CN101001965A - 具有弯曲加工性的电气电子部件用铜合金板 - Google Patents

具有弯曲加工性的电气电子部件用铜合金板 Download PDF

Info

Publication number
CN101001965A
CN101001965A CNA2005800267030A CN200580026703A CN101001965A CN 101001965 A CN101001965 A CN 101001965A CN A2005800267030 A CNA2005800267030 A CN A2005800267030A CN 200580026703 A CN200580026703 A CN 200580026703A CN 101001965 A CN101001965 A CN 101001965A
Authority
CN
China
Prior art keywords
orientation
copper alloy
alloy plate
electric
bendability
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2005800267030A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100510131C (zh
Inventor
有贺康博
梶原桂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kobe Steel Ltd
Original Assignee
Kobe Steel Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kobe Steel Ltd filed Critical Kobe Steel Ltd
Publication of CN101001965A publication Critical patent/CN101001965A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100510131C publication Critical patent/CN100510131C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C9/00—Alloys based on copper
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C9/00—Alloys based on copper
    • C22C9/02—Alloys based on copper with tin as the next major constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/0332—Structure of the conductor
    • H05K2201/0335—Layered conductors or foils
    • H05K2201/0355—Metal foils

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Abstract

提供一种高强度高导电率化和优异的弯曲加工性并存的Cu－Fe－P系铜合金板，以质量％计，含有Fe：0.01～3.0％、P：0.01～0.3％，其特征在于，其集合组织为Brass方位的方位分布密度为20以下，且Brass方位和S方位和Copper方位的方位分布密度的和为10以上50以下。

