CN100576438C - 增强磁控制等离子体径向分布的约束挡板和流动均衡器 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种具有等离子体约束和等离子体径向分布性能的等离子体反应器。该反应器包含在腔室中含有侧壁和工件支撑底座并限制底座和侧壁之间的抽吸环的反应器腔室和在抽吸环底部的抽吸口。该反应器进一步包含用于限制气流在轴向方向上通过抽吸环以防止等离子体流到抽吸口。该反应器进一步包含用于补偿由抽吸口的位移引起的在底座上气流图案的不对称性的工具。该反应器进一步包含用于控制具有固有趋势的等离子体分布的工具，以促进边缘高等离子体密度分布。用于限制气流的工具充分降到工件支撑下面，以补偿用于控制等离子体分布的工具的边缘高等离子体分布趋势。
Description
本申请要求享有2006年11月15日提交的美国分案申请序号为No.60/859,558的权益。
技术领域
本发明的实施方式主要涉及一种用于等离子体高流导轴向约束和流动均衡的方法和装置，该方法和装置通过阻抗约束增强等离子体径向分布的磁控制，并增强等离子体的径向约束
背景技术
在微电子集成电路的制造中，半导体晶圆的等离子体处理用于介电质蚀刻、金属蚀刻、化学气相沉积和其它工艺中。在半导体衬底处理中，越来越小的部件尺寸和线宽发展的趋势诱使在半导体衬底上掩模、蚀刻和沉积材料具有越来越高的精度。
通常，蚀刻通过将射频(RF)功率施加到被供应到在由支撑构件所支撑的衬底上方的低压处理区域的工作气体来完成。所产生的电场在处理区域内生成将工作气体激发为等离子体的反应区域。该支撑构件偏置以吸引朝向在其上支撑的衬底的等离子体。离子朝向邻近衬底的边界层或等离子体鞘迁移并在离开边界层时加速。被加速的离子产生需要从衬底表面去除或蚀刻材料的能量。由于被加速的离子能蚀刻处理腔室内的其它组件，所以将等离子体约束到衬底上方的处理区域且远离腔室的侧壁是很重要的。
无约束的等离子体导致沉积在腔室壁上的蚀刻副产物(通常为聚合物)并同样蚀刻腔室壁。沉积在腔室壁上的蚀刻副产物能使工艺漂移。来自腔室壁的蚀刻材料通过再沉积污染衬底和/或产生腔室中的颗粒。另外，无约束的等离子体还导致沉积在下游区域中的蚀刻副产物。积累的蚀刻副产物剥落并产生颗粒。为了减少由下游区域中蚀刻副产物的沉积引起的颗粒问题，需要额外的后蚀刻(下游)清洗步骤，其将降低工艺产量并增加工艺成本。
受约束的等离子体将降低腔室污染、腔室清洗并改善工艺可重复性(或减少工艺漂移)。
发明内容
在本发明的一个方案中，等离子体反应器包含具有腔室侧壁、顶部和底部的腔室。工件支撑底座位于腔室内并包含工件支撑表面。底座侧壁与腔室侧壁相对并从腔室底部延伸。工件支撑底座限定腔室侧壁和底座侧壁之间的抽吸环。抽吸口设置在腔室底部中。环形等离子体约束挡板从底座侧壁延伸，并具有限定在边缘和腔室侧壁之间的气流间隙的外部边缘。该挡板降到工件支撑表面下的一段距离处，该距离对应于在工件支撑底座***处降低的等离子体离子密度。该反应器进一步包含具有在挡板下并阻挡气流通过抽吸环的阻挡板的气流均衡器。该阻挡板限定在抽吸口附近一侧的最小气流传导和在抽吸口相对一侧上的最大气流传导的晶圆支撑底座周围的偏心开口。阻挡板与腔室侧壁隔开以限定在该阻挡板与腔室侧壁之间的足够长的间隙，从而引起最小气流阻力。
根据另一方案，气流均衡器进一步包含从阻挡板外部边缘朝向挡板延伸的轴向壁；并且所述壁导引气流到偏心开口。
根据又一方案，在挡板和腔室侧壁之间的气流间隙足够小以防止或降低到抽吸环的等离子体的流动。
反应器进一步包含磁性等离子体导向装置。该磁性等离子体导向装置具有边缘高等离子体离子密度偏置。选择挡板放置在工件支撑平面下的距离，以将底座边缘处的等离子体密度降低到补偿所述磁性导向装置的边缘高等离子体离子密度偏置的量。
附图说明
为了获得并能详细理解本发明的以上概述实施方式，以下将参照附图中示出的其实施方式对以上的概述进行更具体的描述。然而，应该理解，附图仅示出了本发明的典型实施方式，并因此不应考虑为对本发明范围的限制，因为本发明承认其它等效实施方式。
图1A是等离子体处理腔室的示意性视图；
图1B示出了可在图1A的实施方式中使用的槽形约束环；
图2A示出了具有在工艺腔室中的环形等离子体约束环的一个实施方式的等离子体处理腔室的示意性视图；
图2B示出了具有在工艺腔室中的环形等离子体约束环的另一个实施方式的等离子体处理腔室的示意性视图；
图2C示出了等离子体密度比率和腔室压力与缝隙宽度的函数关系的模拟结果；
图2D示出了当在环孔和腔室壁之间的缝隙宽度为0.5英寸时等离子体处理腔室中的等离子体密度的模拟结果；
图2E示出当在环孔和腔室壁之间的缝隙宽度为3英寸时等离子体处理腔室中的等离子体密度的模拟结果；
图3A和图3B是顶部线圈的磁场的图示，而图3C是相同磁场的空间视图；
图4A、图4B、图4C和图4D是对于图1A反应器操作的各种模式在晶圆表面上的蚀刻速度(垂直轴)与径向位置(水平轴)的函数关系的视图；
图5A、图5B、图5C和图5D是图1A反应器操作的进一步模式在晶圆表面上的蚀刻速度(垂直轴)与径向位置(水平轴)的函数关系的视图；
图6A是图1A的反应器的简要示意性视图，其描述了用于等离子体轴约束的改进的挡板和用于补偿到抽吸口的不均匀气流图案的流动均衡器；
图6B是改进挡板的另一实施方式的横截面视图；
图6C是改进挡板的再一实施方式的横截面视图；
图7是示出挡板的1A的反应器的另一横截面平面视图；
图8是图1A的反应器的平面横截面视图，其示出了流动均衡器的结构；
图9A和图9B分别是在磁性增强之前和磁性增强之后用于径向均匀性磁性增强的理想径向蚀刻速度分布的视图；
图10A和图10B分别是在磁性增强之前和磁性增强之后图1A的反应器的典型径向蚀刻速度分布的视图；
图11A和图11B分别是在磁性增强之前和磁性增强之后具有本发明的改进挡板的图1A的反应器中径向蚀刻速度分布的视图；
图12是比较在晶圆平面下不同高度的挡板在图1A的反应器中所获得的蚀刻速度分布的视图；
图13A示出了当电压比率是1(或在顶电极处完全施加源电压)时在顶电极和接地阴极之间的电压；
图13B示出了当电压比率是1(或在顶电极处完全施加源电压)时在顶电极和接地腔室壁之间的电压；
图13C示出了当电压比率是0.5(或在顶电极处施加一半源电压)时在顶电极和阴极之间的电压；
图13D示出了当电压比率是0.5(或在顶电极处施加一半源电压)时在顶电极和接地腔室壁之间的电压；
图14A示出了模拟等离子体密度比率与电压比率的函数关系；
图14B示出了当在环孔和腔室壁之间的缝隙宽度为1.5英寸而电压比率为1时在等离子体处理腔室中等离子体密度的模拟结果；
图14C示出了当在环孔和腔室壁之间的缝隙宽度为1.5英寸而电压比率为0.5时在等离子体处理腔室中等离子体密度的模拟结果；
图14D示出了当在环孔和腔室壁之间的缝隙宽度为1.5英寸而电压比率为1时在等离子体处理腔室中的能量沉积的模拟结果；
图14E示出了当在环孔和腔室壁之间的缝隙宽度为1.5英寸而电压比率为0.5时在等离子体处理腔室中的能量沉积的模拟结果；
图15示出了在顶电极、阴极和腔室壁之间的电路图；
