CN100358149C - 固体摄像器件的制造方法及固体摄像器件 - Google Patents

Abstract

本发明涉及固体摄像器件的制造方法，在半导体衬底(1)上形成受光部(12)，在受光部(12)及半导体衬底(1)上形成第1绝缘膜(6)，在第1绝缘膜(6)上形成用作布线的金属膜，在金属膜上形成保护膜(8)，在保护膜的预定区域形成抗蚀剂膜，使用抗蚀剂膜分别除去保护膜(8)及金属膜的一部分，形成上面被保护膜(8)覆盖的布线(7)，在布线(7)及第1绝缘膜(6)上形成含有氢的第2绝缘膜(10)，对第2绝缘膜(10)进行加热处理，通过对第2绝缘膜(10)的整个表面进行各向异性刻蚀处理，来除去该第2绝缘膜(10)。

Description

固体摄像器件的制造方法及固体摄像器件

技术领域

本发明涉及固体摄像器件的制造方法。

背景技术

固体摄像器件中，抑制光电二极管附近暗电流(Dark Current)的发生对提高该固体摄像器件的性能非常重要。因此，提供了用于抑制这种暗电流发生的各种各样的方法或者器件。以下，参照附图，说明能抑制暗电流发生的已有固体摄像器件的一个例子。这里，图6表示该固体摄像器件的剖面结构。而且，图6的右半部分示出形成受光元件等的受光部区域，图6的左半部分示出形成固体摄像器件的布线等的***布线区域。

图6所示的固体摄像器件具备：硅衬底1、栅绝缘膜2、传送电极3、层间绝缘膜4、遮光膜5、绝缘膜6、布线膜7、绝缘膜10、微透镜11和光电二极管(以下简称PD)12。该固体摄像器件按以下所示工序制造。

首先，在硅衬底1上形成受光元件、即PD12。然后，在硅衬底1上，形成栅绝缘膜2(例如氧化硅膜)、传送电极3(例如多晶硅)、层间绝缘膜4(例如氧化硅膜)及遮光膜5(例如W(钨))等CCD电路受光部。然后，淀积用于绝缘下层布线(未图示)与布线膜7的绝缘膜6(例如氧化硅膜)，再通过使用了抗蚀剂膜的光刻技术在该绝缘膜6上形成布线膜7(例如Al(铝))。

当布线膜7的形成完成时，用等离子体CVD(化学气相淀积)法，在绝缘膜6及布线膜7上形成含有大量N(氮)-H(氢)键的绝缘膜10(例如氮化硅膜)。然后，对该固体摄像器件进行300～450℃、数分钟～数小时的热处理。通过上述绝缘膜10的形成及热处理可以降低暗电流。以下，就通过上述热处理降低暗电流的理由进行详细说明。

首先，所谓暗电流，是指由比如在硅衬底1与氧化硅膜即栅绝缘膜2的界面发生的界面态(interface state)而引起的电流。导致暗电流发生的界面态，其起因是在硅衬底1与氧化硅膜的栅绝缘膜2的界面存在硅原子的悬挂键(以下称为悬空键)。也就是说，如果能够减低悬空键的数量，则可以抑制暗电流的发生。

在上述已有固体摄像器件中，使硅原子的悬空键与氢原子结合，使悬空键减少，从而可以减少界面态。具体地说，是淀积含有N-H键的氮化硅膜的绝缘膜10后，进行加热处理，从而使该绝缘膜10中含有的氢原子向固体摄像器件中扩散。向固体摄像器件内扩散的氢原子穿过绝缘膜6，到达硅衬底1与栅绝缘膜2的界面。然后，该氢原子与在硅衬底1与栅绝缘膜2的界面所存在的悬空键结合。这样一来，可以减少在硅衬底1与栅绝缘膜2的界面所产生的界面态，并能够抑制暗电流的发生(例如，参照日本特开平5-283667号公开的图6)。

