CN100550137C - 磁记录介质的基底、磁记录介质以及磁记录和再现装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种磁记录介质基底产品，该基底产品能够增强基底端面和软磁层之间的接触强度，并能抑制腐蚀的发生，还提供一种包含所述基底产品的磁记录介质，该磁记录介质显示出没有退化的电磁转换特性并具有非常好的耐用性，还提供一种包含所述磁记录介质的磁记录和再现装置。所述磁记录介质基底产品包括一种圆盘形非磁性基底，该基底在其中心部分有圆孔，并且在将要在上面形成磁性层的主表面与外端面之间的部分以及所述主表面与界定所述圆孔的内端面之间的部分中的至少一个部分处形成斜切面，其中，通过AFM测量到的所述斜切面的表面粗糙度(Ra)在4.0≤Ra≤100范围内，优选是落在4.0≤Ra≤50的范围内。

Description

磁记录介质的基底、磁记录介质以及磁记录和再现装置

相关申请的交叉引用

要求获得2005年7月8日提交的日本专利申请No.2005-200628的优先权。本申请是根据35U.S.C.§111(a)提交的一个申请，根据35 U.S.C.§119(e)，要求获得按照35U.S.C.§111(b)的规定于2005年7月19日提交的临时申请60/700,338的申请日期权益。

技术领域

本发明涉及到一种用来形成磁记录介质的基底，其中，所述磁记录介质被用作信息装置中的记录介质，本发明还涉及到一种磁记录介质以及一种磁记录和再现装置。

背景技术

近些年来，随着各种信息装置的进步，磁记录介质的存储容量也越来越增加了。具体说，在计算机中作为外存储器而扮演中心角色的磁盘，其记录容量和记录密度逐年在增加。在这种情况下，需要开发一种能进行高密度记录的磁盘。例如，膝上型和掌上型个人电脑的发展要求记录装置尺寸变小，并具有高的抗冲击能力，所以，对能进行高密度记录并具有高机械强度的小尺寸磁记录介质的需求增加了。最近，导航***和可携带音乐播放装置也使用了采用超小磁记录介质的记录装置。

通常，这种磁记录介质(即，磁盘)使用具有镀NiP表面的铝合金基底、或玻璃基底，它能满足严格的要求，包括有较高的抗冲击性、刚度、硬度和化学耐用性。这种玻璃基底的好处在于，它能容易地形成平坦的表面，适合于使在磁记录面上飞行的磁头的飞行高度减小，而所述飞行高度的减小对于获得高密度磁记录来说是非常重要的。

在近些年来，在磁记录介质上飞行的磁头的飞行高度已经越来越减小了，以便获得高密度的记录，根据这种趋势，要求用来形成磁记录介质的基底(在下文中被称作“磁记录介质基底”或“磁记录介质基底产品”)具有平坦的表面，具有小的表面粗糙度(例如，镜面)，并且具有最少的表面缺陷(诸如微划痕和微坑)。

通过下述步骤来制造磁记录介质基底(例如，硬盘(HD)基底)：粗略抛光(打磨)基底表面的步骤，其中所述基底已经形成了所希望的尺寸；通过打磨对基底的内端面和外端面进行倒角的步骤；对基底表面进行最终抛光的步骤。随后，通过例如下述步骤在基底表面上形成若干膜层：纹理化步骤，其中，基底表面被适度地粗化；在所述基底的表面上形成衬层的步骤；在所述衬层的表面上形成磁性层的步骤；在所述磁性层上形成保护层的步骤；在所述保护层上形成润滑层的步骤。之后，通过抛光步骤去掉膜层表面上所形成的不规则凸起，从而制备出磁记录介质作为最后的产品。

这样制备出来的基底会产生一个问题，即在基底的斜切面部分会发生衬层或磁性层的剥落，导致成品产生缺陷。为了解决这个问题，提出了增强基底上所形成的膜层的耐用性的方法，其中，所述斜切部分的平均表面粗糙度(Ra)被调整到0.20微米以下(参加，例如，专利文件1)。