Description

具有弯曲加工性的电气电子部件用铜合金板
技术领域
本发明涉及有高强度且高导电率，并且弯曲加工性优异的铜合金，例如，涉及适合作为半导体装置用引线框的原材的铜合金。
还有，本发明的铜合金，除了半导体装置用引线框以外，也被作为其他的半导体部件、印刷配线板等的电气·电子部件材料、开关部件、汇流条、端子/连接器等的机构部件等各种的电气电子部件用使用，不过以下作为代表性的用途，将以使用于作为半导体部件的引线框上的情况为中心进行说明。
背景技术
作为半导体引线框用铜合金，一直以来一般使用含有Fe和P的Cu-Fe-P系的铜合金。作为这些Cu-Fe-P系的铜合金，例如可例示有含有Fe：0.05～0.15％、P：0.025～0.040％的铜合金(C19210合金)，和含有Fe：2.1～2.6％、P：0.015～0.15％、Zn：0.05～0.20％的铜合金(CDA194合金)。这些Cu-Fe-P系的铜合金，若在铜母相中使Fe或Fe-P等的金属间化合物析出，则即使在铜合金之中，由于强度、导电性和热传导性也优异，所以被通用作为国际标准合金。
近年来，随着用于电子设备的半导体装置的大容量化、小型化、高功能化，半导体装置所使用的引线框的截面面积小型化推进，要求有更进一步的强度、导电性、热传导性。随之而来的是，对于这些半导体装置所使用的引线框用的铜合金部件，要求有更进一步的强度、导电性、热传导性。
例如，引线框所用的铜合金板的作为此高强度化、高导电率化的目标，要求铜合金板的强度以硬度计为150Hv以上，导电率为75％IACS以上。这些高强度化、高导电率化不仅适合引线框，也适合其他的电气电子部件如连接器、端子、开关、继电器等的导电性部件所用的铜合金。
所述Cu-Fe-P系铜合金以高导电率为特征，但是，历来为了高强度化而增加Fe和P的含量，并添加Sn、Mg、Ca等第三元素。但是，若使这些元素量增加，则强度增加，但是必然导电率降低。因此，只通过铜合金中的成分组成的控制，很难实现随着前述的半导体装置的大容量化、小型化及高功能化所要求的高导电率化和高强度化的平衡的优良，或者使这些特性并存的Cu-Fe-P系铜合金。
因此一直以来，纷纷提出了控制Cu-Fe-P系铜合金的组织和晶/析出物粒子的析出状态的提案，例如提出有一种高强度高导电性的铜合金，是通过使0.2μm以下的Fe-P系化合物均一地分散(参照专利文献1)。
可是，引线框、端子、连接器、开关、继电器等所使用的铜合金板，高强度、高导电率自不必说，还要求有优异的弯曲加工性，能够承受紧贴弯曲或开切口后的90°弯曲等这种严格的弯曲加工。
然而，由于上述Sn和Mg的固溶强化元素的添加和冷轧的加工率增加导致的高强度化，必然伴随弯曲加工性的劣化，从而不能使必要的强度和弯曲加工性并存。
另一方面，已知通过使结晶粒微细化，或控制晶/析出物粒子的析出状态，能够某种程度上提高弯曲加工性(参照专利文献2、3)。但是，为了得到与近年来电子部件的轻薄短小化能够对应的Cu-Fe-P系的高强度材料(铜合金板的硬度150Hv以上、导电率75％IACS以上)，必须通过冷轧的强加工以增大加工硬化量。
因此，在这样的高强度化材料中，运用专利文献1、2、3等的结晶粒微细化、和晶/析出物粒子的析出状态控制等的组织控制方法，对于所述紧贴弯曲或开切口后的90°弯曲等的严格的弯曲加工来说，都不能充分地使弯曲加工性提高。
对此，在Cu-Fe-P系铜合金中，提出有控制集合组织(参照专利文献4、5)。更具体地说，由专利文献4中提出，铜合金板的(200)面的X射线衍射强度I(200)和(220)面的X射线衍射强度I(220)的比，I(200)/I(220)为0.5以上10以下，或者，Cube方位的方位密度：D(Cube方位)为1以上50以下，或者Cube方位的方位密度：D(Cube方位)和S方位的方位密度：D(S方位)的比：D(Cube方位)/D(S方位)为0.1以上5以下。
另外，由专利文献5提出，铜合金板的(200)面的X射线衍射强度I(200)和(311)面的X射线衍射强度I(311)的和，与(220)面的X射线衍射强度I(220)的比〔I(200)+I(311)〕/I(220)为0.4以上。
专利文献1：特开平2000-178670号公报(权利要求的范围)
专利文献2：特开平6-235035号公报(权利要求的范围)
专利文献3：特开2001-279347号公报(权利要求的范围)
专利文献4：特开2002-339028号公报(权利要求的范围，段落0020～0030)
专利文献5：2000-328157号公报(权利要求的范围，实施例)
的确，如专利文献4，如果规定铜合金板的(200)面的X射线衍射强度I(200)和(220)面的X射线衍射强度I(220)的比I(200)/I(220)，或者Cube方位的方位密度：D(Cube方位)或者Cube方位的方位密度：D(Cube方位)和S方位的方位密度：D(S方位)的比：D(Cube方位)/D(S方位)，则能够使弯曲加工性提高。
另外，如专利文献5，铜合金板的(200)面的X射线衍射强度I(200)和(311)面的X射线衍射强度I(311)的和，与(220)面的X射线衍射强度I(220)的比，〔I(200)+I(311)〕/I(220)为0.4以上，能够使弯曲加工性提高。
但是，即使是被专利文献4改良的铜合金板中，铜合金板的硬度最大也只为150Hv左右，导电率也只是最大65％IACS左右的强度和导电率，若将铜合金板的强度提高到150Hv以上，则导电性、特别是弯曲加工性要降低。即，专利文献4的集合组织控制有很大局限，特别是不能使Cu-Fe-P系的高强度材料(铜合金板的硬度150Hv以上，导电率为75％IACS以上)的弯曲加工性提高。
另外，即使是被专利文献5改良的铜合金板，在其实施例中，抗拉强度为最大的520MPa的示例的导电率显著降低，在35％IACS左右。另一方面，在导电率为75％IACS以上的示例中，即使抗拉强度为最大也只有480MPa，铜合金板的硬度是仅超过150Hv的程度。因此，仍然要牺牲强度和导电率的一个，利用专利文献5的集合组织控制，不能使Cu-Fe-P系的高强度材料的弯曲加工性提高。
发明内容
本发明为了解决这一课题而进行，提供一种高强度高导电率化和优异的弯曲加工性并存的Cu-Fe-P系铜合金板。
为了达成该目的，本发明的具备弯曲加工性的电气电子部件用铜合金板的要旨是，以质量％计，分别含有Fe：0.01～3.0％、P：0.01～0.3％的铜合金板，其集合组织为Brass方位的方位分布密度在20以下，且Brass方位和S方位和Copper方位的方位分布密度的和为10以上50以下。
本发明优选用于提高强度以硬度计为150Hv以上，导电率为75％IACS以上的高强度、高导电率的电气电子部件用铜合金板的弯曲加工性。
另外，为了达成上述高强度、高导电率，本发明铜合金板以质量％计，还含有Sn：0.001～0.5％。
本发明的铜合金板，能够应用于各种的电气电子部件，特别优选被使用在作为半导体部件的半导体引线框用途上。
通常的铜合金板的情况，主要是形成如下所示的被称为Cube方位、Goss方位、Brass方位(以下称为B方位)、Copper方位(以下称为Cu方位)、S方位等的集合组织，存在与之对应的结晶面。
这些集合组织的形成即使在相同的结晶系的情况下，根据加工、热处理的方法也会有所不同。通过轧制的板材的集合组织的情况下，由轧制面和轧制方向表示，轧制面由{ABC}表现，轧制方向由<DEF>表现。基于这种表现，各方位被表现如下。
Cube方位            {001}<100>
Goss方位            {011}<100>
Rotated-Goss方位    {011}<011>
Brass方位(B方位)    {011}<211>
Copper方位(Cu方位)  {112}<111>
                    (或D方位{4411}<11118>)
S方位               {123}<634>
B/G方位             {011}<511>
B/S方位   {168}<211>
P方位     {011}<111>
在本发明中，基本上从这些结晶面至偏差±10°以内的都属于同一结晶面。在此，B方位～Cu方位～S方位以在各方位间连续变化的纤维集合组织(β-fiber)存在。
通常的铜合金板的集合组织，如上述由相当多的方位因子构成，但是若它们的构成比率变化，则板材的塑性各向异性变化，弯曲等的加工性变化。
所述专利文献4，是在此集合组织之中，特别是通过将Cube方位的方位密度〔以下成为D(Cube)〕控制在适当范围，从而达成弯曲加工性的提高和稳定化。其目标是，在半导体引线框用途中的冲压(stamping)加工等的弯曲加工之时，在变形中使之均一变形。
即，若Cube方位发达得过强，D(Cube)比适当范围高，则板面内的塑性各向异性变强，部分的发生容易变形的地方和难以变形的地方，如前述的冲击加工下的弯曲和毛边的发生等的问题将容易产生。另一方面，即使Cube方位少，D(Cube)比适当范围低，而其他的结晶方位的发生变强，由于其他面内各向异性，也会发生与上述同样的问题。
但是，根据本发明者们的发现，通过这样的Cube方位的控制，不能使铜合金板的硬度在150Hv以上、导电率为75％IACS以上的Cu-Fe-P系的高强度材料的弯曲加工性提高。
即，首先，为了使维持了上述高强度状态的弯曲加工性提高而降低Brass方位(B方位)的方位分布密度。然后，为了进一步很好地平衡兼备上述高强度和弯曲加工性，而将B方位和S方位和Cu方位的方位分布密度的和控制在特定范围。
在硬度150Hv以上的Cu-Fe-P系的铜合金板中，在上述集合组织之中，特别是B方位的方位分布密度，再有B方位和S方位的方位和Cu方位的分布密度对强度有很大影响。B方位、S方位、Cu方位的方位分布密度越大，轧制集合组织越发达，强度越高。
但是另一方面，B方位的方位分布密度越大，或者B方位和S方位和Cu方位的方位分布密度的和越大，则相反弯曲加工性降低。相对于此，使B方位的方位分布密度越小，或者B方位和S方位和Cu方位的方位分布密度的和越小，结晶方位越随意化，强度降低，弯曲加工性提高。
即，在硬度150Hv以上的Cu-Fe-P系的铜合金板中，为了使维持了高强度状态的弯曲加工性提高，有效的方法是减小B方位的方位分布密度，同时将B方位和S方位和Cu方位的方位分布密度的和控制在特定范围。
具体实施方式
(方位分布密度的测定)
本发明的B方位的方位分布密度，B方位和S方位和Cu方位的方位分布密度的和的测定，能够采用通常的X射线衍射法进行。
这些各方位的方位密度的求得，是通过测定(100)、(110)、(111)的完全极点图(Pole Figure)，据此运用结晶方位分布函数(OrientationDistribution Function：ODF)，对于各方位的强度峰值的合计，计算特定各方位(Cu方位、B方位、S方位)的强度峰值的比例而求出。这些测定方法公开在例如，长岛晋一编著“集合组织”，丸善株式会社刊，1984，P8～44，和金属学会研究会“集合组织”，日本金属学会编，1981，P3～7等。
另外，这些各方位的方位密度的获得，也可以通过采用基于TEM的电子射线衍射法，或SEM(Scanning Electron Microscopy)-ECP(ElectronChaneling Pattern)法，或者SEM-EBSP〔称为Electron Back Scattering(Scattered)Pattern，或EBSD(Diffraction)〕而测定的数据为基础，运用结晶方位分布函数求得方位密度。
