记录层中结晶相和非晶相的光学常数、与保护层和反射层有关的光学常数以及透明基底的槽深条件是与记录特性和信号处理相关的重要因素。

另外，为了实现高速记录，记录必须采用另外较高的功率进行，因此与常规技术相比储存可靠性变得更加严格。反射层中所使用的具有高导热率的Ag与保护层的ZnS-SiO₂中的S结合并形成Ag₂S，因此有必要在反射层与保护层之间设置硫化防止层(sulfidation prevention layer)。然而，采用较高功率记录造成Ag反射层与硫化防止层之间的干扰而容易出现剥离，这导致在重复记录之后或者在恶劣的环境中长期储存之后容易出现光盘缺陷的问题。

作为相关的公知技术，专利文献2披露了这样一个发明：其中将氧化钽、钽和镍用于与Ag反射层接触的中间层，并且将M_w(Sb_zTe_1-z)_1-w用于记录层，条件是0≤w≤3并且0.5≤z≤0.9。然而，该发明具有不同于本发明的硫化防止层的组成元素；并且另外与本发明相比，记录在2倍CD速度(2.4m/s)的更低速度和更低密度下进行。

另外，本申请人的与本申请相关的专利文献3披露了这样一个发明：其中将Si、SiC、Ge和GeCr用于与Ag反射层接触的硫化防止层，并且将GaαGeβInγSbδTeε(条件是0＜α＜7，0＜β＜10，0＜γ＜5，60＜δ＜80和0＜ε＜5)用于记录层。然而，该发明具有不同于本发明的硫化防止层的组成元素。另外，与本发明相比，记录在最大为20m/s的更低速度下进行。

另外，专利文献4披露了这样一个发明：其中记录层由GeSbIn组成，并且与本发明相比，记录在2.4m/s-9.6m/s的更低速度下进行。

本发明旨在提供一种可在DVD-ROM的6倍速度-8倍速度(在下文中简称为′6倍速度-8倍速度′)下记录的DVD+RW，并且研究了记录层在晶态和非晶态下的光学常数以及控制高反射率的凹槽条件；同时还研究了硫化防止层。

专利文献1：日本专利申请特开(JP-A)No.2000-76702

专利文献2：日本专利(JP-B)No.3494044

专利文献3：日本专利申请特开(JP-A)No.2003-248967

专利文献4：日本专利申请特开(JP-A)No.2001-39031

发明内容

本发明的目的是提供一种可在高线速度-20m/s-28m/s(约6倍速度-8倍速度)下重复记录并且同时记录特性和储存特性优良的DVD+RW介质。另外，目的是提供一种其中记录层的反射率适宜地降低的DVD+RW介质。另外，目的是提供这样一种相变光学记录介质：其中通过反射层与硫化防止层之间的粘合性的提高，使得由于即使在重复记录或者在恶劣的环境中长期储存之后出现的疏松薄膜所引起的光盘缺陷难以出现。

上述问题通过以下发明1)-12)(在下文中称为发明1-12)解决。

1)一种光学记录介质，其包含：透明基底、布置于透明基底上的第一保护层、布置于第一保护层上的记录层、布置于记录层上的第二保护层和布置于第二保护层上的反射层，

其中该记录层由包含Ga、Sb、Sn和Ge并且其中转变线速度(transferlinear velocity)为20m/s-30m/s的相变记录材料组成，其中当记录和复制光的波长处于650nm-665nm范围内并且记录线速度为20m/s-28m/s时，记录层在晶态下的折射率Nc和消光系数Kc以及在非晶态下的折射率Na和消光系数Ka分别满足以下数值表达式：2.0≤Nc≤3.0，4.0≤Kc≤5.0，4.0≤Na≤5.0，和2.5≤Ka≤3.1，并且其中可在20m/s-28m/s的记录线速度范围内记录信息。

2)根据1)的光学记录介质，其中当将记录层中的四种元素Ga、Sb、Sn和Ge的相互组成比(原子％)分别看作是α、β、γ和δ时，它们满足以下数值表达式：2≤α≤11，59≤β≤70，17≤γ≤26，2≤δ≤12，84≤β+γ≤88，和α+β+γ+δ＝100。

3)根据2)的光学记录介质，其中相对于记录层中的所有元素，记录层中的四种元素Ga、Sb、Sn和Ge的总含量为95原子％或更大。

4)根据3)的光学记录介质，其中记录层进一步包含Te。

5)根据1)-4)中任一项的光学记录介质，其中第一保护层的薄膜厚度为30nm-100nm，记录层的薄膜厚度为5nm-50nm，第二保护层的薄膜厚度为3nm-15nm，反射层的薄膜厚度为100nm-300nm。

6)根据1)-5)中任一项的光学记录介质，其中透明基底带有具有0.74±0.03μm轨道间距、22nm-40nm槽深和0.2μm-0.3μm槽宽的波动式凹槽(wobbled groove)。

7)根据1)-6)中任一项的光学记录介质，其中该光学记录介质进一步包括在第二保护层与反射层之间的硫化防止层；并且第一保护层和第二保护层分别包括ZnS和SiO₂的混合物，硫化防止层包括TiC和TiO的混合物，反射层包括Ag或者其中Ag为主要组分的合金。

8)根据7)的光学记录介质，其中第二保护层和硫化防止层的总薄膜厚度为7nm-20nm。

9)根据8)的光学记录介质，其中第二保护层和硫化防止层的总薄膜厚度为7nm-15nm。

10)根据7)-9)中任一项的光学记录介质，其中硫化防止层的组成为(TiC)_p(TiO)_100-p，其中′p′表示质量百分比并且满足以下数值表达式50≤p≤80。

11)根据7)-10)中任一项的光学记录介质，其中该光学记录介质在第二保护层与硫化防止层之间进一步包括具有2nm-8nm薄膜厚度、含有ZrO₂、Y₂O₃和TiO₂的混合物的层。

12)根据7)-11)中任一项的光学记录介质，其中该光学记录介质在第一保护层与相变记录层之间进一步包括具有2nm-4nm薄膜厚度的含有SiO₂的层。

附图说明

图1是表示在记录材料Ga₅Sb₇₀Sn₁₇Ge₈和Ga_11.9Sb_73.1Sn_15.0初始化之后反射率的储存稳定性的比较结果的图。

图2是表示具有记录材料Ga₅Sb₇₀Sn₁₇Ge₈的记录介质的储存特性的图，该记录介质在初始记录和重写(overwriting)之后表现出抖动(jitter)的特性。

