AT503270B1 - Verbundwerkstoff und verfahren zu seiner herstellung - Google Patents
Verbundwerkstoff und verfahren zu seiner herstellung Download PDFInfo
- Publication number
- AT503270B1 AT503270B1 AT3892006A AT3892006A AT503270B1 AT 503270 B1 AT503270 B1 AT 503270B1 AT 3892006 A AT3892006 A AT 3892006A AT 3892006 A AT3892006 A AT 3892006A AT 503270 B1 AT503270 B1 AT 503270B1
- Authority
- AT
- Austria
- Prior art keywords
- vol
- filler
- range
- ppm
- powder
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C26/00—Alloys containing diamond or cubic or wurtzitic boron nitride, fullerenes or carbon nanotubes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C32/00—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ
- C22C32/0084—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ carbon or graphite as the main non-metallic constituent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C47/00—Making alloys containing metallic or non-metallic fibres or filaments
- C22C47/02—Pretreatment of the fibres or filaments
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C47/00—Making alloys containing metallic or non-metallic fibres or filaments
- C22C47/14—Making alloys containing metallic or non-metallic fibres or filaments by powder metallurgy, i.e. by processing mixtures of metal powder and fibres or filaments
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C49/00—Alloys containing metallic or non-metallic fibres or filaments
- C22C49/02—Alloys containing metallic or non-metallic fibres or filaments characterised by the matrix material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C49/00—Alloys containing metallic or non-metallic fibres or filaments
- C22C49/14—Alloys containing metallic or non-metallic fibres or filaments characterised by the fibres or filaments
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3732—Diamonds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3733—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon having a heterogeneous or anisotropic structure, e.g. powder or fibres in a matrix, wire mesh, porous structures
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F2998/00—Supplementary information concerning processes or compositions relating to powder metallurgy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C26/00—Alloys containing diamond or cubic or wurtzitic boron nitride, fullerenes or carbon nanotubes
- C22C2026/002—Carbon nanotubes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Manufacture Of Alloys Or Alloy Compounds (AREA)
Description
2 AT 503 270 B1
Die Erfindung betrifft einen Werkstoff gemäß dem Oberbegriff des Anspruches 1, speziell einen Verbundwerkstoff, der sich aus mehreren Komponenten zusammensetzt und somit die Möglichkeit bietet, den thermischen Ausdehnungskoeffizienten in einem Bereich von 4 bis 12 ppm/K durch die Wahl der Zusammensetzung sowie durch die Herstellbedingungen einzustellen. Zudem soll sich der Werkstoff durch eine hohe Temperaturleitfähigkeit bzw. Wärmeleitfähigkeit auszeichnen.
Die Erfindung betrifft weiters den Herstellungsprozess für einen derartigen Werkstoff unter Verwendung von raschen Sinterverfahren bzw. ein Verfahren gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruches 15.
Vielfach erfordern die mehr und mehr wachsenden Anforderungen an Werkstoffe, die zur Kühlung von elektronischen Komponenten eingesetzt werden, maßgeschneiderte Werkstoffeigenschaften. Insbesondere ist eine hohe Temperaturleitfähigkeit bzw. thermische Leitfähigkeit gemeinsam mit einem geringen Ausdehnungskoeffizienten erforderlich. Ein geringer thermischer Ausdehnungskoeffizient ist erforderlich, da auf Si oder auf SiC basierende Chips zumeist auf einem AIN oder AI203 Substrat „gebonded“ werden, und es beim thermischen Zyklieren zu Spannungen zwischen dem Substrat bzw. der Kühlplatte kommt. Um diese Spannungen zu vermindern, sollte der ideale Werkstoff einen Ausdehnungskoeffizienten nahe dem von Si und SiC bzw. AIN bzw. AI203 aufweisen. Zudem sollte der Werkstoff eine hohe thermische Leitfähigkeit bzw. Temperaturleitfähigkeit aufweisen. Erfindungsgemäß ist ein Werkstoff der eingangs genannten Art mit den im Kennzeichen des Anspruches 1 angeführten Merkmalen charakterisiert. Ein Verfahren der eingangs genannten Art ist erfindungsgemäß mit den Merkmalen des Anspruches 15 gekennzeichnet.
Der erfindungsgemäße Werkstoff umfasst eine Matrix A mit einer hohen thermischen Leitfähigkeit bzw. Temperaturleitfähigkeit: hier kommt Kupfer in Betracht bzw. auf Kupfer basierende Werkstoffe bzw. Legierungen. Eine reine Kupfermatrix oder eine auf Kupfer basierende Matrix hat einen Ausdehnungskoeffizienten im Bereich von 16-20 ppm/K. Aus diesem Grund sollte der Matrixanteil möglichst gering gehalten werden.
Der Werkstoff umfasst ferner einen metallischen und/oder keramischen Füllstoff B, mit der thermischen Ausdehnung im Bereich von 4 bis 6 ppm/K, der entweder eine thermische Leitfähigkeit von etwa 50-200 W/mK aufweist (im Fall des metallischen Füllstoffes) und/oder die thermische Leitfähigkeit der Matrix A nicht überproportional verschlechtert (im Fall eines keramischen Füllstoffes).
Der Werkstoff umfasst ferner einen thermisch hochleitfähigen Füllstoff C, der einen geringen thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufweist. Hier wird ein Füllstoff auf Kohlenstoffbasis ausgewählt, wie beispielsweise Graphit, Kohlefasern, Kohle-/Nanofasem, Kohlenstoff-Nano-röhrchen und/oder Diamant. Alle diese Füllstoffe haben einen Ausdehnungskoeffizienten (zumindest in eine Raumrichtung), der im Bereich von etwa -2 bis +2 ppm/K liegt.
Der Füllstoff C kann optional mit einer funktionellen Schicht D beschichtet sein, die eine gute Anbindung an die Matrix A und/oder den Füllstoff B erlaubt.
Letztlich kann vorgesehen sein, dass im Werkstoff neben dem Material der Metall-Matrix A und den Füllstoffen B und C amorphe und/oder intermediäre Stoffe bzw. Verbindungen im Ausmaß von < 5 vol.% enthalten sind.
Die Abbildungen dienen zur Erläuterung der Erfindung. Es zeigen:
Abbildung 1: Grundsätzlicher Aufbau des Verbundwerkstoffes: Metallische Matrix Füllstoff A, mit metallischen oder keramischen Füllstoffen B und thermisch hochleitfähigen Füllstoff C auf Kohlenstoffbasis. Optional kann der Füllstoff C mit einer Beschichtung D beschichtet werden. 3 AT 503 270 B1
Abbildung 2: Theoretische Abhängigkeit des thermischen Ausdehnungskoeffizienten (berechnet über Mischungsregel) eines Verbundwerkstoffes besteht aus Matrix A und Füllstoff C als Funktion des Volumenanteil des Füllstoffes C. Die Matrix A besteht dabei aus Reinkupfer bzw. aus einer Kupferlegierung. Um einen Ausdehnungskoeffizienten unter 8 ppm/K zu erhalten, ist ein Volumenanteil von 55 vol.% Füllstoffe vorgesehen.
Abbildung 3: Theoretische Abhängigkeit des thermischen Ausdehnungskoeffizienten eines Verbundwerkstoffes (berechnet über Mischungsregel) besteht aus Matrix A mit 50 vol.% Füllstoff C bei Variation des Volumengehaltes des Füllstoff B. Die Matrix A besteht dabei aus Reinkupfer bzw. aus einer Kupferlegierung. Der Füllstoff B ist charakterisiert durch einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten von 4 ppm/K.
Abbildung 4: Thermischer Ausdehnungskoeffizient eines Cu-Cu20-Diamant Verbundwerkstoffes als Funktion der Temperatur
Abbildung 5: XRD Messung an Cu-Cu20-Diamant Verbundwerkstoff
Abbildung 6: XRD Messung an Cu-Cu20-Kohlefaser Verbundwerkstoff
Abbildung 7: Thermischer Ausdehnungskoeffizient von verschiedenen Verbundwerkstoffen mit einer Kupfer Matrix und Diamant als Füllstoff C bzw. Mo, Cr oder Cu20 als Füllstoff B
Abbildung 1 zeigt den Aufbau des Werkstoffes.
Eine direkte Mischung von Kupfer oder auf Kupfer basierenden Matrices mit dem auf Kohlenstoff basierenden Füllstoff bringt drei Probleme mit sich: a) Generell wird ein schlechter thermischer Übergang zwischen Kupfer und Kohlenstoff beobachtet. Dies liegt einerseits an der mangelnden Benetzung von Kohlenstoff durch Kupfer bzw. auch an den verschiedenen Wärmeleitungsmechanismen (Metall = Elektronenleiter während z.B. Diamant Wärme über Phononen leitet) b) Der starke Unterschied zwischen dem thermischen Ausdehnungskoeffizienten von Kupfer bzw. auf Kupfer basierenden Matrices und dem des auf Kohlenstoff basierenden Füllstoffes führt dazu, dass es beim thermischen Zyklieren zu Spannungen an der Grenzfläche kommt. Zudem verursacht eine reine Kombination von auf Kupfer basierender Matrix mit auf Kohlenstoff basierenden Füllstoffen Probleme in folgender Hinsicht wie es in Abbildung 2 gezeigt wird: Um einen Ausdehnungskoeffizienten von 8 ppm/K bzw. 7 ppm/K oder geringer zu erhalten, ist ein Füllstoffanteil von mindestens 55 vol.% bzw. 65 vol.% erforderlich. Dies ist einerseits herstellungstechnisch schwierig (Poren, Sinterfähigkeit,..), führt aber auch dazu, dass eine nachfolgende Bearbeitung des Werkstoffes nicht leicht ist. Ebenso leidet die Oberflächenqualität darunter. Abbildung 2 zeigt die Ausdehnungseigenschaften als Funktion des Füllstoffgehaltes C. c) Speziell im Fall von Diamant muss bei der Auswahl der Verfahrensparameter zur Konsolidierung sehr sorgsam umgegangen werden. Diamant wandelt sich bei Temperaturen von 900 bis 1000°C in Graphit um. Um einen kompakten, dichten Körper zu erhalten, müssen die Sinterbedingungen sorgfältig ausgewählt werden.
Um einen Werkstoff mit einer thermischen Ausdehnung von 4 bis 12 ppm/K zu erhalten, wird vorteilhafter Weise wie folgt vorgegangen: a) Um einen entsprechenden Wärmeübergang zwischen der metallischen Matrix und dem auf Kohlenstoff basierenden Füllstoff zu erhalten, können beschichtete Füllstoffe verwendet werden. Die Füllstoffe sind mit einer Schicht aus einem Material mit geringem Ausdehnungskoeffizienten und guter Affinität zum Kohlenstoff-Füllstoff wie beispielsweise Mo, W, Cr, Ta, AIN beschichtet. Die Dicke der Beschichtung kann dabei im Bereich von einigen 4 AT 503 270 B1 10 nm bis einigen 100 nm liegen, bzw. der Anteil am Gesamtwerkstoff bei etwa 0,1 bis 5 vol.%. Optional kann eine Verbesserung im thermischen Übergang aber auch durch geschickte Auswahl eines metallischen Füllstoffes B erreicht werden. b) Um einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten im Verbundwerkstoff zu erreichen, der möglichst nahe an dem von AI203 bzw. AIN liegt, kann die auf Kupfer basierende Matrix mit einem Ausdehnungskoeffizienten von 16-20 ppm/K entsprechend modifiziert werden, damit der Ausdehnungskoeffizient reduziert wird. Geeignete Komponenten, um den Ausdehnungskoeffizienten der auf Kupfer basierenden Matrix zu verringern sind: keramische Füllstoffe, die einen geringen thermischen Ausdehnungskoeffizienten im Bereich von 4 bis 6 ppm/K aufweisen und die keine überproportionale Verschlechterung (wie das zum Beispiel bei Ti der Fall wäre) der thermischen Leitfähigkeit bewirken. Darunter ist zu verstehen, dass der keramische Füllstoff die thermische Leitfähigkeit der auf Kupfer basierenden Matrix nur unwesentlich (über einen annäherungsweise linearen Zusammenhang entsprechend der Mischungsregel) verschlechtert. Als Vertreter eines derartigen Füllstoffes kommen Cu20 oder AI20 in Frage. metallische Füllstoffe, die eine thermische Leitfähigkeit von zumindest 50 W/mK aufweisen und einen Ausdehnungskoeffizienten der im Bereich 4 und 6 ppm/K liegt, wie im Fall von Mo, Cr oder W.
Um eine signifikante Reduktion des thermischen Ausdehnungskoeffizienten zu erreichen, wird ein keramischer und/oder metallischer Füllstoffanteil in der Menge von zumindest 5 vol.% eingesetzt. Eine besonders wirksame Reduktion des Ausdehnungskoeffizienten wird dann möglich, wenn der keramische Füllstoff Cu20 in-situ erzeugt wird. Dies kann durch die Verwendung von Kupfer-Ausgangspulvern mit einer Korngröße < 1 pm unter besonderen (nicht reduzierenden) Sinteratmosphären erreicht werden. c) Um einen kompakten Körper zu erreichen, ist es vorteilhaft, entsprechend hohe Sintertemperaturen und/oder entsprechend lange Sinterzeiten zu verwenden. Wie oben angeführt, kann es dabei, z.B. im Fall von Diamant, zu Umwandlungen kommen. Eine Prozessführung, die auf hohe Sintertemperaturen in Kombination mit hohen Heiz- und Kühlraten sowie kurzen Sinterzeiten aufgebaut ist, hilft, ungewollte Umwandlungen zu vermeiden. Der Einsatz von induktiv bzw. konduktiv geheizter Heisspresstechnologie bzw. von innovativen Sinterverfahren, wie Spark Plasma Sintering oder deren abgewandelte Formen, erlaubt die Herstellung eines Werkstoffes mit entsprechenden Eigenschaften bei gleichzeitige Unterdrückung von unerwünschten Umwandlungen.
Die vorliegende Erfindung beschreibt Werkstoffe, die im Wesentlichen aus drei Komponenten zusammengesetzt sind:
Metallische Matrix A, keramischer und/oder metallischer Füllstoff B, auf Kohlenstoff basierender Füllstoff C, wobei letzterer gegebenenfalls mit einer Beschichtung D versehen sein kann.
Die spezielle Auswahl des metallischen und/oder keramischen Füllstoffes B hat folgenden Grund: Der Füllstoff soll einerseits einen sehr geringen thermischen Ausdehnungskoeffizienten und gleichzeitig entweder eine hohe thermische Leitfähigkeit aufweisen und/oder die thermische Leitfähigkeit der auf Kupfer basierenden Matrix nicht empfindlich stören.
Kupferoxid (Cuprit, Cu20) ist ein keramischer Füllstoff, der sich durch einen geringen thermischen Ausdehnungskoeffizienten von etwa 4-6 ppm/K auszeichnet. Gleichzeitig beeinflusst der Cu20 Anteil in einer Kupfermatrix diese nur in einem annähernd linearen Zusammenhang negativ. Über die sogenannte Mischungsregel kann die thermische Leitfähigkeit λ bzw. auch der thermische Ausdehnungskoeffizient α einer Matrix-Inklusion Mischung aus den Volumenanteilen der Einzelkomponenten berechnet werden (VMatrix. Vink|USi0n): 5 AT 503 270 B1 X = V,
Matrix ' λMatrix + V,
Inklusion ΛInklusion
Of VMatrix ’ OMatrix V Inklusion ' ® Inklusion
Daraus ergibt sich, dass bei einem Volumsverhältnis von 50 vol.% Kupfermatrix zu 50 vol.% nicht thermisch leitender Inklusion die thermische Leitfähigkeit des Verbundwerkstoffes noch immer bei etwa 200 W/mK liegt, während der Ausdehnungskoeffizient auf einen Wert von etwa 10 ppm/K (von ursprünglich 16 ppm/K) reduziert wurde. Wählt man nun eine Cu-Cu20 Mischung als Matrix, die mit einem auf Kohlenstoff basierenden Füllstoff wie beispielsweise Diamant verstärkt wird, z.B. 50 vol.% Cu-Cu20 Matrix (= 25 vol.% Cu+25 vol.% Cu20) und 50 vol.% Diamant, dann ergibt sich (bei einer thermischen Leitfähigkeit des Diamanten von 1000 W/mK und einem Ausdehnungskoeffizienten von 1 ppm/K) eine thermische Leitfähigkeit von 600 W/mK sowie ein Ausdehnungskoeffizient von etwa 5,5 ppm/K. Im Fall des keramischen Füllstoffes Cu20 bzw. einer reinen Kupfermatrix darf allerdings der thermische Übergang zwischen der Matrix und dem auf Kohlenstoff basierenden Füllstoff nicht vernachlässigt werden. Aus diesem Grund ist es zweckmäßig, beschichtete Füllstoffe (beispielsweise mit Mo- oder Cr-Schicht) zu verwenden, um einen entsprechenden thermischen Übergang zwischen der Matrix und dem thermisch hoch leitfähigen Füllstoff zu ermöglichen. Wenn der Anteil dieser Beschichtungen gering gehalten wird, tritt in diesem Fall nur eine unwesentliche Verschlechterung der thermischen Leitfähigkeit der auf Kupfer basierenden Matrix ein. Abbildung 3 zeigt die Möglichkeit wie bei gleich bleibendem Füllstoff Gehalt C von 50 vol.% mithilfe der Variation des Füllstoffgehaltes B der Ausdehnungskoeffizient variiert werden kann.
Um Cu20 im Endprodukt zu erhalten, kann dieser als Füllstoff direkt in Form von Cu20 bzw. CuO Partikel mit der Matrix bzw. mit dem thermisch hoch leitfähigen Füllstoff C gemischt werden bzw. als alternatives Verfahren kann das Cu20 auch in-situ während der Herstellung des Verbundwerkstoffes direkt gebildet werden. Dies gelingt entweder durch eine entsprechende Prozessführung (keine reduzierende Atmosphäre) und/oder durch den Einsatz von feinstkörni-gen Kupferpulvern im Submikron-Korngrößen-Bereich mit einer hohen spezifischen Oberfläche. Speziell bei der Verwendung von Kupfer Nanopulvern gelingt es aufgrund der hohen Sauerstoffaffinität dieser Pulver feinverteilte Cu20 Oxide in hohem Anteil zu erzeugen.
Ein Verbundwerkstoff mit reduzierter thermischer Ausdehnung kann auch dann erreicht werden, wenn spezielle metallische Füllstoffe ausgewählt werden, die einen geringen thermischen Ausdehnungskoeffizienten von 4-6 ppm/K aufweisen und zusätzlich einen positiven Einfluss auf den thermischen Kontakt zwischen Matrix und auf Kohlenstoff basierenden Füllstoffen aufweisen, auch wenn sie in einer großen Menge (>5 vol.%) eingesetzt werden. Eine große Menge an den metallischen Füllstoffen erlaubt zudem, dass auf die Beschichtung des auf Kohlenstoff basierenden Füllstoffes optional verzichtet werden kann, ohne dass es zu einer wesentlichen Verschlechterung der thermischen Eigenschaften kommt. Ein hoher metallischer Füllstoffanteil und/oder eine Beschichtung des Füllstoffes in Kombination mit einer hohen Sintertemperatur (teilweise bereits über der Temperatur, bei der Diamant thermisch instabil ist und in Graphit umgewandelt wird) erlaubt den Einsatz von äußerst kurzen Sinterzeiten. Aufgrund des hohen Metallfüllstoffgehaltes sind nur kurze Diffusionsstrecken zum auf Kohlenstoff basierenden Füllstoff C zurückzulegen.
Werkstoffe mit geringem thermischen Ausdehnungskoeffizienten und einer thermischen Leitfähigkeit von 200 W/mK und mehr sind gefragte Werkstoffe im Bereich der Elektronik, entweder als Trägerplatte bzw. als Wärmesenke. Die zunehmenden Anforderungen der Elektronikindustrie erfordern Werkstoffe mit thermischen Leitfähigkeiten von mehr als 300 W/mK und einen Ausdehnungskoeffizienten im Bereich von 6-10 ppm/K.
Vielfach können diese Anforderungen nicht einmal mehr von Verbundwerkstoffen wie Cu-Mo, Cu-W oder AlSiC erfüllt werden. AIN und SiC können zwar als Wärmesenke verwendet werden, 6 AT 503 270 B1 sind allerdings teuer. Die thermischen Eigenschaften liegen bei etwa 270 W/mK für SiC und bei 250 W/mKfür AIN. Wärmesenken für Laseranwendungen werden bereits aus Diamant gemacht bzw. wird CBN in Laserdioden eingesetzt. Diamant kann über CVD bzw. über den Hochtemperatur-Hochdruck Prozess-hergestellt werden. CBN wird mit letzterem Verfahren hergestellt. Beide sind ebenso teuer, und in den Dimensionen limitiert. Der Ausdehnungskoeffizient von CVD Diamant liegt bei 2,3 ppm/K, von cBN bei 3,7 ppm/K und ist daher geringer als der von GaAs (5,9 ppm/K) oder InP (4.5ppm/K). Darunter leidet die Zuverlässigkeit während des Betriebes aber auch während des Lötprozesses.
Verbundwerkstoffe auf Diamant-Basis wie beispielsweise Cu-Diamant, Al-Diamant oder Ag-Diamant stellen hier eine vielversprechende Alternative dar. Da sich sowohl die reine Cu bzw. auch AI Matrix durch einen hohen thermischen Ausdehnungskoeffizienten von 17 bzw. 22 ppm/K auszeichnen, kann hier zwar ein Verringerung des Ausdehnungskoeffizienten durch den Diamantfüllstoff erreicht werden, allerdings sind Volumsanteile von mehr als 55 vol.% erforderlich um einen Ausdehnungskoeffizienten von 8 bzw. von mehr als 65 vol.% um einen Ausdehnungskoeffizienten von 7 ppm/K zu erhalten. Dies führt dazu, dass vielfach aufwendige, zeit- und kostenintensive Prozesse dafür verwendet werden müssen.
Patente US 6.171.691 und EP 0898 310 A2 beschreiben einen Werkstoff, der aus einem Metall wie Cu, Ag, Au, AI, Mg oder Zn besteht, einem Karbid gebildet aus den Metallen der 4a und 5a Gruppe des Periodensystems sowie Cr und einem Diamantfüllstoff. Der Diamantfüllstoff ist dabei überdeckt von einer Karbidschicht. Die Herstellung des Werkstoffes erfolgt dabei über die flüssige Phase der Metall-Matrix.
Patent WO 2004/044950 A3 beschreibt einen Werkstoff bestehend im Wesentlichen aus einer Kupfermatrix und Diamant, wobei für die Herstellung auch beschichtete Diamanten zum Einsatz kommen können. Der Prozess zur Herstellung ist mehrstufig und verwendet reduzierende Wasserstoffatmosphäre um die Bildung von Kupferoxiden zu vermeiden. Diese werden als störende Bestandteile beschrieben.
Patent WO 2004/080913 A1 beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines Werkstoffes auf Diamantbasis unter Verwendung von Cu, Ag, Au bzw. deren Legierungen. Hier werden ebenso benetzungsfördernde Legierungselemente <3 at.% wie Ni, Cr, Ti, V, Mo, W, Nb, Ta, Co, Fe verwendet und zusätzlich zumindest ein Element aus der Gruppe Si, Y, Sc.
Patent US 2004/0183172A1 beschreibt einen Werkstoff, bestehend aus einem Metall auf Kupfer bzw. Silber Basis, wobei die Anbindung an den Diamant über ein Metallkarbid erfolgt.
Patent EP 1160860 A1 beschreibt einen Werkstoff, der aus Cu, AI oder Ag besteht, wobei zur Verbesserung der Benetzbarkeit von Graphit bzw. Kohlenstoff beim Flüssigphasen Infiltrationsprozess einer porösen Vorform verschiedene Elemente verwendet werden um die Benetzung zu verbessern.
Patent US 2005/0051891 A1 beschreibt einen Werkstoff mit 60 - 90 vol.% Diamant. Als Matrix wird hier Kupfer verwendet. Mit diesem Verfahren gelingt es, einen Werkstoff mit einem Ausdehnungskoeffizienten unter 6 ppm/K zu erhalten. Um einen dichten kompakten Körper zu erhalten werden hier allerdings Drücke von 1 bis 6 GPa verwendet. Ein derartiger Prozess ist kostenintensiv (erforderliche Sinteranlagen), außerdem ist die Herstellung beschränkt auf einfache Geometrien. Es werden entsprechende Maßnahmen gesetzt, um die Bildung von Kupferoxiden zu vermeiden. Der Sauerstoffanteil liegt unter 0,07 wt.%.
Patente US 5.783.316 bzw. US 6.264.882 beschreiben einen Werkstoff der über Flüssigphaseninfiltration eines porösen Vorkörpers hergestellt wird. Dabei kommen auch beschichtete 7 AT 503 270 B1
Diamanten zum Einsatz, z.B. mit W, Zr, Re, Cr und Ti Schichten. Als Matrix wird dabei Cu, Ag bzw. Cu-Ag verwendet. Die poröse Vorform wird in einem zweiten Schritt infiltriert.
Prinzipiell sind zweistufige Prozesse (Pressen einer Vorform und Sintern bzw. Infiltration) zweitaufwendig und erfordern eine exakte Kontrolle von Sinter- sowie Infiltrationsbedingungen. Ein porenfreier Körper wird nur dann erreicht, wenn entsprechende Porosität vorhanden ist, die über Kapillarkräfte dazu führt, dass eine vollständige Infiltration stattfindet. Um dies zu ermöglichen müssen beschichtete Diamantpartikel und/oder Legierungselemente verwendet werden. Der Anteil an beschichteten Elementen bzw. verwendeten Beschichtungen ist dabei meistens unter 3 vol.% und hat somit kaum eine Auswirkung hinsichtlich einer Reduktion des thermischen Ausdehnungskoeffizienten der Metall-Matrix.
Zur Herstellung eines Verbundwerkstoffes mit angepassten thermischen Ausdehnungseigenschaften eignet sich somit ein Verfahren, das insbesondere rasch und somit auch kostengünstig funktioniert. Die Herstellung erfolgt dabei unter Aufbringen von mechanischem Druck in Kombination mit einer geeigneten Temperaturführung. Dazu wird die entsprechende Pulvermischung in eine Matrize gefüllt, beispielsweise aus Graphit, und gegebenenfalls bei einem Druck von einigen MPa vorverdichtet. Die vorverdichtete Pressmatrize wird in eine entsprechende konduktiv oder induktiv beheizte Heißpresse eingesetzt und sodann evakuiert.
Die effiziente Herstellung wird durch eine hohe Heiz/Kühlrate in Kombination mit einer kurzen Sinterzeit erreicht. Durch den gezielten Verzicht auf eine reduzierende Sinteratmosphäre gelingt es, nicht nur einfach gebaute und somit kostengünstige Anlagen zu verwenden, sondern auch gleichzeitig eine in-situ Oxidation zu Bildung von Cu20 zu erreichen um damit den Ausdehnungskoeffizienten der Matrix zu verringern. Diese in-situ Oxidation kann sowohl über die Korngröße des Kupfer Ausgangspulvers gesteuert werden bzw. und/oder durch die verwendeten Prozessbedingungen. Hohe Heizraten (von einigen 100 K/min) lassen sich durch Verfahren wie induktiv- oder konduktiv beheizte Heißpressen realisieren. Abgewandelte Verfahren sind beispielsweise das Spark Plasma Sintern oder Field Assisted Sintering. Durch Verwenden von hohen Heizraten und kurze Sinterzeiten gelingt es einerseits die Umwandlung von Diamant in Kohlenstoff gezielt zu unterdrücken auch wenn hohe Sintertemperaturen von 1000°C oder mehr verwendet werden. Nach der Haltezeit bei der gewünschten Temperatur wird die Matrize samt Probe abgekühlt, die Vakuumkammer wird belüftet und die Probe entnommen und ausgeformt.
Die erfindungsgemäße Vorgangsweise zur Erstellung erfindungsgemäßer Werkstoffe wird im Folgenden anhand von Beispielen erläutert.
Beispiel 1: 11,04 g synthetisches Diamantpulver mit einer Korngröße von 300 pm wurden mit einer Schicht von ca. 200 nm Mo über ein PVD Verfahren beschichtet und wurden mit 28,05 g Cu mit einer Korngröße von ~ 100 nm 12 Stunden in Isopropanol in einem Turbulamischer gemischt und anschließend getrocknet. Von der Pulvermischung wurden 7,5 g in eine Graphitmatrize mit Durchmesser 20 mm gefüllt und mit einem Druck von 5 MPa vorkompaktiert. Die befüllte und vorkompaktierte Graphitmatrize wurde in eine induktiv beheizten Heißpresse eingesetzt und auf einen Druck von 10‘2 mbar evakuiert. Gleichzeitig wurde der mechanische Druck auf 50 MPa erhöht und eine Heizrate von 150°C/min mittels einer Induktionsspule realisiert.
Nach Erreichen einer Temperatur von 900°C und einer Haltezeit von 2 Minuten wurde die Probe mit einer Kühlrate von etwa 200°C/min auf etwa 400°C abgekühlt; nach dem eine Temperatur von etwa 100 °C erreicht wurde, wurde der Vakuumbehälter belüftet. Durch Verwendung von Cu Nanopulver unter nicht reduzierenden Bedingungen kam es zu einer in-situ Ausbildung von Cu20 in der Kupfer Matrix. Der Anteil von Cu20 wurde auf mit etwa 14,2 vol.% über XRD bestimmt. Zur Messung des thermischen Ausdehnungskoeffizienten wurden die Proben mittels Dilatometer in einem Temperaturbereich von RT bis 300 °C untersucht. Ein mittlerer Ausdeh- 8 AT 503 270 B1 nungskoeffizient von 8,6 ppm/K in diesem Bereich wurde ermittelt, bei 50 °C lag dieser bei 7,6 ppm/K. entsprechend Abbildung 4.
Beispiel 2: 8,84 g synthetisches Diamantpulver mit einer Korngröße von 300 pm wurden mit einer Schicht von ca. 200 nm Mo über ein PVD Verfahren beschichtet und wurden mit 33,66 g Cu mit einer Korngröße < 15 pm 2 Stunden trocken in einem Turbulamischer gemischt. Davon wurden 8 g in eine Graphitmatrize mit Durchmesser 20 mm gefüllt und mit einem Druck von 5 MPa vorkom-paktiert. Die befüllte und vorkompaktierte Graphitmatrize wurde in eine induktiv beheizten Heißpresse eingesetzt und auf einen Druck von 10‘2 mbar evakuiert. Gleichzeitig wurde der mechanische Druck auf 50 MPa erhöht und eine Heizrate von 150°C/min mittels einer Induktionsspule realisiert.
Nach Erreichen einer Temperatur von 900°C und einer Haltezeit von 2 Minuten wurde die Probe mit einer Kühlrate von etwa 200°C/min auf etwa 400°C abgekühlt; nach dem eine Temperatur von etwa 100 °C erreicht wurde, wurde der Vakuumbehälter belüftet. Durch Verwendung von nicht reduzierenden Bedingungen kam es zu einer in-situ Ausbildung von Cu20 in der Kupfer Matrix. Der Anteil von Cu20 wurde auf mit etwa 8,2 vol.% über XRD bestimmt (Abbildung 5). Die Messung des thermischen Ausdehnungskoeffizienten erfolgte mittels Dilatometer in einem Temperaturbereich von RT bis 300 °C gemessen. Ein mittlerer Ausdehnungskoeffizient von 10,8 ppm/K in diesem Bereich wurde ermittelt, bei 50 °C lag dieser bei 9,6 ppm/K.
Beispiel 3 11.04 g synthetisches Diamantpulver mit einer Korngröße von 300 pm wurden in einer Dicke von ca. 200 nm Mo über ein PVD Verfahren beschichtet und wurden mit 16,8 g Cu mit einer Korngröße < 50 pm und 7,7 g Cu20 Pulver mit einer Korngröße von < 20 pm in einem Turbulamischer für 2 Stunden gemischt. Dies entspricht einem Volumsanteil von 20 vol.%. Von dieser Mischung wurden 7 g in eine Graphitmatrize mit Durchmesser 20 mm gefüllt und mit einem Druck von 5 MPa vorkompaktiert. Die befüllte und vorkompaktierte Graphitmatrize wurde in eine induktiv beheizte Heißpressanlage eingesetzt und auf einen Druck von 10'2 mbar evakuiert. Gleichzeitig wurde der mechanische Druck auf 50 MPa erhöht und eine Heizrate von 150°C/min mittels Induktionsspule realisiert.
Nach Erreichen einer Temperatur von 950°C und einer Haltezeit von 2 Minuten wurde die Probe mit einer Kühlrate von etwa 200°C auf etwa 400°C abgekühlt; nach dem eine Temperatur von etwa 100 °C erreicht wurde, wurde der Vakuumbehälter belüftet. Zur Messung des thermischen Ausdehnungskoeffizienten wurden die Proben mittels Dilatometer in einem Temperaturbereich von RT bis 300 °C untersucht. Ein mittlerer Ausdehnungskoeffizient von etwa 8,1 ppm/K in diesem Bereich wurde ermittelt, bei 50 °C lag dieser bei 7,2 ppm/K.
Beispiel 4 11.04 g synthetisches Diamantpulver mit einer Korngröße von 300 pm wurden mit einer Schicht einer Dicke von ca. 500 nm Cr über ein PVD Verfahren beschichtet und wurden mit 28,05 g Cu mit einer Korngröße ~ 100 nm 12 Stunden in Isopropanol in einem Turbulamischer gemischt und anschließend getrocknet. Von der Pulvermischung wurden 3 g in eine Graphitmatrize mit Durchmesser 12,5 mm gefüllt und mit einem Druck von 5 MPa vorkompaktiert. Die befüllte und vorkompaktierte Graphitmatrize wurde in eine Spark Plasma Sinter Anlage eingesetzt und auf einen Druck von 10'1 mbar evakuiert. Gleichzeitig wurde der mechanische Druck auf 30 MPa erhöht und eine Heizrate von 150°C/min mittels einem gepulstem Gleichstrom realisiert.
Nach Erreichen einer Temperatur von 900°C und einer Haltezeit von 2 Minuten wurde die Probe mit einer Kühlrate von etwa 200°C auf etwa 400°C abgekühlt; nach dem eine Temperatur 9 AT 503 270 B1 von etwa 100 °C erreicht wurde, wurde der Vakuumbehälter belüftet. Durch Verwendung von Cu Nanopulver unter nicht reduzierenden Bedingungen kam es zu einer in-situ Bildung von Cu20. Der Anteil von Cu20 wurde auf mit etwa 18,7 vol.% bestimmt. Zur Messung des thermischen Ausdehnungskoeffizienten wurden die Proben mittels Dilatometer in einem Temperaturbereich von RT bis 300 °C untersucht. Ein mittlerer Ausdehnungskoeffizient von 8,5 ppm/K in diesem Bereich wurde ermittelt, bei 50 °C lag dieser bei 7,4 ppm/K.
Neben Mo bzw. Cr zur Beschichtung des Diamantes eignen sich auch Schichten von wie z.B. W, Ta, B oder AIN, die ebenso eine gute Haftung bzw. thermischen Kontakt bewirken.
Beispiel 5: 5,53 g einer PITCH Kohlefaser wurden mit einer ca. 100 nm dicken Mo Schicht mit einem PVD Verfahren beschichtet, mit 33,67 g Cu Pulver mit einer Korngröße < 30 pm mit Isopropanol für 24 Stunden gemischt, getrocknet und in einer Graphitmatrize mit Durchmesser 40 mm gefüllt und mit einem Druck von 5 MPa vorkompaktiert. Die befüllte und vorkompaktierte Graphitmatrize wurde in eine Feld unterstützte Sinteranlage eingesetzt und auf einen Druck von 10'2 mbar evakuiert. Gleichzeitig wurde der mechanische Druck auf 50 MPa erhöht und eine Heizrate von 200°C/min mittels gepulstem Gleichstrom realisiert.
Nach Erreichen einer Temperatur von 900°C und einer Haltezeit von 2 Minuten wurde die Probe mit einer Kühlrate von etwa 200°C auf etwa 400°C abgekühlt; nach dem eine Temperatur von etwa 100 °C erreicht wurde, wurde der Vakuumbehälter belüftet. Der Anteil von Cu20 wurde auf etwa 1,9 vol.% mittels XRD Messung bestimmt (Abbildung 6). Zur Messung des thermischen Ausdehnungskoeffizienten wurden die Proben mittels Dilatometer in einem Temperaturbereich von RT bis 200 °C untersucht. Ein mittlerer Ausdehnungskoeffizient in x-y Richtung von 10,8 ppm/K in diesem Bereich wurde ermittelt, bei 50°C lag dieser bei 8,9 ppm/K.
Beispiel 6: 23,32 g synthetisches Diamantpulver mit einer Korngröße von 50-60 pm, 6,82 g Mo Pulver mit einer Korngröße < 50 pm, 53,34 g Cu mit einer Korngröße < 30 pm wurden 2 Stunden trocken in einem Turbulamischer gemischt und in einer Graphitmatrize mit Durchmesser 65 mm gefüllt und mit einem Druck von 5 MPa vorkompaktiert. Die befüllte und vorkompaktierte Graphitmatrize wurde in eine Heißpresse eingesetzt und auf einen Druck von 10'2 mbar evakuiert und mit Wasserstoff geflutet. Gleichzeitig wurde der mechanische Druck auf 20 MPa erhöht und eine Heizrate von 50°C/min angelegt.
Nach Erreichen einer Temperatur von 950°C und einer Haltezeit von 15 Minuten wurde die Probe abgekühlt; nach dem eine Temperatur von etwa 100 °C erreicht wurde, wurde der Behälter mit Stickstoff geflutet und belüftet. Der thermische Ausdehnungskoeffizient wurde in einem Temperaturbereich von RT bis 300 °C gemessen. Ein mittlerer Ausdehnungskoeffizient von etwa 10,5 ppm/K in diesem Bereich wurde ermittelt, bei 50°C lag dieser bei 10,0 ppm/K (Abbildung 7). Ähnliche Eigenschaften können unter Verwendung von weiteren metallischen oder keramischen Füllstoffen erreicht werden, wie z.B. W, Ta, B, bzw. AIN und AI203.
Beispiel 7: 2,2 g synthetisches Diamantpulver mit einer Korngröße von 300 pm, die mit einer etwa 500 nm dicken Cr Schicht beschichtet wurden, 0,45g Cr Pulver mit einer Korngröße < 50 pm, 5,05 g Cu mit einer Korngröße < 30 pm wurden 2 Stunden trocken in einem Turbulamischer gemischt und in einer Graphitmatrize mit Durchmesser 20 mm gefüllt und mit einem Druck von 5 MPa vorkompaktiert. Die befüllte und vorkompaktierte Graphitmatrize wurde in eine induktiv beheizten Heißpresse eingesetzt und auf einen Druck von 10'2 mbar evakuiert. Gleichzeitig wurde der mechanische Druck auf 50 MPa erhöht und eine Heizrate von 150°C/min mittels einer Indukti-
Claims (26)
1 0 AT 503 270 B1 onsspule realisiert. Nach Erreichen einer Temperatur von 1000°C und einer Haltezeit von 2 Minuten wurde die Probe mit einer Kühlrate von etwa 200°C auf etwa 400°C abgekühlt; nach dem eine Temperatur von etwa 100 °C erreicht wurde, wurde der Vakuumbehälter belüftet. Zur Bestimmung des thermischen Ausdehnungskoeffizienten wurde die Probe in einem Temperaturbereich von RT bis 300 °C gemessen. Der Anteil von Cu20 wurde auf etwa 1,2 vol.% mittels XRD Messung bestimmt. Ein mittlerer Ausdehnungskoeffizient von etwa 8,8 ppm/K in diesem Bereich wurde ermittelt, bei 50°C lag dieser bei 8,4 ppm/K. (Abbildung 7) Beispiel 8: 2,2 g synthetisches Diamantpulver mit einer Korngröße von 300 pm, die mit einer etwa 500 nm dicken Cr Schicht beschichtet wurden, 1,80g Cr Pulver mit einer Korngröße < 50 μιη, 3,37 g Cu mit einer Korngröße < 30 pm wurden 2 Stunden trocken in einem Turbulamischer gemischt und in einer Graphitmatrize mit Durchmesser 20 mm gefüllt und mit einem Druck von 5 MPa vor-kompaktiert. Die befüllte und vorkompaktierte Graphitmatrize wurde in eine induktiv beheizten Heißpresse eingesetzt und auf einen Druck von 10'2 mbar evakuiert. Gleichzeitig wurde der mechanische Druck auf 50 MPa erhöht und eine Heizrate von 150°C/min mittels einer Induktionsspule realisiert. Nach Erreichen einer Temperatur von 1000°C und einer Haltezeit von 2 Minuten wurde die Probe mit einer Kühlrate von etwa 200°C auf etwa 400°C abgekühlt; nach dem eine Temperatur von etwa 100 °C erreicht wurde, wurde der Vakuumbehälter belüftet. Der Anteil von Cu20 wurde auf etwa 0,7 vol.% mittels XRD Messung bestimmt. Zur Bestimmung des thermischen Ausdehnungskoeffizienten wurde die Probe in einem Temperaturbereich von RT bis 300 °C gemessen. Ein mittlerer Ausdehnungskoeffizient von etwa 6,6 ppm/K in diesem Bereich wurde ermittelt, bei 50°C lag dieser bei 5,9 ppm/K. (Abbildung 7) Beispiel 9 0,53 gr Vitreous Grown Carbon Fibers wurden, mit 5,6 g Cu Pulver mit einer Korngröße <30 pm und 2,6 g Mo wurden mit Isopropanol für 24 Stunden gemischt, getrocknet und in einer Graphitmatrize mit Durchmesser 20 mm gefüllt und mit einem Druck von 5 MPa vorkompaktiert. Die befüllte und vorkompaktierte Graphitmatrize wurde in eine Heißpresse eingesetzt und auf einen Druck von 10'2 mbar evakuiert. Gleichzeitig wurde der mechanische Druck auf 20 MPa erhöht und eine Heizrate von 150°C/min angelegt. Nach Erreichen einer Temperatur von 900°C und einer Haltezeit von 15 Minuten wurde die Probe mit einer Kühlrate von etwa 200°C auf etwa 400°C abgekühlt; nach dem eine Temperatur von etwa 100 eC erreicht wurde, wurde der Vakuumbehälter belüftet. Der Anteil von Cu20 wurde auf etwa 1,6 vol.% mittels XRD Messung bestimmt. Der thermische Ausdehnungskoeffizient wurde mittels Dilatometer für die x-y Richtung in einem Temperaturbereich von RT bis 200 °C gemessen. Ein mittlerer Ausdehnungskoeffizient von etwa 13,3 ppm/K in diesem Bereich wurde ermittelt, bei 50°C lag dieser bei 11,8, ppm/K. Es zeigte sich, dass die für den Füllstoff B eingesetzten Stoffe bzw. Elemente untereinander substituierbar sind, ohne den mechanischen und/oder physikalischen usw. Aufbau des resultierenden Werkstoffes nachteilig zu beeinflussen. Gleiches gilt für die für den Füllstoff C eingesetzten Materialien. Patentansprüche: 1. Werkstoff umfassend 1 1 AT 503 270 B1 - eine Metall-Matrix A, die bzw. deren Material in zumindest einer Raumrichtung einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten im Bereich von 16 bis 20 ppm/K, aufweist und von Kupfer oder einer Kupferlegierung gebildet ist und 10 bis 75 vol.%., vorzugsweise 35 bis 55 vol.%, des Werkstoffes darstellt, - zumindest einen metallischen und/oder keramischen Füllstoff B, der in zumindest einer Raumrichtung einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten im Bereich von 4 bis 6 ppm/K aufweist, von Cu20 und/oder AI203 und/oder AIN und/oder Mo und/oder Cr und/oder W und/oder B und/oder Ta gebildet ist und im Werkstoff in einer Menge von 1 bis 40 vol.%, vorzugsweise 10 bis 30 %, insbesondere 10 bis 25 vol.%, vorliegt, - zumindest einen auf Kohlenstoff basierenden, gegebenenfalls beschichteten bzw. mit einer Beschichtung überzogenen, Füllstoff C, der durch einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten von - 2 bis +2 ppm/K in zumindest einer Raumrichtung charakterisiert ist, hohe thermische Leitfähigkeit besitzt, von Graphit und/oder Kohlefasern und/oder Kohle-Nano-fasern und/oder Kohlenstoff-Nanoröhrchen und/oder Diamant gebildet ist und in einer Menge von 5 bis 65 vol.%, vorzugsweise 30 bis 50 vol.%, insbesondere 39 bis 41 vol.%, vorliegt, und - dass gegebenenfalls im Werkstoff neben dem Material der Metall-Matrix A und den Füllstoffen B und C amorphe und/oder intermediäre Stoffe bzw. Verbindungen im Ausmaß von < 5 vol.% enthalten sind.
2. Werkstoff nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die den Füllstoff C bildenden Stoffe, insbesondere Diamant, mit den Elementen Mo und/oder Cr und/oder W und/oder Ta und/oder B und/oder AIN, beschichtet bzw. mit einer Beschichtung überzogen sind, wobei der Anteil der Schicht 0,1 bis 5 vol.%, vorzugsweise 0,3 bis 2 vol.%, insbesondere 0,5 bis 1,0 vol.%, des Werkstoffes beträgt.
3. Werkstoff nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass im Werkstoff eine homogene Verteilung der Füllstoffe B und C in der Metall-Matrix A vorliegt.
4. Werkstoff nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Röhrchen bzw. Faserfüllstoffe eine Vorzugsorientierung senkrecht zur Pressrichtung des Werkstoffes aufweisen.
5. Werkstoff nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Werkstoff in zumindest einer Raumrichtung einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten von 4 bis 12 ppm/K besitzt.
6. Werkstoff nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass der Werkstoff in zumindest einer Raumrichtung eine thermische Leitfähigkeit von zumindest 200 W/mK aufweist, vorzugsweise von zumindest 300 W/mK, insbesondere von zumindest 400 W/mK.
7. Werkstoff nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass der Werkstoff eine Dichte > 80 % (bezogen auf die theoretische Dichte), vorzugsweise über 90 %, insbesondere über 95 %, aufweist.
8. Werkstoff nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass der Werkstoff durch ein Sinter-Verfahren bzw. Sintern des Materials der Metall-Matrix A und der Füllstoffe B und C erstellt ist.
9. Werkstoff nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallmatrix A eine Korngröße von < 50 pm, vorzugsweise < 5 pm, insbesondere < 2 pm aufweist, wobei vorteilhafter Weise die untere Grenze mit 10 nm angesetzt ist.
10. Werkstoff nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass der Füllstoff B 1 2 AT 503 270 B1 in einer Korngröße von < 50 pm, vorzugsweise < 20 μηη, insbesondere < 10 μηι, vorliegt, wobei vorteilhafter Weise die untere Grenze des Füllstoffes B mit 1 μιτι angesetzt ist.
11. Werkstoff nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass der Füllstoff C im Fall von Diamant eine Korngröße im Bereich < 500 μηη, vorzugsweise < 300 μηη, vorzugsweise < 100 μηη, vorteilhafterweise größer als 1 μηη, aufweist.
12. Werkstoff nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass der Füllstoff C in Form von Kohlefasern mit einem Durchmesser zwischen 5 bis 15 pm und einer Länge im Bereich von 10 bis 1000 pm, vorzugsweise 100 bis 500 pm, insbesondere 300 bis 500 pm vorliegt und/oder in Form von Grafit-Nanofasern mit einem Durchmesser in einem Bereich von 100 bis 500 nm und einer Länge im Bereich von 1 bis 500 pm, vorzugsweise 10 bis 300 pm, insbesondere 50 bis 100 pm, vorliegt und/oder in Form von Kohlenstoff-Nanoröhrchen mit einem Durchmesser im Bereich von 10 bis 200 nm liegt und die Länge in einem Bereich von 1 bis 200 pm, vorzugsweise 80 bis 120 pm, vorliegt.
13. Werkstoff nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass beim Vorliegen einer Kupferlegierung als Metall-Matrix A die Kupferlegierungselemente, z.B. Zinn und/oder Zink, bis zu 15 wt.% betragen.
14. Werkstoff nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass der Werkstoff einen Ausdehnungskoeffizient von 4 bis 12 (.10“®Κ'1) in einem Temperaturbereich von 20°C bis 50°C besitzt.
15. Verfahren zur Herstellung eines Werkstoffes, insbesondere mit den Merkmalen eines der Ansprüche 1 bis 14, mit einem vorwählbaren bzw. vorgegebenen thermischen Ausdehnungskoeffizienten, wobei ein Pulvergemenge umfassend Pulver von Kupfer und/oder Kupferlegierung für die Ausbildung einer Metall-Matrix A in einer Menge von 15 bis 75 vol.%, vorzugsweise 35 bis 55 vol.%, Pulver von Cu20 und/oder AI203 und/oder AIN und/oder Mo und/oder Cr und/oder W und/oder B und/oder Ta in einer Menge von 1 bis 40 vol.%, vorzugsweise 10 bis 30 %, insbesondere 10 bis 25 vol.%, als Füllstoff B, und Pulver von Graphit und/oder Kohlefasern und/oder Kohle-Nanofasem und/oder Koh-lenstoff-Nanoröhrchen und/oder Diamant in einer Menge von 5 bis 65 vol.%, vorzugsweise 30 bis 50 vol.%, insbesondere 39 bis 41 vol.%, als Füllstoff C nach einem Vermischen mit einer Aufheizgeschwindigkeit von mehr als 50°C/min, insbesondere mehr als 100°C/min, insbesondere mehr als 150°C/min, auf Sintertemperatur gebracht wird und die Sintertemperatur in einem Bereich von 700°C bis 1300°C, vorzugsweise 850°C bis 1050°C, für eine Haltezeit bzw. Zeitdauer von 0,1 bis 250 min, vorzugsweise 1 bis 60 min, insbesondere 2 bis 15 min, eingestellt bzw. gehalten wird und daraufhin der Sinterkörper abgekühlt und der Form entnommen wird, wobei die Volums-% auf das Gesamtvolumen des eingesetzten Pulvergemenges bezogen sind.
16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass das als Füllstoff C eingesetzte Pulver, insbesondere Diamant, beschichtet bzw. mit einer Beschichtung überzogen ist, und zwar mit den Elementen Mo und/oder Cr und/oder W und/oder Ta und/oder B und/oder AIN, wobei der Anteil der Schicht 0,1 bis 5 vol.%, vorzugsweise 0,3 bis 2 vol.%. insbesondere 0,5 bis 1,0 vol.%, des Pulvergemenges beträgt.
17. Verfahren nach Ansprüche 15 oder 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Aufheizung des Gemisches und/oder der Sintervorgang unter Luft oder technischen Gasen, z.B. Wasserstoff, Argon, Stickstoff, oder unter Vakuum, insbesondere kleiner als 10'1 mbar, vorgenommen wird.
18. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass das 13 AT 503 270 B1 Gemisch des Ausgangspulvers in einer Form, insbesondere einer Grafit-Matrize, vorverdichtet wird, wobei der Vorverdichtungsdruck auf 1 bis 15 MPa, insbesondere zwischen 5 bis 10 MPa, eingestellt wird.
19. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass beim Sintern ein Druck von zumindest 5 MPa, insbesondere von 20 bis 50 Mpa, aufrechterhalten wird.
20. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass die Metall-Matrix A in Form eines Matrixausgangspulvers mit einer Korngröße von < 50 pm, vorzugsweise < 5 pm, insbesondere < 2 pm, eingesetzt wird.
21. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass der Füllstoff B in Form eines Pulvers mit einer Korngröße von < 50 pm, vorzugsweise < 20 pm, vorzugsweise <10 pm, eingesetzt wird.
22. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass der Füllstoff C - im Fall von Diamant mit einer Korngröße von 1 bis 500 pm, vorzugsweise 1 bis 300 pm, vorzugsweise 1 bis 100 pm, eingesetzt wird, - im Fall von Kohlefasem mit einem Durchmesser in einem Bereich von 5 bis 15 pm und einer Länge von 10 bis 1000 pm, vorzugsweise 100 bis 500 pm, insbesondere 300 bis 500 pm, eingesetzt werden, - im Fall von Grafit-Nanofasern mit einem Durchmesser in einem Bereich von 100 bis 500 nm und einer Länge in einem Bereich von 1 bis 500 pm, vorzugsweise 10 bis 300 pm, insbesondere 10 bis 100 pm, eingesetzt wird, und - im Fall von Kohlenstoff-Nanoröhrchen diese mit einem Durchmesser in einem Bereich von 10 bis 200 nm und einer Länge in einem Bereich von 1 bis 200 pm, vorzugsweise 1 bis 100 pm, eingesetzt bzw. dem Ausgangsgemenge zugesetzt werden.
23. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 22, dadurch gekennzeichnet, dass die Beschichtung durch Abscheiden des Schichtmaterials über die Gasphase (Chemical oder physical vapor deposition, CVD oder PVD) über nasschemische Verfahren oder durch ein Sprühverfahren auf den Füllstoff C aufgebracht wird.
24. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 23, dadurch gekennzeichnet, das bei dem Werkstoff durch Wahl der Sintertemperatur und/oder der Sinterzeit eine Dichte eingestellt wird, die größer als 80%, insbesondere größer als 90%. der theoretisch erreichbaren Werkstoffdichte ist.
25. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass der Sinterkörper von der Sintertemperatur mit einer Abkühlgeschwindigkeit von mehr als 50°C/min, vorzugsweise mehr als 100° C/min, insbesondere mehr als 200°C/min, abgekühlt wird.
26. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 25, dadurch gekennzeichnet, dass während des Aufheizvorganges vom Umfang des Werkstoffmaterials her eine gleichmäßige Aufheizung des in einer Form befindlichen Ausgangsmaterials bzw. Ausgangspulvers vorgenommen wird. Hiezu 4 Blatt Zeichnungen
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
AT3892006A AT503270B1 (de) | 2006-03-09 | 2006-03-09 | Verbundwerkstoff und verfahren zu seiner herstellung |
PCT/AT2007/000100 WO2007101282A2 (de) | 2006-03-09 | 2007-02-28 | Verbundwerkstoff und verfahren zu seiner herstellung |
EP07701341A EP1992015A2 (de) | 2006-03-09 | 2007-02-28 | Verbundwerkstoff und verfahren zu seiner herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
AT3892006A AT503270B1 (de) | 2006-03-09 | 2006-03-09 | Verbundwerkstoff und verfahren zu seiner herstellung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
AT503270A1 AT503270A1 (de) | 2007-09-15 |
AT503270B1 true AT503270B1 (de) | 2008-03-15 |
Family
ID=38093413
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
AT3892006A AT503270B1 (de) | 2006-03-09 | 2006-03-09 | Verbundwerkstoff und verfahren zu seiner herstellung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1992015A2 (de) |
AT (1) | AT503270B1 (de) |
WO (1) | WO2007101282A2 (de) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102008034258B4 (de) | 2008-07-17 | 2012-01-19 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Gesinterter Werkstoff und Verfahren zu dessen Herstellung |
DE102008034257B4 (de) * | 2008-07-17 | 2011-12-08 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Gesinterter schall- und schwingungsdämpfender Werkstoff und Verfahren zu dessen Herstellung |
WO2011049479A1 (en) * | 2009-10-21 | 2011-04-28 | Andrey Mikhailovich Abyzov | Composite material having high thermal conductivity and process of fabricating same |
CN101706226B (zh) * | 2009-11-23 | 2012-01-25 | 陈盈同 | 一种散热结构及其制造方法 |
US8475132B2 (en) * | 2011-03-16 | 2013-07-02 | General Electric Company | Turbine blade assembly |
EP2606996A1 (de) * | 2011-12-23 | 2013-06-26 | EPoS S.r.L. | Verfahren zum Sinter von Metallmatrixverbundmaterialien |
CN104475731A (zh) * | 2014-12-16 | 2015-04-01 | 深圳市东维丰电子科技股份有限公司 | 一种增强铜/金刚石复合散热材料及其制备方法 |
DE102017216290B4 (de) * | 2017-09-14 | 2022-09-08 | Freie Universität Berlin | Verbundwerkstoff und Verfahren zu dessen Herstellung, Kühlkörper und elektronisches Bauteil |
CN109811280A (zh) * | 2019-03-13 | 2019-05-28 | 中国科学院电工研究所 | 一种铜/碳纳米管复合材料及其制备方法 |
WO2021056133A1 (zh) * | 2019-09-23 | 2021-04-01 | 广东工业大学 | 一种新型陶瓷基金刚石复合片及其制备方法 |
DE102020209155A1 (de) * | 2020-07-21 | 2021-07-15 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsbelichtungsanlage mit einem Verbindungselement mit verbesserter Wärmeleitung |
CN112941431B (zh) * | 2021-02-01 | 2022-03-04 | 吉林大学 | 一种细颗粒金刚石铜基复合散热材料的粉末冶金制备方法 |
CN113956062B (zh) * | 2021-10-25 | 2022-11-15 | 燕山大学 | 一种陶瓷基板AlN/Ti层状复合材料及其制备方法和应用 |
CN114455949B (zh) * | 2022-03-03 | 2023-04-14 | 西安交通大学 | 一种三维氮化铝骨架增强高取向片状石墨复合材料及其制备方法 |
CN117025998B (zh) * | 2023-10-09 | 2024-01-16 | 赣州金顺科技有限公司 | 一种嵌埋金刚石铜的散热基板及其制备方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4083719A (en) * | 1975-10-29 | 1978-04-11 | Hitachi, Ltd. | Copper-carbon fiber composites and process for preparation thereof |
JP2000012739A (ja) * | 1998-06-25 | 2000-01-14 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体装置の基板用複合材料 |
JP2004285372A (ja) * | 2003-03-19 | 2004-10-14 | Mitsubishi Electric Corp | 銅−炭素繊維複合材およびその製造方法ならびにそれを用いた半導体デバイス |
WO2005106952A1 (de) * | 2004-04-29 | 2005-11-10 | Plansee Se | Wärmesenke aus borhaltigem diamant-kupfer-verbundwerkstoff |
JP2006001232A (ja) * | 2004-06-21 | 2006-01-05 | Hitachi Metals Ltd | 高熱伝導・低熱膨脹複合体およびその製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6238454B1 (en) * | 1993-04-14 | 2001-05-29 | Frank J. Polese | Isotropic carbon/copper composites |
JPH1197593A (ja) * | 1997-09-22 | 1999-04-09 | Hitachi Ltd | 放熱基板およびその製造方法 |
KR20020035630A (ko) * | 1998-12-07 | 2002-05-11 | 가나이 쓰도무 | 복합재료 및 그 용도 |
-
2006
- 2006-03-09 AT AT3892006A patent/AT503270B1/de not_active IP Right Cessation
-
2007
- 2007-02-28 WO PCT/AT2007/000100 patent/WO2007101282A2/de active Application Filing
- 2007-02-28 EP EP07701341A patent/EP1992015A2/de not_active Withdrawn
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4083719A (en) * | 1975-10-29 | 1978-04-11 | Hitachi, Ltd. | Copper-carbon fiber composites and process for preparation thereof |
JP2000012739A (ja) * | 1998-06-25 | 2000-01-14 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体装置の基板用複合材料 |
JP2004285372A (ja) * | 2003-03-19 | 2004-10-14 | Mitsubishi Electric Corp | 銅−炭素繊維複合材およびその製造方法ならびにそれを用いた半導体デバイス |
WO2005106952A1 (de) * | 2004-04-29 | 2005-11-10 | Plansee Se | Wärmesenke aus borhaltigem diamant-kupfer-verbundwerkstoff |
JP2006001232A (ja) * | 2004-06-21 | 2006-01-05 | Hitachi Metals Ltd | 高熱伝導・低熱膨脹複合体およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2007101282A3 (de) | 2007-11-22 |
WO2007101282A2 (de) | 2007-09-13 |
AT503270A1 (de) | 2007-09-15 |
EP1992015A2 (de) | 2008-11-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
AT503270B1 (de) | Verbundwerkstoff und verfahren zu seiner herstellung | |
EP1601630B1 (de) | Wärmesenke mit hoher wärmeleitfähigkeit | |
EP1741137B1 (de) | Wärmesenke aus borhaltigem diamant-kupfer-verbundwerkstoff | |
EP1751320B1 (de) | Verschleissteil aus einem diamanthaltigen verbundwerkstoff | |
DE68910190T3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Sputtertargets aus Wolfram-Titan. | |
AT408153B (de) | Metall-matrix-composite- (mmc-) bauteil | |
DE69018220T2 (de) | Verbindungswerkzeug. | |
JPWO2006103798A1 (ja) | 高熱伝導性黒鉛粒子分散型複合体及びその製造方法 | |
DE3421922C2 (de) | Verbundgebilde aus einem keramischen Material und einer Aluminiumlegierung | |
DE10211538A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von supraleitenden Drähten und Bändern auf Basis der Verbindung MgB¶2¶ | |
WO2012052191A1 (de) | Ausgangswerkstoff und verfahren zur herstellung einer sinterverbindung | |
WO2009056544A2 (de) | Verfahren zur herstellung eines verbundwerkstoffs sowie verbundwerkstoff und verbundwerkstoffkörper | |
DE3922057A1 (de) | Keramik-verbundstoff und verfahren zu seiner herstellung | |
EP1620892A2 (de) | Verbundwerkstoff sowie elektrischer schaltkreis oder elektrisches modul | |
DE102011018607A1 (de) | Granulat zur Herstellung von Verbundbauteilen durch Spritzgiessen | |
DE19845151A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von verschleißfesten Verbundwerkstoffen | |
DE69130237T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Kompositmaterial | |
DE102014216994B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Temperierelements sowie mit dem Verfahren hergestelltes Temperierelement | |
AT12389U1 (de) | Verbundwerkstoff und verfahren zu dessen herstellung | |
DE3426916A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines verbundwerkstoffes | |
DE102018205893B3 (de) | Werkstoff bestehend aus einem dreidimensionalen Gerüst, das mit SiC oder SiC und Si3N4 gebildet ist und einer Edelmetalllegierung, in der Silicium enthalten ist, sowie ein Verfahren zu seiner Herstellung | |
Hamid et al. | Electroless Ni-Cr-B on Diamond Particles for Fabricated Copper/Diamond Composites as Heat Sink Materials | |
WO2019020214A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer einphasigen schicht aus intermetallischen verbindungen | |
CN115261747B (zh) | 粉末冶金复合功能材料、其制作方法及应用 | |
DE3440346A1 (de) | Werkstoff aus in gegenwart von kohlenstoff reaktionsgebundenen, elementares silicium enthaltenden partikeln und verfahren zu seiner herstellung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM01 | Lapse because of not paying annual fees |
Effective date: 20160309 |