CN100533940C

CN100533940C - 全桥式驱动装置

Info

Publication number: CN100533940C
Application number: CNB2006101720787A
Authority: CN
Inventors: 陈振刚; 王政雄
Original assignee: LIANCHANG ELECTRONIC ENTERPRISE CO Ltd
Current assignee: LIANCHANG ELECTRONIC ENTERPRISE CO Ltd; Lien Chang Electronic Enterprise Co Ltd
Priority date: 2006-12-29
Filing date: 2006-12-29
Publication date: 2009-08-26
Anticipated expiration: 2026-12-29
Also published as: CN101212190A

Abstract

一种全桥式驱动装置，包括：推挽式控制芯片，其输出第一控制信号与第二控制信号；全桥式开关组件，其包括第一至第四N沟道场效应晶体管，全桥式开关组件耦接于直流电源、变压器的一次侧及两个驱动电路。其中一个驱动电路包括第一截止开关，第一截止开关根据第一控制信号截止第一N信道场效应晶体管；第一充电路径，其耦接于直流电源与第二N沟道场效应晶体管；第一放电路径，其耦接于第一N沟道场效应晶体管的栅-源极间。另一个驱动电路包括第二截止开关，第二截止开关根据第二控制信号截止第三N沟道场效应晶体管；第二充电路径，其耦接于直流电源与第四N沟道场效应晶体管；第二放电路径，其耦接于第三N沟道场效应晶体管的栅-源极间。

Description

全桥式驱动装置

技术领域

一种全桥式驱动装置，特别指一种可以利用推挽式控制芯片来控制全桥式换流器(Full-Bridge Inverter)并驱动负载的驱动装置。

背景技术

TFT面板背光源的电力供应(Power Supply)主要使用换流电路(InverterCircuit)来实现能量的转换及驱动冷阴极射线管(CCFL)发光。现有的换流电路(Inverter Circuit)因电路拓朴的不同，一般分有半桥式换流电路、全桥式换流电路及推挽式换流电路等，都是将直流电转换成交流电的换流电路。

参照图1，为现有推挽式换流电路驱动负载的电路示意图。变压器T1将电路区分成为一次侧的前级电路101与二次侧的后级电路102。该一次侧101包括：直流电源Vcc、第一开关Q1、第二开关Q2等，该二次侧102包括：至少一个电容器(C1、C2、C3)、负载(Load)、至少一个二极管(D1、D2)等。另外，一次侧101与二次侧102间连接有推挽式控制芯片103。配合图2，为现有推挽式控制芯片输出信号及负载端输出波形示意图。推挽式控制芯片103输出第一控制信号a与第二控制信号b，其中第一控制信号a与第二控制信号b分别控制一次侧101的第一开关Q1与第二开关Q2的切换动作，同时根据直流电源Vcc的电压，用以提供能量并由此变压器T1将直流电源Vcc的电压升压转换到二次侧102，从而驱动负载(Load)，变压器T1的二次侧102输出电压波形c显示C点的电压波形，如图2所示，二次侧102输出电压波形c为交流电压波形。

上述说明中该推挽式控制芯片103为LINFINITY(MICROSEMI)公司生产的芯片，其型号为LX1686，或O2MICRO公司生产的芯片，其型号为OZ9930、0Z9938、0Z9939和TEXAS，INSTRUMENTS公司生产的芯片，其型号为TL-494、TL-595，和Beyond Innovation Technology公司生产的芯片，其型号为BIT3193、BIT3713、BIT3715、BIT3501等系列，因厂牌众多而无法一一举例，仅以常用型号列举。

参照图3，为现有全桥式换流电路驱动负载的电路示意图。变压器T2将电路区分成为一次侧的前级电路201与二次侧的后级电路202，一次侧201包括：四个电子开关(P1、P2、N1、N2)、全桥式控制芯片203及电容器C1等，二次侧202包括：负载(Load)。配合图4，为现有全桥式控制芯片输出控制信号示意图。全桥式控制芯片203输出POUT1、POUT2、NOUT1、NOUT2四个控制信号，从而分别控制P1、P2、N1、N2四个电子开关的切换动作，同时根据直流电源Vcc的电压来提供能量给变压器T2，并由变压器T2将直流电源Vcc的电压升压转换到二次侧202从而驱动负载(Load)。该全桥式控制芯片203为Beyond Innovation Technology公司生产的芯片，其型号为BIT3105，或O2MICRO公司生产的芯片，其型号为OZ960、OZ964、OZ9925、OZ9910、OZL68、OZ9938、OZ9939等系列，及一般市售的现有的全桥式控制芯片。

