CN101015043B - 选择性蚀刻方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 53
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 88
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910052729 chemical element Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 46
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 45
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 11
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N Peracetic acid Chemical compound CC(=O)OO KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical group CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 claims description 6
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 230000035939 shock Effects 0.000 claims description 5
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 4
- -1 percarboxylate Chemical class 0.000 claims description 4
- CZPZWMPYEINMCF-UHFFFAOYSA-N propaneperoxoic acid Chemical compound CCC(=O)OO CZPZWMPYEINMCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 3
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000001991 dicarboxylic acids Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 125000004334 oxygen containing inorganic group Chemical group 0.000 claims description 3
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 claims description 3
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 3
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 claims description 2
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 claims description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical class CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- KNFXXAGQEUUZAZ-UHFFFAOYSA-N ethyl ethaneperoxoate Chemical compound CCOOC(C)=O KNFXXAGQEUUZAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WFKAJVHLWXSISD-UHFFFAOYSA-N isobutyramide Chemical compound CC(C)C(N)=O WFKAJVHLWXSISD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 claims description 2
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims 2
- QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N hypochlorous acid Chemical compound ClO QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 43
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 31
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 20
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 14
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 8
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 4
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- ZXEYZECDXFPJRJ-UHFFFAOYSA-N $l^{3}-silane;platinum Chemical compound [SiH3].[Pt] ZXEYZECDXFPJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910021339 platinum silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910006898 SnSi Inorganic materials 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-N Nitrous acid Chemical compound ON=O IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000008485 antagonism Effects 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- UQSQSQZYBQSBJZ-UHFFFAOYSA-N fluorosulfonic acid Chemical compound OS(F)(=O)=O UQSQSQZYBQSBJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052699 polonium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3063—Electrolytic etching
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种选择性蚀刻基材上的第一材料的方法,该方法对第二材料具有高选择性,该方法通过将液体蚀刻剂以足够快的流动流过基材表面以产生平行于该基材表面的最小平均速度v,其中所述第一材料选自基于至少两种不同化学元素的具有半导体性能的材料。
Description
本发明涉及选择性蚀刻基材之上的第一材料的方法,该方法对第二材料具有高选择性。
这种选择性蚀刻可以用于半导体元件制造方法或半导体基材制造方法。因此所述基材可以是半导体晶片。
该方法可以用于诸如应变硅的薄单晶半导体层的成功的整合。SiGe的薄层可以用作应变硅外延生长的基材。由于Ge的原子比Si更大,因此SiGe合金的晶格常数可以通过Ge含量来调整。对于使用SiGe作为生长应变硅的基材来说,典型的Ge含量为20-30原子%。之后SiGe被移除,由此扮演了牺牲层的角色。剩余的应变硅具有增强的电子特性,其中电子和空穴流动更快,导致晶体管性能增加20-30%。应变硅也用于与绝缘体上硅(Slicon-On-Insulator)(SOI)技术的结合,由此形成应变-SOI(Strained-SOI)。基于SOI的晶片是使用了在单晶硅表面下的薄绝缘体(通常为氧化硅),由此允许具有较少电气损失的较高速度。
该方法描述于US6603156,内容如下:SOI结构及其制造方法,其中应变硅层直接置于绝缘体之上,与对于将应变硅直接置于应变-诱导(例如SiGe)层的现有需求相反。一般来说,该方法需要在应变-诱导层上形成硅层以形成多层结构,其中该应变-诱导层具有与硅不同的晶格常数,使得该硅层由于与应变-诱导层的晶格错位而被应变。该多层的结构随后结合于基材,使得绝缘体在该应变硅层和该基材之间,并且使得该应变硅层直接接触该绝缘体。该应变-诱导层随后被移除,以暴露该应变硅层的表面和产生包含基材、基材上的绝缘体、和绝缘体上应变硅层的绝缘体上应变硅的结构。因此,该方法产生了绝缘体上应变硅(SSOI)的结构,其中硅层中的应变由该SOI结构所维持。在此所公开的用于完全移除该SiGe基材的方法是通过选择性的化学蚀刻法,诸如HHA(过氧化氢、氢氟酸、乙酸)蚀刻,其蚀刻该SiGe基材。
SiGe的典型层厚为100nm,且应变硅的典型层厚为20nm。该牺牲性的SiGe层通常通过湿法化学蚀刻来移除。优选具有高选择性的蚀刻,由此保持该应变硅损失尽可能低。
如在G.Chang,T.Carns,S.Rhee,K.Wang,J.Electrochem.Soc.,Vol.138,No.1,202-4中所述的那样,SiGe的湿法蚀刻剂通常包含诸如H2O2或HNO3的氧化剂、和诸如HF或NH4OH的硅配位剂。为了获得更高的选择性,用水稀释蚀刻剂,或者加入诸如乙酸或磷酸的缓和剂。已采取了高效果来增加蚀刻速度和蚀刻SiGe时对Si或应变Si的选择性。用于增加这种选择性的所推荐的方法包括加入诸如乙酸的缓和剂。
本发明的目的是提供一种方法,该方法用于蚀刻基材上的、基于至少两种不同化学元素(例如SiGe)的具有半导体性能的第一材料,该方法对于第二材料(例如硅(例如块硅(bulk silicon)、多晶硅、应变硅))或金属硅化物(例如硅化镍、硅化钴、硅化铂)具有高选择性。换句话说,所述第一材料应被有效地从所述第二材料中移除,且不会显著影响所述第二材料。由此,是否所述第一材料置于所述第二材料上或者所述第二材料置于所述第一材料上,并不产生任何差异。例如硅可被置于SiGe上以获得应变硅。
本发明的另一目的是提供对抗所有其它材料的选择性,特别是对于诸如热生产的氧化硅(热氧化物缩写为THOX)和氮化硅的绝缘材料。
本发明通过提供选择性蚀刻方法来达到这些目的,该方法包括:
在基材上提供选自组A的第一材料,所述组A包括基于至少两种不同化学元素的具有半导体性能的材料,
