CN100344532C - 一种碳纳米管阵列的生长装置 - Google Patents

一种碳纳米管阵列的生长装置 Download PDF

Info

Publication number
CN100344532C
CN100344532C CNB2005100338574A CN200510033857A CN100344532C CN 100344532 C CN100344532 C CN 100344532C CN B2005100338574 A CNB2005100338574 A CN B2005100338574A CN 200510033857 A CN200510033857 A CN 200510033857A CN 100344532 C CN100344532 C CN 100344532C
Authority
CN
China
Prior art keywords
growing apparatus
breather
carbon
quartz boat
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CNB2005100338574A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1837034A (zh
Inventor
姜开利
范守善
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tsinghua University
Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd
Original Assignee
Tsinghua University
Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tsinghua University, Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd filed Critical Tsinghua University
Priority to CNB2005100338574A priority Critical patent/CN100344532C/zh
Priority to US11/371,992 priority patent/US7700048B2/en
Publication of CN1837034A publication Critical patent/CN1837034A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100344532C publication Critical patent/CN100344532C/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/158—Carbon nanotubes
    • C01B32/16—Preparation
    • C01B32/162—Preparation characterised by catalysts
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2202/00—Structure or properties of carbon nanotubes
    • C01B2202/08—Aligned nanotubes

Abstract

一种碳纳米管阵列生长装置，其包括：一反应炉，该反应炉包括两进气口和一出气口；一石英舟设置于反应炉内，其中该生长装置进一步包括一通气装置，该通气装置一端连接一进气口，另一端靠近石英舟。