另外，用于绝缘膜10的通过等离子体CVD法形成的氮化硅膜，光的吸收率比其它的绝缘膜高。因此，如果该绝缘膜10存在于微透镜11之下，则导致到达PD12的光量减少，导致固体摄像器件灵敏度的特性劣化。因此，从提高固体摄像器件灵敏度的角度出发，在进行上述热处理后，最好通过刻蚀处理来除去绝缘膜10。

这里，为了通过刻蚀处理来除去绝缘膜10，必须对该布线层7施以掩膜处理后进行刻蚀处理。这里，如果布线层7在刻蚀处理时直接曝光，则对该布线层7有损坏。

可是，在对布线层7的区域形成掩膜时，需要光抗蚀剂的涂敷、曝光以及显像的复杂且多道工序。因此，在除去绝缘膜10的工序中，如果为了保护布线层7而需要形成掩膜，则会导致用于制造固体摄像器件的工序数量增加。

发明内容

本发明的目的在于提供一种制造固体摄像器件的制造方法，能够容易地制造可以抑制暗电流的发生，同时可以提高固体摄像器件的灵敏度，而且不会因刻蚀处理使布线受到损害的固体摄像器件。

本发明的固体摄像器件的制造方法，在半导体衬底上形成受光部，在受光部以及该半导体衬底上形成第1绝缘膜，在第1绝缘膜上形成用作布线金属膜，在金属膜上形成保护膜，在保护膜的预定区域形成抗蚀剂膜，使用抗蚀剂膜分别除去保护膜以及金属膜的一部分，形成上面被保护膜覆盖的布线，在布线以及上述第1绝缘膜上形成含有氢的第2绝缘膜，对第2绝缘膜进行加热处理，再对第2绝缘膜的整个表面进行各向异性刻蚀处理，以便除去该第2绝缘膜。如果按这样的工序形成固体摄像器件，则用于形成布线的抗蚀剂膜与为形成用于保护该布线的保护膜而形成的抗蚀剂膜能够共用。其结果，可以减少形成抗蚀剂膜的次数，能够容易地制造固体摄像器件。

这里，形成布线的工序也可以是将抗蚀剂膜作为掩膜，刻蚀除去金属膜以及保护膜，除去抗蚀剂膜。这样一来，通过一次刻蚀处理即可选择性地除去金属膜以及保护膜。

另外，形成布线的方法，除上述以外，还可以将抗蚀剂膜作为掩膜，刻蚀除去保护膜，并除去抗蚀剂膜，然后，将保护膜作为掩膜刻蚀除去金属膜。这样，通过用2个阶段来除去金属膜以及保护膜，可以对各膜进行最合适条件的刻蚀处理。其结果，可以形成精度更高的布线。

而且，也可以在刻蚀除去第2绝缘膜后，在第1绝缘膜上形成用于聚光到受光部的透镜，这样，通过形成透镜，能够更高效率地聚光到受光部上。

另外，也可以在实施加热处理后，在布线之间形成抗蚀剂膜，除去第2绝缘膜时，将布线之间设置的抗蚀剂膜作为掩膜进行各向异性刻蚀处理，在布线之间淀积绝缘膜。这样，通过在布线间埋入绝缘膜，可以减小在布线间存在的阶差，在该布线上更容易形成精度高的膜或抗蚀剂膜。

第2绝缘膜优选用等离子体CVD法形成的氮化硅膜。用等离子体CVD法形成的氮化硅膜含有大量N-H键。因此，在热处理时，大量的氢原子向固体摄像器件内扩散，与该固体摄像器件内发生的界面态结合。其结果，可以抑制该固体摄像器件内发生的暗电流。

根据本发明的其他方案，在半导体衬底上形成受光部，在受光部以及半导体衬底上形成第1绝缘膜，在第1绝缘膜上形成布线，在布线以及第1绝缘膜上形成保护膜，在保护膜上形成含有氢的第2绝缘膜，对第2绝缘膜进行加热处理，并进行刻蚀处理，来除去第2绝缘膜。而且，上述保护膜具有比第2绝缘膜高的光透射性。由于保护膜具有高的光透射性，所以即使在固体摄像器件的整个表面上形成，也不会妨碍光入射到受光部。因此，没用必要除去在受光部上形成的保护膜。因此，根据这样的工序制造的固体摄像器件，只有在布线形成时才形成抗蚀剂膜，所以可以减少抗蚀剂膜的形成次数。其结果，可以容易地制造固体摄像器件。

