CN100456085C - 用于修复液晶显示器件的装置和方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及用于修复液晶显示板的装置和方法,该装置能够通过使亮点变暗来使液晶显示板的缺陷率最小化,从而提高其成品率。根据本发明的用于修复液晶显示板的装置包括:液晶显示板,其包括在彼此相对的第一基板和第二基板的任一个上形成的修复膜,液晶层位于所述两个基板之间;和激光照射装置,用于向修复膜照射激光,以使修复膜的特定区域变暗,该区域与液晶显示板中出现亮点的区域相对应。
Description
技术领域
本发明涉及用于修复液晶显示板的装置和方法,更具体地,涉及一种能够通过使亮点变暗以将其缺陷率减到最小来提高其成品率的用于修复液晶显示板的装置和方法。
背景技术
通常,液晶显示(LCD)器件根据视频信号来控制液晶材料的透光率以显示图像。为此,液晶显示器件包括其中以矩阵形状来排列液晶单元的液晶显示板,以及驱动液晶显示板的驱动电路。
根据驱动液晶材料的电场方向,将液晶显示器件划分为两种主要类别,即使用垂直方向电场的扭转向列(TN)模式和使用水平方向电场的面内切换(ISP)模式。
TN模式是这样一种模式,即通过分别位于下基板和上基板中、彼此相对布置的像素电极和公共电极之间的垂直电场来驱动液晶材料的模式,该TN模式具有其孔径比大的优点,但缺点是视角小。IPS模式是这样一种模式,即通过位于下基板中平行布置的像素电极和公共电极之间的水平电场来驱动液晶材料的模式,该IPS模式具有视角大的优点,但缺点是孔径比小。
图1是表示现有技术中的TN模式的液晶显示板的截面图。
参照图1,现有技术的TN模式液晶显示板包括:上阵列基板(即滤色器阵列基板),其具有在上基板2上顺序形成的黑底4、滤色器6、公共电极18和上配向膜8;下阵列基板,其具有在下基板32上形成的薄膜晶体管(下文中称为“TFT”)、像素电极16和下配向膜38;以及注入上阵列基板和下阵列基板之间的内部空间中的液晶材料52。
另一方面,IPS模式液晶显示板具有在下基板32上形成的公共电极18以及在上基板2的滤色器6上形成的外涂层(未示出),其中该外涂层用于补偿滤色器6的台阶差(stepped difference)。
在上阵列基板中,黑底4在上基板2上形成并且对应于下阵列基板的选通线和数据线(未示出)区域以及TFT区域,并且提供了要形成滤色器6的单元区域。黑底4防止光泄漏并且吸收外部光,从而提高对比度。形成的滤色器6扩展到黑底4和由该黑底4划分的单元区域。通过R、G和B来形成滤色器6,以显现R、G和B颜色。将公共电压提供给公共电极18以控制液晶材料的运动。图案间隔体13用于保持上阵列基底和下阵列基底之间的单元间隙。
在下阵列基底中,TFT包括:在下基板32上与选通线一起形成的栅极9;与栅极9相交叠、其间具有栅绝缘膜44的半导体层14、42;以及与数据线(未示出)一起形成、其间具有半导体层14、42的源/漏极40、47。TFT响应于来自选通线的扫描信号而将像素信号从数据线提供给像素电极16。像素电极16与TFT的漏极47相接触,它们之间具有钝化膜50,其中像素电极16由具有高透光率的透明导电材料形成。通过提供诸如聚酰亚胺的配向物质并实施摩擦处理来形成用于对液晶材料进行配向的上配向膜8和下配向膜38。
如果现有技术的液晶显示板的上阵列基板和下阵列基板的各薄膜产生缺陷,则通过返工或使用激光器进行修复。然而,如果在上阵列基板和下阵列基板二者的薄膜之间正好淀积有微粒,则通过返工或使用激光器进行修复将变得不可能。
图2是用于说明由空气中的微粒引起的配向缺陷(alignmentdefect)的截面图,以及图3是表示显现图像时由微粒引起的亮点的照片。
通常,在制造液晶显示板的工艺中,在形成指定薄膜的反应室中、或者在将液晶显示板移到分立的反应室或第三位置以形成另一个薄膜的情况下,经常出现微粒55正好淀积在薄膜之间的情况,例如图2所示的公共电极18和上配向膜8之间。与微粒55相对应地设置的配向膜在摩擦处理中没被均匀摩擦,所以产生非均匀配向区域A。此外,在形成滤色器的处理中滤色器的一部分被缺陷分离。因此,微粒55被混杂的问题经常产生。
