CH678471A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
CH678471A5
CH678471A5 CH411988A CH411988A CH678471A5 CH 678471 A5 CH678471 A5 CH 678471A5 CH 411988 A CH411988 A CH 411988A CH 411988 A CH411988 A CH 411988A CH 678471 A5 CH678471 A5 CH 678471A5
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
piezoelectric oscillator
pressure
filler metal
base
sealed
Prior art date
Application number
CH411988A
Other languages
English (en)
Inventor
Tatsuo Ikeda
Hiroyuki Ogiso
Kazushige Ichinose
Original Assignee
Matsushima Kogyo Kk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2864087U external-priority patent/JPS63136422U/ja
Priority claimed from JP62224425A external-priority patent/JPH07105689B2/ja
Priority claimed from JP29356287A external-priority patent/JPH01135214A/ja
Priority claimed from JP29356087A external-priority patent/JPH01135212A/ja
Application filed by Matsushima Kogyo Kk filed Critical Matsushima Kogyo Kk
Publication of CH678471A5 publication Critical patent/CH678471A5/fr

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders; Supports
    • H03H9/10Mounting in enclosures
    • H03H9/1007Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
    • H03H9/1014Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device
    • H03H9/1021Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device the BAW device being of the cantilever type
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49596Oscillators in combination with lead-frames
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders; Supports
    • H03H9/0538Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
    • H03H9/0542Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a lateral arrangement
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders; Supports
    • H03H9/0538Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
    • H03H9/0547Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement
    • H03H9/0552Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement the device and the other elements being mounted on opposite sides of a common substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3025Electromagnetic shielding

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)

Description


  
 



  La présente invention concerne un oscillateur piézo-électrique scellé par pression, dans lequel une unité de quartz oscillateur est scellée dans un encapsulage à fermeture par pression; un oscillateur piézo-électrique enrobé de résine, dans lequel l'oscillateur piézo-électrique scellé par pression est enrobé de résine; un oscillateur piézo-électrique inséré dans un boîtier, l'oscillateur piézo-électrique scellé par pression étant inséré dans un boîtier séparé et un appareil à effet piézo-électrique oscillant, dans lequel l'oscillateur piézo-électrique scellé par pression, ainsi qu'un circuit intégré comprenant un circuit oscillant, sont scellés par de la résine. 



  Les méthodes de fixation conventionnelles d'un oscillateur piézo-électrique, représenté en fig. 15, sont des méthodes de fixation par agent adhésif 101 ou par brasage, le métal d'apport ayant un rapport Sn Pb de 6:4 ou 9:1. De plus, des méthodes de fixation par scellage sous pression dans lesquelles l'encapsulage est enduit de métal d'apport 102 ou doré par plaquage et les méthodes de soudage et soudage à froid sous pression sont également employées pour le scellage. En outre, un oscillateur piézo-électrique enrobé de résine est construit comme le montre la fig. 16.

  Cet oscillateur piézo-électrique est un oscillateur complet dans lequel une unité d'oscillateur piézo-électrique 103 est fixée au conducteur intérieur 105 de l'embase 104 par un agent adhésif tel qu'un agent de la série des polyamides, l'embase 104 et l'encapsulage 106 étant scellés par de l'or formant blindage 107, l'oscillateur piézo-électrique scellé par pression et le châssis conducteur  étant fixés par soudage. 



  La fig. 17 montre la construction d'un oscillateur piézo-électrique conventionnel dans laquelle un oscillateur piézo-électrique scellé par pression 109, décrit ci-dessus, un semi-conducteur 110 faisant osciller électriquement ledit oscillateur 109 et un châssis conducteur connectant électriquement l'oscillateur 109 au semi-conducteur 110 ont été enrobés par de la résine. 



  Cependant, lorsque les éléments de la technique antérieure cités ci-dessus sont utilisés en tant que parties selon la méthode SMT (Surface Mount Technology), la température de l'ensemble de ces éléments s'élève à 220-260 DEG C lorsqu'ils sont appliqués  sur  le  substrat,  et  le  métal  d'apport  de brasage contenant 40% ou moins de plomb de met à fondre. En plus de ce désavantage fondamental, ceci implique une détérioration des propriétés de l'oscillateur: une modification de la fréquence et de la valeur de la résistance équivalente de l'oscillateur piézo-électrique scellé par pression sont causés par des gaz organiques s'échappant du brasage. 