图16是示出用于实施阻抗约束方法的电路的指导模型的简要示意图；
图17是描述其中通过改进挡板增强等离子体的径向阻抗约束程度的方法的视图。
为了便于理解，尽可能使用相同的附图标记表示附图中公用的相同元件。附图中的图全是示意性并且没有按照比例绘制。
具体实施方式
本发明的实施方式考虑轴向约束等离子体，以防止等离子体进入晶圆或工件下面的腔室区域，同时补偿到排气口的气流不对称图案。在一个进一步方案中，本发明的实施方式考虑以由磁控制改善径向等离子体分布均匀性的方式完成前述。在另一方案中，本发明的实施方式考虑以通过阻抗约束改善径向等离子体约束的方法完成前述。在等离子体工艺腔室中执行的处理为沉积、蚀刻或等离子体处理。本发明的实施方式可应用到任何类型的等离子体处理，包括等离子体蚀刻工艺、等离子体增强化学气相沉积工艺、物理气相沉积工艺等。
图1A示出了等离子体反应器的实施例，诸如California的Santa Clara的应用材料有限公司制造的
蚀刻***，其可包括衬垫以保护壁，在腔室底部具有支撑半导体晶圆110的衬底支架(或底座)105。腔室100包括圆盘形顶部铝电极125，其由电介质(石英)密封130支撑在接地腔体127上的晶圆110上方的预定间隙长度处。处理区域72被限定在顶电极125和衬底支架105之间。功率产生器150施加甚高频(VHF)功率到电极125。VHF通常在约30MHz至约300MHz之间并且其中一个RF带，其在约10kHz到约10GHz之间变化。在一个实施方式中，对于300mm晶圆直径，VHF源功率频率为162MHz。来自产生器150的VHF功率通过匹配到产生器150的同轴电缆162耦合并耦合到与电极125连接的同轴短线(stub)135。短线135具有属性阻抗和短线谐振频率，并提供电极125和同轴电缆162或VHF功率产生器150之间的阻抗匹配。腔体连接到VHF产生器150的VHF回返(return)(VHF接地)。通过经由传统阻抗匹配电路210耦接到晶圆支架105的偏置RF功率产生器200，偏置功率施加到晶圆。偏压产生器200的功率电平控制晶圆表面附近的离子能量。偏置功率(通常在13.56MHz)通常用于控制离子能量，而VHF源功率施加到顶电极以管理等离子体密度。真空泵***111通过增压室(plenum)112排空腔室100。
衬底支架105包括支撑下绝缘层5510的金属底座层5505、覆盖下绝缘层5510的导电网格层5515和覆盖导电网格层5515的薄顶绝缘层5520。半导体工件或晶圆110放置在顶绝缘层5520的顶部上。衬底支架105和晶圆110在衬底处理期间形成阴极。如果不存在晶圆110，则在等离子体处理期间衬底支架105是阴极。导电网格层5515和金属底座层5505可分别由诸如钼和铝的材料形成。绝缘层5510和5520可由诸如氮化铝或氧化铝的材料形成。导电网格层5515施加RF偏压以控制晶圆110表面的离子轰击能量。来自RF偏压产生器200的RF功率从偏压阻抗网格210通过在RF馈电点5525a连接到导电网格层5515的RF导体5525输送到导电网格层5515。导电网格层5515还可用于静电夹盘或脱夹盘(de-chuck)晶圆110，并且在情形下可以众所周知的方式连接到夹盘电源。因此导电网格层5515不需要接地并可根据传统的夹盘或脱夹盘操作可选具有浮动电势或固定静电电势。晶圆支架105，特别地金属底座层5505，通常(但不必要)连接到地面，并形成由顶电极125辐射的VHF功率的部分回路。
在一个实施方式中，电介质柱状套5550提供并配置以围绕RF导体5525。利用电介质套5550还增强了衬底之间周围的阻抗均匀性。轴长度和组成套5550的材料的介电常数决定由RF导体5525呈现的到VHF功率的馈点阻抗。通过调整轴长度和组成套5550材料的介电常数，由于VHF源功率的更均匀的电容耦合，可获得更加均匀的阻抗径向分布。
在短线135远端135a的终止导体165将内部和外部导体140、145缩短在一起，从而短线135在其远端135a缩短。在短线135的近端135b(未被缩短的端)，外部导体145经由环形导电外壳或支架175连接到腔体，而内部导体140经由导电圆柱或支架176连接到电极125的中心。电介质环180固定在导电圆柱176和电极125之间，并与导电圆柱176和电极125分离。
内部导体140可提供用于诸如工艺气体和冷却剂的管道。该部件的基本优点在于，不同于通常的等离子体反应器，气体管道170和冷却剂管道173不相差大的电势差。因此为了该目的它们可由金属、较不贵且更可靠材料构成。金属性气体管道170在顶电极125中或附近供给气体入口172(从而顶电极125是气体分布板)，而金属冷却剂管道173在顶电极125内供给冷却剂通道或套174。
如前所述，无约束等离子体使蚀刻副产物(通常为聚合物)沉积在腔室壁上并还能蚀刻腔室壁。沉积在腔室壁上的蚀刻副产物是工艺漂移。来自腔室壁的蚀刻材料通过再沉积污染衬底和/或引起腔室内的颗粒。另外，无约束等离子体还到达处理区域的下游区域并在下游区域中沉积蚀刻副产物，其通常为聚合物。沉积在下游区域中的蚀刻副产物难以清洗。聚积的蚀刻副产物剥落并产生颗粒。
在一个实施方式中，在图1B中示出的槽形约束环可设置并放置在工件支架105周围的图1A的腔室100内部，并在顶电极和衬底支架105之间轴向延伸。槽形约束环可用于减少颗粒污染和腔室的清洗时间。图1B示出了根据一个实施方式的槽形约束环50的透视图。约束环50配置以限定等离子体并减少气体流动阻力。约束环50包括挡板55和耦接到挡板55底部部分的底座58。该底座58一般配置以提供电接地和用于约束环50的机械强度。挡板55在其顶部限定开口71。开口71配置以容纳图1A的顶电极或气体分布板125的喷头，从而气流将被限定在挡板55内部。挡板55进一步包括多个槽57和多个齿59。设计槽57使得等离子体鞘的厚度或宽度大于每个槽的宽度。以这种方式，防止等离子体中的离子和自由基经过约束环50。在一个实施方式中，设计每个槽57具有比等离子体鞘的宽度或厚度小约两倍的宽度。约束环50可由导电材料制成，以当等离子体与约束环50接触时提供RF功率供应和VHF功率供应的接地路径。约束环50还可由导热和耐蚀刻材料制成以最小化局部加热、污染和工艺漂移。例如，挡板55可由碳化硅(SiC)制成，而底座58可由铝(Al)制成。
在一个实施方式中，采用在图1A中示出的平面环孔115。环孔115在与内部腔室侧壁128隔开一距离(或间隙)放置在衬底110周围。环孔115配置并放置在腔室中，从而环孔115提供适当的等离子体约束和低流动阻力。在环孔115的边缘和内部腔室壁128之间的距离(或间隙)不应该过大。如果间隙距离大于腔室壁128附近的等离子体鞘厚度，则它将增加从远离晶圆上方的反应区域并朝向腔室壁和下游抽取的等离子体量，其使等离子体较少受约束。环孔115的边缘和内部腔室壁128之间的距离(或间隙)也不能过小，原因在于流动阻力，其影响腔室压力，将增加到不合格大小。环孔115，放置在与内部腔室壁128距离适当距离的衬底110周围，满足良好的等离子体约束和低流动阻力的要求。