在基材上提供选自组B的第二材料,
通过液体蚀刻剂,以对所述第二材料具有至少15∶1的选择性,选择性地蚀刻所述第一材料,其中液体蚀刻剂以足够快的流动流过该基材表面以产生平行于该基材表面的最小值0.1m/s的平均速度v。优选的速度v为大于0.5m/s。
该第一材料与第二材料在化学组成或晶体结构或者二者上均不相同。
该最小的速度可以如下用封闭的流动来产生:
提供实质上平行于基材(晶片)的平板,并且由此在所述基材和所述平板之间产生间距为d的间隔,
将所述液体蚀刻剂引入该间隔中,使得该基材表面(面对该平板)和该平板表面(面对该基材)均被润湿,
以速度v将所述液体蚀刻剂引入该间隔中。
对于该间隔的给定的横截面积(a),可以选择必须的体积流量(volume flow)(Q)来达到该最小速度。例如0.2m的基材直径(例如200nm晶片)和间距d=1mm导致2E-5m3/s(=1.2l/m)的最小体积流量。
用于产生通过该晶片的最小速度的流量的另一可能性是,以最小速度的自由束将该蚀刻剂分配在基材之上。这是因为,作为自由束被分配的液体被导引为平行于该基材表面的方向,实质上速度没有任何的降低。以速度v0作为从喷嘴中喷出的自由束被分配的液体,依据下列等式,根据是否液体由上方或由下方分配到基材表面而被进一步加速或减速,其中va为接触晶片时该液体的速度。
由上方分配的液体:
va2=v02+2gl
由下方分配的液体:
va2=v02-2gl
va...接触晶片时该液体的速度
v0...离开该分配喷嘴时该液体的速度
g... 重力加速度
l... 喷嘴与基材表面之间的高度差。
以自由束被分配到基材上的液体,当流过基材表面时具有喷射状态的流量。这时通过大于1的Froude数来描述(Fr=v2/(g*h);其中v为该液体流过基材的速度,g为重力加速度,且h为流过基材的液体膜的高度)。
已发现,现对于基材被浸渍在蚀刻液体中的公知选择性蚀刻方法,可以通过利用本发明的方法显著增强蚀刻法的选择性。不受任何理论限制,应相信的是,通过高速度显著增加选择性的原因是非常薄的扩散层和/或通过将产物自反应发生处移除的反应产物快速的运送。
在优选的实施方式中,该液体以连续流动方式被分配到基材上并且在该基材表面上延展。这种连续的流动可以通过将所述液体以自由束方式分配的介质喷嘴来实现。
另一实施方式使用了一种方法,其中液体流的冲击点按时间顺序移动通过该基材表面。该冲击点将限定为该基材表面与该液体的自由束的轴之间的交叉点。如果该基材被旋转并且该液体通过介质臂上的喷嘴来分配时,所述冲击点将会通过该基材移动介质臂而被移动。这种冲击点的移动导致更好的均匀性。
虽然该速度并非主要取决于该体积流量,但是最小的流量对于均匀地覆盖基材是有帮助的,当液体被分配于其上时。优选至少0.05l/min(特别是至少0.5l/min)的体积流量。
旋转所述基材同时暴露于所述液体蚀刻剂有助于保持该基材之上该液体必须的最小速度。如果该液体滴落在基材上时,这点可能是必须的。旋转该基材的另一优点是将该液体由该基材甩出去。由此,该液体可以通过周围的碗状物被收集并再利用。优选地,以大于50转每分钟(rpm)、特别是大于300rpm的旋转速度旋转该基材。这样有助于进一步增加该蚀刻方法的选择性。
在优选的方法中,上述组A包括基于至少两种不同化学元素的具有半导体性能的材料,其中至少一种所述元素选自金属和/或半金属(例如B、Si、Ge、As、Se、Sb、Te、Bi、Po),且另一种所述元素选自半金属。这类材料例如为具有不同锗含量的锗化硅(SiGe)、硅化锡(SnSi)、硅化钛(Ti2Si)、硅化镍、硅化钴、硅化铂或其它上述材料。
组B优选地包括具有半导体性能的材料,诸如硅(例如块硅、多晶硅、应变硅、绝缘体上硅、绝缘体上应变硅)、或硅化物(例如硅化锡(SnSi)、硅化钛(Ti2Si)、硅化镍、硅化钴、硅化铂或其它材料)。依据本发明的方法特别适用于对硅选择性地蚀刻第一材料,特别是当使用包含氧化剂和氟化物离子的液体蚀刻剂时。
在一种本发明的实施方式中,第一材料用作用于生长所述第二材料的基材(例如,作为用于生长应变硅的应变-诱导层)。任选地,所述第一材料用作被选择地从所述第二材料中移除的牺牲层。
本发明的仍另一优选实施方式使用了液体蚀刻剂,该液体蚀刻剂组成为:
●含氟化合物,诸如氢氟酸(HF)、氟化铵(NH4F)、二氟化氢铵(NH4HF2)、氟硼酸(H2BO2F)、氟磺酸(HSO3F);
●氧化剂,诸如硝酸(HNO3)、亚硝酸(HNO2)、过氧化氢(H2O2)、臭氧(O3)、高氯酸(HClO4)、过羧酸(例如过乙酸、过丙酸);
●任选地,一种或多种允许控制扩散层、该混合物的表面张力、或该晶片表面的可湿性的添加剂,诸如含氧无机酸(例如磷酸(H3PO4)、硫酸(H2SO4))、羧酸(例如乙酸、丙酸)、二羧酸(例如草酸、丙二酸)、芳族羧酸(例如苯甲酸(bencoic acid))、羟基羧酸(例如酒石酸、柠檬酸)、过羧酸(例如过乙酸、过丙酸)、羧酸酯(例如乙酸乙酯)、过羧酸酯(例如过乙酸乙酯)、羧酰胺化合物(例如二甲基乙酰胺)、或偶极溶剂(例如二甲基亚砜、N-甲基-吡咯烷酮)。
本发明的更详细的内容和优点可由优选实施方式的图示和详细描述而得以实现。
图1显示了本发明方法所施用的基材的示意图,其中图1A显示了初始的晶片,图1B显示了晶片被切开之后的晶片(例如通过SmartCut),且图1C显示了选择性移除SiGe层之后的晶片。
图2和3显示了对于比较不同方法的不同材料的蚀刻速度图表。
