CH719603A1 - Structure opto-electronique multicouche flexible. - Google Patents
Structure opto-electronique multicouche flexible. Download PDFInfo
- Publication number
- CH719603A1 CH719603A1 CH000437/2022A CH4372022A CH719603A1 CH 719603 A1 CH719603 A1 CH 719603A1 CH 000437/2022 A CH000437/2022 A CH 000437/2022A CH 4372022 A CH4372022 A CH 4372022A CH 719603 A1 CH719603 A1 CH 719603A1
- Authority
- CH
- Switzerland
- Prior art keywords
- layer
- polymeric
- substrate
- graphene
- carbon
- Prior art date
Links
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims abstract description 16
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 9
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 claims description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- -1 polydimethylsiloxane Polymers 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 claims description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 3
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 3
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 claims description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 2
- 239000002077 nanosphere Substances 0.000 claims description 2
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 claims description 2
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 claims description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 39
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920000299 Nylon 12 Polymers 0.000 description 2
- 229930040373 Paraformaldehyde Natural products 0.000 description 2
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002292 Nylon 6 Polymers 0.000 description 1
- 229920000305 Nylon 6,10 Polymers 0.000 description 1
- 229920002302 Nylon 6,6 Polymers 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229920006018 co-polyamide Polymers 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 229920005570 flexible polymer Polymers 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/20—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising organic-organic junctions, e.g. donor-acceptor junctions
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/15—Nano-sized carbon materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
Abstract
L'invention concerne une structure opto-électronique multicouche (100), flexible, sensiblement planaire, comportant: un substrat (101) comprenant au moins une couche polymérique de substrat (111); une première et une deuxième couche conductrice (140, 141) comprenant au moins une première et une deuxième électrode (145, 146); au moins une couche carbonée (130); et au moins une couche polymérique de passivation (121). La couche carbonée peut comporter du graphène. L'invention concerne également un dispositif photovoltaïque comprenant de ladite structure et un procédé de fabrication d'une structure opto-électronique multicouche flexible.
Description
DOMAINE TECHNIQUE
[0001] La présente invention concerne le domaine des dispositifs opto-électroniques, notamment des dispositifs photovoltaïques, destinés à produire de l'électricité.
ÉTAT DE LA TECHNIQUE
[0002] Les dispositifs opto-électroniques, tels des dispositifs photovoltaïques, trouvent de l'utilité dans le domaine des téléphones portables, des montres bracelet ou des tablettes tactiles, entre autres. Ils peuvent servir à capter de la lumière pour la transformer en énergie pour alimenter un module électronique, par exemple.
[0003] On connaît les dispositifs photovoltaïques, notamment des cellules généralement constituées de semi-conducteurs, par exemple à base de silicium. Une couche de silicium peut être de type N (ou dopé N) ou de type P (ou dopé P) selon le mécanisme de transport de courant qui est dominant dans la couche de silicium, soit par des électrons, soit par des trous, respectivement. Ces dispositifs comportent une couche de type P reliée à un premier électrode, la couche de type P étant recouverte d'une couche de type N reliée à un deuxième électrode. L'exposition de ces à des rayons électromagnétiques, par exemple à la lumière visible, provoque l'apparition d'une différence de potentiel entre les deux électrodes.
[0004] Un but de la présente invention est de proposer un dispositif photovoltaïque qui soit plus efficace. Un autre but de la présente invention est de proposer un procédé de fabrication d'une structure opto-électronique multicouche flexible pour un dispositif photovoltaïque qui soit facile à réaliser.
RÉSUMÉ DE L'INVENTION
[0005] Une structure opto-électronique multicouche flexible est proposé, la structure étant utilisable dans un dispositif photovoltaïque pour produire une tension électrique en présence d'un rayonnement électromagnétique.
[0006] Selon un premier aspect, une structure opto-électronique multicouche, flexible, sensiblement planaire est proposée. La structure opto-électronique comporte au moins une couche polymérique de substrat, une première couche conductrice, au moins une couche carbonée, une deuxième couche conductrice et au moins une couche polymérique de passivation. Selon un mode de réalisation, la couche carbonée comporte du graphène. Selon un mode de réalisation, la couche carbonée comporte des nanoparticules (par exemple 1nm - 100nm) de graphène, soit des nanotubes, soit des nano-sphères, soit des nano-fils de graphène. Selon un mode de réalisation, la couche carbonée comporte un réseau bidimensionnel de graphène.