  L'objet de l'invention consiste, par conséquent, à résoudre les désavantages susmentionnés et de fournir un oscillateur piézo-électrique scellé amélioré, un oscillateur piézo-électrique enrobé de résine et un appareil à effet piézo-électrique oscillant, chacun ayant une résistance à la chaleur acceptable pour le montage SMT à 260 DEG C et, de plus, possédant d'excellentes propriétés de vieillissement à haute température. 



  Cet objet de l'invention est obtenu par un oscillateur piézo-électrique scellé par pression répondant aux caractéristiques de la revendication 1, une forme d'exécution particulière dudit oscillateur répondant aux caractéristiques de la revendication 2, alors que  leur procédé d'assemblage répond aux caractéristiques de la revendication 3, ainsi que par un dispositif oscillateur piézo-électrique enrobé de résine répondant aux caractéristiques de la revendication 4 et un dispositif oscillateur piézo-électrique inséré dans un boîtier répondant aux caractéristiques de la revendication 5, de même que par un dispositif à effet piézo-électrique répondant aux caractéristiques de la revendication 6, comportant une forme d'exécution particulière répondant aux caractéristiques de la revendication 7. 



  Le dessin représente différente formes d'exécution de l'invention, avec: 
 
   la fig. 1 montrant la structure d'un oscillateur piézo-électrique scellé par pression construit selon l'invention, 
   la fig. 2 étant un graphique montrant les caractéristiques d'un métal d'apport de brasage, 
   la fig. 3 montrant la structure d'un oscillateur piézo-électrique scellé par pression construit selon une forme d'exécution alternative de l'invention, 
   la fig. 4 montrant la structure d'un oscillateur piézo-électrique scellé par pression construit selon une autre forme d'exécution de l'invention, 
   la fig. 5 montrant la structure d'un oscillateur piézo-électrique enrobé de résine selon une autre forme d'exécution de l'invention, 
   la fig. 6 montrant une vue en perspective d'un oscillateur piézo-électrique enrobé de résine selon l'invention, 
   la fig.

   7 montrant la structure d'un oscillateur piézo-électrique enrobé de résine selon une forme d'exécution de l'invention, 
   la fig. 8 montrant la structure d'un oscillateur piézo-électrique enrobé de résine selon une forme d'exécution de l'invention, 
   la fig. 9 montrant une vue en perspective d'un  oscillateur piézo-électrique enrobé de résine selon une autre forme d'exécution de l'invention, 
   la fig. 10 montrant la structure d'un oscillateur piézo-électrique inséré dans un boîtier selon l'invention, 
   la fig. 11(a) montrant une vue en coupe d'un oscillateur piézo-électrique inséré dans un boîtier selon l'invention, 
   la fig. 11 (b) montrant une vue en coupe d'un oscillateur piézo-électrique inséré dans un boîtier construit selon une autre forme d'exécution de l'invention, 
   la fig.

   11 (c) montrant une vue en coupe d'un oscillateur piézo-électrique inséré dans un boîtier construit selon une autre forme d'exécution de l'invention, 
   la fig. 12 montrant une vue en perspective d'un appareil à effet piézo-électrique utilisant un oscillateur piézo-électrique scellé par pression, objet de l'invention, 
   la fig. 13 (a) montrant une vue en coupe d'un oscillateur piézo-électrique utilisant un oscillateur piézo-électrique scellé par pression, objet de l'invention, 
   la fig. 13 (b) montrant un oscillateur piézo-électrique construit en utilisant un oscillateur piézo-électrique scellé par pression, objet de l'invention, 
   la fig. 14 (a) montrant une vue en plan d'un oscillateur piézo-électrique, objet de l'invention, 
   la fig. 14 (b) montrant une vue en coupe d'un oscillateur piézo-électrique, objet de l'invention, 
   la fig.

   15 montrant une vue en coupe d'un oscillateur piézo-électrique scellé par pression conventionnel, 
   la fig. 16 montrant la structure d'un oscillateur piézo-électrique   enrobé   de   résine   conventionnel, 
   la fig. 17 montrant une vue  en coupe d'un oscillateur piézo-électrique conventionnel. 
 



