CN100489628C - 液晶显示板和液晶显示设备 - Google Patents

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Abstract

一种液晶显示板，包括第一基板、与所述第一基板相对的第二基板和液晶层。第一基板包括下基板、形成在下基板上的第一缓冲层和形成在第一缓冲层上的第一取向层。第一缓冲层包括聚合物类碳薄膜，第一取向层包括含氟的金刚石类碳薄膜。第二基板包括上基板、形成在上基板上的第二缓冲层和形成在第二缓冲层上的第二取向层。第二缓冲层包括聚合物类碳薄膜，第二取向层包括含氟的金刚石类碳薄膜。液晶显示板具有改善的光透射率以及取向层和基板之间分离的较低可能性。

Description

液晶显示板和液晶显示设备
技术领域
本发明涉及一种液晶显示板和一种具有所述液晶显示板的液晶显示设备。更具体地，本发明涉及一种包括具有改进粘附特性的无机垂直取向(VA)层的液晶显示板，以及一种具有所述液晶显示板的液晶显示设备。
背景技术
通常，液晶显示(LCD)设备包括液晶层。液晶层包括具有各向异性介电常数的液晶分子，并且将液晶分子注入到基板之间，形成液晶层。在将电场施加到液晶层上时，通过调整电场的强度来控制透过基板的光量，从而使液晶显示设备显示图像。
在初始状态，液晶层中的液晶分子按照预定的方向取向。但是，当将电场施加到液晶层上以改变透过液晶层的光量时，改变了液晶分子的取向方向。
为了使液晶分子取向，在将如基于聚酰亚胺的树脂等树脂以薄片的厚度涂覆在基板上，从而形成取向层之后，利用具有如丝绒等织物的辊子在取向层上形成取向凹陷。上述处理被称为“拓印处理”，通过利用具有织物的辊子拓印基板，在取向层上形成取向凹陷。
拓印处理在拓印取向层时，在取向层上产生了相当多的颗粒，造成了对取向层的污染，因此需要额外的清洁处理，从取向层中清除这些颗粒。此外，通过取向层和辊子的拓印织物之间的摩擦来进行拓印处理，从而形成取向层上的拓印凹陷，因而在取向层的表面上产生了静电。因此，当过度地摩擦取向层时，在取向层的表面上产生大量的静电，从而损坏了位于取向层下方的薄膜晶体管。
大于40英寸的大尺寸显示设备变得普及。考虑到显示器产业的上述趋势，因为取向的不均匀性和取向层上由于摩擦而导致静电的产生，在制造大尺寸显示板时，难以采用拓印处理。
已经尝试开发能够代替接触型取向方法的非接触处理，如光取向方法等。
随着液晶显示板尺寸的增加，涉及如观看角度、残留影像和响应速度等特性有关的问题。可以利用形成了图案的垂直取向(PVA)型取向层来克服与观看角度有关的问题。因为取向层吸收了取向层表面的杂质离子，可能会产生残留影像。而且，通过在使液晶分子初始取向时，形成液晶分子的预倾斜角度，改善了在电场中液晶分子的响应速度。
具体地，PVA型取向处理实质上需要一个垂直取向(VA)层。可以将形成取向层的方法分为：如扭转向列(TN)型和平面内转换(IPS)型等的平行取向类型，以及如垂直取向(VA)型和形成了图案的垂直取向(PVA)型等的垂直取向型。
并未开发针对垂直取向无机取向层的非接触型处理。无机取向层通常具有较低的粘附特性，因而在基板和取向层之间使用额外的粘接件。但是，粘接件是额外的部件，从而当粘接件的光透射率较低时，也降低了液晶显示设备的亮度。因此，粘接件需要增强的光透射率。
在大尺寸液晶显示设备中，尽管使用了非接触型无机取向层，但非接触型无机取向层易于与基板分离，因而非接触型无机取向层具有较低的稳定性。
因此，需要粘接件来提高取向层的稳定性。此外，粘接件是额外的层，因而增强了粘接属性的粘接件需要足够的光透射能力，以防止液晶显示设备亮度的恶化。
发明内容
本发明的实施例提供了一种具有能够防止光透射率的恶化的非接触型垂直取向层的液晶显示板。
本发明的实施例还提供了一种包括上述液晶显示板的液晶显示设备。