该方法的优选实施方式应被描述用于选择性地从绝缘体上应变硅中移除SiGe。图1显示了制造绝缘体上应变硅晶片期间基材的示意图。SiGe 2在块硅1上被制造,且Si被沉积在SiGe 2上,由此在SiGe 2上形成应变硅3的层。包含材料1、2和3的晶片与另一在块硅5上含有热氧化硅4的晶片结合。结合之后,将块硅1分离。在US 6225192中公开了一种常用的方法:包括在SiGe 2内部引入氢离子6的分离。这种氢离子在应变硅层在SiGe上形成之前已被注入SiGe中。在将两个晶片结合在一起之后,通过热处理方法将该晶片在SiGe内部注入氢的层切割,留下在应变硅3上具有暴露的SiGe 2层的晶片(图1B)。
依据本发明的方法随后用于从应变硅3中选择性地移除SiGe 2,导致具有暴露的硅层的晶片(此时为应变硅层3),如图1C中所示。
以进行了各种研究来比较使用不同蚀刻技术的不同材料的蚀刻速度。图2显示了不同材料的蚀刻速度的图表,其为SiGe 1和应变硅2。比较了不同的方法,将该基材浸渍在蚀刻槽中,并且在旋转的处理器中以连续流动方式(自由束)将该蚀刻剂分配在旋转的晶片上(500和1200 rpm)。该蚀刻剂为包含HF(8.2mol/l)、H2O2(2.9mol/l)、和丙酸(4.5mol/l)的水性组合物。该使用采用的温度为25℃。
如图2的图表中所示,当使用高角速度时,应变硅的蚀刻速度降低。然而,SiGe的蚀刻速度只是降低了1.05倍,应变硅的蚀刻速度降低了3.5倍。因此,SiGe对于应变硅的蚀刻选择性由49∶1增加到165∶1。当保持温度和蚀刻剂组成不变时,该3.4倍的选择性的增加是不寻常的。
在优选的实施方式中,在40℃下使用HF(2.7mol/l)、H2O2(3.9mol/l)、和乙酸(7.4mol/l)的混合物。
图3中图表显示当使用通过旋转的基材的高流速(1200rpm)时,SiGe和应变硅的蚀刻速度降低。SiGe对于应变硅的蚀刻选择性由12∶1(浸渍在蚀刻槽中)增加到128∶1(在旋转的处理中使用通过基材的高流速)。
Claims (20)
1.一种选择性蚀刻方法,包括:
-在基材上提供选自组A的第一材料,所述组A包括基于至少两种不同化学元素的具有半导体性能的材料,
-在基材上提供应变硅作为第二材料,
-通过液体蚀刻剂,以对所述第二材料具有至少15∶1的选择性,选择性地蚀刻所述第一材料,其中液体蚀刻剂以足够快的流动流过该基材表面以产生平行于该基材表面的最小值0.1m/s的平均速度v,其中将所述基材旋转同时暴露于所述液体蚀刻剂,并且其中所述液体以连续流动方式分配在基材上,并且在该基材表面上延展。
2.权利要求1的方法,其中该液体流的冲击点按时间顺序移动通过该基材表面。
3.权利要求1的方法,其中所述液体以至少0.05l/min的体积流量分配。
4.权利要求3的方法,其中所述液体以至少0.5l/min的体积流量分配。
5.权利要求1的方法,其中所述组A包括基于至少两种不同化学元素的具有半导体性能的材料,其中至少一种所述元素选自金属和/或半金属,且另一种所述元素选自半金属。
6.权利要求1的方法,其中所述第一材料用作生长所述第二材料的基材。
7.权利要求1的方法,其中所述第一材料用作将要从所述第二材料中选择性移除的牺牲层。
8.权利要求1的方法,其中所述液体蚀刻剂包括:
-含氟化合物,选自HF、NH4F、NH4HF2、H2BO2F、HSO3F;
-氧化剂,选自HNO3、HNO2、H2O2、O3、HClO4、过羧酸。
9.权利要求8的方法,其中所述过羧酸选自过乙酸、过丙酸。
10.权利要求8或9的方法,其中所述液体蚀刻剂进一步包含一种或多种允许控制扩散层、该混合物的表面张力、或该晶片表面的可湿性的添加剂,该添加剂选自含氧无机酸、羧酸、二羧酸、芳族羧酸、羟基羧酸、过羧酸、羧酸酯、过羧酸酯、羧酰胺化合物、或偶极溶剂。
11.权利要求10的方法,其中所述含氧无机酸选自H3PO4、H2SO4。
12.权利要求10的方法,其中所述羧酸选自乙酸、丙酸。
13.权利要求10的方法,其中所述二羧酸选自草酸、丙二酸。
14.权利要求10的方法,其中所述芳族羧酸选自苯甲酸。
15.权利要求10的方法,其中所述羟基羧酸选自酒石酸、柠檬酸。
16.权利要求10的方法,其中所述过羧酸选自过乙酸、过丙酸。
17.权利要求10的方法,其中所述羧酸酯选自乙酸乙酯。
18.权利要求10的方法,其中所述过羧酸酯选自过乙酸乙酯。
19.权利要求10的方法,其中所述羧酰胺化合物选自二甲基乙酰胺。
20.权利要求10的方法,其中所述偶极溶剂选自二甲基亚砜、N-甲基-吡咯烷酮。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
AT15062004 | 2004-09-09 | ||
ATA1506/2004 | 2004-09-09 | ||
PCT/EP2005/054291 WO2006027332A1 (en) | 2004-09-09 | 2005-09-01 | Method for selective etching |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101015043A CN101015043A (zh) | 2007-08-08 |
CN101015043B true CN101015043B (zh) | 2010-10-13 |
Family
ID=35429199
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2005800303484A Expired - Fee Related CN101015043B (zh) | 2004-09-09 | 2005-09-01 | 选择性蚀刻方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8796157B2 (zh) |