  La fig. 1 montre la structure d'un oscillateur à quartz comme forme d'exécution d'un oscillateur piézo-électrique scellé par pression, de la présente invention. 



  Une unité d'oscillateur à quartz en forme de diapason 1, réalisée dans une plaque de quartz par photo-lithographie, est fixée au conducteur 3 de l'embase 2 dans laquelle le conducteur 3 est scellé à la bague métallique 7 par du verre, par le métal d'apport de brasage 4 à haute température de fusion appliqué par plaquage, et ayant un point de fusion de 260 DEG C et plus, et dont le rapport Sn:Pb est d'environ 1:9 comme montré par la fig. 2, graphique décrivant les caractéristiques du métal d'apport de brasage. De plus, un oscillateur à quartz est achevé lorsque l'encapsulage 6, enduit de métal de brasage 5 à haute température de fusion, est hermétiquement scellé par pressage, le diamètre de passage intérieur de l'encapsulage 6 enduit de métal de brasage 5 étant légèrement inférieur au diamètre extérieur sur la couche de métal d'apport 4 déposée sur l'embase 2.

  Alors que l'étain se craquelle ou casse parfois à de très basses températures, le métal d'apport de brasage, contenant une grande quantité de Pb, a une bonne résistance à la chaleur et est stable à de très basses températures. Une haute résistance à la chaleur et une efficacité d'opération sont requises pour le métal d'apport de brasage; ainsi, un métal d'apport de brasage à haute température contenant, en plus du Sn et du Pb, un troisième métal tel que l'Ag peut être employé. Généralement, une méthode de  plaquage par rotation est utilisée pour le plaquage du métal d'apport de brasage de l'embase scellée par pression, ainsi que pour l'encapsulage, de telle manière que le métal d'apport de  brasage adhère entièrement aux parties métalliques de l'embase 2 et de l'encapsulage 6.

  Les composants organiques, sous forme gazeuse, s'échappant du plaquage, entraînent une détérioration des propriétés, telle une adhésion du gaz à l'oscillateur ou un abaissement du degré de vide. La détérioration des propriétés est également présente lorsque la partie métallique n'est pas entièrement plaquée, mais que seulement la périphérie intérieure de l'encapsulage 6 est plaquée avec le métal d'apport de brasage, comme le montre la fig. 3. Par conséquent, un plaquage partiel, de telle manière que le métal d'apport de brasage à haute température 4 est appliqué à la partie de liaison de l'unité d'oscillateur à quartz 1 avec le conducteur 3, le métal d'apport de brasage à haute température 5 étant appliqué sur la partie de scellage de l'embase 2 avec l'encapsulage 6, est préférable.

  Si l'unité d'oscillateur à quartz 1 est scellée hermétiquement à haute température (température ambiante de 260 DEG C), dans le cas où la partie métallique de l'encapsulage et de l'embase est entièrement plaquée avec le métal d'apport du brasage, la valeur de la résistance équivalente augmente considérablement (100% et plus parfois), la fréquence d'oscillation se modifie beaucoup par le vieillissement allant parfois jusqu'à l'arrêt de l'oscillateur. En conséquence, avant et/ou lorsque l'embase 2 est hermétiquement pressée et scellée dans l'encapsulage 6, le gaz doit être évacué vers l'extérieur par étuvage. La température désirable pour un tel étuvage est indiquée à la fig. 2; il s'agit de la température indiquée entre la portion hachurée entourée par la courbe eutectique ab, la courbe liquidus ac et une ligne indiquant 90% du contenu de plomb. 



  Les composants organiques peuvent ainsi  s'échapper durant l'étuvage, limitant par conséquent l'augmentation de la valeur de la résistance équivalente à quelques pourcents. 



  De plus, lorsque la méthode de pressage est appliquée, le métal d'apport de brasage à haute température est plaqué sur au moins la partie de scellage de la face de l'encapsulage, afin que l'étanchéité à l'air soit maintenue, la bague métallique de l'embase pouvant également être plaquée avec du Ni ou du Cu. 



  La structure décrite ci-dessus peut être réalisée à l'aide d'une technique de fabrication similaire à la technique conventionnelle, tout en étant bon marché à fabriquer grâce à l'utilisation de matières peu coûteuses, permettant la production de masse et la miniaturisation des dimensions. L'application de la méthode de fusion du métal d'apport de brasage facilite aussi la production par rapport aux autres méthodes de fixation de l'unité d'oscillation. 



