Claims (4)
PATENTANSPRÜCHE
1. Bestrahlungsanordnung für diathermisch wirksame Infrarot A-Strahlungsfelder, dadurch gekennzeichnet, dass zur Erzeugung von Infrarot A-Strahlungsfeldern im Wellenlängenbereich von 800-1200 nm eine Anzahl von Einzel strahlern (1), die aus optoelektronischen Halbleitern bestehen, angeordnet sind und deren Infrarot A- Strahlungsleistung ohne Veränderung der Wellenlängen durch Zu- und Abschalten von Einzelstrahlern, oder von Gruppen von Einzelstrahlern variiert wird.
PATENT CLAIMS
1. Irradiation arrangement for diathermically active infrared A radiation fields, characterized in that a number of individual radiators (1), which consist of optoelectronic semiconductors, are arranged and their infrared A for generating infrared A radiation fields in the wavelength range of 800-1200 nm - Radiant power is varied without changing the wavelengths by switching individual emitters or groups of individual emitters on and off.
2. Bestrahlungsanordnung nach Patentanspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Einzelstrahler nach Art der integrierten Schaltkreise als Chips mit vielen Einzelstrahlern angeordnet sind.
2. Irradiation arrangement according to claim 1, characterized in that the individual emitters are arranged in the manner of integrated circuits as chips with many individual emitters.
3. Bestrahlungsanordnung nach einem der Patentansprüche 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Einzelstrahler oder Chips, an oder in den entsprechenden Trägerkörpern (1) derart angeordnet sind, dass gewollt variierbare Infrarot A-Strahlungsfelder herstellbar sind.
3. Irradiation arrangement according to one of claims 1 and 2, characterized in that the individual emitters or chips, on or in the corresponding carrier bodies (1) are arranged such that deliberately variable infrared A radiation fields can be produced.
Die Erfindung bezieht sich auf eine Bestrahlungsanordnung für diathermisch wirksame Infrarot A-Strahlungsfelder mit optoelektronischen Halbleitern.
The invention relates to an irradiation arrangement for diathermally active infrared A radiation fields with optoelectronic semiconductors.
Infrarot A-Strahlen sind elektromagnetische Strahlen im Bereich von 800 bis 1200 nm, die sich spektral direkt an den Bereich des sichtbaren Lichtes anschliessen. Nach dem heutigen Stand der Technik werden Infrarot A-Strahlen durch Xenonlampen, sowie durch Ausfiltern des kurzwelligeren und des langwelligeren Bereiches aus dem Spektrum von Glühlampen erzeugt. Beide Techniken haben artspezifische und gemeinsame Nachteile. Diese sind durch relativ hohe Fremdwellenanteile gekennzeichnet, welche bereits in der Haut absorbiert werden und die zu teilweise erheblicher Hauterwärmung führen, sowie durch fehlende Regelbarkeit der Strahlungstechnik gekennzeichnet sind, da bei einer gleichwie gearteten Regelung das Spektrum verändert wird und eine Kontrolle der spektralen Veränderung und deren Kompensation in der praktischen Anwendung nicht möglich ist.
Infrared A rays are electromagnetic rays in the range from 800 to 1200 nm, which are spectrally directly connected to the range of visible light. According to the current state of the art, infrared A rays are generated by xenon lamps, and by filtering out the short-wave and long-wave areas from the spectrum of incandescent lamps. Both techniques have specific and common disadvantages. These are characterized by a relatively high proportion of extraneous waves, which are already absorbed in the skin and which sometimes lead to considerable skin warming, and are characterized by the lack of controllability of the radiation technology, since with a similar type of regulation the spectrum is changed and a control of the spectral change and its Compensation in practical application is not possible.
Aufgabe der Erfindung ist es, die vorgenannten Nachteile zu beseitigen und die Bestrahlungsanordnung von Infrarot A-Strahlungsfeldern zu ermöglichen, die auch bei Ver änderung der Strahlungsintensität im Bereich von 800 bis
1200 nm bleiben und wobei die Einzelstrahler oder Chips an oder in den entsprechenden Trägerkörpern derart angeordnet sind, dass gewollt variierbare Infrarot A- Strahlungsfelder herstellbar sind, die sowohl eine Punktbestrahlung, als auch eine Grossflächenbestrahlung, sowie eine Grossraumbestrahlung ganzer Körperteile wie Arme und Beine zulassen.
The object of the invention is to eliminate the abovementioned disadvantages and to enable the irradiation arrangement of infrared A radiation fields, which also change in the radiation intensity in the range from 800 to
1200 nm remain and the individual emitters or chips are arranged on or in the corresponding carrier bodies in such a way that deliberately variable infrared A radiation fields can be produced, which allow both spot radiation and large area radiation, as well as large area radiation of entire body parts such as arms and legs.