上述说明中，当使用的换流电路(Inverter Circuit)为全桥式换流电路时，则需要加载全桥式控制芯片203的控制才能工作，若为推挽式换流电路则需要加载推挽式控制芯片103的控制才能工作。因此，在实用上缺乏灵活性，另外，换流电路(Inverter Circuit)在使用上也常受限于控制芯片，而导致换流电路(Inverter Circuit)无法正常工作。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种全桥式驱动装置，是利用推挽式控制芯片来驱动全桥式换流器的装置。本发明的全桥式驱动装置利用两个相同电路拓朴的驱动电路，分别连接于推挽式控制芯片的两个输出端与四个N沟道场效应晶体管所组成的全桥式开关组件的栅极，这两个驱动电路受推挽式控制芯片所控制，从而驱动全桥式开关组件的切换工作。

上述说明中，本发明全桥式驱动装置连接于变压器一次侧的两端用于将直流电源转换成为交流电源，全桥式驱动装置包括：设有第一输出端与第二输出端的推挽式控制芯片，该推挽式控制芯片输出占空比小于50％的第一控制信号与第二控制信号；第一截止开关，其基极耦接于该推挽式控制芯片的第一输出端，发射极耦接于参考端；第一二极管，其阳极耦接于该直流电源；第一电阻，其耦接于该第一二极管的阴极与该第一截止开关的集电极；第一电容耦，其接于该第一二极管的阴极与该变压器一次侧的一端；第一N沟道场效应晶体管，其栅极耦接于该第一截止开关，漏极耦接于该直流电源，源极耦接于该变压器一次侧的一端；第二N沟道场效应晶体管，其栅极耦接于该第一输出端，漏极耦接于该第一N沟道场效应晶体管的源极，源极耦接到参考端；第二截止开关，其基极耦接于该推挽式控制芯片的第二输出端，发射极耦接于上述参考端；第二二极管，其阳极耦接于该直流电源；第二电阻，其耦接于该第二二极管的阴极与该第二截止开关的集电极；第二电容，其耦接于该第二二极管的阴极与该变压器一次侧的另一端；第三N沟道场效应晶体管，其栅极耦接于该第二截止开关的阴极，漏极耦接于该直流电源，源极耦接于该变压器一次侧的另一端；及第四N沟道场效应晶体管，其栅极耦接于该第二输出端，漏极耦接于该第三N沟道场效应晶体管的源极，源极耦接于该参考端。

本发明还提供一种全桥式驱动装置，连接于变压器一次侧的两端与直流电源，包括：推挽式控制芯片，其输出占空比小于50％的第一控制信号与第二控制信号；第一N沟道场效应晶体管，其耦接于上述直流电源与上述变压器一次侧的一端；第二N沟道场效应晶体管，其耦接于上述第一N沟道场效晶体管、上述推挽式控制芯片及一个参考端；第一截止开关，其耦接于上述推挽式控制芯片与上述第一N沟道场效应晶体管，上述截止开关根据上述第一控制信号，截止上述第一N沟道场效应晶体管；第一充电路径，其耦接于上述直流电源与上述第二N沟道场效应晶体管；第一放电路径，其耦接于上述第一N沟道场效应晶体管的栅-源极间；第三N沟道场效应晶体管，其耦接于上述直流电源与上述变压器一次侧的另一端；第四N沟道场效应晶体管，其耦接于上述第三N沟道场效晶体管、上述推挽式控制芯片及上述参考端；第二截止开关，其耦接于上述推挽式控制芯片与上述第三N沟道场效应晶体管，该截止开关根据上述第二控制信号，截止上述第三N沟道场效应晶体管；第二充电路径，其耦接于上述直流电源与上述第四N沟道场效应晶体管；第二放电路径，其耦接于上述第三N沟道场效应晶体管的栅-源极间。