  Enfin, la production est également facilitée en appliquant le pressage, avec des matières peu coûteuses, en tant que méthode de scellage. 



  Vu que l'oscillateur à quartz conventionnel a une faible résistance à la chaleur, une méthode de montage similaire à celle appliquée en SMT, qui se répand rapidement, ne peut être appliquée. Cependant, un oscillateur à quartz scellé par pressions de la présente invention peut être monté avec des composants SMT. On peut affirmer que l'oscillateur à quartz ne subira aucune détérioration de ses propriétés à 260 DEG C, température de montage, et à 150 DEG C, température de préservation. 



  Cette forme d'exécution mentionne l'emploi d'une unité d'oscillateur à quartz conformée en diapason; d'autres types d'oscillateur piézo-électrique  ayant d'autres configurations et matières pouvant être utilisées telles qu'une unité rectangulaire d'oscillateur à quartz de coupe AT ou une unité d'oscillateur d'acide tantalique lithium, ne présentant pas de détérioration de leurs propriété de résistance à la chaleur. 



  L'oscillateur piézo-électrique enrobé de résine est fixé au châssis conducteur 10 par la fonte du métal d'apport de brasage du conducteur extérieur 9 de l'oscillateur piézo-électrique scellé par pression 8, comme le montre la fig. 5. Le soudage est plus que suffisant pour une adhésion solide. L'oscillateur piézo-électrique scellé par pression, enrobé dans de la résine, est achevé par un moulage intégral de ses constituants dans une résine epoxy ou phénol de la série 11. La fig. 6 est une vue en perspective montrant une structure selon laquelle le châssis conducteur sort de l'extrémité. Selon cette structure, le châssis conducteur est plié vers l'intérieur contre la base, ce qui est appelé un pliage en 5, mais le châssis conducteur peut aussi être plié vers l'extérieur, ce qui est appelé un "gullwing".

   Le châssis conducteur peut aussi être ramené sur les faces latérales, comme le montre la fig. 7, la fig. 8 étant une vue en perspective de la même exécution. Il est conseillé de marquer, comme par exemple en arrondissant les angles extérieurs du bloc de résine, afin de différencier le conducteur de l'oscillateur piézo-électrique des autres conducteurs. 



  La fig. 9 est une vue en perspective d'un oscillateur piézo-électrique enrobé de résine construit selon une autre forme d'exécution de l'invention. Celle-ci correspond à une unité pour montage en surface, le type à insertion de conducteur étant  également possible. 



  En ce qui concerne l'oscillateur piézo-électrique inséré dans un boîtier, selon la fig. 10, le boîtier rectangulaire 36 est fixé à la périphérie de l'oscillateur piézo-électrique scellé par pression, décrit ci-dessus, le conducteur 34 étant plié. Le boîtier rectangulaire 36, s'il est fait de métal, a une épaisseur de 0,05 mm à 1,5 mm; il peut être, de ce fait, facilement façonné à la presse par exemple. De plus, le boîtier rectangulaire 36 peut être également réalisé en résine. Il est fixé par soudage, agent adhésif ou par ajustage serré. La configuration du boîtier rectangulaire peut être un polygone, comme le montre la fig. 11. Le boîtier rectangulaire, lorsqu'il est réalisé en métal, peut constituer une mise à la terre. 



  Ensuite, selon la première forme d'exécution d'un appareil à effet piézo-électrique utilisant l'oscillateur piézo-électrique scellé par pression de l'invention, comme montré sur les fig. 12 et 13, l'oscillateur piézo-électrique scellé par pression 12 et le semi-conducteur 13 faisant osciller électriquement l'oscillateur 12 sont disposés sur un même plan, étant connectés électriquement, afin de former un circuit oscillatoire, par fonte du boudin du fil métallique fin 15 et du métal d'apport de brasage du conducteur extérieur 16 de l'oscillateur piézo-électrique scellé par pression 12 par l'intermédiaire du châssis conducteur 14. De plus, la résine 17 enrobe l'oscillateur piézo-électrique scellé par pression 12, le semi-conducteur 13, le châssis conducteur 14 et le fil métallique fin 15.