[0007] Selon un autre mode de réalisation, la structure opto-électronique multicouche comporte deux couches de graphène, soit une couche de graphène dopé N et une couche de graphène dopé P.
[0008] Selon un autre aspect, un procédé pour la fabrication d'une structure opto-électronique multicouche flexible est proposé, le procédé comportant : dépôt d'une première couche métallique sur une première couche polymérique de substrat ; dépôt d'une première couche d'encre contenant du graphène sur la première couche métallique, préférablement par un procédé dit „slot die“ ; séchage de la couche d'encre, préférablement par l'irradiation par des rayons infrarouges ; dépôt d'une deuxième couche métallique sur la couche d'encre contenant du graphène ; et dépôt d'une première couche polymérique de passivation. Selon un mode de réalisation, le procédé comporte en outre une étape de collage d'une deuxième couche de substrat par-dessus la première couche polymérique de substrat et / ou une deuxième couche polymérique de passivation par-dessus la première couche polymérique de passivation.
DESCRIPTION SOMMAIRE DES DESSINS
[0009] Les caractéristiques de l'invention apparaitront plus clairement à la lecture de la description de plusieurs formes d'exécution données uniquement à titre d'exemple, nullement limitative en se référant aux figures schématiques, dans lesquelles : – La FIG. 1 montre les différentes couches présentes dans une structure opto-électronique multicouche flexible selon un mode de réalisation de la présente invention ; et – La FIG. 2 montre les différentes couches présentes dans une structure opto-électronique multicouche flexible selon un autre mode de réalisation ;
DESCRIPTION DÉTAILLÉE DE L'INVENTION
[0010] La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une structure opto-électronique multicouches flexible. La structure est sensiblement planaire, de préférence longiforme, s'étendant dans deux dimensions.
[0011] La structure peut comporter deux couches conductrices comprenant des tracées conductrices, autrement dit des électrodes.
[0012] Selon un mode de réalisation, la structure comporte une couche carbonée entre les deux électrodes. La couche carbonée peut être du graphène. Une interface entre le graphène et une électrode fait une barrière Schottky. Un rayonnement électromagnétique incident sur la structure provoque l'apparition d'une différence de potentiel entre les deux électrodes.
[0013] Les électrodes et les couches carbonées se trouvent en sandwich entre le substrat et la passivation. Selon un mode préféré de réalisation, la passivation et le substrat comportent chacun deux couches du polymère collées ensemble. La structure est donc étanche à l'air et à l'eau, électriquement isolante et résistante mécaniquement contre les griffures et / ou des coupures. Le substrat est collé une des couches métalliques par une couche adhérente (198, 298). La passivation est collée à l'autre couche métallique par une couche adhérente (198, 298). Selon un mode de réalisation, la couche adhérente (198, 298) comporte du carbone, du silicium, de l'oxygène et de l'hydrogène, préférablement du PDMS. Le PDMS est préférablement déposée par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma dans un environnement sous pression atmosphérique.
[0014] Selon un mode de réalisation, le polymère comporte un matériau polymère flexible, par exemple le polyéthylène téréphtalate (PET). D'autres polymères sont également possible, par exemple le polyéthylène (PE), le polypropylène (PP), le polychlorure de vinyle (PVC), le PVC souple (PVC-P), le polystyrène (PS), le polycarbonate (PC), le polyméthacrylate de méthyle (PMMA), le polyoxyméthylène (POM), le polytéréphtalate d'éthylène (PET), le polyester, le co-polyester, la polyétheréthercétone (PEEK), le polyamide, notamment le polyamide 6 (PA6), le polyamide 12 (PA12), le polyamide 10, le polyamide 610, le polyamide 66, le polyamide à base de constituants aliphatiques et cycloaliphatiques tels que notamment MACM12 ou le co-polyamide amorphe, de préférence à base de PA12, ou des copolymères ou mélanges de ceux-ci.
[0015] La couche métallisée peut comporter de l'aluminium, du cuivre, du tungsten, ou d'autres métaux. Le substrat peut être traité par un plasma pour améliorer l'adhésion.