Description

一种碳纳米管阵列的生长装置
【技术领域】
本发明涉及一种碳纳米管阵列的生长装置。
【背景技术】
碳纳米管是九十年代初才发现的一种新型一维纳米材料。碳纳米管的特殊结构决定了其具有特殊的性质，如高抗张强度和高热稳定性；随着碳纳米管螺旋方式的变化，碳纳米管可呈现出金属性或半导体性等。由于碳纳米管具有理想的一维结构以及在力学、电学、热学等领域优良的性质，其在材料科学、化学、物理学等交叉学科领域已展现出广阔的应用前景，包括场发射平板显示，单电子器件，原子力显微镜(Atomic Force Microscope，AFM)针尖，热传感器，光学传感器，过滤器等等。因此，实现碳纳米管的可控生长，降低碳纳米管的合成成本，是将碳纳米管推向应用的关键。
目前合成碳纳米管主要有三类方法：1991年S.Iijima在Nature，354，56，Helical microtubules of graphitic carbon上公开的电弧放电法；1992年T.W.Ebbesen等人在Nature，358，220，Large-scale Synthesis of Carbon Nanotubes上公开的激光烧蚀法及1996年W.Z.Li等人在Science，274，1701，Large-Scale Synthesis of Aligned Carbon Nanotubes上公开的化学气相沉积法。
电弧放电法和激光烧蚀法不能控制碳纳米管的直径和长度，合成方法所用设备昂贵，且碳纳米管的产量低，很难在大尺寸基片上大规模生长碳纳米管，故目前主要用于实验阶段，难以走向工业应用。
传统的化学气相沉积法是利用含碳气体作为碳源气，在多孔硅或沸石基底上生长出多壁或单壁碳纳米管，和前两种方法相比具有产量高、可控性强、与现行的集成电路工艺相兼容等优点，便于工业上进行大规模合成。但是，碳纳米管的有序性和产量通常不可兼得。
2002年2月16日公告的美国专利第6,350,488号揭示一种利用热化学气相沉积法在大尺寸基片上合成垂直排列的高纯碳纳米管的方法。所述的方法包括在基片上形成金属催化剂层；腐蚀金属催化剂层形成隔离的纳米级催化金属颗粒；利用热化学气相沉积法由每个隔离的纳米级催化金属颗粒生长碳纳米管，原位净化该碳纳米管。其中碳源气供应到热化学气相沉积设备中，碳纳米管垂直排列于基片上。
然而，该合成碳纳米管的方法尚有以下不足，其一，该方法会造成一些金属颗粒以及非晶质的碳化合物粘附于碳纳米管的表面上，因而，在合成碳纳米管后需要对碳纳米管进行净化过程，方法较为复杂，亦可能会损坏碳纳米管；其二，该方法合成温度较高，且碳纳米管生长速度慢，限制其工业应用的范围，不适合未来大规模生产碳纳米管的发展趋势；其三，该方法所使用的装置包括4个进气口，设备较为复杂，且由于氢气会与碳源气反应，合成得到的碳纳米管为多壁碳纳米管与单壁碳纳米管的混合产物，在实际应用中(如场发射显示)不易充分发挥碳纳米管的优良性能。
因此，提供一种简单可控碳纳米管阵列的生长装置十分必要。
【发明内容】
以下，将以若干实施例说明一种简单可控的碳纳米管阵列的生长装置。
为实现上述内容，提供一种碳纳米管阵列生长装置，其包括：一反应炉，该反应炉包括两进气口和一出气口；一石英舟设置于反应炉内，其中该生长装置进一步包括一通气装置，该通气装置一端连接一进气口，另一端靠近石英舟。
该通气装置包括一石英管。该生长装置进一步包括一基底设置于石英舟内，该基底一表面形成有一催化剂层。该石英舟包括一体成型且弯折成一定角度的两边，上述基底设置于该石英舟的一边上，基底形成有催化剂层的表面面向气体流动方向，且靠近通气装置的另一端。该通气装置是用于通入氢气到催化剂层表面。
与现有的热化学气相沉积法合成碳纳米管的技术相比较，本技术方案所提供的一种碳纳米管阵列的生长装置具有如下优点：其一生长温度低，在600～720摄氏度均能生长碳纳米管阵列，其中在620～690摄氏度的温度范围内可生长出排列非常规整的碳纳米管阵列；其二，生长速率快，产量多，由于氢气能够直接通入到催化剂层表面活化催化剂，生长30～60分钟所得到的碳纳米管阵列的高度均可达到几百微米，甚至可以达到毫米量级；其三，结构简单，可直接使用目前已有的化学气相沉积设备，催化剂层采用廉价的铁，整个生长方法的成本低，适合工业上大批量生产。
【附图说明】
图1是第一实施例的碳纳米管阵列的生长装置示意图。
图2是本技术方案实施例获得的多壁碳纳米管阵列的扫描电镜照片。
图3是本技术方案实施例获得的多壁碳纳米管的透射电镜照片。
【具体实施方式】
下面将结合附图及具体实施例对本技术方案进行详细说明。
请参阅图1，本技术方案第一实施例提供一种碳纳米管阵列的生长装置10，其包括：一反应炉19，该反应炉19包括一第一进气口191、一第二进气口192、一出气口193与一通气装置17，该通气装置17优选为一石英管，该通气装置17一端连接第二进气口192，另一端伸向反应炉内部。在生长碳纳米管阵列的过程中，该第一进气口191用于通入载气气体和碳源气，该第二进气口192用于通入氢气，本实施例反应炉19优选为管径为一寸的石英管。一石英舟15设置于反应炉19内，该石英舟15包括一体成型且弯折成一定角度的两边，一生长碳纳米管用的基底11设置于石英舟15的一边上。一催化剂层13形成于基底11一表面，基底11形成有催化剂层13表面面向气体流动方向，且靠近通气装置17的另一端，碳纳米管生长于基底11形成有催化剂层13的表面。基底11材料选用硅，也可选用其它材料，如玻璃、石英等。催化剂层13材料可选自铁、钴、镍及其合金材料等，本实施例催化剂层13材料优选为铁。