图3是表示本发明的光学记录介质的层构造例子的图。

图4是与实施例A-2、A-20和A-21中的总的Sb∶Sn组成比(原子％)相关的记录特性的比较图。

图5是表示在实施例A-3、A-24和A-25中DC抖动的比较结果的图。

图6是表示在实施例A-3、A-24和A-25中调制系数的比较结果的图。

图7是表示在实施例A-3、A-24和A-25中未记录部分的反射率的比较结果的图。

图8是表示在8倍速度下GaSbSnGe-基材料的记录特性对Sb+Sn的组成依赖性的试验结果的图。

图9是表示实施例B-1中的光学记录介质的评价结果的图。

图10是表示实施例B-2中的光学记录介质的评价结果的图。

具体实施方式

在下文中描述本发明。

在本发明的光学记录介质中，在透明基底上依次层压第一保护层；由包含至少四种元素Ga、Sb、Sn和Ge并且其中转变线速度为20m/s或更快的相变记录材料组成的记录层；和反射层。该转变线速度是一种代替各相变记录材料特有的结晶动力学行为(crystallization kinetic)的物理量，并且在本文中其表示在通过用18mW的连续光照射研究晶体反射率对扫描速度依赖性的情形中反射率开始迅速降低的速度。如果使用其中转变线速度为20m/s或更快的相变记录材料，则即使用光连续照射同时光学记录介质在小于20m/s下旋转也不会出现非晶形。另外，如果使用其中转变线速度为30m/s或更慢的相变记录材料，则在约6倍速度-8倍速度的记录线速度下可以容易地导致非晶形。如果转变线速度变得比这更快，则非晶形变得困难并且记录变得困难。

作为记录层的记录材料，需要响应约6倍速度-8倍速度的记录线速度的相变记录材料。

在本发明中，根本的是与在1倍速度-4倍速度下记录标记的情形相比更可靠地记录了非晶标记(amorphous mark)，并且对于记录层在晶态下的吸收系数而言，越高越好。然而，如果其过分高，则充满了余热并且特性变差。另外，对于非晶态下的折射率而言，越大越好。有这样的报导：希望作为常规相变记录材料的AgInSbTe-基相变记录材料在晶态下的折射率和消光系数以及在非晶态下的折射率和消光系数分别处于2-4、2-4、2.5-4和2.5-3.5的范围内(专利文献1)。作为本申请的发明人参照这些发现研究GaSbSnGe-基相变记录材料的结果，得到示于下述表1中的结果。此外，该表中的“沉积时的(as-depo)光学常数”等价于非晶态中的光学常数。

基于表1中的结果，在本发明中当记录/复制光的波长处于650nm-665nm范围内并且记录线速度为20m/s-28m/s(约6倍速度-8倍速度)时，使用其中记录层在晶态下的折射率Nc和消光系数Kc以及在非晶态下的折射率Na和消光系数Ka处于以下范围内的相变记录材料：

2.0≤Nc≤3.0

4.0≤Kc≤5.0

4.0≤Na≤5.0

2.5≤Ka≤3.1。

此外，当记录/复制光的波长处于650nm-665nm范围内并且记录线速度为20m/s-28m/s(约6倍速度-8倍速度)时，记录层中在晶态下的折射率Nc和消光系数Kc以及在非晶态下的折射率Na和消光系数Ka可以如下测量。在具有0.6mm厚度的聚碳酸酯透明基底上制备具有100nm厚度的由相变记录材料组成的记录层之后立即通过分光椭圆光度计测量记录层中非晶态下的Na和Ka。此外，在用初始化装置将相变记录层初始化之后，通过分光椭圆光度计测量晶态下的Na和Ka。通过带有VASE和WVASE32软件的分光椭圆光度计(J.A.Woollam Japan Co.，Inc.)测量光学常数。这里使用的初始化装置是POP120-7AH(Hitachi Computer Peripherals Co.，Ltd.)。初始化条件是900mW激光功率、11m/s线速度和37μm头进给量(head feed)。

此外，除了四种元素Ga、Sb、Sn和Ge之外，还可以将其他元素例如Te加入本发明的光学记录介质。对于元素的加入量(原子％)而言，只要范围小至一定的程度，对上述折射率和消光系数的影响就会小，并且在约6倍速度-8倍速度的高速记录下记录特性变得优良。下面提及的表2示出了在加入的元素是Te的情形中的数据，显然的是优选将组成比控制在5原子％或更小。优选地，相对于记录层中的所有元素，记录层中的四种元素Ga、Sb、Sn和Ge的总含量为95原子％或更大。Te有助于容易地进行初始结晶。另外，出于提高各种特性的目的，可以加入其他元素例如In、Zn、Ag或Cu。

另外，常规的AgInSbTe-基相变记录材料并不适合于高线速度记录，因为结晶动力学行为缓慢，因此不能在6倍速度-8倍速度下准确地记录非晶标记。因此，需要开发可在6倍速度-8倍速度下记录的新的相变记录材料。到目前为止，作为记录材料，已经开发了三元素材料Ga、Sb和Sn，和四元素材料Ga、Sb、Sn和Ge。然而，尚未获得任何对6倍速度-8倍速度记录有充分响应的材料。于是，本申请的发明人通过将各元素的组成比限定在几个百分比的范围内而开发出对约6倍速度-8倍速度记录有响应的相变记录材料。

换句话说，根据目前为止的研究，显然的是由于SbSn化合物的结晶动力学行为非常快，因此有实现具有优良记录敏感性的高速记录介质的可能性。然而，其在室温下的储存条件差，因此不能将SbSn化合物单独地用作记录材料。于是，如果加入Ga或Ge，非晶形将变得更容易并且使得容易进行记录。Ga和Ge具有减缓结晶动力学行为作用，因此可以将结晶动力学行为控制为响应约6倍速度-8倍速度的记录线速度。

因此，在本发明的记录层中，就四种元素Ga、Sb、Sn和Ge的组成比(原子％)分别作为α、β、γ和δ而言，希望的是满足以下条件

2≤α≤11

59≤β≤70

17≤γ≤26

2≤δ≤12

84≤β+γ≤88

α+β+γ+δ＝100。

在上述条件中，如果Sb少于59％，则熔点变得更高，因此敏感性变差，并且如果Sb超过70％，则变得难以记录非晶标记；由此不能获得优良的记录特性。如果Sn少于17％，则结晶动力学行为开始减慢，因此敏感性变差，并且如果Sn超过26％，则结晶动力学行为变得过快并且变得难以变成非晶形，因此这不是优选的。如果Ga或Ge少于2％，则储存可靠性变差，并且如果Ga超过11％或者Ge超过12％，则结晶温度变得过高并且初始结晶变得困难，因此这不是优选的。