这里，上述的刻蚀处理可以是各向异性刻蚀处理，也可以是各向同性刻蚀处理。刻蚀处理是各向同性刻蚀时，能够完全除去第2绝缘膜。

另外，本发明并不仅包括固体摄像器件的制造方法，还包括用该制造方法制造的固体摄像器件。

以下，通过参照附图进行详细说明可以进一步清楚本发明的内容以及其它的目的、特征、方案、效果。

附图说明

图1A、图1B、图1C、图1D、图1E、和图1F是本发明的第1实施例涉及的固体摄像器件制造方法的工序剖面图。

图2A、图2B、图2C、图2D、图2E、图2F和图2G是本发明的第2实施例涉及的固体摄像器件制造方法的工序剖面图。

图3A、图3B和图3C是示出本发明固体摄像器件制造方法的其它变化的工序剖面图。

图4A、图4B、图4C、图4D、图4E、图4F和图4G是本发明的第3实施例的固体摄像器件制造方法的工序剖面图。

图5A以及图5B是示出本发明的第3实施例的固体摄像器件制造方法的其它变化的工序剖面图。

图6是示出已有例的固体摄像器件的剖面结构图。

优选实施方式

(第1实施例)

以下，就本发明第1实施例涉及的固体摄像器件制造方法，参照附图进行说明。本实施例的固体摄像器件制造方法，为了降低暗电流，形成了等离子体氮化硅膜的绝缘膜并对其进行热处理，而且为了提高固体摄像器件的灵敏度(感度)，除去了该等离子体氮化硅膜的绝缘膜。这里，图1是示出该固体摄像器件制造方法各工序的固体摄像器件剖面结构的图。而且，图1A～图1F的右半部分示出形成了受光元件等的受光部区域，图1A～图1F的左半部分示出形成固体摄像器件的布线等的***布线区域。

首先，在硅衬底上形成PD12。当PD12的形成完成时，形成CCD电路。以下，就该CCD电路的形成进行具体的说明。

首先，在形成有PD12的硅衬底1上，淀积栅绝缘膜2(氧化硅膜)，然后在该栅绝缘膜2上形成传送电极3(例如多晶硅)。然后，在该传送电极3以及绝缘膜2上淀积绝缘膜4(例如氧化硅膜)。然后，在该绝缘膜4上形成遮光膜5(例如钨)，以便覆盖传送电极3。这样一来，完成CCD电路的形成。

当CCD电路的形成完成时，在层间绝缘膜4以及遮光膜5上淀积绝缘膜6(例如氧化硅膜)。而且，该绝缘膜6的表面通过CMP(化学机械研磨)等进行平坦化。

然后，例如使用CVD法，在绝缘膜6上淀积具有预定膜厚的布线层7(例如A1)。布线层7的淀积完成后，在该布线层7上淀积绝缘膜8。而且，作为该绝缘膜8的一个例子，列举了使用等离子体CVD法淀积的氮化硅膜(以下称为等离子体氮化硅膜)。这样一来，固体摄像器件具有图1所示的结构。

当上述绝缘膜8的淀积完成时，如图1B所示，形成抗蚀剂9a，对绝缘膜8的预定区域进行遮蔽。然后，如图1C所示，将该抗蚀剂9a作为掩膜，使用干法刻蚀处理分别除去绝缘膜8以及布线层7的一部分。这样一来，使用共用的抗蚀剂9a同时进行布线层7以及绝缘膜8的图形化，形成具有布线层7的上面由有绝缘膜8覆盖的结构的固体摄像器件。然后通过灰化(ashing)处理等除去抗蚀剂9a。

当抗蚀剂9a的除去完成时，如图1D所示，使用等离子体CVD法，对该固体摄影装置的整个表面淀积含有N-H键的绝缘膜10。例如，作为该含有N-H键的绝缘膜10例举了等离子体氮化硅膜。然后，对该固体摄像器件进行热处理。通过该热处理，将绝缘膜10中存在的氢原子向固体摄像器件中扩散，到达硅衬底1与栅绝缘膜2的界面，并与该界面存在的悬空键结合。这样一来，可以减少硅衬底1与栅绝缘膜2的界面态，抑制暗电流的发生。而且，该热处理是对固体摄像器件进行约300～约450℃、数分钟～数小时的加热。

然后，使用凹蚀(etchback)法对固体摄像器件的整个表面除去绝缘膜10。具体地说，不是对绝缘膜10进行遮蔽，而是对受光部区域上的绝缘膜10进行各向异性干法刻蚀，直至完全除去。这样一来，如图1E所示，在绝缘层7的两侧有侧壁状的绝缘膜10残留，且在布线层7的上面有绝缘膜8残留。因此，即使使用干法刻蚀处理全部除去受光部区域的绝缘膜10，布线层7也不会直接暴露于干法刻蚀处理，布线层7不会因干法刻蚀处理受到损害。而且，作为该干法刻蚀处理所使用的刻蚀气体，列举了例如碳化氟类气体。

最后，如图1F所示，在受光部区域形成的PD12的垂直上方，且在绝缘膜6上形成微透镜11。该微透镜11使用光透射率比绝缘膜10所用的氮化硅还要高的氮化硅作成。而且，该微透镜11形成时，在布线层7的两侧形成氮化硅侧壁。

如上所述，根据本实施例的固体摄像器件制造方法，由于绝缘膜8存在于布线层7之上，所以即使完全除去受光部区域的绝缘膜10，布线层7也不会暴露在刻蚀气体中。其结果，绝缘层7不会因干法刻蚀处理而受到损害。

而且，如图1C所示，上述绝缘膜8的形成是利用形成布线层7而用的抗蚀剂9a。因此，与已有的固体摄像器件制造方法相比较，本实施例涉及的固体摄像器件制造方法能够减少形成抗蚀剂膜的次数。具体地说，在已有的保护布线层不被刻蚀处理的固体摄像器件制造方法中，必须2次形成抗蚀剂膜，即形成用于形成布线层7的抗蚀剂膜之外，还需要形成用于保护布线层7的抗蚀剂膜。与此相对应，本实施例中，如果只形成一次用于形成布线层7的抗蚀剂膜9a，则利用该抗蚀剂膜9a可以一并形成用于保护该布线层7的绝缘膜8。其结果，可以减少该固体摄像器件的制造工序数量，能够容易地制造该固体摄像器件。

另外，根据本实施例的固体摄像器件制造方法，设置了含有大量N-H键的绝缘膜10，并对其进行加热处理，因此能够减少固体摄像器件内的界面态。其结果，可以抑制该固体摄像器件中暗电流的发生。

另外，根据本实施例的固体摄像器件制造方法，可以完全除去光吸收率高的绝缘膜10，因此能够增大向PD12入射的光量。而且，由于绝缘膜10被除去，所以微透镜11可以靠近PD12形成。其结果，可以通过PD12高效率地聚光，提高固体摄像器件的灵敏度。

而且，上述微透镜11未必一定要设置。但是，设置微透镜11的情况与未设置微透镜11的情况相比，提高了固体摄像器件的灵敏度。

另外，本实施例就减少在硅衬底1与栅绝缘膜2的界面所发生的界面态进行了说明，但界面态的减少位置，并不局限于此。也就是说，根据本实施例涉及的固体摄像器件制造方法，也可以减少固体摄像器件内其它界面所发生的界面态。

(第2实施例)

其次，就本发明第2实施例涉及的固体摄像器件制造方法进行说明。本实施例的固体摄像器件制造方法，其布线层7以及绝缘膜8的图形化顺序与第1实施例涉及的固体摄像器件制造方法不同。具体地说，在第1实施例中，如图1C所示，将抗蚀剂9a作为掩膜，使用干法刻蚀处理分别对布线层7以及绝缘膜8通过1个工序进行图形化，与其对应的本实施例中，通过如图2C以及图2D所示的2个工序，对布线层7以及绝缘膜8进行图形化。而且，关于布线层7以及绝缘膜8图形化以外的工序，与第1实施例一样。以下，就本实施例的固体摄像器件制造方法参照附图进行说明。

首先，在硅衬底1上形成PD12。当PD12的形成完成时，形成CCD电路。而且，因本工序与第1实施例一样，所以省略更详细的说明。

当CCD电路的形成完成时，在层间绝缘膜4以及遮光膜5上淀积绝缘膜6。而且，因本工序与第1实施例一样，所以省略更详细的说明。

然后，例如使用CVD法，在绝缘膜6上淀积具有预定膜厚的布线层7，当布线层7的淀积完成时，在该布线层7上淀积绝缘膜8。而且，因本工序与第1实施例一样，所以省略更详细的说明。这样一来，固体摄像器件具有如图2A所示的结构。

当上述绝缘膜8的淀积完成时，如图2B所示，在绝缘膜8上的预定区域形成抗蚀剂9a。然后，如图2C所示，将该抗蚀剂9a作为掩膜，使用干法刻蚀处理来除去绝缘膜8。然后，通过灰化处理等除去抗蚀剂9a。

当抗蚀剂9a的除去完成时，如图2D所示，将绝缘膜8作为掩膜，使用干法刻蚀处理来除去布线层的未淀积该绝缘膜8的区域。这样一来，完成了布线层7以及用于对该布线层7上面进行保护的绝缘膜8的图形化。

然后进行的图2E、图2F以及图2G的工序，，因与第1实施例的图1D～图1F的工序一样，所以省略说明。

如上所述，根据本实施例涉及的固体摄像器件制造方法，通过不同的工序除去布线层7和绝缘膜8。因此，可以用最合适的条件对各个膜进行刻蚀处理，从而能够对各膜进行精度更高的图形化。其结果，容易形成高精度的布线。

另外，根据本实施例涉及的固体摄像器件制造方法，与第1实施例一样，可以抑制该固体摄像器件中暗电流的发生。另外，与第1实施例一样，绝缘层7不会因干法刻蚀处理而受到损害。还有，与第1实施例一样，没有必要形成用于保护布线层的新抗蚀剂膜，可以减少固体摄像器件的制造工序数量。再者，与第1实施例一样，可以通过PD12高效率地聚光，能够提高固体摄像器件的灵敏度。

而且，在第1实施例与第2实施例中，对绝缘膜10进行热处理后，未进行遮蔽，而是用凹蚀法除去绝缘膜10(图1E以及图2F)，也可以对该绝缘膜10的想保留的部分进行遮蔽。使用图3A～图3C进行具体说明。

首先，在第1实施例或第2实施例中，对绝缘膜10进行热处理后(图1D以及图2E)，如图3A所示，在布线层7和与该布线层7相邻的布线层之间形成抗蚀剂9b。然后，如图3B所示，将抗蚀剂9b作为掩膜，通过刻蚀除去在绝缘膜6上淀积的绝缘膜10。这时，在抗蚀剂9b之下存在的绝缘膜10未被除去，还残留在绝缘膜6上。然后，通过灰化处理等除去该抗蚀剂9b。

当抗蚀剂9b的除去完成时，与上述实施例一样，如图3C所示，在绝缘膜6上形成微透镜11。这时，在未被除去还残留的绝缘膜10上，形成埋入布线层与布线层之间且与微透镜11同材质的绝缘膜。这样，通过在布线层之间埋入绝缘膜，可以消除该布线层之间的阶差。其结果，在后续的工序中，比如向该布线层上涂敷抗蚀剂时，或者图形化时就变得容易。但是，在用图3A～图3C所示的方法制造固体摄像器件的情况下，形成抗蚀剂9b的工序所需的部分，会增加制造工序数量。

这里，上述第1以及第2实施例中，在布线层7的上面形成保护膜、即绝缘膜8，但该绝缘膜8的形成并不只限于在布线层7的上面。在以下示出的第3实施例中，就在布线层7上面以外也形成绝缘膜8的固体摄像器件制造方法进行说明。

(第3实施例)

以下，就本发明第3实施例涉及的固体摄像器件制造方法，参照附图进行说明。与在第1实施例中只是在布线层7的上面形成保护膜、即绝缘膜8相对应，本实施例涉及的固体摄像器件制造方法的不同点在于，不限于在布线层7的上面，而且在受光部区域以及***布线区域整体上形成绝缘膜。而且，除这一点以外，与第1实施例一样。这里，图4A～图4G示出的是本实施例涉及的固体摄像器件制造方法中各工序的固体摄像器件的剖面结构图。而且，图4A～图4G右半部分示出形成了受光元件等的受光部区域，图4A～图4G左半部分示出形成了固体摄像器件的布线等的***布线区域。

首先，在硅衬底1上形成PD12。当PD12的形成完成时，形成CCD电路。而且，因本工序与第1实施例一样，所以省略更详细的说明。

当CCD电路的形成完成时，在层间绝缘膜4以及遮光膜5上淀积绝缘膜6。而且，因本工序与第1实施例一样，所以省略更详细的说明。

然后，例如使用CVD法，在绝缘膜6上淀积具有预定膜厚的布线层7。而且，因本工序与第1实施例一样，所以省略更详细的说明。这样一来，固体摄像器件形成如图4A所示的结构。

当上述布线层7的淀积完成时，如图4B所示，在布线层7的预定区域上形成抗蚀剂9a。然后，如图4C所示，将该抗蚀剂9a作为掩膜，使用干法刻蚀除去布线层7的未被遮蔽的部分。然后，通过灰化处理等除去抗蚀剂9a。

当抗蚀剂9a的除去完成时，如图4D所示，在跨过布线层7以及绝缘膜6的整个表面上淀积绝缘膜18。当绝缘膜18的淀积完成时，如图4E所示，用等离子体CVD法在该绝缘膜18上淀积等离子体氮化硅膜的绝缘膜10。这里，在第1实施例中，除去布线层7上面以外的绝缘膜8后，淀积绝缘膜10。与之相对应，在本实施例中，未将绝缘膜18完全除去地淀积绝缘膜10。因此，在本实施例中，在受光部区域上也有绝缘膜10残留。所以，第1实施例的绝缘膜8的材质，若能保护布线层7，则最好使用光透射性低的材质，如等离子体氮化硅，与之相对应，本实施例涉及的绝缘膜18的材质，不会在受光部区域对光的透射有阻碍。这种绝缘膜18的材质，至少其光透射性高于绝缘膜10的材质、即等离子体氮化硅，例如氧化硅。

当上述绝缘膜10的淀积完成时，对该绝缘膜10进行热处理，从而减少在固体摄像器件内发生的界面态。而且，关于该热处理，因在第1实施例中已经说明，所以省略更详细的说明。

当上述热处理完成后，通过凹蚀法对固体摄像器件整个表面除去绝缘膜10。具体地说，不对绝缘膜10进行遮蔽，对受光部区域的绝缘膜10进行各向异性干法刻蚀处理，直至完全除去。这样一来，如图4F所示，露出了绝缘膜18，而且在布线层7的两侧有侧壁状绝缘膜10残留。也就是说，与第1实施例一样，布线层7的上面被绝缘膜18保护，布线层7的两个侧面被残留的侧壁状绝缘膜10以及绝缘膜18保护。这样一来，与第1实施例一样，该布线层7不会在干法刻蚀处理中直接暴露。

最后，如图4G所示，在受光部区域形成的PD12的垂直上方，且在绝缘膜6上形成微透镜11。而且，因本工序与第1实施例一样，所以省略详细说明。

如上所述，根据本实施例涉及的固体摄像器件制造方法，因对***布线区域以及受光部区域两方面淀积了具有相同膜厚的绝缘膜18，所以能够抑制在***布线区域以及受光部区域之间发生阶差。具体地说，在以前，刻蚀除去绝缘膜10时，因只对***布线区域形成掩膜，所以***布线区域的绝缘膜10未被除去而残留，受光部区域上的绝缘膜10被除去。因此，在受光部区域以及***布线区域的布线部分之间，产生布线高度与绝缘膜10的膜厚两部分之和的阶差。这种阶差，比如向布线区域上涂敷抗蚀剂时，妨碍图形化。

与此相对应，在本实施例中，因对***布线区域以及受光部区域两方面形成了绝缘膜18，所以在***布线区域与受光部区域的布线之间只会发生布线部分的阶差。其结果，比如向该布线层上涂敷抗蚀剂时，容易进行图形化等。

另外，根据本实施例的固体摄像器件制造方法，可以抑制该固体摄像器件中暗电流的发生。另外，与第1实施例一样，绝缘层7不会因干法刻蚀处理而受到损害。

另外，根据本实施例涉及的固体摄像器件制造方法制造的固体摄像器件，为了在微透镜11与绝缘层6之间存在的绝缘膜18，而使用了光透射性比等离子体氮化硅高的材质，所以射入PD12的光量减少不会成为问题。其结果，与用已有的固体摄像器件制造方法制造的固体摄像器件相比较，在PD12可以更有效地聚光，能够提高固体摄像器件的灵敏度。

还有，用于保护布线层7的绝缘膜18，不必进行使用抗蚀剂膜的刻蚀除去。因此，在过去形成问题的刻蚀除去绝缘膜10的方法中不需要形成抗蚀剂膜的处理。其结果，根据本实施例涉及的固体摄像器件制造方法，与第1实施例一样，可以减少固体摄像器件的制造工序数量。

而且，在本实施例的固体摄像器件制造方法中，如使用图3A～图3C所说明的第2实施例的记述那样，在布线层7之间也可以残留一部分绝缘膜10。

而且，根据本实施例涉及的固体摄像器件制造方法，使用各向异性干法刻蚀处理来除去绝缘膜10，也可以使用各向同性干法刻蚀处理来除去绝缘膜10。以下，就使用各向同性干法刻蚀处理来除去绝缘膜10的固体摄像器件制造方法，参照附图进行说明。而且，该固体摄像器件制造方法，代替干法刻蚀处理而采用湿法刻蚀处理来除去绝缘膜10，关于其它内容与上述第3实施例一样。这里，图5A和图5B示出的是该固体摄像器件制造方法的各工序的半导体工序剖面图。而且，图5A和图5B的右半部分示出形成受光元件等的受光部区域，图5A和图5B的左半部分示出形成固体摄像器件的布线等的***布线区域。

首先，在图4A～图4C以及图4D、图4E中进行的处理，因与上述第3实施例一样，因此省略说明。

这里，在图4E中，热处理完成后，对绝缘膜10进行各向同性湿法刻蚀处理。这样一来，如图5A所示，完全除去绝缘膜10直至露出绝缘膜18。这样，因绝缘膜18覆盖了固体摄像器件的整个表面，即使使用各向同性干法刻蚀处理来完全除去在其上层淀积的绝缘膜10，也能够保护布线层7的上表面以及两个侧面。其结果，布线层7不会在刻蚀处理时暴露。

当各向同性湿法刻蚀处理完成时，如图5B所示，形成了微透镜11。而且，因该处理与第1实施例一样，所以省略更详细的说明。

而且，在第1～第3实施例中，绝缘膜10是指等离子体氮化硅，而该绝缘膜10并不仅限于等离子体氮化硅。该绝缘膜10若是含有N-H键的绝缘膜即可，例如，也可以是用等离子体CVD法作成的氮氧化硅膜或者氧化硅膜等。但是，等离子体氮化硅抑制暗电流发生的效果最好。

以上，详细说明了本发明，上述说明的所有点并没有在本发明中进行过多的实例说明，本发明并不仅限于此范围。当然可以在不脱离本发明的范围内进行各种各样的改进或变形。

Claims (13)

1.一种固体摄像器件的制造方法，其特征在于具有以下工序：

在半导体衬底上形成受光部的工序；

在上述受光部及上述半导体衬底上形成第1绝缘膜的工序；

在上述第1绝缘膜上形成用作布线的金属膜的工序；

在上述金属膜上形成保护膜的工序；

在上述保护膜的预定区域形成抗蚀剂膜的工序；

使用上述抗蚀剂膜来分别除去上述保护膜及上述金属膜的一部分，形成上面被保护膜覆盖的布线的工序；

在上述布线及上述第1绝缘膜上形成含有氢的第2绝缘膜的工序；

对上述第2绝缘膜进行加热处理的工序；及

对上述第2绝缘膜的整个表面进行各向异性刻蚀处理，来除去该第2绝缘膜的工序。

2.如权利要求1所述的固体摄像器件的制造方法，其特征在于：形成上述布线的工序包括：

将上述抗蚀剂膜作为掩膜，刻蚀除去上述金属膜及上述保护膜的工序；及

除去上述抗蚀剂膜的工序。

3.如权利要求1所述的固体摄像器件的制造方法，其特征在于：形成上述布线的工序包括：

将上述抗蚀剂膜作为掩膜，刻蚀除去上述保护膜的工序；

除去上述抗蚀剂膜的工序；及

将上述保护膜作为掩膜，刻蚀除去上述金属膜的工序。

4.如权利要求1所述的固体摄像器件的制造方法，其特征在于还具有以下工序：刻蚀除去上述第2绝缘膜后，在上述第1绝缘膜上形成透镜，上述透镜用于聚光到上述受光部。

5.如权利要求1所述的固体摄像器件的制造方法，其特征在于：

还具有在实施上述加热处理后，在上述布线之间形成抗蚀剂膜的工序；

在除去上述第2绝缘膜的工序中，将上述布线之间设置的抗蚀剂膜作为掩膜进行各向异性刻蚀处理；

还具有在上述布线之间淀积绝缘膜的工序。

6.如权利要求1所述的固体摄像器件的制造方法，其特征在于：上述第2绝缘膜是用等离子体CVD法形成的氮化硅膜。

7.一种固体摄像器件的制造方法，其特征在于具有以下工序：

在半导体衬底上形成受光部的工序；

在上述受光部及上述半导体衬底上形成第1绝缘膜的工序；

在上述第1绝缘膜上形成布线的工序；

在上述布线及上述第1绝缘膜上形成保护膜的工序；

在上述保护膜上形成含有氢的第2绝缘膜的工序；

对上述第2绝缘膜进行加热处理的工序；及

进行刻蚀处理来除去上述第2绝缘膜的工序；

上述保护膜具有比上述第2绝缘膜高的光透射性。

8.如权利要求7所述的固体摄像器件的制造方法，其特征在于：上述刻蚀处理是各向异性刻蚀处理。

9.如权利要求7所述的固体摄像器件的制造方法，其特征在于：上述刻蚀处理是各向同性刻蚀处理。

10.一种在半导体衬底上形成了受光部的固体摄像器件，其特征在于具有：

在上述半导体衬底及上述受光部上形成的第1绝缘膜；

在上述第1绝缘膜上形成的布线；

对上述布线的至少上面进行保护的保护膜；及

保护上述布线的两侧面，且由含有氢的绝缘性材料形成的侧壁；

其中，上述保护膜在上述布线及上述第1绝缘膜上形成，并具有比该第1绝缘膜高的光透射性。

11.如权利要求10所述的固体摄像器件，其特征在于，

还包括在上述受光部中形成的微透镜。

12.如权利要求11所述的固体摄像器件，其特征在于，

上述保护膜由与上述微透镜相同的材料制成。

13.如权利要求10所述的固体摄像器件，其特征在于，

上述第1绝缘膜是氧化硅膜，上述保护膜是氮化硅膜。

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