还有，因为这些方位分布在板厚方向变化，所以优选在板厚方向对于几点或任意取平均来求得。但是，引线框等的半导体用材料所使用的铜合金板的情况，因为板厚为0.1～0.3mmw左右的薄板，所以以直接的板厚测定的值也能够评价。
(方位分布密度的意义)
在本发明中，如前述，为了使Cu-Fe-P系铜合金板的高强度高导电率化和优异的弯曲加工性并存，就特定方位调整其轧制集合组织的发达。为此，规定B方位的方位分布密度为20以下，且B方位和S方位和Cu方位的方位分布密度的和为10以上50以下。
在前述的能够对应电子部件的轻薄短小化、使基于冷轧的强加工的加工硬化量增加的通常的Cu-Fe-P系的高强度铜合金板(硬度150Hv以上)，轧制集合组织必然过于发达。因此，B方位的方位分布密度必然超过20，另外B方位和S方位和Cu方位的方位分布密度的和必然变大得超过50。这在对所述专利文献4的铜合金板进行了强加工的情况下也一样。
该轧制集合组织的发达，对前述的Cube方位等其他的方位密度也造成影响。但是，特别在硬度150Hv以上的高强度的铜合金板的区域中，与前述的Cube方位等其他的方位相比，Cu方位、B方位和S方位的发达对弯曲加工性的影响格外大。
如此在B方位的方位分布密度超过20时，或者B方位和S方位和Cu方位的方位分布密度的和超过50时，如后述的实施例，在上述高强度中，不能使弯曲加工性提高。
因此在本发明中，B方位的方位分布密度为20以下，同时B方位和S方位和Cu方位的方位分布密度的和在50以下。据此，如后述的实施例，能够使维持了上述高强度状态的弯曲加工性提高。
另一方面，为了使B方位和S方位和Cu方位的方位分布密度的和低于10，不得不减小冷轧带来的加工硬化量。因此，B方位和S方位和Cu方位的方位分布密度的和低于10时，如后述的实施例，虽然能够使弯曲加工性提高，但却不能维持上述高强度，硬度低于150Hv。因此，作为半导体引线框用铜合金必要强度不充分。
(铜合金板的成分组成)
以下，说明用于作为半导体引线框用等，满足必要强度和导电率的本发明的Cu-Fe-P系铜合金板的化学成分组成。
在本发明中，为了达成强度以硬度计为150Hv以上，导电率为75％IACS以上的高强度、高导电率，基本组成是，以质量％计，Fe的含量为0.01～3.0％的范围，P的含量为0.01～0.3％的范围，余量由Cu和不可避免的杂质构成。对于此基本组成，也可以是再在下述范围内含有Zn、Sn的一种或两种的方式。另外，其他的选择性添加元素和杂质元素，也允许在不妨碍这些特性的范围内含有。还有，以下的含量的表面全部为质量％。
(Fe)
Fe作为Fe或Fe基金属间化合物析出，是使铜合金的强度和耐热性提高的主要元素。Fe的含量低于0.01％时，根据制造条件，上述析出粒子的生成量少，导电率的提高虽然被满足，但是对强度提高的帮助不足，强度不足。另一方面，若Fe的含量超过3.0％，则导电率容易降低，若为了迫使导电率增加而增加析出量，则反而招致析出粒子的成长/粗大化，强度和弯曲加工性降低。因此，Fe的含量为0.01～3.0％的范围。
(P)
P除了脱氧作用以外，还与Fe形成化合物，是使铜合金高强度化的主要元素。P含量低于0.01％时，根据制造条件，因为化合物的析出不充分，所以得不到理想的强度。另一方面，若P含量超过0.3％，则不仅导电性降低，而且热加工性降低。因此，P的含量为0.01～0.3％的范围。
(Zn)
Zn对于引线框等来说是必要的铜合金的焊锡，以及改善镀Sn的耐热剥离性。Zn的含量低于0.005％时得不到理想的效果。另一方面，若超过3.0％，则不仅焊锡的润湿性降低，而且导电率的降低也变大。因此，选择性地使之含有时的Zn的含量为0.005～3.0％。
(Sn)
Sn有助于铜合金的强度提高。Sn的含量低于0.001％时无助于高强度化。另一方面，若Sn的含量变多，则其效果饱和，不但招致导电率的降低，而且弯曲加工性也劣化。
在这点上，为了使合金板的强度以硬度计为150Hv以上，导电率在75％IACS以上，在0.001～0.5％的范围使Sn选择性地含有。另外为了使铜合金板的强度更高，硬度在190Hv以上，导电率为50％IACS以上，使Sn超过0.5％、5.0％以下的范围选择性地含有。如此Sn含量根据用途所要求的强度(硬度)和导电率的平衡，作为整体从0.001～0.5％的范围选择而含有。
(Mn、Mg、Ca量)
因为Mn、Mg、Ca有助于铜合金的热加工性，所以在需要这些效果的情况下选择性地含有。Mn、Mg、Ca的1种或2种以上的含量合计低于0.0001％时，得不到理想的效果。另一方面，若其含量合计超过1.0％，则粗大的结晶物和氧化物生成，不仅使弯曲加工性降低，而且导电率也急剧降低。因此，选择性地使这些元素的含量以总量计在0.0001～1.0％的范围含有。
(Zr、Ag、Cr、Cd、Be、Ti、Co、Ni、Au、Pt量)
因为这些成分具有使铜合金的强度提高的效果，所以在需要这些效果时选择性地含有。这些成分的1种或2种以上的含量合计低于0.001％时，得不到理想的效果。另一方面，若其含量合计超过1.0％，则粗大的结晶物和氧化物生成，不仅使弯曲加工性降低，而且导电率也急剧降低，所以不为优选。因此，选择性地使这些元素的含量合计在0.001～1.0％的范围含有。还有，使这些成分与上述Mn、Mg、Ca一起含有时，这些含有的元素的合计含量为1.0％以下。
(Hf、Th、Li、Na、K、Sr、Pd、W、S、Si、C、Nb、Al、V、Y、Mo、Pb、In、Ga、Ge、As、Sb、Bi、Te、B、混合稀土量)
这些成分是杂质元素，这些元素的含量的合计超过0.1％时，粗大的结晶物和氧化物生成，使弯曲加工性降低。因此，优选这些元素的含量合计为0.1％以下。
(制造条件)
接着，关于为了将铜合金板组织作为上述本发明规定的组织的优选制造条件进行以下说明。本发明的铜合金板，除去为了成为上述本发明规定的组织的最终冷轧下的加工率(冷延伸率)和低温的退火等的优选条件，不用对通常的制造工序本身做很大改变，便能够通过与常规方法相同的工序进行制造。
即，首先，铸造调整为上述优选的成分组成的铜合金熔液。然后，对铸块进行端面车削后，在加热或均质化处理后进行热轧，将热轧后的板进行水冷。
其后，进行被称为中轧制的一次冷轧，退火，清洗后再进行精(最终)冷轧，低温退火(最终退火，精退火)，成为制品板厚的铜合金板等。例如，引线框等的半导体用材料所使用的铜合金板的情况，制品板厚为0.1～0.3mm左右。
还有，一次冷轧之前也可以进行铜合金板的固溶化处理和利用水冷的回火处理。这时，固溶化处理温度从例如750～1000℃选择。
其中，为了控制上述的B方位的方位分布密度为20以下，且B方位和S方位和Cu方位的方位分布密度的和为10以上50以下，有效的方法是以每1轧道10～50％的冷轧率进行上述最终冷轧，其后在100～400℃以0.2分以上300分以下的低温条件进行上述最终退火。
(最终冷轧)
为了得到硬度150Hv以上的Cu-Fe-P系的高强度铜合金板，在本发明中也通过最终冷轧的强加工进行加工硬化量的增大(基于Orowan机构的导入位错的高堆积化)。但是，据此优选冷轧的每1轧道的冷轧率为10～50％，以使轧制集合组织不会太发达。最终冷轧的轧道数避免过少和过多的轧道数，优选以通常的3～4回的轧道数进行。
作为此通常的轧道数时，若最终冷轧的每1轧道的冷轧率超过50％，则铜合金的成分组成，即使依据至此为止的制造履历和制造条件，B方位的方位分布密度仍可能大得超过20，或者B方位和S方位和Cu方位的方位分布密度的和仍大得超过50。
另一方面，最终冷轧的每1轧道的冷轧率低于10％时，B方位和S方位和Cu方位的方位分布密度的和容易低于10，冷轧带来的加工硬化量不足的可能性也高。因此，尽管能够使弯曲加工性提高，但是却不能维持上述高强度，硬度低于150Hv的可能性高。
(最终退火)
在本发明中，在最终冷轧后，优选主动地进行低温下的最终退火，以进行集合组织的控制。在通常的引线框所用的铜合金板的制造方法中，因为强度降低，所以除去由所述专利文献5的实施例实施的用于去应变的退火(350℃×20秒)，如所述专利文献4，在最终冷轧后不进行最终退火。但是在本发明中，根据前述冷轧条件，另外由于最终退火的低温化，此强度降低被抑制。而且，通过在低温下进行最终退火，各方位密度被控制在上述范围内，强度和弯曲加工性提高。
在退火温度比100℃低的温度，或退火时间低于0.2分的时间条件或者不进行此低温退火的条件下，铜合金板的组织/特性几乎不会从最终冷轧后的状态变化的可能性高。因此，B方位的方位分布密度大得超过20，或者B方位和S方位和Cu方位的方位分布密度的和大得超过50等这种各方位密度不能控制在上述范围内的可能性高。相反，若以退火温度超过400℃的温度，或以退火时间超过300分钟的时间进行退火，则再结晶产生，位错的再排列和回复现象过度产生，析出物也粗大化，因此强度降低的可能性高。
实施例
以下说明本发明的实施例。改变最终冷轧的每1轧道的冷轧率，和最终退火的温度和时间，制造具有各种的集合组织的铜合金薄板，评价硬度、导电率、弯曲性等的特性。
具体来说，将表1、2所示的各化学成分组成的铜合金分别用无芯感应炉熔炼后，以半连续铸造法铸块，得到厚70mm×宽200mm×长500mm的铸块。对各铸块表面进行端面车削，加热后以950℃的温度进行热轧，成为厚16mm的板，从750℃以上的温度在水中急冷。接着，除去氧化皮之后，进行一次冷轧(中轧制)。对该板进行端面车削后，进行边进入中间退火边进行3轧道冷轧的最终冷轧，接着进行最终退火，得到厚约0.15mm的铜合金板。
还有，包括表1、2所示的各铜合金，除去记载元素量的余量组成是Cu，作为其他杂质元素，Hf、Th、Li、Na、K、Sr、Pd、W、S、Si、C、Nb、Al、V、Y、Mo、Pb、In、Ga、Ge、As、Sb、Bi、Te、B、混合稀土的含量，包括表1、2中记载的元素，这些元素整体合计在0.1质量％以下。
另外，含有Mn、Mg、Ca之中1种或2种以上时，合计量为0.0001～1.0质量％的范围，含Zr、Ag、Cr、Cd、Be、Ti、Co、Ni、Au、Pt之中1种或2种以上时，合计量为0.001～1.0质量％的范围，再有这些元素整体的合计也在1.0质量％以下。
最终冷轧的每1轧道的冷轧率(％)和最终退火的温度和时间(℃×分)分别在表1、2中显示。
对于如此得到的铜合金板，各例一起从铜合金板切割试料，测定集合组织，进行硬度测定、导电率测定、弯曲试验、冲压成形性试验。这些结果在表1、2中分别显示。
上述冲压成形性试验，是用于确认经过弯曲加工性改善，作为引线框材料等所需要的特性之一的冲压成形性是否降低。
(集合组织的测定)
关于铜合金板试样，根据通常的X射线衍射法，靶使用Cu，在管电压50KV、管电流200mA的条件下，测定(100)、(110)、(111)的完全极点图(Pole Figure)。根据此测定结果，采用结晶方位分布函数(OrientationDistribution Function：ODF)，计算特定各方位的强度峰值的比例相对于各方位的强度峰值的合计，求得B方位的方位分布密度、B方位和S方位和Cu方位的方位分布密度的和。关于X射线衍射强度，采用理学制X射线衍射装置，测定(200)面〔＝(100)面〕、(220)面〔＝(110)面〕的衍射强度，由此求得(200)面/(220)面的X射线衍射强度比。
(硬度测定)
铜合金板试料的硬度测定，用微型维氏硬度计，施加0.5kg的载荷进行4处测定，硬度为它们的平均值。
(导电率测定)