在磁阻型磁头的飞行高度被减小以便提高记录密度的情形中，当磁头再现磁记录介质上所记录的数据时，会发生再现误差，或者数据不能被再现。这种现象由下面的机理所导致：由磁记录介质表面上沉积的颗粒所构成的凸起会引起粗糙致热(thermal asperity)现象，从而在磁阻型磁头中产生热，这种热的产生会改变磁头的磁阻，这种改变对电磁转换特性会产生不利影响。对磁头的飞行会产生不利影响的颗粒(例如，有角的颗粒或相对于介质(磁盘)表面比较尖锐地凸起的颗粒)被发现是在磁记录介质制造期间在盒子中存放并传输基底时由磁记录介质基底的端面与所述存放盒子的无意刮擦所产生的。可以想象，当端面(包括斜切部分和基底侧壁)不呈镜面的基底被放入由聚碳酸酯或类似材料所制成的存放盒子中或从中取出时，基底端面就会与存放盒子的内壁相接触，于是上述颗粒就会从端面产生，并会沉积在磁记录介质的表面上。为了解决这个问题，已经提出了一种技术，用来将基底的斜切部分和侧壁中至少其中之一的表面平均粗糙度(Ra)调整到1微米以下，即，使表面形成镜面的技术(参见，例如，专利文件2)。

专利文件1：日本专利申请(kokai)公开No.09-102120

专利文件2：日本专利申请(kokai)公开No.10-154321

发明内容

通常，包含垂直磁记录层的磁记录介质中采用由含Fe、Co等的合金所构成的软磁性衬层。然而，由于这样形成的软磁层的厚度以及由于这种合金材料所固有的腐蚀特性，腐蚀会在基底端面附近的软磁层中发生，其中，在基底端面附近，该软磁层和基底之间的接触实质上是很弱的。已经表明，这种腐蚀会引起磁记录介质电磁转换特性的很大退化，所以，需要有防止腐蚀的措施。对基底表面粗糙度与软磁性衬层键合强度之间的关系的研究表明，当基底端面的表面粗糙度被调整到通常所建议的水平上时，在基底端面和软磁层之间不能形成充分紧密的接触，从而在软磁层(即，易腐蚀层)中会发生腐蚀，由此就不能获得高的键合强度。

本发明的一个目标是，提供一种磁记录介质基底产品，该基底产品能够增强基底端面和软磁层之间的接触强度，并能抑制腐蚀的发生。本发明的另一个目标是，提供一种包含所述基底产品的磁记录介质，该磁记录介质显示出没有退化的电磁转换特性并具有非常好的耐用性，本发明的再一个目标是，提供一种包含所述磁记录介质的磁记录和再现装置。

为了实现上述目标，本发明提供下列内容：

(1)一种磁记录介质基底产品，包含一种圆盘形非磁性基底，该基底在其中心部分有圆孔，并且在将要在上面形成磁性层的主表面与外端面之间的部分以及所述主表面与界定所述圆孔的内端面之间的部分中的至少一个部分处形成斜切面，其中，通过AFM可以测量到，所述斜切面的表面粗糙度(Ra)落在4.0

≤Ra≤100

范围内；

(2)如(1)中所述的磁记录介质基底产品，其中，通过AFM可以测量到，所述斜切面的表面粗糙度(Ra)落在4.0

≤Ra≤50

范围内；

(3)如(1)或(2)中所述的磁记录介质基底产品，其中，通过AFM可以测量到，所述外端面的表面粗糙度(Ra)落在4.0

≤Ra≤100

范围内；

(4)如(3)中所述的磁记录介质基底产品，其中，通过AFM可以测量到，所述外端面的表面粗糙度(Ra)落在4.0

≤Ra≤50

范围内；

(5)如(1)到(4)中的任何一款所述的磁记录介质基底产品，其中，通过AFM可以测量到，在所述基底主表面和所述斜切面之间的拐角部分处的曲面(即，圆面，下文中称作“R面”)的表面粗糙度(Ra)落在4.0

≤Ra≤50

范围内；

(6)如(1)到(5)中的任何一款所述的磁记录介质基底产品，其中，通过AFM可以测量到，界定所述圆孔的内端面的表面粗糙度(Ra)落在4.0

≤Ra≤100

范围内；

(7)如(1)到(6)中的任何一款所述的磁记录介质基底产品，其中，所述非磁性基底由非晶玻璃、晶化玻璃、硅、和铝中的任何一种材料构成。

(8)一种磁记录介质，包含上述(1)到(7)中的任何一款所述的磁记录介质基底产品，以及在所述基底产品的主表面上所形成的垂直磁记录介质层；以及

(9)一种磁记录和再现装置，包含上述(8)中所述的磁记录介质。

当形成斜切面以获得这样小的表面粗糙度时，斜切面和软磁层之间的接触强度就会增强，软磁层中腐蚀的发生就可以得到抑制。所以，这样得到的磁记录介质不会有电磁转换特性的退化。于是，就可以有效地解决通常会遇到的问题，这些问题包括，磁记录介质的外周处SNR的减小引起的读误差，以及磁头的不稳定飞行所导致的侧写(side writing)会使邻近信号的擦除故障，其中，当磁头在外周处所产生的腐蚀部分的附近飞行，并且所述腐蚀部分沉积到磁头的表面上时，会发生所述不稳定飞行。

附图说明

图1A是一个透视图，显示了本发明的磁记录介质基底产品中被切开了的基底产品；

图1B显示了本发明的磁记录介质基底产品中基底产品的剖面图；

图2是一个放大了的剖面图，用来描述本发明的磁记录介质基底产品的各部分；

图3显示了基底层叠体的配置；

图4显示了基底层叠体的外周的抛光方法；

图5显示了基底层叠体的内周的抛光方法；

图6显示了测量R面曲率的方法；

图7显示了本发明的磁记录和再现装置的配置。

图中附图标记的描述

1.磁记录介质基底产品

5.垫片，5a.垫片的末端部分

6.基底层叠体

7、17.刷子

10.主表面

11.外端面

12、22.斜切面

13、23.R面

14.内孔

15.拐角部分

21.内端面

26.介质驱动部分

27.磁头

28.磁头驱动部分

29.记录/再现信号处理***

30.磁记录介质

40.磁记录和再现装置

具体实施方式

下面将详细描述本发明。图1A和1B显示了本发明中的磁记录介质基底产品。图1A是一个透视图，显示了本发明中的切开的磁记录介质基底产品，而图1B是该基底产品的剖面图。图2是一个放大了的剖面图，用来描述图1A和1B所示的本发明中的磁记录介质基底产品的各部分。

如图1A和1B所示，本发明中的磁记录介质基底产品1构成了面圈形圆盘。在圆盘的上部和下部是主表面10，在所述主表面上将形成磁记录层。该圆盘在其外周具有外端面11。该圆盘在其中心部分有一个由内端面21所界定的圆孔14。在主表面10和外端面11之间形成斜切部分(斜切面)12。另外，在主表面10和内端面21之间也形成斜切部分(斜切面)22。

图2是一个放大了的剖面图，用来描述图1A和1B所示的本发明中的磁记录介质基底产品的各部分。图2显示了这样一个例子，其中在主表面10和斜切部分(斜切面)12之间形成半径为13到80微米的R面13。R面13具有抑制颗粒产生的效应，即使是在盒子中存放基底产品和在制造磁记录介质期间传送基底产品时该基底产品的端面受到盒子的刮擦也能抑制颗粒的产生。

本发明所使用的基底可以是非晶玻璃基底、晶化玻璃基底、单晶硅(Si)基底、镀NiP的Al基底、或镀NiP的Al合金基底。要使用的非晶玻璃基底可以是化学强化的玻璃基底或是非强化的玻璃基底。要使用的硅基底可以是用作半导体晶片的高纯单晶硅基底、可以是掺杂的基底、或者是多晶基底。

首先，对本发明所使用的基底(圆盘形基底)进行打磨，以便提高基底的形状精度和尺寸精度。所述打磨过程通常用打磨装置分两步进行。

随后，将若干单个的基底束在一起，在相邻的基底之间提供垫片，于是就准备好了基底层叠体。在层叠的基底的中心形成一个圆孔，然后对基底层叠体的内外端面进行预定的倒角(chamfering)。

随后，用抛光刷对所形成的内外端面进行抛光。在本发明中的磁记录介质基底产品的制备方法中，上述步骤(从圆孔的形成到内外端面的抛光)在基底层叠体上批处理进行。

最后，对在其上要形成磁记录层的主表面进行抛光。抛光过程分两步进行，即，第一抛光步骤去掉通过上述过程所产生的划痕和变形，第二抛光步骤形成镜面。

对这样抛光后的每个基底进行充分的清洗，然后进行测试。于是，磁记录介质基底产品就制备出来了。

在所述磁记录介质基底产品中，重要的一点是斜切部分(斜切面)和内外端面的完成精度。传统上，这样一个表面的完成精度由通过针式方法所测量的表面粗糙度来定义，其中，所述针式方法为通常所用的表面粗糙度的测量方法。然而，在具有这样一个常规完成精度的磁记录介质中，在基底的主表面和斜切部分(斜切面)之间的边界附近软磁层的接触强度较低，因此，在软磁层中会发生腐蚀，导致电磁转换特性的恶化。

所以，在本发明的磁记录介质基底产品中，完成精度由通过原子力显微镜(AFM)所测量的表面粗糙度来定义，其中，AFM能给出更精确的测量。

原子力显微镜(AFM)是一种通过在原子水平上测量物质之间的力来观察样品表面的二维结构的装置。具体说，AFM使用一个带有尖端的悬臂(探针)来扫描样品的表面，同时控制悬臂的高度、方向和位置，使得悬臂尖端与样品表面之间的原子力保持恒定。根据样品表面的不规则性而做垂直移动的悬臂，其位移通过激光的照射来探测，而激光反射光的位置变化则通过光电二极管来探测。AFM可以探测纳米量级的不规则性；即能探测用针式方法不能探测到的微小不规则性。

在本发明的磁记录介质基底产品中，调节上述斜切面的表面粗糙度(Ra)，利用AFM进行测量，使该表面粗糙度落在4.0

≤Ra≤100

的范围内，优选在4.0≤Ra≤50

的范围内。Ra的下限，即4.0

，也是可加工或可测量的下限。当Ra小于等于50

时，不会发生腐蚀。然而，当Ra超过50时，软磁层的接触强度就会降低，腐蚀就可以在软磁层中发生。当Ra超过100

时，腐蚀发生的可能性就增加，因而电磁转换特性就会变坏。所以，调节所述斜切面的表面粗糙度(Ra)，使其落在利用AFM所测量的4.0

≤Ra≤100的范围内，优选在4.0

≤Ra≤50

的范围内。

在本发明的磁记录介质基底产品中，如同在斜切面的情形中那样，调节外端面的表面粗糙度(Ra)，使其落在利用AFM所测量的4.0

≤Ra≤100

的范围内，优选在4.0

≤Ra≤50

的范围内。

在外端面的表面粗糙度被调整到这样微小的水平上的情形中，当该基底被存放在盒子中并被传输时，使外端面产生损伤的危险就可以被降低，并且与颗粒的产生相关的问题也可以得到避免。

如图2所示，在本发明的磁记录介质基底产品中，基底主表面与外端面一侧的斜切面之间的拐角部分，或基底主表面与所述圆孔一侧的斜切面之间的拐角部分，优选是半径大于等于0.01mm并小于等于0.05mm的曲面(R面)。所述曲面(R面)的表面粗糙度(Ra)也被调整到利用AFM所测量的4.0

≤Ra≤100

的范围内，优选在4.0

≤Ra≤50

的范围内。

在主表面与斜切面之间的拐角部分设置这种曲面的情形中，当该基底被存放在盒子中并被传输时，使外端面产生损伤的危险就可以被降低，并且与颗粒的产生相关的问题也可以得到避免。如果R面的表面粗糙度(Ra)被调整到利用AFM所测量的4.0

≤Ra≤100

的范围内，优选是在4.0

≤Ra≤50

的范围内，那么，软磁层的接触强度就增强了，并且在软磁层中不会发生腐蚀，从而不会导致电磁转换特性的变坏。

如上所述，如果主表面与外或内端面之间的拐角部分的表面粗糙度被调整到利用AFM所测量的4.0

≤Ra≤100的范围内，优选在4.0

≤Ra≤50

的范围内，那么，在主表面与外或内端面之间的拐角处软磁层的接触强度就增强了，于是在软磁层中不会发生腐蚀，即，所得到的磁记录介质基底产品呈现出非常好的特性。

在本发明的磁记录介质基底产品中，上述斜切面、外端面、或所述曲面(R面)的表面粗糙度(Ra)也优选被调整到利用AFM所测量的4.0≤Ra＜10

，10

＜Ra≤100

的范围内，更优选在4.0

≤Ra＜10，10

＜Ra≤50

的范围内。

接着将描述本发明所述的用来获得磁记录介质基底产品的抛光方法。

对本发明所使用的基底进行打磨，以便提高基底的形状精度和尺寸精度。随后，在基底的中心形成一个圆孔，然后对基底的内外端面进行预定的倒角。

对在主表面与外或内端面之间形成的包括所述斜切面在内的拐角部分进行抛光，如例如图3所示。具体说，通过垫片5将若干磁记录介质基底1层叠起来形成基底层叠体6，对所述基底层叠体6进行抛光。

每个垫片5采取圆盘形，在其中心有一个圆孔14，和磁记录介质基底1的情形一样，所提供的垫片5要使得垫片5的末端部分(端面)5a从磁记录介质基底1的拐角部分15的斜切面的末端缩进约0到约2mm(优选是缩进约0.5到约2mm)。垫片5的厚度优选为约0.1到约0.3mm。垫片5优选由比所述基底材料软的材料构成，诸如聚氨酯(polyurethane)、丙烯酸(acrylic)材料、塑料材料、或与抛光步骤中所使用的抛光垫的材料相同的材料。

为了抛光包括外端面的斜切面在内的拐角部分，如图4所示，基底层叠体6的外周用可转动的抛光刷7来抛光。所要使用的抛光刷7优选是由螺旋状排列的聚酰铵纤维丝所构成的管状刷(直径：200到500mm)，其中，每根纤维丝的直径为0.05mm到0.3mm，长度为1到10mm。

基底的外端面和拐角部分通过下述步骤来抛光：将管状抛光刷7按在基底层叠体6的外周上；在基底层叠体6的外周与抛光刷7之间的接触面处供给抛光液的同时，基底层叠体6以约60rpm的转速转动，而该管状抛光刷7以约700rpm到约1000rpm的转速沿着与基底层叠体6相反的转动方向转动，并垂直地上下移动。所述抛光过程的进行要使得所述拐角部分达到镜面抛光的效果，以便使得利用AFM在10微米的视场内所测量的表面粗糙度(Ra)为4.0≤Ra≤100

，优选为4.0

≤Ra≤50

为了抛光包括内端面的斜切面在内的拐角部分，如图5所示，用***基底层叠体6的内孔14中的转动刷17来进行抛光，其中，所述基底层叠体6通过利用垫片将磁记录介质基底1堆叠起来而构成。所述的内孔抛光也要进行到使得所述拐角部分达到镜面抛光的效果，以便使表面粗糙度(Ra)为4.0

≤Ra≤100

，优选为4.0

≤Ra≤50

，如AFM在10微米的视场内所能测量的。

通过恰当地确定例如所要使用的刷子的材料、直径、硬度和长度，所要使用的抛光材料的类型、颗粒大小和浓度，刷子的按压力、转动速度、和垂直移动速度，以及基底层叠体的转动速度来控制抛光的精度。

在斜切面与主表面(数据面，其上将形成磁性层)之间设置R面的情形中，R面的曲率半径优选为0.01到0.05mm。

这里所提到的“R面的曲率半径”通过下述方法获得。如图6所示，基底主表面(数据面)的延长线离开基底表面轮廓线的点被称作点A。基底表面上朝着相反的方向离开点A 10微米的点被称作点B和点C。“R面的曲率半径”就是通过所述点A、点B和点C的圆的半径(在下文中，该曲率半径可以被称作“R面曲率半径”)。

在经过处理从而获得了上述表面粗糙度的非磁性基底上形成磁性层。所述磁性层可以是纵向磁记录层，也可以是垂直磁记录层。在形成垂直磁记录层的情形中，本发明展示了特别好的效果。这种磁记录层优选是由含有Co作为主要成分的合金来构成。

例如，纵向磁记录介质的磁记录层可以具有多层结构，其中包括非磁性的CrMo衬层和铁磁性的CoCrPtTa层。

垂直磁记录介质的磁记录层可以具有多层结构，其中包括由例如软磁性合金所构成的软磁性层，该软磁性合金是例如FeCo合金(例如，FeCoB、FeCoSiB、FeCoZr、FeCoZrB、或FeCoZrBCu)、FeTa合金(例如，FeTaN或FeTaC)、或Co合金(例如，CoTaZr、CoZrNB、或CoB)；所述多层结构还包括由例如Pt、Pd、NiCr、或NiFeCr所构成的取向调节层；由例如Ru(根据需要而提供)所构成的中间层；由60Co-15Cr-15Pt合金或70Co-5Cr-15Pt-10SiO₂合金所构成的磁性层。

磁记录层的厚度被调整到大于等于3nm且小于等于20nm，优选是大于等于5nm而小于等于15nm。可以根据将要使用的磁性合金的类型和将要形成的多层结构来恰当地预定磁记录层的厚度，只要能获得足够的磁头输入/输出性能就行。一般地，要求磁性层的厚度大于等于某个水平，以便在再现期间获得的输出大于等于某个预定的水平，并且表示记录/再现特性的参数随着输出的增加而减小。所以，磁记录层的厚度必须被调整到最佳水平。

磁记录层通常是通过诸如溅射、真空沉积、气体中的沉积、或气流溅射等物理气相沉积技术形成的薄膜。

在磁记录层的表面形成保护层。保护层可以由通常所使用的保护层材料构成，例如，碳质材料，诸如碳(C)、碳氢化合物(HxC)、碳氮化合物(CN)、非晶碳、或碳化硅(SiC)；SiO₂、Zr₂O₃、或TiN。保护层可以由两层或多层构成。

保护层的厚度必须被调整到10nm以下。这是因为，当保护层的厚度超过10nm时，磁头和磁性层之间的距离变大，从而不能获得足够高的输入/输出信号。

保护层通常通过溅射来形成。

优选地，在保护层上形成润滑层。形成润滑层所使用的润滑剂的例子包括，含氟润滑剂、含碳氢化合物的润滑剂、以及两者的混合物。所形成的润滑层的厚度通常为1到4nm。

图7显示了本发明中的磁记录和再现装置的配置。本发明中的磁记录和再现装置40包括上述本发明所述的磁记录介质30；在记录方向驱动所述磁记录介质的介质驱动部分26；具有记录单元和再现单元的磁头27；相对于磁记录介质30来驱动磁头27的磁头驱动部分28；包含了记录/再现信号处理装置用来向磁头27输入信号以及再现从磁头27输出的信号的记录/再现信号处理***29。包含了这些部件的磁记录和再现装置可以实现高的记录密度。

在本发明的磁记录和再现装置中所使用的磁记录介质中，对基底的外周和内孔附近进行精细的抛光而完成处理。因此，在基底和磁记录介质层之间可以获得高的接触强度，从而在磁记录介质层中不会发生腐蚀，于是不会使电磁转换特性变坏。所以所述磁记录和再现装置可以在很长的时间内保持稳定的性能。

(例子)

使用玻璃基底(非晶玻璃基底和晶化玻璃基底)和硅基底(用于半导体中的单晶硅基底)。对每个基底进行处理，以具有48mm的外径，12mm的内径、以及0.508mm的厚度，然后进行清洗。

使各个所述基底样品形成如图3所示的层叠体，然后通过如图4和5所示的方法用刷子进行抛光，从而制备出磁记录介质基底产品，其中，斜切面的表面粗糙度(Ra)被调整到用AFM测量得到的大于等于4.0且小于等于100

的范围，外端面或内端面的表面粗糙度(Ra)被调整到大于等于4.0

且小于等于100

，R面的曲率半径被调整到大于等于0.01mm且小于等于0.07mm。

随后，将每个这样制备出的基底产品放置在DC磁控溅射装置(C-3010，ANELVA出品)的成膜腔内，将该成膜腔抽真空到1×10^-5Pa。之后，在所述基底产品上形成软磁性衬层，该软磁性衬层包括下列三层膜：90Co-4Zr-6Nb(Co含量：90at％，Zr含量：4at％，Nb含量：6at％)软磁性膜(50nm)，Ru膜(0.8nm)、以及90Co-4Zr-6Nb(Co含量：90at％，Zr含量：4at％，Nb含量：6at％)膜(50nm)。在薄膜形成过程中，基底不加热，在基底上施加一个径向(从外周到内周)磁场。

随后，形成Ru取向调节膜(20nm)和66Co-8Cr-18Pt-8SiO₂垂直磁记录层(12nm)。

随后，通过CVD形成非晶碳保护膜(4nm)。

随后，通过浸蘸的方法形成全氟聚醚润滑剂膜，从而产生出磁记录介质。

(对照例1到19)

除了对基底不进行抛光(例如，用刷子对端面进行抛光)，或者将基底抛光到所述斜切面的表面粗糙度被调节到大于等于100

(通过AFM进行测量)、外端面或内端面的表面粗糙度被调节到大于等于100

、R面曲率被调节到大于等于0.01mm且小于等于0.04mm之外，重复上述例子所使用的步骤从而产生磁记录介质。

(对照例20到22)

为了与纵向磁记录介质的情形进行比较，对外端面不进行刷子抛光的常规基底通过DC磁控溅射装置进行加热，使其表面温度达到170℃，然后在这样加热的基底上形成Cr50-Ti合金膜(200

)、Ni50-Al合金膜(100

)、Cr20-Ti合金膜(50

)、以及Co13-Cr6-Pt3-B合金膜(30

)，由此产生磁记录介质。

对所述例子和对照例中这样形成的每个磁记录介质的基底外端面的表面粗糙度、R面曲率、和SNR特性(即，记录和再现特性)进行评估。在主表面与斜切面的附近对薄膜脱落的有无进行确认，对脱落部分的数目进行计数。

(通过AFM评估表面粗糙度)

用Veeco Instrument制造的AFM装置(NanoScopeIIIa)评估基底表面的粗糙度(Ra)。在下列条件下进行表面粗糙度的测量：

探针：硅单晶探针，D-NCH-10V(纳米传感器，Nanosensors)

视场：10微米

像素数：256×256数据点

扫描模式：轻敲模式

扫描速率：1微米/秒

测量环境：大气中室温下

数据处理：使用“NanoScope ver5.30r2”

(R面曲率的测量)

采用Contracer CV-L400(Mitutoyo Corporation产品)，通过图6所示的方法测量R面的曲率。测量的条件如下。

范围：1mm

速度：0.02mm/sec

间距：0.002mm

(垂直磁记录介质的评估)

通过读/写分析仪RWA1632和旋转台S1701MP(GUZIK(US)出品)来评估记录和再现特性。

为了评估记录和再现特性，使用含有单磁极元件(记录单元)和GMR元件(再现单元)的磁头在1000kFCI的磁道记录密度(记录频率)的条件下来测量SNR。

(腐蚀所引起的薄膜脱落的评估)

将所述例子和对照例中所获得的每个磁记录介质在烘箱(温度：70℃，湿度：80％)存放240小时。之后，将所述每个磁记录介质从烘箱中取出，并在放大倍数为240的显微镜下对每个磁记录介质的数据面和外端面之间的边界附近进行观察。在斜切面与数据面之间的边界部分对因腐蚀导致的薄膜脱落的有无进行确认，并对脱落部分的数目进行计数。

评估结果示于表1和表2中。

表1

表2

从这些结果中清楚看到，采用本发明的磁记录介质基底产品制造的垂直磁记录介质不会发生因腐蚀而导致的薄膜脱落，并且显示出了高的SNR(即，高的性能)。

在纵向磁记录介质中，由于所使用薄膜的属性使然，不会发生因腐蚀而导致的薄膜脱落。

工业实用性

当使斜切面形成为具有这样小的表面粗糙度时，斜切面和软磁层之间的接触强度就会增强，软磁层中腐蚀的发生就可以得到抑制。所以，这样得到的磁记录介质不会表现出电磁转换特性的退化。于是，就可以有效地解决通常会遇到的问题，这些问题包括，磁记录介质的外周处SNR的减小引起的读误差，磁头的不稳定飞行所导致的侧写引起的对邻近信号的擦除故障，其中，当磁头在外周处所产生的腐蚀部分的附近飞行，并且所述腐蚀部分沉积到磁头的表面上时，会发生所述不稳定飞行。

Claims (11)

1.一种包含圆盘形非磁性基底的磁记录介质基底产品，该基底产品包括：

(1)在其中心部分的圆孔；

(2)主表面，在该主表面上将形成磁性层；

(3)外端面；

(4)内端面，该内端面界定了所述圆孔；

(5)在所述主表面和所述外端面之间的第一部分以及所述主表面和所述内端面之间的第二部分中的至少一个部分处形成的斜切面，以及

(6)形成在所述主表面和所述斜切面之间的拐角部分处的曲面，即R面，该曲面具有大于等于0.01mm小于等于0.05mm的半径，

其中，通过AFM测量到的所述斜切面的表面粗糙度(Ra)在

范围内，并且通过AFM测量到的所述曲面的表面粗糙度(Ra)在

范围内。

2.根据权利要求1所述的磁记录介质基底产品，其中，所述磁记录介质基底是用来制造垂直磁记录介质的垂直磁记录介质基底。

3.根据权利要求2所述的磁记录介质基底产品，其中，所述垂直磁记录介质包含软磁性衬层。

4.根据权利要求3所述的磁记录介质基底产品，其中，所述软磁性衬层包含一种含有Fe或Co的合金。

5.根据权利要求1所述的磁记录介质基底产品，其中，通过AFM测量到的所述斜切面的表面粗糙度(Ra)在

范围内。

6.根据权利要求1所述的磁记录介质基底产品，其中，通过AFM测量到的所述外端面的表面粗糙度(Ra)在

范围内。

7.根据权利要求6所述的磁记录介质基底产品，其中，通过AFM测量到的所述外端面的表面粗糙度(Ra)在

范围内。

8.根据权利要求1所述的磁记录介质基底产品，其中，通过AFM测量到的所述内端面的表面粗糙度(Ra)在范围内。

9.根据权利要求1所述的磁记录介质基底产品，其中，所述非磁性基底由非晶玻璃、晶化玻璃、硅、和铝中的任何一种材料构成。

10.一种磁记录介质，包含权利要求1到9中的任何一项权利要求所述的磁记录介质基底产品，以及在所述基底产品的主表面上的垂直磁记录介质层。

11.一种磁记录和再现装置，包含权利要求10所述的磁记录介质。

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