EP (1) | EP1836725A1 (zh) |
JP (1) | JP2008512862A (zh) |
KR (1) | KR20070057161A (zh) |
CN (1) | CN101015043B (zh) |
TW (1) | TWI283442B (zh) |
WO (1) | WO2006027332A1 (zh) |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7923424B2 (en) * | 2005-02-14 | 2011-04-12 | Advanced Process Technologies, Llc | Semiconductor cleaning using superacids |
US7371333B2 (en) * | 2005-06-07 | 2008-05-13 | Micron Technology, Inc. | Methods of etching nickel silicide and cobalt silicide and methods of forming conductive lines |
EP1926132A1 (en) * | 2006-11-23 | 2008-05-28 | S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies | Chromium-free etching solution for Si-substrates and SiGe-substrates, method for revealing defects using the etching solution and process for treating Si-substrates and SiGe-substrates using the etching solution |
WO2010022849A2 (de) * | 2008-09-01 | 2010-03-04 | Merck Patent Gmbh | Randentschichtung von dünnschicht-solar-modulen mittels ätzen |
CN102383130B (zh) * | 2010-08-27 | 2014-07-02 | 比亚迪股份有限公司 | 一种非晶合金金相组织的观察方法 |
WO2012048079A2 (en) * | 2010-10-06 | 2012-04-12 | Advanced Technology Materials, Inc. | Composition and process for selectively etching metal nitrides |
FR2978605B1 (fr) * | 2011-07-28 | 2015-10-16 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'une structure semi-conductrice comprenant une couche fonctionnalisee sur un substrat support |
US8921209B2 (en) | 2012-09-12 | 2014-12-30 | International Business Machines Corporation | Defect free strained silicon on insulator (SSOI) substrates |
US20150170923A1 (en) * | 2013-12-18 | 2015-06-18 | Intermolecular, Inc. | Feature Size Reduction in Semiconductor Devices by Selective Wet Etching |
US10325779B2 (en) * | 2016-03-30 | 2019-06-18 | Tokyo Electron Limited | Colloidal silica growth inhibitor and associated method and system |
US10515820B2 (en) | 2016-03-30 | 2019-12-24 | Tokyo Electron Limited | Process and apparatus for processing a nitride structure without silica deposition |
CN105914577B (zh) * | 2016-06-28 | 2019-05-03 | 杭州华锦电子有限公司 | 激光多极管封装底座的刻蚀方法 |
CN105914578B (zh) * | 2016-06-28 | 2018-07-20 | 杭州华锦电子有限公司 | 激光多极管封装底座的制备方法 |
CN106186714A (zh) * | 2016-07-15 | 2016-12-07 | 天津美泰真空技术有限公司 | 一种抑制tft液晶显示屏减薄后凹点的蚀刻液 |
US10439062B2 (en) * | 2016-09-09 | 2019-10-08 | Infineon Technologies Ag | Metallization layers for semiconductor devices and methods of forming thereof |