铜合金板试料的导电率的计算，是用车铣(milling)加工宽10mm×长300mm的矩形的试验片，通过双桥(double bridge)式阻抗测定装置测定电阻抗，根据平均截面面积法来计算。
(弯曲加工性的评价试验)
铜合金板试样的弯曲试验，遵循日本伸铜协会技术标准进行。从各试样提取宽10mm、长30mm的试验片，进行Bad Way(B.W.：弯曲轴与轧制方向平行)弯曲，通过没有裂纹发生的最小弯曲半径R和试样板厚t的比R/t进行评价。R/t的值为0时意思是可以进行最小弯曲半径R为0的180°的紧贴弯曲。也就是说R/t的值小的弯曲性优异，R/t为1.0以下具有实际的引线框的紧贴弯曲或开切口后的90°弯曲也能够对应的弯曲性。
还有，该弯曲加工性的评价，比起前述的专利文献4这样的弯曲试验(0.25mmR进行90°弯曲，用光学显微镜观察弯曲部的外面侧，按有无表面裂纹及有无裂缝进行评价)，相对于实际的引线框的紧贴弯曲或开切口后的90°弯曲，为更苛刻的弯曲试验条件。所述的专利文献4未记载试验片的提取方向，但是通常的弯曲性评价被认为是G.W(弯曲轴与轧制方向成直角)。因此，在这点上本发明的弯曲试验条件也可以说很苛刻。
(冲压成形性的评价试验)
对于铜合金试样通过机械式冲压对0.3mm宽的导线打孔，测定打通了的导线的毛刺高度，评价冲压性。这时毛刺高度通过用扫瞄型电子显微镜观察10个导线的毛刺面的方法测定，毛刺高度为各最大毛刺高度的平均值。然后，毛刺高度为3μm以下的冲压成形性优异评价为○，毛刺高度为3～6μm的评价为△，毛刺高度超过6μm的冲压成形性差评价为×。
如由表1表明的，作为本发明组成内的铜合金的发明例1～7，其制造的最终冷轧的每1轧道的冷轧率(％)，和最终退火中的温度和时间(℃×分)等的制造方法也在优选条件内。因此，发明例1～7的集合组织，B方位的方位分布密度为20以下，且B方位和S方位和Cu方位的方位分布密度的和为10以上50以下。
其结果是，发明例1～7其为硬度在150Hv以上，导电率为75％IACS以上的高强度、高导电率，弯曲加工性优异。而且，也没有使作为其他重要的特性的冲压成形性降低。
相对于此，比较例8的铜合金，Fe的含量为0.006％，低得超越下限0.01％。因为最终冷轧、最终退火等的制造方法在优选条件内制造，所以集合组织为发明范围内，弯曲加工性优异。但是，硬度低，导电率也低，不能达成高强度、高导电率化。
比较例9的铜合金，Fe的含量为4.5％，高得超越上限3.0％。因为最终冷轧、最终退火等的制造方法在优选条件内制造，所以集合组织为发明范围内，尽管硬度也很高，但是导电率显著低，弯曲加工性也差。
比较例10的铜合金，P的含量为0.007％，低于下限0.01％。因为最终冷轧、最终退火等的制造方法在优选条件内制造，所以集合组织在发明范围内，弯曲加工性优异。但是硬度低，导电率也低，不能达成高强度、高导电率化。
比较例11的铜合金，P的含量为0.35％，高得超过上限0.3％。因为最终冷轧、最终退火等的制造方法在优选条件内制造，所以集合组织在发明范围内，尽管硬度也很高，但是导电率显著低，弯曲加工性也差。
比较例12的铜合金是本发明组成内的铜合金，尽管最终冷轧也在优选条件内制造，但未进行最终退火。因此，集合组织其B方位的方位分布密度过高，且B方位和S方位和Cu方位的方位分布密度的和也过高。其结果是，强度级别低的弯曲加工性和导电率也显著低劣。还有，该比较例12虽然最终冷轧等轧制条件有若干不同，但是在铜合金组成和没有进行最终退火等的点上，相当于专利文献4的发明例3。
比较例13的铜合金虽然是本发明组成内的铜合金，但是最终退火的温度过低，且时间过长。因此，尽管硬度高，但是导电率显著低。另外，集合组成其B方位的方位分布密度过高，且B方位和S方位和Cu方位的方位分布密度的和也过高。其结果是弯曲加工性显著低劣。
比较例14是本发明组成内的铜合金，尽管最终冷轧也在优选条件内制造，但是最终退火的温度过高。因此，硬度显著地低，为120Hv。集合组织其B方位和S方位和Cu方位的方位分布密度的和也过低，另外因为硬度也显著低，所以形成弯曲性良好的结果。
比较例15是本发明组成内的铜合金，尽管最终冷轧也在优选条件内制造，但是未进行最终退火。因此，集合组织其B方位的方位分布密度过高，且B方位和S方位和Cu方位的方位分布密度的和也过高。其结果是弯曲加工性和导电率显著差。还有，包括该比较例15和前述比较例12，如此未进行最终退火的例子，指的是基于通常的(普通的)未进行最终退火的制造方法的代表例。因此，可知本发明的低温退火带来的集合组织控制的意义。
比较例16是本发明组成内的铜合金，但最终冷轧的每1轧道的冷轧率过低。因此，硬度显著低，为138Hv。集合组织B方位和S方位和Cu方位的方位分布的和也过低，另外因为硬度显著低，所以形成弯曲性良好的结果。
比较例17是本发明组成内的铜合金，但最终冷轧的每1轧道的冷轧率过高。B方位的方位分布密度过高，且尽管B方位和S方位和Cu方位的方位分布的和在范围内，但是弯曲加工性显著低劣。该比较例17如果说的话，也就是通过冷轧强加工得到高强度现有的这种高强度铜合金板的典型。
另外，如表2所表明，作为选择性地含有添加元素的本发明组成内的铜合金的发明例18～20，最终冷轧的第1轧道的冷轧率(％)和最终退火的温度和时间(℃×分)等的制造方法也在优选条件内制造。因此，发明例18～20的集合组织，B方位的方位分布密度为20以下，且B方位和S方位和Cu方位的方位分布的和为10以上50以下。
其结果是，发明例18～20也是硬度为150Hv以上，导电率为75％IACS以上的高强度、高导电率，弯曲加工性优异。而且，也不会使作为其他特性的冲压变形性降低。
再有表2的发明例21～24是本发明组成内的铜合金，但是显示Sn的含量为比较高的情况。发明例21～24最终冷轧的第1轧道的冷轧率(％)和最终退火的温度和时间(℃×分)等的制造方法也在优选条件内制造。因此，集合组织其B方位的方位分布密度为20以下，且B方位和S方位和Cu方位的方位分布的和为10以上50以下。
其结果是，发明例21～24硬度为190Hv以上的高强度，导电率也在50％IAC以上，弯曲加工性优异。而且，也不会使作为其他特性的冲压变形性降低。
比较例25的铜合金，与比较例11一样，P的含量高出上限0.3％。因为最终冷轧、最终退火等的制造方法在优选条件内被制造，尽管集合组织在发明范围内，但硬度的比例上导电率显著地低，弯曲加工性也差。
比较例26的铜合金与比较例9一样，Fe的含量高出上限3.0％。因为最终冷轧、最终退火等的制造方法在优选条件内被制造，尽管集合组织在发明范围内，但硬度的比例上导电率显著地低，弯曲加工性也差。
比较例27的铜合金是本发明组成内的铜合金，但是与比较例13一样，最终退火的温度过低且时间过长。因此从硬度来说导电率显著地低。另外，集合组织其B方位的方位分布密度过高，且B方位和S方位和Cu方位的方位分布的和也过高。其结果是弯曲加工性显著低劣。
比较例28是本发明组成内的铜合金，尽管最终冷轧也在优选条件内制造，但是与比较例12、15一样，未进行最终退火。因此，集合组织B方位的方位分布密度过高，且B方位和S方位和Cu方位的方位分布的和也过高。其结果是硬度低，弯曲加工性差。
根据以上的结果，在使之高强度、高导电率化的基础上，可以证明用于使弯曲加工性也优异的本发明的铜合金板的成分组成，集合组织的临界的意义和集合组织的优选制造条件的意义。
[表1]
区分  合金编号     铜合金板的化学成分组成(余量以及杂质)   最终冷扎冷扎率％/1轧道  最终退火(℃×分)    铜合金板集合组织           铜合金板特性
B方位密度 B+S+Cu方位密度 硬度(Hv) 导电率(％IACS) 弯曲性(R/t) 冲压成形性
Fe P Zn Sn 其他
发明例 1234567 0.120.180.430.080.360.150.17 0.040.070.150.030.130.050.06 ---0.10.030.010.2 -----0.10.03 ------- 15252035152040 200×40350×0.5120×200250×5370×0.5150×120280×1 515916710l9 14352638202846 154161167150158169165 86827687837577 0.50.51.00.50.51.01.0 ○○○○○○○
比较例  891011121314151617  0.0064.50.030.952.20.120.100 150.300.40   0.020.250.070.350.040.040.030.050.100.15   ----0.15-0.010.05--  ----0.040.40.010.02--     ----------     3045203040302030660  300×1200×50350×0.3150×100无60×280450×3无320×1350×0.5   151813163528332325     374832436354660845   139172136168145170123152138160     78548058656087728571  0.52.00.52.02.03.00.52.00.52.0   △○△○○○×○△○
*各元素含量的表示中，-表示检测界限以下。
[表2]
区分 合金编号 铜合金板的化学成分组成(余量以及杂质) 最终冷扎冷扎率％/1轧道 最终退火(℃×分)      铜合金板集合组织 铜合金板特性
   B方位密度   B+S+Cu方位密度   硬度(Hv)  导电率(％IACS) 弯曲率(R/t)  冲压成形性
Fe P Zn Sn 其他
发明例  18192021222324  0.190.350.430.150.120.100.17  0.070.140.150.070.040.030.06   -0.050.020.08-0.30.5  --0.090.522.00.81.2 Mn：0.003Ca：0.002、Ti：0.005Mn：0.003、Ni：0.01、Al：0.001--Mg：0.003、Ag：0.1Ca：0.002、2R：0.005   30202020152520  300×1350×0.5200×40270×3330×1300×1300×0.5     1681112101512     37222930273530   162160170193215200208     82827563516854  0.50.51.01.51.51.51.5   ○○○○○○○
比较例  25262728  1.04.30.110.15  0.360.260.040.05   ---0.02  --0.30.04 Ca：0.002Mg：0.2、Co：0.002Mg：0.003、Cr：0.3MG：0.003、Ni：0.1、Al：0.002   25402525  150×100300×170×240无     16172635     42465263   167175169155     58515971  2.02.03.02.0   ○○○○
*各元素的含量表示中，-表示检测界限以下。
工业上的利用可能性
如以上说明，根据本发明，能够提供一种不会使冲压成形性等的其他特性降低，使高强度高导电率化和优异的弯曲加工性并存的Cu-Fe-P系铜合金板。其结果是，作为小型化及轻量化的电气电子部件用，除了半导体装置用引线框以外，还能够应用于引线框、连接器、端子、开关、汇流条等的有高强度高导电率化和严格的弯曲加工性要求的用途。