Zur Lösung dieser Aufgabe sieht die Erfindung eine Bestrahlungsanordnung für diathermisch wirksame Infrarot A Strahlungsfelder vor, im Wellenlängenbereich von 800 bis 1200 nm eine Anzahl von Einzelstrahlern, die aus optoelektronischen Halbleitern bestehen, deren Infrarot A-Strahlungsleistungen ohne Veränderung der Wellenlängen durch Zu- und Abschalten von Einzelstrahlern oder von Gruppen von Einzelstrahlern variiert wird.
To achieve this object, the invention provides an irradiation arrangement for diathermally active infrared A radiation fields, in the wavelength range from 800 to 1200 nm, a number of individual emitters which consist of optoelectronic semiconductors whose infrared A radiation powers without changing the wavelengths by switching on and off Individual radiators or groups of individual radiators is varied.
Die Zahl der Einzelstrahler ist abhängig von der geforderten maximalen Strahlungsintensität. Die Einzelstrahler können aus direkten Bauelementen bestehen, oder in der Art der integrierten Schaltkreise auf grossflächigen Chips aufge- bracht sein. Die Wirkungsweise sei am Beispiel einer hohlspiegelförmigen Anordnung erläutert. Die Einzelstrahler werden in einem hohlspiegelförmigen Trägerkörper in zentrischen Ringen so angeordnet, dass der von ihnen ausgesandte Mittelstrahl durch den theoretischen Brennpunkt des hohispiegelförmigen Trägerkörpers geht. Die von den Einzelstrahlern abgestrahlte Infrarot A-Leistung addiert sich im Brennpunkt zur Gesamtleistung.
The number of individual emitters depends on the maximum radiation intensity required. The individual emitters can consist of direct components or can be applied to large-area chips in the manner of the integrated circuits. The mode of operation will be explained using the example of a concave mirror arrangement. The individual radiators are arranged in a hollow mirror-shaped carrier body in central rings so that the center beam emitted by them passes through the theoretical focal point of the hollow mirror-shaped carrier body. The infrared A power emitted by the individual radiators is added to the total power at the focal point.
Durch Zu- und Abschalten von Einzeistrahlern oder Gruppen von diesen kann die Strahlungsintensität den diathermischen Bedürfnissen angepasst werden, ohne dass die Wellenlängen verändert werden, da die eingeschalteten Strahler mit unveränderter Wellenlänge strahlen. In weiterer Ausgestaltung der Erfindung kann vorgesehen werden, dass die Einzelstrahler oder Chips auf der Innenseite einer rohrförmigen Halbschale so angeordnet sind, dass die Mittelstrahlen der Einzelstrahler durch die theoretische Brennlinie der Halbschale gehen Ein in dieses Strahlungsfeld gelegter Körperteil, ein Arm oder ein Bein, wird dann von den Infrarot A-Strahlen voll durchdrungen.
By switching single emitters or groups of them on and off, the radiation intensity can be adapted to the diathermic requirements without changing the wavelengths, since the switched on emitters emit an unchanged wavelength. In a further embodiment of the invention it can be provided that the individual emitters or chips are arranged on the inside of a tubular half-shell in such a way that the central rays of the individual emitters pass through the theoretical focal line of the half-shell. A body part, an arm or a leg, placed in this radiation field becomes then fully penetrated by the infrared A rays.
Auch bei dieser Anordnung kann durch Zu- und Abschalten von Einzelstrahlern oder Einzelstrahlergruppen die Strahlungsintensität den diathermischen Bedürfnissen ohne Wellenlängenveränderung angepasst werden. Es kann in einer anderen Ausgestaltung der Erfindung vorgesehen sein, dass die Einzelstrahler oder Chips grossflächig auf einen ebenen Trägerkörper aufgebracht werden, welcher so auf den Körper eines Patienten gelegt wird, oder auf den der Patient so gelegt wird, dass die Infrarot A-Strahlen in einer gewünschten Richtung in den Körper eindringen. Auch bei dieser Ausgestaltung der Erfindung kann die Strahlungsintensität durch Zu- und Abschalten von Einzelstrahlern oder Einzelstrahlergruppen den diathermischen Bedürfnissen angepasst werden, ohne eine Veränderung der Wellenlängen hinnehmen zu müssen.
With this arrangement, too, the radiation intensity can be adapted to the diathermic requirements without changing the wavelength by switching individual radiators or individual radiator groups on and off. In another embodiment of the invention it can be provided that the individual emitters or chips are applied over a large area to a flat carrier body, which is placed on the body of a patient, or on which the patient is placed so that the infrared A rays in penetrate the body in a desired direction. In this embodiment of the invention, too, the radiation intensity can be adapted to the diathermic requirements by switching individual radiators or individual radiator groups on and off, without having to accept a change in the wavelengths.
In den Abbildungen sind zwei Bestrahlungsanordnungen der Erfindung erörtert.
Two radiation arrangements of the invention are discussed in the figures.
Es zeigen:
Fig. 1 den Längsschnitt durch einen hohlspiegelähnlichen Trägerkörper, der mit Einzelstrahlern bestückt ist,
Fig. 2 den Querschnitt durch einen halbschalenähnlichen Trägerkörper, der mit Einzelstrahlern bestückt ist.
Show it:
1 shows the longitudinal section through a carrier body similar to a concave mirror, which is equipped with individual radiators,
Fig. 2 shows the cross section through a half-shell-like carrier body which is equipped with individual radiators.
Nach der Erfindung wird zur Bestrahlungsanordnung wirksamer Infrarot A-Strahlungsfelder eine grosse Anzahl von Einzelstrahlern 1, deren Strahlen 3 ausschliesslich in Wellenlängen von 800 bis 1200 nm liegen, verwendet. Die Anzahl der Einzelstrahler list abhängig von der gewünschten Strahlungsintensität. In weiterer Ausgestaltung der Erfindung können die Einzelstrahler 1 auch nach Art von integrierten Schaltkreisen in Form von Chips aufgebaut sein, die dann der Form der jeweiligen Trägerkörper 2 angepasst werden. Die Einzelstrahler 1 oder Chips sind an oder in dem Trägerkörper 2 so angebracht, dass die Austrittseite der Strahlen 3 immer die gleiche Richtung hat. Die Form des Trägerkörpers 2 ist damit bestimmend für die Verteilung der Strahlen 3 in dem jeweiligen Strahlungsfeld.
According to the invention, a large number of individual radiators 1, the rays 3 of which are exclusively in wavelengths of 800 to 1200 nm, are used for the radiation arrangement of active infrared A radiation fields. The number of individual emitters depends on the desired radiation intensity. In a further embodiment of the invention, the individual radiators 1 can also be constructed in the form of chips in the manner of integrated circuits, which are then adapted to the shape of the respective carrier bodies 2. The individual emitters 1 or chips are attached to or in the carrier body 2 such that the exit side of the beams 3 always has the same direction. The shape of the carrier body 2 is thus decisive for the distribution of the beams 3 in the respective radiation field.
Bei Anordnung der Einzelstrahler 1 oder Chips an oder in einem Trägerkörper gemäss der Fig. 1, addiert sich die Infrarotstrahlungsleistung der Einzelstrahler 1 im Brennpunkt If the individual radiators 1 or chips are arranged on or in a carrier body according to FIG. 1, the infrared radiation power of the individual radiators 1 is added at the focal point
4. Die Intensität der Infrarotstrahlung kann den diathermischen Bedürfnissen angepasst werden durch Zu- und Abschalten von Einzelstrahlern 1 oder von Gruppen der Einzelstrahler 1, ohne dass eine Veränderung der Wellenlängen eintritt, da die eingeschalteten Einzelstrahler 1 immer mit der gleichen Wellenlänge strahlen. Bei Anordnung der Einzelstrahler 1 nach Fig. 2, treffen sich die Strahlen 3 der Einzelstrahler 1 in einer Brennebene 5, deren Länge von der mit Einzelstrahlern 1 oder Chips besetzten Länge des Trägerkörpers 2 bestimmt wird.
4. The intensity of the infrared radiation can be adapted to the diathermic requirements by switching individual radiators 1 or groups of the individual radiators 1 on and off without a change in the wavelengths, since the switched-on individual radiators 1 always radiate with the same wavelength. 2, the beams 3 of the individual radiators 1 meet in a focal plane 5, the length of which is determined by the length of the carrier body 2 occupied by individual radiators 1 or chips.
Auch in diesem Falle kann die Intensität der Infrarotstrahlung durch Zu- und Abschalten von Einzelstrahlern 1 oder von Gruppen der Einzelstrahler 1 ohne Änderung der Wellenlängen den diathermischen Bedürfnissen angepasst werden.
**WARNUNG** Ende CLMS Feld konnte Anfang DESC uberlappen**.
In this case too, the intensity of the infrared radiation can be adapted to the diathermic requirements by switching individual emitters 1 or groups of individual emitters 1 on and off without changing the wavelengths.
** WARNING ** End of CLMS field could overlap beginning of DESC **.