CH618525A5

CH618525A5 - Liquid-crystal display cell and method for producing the same.

Info

Publication number: CH618525A5
Application number: CH750677A
Authority: CH
Inventors: Kensi Matsuhiro; Yasushi Masuda
Original assignee: Asahi Glass Co Ltd
Priority date: 1976-07-06
Filing date: 1977-06-20
Publication date: 1980-07-31
Also published as: FR2357920A1; GB1557914A; FR2357920B1; DE2727653A1

Description

Die Erfindung betrifft eine Fiüssigkristallanzeigezelle mit Fig. 7 und 9 Diagramme der Spannungs-Leucht-Charakteri- The invention relates to a liquid crystal display cell with FIGS. 7 and 9 diagrams of the voltage-luminous characteristics.

einem Film zur orientierenden Ausrichtung der Flüssigkristall- stik und moleküle sowie ein Verfahren zur Herstellung dieser Zelle. 55 Fig. 8 eine schematische Ansicht einer Flüssigkristallanzei- a film for the orienting alignment of the liquid crystal stics and molecules as well as a process for the production of this cell. 55 Fig. 8 is a schematic view of a liquid crystal display

Bisher wurde die Ausrichtung oder Orientierung der Flüs- gezelle gemäss vorliegender Erfindung. So far, the alignment or orientation of the flow cell according to the present invention.

sigkristallmoleküle durch ein Reibverfahren bewirkt. Dieses Die Feldeffekt-Flüssigkristallanzeigezelle hat den Aufbau sig crystal molecules caused by a rubbing process. This field effect liquid crystal display cell has the structure

Reibverfahren verträgt sich jedoch nicht mit der hohen Versie- gemäss Fig. 1. Auf einem Paar von Substraten 2,4, z.B. Glas-gelungstemperatur, welche beim Versiegeln mit Glas erforder- platten, ist jeweils eine elektrisch leitfähige Folie (Elektrode) 1, lieh ist. Andererseits ist es bekannt, einen orientierenden Film 6n 3 aus Zinnoxid und/oder Indiumoxid mit einem vorbestimmten nach einem Schrägaufdampfverfahren herzustellen. Dabei Muster ausgebildet. Die Substrate sind mit Hilfe eines erhält man einen thermisch stabilen Orientierungsfilm. Dieses Abstandselementes 5 in einem vorbestimmten Abstand einan-Verfahren wurde z. B. beschrieben von Ë. Guyon, P. Pieranski der gegenüber angeordnet. Eine Flüssigkristallsubstanz 6 ist in & M. Boix «On différent boundary conditions of nematic films den Zwischenraum eingefüllt und der Zwischenraum ist versie-deposited on obliquely evaporated plates», Lett. Appi. Eng. 65 gelt. Ein Paar Polarisatoren 7,8 sind auf den Aussenflächen der Sci., Band 1, Seiten 19-24,1973, US-Patent- Anmeldung Nr. Substrate 2,4 vorgesehen. However, the rubbing process is not compatible with the high sealing according to Fig. 1. On a pair of substrates 2, 4, e.g. The glass gel temperature, which is required when sealing with glass, is in each case an electrically conductive film (electrode) 1. On the other hand, it is known to produce an orienting film 6n 3 from tin oxide and / or indium oxide with a predetermined by an oblique evaporation method. Patterns formed. The substrates are obtained with the help of a thermally stable orientation film. This spacer 5 at a predetermined distance einan method was, for. B. described by Ë. Guyon, P. Pieranski arranged the opposite. A liquid crystal substance 6 is filled in & M. Boix "On différent boundary conditions of nematic films the space and the space is versie-deposited on obliquely evaporated plates", Lett. Appi. Closely. 65. A pair of polarizers 7, 8 are provided on the outer surfaces of Sci., Vol. 1, pages 19-24, 1973, U.S. Patent Application No. Substrates 2,4.

386 472 vom 7. August 1973, welche am 10. September 1974 Wenn an die Elektroden 1,3 mittels einer Treiberschaltung zu dem US-Patent 3 834 792 führt ; US-Patent-Anmeldung Nr. 9 ein elektrisches Feld abgelegt wird, so findet eine Anzeige 386,472 of August 7, 1973, which on September 10, 1974 when leads to electrodes 1,3 by means of a driver circuit leads to US Pat. No. 3,834,792; U.S. Patent Application No. 9 places an electrical field on a display

3 3rd

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statt durch die Reorientierung der Flüssigkristallmoleküle. Bei Stufen erfolgt. Dies ist nicht einfach durchführbar und auf der einem Multiplexbetrieb der Anzeige sind gemeinsame Seg- Oberfläche des Substrats erscheinen vor der zweiten Abschei- instead of reorienting the liquid crystal molecules. At levels. This is not easy to carry out and on the multiplex operation of the display, common seg surfaces of the substrate appear before the second deposition.