如此，本发明的全桥式驱动装置，利用推挽式控制芯片搭配两个驱动电路来控制现有全桥式换流电路的工作。技术人员只需使用推挽式控制芯片，不仅可控制推挽式换流电路，更进一步可搭配两个简单的驱动电路从而可以控制全桥式换流电路，在应用上更具灵活性。

以上的概述与接下来的详细说明皆为示范性质，都是为了进一步说明本发明的权利要求范围。而有关本发明的其它目的与优点，将在后续的说明与图示中加以阐述。

附图说明

图1为现有推挽式换流电路驱动负载的电路示意图。

图2为现有推挽式控制芯片输出控制信号及负载端输出电压波形示意图。

图3为现有全桥式换流电路驱动负载的电路示意图。

图4为现有全桥式控制芯片输出控制信号示意图。

图5为本发明第一实施例的全桥式驱动装置的电路示意图。

图6为本发明使用的推挽式控制芯片输出信号及交流电源电压波形示意图。

图7为本发明第二实施例的全桥式驱动装置的电路示意图。

具体实施方式

参照图5，为本发明第一实施例的全桥式驱动装置的电路示意图。其中本发明的全桥式驱动装置连接于变压器T_X一次侧的两端，用于将直流电源Vcc转换成为交流电源AC，该交流电源AC通过变压器T_X提供负载RL工作所需的能量。再次参照图5，本发明的全桥式驱动装置包括：推挽式控制芯片103、第一驱动电路30、第二驱动电路32及全桥式开关组件34。

推挽式控制芯片103设有第一输出端A与第二输出端B，该第一输出端A与该第二输出端B分别输出占空比小于50％的第一控制信号a与第二控制信号b。全桥式开关组件34包括四个N沟道场效应晶体管(Q1、Q2、Q3、Q4)。

第一驱动电路30耦接于该第一输出端A与该直流电源Vcc，接收该第一控制信号a，用于驱动全桥式开关组件34的第一与第二N沟道场效应晶体管Q1、Q2，其中，该第一N沟道场效应晶体管Q1的漏极耦接于该直流电源Vcc，源极耦接于该变压器T_X一次侧的一端。该第二N沟道场效应晶体管Q2的漏极耦接于该第一N沟道场效应晶体管Q1的源极，源极耦接到参考端G。第二驱动电路32耦接于该第二输出端B与该直流电源Vcc，接收该第二控制信号b，用于驱动全桥式开关组件34的第三与第四N沟道场效应晶体管Q3、Q4，其中该第三N沟道场效应晶体管Q3的漏极耦接于该直流电源Vcc，源极耦接于该变压器T_X一次侧的另一端。该第四N沟道场效应晶体管Q4的漏极耦接于该第三N沟道场效应晶体管Q3的源极，源极耦接到该参考端G。

该全桥式开关组件34受控于该第一驱动电路30与该第二驱动电路32，从而将该直流电源Vcc切换为该交流电源AC并传送至该变压器T_X一次侧的两端。

再次参照图5，该第一驱动电路30包括：第一截止开关Q5、第一二极管D1、第一电阻R1、第一电容C1及第一缓冲电路302。第一截止开关Q5为BJT晶体管，其基极耦接于该推挽式控制芯片103的第一输出端A，发射极耦接于参考端G，集电极耦接于第一电阻R1的一端。第一二极管D1的阳极耦接于该直流电源Vcc，阴极耦接于第一电阻R1的另一端。第一截止开关Q5也可为光耦合开关。第一电容C1耦接于该第一二极管D1的阴极与该变压器T_X一次侧的一端。第一缓冲电路302耦接于该第一输出端A与该全桥式开关组件34的第二N沟道场效应晶体管Q2，其中第一缓冲电路302包括第一加速二极管D2与第三电阻R3，第一加速二极管D2的阴极(N)端耦接到该推挽式控制芯片103的第一输出端A，阳极(P)端耦接到该第二N沟道场效应晶体管Q2的栅极。第三电阻R3并联耦接于该第一加速二极管D2。