KR20180068591A (ko) * | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 삼성전자주식회사 | 식각용 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법 |
KR20180086622A (ko) * | 2017-01-23 | 2018-08-01 | 동우 화인켐 주식회사 | 식각액 조성물 및 이를 이용한 디스플레이 장치용 어레이 기판의 제조방법 |
US10106737B2 (en) | 2017-03-22 | 2018-10-23 | Lam Research Ag | Liquid mixture and method for selectively wet etching silicon germanium |
CN110494961B (zh) * | 2017-04-11 | 2023-06-13 | 恩特格里斯公司 | 相对于硅选择性蚀刻硅-锗的调配物 |
CN107056092A (zh) * | 2017-05-25 | 2017-08-18 | 清华大学 | 一种制备微痕锥形光纤传感探头的蚀刻液 |
US10879076B2 (en) * | 2017-08-25 | 2020-12-29 | Versum Materials Us, Llc | Etching solution for selectively removing silicon-germanium alloy from a silicon-germanium/silicon stack during manufacture of a semiconductor device |
US20190103282A1 (en) * | 2017-09-29 | 2019-04-04 | Versum Materials Us, Llc | Etching Solution for Simultaneously Removing Silicon and Silicon-Germanium Alloy From a Silicon-Germanium/Silicon Stack During Manufacture of a Semiconductor Device |
US10934484B2 (en) * | 2018-03-09 | 2021-03-02 | Versum Materials Us, Llc | Etching solution for selectively removing silicon-germanium alloy from a silicon-germanium/ germanium stack during manufacture of a semiconductor device |
GB201813368D0 (en) | 2018-08-16 | 2018-10-03 | Lam Res Ag | Etchant composition |
CN109609129B (zh) * | 2018-11-28 | 2021-02-02 | 湖北兴福电子材料有限公司 | 一种硅片打毛液 |
US11183397B2 (en) | 2019-10-18 | 2021-11-23 | Beijing E-Town Semiconductor Technology, Co., Ltd | Selective etch process using hydrofluoric acid and ozone gases |
CN111019659B (zh) * | 2019-12-06 | 2021-06-08 | 湖北兴福电子材料有限公司 | 一种选择性硅蚀刻液 |
US11518937B2 (en) * | 2019-12-25 | 2022-12-06 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Etching solution and method for manufacturing semiconductor element |
US20220406920A1 (en) * | 2021-06-17 | 2022-12-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06103687B2 (ja) * | 1988-08-12 | 1994-12-14 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 回転式表面処理方法および回転式表面処理における処理終点検出方法、ならびに回転式表面処理装置 |
JPH10270414A (ja) * | 1997-03-25 | 1998-10-09 | Tera Tec:Kk | エッチング方法および装置 |
AT410043B (de) * | 1997-09-30 | 2003-01-27 | Sez Ag | Verfahren zum planarisieren von halbleitersubstraten |
DE19805525C2 (de) * | 1998-02-11 | 2002-06-13 | Sez Semiconduct Equip Zubehoer | Verfahren zum Naßätzen von Halbleiterscheiben zum Erzeugen eines definierten Randbereichs durch Unterätzen |