Claims (15)
1. Structure opto-électrique multicouche (100, 200), flexible, sensiblement planaire, comportant :
un substrat (101, 201) comprenant au moins une couche polymérique de substrat (111, 211) ;
une première couche conductrice (140, 240) comprenant au moins une première électrode (145, 245) ;
au moins une couche carbonée (130, 230) ;
une deuxième couche conductrice (141, 241) comprenant au moins une deuxième électrode (146, 246) ; et
au moins une couche polymérique de passivation (121, 221).
2. Structure (100, 200) selon la revendication 1, dans laquelle la couche carbonée (130, 230) comporte du graphène.
3. Structure (100, 200) selon la revendication 2, dans laquelle la couche carbonée (130, 230) comporte des nanoparticules de graphène, soit des nanotubes, soit des nano-sphères, soit des nano-fils de graphène.
4. Structure (100, 200) selon la revendication 3, dans laquelle les nanoparticules graphène ont une taille d'entre 1nm et 100nm.
5. Structure (100, 200) selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans laquelle la couche carbonée (130, 200) comporte un réseau bidimensionnel de graphène.
6. Structure (200) selon l'une quelconque des revendications précédentes, la structure (200) comportant de surcroit une deuxième couche carbonée (230), la première couche carbonée (230) étant de type N ou P, la deuxième couche carbonée (231) étant de type P ou N, respectivement, la deuxième couche carbonée (231) étant en contact avec la première couche carbonée (230).
7. Structure (100, 200) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle le substrat (101, 201) et / ou la passivation (102, 202) sont collés à leurs couches métalliques (140, 141, 240, 241) respectives par une couche adhérente (198, 298) comportant du carbone, du silicium, de l'oxygène et de l'hydrogène.
8. Structure selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle le substrat (101, 201) comporte au moins deux couches polymériques de substrat (110, 111, 210, 211) collées par au moins une couche adhérente (198, 298) et / ou la passivation (102, 202) comporte au moins deux couches polymériques de passivation (120, 121, 220, 221) collés par au moins une couche adhérente (198, 298), les couches adhérentes (198, 298) comportant du carbone, du silicium, de l'oxygène et de l'hydrogène.
9. Structure (100, 200) selon la revendication 3, dans laquelle la couche adhérente (198, 298) comporte du polydiméthylsiloxane.
10. Dispositif photovoltaïque pour produire une tension électrique entre une deux bornes, le dispositif comprenant une structure opto-électronique multicouche flexible selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans laquelle les deux bornes sont la première électrode et la deuxième électrode.
11. Procédé de fabrication d'une structure opto-électronique multicouche flexible, le procédé comportant :
dépôt d'une première couche métallique sur une première couche polymérique de substrat ;
dépôt d'une couche d'encre contenant du graphène sur la première couche métallique ;
séchage de la couche d'encre ;
dépôt d'une deuxième couche métallique sur la couche d'encre contenant du graphène ; et
dépôt d'une première couche polymérique de passivation.
12. Procédé selon la revendication 11, dans lequel la couche d'encre est déposée par un procédé dit „slot die“.
13. Procédé selon l'une quelconque des revendications 11 ou 12, dans lequel la couche d'encre est séchée par irradiation par rayons infrarouges.
14. Procédé de fabrication de la structure selon la revendication 11, dans lequel les couches adhérentes (198, 298) sont déposées par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma dans un environnement sous pression atmosphérique.
15. Procédé selon l'une quelconque des revendications 11 à 14, comportant en outre : une étape de collage d'une deuxième couche de substrat par-dessus la première couche polymérique de substrat ; et / ou une étape de dépôt d'une deuxième couche polymérique de passivation par-dessus la première couche polymérique de passivation.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CH000437/2022A CH719603A1 (fr) | 2022-04-12 | 2022-04-12 | Structure opto-electronique multicouche flexible. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CH000437/2022A CH719603A1 (fr) | 2022-04-12 | 2022-04-12 | Structure opto-electronique multicouche flexible. |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CH719603A1 true CH719603A1 (fr) | 2023-10-31 |
Family
ID=88510748
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CH000437/2022A CH719603A1 (fr) | 2022-04-12 | 2022-04-12 | Structure opto-electronique multicouche flexible. |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CH (1) | CH719603A1 (fr) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0807980A2 (fr) * | 1996-05-17 | 1997-11-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Dispositif photovoltaique et procédé de fabrication |
WO2004086462A2 (fr) * | 2003-03-24 | 2004-10-07 | Konarka Technologies, Inc. | Cellule photovoltaique avec electrode a mailles |
WO2011062932A1 (fr) * | 2009-11-18 | 2011-05-26 | 3M Innovative Properties Company | Ensemble flexible et son procédé de fabrication et d'utilisation |
US20120098028A1 (en) * | 2010-10-22 | 2012-04-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photoelectric conversion element and manufacturing method thereof |
WO2012078517A1 (fr) * | 2010-12-06 | 2012-06-14 | Plextronics, Inc. | Encres pour structures de cellules solaires inversées |
US20180151763A1 (en) * | 2016-11-30 | 2018-05-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor devices including two-dimensional materials and methods of manufacturing the semiconductor devices |
-
2022
- 2022-04-12 CH CH000437/2022A patent/CH719603A1/fr unknown
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0807980A2 (fr) * | 1996-05-17 | 1997-11-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Dispositif photovoltaique et procédé de fabrication |
WO2004086462A2 (fr) * | 2003-03-24 | 2004-10-07 | Konarka Technologies, Inc. | Cellule photovoltaique avec electrode a mailles |
WO2011062932A1 (fr) * | 2009-11-18 | 2011-05-26 | 3M Innovative Properties Company | Ensemble flexible et son procédé de fabrication et d'utilisation |
US20120098028A1 (en) * | 2010-10-22 | 2012-04-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photoelectric conversion element and manufacturing method thereof |
WO2012078517A1 (fr) * | 2010-12-06 | 2012-06-14 | Plextronics, Inc. | Encres pour structures de cellules solaires inversées |
US20180151763A1 (en) * | 2016-11-30 | 2018-05-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor devices including two-dimensional materials and methods of manufacturing the semiconductor devices |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Chang et al. | High‐responsivity near‐infrared photodetector using gate‐modulated graphene/germanium Schottky junction | |
Cho et al. | Two-dimensional WSe2/MoS2 p–n heterojunction-based transparent photovoltaic cell and its performance enhancement by fluoropolymer passivation | |
US11764001B2 (en) | Perovskite solar cell configurations | |
Vazquez-Mena et al. | Performance enhancement of a graphene-zinc phosphide solar cell using the electric field-effect | |
CN104011891A (zh) | 电子隧穿装置和相关联的方法 | |
KR101895025B1 (ko) | 태양 전지 모듈 및 그의 제조 방법 | |
EP2828896A1 (fr) | Cellule photovoltaïque comportant une électrode de graphène-ferroélectrique | |
Dastgeer et al. | Black phosphorus-IGZO van der waals diode with low-resistivity metal contacts | |
EP0390523A2 (fr) | Elément optique utilisant une héterojonction moléculaire | |
CN108886070A (zh) | 半导体光检测元件 | |
WO2010010254A1 (fr) | Composants electroniques a encapsulation integree | |
Kim et al. | Large surface photovoltage of WS2/MoS2 and MoS2/WS2 vertical hetero-bilayers | |
US7968793B2 (en) | Solar cell | |
CH719603A1 (fr) | Structure opto-electronique multicouche flexible. | |
KR101598779B1 (ko) | 그래핀 핫 전자 나노 다이오드 | |
US20200358373A1 (en) | Triboelectricity based carrier extraction in optoelectronic devices and method | |
US20110215434A1 (en) | Thin-film photoelectric conversion device and method of manufacturing thin-film photoelectric conversion device | |
JP2012231142A (ja) | 太陽電池 | |
US20210184127A1 (en) | Process for producing electrode and process for producing photoelectric conversion device | |
US20150027532A1 (en) | Solar cell, solar cell module and method of manufacturing solar cell | |
US20130133715A1 (en) | Solar cell, and solar cell system | |
EP2188857A1 (fr) | Dispositif photovoltaïque comportant une couche intermédiaire non conductrice | |
CN115349179A (zh) | 透明电极及其制造方法、以及使用透明电极的电子器件 | |
Valaski et al. | Photovoltaic devices based on electrodeposited poly (3-methylthiophene) with tin oxide as the transparent electrode | |
JP2017147423A (ja) | ショットキー型デバイス |