本技术方案第一实施例为本发明较佳实施例，本技术方案碳纳米管阵列的生长装置中所使用的石英舟亦可采用其它结构，如当石英舟为两端开口的船型结构时，可将基底直接设置于石英舟内，并将基底形成有催化剂层的表面靠近反应炉通气装置。总之，可以理解，石英舟的形状并不重要，只要基底形成有催化剂层的表面靠近通气装置即可。
由于直接通入氢气会与碳源气乙炔反应生成乙烯，本技术方案设置通气装置的目的在于能够使得较多的氢气直接通入到催化剂层表面对催化剂进行活化，因此，本技术方案亦可采用其它通气装置如具有多个端口分别对应多个多个石英舟的通气管等通入氢气，只需确保产生的氢气能随气体流动方向较多的流动到基底催化剂层表面即可。
本技术方案采用第一实施例生长碳纳米管阵列装置的一种碳纳米管阵列的生长方法包括以下步骤：
首先提供一基底11，并在该基底11将要生长碳纳米管的一表面均匀形成一层催化剂层13，该催化剂层13的形成可利用热沉积、电子束沉积、蒸镀或溅射法来完成。
提供一石英舟15，将上述具有金属催化剂层13的基底11放入该石英舟15中。本实施例石英舟15包括一体成型且弯折成一定角度的两边，上述基底设置于该石英舟15的一边上。
提供一反应炉19，该反应炉19包括一第一进气口191、一第二进气口192、一出气口193与一通气装置17，该通气装置17一端连接第二进气口192，另一端伸向反应炉19内部。将设置有基底11的石英舟15装入反应炉19内，使得基底11形成有催化剂层13之表面面向气体流动方向，且靠近通气装置17的另一端。
在常压下从反应炉19的第一进气口191通入载气气体，并通过加热装置(图未示)对反应炉19进行加热。将反应炉19的温度升高到预定温度后，分别通过第一进气口191和第二进气口192通入碳源气和氢气。本技术方案在碳纳米管生长过程中通过第一进气口持续通入载气气体，该载气气体优选为廉价气体氩气，也可选用其它气体如氮气或其它惰性气体。本技术方案的碳源气优选为廉价气体乙炔，也可选用其它碳氢化合物如甲烷、乙烷、乙烯等。本技术方案优选为通以300sccm的氩气、5～30sccm的乙炔和100sccm的氢气。反应炉温度可为600～720摄氏度，优选为620～690摄氏度。
反应预定时间后，停止通入碳源气和氢气，并停止加热，温度降低后停止通入载气。由于催化剂的作用，供应到反应炉的碳源气热解成碳单元(C＝C或C)和氢气(H2)。碳单元吸附于催化剂层表面，从而生长出碳纳米管。本技术方案中，由于使用乙炔作为碳源气，生长的碳纳米管阵列为多壁碳纳米管阵列。
本技术方案通过改变例如载气与碳源气的流量、反应温度、反应时间等条件，可以控制生长得到的多壁碳纳米管的密度、直径和长度。按照上述实施例获得的多壁碳纳米管的直径为10～30纳米。由于氢气能够直接通入到基底表面的催化剂层，使得碳纳米管生长速度较快且生长高度较高。本实施例中，反应时间为30～60分钟，整个多壁碳纳米管阵列的高度大于100微米，甚至可以达到毫米量级。
请一并参阅图2和图3，从本技术方案的多壁碳纳米管阵列的扫描隧道显微镜照片和透射电镜照片可以看出，多壁碳纳米管阵列生长得非常规整，整个阵列的高度为几百微米。
在本技术方案碳纳米管阵列的生长过程中，氢气能够活化催化剂层，同时降低局部碳源气浓度，使得整个碳纳米管阵列生长速度快且高度较高。本技术方案中碳纳米管阵列的高度能够达到几百微米甚至达到毫米量级。
本技术领域的技术人员应明白，虽然本技术方案所采用的热化学气相沉积设备为卧式结构，但本技术方案的方法亦可应用其它如立式、流动床式热化学气相沉积设备等。另外，本技术方案不限于采用两进气口结构，可采用多进气口结构，只需确保设置一进气口与通气装置连接通入氢气到基底形成有催化剂层的表面即可。
采用该热化学气相沉积方法还可以进行批量合成，即，可以同时在设备中装入大量基底并设计相关通气装置进行碳纳米管阵列的生长，可以进一步提高产量。在应用于基于碳纳米管阵列的场发射器件或其它电子器件时，本技术方案的方法亦可通过设计基底第一催化剂的图案来实现碳纳米管阵列的可控生长。
另外，本技术方案中揭露的碳纳米管阵列的生长时间范围与生长温度范围仅为本技术方案的较佳实施例，本技术领域的技术人员应明白，更高的生长温度亦可同样生长出该多壁碳纳米管阵列，生长时间将决定该碳纳米管阵列的高度。
与现有的热化学气相沉积法合成碳纳米管的技术相比较，本技术方案所提供的一种碳纳米管阵列的生长装置具有如下优点：其一生长温度低，在600～720摄氏度均能生长碳纳米管阵列，其中在620～690摄氏度的温度范围内可生长出排列非常规整的碳纳米管阵列；其二，生长速率快，产量多，由于氢气能够直接通入到催化剂层表面活化催化剂，生长30～60分钟所得到的碳纳米管阵列的高度均可达到几百微米，甚至可以达到毫米量级；其三，结构简单，可直接使用目前已有的化学气相沉积设备，催化剂层采用廉价的铁，整个生长方法的成本低，适合工业上大批量生产。