另外，第二驱动电路32的电路拓朴与第一驱动电路30相同，参照图5，第二驱动电路32包括：第二截止开关Q6、第二二极管D3、第二电阻R4、第二电容C2及第二缓冲电路322。第二截止开关Q6为BJT晶体管，其基极耦接于该推挽式控制芯片103的第二输出端B，发射极耦接于参考端G，集电极耦接于第二电阻R4的一端。第二截止开关Q6也可为光耦合开关。第二二极管D3的阳极耦接于该直流电源Vcc，阴极耦接于第二电阻R4的另一端。第二电容C2耦接于该第二二极管D3的阴极与该变压器T_X一次侧的一端。第二缓冲电路322耦接于该第二输出端B与该全桥式开关组件34的第四N沟道场效应晶体管Q4，其中第二缓冲电路322包括第二加速二极管D4与第四电阻R6，第二加速二极管D4的阴极(N)端耦接到该推挽式控制芯片103的第二输出端B，阳极(P)端耦接到该第四N沟道场效应晶体管Q4的栅极。第四电阻R6并联耦接于该第二加速二极管D4。

上述中，该直流电源Vcc经由第一N沟道场效应晶体管Q1与该第四N沟道场效应晶体管Q4导通，从而提供正直流电源+Vcc给该变压器T_X，从而形成正半周驱动。第二N沟道场效应晶体管Q2与该第三N沟道场效应晶体管Q3的导通，提供负直流电源—Vcc给该变压器T_X，从而形成负半周驱动。

配合图5，参照图6，图6为本发明的推挽式控制芯片输出信号及交流电源电压波形示意图。推挽式控制芯片103为LINFINITY(MICROSEMI)公司生产的芯片，其型号为LX1686，或O2MICRO公司生产的芯片，其型号为OZ9RR、OZ9936、OZ9932、OZ9930，为一般市售的推挽式控制芯片。如图6所示，推挽式控制芯片103输出端A输出该第一控制信号a，输出端B输出该第二控制信号b。并且，在变压器T_X一次侧可得到交流电源AC的电压波形ac。

再次配合图5，参照图6，在时间t1-t2时，第一控制信号a为高电位，第二控制信号b为低电位。第一控制信号a通过第三电阻R3传送至第二N沟道场效应晶体管Q2的栅极，从而控制第二N沟道场效应晶体管Q2导通(ON)。第一控制信号a同时传送至第一截止开关Q5的控制端，用于控制第一截止开关Q5导通(ON)。导通的第一截止开关Q5将第一N沟道场效应晶体管Q1的栅极拉到参考端G，所以第一N沟道场效应晶体管Q1为截止(OFF)状态。此时，随着第二N沟道场效应晶体管Q2的导通，直流电源Vcc可以通过第一二极管D1与第一电容C1所形成的充电路径，建立正电压于第一电容C1上。

此外，低电位的第二控制信号b通过第四电阻R6传送至第四N沟道场效应晶体管Q4的栅极，来控制第四N沟道场效应晶体管Q4截止(OFF)。第二控制信号b同时传送至第二截止开关Q6的控制端，用于控制第二截止开关Q6截止(OFF)。由于第二电容C2在前一周期工作中已经建立有正电压，所以此时建立在第二电容C2上的正电压，通过第二电阻R4连接于第三N沟道场效应晶体管Q3的栅-源极间从而形成放电路径，来驱动第三N沟道场效应晶体管Q3进入导通(ON)状态。

因此在时间t1-t2时，第二N沟道场效应晶体管Q2与第三N沟道场效应晶体管Q3为导通(ON)状态，第一N沟道场效应晶体管Q1与第四N沟道场效应晶体管Q4为截止(OFF)状态。此时，直流电源Vcc可以经由第二N沟道场效应晶体管Q2与第三N沟道场效应晶体管Q3的导通(ON)，而将能量传送至变压器T_X的一次侧，因此，此时变压器T_X一次侧得到的电压波形ac为负直流电源—Vcc。

