CN100349242C - 合金型温度熔断器及温度熔断器元件用材料 - Google Patents
合金型温度熔断器及温度熔断器元件用材料 Download PDFInfo
- Publication number
- CN100349242C CN100349242C CNB031554202A CN03155420A CN100349242C CN 100349242 C CN100349242 C CN 100349242C CN B031554202 A CNB031554202 A CN B031554202A CN 03155420 A CN03155420 A CN 03155420A CN 100349242 C CN100349242 C CN 100349242C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- fuse
- fuse element
- type thermal
- alloy type
- conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 195
- 239000000956 alloy Substances 0.000 title claims abstract description 195
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 41
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 64
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 135
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 71
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 32
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 32
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 24
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N furosemide Chemical compound C1=C(Cl)C(S(=O)(=O)N)=CC(C(O)=O)=C1NCC1=CC=CO1 ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 13
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 11
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 10
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 8
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 5
- 229910018978 Sn—In—Bi Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 45
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 32
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 18
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 9
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 8
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 8
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 6
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 6
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910002058 ternary alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000002309 gasification Methods 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 2
- VDQLTWSIHIWIFQ-UHFFFAOYSA-N 5-chloro-2-(3,4-dimethoxyphenyl)-2-propan-2-ylpentanenitrile Chemical group COC1=CC=C(C(CCCCl)(C#N)C(C)C)C=C1OC VDQLTWSIHIWIFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000967 As alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000714 At alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100004286 Caenorhabditis elegans best-5 gene Proteins 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000016936 Dendrocalamus strictus Nutrition 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000000110 cooling liquid Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 1
- 238000001938 differential scanning calorimetry curve Methods 0.000 description 1
- 229910052571 earthenware Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 229910001325 element alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000000383 hazardous chemical Substances 0.000 description 1
- -1 hydrochloride Chemical class 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000010309 melting process Methods 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H37/00—Thermally-actuated switches
- H01H37/74—Switches in which only the opening movement or only the closing movement of a contact is effected by heating or cooling
- H01H37/76—Contact member actuated by melting of fusible material, actuated due to burning of combustible material or due to explosion of explosive material
- H01H37/761—Contact member actuated by melting of fusible material, actuated due to burning of combustible material or due to explosion of explosive material with a fusible element forming part of the switched circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H37/00—Thermally-actuated switches
- H01H37/74—Switches in which only the opening movement or only the closing movement of a contact is effected by heating or cooling
- H01H37/76—Contact member actuated by melting of fusible material, actuated due to burning of combustible material or due to explosion of explosive material
- H01H2037/768—Contact member actuated by melting of fusible material, actuated due to burning of combustible material or due to explosion of explosive material characterised by the composition of the fusible material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Fuses (AREA)
Abstract
提供使用Sn-In-Bi系三元合金、过载特性及耐压特性优良、可以充分保证动作后的绝缘稳定性、而且可以容易地实现熔断器元件的细线化的合金型温度熔断器。为此，使用Sn超过25%且在60%以下，Bi超过12%且在33%以下，In在20%以上且不足50%的合金组成的熔断器元件。
Description
技术领域
本发明涉及Bi-In-Sn系的温度熔断器元件用材料及合金型温度熔断器。
背景技术
作为电气仪器或电路元件例如半导体装置、电容器、电阻元件等的热保护装置，通用的是合金型温度熔断器。
该合金型温度熔断器，其构成是，把规定熔点的合金做成熔断器元件，把该熔断器元件接合在一对引线导体之间，在该熔断器元件上涂布助熔剂，用绝缘体密封该助熔剂涂布熔断器元件。
该合金型温度熔断器的动作机构如下。
在需要保护的电气仪器和电路元件上热接触地配置合金型温度熔断器。当电气仪器和电路元件因任何异常而发热时，由于该发热使温度熔断器的熔断器元件合金被熔融，在与已熔融的活性化的助熔剂的共存下，熔融合金由于向引线导体或电极浸润而分断球状化，由于该分断球状化的进行，通电被切断，由于该通电切断，因仪器降温，分断熔融合金被凝固，终结为不可恢复的断开。
在以前，在上述熔断器元件上常规方法是使用固相线和液相线之间的固液共存区域狭窄的合金组成，理想的是用共晶组成，意图在大致液相线温度(在共晶组成中，固相线和液相线温度是同温度)下熔断熔断器元件，即，在存在固液共存区域的合金组成的熔断器元件中，有在固液共存区域内的不确定的温度下熔断的可能性，由于当固液共存区域宽时，在其固液共存区域内熔断器元件熔断的温度的不确定幅度变宽，动作温度的上下浮动变大，所以，为了减小该上下浮动，常规方法是使用固相线和液相线之间的固液共存区域狭窄的合金组成，理想的情况使用共晶组成。
近年来，由于环保意识的高涨，禁止使用对生物体有害的物质的动向活跃化了，作为合金型温度熔断器要求的主要条件，强烈要求该温度熔断器元件中不含有害物质。
作为这样的温度熔断器元件的合金组成，有Bi-In-Sn系列。以前，合金组成为Sn47～49％、In51～53％、Bi剩余部分的(日本特开昭56-114237号公报)、Sn42～44％、In51～53％、Bi4～6％的(日本特开昭59-8229号公报)、Sn44～48％、In48～52％、Bi2～6％的(日本特开平3-236130号公报)、Sn0.3～1.5％、In51～54％、Bi剩余部分的(日本特开平6-325670号公报)、Sn33～43％、In0.5～10％、Bi剩余部分的(日本特开2001-266723号公报)、Sn40～46％、Bi7～12％、In剩余部分的(日本特开2001-266724号公报)、Sn2.5～10％、Bi25～35％、In剩余部分的(日本特开2001-291459号公报)、Sn1～15％、Bi20～33％In剩余部分的(日本特开2001-325867号公报)等已被公知。
可是，当求出Bi-In-Sn系三元合金的液相面状态图时，存在52In-48Sn的二元共晶点和作为三元共晶点的21Sn-48In-31Bi，从上述二元共晶点向着三元共晶点的二元共晶曲线大致通过24～47Sn，50～47In、0～28Bi的框内。
众所周知，当对合金以一定的速度增加热能时，保持固相或者液相状态不变，其热能只耗费在升温上。然而，当开始熔化时，其能量的一部分既耗费在相变化上也耗费在升温上，当液相化结束时，在相态不变的条件下热能只耗费在升温上，该升温/热能的状态通过差示扫描热量分析[是把基准试样(不变化)和测定试样放在N2气容器内，对容器热源供给电力并以一定速度使两试样升温，通过差示热电偶检测伴随测定试样的状态变化的热能输入的变化的分析称为DSC]可以求出。
DSC测定结果因合金组成而异。本发明者测定各种组成的Bi-In-Sn系合金的DSC，精心研究，结果因组成而异呈现出图11的(A)～(D)所示类型的熔融特性，已知图11的(A)所示类型存在于偏离上述二元共晶曲线的特定的区域内，当把该熔融类型的Bi-In-Sn合金用于熔断器元件时，意外地发现熔断熔断器元件在最大吸热峰值点的附近可以集中地发生熔断动作。
下面说明图11(A)的类型，在固相线温度a处液相化开始(熔融开始)，与液相化进行的同时热能吸收量增加，在峰值点p热能吸收量成为最大，通过该点后热能吸收量逐渐减小，在液相点b变为零，液相化结束，以后在液相状态下升温。
熔断器元件的分断动作发生在最大吸热峰值点p的附近的理由可以推断为，在呈现这样的熔融特性的Bi-In-Sn系组成中，由于大量含有表面张力低的In和Sn，所以在完全液相状态以前的最大吸热峰值点p附近的固液共存区域内已经呈现了优良的浸润性，不用等到超过其固液共存区域状态就产生了球状化分断的结果。
图11的(B)的熔融类型是上述二元共晶曲线附近组成的类型，固相线温度a和液相线温度b几乎一致，由上述的常规方法就可以得到熔断器元件的分断动作。
在图11的(C)的熔融类型中，热能的吸收是缓慢的，没有浸润性的急变点，熔断器元件的分断动作点不固定在集中范围内，在图11的(D)的类型中，吸热峰值点是多个，无论在哪个吸热峰值点上都有产生熔断器元件的分断动作的概率，在图11的(C)、(D)上熔断器元件的分断动作都不能集中在狭小的范围内。
如上所述，本发明者确认了，用Bi-In-Sn系的偏离二元共晶曲线的组成，在图11的(A)所示的熔融类型中，在固液共存区域内的最大吸热峰值点附近确定地得到了熔断器元件的分断动作。
除此而外还确认了，用图11的(A)所示的熔融类型的Bi-In-Sn系合金组成，得到了优良的过载特性及耐压特性。
所谓过载特性，是指温度熔断器在加上了规定的电流·电压的状态下，在因周围温度上升而动作时，熔断器不达到发生损伤、产生电弧和火焰等的危险状态的外形的稳定性，所谓耐压特性，是指动作了的温度熔断器即使在规定的高压下也不发生绝缘破坏并能维持绝缘性的绝缘稳定性。
作为该过载特性及耐压特性的评价方法，在作为代表性的标准的IEC(国际电工委员会International Electrotechnical Comission)标准60691中规定：在加上额定电压×1.1、额定电流×1.5同时以2±1K/min的速度升温使其动作时，不达到产生电弧、火焰等的危险的状态，在动作后的熔断器主体上卷装的金属箔和导线之间加上额定电压×2+1000V，在两引线导体之间加上额定电压×2，分别加1分钟，不放电也不破坏绝缘，在使用图11的(A)所示的熔融类型的Bi-In-Sn系合金组成的熔断器元件的温度熔断器中，以优良的成绩合格于该标准。
发明内容
基于上述的认识，本发明的目的在于，提供新颖且有用的Bi-In-Sn系合金的温度熔断器元件用材料。
还在于提供在过载特性及耐压特性上优良的合金型温度熔断器。
还在于通过熔断器元件的比电阻的降低和细线化谋求合金型温度熔断器的小型和薄型化。
第1发明的温度熔断器元件用材料，其特征在于，具有Sn超过25％且在60％以下，Bi超过12％且在33％以下，In在20％以上且不足50％的合金组成。
第2发明的温度熔断器元件用材料，其特征在于，具有Sn超过25％且在60％以下，Bi超过12％且在33％以下，In在20％且不足45％的合金组成。
第3发明的温度熔断器元件用材料，其特征在于，在第1发明和第2发明的合金组成100重量份中，添加Ag、Au、Cu、Ni、Pd、Pt、Sb、Ga、Ge的1种或者2种以上0.1～3.5重量份。
在上述温度熔断器元件用材料中，允许含有各原料毛坯的制造上及这些原料的熔融搅拌上产生的对特性不带来实际影响的量的不可避免的杂质，再有，在上述合金型温度熔断器中，引线导体或者膜电极的金属材料和金属膜材料由于固相扩散，微量地不可避免地转移到熔断器元件中，在对特性不带来实际影响的情况下，作为不可避免的杂质是被允许的。
第4发明的合金型温度熔断器，其特征在于，是从第1发明到第3发明的任一项所述的温度熔断器元件用材料做成的熔断器元件。
第5发明的合金型温度熔断器，其特征在于，在第4发明的合金型温度熔断器中含有熔断器元件不可避免的杂质。
第6发明的合金型温度熔断器是第4或者第5发明的合金型温度熔断器，其特征在于，在引线导体之间连接熔断器元件，在引线导体的至少熔断器元件接合部上被覆Sn或者Ag膜。
第7发明的合金型温度熔断器是第4发明～第6发明的任一项所述的合金型温度熔断器，其特征在于，在熔断器元件的两端上接合引线导体，在熔断器元件上涂布助熔剂，在该助熔剂涂布熔断器元件上插通筒状壳体，筒状壳体的各端和各引线导体之间被密封，而且，引线导体端做成盘状，在盘前面接合熔断器元件端。
第8发明的合金型温度熔断器是第4发明或者第5发明的任一项所述的合金型温度熔断器，其特征在于，通过含有金属粒体及粘接剂的导电糊的印刷烧结，在基板上设置一对膜电极，在这些膜电极之间连接熔断器元件，而且，金属粒体是Ag、Ag-Pd、Ag-Pt、Au、Ni、Cu的任一种。
第9发明的合金型温度熔断器是第4发明～第8发明的任一项所述的合金型温度熔断器，其特征在于，附设用于熔断熔断器元件的发热体。
第10发明的合金型温度熔断器是第4发明～第6发明的任一项所述的合金型温度熔断器，其特征在于，一对引线导体的一部分从绝缘板的一面露出到另一面，在这些引线导体的露出部分上连接熔断器元件，在上述绝缘板的另一面上被覆绝缘体。
第11发明的合金型温度熔断器，是第4～第6发明的任一项所述的合金型温度熔断器，其特征在于，连接在一对引线导体之间的熔断器元件用绝缘薄膜夹住。
附图说明
图1是表示本发明的合金型温度熔断器的一个例子的图。
图2是表示本发明的合金型温度熔断器的与上例不同的例子的图。
图3是表示本发明的合金型温度熔断器的与上例不同的例子的图。
图4是表示本发明的合金型温度熔断器的与上例不同的例子的图。
图5是表示本发明的合金型温度熔断器的与上例不同的例子的图。
图6是表示本发明的合金型温度熔断器的与上例不同的例子的图。
图7是表示本发明的合金型温度熔断器的与上例不同的例子的图。
图8是表示筒形壳体型的合金型温度熔断器及其动作状态的图。
图9是表示本发明的合金型温度熔断器的与上例不同的例子的图。
图10是表示实施例1的熔断器元件的DSC曲线的图。
图11是表示Sn-In-Bi系三元合金的各种熔融类型的图。
具体实施方式
在本发明中，熔断器元件做成圆形线或者扁平线，其外径或者厚度为100μm～800μm，最好为300μm～600μm。
在第1发明中把熔断器元件的合金组成限定为25％＜Sn重量≤60％、12％＜Bi重量≤33％、20％≤In重量＜50％的理由在于，排除与上述公知的合金组成的重叠，并且在Bi-In-Sn系三元合金的液相面状态图中，得到了在从52In-48Sn的二元共晶点向着三元共晶点21Sn-48In-31Bi的二元共晶曲线的附近呈现的图11(B)所示类型的合金熔融特性及离开该二元共晶曲线但在热吸收峰附近可以可靠地进行熔断器元件的分析动作的图11(A)所示类型的合金熔融特性。
在此，为了排除与原有的温度熔断器元件的公知的Bi-In-Sn系组成的重叠，将Sn25％以下、In超过50％、Bi12％以下除外。Sn超过60％、In不足20％、Bi超过33％的范围，由于或是与本申请人的别的申请重叠、或是虽然固液共存区域宽但DSC测定结果成为图11的(C)和(D)类型且促进动作温度上下浮动、或是电阻率过高、或者难以使后述的保留温度(动作温度-20℃)在固相线温度以下，故排除。
在第2发明中，把熔断器元件的合金组成限定在25％＜Sn重量≤60％、12％＜Bi重量≤33％、20％≤In重量≤45％的理由，同样是为了得到离开该二元共晶曲线但在最大吸热峰附近可以集中地进行熔断器元件的分断动作的图11(A)所示的熔融特性，最好的范围是：30％≤Sn重量≤50％、20％≤Bi重量≤30％、30％≤In重量≤40％。基准组成是：Sn40％、Bi25％、In35％，其液相线温度是124℃，固相线温度是约59℃，用5℃/min的升温速度进行DSC测定的结果，最大吸热峰值是单一的，其温度约为63℃。
发明1～2所述的合金组成的熔断器元件备有下述的性能。
(1)在熔融过程的吸热行为中，最大吸热峰值是单一的，该点的吸热量差与吸热过程的其他的部分的吸热量差相比非常大，该最大吸热峰值的固液共存区域的浸润性不用等到完全液相化就变得充分得好，在最大吸热峰值点附近可以进行温度熔断器元件的球状化分断。
(2)从而，温度熔断器的动作温度的误差被收缩在允许范围±5℃以内。
(3)由于当在熔断器元件上因通电电流而产生自己发热时与无负荷时相比温度熔断器在更低的环境温度下动作，所以有义务设定即使连续流过168小时额定电流也不会动作的最高保持温度，该最高保持温度称为保留温度，通常设为(动作温度-20℃)。要求熔断器元件的固相线温度是该保留温度以上的温度，符合该要求。
(4)由于In、Sn比较多，所以在细线的线牵引加工中被付与了必要的充分的延展性，200～300μmφ的细线的线牵引也变得可能了。
(5)可以保证优良的过载特性及耐压特性。如上所述，在基于常规方法的温度熔断器中，由于熔断器元件固液共存区域狭小，在通电升温中瞬间地从固体变到液体，进行动作时容易产生电弧，当电弧发生时，引起局部的急剧升温，在其影响下伴随着助熔剂气化产生内压上升或助熔剂炭化，再有，如果表面张力增高，影响就更大，熔融合金和炭化助熔剂的因通电动作产生的飞散变得很激烈，其结果容易引起由起因于炭化助熔剂间的再导通的电弧产生引起的物理的破坏，另外，由于飞散的合金和炭化助熔剂使绝缘距离不再保持，所以当动作后加上电压时，容易产生因再导通导致的绝缘破坏。在第2发明的合金组成的熔断器元件中，离开上述二元共晶曲线相当远的固液共存区域相当宽，由于在通电升温中在宽的固液共存状态下被分断，所以动作后的电弧的产生被很好地抑制，即使在通常定额上添加的过载试验也不会产生上述的物理破坏，可以把动作后的绝缘电阻维持充分的高，可以保证优良的耐压特性。
在发明1中的合金组成内，25％＜Sn重量≤43％、12％＜Bi重量≤30％、45％≤In重量＜50％的范围，是包含二元共晶曲线的附近的范围，固相线温度和液相线温度之差狭窄，被用于基于上述常规方法的合金型温度熔断器的熔断器元件中，具有充足的上述(2)、(3)、(4)项的性能。
在本发明中，把Ag、Au、Cu、Ni、Pb、Pt、Ga、Ge、Sb的1种或者2种以上相对于上述的合金组成100重量份添加0.1～3.5的重量份的理由，是为了在降低合金的比电阻的同时提高机械的强度，在不足0.1重量份时不能得到满意的效果，超过了3.5重量份时，难以保持上述的熔融特性。
而且，对于线牵引，可以付与更进一步的强度及延展性并可以容易地进行100μmφ～300μmφ的细线的线牵引加工。再有，熔断器元件中含有比较多量的In，故凝聚力相当强。熔断器元件向导线电体上的焊接接合即使不完全，由于其凝聚力会呈现外表上接合的外观，通过上述元素的添加可以降低凝聚力，可以排除这样的不足之处，在焊接后的检查中，可以提高是否合格的判别精度。
另外，已经知道引线导体的金属材料、薄膜材料或者膜电极中的粒体金属材料等被接合材料由于固相扩散会转移到熔断器元件中，但是通过预先在熔断器元件中添加与被接合材料相同的元素，例如上述的Ag、Au、Cu、Ni等，可以抑制该转移，可以排除本来对特性带来影响的对被接合材料的影响(例如Ag、Au等伴随熔点下降会带来动作温度的局部的降低和上下浮动，Cu、Ni等由于在接合界面上形成的金属间化合物层的增大造成动作温度的上下浮动和动作不良)，可以不损害熔断器元件的功能，可以保证正常的温度熔断器的动作。
本发明的合金型温度熔断器的熔断器元件，通常可以先做成坯料(ビレツト)，再用挤压机将其挤压成粗线，再用拉模牵引该粗线来制造。外径做成100μmφ～800mMφ，最好做成300μmφ～600μmφ，另外，也可以最终通过轮压机滚轮做成扁平线使用。
另外，也可以由回转滚筒式纺丝法进行制造，使放入了冷却液的油缸回转并由回转离心力使冷却液保持层状，使从喷嘴喷射出的母材料熔融射线入射到上述冷却液层中，使其冷却凝固并得到细线材料。
在这些制造过程中，允许含有在各原料毛坯的制造上及这些原料的熔融搅拌上产生的不可避免的杂质。
本发明在作为独立的热保护装置的温度熔断器的形态下被实施，此外，也可以在下述的形态下实施，把温度熔断器元件串连地连接到半导体装置、电容器和电阻上，在该元件上涂布助熔剂，接近半导体、电容器和电阻地配置该助熔剂涂布元件并与半导体、电容器或电阻等一起由树脂模塑体或壳体等进行密封。
图1表示本发明的筒形壳体型的合金型温度熔断器，在一对导线1、1之间连接用第1～3项发明的任一项所述的温度熔断器元件用材料形成的熔断器元件2，例如，由焊接进行连接，在该熔断器元件2上涂布助熔剂3，在该助熔剂涂布熔断器元件上插通耐热性和良好热传导性的绝缘筒4，例如，陶瓷管，用密封剂5，例如常温固化型环氧树脂等密封该绝缘管4的各端与各导线1之间。
图2表示箱式径向型的合金型温度熔断器，在并行的引线导体1、1的顶端部之间连接用第1～3项发明的任一项所述的温度熔断器元件用材料形成的熔断器元件2，例如由焊接进行连接，在熔断器元件2上涂布助熔剂3，用一端的开口绝缘箱4，例如陶瓷箱包围，用密封剂5，例如常温固化型环氧树脂密封该绝缘箱4的开口。
图3表示薄型的合金型温度熔断器，在厚度100～300μm的塑料底片41上固定厚度100～200μm的带状的引线导体1、1，例如由粘接剂或者熔融固定，在带状的引线导体之间连接线径250μm～500μm的用第1～3项发明的任一项所述的温度熔断器元件用材料形成的熔断器元件2，例如由焊接进行连接，在该熔断器元件2上涂布助熔剂3，该助熔剂涂布熔断器元件用例如粘接剂或者超声波熔融固定厚度100～300μm的塑料顶片42进行密封。
图4表示另一种薄型的合金型温度熔断器，在厚度100～300μm的塑料底片41的一面上固定厚度100～200μm的带状引线导体1、1，例如由粘接剂或者熔融固定，同时把各带状引线导体的一部分1′从底片41的另一面侧露出，在这些导体露出部之间连接线径250μm～500μm的用第1～3项发明的任一项所述的温度熔断器元件用材料形成的熔断器元件2，例如由焊接进行连接，在该熔断器元件2上涂布助熔剂3，该助熔剂涂布熔断器元件用例如粘接剂或者超声波熔融固定厚度100～300μm的塑料底片42进行密封。
图5表示树脂浸渍式径向型的熔断器元件，在并行的引线导体1、1的前端部之间，例如焊接接合用第1～3项发明的任一项所述的温度熔断器元件用材料形成的熔断器元件2，在熔断器元件2上涂布助熔剂3，将此涂布助熔剂的熔断器元件通过浸渍树脂液，用绝缘密封剂例如环氧树脂5进行密封。
图6表示基板型的合金型温度熔断器，在绝缘基板4例如陶瓷基板上由导电糊的印刷烧结形成一对膜电极1、1，在各电极1上通过例如焊接或钎焊等连接引线导体11，在电极1、1之间通过例如焊接等接合用第1～3项发明的任一项所述的熔断器元件用材料形成的熔断器元件2，在熔断器元件2上涂布助熔剂3，用密封剂5例如环氧树脂被覆此助熔剂涂布熔断器元件。在该导电糊中包含有金属粒体和粘接剂，在金属粒体中使用例如Ag、Ag-Pd、Ag-Pt、Au、Ni、Cu等，在粘接剂中，可以使用例如玻璃料、热固性树脂等。
在上述合金型温度熔断器中，当可以忽略熔断器元件的焦耳发热时，被保护仪器达到允许温度Tm时的熔断器元件的温度Tx比Tm低2℃～3℃，通常熔断器元件的熔点被设定在[Tm-(2℃～3℃)]上。
本发明可以在合金型温度熔断器上附设并实施用于熔断熔断器元件的发热体。例如，如图7所示，在绝缘基板4例如陶瓷基板上由导电糊的印刷烧结形成具有熔断器元件用电极1、1和电阻用电极10、10的导体图形100，通过电阻糊(例如氧化钌等的氧化金属粉的糊)的涂布和烧结，把膜电阻6设置在电阻用电极10、10之间，在熔断器元件用电极1、1之间接合用第1～2项发明的任一项所述的温度熔断器元件用材料形成的熔断器元件2，例如由焊接进行接合，在熔断器元件2上涂布助熔剂3，可以用密封剂5例如环氧树脂被覆该助熔剂涂布熔断器元件2和膜电阻6。
用带发热体的温度熔断器，可以检测出成为机器的异常发热的原因的前兆，用该检测信号使膜电阻通电并发热，用该发热可以使熔断器元件熔断。
可以把上述发热体设置在绝缘基体的上面，在其上形成耐热性和热传导性的绝缘膜，例如玻璃烧结膜，再设置一对电极，在各电极上连接扁平引线导体，在两电极之间连接熔断器元件，从熔断器元件开始遍及上述引线导体的前端部被覆助熔剂，在上述绝缘基板上配置绝缘罩，用粘接剂把该绝缘罩周围密封在绝缘基体上。
在上述合金型温度熔断器中，在把熔断器元件直接接合在引线导体的型式中(图1～图5)，在引线导体的至少熔断器元件接合部分上覆盖(例如由电镀覆盖)Sn或Ag的薄膜(厚度例如15μm以下，最好5～10μm)，可以增强与熔断器元件的接合强度。
在上述合金型温度熔断器中，引线导体的金属材料、薄膜材料或者膜电极中的粒体金属材料有可能通过固相扩散转移到熔断器元件中，但是按照上述的做法，通过预先在熔断器元件中添加与薄膜材料相同的元素可以充分地维持熔断器元件的特性。
在上述的助熔剂中，通常使用熔点比熔断器元件的熔点低的材料，例如，可以使用松香90～60重量份、硬脂酸10～40重量份、活性剂0～3重量份。这时对于树脂，可以使用天然松香、改性松香(例如，氢化松香、不均化松香、聚合松香)或者它们的精制松香，对于活性剂，可以使用二乙胺等的胺类的盐酸盐、氢溴酸盐和己二酸等有机酸。
在上述的合金型温度熔断器中，在筒形壳体型的情况下，如图8的(A)所示，相对于筒形壳体无偏心地配置引线导体1、1，如图8的(B)所示，这是进行正常的球状化分断的前提条件，如图8的(C)所示，如果有偏心，则如图8的(D)所示，动作后，在筒状壳体的内壁上容易附着助熔剂(包括助熔剂炭化物)或飞散合金等，导致绝缘电阻值的降低和耐压特性的恶化。
因此，为了防止这样的不良情况，如图9的(A)所示，把各引线导体1、1的端部形成盘状d，使熔断器元件2的各端接合在各盘d的前面上(例如由焊接接合)，通过向盘外周的筒形壳体内面的支承，使熔断器元件2实际上相对于筒形壳体4处于同心的位置。这种方法是有效的[在图9(A)中，3是涂布在熔断器元件2上的助熔剂，4是筒状壳体，5是密封剂例如环氧树脂。盘外径与筒状壳体内径大致相等]。这时，如图9的(B)所示，使熔融的熔断器元件球面状地凝聚在盘d的前面并可以防助熔剂(含炭化物)或飞散合金附着在壳体4的内面上。
[实施例]
在下面的实施例及比较例中使用的合金型温度熔断器是交流额定3A×250V的筒形壳体型的，筒状陶瓷壳体，外径是2.5mm，壳体厚度是0.5mm，壳体长度是9mm，引线导体是外径为0.6mmφ的镀Sn软铜线，熔断器元件，外径是0.6mmφ，长度是3.5mm，在助熔剂中使用天然松香80重量份，硬脂酸20重量份，二乙胺氢溴酸盐1重量份的组合物，在密封剂中使用常温固化型的环氧树脂。
熔断器元件的固相线温度及液相线温度在升温速度5℃/min的条件下由DSC测定。
试件数为50个，在通电0.1A的检测电流的同时浸渍在升温速度为1℃/min的油浴内，测定因熔断器元件熔断而通电切断时的油温度T0，把T0-2℃作为温度熔断器元件的动作温度。
过载特性及温度熔断器动作后的绝缘稳定性参照IEC60691中规定的过载试验法及耐压试验法进行试验，以此为基础进行了评价(过载试验前的湿度试验省略了)。
即，在试件上加上1.1×额定电压，1.5×额定电流，同时以(2±1)K/min的速度使周围温度上升，确认有无动作时的破坏和物理损伤。在没有产生破坏和损伤的试件中，引线导体之间在额定电压×2(500V)下能耐受1分钟，同时卷装在动作后的熔断器主体上的金属箔和引线导体之间在额定电压×2+1000V(1500V)下能耐受1分钟的为耐压特性合格，另外，加上直流电压值为额定电压×2(500V)时的引线导体之间的绝缘电阻是0.2MΩ以上，同时卷装在动作后的熔断器主体上的金属箔和引线导体之间的绝缘电阻为2MΩ以上者为绝缘特性合格，耐压特性及绝缘特性均合格的为绝缘稳定性合格。试件数为50个，只有50个全部在绝缘安定性上合格时才能评价为○，只要有一个不合格就评价为×。
[实施例1]
在熔断器元件的组成中使用Sn40％、Bi25％、剩余部分In。熔断器元件通过在1个模的减面率为6.5％、线牵引速度为50m/min的条件下细线加工成300μm来得到，显示了全无断线也不产生颈缩等的良好的加工性。
DSC测定结果是图10所示那样，液相线温度是124℃，固相线温度是59℃，最大吸热峰值温度是63℃。
温度熔断器动作时的熔断器元件温度是62±1℃，从而温度熔断器动作时的熔断器元件温度与最大吸热峰值温度几乎一致是显然的。
虽然进行了上述的过载试验，可是得到了完全没有伴随破坏等的物理损伤的动作的结果。对于该动作后的耐压试验，由于在引线导体之间在额定电压×2(500V)下耐受1分钟以上，同时在卷装在动作后的熔断器主体上的金属箔和引线导体之间在额定电压×2+1000V(1500V)下耐受1分钟以上，所以是合格的，对于绝缘特性，由于加上额定电压×2(500V)的直流电压时的引线导体之间的绝缘电阻是0.2MΩ以上，同时卷装在动作后的熔断器主体上的金属箔和引线导体之间的绝缘电阻值是2MΩ以上，所以都是合格的，故绝缘稳定性的评价是○。
得到这样良好的过载特性及动作后的绝缘稳定性的理由，是由于在上述通电升温中熔断器元件在宽的固液共存状态下被分断，动作后的电弧的产生被很好地抑制并难以产生急剧的升温，由此引起的助熔剂的气化而产生的压力上升或助熔剂的炭化等被抑制，不再引起物理的破坏，可以更好地抑制由熔融合金或炭化助熔剂的通电动作引起的飞散等，可以确保充分的绝缘距离。
[实施例2～5]
相对于实施例1，除了如表1所示那样改变合金组成而外，其余与实施例1相同。
这些实施例的固相线温度、液相线温度如表1所示那样。温度熔断器动作时的熔断器元件温度也如表1所示，上下浮动是在±4℃以内，处于固液共存区域。
过载特性及绝缘稳定性也与实施例1一样是合格的，其理由可以推断为与实施例1同样地在于熔断器元件在宽的固液共存状态下被分断。
无论哪一个实施例，都与实施例1一样，具有良好的线牵引加工性。
[表1]
表1
| 实施例2 | 实施例3 | 实施例4 | 实施例5 | |
| Sn(％) | 30 | 35 | 50 | 55 |
| Bi(％) | 25 | 25 | 25 | 25 |
| In | 剩余 | 剩余 | 剩余 | 剩余 |
| 固相线温度(℃) | 99 | 76 | 49 | 52 |
| 液相线温度(℃) | 128 | 124 | 164 | 181 |
| 线牵引加工性 | 良好 | 良好 | 良好 | 良好 |
| 动作时元件温度(℃) | 108±2 | 80±3 | 63±4 | 65±4 |
| 过载特性 | 无损伤等 | 无损伤等 | 无损伤等 | 无损伤等 |
| 绝缘稳定性 | ○ | ○ | ○ | ○ |
[实施例6～8]
相对于实施例1，除了表2所示那样改变合金组成而外，其余与实施例1相同。
这些实施例的固相线温度、液相线温度如表2所示那样。温度熔断器动作时的熔断器元件温度也如表2所示，上下浮动是在±4℃以内，处于固液共存区域。
过载特性及绝缘稳定性也与实施例1一样是合格的，其理由可以推断为与实施例1同样地在于熔断器元件在宽的固液共存状态下被分断。
无论哪一个实施例，都与实施例1一样，具有良好的线牵引加工性。
[表2]
表2
| 实施例6 | 实施例7 | 实施例8 | |
| Sn(％) | 43 | 50 | 60 |
| Bi(％) | 13 | 13 | 13 |
| In | 剩余 | 剩余 | 剩余 |
| 固相线温度(℃) | 77 | 76 | 93 |
| 液相线温度(℃) | 119 | 142 | 177 |
| 线牵引加工性 | 良好 | 良好 | 良好 |
| 动作元件温度(℃) | 92±2 | 80±3 | 105±4 |
| 过载特性 | 无损伤等 | 无损伤等 | 无损伤等 |
| 绝缘稳定性 | ○ | ○ | ○ |
[实施例9～12]
相对于实施例1，除了表3所示那样改变合金组成而外，其余与实施例1相同。
这些实施例的固相线温度、液相线温度如表3所示那样。温度熔断器动作时的熔断器元件温度也如表3所示，上下浮动是在±3℃以内，处于固液共存区域。
过载特性及绝缘稳定性也与实施例1一样是合格的，其理由可以推断为与实施例1同样地在于熔断器元件在宽的固液共存状态下被分断。
无论哪一个实施例，都与实施例1一样，具有良好的线牵引加工性。
[表3]
表3
| 实施例9 | 实施例10 | 实施例11 | 实施例12 | |
| Sn(％) | 28 | 30 | 40 | 48 |
| Bi(％) | 32 | 32 | 32 | 32 |
| In | 剩余 | 剩余 | 剩余 | 剩余 |
| 固相线温度(℃) | 100 | 99 | 66 | 83 |
| 液相线温度(℃) | 141 | 154 | 148 | 164 |
| 线牵引加工性 | 良好 | 良好 | 良好 | 良好 |
| 动作时元件温度(℃) | 108±2 | 108±2 | 81±3 | 100±3 |
| 过载特性 | 无损伤等 | 无损伤等 | 无损伤等 | 无损伤等 |
| 绝缘稳定性 | ○ | ○ | ○ | ○ |
[实施例13]
在熔断器元件中，除了使用在实施例1的合金组成100重量份上添加1重量份Ag的合金组成而外，其余与实施例1相同。
与实施例1的熔断器元件线材的线牵引条件相比也是苛刻的条件下，在1个模的减面率8％、线牵引速度80m/min的条件下制造了300μmφ的熔断器元件线材，全无断线且颈缩等问题也未发生，显示了优良的加工性。
固相线温度57℃，最大吸热峰值温度及温度熔断器动作时的熔断器元件温度比实施例1只低约2℃，可以确认，与实施例1的动作温度及熔融特性可以保持无大的差别。
与实施例1一样，在上述过载试验中，由于得到了完全没有伴随破坏等的物理损伤的动作的效果，所以是合格的，对于动作后的耐压试验，由于引线导体之间在额定电压×2(500V)下能耐受1分钟以上，同时卷装在动作后的熔断器主体上的金属箔和引线导体之间在额定电压×2+1000V(1500V)下能耐受1分钟以上，所以是合格的，对于绝缘特性，在加上额定电压×2(500V)的直流电压时的引线导体之间的绝缘电阻是0.2MΩ以上，而且卷装在动作后的熔断器主体上的金属箔与引线导体之间的绝缘电阻值是2MΩ以上，所以都是合格的，故绝缘稳定性的评价是○。因此，可以确认，尽管添加Ag，仍可以保持良好的过载特性及绝缘稳定性。
可以确认，在Ag的添加量为0.1～3.5重量份的范围内都可以确定上述效果。
再有，可以确认，在作为被接合体的引线导体的金属材料、薄膜材料或者膜电极中的粒体金属材料是Ag的情况下，像本实施例那样通过预先添加同一元素Ag，可以抑制该金属材料在熔断器元件接合后经过一段时间由于固相扩散向熔断器元件中转移，可以排除伴随熔点降低而使动作温度局部降低或上下浮动等影响。
[实施例14～21]
在熔断器元件中，除了在实施例1的100重量份上分别添加Au、Cu、Ni、Pd、Pt、Ga、Ge、Sb 0.5重量份外，其余与实施例1相同。
可以确认，与实施例13的添加金属Ag一样，通过添加Au、Cu、Ni、Pd、Pt、Ga、Ge、Sb，得到了优良的线牵引加工性，也可以充分地保证实施例1的动作温度和熔融特性，可以保持良好地过载特性及绝缘稳定性，更可以抑制同种金属材料的固相扩散。
再有，可以确认，在Au、Cu、Ni、Pd、Pt、Ga、Ge、Sb的各自的添加量为0.1～3.5重量份的范围内，也可以确定上述效果。
[比较例1]
相对于实施例1，除了把熔断器元件的组成做成Sn20％、Bi25％、剩余部分为In以外，其余与实施例1相同。
加工性良好。由于固液共存区域比较狭窄，所以动作温度的上下浮动也在允许的范围内。
在过载试验中，由于没有产生破坏等的物理损伤，所以是合格的。
但是，在动作后的耐压试验中，由于引线导体之间的绝缘电阻值低至0.1MΩ以下，在加上2×额定电压(500V)的电压时再导通的情况较多，所以绝缘稳定性是×。
其理由被推断为，虽然熔断器元件的分断在固液共存区域中进行，由于其范围比较狭窄，在通电升温中由于从固体迅速变为液体，所以在动作后产生电孤，由于局部区域急剧升温，而使助熔剂炭化，由于动作时飞散的合金和炭化的助熔剂导致绝缘距离不被保持，所以绝缘电阻值降低，加电压时再导通直至绝缘破坏。
[比较例2]
相对于实施例1，除了把熔断器元件的组成做成Sn65％、Bi25％、剩余部分In而外，其余与实施例相同。
加工性良好，但动作温度是140±10℃，上下浮动与允许范围的±5℃相比过大。
其理由是由于，虽然固液共存区域宽，因其共存区域的熔融速度缓慢，熔断器元件的分断温度不能集中，其DSC测定结果属于图11的(C)的类型。
另外，固相线温度是52℃，固相线温度比(动作温度-20℃)还低，上述保留温度的主要条件不能满足。
[比较例3]
相对于实施例1，除了把熔断器元件的组成做成Sn40％、Bi35％、剩余部分In而外，其余与实施例1相同。
加工性良好，动作温度是81±2℃，上下浮动小，没有问题，
但是固相线温度是51℃，固相线温度比(动作温度-20℃)要低，不能满足上述保留温度的主要条件。
[比较例4]
相对于实施例1，除了把熔断器元件的组成做成Sn33％、Bi15％、剩余部分In而外，其余与实施例1相同。
加工性是良好的，由于固液共存区域比较狭窄，动作温度的上下浮动处于可以允许的范围内。
在过载试验中由于进行动作不会破坏等物理损伤，所以是合格的。
但是，在动作后的耐压试验中，由于引线导体间的绝缘电阻值低至0.1MΩ以下，在加上2×额定电压(500V)时，再导通的情况较多，所以绝缘稳定性是×。
其理由被推断为，虽然熔断器元件的分断在固液共存区域进行，但是由于其范围比较狭窄，在通电升温中从固体到液体变化迅速，所以动作后产生电弧，由于局部急剧升温，所以助熔剂炭化，由于动作时飞散的金属和炭化助熔剂导致绝缘距离不被保持，所以绝缘电阻值低，加电压时再导通直至绝缘破坏。
[比较例5]
相对于实施例1，除了把熔断器元件的组成做成Sn55％、Bi30％、剩余部分In而外，其余与实施例1相同。
加工性良好，其DSC测定结果属于图11的(D)的类型，动作温度遍及约75℃～150℃，误差大。另外固相线温度是52℃，固相线温度比(动作温度-20℃)低，不能满足上述保留温度的主要条件。
根据本发明的熔断器元件用材料，使用不含对生物体系有害的金属的Sn-In-Bi系三元合金，可以提供新颖且有用的温度熔断器元件及使用该熔断器元件的温度熔断器。
特别根据第2发明的熔断器元件用材料和温度熔断器，可以提供过载特性及动作后的耐压特性和绝缘特性优良的合金型温度熔断器。
再有，根据第3发明的熔断器元件用材料和合金型温度熔断器，由于熔断器元件用材料的优良的线牵引加工性，熔断器元件的细线化是容易的，有利于温度熔断器的小型化和薄型化，另外，即使在接合本来会带来影响的被接合材料和熔断器元件并构成合金型温度熔断器的情况下，也可以不损害熔断器元件的机能，保证正常的动作。
特别是根据第4发明～第11发明的合金型温度熔断器，对筒形壳体型温度熔断器、基板型温度熔断器、带形的薄型温度熔断器、带发热体的温度熔断器、在引线导体上镀了Ag等的温度熔断器乃至带发热体的温度熔断器可以保证上述的效果并可以提高这些温度熔断器乃至带发热体的温度熔断器的有用性。
Claims (100)
1.一种温度熔断器元件用材料，其特征在于，具有Sn超过25重量％且在60重量％以下，Bi超过12重量％且在33重量％以下，In在20重量％以上且不足50重量％的合金组成。
2.一种温度熔断器元件用材料，其特征在于，具有Sn超过25重量％且在60重量％以下，Bi超过12重量％且在33重量％以下，In在20重量％以上且不足45重量％的合金组成。
3.一种温度熔断器元件用材料，其特征在于，在权利要求1所述的合金组成100重量份中添加Ag、Au、Cu、Ni、Pd、Pt、Sb、Ga、Ge的1种或者2种以上0.1～3.5重量份。
4.一种温度熔断器元件用材料，其特征在于，在权利要求2所述的合金组成100重量份中添加Ag、Au、Cu、Ni、Pd、Pt、Sb、Ga、Ge的1种或者2种以上0.1～3.5重量份。
5.一种合金型温度熔断器，其特征在于，把具有Sn超过25重量％且在60重量％以下、Bi超过12重量％且在33重量％以下、In在20重量％以上且不足50重量％的合金组成的温度熔断器元件用材料做成熔断器元件。
6.一种合金型温度熔断器，其特征在于，把具有Sn超过25重量％且在60重量％以下、Bi超过12重量％且在33重量％以下、In在20重量％以上且不足45重量％的合金组成的温度熔断器元件用材料做成熔断器元件。
7.一种合金型温度熔断器，其特征在于，把在权利要求5所述的合金组成100重量份中添加Ag、Au、Cu、Ni、Pd、Pt、Sb、Ga、Ge的1种或2种以上0.1～3.5重量份的温度熔断器元件用材料做成熔断器元件。
8.一种合金型温度熔断器，其特征在于，把在权利要求6所述的合金组成100重量份中添加Ag、Au、Cu、Ni、Pd、Pt、Sb、Ga、Ge的1种或2种以上0.1～3.5重量份的温度熔断器元件用材料做成熔断器元件。
9.如权利要求5所述的合金型温度熔断器，其特征在于，在熔断器元件中含有不可避免的杂质。
10.如权利要求6所述的合金型温度熔断器，其特征在于，在熔断器元件中含有不可避免的杂质。
11.如权利要求7所述的合金型温度熔断器，其特征在于，在熔断器元件中含有不可避免的杂质。
12.如权利要求8所述的合金型温度熔断器，其特征在于，在熔断器元件中含有不可避免的杂质。
13.如权利要求5所述的合金型温度熔断器，其特征在于，在引线导体之间连接熔断器元件，在引线导体的至少熔断器元件接合部上被覆Sn或者Ag膜。
14.如权利要求6所述的合金型温度熔断器，其特征在于，在引线导体之间连接熔断器元件，在引线导体的至少熔断器元件接合部上被覆Sn或者Ag膜。
15.如权利要求7所述的合金型温度熔断器，其特征在于，在引线导体之间连接熔断器元件，在引线导体的至少熔断器元件接合部上被覆Sn或者Ag膜。
16.如权利要求8所述的合金型温度熔断器，其特征在于，在引线导体之间连接熔断器元件，在引线导体的至少熔断器元件接合部上被覆Sn或者Ag膜。
17.如权利要求9所述的合金型温度熔断器，其特征在于，在引线导体之间连接熔断器元件，在引线导体的至少熔断器元件接合部上被覆Sn或者Ag膜。
18.如权利要求10所述的合金型温度熔断器，其特征在于，在引线导体之间连接熔断器元件，在引线导体的至少熔断器元件接合部上被覆Sn或者Ag膜。
19.如权利要求11所述的合金型温度熔断器，其特征在于，在引线导体之间连接熔断器元件，在引线导体的至少熔断器元件接合部上被覆Sn或者Ag膜。
20.如权利要求12所述的合金型温度熔断器，其特征在于，在引线导体之间连接熔断器元件，在引线导体的至少熔断器元件接合部上被覆Sn或者Ag膜。
21.如权利要求5所述的合金型温度熔断器，其特征在于，在熔断器元件的两端上接合引线导体，在熔断器元件上涂布助熔剂，在该助熔剂涂布熔断器元件上插通筒状壳体，筒状壳体的各端和各引线导体之间被密封，而且，引线导体端做成盘状，在盘前面接合熔断器元件端。
22.如权利要求6所述的合金型温度熔断器，其特征在于，在熔断器元件的两端上接合引线导体，在熔断器元件上涂布助熔剂，在该助熔剂涂布熔断器元件上插通筒状壳体，筒状壳体的各端和各引线导体之间被密封，而且，引线导体端做成盘状，在盘前面接合熔断器元件端。
23.如权利要求7所述的合金型温度熔断器，其特征在于，在熔断器元件的两端上接合引线导体，在熔断器元件上涂布助熔剂，在该助熔剂涂布熔断器元件上插通筒状壳体，筒状壳体的各端和各引线导体之间被密封，而且，引线导体端做成盘状，在盘前面接合熔断器元件端。
24.如权利要求8所述的合金型温度熔断器，其特征在于，在熔断器元件的两端上接合引线导体，在熔断器元件上涂布助熔剂，在该助熔剂涂布熔断器元件上插通筒状壳体，筒状壳体的各端和各引线导体之间被密封，而且，引线导体端做成盘状，在盘前面接合熔断器元件端。
25.如权利要求9所述的合金型温度熔断器，其特征在于，在熔断器元件的两端上接合引线导体，在熔断器元件上涂布助熔剂，在该助熔剂涂布熔断器元件上插通筒状壳体，筒状壳体的各端和各引线导体之间被密封，而且，引线导体端做成盘状，在盘前面接合熔断器元件端。
26.如权利要求10所述的合金型温度熔断器，其特征在于，在熔断器元件的两端上接合引线导体，在熔断器元件上涂布助熔剂，在该助熔剂涂布熔断器元件上插通筒状壳体，筒状壳体的各端和各引线导体之间被密封，而且，引线导体端做成盘状，在盘前面接合熔断器元件端。
27.如权利要求11所述的合金型温度熔断器，其特征在于，在熔断器元件的两端上接合引线导体，在熔断器元件上涂布助熔剂，在该助熔剂涂布熔断器元件上插通筒状壳体，筒状壳体的各和各引线导体之间被密封，而且，引线导体端做成盘状，在盘前面接合熔断器元件端。
28.如权利要求12所述的合金型温度熔断器，其特征在于，在熔断器元件的两端上接合引线导体，在熔断器元件上涂布助熔剂，在该助熔剂涂布熔断器元件上插通筒状壳体，筒状壳体的各端和各引线导体之间被密封，而且，引线导体端做成盘状，在盘前面接合熔断器元件端。
29.如权利要求13所述的合金型温度熔断器，其特征在于，在熔断器元件的两端上接合引线导体，在熔断器元件上涂布助熔剂，在该助熔剂涂布熔断器元件上插通筒状壳体，筒状壳体的各端和各引线导体之间被密封，而且，引线导体端做成盘状，在盘前面接合熔断器元件端。
30.如权利要求14所述的合金型温度熔断器，其特征在于，在熔断器元件的两端上接合引线导体，在熔断器元件上涂布助熔剂，在该助熔剂涂布熔断器元件上插通筒状壳体，筒状壳体的各端和各引线导体之间被密封，而且，引线导体端做成盘状，在盘前面接合熔断器元件端。
31.如权利要求15所述的合金型温度熔断器，其特征在于，在熔断器元件的两端上接合引线导体，在熔断器元件上涂布助熔剂，在该助熔剂涂布熔断器元件上插通筒状壳体，筒状壳体的各端和各引线导体之间被密封，而且，引线导体端做成盘状，在盘前面接合熔断器元件端。
32.如权利要求16所述的合金型温度熔断器，其特征在于，在熔断器元件的两端上接合引线导体，在熔断器元件上涂布助熔剂，在该助熔剂涂布熔断器元件上插通筒状壳体，筒状壳体的各端和各引线导体之间被密封，而且，引线导体端做成盘状，在盘前面接合熔断器元件端。
33.如权利要求17所述的合金型温度熔断器，其特征在于，在熔断器元件的两端上接合引线导体，在熔断器元件上涂布助熔剂，在该助熔剂涂布熔断器元件上插通筒状壳体，筒状壳体的各端和各引线导体之间被密封，而且，引线导体端做成盘状，在盘前面接合熔断器元件端。
34.如权利要求18所述的合金型温度熔断器，其特征在于，在熔断器元件的两端上接合引线导体，在熔断器元件上涂布助熔剂，在该助熔剂涂布熔断器元件上插通筒状壳体，筒状壳体的各端和各引线导体之间被密封，而且，引线导体端做成盘状，在盘前面接合熔断器元件端。
35.如权利要求19所述的合金型温度熔断器，其特征在于，在熔断器元件的两端上接合引线导体，在熔断器元件上涂布助熔剂，在该助熔剂涂布熔断器元件上插通筒状壳体，筒状壳体的各端和各引线导体之间被密封，而且，引线导体端做成盘状，在盘前面接合熔断器元件端。
36.如权利要求20所述的合金型温度熔断器，其特征在于，在熔断器元件的两端上接合引线导体，在熔断器元件上涂布助熔剂，在该助熔剂涂布熔断器元件上插通筒状壳体，筒状壳体的各端和各引线导体之间被密封，而且，引线导体端做成盘状，在盘前面接合熔断器元件端。
37.如权利要求5所述的合金型温度熔断器，其特征在于，通过含有金属粒体及粘接剂的导电糊的印刷烧结，在基板上设置一对膜电极，在这些膜电极之间连接熔断器元件，而且，金属粒体是Ag、Ag-Pd、Ag-Pt、Au、Ni、Cu的任一种。
38.如权利要求6所述的合金型温度熔断器，其特征在于，通过含有金属粒体及粘接剂的导电糊的印刷烧结，在基板上设置一对膜电极，在这些膜电极之间连接熔断器元件，而且，金属粒体是Ag、Ag-Pd、Ag-Pt、Au、Ni、Cu的任一种。
39.如权利要求7所述的合金型温度熔断器，其特征在于，通过含有金属粒体及粘接剂的导电糊的印刷烧结，在基板上设置一对膜电极，在这些膜电极之间连接熔断器元件，而且，金属粒体是Ag、Ag-Pd、Ag-Pt、Au、Ni、Cu的任一种。
40.如权利要求8所述的合金型温度熔断器，其特征在于，通过含有金属粒体及粘接剂的导电糊的印刷烧结，在基板上设置一对膜电极，在这些膜电极之间连接熔断器元件，而且，金属粒体是Ag、Ag-Pd、Ag-Pt、Au、Ni、Cu的任一种。
41.如权利要求9所述的合金型温度熔断器，其特征在于，通过含有金属粒体及粘接剂的导电糊的印刷烧结，在基板上设置一对膜电极，在这些膜电极之间连接熔断器元件，而且，金属粒体是Ag、Ag-Pd、Ag-Pt、Au、Ni、Cu的任一种。
42.如权利要求10所述的合金型温度熔断器，其特征在于，通过含有金属粒体及粘接剂的导电糊的印刷烧结，在基板上设置一对膜电极，在这些膜电极之间连接熔断器元件，而且，金属粒体是Ag、Ag-Pd、Ag-Pt、Au、Ni、Cu的任一种。
43.如权利要求11所述的合金型温度熔断器，其特征在于，通过含有金属粒体及粘接剂的导电糊的印刷烧结，在基板上设置一对膜电极，在这些膜电极之间接合熔断器元件，而且，金属粒体是Ag、Ag-Pd、Ag-Pt、Au、Ni、Cu的任一种。
44.如权利要求12所述的合金型温度熔断器，其特征在于，通过含有金属粒体及粘接剂的导电糊的印刷烧结，在基板上设置一对膜电极，在这些膜电极之间连接熔断器元件，而且，金属粒体是Ag、Ag-Pd、Ag-Pt、Au、Ni、Cu的任一种。
45.如权利要求5所述的合金型温度熔断器，其特征在于，附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
46.如权利要求6所述的合金型温度熔断器，其特征在于，附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
47.如权利要求7所述的合金型温度熔断器，其特征在于，附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
48.如权利要求8所述的合金型温度熔断器，其特征在于，附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
49.如权利要求9所述的合金型温度熔断器，其特征在于，附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
50.如权利要求10所述的合金型温度熔断器，其特征在于，附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
51.如权利要求11所述的合金型温度熔断器，其特征在于，附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
52.如权利要求12所述的合金型温度熔断器，其特征在于，附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
53.如权利要求13所述的合金型温度熔断器，其特征在于，附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
54.如权利要求14所述的合金型温度熔断器，其特征在于，附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
55.如权利要求15所述的合金型温度熔断器，其特征在于，附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
56.如权利要求16所述的合金型温度熔断器，其特征在于，附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
57.如权利要求17所述的合金型温度熔断器，其特征在于，附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
58.如权利要求18所述的合金型温度熔断器，其特征在于，附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
59.如权利要求19所述的合金型温度熔断器，其特征在于，附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
60.如权利要求20所述的合金型温度熔断器，其特征在于，附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
61.如权利要求21所述的合金型温度熔断器，其特征在于，附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
62.如权利要求22所述的合金型温度熔断器，其特征在于，附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
63.如权利要求23所述的合金型温度熔断器，其特征在于，附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
64.如权利要求24所述的合金型温度熔断器，其特征在于，附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
65.如权利要求25所述的合金型温度熔断器，其特征在于，附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
66.如权利要求26所述的合金型温度熔断器，其特征在于，附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
67.如权利要求27所述的合金型温度熔断器，其特征在于，附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
68.如权利要求28所述的合金型温度熔断器，其特征在于，附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
69.如权利要求29所述的合金型温度熔断器，其特征在于，附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
70.如权利要求30所述的合金型温度熔断器，其特征在于，附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
71.如权利要求31所述的合金型温度熔断器，其特征在于，附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
72.如权利要求32所述的合金型温度熔断器，其特征在于，附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
73.如权利要求33所述的合金型温度熔断器，其特征在于，附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
74.如权利要求34所述的合金型温度熔断器，其特征在于，附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
75.如权利要求35所述的合金型温度熔断器，其特征在于，附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
76.如权利要求36所述的合金型温度熔断器，其特征在于，附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
77.如权利要求37所述的合金型温度熔断器，其特征在于，附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
78.如权利要求38所述的合金型温度熔断器，其特征在于，附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
79.如权利要求39所述的合金型温度熔断器，其特征在于，附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
80.如权利要求40所述的合金型温度熔断器，其特征在于，附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
81.如权利要求41所述的合金型温度熔断器，其特征在于，附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
82.如权利要求42所述的合金型温度熔断器，其特征在于，附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
83.如权利要求43所述的合金型温度熔断器，其特征在于，附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
84.如权利要求44所述的合金型温度熔断器，其特征在于，附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
85.如权利要求5所述的合金型温度熔断器，其特征在于，一对引线导体的一部分从绝缘板的一面露出到另一面，在这些引线导体的露出部分上连接熔断器元件，在上述绝缘板的另一面上被覆绝缘体。
86.如权利要求6所述的合金型温度熔断器，其特征在于，一对引线导体的一部分从绝缘板的一面露出到另一面，在这些引线导体的露出部分上连接熔断器元件，在上述绝缘板的另一面上被覆绝缘体。
87.如权利要求7所述的合金型温度熔断器，其特征在于，一对引线导体的一部分从绝缘板的一面露出到另一面，在这些引线导体的露出部分上连接熔断器元件，在上述绝缘板的另一面上被覆绝缘体。
88.如权利要求8所述的合金型温度熔断器，其特征在于，一对引线导体的一部分从绝缘板的一面露出到另一面，在这些引线导体的露出部分上连接熔断器元件，在上述绝缘板的另一面上被覆绝缘体。
89.如权利要求9所述的合金型温度熔断器，其特征在于，一对引线导体的一部分从绝缘板的一面露出到另一面，在这些引线导体的露出部分上连接熔断器元件，在上述绝缘板的另一面上被覆绝缘体。
90.如权利要求10所述的合金型温度熔断器，其特征在于，一对引线导体的一部分从绝缘板的一面露出到另一面，在这些引线导体的露出部分上连接熔断器元件，在上述绝缘板的另一面上被覆绝缘体。
91.如权利要求11所述的合金型温度熔断器，其特征在于，一对引线导体的一部分从绝缘板的一面露出到另一面，在这些引线导体的露出部分上连接熔断器元件，在上述绝缘板的另一面上被覆绝缘体。
92.如权利要求12所述的合金型温度熔断器，其特征在于，一对引线导体的一部分从绝缘板的一面露出到另一面，在这些引线导体的露出部分上连接熔断器元件，在上述绝缘板的另一面上被覆绝缘体。
93.如权利要求5所述的合金型温度熔断器，其特征在于，连接在一对引线导体之间的熔断器元件用绝缘薄膜夹住。
94.如权利要求6所述的合金型温度熔断器，其特征在于，连接在一对引线导体之间的熔断器元件用绝缘薄膜夹住。
95.如权利要求7所述的合金型温度熔断器，其特征在于，连接在一对引线导体之间的熔断器元件用绝缘薄膜夹住。
96.如权利要求8所述的合金型温度熔断器，其特征在于，连接在一对引线导体之间的熔断器元件用绝缘薄膜夹住。
97.如权利要求9所述的合金型温度熔断器，其特征在于，连接在一对引线导体之间的熔断器元件用绝缘薄膜夹住。
98.如权利要求10所述的合金型温度熔断器，其特征在于，连接在一对引线导体之间的熔断器元件用绝缘薄膜夹住。
99.如权利要求11所述的合金型温度熔断器，其特征在于，连接在一对引线导体之间的熔断器元件用绝缘薄膜夹住。
100.如权利要求12所述的合金型温度熔断器，其特征在于，连接在一对引线导体之间的熔断器元件用绝缘薄膜夹住。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002342067A JP4064217B2 (ja) | 2002-11-26 | 2002-11-26 | 合金型温度ヒューズ及び温度ヒューズエレメント用材料 |
| JP342067/2002 | 2002-11-26 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1503295A CN1503295A (zh) | 2004-06-09 |
| CN100349242C true CN100349242C (zh) | 2007-11-14 |
Family
ID=32290411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB031554202A Expired - Fee Related CN100349242C (zh) | 2002-11-26 | 2003-09-05 | 合金型温度熔断器及温度熔断器元件用材料 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7199697B2 (zh) |
| EP (1) | EP1424712B1 (zh) |
| JP (1) | JP4064217B2 (zh) |
| CN (1) | CN100349242C (zh) |
| DE (1) | DE60324377D1 (zh) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100776875B1 (ko) * | 2002-10-07 | 2007-11-16 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 온도 퓨즈용 소자, 온도 퓨즈 및 이를 이용한 전지 |
| EP1645646B1 (en) * | 2003-05-29 | 2011-10-05 | Panasonic Corporation | Temperature fuse element, temperature fuse and battery using the same |
| JP2007294117A (ja) * | 2006-04-21 | 2007-11-08 | Uchihashi Estec Co Ltd | 保護素子及び保護素子の動作方法 |
| DE102008003659A1 (de) * | 2007-03-26 | 2008-10-02 | Robert Bosch Gmbh | Schmelzsicherung zur Unterbrechung eines spannungs- und/oder stromführenden Leiters im thermischen Fehlerfall und Verfahren zur Herstellung der Schmelzsicherung |
| DE102007014338A1 (de) * | 2007-03-26 | 2008-10-02 | Robert Bosch Gmbh | Thermosicherung |
| JP5072796B2 (ja) * | 2008-05-23 | 2012-11-14 | ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 | 保護素子及び二次電池装置 |
| JP5130233B2 (ja) * | 2009-01-21 | 2013-01-30 | デクセリアルズ株式会社 | 保護素子 |
| JP5301298B2 (ja) * | 2009-01-21 | 2013-09-25 | デクセリアルズ株式会社 | 保護素子 |
| JP5130232B2 (ja) | 2009-01-21 | 2013-01-30 | デクセリアルズ株式会社 | 保護素子 |
| JP4912447B2 (ja) * | 2009-10-02 | 2012-04-11 | 内橋エステック株式会社 | 合金型温度ヒューズ |
| CN202632917U (zh) * | 2010-12-31 | 2012-12-26 | 厦门赛尔特电子有限公司 | 一种温度保险丝与电阻结合的装置 |
| JP6101908B2 (ja) * | 2014-07-09 | 2017-03-29 | 内橋エステック株式会社 | 温度ヒューズ用可溶合金、温度ヒューズ用線材および温度ヒューズ |
| US10347402B1 (en) * | 2018-05-23 | 2019-07-09 | Xiamen Set Electronics Co., Ltd. | Thermal fuse resistor |
| JP7231527B2 (ja) * | 2018-12-28 | 2023-03-01 | ショット日本株式会社 | 保護素子用ヒューズ素子およびそれを利用した保護素子 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03110732A (ja) * | 1989-09-25 | 1991-05-10 | Uchihashi Estec Co Ltd | 合金型温度ヒューズ |
| JPH11266724A (ja) * | 1998-03-20 | 1999-10-05 | Nanatomi:Kk | 水耕栽培システム |
| JP2001266724A (ja) * | 2000-03-23 | 2001-09-28 | Uchihashi Estec Co Ltd | 合金型温度ヒュ−ズ |
| JP2002110010A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-12 | Nec Schott Components Corp | 保護素子 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2703352A (en) * | 1953-08-13 | 1955-03-01 | Chase Shawmut Co | Fuse and fuse link of the time lag type |
| US3801364A (en) * | 1971-02-03 | 1974-04-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method for making printed circuits which include printed resistors |
| US4216457A (en) * | 1978-08-08 | 1980-08-05 | Gould Inc. | Electric fuse having folded fusible element and heat dams |
| US4367451A (en) * | 1979-05-16 | 1983-01-04 | Gould Inc. | Fusible element for electric fuses and electric fuse including the element |
| JPS56114237A (en) | 1980-02-14 | 1981-09-08 | Uchihashi Metal Ind | Temperature fuse |
| US4496475A (en) * | 1980-09-15 | 1985-01-29 | Potters Industries, Inc. | Conductive paste, electroconductive body and fabrication of same |
| JPS598229A (ja) | 1982-07-02 | 1984-01-17 | 松下電器産業株式会社 | 温度ヒユ−ズ |
| US5130689A (en) * | 1989-05-09 | 1992-07-14 | Leach & Garner Co. | Intermetallic time-temperature integration fuse |
| JP2819408B2 (ja) | 1990-02-13 | 1998-10-30 | 内橋エステック株式会社 | 合金型温度ヒユーズ |
| JP3995058B2 (ja) | 1993-05-17 | 2007-10-24 | 内橋エステック株式会社 | 合金型温度ヒュ−ズ |
| DE4443459C2 (de) * | 1994-12-07 | 1996-11-21 | Wieland Werke Ag | Bleifreies Weichlot und seine Verwendung |
| US6064293A (en) * | 1997-10-14 | 2000-05-16 | Sandia Corporation | Thermal fuse for high-temperature batteries |
| JP2001135216A (ja) * | 1999-11-09 | 2001-05-18 | Uchihashi Estec Co Ltd | 合金型温度ヒュ−ズ |
| JP4409705B2 (ja) | 2000-03-23 | 2010-02-03 | 内橋エステック株式会社 | 合金型温度ヒュ−ズ |
| JP4369008B2 (ja) | 2000-04-07 | 2009-11-18 | 内橋エステック株式会社 | 合金型温度ヒュ−ズ |
| JP2001325867A (ja) | 2000-05-18 | 2001-11-22 | Sorudaa Kooto Kk | 温度ヒューズおよび温度ヒューズ素子用線材 |
| JP3478785B2 (ja) * | 2000-07-21 | 2003-12-15 | 松下電器産業株式会社 | 温度ヒューズ及びパック電池 |
| JP4204852B2 (ja) * | 2002-11-26 | 2009-01-07 | 内橋エステック株式会社 | 合金型温度ヒューズ及び温度ヒューズエレメント用材料 |
-
2002
- 2002-11-26 JP JP2002342067A patent/JP4064217B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-08-27 EP EP03019381A patent/EP1424712B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-08-27 DE DE60324377T patent/DE60324377D1/de not_active Expired - Fee Related
- 2003-09-04 US US10/656,561 patent/US7199697B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-09-05 CN CNB031554202A patent/CN100349242C/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03110732A (ja) * | 1989-09-25 | 1991-05-10 | Uchihashi Estec Co Ltd | 合金型温度ヒューズ |
| JPH11266724A (ja) * | 1998-03-20 | 1999-10-05 | Nanatomi:Kk | 水耕栽培システム |
| JP2001266724A (ja) * | 2000-03-23 | 2001-09-28 | Uchihashi Estec Co Ltd | 合金型温度ヒュ−ズ |
| JP2002110010A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-12 | Nec Schott Components Corp | 保護素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2004176105A (ja) | 2004-06-24 |
| US20040100352A1 (en) | 2004-05-27 |
| JP4064217B2 (ja) | 2008-03-19 |
| DE60324377D1 (de) | 2008-12-11 |
| CN1503295A (zh) | 2004-06-09 |
| US7199697B2 (en) | 2007-04-03 |
| EP1424712A1 (en) | 2004-06-02 |
| EP1424712B1 (en) | 2008-10-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100390919C (zh) | 合金型温度熔丝 | |
| CN100349240C (zh) | 合金型温度熔断器和温度熔断器元件用材料 | |
| CN100349242C (zh) | 合金型温度熔断器及温度熔断器元件用材料 | |
| CN100461321C (zh) | 保护元件 | |
| US20060097839A1 (en) | Alloy type thermal fuse and material for a thermal fuse element | |
| CN100349241C (zh) | 合金型温度熔断器及温度熔断器元件用材料 | |
| US6911892B2 (en) | Alloy type thermal fuse and fuse element thereof | |
| US6774761B2 (en) | Alloy type thermal fuse and fuse element thereof | |
| CN100349243C (zh) | 合金型温度熔断器和温度熔断器元件用材料 | |
| JP2001266724A (ja) | 合金型温度ヒュ−ズ | |
| JP4360666B2 (ja) | 合金型温度ヒューズ及び温度ヒューズエレメント用線材 | |
| CN212907259U (zh) | 一种新型热保护压敏电阻 | |
| US7160504B2 (en) | Alloy type thermal fuse and fuse element thereof | |
| JPH11306940A (ja) | 温度ヒューズ及び温度ヒューズの製造方法 | |
| JP2003016894A (ja) | 温度ヒューズおよびそれを用いた電子機器 | |
| JPS6317321B2 (zh) | ||
| JPS58111301A (ja) | 過負荷溶断形抵抗器 | |
| JP2004059989A (ja) | 合金型温度ヒューズ及び温度ヒューズエレメント用線材 | |
| JPH0757615A (ja) | 樹脂封止型回路保護用電子部品 | |
| JPS58106728A (ja) | 温度ヒユ−ズ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20071114 Termination date: 20091009 |