Claims (11)

1.一种碳纳米管阵列生长装置，其包括：一反应炉，该反应炉包括两进气口和一出气口；一石英舟设置于反应炉内，其特征在于进一步包括一通气装置，该通气装置一端连接其中一进气口，另一端靠近石英舟。
2.如权利要求1所述的生长装置，其特征在于该通气装置包括石英管。
3.如权利要求1所述的生长装置，其特征在于该石英舟包括一体成型且弯折成一定角度的两边。
4.如权利要求3所述的生长装置，其特征在于进一步包括一基底设置于石英舟内，该基底一表面形成有一催化剂层。
5.如权利要求4所述的生长装置，其特征在于上述基底设置于该石英舟的一边上，基底形成有催化剂层的表面面向气体流动方向，且靠近通气装置的另一端。
6.如权利要求4所述的生长装置，其特征在于该催化剂层材料包括铁、钴、镍或其合金。
7.如权利要求1所述的生长装置，其特征在于反应炉连接通气装置的进气口用于通入氢气，另一进气口用于通入载气与碳源气。
8.如权利要求7所述的生长装置，其特征在于该碳源气包括乙炔、甲烷、乙烷或乙烯。
9.如权利要求7所述的生长装置，其特征在于该载气包括氩气或氮气。
10.如权利要求8所述的生长装置，其特征在于所述碳源气为乙炔，所获得的碳纳米管阵列为多壁碳纳米管阵列。
11.如权利要求1或10所述的生长装置，其特征在于获得的碳纳米管阵列的高度大于100微米。
CNB2005100338574A 2005-03-25 2005-03-25 一种碳纳米管阵列的生长装置 Active CN100344532C (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2005100338574A CN100344532C (zh) 2005-03-25 2005-03-25 一种碳纳米管阵列的生长装置
US11/371,992 US7700048B2 (en) 2005-03-25 2006-03-08 Apparatus for making carbon nanotube array

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2005100338574A CN100344532C (zh) 2005-03-25 2005-03-25 一种碳纳米管阵列的生长装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1837034A CN1837034A (zh) 2006-09-27
CN100344532C true CN100344532C (zh) 2007-10-24

Family

ID=37014570

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2005100338574A Active CN100344532C (zh) 2005-03-25 2005-03-25 一种碳纳米管阵列的生长装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7700048B2 (zh)
CN (1) CN100344532C (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100376478C (zh) * 2005-04-22 2008-03-26 清华大学 碳纳米管阵列结构的制备装置
CN101409962B (zh) * 2007-10-10 2010-11-10 清华大学 面热光源及其制备方法
CN101400198B (zh) * 2007-09-28 2010-09-29 北京富纳特创新科技有限公司 面热光源,其制备方法及应用其加热物体的方法
CN101409961B (zh) * 2007-10-10 2010-06-16 清华大学 面热光源,其制备方法及应用其加热物体的方法
US20100122980A1 (en) * 2008-06-13 2010-05-20 Tsinghua University Carbon nanotube heater
US20100000669A1 (en) * 2008-06-13 2010-01-07 Tsinghua University Carbon nanotube heater
US20100126985A1 (en) * 2008-06-13 2010-05-27 Tsinghua University Carbon nanotube heater
US20130323157A1 (en) * 2012-05-31 2013-12-05 Xuesong Li Apparatus and Methods for the Synthesis of Graphene by Chemical Vapor Deposition
CN105731415B (zh) * 2014-12-09 2018-01-23 江苏联科纳米科技有限公司 一种超长碳纳米管制备装置及其制备方法
CN105586641B (zh) * 2016-01-12 2018-02-09 山东大学 甲胺卤化铅酸盐化合物单晶微米薄片生长方法及生长装置
CN106276846B (zh) * 2016-07-15 2018-02-23 华北电力大学 一种制备碳纳米管的***及方法
CN106517147B (zh) * 2016-12-09 2018-07-27 北京科技大学 制备高纯度高导热碳纳米管阵列热界面材料的方法及装置
CN111661837B (zh) * 2020-06-11 2024-01-02 安徽贝意克设备技术有限公司 一种基板式碳纳米管制备设备