另外，如果Sb和Sn的总和小于84％或者超过88％，则分别造成过慢或过快的结晶动力学行为，因此不能获得适合于在6倍速度-8倍速度下进行记录的记录层。检验在8倍速度下的记录特性变得优良的Sb∶Sn的总组成比范围，如图8中所示，当Sb+Sn的总和处于84％-88％的范围内时记录特性变得优良，并且明显看出如果该总和超出该范围，则记录特性变差。如上所述，为了可靠地进行高速记录，不仅单独提供Sb∶Sn的组成比，而且同样重要的是提供Sb∶Sn的总组成比的范围。

图1示出了根据是否含有Ge时的储存稳定性的比较数据。作为例子，在作为不含Ge的相变记录材料的Ga_11.9Sb_73.1Sn₁₅(图中穿过菱形点的线)中，在大气压下在85％湿度和80℃温度下100小时后，初始化后的反射率降低5.7％，因此晶体条件改变并且记录变得困难。另外，甚至在记录之后，空间区域的储存条件变差并且抖动特性变差。然而，在作为其中加入Ge的相变记录材料的Ga₅Sb₇₀Sn₁₇Ge₈(图中穿过正方形点的线)中，波动缓和，因此即使在900小时之后初始化后的反射率降低也小于1.5％。

图2示出了GaSbSnGe-基相变记录材料的储存特性(分别在重写0次、10次、1000次之后的抖动特性)(DOW0(图中穿过菱形点的线)、DOW10(图中穿过正方形点的线)和DOW1000(图中穿过三角形点的线))，并且在即使900小时储存后也没有出现抖动波动。

对于记录层的薄膜厚度而言，希望的是5nm-50nm的范围，更优选10nm-20nm的范围。如果薄膜厚度薄于5nm，则出现由于重复记录引起的损坏而造成的缺陷。另外，如果薄膜厚度厚于50nm，则抖动特性变差。

作为第一保护层材料，优选其中光有效透过并且熔点为1000℃或更高的透明材料。主要使用氧化物、氮化物或硫化物；在这些当中，优选使用其中内应力和吸光指数小的ZnS和SiO₂的混合物。由于ZnS具有小的导热率，因此在记录期间热扩散可能减少，这导致提高的记录敏感性。然而，在初始化或记录时ZnS变成晶体，使得记录层的稳定性变差，因此应该使用抑制ZnS结晶的混有SiO₂的混合物。对于组成而言，优选ZnS∶SiO₂＝60∶40-90∶10(mol％)。特别地，优选ZnS∶SiO₂＝80∶20(摩尔比)。

对于薄膜厚度而言，希望的是30nm-100nm的范围。如果薄膜厚度超出该范围，则变得难以肯定确保60％或更大的调制系数。另外，如果薄膜厚度变成小于30nm，则由于根据薄膜厚度的反射率波动变得更大，因此变得难以稳定地形成层，并且如果薄膜厚度变得厚于100nm，则沉积时间变得更长并且光学记录介质的产率降低。

作为第二保护层材料，优选的是具有与第一保护层特性相同的材料。

对于薄膜厚度而言，优选的是3nm-15nm的范围。如果薄膜厚度小于3nm，则可能遇到一些缺陷例如差的记录敏感性或者调制系数降低。如果薄膜厚度大于15nm，则有过量的热存在，且由于余热使得非晶标记变得更小并且记录特性变差。

金属材料用于反射层，并且通常使用金属材料例如Al、Ag、Au或Cu，或者这些金属材料的合金材料。

对于薄膜厚度而言，优选的是100nm-300nm的范围。如果薄膜厚度小于100nm，则热辐射效率可能降低。此外，即使薄膜厚度大于300nm，也不会提高热辐射效率，相反薄膜厚度变得超乎必要得大。

在其中第一保护层和第二保护层包括ZnS和SiO₂的混合物并且反射层包括Ag或者其中Ag为主要组分的合金的方面中，优选在第二保护层与反射层之间另外设置硫化防止层。

图3示出了本发明的光学记录介质的层构造的例子，并且该层是这样构造的：其中在透明基底1上依次层压含有ZnS和SiO₂的混合物的第一保护层2、记录层3、含有ZnS和SiO₂的混合物的第二保护层4、硫化防止层5和由Ag合金组成的反射层6。

通过来自基底侧的激光束的照射而在相变记录层的晶态与非晶态之间进行的可逆相转变导致信息的记录和擦除。在记录之前DVD+RW处于晶态，并且调制激光束的照射和记录层的骤冷导致非晶标记的形成。在这个时候，为了直接进行非晶标记的重复记录，必须当记录速度升高时在更短的时间内使非晶标记结晶；因此，需要具有快速结晶动力学行为的相变记录材料。另外，如果使用具有快速结晶动力学行为的材料，则在标记形成之后立即从非晶标记的***开始重结晶，并且标记变得更小。为了减小重结晶区域，更好的是具有其中冷却速度快的骤冷结构，因此优选将具有高导热率的Ag或者其中Ag为主要组分的合金用于反射层。在此，主要组分是指含有90原子％的Ag。另外，作为与Ag形成合金的元素；提供了Cu、Pd、Ti、Cr和Ta。

然而，Ag易于在层中迅速迁移并且另外其与S反应而容易地形成Ag₂S。因此，优选设置硫化防止层。可以将常规使用的SiC或Si用于硫化防止层。然而，从提高反射层与硫化防止层之间的粘合性并在即使重复记录或者在恶劣环境中长时间储存之后防止光盘缺陷的产生例如疏松薄膜的形成的观点出发，优选使用TiC和TiO的混合物。为了获得更快的记录速度，需要更大的记录功率。因此，如果硫化防止层与ZnS-SiO₂或Ag之间的粘合性并不足够强，则与低速记录的光学记录介质相比，在重复记录之后容易出现薄膜剥离。对于SiC而言，由于Ag和SiC的热膨胀系数彼此显著不同，因此当初始化时或者当记录时薄膜的内应力增加，并且可能出现薄膜剥离。