TW380284B (en) * | 1998-09-09 | 2000-01-21 | Promos Technologies Inc | Method for improving etching uniformity during a wet etching process |
CA2300453A1 (en) | 2000-03-10 | 2001-09-10 | Bruno R. Preiss | Strategy for negotiation of telecommunication resources |
EP1295319A2 (en) * | 2000-06-22 | 2003-03-26 | Massachusetts Institute Of Technology | Etch stop layer system for sige devices |
US6603156B2 (en) * | 2001-03-31 | 2003-08-05 | International Business Machines Corporation | Strained silicon on insulator structures |
JP2002336761A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-11-26 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板回転式処理装置 |
JP3793808B2 (ja) * | 2002-05-02 | 2006-07-05 | 国立大学法人東京工業大学 | 電界効果トランジスタの製造方法 |
US6835667B2 (en) * | 2002-06-14 | 2004-12-28 | Fsi International, Inc. | Method for etching high-k films in solutions comprising dilute fluoride species |
US7476290B2 (en) * | 2003-10-30 | 2009-01-13 | Ebara Corporation | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
TWI306625B (en) * | 2004-02-11 | 2009-02-21 | Sez Ag | Method for selective etching |
-
2005
- 2005-08-26 TW TW094129299A patent/TWI283442B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-09-01 US US11/662,092 patent/US8796157B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-01 KR KR1020077004975A patent/KR20070057161A/ko not_active Application Discontinuation
- 2005-09-01 EP EP05787306A patent/EP1836725A1/en not_active Withdrawn
- 2005-09-01 WO PCT/EP2005/054291 patent/WO2006027332A1/en active Application Filing
- 2005-09-01 JP JP2007530697A patent/JP2008512862A/ja active Pending
- 2005-09-01 CN CN2005800303484A patent/CN101015043B/zh not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
T.K Carns,M.O.Tanner,and K.L.Wang.Chemical etching of Si1-xGex in HF:H2O2:CH3COOH.ELECTROCHEMICAL SOCIETY142 4.1995,说明书第一栏第1-22行,第2栏第21行-第3栏第36行,第10栏第1-23行. * |
T.KCarns M.O.Tanner |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20070057161A (ko) | 2007-06-04 |
JP2008512862A (ja) | 2008-04-24 |
US8796157B2 (en) | 2014-08-05 |
TWI283442B (en) | 2007-07-01 |
US20080038932A1 (en) | 2008-02-14 |
CN101015043A (zh) | 2007-08-08 |
TW200625438A (en) | 2006-07-16 |
WO2006027332A1 (en) | 2006-03-16 |
EP1836725A1 (en) | 2007-09-26 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20101013 Termination date: 20160901 |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |