CN100547805C - 互补式金氧半图像传感器的浮动节点结构及其制造方法 - Google Patents

Abstract

一种互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点结构，位于基底中的隔离结构所定义的浮动节点区中，包括一n型掺杂区、一p型阱区、一表面保护层与一接触窗。n型掺杂区，位于浮动节点区中。p型阱区，位于浮动节点区中，环绕于n型掺杂区的周围与底部。表面保护层，至少位于p型阱区的表面上。接触窗，耦接n型掺杂区与互补式金属氧化物半导体图像传感器的源随器晶体管。

Description

金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点及其制造方法

技术领域

本发明是有关于一种图像传感器，且特别是有关于一种互补式金属氧化物半导体导体图像传感器的浮动节点结构。

背景技术

互补式金属氧化物半导体导体图像传感器(CMOS image sensor，CIS)与互补式金属氧化物半导体导体的工艺相容，因此很容易与其他周边电路整合在同一晶片上，而且能够大幅降低图像传感器的成本以及消耗功率。近年来，在低价位领域的应用上，互补式金属氧化物半导体导体图像传感器已成为电荷耦合元件的代替品，进而使得互补式金属氧化物半导体导体图像传感器的重要性与日俱增。

互补式金属氧化物半导体导体图像传感器是由一光二极管与多个晶体管所构成，其中光二极管是由n型掺杂区与p型基底形成的P-N接面所构成，而晶体管是n型栅极的N型晶体管(N-poly NMOS)。目前，互补式金属氧化物半导体导体图像传感器的结构包括有3个晶体管(3-T)架构以及4个晶体管(4-T)架构二种。

所谓的3-T架构是指互补式金属氧化物半导体导体图像传感器的结构包括重置晶体管、源随器晶体管、选择晶体管及光二极管。然而，3-T架构的互补式金属氧化物半导体导体图像传感器具有很高的暗电流，导致读出的噪音增加以及影响图像品质，进而降低元件的效能。因此，4-T架构较常被使用。

图1所绘示为习知4-T架构的互补式金属氧化物半导体导体图像传感器的示意图。

请参照图1，互补式金属氧化物半导体导体图像传感器包括基底100及位于基底100上的转移晶体管102、重置晶体管104、源随器晶体管106及选择晶体管108，与位于基底100中的光二极管110、浮动节点112及p型阱区114。由于4-T架构的互补式金属氧化物半导体导体图像传感器具有转移晶体管102，因此可以改善3-T架构的互补式金属氧化物半导体导体图像传感器具有很高的暗电流的问题。

在4-T架构的互补式金属氧化物半导体导体图像传感器中，为了将光二极管110的信号传出去，浮动节点112需通过接触窗耦接到源随器晶体管106。然而，由于浮动节点112为n型重掺杂区，因此在会在浮动节点112与p型阱区114的接面产生漏电流的情况，而造成图像失真，而无法用于一些特殊的应用上，例如是全景快门(Global Shutter)。此外，漏电流的情况会随着温度的上升而更加严重。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的就是在提供一种互补式金属氧化物半导体导体图像传感器，能够减少浮动节点漏电流的情况。

本发明的目的就是在提供一种互补式金属氧化物半导体导体图像传感器，可以减少图像失真的情况。

本发明提出一种互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点结构，浮动节点结构位于基底的隔离结构所定义的一有源区中的一浮动节点区上，其包括一第一导电型掺杂区、一第二导电型阱区、一表面保护层以及一接触窗。第一导电型掺杂区位于浮动节点区中。第二导电型阱区位于浮动节点区中，环绕于第一导电型掺杂区的周围与底部。表面保护层至少位于第二导电型阱区的表面上。接触窗耦接第一导电型掺杂区。

依照本发明实施例所述，上述的互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点结构中，表面保护层为第一导电型或第二导电型。

依照本发明实施例所述，上述的互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点结构中，表面保护层的掺杂浓度为1×10¹²-1×10¹³/cm³左右。

依照本发明实施例所述，上述的互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点结构中，第一导电型掺杂区为一第一导电型轻掺杂区，且浮动节点结构还包括一第一导电型重掺杂区，位于第一导电型轻掺杂区之中。

依照本发明实施例所述，上述的互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点结构中，第一导电型重掺杂区的掺杂浓度为1×10¹⁴-1×10¹⁵/cm³左右。

依照本发明实施例所述，上述的互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点结构中，第一导电型轻掺杂区的掺杂浓度为1×10¹²-1×10¹³/cm³左右。

依照本发明实施例所述，上述的互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点结构还包括一金属硅化物层介于接触窗与第一导电型重掺杂区之间。

依照本发明实施例所述，上述的互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点结构中，表面保护层为第一导电型且延伸覆盖到第一导电型轻掺杂区上，与第一导电型重掺杂区上的金属硅化物层邻接。

依照本发明实施例所述，上述的互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点结构中，还包括一第二导电型场区，位于第二导电型阱区与隔离结构周围，并延伸到隔离结构底部。

依照本发明实施例所述，上述的互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点结构中，表面保护层为第二导电型，且延伸覆盖到第二导电型场区上，与隔离结构邻接。

依照本发明实施例所述，上述的互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点结构中，第二导电型场区的掺杂浓度为1×10¹²-1×10¹³/cm³左右。

本发明又提出一种互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点的制造方法。此方法是先在一基底中形成一隔离结构以定义出一有源区，该有源区中包括一浮动节点区。接着，在基底的浮动节点区中形成一第二导电型阱区。在第二导电型阱区内形成一第一导电型掺杂区。在第二导电型阱区上形成一表面保护层。之后，在基底上形成一接触窗，与第一导电型掺杂区电性耦接。

依照本发明实施例所述，上述互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点的制造方法中，表面保护层为第一导电型或第二导电型。

依照本发明实施例所述，上述互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点的制造方法中，表面保护层的掺杂浓度为1×10¹²-1×10¹³/cm³左右。

依照本发明实施例所述，上述互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点的制造方法中，形成表面保护层的方法包括一离子注入工艺，其注入能量为40KeV以下。

依照本发明实施例所述，上述互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点的制造方法中，第一导电型掺杂区为一第一导电型轻掺杂区，且制造方法还包括在形成表面保护层之后，在第一导电型轻掺杂区的中形成一第一导电型重掺杂区。

依照本发明实施例所述，上述互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点的制造方法中，第一导电型重掺杂区的掺杂浓度为1×10¹⁴-1×10¹⁵/cm³左右。

依照本发明实施例所述，上述互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点的制造方法中，形成第一导电型重掺杂区的方法包括一离子注入工艺，其注入能量为40-60KeV。

依照本发明实施例所述，上述互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点的制造方法中，第一导电型轻掺杂区的掺杂浓度为1×10¹²-1×10¹³/cm³左右。

依照本发明实施例所述，上述互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点的制造方法中，形成第一导电型轻掺杂区的方法包括一离子注入工艺，其注入能量小于100KeV。

依照本发明实施例所述，上述互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点的制造方法中，第一导电型轻掺杂区是在形成互补式金属氧化物半导体图像传感器的一第一导电型通道晶体管的一源极/漏极延伸区的同时形成的。

依照本发明实施例所述，上述互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点的制造方法中，第一导电型重掺杂区是在形成互补式金属氧化物半导体图像传感器的一第一导电型通道晶体管的一源极/漏极接触区的同时形成的。

依照本发明实施例所述，上述互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点的制造方法中，第一导电型轻掺杂区是在第一导电型重掺杂区之后形成的。

依照本发明实施例所述，上述互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点的制造方法还包括第一导电型重掺杂区上形成一金属硅化物层。

依照本发明实施例所述，上述互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点的制造方法中，表面保护层为第一导电型且延伸覆盖到第一导电型轻掺杂区上，与第一导电型重掺杂区上的金属硅化物层邻接。

依照本发明实施例所述，上述互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点的制造方法中，还包括在基底中形成一第二导电型场区，其位于第二导电型阱区与隔离结构周围，并延伸到隔离结构底部。