mente für beide Elektroden in Form eines Elektrodenmusters dung Flecke und Defekte, so dass die Reproduzierbarkeit und gemäss Fig. 2 angeordnet und die Anzeige erfolgt im Multiplex- Zuverlässigkeit des orientierenden Films nicht genügend gross betrieb. s sind. Es ist daher bevorzugt, die erste Schicht und die zweite elements for both electrodes in the form of an electrode pattern stains and defects, so that the reproducibility and arranged according to FIG. 2 and the display is not sufficiently large in the multiplex reliability of the orienting film. s are. It is therefore preferred to have the first layer and the second

Bei der erfindungsgemässen Fiüssigkristallanzeigezelle wird Schicht dadurch auszubilden, dass man den Einfallswinkel und die erste Sçhicht gemäss Fig. 3 mit einem Einfallswinkel 0] von die Abscheidungsrichtung bei Beibehaltung des Vakuums wech- In the liquid crystal display cell according to the invention, the layer is to be formed by changing the angle of incidence and the first layer according to FIG. 3 with an angle of incidence 0] from the direction of deposition while maintaining the vacuum.

60 bis 88° auf den Oberflächen der Substrate abgeschieden, seit (ein einziges Vakuumsystem). 60 to 88 ° deposited on the surfaces of the substrates since (a single vacuum system).

und zwar auf den die Elektroden tragenden Oberflächen, wel- zej dje Einfallsricht und die Abscheidungsrich- namely on the surfaces carrying the electrodes, which are the direction of incidence and the direction of deposition.

che mu den Fluss.gknstallmolekulen in Beruhrung stehen ,« für die e*rste Abscheidung uhd £ür die zweite Abscheidung Danach wn-d die zweite Schicht mit einem EmfaUswmkel 02 von des6orientierenden MateriaIs auf das Substrat. Dle ßezugszei- ■ The flow must be in contact with the flow molecules, «for the first deposition and for the second deposition. Then the second layer with an embossment 02 of disorienting material is applied to the substrate. The reference time ■

f , l auf der ersten Sch.cht abgeschieden^ Die erste chen a, bs und b#s bezeichnen die EinfaIlsrichtung bzw. die f, l deposited on the first bed ^ The first letters a, bs and b # s denote the direction of incidence and the

Schicht auf der Oberflache des Substrats wird durch Abschei- Abscheidungsrichtung der ersten Schicht und die Einfallsrich- Layer on the surface of the substrate is determined by the deposition direction of the first layer and the direction of incidence.

dung von orientierendem Material wie Si02 MgF2 W03 und Abscheidungsrichtung der zweiten Schicht. formation of orienting material such as Si02 MgF2 W03 and deposition direction of the second layer.

M0O3 oder dgl mit dem ausgewählten Einfallswinkel auf das i5 Bßei dem Verfahren zur Ausbildung der ersten Schicht und M0O3 or the like with the selected angle of incidence on the i5 base, the method for forming the first layer and

Substrat ausgebildet. Zur Abscheidung des orientierenden der zweiten Schicht in einem einzigen Vakuumsystem wird Substrate formed. To deposit the orienting of the second layer in a single vacuum system

Materials auf die Oberfläche des Substrats mit dem gewunsch- zunächst die erste Abscheid durchgeführt und dann wird das ten Einfallswinkel wird die Verdampfungsquelle 10 in der Nei- Substrat t um ejne Achse dfeh wdche senkreche zur Ebene gungsnchtung zu einer senkrechtzur Oberflache des Substrats ver,äuf welche durch die beiden Linien as und bs aufgeSparmt verlaufenden Linie angeordnet. Geebnete Verfahren zur 20 ^ und danach wifd die zweite Abscheidung vorgenommen, so Material on the surface of the substrate with which the first deposition is carried out first and then the th angle of incidence, the evaporation source 10 in the ne substrate t around an axis dfeh wcheche perpendicular to the plane perpendicular to the surface of the substrate, then which arranged by the two lines as and bs. Leveled procedures for 20 ^ and then the second deposition is carried out, see above

Abscheidung sind die Vakuumaufdampfung, das Sputter-Ver- dass diebeiden Schichten im leichen Vakuumsystem ausgebil- Deposition is vacuum evaporation, the sputter process that the two layers are formed in the vacuum system.

fahren und andere bekannte Dampfverfahren. det werden. Als Achse für die Drehung des Substrats dient driving and other known steam processes. be det. Serves as an axis for the rotation of the substrate

