CN100395618C - 金属络合物、光源与背光模组 - Google Patents

金属络合物、光源与背光模组 Download PDF

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本发明公开一种金属络合物及应用该金属络合物的光源和背光模组。该金属络合物包括一金属原子、一以N及O与该金属原子相连的双链苯环基和掺杂化合物，其中该掺杂化合物的大小为10-6～10-8米，该掺杂化合物为ZnS、ZnTe、ZnSe、CdSe、CdTe及GaN中一种或一种上的组合。本发明金属络合物及应用该金属络合物的光源及背光模组具有较高的出光亮度。

Description

金属络合物、光源与背光模组
【技术领域】
本发明是关于一种金属络合物及应用该金属络合物的光源与背光模组，尤其是关于一种用于液晶显示装置的金属络合物及应用该金属络合物的光源与背光模组。
【背景技术】
由于液晶显示装置面板中的液晶本身不发光，因此，为了达到显示的效果，必须给液晶显示装置面板提供一面光源装置，例如背光模组，其功能在于向液晶显示装置面板提供亮度充分、分布均匀的平面光，使液晶显示装置面板能够正常显示图像，因此面光源装置成为液晶显示装置的关键组件之一。
随着液晶显示装置应用领域的不断拓展，特别是数码影像产品的应用，比如手机、手机用的数码相机、数码摄影机等，对于液晶显示装置中所使用的背光模组的出光亮度的要求进一步提升。
通常背光模组的导光板只能将光线均匀化，而不能提高出光的亮度，因此要提高背光模组的出光亮度，需要从提高光源的亮度入手。
请参阅图1，是一种现有技术背光模组的示意图，该背光模组1包括一导光板10和一光源19，该导光板10包括一入光面11、一和该入光面11相邻的出光面12、一和该出光面12相对的底面13及侧面14，该光源19相对该入光面11设置，是发光二极管(LightEmitting Diode，LED)或者冷阴极荧光灯(Cold Cathode FluorescentLamp，CCFL)。光从光源19发出，经过入光面11进入导光板10，在导光板10内经过散乱反射后从出光面12射出。但是，由于发光二极管和冷阴极荧光灯本身的限制，其发光亮度在1,000～5,000cd/m2，已经不能满足背光模组的出光亮度越来越高的要求。
【发明内容】
为了克服现有技术光源出光亮度不高的缺点，本发明提供一种可以用于制造出光亮度较高的光源的金属络合物。
本发明还提供一种应用上述金属络合物的光源。
本发明还提供一种应用上述光源的背光模组。
本发明解决技术问题所应用的技术方案是：提供一种金属络合物，该金属金属络合物包括一金属原子、一以N及O与该金属原子相连的双链苯环基及掺杂化合物，其中该掺杂化合物的大小为10-6～10-8米，该掺杂化合物为ZnS、ZnTe、ZnSe、CdSe、CdTe及GaN中一种或一种上的组合。
本发明解决技术问题所应用的技术方案是：提供一种光源，该光源包括按层排列的阴极层、半导体层、绝缘层、金属络合物层、荧光层、阳极层及保护层，该金属络合物包括一金属原子、一以N及O与该金属原子相连的双链苯环基及掺杂化合物，其中该掺杂化合物的大小为10-6～10-8米，该掺杂化合物为ZnS、ZnTe、ZnSe、CdSe、CdTe及GaN中一种或一种上的组合。
本发明解决技术问题所应用的技术方案是：提供一种背光模组，该背光模组包括一导光板和一光源，该导光板包括一入光面、一和该入光面相邻的出光面、一与该出光面相对的底面和一相对该入光面设置的侧面，该光源相对该入光面设置，其包括按层排列的阴极层、半导体层、绝缘层、金属络合物层、荧光层、阳极层及保护层，该金属络合物包括一金属原子、一以N及O与该金属原子相连的双链苯环基及掺杂化合物，其中该掺杂化合物的大小为10-6～10-8米，该掺杂化合物为ZnS、ZnTe、ZnSe、CdSe、CdTe及GaN中一种或一种上的组合。
和现有技术相比较，本发明的有益效果是：本发明的光源通过加入金属络合物，利用纳米特性，较大幅度提高了出光亮度。
【附图说明】
图1是一种现有技术背光模组的示意图。
图2是本发明金属络合物的结构示意图。
图3是本发明光源的结构示意图。
图4是本发明背光模组的立体示意图。
图5是本发明背光模组的侧视图。
【具体实施方式】
请参阅图2，是本发明金属络合物的结构示意图。该金属络合物2包括一金属原子M、一以N及O与该金属原子M相连的双链苯环基及掺杂化合物X，该金属原子M可以是Al、Mg、Zn、Be、Ba及Ga中的任意一种，该掺杂化合物X可为ZnS、ZnTe、ZnSe、CdSe、CdTe及GaN中一种或者任意两种的组合，该掺杂化合物X大小是10-6～10-8米。
请参阅图3，是本发明光源的结构示意图。该光源3包括按层排列的阴极层31、半导体层32、绝缘层33、金属络合物层2、荧光层35、阳极层36及保护层37。其中该阴极层31是金属，可以是Cu、Ag及Au中一种或者至少两种的组合；该绝缘层33材料为SiNx，上面印有图案，可以让部分电子穿过，该绝缘层33可以通过反应溅射、化学气相沉积、离子增强化学气相沉积、离子束溅射、双离子束溅射等方法制得；该荧光层35材料根据不同需求可以是发出绿光的乙铝石榴石掺杂铽、可以发出红光的氧化锡掺杂铕和可以发出蓝光的硅酸钇掺杂铈等，该荧光层35受到电子轰击后发出光；该阳极层36是氧化铟锡、InOx及ZnO中一种或者至少两种的组合，其中氧化铟锡层可以通过在Ar与氧混合气体环境中直流反应溅射、射频反应溅射而得；该保护层37材料是SiO2、SiOx中的一种或者至少两种的组合，可以通过在Ar与氧混合气体环境中直流反应溅射、射频反应溅射等方法而制得。通过在阳极层36与阴极层31之间施加电压，由半导体层32产生电子，并且穿过绝缘层33，撞击金属络合物2，激发电子轰击荧光层35，发出光，再穿过透明保护层37，可以达到供应光的效果。因为当物质尺寸达到纳米级别(1×10-9米)后，许多性质，如物理性质、化学性质都发生了较大的变化，本发明通过掺杂纳米化合物，使得金属络合物2的发光亮度大为提升，可以达到10,000～20,000cd/m2，相对发光二极管和冷阴极荧光灯有着显著的提升。
请一并参阅图4和图5，分别是本发明背光模组的立体示意图与侧视图。该背光模组4包括一导光板40与一光源3，该导光板40包括一入光面41、一和该入光面41相邻的出光面42及与该出光面42相对的底面43及一相对该入光面41设置的侧面44，该光源3相对该入光面41设置。其中，该导光板40是楔形导光板，其入光面41的宽度大于该侧面44的宽度，该出光面42包括多个连续沟槽装置45，其沟槽密度随着沟槽与光源3的距离的增大而增大，以此达到出光均匀的目的；该底面43包括多个非连续沟槽装置46，其沟槽宽度随着沟槽与光源3的距离的增大而减小。
本发明的背光模组并不限于本实施方式所述，如该背光模组还可进一步包括增光片、扩散片、反射片及偏光片等；该导光板40的底面亦可设置多个网点以增强射出光的均匀度。

Claims (17)

1.一种金属络合物，包括：一金属原子、一以N及O与该金属原子相连的双链苯环基和掺杂化合物，其特征在于：该掺杂化合物的大小是10-6～10-8米，该掺杂化合物为ZnS、ZnTe、ZnSe、CdSe、CdTe及GaN中一种或一种上的组合。
2.根据权利要求1所述的金属络合物，其特征在于：该金属原子是Al、Mg、Zn、Be、Ba及Ga群组中任意一种。
3.一种光源，其包括按层排列的阴极层、半导体层、绝缘层、金属络合物层、荧光层、阳极层和保护层，该金属络合物包括一金属原子、一以N及O与该金属原子相连的双链苯环基及掺杂化合物，其特征在于：该掺杂化合物的大小是10-6～10-8米，该掺杂化合物为ZnS、ZnTe、ZnSe、CdSe、CdTe及GaN中一种或一种上的组合。
4.根据权利要求3所述的光源，其特征在于：该阴极层是金属。
5.根据权利要求4所述的光源，其特征在于：该金属是Cu、Ag及Au中一种。
6.根据权利要求4所述的光源，其特征在于：该金属是Cu、Ag及Au中至少两种的组合。
7.根据权利要求3所述的光源，其特征在于：该绝缘层材料是SiNx。
8.根据权利要求3所述的光源，其特征在于：该阳极层是氧化铟锡、InOx及ZnO中一种。
9.根据权利要求3所述的光源，其特征在于：该阳极层是氧化铟锡、InOx及ZnO中至少两种的组合。
10.根据权利要求3所述的光源，其特征在于：该保护层材料是SiO2、SiOx中一种。
11.根据权利要求1所述的光源，其特征在于：该保护层材料是SiO2、SiOx中至少两种的组合。
12.一种背光模组，包括：一导光板和一光源，该导光板包括一入光面、一和该入光面相邻的出光面、一与该出光面相对的底面和一相对该入光面设置的侧面，该光源相对该入光面设置，包括按层排列的阴极层、半导体层、绝缘层、金属络合物层、荧光层、阳极层及保护层，该金属络合物包括一金属原子、一以N及O与该金属原子相连的双链苯环基及掺杂化合物，其特征在于：该掺杂化合物的大小是10-6～10-8米，该掺杂化合物为ZnS、ZnTe、ZnSe、CdSe、CdTe及GaN中一种或一种上的组合。
13.根据权利要求12所述的背光模组，其特征在于：该入光面的宽度大于该侧面的宽度。
14.根据权利要求12所述的背光模组，其特征在于：该底面包括多个非连续沟槽装置。
15.根据权利要求14所述的背光模组，其特征在于：该多个沟槽装置的沟槽宽度随其与光源的距离的增大而减小。
16.根据权利要求14所述的背光模组，其特征在于：该出光面的包括多个连续沟槽装置。
17.根据权利要求16所述的背光模组，其特征在于：该多个沟槽装置的沟槽密度随其与光源的距离的增大而增大。
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