  Le châssis conducteur 14 n'étant pas assez rigide et le fil pouvant se rompre à l'occasion lorsque l'oscillateur piézo-électrique  scellé par pression 12 y est fixé, il est désirable que le conducteur 41 soit disposé sur la face opposée de l'emplacement du semi-conducteur 13 et proche du châssis extérieur 42 du châssis conducteur. 



  La seconde forme d'exécution de l'appareil à effet piézo-électrique est décrite en se référant aux fig. 14 (a) et 14 (b). L'oscillateur piézo-électrique scellé par pression 18 et le semi-conducteur 19 qui fait osciller électriquement l'oscillateur 18 sont disposés sur les surfaces supérieure et inférieure, respectivement, du châssis conducteur 20 et de l'éclisse 21 du châssis conducteur 20 auquel le semi-conducteur est fixé et disposé contre le flanc de l'oscillateur piézo-électrique 18, afin d'obtenir un contact avec l'oscillateur piézo-électrique scellé par pression 18, maintenant un espace isolé entre l'oscillateur piézo-électrique scellé 18 et le châssis conducteur 20. Ceci prévient, d'une part, une conduction électrique entre l'oscillateur piézo-électrique 18 et une pluralité de châssis conducteurs 20 et, d'autre part, un court-circuit entre les châssis conducteurs 20.

  Selon cette structure, la surface du circuit vaut la moitié de celle nécessaire lorsque l'oscillateur piézo-électrique et le semi-conducteur se trouvent sur un même plan, l'épaisseur valant la somme des épaisseurs minimales de chaque élément. 



  Pour terminer, l'ensemble comprenant l'oscillateur piézo-électrique 18, le semi-conducteur 19 et les châssis conducteurs 20 et 21 est moulé dans de la résine 22 résistant à la chaleur. 



  L'appareil à effet piézo-électrique selon la forme d'exécution décrite ci-dessus est réalisé de telle manière que la partie à laquelle l'unité  d'oscillateur est fixée par le métal d'apport de brasage, la partie de boudin entre le boîtier et l'embase et celle entre le conducteur de l'oscillateur piézo-électrique scellé par pression et le châssis conducteur ont une résistance à la chaleur de 260 DEG C et plus, de même que les autres éléments. 



  La configuration du corps terminé ainsi que celle des châssis conducteur, appelés "gullwing", ceci permet le montage à plat correspondant à la technique SMT, comme le montre la fig. 12. Il peut aussi être appliqué à une forme de conducteurs insérés et être utilisé comme une pièce insérée telle que celle du type DIP (dusl in-line package). 



  Il peut également être appliqué à une forme de conducteurs pliés en J pour le montage à plat comme variante. 



  Dans l'oscillateur piézo-électrique décrit dans la forme d'exécution susmentionnée, l'encapsulage et l'embase sont enrobés avec du métal d'apport de brasage comprenant 90% et plus de plomb, l'unité d'oscillateur piézo-électrique est fixée par la fusion du métal d'apport de brasage enrobant le conducteur intérieur de l'embase, et l'encapsulage et l'embase sont scellés hermétiquement, avec le métal d'apport de brasage formant blindage, par pression.

  Par conséquent, l'oscillateur piézo-électrique peut être fixé directement par le métal d'apport de brasage enrobant le conducteur sans utilisation d'agent adhésif, et l'encapsulage et l'embase peuvent être scellés par pression directement par le métal d'apport de brasage enrobé sur ces pièces, ce qui a pour effet de produire un oscillateur piézo-électrique scellé par pression offrant une résistance suffisante à la chaleur, bon marché en ce qui concerne les matières utilisées et la  méthode de production.

  De plus, puisque l'encapsulage et l'embase, auxquels l'unité d'oscillateur piézo-électrique est fixée par la fusion du métal d'apport de brasage, sont hermétiquement scellés par pression à la température de fusion du métal d'apport de brasage, on obtient un oscillateur piézo-électrique, ayant une valeur basse de résistance équivalente et des propriétés améliorées de vieillissement ainsi que de fiabilité. 



  De plus, se référant à l'oscillateur piézo-électrique enrobé de résine, objet de l'invention, l'encapsulage et l'embase sont enrobés avec du métal d'apport de brasage contenant 90% et plus de plomb, l'unité d'oscillateur piézo-électrique étant fixée par fusion du métal d'apport de brasage enrobant le conducteur intérieur de l'embase, et l'encapsulage et l'embase sont hermétiquement scellés avec le métal d'apport de brasage formant blindage par pression. De plus, le conducteur extérieur d'un tel oscillateur piézo-électrique scellé par pression est fixé au châssis conducteur, l'oscillateur piézo-électrique scellé par pression, ainsi que le châssis conducteur étant intégralement moulés dans de la résine. De ce fait, on obtient un oscillateur piézo-électrique bon marché, de grande qualité et de résistance à la chaleur suffisante, qui est, de plus, adapté au montage automatique. 



   Dans l'appareil à effet piézo-électrique oscillant de la présente invention, l'encapsulage et l'embase sont enrobés avec un métal d'apport de brasage comprenant 90% et plus de plomb, et le métal d'apport de brasage est utilisé comme matière permettant le montage d'une unité d'oscillateur et comme blindage hermétique, le conducteur de l'oscillateur  piézo-électrique est soudé à une couche métallique composée dans laquelle le conducteur métallique du châssis conducteur comprend 90% et plus de plomb, permettant à l'appareil à effet piézo-électrique oscillant d'avoir une résistance à la chaleur de 260 DEG C et plus. 



   De plus, l'oscillateur piézo-électrique scellé par pression et le semi-conducteur étant disposés sur les faces du châssis conducteur, et étant isolés en poussant l'éclisse du châssis conducteur, on obtient un oscillateur piézo-électrique de petites dimensions et ayant une bonne résistance à la chaleur. 

Claims (7)

1. Oscillateur piézo-électrique scellé par pression, caractérisé en ce qu'une partie de l'encapsulage (6), dans laquelle une embase (2) est engagée, est enrobée d'un métal d'apport de brasage (7) résistant à la chaleur et fixant hermétiquement l'encapsulage et l'embase par pression, une pièce de l'oscillateur piézo-électrique (1) étant fixée à un conducteur interne (3) passant à travers ladite embase.
2.
Oscillateur piézo-électrique scellé par pression selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'au moins une partie de l'encapsulage (6) et de l'embase (2) sont enrobés d'un métal d'apport de brasage (7) résistant à la chaleur et fixé hermétiquement l'un à l'autre par pression, ledit métal d'apport faisant office de blindage; au moins une partie du conducteur interne (3) traversant ladite embase est enrobée dudit métal d'apport de brasage résistant à la chaleur; une pièce de l'oscillateur piézo-électrique (1) et ledit conducteur interne étant fixés l'un à l'autre par ledit métal d'apport de brasage résistant à la chaleur.
3.
Procédé pour la réalisation d'un oscillateur piézo-électrique selon les revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que le métal d'apport de brasage résistant à la chaleur est un alliage contenant 90% ou plus de plomb, dont le dégazage est réalisé en maintenant ce dernier à l'état semi-fluide avant assemblage de l'encapsulage et de l'embase en un seul élément.
4. Dispositif oscillateur piézo-électrique enrobé de résine, comprenant un oscillateur piézo-électrique scellé par pression selon la revendication 1 ou 2 et obtenu par le procédé de la revendication 3, et un châssis conducteur (10) qui sont entièrement moulés dans de la résine (11).
5.
Dispositif oscillateur piézo-électrique inséré dans un boîtier, comprenant un oscillateur piézo-électrique scellé par pression selon la revendication 1 ou 2 et obtenu par le procédé de la revendication 3, fixé à un boîtier rectangulaire (36), d'une épaisseur de 0,05 à 1,5 mm, formé en plusieurs pans autour dudit oscillateur piézo-électrique scellé par pression, sauf sur sa partie conductrice.
6. Dispositif à effet piézo-électrique, comprenant un oscillateur piézo-électrique scellé par pression (12) selon la revendication 1 ou 2 et obtenu par le procédé de la revendication 3, un semi-conducteur (13) faisant osciller électriquement ledit oscillateur et un châssis conducteur (14), qui sont entièrement moulée dans la résine.
7.
Dispositif à effet piézo-électrique selon la revendication 6, caractérisé en ce que l'oscillateur piézo-électrique scellé par pression (12) et le semiconducteur (13) sont disposés chacun sur une face du châssis conducteur (14), le contact électrique étant assuré entre l'encapsulage dudit oscillateur piézo-électrique scellé par pression et ledit châssis. 1. Oscillateur piézo-électrique scellé par pression, caractérisé en ce qu'une partie de l'encapsulage (6), dans laquelle une embase (2) est engagée, est enrobée d'un métal d'apport de brasage (7) résistant à la chaleur et fixant hermétiquement l'encapsulage et l'embase par pression, une pièce de l'oscillateur piézo-électrique (1) étant fixée à un conducteur interne (3) passant à travers ladite embase. 2.
Oscillateur piézo-électrique scellé par pression selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'au moins une partie de l'encapsulage (6) et de l'embase (2) sont enrobés d'un métal d'apport de brasage (7) résistant à la chaleur et fixé hermétiquement l'un à l'autre par pression, ledit métal d'apport faisant office de blindage; au moins une partie du conducteur interne (3) traversant ladite embase est enrobée dudit métal d'apport de brasage résistant à la chaleur; une pièce de l'oscillateur piézo-électrique (1) et ledit conducteur interne étant fixés l'un à l'autre par ledit métal d'apport de brasage résistant à la chaleur. 3.
Procédé pour la réalisation d'un oscillateur piézo-électrique selon les revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que le métal d'apport de brasage résistant à la chaleur est un alliage contenant 90% ou plus de plomb, dont le dégazage est réalisé en maintenant ce dernier à l'état semi-fluide avant assemblage de l'encapsulage et de l'embase en un seul élément. 4. Dispositif oscillateur piézo-électrique enrobé de résine, comprenant un oscillateur piézo-électrique scellé par pression selon la revendication 1 ou 2 et obtenu par le procédé de la revendication 3, et un châssis conducteur (10) qui sont entièrement moulés dans de la résine (11). 5.
Dispositif oscillateur piézo-électrique inséré dans un boîtier, comprenant un oscillateur piézo-électrique scellé par pression selon la revendication 1 ou 2 et obtenu par le procédé de la revendication 3, fixé à un boîtier rectangulaire (36), d'une épaisseur de 0,05 à 1,5 mm, formé en plusieurs pans autour dudit oscillateur piézo-électrique scellé par pression, sauf sur sa partie conductrice. 6. Dispositif à effet piézo-électrique, comprenant un oscillateur piézo-électrique scellé par pression (12) selon la revendication 1 ou 2 et obtenu par le procédé de la revendication 3, un semi-conducteur (13) faisant osciller électriquement ledit oscillateur et un châssis conducteur (14), qui sont entièrement moulée dans la résine. 7.
Dispositif à effet piézo-électrique selon la revendication 6, caractérisé en ce que l'oscillateur piézo-électrique scellé par pression (12) et le semiconducteur (13) sont disposés chacun sur une face du châssis conducteur (14), le contact électrique étant assuré entre l'encapsulage dudit oscillateur piézo-électrique scellé par pression et ledit châssis.
CH411988A 1987-02-27 1988-02-19 CH678471A5 (fr)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2864087U JPS63136422U (fr) 1987-02-27 1987-02-27
JP62224425A JPH07105689B2 (ja) 1987-09-08 1987-09-08 圧電振動子
JP29356287A JPH01135214A (ja) 1987-11-20 1987-11-20 圧電発振器
JP29356087A JPH01135212A (ja) 1987-11-20 1987-11-20 圧電振動子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH678471A5 true CH678471A5 (fr) 1991-09-13

Family

ID=27458921

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH411988A CH678471A5 (fr) 1987-02-27 1988-02-19

Country Status (2)

Country Link
CH (1) CH678471A5 (fr)
WO (1) WO1988006818A1 (fr)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5265316A (en) * 1987-02-27 1993-11-30 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing a pressure seal type piezoelectric oscillator
US5325574A (en) * 1987-02-27 1994-07-05 Seiko Epson Corporation Method of forming a quartz oscillator temperature sensor
US5392006A (en) * 1987-02-27 1995-02-21 Seiko Epson Corporation Pressure seal type piezoelectric resonator
US5592130A (en) * 1987-02-27 1997-01-07 Seiko Epson Corporation Piezoelectric oscillator including a piezoelectric resonator with outer lead
US5607236A (en) * 1987-02-27 1997-03-04 Seiko Epson Corporation Quartz oscillator temperature sensor
EP0778666A1 (fr) * 1995-12-28 1997-06-11 Eta SA Fabriques d'Ebauches Résonateur piézoélectrique

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0575376A (ja) * 1991-09-13 1993-03-26 Murata Mfg Co Ltd 圧電音叉型共振子

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5435870U (fr) * 1977-08-15 1979-03-08
JPS5443490A (en) * 1977-09-12 1979-04-06 Seiko Epson Corp Support method for piezoelectric oscillator
JPS6324657Y2 (fr) * 1980-04-22 1988-07-06
JPS57112119A (en) * 1980-12-29 1982-07-13 Seiko Epson Corp Method for holding quartz oscillator
JPS58168317A (ja) * 1982-03-29 1983-10-04 Nec Home Electronics Ltd 圧入型キヤツプおよびその製造方法
JPS5936410A (ja) * 1982-08-24 1984-02-28 Matsushima Kogyo Co Ltd 圧電振動子

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5265316A (en) * 1987-02-27 1993-11-30 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing a pressure seal type piezoelectric oscillator
US5325574A (en) * 1987-02-27 1994-07-05 Seiko Epson Corporation Method of forming a quartz oscillator temperature sensor
US5392006A (en) * 1987-02-27 1995-02-21 Seiko Epson Corporation Pressure seal type piezoelectric resonator
US5504460A (en) * 1987-02-27 1996-04-02 Seiko Epson Corporation Pressure seal type piezoelectric resonator
US5541557A (en) * 1987-02-27 1996-07-30 Seiko Epson Corporation Resin mold type piezoelectric resonator and resin mold type piezoelectric oscillator
US5592130A (en) * 1987-02-27 1997-01-07 Seiko Epson Corporation Piezoelectric oscillator including a piezoelectric resonator with outer lead
US5607236A (en) * 1987-02-27 1997-03-04 Seiko Epson Corporation Quartz oscillator temperature sensor
EP0778666A1 (fr) * 1995-12-28 1997-06-11 Eta SA Fabriques d'Ebauches Résonateur piézoélectrique
FR2743225A1 (fr) * 1995-12-28 1997-07-04 Ebauchesfabrik Eta Ag Resonateur piezoelectrique

Also Published As

Publication number Publication date
WO1988006818A1 (fr) 1988-09-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0156146B1 (fr) Oscillateur piézo-électrique
CH669865A5 (fr)
US20070108634A1 (en) Packaged electronic element and method of producing electronic element package
CH633394A5 (fr) Resonateur piezoelectrique travaillant en cisaillement d'epaisseur.
CH678471A5 (fr)
US4985655A (en) Crystal header package
EP2507825B1 (fr) Procede d'assemblage hermetique d'un boîtier electronique hermetique
US5504460A (en) Pressure seal type piezoelectric resonator
US5265316A (en) Method of manufacturing a pressure seal type piezoelectric oscillator
EP0172769B1 (fr) Boîtier à fermeture à froid supportant les hautes températures
FR2769100A1 (fr) Boitier pour dispositif photosemi-conducteur
EP0114760B1 (fr) Boîtier à dissipation thermique élevée, notamment pour microélectronique
EP0778666B1 (fr) Résonateur piézoélectrique
EP0779775B1 (fr) Assemblage électronique à drain thermique, notamment pour transformateur haute tension de lampe à décharge de projecteur de véhicule automobile
WO2006077974A1 (fr) Plaque de fermeture et procede pour la produire
EP0018250A1 (fr) Boîtier d'encapsulation pour composant électronique, et composant comportant un tel boîtier
FR2680942A1 (fr) Procede de fermeture par laser de boitiers de circuit electroniques notamment hybrides minimisant les contraintes mecaniques.
CH633921A5 (fr) Resonateur piezoelectrique a diapason.
FR2482784A1 (fr) Procede de realisation de boitiers pour composant electronique
CH703289A2 (fr) Dispositif d'encapsulage pour MEMS.
JP3898521B2 (ja) 光半導体素子収納用パッケージ
JP5799811B2 (ja) リード型圧電振動デバイス
BE441107A (fr)
FR3139411A1 (fr) Boîtier de circuit integre
JP3502756B2 (ja) 光半導体素子収納用パッケージ

Legal Events

Date Code Title Description
PL Patent ceased