Fig. 5 zeigt eine vergrösserte Teilansicht der erhaltenen * vorzugsweise die Linie, welche durch s hindurchgeht und den ersten Schicht. Die Richtung der Verdampfungsquelle wird ■>$ oben genannten Bedingungen genügt. Das Bezugszeichen S Fig. 5 shows an enlarged partial view of the obtained * preferably the line which passes through s and the first layer. The direction of the evaporation source is sufficient ■> $ conditions mentioned above. The reference symbol S

bestimmt durch den Winkel < hsa = © (Einfallswinkel) zwi- bezeichnet einen Punkt, welcher im wesentlichen m der Mitte sehen der Richtung der verdampften Teilchen sa (Einfallsrich- des Substrats liegt. Das Substrat kann m verschiedenster Weise tung) von der Verdampfungsquelle 10 und der senkrechten *n dem Vakuum gedreht werden, z. B. mit Hilfe eines Motors, determined by the angle <hsa = © (angle of incidence) between denotes a point which essentially lies in the middle of the direction of the evaporated particles sa (direction of incidence of the substrate. The substrate can be moved in various ways) from the evaporation source 10 and the vertical * n the vacuum are rotated, e.g. B. with the help of a motor,

Linie hs auf das Substrat gemäss Fig. 3. In Fig. 3 bezeichnet die von Hand oder dgl. Line hs on the substrate according to Fig. 3. In Fig. 3 denotes the hand or the like.

Richtung sa'die Projektion der Linie sa auf das Substrat. Diese M) Bei einem abgewandelten Verfahren kann der wird im folgenden als Abscheidungsrichtung bezeichnet. Man Orientierungsfilm der beiden Schichten ausgebildet werden, Direction sa the projection of line sa onto the substrate. This M) In a modified method, it is referred to below as the deposition direction. Orientation film of the two layers are formed

erhält die Wirkung des Orientierungsfilms wenn der Einfalls- indem man zunächst die erste Schicht von einer der Aufdampfwinkel ©! im Bereich von 45 bis 89,9° und vorzugsweise von 60 1uellen aufdampft und dann die Elektrodenplatte umdreht und bis 88° und speziell von 70 bis 85° liegt. Diese Massnahme ist die Aufdampfung der zweiten Schicht von der anderen der wirksam hinsichtlich der Kohärenz der zweiten Schicht. Die 15 Aufdampfquellen im Vakuumsystem vornimmt. receives the effect of the orientation film when the incidence - by first removing the first layer from one of the evaporation angles ©! evaporates in the range of 45 to 89.9 ° and preferably 60 times and then turns the electrode plate over and is up to 88 ° and especially from 70 to 85 °. This measure is the evaporation of the second layer from the other which is effective with regard to the coherence of the second layer. The 15 evaporation sources in the vacuum system.

zweite, auf die erste Schicht aufgebrachte Schicht wird ebenfalls ^ine Ze^e kann hergestellt werden, indem man das erhal- second layer applied to the first layer is also able to be made by obtaining the

durch Abscheidung von fluchtenden Materalien, wie Si02, tei?e Substrat mit dem Orientierungsfilm auf mindestens einer by depositing aligned materials such as SiO 2, partial substrate with the orientation film on at least one

MgF2, W03, Mo03 usw. in einem ausgewählten Einfallswinkel Seite verwendet, sowie das Substrat mit dem in gleicher Weise MgF2, W03, Mo03 etc. used in a selected angle of incidence side, as well as the substrate with that in the same way

02 auf das Substrat aufgebracht. Der gewünschte Effekt des ausgebildeten Örientierungsfilm oder einem in herkömmlicher 02 applied to the substrate. The desired effect of the trained orientation film or one in conventional

Orientierungsfilms wird erhalten, wenn der Einfallswinkel 02 4o Weise ausêebildeten Orientierungsfilm auf der anderen Seite, Orientation film is obtained when the angle of incidence 02 4o formed on the other side,

im Bereich von 45 bis 89,9° liegt. Zur Erzielung ausgezeichne- Dazwischen ist ein Abstandselement vorgesehen. Die Flüssig-ter Multiplexcharakteristika ist es bevorzugt, das Orientierungs- kristallsubstanz wird in den Zwischenraum eingefüllt. Dabei material in einem Einfallswinkel 02 von 45 bis 75° und speziell erhält man die erfindungsgemässe Fiüssigkristallanzeigezelle. is in the range of 45 to 89.9 °. A spacer is provided in between to achieve this. The liquid multiplex characteristics are preferred, the orientation crystal substance is filled in the space. Material at an angle of incidence 02 of 45 to 75 ° and specifically the liquid crystal display cell according to the invention is obtained.