再次配合图5，参照图6，在时间t2-t3时，第一控制信号a从高电位降到低电位，第二控制信号b仍保持为低电位。此时，第二N沟道场效应晶体管Q2通过第一加速二极管D2而加速进入截止(OFF)状态，而第一截止开关Q5同样进入截止(OFF)状态。此时建立在第一电容C1的正电压，通过第一电阻R1而施于第一N沟道场效应晶体管Q1的栅-源极之间，从而驱动第一N信道场效应晶体管Q1进入导通(ON)状态。

而由于第二控制信号b仍保持为低电位，所以第三N沟道场效应晶体管Q3仍为导通(ON)状态，第四N沟道场效应晶体管Q4仍为截止(OFF)状态。

由上述说明中可知，在时间t2-t3时，第一N沟道场效应晶体管Q1与第三N沟道场效应晶体管Q3为导通(ON)状态，而第二N沟道场效应晶体管Q2与第四N沟道场效应晶体管Q4为截止(OFF)状态，此时，变压器T_X的一次侧形成短路，使得储存在变压器T_X内的能量得以泄除，为泄能状态。因此，此时变压器T_X一次侧得到的电压波形ac为零电位。

再次配合图5，参照图6，在时间t3-t4时，第一控制信号a仍保持低电位，第二控制信号b由低电位上升至高电位。第二控制信号b通过第二电阻R6传送至第四N沟道场效应晶体管Q4的栅极，控制第四N沟道场效应晶体管Q4导通(ON)。第二控制信号b同时传送至第二截止开关Q6的控制端，用以控制第二截止开关Q6导通(ON)。

导通的第二截止开关Q6将第三N沟道场效应晶体管Q3的栅极拉到参考端G，所以第三N沟道场效应晶体管Q3为截止(OFF)状态。此时，随着第四N沟道场效应晶体管Q4的导通，直流电源Vcc可以通过第二二极管D3与第二电容C2所形成的充电路径，建立正电压于第二电容C2上。

而由于第一控制信号a仍保持为低电位，所以第一N沟道场效应晶体管Q1仍为导通(ON)状态，第二N沟道场效应晶体管Q2仍为截止(OFF)状态。

所以在时间t3-t4时，第二N沟道场效应晶体管Q2与第三N沟道场效应晶体管Q3为截止(OFF)状态，第一N沟道场效应晶体管Q1与第四N沟道场效应晶体管Q4为导通(ON)状态。此时，直流电源Vcc可以经由第一N沟道场效应晶体管Q1与第四N沟道场效应晶体管Q4的导通(ON)，而将能量传送至变压器T_X的一次侧，因此，此时变压器T_X一次侧得到的电压波形ac为正直流电源+Vcc。

再次配合图5，参照图6，在时间t4-t5时，第一控制信号a仍为低电位，第二控制信号b由高电位下降到低电位。此时，第四N沟道场效应晶体管Q4通过第二加速二极管D4而加速进入截止(OFF)状态，而第二截止开关Q6同样进入截止(OFF)状态。此时建立在第二电容C2的正电压，通过第二电阻R4连接于第三N沟道场效应晶体管Q3的栅-源极间，从而形成放电路径，以驱动第三N信道场效应晶体管Q3进入导通(ON)状态。

由上述说明可知，在时间t4-t5时，第一N沟道场效应晶体管Q1与第三N沟道场效应晶体管Q3为导通(ON)状态，而第二N沟道场效应晶体管Q2与第四N沟道场效应晶体管Q4为截止(OFF)状态，此时，变压器T_X的一次侧形成短路，使得储存在变压器T_X内的能量得以泄除，为泄能状态。因此，此时变压器T_X一次侧得到的电压波形ac为零电位。

再次配合图5，参照图6，本发明的全桥式驱动装置的电路工作以及变压器T_X一次侧得到的电压波形ac，在时间t5-t6时又回复到时间t1-t2时的动作与波形，如上述说明，形成提供能量的交流电源AC，交流电源AC的峰对峰值为直流电源Vcc的两倍。同时，变压器T_X将交流电源AC升压转换后，从二次侧提供能量给负载RL。

参照图7，为本发明第二实施例的全桥式驱动装置的电路示意图。在本发明第二实施例中的元件与第一实施例相同的元件，以相同符号标示。第二实施例与第一实施例的电路工作原理与达成的功效相同，经过比较，其主要的差异处在于：第二实施例进一步包括第一信号放大单元304与第二信号放大单元324。该第一信号放大单元304耦接于该第一N沟道场效应晶体管Q1与该第一截止开关Q5之间，该第二信号放大单元324耦接于该第三N沟道场效应晶体管Q3与该第二截止开关Q6之间。此外第一信号放大单元304为由NPN晶体管Q7与PNP晶体管Q8所组成的互补式开关组件，且该第二信号放大单元324为由NPN晶体管Q9与PNP晶体管Q10所组成的互补式开关组件。

再次参照图7，当第一截止开关Q5截止(OFF)时，NPN晶体管Q7同步截止(OFF)，PNP晶体管Q8同步导通(ON)，导通的PNP晶体管Q8控制第一N沟道场效应晶体管Q1进入导通(ON)状态。相反，当第一截止开关Q5导通(ON)时，NPN晶体管Q7同步导通(ON)，PNP晶体管Q8同步截止(OFF)，导通的NPN晶体管Q7控制第一N沟道场效应晶体管Q1进入截止(OFF)状态。根据前述，该第二信号放大单元324的工作原理与该第一信号放大单元304相同，在此不加赘述。

综上所述，本发明的全桥式驱动装置，可连接两个相同电路拓朴的驱动电路30、32在现有的全桥式换流电路中，不仅可以搭配使用推挽式控制芯片103进行控制，在应用上更具有灵活性，且不会受限于控制芯片。并且，本领域普通技术人员只需使用推挽式控制芯片103就可以根据使用状况来选择控制推挽式换流电路或全桥式换流电路。

然而，上述仅为本发明最佳的一个具体实施例的详细说明与图示，任何熟悉该项工艺的人员在本发明的领域内，可轻易想到的变化或修饰皆可涵盖于本案的权利要求中。

Claims

1.一种全桥式驱动装置，其特征在于，连接于变压器一次侧的两端，用于将直流电源转换成为交流电源，包括：

推挽式控制芯片，其设有第一输出端与第二输出端，该第一输出端与上述第二输出端分别输出占空比小于50％的第一控制信号与第二控制信号；

第一截止开关，其基极耦接于上述推挽式控制芯片的第一输出端，发射极耦接于参考端；

第一二极管，其阳极耦接于上述直流电源；

第一电阻，其耦接于上述第一二极管的阴极与上述第一截止开关的集电极；

第一电容，其耦接于上述第一二极管的阴极与上述变压器一次侧的一端；

第一N沟道场效应晶体管，其栅极耦接于上述第一截止开关，漏极耦接于上述直流电源，源极耦接于上述变压器一次侧的一端；

第二N沟道场效应晶体管，其栅极耦接于上述第一输出端，漏极耦接于上述第一N沟道场效应晶体管的源极，源极耦接于一个参考端；

第二截止开关，其基极耦接于上述推挽式控制芯片的第二输出端，发射极耦接于上述参考端；

第二二极管，其阳极耦接于上述直流电源；

第二电阻，其耦接于上述第二二极管的阴极与上述第二截止开关的集电极；

第二电容，其耦接于上述第二二极管的阴极与上述变压器一次侧的另一端；

第三N沟道场效应晶体管，其栅极耦接于上述第二截止开关，漏极耦接于上述直流电源，源极耦接于上述变压器一次侧的另一端；及

第四N沟道场效应晶体管，其栅极耦接于上述第二输出端，漏极耦接于上述第三N沟道场效应晶体管的源极，源极耦接于上述参考端。

2.如权利要求1所述的全桥式驱动装置，其特征在于，上述直流电源经由第一N沟道场效应晶体管与上述第四N沟道场效应晶体管的导通，提供正直流电源给上述变压器，从而形成正半周驱动。

3.如权利要求1所述的全桥式驱动装置，其特征在于，上述直流电源经由第二N沟道场效应晶体管与上述第三N沟道场效应晶体管的导通，提供负直流电源给上述变压器，从而形成负半周驱动。

4.如权利要求1所述的全桥式驱动装置，其特征在于，进一步包括第一缓冲电路，该第一缓冲电路包括：

第一加速二极管，其阴极(N)端耦接于上述推挽式控制芯片的第一输出端，阳极(P)端耦接于上述第二N沟道场效应晶体管的栅极；及

第三电阻，其并联耦接于上述第一加速二极管。

5.如权利要求1所述的全桥式驱动装置，其特征在于，进一步包括第二缓冲电路，该第二缓冲电路包括：

第二加速二极管，其阴极(N)端耦接于上述推挽式控制芯片的第二输出端，其阳极(P)端耦接于上述第四N沟道场效应晶体管的栅极；及

第四电阻，其并联耦接于上述第四加速二极管。

6.如权利要求1所述的全桥式驱动装置，其特征在于，上述第一截止开关可为光耦合开关。

7.如权利要求1所述的全桥式驱动装置，其特征在于，上述第二截止开关可为光耦合开关。

8.如权利要求1所述的全桥式驱动装置，其特征在于，进一步包括第一信号放大单元与第二信号放大单元，该第一信号放大单元耦接于上述第一N沟道场效应晶体管与上述第一截止开关之间，该第二信号放大单元耦接于上述第三N沟道场效应晶体管与上述第二截止开关之间。

9.如权利要求8所述的全桥式驱动装置，其特征在于，上述第一信号放大单元与上述第二信号放大单元分别为互补式开关组件。

10.一种全桥式驱动装置，其特征在于，连接于变压器一次侧的两端，用于将直流电源转换成为交流电源，包括：

推挽式控制芯片，其输出占空比小于50％的第一控制信号与第二控制信号；

第一N沟道场效应晶体管，其耦接于上述直流电源与上述变压器一次侧的一端；

第二N沟道场效应晶体管，其耦接于上述第一N沟道场效晶体管、上述推挽式控制芯片及一个参考端；

第一截止开关，其耦接于上述推挽式控制芯片与上述第一N沟道场效应晶体管，上述第一截止开关根据上述第一控制信号，截止上述第一N沟道场效应晶体管；

第一充电路径，其耦接于上述直流电源与上述第二N沟道场效应晶体管；

第一放电路径，其耦接于上述第一N沟道场效应晶体管的栅-源极间；

第三N沟道场效应晶体管，其耦接于上述直流电源与上述变压器一次侧的另一端；

第四N沟道场效应晶体管，其耦接于上述第三N沟道场效晶体管、上述推挽式控制芯片及上述参考端；

第二截止开关，其耦接于上述推挽式控制芯片与上述第三N沟道场效应晶体管，该第二截止开关根据上述第二控制信号，截止上述第三N沟道场效应晶体管；

第二充电路径，其耦接于上述直流电源与上述第四N沟道场效应晶体管；

第二放电路径，其耦接于上述第三N沟道场效应晶体管的栅-源极间。

11.如权利要求10所述的全桥式驱动装置，其特征在于，上述第一充电路径包括：

第一二极管，其阳极耦接于上述直流电源；

第一电容，其耦接于上述第一二极管的阴极与上述第二N沟道场效应晶体管。

12.如权利要求11所述的全桥式驱动装置，其特征在于，上述第一放电路径由第一电阻耦接于上述第一电容而组成。

13.如权利要求10所述的全桥式驱动装置，其特征在于，上述第二充电路径包括：

第二二极管，其阳极耦接于上述直流电源；

第二电容，其耦接于上述第二二极管的阴极与上述第四N沟道场效应晶体管。

14.如权利要求13所述的全桥式驱动装置，其特征在于，上述第二放电路径由第二电阻耦接于上述第二电容而组成。

15.如权利要求10所述的全桥式驱动装置，其特征在于，上述第一截止开关可为光耦合开关。

16.如权利要求10所述的全桥式驱动装置，其特征在于，上述第二截止开关可为光耦合开关。

17.如权利要求10所述的全桥式驱动装置，其特征在于，进一步包括第一信号放大单元与第二信号放大单元，该第一信号放大单元耦接于上述第一N沟道场效应晶体管与上述第一截止开关之间，该第二信号放大单元耦接于上述第三N沟道场效应晶体管与上述第二截止开关之间。

18.如权利要求17所述的全桥式驱动装置，其特征在于，上述第一信号放大单元与上述第二信号放大单元分别为互补式开关组件。