图2A示出了具有环形等离子体约束环115的处理腔室的实施方式的示意性视图。环孔115可由导电材料制成，诸如碳化硅(SiC)或铝(Al)。环孔115围绕晶圆110。环孔115耦接到接地腔体127并通过电介质(石英)环120与衬底支架105典型分离，其防止导电环孔115与衬底110和导电网格层5515接触，从而防止消除偏置功率的影响。在一个实施方式中，电介质环120的最低点位于导电网格层5515的最低点下面。在一个实施方式中，环孔115的顶表面在与衬底110大约相同的表面处以允许衬底被放置在衬底支架105上的适当位置并最小化流动再循环。电介质环120的顶表面可在与衬底110的顶表面和环孔115的顶表面一样的高度处，如在图2A的实施方式中示出。在又一实施方式中，电介质环120的顶表面还稍微低于衬底110的顶表面和环孔115的顶表面，如在图2B中的另一实施方式中示出。在图2B中示出的实施方式中，等离子体约束环孔115放置在电介质环120的顶上。
环孔115与内部腔室壁128隔开间隙宽度117。选择环孔115的顶部分的厚度119以最优化低流动阻力。环孔115的顶部分的厚度119不应该过厚，原因在于流动阻力将随着逐渐增加的厚度119而增加。在一个实施方式中，厚度119在约1/8英寸到约1/4英寸之间的范围内。环孔115的角落118用于提供环孔机械强度，原因在于具有厚度119的顶部分受限于其厚度和机械强度。也可以使用除了能提供机械强度的角落118之外的结构。
对于环孔设计和槽形环设计，通过使用各种模拟比较，已经分析了间隙宽度117对等离子体约束和腔室压力、腔室等离子体密度和压力的影响。对于腔室压力模拟，使用发过ESI基团的计算流体力学(CFD)软件CFD-ACE+。CFD-ACE+是通用的，用于宽范围的物理学科的偏微分方程(PDE)解算机包括：流量、热传递、应力/变形、化学动力学、电化学等。软件在多维(0D到3D)中解决这些计算，稳定并短暂形成。CFD-ACE+用于复杂多物理学和多学科应用。为了目前的研究，使用软件的“流动”模型。通过使用CFD-ACE+模拟器的“流动”模型的压力模拟与实验结果匹配地相当好。表1示出了在图1A中扫描的具有图1B的槽形等离子体约束环50的类型的反应器的模拟和实验结果的比较。在表1中，泵压力指图1A的泵111的压力设定值。腔室内部半径为27cm且晶圆110与顶电极125的下表面之间的距离为3.2cm。在距离晶圆中心和晶圆正上方6.8cm处收集腔室压力数据。在槽形约束环正下面收集下环压力数据。结果示出模拟和实验结果之间的良好匹配。结果还示出槽形约束环具有相对高的流动阻力并显著增加翻译腔室内部的压力高于压力设定值。
| 气流(sccm) | “设定”泵压力(mTorr) | 所测腔室压力(mTorr) | 模拟的腔室压力(mTorr) | 所测环下压力(mTorr) | 模拟的环下压力(mTorr) |
| 2000 | 40 | 55.6 | 58.8 | 40.2 | 43.5 |
| 900 | 10 | 21.5 | 25.0 | 11.6 | 14.5 |
| 900 | 40 | 46.5 | 49.3 | 40.2 | 41.6 |
表1实验和模拟腔室压力以及环下压力比较。
腔室等离子体密度模拟使用混合等离子体设备模型(HPEM)，由Illinois的Urbana的Urbana-Champaign的Illinois的大学的电工和计算机工程学院开发。HPEM是用于低压(＜10’s Torr)的广泛建模平台。关于通过该模拟器的等离子体密度模拟的具体内容将在1997年卷82(6)的Journal of AppliedPhysics中第2805-2813页出版的题目为“Argon Metastable Densities In RadioFrequency Ar，Ar/O2 and Ar/CF4 Electrical Discharges”的论文中发现。等离子体模拟器广泛应用于半导体设备厂中。我们的实验示出通过HPEM的工艺参数变化的等离子体模拟与工艺结果匹配的相当好。
在一个实施方式中，图2A的环孔115包括从0.5英寸到3英寸的间隙宽度117。所使用的示例性工艺条件是与之前所述的接触蚀刻和深沟道蚀刻类似的之一。使用1500sccm的高气流速度。在一个实施方式中，工艺气体仅包括O2，除了包括其它类型的工艺气体外，诸如C4F6和氩(Ar)，以简化模拟。为了比较等离子体约束的程度与间隙宽度117函数关系的等离子体约束研究，在模拟中仅使用O2气体可提供对气体距离117对等离子体约束的影响。所模拟的顶电极功率(或源功率)为1.85KW以及气体温度为80℃。总源功率为1.85KW。顶电极电压(或源电压)Vs通常在约100至约200伏特之间。在模拟中使用175伏特的Vs。衬底(或晶圆)的半径为15cm(或6英寸)且顶电极到衬底之间的间隔为3.2cm(或1.25英寸)。内部腔室壁128的半径为27cm(或10.6英寸)。电介质环120的宽度为2.2cm(或0.87英寸)且所模拟的环形等离子体约束环115的宽度在8.5cm(或3.3英寸)到2.2cm(或0.9英寸)之间变化。所模拟的具有内部腔室壁128的环形约束环115之间的间隔在1.3cm(或0.5英寸)到7.6cm(或3.0英寸)之间变化。
图2C示出了具有在图2A中描述的环孔115的在图1A中所述的等离子体腔室等离子体模拟结果。在低压等离子体腔室中，压力和等离子体密度在整个腔室表面上不完全均匀。压力通常在晶圆中心附近较高，在晶圆边缘附近较低，并且在泵处达到泵压力设定点。在图2C中的压力数据是在腔室壁与晶圆顶表平面的交叉处，或者在图2A中的位置“P”处的压力。为了量化约束级别的程度，等离子体密度比率限定为在管道116下面的最大等离子体密度的比率，其中管道沿着环孔115的顶部分右下方延伸，至工艺腔室中的最大等离子体密度，其在晶圆表面和顶铝电极125之间的体积中发生。较低的等离子体密度比率、较好的等离子体约束环将在约束等离子体中执行。
在图2C中的虚线301示出了槽形约束环设计的35.3mTorr腔室压力。在图2C中的虚线302示出由槽形约束环设计获得的0.004等离子体密度比率。35.3mTorr腔室压力和0.004等离子体密度比率都由模拟结果获得。由于槽形环设计不改变间隙宽度117，所以虚线301和302是水平线。曲线311示出腔室压力与间隙宽度117的函数关系，而曲线312示出等离子体密度比率与间隙宽度117的函数关系。对于在0.5英寸间隙宽度处的环孔设计，发现腔室压力为35.8mTorr，其高于槽形约束环设计，并且等离子体密度比率为0.00013，其低于槽形约束环设计。尽管较低的等离子体密度比率是需要的，但是不需要较高的腔室压力。当间隙宽度117增加到1英寸时，腔室压力降低到27.9mTorr，其低于槽形环设计并低于前端工艺的＜30mTorr的低压需求，并且等离子体密度比率为0.002，其仍然低于槽形环设计。随着间隙宽度117增加超过1.5英寸，在逐渐降低的腔室压力中的较高间隙宽度117的影响降低，然而，等离子体密度比率持续增加。
