CH616754A5

CH616754A5 -

Info

Publication number: CH616754A5
Application number: CH930877A
Authority: CH
Inventors: Gerald Francis Sauter; George Franklin Nelson
Original assignee: Sperry Rand Corp
Priority date: 1976-07-28
Filing date: 1977-07-27
Publication date: 1980-04-15
Also published as: JPS5316644A; FR2360096A1; CA1078950A; DE2733735A1; GB1589783A; IT1085591B; US4082424A; FR2360096B1

Description

Die Erfindung betrifft eine integrierte optische Einrichtung zur Einkopplung eines Lichtstrahls in einen Wellenleiter bzw. Auskopplung eines Lichtstrahls aus einem Wellenleiter.

Bekanntlich werden auf dem Gebiet der integrierten optischen Einrichtungen viele Festkörpereinrichtungen verwendet, welche als optische Wellenleiter in optischen Übertragungssystemen arbeiten. (Siehe beispielsweise die Veröffentlichung «Survey of Integrated Optics» von S. E. Miller, in IEEE Journal of Quantum Electronics, Bd. QE-8, Nr. 2 vom Februar 1972, Seiten 199 bis 205). Zur Zeit entwickelte Dünnschicht-Technologie ermöglicht die Herstellung von Miniatur-Festkörpereinrichtungen, mit welchen optische Energie von einer Dünnschichtanordnung zu einer entsprechenden Übertragungsleitung aus optischen Fasern übertragen werden kann. (Siehe hierzu die am 3.2.1976 veröffentlichte PatentanmeldungB 381 985 von I.P., Kaminovu.a.)

Die Erfindung betrifft eine integrierte optische Einrichtung zur Einkopplung eines Lichtstrahles in einen Wellenleiter bzw. Auskopplung eines Lichtstrahls aus einem Wellenleiter.

Es ist Aufgabe der Erfindung, eine integrierte optische Einrichtung der eingangs erwähnten Art zu verbessern. Dies wird erreicht durch einen auf einem Substrat aufgebrachten Wellenleiter und durch eine aus streifenförmigen magnetischen Domänen zusammengesetzte, auf dem Wellenleiter aufgebrachte Schicht, in welcher die Streifendomänen durch ein äusseres Magnetfeld erzeugt werden, um durch Gitterwirkung eine auf die Domänenschicht fallende Lichtwelle in den Wellenleiter zu beugen oder eine sich im Wellenleiter fortpflanzende Lichtwelle aus dem Wellenleiter herauszubeugen.

Nachfolgend wird die Erfindung anhand von bevorzugten Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die anliegenden Zeichnungen im einzelnen erläutert. Es zeigen:

Fig. la und lb Darstellungen von Streifendomänenmustern, die gemäss der Erfindung verwendet werden;

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Fig. 2 eine perspektivische Ansicht einer ersten Ausführungsform einer integrierten optischen Einrichtung gemäss der Erfindung;

Fig. 3 eine Schnittansicht durch die integrierte optische Einrichtung der Fig. 2 entlang der Linie 3-3 ;

Fig. 4 eine perspektivische Ansicht einer zweiten Ausführungsform der integrierten optischen Einrichtung gemäss der Erfindung;

Fig. 5 eine Darstellung einer Einrichtung, um die erforderlichen Betriebsfelder an die Domänenschicht der Fig. 1 bis 4 anzulegen;

Fig. 6 eine perspektivische Ansicht einer dritten Ausführungsform einer integrierten optischen Einrichtung gemäss der Erfindung; und

Fig. 7 eine Schnittansicht der integrierten optischen Einrichtung der Fig. 6 entlang der Linie 7-7.

Das nachfolgend beschriebene Ausführungsbeispiel betrifft eine integrierte optische Einrichtung mit Mehrfachfunktionen, bei der die magneto-optische Wirkung der Streifendomänen einer durch Flüssigphasen-Epitaxie (LPE) aufgewachsenen Schicht, z.B. eines Wismut substituierten seltenen Erden-Eisen-granats (BixYb3.xFe5012) ausgenutzt sind, wobei X einen Bereich von 0,7< X<1,2 hat. Die Streifendomänen in der epitaxialen Schicht bilden eine Phasengitterstruktur, wobei die Amplitude und Richtung eines einfallenden Lichtstrahls, z.B. eines Laserstrahls, in einem zugeordneten Wellenleiter durch Anlegen eines äusseren magnetischen Feldes geändert werden kann, das parallel zur Ebene der epitaxialen Schicht ausgerichtet ist und dessen Feldstärke veränderbar ist.