于是，将热膨胀系数与Ag接近并且与Ag具有优良粘合性的TiO和具有防止Ag分散作用的TiC的混合物用于Ag反射层与第二保护层之间的硫化防止层，以及将其与上述记录层组合使得能够提供调制系数极大、适合于高速记录并且储存稳定性更加优良的光学记录介质。

另外，将第二保护层和硫化防止层的总薄膜厚度设置在7nm-20nm使得能够提供具有更大调制系数的光学记录介质。更优选地，将上述两层的总薄膜厚度设置在7nm-15nm使得能够有优良的重复记录特性。在高速记录中，记录层的冷却速度极大地改变了记录特性，因此极大影响冷却速度的、介于反射层与记录层之间的第二保护层和硫化防止层的总薄膜厚度是重要的。

优选硫化防止层的组成为(TiC)_p(TiO)_100-p并且50≤p≤80(′p′为质量百分比)。当′p′为80或更小时，可以获得较大的调制系数，并且当′p′为50或更大时，可以获得优良的重复记录特性。′p′变得越大，则导热率变得越大。然而，如果硫化防止层的导热率过大，则调制系数变得更小，并且如果导热率过小，则出现热并且重复记录特性变得尤其差。导热率和介于反射层与记录层之间的层的薄膜厚度差异尤其影响高速记录，因此如果这些各自没有处于合适的范围内，则不能获得其中可以实现可重写的光盘***的优良记录特性。

进一步地，可以在第二保护层与硫化防止层之间设置具有2nm-8nm厚度的、由ZrO₂、Y₂O₃和TiO₂的混合物组成的层。如果将TiC和TiO的混合物用于硫化防止层，则尽管与使用SiC的情形相比调制系数可以容易地变得更小，但上述混合物层的设置也提高了调制系数。对于组成而言，优选的是将60mol％或更大的ZrO₂和10mol％或更大的TiO₂混合。

另外，优选在第一保护层与相变记录层之间设置具有2nm-4nm厚度的由SiO₂组成的中间层。当记录在高功率下进行时这降低了对基底的损坏，因此高功率记录中的重复记录特性变得优良，并且记录功率限度可以变宽。如果厚度小于2nm，则变得难以形成均匀的SiO₂层，并且如果厚度超过4nm，则记录敏感性变差并且调制系数减小。

对于透明基底而言，通常使用塑料基底。作为塑料基底，没有特别限制，只要其具有透明性并且其的平面精度优良。可以选择性地选择和使用常规用作光学记录介质用的透明基底的任何基底。作为典型例子，提供玻璃板和聚碳酸酯板。关于光学常数，优选的是折射率为1.5-1.6。

另外，优选的是透明基底带有具有0.74±0.03μm轨道间距、22nm-40nm槽深和0.2μm-0.3μm槽宽的波动式凹槽。作为带有波动式凹槽的目的是访问未记录的特定轨道并且基底在恒定线速度下旋转。出于能够响应在约6倍速度-8倍速度下记录的目的而制造本发明的光学记录介质。将Sn加入GaSb-基材料中以达到提高记录特性并且加速结晶动力学行为的目的。然而，应该注意的是含于记录层中的Sn的作用造成了提高的反射率。例如，作为对其中透明基底的槽深为20nm、第一保护层的薄膜厚度为30nm-100nm、记录层的薄膜厚度为5nm-50nm、第二保护层的薄膜厚度为3nm-15nm、反射层的薄膜厚度为100nm-300nm并且记录层中四种元素的相对组成比符合上述要求的本发明的光学记录介质的研究结果，明显的是在未记录的区域(结晶物质)的反射率变为26％-32％。然而，如果将该反射率与在作为常规相变光学记录介质的DVD+RW的1倍速度-4倍速度下的反射率相比，其不一定高。因此，考虑到相容性，必须通过降低来调节反射率。

因此，采用带有具有0.74±0.03μm轨道间距、22nm-40nm槽深和0.2μm-0.3μm槽宽的波动式凹槽的透明基底的条件。例如，通过将槽深设置在37nm对透明基底进行的研究中，反射率可以降低约2％-3％。在轨道间距为0.74±0.03μm的DVD光盘中，推挽式(push-pull)信号被主要作为用于监测循迹误差(tracking error)的信号提取。对于推挽式信号而言，在用于DVD的660nm激光波长下，如果当槽深为55nm时使用上述透明基底，则可以获得最大的信号强度。为了将反射率调低并且提高误差信号的幅度，对于槽深而言，其越深越好。然而，还考虑记录特性，优选槽深处于22nm-40nm范围内。另外，考虑记录特性和信号特性，显然希望槽宽处于0.2μm-0.3μm内。

本发明可以提供能够在20m/s-28m/s(约6倍速度-8倍速度)下重复记录并且同时记录特性和储存特性优良的DVD+RW介质，并且还提供其中记录层的反射率被适宜地降低的DVD+RW。

在下文中，使用实施例和比较例更具体地描述本发明。然而，本发明将不受这些实施例的限制。

[实施例A-1至A-7和比较例A-8至A-19]

制备这样的光盘：其中在具有0.74μm轨道间距、27nm槽深和0.27μm槽宽的聚碳酸酯透明基底上依次层压具有60nm厚度的第一保护层ZnS-SiO₂、具有16nm厚度的由示于表1中的相变记录材料组成的记录层、具有7nm厚度的第二保护层ZnS-SiO₂、具有4nm厚度的硫化防止层SiC和具有140nm厚度的反射层Ag。使用相变光盘用的初始化装置将这些光盘初始化，得到DVD+RW光盘。对于初始化而言，使用具有48μm束宽的光头，并且在1300mW功率(在这里，其是LD的功率消耗并且其不同于照射功率)、18.5m/s扫描速度和30μm/转进给量的条件下进行结晶。

