CN100431404C - 一种春石斛花期调控方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种春石斛花期调控方法。它包括营养控制施肥措施、水分调控措施、温度控制措施、光照控制措施、生长调节剂使用措施，其具体处理方法包括在营养生长阶段、促花芽分化及花期调控阶段、开花阶段的营养控制施肥措施、水分调控措施、温度控制措施、光照控制措施、生长调节剂使用措施。本发明解决了同一株春石斛的假鳞茎不同节位间开花不一致，在冬春季节零星开花；及不同的株间开花有先后，无法同时开花，不能规模化上市的问题。

Description

一种春石斛花期调控方法

技术领域

本发明涉及一种春石斛花期调控方法。

背景技术

春石斛作为盆栽花卉，是洋兰中继蝴蝶兰和大花蕙兰后出现的又一洋兰新品。具有较高观赏价值，观赏期较长。因此，春节前的鲜花市场上，春石斛成了洋兰中的佼佼者。春石斛兰在开花期，抗低温能力特别强，喜欢光照、干燥。由于它花色艳丽，适合盆栽，被很多企业看好。认为它是继蝴蝶兰、大花蕙兰之后，最有希望的洋兰商业品种。

春石斛为兰科石斛属植物，多年生常绿或落叶附生草本，茎称为假鳞茎，肉质呈竹节状。茎长度依品种不同在25～90cm左右，茎节间长2～5cm，茎节中部粗壮，主要贮存水分和养分。叶互生，总状花序2～5朵，由每节的腋芽形成。花大而艳丽，花朵直径6～10cm，花期长达1～2个月。自冬春萌发的新芽生长至秋末冬初逐渐停止，出现终止叶。在茎基部可萌发1～4个新芽成为下一代新茎。而老茎(不论高度)在感受低温之后，除基部2～4个芽外，上部膨大的节间腋芽，均可能发育成花芽或成为高位芽。

春石斛花芽分化要求低温在13℃以下，比蝴蝶兰低，在我国夏、秋季高温地区难以达到。自然条件下必须利用海拔800m以上的高山才能做到。其次，春石斛花芽分化后，遇25℃以上高温极易发生“花芽逆转”现象，而变成叶芽，在生产栽培中较难掌握。

春石斛产业在日本发展较为成熟，我国在最近的5～6年间，品种引进和发展的力度逐年增加。虽然有大的市场和利润空间，但也存在较大的难点，主要是控花技术较难。目前许多公司都在投产石斛兰，但是石斛的生产技术很低，同时存在栽培和催花的技术门槛，导致形成的石斛成品质量差，根本无法上市。技术则一直未得到提高，而国外对我们进行技术封锁。由于种种原因，我国各大兰花生产企业至今一直没有拿出批量的高质量春石斛产品，更多的企业则处于观望状态。目前，我国已经有花卉公司大量投产，但是由于催花技术不过关，开花提前、滞后的现象多有发生。同时技术不过关，催花后花朵质量下降，导致花期缩短。所以如何来解决催花问题，提高石斛的品质，是当前花卉产业和石斛批量盆花生产中，急需注意和解决的问题。

一般在春石斛的预计花期前2个月，停止使用肥水，使用低温进行处理春石斛的假鳞茎。不使用生长调节剂或者单使用GA3进行处理，在前期栽培技术好时，催花效果相对较好。但是始终存在花期不集中，次品比例较高，导致卖花不获利。GA3只可以提前花期几天，对于增加花芽数量的贡献并不大。

同时，现有的技术，是通过栽培技术和环境条件的调节，进行花期控制。在夜间，春石斛处于低温环境中，白天升高温度，连续进行1～2个月的温差处理，同时辅助肥水，停止使用肥料，减少浇水，增加光照，提高光照到4万～8万lux，增加石斛假鳞茎的粗度。促进花芽的分化。

目前现有的技术，是单纯利用环境条件进行花期调控。还有许多栽培技术不过关，出现相当低矮和细弱的茎，同样不利于花芽的形成。也有采用了赤霉素进行了处理，但是结果不理想。获得的植株落叶提前、徒长，或者形成的花芽质量不高。催花的温度控制在13℃左右，但是催花的时间和低温处理时间控制不到位。水、肥、基质的配合也不好。导致营养生长不良，影响了后期的生殖生长，出现花期调控失当。在这种技术下，花期不整齐，同一株上下节位开花时间不一致，开花零零散散，观赏效果差。形成了低矮、细弱的茎，同样不利于花芽的形成。也有采用了赤霉素进行了处理，但是结果不理想，获得的植株提前落叶、徒长，形成的花芽质量不高。

总而言之，现有技术具有以下缺点：

同一株春石斛的假鳞茎不同节位间开花不一致，在冬春季节零星开花；

不同的株间开花有先后，无法同时开花，不能规模化上市。

在元旦和春节期间，不能准确的进行定时供应春节花卉市场。常常滞后，无法销售。

发明内容

本发明的目的就是提供一种能够解决春石斛花期不一致的核心问题，使同一株的不同的节位花芽同时萌发，同时开放；不同株的假鳞茎同时开花，实现规模化上市的春石斛花期调控方法。

本发明是这样实现的：

一种春石斛花期调控方法，它包括营养控制施肥措施、水分调控措施、温度控制措施、光照控制措施、生长调节剂使用措施，其具体处理方法为：

(1)在营养生长阶段：自3月初至8月底每月施2～3次平均肥，每次施肥浓度为1000倍(EC值为2～2.3，PH5.5～6.5)，单盆的施肥量为0.1g/次，肥料的N∶P∶K＝20∶20∶20，水分调控措施为每5天施用一次水，温度与光照控制措施为温度最佳保持在18～28℃，光照的强度保持在5万到8万lux；

(2)促花芽分化及花期调控阶段：在春石斛出现终止叶后，保持8-13℃夜温25～60天；当春石斛花芽从植株的每个叶腋开始膨大，7～10天浇一次水，浇水次数为每月3～4次，每次浇水量为150～200ml；肥料的N∶P∶K＝10∶30∶20，施肥10天一次，每株施肥150～200ml，浓度为1000倍，含0.1g高磷肥；

(3)开花阶段：当花芽伸长到1cm时，进行加温催花，温度为18～25℃，此时减弱光照强度，光照强度为3～5万lux，保持该温度及光照的时间长短为4～6周；同时7～10天浇一次水，浇水次数为每月3～4次，每次浇水量为150～200ml，施肥10天一次，每株施肥150～200ml，浓度为1000倍，施用平均肥的N∶P∶K＝20∶20∶20；

在春石斛的预计花期前2个月，采用生长调节剂进行灌根处理；从春石斛的花芽萌发时起10～15天，采用生长调节剂进行灌根处理。

在春石斛的预计花期前2个月，采用一种生长调节剂6-BA进行灌根处理；从春石斛的花芽萌发时起的10～15天，采用另一种生长调节剂进行灌根处理。

所述的春石斛花期调控技术，在春石斛的预计花期前2个月，进行灌根处理，采用的生长调节剂可以为6-苄氨基嘌呤(6-BA)。

所述的春石斛花期调控技术，进行灌根处理所采用的6-苄氨基嘌呤(6-BA)，使用浓度可以为6-BA100～200ppm，每株可以采用100～150ml的剂量。

所述的春石斛花期调控技术，进行灌根处理采用的生长调节剂6-苄氨基嘌呤(6-BA)，茎花芽分化好时，茎粗度较粗，色泽发黄，这时使用浓度可以为100ppm。茎细、色泽淡绿时，成熟度差，花芽分化差，使用浓度可以为200ppm。

所述的春石斛花期调控技术，从春石斛的花芽萌发时起的10～15天，进行灌根处理所采用的生长调节剂可以为赤霉素(GA3)。

所述的春石斛花期调控技术，进行灌根处理所采用的赤霉素(GA3)，浓度可以为5～10ppm，每株使用量可以为100～150ml。

也就是说，在春石斛的预计花期前2个月，首先采用6-BA进行处理，最适宜的使用浓度为6-BA 100～200ppm，可以按照成熟度的不同，成熟度好的则使用100ppm，成熟度差的则使用200ppm。在基质干燥时，每株采用100ml左右的剂量进行灌根。从春石斛的花芽萌发时起的10～15天，采用适宜浓度的GA3进行处理，处理浓度为5～10ppm，每株也是采用适宜的浓度进行灌根处理。生长调节剂的使用必须配合栽培和环境调控措施。相关的配套栽培技术主要为：

1、完成营养生长：8月以前肥料选用选用平均肥(N∶P∶K＝20∶20∶20)，每次施肥浓度为1000倍(EC值为2～2.3，PH5.5～6.5)，单盆的施肥量为0.1g/次，肥料的N∶P∶K＝20∶20∶20，每月2～3次。确保在8月底完成营养生长，形成终止叶。水分调控措施为每5天施用一次水。

2、促花芽分化：当秋季气温降低，空气干燥时，为春石斛开始花期调控的最佳季节。进入9月份，春石斛终止叶出现后，保持13℃以下夜温25～60天。当春石斛花芽从植株的每个叶腋开始膨大，此时不遮阴，肥料的N∶P∶K＝10∶30∶20，施肥10天一次，每株施肥150～200ml，浓度为1000倍，含0.1g高磷肥。浇水仍以7～10天一次为宜，浇水次数为每月3～4次，每次浇水量为150～200ml；

3、开花阶段：11月份以后，当花芽伸长到1cm时，施肥10天一次，每株施肥150～200ml，浓度为1000倍，施用平均肥的N∶P∶K＝20∶20∶20；同时7～10天浇一次水，浇水次数为每月3～4次，每次浇水量为150～200ml。

当花芽分化生长到不可逆转时，即花芽伸长到1cm以上时，进行加温催花，此时增加光照强度，不遮阴，可使花色鲜艳。增加浇水次数，可1～2天浇一次水。施肥10天一次，施用平均肥(N∶P∶K＝20∶20∶20)。

春石斛植株只有完成营养生长，形成终止叶时，才会感受外界的低温诱导而发生花芽分化，当夜温在13℃以下，维持25～60天春石斛植株在叶腋处花芽逐渐膨大发育成花芽，花芽形成最重要环境因子是低温(8～15℃)，温度越低，维持时间愈长，形成花芽时间越短，花芽形成越稳定，越不易逆转成叶芽，而对日照长短不敏感。由于冬季的保温，使植株整个生长过程提前，在7月底之后停施均衡肥，20～30天后换施高P肥(N∶P∶K＝10∶30∶20)。

4、运用水分管理：用控水方法停止控制营养生长是栽培技术中控制营养生长的重要措施之一。为使植株停止营养生长，可用逐渐减少浇水量，干旱间歇锻炼的方法，形成终止叶。

5、抑制花芽逆转：这是控花成败的关键技术。当植株花芽开始伸长生长至1cm之前，都有逆转叶芽的可能性，影响逆转的主要环境因子是温度，当夜温在20℃以上，昼温在25℃以上，尤其在强光直射下，温度在28℃以上时，持续2～3天，都可能使花芽逆转成叶芽。所以在这个时期保持夜温在20℃以下，昼温在25℃以下尤为重要。只有在花芽长度在1cm以上，肉眼已确认是花芽，此时已不会发生逆转才可以升温。施肥1～2次均衡肥，促进开花。

另外，6-BA是一种促进细胞***的生长调节剂，使用其他种类的生长调节剂如KT、ZT等也会达到这种目的，只是控制的质量、效果比较差。主要表现在控制的剂量和时间较6-BA效果差。

6-BA、GA3有许多的商品名称，其中的主要成分是这两种生长调节剂，但是使用的名称却很多，如九二零、催芽素等多种。

二种生长调节剂有多种使用方法，采用合适的浓度，用不同的喷施，或者低浓度的多次使用，皆能达到同样的效果。

本发明解决了同一株春石斛的假鳞茎不同节位间开花不一致，在冬春季节零星开花；及不同株间开花有先后，无法同时开花，不能规模化上市，特别是在元旦和春节期间，不能准确的进行定时供应春节花卉市场的问题。由于解决了催花中的难点，必将积极推动我国的花卉企业大量投产春石斛的生产，促进规模化、产业化的形成，生产出一流的产品，获取极大的利润，减少外汇支出，促进科研工作的可持续发展，形成以科研带生产，以生产促科研的良性循环。

具体实施方式

选取2年生春石斛品种“Den white Christmas”50株，分为两组，每组各250株，各株的基质均为水苔，该两组分别作为A处理组和B对照组。对A组采取本发明的处理方法，对B组采取现有的技术措施。现具体对两组采取如下措施：

A组：

(1)在营养生长阶段：自3月3日至8月31日每月施2次平均肥，每次施肥浓度为1000倍(EC值为2～2.3，PH5.5)，单盆的施肥量为0.1g/次，肥料的N∶P∶K＝20∶20∶20，水分调控措施为每5天施用一次水，温度与光照控制措施为温度最佳保持在23-25℃，光照的强度保持在5万到6万lux；

(2)促花芽分化及花期调控阶段：在春石斛出现终止叶后，保持8-10℃夜温45天；当春石斛花芽从植株的每个叶腋开始膨大，7天浇一次水，浇水次数为每月4次，每次浇水量为150ml；肥料的N∶P∶K＝10∶30∶20，施肥10天一次，每株施肥150ml，浓度为1000倍，含0.1g高磷肥；

(3)开花阶段：当花芽伸长到1cm时，进行加温催花，温度为19-21℃，此时减弱光照强度，光照强度为3～5万lux，保持该温度及光照的时间长短为5周；同时7天浇一次水，浇水次数为每月4次，每次浇水量为150ml，施肥10天一次，每株施肥150ml，浓度为1000倍，施用平均肥的N∶P∶K＝20∶20∶20；

在春石斛的预计花期前2个月(10月份)，采用生长调节剂进行灌根处理。进行灌根处理采用的生长调节剂6-苄氨基嘌呤(6-BA)，每株采用130ml左右的剂量。有21株成熟度好，使用的浓度为100ppm。有4株成熟度差，使用的浓度为200ppm。

在春石斛的花芽刚萌发的13天，采用生长调节剂进行灌根处理，进行灌根处理所采用的生长调节剂为赤霉素(GA3)，浓度为8ppm，每株使用量为120ml。

B组：

在(1)、在营养生长阶段：自3月3日至8月31日每月施2次平均肥，每次施肥浓度为1000倍，单盆的施肥量为0.15g/次，肥料的N∶P∶K＝20∶15∶12，水分调控措施为每5天施用一次水。

在春石斛的预计花期前2个月(10月份)，停止使用肥水，使用8℃低温进行处理15天春石斛的假鳞茎。不使用生长调节剂或者单使用GA3进行处理。

从预计花期前1个月，连续进行昼夜温差63℃处理，同时停止使用肥料，浇水减少为每月3次，增加光照，提高光照到7万lux以增加石斛假鳞茎的粗度，促进花芽的分化。

结果：

A组：

250株中，有230株在元旦开花，20株在元旦第二天开花，同一株春石斛的假鳞茎不同节位间开花一致，不同株间开花先后不超过48小时。

B组：

250株中，有110株在元旦开花，50株在元旦第二天开花，60株在元旦第三天开花，30株在元旦第四天开花。同一株春石斛的假鳞茎不同节位间开花不一致，不同株间开花先后超过48小时。

分析：

春石斛植株只有完成营养生长，形成终止叶时，才会感受外界的低温诱导而发生花芽分化，花芽形成最重要环境因子是低温(8～15℃)，温度越低，维持时间愈长，形成花芽时间越短，花芽形成越稳定，越不易逆转成叶芽，而对日照长短不敏感。

用控水方法停止控制营养生长是栽培技术中控制营养生长的重要措施之一。为使植株停止营养生长，可用逐渐减少浇水量，干旱间歇锻炼的方法，形成终止叶。

抑制花芽逆转是控花成败的关键技术。当植株花芽开始伸长生长至1cm之前，都有逆转叶芽的可能性，影响逆转的主要环境因子是温度，当夜温在20℃以上，昼温在25℃以上，尤其在强光直射下，温度在28℃以上时，持续2～3天，都可能使花芽逆转成叶芽。

另外，6-BA是一种促进细胞***的生长调节剂，使用其他种类的生长调节剂如KT、ZT等也会达到这种目的，只是控制的质量、效果比较差。主要表现在控制的剂量和时间较6-BA效果差。

本发明解决了同一株春石斛的假鳞茎不同节位间开花不一致，在冬春季节零星开花；及不同株间开花有先后，无法同时开花，不能规模化上市的问题。

Claims (7)

1、一种春石斛花期调控方法，它包括营养控制施肥措施、水分调控措施、温度控制措施、光照控制措施、生长调节剂使用措施，其特征在于：

(1)在营养生长阶段：自3月初至8月底每月施2～3次平均肥，每次施肥浓度为1000倍、EC值为2～2.3、PH值为5.5～6.5，单盆的施肥量为0.1g/次，肥料的N∶P∶K＝20∶20∶20，水分调控措施为每5天施用一次水，温度与光照控制措施为温度保持在18～28℃，光照的强度保持在5万到8万lux；

(2)促花芽分化及花期调控阶段：在春石斛出现终止叶后，保持8-13℃夜温25～60天；当春石斛花芽从植株的每个叶腋开始膨大，7～10天浇一次水，浇水次数为每月3～4次，每次浇水量为150～200ml；肥料的N∶P∶K＝10∶30∶20，施肥10天一次，每株施肥150～200ml，浓度为1000倍，含0.1g高磷肥；

(3)开花阶段：当花芽伸长到1cm时，进行加温催花，温度为18～25℃，此时减弱光照强度，光照强度为3～5万lux，保持该温度及光照的时间长短为4～6周；同时7～10天浇一次水，浇水次数为每月3～4次，每次浇水量为150～200ml，施肥10天一次，每株施肥150～200ml，浓度为1000倍，施用平均肥的N∶P∶K＝20∶20∶20；

在春石斛预计花期前2个月，采用一种生长调节剂进行灌根处理；从春石斛花芽萌发时起10～15天，采用另一种生长调节剂进行灌根处理。

2、根据权利要求1所述的春石斛花期调控方法，其特征在于，在春石斛的预计花期前2个月，进行灌根处理采用的一种生长调节剂为6-苄氨基嘌呤6-BA。

3、根据权利要求2所述的春石斛花期调控方法，其特征在于，进行灌根处理采用的生长调节剂6-苄氨基嘌呤6-BA，使用浓度为100～200ppm，每株采用100～150ml左右的剂量。

4、根据权利要求3所述的春石斛花期调控方法，其特征在于，进行灌根处理采用的生长调节剂6-苄氨基嘌呤6-BA，在成熟度好时使用浓度为100ppm。

5、根据权利要求3所述的春石斛花期调控方法，其特征在于，进行灌根处理采用的生长调节剂6-苄氨基嘌呤6-BA，在成熟度差时使用浓度为200ppm。

6、根据权利要求1所述的春石斛花期调控方法，其特征在于，从春石斛的花芽萌发时起的10～15天，进行灌根处理所采用的另一种生长调节剂为赤霉素GA3。

7、根据权利要求4所述的春石斛花期调控方法，其特征在于，从春石斛的花芽萌发时起的10～15天，进行灌根处理所采用的赤霉素GA3，浓度为5～10ppm，每株使用量为100～150ml。