In Fig. la und lb ist ein Streifendomänenmuster dargestellt, wie es in einer durch Flüssigphasen-Epitaxie (LPE) aufgewachsenen seltenen Erden-Eisengranatschicht 10 gefunden wird. Die Magnetisierung M des Streifendomänenmusters in der Schicht 10 besteht aus parallelen Komponenten A in der Ebene der Schicht 10 sowie aus parallelen und antiparallelen Komponenten B, die senkrecht zu der Ebene der Schicht 10 verlaufen. Diese Streifendomänen können eine periodische 180° -Phasenänderung in einem einfallenden bzw. auftreffenden Lichtstrahl erzeugen. _

Nunmehr wird eine ebene elektromagnetische Welle K0 _ betrachtet, die auf die Schicht 10 auftrifft. Diese ebene Welle K0 erfährt eine periodische Phasenänderung, wenn sie die Schicht 10 durchsetzt. Die Phasenänderung beruht auf der Faraday-Drehung, und die Periodizität wird durch die Periodizität der parallelen und antiparallelen Komponenten B der Magnetisierung M der Schicht 10 bestimmt. Die austretende, an aufeinanderfolgenden Streifen unterschiedlich gedrehte Welle hat alternierende elektrische Vektorkomponenten E senkrecht zur Richtung der Streifendomänen. Im Fernfeld bewirken diese alternierenden Feldkomponenten infolge Interferenzen Beugungsmaximen bei Winkeln 0n, die durch die Gleichung bestimmt sind:

wobei n die Ordnung der Beugungsmaximen (n = 0,1,3,5 usw.) und d der Streifendomänenabstand ist. Die Maximälinten-sität eines Beugungsmaximums K wird erreicht, wenn die Fara-day-Drehung ± 90° ist. In diesem speziellen Fall geht 81 % des Lichts in den gebeugten Strahl 1. Ordnung; 9% geht in den gebeugten Strahl 3. Ordnung usw. Wenn die Faraday-Drehung kleiner als ± 90° ist, wird nur der Wirkungsgrad, nicht aber der Beugungswinkel 0 beeinflusst.

Der Domänenabstand d und infolgedessen der Beugungswinkel 0 können durch ein äusseres Magnetfeld H geändert werden, das parallel zu den Streifendomänen und der Ebene der Schicht 10 angelegt wird. Ausserdem kann das ganze Streifendomänenmuster um eine Achse gedreht werden, die senkrecht zu der Ebene der Schicht 10 verläuft, indem einfach das äussere Magnetfeld H um dieselbe Achse gedreht wird. Dies ist in der

US-PS 3 752 563 ausgeführt. Um eine integrierte optische Einrichtung zu bilden, wird die durch die epitaxiale Schicht 10 gebildete Kristallgitterstruktur in sehr engen Kontakt mit einem dielektrischen Dünnschicht-Wellenleiter gebracht. Hierdurch s ergibt sich dann eine integrierte optische Einrichtung, um (1) Licht an den Wellenleiter anzukoppeln, (2) das angekoppelte, gebeugte Licht in dem Wellenleiter in seiner Stärke zu modulieren und (3) die Richtung des angekoppelten, gebeugten Lichts im Wellenleiter zu steuern. Insbesondere in Fig. 2 ist eine io perspektivische Ansicht einer integrierten optischen Einrichtung 20 dargestellt, welche gemäss der Erfindung ausgeführt ist. Die optische Einrichtung 20 weist ein Substrat bzw. eine Unterlage 22 auf, auf deren oberen Fläche ein Wellenleiterteil 24 aufgebracht, z.B. aufgewachsen ist. Auf der oberen Fläche des i5 Wellenleiterteils 24 und mit diesem durch ein im Berechnungsindex anpassendes Bindemittel verbunden ist ein Substrat bzw. ein Träger 26 mit einer epitaxialen Schicht 28, die an dessen Unterseite ausgebildet ist. Auch ist das äussere Magnetfeld H dargestellt, das parallel zu den Streifendomänen in der Richtung 2o 30 angelegt ist, die in der Ebene der Schicht 28 liegt.

Der Abstand d der Streifendomänen kann durch Ändern der Feldstärke und Polarität des äusseren Magnetfeldes H geändert werden, während die Ausrichtungen der Streifendomänen durch Ändern der Ausrichtung des äusseren Magnetfeldes um 25 die Achse 32 herum geändert werden kann, wobei die Achse 32 senkrecht zu der Ebene der Schicht 28 verläuft, wie durch eine mit einer Spitze versehenen Linie 34 dargestellt ist. Durch eine Änderung des Abstandes der Streifendomänen wird die Stärke des gebeugten Lichtstrahls 36a bezüglich des Lichtstrahls 36 3» von einer Laserstrahlquelle 38 geändert, während bei einer Änderung der Ausrichtung des äusseren Magnetfeldes H der gebeugte Lichtstrahl 36a in der Ebene des Wellenleiters 24 um die Achse 32 gedreht wird.

In Fig. 3 ist eine Schnittansicht der optischen Einrichtung 20 35 der Fig. 2 entlang der Linie 3-3 wiedergegeben. In der Schnittansicht der Fig. 3 sind im einzelnen die Ausrichtung der jeweiligen Teile der optischen Einrichtung 20 und die Ankopplung des Laserlichtstrahls 36 an den Wellenleiter 24 dargestellt. Die integrierte optische Einrichtung 20 der Fig. 2 und 3 weist 40 beispielsweise die folgenden Teile auf:

Ein Substrat oder eine Unterlage 22 aus Glas, die 1 mm dick ist und einen Brechungsindex n5 hat;

einen Wellenleiter 24 aus Glas, der 0,5 mm dick ist und einen Brechungsindex n4 < n5 hat ;

45 eine Bindungsschicht 30 aus einem Polystyrolfilm, der optisch die Wellenlänge % des Lichtstrahls 36 durchlässt, 5 000Â dick ist und einen Brechungsindex n3 ~ n4 hat;

eine Schicht 28, die eine durch Flüssigphasen-Epitaxie (LPE) auf dem Substrat 26 aufgebrachte Schicht aus Bix-5H Yb3_xFe5012 ist, wobei X im Bereich 0,7 < X < 1,2 ist ; die Schicht ist 4,0 Mikron (jxm) dick;

ein Substrat 26, das ein Einkristall einer Gadolinium-Gallium-Granat (GGG)-Schicht ist, die 0,5 mm dick ist und einen Brechungsindex n2 < n3 hat.

In Fig. 4 ist die optische Einrichtung 40 gemäss der Erfindung dargestellt. Die optische Einrichtung 40 entspricht im wesentlichen der optischen Einrichtung 20 der Fig. 2, ausser dass eine Anzahl optischer Fasern 42a bis 42f an dem Wellenlei-6Ü ter 24 mit einem vorbestimmten Radius und einem vorbestimmten Winkelabstand über der Schicht 28 angebracht ist. Die optische Einrichtung 40 arbeitet als ein optischer Multiplexer für einen Laserlichtstrahl 36, der entlang der Achse 32 ausgerichtet ist, die senkrecht zu der Ebene der Schicht 28 verläuft. In 65 dieser Ausführungsform kann der gebeugte Laserlichtstrahl 36a in seiner Stärke durch eine Änderung des äusseren Magnetfeldes H geändert werden, wenn dieses parallel zu der Streifendomänenlänge in der Richtung 30, d.h. in der Ebene der Schicht

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28 angelegt wird. Der gebeugte Lichtstrahl kann in der Ebene des Wellenleiters 24 gedreht und auf eine ausgewählte Faser der optischen Fasern 42a bis 42b gerichtet werden, indem die Ausrichtung des äusseren Magnetfeldes H um die Achse 32 in der Richtung geändert wird, welche durch den Vektor 34 dargestellt ist, so dass die Richtung der Streifendomänenlängen senkrecht zu einer Linie ausgerichtet ist, die zu der ausgewählten Faser der optischen Fasern 42a bis 42f verläuft.

In Fig. 5 ist eine Darstellung einer Einrichtung wiedergegeben, um orthogonale Gleich- und Wechselfelder anzulegen, die parallel zu der Ebene der Schicht 28 der Fig. 1 bis 4 sind und in dieser verlaufen. Der Schicht 28 sind zwei zueinander orthogonale Achsen 50 und 52 in der Ebene der Schicht 28 zugeordnet, wobei die Achse 50 parallel zu den Streifendomänenwänden 54 ausgerichtet ist. Um die Schicht 28 ist ein Joch 56 angeordnet, das um eine Achse drehbar ist, die senkrecht zu der Ebene der Schicht 28 verläuft und durch den Schnittpunkt der Achsen 50 und 52, wie beispielsweise der Achse 32 in Fig. 2 und 4, in der Ebene der Schicht 28 hindurchgeht, auf welcher Gleichfeldspulen 58 und 60 sowie eine diesen zugeordnete Gleichstrom-Ansteuerungssignalquelle 62 und Wechselfeldspulen 64 und 66 sowie eine diesen zugeordnete Wechselstrom-Ansteuerungssi-gnalquelle 58 angeordnet sind.

Wenn, wie in dem US-Patent 3 752 563 ausgeführt ist, eine Magnetschicht 28 mit einer Magnetisierung, die in einer Anzahl Streifendomänen angeordnet ist, durch ein Gleichfeld hervorgerufen wird, das parallel zu der Ebene der Schicht und in dieser Ebene liegt und parallel oder antiparallel zu der Magnetisierungspolarisation der Streifendomänen ist, ändert sich die Streifendomänenbreite d; wenn das angelegte Gleichfeld parallel zu der Magnetisierungspolarisation ist, nimmt die Streifendomänenbreite d ab; wenn dagegen das angelegte Gleichfeld antiparallel zu der Magnetisierungspolarisation ist, nimmt die Streifendomänenbreite d zu. Die Streifendomänen haben jedoch eine ihnen zugeordnete Koerzitivkraft, die dazu neigt, Änderungen in der Streifendomänenbreite d zu verhindern. Infolgedessen muss die Koerzitivkraft mit einem Wechselfeld, das in der Ebene der Schicht und senkrecht zu den Streifendomänenwänden ausgerichtet ist, und natürlich schliesslich die mittlere Magnetisierungspolarisation überwunden werden. Der Abstand d der Streifendomänen der Schicht 28 kann durch Ändern der Feldstärke und der Polarisation eines erzeugten äusseren Magnetfeldes H geändert werden, während die Ausrichtung der Streifendomänen durch Drehen des Jochs 56 um die Achse 32 geändert werden kann, um auf diese Weise die Ausrichtung des erzeugten äusseren Magnetfeldes H um die Achse 32 zu ändern.

In Fig. 6 ist eine perspektivische Ansicht einer integrierten optischen Einrichtung 60 gemäss der Erfindung dargestellt. Die optische Einrichtung 60 weist ein Substrat 62 auf, auf deren unteren Fläche eine durch Flüssigphasen-Epitaxie ausgeschiedene Schicht 64 aufgebracht ist, in welcher eine Anzahl Streifendomänen geschaffen werden, erhalten und gedreht werden kann. Als nächstes ist auf der unteren Fläche der Streifendomänenschicht 64 ein Wellenleiter 66 aufgebracht. Das Substrat bzw. die Unterlage 62, die Streifendomänenschicht 64 und der Wellenleiter 66 entsprechen dem entsprechenden Substrat 26, der Streifendomänenschicht 28 und dem Wellenleiter 24 der Fig. 1 bis 3. Auf der oberen Fläche des Substrats 62 sind mit Hilfe eines von vielen bekannten Verfahren zwei elektrisch leitende Leitungen 68 und 70 ausgebildet, die durch eine entsprechende Isolierschicht, wie beispielsweise eine Schicht aus Siliziummonoxyd (SiO) voneinander isoliert sind.

Die leitenden Leitungen 68 und 70 sind entlang der zugeordneten orthogonalen Längsachsen 69 und 71 ausgerichtet. Auch ist eine dritte Achse vorgesehen, die senkrecht zu der Ebene der integrierten optischen Einrichtung 60 ausgerichtet ist, und durch den Schnittpunkt der Achsen 69 und 71 hindurchgeht. Die leitenden Leitungen 68 und 70 bilden eine Einrichtung, durch welche entsprechende Ströme fliessen können, die das entsprechende in der Ebene liegende Feld HR erzeugen, um eine aktive Fläche in dem darüberliegenden Teil der Streifendomänenschicht 64 zu schaffen, so dass das in der Ebene liegende Feld Hr die Streifendomänenschicht 64 in ähnlicher Weise beeinflusst, wie die diskrete Schicht 28 der integrierten optischen Einrichtung 20 in den Fig. 1 bis 4. In dieser Ausführungsform wird ein Lichtstrahl 74 normal bzw. senkrecht zu einer Endfläche des Wellenleiters 66 angekoppelt, der durch den Wellenleiter 66 hindurchgeht, bis er in dem Bereich der aktiven (wirksamen) Fläche in der Streifendomänenschicht 64 nach oben und aus der oberen Fläche des Substrats 62 als Lichtstrahl 74a abgelenkt wird.

Insbesondere in Fig. 7 ist ein Querschnitt durch die integrierte optische Einrichtung 60 der Fig. 6 entlang der Linie 7-7 dargestellt. In dem Querschnitt der Fig. 7 ist im einzelnen die Ausrichtung der entsprechenden Teile der integrierten optischen Einrichtung 60 und die Ankopplung des Laserlichtstrahls 74 über die aktive (wirksame) Fläche 76 der Streifendomänenschicht 64 dargestellt, wie sie durch die übereinanderliegenden Teile der leitenden Leitungen 68 und 70 festgelegt ist. Die Streifendomänenschicht 64 hat in ihrer aktiven Fläche 76 eine Gitterkonstante oder eine Periodizität, die einen Ankopplungs-wert zum Ankoppeln des Lichtstrahls 74 an und aus der oberen Fläche des Substrats 62 hat, während umgekehrt die Streifendomänenschicht 64 ausserhalb der aktiven Fläche 76 eine Gitterkonstante oder eine Periodizität hat, die einen nichtkoppelnden Wert aufweist. Somit kann durch Anlegen der entsprechenden Stromsignale an die orthogonal ausgerichteten leitenden Leitungen 68 und 70 die Periodizität der Streifendomänen der aktiven Fläche 76 geändert werden, um die Periodizität in einen nichtankoppelnden Wert umzuwandeln, beispielsweise in dem Teil der Streifendomänenschicht 64, der ausserhalb der aktiven Fläche 76 liegt, so dass der Lichtstrahl 74 dann den Wellenleiter 66 durchquert, um als Lichtstrahl 74b von der Endfläche abgegeben zu werden, die der Endfläche gegenüberliegt, auf welche der Lichtstrahl 64 auftrifft.

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2 Blatt Zeichnungen

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PATENTANSPRÜCHE

1. Integrierte optische Einrichtung zur Einkopplung eines Lichtstrahles in einen Wellenleiter bzw. Auskopplung eines Lichtstrahls aus einem Wellenleiter, gekennzeichnet durch einen auf einem Substrat (22) aufgebrachten Wellenleiter (24) und durch eine aus streifenförmigen magnetischen Domänen zusammengesetzte, auf dem Wellenleiter (24) aufgebrachte Schicht (28), in welcher die Streifendomänen durch ein äusseres Magnetfeld erzeugt werden, um durch Gitterwirkung eine auf die Domänenschicht fallende Lichtwelle (Ko) in den Wellenleiter (24) zu beugen oder eine sich im Wellenleiter (76) fortpflanzende Lichtwelle (84) aus dem Wellenleiter heraus zu beugen.
2. Integrierte optische Einrichtung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Einrichtung (56,58,60,62,64,66, 68) zur Erzeugung eines magnetischen Gleichfeldes (H) in der Domänenschicht (28) parallel zu deren Hauptebene, wobei die Feldstärke und deren Richtung einstellbar ist, um durch Änderung der Breite (d) der Streifendomänen die gebeugte Lichtwelle (K) in ihrer Stärke modulieren und ihre Ausbreitungsrichtung verändern zu können.
3. Integrierte optische Einrichtung nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch eine Anzahl optischer Fasern (42a bis 42f), welche fest mit dem Wellenleiter (24) verbunden und um die Domänenschicht (28) herum in vorbestimmten radialen Abständen und vorbestimmten Winkelabständen angeordnet sind.
4. Integrierte optische Einrichtung nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch eine Lasereinrichtung (38) zur Projektion eines Laserstrahls (36) auf die Domänenschicht (28) und durch eine Einrichtung, welche das Magnetfeld (H) in der Ebene der Schicht (28) so dreht, dass das gebeugte Laserlicht im Wellenleiter (24) auf eine der optischen Fasern (42a bis 42f) gerichtet ist.
5. Integrierte optische Einrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Periodizität der Streifendomänen in einem vorbestimmten Bereich so eingestellt werden kann, dass das auf diesen Bereich auftreffende Laserlicht durch den Wellenleiter (24) in das Substrat (22) gelenkt wird, während die Periodizität der Streifendomänen ausserhalb des genannten Bereichs so eingestellt ist, dass das dort auftreffende Laserlicht in den Wellenleiter (24) gebeugt wird.
6. Integrierte optische Einrichtung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch ein zweites Substrat (26) für die Domänenschicht (28) und durch eine Bindemittelschicht (30), die zwischen der Domänenschicht (28) und dem Wellenleiter (24) angeordnet ist und die Domänenschicht (28) mit dem Wellenleiter (24) verbindet.
7. Integrierte optische Einrichtung nach Anspruch 6, gekennzeichnet durch eine Einrichtung (56,58,60,62,64,66, 68) zur Erzeugung eines äusseren Feldes in der Domänenschicht (28) parallel zu deren Hauptebene, wobei die Feldstärke und deren Richtung einstellbar ist, um durch Änderung der Breite (d) der Streifendomänen die gebeugte Lichtwelle (K) in ihrer Stärke zu modulieren und ihre Ausbreitungsrichtung verändern zu können.
8. Integrierte optische Einrichtung nach Anspruch 7, gekennzeichnet durch eine Anzahl optischer Fasern (42a bis 42f), die fest mit dem Wellenleiter (24) verbunden und um die Domänenschicht (28) herum in radialen Abständen und vorbestimmten Winkelabständen angeordnet sind.
9. Integrierte optische Einrichtung nach Anspruch 8, gekennzeichnet durch eine Lasereinrichtung (38) zur Projektion eines Laserstrahls, so, dass er auf die zweite Fläche des zweiten Substrats (26) und damit auf die Domänenschicht (28) auf trifft; und durch eine Einrichtung, die das Magnetfeld (H) in der Ebene der Schicht (28) so dreht, dass das gebeugte Laserlicht im Wellenleiter (24) auf eine der optischen Fasern (42a bis 42f) gerichtet ist.
10. Integrierte optische Einrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Periodizität der Streifendomänen in einem vorbestimmten Bereich so eingestellt werden kann, dass das auf diesen Bereich auftreffende Laserlicht durch den Wellenleiter (24) in das Substrat gelenkt wird, während die Periodizität der Streifendomänen ausserhalb des vorbestimmten Bereichs so eingestellt ist, dass das dort auftreffende Laserlicht in den Wellenleiter (24) gebeugt wird.
11. Integrierte optische Einrichtung nach einem der Ansprüche 7 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Einrichtung zur Erzeugung eines magnetischen Feldes ein Joch (56) aufweist, das um eine Achse senkrecht zur Domänenschicht und um die Domänenschicht (28) drehbar ist und ein erstes Paar Spulen (58,60) aufweist, welche mit einer ersten Achse (50) in der Ebene der Domänenschicht ausgerichtet und mit Gleichstrom beschickt werden, und einem zweiten Paar Spulen (64, 66), welche mit einer senkrecht zur ersten Achse (50) in der Ebene der Domänenschicht angeordneten zweiten Achse (52) ausgerichtet und mit Wechselstrom beschickt werden.
12. Integrierte optische Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ein Paar von orthogonalen Leitern (78,80) auf der Seite des Substrats (72) angeordnet ist, welche der die Domänenschicht (74) tragenden Seite des Substrats (72) abgewandt ist.
13. Integrierte optische Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Domänenschicht (28,74) aus einer epitaxial abgelagerten Schicht aus BixYb3.xFe5012 besteht, wobei x im Bereich 0,7 bis 1,2 liegt.
14. Integrierte optische Einrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Domänenschicht auf einem Einkristall aus Gadolinium-Gallium-Granat angeordnet ist.