上述光盘的记录层全部由具有20m/s或更快的充足转变线速度的、光学常数不同的GaSbSnGe-基材料组成。对于这些光盘而言，将记录线速度设置在6倍速度(20.9m/s)和8倍速度(27.9m/s)下，并且检验是否可以获得优良的记录特性。通过采用具有三级(Pp＞Pe＞Pb)——为了形成非晶标记的峰值功率′Pp′、为了提供骤冷功效的最小功率(bottom power)′Pb′，和为了形成结晶物质并且擦除信息的擦除功率(erasure power)′Pe′——的2T循环记录策略重复亮度调制进行记录。脉冲发生器是由Tektronix Japan，Ltd.制造的DTG-5274，并且设置的分辨率为3.348352GHz。用于该记录的评价设备是由Pulstec Industrial Co.，Ltd制造的DDU-1000，并且记录功率的规格是最大40mW的Pp和最大18mW的Pe。将峰值功率Pb固定在0.1mW并且进行记录。用于检测记录特性的适宜性目的的标准的数值是“数据-时钟抖动(Datato Clock Jitter)(在下文中称为DC抖动)”和“调制系数”。DC抖动是当在1倍速度(对应的标记长度约为0.1333μm)下复制时的窗口′Tw′与关于窗口宽度Tw作为单位的九种标记(3Tw-11Tw标记)之间的端隙的数字化表示，并且该值变得越小，则特性变得越好。调制系数表示结晶物质与非晶物质之间反射率的差占结晶物质反射率的多少。由于结晶物质的较大差异可以容易地二进制化(binarize)，因此对于调制系数而言，其越大越好。评价标准如下，并且数值是在10次重写(DOW10)之后的值：

<DC抖动>A：9％或更小，B：11％或更小，C：超过11％

<调制系数>A：60％或更大，B：小于60％

表1

	记录层的组成	660nm下的晶体光学常数		660nm下沉积时的光学常数		转变线速度(m/s)	记录线速度20.9m/s(6倍速)		记录线速度27.9m/s(8倍速)
											DC抖动	调制系数	DC抖动	调制系数
							Nc	Kc	Na	Ka
		实施例1	Ga10.5Sb64.5Sn20.0Ge5.0	2.59	4.31										4.31	2.96	25	A	A	A	A
实施例2	Ga8.2Sb59.8Sn22.0Ge10.0					2.15	4.72	4.36	2.96	21	A	A	C	A
		实施例3	Ga5.0Sb70.0Sn17.0Ge8.0	2.43	4.98										4.35	2.99	27	A	A	A	A
实施例4	Ga5.0Sb59.0Sn26.0Ge10.0					2.14	4.68	4.26	3.05	24	A	A	A	A
		实施例5	Ga6.5Sb59.5Sn24.0Ge10.0	2.24	4.61										4.32	3.03	23	A	A	B	A
实施例6	Ga5.0Sb60.0Sn25.0Ge10.0					2.13	4.83	4.28	3.10	24	A	A	A	A
		实施例7	Ga3.0Sb62.0Sn23.0Ge12.0	2.18	4.80										4.32	3.08	22	A	A	A	A
比较例8	Ga3.0Sb76.0Sn14.0Ge7.0					3.05	4.87	4.31	3.08	34	A	C	A	C
		比较例9	Ga3.0Sb70.0Sn20.0Ge7.0	2.36	5.05										4.28	3.14	40或更大	C	C	C	C
比较例10	Ga3.0Sb68.0Sn22.0Ge7.0					2.32	5.07	4.29	3.17	40或更大	C	C	C	C
		比较例11	Ga3.0Sb72.0Sn18.0Ge7.0	2.38	5.08										4.30	3.12	39	C	C	C	C
比较例12	Ga5.0Sb70.0Sn20.0Ge5.0					2.33	5.05	4.29	3.15	40或更大	C	C	C	C
		比较例13	Ga1.0Sb49.08Sn49.0Ge1.0	1.60	4.80												40或更大	C	C	C	C
比较例14	Ga40.0Sb58.0Sn1.0Ge1.0					4.25	1.42	4.37	2.00	20	C	C	C	C
		比较例15	Ga13.3Sb81.7Sn5.0	3.33	4.66										4.34	2.79	20	C	A	C	A
比较例16	Ga11.9Sb73.1Sn15.0					2.25	4.96	4.35	2.99	27	A	A	A	A
		比较例17	Ga11.2Sb68.8Sn20.0	2.10	4.68										4.30	3.14	38	A	C	A	C
比较例18	Ga12.6Sb77.4Sn0.0					2.64	4.86	4.34	2.92	23	A	A	B	A
		比较例19	Ga13.6Sb71.4Sn15.0	2.38	4.85										4.34	2.95	24	A	A	B	A
实施例22	Ga11Sb64Sn20Ge5					2.61	4.32	4.3	3.05	28	A	A	A	A
		实施例23	Ga6Sb66Sn22Ge6	2.3	4.81										4.31	2.87	30	A	A	A	A

<就Sb∶Sn的总组成比(原子％)而言的记录特性的比较>

就实施例A-2和下面提及的实施例A-20至A-23中的光盘而言，比较记录特性。

对于实施例A-2、A-20和A-21中的光盘，图4示出了在改变峰值功率的情形中在8倍速度下DOW10之后DC抖动的比较结果(实施例A-2：穿过三角形点的线，实施例A-20：穿过菱形点的线，实施例A-21：穿过矩形点的线)，并且表1示出了实施例A-22和A-23中的结果。

评价实施例A-2(Sb+Sn＝81.8原子％)中的光盘的记录特性，并且在6倍速度和8倍速度下DOW10之后的本底抖动(bottom jitter)分别为8.9％和13.9％。

[实施例A-20]

类似于实施例A-1制备光盘，除了将相变记录材料变成Ga₇Sb₆₉Sn₁₈Ge₆(Sb+Sn＝87原子％、Nc＝2.25、Kc＝4.90、Na＝4.30、Ka＝3.01)之外，并且评价记录特性。在6倍速度和8倍速度下DOW10之后的本底抖动分别为7.9％和7.7％；由此获得优良的特性。

[实施例A-21]

类似于实施例A-1制备光盘，除了将相变记录材料变成Ga₅Sb₇₀Sn₂₀Ge₅(Sb+Sn＝90原子％、Nc＝2.35、Kc＝5.00、Na＝4.29、Ka＝3.09)之外，并且评价记录特性。在6倍速度和8倍速度下DOW10之后的本底抖动分别为14.5％和13.7％。

[实施例A-22]

类似于实施例A-1制备光盘，除了将相变记录材料变成Ga₁₁Sb₆₄Sn₂₀Ge₅(Sb+Sn＝84原子％、Nc＝2.61、Kc＝4.32、Na＝4.30、Ka＝3.05)之外，并且评价记录特性。在6倍速度和8倍速度下DOW10之后的本底抖动分别为8.5％和8.9％；由此获得优良的特性。

[实施例A-23]

类似于实施例A-1制备光盘，除了将相变记录材料变成Ga₆Sb₆₆Sn₂₂Ge₆(Sb+Sn＝88原子％、Nc＝2.30、Kc＝4.81、Na＝4.31、Ka＝2.87)之外，并且评价记录特性。在6倍速度和8倍速度下DOW10之后的本底抖动分别为8.2％和8.8％；由此获得优良的特性。

<根据槽深的抖动、调制系数和反射率的比较>

就实施例A-3、A-24和A-25中的每一光盘而言，图5-图7示出了在分别改变峰值功率的情形中DC抖动、调制系数和反射率的比较结果(实施例A-3(槽深：27nm)：穿过矩形点的线、实施例A-24(槽深：37nm)：穿过菱形点的线、实施例A-25(槽深：42nm)：穿过三角形点的线)。

示于表1中的在6倍速度和8倍速度下DOW10之后实施例3中的光盘的本底抖动分别为8.0％和8.4％，并且调制系数同样优良，其为61.5％，并且这时在未记录区域(R14H)中的反射率为26.5％。

[实施例A-24]

类似于实施例A-3制备光盘，除了将基底的槽深改变成37nm之外，并且评价记录特性。在6倍速度和8倍速度下DOW10之后的本底抖动分别为8.2％和8.6％，并且调制系数优良，其为61.7％，并且这时在未记录区域(R14H)中的反射率为24.4％。

[实施例A-25]

类似于实施例A-3制备光盘，除了将基底的槽深改变成42nm之外，并且评价记录特性。在6倍速度和8倍速度下DOW10之后的本底抖动分别为9.7％和10.2％，因此均表现出轻微的劣化，调制系数为61.6％并且这时在未记录区域(R14H)中的反射率为22.1％。尽管可以获得更低的反射率，但记录特性稍微变差。

[实施例A-26]

类似于实施例A-1制备光盘，除了将相变记录材料变成Ga₇Sb₆₈Sn₁₅Ge₆Te₄之外，并且评价记录特性。结果示于表2中。

[实施例A-27]

类似于实施例A-1制备光盘，除了将相变记录材料变成Ga₅Sb₆₈Sn₁₅Ge₇Te₅之外，并且评价记录特性。结果示于表2中。

[实施例A-28]

类似于实施例A-1制备光盘，除了将相变记录材料变成Ga₃Sb₆₈Sn₁₅Ge₈Te₆之外，并且评价记录特性。结果示于表2中。

[实施例A-29]

类似于实施例A-1制备光盘，除了将相变记录材料变成Ga₃Sb₆₇Sn₁₄Ge₈Te₈之外，并且评价记录特性。结果示于表2中。

表2

	晶体光学常数		沉积时的光学常数		记录层的组成					转变线速度(m/s)	记录线速度20.9m/s		记录线速度27.9m/s
															DC抖动	调制系数	DC抖动	调制系数
												Nc	Kc	Na					Ka	Ga	Sb	Sn	Ge	Te
实施例26	2.51	4.7	4.32	2.94	7	68	15	6	4	24					8.3(A)	62(A)	8.5(A)	61(A)
											实施例27	2.96	4.71	4.24					2.94	5	68	15	7	5	25	8.3(A)	61(A)	8.1(A)	60(A)
比较例28	3.08	4.81	4.3	2.99	3	68	15	8	6	27					9.1(B)	60(A)	9.1(B)	56(B)
											比较例29	3.17	4.71	4.29					2.88	3	67	14	8	8	23.5	11.2(C)	60(A)	12.4(C)	56(B)

正如从上述表2中明显看出的那样，在比较例A-28和A-29中Nc超过3.0，并且对于抖动和调制系数而言不能获得优选的结果。

根据上述实施例和比较例，说明了使用具有在本发明中提供的光学常数的GaSbSnGe-基相变记录层材料使得能够在6倍速度-8倍速度记录线速度下记录。另外，根据实施例A-2和实施例A-20至A-23，明显看出如果Sb∶Sn的总组成比处于84≤β+γ≤88的范围内，则可以进一步获得优良的记录特性和储存稳定性。

另外，根据实施例A-3、A-24和A-25，在透明基底带有具有0.74±0.03μm轨道间距、22nm-40nm槽深和0.2μm-0.3μm槽宽的波动式凹槽的情形中，明显看出在保持优良的记录特性的同时可以将反射率控制到低水平。

(实施例B-1至B-7)

根据溅射方法将第一保护层、相变记录层、第二保护层、硫化防止层和反射层依次沉积在具有0.74μm轨道间距、27nm槽深、12cm直径和0.6mm厚度的聚碳酸酯基底上。

对于第一保护层而言，将(ZnS)₈₀(SiO₂)₂₀(mol％)用作靶并且将薄膜厚度设置在60nm。

对于相变记录层而言，将Sn₁₈Sb₆₈Ga₅Ge₉(原子％)、Nc＝2.33、Kc＝4.88、Na＝4.45、Ka＝2.89用作靶，并且将薄膜厚度设置在16nm。

对于第二保护层而言，将(ZnS)₈₀(SiO₂)₂₀(mol％)用作靶并且如表3中所示那样设置薄膜厚度。

对于硫化防止层而言，将(TiC)₇₀(TiO)₃₀(质量％)用作靶并且如表3中所示那样设置薄膜厚度。

对于反射层而言，将Ag用作靶并且将薄膜厚度设置在180nm。

随后，在根据旋涂方法将具有8μm厚度的丙烯酸类-基固化树脂(由Dainippon Ink and Chemicals，Incorporated生产的SD318)涂覆在反射层上之后，在N₂气氛中通过紫外线将薄膜固化并且形成树脂保护层。

另外，使用粘合剂将另一个具有12cm直径和0.6mm厚度的聚碳酸酯基底粘结到树脂保护层上，得到光盘形的光学记录介质。

随后，使用具有激光头的初始化装置(由Hitachi Computer PeripheralsCo.，Ltd.生产的POP120-7AH)将光学记录介质初始化——其中将聚焦功能增加到830nm输出波长、约1μm宽度、75μm长度和2W最大输出功率的激光束上。固定的初始化条件为1500mW激光输出功率、20m/s扫描速度和50μm头进给量。

表3

	第二保护层(nm)	硫化防止层(nm)
			实施例1	2	3
实施例2	4	3
			实施例3	7	4
实施例4	11	4
			实施例5	13	4
实施例6	10	10
			实施例7	15	7

就如上所述那样制备的光学记录介质而言，采用具有650nm波长和0.65NA的拾波器的光盘评价装置(由Pulstec Industrial Co.，Ltd生产的DDU-1000)评价记录和复制。将记录线速度设置在28m/s(等价于DVD的8倍速度)，当采用EFM+调制方法重复记录随机模式10次时的抖动(数据-时钟抖动：其中用检测窗宽′Tw′将′σ′标准化的值)和调制系数示于表4中。将记录策略优化，并且复制全部在3.5m/s线速度下采用0.7mW功率进行。

表4

	DOW10调制系数	DOW10抖动(％)
			实施例1	52	12.1
实施例2	62	8.5
			实施例3	67	8.3
实施例4	71	8.9
			实施例5	70	11.2
实施例6	62	11.5
			实施例7	52	13.2

正如从表4中明显看出的那样，在第一保护层和硫化防止层的总薄膜厚度尤其为7nm-20nm的情形中，可以获得60％或更大的调制系数，这是DVD-ROM的标准值。另外，在总薄膜厚度为7nm-15nm的情形中，在10次重复记录后的抖动处于9％内，这是标准值；由此可以获得优选的重复记录特性。在总薄膜厚度小于7nm的情形中，调制系数小并且抖动为9％或更大。这是因为热没有被充分地施加在记录层上、熔融区域窄并且形成的标记小。另外，在总薄膜厚度超过20nm的情形中，调制系数同样小并且抖动同样为9％或更大，因为尽管熔融区域宽，但保持在其中出现重结晶的温度范围内的时间长，因此从标记的***开始重结晶，并且因此所形成的标记变小。

另外，在80℃和85％RH的环境中将每一上述光学记录介质储存100小时之后，通过将它们的每一个保持在灯下而用肉眼观察光学记录介质，证实在它们中均无针孔产生。

此外，实施例B-1中的记录介质的转变线速度为28m/s。

(实施例B-8至B-12)

类似于实施例1制备光盘形光学记录介质，不同之处在于将相变记录材料改变成Sn₁₃Sb₇₂Ga₇Ge₈、Nc＝2.21、Kc＝4.97、Na＝4.36、Ka＝2.98，将第一保护层的薄膜厚度设置在8nm并且将硫化防止层的薄膜厚度设置在5nm，和将硫化防止层的组成改变成如图5中所示。

就这些光学记录介质而言，采用具有650nm波长和0.65NA的拾波器的光盘评价装置(由Pulstec Industrial Co.，Ltd生产的DDU-1000)评价记录和复制。将记录线速度设置在28m/s(等价于DVD的8倍速度)，并且检测当采用EFM+调制方法重复记录随机模式10次时的调制系数和当重复记录1,000次时的抖动。如果抖动大于9％，则将光学记录介质定级为B，如果抖动为9％或更小，则将介质定级为A，并且结果示于表5中。

正如从表5中明显看出的那样，在TiC为80(质量％)或更小的情形中，在DOW10之后调制系数为60％或更大。另外，在TiC为40(质量％)的情形中，调制系数更大，但DOW1000之后的抖动为9％或更大。

此外，实施例B-8中记录介质的转变线速度为29m/s。

表5

	TiC(质量％)	TiO(质量％)	DOW10调制系数	DOW1000特性
					实施例8	40	60	68	B
实施例9	50	50	67	A
					实施例10	70	30	65	A
实施例11	80	20	61	A
					实施例12	90	10	55	A

(实施例B-13)

类似于实施例B-3制备光盘形光学记录介质，不同之处在于将相变记录材料改变成Sn₂₀Sb₆₅Ga₅Ge₁₀(Nc＝2.43、Kc＝4.80、Na＝4.40、Ka＝2.78并且转变线速度＝26m/s)。

就该光学记录介质而言，采用具有650nm波长和0.65NA的拾波器的光盘评价装置(由Pulstec Industrial Co.，Ltd生产的DDU-1000)评价记录和复制。将记录线速度设置在28m/s(等价于DVD的8倍速度)，并且采用32mW记录功率Pw、0.1mW最小功率Pb和5mW-10mW擦除功率Pe将其优化。采用EFM+调制方法重复记录随机模式并且评价抖动(数据-时钟抖动：其中用检测窗宽′Tw′将′σ′标准化的值)。将记录策略优化，并且复制全部在3.5m/s线速度下采用0.7mW功率进行。

另外，在80℃和85％RH的环境中将该光学记录介质储存100小时之后，在相同条件下进行记录。各结果示于图9中(在储存试验之前：穿过矩形点的线，在储存试验之后：穿过菱形点的线)。

正如从图9中明显看出的那样，即使在80℃和85％RH的环境中储存100小时之后，证实也没有大的抖动变坏。在该储存试验之后，将光学记录介质通过将其保持在灯下而用肉眼观察；然而，证实没有针孔产生。

(实施例B-14)

类似于实施例B-13制备光盘形光学记录介质，不同之处在于将相变记录材料改变成Sn₂₀Sb₆₅Ga₃Ge₇Te₅(原子％)、Nc＝2.50、Kc＝4.80、Na＝4.35、Ka＝2.68、转变线速度＝24m/s，并且将第二保护层的薄膜厚度改变成10nm。类似于实施例B-13进行记录，并且DOW1之后的抖动与实施例B-13中的相比提高更大。我们认为这是因为Te的加入导致了均匀的初始结晶，DOW1之后的抖动升高减小。

另外，在80℃和85％RH的环境中将该光学记录介质储存100小时之后，在相同条件下进行记录。各结果示于图10中(在储存试验之前：穿过矩形点的线，在储存试验之后：穿过菱形点的线)。

正如从图10中明显看出的那样，即使在80℃和85％RH的环境中储存100小时之后，证实也没有大的抖动变坏。在该储存试验之后，将光学记录介质通过将其保持在灯下而用肉眼观察；然而，证实没有针孔产生。

(实施例B-15)

在与实施例B-13中类似的条件下制备光学记录介质，不同之处在于将相变记录材料改变成Sn₁₆Sb₇₀Ga₆Ge₈(原子％)(Nc＝2.43、Kc＝4.90、Na＝4.36和Ka＝2.97，并且转变线速度＝27m/s)、将第二保护层的薄膜厚度改变成5nm，将靶(TiC)₆₀(TiO)₄₀(质量％)用于硫化防止层并且将其薄膜厚度改变成3nm。类似于实施例B-13进行记录，并且抖动与B-13中的相比降低0.5％。

另外，在80℃和85％RH的环境中将该光学记录介质储存100小时之后，在相同条件下进行记录。证实没有大的抖动变坏。在该储存试验之后，将光学记录介质通过将其保持在灯下而用肉眼观察；然而，证实没有针孔产生。

(实施例B-16)

在与实施例B-13中类似的条件下制备光学记录介质，不同之处在于将第一保护层的薄膜厚度改变成70nm、将相变记录材料改变成Sn₁₉Sb₆₃Ga₉Ge₉(原子％)(Nc＝2.21、Kc＝4.61、Na＝4.31、Ka＝2.88并且转变线速度＝22m/s)、将其的薄膜厚度改变成14nm、将第二保护层的薄膜厚度改变成4nm，将靶(TiC)₅₀(TiO)₅₀(质量％)用于硫化防止层并且在第二保护层与硫化防止层之间设置具有3nm薄膜厚度、含有ZrO₂、Y₂O₃和TiO₂的混合物的层。类似于实施例B-13进行记录，并且获得与实施例13相同水平的抖动特性，并且调制系数提高2％。

另外，在80℃和85％RH的环境中将该光学记录介质储存100小时之后，在相同条件下进行记录。证实没有大的抖动变坏。在该储存试验之后，将光学记录介质通过将其保持在灯下而用肉眼观察；然而，证实没有针孔产生。

(实施例B-17)

在与实施例B-13中类似的条件下制备光学记录介质，不同之处在于将第一保护层的薄膜厚度改变成58nm、在第一保护层与相变记录层之间设置具有2nm薄膜厚度的SiO₂层、将相变记录材料改变成Sn₁₄Sb₆₈Ga₁₀Ge₈(原子％)(Nc＝2.38、Kc＝4.87、Na＝4.38、Ka＝2.55并且转变线速度＝24m/s)、将其的薄膜厚度改变成14nm、将第二保护层的薄膜厚度改变成4nm，将硫化防止层的薄膜厚度改变成6nm。类似于实施例B-13进行记录，并且用高于实施例B-13的功率进行记录时的重复记录特性得到改善。

另外，在80℃和85％RH的环境中将该光学记录介质储存100小时之后，在相同条件下进行记录。证实没有大的抖动变坏。在该储存试验之后，将光学记录介质通过将其保持在灯下而用肉眼观察；然而，证实没有针孔产生。

(实施例B-18)

在与实施例B-13中类似的条件下制备光学记录介质，不同之处在于将第二保护层的薄膜厚度改变成10nm并将硫化防止层材料改变成SiC。类似于实施例B-13进行记录，并且获得与实施例B-13相同水平的抖动特性。然而，在80℃和85％RH的环境中将该光学记录介质储存100小时之后，在相同条件下进行记录，并且当在该储存试验之后将光学记录介质保持在灯下时，肉眼观察到针孔。此外，实施例B-18中的记录介质的转变线速度为26m/s(Nc＝2.37、Kc＝4.82、Na＝4.45和Ka＝2.88)。

(比较例B-1)

在与实施例B-13中类似的条件下制备光学记录介质，不同之处在于将相变记录材料改变成Ag₅In₅Sb₆₅Te₂₅(原子％)并且将第二保护层的薄膜厚度改变成10nm。类似于实施例B-13进行记录，然而不能重复进行记录。在该储存试验之后，将光学记录介质通过将其保持在灯下而用肉眼观察；并且证实没有针孔产生。

Claims (12)

1.一种光学记录介质，其包含：

透明基底，

布置于透明基底上的第一保护层，

布置于第一保护层上的记录层，

布置于记录层上的第二保护层，和

布置于第二保护层上的反射层，

其中该记录层由包含Ga、Sb、Sn和Ge并且其中转变线速度为20m/s-30m/s的相变记录材料组成，

其中当记录和复制光的波长处于650nm-665nm范围内并且记录线速度为20m/s-28m/s时，记录层在晶态下的折射率Nc和消光系数Kc以及在非晶态下的折射率Na和消光系数Ka分别满足以下数值表达式：

2.0≤Nc≤3.0，

4.0≤Kc≤5.0，

4.0≤Na≤5.0，和

2.5≤Ka≤3.1，

并且其中可在20m/s-28m/s的记录线速度范围内记录信息。

2.根据权利要求1的光学记录介质，其中当将记录层中的四种元素Ga、Sb、Sn和Ge的相互组成比(原子％)分别看作是α、β、γ和δ时，它们满足以下数值表达式：

2≤α≤11，

59≤β≤70，

17≤γ≤26，

2≤δ≤12，

84≤β+γ≤88，和

α+β+γ+δ＝100。

3.根据权利要求2的光学记录介质，其中相对于记录层中的所有元素，记录层中的四种元素Ga、Sb、Sn和Ge的总含量为95原子％或更大。

4.根据权利要求3的光学记录介质，其中记录层进一步包含Te。

5.根据权利要求1-4中任一项的光学记录介质，其中第一保护层的薄膜厚度为30nm-100nm，记录层的薄膜厚度为5nm-50nm，第二保护层的薄膜厚度为3nm-15nm，反射层的薄膜厚度为100nm-300nm。

6.根据权利要求1-5中任一项的光学记录介质，其中透明基底带有具有0.74±0.03μm轨道间距、22nm-40nm槽深和0.2μm-0.3μm槽宽的波动式凹槽。

7.根据权利要求1-6中任一项的光学记录介质，其中该光学记录介质进一步包括在第二保护层与反射层之间的硫化防止层；并且第一保护层和第二保护层分别包括ZnS和SiO₂的混合物，硫化防止层包括TiC和TiO的混合物，反射层包括Ag或者其中Ag为主要组分的合金。

8.根据权利要求7的光学记录介质，其中第二保护层和硫化防止层的总薄膜厚度为7nm-20nm。

9.根据权利要求8的光学记录介质，其中第二保护层和硫化防止层的总薄膜厚度为7nm-15nm。

10.根据权利要求7-9中任一项的光学记录介质，其中硫化防止层的组成为(TiC)_p(TiO)_100-p，其中′p′表示质量百分比并且满足以下数值表达式50≤p≤80。

11.根据权利要求7-10中任一项的光学记录介质，其中该光学记录介质进一步包括在第二保护层与硫化防止层之间的具有2nm-8nm薄膜厚度、含有ZrO₂、Y₂O₃和TiO₂的混合物的层。

12.根据权利要求7-11中任一项的光学记录介质，其中该光学记录介质进一步包括在第一保护层与相变记录层之间的具有2nm-4nm薄膜厚度的含有SiO₂的层。

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