Claims (11)

1.一种具有弯曲加工性的电气电子部件用铜合金板，以质量％计，含有Fe：0.01～3.0％、P：0.01～0.3％，其特征在于，其集合组织的Brass方位的方位分布密度为20以下，且Brass方位和S方位和Copper方位的方位分布密度的和为10以上50以下。
2.根据权利要求1所述的电气电子部件用铜合金板，其特征在于，所述铜合金板以质量％计还含有Sn：0.001～0.5％。
3.根据权利要求1或2所述的电气电子部件用铜合金板，其特征在于，所述铜合金板的强度以硬度计为150Hv以上，导电率为75％IACS以上。
4.根据权利要求1所述的电气电子部件用铜合金板，其特征在于，所述铜合金板以质量％计还含有Sn：超过0.5％但在5.0％以下。
5.根据权利要求4所述的电气电子部件用铜合金板，其特征在于，所述铜合金板的强度以硬度计为190Hv以上，导电率为50％IACS以上。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的电气电子部件用铜合金板，其特征在于，所述铜合金板以质量％计还含有Zn：0.005～3.0％。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的电气电子部件用铜合金板，其特征在于，所述铜合金板还含有Mn、Mg、Ca中1种或2种以上，合计以质量％计为0.0001～1.0％。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的电气电子部件用铜合金板，其特征在于，所述铜合金板还含有Zr、Ag、Cr、Cd、Be、Ti、Co、Ni、Au、Pt中1种或2种以上，合计以质量％计为0.001～1.0％。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的电气电子部件用铜合金板，其特征在于，所述铜合金板还含有Mn、Mg、Ca中1种或2种以上，合计以质量％计为0.0001～1.0％，以及Zr、Ag、Cr、Cd、Be、Ti、Co、Ni、Au、Pt中1种或2种以上，合计以质量％计为0.001～1.0％，并且这些所含有的元素的合计含量以质量％计为1.0％以下。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的电气电子部件用铜合金板，其特征在于，所述铜合金板，其Hf、Th、Li、Na、K、Sr、Pd、W、S、Si、C、Nb、Al、V、Y、Mo、Pb、In、Ga、Ge、As、Sb、Bi、Te、B、混合稀土这些元素的整体的合计含量为0.1质量％以下。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的电气电子部件用铜合金板，其特征在于，所述铜合金板为半导体引线框用。
CNB2005800267030A 2004-08-17 2005-08-11 具有弯曲加工性的电气电子部件用铜合金板 Expired - Fee Related CN100510131C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004237490 2004-08-17
JP237490/2004 2004-08-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101001965A true CN101001965A (zh) 2007-07-18
CN100510131C CN100510131C (zh) 2009-07-08