图2示出了具有在图1B中的槽形等离子体约束环50的在图1A中描述的反应器和具有在图2A中描述的环形等离子体约束环115的反应器的模拟结果比较。在环孔和腔室壁128之间的间隙距离为1英寸。在表2中，泵压力指图1A的泵111的压力设定值。腔室内部半径为27cm且晶圆110与顶电极125的下表面之间的距离为3.2cm。腔室压力数据在距离晶圆中心和晶圆正上方6.8cm处收集。环下压力数据在槽形约束环或环孔的正下面收集。结果示出对于槽形等离子体约束环，腔室压力高于环形等离子体约束环。另外，对于槽形环(ΔP＝15.3mTorr)，腔室和约束环下面之间的压差高于环孔(ΔP＝9.4mTorr)。
| 气流(sccm) | “设定”泵压力(mTorr) | 腔室压力(mTorr)槽形环 | 腔室压力(mTorr)环孔 | 环下压力(mTorr)槽形环 | 环下压力(mTorr)环孔 |
| 2000 | 40 | 58.8 | 54.1 | 43.5 | 44.7 |
表2距离腔室壁为1英寸检测的槽形约束环和环孔的模拟腔室压力和环下压力的比较。
图2D示出了当间隙宽度117为0.5英寸时工艺腔室中的等离子体密度的模拟结果，其中等离子体密度比率为0.00013。水平轴对应于距离工艺腔室中心的距离，而Z-轴对应于从衬底支架105的顶表面下3.9cm的距离。结果示出等离子体在衬底上方的区域内部相对受限。腔室压力为35.8mTorr，其高于＜30mTorr的工艺标准。图2E示出了当间隙宽度117为3英寸时在工艺腔室中等离子体密度的模拟结果，其中等离子体密度比率为0.12。该结果示出在反应器下游存在重大等离子体损失。
在图2C中的模拟结果示出随着间隙宽度117增加，对流动的阻力降低，因此晶圆压力降低。同时，随着间隙宽度117增加，更多的等离子体穿过约束环下游，因此，等离子体密度比率增加。为了保持腔室压力＜30mTorr，根据图2C中的模拟结果，间隙宽度117应该等于或大于约0.8英寸。然而，间隙宽度117不能过大，原因在于大的间隙宽度117导致下游较高的等离子体损失。如之前所述，随着间隙宽度117增加超过1.5英寸，较宽间隙宽度117在降低腔室压力中的影响不显著；然而，等离子体密度比率持续增加。等离子体密度比率在1.5英寸的间隙宽度117为0.023，其相当低。因此，间隙宽度117应该保持在1.5英寸下。
等离子体径向分布的磁控制：
在一个实施方式中，等离子体离子密度的径向分布由磁导向控制，以增强径向等离子体离子密度分布的均匀性并且，等效地，增强整个晶圆或工件上蚀刻速度径向分布的均匀性。为此，在图1A中描述的内部和外部线圈60、65放置在反应器顶电极125上方。(该等离子体离子径向分布的控制的实施例可在授权给本专利权人的美国专利No.6,853,141中发现，在此引入其全部内容作为参考)。每个线圈60、65分别由独立的直流(D.C.)供应70、75驱动。这两个D.C.供应70、75由等离子体分布/导向控制器90控制。该控制器可程序化以驱动每一个或同时驱动两个供应70、75，利用相同或相反极性的D.C.电流。采用该控制器90以纠正等离子体离子密度的径向分布，从而改进其均匀性。
在图1A中示出的两个线圈60、65的设置，其中内部线圈60比外部线圈65较高地放置在顶部125上方，提供特定的优点。特别地，由每一个线圈提供的磁场梯度的径向成分是，至少大略地，与线圈的半径成正比并且与距离线圈的轴向位移成反比。因此，内部和外部线圈60、65将其不同的作用，原因在于它们的不同磁场和位移。外部线圈65将在晶圆110的整个表面上起主导作用，原因在于其较大的半径且较接近于晶圆110，而内部线圈60将在晶圆中心附近具有最大的影响并且可认为是精细调整或磁场造型的微调线圈。其它配置也可能通过具有不同半径且放置在距离等离子体的不同位移处的不同线圈实现这该不同控制。如将在以下说明书中参照特定的构件实施例所述，不仅通过选择在各个顶线圈(60、65)中流动的电流的不同量，而且通过选择不同顶线圈的电流的不同极性或方向，而获得对周围电流图离子密度的不同变化。
图3A示出了在图1A的反应器中由内部线圈60所产生的磁场的径向(实线)和方位角(虚线)组分与晶圆110上径向位置的函数关系。图3B示出了通过外部线圈65所产生的磁场的径向(实线)和方位角(虚线)组分与晶圆110上径向位置的函数关系。在图3A和图3B中示出的数据在执行中获得，其中晶圆为300mm直径，内部线圈60为12英寸直径且放置在等离子体上方大约10英寸处以及外部线圈65为22英寸直径且放置在等离子体上方大约6英寸处。图3C是通过内部和外部顶线圈60、65产生的半尖(half-cusp)形磁场线图案的简视图。
在一个实施方式中，提供图1A的控制器90以改变供应到各个线圈60、65的电流，以调整在晶圆表面处的磁场，并从而改变等离子体离子密度的空间分布。在以下的实施例中，直接测量整个具有表面上的蚀刻速度空间分布而不是等离子体离子分布。蚀刻速度分布随着等离子体离子分布的变化而直接改变并因此通过其它中的变化反射其中一个中的变化。
图4A、图4B、图4C和图4D示出了在低腔室压力(30mT)下使用内部线圈60实现的有益效果。图4A示出了所测蚀刻速度(垂直轴)与晶圆110表面上的位置(水平轴)的函数关系。图4A从而示出了在晶圆表面平面中蚀刻速度的空间分布。在图4A中清晰地看到中心高非均匀性蚀刻速度分布。图4A对应于其中没有施加磁场的情形，并因此示出了反应器中固有且需要纠正的非均匀蚀刻速度分布。蚀刻速度在该情形下具有5.7％的标准差。在图4A-4D和图5A-5D的以下描述中，所提到的磁场强度对应于晶圆中心附近的轴向场，尽管将理解径向场为对等离子体离子密度的径向分布其作用以改善均匀性的磁场。在本说明书中选择轴向场，原因在于其更便于测量。在晶圆边缘的径向场通常为在该位置处轴向场的大约三分之一。
图4B示出了当激发内部线圈60以产生9高斯的磁场时蚀刻速度分布怎样变化。非均匀性降低至4.7％的标准差。
图4C中，内部线圈60的磁场已经增加至18高斯，并且可以看到中心的峰已经显著减少，结果整个晶圆上的蚀刻速度标准差降低至2.1％。
在图4A中，内部线圈60的磁场已经进一步降增加至27高斯，从而图4A的中心高图案几乎反转至中心低图案。在图4D的情形下，整个晶圆表面上的蚀刻速度标准差为5.0％。
图5A、图5B、图5C和图5D示出了在较高腔室压力(200mT)下两个线圈60、65都使用的有益效果。图5A对应于图4A并描述了磁场为修正的反应器中心高蚀刻速度非均匀性。在该情形下，整个晶圆表面上的蚀刻速度标准差为5.2％。
在图5B中，已经激发外部线圈65以产生22高斯磁场，其稍微降低蚀刻速度分布中的中心峰。在该情形下，蚀刻速度标准差已经降低至3.5％。
在图5C中，激发两个线圈60、65以产生24高斯磁场。在图5C中看出的结果为蚀刻速度分布中的中心峰已经显著降低，而***附近的蚀刻速度增加。总效应为具有3.2％低标准差的更均匀蚀刻速度分布。
在图5D中，激发两个线圈以产生40高斯磁场，产生过修正，从而整个晶圆表面上的是蚀刻速度分布已经转换至中心低边缘高的分布。在后面情形中的蚀刻速度标准差已经稍微升高(相对于图5C的情形)至3.5％。
将在图4A-4D的低压测试中获得结果与图5A-5D的高压测试获得结果相比，可以看出较高的腔室压力非常高的磁场以实现与蚀刻速度非均匀性分布的类似修正。例如，在30mT，仅使用在18高斯线圈60获得优化修正，而在300mT，需要使用两个线圈60、65的24高斯磁场实现优化修正。
通过激活两个线圈60、65的其中一个或两个，等离子体分布的磁控制或等离子体均匀性的磁增强可使等离子体离子密度在晶圆或工件的***或边缘处增加。例如，对于中心高分布的等离子体离子密度(或者，等效地，中心高分布的蚀刻速度)，磁控制能通过降低晶圆中心的等离子体离子密度而改进总均匀性。然而，该均匀性中的改进受限，原因在于由于磁性等离子体分布控制以产生边缘高等离子体分布的趋势，等离子体离子密度在晶圆边缘处增加。根据本发明的一个方案，提供在图6A中并还在图1A中描述的导电挡板450。导电挡板450设置在晶圆110平面下。导电挡板450配置以改进整个工件上的等离子体均匀性和/或提供等离子体约束。在图6A的反应器中，平面下挡板450替代图2A的环孔115。挡板450可由导电(或半导电)材料形成，一个实施例使用阳极化铝，或可选地，例如碳化硅，尽管该放置不约束于任何特定材料。挡板450接地以底座105的导电底5505。我们发现通过在晶圆平面下放置挡板450，由供应到顶电极125的VHF源功率产生的磁场在晶圆***附近降低。结果为等离子体离子密度在晶圆***区域中降低。优点在于由线圈60、65实施的磁控制或等离子体导向，其会在晶圆***处不期望地增加等离子体离子密度，这种趋势通过平面下挡板450的***离子密度降低而偏移或得到补偿。挡板450在晶圆平面下降低至足够距离以适当地补偿磁性等离子体导向的边缘高趋势。这将在以下更详细地解释。
图6B描述了多层450的可选方案，其中在内部和外部半径之间的环形挡板450的中间部分升高至或者稍微高于晶圆平面上方，图6B的挡板450的残留部分位于晶圆平面下。图6C描述了图6B的实施方式的三角形方案。在图6A、图6B和图6C中，以上所述的确定环115边缘与侧壁之间距离117相同的方式，确定挡板450的***边缘和腔室侧壁之间的距离。在图7中示出了在图1A的反应器中安装的多层450的平面视图。
本发明的实施方式进一步包括降低或消除可能与在泵111输入处的单一抽吸口111a有关的整个晶圆上的不对称气流图案。最接近111a的晶圆边缘上的气流较快，而最远离口111a的晶圆边缘部分上的气流较慢，并且该差别可能引起整个晶圆110上蚀刻速度分布的进一步不均匀。在一个实施方式中，提供环形气流均衡器460。提供放置在抽吸环内的环形气流均衡器460以消除或降低不均匀性。参照图8，均衡器460具有偏心状以形成偏心环形开口462，其内部半径为阴极105且径向外部约束由均衡器的偏心内部边缘460a确定。开口462在与抽吸口111a相对的阴极105一侧上具有最大面积且在最临近口111a处具有最小面积。开口462的离心率导致气流阻力，其分布类似于存在与没有均衡器460的不对称气流相对的镜子。因此，在整个晶圆上的气流在晶圆110的整个***周围是均匀的。在一个方案中，流动均衡器460由导电材料诸如阳极化铝形成。
在一个实施方式中，均衡器460由从阴极105延伸的多个(例如，三个)拉长径向支柱464支撑。均衡器460支撑从均衡器460的边缘向上延伸的垂直壁466。在图6A中，选择在挡板450的边缘和垂直壁466之间的水平距离A以及挡板450与均衡器460之间的距离B可以选择仅利用到抽吸口111气流的可忽略阻力。选择挡板450降到晶圆平面下的距离C以补偿磁性等离子体导向控制以提高晶圆边缘局部等离子体密度的趋势。在一个方案中，支柱464是导电的，并且导电流动均衡器460通过支柱464电耦合至底座105的接地导电底5505。
图9A描述了以随半径恒定增加的速度降低的中心高蚀刻速度分布。图9B是描述磁导向装置60、65对改进(修正)等离子体离子密度分布均匀性的效应的视图。通过线圈60、65的磁导向迫使等离子体分布变得接***坦(均匀)，仅在晶圆径向边缘处具有稍微向上的偏差，如在图9B中所述。该偏差较小(约1％)并因此是可接受的。典型反应器诸如图1A的反应器的未修正等离子体离子密度分布并不像图9A所示的那样理想。
图10A描述了在晶圆110的平面中具有等离子体约束环115的图2A的反应器中实际相遇的中心高蚀刻速度分布类型。环115降低晶圆***附近的等离子体空间并从而增加晶圆***处的等离子体离子密度。在图10A的所产生的未修正蚀刻速度分布并不在晶圆***处以恒定增加的速度降低，但是替代地在晶圆***处具有几乎水平的区域D。在通过磁导向线圈60、65修正时，总分布(图10B)更加均匀，而蚀刻速度分布呈现在晶圆***处显著增加(例如，5％或10％)，如在图10B的图中所示，由于当修正中心高分布时磁导向以增加晶圆***处等离子体密度的趋势。该升高，或边缘高等离子体离子密度分布趋势，为不期望的且限制了磁导向可实现的最大均匀性。在由图6A的晶圆平面下挡板450替代环孔115时，未修正的蚀刻速度分布具有随半径降低的几乎恒定速度，即使在晶圆***外，如在图11A的图中所示。当通过激活磁导向线圈60、65而修正分布时，在晶圆***处蚀刻速度分布中由非常小的增加，如在图11B中所示。改进了可由等离子体的磁导向实现的总均匀性。
在一个实施方式中，确定挡板450降到晶圆平面下的距离C(图6A)。图12是示出对于挡板450的三个不同高度整个晶圆上蚀刻速度的径向分布的图。长虚线描述了使用图2A的环115的蚀刻速度分布，其在晶圆110的平面上。虚线分布类似与图10A的分布。短虚线描述了使用降到晶圆110的平面下约0.5英寸的挡板450的蚀刻速度分布。该情形表示蚀刻速度随半径降低的更均匀速度。实线描述了蚀刻速度分布，其中挡板450降到晶圆110平面下一英寸。后者情形显示出在晶圆***处最大的蚀刻速度降低并最接近于图9A的理想情形或图11A的最佳实施情形。前述的比较示出将挡板450降到晶圆平面下约1英寸提供较好结果。挡板的优化水平取决于通过线圈60和/或65施加的磁导向或径向分布修正的量，其反过来取决于未修正的等离子体离子密度径向分布。这些对于每个工艺都有变化，从而对于不同的工艺，挡板的优化估计可不同。因此，在另一方案中，多层450的高度相对于晶圆110的平面可通过在图6A中示意性示出的升降机构470调整。
等离子体的阻力约束：
在一个实施方式中，通过采用阻力约束实现等离子体的径向约束，其包括降低顶电极电压以降低顶电极125和腔室壁128之间的电压降。通常，VHF功率源主要通过顶电极125在VHF源电压Vs处供应。在实施阻力约束中，顶电极电压降低至源电压的分数f，即fVs，其中f是小于1的数。将阴极的电压改变为-(1-f)Vs的互补电压，从而电极到阴极到电压保持为的Vs总源功率电压，使得等离子体离子密度不折衷。(其将记得在处理期间阴极包含衬底支架105和晶圆110。当在处理期间腔室中不存在晶圆110时，衬底支架105形成阴极。)从而，顶电极125和阴极之间的电压差保持为VHF源电压，Vs，但是在顶电极125和接地腔室壁128之间的电压差有利地降至fVs。在顶电极125和接地腔室侧壁128之间的电压差中的该降低侧壁128附近所产生的等离子体量并从而降低在晶圆***处所产生的等离子体量。在较低顶电极电压fVs处供应源功率且在负性期保持阴极远离在-(1-f)Vs的顶电极的方式是通过调整与顶电极125、阴极(即，具有晶圆110的底座105的组合)和侧壁128相关的腔室组件的阻抗。
在一个实施方式中，调整腔室组件的阻抗以分别实现前述fVs和-(1-f)Vs的阳极和阴极电压，如下所述。图13A示出了顶电极125(或源)和接地阴极(在衬底处理期间具有晶圆110的衬底支架105)的相对电压值。图13B示出了顶电极125和接地腔室壁128的相对电压值。图13A的水平轴表示顶电极125和阴极之间的间隔。图13B中的水平轴表示顶电极125和接地腔室壁128之间的间隔。没有按比例绘制水平轴的距离。顶电极在+Vs和-Vs之间的源功率VHF处振荡，而阴极和腔室壁保持在0(接地)。主等离子体具有高于顶电极Vo的电压，其中Vo远小于Vs。曲线401表示顶电极125和阴极之间的电压，其通过衬底处理期间当顶电极电压在Vs时衬底之间105和晶圆110形成。当顶电极电压在+Vs时，顶电极125和阴极之间的电压差411等于Vs。虚线402表示当源电压为-Vs时源和阴极之间的电压差。当顶电极电压在-Vs时，顶电极125和阴极之间的电压差412等于-Vs。
与图13B类似，曲线403表示当顶电极为在+Vs时源和腔室壁之间的电压。当顶电极电压在+Vs时，顶电极125和腔室壁128之间的电压差413等于Vs。虚线404表示当源电压为-Vs时顶电极125和腔室壁128之间的电压。当顶电极电压在-Vs时，顶电极125和腔室壁128之间的电压差414等于-Vs。
通过调谐衬底支架105的阻抗和电介质密封130的阻抗，根据以下所述的方式，供应到顶电极的源电压可降低至总源电压的分数，诸如一半(Vs/2)，而阴极电压保持在顶电极的负性期以弥补差别，诸如-Vs/2。实质上，分别独立地调整以阳极电极125和阴极的接地电容以分在在阳极125和阴极上的VHF电压之间引入180度相移。从而修正的阴极接地电容允许阴极电压在与阳极电极125相反的相中在VHF频率处振荡。电流图离子密度不折衷，从而工艺不变化，原因在于在源和阴极之间的总电压差在VHF源电压的每个半周期峰处保持为Vs和-Vs。图13C示出了沿着顶电极125和阴极之间的间隔的电压。顶电极电压在+Vs/2和-Vs/2之间振荡，而阴极电压相应地在-Vs/2和+Vs/2之间振荡。曲线405表示当顶电极电压为+Vs/2时，电极和阴极之间沿着轴的电压。当顶电极125电压为+Vs/2时，顶电极125和阴极105、110之间的电压差415等于Vs。虚线406表示当源电压为-Vs/2时，在顶电极125和阴极之间沿着轴的电压。当源电压为-Vs/2时，顶电极125和阴极之间的电压差416等于-Vs。
在图13D中，曲线407表示当顶电极电压为+Vs/2时顶电极125和接地腔室壁128之间的电压。当顶电极电压为+Vs/2时，顶电极和腔室壁(接地)之间的电压差417等于Vs/2。虚线408表示当顶电极电压为-Vs/2时顶电极和腔室壁之间的电压。当顶电极电压为-Vs/2时，顶电极和腔室壁之间的电压差418等于-Vs/2。如将在以下解释的，通过调整接地阳极电极125的阻抗(电容)以及调整接地阴极阴极的阻抗(电容)而得到这些结果，从而得到分数f的期望值。在前述实施例中，f为二分之一，其中在该情形下顶电极125和腔室壁128之间的电压差降低至源功率电压Vs的一半。由于顶电极和阴极之间的电压差(Vs)大于顶电极和腔室壁之间的电压差(Vs/2)，所以在侧壁附近产生较少的等离子体，并因此等离子体更多地约束于顶电极125和阴极之间的区域中并远离腔室侧壁128。
另外，通过将阳极到壁电压差降低分数到f(例如，二分之一)，可能由于无约束等离子体降低到f2(例如，1/4)而损失功率量。以下的公式1表示当顶电极电压为Vs时P(功率)与顶电极到腔室壁之间的电压差之间的关系：
P～(Vs)2＝Vs 2 (1)
以下的公式2表示当顶电极电压仅为Vs/2时P(功率)与顶电极到腔室壁之间的电压差之间的关系：
P～(Vs/2)2＝Vs 2/4 (2)
通过将顶电极电压减少到1/2，不能到腔室壁的有效功率减少到1/4。
通过功率比率f减少顶电极电压，并在负性期供应压差(1-fVs)到阴极105、110，而减少在接地侧壁128处存在的等离子体量，从而改进等离子体约束。在本说明书中将该等离子体约束的方法看作为阻抗约束。用于以上讨论的总源电压的分数为1/2；然而，其它分数值也可以被使用并也能改进等离子体约束。在顶电极供应的源电压的分数还可以限定为“电压比率”。图14A是1、0.75、0.5和0.25的电压比率的等离子体密度模拟结果图。在模拟工艺的泵出口处的压力为10mTorr，以及总源功率为1.85kW。在环形约束孔115和模拟的腔室壁之间的间隔为1.5英寸(或3.8cm)。情形501示出随着电压比率从1降低，等离子体密度比率也降低。当电压比率为0.5时0.001的等离子体密度比率最低。然而，当电压比率为0.25时0.003的等离子体密度比率和当电压比率为0.75时0.008的等离子体密度比率都低于当电压比率为1时的等离子体密度比率。
图14B示出了当电压比率为1时(或在顶电极处源电压完全供应)在工艺腔室中0.023的等离子体密度的模拟结果。模拟结果示出大部分等离子体量在衬底上方的区域外。图14C示出当电压比率降低至0.5时的模拟结果。该结果示出等离子体大部分约束在衬底表面上方的区域附近。返回参照图2B，具有1.5英寸间隙宽度腔室中的压力可以维持在大约26.2mTorr，其低于目标30mTorr。根据图14A，为了实现与绘制的约束孔相同的等离子体约束结果，其实现0.004的等离子体密度比率，电压比率可在约0.2至约0.6之间操作。然而，当等离子体密度比率为≤0.01时，等离子体约束考虑为非常合理。因此，根据图14A的模拟结果，电压比率可在大约0.1到大约0.75之间。
环形约束孔和阻抗约束的结合使用达到良好的等离子体约束和对于具有宽工艺窗口的前端工艺期望的较低腔室压力。环孔间隙宽度117可在约0.8英寸到约1.5英寸之间，以及阻抗约束的电压比率可在约0.1至约0.75之间以及优选为在约0.2到约0.6之间。
除了等离子体约束改进之外，降低电压比率也降低了工艺区域外部的功率损失。图14A示出了当电压比率为在1时工艺腔室中的能量沉积的模拟结果，其定义为每体积的功率或功率密度。该结果示出工艺区域外部的大量能量沉积，其中工艺区域在衬底表面上方或在距离反应器中心15cm的区域中。相反，图14E示出了当电压比率为0.5时工艺腔室的能量沉积。与图14D相比，工艺区域外部的能量损失较大程度的减少。
图15是示出图1A或图6的阻抗成分的简要示意图，示出了顶电极125，其具有Z1的接地阻抗。电极125连接到电介质密封130，其与电容器相似的作用并具有Z6的接地阻抗。