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1165209A (zh) * 1996-11-05 1997-11-19 中国科学院物理研究所 一种有序排列的碳纳米管及其制备方法和专用装置

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4572813A (en) * 1983-09-06 1986-02-25 Nikkiso Co., Ltd. Process for preparing fine carbon fibers in a gaseous phase reaction
US5374415A (en) * 1993-02-03 1994-12-20 General Motors Corporation Method for forming carbon fibers
US5849360A (en) * 1996-06-20 1998-12-15 National Science Council Tube chemical gas deposition method of preparing titanium nitride coated titanium carbide for titanium carbide/silicon nitride composites
US6177292B1 (en) * 1996-12-05 2001-01-23 Lg Electronics Inc. Method for forming GaN semiconductor single crystal substrate and GaN diode with the substrate
US6221330B1 (en) * 1997-08-04 2001-04-24 Hyperion Catalysis International Inc. Process for producing single wall nanotubes using unsupported metal catalysts
US6232706B1 (en) 1998-11-12 2001-05-15 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Self-oriented bundles of carbon nanotubes and method of making same
FR2790750B1 (fr) 1999-03-10 2001-04-20 Air Liquide Procede et dispositif de production d'hydrogene par decomposition thermocatalytique d'hydrocarbures
US6566256B1 (en) * 1999-04-16 2003-05-20 Gbl Technologies, Inc. Dual process semiconductor heterostructures and methods
EP1059266A3 (en) * 1999-06-11 2000-12-20 Iljin Nanotech Co., Ltd. Mass synthesis method of high purity carbon nanotubes vertically aligned over large-size substrate using thermal chemical vapor deposition
US6569765B1 (en) * 1999-08-26 2003-05-27 Cbl Technologies, Inc Hybrid deposition system and methods
CN1140448C (zh) 2000-03-07 2004-03-03 天津大学 镍催化裂解甲烷制备碳纳米管的方法
JP3946427B2 (ja) * 2000-03-29 2007-07-18 株式会社東芝 エピタキシャル成長用基板の製造方法及びこのエピタキシャル成長用基板を用いた半導体装置の製造方法
CN100457609C (zh) * 2000-11-13 2009-02-04 国际商业机器公司 单壁碳纳米管的制造方法及应用
JP3607664B2 (ja) * 2000-12-12 2005-01-05 日本碍子株式会社 Ｉｉｉ−ｖ族窒化物膜の製造装置
US20020132495A1 (en) 2001-03-16 2002-09-19 Siegel Richard W. Flash CVD process for synthesis of carbon nanotrees
US6656272B2 (en) * 2001-03-30 2003-12-02 Technologies And Devices International, Inc. Method of epitaxially growing submicron group III nitride layers utilizing HVPE
US20020172767A1 (en) 2001-04-05 2002-11-21 Leonid Grigorian Chemical vapor deposition growth of single-wall carbon nanotubes
US6613143B1 (en) * 2001-07-06 2003-09-02 Technologies And Devices International, Inc. Method for fabricating bulk GaN single crystals
US6936357B2 (en) * 2001-07-06 2005-08-30 Technologies And Devices International, Inc. Bulk GaN and ALGaN single crystals
KR100951013B1 (ko) 2001-07-27 2010-04-02 유니버시티 오브 서레이 탄소나노튜브의 제조방법
US6897603B2 (en) * 2001-08-24 2005-05-24 Si Diamond Technology, Inc. Catalyst for carbon nanotube growth
SG126710A1 (en) 2001-10-31 2006-11-29 Univ Singapore Carbon nanotubes fabrication and hydrogen production
US6969426B1 (en) * 2002-02-26 2005-11-29 Bliss David F Forming improved metal nitrides