50 bis 70° abzuscheiden. Bei der Abscheidung beeinflusst der Flüssigkristallmoleküle sind mit einem Kippwinkel oder Deposit 50 to 70 °. When deposition affects the liquid crystal molecules are at a tilt angle or

Kreuzungswinkel <p zwischen der Abscheidungsrichtung a's der 45 Neigungswinkel von 2 bis 20 zum Substrat orientiert durch den ersten Schicht und der Abscheidungsrichtung b's der zweiten Effekt des Orientierungsfilms, Hierdurch wird eine umgekehrte Crossing angle <p between the deposition direction a's of the 45 inclination angles from 2 to 20 to the substrate oriented through the first layer and the deposition direction b's the second effect of the orientation film, this makes a reverse

Schicht (Fig.6) den Neigungswinkel oder Kippwinkel relativ Neigung oder Kippung nicht hervorgerufen, wenn man das zum Substrat elektrische Feld anlegt. Man erhält somit eine Einkristallstruk- Layer (Fig. 6) does not cause the angle of inclination or tilt angle relative inclination or tilting when one applies the electric field to the substrate. A single crystal structure is thus obtained

Dieser Winkel wird im Bereich von 0° < <p < 89° oder tur und die Anzeige ist klar und deutlich lesbar. Der Kipp- oder This angle is in the range of 0 ° <<p <89 ° or tur and the display is clear and legible. The tipping or

91° < <p < 179° ausgewählt. Zur Erzielung ausgezeichneter Neigungswinkel kann vorzugsweise im Bereich von 2 bis 6° 91 ° <<p <179 ° selected. To achieve excellent angles of inclination can preferably be in the range of 2 to 6 °

Multiplexcharakteristika ist ein Winkel q> im Bereich von " Iiegen>wobei man eine Fiüssigkristallanzeigezelle mit ausge- Multiplex characteristics is an angle q> in the range of "Iiegen> whereby a liquid crystal display cell with

10° < <p < 60° oder 120° < <p < 170° bevorzugt. zeichneten Multiplexcharakteristika erhält. 10 ° <<p <60 ° or 120 ° <<p <170 ° is preferred. drawn multiplex characteristics.

Erfindungsgemäss erhält man den Kippwinkel oder Nei- Wenn der herkömmliche Orientierungsfilm mit einer einzi- According to the invention, the tilt angle or tilt is obtained if the conventional orientation film with a single

gungswinkel der Flüssigkristallmoleküle durch die gegenseitige gen Schicht bei einem Einfallswinkel von 75 bis 89,9° herge- angle of the liquid crystal molecules through the mutual gene layer at an angle of incidence of 75 to 89.9 °

Kombination der ersten Schicht und der zweiten Schicht. Eine 55 stellt wird, so beträgt der Kippwinkel, wie oben beschrieben, Combination of the first layer and the second layer. If a 55 is set, the tilt angle is, as described above,

Dicke d! der ersten Membrän ist nicht kritisch und beträgt etwa 25°. Thickness d! the first membrane is not critical and is about 25 °.

vorzugsweise 20 bis 1000 Â während die Dicke d2 der zweiten Fig. 7 zeigt die Vergleichsdaten der Multiplexcharakteristik Schicht vorzugsweise im Bereich von 0,05 < d2/dj < 30 liegt. der herkömmlichen Anzeigezelle und der erfindungsgemässen Es ist gewöhnlich bevorzugt, eine Dicke d2 von 50 bis 600 Â zu Anzeigezelle. Die herkömmliche Anzeigezelle wurde dabei herwählen. Zur Ausbildung eines orientierenden Films bestehend 60 gestellt unter Verwendung eines Substrats mit einem Kippwin-aus zwei Schichten wird die erste Schicht ausgebildet durch kel von etwa 25° während die erfindungsgemässe Anzeigezelle Abscheidung in einem ausgewählten Abscheidungswinkel oder unter Verwendung eines Substrats mit einem Kippwinkel von Einfallswinkel und in einer ausgewählten Abscheidungsrich- etwa 4° hergestellt wurde. Die ausgezogene Linie bezeichnet tung. Dann wird das Vakuum unterbrochen und das Substrat die Spannungs-Leucht-Charakteristik der erfindungsgemässen wird auf den vorbestimmten Winkel neu eingestellt und dann 65 Anzeigezelle, während die gestrichelte Linie die Spannungs-wird die zweite Schicht durch Abscheidung ausgebildet, und Leucht-Charakteristik der herkömmlichen Anzeigezelle zwar wie bei der Ausbildung der ersten Schicht. Ein solches bezeichnet. Die Betriebsgrenze ist gegeben durch die Span-Verfahren ist jedoch nachteilig, da die Abscheidung in zwei nungsdifferenz Voff - Von, wobei Von die Spannung bedeutet, bei preferably 20 to 1000 Â while the thickness d2 of the second FIG. 7 shows the comparison data of the multiplex characteristic layer preferably in the range of 0.05 <d2 / dj <30. the conventional display cell and the display cell of the present invention, it is usually preferable to have a thickness d2 of 50 to 600 Â to display cell. The conventional display cell was chosen. To form an orienting film consisting of 60 layers using a substrate with a Kippwin-two layers, the first layer is formed by kel of about 25 ° while the display cell according to the invention deposition at a selected angle of deposition or using a substrate with a tilt angle of angle of incidence and was produced in a selected deposition direction - approximately 4 °. The solid line denotes tung. Then the vacuum is interrupted and the substrate, the voltage-luminous characteristic of the invention is reset to the predetermined angle and then 65 display cell, while the dashed line the voltage-the second layer is formed by deposition, and luminous characteristic of the conventional display cell as with the formation of the first shift. Such is called. The operating limit is given by the Span method, however, is disadvantageous since the separation into two voltage differences Voff - Von, where Von means the voltage at