Family

ID=35907423

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2005800267030A Expired - Fee Related CN100510131C (zh) 2004-08-17 2005-08-11 具有弯曲加工性的电气电子部件用铜合金板

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8715431B2 (zh)
EP (1) EP1803829B1 (zh)
KR (1) KR100876051B1 (zh)
CN (1) CN100510131C (zh)
MY (1) MY138950A (zh)
TW (1) TWI297733B (zh)
WO (1) WO2006019035A1 (zh)

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7928541B2 (en) 2008-03-07 2011-04-19 Kobe Steel, Ltd. Copper alloy sheet and QFN package
CN102892908A (zh) * 2010-05-14 2013-01-23 三菱综合材料株式会社 电子器件用铜合金、电子器件用铜合金的制造方法及电子器件用铜合金轧材
CN103228804A (zh) * 2010-12-03 2013-07-31 三菱综合材料株式会社 电子设备用铜合金、电子设备用铜合金的制造方法及电子设备用铜合金轧材
CN103555996A (zh) * 2013-11-04 2014-02-05 李茜 一种制备铜合金阀体的方法
CN103773992A (zh) * 2012-10-19 2014-05-07 北京金鹏振兴铜业有限公司 高强度耐腐蚀六元黄铜合金
CN104032170A (zh) * 2014-05-12 2014-09-10 蚌埠市宏威滤清器有限公司 一种易切削黄铜合金材料及其制备方法
TWI471428B (zh) * 2012-10-22 2015-02-01 Jx Nippon Mining & Metals Corp Conductive and stress relief characteristics of excellent copper alloy plate
CN104357705A (zh) * 2014-11-11 2015-02-18 芜湖市民泰铜业有限责任公司 一种高导高延伸率导线用铜合金及其制备方法
CN104789812A (zh) * 2014-01-18 2015-07-22 株式会社神户制钢所 强度、耐热性以及弯曲加工性优异的Fe-P系铜合金板
CN104928521A (zh) * 2014-03-18 2015-09-23 株式会社神户制钢所 强度、耐热性和弯曲加工性优异的Fe-P系铜合金板
CN106119597A (zh) * 2016-08-30 2016-11-16 芜湖楚江合金铜材有限公司 一种环保高性能的异性铜线材及其加工工艺
CN106148754A (zh) * 2015-05-12 2016-11-23 株式会社神户制钢所 耐热性优异的铜合金
CN104357705B (zh) * 2014-11-11 2017-01-04 国网山东省电力公司蒙阴县供电公司 一种高导高延伸率导线用铜合金及其制备方法
CN104073677B (zh) * 2013-03-27 2017-01-11 株式会社神户制钢所 Led的引线框用铜合金板条
CN107429322A (zh) * 2015-03-23 2017-12-01 株式会社神户制钢所 散热元件用铜合金板和散热元件
CN108866367A (zh) * 2018-07-24 2018-11-23 深圳市中科睿金贵材科技有限公司 一种铜银合金导线及其制备方法
CN108963476A (zh) * 2017-05-17 2018-12-07 英飞凌科技股份有限公司 用于电连接电子模块和电子组件的方法
CN109628781A (zh) * 2019-01-23 2019-04-16 中南大学 高铁含量的Cu-Fe系合金材料及其制备方法
CN109790597A (zh) * 2016-10-05 2019-05-21 株式会社神户制钢所 散热元件用铜合金板、散热元件及散热元件的制造方法
CN110042272A (zh) * 2019-05-28 2019-07-23 中南大学 一种高导电高强CuFeNb系弹性铜合金及其制备方法
US10458003B2 (en) 2011-11-14 2019-10-29 Mitsubishi Materials Corporation Copper alloy and copper alloy forming material
CN116970836A (zh) * 2023-07-27 2023-10-31 中国兵器科学研究院宁波分院 一种高强碲铜合金材料及其制备方法
CN117403095A (zh) * 2023-11-15 2024-01-16 铜陵学院 一种含稀土y的铜合金材料及其制备方法