阴极通过衬底支架105形成，该衬底支架105具有电介质层5520和5510，并且在衬底处理期间与晶圆110一起形成阴极，以及阴极具有Z5的接地阻抗。如果在处理期间不存在具有110，则仅有衬底支架105用作阴极。除了顶电极125阻抗Z1和阴极阻抗Z5外，主等离子体还具有阻抗Z3。此外，存在阳极等离子体鞘，其通过串联在电极阻抗Z1和体等离子体阻抗Z3之间的具有阻抗Z2的等效电容器表示。另外，阴极等离子体鞘通过串联在体等离子体阻抗Z3和阴极阻抗Z5之间的具有阻抗Z4的等效电容器表示。
公式1示出了阻抗(Z)、电阻(R)和电容容抗(Xc)之间的关系。公式1中的“j”为虚数。
Z＝R-jXc (1)
公式2表示电容容抗(Xc)和电容C之间的关系。
Xc＝1/(2πfC) (2)
其中f为源功率的频率以及C为电容。
图15是等效电路的简要示意图，其中顶电极125、阳极等离子体鞘、等离子体、阴极等离子体鞘和阴极串联，并且这些阻抗组分与电介质串130平行。公式3表示总阻抗，Ztotal。
Ztotal＝Z1+1/(1/(Z2+Z3+Z4+Z5)+1/Z6) (3)
由于顶电极通常由导电材料形成，所以其阻抗Z1主要由顶电极的电阻组成。Z2、Z3、和Z4受等离子体影响。然而，然而，阻抗Z5和Z6可以通过改变衬底支架105和电介质密封130的厚度和电介质层的介电常数调整。阴极阻抗的幅度受阴极电容影响。可调整Z5和Z6以允许在传统源电压的分数fVs处供应顶电极125，并允许保持阴极在从顶电极的负性期电压处，-(1-f)Vs。调整阴极阻抗Z5和阳极阻抗Z6以在阳极125和阴极105/110处的VHF电压之间引起所需相移，从而实现所需分数，f。可通过例如选择介电常数和绝缘环130的厚度进行阳极阻抗的选择或调整。可通过例如选择介电常数和绝缘层5510的厚度进行阴极阻抗的选择或调整。在前述实施例中，f＝0.5并所需相移大约为180度。该情形在高度简要示意性图图16中进行了概念性描述，其中可调阳极和阴极阻抗Z5和Z6分别模拟为电极125和阴极105的接地电容，电容器Z5、Z6在中心锥(tap)点480处接地。通过两个电容器Z5和Z6的不同阻抗确定分数f，其通过熟练工人适当选择以实现根据前述新技术的所需分数值f。
等离子体约束孔115的存在诸如在图2A中所述的可降低前述阻抗约束方法实际上约束等离子体远离腔室侧壁128的能力。这是因为晶圆平面约束孔115的存在实际上促进***和侧壁128附近等离子体离子密度。
可通过由图2A的晶圆平面约束孔115替代图6的晶圆平面下等离子体约束挡板450而实施图13-图16的阻抗约束方法的实施方式。挡板450降低到晶圆110平面下的程度通过图13-图16的阻抗约束方法增强了对远离侧壁128的等离子体的约束。因此，在本发明的一个方案中，晶圆平面下的挡板与图13-图16的阻抗约束结合。在图17中描述了该方案，其中方法根据阻抗约束技术首先通过调整阳极接地阻抗Z6(方块1701)以及调整阴极接地阻抗Z5(方块1702)实施以实现用于阳极电压降低和在VHF源功率频率处以及电压相移的所需分数f。该方法进一步包括通过阻抗约束技术，设置挡板450至低于晶圆平面(方块1703)足够量高度处，以通过挡板450避免或至少减少对来自侧壁128的等离子体的所需约束的抵抗。在图1A的反应器的实施例中，该距离与约一英寸的类似。
虽然前述针对本发明的实施方式，但是在不脱离本发明的基本范围的下，也承认本发明的其它和进一步的实施方式，并且本发明的范围由以下的权利要求书确定。
Claims (40)
1、一种等离子体反应器，包含：
腔室，其包含腔室侧壁、顶部和底部；
在所述腔室内的工件支撑底座，该工件支撑底座具有工件支撑表面和底座侧壁，所述底座侧壁面向所述腔室侧壁，并从所述腔室底部延伸，并且限定所述腔室侧壁和所述底座侧壁之间的抽吸环；
在所述腔室底部中的抽吸口；
环形等离子体约束挡板，其从所述底座侧壁延伸并具有外部边缘，该外部边缘限定所述外部边缘和所述腔室侧壁之间的气流间隙，所述挡板包括导电或半导电的表面，该表面围绕所述底座侧壁并且从所述底座侧壁延伸至所述外部边缘并暴露于所述顶部，所述挡板降低到所述工件支撑表面下一段距离，所述距离对应于在所述工件支撑底座的***处降低的等离子体离子密度；以及
气流均衡器，其包含在所述挡板下面并阻抗气流通过所述抽吸环的阻挡板，所述阻挡板限定在所述抽吸口附近一侧的最小气流传导和在所述抽吸口相对一侧上最大气体传导的所述晶圆支撑底座周围的偏心开口，所述阻挡板与所述挡板隔开以限定在该阻挡板与挡板之间的足够长的间隙，从而引起最小气流阻力。
2、根据权利要求1所述的反应器，其特征在于，所述气流均衡器进一步包含从所述阻挡板的外部边缘朝向所述挡板延伸的轴向壁，所述壁导引气流到所述偏心开口。
3、根据权利要求1所述的反应器，其特征在于，所述挡板和所述腔室侧壁之间的所述气流间隙足够小以防止或降低等离子体流到所述抽吸环。
4、根据权利要求1所述的反应器，其特征在于，所述挡板由导电材料形成。
5、根据权利要求1所述的反应器，其特征在于，所述挡板由阳极化铝形成。
6、根据权利要求1所述的反应器，其特征在于，所述挡板由碳化硅形成。
7、根据权利要求1所述的反应器，其特征在于，进一步包含磁性等离子体导向装置，所述磁性等离子体导向装置呈现边缘高等离子体离子密度分布偏置。
8、根据权利要求7所述的反应器，其特征在于，所述挡板降到所述工件支撑平面下的所述距离足以将所述底座边缘处等离子体密度降低至补偿所述磁性导向装置的所述边缘高等离子体离子密度偏置。
9、根据权利要求7所述的反应器，其特征在于，所述磁性等离子体导向装置包含：
内部线圈和外部线圈，所述内部线圈和外部线圈覆盖所述顶部并彼此同心；
耦接到各个所述内部线圈和外部线圈的各个直流供应；
控制器，其管理来自所述直流供应的电流大小和极性。
10、根据权利要求9所述的反应器，其特征在于，所述控制器程序化以控制所述直流供应，从而改进所述等离子体离子密度的径向分布的均匀性。
11、一种等离子体反应器，包含：
腔室，包含腔室侧壁、顶部和底部；
在所述腔室内的工件支撑底座，该工件支撑底座具有工件支撑表面和底座侧壁，所述底座侧壁面向所述腔室侧壁，并从所述腔室底部延伸，并且限定所述腔室侧壁和所述底座侧壁之间的抽吸环；
用于限制等离子体流到抽吸环和减少在所述工件支撑底座***的等离子体密度的工具；
用于提供相对于所述工件支撑表面气体的对称流动并补偿所述抽吸环的不对称配置的工具。
12、根据权利要求11所述的反应器，其特征在于，所述用于限制等离子体流到所述抽吸环的工具包含环形挡板，所述环形挡板包括导电或半导电的表面，该表面围绕所述底座侧壁并且从所述底座侧壁延伸至所述外部边缘并暴露于所述顶部，其中在所述挡板和所述腔室侧壁之间设置气流间隙，该气流间隙足够小以防止或降低等离子体流到所述抽吸环。
13、根据权利要求12所述的反应器，其特征在于，所述挡板由导电材料形成。
14、根据权利要求12所述的反应器，其特征在于，所述挡板由以下其中之一形成：(a)阳极化铝，(b)碳化硅。
15、根据权利要求12所述的反应器，其特征在于，进一步包含磁性等离子体导向装置，所述磁性导向装置呈现边缘高等离子体离子密度偏置。
