CN100354741C - 半导体器件、反射式液晶显示装置和反射式液晶投影仪 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种在不减弱噪声电阻的同时能实现每个象素面积减小的半导体器件。开关晶体管(13)和信号积累电容(15)以构成象素(Px)的每个单元区为基础地形成在第一导电型的半导体基底(底部半导体区)(11)上。开关晶体管(13)具有这样的结构，即在半导体基底(11)上形成第二导电类型的源极区(13S)和漏极区(13D)，并且在源极区(13S)和漏极区(13D)之间的区域上的绝缘层(12a)上形成栅电极(13G)。信号积累电容(15)具有这样的结构，即在半导体基底(11)上形成第一导电型的高浓度半导体区(15D，15S)，并在半导体区(15D)和(15S)之间的区域上的绝缘层12a上形成电极(15G)。取代形成偏置半导体区(17)，将半导体区(15D)和(15S)用作该偏置半导体区。

Description

半导体器件、反射式液晶显示装置和反射式液晶投影仪
技术领域
本发明涉及一种用于构成有源矩阵显示的反射式液晶显示装置中有源矩阵驱动部分的半导体器件、用于有源矩阵显示的反射式液晶显示装置和利用反射式液晶显示装置进行有源矩阵显示的反射式液晶投影仪。
背景技术
作为用于有源矩阵显示的反射式液晶显示装置，曾对图7所示的一种液晶显示装置进行过研究。
总的来说，反射式液晶显示装置9包括液晶层33，该液晶层通过在构成有源驱动部分的半导体器件部分50和设置有所有象素共用的透明相对电极(counter transparent electrode)31的透明相对基底(counter transparent substrate)32之间注入液晶而形成。
半导体器件部分50包括半导体基底(底部半导体区域)11，如第一导电型的、如P型的硅基底，在该基底上根据用于构成象素Px的每个单元区域设置开关晶体管13和信号积累电容(sighalaccumulation capacitor)55。
开关晶体管13构造成MIS(金属绝缘半导体)型或MOS(金属氧化物半导体)型晶体管，其中第二导电型(即半导体基底11为P型的N型导电型)晶体管的源极区13S和漏极区13D形成在半导体基底11上，由多晶硅等形成的栅电极13G形成在源极区13S和漏极区13D之间的区域上，薄膜绝缘层12a夹置其中，构成由二氧化硅等形成的绝缘层12的一部分。
信号积累电容55构造成MIS型或MOS型晶体管，其中与开关晶体管13的源极区13S和漏极区13D相同的第二导电型(即半导体基底11为P型的N型)晶体管的半导体区55D和55S形成在半导体基底11上，电极55G形成在半导体区55D和55S之间的区域上，薄膜绝缘层12b夹置其中，构成绝缘层12的一部分。通过施加在半导体区55D和55S上的适当电势，在半导体区55D和55S之间的电极55G之下的部分形成沟道55c，并且形成电容。
另外，为了对半导体基底11施加如地电势之类的偏置电势，在半导体基底11上以构成象素Px的每个单元区为基础形成与半导体基底11相同的第一导电型(即，半导体基底11为P型的P型)的高浓度偏置半导体区57。
另外，在形成于绝缘层12上的绝缘层14上，形成与开关晶体管13的栅电极13G相连的扫描线(扫描电极)21、形成与开关晶体管13的源极区13S相连的信号线(信号电极)23、形成在开关晶体管13的漏极区13D和信号积累电容55的电极55G之间互连的导线25、并形成与信号积累电容55的半导体区55D和55S以及偏置半导体区57相连的偏置电极59。
此外，在形成于绝缘层14上的绝缘层16上，形成与导线25相连的、即与开关晶体管13的漏极区13D和信号积累电容55的电极55G相连的、构成象素电极的反射电极19。
反射式液晶显示装置9具有这样一种结构，即在显示屏的垂直方向设置多条扫描线21，在显示屏的水平方向设置多条信号线23，在扫描线21和信号线23的每个交叉部分如上所述地构成象素Px。
当偏置电极59接地、当在信号积累电容55的半导体区55D和55S以及偏置半导体区57上施加地电势和在所有象素共用的透明相对电极31上施加预定电势时，扫描线21连续地被扫描线驱动电路选取，并且在连接到由此选取的扫描线21的象素的开关晶体管13的栅电极13G上施加预定电势，由此研究中的象素的开关晶体管13导通，通过信号线23由信号线驱动电路将信号电压施加到研究中的象素的开关晶体管13的源极区13S上，由此通过研究中的象素的开关晶体管13的漏极区13D在象素的信号积累电容55的电容量中积累信号电荷。
积累的信号电荷施加在研究中的象素的反射电极19上，与信号电压一致的电场施加在所有象素共用的透明相对电极31和研究中的象素的反射电极19之间，并且由此通过液晶层33控制研究中的象素部分的光的旋转偏振作用。然后，调制从透明相对基底32的外部入射到反射式液晶显示装置9上、透过液晶层33的研究中的象素的所述部分并被反射电极19反射、再透过液晶层33的研究中的象素的所述部分出射到透明相对基底32之外的光，并且透射预定偏振方向的光，由此在反射式液晶显示装置9上显示图像。
但是，在图7所示的上述现有反射式液晶显示装置9的半导体器件部分50中，构成信号积累电容55的半导体区55D和55S为不同于半导体基底(底部半导体区)11的导电类型，即，它们具有与开关晶体管13的源极区13S和漏极区13D相同的导电类型。因此，为了分开开关晶体管区和信号积累电容区，开关晶体管区和信号积累电容区、即开关晶体管13的漏极区13D和信号积累电容55的半导体区55D之间的距离d必须至少大到一定程度。结果使象素Px的面积很大，而以预定大小形成的象素的数量很少。
另外，因为构成信号积累电容55的半导体区55D和55S与半导体基底(底部半导体区)11的导电类型不同，所以必须在半导体基底11上形成与半导体基底11相同导电类型的偏置半导体区57，以用于对半导体基底11施加如地电势之类的偏置电势；因此，象素Px的面积被扩大，能以预定大小形成的象素的数量减少。
若为了使象素Px的面积扩大得最少而减小偏置半导体区57的面积，则在半导体基底11上不能稳定地施加偏置电势，并且噪声电阻减弱。
因此，本发明旨在实现噪声电阻不减弱的同时能减小象素的面积。
发明内容
根据本发明的第一方面，提供了一种半导体器件，其中：
在一第一导电类型的底部半导体区上以构成一象素的每个单元区域为基础形成一开关晶体管和一信号积累电容；
所述开关晶体管具有这样的结构，即在所述底部半导体区上形成第二导电类型的一源极区和一漏极区，并在所述源极区和漏极区之间的区域上形成一栅电极，该栅电极和该区域之间夹置一绝缘层；
所述信号积累电容具有这样的结构，即在所述底部半导体区上形成第一导电类型的两个半导体区，在所述两个半导体区之间的区域上形成一电极，该电极和该区域之间夹置一绝缘层；和
形成一与所述开关晶体管的所述栅电极相连的扫描线，形成一与所述开关晶体管的所述源极区相连的信号线，并形成一与所述开关晶体管的漏极区以及所述信号积累电容的电极相连、构成一象素电极的反射电极。
根据本发明的第二方面，提供了一种半导体器件，其中：
在一第一导电类型的底部半导体区上以构成一象素的每个单元区为基础形成一开关晶体管和一信号积累电容；
所述开关晶体管具有这样的结构，即在所述底部半导体区上形成第二导电类型的一源极区和一漏极区，并且在所述源极区和漏极区之间的区域上形成一栅电极，该栅电极和该区域之间夹置一绝缘层；
所述信号积累电容具有这样的结构，即在所述底部半导体区的邻近所述开关晶体管漏极区的区域上形成一电极，该电极和该区域之间夹置一绝缘层；和
在所述底部半导体区上形成一连接到所述信号积累电容的电极的第一导电型偏置半导体区，一偏置电极夹置其间，形成一与所述开关晶体管的栅电极相连的扫描线，形成一与所述开关晶体管的源极区相连的信号线，并形成一与所述开关晶体管的漏极区相连的构成一象素电极的反射电极。
在如上构成的本发明第一方面的半导体器件中，用于构成信号积累电容的半导体区与底部半导体区的导电类型相同，即与开关晶体管的源极区和漏极区的导电类型不同。因此，为了分开开关晶体管区与信号积累电容区，开关晶体管区和信号积累电容区之间的距离、即开关晶体管的漏极区与信号积累电容的开关晶体管一侧上的半导体区之间的距离可以做得足够小，由此可以减小象素的面积，并且可以增大能以预定大小形成的象素的数量。
在此情况下，可以按照与上述相同的方式通过在底部半导体区上形成第一导电型的偏置半导体区来实现象素面积的缩小，与构成信号积累电容的半导体区分开。因为构成信号积累电容的半导体区与底部半导体区的导电类型相同，所以当构成信号积累电容的半导体区做成用作底部半导体区的偏置半导体区时，可以进一步缩小象素的面积，并且还可以进一步增加能以预定大小形成的象素的数量。
在根据如上构成的本发明第二方面的半导体器件中，通过在底部半导体区的邻近开关晶体管漏极区的区域上形成电极、并在其间夹置绝缘层而构成信号积累电容，而不在与开关晶体管的漏极区分开的底部半导体区上形成用于构成信号积累电容的半导体区。因此，即使在偏置半导体区形成于底部半导体区上的地方也可以减小象素的面积，并且可以增加能以预定大小形成的象素的数量。
另外，根据本发明，提供了一种反射式液晶显示装置，其中在上述半导体器件和一透明相对基底之间形成一液晶层，而所述透明相对基底上设置有所有象素共用的相对电极。
另外，根据本发明，提供了一种反射式液晶投影仪，该投影仪包括上述反射式液晶显示装置，并且其中从光源发出的光根据图像信号由反射式液晶显示装置调制，经过调制后输出的图像光束通过投影透镜投影。
附图说明
图1是本发明反射式液晶显示装置的第一实施方式的截面图；
图2是本发明反射式液晶显示装置的第二实施方式的截面图；
图3是本发明反射式液晶显示装置的第三实施方式的截面图；
图4是本发明反射式液晶显示装置的总体结构透视图；
图5是本发明反射式液晶显示装置的电路结构连接图；
图6示出了本发明反射式液晶投影仪的一实施方式；
图7是现有的反射式液晶显示装置的截面图。
具体实施方式
半导体器件和反射式液晶显示装置的实施方式：图1至图5
第一实施方式：图1
图1示出了本发明反射式液晶显示装置的第一实施方式，其包括作为半导体器件部分的本发明半导体器件的第一实施方式。
总的来说，本实施方式的反射式液晶显示装置1具有这样的结构，即通过在用于构成有源矩阵驱动部分的半导体器件部分10和设置有所有象素共用的透明相对电极31的透明相对基底32之间注入液晶而形成液晶层33。
半导体器件部分10具有这样的结构，即开关晶体管13和信号积累电容15以构成象素Px的每个单元区域为基础形成在半导体基底(底部半导体区)11上，如P型的第一导电型硅基底上。
开关晶体管13构造成MIS型或MOS型晶体管，其中在半导体基底11上形成第二导电类型(即，半导体基底11为P型的N型)的源极区13S和漏极区13D，在源极区13S和漏极区13D之间的区域上形成由多晶硅等形成的栅电极13G，薄膜绝缘层12a夹置其间，它构成由二氧化硅等形成的绝缘层12的一部分。
信号积累电容15构造成MIS型或MOS型晶体管，其中在半导体基底11上形成与半导体基底11相同的第一导电类型(即，半导体基底11为P型的P型)的高浓度半导体区15D和15S，在半导体区15D和15S之间的区域上形成电极15G，薄绝缘层12b夹置其间，构成绝缘层12的一部分。通过施加在半导体区15D和15S上的适当电势，在半导体区15D和15S之间的电极15G之下的部分形成沟道15c，并且形成电容。
另外，在此实施方式中，以构成象素Px的每个单元区为基础，在半导体基底11上形成与半导体基底11相同的第一导电类型(即，半导体基底11为P型的P型)的高浓度偏置半导体区17，用于对半导体基底11施加如地电势之类的偏置电势。
此外，在形成于绝缘层12上的绝缘层14上，形成与开关晶体管13的栅电极13G相连的扫描线(扫描电极)21，形成与开关晶体管13的源极区13S相连的信号线(信号电极)23，在开关晶体管13的漏极区13D和信号积累电容15的电极15G之间形成用于互连的导线25，并且形成与信号积累电容15的半导体区15D和15S以及偏置半导体区17相连的偏置电极27。
另外，在形成于绝缘层14上的绝缘层16上，形成与导线25相连、即与开关晶体管13的漏极区13D以及信号积累电容15的电极15G相连的用于构成象素电极的反射电极19。
如图4所示，反射式液晶显示装置1具有这样的结构，即在显示屏的垂直方向分布着多条扫描线21，在显示屏的水平方向分布着多条信号线23，扫描线21和信号线23的每个交叉部分如上所述地构成象素Px。
如图5所示，将驱动电路构造成使得当偏置电极27接地、对信号积累电容15的半导体区15D和15S以及偏置半导体区17施加地电势、对所有象素共用的透明相对电极31施加预定电势时，扫描线21被扫描线驱动电路依次选取，并且在用于连接到被选取的扫描线21的象素的开关晶体管13的栅电极13G上施加预定电势，由此导通研究中的象素的开关晶体管13，并且通过信号线23由信号线驱动电路将信号电压施加到研究中的象素的开关晶体管13的源极区13S上，由此通过研究中的象素的开关晶体管13的漏极区13D在研究中的象素的信号积累电容15的电容量中积累信号电荷。
由此积累的信号电荷施加在研究中的象素的反射电极19上，并且在所有象素共用的透明相对电极31和研究中的象素的反射电极19之间施加与信号电压一致的电场。据此，控制具有液晶层33的液晶电容Cx的研究中的象素部分处液晶的旋转偏振态，并且调制从透明相对基底32的外部入射到反射式液晶显示装置1上、透过液晶层33的研究中的象素的所述部分、并被反射电极19反射、再透过液晶层33的研究中的象素的所述部分并出射到透明相对基底32之外的光，并且输出预定偏置方向的光，由此在反射式液晶显示装置1上显示图像。
在图1所示实施方式的反射式液晶显示装置1和半导体器件部分10中，用于构成信号积累电容15的半导体区15D和15S与半导体基底(底部半导体区)11的导电类型相同，即与开关晶体管13的源极区13S和漏极区13D的导电类型不同。因此，为了分开开关晶体管区和信号积累电容区，可以将开关晶体管区和信号积累电容区之间的距离、即开关晶体管13的漏极区13D与信号积累电容15的半导体区15D之间的距离d做得足够小，由此可以减小象素Px的面积，并且可以增加能以预定大小形成的象素的数量。
另外，不仅偏置半导体区17、而且构成信号积累电容15的半导体区15D和15S都可以用作对半导体基底11施加偏置电势的区域，因此，可稳定地将偏置电势施加到半导体基底11上，并且加大了噪声电阻。
顺便说一下，在信号积累电容15的半导体区15D和15S以及偏置半导体区17上可以施加不同于地电势的偏置电势。
此外，与图1所示的实施方式相反，半导体基底(底部半导体区)11、信号积累电容15的半导体区15D和15S以及偏置半导体区17可以为N型，而开关晶体管13的源极区13S和漏极区13D可以为P型。
另外，取代用半导体基底直接作为底部半导体区并形成开关晶体管的源极区和漏极区，可以采用构成信号积累电容的半导体区和底部半导体区中的偏置半导体区，其中可以采用这样的结构，例如在N型半导体基底上形成P型的底部半导体区，并且在P型底部半导体区上形成用于构成开关晶体管的N型源极区和漏极区、用于构成信号积累电容的P型半导体区以及P型偏置半导体区。
第二实施方式：图2
图2示出了本发明的反射式液晶显示装置的第二实施方式，其包括作为半导体器件部分的本发明半导体器件的第二实施方式。
在此实施方式中，如同图1所示的实施方式，在半导体基底(底部半导体区)11上形成开关晶体管13和信号积累电容15的情况下，不在半导体基底11上形成与高浓度半导体区15D和15S分开的偏置半导体区，其中高浓度半导体区15D和15S与构成信号积累电容15的半导体基底11的导电类型相同；相反，制作构成信号积累电容15的半导体区15D和15S，以用作向半导体基底11施加偏置电势的偏置半导体区。
此外，在绝缘层14上以连接到半导体区15D和15S的状态形成偏置电极27，并且偏置电极27连接到如地电势点之类的偏置电势点，由此对半导体区15D和15S施加如地电势之类的偏置电势。其它方面与图1所示的第一实施方式相同。
因此，在图2所示的实施方式中，与图1所示的实施方式相同，为了分开开关晶体管区和信号积累电容区，可以将开关晶体管区和信号积累电容区之间的距离、即开关晶体管13的漏极区13D和信号积累电容15的半导体区15D之间的距离做得足够小。另外，可以从象素区中切出一部分用于形成图1所示实施方式中的偏置半导体区17。因此，与图1所示的实施方式相比，可以进一步减小象素的面积，并且可以进一步增加可按预定大小形成的象素数量。
另外，可以将象素Px的面积做得足够小，甚至不用减小信号积累电容15的用作偏置半导体区的半导体区15D和15S的面积。结果能对半导体基底11稳定地施加偏置电势，并且加大了噪声电阻。
顺便说一下，与图2所示实施方式相反，半导体基底(底部半导体区)11和信号积累电容15的半导体区15D和15S可以是N型，而开关晶体管13的源极区13S和漏极区13D可以是P型。
另外，代替用半导体基底直接作为底部半导体区并形成开关晶体管的源极区和漏极区以及用于在底部半导体区中构成信号积累电容的半导体区，可以采用这样一种结构，例如在N型半导体基底上形成P型底部半导体区，并在P型底部半导体区上形成用于构成开关晶体管的N型源极区和漏极区以及用于构成信号积累电容的P型半导体区。
第三实施方式：图3
图3示出了本发明反射式液晶显示装置的第三实施方式，其包括作为半导体器件部分的本发明半导体器件的第三实施方式。
在此实施方式中，开关晶体管13按照与图1和2所示实施方式相同的方式构成。但与图1和2所示实施方式的不同之处在于，信号积累电容15具有这样的结构，其中电极15G形成在半导体基底(底部半导体区)11的与开关晶体管13的漏极区13D相邻的区域上，薄膜绝缘层12b夹置其间，该薄膜绝缘层构成绝缘层12的一部分。通过施加在电极15G上的适当电势，在与漏极区13D相邻的电极15G之下的部分形成沟道15c，并且形成电容。
另外，在此实施方式中，以构成象素Px的每个单元区域为基础，在半导体基底11上形成与半导体基底(即，半导体基底为P型的P的第一导电类型相同的高浓度偏置半导体区17，用于对半导体基底11施加如地电势之类的偏置电势。
此外，在形成于绝缘层12上的绝缘层14上，形成与开关晶体管13的栅电极13G相连的扫描线21，形成与开关晶体管13的源极区13S相连的信号线23，以及形成与信号积累电容15和偏置半导体区17相连的偏置电极27。在形成于绝缘层14上的绝缘层16上，形成与开关晶体管13的漏极区13D相连、用于构成象素电极的反射电极19。
以这样的方式构成驱动电路，即如图5所示，当偏置电极27接地、当在信号积累电容15的电极15G上以及偏置半导体区17上施加地电势以及在所有象素共用的透明相对电极31上施加预定电势时，扫描线21被扫描线驱动电路依次选取，并对连接到由此选取的扫描线21的象素的开关晶体管13的栅电极13G施加预定电势，由此导通研究中的象素的开关晶体管13，并且通过信号线23由信号线驱动电路对研究中的象素的开关晶体管13的源极区13S施加信号电压，由此通过研究中的象素的开关晶体管13的漏极区13D在研究中的象素的信号积累电容15的电容量中积累信号电荷。
积累的信号电荷被施加到象素的反射电极19上，由此按照与图1和2所示实施方式相同的方式在反射式液晶显示装置1上显示图像。
在如上构成的图3所示实施方式的反射式液晶显示装置1和半导体器件部分10中，不在半导体基底11上形成与开关晶体管13的漏极区13D分开的用于构成信号积累电容15的半导体区。因此，即使在半导体基底11上形成偏置半导体区17，也可以减小象素Px的面积，并且可以增加能按预定大小形成的象素的数量。
顺便说一下，可以对信号积累电容15的电极15G和偏置半导体区17施加不同于地电势的偏置电势。另外，可以对电极15G和偏置半导体区17分别施加彼此不同的偏置电势。
此外，与图3所示的实施方式相反，半导体基底(底部半导体区)11和偏置半导体区17可以为N型，而开关晶体管13的源极区13S和漏极区13D可以为P型。
另外，取代用半导体基底直接作为底部半导体区并形成开关晶体管的源极区和漏极区以及底部半导体区中的偏置半导体区，可以采用这样的结构，例如在N型半导体基底上形成P型底部半导体区，并在P型底部半导体区上形成用于构成开关晶体管的N型源极区和漏极区以及P型偏置半导体区。
反射式液晶投影仪的实施方式：图6
按照上述实施方式构成的本发明的反射式液晶显示装置例如可以用于反射式液晶投影仪(投影式显示装置)。
图6示出了本发明的反射式液晶投影仪的实施方式，其使用了本发明的反射式液晶显示装置。
在本实施方式的反射式液晶投影仪2中，从包括白色光源的照明单元3中发射出非偏振的白色平行光束，该光束在正交于光束中心的平面上预定的区域中具有均匀的强度分布。
由此发出的光束入射到偏振分束器4上，该分束器将光束分成由偏振分束器4反射的S偏振光和透过偏振分束器4的P偏振光。被偏振分束器4反射的S偏振光入射到红色反射器5上，在那儿S偏振光束中的红光被红色反射器5反射，而绿光和蓝光透过红色反射器5。另外，透过红色反射器5的绿光和蓝光入射到蓝色反射器6上，在那儿蓝光被蓝色反射器6反射，而绿光透过蓝色反射器6。
然后，被红色反射器5反射的红光入射到用于红色的反射式液晶显示装置1R上，透过蓝色反射器6的绿光入射到用于绿色的反射式液晶显示装置1G上，并且被蓝色反射器6反射的蓝光入射到用于蓝色的反射式液晶显示装置1B上。
反射式液晶显示装置1R、1G和1B的每一个都是本发明的反射式液晶显示装置，都按图1、图2或图3所示的实施方式构成，并且其中的图像数据分别通过红、绿和蓝色图像信号(彩色信号)写入。
入射到反射式液晶显示装置1R上的红光、入射到反射式液晶显示装置1G上的绿光以及入射到反射式液晶显示装置1B上的蓝光分别由基于图像信号的反射式液晶显示装置1R、1G和1B调制，然后被反射、并再由红色反射器5和蓝色反射器6彼此合并。对于由此重新合并的经调制的红光、绿光和蓝光，P偏振光分量透过偏振分束器4作为像光束，该光束被投影透镜7放大地投影到屏幕8上。
在本实施方式的反射式液晶投影仪2中，如上所述，可以减小反射式液晶显示装置1R、1G和1B中的每个象素的面积，并且可以增加能按预定大小形成的象素的数量。因此，在以预定大小制作反射式液晶显示装置1R、1G和1B时，可以增加反射式液晶显示装置1R、1G和1B中的象素数量，并且可以在屏幕8上投影高分辨率的图像。另一方面，当每个反射式液晶显示装置1R、1G和1B包括预定数量的象素时，可以减小反射式液晶显示装置1R、1G和1B的大小，因此可以减小反射式液晶投影仪2的尺寸。
顺便说一下，本发明的反射式液晶投影仪不限于图中所示的这种结构。对于反射式液晶投影仪，包括照明光学***、分解光学***、本发明的反射式液晶显示装置、合成光学***和投影光学***则足矣，其中照明光学***用于以光束的形式从白色光源发射光束，光束在正交于光束中心的平面上的预定区域中具有均匀的强度分布；分解光学***用于把上述发射的光束分解成多种颜色的光，如红色光束、蓝色光束和绿色光束，由此分开的彩色光束分别入射到本发明的反射式液晶显示装置上；合成光学***把从彩色反射式液晶显示装置发射的彩色像光束合并；投影光学***把合并的像光束投影到显示屏上。此外，反射式液晶投影仪可以通过采用单片反射式液晶显示装置构成而代替分解光学***和合成光学***。另外，还可以构成背投型投影仪以取代图6所示实施方式中的前投型投影仪。
如上所述，本发明在不减弱噪声电阻的同时能使每个象素的面积减小。

Claims (6)

1.一种半导体器件，包括在第一导电型底部半导体区上以构成象素的每个单元区为基础的一开关晶体管和一信号积累电容，其中，
所述开关晶体管具有这样的结构，即包括与一信号线相连的一漏极区和一源极区，所述两个区均为第二导电型，并都形成在所述底部半导体区上；还包括一形成在所述源极区和所述漏极区之间的区域上并连结到一扫描线的栅电极，并且所述栅电极和所述源极区和所述漏极区之间的区域之间夹置一绝缘层；
所述信号积累电容包括形成在所述底部半导体区上的两个所述第一导电型且与一偏置电极相连的半导体区；一形成在所述两个半导体区之间的区域上的电极，并且所述电极和所述两个半导体区之间的区域之间夹置一绝缘层；和
一与所述开关晶体管的所述漏极区和所述信号积累电容的所述电极相连、用于构成一象素电极的反射电极。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，
在所述底部半导体区上形成所述第一导电型的一偏置半导体区，它与构成所述信号积累电容的所述半导体区分开。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，
构成所述信号积累电容的所述半导体区被用作所述底部半导体区的一偏置半导体区。
4.一种半导体器件，包括在第一导电型底部半导体区上以构成象素的每个单元区为基础的一开关晶体管和一信号积累电容，其中，
所述开关晶体管包括与一信号线相连的一漏极区和一源极区，所述两个区均为第二导电型，并形成在所述底部半导体区上；还包括形成在所述源极区和所述漏极区之间的区域上并连结到一扫描线的绝缘层的一栅电极，并且在所述栅电极和所述源极区和所述漏极区之间的区域之间夹置一绝缘层；
所述信号积累电容包括一形成在所述底部半导体区的与所述开关晶体管的所述漏极区相邻的区域上的电极，并且所述电极和所述底部半导体区的区域之间夹置一绝缘层；以及
在所述底部半导体区上以经过一偏置电极被连结到所述信号积累电容的所述电极的状态形成所述第一导电型的一偏置半导体区；和一与所述开关晶体管的所述漏极区相连地形成、用于构成一象素电极的反射电极。
5.一种反射式液晶显示装置，包括一形成在两个表面之间的液晶层，其中，所述一表面上设置有如权利要求1至4的任一项所述的一半导体器件的所述反射电极，所述另一表面上设置有一透明相对基底的所有象素共用的一透明相对电极，所述透明相对基底与所述半导体器件相对设置。
6.一种反射式液晶投影仪，包括如权利要求5所述的一反射式液晶显示装置，其中，从光源发出的光根据图像信号由所述反射式液晶显示装置调制，并且经调制后输出的光由一投影透镜投影。
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