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2339039B8 (en) * 2006-07-21 2016-12-07 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho Copper alloy sheet for electric and electronic part
JP4950584B2 (ja) * 2006-07-28 2012-06-13 株式会社神戸製鋼所 高強度および耐熱性を備えた銅合金
US8063471B2 (en) * 2006-10-02 2011-11-22 Kobe Steel, Ltd. Copper alloy sheet for electric and electronic parts
KR100894076B1 (ko) * 2007-04-10 2009-04-21 주식회사 풍산 고전도성, 고강도 및 고가공성을 갖는 전기 및 전자부품용동합금 및 그 제조방법
JP2009179864A (ja) * 2008-01-31 2009-08-13 Kobe Steel Ltd 耐応力緩和特性に優れた銅合金板
US9441289B2 (en) * 2008-09-30 2016-09-13 Jx Nippon Mining & Metals Corporation High-purity copper or high-purity copper alloy sputtering target, process for manufacturing the sputtering target, and high-purity copper or high-purity copper alloy sputtered film
WO2010038641A1 (ja) 2008-09-30 2010-04-08 日鉱金属株式会社 高純度銅及び電解による高純度銅の製造方法
DE102009002894A1 (de) 2009-05-07 2010-11-18 Federal-Mogul Wiesbaden Gmbh Gleitlagermaterial
JP5822669B2 (ja) 2011-02-18 2015-11-24 Jx日鉱日石金属株式会社 グラフェン製造用銅箔及びそれを用いたグラフェンの製造方法
DE102011007362A1 (de) * 2011-04-14 2012-10-18 Federal-Mogul Wiesbaden Gmbh Verfahren zur Herstellung eines bleifreien Gleitlagermaterials
KR101083122B1 (ko) * 2011-05-11 2011-11-11 조주현 브레이징 합금
CN102346001A (zh) * 2011-06-27 2012-02-08 苏州方暨圆节能科技有限公司 抗菌耐蚀的散热器散热片
JP5700834B2 (ja) * 2011-12-09 2015-04-15 株式会社神戸製鋼所 酸化膜密着性に優れた高強度銅合金板
KR20130136183A (ko) * 2012-06-04 2013-12-12 박효주 동합금부재와 그 제조 방법
FR2995383B1 (fr) * 2012-09-12 2015-04-10 Kme France Sas Alliages de cuivre pour echangeurs de chaleur
DE102013210130A1 (de) * 2013-03-05 2014-09-25 Continental Automotive Gmbh Stromsensorvorrichtung mit integrierter Klemmeinrichtung und Massenelement
DE102013208497A1 (de) 2013-05-08 2014-11-13 Federal-Mogul Wiesbaden Gmbh Kupferlegierung, Verwendung einer Kupferlegierung, Lager mit einer Kupferlegierung und Verfahren zur Herstellung eines Lagers aus einer Kupferlegierung
JP5866411B2 (ja) * 2013-08-09 2016-02-17 三菱マテリアル株式会社 銅合金薄板および銅合金薄板の製造方法
JP5866410B2 (ja) * 2013-08-09 2016-02-17 三菱マテリアル株式会社 銅合金薄板および銅合金薄板の製造方法
JP6078024B2 (ja) * 2014-06-13 2017-02-08 Ｊｘ金属株式会社 ２次元六角形格子化合物製造用圧延銅箔、及び２次元六角形格子化合物の製造方法
JP6593778B2 (ja) * 2016-02-05 2019-10-23 住友電気工業株式会社 被覆電線、端子付き電線、銅合金線、及び銅合金撚線
JP6172368B1 (ja) * 2016-11-07 2017-08-02 住友電気工業株式会社 被覆電線、端子付き電線、銅合金線、及び銅合金撚線
KR101834335B1 (ko) * 2017-11-02 2018-04-13 주식회사 풍산 고강도 및 고전기전도도 특성을 가진 전기전자 부품 및 반도체용 동합금 및 이의 제조 방법
DE112019004184T5 (de) * 2018-08-21 2021-06-17 Autonetworks Technologies, Ltd. Bedeckter elektrischer Draht, mit Anschluss ausgerüsteter elektrischer Draht, Kupferlegierungsdraht, Kupferlegierungslitze und Verfahren zur Herstellung eines Kupferlegierungsdrahtes

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3639119A (en) * 1970-05-04 1972-02-01 Olin Corp Copper base alloy
JPS6218807A (ja) 1985-07-17 1987-01-27 Toshiba Corp カレントミラ−回路
JP2733117B2 (ja) * 1989-12-18 1998-03-30 株式会社神戸製鋼所 電子部品用銅合金およびその製造方法
JPH06235035A (ja) 1992-12-23 1994-08-23 Nikko Kinzoku Kk 高力高導電性銅合金
JP3550233B2 (ja) * 1995-10-09 2004-08-04 同和鉱業株式会社 高強度高導電性銅基合金の製造法
US6232529B1 (en) * 1996-11-20 2001-05-15 Pioneer Hi-Bred International, Inc. Methods of producing high-oil seed by modification of starch levels
JPH1180863A (ja) * 1997-09-10 1999-03-26 Kobe Steel Ltd 耐応力緩和特性及びばね性が優れた銅合金
JP3188235B2 (ja) 1997-12-22 2001-07-16 株式会社荏原製作所 トラップ装置
JP3717321B2 (ja) 1998-12-11 2005-11-16 古河電気工業株式会社 半導体リードフレーム用銅合金
JP2000328157A (ja) 1999-05-13 2000-11-28 Kobe Steel Ltd 曲げ加工性が優れた銅合金板
JP3980808B2 (ja) 2000-03-30 2007-09-26 株式会社神戸製鋼所 曲げ加工性および耐熱性に優れた高強度銅合金およびその製造方法
JP3989161B2 (ja) * 2000-06-20 2007-10-10 古河電気工業株式会社 曲げ加工性および耐応力緩和特性に優れた電子電気機器用銅合金
US6632300B2 (en) * 2000-06-26 2003-10-14 Olin Corporation Copper alloy having improved stress relaxation resistance
JP3798260B2 (ja) 2001-05-17 2006-07-19 株式会社神戸製鋼所 電気電子部品用銅合金及び電気電子部品
JP4296344B2 (ja) * 2003-03-24 2009-07-15 Ｄｏｗａメタルテック株式会社 銅合金材
JP4087307B2 (ja) * 2003-07-09 2008-05-21 日鉱金属株式会社 延性に優れた高力高導電性銅合金
JP4041803B2 (ja) * 2004-01-23 2008-02-06 株式会社神戸製鋼所 高強度高導電率銅合金
JP4441467B2 (ja) * 2004-12-24 2010-03-31 株式会社神戸製鋼所 曲げ加工性及び耐応力緩和特性を備えた銅合金
JP4680765B2 (ja) * 2005-12-22 2011-05-11 株式会社神戸製鋼所 耐応力緩和特性に優れた銅合金
JP4950584B2 (ja) * 2006-07-28 2012-06-13 株式会社神戸製鋼所 高強度および耐熱性を備えた銅合金
US8063471B2 (en) 2006-10-02 2011-11-22 Kobe Steel, Ltd. Copper alloy sheet for electric and electronic parts

Cited By (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7928541B2 (en) 2008-03-07 2011-04-19 Kobe Steel, Ltd. Copper alloy sheet and QFN package
CN102892908A (zh) * 2010-05-14 2013-01-23 三菱综合材料株式会社 电子器件用铜合金、电子器件用铜合金的制造方法及电子器件用铜合金轧材
CN102892908B (zh) * 2010-05-14 2015-07-01 三菱综合材料株式会社 电子器件用铜合金及其制造方法及电子器件用铜合金轧材
CN103228804A (zh) * 2010-12-03 2013-07-31 三菱综合材料株式会社 电子设备用铜合金、电子设备用铜合金的制造方法及电子设备用铜合金轧材
CN103228804B (zh) * 2010-12-03 2016-05-25 三菱综合材料株式会社 电子设备用铜合金、电子设备用铜合金的制造方法及电子设备用铜合金轧材
US10458003B2 (en) 2011-11-14 2019-10-29 Mitsubishi Materials Corporation Copper alloy and copper alloy forming material
CN103773992B (zh) * 2012-10-19 2016-03-30 北京金鹏振兴铜业有限公司 高强度耐腐蚀六元黄铜合金
CN103773992A (zh) * 2012-10-19 2014-05-07 北京金鹏振兴铜业有限公司 高强度耐腐蚀六元黄铜合金
TWI471428B (zh) * 2012-10-22 2015-02-01 Jx Nippon Mining & Metals Corp Conductive and stress relief characteristics of excellent copper alloy plate
CN104073677B (zh) * 2013-03-27 2017-01-11 株式会社神户制钢所 Led的引线框用铜合金板条
CN103555996A (zh) * 2013-11-04 2014-02-05 李茜 一种制备铜合金阀体的方法
CN103555996B (zh) * 2013-11-04 2015-12-02 新昌县东茗乡德创机械厂 一种制备铜合金阀体的方法
CN104789812A (zh) * 2014-01-18 2015-07-22 株式会社神户制钢所 强度、耐热性以及弯曲加工性优异的Fe-P系铜合金板
CN104928521A (zh) * 2014-03-18 2015-09-23 株式会社神户制钢所 强度、耐热性和弯曲加工性优异的Fe-P系铜合金板
CN104032170A (zh) * 2014-05-12 2014-09-10 蚌埠市宏威滤清器有限公司 一种易切削黄铜合金材料及其制备方法
CN104357705B (zh) * 2014-11-11 2017-01-04 国网山东省电力公司蒙阴县供电公司 一种高导高延伸率导线用铜合金及其制备方法
CN104357705A (zh) * 2014-11-11 2015-02-18 芜湖市民泰铜业有限责任公司 一种高导高延伸率导线用铜合金及其制备方法
CN107429322A (zh) * 2015-03-23 2017-12-01 株式会社神户制钢所 散热元件用铜合金板和散热元件
CN107429322B (zh) * 2015-03-23 2019-12-03 株式会社神户制钢所 散热元件用铜合金板和散热元件
CN106148754A (zh) * 2015-05-12 2016-11-23 株式会社神户制钢所 耐热性优异的铜合金
CN106148754B (zh) * 2015-05-12 2018-05-25 株式会社神户制钢所 耐热性优异的铜合金
CN106119597A (zh) * 2016-08-30 2016-11-16 芜湖楚江合金铜材有限公司 一种环保高性能的异性铜线材及其加工工艺
CN109790597A (zh) * 2016-10-05 2019-05-21 株式会社神户制钢所 散热元件用铜合金板、散热元件及散热元件的制造方法
CN108963476A (zh) * 2017-05-17 2018-12-07 英飞凌科技股份有限公司 用于电连接电子模块和电子组件的方法
CN108963476B (zh) * 2017-05-17 2022-09-23 英飞凌科技股份有限公司 用于电连接电子模块和电子组件的方法
CN108866367A (zh) * 2018-07-24 2018-11-23 深圳市中科睿金贵材科技有限公司 一种铜银合金导线及其制备方法
CN109628781A (zh) * 2019-01-23 2019-04-16 中南大学 高铁含量的Cu-Fe系合金材料及其制备方法
CN110042272A (zh) * 2019-05-28 2019-07-23 中南大学 一种高导电高强CuFeNb系弹性铜合金及其制备方法
CN116970836A (zh) * 2023-07-27 2023-10-31 中国兵器科学研究院宁波分院 一种高强碲铜合金材料及其制备方法
CN116970836B (zh) * 2023-07-27 2024-06-14 中国兵器科学研究院宁波分院 一种高强碲铜合金材料及其制备方法
CN117403095A (zh) * 2023-11-15 2024-01-16 铜陵学院 一种含稀土y的铜合金材料及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN100510131C (zh) 2009-07-08
WO2006019035A1 (ja) 2006-02-23
EP1803829A4 (en) 2009-09-30
MY138950A (en) 2009-08-28
KR100876051B1 (ko) 2008-12-26
TWI297733B (en) 2008-06-11
EP1803829B1 (en) 2013-05-22
US8715431B2 (en) 2014-05-06
US20090010797A1 (en) 2009-01-08
EP1803829A1 (en) 2007-07-04
TW200617186A (en) 2006-06-01
KR20070031438A (ko) 2007-03-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100510131C (zh) 具有弯曲加工性的电气电子部件用铜合金板
CN103789571B (zh) Cu‑Ni‑Co‑Si系铜合金板材及其制造方法
KR101503185B1 (ko) 구리합금 판재 및 그 제조방법
CN1269979C (zh) 高强度高导电率的铜合金
CN100567531C (zh) 铜基合金及其制造方法
CN101899587B (zh) 电气电子零件用铜合金板
CN102822363B (zh) 电子器件用铜合金及其制造方法及电子器件用铜合金轧材
JP3962751B2 (ja) 曲げ加工性を備えた電気電子部品用銅合金板
CN101743333A (zh) 铜合金板
CN105518166B (zh) 导电性及弯曲变形系数优异的铜合金板
CN104903478B (zh) 电子电气设备用铜合金、电子电气设备用铜合金薄板、电子电气设备用导电元件及端子
CN109022900A (zh) 一种综合性能优异的铜合金及其应用
CN105829555B (zh) 铜合金板材、连接器以及铜合金板材的制造方法
CN103443309B (zh) 铜合金板材及其制造方法
CN102812138A (zh) 电子材料用Cu-Ni-Si-Co系铜合金及其制造方法
CN102985572A (zh) 深冲压加工性优异的Cu-Ni-Si系铜合金板及其制造方法
JP4168077B2 (ja) 酸化膜密着性に優れた電気電子部品用銅合金板
CN107354342A (zh) Cu‑Ni‑Si系合金及其制造方法
JP4041452B2 (ja) 耐熱性に優れた銅合金の製法
CN104302794A (zh) 导电性及应力松弛特性优异的铜合金板
CN102471831A (zh) 电子设备用铜合金及引线框材
CN104870672A (zh) 电子电气设备用铜合金、电子电气设备用铜合金薄板、电子电气设备用导电元件及端子
CN104919067A (zh) 电子电气设备用铜合金、电子电气设备用铜合金薄板、电子电气设备用导电元件及端子
EP0299605B1 (en) Iron-copper-chromium alloy for high-strength lead frame or pin grid array and process for preparation thereof
CN103890206B (zh) 科森合金及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20090708