非均匀配向区域A导致液晶显示板产生漏光,这样的漏光干扰液晶材料的透光率,从而如图3所示在液晶显示板中出现亮点。通常,暗点是在实现高灰度的情况下显示暗色的区域,而亮点是在实现低灰度的情况下因为漏光而显示亮色的区域。因为人眼对亮点要比对暗点相对更加敏感,因此在判断板是好是坏时,对亮点缺陷给出了比对暗点缺陷更加严格的标准。因此,要求一种方法来使得因为产生了亮点而引起的板的缺陷率最小化。
发明内容
因此,本发明的一个目的是提供一种用于修复液晶显示板的装置和方法,能够通过使亮点变暗来使液晶显示板的缺陷率最小化,从而提高其成品率。
一种用于修复液晶显示器件的装置,包括:在第一基板和第二基板的任一个上形成的修复膜;和激光照射装置,用于向修复膜照射激光,以使液晶显示板中的缺陷点变暗。
修复膜是透明有机膜。
修复膜是形成在所述第一基板上的黑底。
修复膜是形成在所述第一和第二基板之间的包括不透明材料的间隔体。
该装置还包括在所述第二基板上的薄膜晶体管和与该薄膜晶体管连接的像素电极。
该装置还包括在具有所述像素电极的第二基板上形成的公共电极。
该装置还包括形成在所述第一基板上的公共电极。
一种用于修复液晶显示器件的装置,包括:形成在第一基板和第二基板的任一个上与光反应的透明有机膜;以及激光照射装置,用于向所述透明有机膜照射激光,以使液晶显示板中的所述透明有机膜的特定区域变暗。
所述透明有机膜包含感光化合物。
所述透明有机膜包括具有感光化合物的酚醛清漆体系有机材料和具有感光化合物的丙烯体系有机材料中的任一种。
该装置还包括位于液晶显示板和激光照射装置之间的聚焦控制器,用于对激光照射区域和聚焦距离进行调整。
所述聚焦控制器包括透镜和镜子的至少其中之一。
一种用于修复液晶显示器件的装置,包括:具有黑底的第一基板和与第一基板相对的第二基板,在这两个基板之间具有液晶层;以及激光照射装置,用于向液晶显示板中的缺陷区域附近的黑底照射激光,以使黑底延伸到缺陷区域。
所述黑底包括与碳系的颜料(pigment)混合的聚酰亚胺。
所述激光照射装置向所述黑底照射激光,并将所述激光移动到缺陷区域。
一种用于修复液晶显示器件的装置,包括:第一基板和第二基板,和形成在第一基板和第二基板之间的并包括不透明材料的间隔体;以及激光照射装置,用于向液晶显示板中的缺陷区域附近的间隔体照射激光,以将该间隔体延伸到缺陷区域。
所述不透明材料包括具有碳和金属氧化物的至少其中之一的丙烯体系材料。
所述激光照射装置向所述间隔体照射激光,并将激光移动到所述缺陷区域。
所述间隔体包括图案间隔体和球间隔体的至少其中之一。
一种用于修复液晶显示器件的方法,包括:在第一基板和第二基板的任一个上形成透明有机膜;检测液晶显示板中的缺陷区域;以及向与所述缺陷区域相对应的透明有机膜的区域照射激光。
该方法还包括通过使用聚焦控制器来调整激光照射区域和聚焦距离。
一种用于修复液晶显示器件的方法,包括:在基板上形成黑底;检测液晶显示板中的缺陷区域;以及向与所述缺陷区域附近的黑底照射激光。
向所述缺陷区域附近的黑底照射激光包括:向所述黑底照射激光;以及将激光移动到所述缺陷区域。
一种用于修复液晶显示器件的方法,包括:在第一基板和第二基板之间形成包括不透明材料的间隔体;检测液晶显示板中的缺陷区域;以及向所述缺陷区域附近的间隔体照射激光。
向所述缺陷区域附近的间隔体照射激光包括:向所述间隔体照射激光;以及将激光移动到所述缺陷区域。
一种液晶显示器件,包括:形成在第一基板和第二基板的任一个上的透明有机膜;其中所述透明有机膜包括至少一个变暗的区域。
一种液晶显示器件,包括:在基板上的黑底,其中所述黑底包括与缺陷区域相对应的至少一个延伸区域。
一种液晶显示器件,包括:形成在第一基板和第二基板之间的包括不透明材料的间隔体;其中所述间隔体包括与缺陷区域相对应的至少一个延伸区域。
一种液晶显示器件,包括:形成在第一基板和第二基板的任一个上的修复膜;其中所述修复膜具有与缺陷区域相对应的至少一个变暗的区域。
该装置还包括:第一和第二基板;和在所述第二基板上的薄膜晶体管和连接到该薄膜晶体管的像素电极。
该装置还包括在具有所述像素电极的第二基板上形成的公共电极。
该装置还包括形成在所述第一基板上的公共电极。
附图说明
本发明的这些和其它目的将通过以下参照附图对本发明的实施例的详细说明而明了,在附图中:
图1是示出了现有技术的液晶显示板的截面图;
图2是用于说明由空气中的微粒引起的配向缺陷的截面图;
图3是表示在显现画面时由微粒引起的亮点的照片;
图4是示出了根据本发明第一实施例的用于修复液晶显示板的装置的截面图;
图5是示出了根据本发明第一实施例的用于修复液晶显示板的方法的截面图;
图6是用于说明根据本发明第一实施例的用于修复液晶显示板的方法的流程图;
图7是示出了根据本发明第二实施例的用于修复液晶显示板的装置的截面图;
图8是示出了根据本发明第二实施例的用于修复液晶显示板的方法的截面图;
图9是用于说明根据本发明第二实施例的用于修复液晶显示板的方法的流程图;
图10是示出了根据本发明第三实施例的用于修复液晶显示板的装置的截面图;
图11是示出了根据本发明第三实施例的用于修复液晶显示板的方法的截面图;
图12是用于说明根据本发明第三实施例的用于修复液晶显示板的方法的流程图。
具体实施方式
现在将详细参照本发明的优选实施例,在附图中示出了其示例。
下面将参照图4至12具体说明本发明的优选实施例。
图4是示出了根据本发明第一实施例的用于修复液晶显示板的装置的截面图。
参照图4,根据本发明第一实施例的用于修复液晶显示板的装置包括:液晶显示板170,其具有修复膜(下文称为“透明有机膜”)120,用于当在液晶显示板170上因为混杂在液晶显示板170中的微粒155引起的配向缺陷而产生了亮点时,使得产生亮点的区域变暗;以及激光照射装置160,用于向透明有机膜120照射激光,以使与透明有机膜120与产生亮点的区域相对应的区域变暗。
液晶显示板170包括:上阵列基板(即滤色器阵列基板),其具有依次形成在上基板102上的黑底104、滤色器106、公共电极118、图案间隔体113、和上配向膜108;下阵列基板,其具有形成在下基板132上的薄膜晶体管(下文称为“TFT”)、像素电极116、和下配向膜138;以及液晶材料152,其被注入上阵列基板和下阵列基板之间的内部空间中。
在上阵列基板中,将透明有机膜120涂在待形成的上基板120的整个表面上,以覆盖上基板102。黑底104形成在与下基板的选通线和数据线区域(未示出)以及TFT区域相对应的区域上,并提供其中要形成滤色器106的单元区域。黑底104由聚酰亚胺形成,其中混合有碳系的颜料,以防止漏光并吸收外部的光,从而起到提高对比度的作用。将滤色器106形成为延伸到黑底104和被黑底104划分的单元区域。滤色器106由R、G和B形成以实现R、G和B颜色。向公共电极118提供公共电压以控制液晶材料的运动。图案间隔体113起到保持上阵列基板和下阵列基板之间的单元间隔的作用。
根据本发明的透明有机膜120是通过向酚醛清漆体系有机材料和丙烯体系有机材料的任一种中添加感光化合物(photo active compound)来形成的,从而可以通过激光变暗。
在下阵列基板中,TFT包括:与选通线一起形成在下基板132上的栅极109;与栅极109相交叠与栅极109之间具有栅绝缘膜144的半导体层114、147;与数据线(未示出)一起形成的、与数据线之间具有半导体层114、147的源/漏极140、142。TFT响应于来自选通线的扫描信号,将像素信号从数据线提供给像素电极116。
像素电极116与TFT的漏极142接触,在它们之间具有钝化膜150,其中像素电极116由具有高透光率的透明导电材料形成。用于对液晶材料进行配向的上配向膜108和下配向膜138是通过使用诸如聚酰亚胺的配向材料并进行摩擦处理来形成的。另一方面,IPS模式液晶显示板具有形成在下基板132上的公共电极118,和形成在上基板102的滤色器106上的外涂层(未示出),其中外涂层是用于补偿滤色器106的台阶差。
激光照射装置160用于在将上阵列基板与下阵列基板接合之后,当在液晶显示板170上因混杂的微粒155引起的配向缺陷而产生了亮点时向透明有机膜120的与产生亮点的区域相对应的区域照射激光。例如,如图5所示,当由混杂在公共电极118和上配向膜108之间的微粒155在液晶显示板170中产生亮点时,激光照射装置160向透明有机膜与产生亮点的区域相对应的区域照射激光。
在此,激光照射装置160还可以包括聚焦控制器162。通过位于激光照射装置10和液晶显示板170之间的聚焦控制器162来将激光精确调整到照射区域。
在该情况下,激光照射装置160向透明有机膜120照射的激光具有约0.1J/cm2至0.2J/cm2的强能。由此,添加有感光化合物的透明有机膜120与光起反应,使得透明有机膜120的特性发生改变,并且透明有机膜120变得模糊。因此混杂有微粒155的区域变暗。
通过这种方法,由配向缺陷引起的亮点变暗,以使得液晶显示板的缺陷率最小化。因此,提高了液晶显示板的成品率。
在此,激光照射装置160是钕钇铝石榴石YAG激光器、准分子激光器、和二极管激光器的至少其中之一。钕钇铝石榴石YAG激光器是通过使用钕Nd固体进行振荡并使用YAG晶体作为放大介质的激光器。准分子激光器是使用激发态的分子(即由激发态和基态的原子构成的准分子)产生光,然后变成分离状态。二极管激光器是通过使用由n型半导体和p型半导体的结区部分的能级变化或载流子移动而产生的光来进行振荡的激光器。
Nd YAG激光具有330nm~340nm、530nm~540nm、和1060nm~1070nm的波长,准分子激光具有190nm~200nm的波长,以及二极管激光具有100nm~1000nm的波长。
此外,可以使用由CO、CO2、He-Ne、和HF中的每一种产生的激光。CO激光具有4900nm~5100nm的波长,CO2激光具有100nm~110nm的波长,He-Ne激光具有630nm~640nm的波长,以及HF激光具有2700nm~2900nm的波长。
如上所述,在根据本发明第一实施例的修复液晶显示板的装置中,当在液晶显示板170上因诸如混杂的微粒155的配向缺陷而产生了亮点时向与有机膜120与产生亮点的区域相对应的区域照射激光以使得产生亮点的区域变暗。因此,从背光单元发出的光不传到外部。从而,可以减少亮点的产生。因此,可以使液晶显示板的缺陷率最小化以提高液晶显示板的成品率。
在根据本发明第一实施例的说明中,只描述了透明有机膜120形成在上基板102上这一种情况,但是,透明有机膜120可以形成在下基板132上。因为透明有机膜120形成在下基板132上的情况与透明有机膜120形成在上基板102上的情况类同,所以略去对透明有机膜120形成在下基板132上的情况的说明。
图6是用于说明根据本发明第一实施例的用于修复液晶显示板的方法的流程图。
参照图6,形成上阵列基板(即滤色器阵列基板),其具有依次形成在上基板102上的黑底104、滤色器106、公共电极118、图案间隔体113和上配向膜108(S2)。
此外,通过独立过程形成下阵列基板,该下阵列基板具有形成在下基板132上的:选通线和数据线、形成在选通线和数据线的交叉区域上的薄膜晶体管、连接到薄膜晶体管的像素电极116、和下配向膜138(S4)。另一方面,如果液晶显示板是IPS模式,则公共电极118形成在下基板132上,而外涂层形成在上基板102的滤色器106上。
接下来,将上基板和下基板粘接在一起(液晶位于上下基板之间),形成液晶显示板(S6)。
其后,当微粒155***上基板的薄膜和薄膜之间(例如,在公共电极118和上配向膜108之间)而产生亮点时,就将激光照射到透明有机膜120的与产生亮点的区域相对应的区域,以使得透明有机膜120与产生亮点的区域相对应的区域变暗。因此,亮度变暗(S8)。
在该情况下,透明有机膜是通过向酚醛清漆体系有机材料和丙烯体系有机材料的任一种中添加感光化合物来形成的,从而可以通过激光变暗。
因此,由配向缺陷产生的亮点变暗,以使液晶显示板的缺陷率最小化。因此,可以提高液晶显示板的成品率。
通过这种方式,向透明有机膜120照射激光以使产生亮点的区域变暗的方法可以容易地应用于电控双折射(ECB)、还有垂直配向(VA)模式的液晶显示板,以及应用于IPS模式的液晶显示板和TN模式的液晶显示板。
图7是示出了根据本发明第二实施例的用于修复液晶显示板的装置的截面图。
参照图7,根据本发明第二实施例的用于修复液晶显示板的装置包括:激光照射装置260,在由混杂到液晶显示板270中的微粒255引起的配向缺陷使得在液晶显示板270中产生了亮点的情况下,该激光照射装置260用于向产生了亮点的区域的附近区域的黑底204照射激光以使得混杂有微粒255的区域变暗。
液晶显示板270包括:上阵列基板(即滤色器阵列基板),其具有依次形成在上基板202上的黑底204、滤色器206、公共电极218、图案间隔体213、和上配向膜208;下阵列基板,其具有形成在下基板232上的薄膜晶体管(下文称为“TFT”)、像素电极216、和下配向膜238;以及液晶材料252,被注入上阵列基板和下阵列基板之间的内部空间中。
在上阵列基板中,黑底204形成在与下基板的选通线和数据线区域(未示出)以及TFT区域相对应的区域上,并提供其中要形成滤色器206的单元区域。黑底204由聚酰亚胺形成,其中混合有碳系的颜料,以防止漏光并吸收外部的光,从而起到提高对比度的作用。将滤色器206形成为延伸到黑底204和被黑底204划分的单元区域。滤色器206由R、G和B形成以实现R、G和B颜色。向公共电极218提供公共电压以控制液晶材料的运动。图案间隔体213起到保持上阵列基板和下阵列基板之间的单元间隔的效果。
在下阵列基板中,TFT包括:与选通线一起形成在下基板232上的栅极209;与栅极209交叠、与栅极209之间具有栅绝缘膜244的半导体层214、247;与数据线(未示出)一起形成的、与数据线之间具有半导体层214、247的源/漏极240、242。TFT响应于来自选通线的扫描信号,将像素信号从数据线提供给像素电极216。
像素电极216与TFT的漏极242接触,在它们之间具有钝化膜250,其中像素电极216由具有高透光率的透明导电材料形成。用于对液晶材料进行配向的上配向膜208和下配向膜238是通过使用诸如聚酰亚胺的配向材料并进行摩擦处理来形成的。另一方面,IPS模式液晶显示板具有形成在下基板232上的公共电极218,和形成在上基板202的滤色器206上的外涂层(未示出),其中外涂层用于补偿滤色器206的台阶差。
在将上阵列基板与下阵列基板接合之后,当由于诸如混杂的微粒255的配向缺陷而使得在液晶显示板270中产生亮点时,激光照射装置260向产生亮点的区域附近的黑底照射激光。例如,如图8所示,当由混杂在公共电极218和上配向膜208之间的微粒255在液晶显示板270中产生亮点时,激光照射装置260向距离产生亮点的区域最近的黑底204照射激光。
激光照射装置260向黑底204照射的激光具有约0.1J/cm2至2J/cm2的强能。因此,由于强能引起黑底204的特性发生改变,所以黑底204变得可移动。换言之,黑底204被该强能熔化。同时,如果激光从黑底204移动到产生亮点的区域,则已熔化的黑底204移动到产生亮点的区域。因此,亮度变暗。
通过这种方法,由配向缺陷引起的亮点变暗,以使得液晶显示板的缺陷率最小化。因此,提高了液晶显示板的成品率。
在此,激光照射装置260是钕钇铝石榴石YAG激光器、准分子激光器、和二极管激光器的至少其中之一。钕钇铝石榴石YAG激光器是通过使用钕Nd固体进行振荡并使用YAG晶体作为放大介质的激光器。准分子激光器是使用激发态的分子(即由激发态和基态的原子构成的准分子)产生光,然后变成分离状态。以及,二极管激光器是通过使用由n型半导体和p型半导体的结区部分的能级变化或载流子移动而产生的光来进行振荡的激光器。
Nd YAG激光具有330nm~340nm、530nm~540nm、和1060nm~1070nm的波长,准分子激光具有190nm~200nm的波长,以及二极管激光具有100nm~1000nm的波长。
此外,可以使用由CO、CO2、He-Ne、和HF中的每一种产生的激光。CO激光具有4900nm~5100nm的波长,CO2激光具有100nm~110nm的波长,He-Ne激光具有630nm~640nm的波长,以及HF激光具有2700nm~2900nm的波长。
如上所述,在根据本发明第二实施例的修复液晶显示板的装置中,在由诸如混杂的微粒255的配向缺陷使得液晶显示板270中产生亮点的情况下,向产生了亮点的区域附近的区域的黑底204照射激光以使产生亮点的区域变暗。因此,黑底204延伸到产生亮点的区域以使亮点变暗。因此,从背光单元发出的光传不到外部。从而,可以减少亮点的产生。因此,可以使液晶显示板的缺陷率最小化以提高液晶显示板的成品率。
图9是用于说明根据本发明第二实施例的用于修复液晶显示板的方法的流程图。
参照图9,形成上阵列基板(即滤色器阵列基板),其具有依次形成在上基板202上的黑底204、滤色器206、公共电极218、图案间隔体213和上配向膜208(S12)。
此外,通过独立过程形成下阵列基板,该下阵列基板具有形成在下基板232上的:选通线和数据线、形成在选通线和数据线的交叉区域上的薄膜晶体管、连接到薄膜晶体管的像素电极216、和下配向膜238(S14)。另一方面,如果液晶显示板是IPS模式,则公共电极218形成在下基板232上,并且外涂层形成在上基板202的滤色器206上。
接下来,将上基板和下基板粘接在一起(液晶位于上下基板之间),形成液晶显示板(S16)。
其后,当微粒255***上基板的薄膜和薄膜之间(例如,在公共电极218和上配向膜208之间)而产生亮点时,向产生亮点的区域附近区域的黑底204照射激光,以使得黑底204熔化。在这种情况下,为使黑底204移动,激光照射装置260扫描其激光,因此,亮点变暗(S18)。
由其中混合有碳系颜料的聚酰亚胺形成的黑底204被熔化,使亮点变暗,以拦截从背光单元照射的光。因此,亮点变暗。结果,由配向缺陷产生的亮点变暗以使液晶显示板的缺陷率最小化。因此,可以提高液晶显示板的成品率。
通过这种方式,向黑底204照射激光以使产生亮点的区域变暗的方法可以容易地应用于电控双折射(ECB)、还有垂直配向(VA)模式的液晶显示板,以及应用于IPS模式的液晶显示板和TN模式的液晶显示板。
图10是示出了根据本发明第三实施例的用于修复液晶显示板的装置的截面图。
参照图10,根据本发明第三实施例的用于修复液晶显示板的装置包括:激光照射装置360,在由混杂到液晶显示板370中的微粒355引起的配向缺陷使得在液晶显示板370中产生亮点的情况下,该激光照射装置360向在产生亮点的区域附近区域的图案间隔313照射激光以使得混杂有微粒355的区域变暗。
液晶显示板370包括:上阵列基板(即滤色器阵列基板),其具有依次形成在上基板302上的黑底304、滤色器306、公共电极318、图案间隔体313、和上配向膜308;下阵列基板,其具有形成在下基板332上的薄膜晶体管(下文称为“TFT”)、像素电极316、和下配向膜338;以及液晶材料352,被注入上阵列基板和下阵列基板之间的内部空间中。
在上阵列基板中,黑底304形成在与下基板的选通线和数据线区域(未示出)以及TFT区域相对应的区域上,并提供其中要形成滤色器306的单元区域。黑底304防止漏光并吸收外部的光,从而起到提高对比度的作用。将滤色器306形成为延伸到黑底304和被黑底304划分的单元区域。滤色器306由R、G和B形成以实现R、G和B颜色。向公共电极318提供公共电压以控制液晶材料的运动。图案间隔体313起到保持上阵列基板和下阵列基板之间的单元间隔的作用。
在此,本发明的图案间隔体313由不透明材料形成,其通过向丙烯体系材料添加碳和金属氧化物中的任一种而形成。
在下阵列基板中,TFT包括:与选通线一起形成在下基板332上的栅极309;与栅极309交叠、与栅极309之间具有栅绝缘膜344的半导体层314、347;与数据线(未示出)一起形成的、与数据线之间具有半导体层314、347源/漏极340、342。TFT响应于来自选通线的扫描信号,将像素信号从数据线提供给像素电极316。
像素电极316与TFT的漏极342接触,在它们之间具有钝化膜350,其中像素电极316由具有高透光率的透明导电材料形成。用于对液晶材料进行配向的上配向膜308和下配向膜338是通过使用诸如聚酰亚胺的配向材料并进行摩擦处理来形成的。另一方面,IPS模式液晶显示板具有形成在下基板332上的公共电极318,和形成在上基板302的滤色器306上的外涂层(未示出),其中外涂层是用于补偿滤色器306的台阶差。
在将上阵列基板与下阵列基板接合之后,当由于诸如混杂的微粒355的配向缺陷使得在液晶显示板370中产生亮点时,激光照射装置360向产生亮点的区域附近的图案间隔体313照射激光。例如,如图11所示,当由混杂在公共电极318和上配向膜308之间的微粒355在液晶显示板370中产生亮点时,激光照射装置360向距离产生亮点的区域最近的图案间隔体313照射激光。
激光照射装置360向图案间隔体313照射的激光具有约0.1J/cm2至2J/cm2的强能。因此,由于强能引起图案间隔体313的特性发生改变,所以图案间隔体313变得可移动。换言之,图案间隔体313被该强能熔化。同时,如果激光从图案间隔体313移动到产生亮点的区域,则熔化的图案间隔体313移动到产生亮点的区域。因此,亮点变暗。
通过这种方法,由配向缺陷引起的亮点变暗,以使得液晶显示板的缺陷率最小化。因此,提高了液晶显示板的成品率。
在此,激光照射装置360是钕钇铝石榴石YAG激光器、准分子激光器、和二极管激光器的至少其中之一。钕钇铝石榴石YAG激光器是通过使用钕Nd固体进行振荡并使用YAG晶体作为放大介质的激光器。准分子激光器是使用激发态的分子(即由激发态和基态的原子构成的准分子)产生光,然后变成分离状态。以及,二极管激光器是通过使用n型半导体和p型半导体的结区部分的能级变化或载流子移动而产生的光来进行振荡的激光器。
Nd YAG激光具有330nm~340nm、530nm~540nm、和1060nm~1070nm的波长,准分子激光具有190nm~200nm的波长,以及二极管激光具有100nm~1000nm的波长。
此外,可以使用由CO、CO2、He-Ne、和HF中的每一种产生的激光。CO激光具有4900nm~5100nm的波长,CO2激光具有100nm~110nm的波长,He-Ne激光具有630nm~640nm的波长,以及HF激光具有2700nm~2900nm的波长。
如上所述,在根据本发明第三实施例的修复液晶显示板的装置中,在由诸如混杂的微粒355的配向缺陷使得液晶显示板370中产生亮点的情况下,向产生亮点的区域附近区域的图案间隔体313照射激光以使产生亮点的区域变暗。由此,图案间隔体313延伸到产生亮点的地方以使亮点变暗。因此,从背光单元发出的光不传到外部。从而,可以减少亮点的产生。因此,可以使液晶显示板的缺陷率最小化以提高液晶显示板的成品率。
在参照图11的说明中,仅说明了图案间隔体313的情况,但是本发明可用于球间隔体(ball spacer)的情况。
图12是用于说明根据本发明第三实施例的修复液晶显示板的方法的流程图。
参照图12,形成上阵列基板(即滤色器阵列基板),其具有依次形成在上基板302上的黑底304、滤色器306、公共电极318、图案间隔体313和上配向膜308(S22)。
此外,通过独立过程形成下阵列基板,该下阵列基板具有形成在下基板332上的选通线和数据线、形成在选通线和数据线的交叉区域上的薄膜晶体管、连接到薄膜晶体管的像素电极316、和下配向膜338(S24)。另一方面,如果液晶显示板是IPS模式,则公共电极318形成在下基板332上,并且外涂层形成在上基板302的滤色器306上。
接下来,将上基板和下基板粘接在一起(液晶位于上下基板之间),形成液晶显示板(S26)。
其后,当微粒355***上基板的薄膜和薄膜之间(例如,在公共电极318和上配向膜308之间)而产生亮点时,向产生亮点的区域附近区域的图案间隔体313照射激光,以使得图案间隔体313熔化。在该情况下,为了向产生亮点的区域移动熔化的图案间隔体313,激光照射装置360使激光进行扫描。因此,亮点变暗(S28)。
通过向丙烯体系材料添加碳和金属氧化物中的任一种而形成的图案间隔体313使亮点变暗,以拦截从背光单元照射的光。因此,亮点变暗。结果,由配向缺陷产生的亮点变暗以使液晶显示板的缺陷率最小化。因此,可以提高液晶显示板的成品率。
通过这种方式,向图案间隔体313照射激光以使产生亮点的区域变暗的方法可以容易地应用于电控双折射(ECB)、还有垂直配向(VA)模式的液晶显示板,以及应用于IPS模式的液晶显示板和TN模式的液晶显示板。
如上所述,在根据本发明实施例的用于修复液晶显示板的装置和方法中,在由于制造液晶显示板的工艺上的问题而在液晶显示板中产生亮点的情况下将透明有机膜形成在上基板和下基板的任一个上,并用激光照射到产生亮点的区域的透明有机膜,从而使透明有机膜变得不透明。因此,产生亮点的区域变暗。从而,液晶显示板的亮点变暗以使液晶显示板的缺陷率最小化。由此,可以提高液晶显示板的成品率。
此外,在产生亮点的情况下,将激光照射到微粒附近区域的黑底,以熔化该黑底,并且形成熔化的黑底延伸到产生亮点的区域,从而使产生亮点的区域变暗。因此,亮点变暗以使液晶显示板的缺陷率最小化。由此,可以提高液晶显示板的成品率。
此外,在产生亮点的情况下,将激光照射到微粒附近的区域的图案间隔体,以熔化该图案间隔体,并且形成熔化的图案间隔体延伸到产生亮点的区域,从而使产生亮点的区域变暗。因此,亮点变暗以使液晶显示板的缺陷率最小化。由此,可以提高液晶显示板的成品率。
尽管通过上述附图中的实施例说明了本发明,但是本领域的普通技术人员应该理解,本发明并不限于这些实施例,而是可以在不脱离本发明精神的情况下进行各种修改和变型。因此,本发明的范围应该仅由所附权利要求和它们的等同物来确定。
本申请要求于2004年12月14日在韩国提交的韩国专利申请No.P2004-105889、P2004-105891和P2004-105892的优先权,在此以引用的方式将其并入。
Claims (18)
1、一种用于修复液晶显示器件的装置,该装置包括:
具有黑底的第一基板和与第一基板相对的第二基板,在这两个基板之间具有液晶层;以及
激光照射装置,用于向液晶显示板中的缺陷区域附近的黑底照射激光,以使黑底延伸到缺陷区域。
2、根据权利要求1所述的装置,其中所述黑底包括与碳系的颜料混合的聚酰亚胺。
3、根据权利要求1所述的装置,其中所述激光照射装置向所述黑底照射激光,并将所述激光移动到缺陷区域。
4、一种用于修复液晶显示器件的装置,该装置包括:
第一基板和第二基板,和形成在第一基板和第二基板之间的并包括不透明材料的间隔体;以及
激光照射装置,用于向液晶显示板中的缺陷区域附近的间隔体照射激光,以将该间隔体延伸到缺陷区域。
5、根据权利要求4所述的装置,其中所述不透明材料包括具有碳和金属氧化物的至少其中之一的丙烯系材料。
6、根据权利要求4所述的装置,其中所述激光照射装置向所述间隔体照射激光,并将激光移动到所述缺陷区域。
7、根据权利要求4所述的装置,其中所述间隔体包括图案间隔体和球间隔体的至少其中之一。
8、一种用于修复液晶显示器件的方法,该方法包括:
在基板上形成黑底;
检测液晶显示板中的缺陷区域;以及
用激光照射所述缺陷区域附近的黑底;
以及
照射所述缺陷区域附近的黑底以使所述黑底熔化,并且所形成的熔化的黑底延伸到所述缺陷区域,从而使所述缺陷区域变暗。
9、一种用于修复液晶显示器件的方法,该方法包括:
在第一基板和第二基板之间形成包括不透明材料的间隔体;
检测液晶显示板中的缺陷区域;
用激光照射所述缺陷区域附近的间隔体;
以及
照射所述缺陷区域附近的间隔体以使所述间隔体熔化,并且所形成的熔化的间隔体延伸到所述缺陷区域,从而使所述缺陷区域变暗。
10、一种液晶显示器件,其包括:
在基板上的黑底;
其中所述黑底包括与缺陷区域相对应的至少一个延伸区域。
11.根据权利要求10所述的器件,还包括形成在所述黑底上的滤色器层。
12.根据权利要求11所述的器件,还包括形成在所述滤色器层上的外涂层,其中所述外涂层用于补偿所述滤色器层的台阶差。
13.根据权利要求10所述的器件,其中所述黑底包括与碳系的颜料混合的聚酰亚胺。
14.根据权利要求10所述的器件,其中所述黑底的延伸区域使所述缺陷区域变暗。
15.根据权利要求14所述的器件,还包括形成在第一和第二基板中的一个上的配向层,以及其中所述缺陷区域由配向缺陷产生。
16.根据权利要求11所述的器件,其中所述延伸区域包括从所述黑底熔化的材料。
17.根据权利要求11所述的器件,其中所述延伸区域在所述滤色器层中。
18、一种液晶显示器件,其包括:
形成在第一基板和第二基板之间的包括不透明材料的间隔体;
其中所述间隔体包括与缺陷区域相对应的至少一个延伸区域。
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