根据本发明的实施例，提出了一种液晶显示板，包括第一基板、第二基板和液晶层。所述第一基板包括下基板、形成在所述下基板上的第一缓冲层和形成在所述第一缓冲层上的第一取向层。所述第一缓冲层包括聚合物类碳(PLC)薄膜，所述第一取向层包括含氟的类金刚石碳(DLC)薄膜。所述第二基板与所述第一基板相对，对应于所述第一基板。所述第二基板包括上基板、形成在所述上基板上的第二缓冲层和形成在所述第二缓冲层上的第二取向层。所述第二缓冲层包括聚合物类碳(PLC)薄膜。所述第二取向层包括含氟的类金刚石碳(DLC)薄膜。所述液晶层位于所述第一和第二基板之间，并且所述液晶层包括液晶分子，所述液晶分子具有形成在所述液晶分子的长轴和实质上垂直于所述第一和第二取向层中的每一个的垂直方向之间的预倾斜角。
根据本发明的另一实施例，提出了一种液晶显示设备，包括第一基板、第二基板、液晶层和背景光组件。所述第一基板包括下基板、形成在所述下基板上的第一缓冲层和形成在所述第一缓冲层上的第一取向层。所述第一缓冲层包括聚合物类碳(PLC)薄膜，所述第一取向层包括含氟的类金刚石碳(DLC)薄膜。与所述第一基板相对应的所述第二基板与所述第一基板相对。所述第二基板包括上基板、形成在所述上基板上的第二缓冲层和形成在所述第二缓冲层上的第二取向层。所述第二缓冲层包括聚合物类碳(PLC)薄膜。所述第二取向层包括含氟的类金刚石碳(DLC)薄膜。所述液晶层位于所述第一和第二基板之间，并且所述液晶层包括液晶分子，所述液晶分子具有形成在所述液晶分子的长轴和实质上垂直于所述第一和第二取向层中的每一个的垂直方向之间的预倾斜角。所述背景光组件向所述液晶层提供光。
取向层包括含氟的类金刚石碳薄膜。因此，取向层可以通过取向层的化学属性，垂直取向液晶分子，而无需额外的处理。此外，缓冲层使取向层不会发生取向层分离，并具有极佳的光透射率。
附图说明
通过以下结合附图的描述，将更为详细地理解本发明的优选实施例，其中：
图1是示出了根据本发明典型实施例的液晶显示板的像素的截面图；
图2是示出了根据本发明典型实施例的液晶显示板的开口图案的平面图；
图3是沿图2中的线I-I’得到的截面图；
图4是示出了根据本发明典型实施例的液晶显示设备的分解透视图；
图5是示出了根据本发明典型实施例的液晶显示设备的分解透视图；以及
图6是示出了根据本发明实施例、在改变光波长时、聚合物类碳(PLC)和类金刚石碳(DLC)的光透射率的曲线图。
具体实施方式
下面，将参照附图，对本发明的优选实施例进行更为全面的描述。但是，可以按照不同的形式来实现本发明，而不应当理解为局限于这里所述的实施例。
图1是示出了根据本发明典型实施例的液晶显示板的像素的截面图。
参照图1，液晶显示板100包括第一基板170、第二基板180和液晶层150。
第一基板170包括下基板110、形成在下基板110上的第一缓冲层132和形成在第一缓冲层132上的第一取向层142。下基板110包括含玻璃的第一基底基板112和形成在第一基底基板112上的第一图案层114。第一图案层114包括多条栅极线(未示出)和多条数据线(未示出)、像素电极(未示出)和薄膜晶体管(未示出)。栅极线和数据线彼此相交，并且形成在第一基底基板112上。每个像素电极形成在由栅极和数据线所限定的像素区域上。薄膜晶体管接通和断开像素电极。第一缓冲层132形成在下基板110上。第一取向层142形成在第一缓冲层132上，并且使第一取向层142与液晶层150相接触。
第二基板180包括上基板120、形成在上基板120下方的第二缓冲层134和形成在第二缓冲层134下方的第二取向层144。上基板120包括含玻璃的第二基底基板122和形成在第二基底基板122下方的第二图案层128。第二图案层128包括黑矩阵123、滤色片124、绝缘层125和公共电极126。在与像素区域相对应的区域中，将黑矩阵123形成在第二基底基板122的下方。滤色片124形成在相邻的黑矩阵123之间。绝缘层125绝缘并保护黑矩阵123和滤色片124。公共电极126形成在绝缘层125的下方。第二缓冲层134形成在第二图案层128的下方，以及第二取向层144形成在第二缓冲层134的下方。
在本实施例中，通过在将金属或金属化合物沉积在第二基底基板122上之后，部分刻蚀金属或金属化合物，来形成黑矩阵123。金属的示例包括铬(Cr)。金属化合物可以包括氧化铬(CrOx)、氮化铬(CrNx)等。或者，可以通过将包括光刻胶化合物的不透明材料涂覆在第二基底基板122上之后的光刻处理，将黑矩阵123形成在第二基底基板122上。不透明材料的示例包括碳黑、颜料混合物、染料混合物等。颜料混合物可以包括红颜料、绿颜料和蓝颜料。染料混合物可以包括红染料、绿染料和蓝染料。或者，重叠多个滤色片124，以形成黑矩阵123。
滤色片124形成在与第一基板170的像素区域相对应的第二基底基板122下方，从而使滤色片124有选择地透射具有预定波长的光。滤色片124包括红色滤色片、绿色滤色片和蓝色滤色片。可以利用滤色片合成物来形成滤色片124。滤色片合成物可以包括光聚合诱发剂、单体、粘合剂树脂、颜料、溶剂、光刻胶化合物等。或者，滤色片24可以形成在下基板110上。
像素电极(未示出)和公共电极126可以包括导电透明材料，如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(TO)和氧化锌(ZO)等。每个像素电极和公共电极126可以包括具有极佳光反射率的反射电极。像素电极和公共电极126优选地包括重量百分比范围约为5％的氧化铟锡(ITO)。
将液晶层150设置在第一基板170和第二基板180之间。在未将电场施加到液晶层150上时，液晶分子155沿实质上垂直于第一和第二取向层142和144的表面中的每一个的方向取向。换句话说，液晶分子155的长轴沿实质上垂直于第一和第二取向层142和144的表面中的每一个的方向排列。而且，液晶分子155按照相对于实质上垂直于第一和第二取向层142和144的表面中的每一个的方向呈预倾斜角度(θ)倾斜取向。第一和第二取向层142和144可以通过第一和第二取向层142和144的化学属性，使液晶分子150沿实质上垂直于第一和第二取向层142和144的表面中的每一个的方向取向，而无需额外的处理。
第一取向层142和第二取向层144包括含氟(F)的金刚石样碳(DLC)薄膜。含氟的金刚石样碳(DLC)薄膜形成在第一缓冲层132上。含氟的金刚石样碳(DLC)薄膜也形成在第二缓冲层132上。通过等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)处理，将金刚石样碳(DLC)形成在第一和第二缓冲层132和134上。具体地，提供作为源气体的碳氢化合物气体、作为惰性气体的氦气或氩气以及四氟化碳(CF4)气体来进行PECVD处理。
包含在四氟化碳气体中的氟增加了第一和第二取向层142和144的表面处的接触角度，因而也增加了取向层142和144的表面处的疏水属性。因此，包含在液晶分子155的末端部分中的疏水官能团靠近第一和第二取向层142和144的表面，使液晶分子155沿实质上垂直于取向层142和144的表面中的每一个的方向取向。当取向层中的氟含量增加时，液晶分子155的预倾斜角度(θ)减小。表1示出了改变四氟化碳含量时的预倾斜角度(θ)和接触角度。
表1
 
CF<sub>4</sub>(sccm) 5 10 20 30
预倾斜角度(°) 5 4 2 0.5
接触角度(°) 85.8 108.9 105. 105.7
可以通过改变包含在取向层中的氟含量来调整液晶分子155的预倾斜角度(θ)。可以通过将离子束照射在液晶分子155上来控制预倾斜角度(θ)。当预倾斜角度(θ)超过大约10°时，对比度过量减小。因此，预倾斜角度(θ)在大约0°到大约10°的范围内，优选地，在大约5°到大约10°的范围内。
可以通过化学气相沉积(CVD)方法、蒸发方法或溅射方法代替PECVD方法来形成金刚石样碳(DLC)薄膜。
第一缓冲层132包括聚合物样碳(PLC)薄膜。第二缓冲层134也包含聚合物样碳(PLC)薄膜。根据碳薄膜中氢的含量，将碳薄膜分为金刚石样碳(DLC)或聚合物样碳(PLC)。氢含量越高，碳薄膜越接近聚合物样碳(PLC)薄膜，而氢含量越低，碳薄膜越接近金刚石样碳(DLC)薄膜。包含在聚合物样碳(PLC)薄膜中的碳可以以碳氢化合物的形式存在。聚合物样碳(PLC)薄膜是非定形的。包含在聚合物样碳(PLC)薄膜中的氢作为碳氢键(C-H)或氢氢键(H-H)存在。在本实施例中，将聚合物样碳(PLC)薄膜定义为氢的原子百分比超过大约30％的碳薄膜。当氢含量超过大约60％原子百分比时，在沉积处理中，沉积速度超过刻蚀速度，从而不能进行普通的沉积处理。因此，聚合物样碳(PLC)薄膜中的氢含量在大约30％到大约60％原子百分比的范围内。聚合物样碳(PLC)薄膜中的氢含量优选地在大约40％到大约55％原子百分比的范围内。
在沉积处理中，聚合物样碳(PLC)比金刚石样碳(DLC)需要更低的能量，因而与金刚石样碳(DLC)薄膜相比，聚合物样碳(PLC)薄膜具有相对较低的残余应力。因此，难以分离取向层和缓冲层，从而可以提高取向层的粘附特性。此外，与金刚石样碳(DLC)薄膜相比，聚合物样碳(PLC)薄膜具有较低的密度，因此与金刚石样碳(DLC)薄膜相比，内部应力较低。
与金刚石样碳(DLC)相比，聚合物样碳(PLC)表现出增加的光透射特性，因为聚合物样碳(PLC)的光带隙能量大于金刚石样碳(DLC)的光带隙能量。聚合物样碳(PLC)的光带隙能量高，因而可见光不会将聚合物样碳(PLC)薄膜中的电子转变为受激态。因此，可见光通过聚合物样碳(PLC)薄膜。相反，金刚石样碳(DLC)的光子带隙能量低，因此可见光可以将金刚石样碳(DLC)薄膜中的电子转变为受激态。因此，在金刚石样碳(DLC)薄膜中吸收可见光，从而降低了金刚石样碳(DLC)薄膜的光透射率。
图6是示出了在改变光波长时、聚合物样碳(PLC)和金刚石样碳(DLC)的光透射率的曲线图。
参照图6，在可见光的蓝光区域(350nm～400nm)，聚合物样碳(PLC)薄膜的光透射率约为100％。然而，在可见光的蓝光区域，金刚石样碳(DLC)薄膜的光透射率急剧下降。在图6中，DLC(1)和DLC(2)表示金刚石样碳(DLC)薄膜。与DLC(2)相比，DLC(1)具有较大的带隙能量。在本实施例中，第一和第二缓冲层132和134中的每一个均包括聚合物样碳(PLC)薄膜，从而第一和第二缓冲层132和134具有如增加的光透射率等光学属性。因此，尽管分别在下和上基板110和120上额外地形成第一和第二缓冲层132和134以增强第一和第二取向层142和144的粘附特性，并未降低通过第一和第二缓冲层132和134的光的光透射率。
当聚合物样碳(PLC)薄膜的带隙能量小于大约2.0eV时，显著地降低了在可见光的蓝光区域的光透射率，以及当聚合物样碳(PLC)薄膜的带隙能量超过4.0eV时，包含在聚合物样碳(PLC)薄膜中的氢可能会具有较高的水平。因此，优选地，聚合物样碳(PLC)薄膜的带隙能量在大约2.0eV到大约4.0eV的范围内。
此外，当sp3杂化键碳(hybrid bonded carbon)的含量小于大约40％原子百分比时，饱和碳氢化合物中的氢与饱和碳氢化合物脱离，导致聚合物样碳(PLC)薄膜中的sp2杂化键碳，从而恶化了光透射率。当sp3杂化键碳的含量大于大约60％原子百分比时，聚合物样碳(PLC)薄膜中的氢含量增加到可能会使第一和第二缓冲层132和134无效的水平。因此sp3杂化键碳的含量在大约40％到60％原子百分比的范围内，优选地，在大约45％到55％原子百分比的范围内。
当第一和第二取向层142和144的厚度小于大约
Figure C200510091116D00131
时，不能实现液晶分子155的垂直取向。当第一和第二取向层142和144的厚度超过大约
Figure C200510091116D00132
时，恶化可见光区域的光透射率。因此，第一和第二取向层142和144中的每一个具有大约
Figure C200510091116D00133
到大约
Figure C200510091116D00134
的厚度。
第一和第二缓冲层132和134中的每一个具有大约
Figure C200510091116D00135
到大约
Figure C200510091116D00141
的厚度。根据光透射率来确定第一和第二缓冲层132和134中的每一个的厚度。在大约
Figure C200510091116D00142
到大约
Figure C200510091116D00143
的范围内，能够以上述光带隙能量的范围来保持可见光的所需光透射率。第一和第二缓冲层132和134能够在保持薄片厚度的同时，实现极佳的光透射率，从而降低了第一和第二缓冲层132和134的制造成本。
第一缓冲层132形成在像素电极(未示出)上，而第二缓冲层134形成在公共电极126上。具体地，将聚合物样碳(PLC)沉积在像素电极和公共电极上。将碳氢化合物气体用作源气体，而将氦气(He)或氩气(Ar)用作惰性气体。利用等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)，将碳氢化合物气体沉积在像素电极和公共电极上。在沉积处理中，将高频电源作为能量源施加到源气体上。尽管施加到源气体上的高频电源具有较低的能量，但可以容易地形成聚合物样碳(PLC)薄膜。高频电源的能量在大约1W到大约30W的范围内。当高频电源的能量小于1W时，不能形成聚合物样碳(PLC)薄膜。当高频电源的能量超过30W时，可能会形成金刚石样碳(DLC)薄膜。
图2是示出了根据本发明典型实施例的液晶显示板的开口图案的平面图。图3是沿图2中的线I-I’得到的截面图。
在本实施例中，除了开口162和164以外，液晶显示板实质上具有与参照图1进行描述的液晶显示板相同的功能和结构。因此，这里只对不同的部分进行描述。在本实施例中，相同的参考数字用于表示与图1所示相同或相似的部件，并省略对其的重复描述。
参照图2和3，第一开口162和第二开口164分别形成在下和上基板112和122上。通过部分去除第一取向层142来形成第一开口162，而通过部分去除第二取向层144来形成第二开口164。在将电场施加到液晶层150上时，在第一和第二开口162和164周围分别形成边缘场。将边缘场定义为形成在第一和第二开口162和164周围的弯曲电场。在本实施例中，液晶分子155具有负各向异性介电常数。在未将电场施加到液晶层150上时，液晶分子155的长轴沿实质上垂直于电场的方向取向。因此，相对于第一和第二基板170和180的表面，扭转与开口162和164相邻的液晶分子155的长轴。第一开口162和第二开口164分别形成在第一和第二基板170和180上，因而第一开口162可以不对应于第二开口164。
参照图2，从平面图上看，形成在第一基板170上的第一开口162具有倾斜的形状或实质上V形的形状。从平面图上看，形成在第二基板180上的第二开口164具有倾斜的形状。
图4是示出了根据本发明典型实施例的液晶显示设备的分解透视图。
参照图4，液晶显示设备1000包括液晶显示板100和背景光组件300。
液晶显示板100包括第一基板170、第二基板180和液晶层150。已经参照图1对液晶显示板100进行了描述，因此将省略对液晶显示板100的进一步描述。
背景光组件300包括反射板340、第一灯310a、第一灯罩312a、第二灯310b、第二灯罩312b、光导板330和光学片320。
第一和第二灯310a和310b产生光。第一和第二灯310a和310b可以包括冷电极荧光灯(CCFL)、发光二极管(LED)等。第一和第二灯罩312a和312b分别保护第一和第二灯310a和310b。而且，第一和第二灯310a和310b中的每一个将光反射到光导板330。光导板330将第一和第二灯310a和310b所产生的光转换为平面光，并将平面光提供给光学片320。光导板330可以包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。将反射板340设置在光导板330下方，将从光导板330泄漏出来的光反射向光导板330。光学片320对光导板330所提供的光的亮度进行均匀化，并将具有实质上均匀亮度的光提供给液晶显示板100。
可以将偏振膜(未示出)和相位延迟膜(未示出)设置在液晶显示板100和背景光组件300之间。此外，可以将偏振膜和相位延迟膜设置在液晶显示板100上。
图5是示出了根据本发明典型实施例的液晶显示设备的分解透视图。
参照图5，液晶显示设备2000包括液晶显示板200和背景光组件300。除了液晶显示板200以外，液晶显示设备200实质上具有与参照图4进行描述的液晶显示设备100相同的功能和结构。已经参照图2和3对液晶显示板200进行了描述，因此将省略对液晶显示板200和液晶显示设备200的进一步描述。
根据本发明实施例的液晶显示板和液晶显示设备包括含氟的金刚石样碳(DLC)薄膜，作为非接触型无机取向层，因而可以仅通过取向层的化学属性来实现液晶的垂直取向，而无需额外的处理。尤其是，根据本发明实施例的取向层可以有效地应用于PVA模式。
此外，根据本发明的液晶显示板包括：包括聚合物样碳(PLC)薄膜的缓冲层和包括含氟的金刚石样碳(DLC)薄膜的取向层，从而改善了取向层的粘附特性，并防止取向层与衬底分离，提高了取向层的稳定性。此外，缓冲层在可见光区域具有增强的光透射率，从而防止光透射率降低。
尽管已经参照附图对示例性实施例进行了描述，应当理解的是本发明并不局限于这些具体的实施例，本领域普通技术人员可以对其进行多种其他改变和修改，而不会偏离本发明的范围或精神。倾向于将所有这些改变和修改包括在由所附权利要求所限定的本发明的范围内。

Claims (21)

1、一种液晶显示板，包括：
(i)第一基板，包括：
下基板；
第一缓冲层，形成在所述下基板上，所述第一缓冲层包括聚合物类碳薄膜；和
第一取向层，形成在所述第一缓冲层上，所述第一取向层包括含氟的类金刚石碳薄膜；
(ii)第二基板，与所述第一基板相对，包括：
上基板；
第二缓冲层，形成在所述上基板上，所述第二缓冲层包括聚合物类碳薄膜；和
第二取向层，形成在所述第二缓冲层上，所述第二取向层包括含氟的类金刚石碳薄膜；以及
(iii)液晶层，位于所述第一和第二基板之间，所述液晶层包括具有预倾斜角的液晶分子。
2、根据权利要求1所述的液晶显示板，其特征在于所述聚合物类碳薄膜包括30％到60％原子百分比范围内的氢。
3、根据权利要求2所述的液晶显示板，其特征在于所述氢与碳(C-H)或氢(H-H)键合。
4、根据权利要求1所述的液晶显示板，其特征在于根据所述聚合物类碳薄膜中碳的总数，所述聚合物类碳薄膜包括40％到60％原子百分比范围内的sp3杂化键碳。
5、根据权利要求1所述的液晶显示板，其特征在于所述第一和第二缓冲层中的每一个具有2.0到4.0eV的带隙能量。
6、根据权利要求1所述的液晶显示板，其特征在于通过等离子体增强的化学气相沉积来沉积所述第一和第二取向层以及所述第一和第二缓冲层。
7、根据权利要求1所述的液晶显示板，其特征在于在液晶分子的长轴和实质上垂直于所述第一和第二取向层中的每一个的方向之间形成所述预倾斜角。
8、根据权利要求7所述的液晶显示板，其特征在于当包含在所述金刚石类碳薄膜中的氟含量增加时，所述预倾斜角减小。
9、根据权利要求7所述的液晶显示板，其特征在于所述预倾斜角在0°到10°的范围内。
10、根据权利要求1所述的液晶显示板，其特征在于所述第一和第二取向层中的每一个的厚度在30
Figure C200510091116C0003105718QIETU
到1000
Figure C200510091116C0003105718QIETU
的范围内。
11、根据权利要求1所述的液晶显示板，其特征在于所述第一和第二缓冲层中的每一个的厚度在10
Figure C200510091116C0003105718QIETU
到500
Figure C200510091116C0003105718QIETU
的范围内。
12、根据权利要求1所述的液晶显示板，其特征在于所述下基板包括：
第一基底基板；以及
第一图案层，包括：
多条栅极线和数据线，彼此相交且形成在所述第一基底基板上；
像素电极，与由所述栅极线和数据线所限定的每个像素区域相对应；和
多个薄膜晶体管，用于分别开关每个像素电极。
13、根据权利要求12所述的液晶显示板，其特征在于所述上基板包括：
第二基底基板；以及
第二图案层，包括：
黑矩阵，形成在所述第二基底基板上，所述黑矩阵定义了与像素区域相对应的区域；
滤色片，设置在相邻的黑矩阵之间；
绝缘层，用于绝缘所述黑矩阵和所述滤色片；和
公共电极，形成在所述绝缘层上。
14、根据权利要求12所述的液晶显示板，其特征在于所述像素电极包括氧化铟锡。
15、根据权利要求13所述的液晶显示板，其特征在于像素电极包括第一开口，所述公共电极包括第二开口，以及所述第一和第二开口将施加到所述液晶层上的电场分为多个微区域。
16、一种液晶显示设备，包括：
(i)第一基板，包括：
下基板；
第一缓冲层，形成在所述下基板上，所述第一缓冲层包括聚合物类碳薄膜；和
第一取向层，形成在所述第一缓冲层上，所述第一取向层包括含氟的类金刚石碳薄膜；
(ii)第二基板，与所述第一基板相对，包括：
上基板；
第二缓冲层，形成在所述上基板上，所述第二缓冲层包括聚合物类碳薄膜；和
第二取向层，形成在所述第二缓冲层上，所述第二取向层包括含氟的类金刚石碳薄膜；
(iii)液晶层，位于所述第一和第二基板之间，所述液晶层包括具有预倾斜角的液晶分子；以及
(iv)背景光组件，向所述液晶层提供光。
17、根据权利要求16所述的液晶显示设备，其特征在于所述下基板包括：
第一基底基板；以及
第一图案层，包括：
多条栅极线和数据线，彼此相交且形成在所述第一基底基板上；
像素电极，与由所述栅极线和数据线所限定的每个像素区域相对应；和
多个薄膜晶体管，用于分别接通或断开每个像素电极。
18、根据权利要求16所述的液晶显示设备，其特征在于所述上基板包括：
第二基底基板；以及
第二图案层，包括：
黑矩阵，形成在所述第二基底基板上，所述黑矩阵定义了与像素区域相对应的区域；
滤色片，设置在相邻的黑矩阵之间；
绝缘层，用于绝缘所述黑矩阵和所述滤色片；和
公共电极，形成在所述绝缘层上。
19、根据权利要求16所述的液晶显示设备，其特征在于根据所述聚合物类碳薄膜中碳的总数，所述聚合物类碳薄膜包括40％到60％原子百分比范围内的sp3杂化键碳。
20、根据权利要求16所述的液晶显示设备，其特征在于所述第一和第二缓冲层中的每一个具有2.0到4.0eV的带隙能量。
21、根据权利要求17所述的液晶显示设备，其特征在于像素电极包括第一开口，所述公共电极包括第二开口，以及从平面图上看，所述第一和第二开口将施加到所述液晶层上的电场分为多个微区域。
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