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der der mit ON bezeichnete Leuchtzustand vorliegt, während Voff die Spannung bezeichnet, bei der der mit OFF bezeichnete Leuchtzustand vorliegt. Fig. 7 zeigt, dass die erfindungsgemässe Anzeigezelle einen breiten Arbeitsbereich zeigt. which is in the lighting condition labeled ON, while Voff denotes the voltage at which the lighting condition labeled OFF is present. 7 shows that the display cell according to the invention shows a wide working range.

Im folgenden wird die Erfindung anhand von Beispielen s näher erläutert. The invention is explained in more detail below with the aid of examples.

Beispiel 1 example 1

Ein Orientierungsfilm 11 wird ausgebildet durch Abscheidung von Zinnoxid, welches mit Indiumoxid dotiert ist ( 1 ) auf i » ein Glassubstrat, gefolgt von einer Abscheidung von SiO mit einem Einfallswinkel von 60° und einer Dicke von 200 Â. Das erhaltene Erzeugnis dient als erstes Substrat. An orientation film 11 is formed by depositing tin oxide doped with indium oxide (1) on a glass substrate, followed by depositing SiO with an angle of incidence of 60 ° and a thickness of 200 Â. The product obtained serves as the first substrate.

Zur Herstellung des anderen Substrats wird eine erste Schicht 11 durch Abscheidung von mit Indiumoxid (3) dotier- i s te m Zinnoxid auf ein Glassubstrat 4 ausgebildet, worauf SiO mit einem Einfallswinkel von 82° und einer Dicke von 100 Â auf die zuvor abgeschiedene Fläche abgeschieden wird. Sodann wird eine zweite Schicht von SiO mit einem Einfallswinkel von 60° bei einem Kreuzungswinkel von 170° auf der ersten :n To produce the other substrate, a first layer 11 is formed by depositing tin oxide doped with indium oxide (3) on a glass substrate 4, whereupon SiO is deposited on the previously deposited surface with an angle of incidence of 82 ° and a thickness of 100 Å becomes. Then a second layer of SiO with an angle of incidence of 60 ° at a crossing angle of 170 ° on the first: n

Schicht 11 abgeschieden, und zwar mit einer Dicke von 200 Â. Aus dem beiden Substraten mit Orientierungsfilmen wird eine Fiüssigkristallanzeigezelle gemäss Fig. 8 hergestellt, wobei ein Abstandselement 5 verwendet wird. Die Zelle wird mit einer nematischen Flüssigkristallsubstanz vom P-Typ gefüllt. Wenn 25 die Abzeigezelle mit Hilfe einer Treiberschaltung 9' mit Multi-plexsignalen beaufschlagt wird, so wird ein Einkristall ausgebildet und man erzielt ausgezeichnete Multiplexeigenschaften. Die Spannungs-Leucht-Charakteristik der Anzeigezelle ist in Fig. 9b gezeigt. w Layer 11 deposited, with a thickness of 200 Â. A liquid crystal display cell according to FIG. 8 is produced from the two substrates with orientation films, a spacer element 5 being used. The cell is filled with a P-type nematic liquid crystal substance. If the display cell is supplied with multiplex signals by means of a driver circuit 9 ', a single crystal is formed and excellent multiplex properties are achieved. The voltage-light characteristic of the display cell is shown in Fig. 9b. w