16、根据权利要求15所述的反应器，其特征在于，所述挡板降到所述表面下的距离足以将所述底座边缘处等离子体密度降低至补偿所述磁性导向装置的所述边缘高等离子体离子密度偏置。
17、根据权利要求16所述的反应器，其特征在于，所述磁性等离子体导向装置包含：
内部线圈和外部线圈，所述内部线圈和外部线圈覆盖所述顶部并彼此同心；
耦接到各个所述内部线圈和外部线圈的各个直流供应；
控制器，其管理来自所述直流供应的电流大小和极性。
18、根据权利要求17所述的反应器，其特征在于，所述控制器程序化以控制所述直流供应，从而改进所述等离子体离子密度的径向分布的均匀性。
19、一种等离子体反应器，包含：
反应器腔室，包括侧壁和工件支撑底座，该工件支撑底座在所述腔室中具有支撑表面并且限定所述工件支撑底座与所述侧壁之间的抽吸环以及在所述抽吸环的底部处的抽吸口；
用于约束在轴向方向中通过所述抽吸环的气流的工具；
用于补偿由所述抽吸口的位移引起的所述底座上气流图案不对称的工具；以及
磁性等离子体分布控制装置，其具有边缘高等离子体分布趋势，所述用于约束气流的工具配置为降到所述工件支撑底座的所述支撑表面下。
20、根据权利要求19所述的反应器，其特征在于，所述用于约束气流的工具降至所述支撑表面下足以弥补所述磁性等离子体分布控制装置的所述边缘高等离子体分布趋势的距离。
21、一种在等离子体反应器腔室中处理工件的方法，该腔室包括顶部、底部和侧壁、在所述腔室内具有工件支撑表面的工件支撑底座、在所述底座和所述侧壁之间具有抽吸口的抽吸环、以及设置在所述底座和所述顶部之间的等离子体处理区域，所述方法包含：
限制所述腔室中的等离子体远离所述底部，所述限制包括提供具有导电或半导电的表面的环形挡板，所述导电或半导电的表面暴露于所述顶部并且从所述底座延伸到所述抽吸环并压缩通过所述抽吸环的气体和等离子体流；
补偿可归于所述抽吸口的气流不对称性，所述补偿包括在所述挡板下面提供气流均衡器并偏心分布围绕所述底座的气流开口；
修正所述底座上方的等离子体离子密度径向分布，所述修正包括提供对具有边缘高等离子体离子密度分布趋势的磁性等离子体导向场的控制；
将所述挡板放置在所述工件支撑表面下的一段距离处，所述距离提供边缘低等离子体离子密度分布趋势，其中所述低等离子体离子密度分布趋势是用于补偿所述磁性等离子体导向场的所述边缘高等离子体离子密度分布趋势。
22、根据权利要求21所述的方法，其特征在于，进一步包含：
限制所述腔室中的等离子体远离所述侧壁并提供阻抗约束条件，其中在该条件中所述侧壁具有分别在所述工件和所述顶部电极上的VHF电压之间的VHF电压。
23、根据权利要求22所述的方法，其特征在于，对于所述阻抗约束条件，所述挡板在所述工件支撑表面下的所述距离为足以降低在所述工件支撑底座上方或***附近的等离子体离子密度。
24、根据权利要求23所述的方法，其特征在于，所述提供阻抗约束条件包含分离地选择或调整：(a)所述顶部电极的接地电容，以及(b)所述工件支撑表面的接地电容。
25、根据权利要求24所述的方法，其特征在于，在所述侧壁上的所述VHF电压为零且在所述顶部电极与所述工件上的VHF电压属于不同相。
26、根据权利要求24所述的方法，其特征在于，在所述顶部电极和工件上的所述VHF电压属于相反相。
27、根据权利要求26所述的方法，其特征在于，在所述顶部电极上和所述工件上的所述VHF电压为来自所述供应的VHF电压的分数f和(1-f)，其中f是由所述顶部电极和所述晶圆支撑表面的接地电容确定的小于1的数。
28、根据权利要求23所述的方法，其特征在于，所述距离是1英寸。
29、根据权利要求21所述的方法，其特征在于，所述对磁性导向场的控制包含分离地控制覆盖所述顶部的内部线圈和覆盖所述顶部的外部线圈的每一个中直流电流的大小和方向。
30、根据权利要求21所述的方法，其特征在于，所述挡板包含由导电材料形成的环形圆盘，并且所述方法进一步包含将所述环形圆盘接地。
31、根据权利要求21所述的方法，其特征在于，所述气流均衡器包含导电板，并且所述方法进一步包含将所述导电板接地。
32、一种在等离子体反应器腔室中处理工件的方法，该腔室包括顶部、底部和侧壁、在所述腔室内具有工件支撑表面的工件支撑底座、在所述底座和所述侧壁之间具有抽吸口的抽吸环，以及设置在所述底座和所述顶部之间的等离子体处理区域，所述方法包含：
限制所述腔室中的等离子体远离所述底部，所述限制包括提供具有导电或半导电的表面的环形挡板，所述导电或半导电的表面暴露于所述顶部并且从所述底座延伸到所述抽吸环以限制通过所述抽吸环的气体和等离子体的流动；
补偿可归于所述抽吸口的气流不对称性，所述补偿包括在所述挡板下面提供气流均衡器，所述挡板具有围绕所述底座的偏心气流开口；
限制所述腔室中的等离子体远离所述侧壁，所述限制等离子体包括提供阻抗约束条件，在该条件中所述侧壁具有位于所述工件和所述顶部电极的VHF电压之间的VHF电压；
将所述挡板放置在所述工件支撑表面下的一段距离处，其中对于所述阻抗约束条件，所述挡板在所述工件支撑表面下的所述距离为足以降低所述工件支撑底座上方或***附近的等离子体离子密度。
33、根据权利要求32所述的方法，其特征在于，所述提供阻抗约束条件包含分离地选择或调整：(a)所述顶部电极的接地电容，以及(b)所述工件支撑表面的接地电容。
34、根据权利要求33所述的方法，其特征在于，在所述侧壁上的所述VHF电压为零，且在所述顶部电极与所述工件上的VHF电压属于不同相。
35、根据权利要求33所述的方法，其特征在于，在所述顶部电极和工件上的所述VHF电压属于相反相。
36、根据权利要求35所述的方法，其特征在于，在所述顶部电极上和所述工件上的VHF电压为来自所述供应的VHF电压的分数f和(1-f)，其中f是由所述顶部电极和所述晶圆支撑表面的接地电容确定的小于1的数。
37、根据权利要求32所述的方法，其特征在于，所述距离为1英寸。
38、根据权利要求32所述的方法，其特征在于，所述挡板包含由导电材料形成的环形圆盘，所述方法进一步包含将所述环形圆盘接地。
39、根据权利要求38所述的方法，其特征在于，所述气流均衡器包含导电板，所述方法进一步包含将所述导电板接地。
40、一种在等离子体反应器腔室中处理工件的方法，该腔室包括顶部和侧壁、在所述腔室内具有工件支撑表面的工件支撑底座、在所述底座和所述侧壁之间的抽吸环，以及设置在所述底座和所述顶部之间的等离子体处理区域，所述方法包含：
将工件放置在所述底座上；
提供具有导电或半导电的表面的环形挡板，所述导电或半导电的表面暴露于所述顶部并且从所述底座延伸到所述抽吸环以限制通过所述抽吸环的气体和等离子体的流动；
在所述挡板下面提供气流均衡器，所述挡板具有围绕所述底座的偏心分布的气体流动开口；
提供对具有边缘高等离子体离子密度分布趋势的磁性等离子体导向场的控制；
提供阻抗约束条件，其中所述侧壁具有在所述工件上和所述顶部电极上的VHF电压之间的VHF电压；以及
将所述挡板放置在所述工件支撑表面下的一段距离处，所述距离为足以降低所述底座边缘的等离子体密度的量，该量补偿所述边缘高等离子体粒子密度分布趋势。
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