依照本发明实施例所述，上述互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点的制造方法中，表面保护层为第二导电型，且延伸覆盖至第二导电型场区，与隔离结构邻接。

本发明的互补式金属氧化物半导体导体图像传感器的浮动节点能够减少浮动节点漏电流的情况。

本发明的互补式金属氧化物半导体导体图像传感器的浮动节点可以减少图像失真的情况。

为让本发明之上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。

附图说明

图1所绘示为习知4-T架构的互补式金属氧化物半导体导体图像传感器的示意图；

图2为依据本发明一实施例的互补式金属氧化物半导体导体图像传感器所绘示的上视图；

图3是绘示沿着图2剖面III-III所绘示的浮动节点结构的剖面示意图；

图4是绘示本发明的另一实施例的浮动节点结构的剖面示意图；

图5是绘示本发明的又一实施例的浮动节点结构的剖面示意图。

主要元件符号说明

20：基底

22：隔离结构

24：有源区

200：互补式金属氧化物半导体导体图像传感器

202、204、206、208：晶体管

210：光二极管

212：浮动节点结构

214：p型阱区

216：P型场区

218：n型重掺杂区

220：表面保护层

222：浮动节点区

224：接触窗

228：n型轻掺杂区

230：金属硅化物层

232：导线

234：介电层

具体实施方式

图2为依据本发明一实施例的互补式金属氧化物半导体导体图像传感器所绘示的上视图。

请参照图2，本发明的互补式金属氧化物半导体导体图像传感器200制作于基底20中的隔离结构22所定义的有源区24上。互补式金属氧化物半导体导体图像传感器200包括转移晶体管202、重置晶体管204、源随器晶体管206、选择晶体管208、光二极管210及浮动节点结构212。

基底20例如是p型硅基底。隔离结构22例如是浅沟槽隔离(STI)结构。浮动节点结构212位于转移晶体管202与重置晶体管204之间由隔离结构22所定义的浮动节点区222上。浮动节点结构212可透过其接触窗224与源随器晶体管206电性连接。

图3是绘示沿着图2剖面线III-III所绘示的浮动节点结构212的剖面示意图。

请参照图3，浮动节点结构212位于隔离结构22所定义的浮动节点区222上，其包括一n型掺杂区228、一p型阱区214、一表面保护层220与一接触窗224。

n型掺杂区228，位于浮动节点区222中。n型掺杂区228中的杂质例如是磷或砷等n型杂质。n型掺杂区228的形成方法例如是离子注入法。离子注入工艺也可以倾斜一角度来达成，离子注入的能量例如是100KeV以下。

在一实施例中，n型掺杂区228为一n型轻掺杂区，其掺杂浓度例如是在1×10¹²-1×10¹³/cm³左右，且在轻掺杂区中包括一n型重掺杂区218。n型掺杂区228为一轻掺杂区时，其与p型阱区214之间的接面(Junction)的电场较弱，可减少漏电流。n型重掺杂区218的浓度较高阻值较低，可以减少其与接触窗224的接触阻值。n型重掺杂区218中的杂质例如是磷或砷等n型杂质，掺杂浓度例如是在1×10¹⁴-1×10¹⁵/cm³左右。n型重掺杂区218的形成方法例如是离子注入法。离子注入的能量例如是40-60KeV。

在又一实施例中，n型掺杂区228为一轻掺杂区，且在轻掺杂区中不仅包括一重掺杂区218，且在n型重掺杂区218上还包括一金属硅化物层230。金属硅化物层218可进一步降低阻值，使电荷快速传送。金属硅化物层230包括耐火金属的硅化金属层，例如是镍、钴、钛、铜、钼、钽、钨、铒、锆、铂与其金属的合金的硅化物的其中之一。

p型阱区214，位于浮动节点区222中，其环绕于n型掺杂区228的周围与底部。p型阱区214中的杂质例如是硼或二氟化硼等p型杂质，其形成方法例如是离子注入法。

为防止在基底20表面与隔离结构22外缘处产生漏电流，可以选择性地形成一p型场区216。p型场区216，位于浮动节点区222内的p型阱区214周围与隔离结构22***，并延伸到隔离结构22的底部。p型场区216中的杂质例如是硼或二氟化硼等p型杂质，其形成方法例如是离子注入法。

接触窗224配置于介电层234中，耦接n型重掺杂区218，并透过导线232与源随器晶体管206电性连接。接触窗224的材料包括导体材料，例如是金属，如钨或是掺杂的多晶硅。

表面保护层220至少覆盖于p型阱区214的表面上。由于基底20的材质例如是硅基底，而隔离结构或是介电层的材质通常为二氧化硅，其二者的材质不同，原子结构也不相同，因此，在其二者的界面处会因为原子结构上的差异而产生漏电流。在p型阱区214的表面上形成表面保护层220可以减少漏电流的情形。表面保护层220例如是一n型掺杂区或是p型掺杂区，其掺杂的浓度为1×10¹²-1×10¹³/cm³左右。当表面保护层220为p型掺杂区时，其杂质例如是硼或二氟化硼等p型杂质。当表面保护层220为n型掺杂区时，其杂质例如是磷或砷等n型杂质。表面保护层220的形成方法例如是离子注入法，其离子注入的能量例如是40KeV以下。

在浮动节点结构212中，大部分的构件都是经由基底掺杂形成，其材质与基底20大致相同，但是，为了降低阻值而形成的金属硅化物层230以及定义浮动节点区222的隔离结构22其二者的材质均与基底20的材质有很大的差异，因此，在界面的处很容易产生漏电流的情形。因此，上述的表面保护层220不仅可以配置在p型阱区214的表面上，还可依据实际的需求，延伸至与基底的材质不同的构件的界面处。例如，表面保护层220可以由p型阱区214延伸至相邻的p型场区216上与隔离结构22接触，或延伸至n型轻掺杂区228上与金属硅化物层230接触。

请参照图4，在一实施例中，表面保护层220为n型掺杂区，其不仅配置于p型阱区214的表面上，并且延伸至n型轻掺杂区228上与n型重掺杂区218上的金属硅化物层230连接，以进一步减少金属硅化物层230与n型轻掺杂区228界面处的漏电流。

请参照图5，在另一实施例中，表面保护层220为p型掺杂区，其不仅配置于p型阱区214的表面上，并延伸至p型场区216上与隔离结构22的顶角连接，以进一步减少隔离结构22顶角处的漏电流。

请同时参照图2和图3，本发明的互补式金属氧化物半导体导体图像传感器200的浮动节点结构212的一种制造方法是先在基底20中形成隔离结构22以定义出有源区24，有源区24中介于预定形成的转移晶体管202与重置晶体管204之间的区域为浮动节点区222。隔离结构22的形成方法例如是先在基底20中形成浅沟槽，的后，再于浅沟槽的中回填绝缘材料，例如是二氧化硅。

接着，在基底20中形成一p型阱区214。p型阱区214的形成方法例如是离子注入法，所注入的杂质例如是硼或二氟化硼等p型杂质。

然后，在基底20的浮动节点区222中的p型阱区214***以及隔离结构22周围及其底部形成一p型场区216。p型阱区216的形成方法例如是离子注入法，所注入的杂质例如是硼或二氟化硼等p型杂质。

当互补式金属氧化物半导体导体图像传感器200的转移晶体管202、重置晶体管204、源随器晶体管206以及选择晶体管208的栅极介电层与栅极形成之后，在形成晶体管的源极/漏极延伸区时，可以同时在浮动节点区222中p型阱区214内形成n型轻掺杂区228。离子注入的能量例如是100KeV以下，杂质例如是磷或砷等n型杂质，掺杂浓度例如是在1×10¹²-1×10¹³/cm³左右。

之后，在p型阱区214上形成一表面保护层220。表面保护层220例如是一n型掺杂区或是p型掺杂区，其掺杂的浓度为1×10¹²-1×10¹³/cm³左右。当表面保护层220为n型掺杂区时，其不仅形成在p型阱区214上，还延伸至n型轻掺杂区228的表面上，如图4所示，杂质例如是硼或二氟化硼等p型杂质。当表面保护层220为n型掺杂区时，其不仅形成在p型阱区214上，还延伸至p型场区216的表面上，如图5所示，其杂质例如是磷或砷等n型杂质。表面保护层220的形成方法例如是离子注入法，其离子注入的能量例如是100KeV以下。

在转移晶体管202、重置晶体管204、源随器晶体管206以及选择晶体管208之间隙壁形成之后，形成源极/漏极接触区的同时或之后，在浮动节点区222中的n型轻掺杂区228内形成一n型重掺杂区218。n型重掺杂区218的形成方法例如是离子注入法，注入的能量为40-60KeV，注入的杂质例如是磷或砷等n型杂质，掺杂浓度例如是在1×10¹⁴-1×10¹⁵/cm³左右。

上述的n型轻掺杂区228，是在互补式金属氧化物半导体导体图像传感器200的转移晶体管202、重置晶体管204、源随器晶体管206以及选择晶体管208的源极/漏极延伸区的同时形成。然而，在另一实施例中，n型轻掺杂区228也可以在转移晶体管202、重置晶体管204、源随器晶体管206以及选择晶体管208的间隙壁以及n型重掺杂区218形成之后再形成的。此例中的n型轻掺杂区228，可以采用倾斜角的离子注入工艺来达成，使其可以打得较深且包覆n型重掺杂区218，而不会有击穿(punch through)的现象。

其后，在n型重掺杂区218上形成金属硅化物层230。金属硅化物层230的形成方法可以采用自行对准硅化物工艺。例如，先在基底20上先形成一层金属层，例如是是镍、钴、钛、铜、钼、钽、钨、铒、锆、铂等耐火金属与其合金的其中之一，然后，经由的回火工艺使其与基底20的硅反应形成低阻值的金属硅化物，再将未反应的金属层移除的。

然后，在基底20上形成介电层234，再于介电层234中形成与n型掺杂区228电性耦接的接触窗224。介电层234的材质例如是氧化硅，形成的方法例如是化学气相沉积法。接触窗224的形成方法例如是在介电层234中形成接触窗开口，再于接触窗开口的中回填导电材料，例如是金属，如钨或是掺杂的多晶硅。

在以上的实施例中的浮动节点结构是以p型基底、n型掺杂区、p型阱区来说明的，然而在实际的应用上，并不限于此，也是可以采用n型基底、p型掺杂区、n型阱区，或习知所知悉的方法来加以变化。

综上所述，本发明的互补式金属氧化物半导体导体图像传感器的浮动节点结构中包含一表面保护层，其可位于第一导电型阱区的表面上，或再延伸而与隔离结构接触，或是再延伸而与金属硅化物层接触，因此，可减少界面材质不同所造成的漏电流，能够防止图像失真。

另外，本发明的互补式金属氧化物半导体导体图像传感器的浮动节点结构中第二导电型重掺杂区与第一导电型阱区之间还包括一第二型轻掺杂区，其与第一导电型阱区之间的接面的电场较小，因而能减少接面漏电流，防止图像失真。

Claims (27)

1、一种互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点结构，该浮动节点结构位于基底的隔离结构所定义的浮动节点区上，其包括：

第一导电型掺杂区，位于该浮动节点区中；

第二导电型阱区，位于该浮动节点区中，环绕于该第一导电型掺杂区的周围与底部；

表面保护层，至少位于该第二导电型阱区的表面上；以及

接触窗，耦接该第一导电型掺杂区。

2、如权利要求1所述的互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点结构，其中该表面保护层为第一导电型或第二导电型。

3、如权利要求1所述的互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点结构，其中该表面保护层的掺杂浓度为1×10¹²-1×10¹³/cm³。

4、如权利要求1所述的互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点结构，其中该第一导电型掺杂区为第一导电型轻掺杂区，且该浮动节点结构还包括第一导电型重掺杂区，位于该第一导电型轻掺杂区之中。

5、如权利要求4所述的互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点结构，其中该第一导电型重掺杂区的掺杂浓度为1×10¹⁴-1×10¹⁵/cm³。

6、如权利要求4所述的互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点结构，其中该第一导电型轻掺杂区的掺杂浓度为1×10¹²-1×10¹³/cm³。

7、如权利要求4所述的互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点结构，还包括金属硅化物层，介于该接触窗与该第一导电型重掺杂区之间。

8、如权利要求7所述的互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点结构，其中该表面保护层为第一导电型且延伸覆盖到该第一导电型轻掺杂区上，与该第一导电型重掺杂区上的该金属硅化物层邻接。

9、如权利要求1所述的互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点结构，还包括第二导电型场区，位于该第二导电型阱区与该隔离结构周围，并延伸到该隔离结构底部。

10、如权利要求9所述的互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点结构，其中该表面保护层为第二导电型，且延伸覆盖到该第二导电型场区上，与该隔离结构邻接。

11、如权利要求9所述的互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点结构，其中该第二导电型场区的掺杂浓度为1×10¹²-1×10¹³/cm³。

12、一种互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点的制造方法，包括：

在基底中形成隔离结构以定义出浮动节点区；

在该基底的该浮动节点区中形成第二导电型阱区；

在该第二导电型阱区内形成第一导电型掺杂区；

在该第二导电型阱区上形成表面保护层；以及

在该基底上形成接触窗，与该第一导电型掺杂区电性耦接。

13、如权利要求12所述的互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点的制造方法，其中该表面保护层为掺杂区，其为第一导电型或第二导电型。

14、如权利要求13所述的互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点的制造方法，其中该表面保护层的掺杂浓度为1×10¹²-1×10¹³/cm³。

15、如权利要求13所述的互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点的制造方法，其中形成该表面保护层的方法包括离子注入工艺，其注入能量为40KeV以下。

16、如权利要求11所述的互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点的制造方法，其中该第一导电型掺杂区为第一导电型轻掺杂区，且该制造方法还包括在形成该表面保护层之后，在该第一导电型轻掺杂区之中形成第一导电型重掺杂区。

17、如权利要求16所述的互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点的制造方法，其中该第一导电型重掺杂区的掺杂浓度为1×10¹⁴-1×10¹⁵/cm³。

18、如权利要求16所述的互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点的制造方法，其中形成该第一导电型重掺杂区的方法包括离子注入工艺，其注入能量为40-60KeV。

19、如权利要求16所述的互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点的制造方法，其中该第一导电型轻掺杂区的掺杂浓度为1×10¹²-1×10¹³/cm³。

20、如权利要求16所述的互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点的制造方法，其中形成该第一导电型轻掺杂区的方法包括离子注入工艺，其注入能量小于100KeV。

21、如权利要求16所述的互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点的制造方法，其中该第一导电型轻掺杂区是在形成该互补式金属氧化物半导体图像传感器的第一导电型通道晶体管的源极/漏极延伸区的同时形成。

22、如权利要求16所述的互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点的制造方法，其中该第一导电型重掺杂区是在形成该互补式金属氧化物半导体图像传感器的第一导电型通道晶体管的源极/漏极接触区的同时形成。

23、如权利要求22所述的互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点的制造方法，其中该第一导电型轻掺杂区是在该第一导电型重掺杂区之后形成。

24、如权利要求16所述的互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点的制造方法，还包括在该第一导电型重掺杂区上形成金属硅化物层。

25、如权利要求16所述的互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点的制造方法，其中该表面保护层为第一导电型且延伸覆盖到该第一导电型轻掺杂区上，与该第一导电型重掺杂区上的该金属硅化物层邻接。

26、如权利要求12所述的互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点的制造方法，还包括在该基底中形成第二导电型场区，位于该第二导电型阱区与该隔离结构周围，并延伸到该隔离结构底部。

27、如权利要求26所述的互补式金属氧化物半导体图像传感器的浮动节点的制造方法，其中该表面保护层为第二导电型，且延伸覆盖至该第二导电型场区，与该隔离结构邻接。

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