US7445817B2 (en) 2002-05-08 2008-11-04 Btu International Inc. Plasma-assisted formation of carbon structures
CN1248959C (zh) 2002-09-17 2006-04-05 清华大学 一种碳纳米管阵列生长方法
CN1239387C (zh) 2002-11-21 2006-02-01 清华大学 碳纳米管阵列及其生长方法
CN1290763C (zh) 2002-11-29 2006-12-20 清华大学 一种生产碳纳米管的方法
CN1286715C (zh) 2002-12-21 2006-11-29 清华大学 一种碳纳米管阵列结构及其生长方法
WO2004065294A2 (en) 2003-01-17 2004-08-05 Duke University Systems and methods for producing single-walled carbon nanotubes (swnts) on a substrate
KR100537512B1 (ko) 2003-09-01 2005-12-19 삼성에스디아이 주식회사 카본나노튜브구조체 및 이의 제조방법 그리고 이를 응용한전계방출소자 및 표시장치
US8541054B2 (en) * 2003-09-08 2013-09-24 Honda Motor Co., Ltd Methods for preparation of one-dimensional carbon nanostructures
US7628974B2 (en) 2003-10-22 2009-12-08 International Business Machines Corporation Control of carbon nanotube diameter using CVD or PECVD growth
US7144563B2 (en) * 2004-04-22 2006-12-05 Clemson University Synthesis of branched carbon nanotubes
CN100376477C (zh) 2005-03-18 2008-03-26 清华大学 一种碳纳米管阵列生长装置及多壁碳纳米管阵列的生长方法
US7374731B2 (en) * 2005-09-02 2008-05-20 Yonyu Plastics Co., Ltd. Reaction apparatus for producing vapor-grown carbon fibers and continuous production system thereof
CN100482584C (zh) * 2005-10-21 2009-04-29 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 碳纳米管制备设备
CN100482585C (zh) * 2005-10-24 2009-04-29 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 碳纳米管制备装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1165209A (zh) * 1996-11-05 1997-11-19 中国科学院物理研究所 一种有序排列的碳纳米管及其制备方法和专用装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN1837034A (zh) 2006-09-27
US7700048B2 (en) 2010-04-20
US20060263274A1 (en) 2006-11-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100337910C (zh) 一种碳纳米管阵列的生长方法
CN100344532C (zh) 一种碳纳米管阵列的生长装置
CN100337909C (zh) 一种碳纳米管阵列的生长方法
CN100376477C (zh) 一种碳纳米管阵列生长装置及多壁碳纳米管阵列的生长方法
Qin et al. Growing carbon nanotubes by microwave plasma-enhanced chemical vapor deposition
CN100551822C (zh) 一种二维单层石墨烯的制备方法
Wang et al. Synthesis of Thin, Rectangular C60 Nanorods Using m‐Xylene as a Shape Controller
CN1290763C (zh) 一种生产碳纳米管的方法
Bronikowski CVD growth of carbon nanotube bundle arrays
CN1935637B (zh) 碳纳米管制备方法
Sinnott et al. Model of carbon nanotube growth through chemical vapor deposition
US7011884B1 (en) Carbon nanotube with a graphitic outer layer
CN1244491C (zh) 一种碳纳米管阵列结构及其制备方法
US20110024697A1 (en) Methods of Producing Carbon Nanotubes and Applications of Same
Li et al. Single-walled carbon nanotubes: preparation, properties and applications
CN1757595A (zh) 多壁碳纳米管原位自组装制备定向微米管的方法
CN101062765A (zh) 一种准一维氮化硼纳米结构的制备方法
US8038795B2 (en) Epitaxial growth and cloning of a precursor chiral nanotube
CN1955112A (zh) 碳纳米管制备方法
CN1434461A (zh) 制备纳米管探针针尖的方法
Zhang et al. Large scale production of carbon nanotube arrays on the sphere surface from liquefied petroleum gas at low cost
US20120132534A1 (en) Growth of nanotubes from patterned and ordered nanoparticles
CN1074471C (zh) 一种制备单壁纳米碳管的方法
CN1171781C (zh) 一种树状碳纳米管的制备方法
CN1966408A (zh) 一种制备多种SnO2纳米结构的方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant