CH619085A5 - Transistor amplifier with high internal resistance - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft einen Transistorverstärker mit hohem Innenwiderstand. The invention relates to a transistor amplifier with high internal resistance.

Zur Signalverstärkung werden vorwiegend Transistoren bestückte Verstärker eingesetzt. In vielen Anwendungsfällen ist der Lastwiderstand wesentlich kleiner als der Innenwiderstand des Transistorverstärkers, so dass Änderungen des Innenwiderstandes des Verstärkers ohne Einfluss auf den Betrieb der angeschlossenen Verbraucher bleiben. Es sind jedoch auch einige Anwendungsfälle bekannt, wo der Innenwiderstand der Verstärkerschaltung sich nachteilig auswirkt, insbesondere, wenn er zeitlich nicht konstant ist. So werden beispielsweise in Fernmeldeanlagen Tonfrequenzsignale mit Spannungen in der Grössenordnung einiger Volt übertragen, denen bisweilen ein Gleichstrom von 50 mA und mehr überlagert ist. Werden diese Signale von Transistoren verstärkt, so sind, wenn keine besonderen Massnahmen getroffen werden, ihre Eingangs- und Ausgangswiderstände relativ niedrig gegenüber den in der Fernmeldetechnik üblichen Anpassungswiderständen, die in der Transistors equipped with transistors are mainly used for signal amplification. In many applications, the load resistance is significantly lower than the internal resistance of the transistor amplifier, so that changes in the internal resistance of the amplifier have no influence on the operation of the connected consumers. However, some applications are also known where the internal resistance of the amplifier circuit has a disadvantageous effect, in particular if it is not constant over time. In telecommunications systems, for example, audio frequency signals with voltages of the order of a few volts are transmitted, to which a direct current of 50 mA and more is sometimes superimposed. If these signals are amplified by transistors, then, if no special measures are taken, their input and output resistances are relatively low compared to the matching resistances customary in telecommunications technology, which in the

Grössenordnung von 600 bis 900 £2 liegen. Die Ursache hierfür ist, dass sowohl der zwischen Basis und Emitter messbare Eingangswiderstand als auch der zwischen Kollektor und Emitter messbare Ausgangswiderstand eines Transistors umgekehrt proportional zu seinem Emitterstrom sind. Ranges from £ 600 to £ 900. The reason for this is that both the input resistance measurable between the base and emitter and the output resistance of a transistor measurable between the collector and emitter are inversely proportional to its emitter current.

Ein in die Emitterzuleitung eines Transistors geschalteter, als Stromgegenkopplung wirkender Emitterwiderstand erhöht zwar den Eingangswiderstand des Transistors, hat jedoch auf den Ausgangswiderstand nur einen unwesentlichen Einfluss. Ursache für den niedrigen Ausgangswiderstand ist die innere Rückwirkung zwischen Kollektor und Basis des Transistors. An emitter resistor connected in the emitter lead of a transistor and acting as a current negative feedback increases the input resistance of the transistor, but has only an insignificant influence on the output resistance. The reason for the low output resistance is the internal reaction between the collector and the base of the transistor.

Aus der Hochfrequenztechnik ist es bekannt, zur Neutralisation des Rückwirkungswiderstandes zwischen Kollektor und Basis eine vom Ausgangsübertrager (Hochfrequenzkreis, Bandfilter) der Kollektorspannung entgegengesetzt gerichtete Rückkkopplungsspannung über im Sinne einer Kompensation des Rückwirkungswiderstandes wirkende, meist komplexe Impedanz an die Basis des betreffenden Transistors zurückzuführen. Der bei Hochfrequenzschaltungen erforderliche Transformator ist relativ klein und unaufwendig und ohnehin erforderlich, so dass diese Neutralisation ohne wesentlichen zusätzlichen Aufwand erfolgen kann. Diese bekannte Neutralisation ist aber nur in einem engen Frequenzbereich wirksam und hat die Aufgabe, den Eingangskreis einer HF-Transistorstufe vom Ausgangskreis zu entkoppeln. From high-frequency technology, it is known to neutralize the reaction resistance between the collector and the base by feeding a feedback voltage, which is directed in the opposite direction from the output transformer (high-frequency circuit, band filter) of the collector voltage, to the base of the transistor in question by means of a mostly complex impedance which acts in the sense of compensation of the reaction resistance. The transformer required for high-frequency circuits is relatively small and inexpensive and is required anyway, so that this neutralization can be carried out without any significant additional effort. However, this known neutralization is only effective in a narrow frequency range and has the task of decoupling the input circuit of an RF transistor stage from the output circuit.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Transistorverstärker für niederfrequente Signalspannungen mit möglichst hohem Innenwiderstand anzugeben, der auch ohne grossen Aufwand in integrierter Technik realisierbar ist. The invention has for its object to provide a transistor amplifier for low-frequency signal voltages with the highest possible internal resistance, which can be implemented in integrated technology without great effort.

Die Aufgabe wird dadurch gelöst, dass bei einem Transistorverstärker eine vom Ausgang über einen Umkehrverstärker mit definierter Verstärkung abgeleitete Mitkopplung, die die Wirkung einer im Inneren des Transistorverstärkers liegenden, den Innenwiderstand des Transistorverstärkers herabsetzende Rückwirkung im wesentlichen kompensiert. The object is achieved in that in the case of a transistor amplifier a positive feedback derived from the output via a reversing amplifier with a defined gain, which essentially compensates for the effect of a reaction lying inside the transistor amplifier and reducing the internal resistance of the transistor amplifier.

Durch die erfindungsgemässe Lösung ist es nunmehr möglich, Transistorverstärker mit hohem Innenwiderstand zu bauen, deren Innenwiderstand mindestens im gesamten Niederfrequenzbereich auch bei grösseren Kollektorstromänderungen nahezu konstant bleibt und deren Schaltung sich in einfacher Weise in integrierter Technik realisieren lässt. With the solution according to the invention, it is now possible to build transistor amplifiers with a high internal resistance, the internal resistance of which remains almost constant at least in the entire low-frequency range, even with larger changes in the collector current, and whose switching can be implemented in a simple manner using integrated technology.

Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind in den abhängigen Patentansprüchen angegeben. Advantageous refinements and developments of the invention are specified in the dependent claims.

Als Umkehrverstärker ist eine über einen Rückführwiderstand am Ausgang des Verstärkers angeschlossene an sich bekannte Stromspiegelschaltung bezüglich Phasengang und Integration besonders günstig. As a reversing amplifier, a current mirror circuit known per se connected via a feedback resistor at the output of the amplifier is particularly favorable with regard to phase response and integration.

Eine verhältnismässig unaufwendige Stromspiegelschaltung enthält einen ersten und zweiten Transistor. Die Basis und der Kollektor des ersten Transistors sind zum einen mit dem Rückführwiderstand und zum anderen mit der Basis des zweiten Transistors verbunden. Der Kollektor des zweiten Transistors ist mit einem gegenüber der Ausgangswechselspannung des Transistorverstärkers entgegengesetzten Phasenlage aufweisenden, auf niedrigerem Wechselspannungspotential liegenden Anschluss des Transistorverstärkers verbunden und die Emitter der ersten und zweiten Transistoren liegen jeweils direkt oder über einen Widerstand auf dem für den auf niedrigerem Wechselspannungspotential liegenden Anschluss geltenden Bezugspotential. A relatively inexpensive current mirror circuit contains a first and a second transistor. The base and the collector of the first transistor are connected on the one hand to the feedback resistor and on the other hand to the base of the second transistor. The collector of the second transistor is connected to a connection of the transistor amplifier which is opposite the output AC voltage of the transistor amplifier and has a lower AC voltage potential, and the emitters of the first and second transistors are in each case directly or via a resistor on the connection which is valid for the lower AC voltage potential Reference potential.

Da der Innenwiderstand eines Transistorverstärkers Exemplarstreuungen unterworfen ist, der Transistorverstärker auch für unterschiedliche Anwendungen vorgesehen sein kann, ist es vorteilhaft, den Rückführwiderstand abgleichbar auszubilden. Dadurch lässt sich der Rückwirkungswiderstand zwischen Kollektor und Basis im Innern des Transistors nicht nur exakt kompensieren, sondern auch, wenn es zweckmässig erscheint, über2 Since the internal resistance of a transistor amplifier is subject to sample variations, the transistor amplifier can also be provided for different applications, it is advantageous to make the feedback resistor adjustable. As a result, the reaction resistance between the collector and the base inside the transistor can not only be compensated exactly, but also, if it appears appropriate, over 2

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kompensieren. compensate.

In manchen Transistorverstärkern wird es zweckmässig sein, den Rückführwiderstand fest und damit nicht abgleichbar in den Verstärker einzubauen. Das kann zum Beispiel in integrierten Schaltungen der Fall sein. Dann ist aber damit zu rechnen, dass der Innenwiderstand des Transistorverstärkers unter Umständen negative Werte aufweist. In dieser Ausgestaltung des Verstärkers ist es vorteilhaft, den gewünschten Innenwiderstand durch eine vom Ausgang des Transistorverstärkers abgeleitete abgleichbare Gegenkopplung durchzuführen. In some transistor amplifiers, it will be expedient to install the feedback resistor in the amplifier in a fixed and thus not matchable manner. This can be the case, for example, in integrated circuits. Then it can be expected that the internal resistance of the transistor amplifier may have negative values. In this embodiment of the amplifier, it is advantageous to carry out the desired internal resistance by means of an adjustable negative feedback derived from the output of the transistor amplifier.

Die Einstellung des gewünschten Innenwiderstandes kann aber auch mit Vorteil durch die Verstärkung des Umkehrverstärkers durchgeführt werden. Diese Einstellung ist nicht nur durch mechanisch zu betätigende EinStellglieder möglich, sondern auch auf elektrischem Wege, beispielsweise mittels einer Einströmung in die Stromspiegelschaltung. The setting of the desired internal resistance can also be advantageously carried out by amplifying the reversing amplifier. This setting is possible not only by mechanically operated setting elements, but also by electrical means, for example by means of an inflow into the current mirror circuit.

Die Stromspiegelschaltung verfügt über einen relativ zum üblichen Eingangswiderstand des Transistorverstärkers niedrigen Eingangswiderstand, so dass zu verstärkende Signale in die Stromspiegelschaltung eingespeist werden können. Dadurch ist eine höhere Verstärkung der eingespeisten Signale erzielbar. Ausserdem ist dadurch eine Entkopplung verschiedener an die Stromspiegelschaltung angeschlossener Signalquellen erreichbar. The current mirror circuit has a low input resistance relative to the usual input resistance of the transistor amplifier, so that signals to be amplified can be fed into the current mirror circuit. This enables a higher amplification of the fed-in signals. In addition, a decoupling of various signal sources connected to the current mirror circuit can be achieved.

Durch den nahezu völlig kompensierbaren Innenwiderstand ist der Transistorverstärker mit konstanten Impedanzen belastbar, deren Wert nunmehr vom Innenwiderstand nicht mehr verfälscht wird. Dadurch ist der erfindungsgemässe Transistorverstärker als eingangsseitiger Abschluss eines hochwertigen Filters verwertbar, das beispielsweise als Resonanzkreis oder Bandfilter ausgebildet sein kann. Due to the almost completely compensatable internal resistance, the transistor amplifier can be loaded with constant impedances, the value of which is no longer falsified by the internal resistance. As a result, the transistor amplifier according to the invention can be used as an input-side termination of a high-quality filter, which can be designed, for example, as a resonant circuit or band filter.

Von besonderem Vorteil ist auch die Verwendung des erfin-dungsgemässen Transistorverstärkers am Ende einer Fernmeldeleitung, wobei der Transistorverstärker teilnehmerseitig mit der erforderlichen Impedanz abgeschlossen und die Versorgungsspannung des Transistorverstärkers amtsseitig angeschlossen ist. Fehlanpassungen der angeschlossenen Teilnehmergeräte sind dadurch vermeidbar. It is also of particular advantage to use the transistor amplifier according to the invention at the end of a telecommunication line, the transistor amplifier being terminated on the subscriber side with the required impedance and the supply voltage of the transistor amplifier being connected on the office side. Mismatches in the connected subscriber devices can thus be avoided.

Die Erfindung wird im folgenden anhand von Ausführungsbeispielen und Figuren näher erläutert. Es zeigen: The invention is explained in more detail below on the basis of exemplary embodiments and figures. Show it:

Fig. 1 Ein erstes Ausführungsbeispiel des Transistorverstärkers mit einer Mitkopplung nach der Erfindung Fig. 1 A first embodiment of the transistor amplifier with a positive feedback according to the invention

Fig. 2 Verlauf der Ausgangswechselspannung bei konstanter Eingangsspannung in Abhängigkeit vom Lastwiderstand Fig. 3 Ersatzschaltung des Transistorverstärkers nach Fig. 1 Fig. 4 Ersatzschaltbild für den Ausgang des Transistorverstärkers nach Fig. 1 bzw. der Ersatzschaltung nach Fig. 3 2 curve of the AC output voltage with constant input voltage as a function of the load resistance. FIG. 3 equivalent circuit of the transistor amplifier according to FIG. 1 FIG. 4 equivalent circuit diagram for the output of the transistor amplifier according to FIG. 1 or the equivalent circuit according to FIG. 3

Fig. 5 Ein zweites Ausführungsbeispiel eines Transistorverstärkers mit Komplementärverbundtransistor und erfindungs-mässiger Mitkopplung 5 shows a second exemplary embodiment of a transistor amplifier with a complementary composite transistor and positive feedback according to the invention

Fig. 6 Schaltbild einer steuerbaren Stromspiegelschaltung Fig. 7 Ersatzschaltbild für den Betrieb des Transistorverstärkers als eingangsseitiger Abschluss eines Filters Fig. 6 circuit diagram of a controllable current mirror circuit. Fig. 7 equivalent circuit diagram for the operation of the transistor amplifier as the input end of a filter

Fig. 8 Ersatzschaltbild für den Betrieb des Transistorverstärkers am Ende einer Fernmeldeleitung. Fig. 8 equivalent circuit diagram for the operation of the transistor amplifier at the end of a telecommunication line.

In Fig. 1 ist ein Ausführungsbeispiel eines Transistorverstärkers mit erfindungsgemässer Mitkopplung zur Erzielung eines hohen Innenwiderstandes dargestellt. Im Beispiel besteht der Transistorverstärker aus einer Darlingtonschaltung 4 mit Darlingtontransistor 2,3, an dessen Kollektoranschluss ein Lastwiderstand 1, an dessen Emitteranschluss 12 das eine Ende eines Emitterwiderstandes 5 und an dessen Basisanschluss 11 eine Signalquelle 7 mit Quellwiderstand 6 und Vorspannungsquelle 8 angeschlossen sind. Das andere Ende des Emitterwiderstandes 5 liegt, ebenso wie der andere Anschluss der Vorspannungsquelle 8 auf Bezugspotential. Die das Bezugspotential führende Leitung und der Kollektoranschluss sind mit den Ausgangsklemmen 10 und 50 des Transistorverstärkers verbun619085 1 shows an embodiment of a transistor amplifier with positive feedback according to the invention to achieve a high internal resistance. In the example, the transistor amplifier consists of a Darlington circuit 4 with a Darlington transistor 2, 3, a load resistor 1 is connected to its collector connection, one end of an emitter resistor 5 is connected to its emitter connection 12, and a signal source 7 with source resistor 6 and bias voltage source 8 is connected to its base connection 11. The other end of the emitter resistor 5, like the other connection of the bias voltage source 8, is at reference potential. The line carrying the reference potential and the collector connection are connected to the output terminals 10 and 50 of the transistor amplifier619085

den. Die Speisespannung wird dem auf Bezugspotential liegenden Anschluss 50 und dem anderen Ende des Lastwiderstandes 1 zugeführt. the. The supply voltage is supplied to the connection 50, which is at the reference potential, and to the other end of the load resistor 1.

Erfindungsgemäss ist eine vom Ausgang über einen Umkehrverstärker 21 mit definierter Verstärkung abgeleitete Mitkopplung vorgesehen, die die Wirkung einer im Innern des Transistorverstärkers liegenden, den Innenwiderstand des Transistorverstärkers herabsetzenden Rückwirkung im wesentlichen kompensiert. According to the invention, a positive feedback derived from the output via an inverting amplifier 21 with a defined gain is provided, which essentially compensates for the effect of a reaction lying inside the transistor amplifier and reducing the internal resistance of the transistor amplifier.

Dieser Umkehrverstärker 21 ist in Fig. 1 eine über einen Rückführwiderstand 20 am Ausgang 10 des Verstärkers angeschlossene Stromspiegelschaltung, in der ein erster Transistor 22 und ein zweiter Transistor 23 vorgesehen ist. Die Basis und der Kollektor des ersten Transistors 22 sind zum einen mit dem Rückführwiderstand 20 und zum anderen mit der Basis des zweiten Transistors 23 verbunden. Der Kollektor des zweiten Transistors 23 ist mit einem, gegenüber der Ausgangswechselspannung des Transistorverstärkers entgegengesetzten Phasenlage aufweisenden, auf niedrigerem Wechselspannungspotential liegenden Anschluss 11 des Transistorverstärkers verbunden und die Emitter der beiden Transistoren liegen jeweils direkt auf dem für den Anschluss 11 geltenden Bezugspotential. In FIG. 1, this reversing amplifier 21 is a current mirror circuit connected via a feedback resistor 20 to the output 10 of the amplifier, in which a first transistor 22 and a second transistor 23 are provided. The base and the collector of the first transistor 22 are connected on the one hand to the feedback resistor 20 and on the other hand to the base of the second transistor 23. The collector of the second transistor 23 is connected to a terminal 11 of the transistor amplifier which is opposite the output AC voltage of the transistor amplifier and has a lower AC voltage potential, and the emitters of the two transistors are each directly at the reference potential applicable to the terminal 11.

Anschluss 11 ist in diesem Ausführungsbeispiel der Basisanschluss des Darlingtontransistors 4, der aus der bekannten Zusammenschaltung eines Lasttransistors 2 und eines Vortransistors 3 besteht. In this exemplary embodiment, connection 11 is the base connection of Darlington transistor 4, which consists of the known interconnection of a load transistor 2 and a pre-transistor 3.

Die Emitter der Transistoren 22 und 23 der Stromspiegelschaltung liegen in diesem Ausführungsbeispiel jeweils auf dem für den Anschluss 11 geltenden Bezugspotential. Wird diese Stromspiegelschaltung in ihrer Wirkung regelbar ausgebildet, so ist es zweckmässig, die Emitter jeweils über einen Widerstand an das Bezugspotential anzuschliessen. Ein diesbezügliches Ausführungsbeispiel wird weiter unten erläutert werden. In this exemplary embodiment, the emitters of transistors 22 and 23 of the current mirror circuit are each at the reference potential applicable to connection 11. If this current mirror circuit has a controllable effect, it is expedient to connect the emitters to the reference potential via a resistor. A related embodiment will be explained below.

In Fig. 1 ist zwischen Ausgang 10 und dem Ausgang 50, der das Bezugspotential führt, ein Spannungsmesser 9 eingezeichnet, der die Ausgangsspannung U9 misst. In Fig. 1, between the output 10 and the output 50, which carries the reference potential, a voltmeter 9 is drawn, which measures the output voltage U9.

Die Wirkung des Innenwiderstandes des Transistorverstärkers und eine Möglichkeit, seine Kompensation zu überprüfen, sei an Fig. 2 erläutert. Sie zeigt die Ausgangswechselspannung Us in Abhängigkeit vom Lastwiderstand Ri für eine konstante Eingangswechselspannung U7. The effect of the internal resistance of the transistor amplifier and a way of checking its compensation will be explained in FIG. 2. It shows the AC output voltage Us as a function of the load resistance Ri for a constant AC input voltage U7.

Wird der Lastwiderstand Ri variiert, beispielsweise von einem ersten Wert Rn auf einen zweiten Wert R12, so ändert sich ohne die erfindungsgemässe Mitkopplung (R20 = 0 die Spannung Us vom Wert Usio auf U920 (Kurve a in Fig. 2). Je grösser der Lastwiderstand Ri eingestellt wird, desto stärker beeinflusst der Innenwiderstand die Ausgangswechselspannung. If the load resistance Ri is varied, for example from a first value Rn to a second value R12, the voltage Us changes from the value Usio to U920 (curve a in FIG. 2) without the positive feedback (R20 = 0). The greater the load resistance Ri is set, the more the internal resistance influences the AC output voltage.

Bei endlichem Wert des Rückführwiderstandes 20 (R20 # 0) wird der Innenwiderstand des Transistorverstärkers erhöht und ist bei geeigneter Einstellung des Rückführwiderstandes R20 gegenüber dem Lastwiderstand Ri vernachlässigbar und kann damit als kompensiert gelten. Die Ausgangsspannungsänderung ist dann bei Änderung des Lastwiderstandes Ri proportional zur Lastwiderstandsänderung (Kurve b in Fig. 2). With a finite value of the feedback resistor 20 (R20 # 0), the internal resistance of the transistor amplifier is increased and, with a suitable setting of the feedback resistor R20, is negligible compared to the load resistor Ri and can therefore be regarded as compensated. The output voltage change is then proportional to the change in load resistance when the load resistance Ri changes (curve b in FIG. 2).

Wird der Wert des Rückführwiderstandes 20 weiter erniedrigt, wird der Innenwiderstand negativ. Die Wirkung des Lastwiderstandes kann bei grösseren Werten des Lastwiderstandes sogar aufgehoben werden, so dass der Transistorverstärker schwingt. Die Abhängigkeit der Ausgangsspannung U9 vom Wert des Lastwiderstandes zeigt für einen zu kleinen Wert des Rückführwiderstandes 20 die Kurve c in Fig. 2. If the value of the feedback resistor 20 is further reduced, the internal resistance becomes negative. The effect of the load resistance can even be canceled with larger values of the load resistance, so that the transistor amplifier oscillates. The dependence of the output voltage U9 on the value of the load resistor shows curve c in FIG. 2 for a value of the feedback resistor 20 that is too small.

Die Ursache für den endlichen Ausgangswiderstand des Transistorverstärkers ohne erfindungsgemässe Mitkopplung ist eine interne Gegenkopplung vom Kollektor auf die Emittersperrschicht des Ausgangstransistors, im Ausführungsbeispiel des Darlingtontransistors. Zur Erläuterung der erfindungsge-mässen Massnahmen genügt das einfache, in Fig. 3 dargestellte The cause of the finite output resistance of the transistor amplifier without positive feedback according to the invention is an internal negative feedback from the collector to the emitter junction of the output transistor, in the exemplary embodiment of the Darlington transistor. The simple procedure shown in FIG. 3 suffices to explain the measures according to the invention

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Ersatzschaltbild, in welchem der Darlingtontransistor 4 als eine Einheit aufgefasst ist mit einem internen Kollektorrückwirkungswiderstand 14, einem internen Eingangswiderstand 15, einem internen Basiswiderstand 17 und einer internen Stromquelle 16, deren Strom durch die Spannung zwischen dem inter- 5 nen Basisanschluss 13 und dem Emitteranschluss 12 gesteuert wird. Die internen Widerstände 14 und 15 hängen nahezu in gleicher Weise vom Emitterstrom ab und bilden dadurch einen Spannungsteiler mit festem Teilerverhältnis k = Ris/CRm+Ris). Equivalent circuit diagram in which the Darlington transistor 4 is understood as a unit with an internal collector reaction resistor 14, an internal input resistor 15, an internal base resistor 17 and an internal current source 16, the current of which is caused by the voltage between the internal base connection 13 and the emitter connection 12 is controlled. The internal resistors 14 and 15 depend almost in the same way on the emitter current and thereby form a voltage divider with a fixed divider ratio k = Ris / CRm + Ris).

Als internen Basisanschluss 13 stellt sich bei Vernachlässi- io gung des Basisstromes eine Spannung A voltage arises as internal base connection 13 when the base current is neglected

Ul3 = U7 + kUs ein. Da die Ausgangsspannung U» gegenüber der Spannung IJ7 15 der Eingangsspannungsquelle um 180° phasenverschoben ist, bedeutet k>0 eine Gegenkopplung, die unter Umständen einen unerwünschten niedrigen Innenwiderstand des Transistorverstärkers bewirkt. Die Erfindung besteht nun darin, die Wirkung dieses k und damit der Gegenkopplung aufzuheben. 20 Ul3 = U7 + kUs on. Since the output voltage U »is 180 ° out of phase with the voltage IJ7 15 of the input voltage source, k> 0 means negative feedback, which under certain circumstances causes an undesired low internal resistance of the transistor amplifier. The invention now consists in canceling the effect of this k and thus the negative feedback. 20th

Für den Ausgang des Transistorverstärkers genügt die Betrachtung des weiter vereinfachten in Fig. 4 dargestellten Ersatzschaltbildes des Transistorverstärkers, das lediglich aus der Einströmung Ii« der Ersatzstromquelle 16 (aus Fig. 3), dem Innenwiderstand 18 des Transistorverstärkers und den parallel 25 zu ihm liegenden Lastwiderstand 1 besteht. Parallel zur Stromquelle lie, zum Innenwiderstand 18 und zum Lastwiderstand 1 liegt der Spannungsmesser 9. Der Zusammenhang zwischen den Kurven a bis c der Fig. 2 und diesem vereinfachten Ersatzschaltbild der Fig. 4 ist ohne weitere Erläuterung ersichtlich. 30 Für k = 0 ist der Wert des Innenwiderstandes 18 sehr viel grösser als der des Lastwiderstandes 1, so dass beim Verändern des Lastwiderstandwertes Ri die Ausgangsspannung Us> in Fig. 2 der Kurve b folgt. For the output of the transistor amplifier, it is sufficient to consider the further simplified equivalent circuit diagram of the transistor amplifier shown in FIG. 4, which only consists of the inflow II of the equivalent current source 16 (from FIG. 3), the internal resistance 18 of the transistor amplifier and the load resistance lying parallel to it 1 exists. The voltmeter 9 lies parallel to the current source lie, to the internal resistor 18 and to the load resistor 1. The relationship between the curves a to c of FIG. 2 and this simplified equivalent circuit diagram of FIG. 4 can be seen without further explanation. 30 For k = 0, the value of the internal resistance 18 is very much greater than that of the load resistance 1, so that when the load resistance value Ri is changed, the output voltage Us> in FIG. 2 follows curve b.

Dieses Kriterium ist auch als Kontrollmethode für einen 35 vernachlässigbar grossen Innenwiderstand ausnutzbar. Allgemein ist der Wert des Innenwiderstandes Ris aus zwei gewählten Lastwiderständen Rn, R12 und zwei sich dabei ergebenden Ausgangswechselspannungen Usi und U92 bestimmbar. Setzt man für 40 This criterion can also be used as a control method for a negligible internal resistance. In general, the value of the internal resistance Ris can be determined from two selected load resistors Rn, R12 and two resulting AC output voltages Usi and U92. Bet for 40

R12/R11 = p; U92/U91 = F und q = p/F so ist R12 / R11 = p; U92 / U91 = F and q = p / F so

Ris = [(p— 1 )/(q— 1)—l]Rn Ris = [(p-1) / (q-1) -l] Rn

Für Ris * ist Ris > 0 Rl8 < 0 For Ris * Ris> 0 Rl8 <0

45 45

p = F (Kurve b in Fig. 2) p > F (Kurve a in Fig. 2) p < F (Kurve c in Fig. 2) 50 p = F (curve b in Fig. 2) p> F (curve a in Fig. 2) p <F (curve c in Fig. 2) 50

Um die Wirkung der Gegenkopplungsspannung kUs auf die Stromquelle 16 aufzuheben, wird nun mittels einer Spannungsquelle 19 eine Zusatzspannung U19 in Fig. 3 am Eingang eingeführt, welche die interne Gegenkopplungsspannung k* U9 auf- 55 hebt. Unter der Annahme, dass der Widerstandswert des Eingangswiderstandes 15 gross gegen den Innenwiderstand 6 der Spannungsquelle 7 ist, muss die Zusatzspannung U19 genau -kUi gewählt werden. Ihre Grösse wird zweckmässigerweise experimentell entsprechend Fig. 2 bestimmt, indem 60 In order to cancel the effect of the negative feedback voltage kUs on the current source 16, an additional voltage U19 in FIG. 3 is now introduced at the input by means of a voltage source 19, which eliminates the internal negative feedback voltage k * U9. Assuming that the resistance value of the input resistor 15 is large compared to the internal resistance 6 of the voltage source 7, the additional voltage U19 must be chosen exactly -kUi. Its size is expediently determined experimentally in accordance with FIG. 2 by 60

U92/U91 = R12/R11 zum Beispiel mittels R20 in Fig. 1 eingestellt wird. U92 / U91 = R12 / R11 is set for example by means of R20 in FIG. 1.

Wird bei einem Lastwiderstand R11 = 600 Q die Ausgangsspannung U91 auf 1 Veff eingestellt und nun der Lastwiderstand auf R12 = 900 £2 erhöht, so ergibt sich bei einer vollständigen 65 Kompensation des Innenwiderstandes der Transistorschaltung die Ausgangsspannung U92= 1,5 V. If the output voltage U91 is set to 1 Veff with a load resistor R11 = 600 Q and the load resistance is now increased to R12 = 900 £ 2, the output voltage U92 = 1.5 V results from a complete compensation of the internal resistance of the transistor circuit.

Die Zusatzspannung U19 (Fig. 3) ist in Phase mit U7. Sie stellt also eine Mitkopplung dar, die die Gegenkopplung genau aufhebt. Um sie von der Ausgangsspannung U9 abzuleiten, gibt es zahlreiche Schaltungsmöglichkeiten mit Umkehrverstärkern. Besonders vorteilhaft ist eine Transistorverstärkerschaltung nach Fig. 1, bei der der Umkehrverstärker eine aus zwei Transistoren bestehende Stromspiegelschaltung ist The additional voltage U19 (FIG. 3) is in phase with U7. It therefore represents positive feedback that exactly eliminates negative feedback. In order to derive them from the output voltage U9, there are numerous switching options with reversing amplifiers. A transistor amplifier circuit according to FIG. 1 is particularly advantageous, in which the reversing amplifier is a current mirror circuit consisting of two transistors

Über einen integrierten oder extern geschalteten Widerstand 20, dessen Widerstandswert nach der oben genannten Messmethode ermittelt wurde, wird von der Ausgangsspannung Us ein Strom U9/R20 gewonnen, der in den als Diode geschalteten Transistor 22 fliesst und an ihm eine Spannung U22 erzeugt, die den Transistor 23 so steuert, dass der Kollektorstrom des Transistors 23 gleich dem Strom durch den Rückführwiderstand R20 ist Diese Bedingung ist immer dann erfüllt, wenn eine gleichartige Dimensionierung der Transistoren 22 und 23 vorliegt, sie also bei einer integrierten Schaltung unmittelbar benachbart sind und gleiche Flächen einnehmen. A current U9 / R20 is obtained from the output voltage Us via an integrated or externally connected resistor 20, the resistance value of which was determined according to the above-mentioned measurement method, which flows into the transistor 22 connected as a diode and generates a voltage U22 thereon which Controls transistor 23 in such a way that the collector current of transistor 23 is equal to the current through the feedback resistor R20. This condition is always met if transistors 22 and 23 are dimensioned in the same way, that is to say they are directly adjacent in an integrated circuit and occupy the same area .

Der Kollektorstrom des Transistors 23 erzeugt am Basisanschluss 11 des Darlingtontransistors eine Wechselspannung, die die vom internen Widerstand 14 bewirkte Gegenkopplungsspannung k- U9 am internen Basisanschluss 13 (Fig. 3) genau aufhebt Der gewünschte Arbeitspunkt des Transistorverstärkers kann durch Änderung der Vorspannung Us der Gleichspannungsquelle 8 ausgeglichen werden. The collector current of the transistor 23 generates an AC voltage at the base connection 11 of the Darlington transistor, which exactly eliminates the negative feedback voltage k-U9 caused by the internal resistor 14 at the internal base connection 13 (FIG. 3). The desired operating point of the transistor amplifier can be changed by changing the bias voltage Us of the DC voltage source 8 be balanced.

Durch die erfindungsgemässe Mitkopplung wird der Klirrfaktor des verstärkten Signals nicht verändert, wenn der Verstärker über den Widerstand 5 (Fig. 1) ausreichend gegengekoppelt ist The harmonic distortion of the amplified signal is not changed by the positive feedback according to the invention if the amplifier is sufficiently negative-coupled via the resistor 5 (FIG. 1)

Um Exemplarstreuungen des Innenwiderstandes der Transistorverstärker ausgleichen zu können oder einen gewünschten hohen Innenwiderstand einstellen zu können, ist es zweckmässig, den Rückführwiderstand 20 abgleichbar auszubilden. Ist dies jedoch nicht möglich, weil beispielsweise der Rückführwiderstand fest in die Schaltung des Transistorverstärkers eingebaut ist oder der Transistorverstärker in integrierter Technik ausgeführt ist, so kann in einfacher Weise die Einstellung des gewünschten Innenwiderstandes durch eine vom Ausgang des Transistorverstärkers abgeleitete abgleichbare Gegenkopplung durchgeführt werden. Diese Gegenkopplung vom Ausgang 10 zum Eingang 11 des Transistorverstärkers ist in Fig. 1 durch einen gestrichelt eingezeichneten Widerstand 40 angedeutet In order to be able to compensate for variations in the internal resistance of the transistor amplifiers or to be able to set a desired high internal resistance, it is expedient to design the feedback resistor 20 to be adjustable. However, if this is not possible because, for example, the feedback resistor is built into the circuit of the transistor amplifier or the transistor amplifier is built using integrated technology, the desired internal resistance can be set in a simple manner by means of a compensable negative feedback derived from the output of the transistor amplifier. This negative feedback from output 10 to input 11 of the transistor amplifier is indicated in FIG. 1 by a resistor 40 shown in broken lines

Im Ausführungsbeispiel wurden für die Transistoren 2,3,22 und 23 Transistoren des Transistorarrays CA 3096 der Firma RCA benutzt. Mit Rs = 12 Q, Re = 1,6 kO und den Lastwiderstanden Rn = 600 Q. und R12 = 900 Q wurde bei einem Lastwiderstandsstrom I = 40 mA experimentell ein Rückführwiderstand von 190 kO ermittelt. Im Bereich von I = 25 bis 60 mA ergaben sich für die Parallelschaltung von R20 = 190 k£2 mit dem erhöhten Innenwiderstand Ris stets Werte über 15 k£l. Ein Lastwiderstand Ri von 600 £2 wird folglich durch den verbleibenden Innenwiderstand trotz der grossen Emitterstromänderung nur um maximal ± 4% verfälscht Ohne die erfindungsgemässe Mitkopplung würde durch den dann wesentlich niedrigeren Innenwiderstand der Lastwiderstand von 600 Q. um mehr als 25 % verfälscht werden. In the exemplary embodiment, transistors of the transistor array CA 3096 from the company RCA were used for the transistors 2, 3, 22 and 23. With Rs = 12 Q, Re = 1.6 kO and the load resistances Rn = 600 Q. and R12 = 900 Q, a feedback resistance of 190 kO was experimentally determined with a load resistance current I = 40 mA. In the range from I = 25 to 60 mA, the parallel connection of R20 = 190 k £ 2 with the increased internal resistance Ris always resulted in values above 15 k £ l. A load resistance Ri of 600 lbs. 2 is consequently only falsified by the remaining internal resistance by a maximum of ± 4% despite the large emitter current change. Without the positive feedback according to the invention, the load resistance of 600 Q. would be falsified by more than 25% due to the much lower internal resistance.

Die Verstärkerschaltung erlaubt folglich auch bei hohen Strömen den Betrieb mit hohen oder veränderlichen Lastwiderständen ohne Verstärkungseinbusse wie das Beispiel und Fig. 2 Kurve b im Vergleich zu Kurve a zeigen. The amplifier circuit consequently allows operation with high or variable load resistances without gain loss, even at high currents, as the example and FIG. 2 shows curve b compared to curve a.

In besonderen Fällen kann es vorteilhaft sein, die Mitkopplung auch stärker einzustellen, so dass sich ein Kurvenverlauf c nach Fig. 2 ergibt. Der Innenwiderstand Ris wird negativ bis im Grenzfall -Ris = R11 Selbsterregung eintritt. Die Schaltung kann somit zur Entdämpfung bzw. zur Schwingungserzeugung benutzt werden. In special cases it can be advantageous to set the positive feedback to a greater extent, so that a curve profile c according to FIG. 2 results. The internal resistance Ris becomes negative until self-excitation occurs in the limit case -Ris = R11. The circuit can thus be used for damping or for generating vibrations.

Wenn es auf einen bestimmten Verstärkerinnenwiderstand nicht ankommt, kann beispielsweise mittels eines veränderba If it is not a question of a certain internal amplifier resistance, for example by means of a changeable

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ren Widerstandes R20 eine gewünschte Verstärkung innerhalb bestimmter Grenzen eingestellt werden. Die Grenzen der Verstärkereinstellung sind aus der Verschiebung der Kurve c für einen konstanten Lastwiderstand Ri aus Fig. 2 entnehmbar. Ren resistance R20 a desired gain can be set within certain limits. The limits of the amplifier setting can be seen from the displacement of curve c for a constant load resistance Ri from FIG. 2.

Im Ersatzschaltbild der Fig. 3 sind nur Widerstände einge- 5 zeichnet. Bei höheren Frequenzen spielen aber die Kapazitäten der Sperrschichten und Ladungstransporte in der Basis der Transistoren eine ausschlaggebende Rolle. Bis zu einem gewissen Grade lassen sich diese Einflüsse durch eine komplexe Schaltung anstelle des Widerstandes 20 mit ausgleichen. Aller- 10 dings wird man einen Transistorverstärker mit hohem Innenwiderstand vorzugsweise bei niedrigen Frequenzen verwenden. < 3, only resistors are shown. At higher frequencies, however, the capacities of the barrier layers and charge transport in the base of the transistors play a decisive role. To a certain extent, these influences can be compensated for by a complex circuit instead of the resistor 20. However, a transistor amplifier with a high internal resistance will preferably be used at low frequencies. <

Die in der Schaltung nach Fig. 1 verwendete Stromspiegelschaltung ist, wenn die Pegelverhältnisse es erfordern, mit Vor- 15 teil auch für PNP-Transistoren abwandelbar. Wegen der schlechten Integrierbarkeit von PNP-Transistoren ist es jedoch zweckmässig, den Leistungstransistor 2 in Fig. 1 als NPN-Tran-sistor auszubilden, so dass statt des Darlingtontransistors der Fig. 1 ein Komplementärverbundtransistor gemäss Fig. 5 ent- 20 steht. Dieser Komplementärverbundtransistor der Fig. 5 ist dem Darlingtontransistor der Fig. 1 äquivalent. The current mirror circuit used in the circuit according to FIG. 1 can, if the level ratios so require, also be advantageously modified for PNP transistors. Because PNP transistors are difficult to integrate, it is expedient to design the power transistor 2 in FIG. 1 as an NPN transistor, so that instead of the Darlington transistor of FIG. 1, a complementary composite transistor according to FIG. 5 is produced. This complementary compound transistor of FIG. 5 is equivalent to the Darlington transistor of FIG. 1.

In Fig. 5 sind äquivalente Bauelemente aus Fig. 1 mit gleichen Bezugszeichen wie in Fig. 1 versehen und durch ein zusätzliches a ergänzt. Die Wirkungsweise der Schaltung ent- 25 spricht der in Fig. 1 dargestellten. Auch hier ist durch einen Widerstand 20a in Verbindung mit der Stromspiegelschaltung der Innenwiderstand des Transistorverstärkers in gewünschter Weise kompensierbar. In FIG. 5, equivalent components from FIG. 1 are provided with the same reference numerals as in FIG. 1 and supplemented by an additional a. The mode of operation of the circuit corresponds to that shown in FIG. 1. Here, too, the internal resistance of the transistor amplifier can be compensated in the desired manner by a resistor 20a in conjunction with the current mirror circuit.

Anstelle des Darlingtontransistors kann, wenn die Verstär- 30 kung ausreicht, auch ein einzelner Transistor verwendet werden. Auch ist die Schaltungsanordnung nicht nur als Vierpol sondern auch als Zweipol wirkender Verstärker einsetzbar. Sie kann bei dieser Anwendung als negativer Querleitwert zur Speisung und Entdämpfung einer Fernmeldeleitung eingesetzt 35 werden, ebenso wie zur Schwingungserzeugung. Instead of the Darlington transistor, if the amplification is sufficient, a single transistor can also be used. The circuit arrangement can also be used not only as a four-pole but also as a two-pole amplifier. In this application, it can be used as a negative cross-conductance for feeding and damping a telecommunication line, as well as for generating vibrations.

Eine weitere vorteilhafte Möglichkeit, den Innenwiderstand auf einen gewünschten hohen Wert zu bringen, besteht darin, die Verstärkung des Umkehrverstärkers einstellbar auszuführen. Dies kann beispielsweise gemäss Fig. 6 dadurch erfol- 40 gen, dass der Arbeitspunkt der Stromspiegelschaltung in an sich bekannter Weise verschoben wird. Die Emitter der ersten und zweiten Transistoren 22 und 23 sind zu diesem Zweck jeweils über einen Widerstand 25 bzw. 27 mit dem für den Anschluss 11 geltenden Bezugspotential verbunden. 45 Another advantageous way of bringing the internal resistance to a desired high value is to make the gain of the reversing amplifier adjustable. According to FIG. 6, this can be done, for example, by shifting the operating point of the current mirror circuit in a manner known per se. For this purpose, the emitters of the first and second transistors 22 and 23 are each connected via a resistor 25 or 27 to the reference potential applicable to the connection 11. 45

Durch eine Einströmung einer Gleichstromquelle 26 auf den Emitterwiderstand 25 des ersten Transistors 22 wird die Through an inflow of a direct current source 26 onto the emitter resistor 25 of the first transistor 22, the

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ser und durch eine Einströmung einer Gleichstromquelle 28 auf den Emitterwiderstand 27 des zweiten Transistors 23 wird die Mitkopplung reduziert. The positive feedback is reduced and by an inflow of a direct current source 28 onto the emitter resistor 27 of the second transistor 23.

Wird beispielsweise die Einströmung 26 aus einem an den Ausgang des Transistorverstärkers angeschlossenen Schwellwertverstärker als Gleichstrom abgeleitet, so lässt sich die in Fig. 6 dargestellte regelbare Stromspiegelschaltung zur Stabilisierung der Schwingungsamplituden eines stark rückgekoppelten Transistorverstärkers verwenden, dessen Innenwiderstand beispielsweise mittels R20 bis auf negative Werte eingestellt wurde, so dass der Verstärker als Oszillator arbeitet. For example, if the inflow 26 is derived as direct current from a threshold amplifier connected to the output of the transistor amplifier, then the adjustable current mirror circuit shown in FIG. 6 can be used to stabilize the vibration amplitudes of a strongly feedback transistor amplifier, the internal resistance of which has been set to negative values, for example by means of R20 so that the amplifier works as an oscillator.

Im Falle eines Verstärkers, dessen Innenwiderstand einen definierten reellen oder komplexen Wert haben soll, ist es vorteilhaft, mittels den bereits erläuterten Massnahmen den Innenwiderstand auf einen möglichst unendlich hohen Wert einzustellen und eine Abschlussimpedanz 24 parallel zum Ausgang des Transistorverstärkers zu schalten, wie es beispielsweise in Fig. 1 gestrichelt dargestellt ist. Dadurch reduziert sich zwar der Emitterstrom zum Beispiel des Lasttransistors 2 in Fig. 1, so dass es unter Umständen erforderlich ist, die Mitkopplung für den geänderten Emitterstrom durchzuführen. In the case of an amplifier whose internal resistance is to have a defined real or complex value, it is advantageous to set the internal resistance to an infinitely high value by means of the measures already explained and to connect a terminating impedance 24 in parallel to the output of the transistor amplifier, as is shown, for example, in FIG Fig. 1 is shown in dashed lines. As a result, the emitter current, for example of the load transistor 2 in FIG. 1, is reduced, so that it may be necessary to carry out the positive feedback for the changed emitter current.

Durch den kompensierten Innenwiderstand ist der Transistorverstärker vorteilhaft als Treiber für Filterschaltungen verwendbar, wie es Fig. 7 schematisch zeigt. Stromquelle 16 ist dort die Ersatzstromquelle aus Fig. 4. Der ihr parallel liegende Widerstand 101 besteht aus dem Lastwiderstand 1 oder der Parallelschaltung aus dem Lastwiderstand 1 und einer zusätzlichen Impedanz 24. Der Verstärker wird hier als eingangsseitiger Abschluss des Filters 29 verwendet, dessen ausgangsseiti-ger Abschluss durch die Impedanz 30 gebildet wird. Due to the compensated internal resistance, the transistor amplifier can advantageously be used as a driver for filter circuits, as shown schematically in FIG. 7. Current source 16 there is the equivalent current source from FIG. 4. Resistor 101, which is parallel to it, consists of load resistor 1 or the parallel connection of load resistor 1 and an additional impedance 24. The amplifier is used here as an input-side termination of filter 29, whose output side ger termination is formed by the impedance 30.

Im Falle der Verwendung des Verstärkers am Ende einer Fernmeldeleitung kann der Verstärker mit der erfindungsge-mässen Gegenkopplung teilnehmerseitig, wie in Fig. 8 dargestellt, mit einer vorgegebenen Impedanz 24 abgeschlossen, angeschlossen werden. Da auch in diesem Fall der Innenwiderstand vollständig kompensiert ist, wurde vom Transistorverstärker lediglich die Ersatzstromquelle 16 als Ersatzschaltung dargestellt. If the amplifier is used at the end of a telecommunication line, the amplifier with the negative feedback according to the invention can be connected on the subscriber side, as shown in FIG. 8, terminated with a predetermined impedance 24. Since the internal resistance is also fully compensated in this case, only the equivalent current source 16 was represented by the transistor amplifier as an equivalent circuit.

Die Speisung des Verstärkers erfolgt über die Amtsleitung 31. Die Versorgungsspannung 32 des Transistorverstärkers ist über einen Übertrager 33 amtsseitig angeschlossen, wobei zur amtsseitigen Anpassung die Impedanz 34 vorgesehen ist. The amplifier is supplied via the exchange line 31. The supply voltage 32 of the transistor amplifier is connected via the transmitter 33 on the exchange side, the impedance 34 being provided for the exchange on the exchange side.

Durch die Verwendung des erfindungsgemässen Transistorverstärkers am Ende von Fernmeldeleitungen lassen sich die Übertragungseigenschaften dieser Leitungen wesentlich verbessern, da die Leitungen nunmehr mit einer gewünschten By using the transistor amplifier according to the invention at the end of telecommunication lines, the transmission properties of these lines can be significantly improved since the lines are now with a desired one

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2 Blatt Zeichnungen 2 sheets of drawings

Claims (8)

619085 PATENTANSPRÜCHE619085 PATENT CLAIMS 1. Transistorverstärker mit hohem Innenwiderstand, gekennzeichnet durch eine vom Ausgang über einen Umkehrverstärker (21) mit definierter Verstärkung abgeleitete Mitkopplung, die die Wirkung einer im Inneren des Transistorverstärkers liegenden, den Innenwiderstand des Transistorverstär-kers herabsetzende Rückwirkung im wesentlichen kompensiert. 1. transistor amplifier with high internal resistance, characterized by a positive feedback derived from the output via a reversing amplifier (21) with a defined gain, which essentially compensates for the effect of a reaction lying inside the transistor amplifier and reducing the internal resistance of the transistor amplifier. 2. Verstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Umkehrverstärker (21) eine über einen Rückführwiderstand (20) am Ausgang des Verstärkers angeschlossene Stromspiegelschaltung ist. 2. Amplifier according to claim 1, characterized in that the reversing amplifier (21) is a current mirror circuit connected to the output of the amplifier via a feedback resistor (20). 3. Verstärker nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass in der Stromspiegelschaltung ein erster und ein zweiter Transistor vorgesehen ist, die Basis und der Kollektor des ersten Transistors (22) zum einen mit dem Rückführwiderstand (20) und zum anderen mit der Basis des zweiten Transistors (23) verbunden sind, der Kollektor des zweiten Transistors (22) mit einem gegenüber der Ausgangswechselspannung des Transistorverstärkers entgegengesetzten Phasenlage aufweisenden, auf niedrigerem Wechselspannungspotential liegenden Anschluss (11) des Transistorverstärkers verbunden ist und die Emitter der ersten und zweiten Transistoren jeweils direkt oder über einen Widerstand auf dem für den auf niedrigerem Wechselspannungspotential liegenden Anschluss (11) geltenden Bezugspotential liegen. 3. An amplifier according to claim 2, characterized in that a first and a second transistor is provided in the current mirror circuit, the base and the collector of the first transistor (22) on the one hand with the feedback resistor (20) and on the other hand with the base of the second Transistors (23) are connected, the collector of the second transistor (22) is connected to a terminal (11) of the transistor amplifier which is opposite the output AC voltage of the transistor amplifier and has a lower AC voltage potential, and the emitters of the first and second transistors are each connected directly or via a resistance lies on the reference potential applicable to the connection (11) which is at a lower AC voltage potential. 4. Verstärker nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Rückführwiderstand (20) abgleichbar ausgebildet ist. 4. Amplifier according to claim 2 or 3, characterized in that the feedback resistor (20) is designed to be adjustable. 5. Verstärker nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Rückführwiderstand (20) fest eingebaut ist und die Einstellung des Innenwiderstandes durch eine vom Ausgang des Transistorverstärkers abgeleitete abgleichbare Gegenkopplung durchführbar ist. 5. Amplifier according to claim 2 or 3, characterized in that the feedback resistor (20) is permanently installed and the setting of the internal resistance can be carried out by means of an adjustable negative feedback derived from the output of the transistor amplifier. 6. Verstärker nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Verstärkung des Umkehrverstärkers einstellbar ist 6. Amplifier according to claim 2 or 3, characterized in that the gain of the reversing amplifier is adjustable 7. Verstärker nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass zu verstärkende Signale in die Stromspiegelschaltung eingespeist sind. 7. Amplifier according to claim 2 or 3, characterized in that signals to be amplified are fed into the current mirror circuit. 8. Verwendung des Verstärkers nach Anspruch 1 am Ende einer Fernmeldeleitung, wobei der Transistorverstärker teil-nehmerseitig mit einer bestimmten Impedanz abgeschlossen und die Versorgungsspannung des Transistorverstärkers amts-seitig angeschlossen ist. 8. Use of the amplifier according to claim 1 at the end of a telecommunication line, the transistor amplifier on the subscriber side being terminated with a certain impedance and the supply voltage of the transistor amplifier being connected on the office side.