Beispiel 2 Example 2

Das mit Indiumoxid dotierte Zinnoxid wird auf ein Glassubstrat abgeschieden und mit einem gewünschten Muster geätzt. Das Glassubstrat wird in einer Halterung derart gehalten, dass 35 sich ein Einfallswinkel von 85° bei der Vakuumabscheidung ergibt. Die erste Schicht mit einer Dicke von 200 À wird durch Abscheidung von SiO unter einem Vakuum von 1X10-5 Torr mit einer Abscheidungsgeschwindigkeit von 5 Â/sec ausgebildet. Das Substrat wird sodann um 35° gedreht, und zwar um die Achse, welche durch die Mittellinie des Substrats geht. Dies geschieht durch Drehung des in der Halterung gehaltenen Substrats mit einem Aussendrehmechanismus. Die Abscheidungsrichtung der zweiten Schicht beträgt etwa 20° zur Abscheidungsrichtung der ersten Schicht und der Einfallswinkel beträgt 60°. Die zweite Schicht hat eine Dicke von 200 Â und wird gebildet durch Abscheidung von SiO mit einer Abscheidungsgeschwindigkeit von 20 Â/sec unter den oben genannten Bedingungen, wobei man ebenfalls einen Orientierungsfilm erhält. The tin oxide doped with indium oxide is deposited on a glass substrate and etched with a desired pattern. The glass substrate is held in a holder in such a way that an angle of incidence of 85 ° results in the vacuum deposition. The first layer, 200 À thick, is formed by depositing SiO under a vacuum of 1X10-5 Torr at a deposition rate of 5 Â / sec. The substrate is then rotated through 35 ° about the axis that passes through the center line of the substrate. This is done by rotating the substrate held in the holder with an external rotating mechanism. The direction of deposition of the second layer is approximately 20 ° to the direction of deposition of the first layer and the angle of incidence is 60 °. The second layer has a thickness of 200 Â and is formed by depositing SiO at a deposition rate of 20 Â / sec under the above conditions, whereby an orientation film is also obtained.

Es wird wiederum unter Verwendung der beiden Substrate mit Orientierungsfilmen eine Fiüssigkristallanzeigezelle hergestellt. Die Anzeigezelle bildet einen Einkristall aus und zeigt ausgezeichnete Multiplexeigenschaften. A liquid crystal display cell is again produced using the two substrates with orientation films. The display cell forms a single crystal and shows excellent multiplexing properties.

Beispiel 3 Example 3

Auf einem Glassubstrat wird mit Antimonoxid dotiertes Zinnoxid abgeschieden. Das Substrat wird dabei auf einer Halterung gehalten und der Einfallswinkel beträgt 80° zur ersten Aufdampfquelle bzw. 60° zur zweiten Aufdampfquelle. Eine erste Schicht mit einer Dicke von 100 Â wird durch Abscheidung von SiO bei 1 X 10-s Torr und bei einer Abscheidungsgeschwindigkeit von 8 A/sec durch die erste Aufdampfquelle gebildet. Sodann wird das Substrat um 30° gedreht, und zwar um eine Achse, welche senkrecht zum Substrat verläuft. Dies geschieht mit Hilfe eines Halterungsdrehmechanismus. Sodann wird eine zweite Schicht mit einer Dicke von 200 Â ausgebildet durch Abscheidung von SiO mit einer Abscheidungsgeschwindigkeit von 15 Â/sec mit Hilfe einer zweiten Auf dampf quelle. Dabei wird ebenfalls ein orientierender Film gebildet. Tin oxide doped with antimony oxide is deposited on a glass substrate. The substrate is held on a holder and the angle of incidence is 80 ° to the first evaporation source or 60 ° to the second evaporation source. A first layer with a thickness of 100 Â is formed by deposition of SiO at 1 X 10-s Torr and at a deposition rate of 8 A / sec by the first deposition source. The substrate is then rotated through 30 °, specifically around an axis which is perpendicular to the substrate. This is done using a bracket rotating mechanism. A second layer with a thickness of 200 Â is then formed by depositing SiO at a deposition rate of 15 Â / sec with the aid of a second vaporization source. An orientation film is also formed.

Unter Verwendung der beiden Substrate mit Orientierungsfilmen wird eine Fiüssigkristallanzeigezelle hergestellt. Dabei werden die gleichen Effekte erzielt wie bei Beispiel 2. A liquid crystal display cell is fabricated using the two substrates with orientation films. The same effects are achieved as in example 2.

2 Blatt Zeichnungen 2 sheets of drawings

Claims

618 525 2 618 525 2

PATENTANSPRÜCHE 480 665 vom 19. Juni 1974, welche am 22. Juni 1976 zu dem PATENT CLAIMS 480 665 from June 19, 1974, which on June 22, 1976 to the

1. Flüssigkristallanzeigezelle mit einer Flüssigkristallsub- US-Patent Nr. 3 964 158 führte. 1. Liquid crystal display cell with a liquid crystal sub U.S. Patent No. 3,964,158.

stanz zwichen zwei Substraten, deren jedes einen elektrisch Bei dem bekannten Verfahren beträgt der Kippwinkel der leitfähigen Film und einen Molekülorientierungsfilm aufweist, Füssigkristallmoleküle zur Substratoberfläche etwa 0° oder dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Molekülorientie- 5 etwa 25°. Wenn der Kippwinkel etwa 0° beträgt, ist es schwie-rungsfilm aus zwei durch Schrägbedampfung gebildeten Schich- rjg) nach Abschalten des elektrischen Feldes in der Zelle die ten besteht, wobei die erste entsprechend einem Aufdampfwin- Ausbildung von Bereichen mit entgegengesetzt verdrillten Flüs-kel von 60 bis 88 und die zweite entsprechend einem Auf- sigkristallmolekülen zu unterdrücken. Wenn der Kippwinkel dampfwinkel von 45 bis 75 ausgebildet ist. etwa 25° beträgt, so unterliegen die Richtungen, aus denen die Stamp between two substrates, each of which is electrical. In the known method, the tilting angle of the conductive film and a molecule orientation film is, liquid crystal molecules to the substrate surface about 0 ° or characterized in that at least one molecule orientation 5 about 25 °. If the tilt angle is approximately 0 °, it is a gravitational film consisting of two layers formed by oblique vapor deposition) after switching off the electric field in the cell, the first corresponding to an evaporation formation of areas with oppositely twisted flukes from 60 to 88 and to suppress the second corresponding to an sigm crystal molecule. If the tilt angle is formed from 45 to 75 vapor angle. is about 25 °, the directions from which the

2. Flüssigkristallanzeigezelle nach Anspruch 1, dadurch m Anzeige leicht lesbar ist, erheblichen Beschränkungen, so dass gekennzeichnet, dass die Dicke dj der ersten Schicht und die der Betrachtungswinkel-Bereich schmal ist und die Anzeige-Dicke d2 der zweiten Schicht der folgenden Beziehung gehör- zelIe keine guten Multiplexeigenschaften hat. 2. Liquid crystal display cell according to claim 1, characterized in that the display is easy to read, considerable restrictions, so that the thickness dj of the first layer and that of the viewing angle range are narrow and the display thickness d2 of the second layer belongs to the following relationship. cell does not have good multiplex properties.

chen: 0,05<d2/d1<30. . .. Ein molekülorientierender Film mit zwei Schichten zur Ver- Chen: 0.05 <d2 / d1 <30. . .. A molecule-oriented film with two layers for

3. Flüssigkristallanzeigezelle nach einem der Ansprüche 1 hinderung einer Verdrillungsumkehr wurde z.B. in der japani-oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke d, der ersten is schen Patentanmeldung Nr. 138849/1975 vom 6. November Schicht im Bereich von 20 À<d1<1000 A liegt. 1975 beschrieben, sowie in dem US-Patent 3 967 883 vom 6. 3. Liquid crystal display cell according to one of claims 1 preventing a reversal of twist has been e.g. in the Japanese or 2, characterized in that the thickness d, the first isischen patent application No. 138849/1975 from November 6th layer is in the range of 20 À <d1 <1000 A. 1975, and in U.S. Patent 3,967,883 dated June 6,

4. Flüssigkristallanzeigezelle nach einem der Ansprüche 1 Juli 1976, In der genannten Anmeldung findet sich keine bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke d2 der zweiten Beschreibung der speziellen Struktur und der Herstellung der-Schicht im Bereich von 50 Ä<d2<600 À liegt. selben und im US-Patent 3 967 883 ist die zweite Schicht, 4. Liquid crystal display cell according to one of claims 1 July 1976, In the said application there is none to 3, characterized in that the thickness d2 of the second description of the special structure and the production of the layer in the range of 50 Ä <d2 <600 À lies. same and in U.S. Patent 3,967,883 is the second layer

5. Flüssigkristallanzeigezelle nach einem der Ansprüche 1 20 mjt den Flüssigkristallmolekülen in Berührung kommt, bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Winkel zwischen den extrem dünn (weniger aîs 20 Â), so dass die Steuerung der Orientierungsrichtungen der ersten und der zweiten Schicht im Filmdicke schwierig ist und die Reproduzierbarkeit und Stabiii-Bereich von 10 <cp<60 oder 120 <cp<170 liegt. tät bei einer industriellen Fertigung unbefriedigend sind. 5. Liquid crystal display cell according to one of claims 1 20 mjt comes into contact with the liquid crystal molecules to 4, characterized in that the angle between the extremely thin (less than 20 Â), so that the control of the orientation directions of the first and second layers in film thickness is difficult and the reproducibility and stability range is 10 <cp <60 or 120 <cp <170. are unsatisfactory in industrial production.

6. Flüssigkristallanzeigezelle nach einem der Ansprüche 1 Es ist somit Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass der elektrisch leitfähige 25 Fiüssigkristallanzeigezelle zu schaffen, welche leicht lesbar ist Film ein Muster für den Multiplexbetrieb aufweist. und bei der die Flüssigkristallmoleküle ohne Verdrillungsum- 6. Liquid crystal display cell according to one of claims 1 It is therefore an object of the present invention to create one to 5, characterized in that the electrically conductive 25 liquid crystal display cell, which is easy to read, has a pattern for multiplexing. and in which the liquid crystal molecules without twisting

7. Verfahren zur Herstellung der Fiüssigkristallanzeigezelle kehr in einem Sinn verdrillt sind, Die erfindungsgemässe Flüs-nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass man ein Sub- sigkristallanzeigezelle soll einen weiten Betrachtungswinkel, strat mit dem Material für die Molekülorientierungsschicht sowie ausgezeichnete Multiplexeigenschaften haben und der unter einem Einfallswinkel von 60 bis 88 bedampft, um die 30 Orientierungsfilm soll gegen hohe Temperaturen stabil sein. erste Schicht abzuscheiden und danach diese erste Schicht mit Ferner wird ein Verfahren zur Ausbildung eines stabilen Orien-dem genannten Material unter einem Einfallswinkel von 45 bis tierungsfilms mit hoher Reproduzierbarkeit vorgeschlagen, wel-75° bedampft, um die zweite Schicht abzuscheiden. dhes gegenüber den bisherigen Verfahren vereinfacht ist und 7. The method for producing the liquid crystal display cell is twisted in one sense. The liquid according to claim 1, characterized in that a subsig crystal display cell is said to have a wide viewing angle, is strat with the material for the molecular orientation layer and has excellent multiplex properties and the below an angle of incidence of 60 to 88 vaporized, around the 30 orientation film is said to be stable against high temperatures. to deposit the first layer and then this first layer with Furthermore, a method for the formation of a stable orien-the material mentioned is proposed with an angle of incidence of 45 to animal film with high reproducibility, which evaporates -75 ° in order to deposit the second layer. that is simplified compared to the previous methods and

8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, weniger Verfahrensschritte erfordert und sich somit besser für dass beiden Aufdampfschritte ohne Unterbrechung im selben 35 jj|e Massenfertigung eignet. 8. The method according to claim 7, characterized in that it requires fewer process steps and is therefore better suited for the two vapor deposition steps without interruption in the same 35 year-old mass production.

Vakuumbehälter ausgeführt werden. Die vorstehende Aufgabe wird erfindungsgemäss dadurch Vacuum containers are executed. The above object is achieved according to the invention

9. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 oder 8, dadurch gelöst, dass mindestens ein Molekülorientierungsfilm aus zwei gekennzeichnet, dass nach Ausbildung der ersten Schicht das durch Schrägbedampfung gebildeten Schichten besteht, wobei Substrat um eine Achse gedreht wird, welche senkrecht zur die erste entsprechend einem Aufdampfwinkel von 60 bis 88° Ebene verläuft, die durch die Bedampfungsrichtung für die erste4o un(j die zweite entsprechend einem Aufdampfwinkel von 45 bis Schicht und jene für die zweite Schicht geht, worauf die zweite 75° ausgebildet ist. 9. The method according to any one of claims 7 or 8, characterized in that at least one molecule orientation film characterized in that after the formation of the first layer consists of layers formed by oblique vapor deposition, wherein substrate is rotated about an axis which is perpendicular to the first corresponding to one Evaporation angle extends from 60 to 88 ° plane, which goes through the evaporation direction for the first 400 and (the second corresponds to an evaporation angle of 45 to layer and that for the second layer, whereupon the second 75 ° is formed.

Schicht durch Abscheidung aus derselben Verdampfungsquelle im selben Vakuumsystem gebildet wird. Im folgenden wird die Erfindung anhand von Zeichnungen Layer is formed by deposition from the same evaporation source in the same vacuum system. In the following the invention with reference to drawings

10. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 oder 8, dadurch näher erläutert. Es zeigen: 10. The method according to any one of claims 7 or 8, thereby explained in more detail. Show it:

gekennzeichnet, dass die erste Schicht und die zweite Schicht 45 Fig-1 eine schematische Ansicht einer Feldeffekt-Flüssig-durch Abscheidung aus verschiedenen Verdampfungsquellen im kristallanzeigezelle ; characterized in that the first layer and the second layer 45 Fig-1 is a schematic view of a field effect liquid by deposition from different evaporation sources in the crystal display cell;

selben Vakuumsystem gebildet werden. Fig. 2 ein Elektrodenmuster für Multiplexbetrieb; same vacuum system are formed. 2 shows an electrode pattern for multiplex operation;

Fig. 3 den Einfallswinkel 0; 3 shows the angle of incidence 0;

Fig. 4 die Bildung eines Orientierungsfilms ; 4 shows the formation of an orientation film;

50 Fig. 5 eine vergrösserte Ansicht des Orientierungsfilms; 50 Fig. 5 is an enlarged view of the orientation film;

Fig. 6 den Kreuzungswinkel (jp zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht; 6 shows the crossing angle (jp between the first layer and the second layer;