WO2024143215A1 - 発光装置 - Google Patents
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Classifications
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
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- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
Definitions
- This disclosure relates to a light emitting device.
- Patent Document 1 discloses a light-emitting device that has a light distribution suitable for headlights by combining multiple light-emitting elements with different areas.
- 6B is a schematic cross-sectional view taken along line AA in FIG. 6A.
- 3A to 3C are plan views each showing a schematic example of a method for manufacturing the light emitting device according to the first embodiment.
- 7B is a schematic cross-sectional view taken along line BB in FIG. 7A.
- 3A to 3C are plan views each showing a schematic example of a method for manufacturing the light emitting device according to the first embodiment.
- 8B is a schematic cross-sectional view taken along line CC of FIG. 8A.
- 3A to 3C are plan views each showing a schematic example of a method for manufacturing the light emitting device according to the first embodiment.
- 9B is a schematic cross-sectional view taken along line DD in FIG. 9A.
- FIG. 11 is a plan view illustrating an example of a light emitting device according to a second embodiment.
- FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating an example of a light-emitting device according to a second embodiment.
- FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating an example of a light-emitting device according to a second embodiment.
- FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating an example of a light-emitting device according to a second embodiment.
- FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating an example of a light-emitting device according to a second embodiment.
- FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating an example of a light-emitting device according to a third embodiment.
- FIG. 11 is a plan view illustrating an example of a light emitting device according to a second embodiment.
- FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating an example of a light-emitting device according to a second embodiment.
- the inventors conducted research to further improve the performance of partial high brightness light-emitting devices, and came to the realization that there may be a difference in visibility between light emitted from high brightness areas and light emitted from low brightness areas. It is believed that light emitted from high brightness areas results in mesopic to photopic vision, while light emitted from low brightness areas results in scotopic to mesopic vision.
- FIG. 1 is a plan view of a light emitting device 100 according to the first embodiment.
- the light emitting device 100 includes a first region 110 and a second region 120 which emit light having different luminances when lit, when viewed from the light emitting surface S side.
- the luminance La of the first region 110 is higher than the luminance Lb of the second region 120.
- the first region 110 and the second region 120 may be referred to as the "high luminance region 110" and the "low luminance region 120", respectively.
- a "high luminance region 110" is a region consisting of a portion having a luminance of 80% or more and 100% or less of the highest luminance (referred to as maximum luminance La max ) in the light-emitting device 100
- a "low luminance region 120" is a region consisting of a portion having a luminance of 5% or more and less than 80% of the maximum luminance La max .
- the relative intensity of the maximum intensity Ia max is set to 1, and the relative intensity of each luminescence intensity is calculated. That is, the intensities Ia 507 , Ia 555 , Ib 507 , and Ib 555 are divided by the maximum intensity Ia max to calculate the relative intensities (relative luminescence intensities) Ira 507 , Ira 555 , Irb 507 , and Irb 555 .
- the relationship between these relative intensities is such that the relative intensity Ira 507 is lower than Irb 507. That is, the relationship "Ira 507 ⁇ Irb 507 " is satisfied.
- the relative intensity Ira 555 is higher than Irb 555. That is, the relationship "Ira 555 > Irb 555 " is satisfied.
- a first wavelength conversion member 41 When viewed from the light emitting surface S side of the light emitting device 100, a first wavelength conversion member 41 is disposed in a first region (high luminance region) 110, and a second wavelength conversion member 42 is disposed in a second region (low luminance region) 120.
- the peak wavelength of the light wavelength-converted by the first wavelength conversion member 41 is longer than the peak wavelength of the light wavelength-converted by the second wavelength conversion member 42. That is, the light from the high luminance region 110 contains light obtained by shifting a part of the light from the first light emitting layer 11 to the long wavelength side by the first wavelength conversion member 41, and therefore has a relatively high emission intensity on the long wavelength side (wavelength 555 nm).
- the light-emitting device 100 includes multiple first light-emitting layers 11. In this case, the current value can be changed for each first light-emitting layer 11.
- the first light-emitting layers 11 are arranged side by side so as not to overlap each other when viewed from the light-emitting surface S side of the light-emitting device 100.
- the light extraction surfaces 11a of the first light-emitting layers 11 are arranged so as to be flush with each other.
- at least one first light-emitting layer 11 is arranged in each of the first region 110 and the second region 120 when viewed from the light-emitting surface S side of the light-emitting device 100. This allows the luminance of each of the first region 110 and the second region 120 to be individually controlled by the first light-emitting layer 11 arranged in each region.
- a higher current needs to be passed through the first light-emitting layer 11 having a large size (area) and arranged in the first region 110, and as a result, the luminous flux of the light from the first region 110 can be increased.
- a lower current is passed through the first light-emitting layer 11 having a small dimension (small area) located in the second region 120, but the current density is higher, thereby reducing the wavelength shift and improving the color difference.
- a frame body 7000 that surrounds the first wavelength conversion layer 4100 is formed on the flat light-transmitting plate 2000.
- the frame body 7000 may be formed before the formation of the first wavelength conversion layer 4100, and furthermore, the formation of the frame body 7000 may be omitted.
- a layer that emits light having an emission peak in the wavelength range of 400 nm to 500 nm can be selected as the first light-emitting layer 11.
- a semiconductor laminate that emits blue light e.g., emission peak wavelength of 430 to 500 nm
- the second light-emitting layer 12 can be selected from those that emit light having an emission peak on the longer wavelength side than the first light-emitting layer 11.
- a semiconductor laminate that emits blue light e.g., emission peak wavelength of 430 to 500 nm
- green light e.g., emission peak wavelength of 500 to 570 nm
- the phosphor used in the first wavelength conversion member 41 is one that can be excited by light emitted from the first light-emitting layer 11.
- the phosphor used in the second wavelength conversion member 42 is one that can be excited by light emitted from the first light-emitting layer 11 in the first to third embodiments, and one that can be excited by light emitted from the second light-emitting layer 12 in the fourth embodiment.
- phosphors that can be used for the first wavelength conversion member 41 and the second wavelength conversion member 42 are selected so that the peak wavelength of the light wavelength-converted by the first wavelength conversion member 41 is longer than the peak wavelength of the light wavelength-converted by the second wavelength conversion member 42.
- red-emitting phosphors examples include nitrogen-containing calcium aluminosilicate (CASN or SCASN) phosphors (e.g., (Sr,Ca) AlSiN3 :Eu), BSESN phosphors (e.g., (Ba,Sr, Ca ) 2Si5N8 : Eu ), etc.
- CASN or SCASN nitrogen-containing calcium aluminosilicate
- BSESN phosphors e.g., (Ba,Sr, Ca ) 2Si5N8 : Eu , etc.
- an yttrium -aluminum-garnet phosphor e.g., (Y,Gd) 3Al5O12 :Ce
- the types and concentrations of the phosphors contained in the first wavelength conversion member 41 and the second wavelength conversion member 42 are adjusted so that the light can be emitted in white of a desired chromaticity rank.
- the light-transmitting member 20 can contain a light-diffusing material.
- a light-diffusing material include titanium oxide, barium titanate, aluminum oxide, and silicon oxide.
- the light adjusting member 30 may be made of a light reflecting material, a light-transmitting material with a low refractive index, a DBR (distributed Bragg reflector), a wavelength cut filter, or the like.
- a light reflecting material a mixture of resin and a light reflecting substance can be used.
- the resin include resins or hybrid resins containing at least one of silicone resin, modified silicone resin, epoxy resin, modified epoxy resin, acrylic resin, phenol resin, bismaleimide triazine resin, and polyphthalamide resin. Among them, resins containing silicone resin as a base polymer, which has excellent heat resistance, electrical insulation, and flexibility, are preferred.
- FIG. 2 shows the first emission spectrum and the second emission spectrum of the light-emitting device 100 according to Example 1.
- Example 2 17 was produced.
- the emission peak wavelengths of the light-emitting layers used and the types of phosphors contained in first wavelength converting member 41 and second wavelength converting member 42 are shown in Table 2.
- the first light-emitting layer 11 was disposed in the high brightness region 110, and the second light-emitting layer 12 was disposed in the low brightness region 120.
- the first light-emitting layer 11 and the second light-emitting layer 12 had the same dimensions (area of the light extraction surfaces 11a, 12a) when viewed from the light-emitting surface S.
- the first emission spectrum and the second emission spectrum were measured in the same manner as in Example 1.
- the first emission spectrum and the second emission spectrum of the light emitting device 500 in Example 2 are shown in FIG.
- the relative intensities Ia 507 and Ia 555 at wavelengths 507 nm and 555 nm of the first emission spectrum and the relative intensities Ib 507 and Ib 555 at wavelengths 507 nm and 555 nm of the second emission spectrum, respectively , were determined with respect to the maximum intensity Ia max in the wavelength range of 400 nm to 500 nm of the first emission spectrum, and are shown in Table 2.
- a light emitting device is, for example, as follows.
- the light emitting device includes a first region and a second region that emit light having different luminances when lit, The luminance La of the first region is higher than the luminance Lb of the second region,
- the emission spectrum of the light emitted from the first region is Maximum intensity Ia max in the wavelength range of 400 nm to 500 nm, It has an intensity Ia 507 at a wavelength of 507 nm, and an intensity Ia 555 at a wavelength of 555 nm
- the emission spectrum of the light emitted from the second region is It has an intensity Ib 507 at a wavelength of 507 nm, and an intensity Ib 555 at a wavelength of 555 nm
- Relative intensities Ira 507 , Ira 555 , Irb 507 , and Irb 555 are calculated by dividing each of the intensities Ia 507 , Ia 555 , Ib 507 ,
- the light emitting device according to any one of items 1 to 6, wherein the third region has a luminance Lc that is equal to or greater than the luminance Lb and equal to or less than the luminance La.
- a third region When viewed from the light emitting surface side of the light emitting device, a third region between the first region and the second region; the third region has a luminance Lc that is equal to or greater than the luminance Lb and equal to or less than the luminance La;
- Item 7 The light emitting device according to any one of items 2 to 6, wherein a part of the first wavelength conversion member and a part of the second wavelength conversion member are arranged in the third region when viewed from the light emitting surface side of the light emitting device.
- the light emitting device comprises: a first light-emitting layer having an emission peak in the wavelength range of 400 nm to 500 nm; a second light-emitting layer having an emission peak at a wavelength longer than that of the first light-emitting layer; a first wavelength conversion member that is disposed on a light extraction surface side of the first light emitting layer and converts a wavelength of light emitted from the first light emitting layer; When viewed from the light emitting surface side of the light emitting device, the first light emitting layer and the first wavelength converting member are disposed in the first region; Item 2. The light emitting device according to item 1, wherein the second light emitting layer is disposed in the second region. [Item 10] 10.
- the light emitting device further comprising a second wavelength conversion member disposed on the light extraction surface side of the second light emitting layer and converting the wavelength of light emitted from the second light emitting layer.
- a light-transmitting member disposed on a light extraction surface side of the first light-emitting layer, Item 10.
- the light emitting device according to any one of items 2 to 6 and 8, wherein the first wavelength conversion member and the second wavelength conversion member are disposed between the first light emitting layer and the translucent member.
- the light emitting device according to item 9 or 10, wherein the first wavelength conversion member is disposed between the first light emitting layer and the light transmissive member.
- the light emitting device according to the embodiment of the present disclosure can be suitably used for vehicle lighting such as headlights.
- the light emitting device according to the embodiment of the present disclosure can be used as a backlight source for liquid crystal displays, various lighting fixtures, large displays, various display devices such as advertisements and destination guides, and further, image reading devices in digital video cameras, facsimiles, copiers, scanners, projector devices, etc.
- Light emitting device 11 First light emitting layer 11a Light extraction surface 12 Second light emitting layer 12a Light extraction surface 16 Electrode 20 Light transmissive member 30 Light adjustment member 40, 40x Wavelength conversion member 41 First wavelength conversion member 42 Second wavelength conversion member 51 First support member 52 Second support member 60 Light guide member S Light emitting surface 110 First region (high brightness region) 120 Second area (low brightness area) 130 Third region (medium luminance region)
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Abstract
発光面内に高輝度領域と低輝度領域とを有し、それぞれの領域における視認性の高い発光装置を提供する。点灯時に、輝度の異なる発光を出射する第1の領域と第2の領域を含み、第1の領域の輝度Laは、第2の領域の輝度Lbより高く、第1の領域から出射された発光の発光スペクトルは、波長400nm~500nmの範囲における最大強度Iamax、波長507nmにおける強度Ia507、波長555nmにおける強度Ia555を有し、第2の領域からの発光の発光スペクトルは、波長507nmでの強度Ib507、波長555nmにおける強度Ib555を有し、強度Ia507、Ia555、Ib507、およびIb555の各々を、前記最大強度Iamaxで除して求めたIra507、Ira555、Irb507、およびIrb555はIra507が、Irb507よりも低く、Ira555がIrb555よりも高い、発光装置。
Description
本開示は発光装置に関する。
近年、ヘッドライト等の車両用灯具の光源として、LEDが用いられている。例えば、特許文献1には、面積の異なる複数の発光素子を組み合わせることで、ヘッドライトに適した配光を有する発光装置が開示されている。
本開示は、発光面内に高輝度領域と低輝度領域とを有し、それぞれの領域における視認性の高い発光装置を提供することを課題とする。
本開示の実施形態に係る発光装置は、
点灯時に、輝度の異なる発光を出射する第1の領域と第2の領域を含み、
前記第1の領域の輝度Laは、前記第2の領域の輝度Lbより高く、
前記第1の領域から出射された発光の発光スペクトルは、
波長400nm~500nmの範囲における最大強度Iamax、
波長507nmにおける強度Ia507、および
波長555nmにおける強度Ia555を有し、
前記第2の領域から出射された発光の発光スペクトルは、
波長507nmにおける強度Ib507、および
波長555nmにおける強度Ib555を有し、
前記強度Ia507、Ia555、Ib507、およびIb555の各々を、前記最大強度Iamaxで除して求めた相対強度Ira507、Ira555、Irb507、およびIrb555は、
相対強度Ira507が、Irb507よりも低く、
相対強度Ira555が、Irb555よりも高い。
点灯時に、輝度の異なる発光を出射する第1の領域と第2の領域を含み、
前記第1の領域の輝度Laは、前記第2の領域の輝度Lbより高く、
前記第1の領域から出射された発光の発光スペクトルは、
波長400nm~500nmの範囲における最大強度Iamax、
波長507nmにおける強度Ia507、および
波長555nmにおける強度Ia555を有し、
前記第2の領域から出射された発光の発光スペクトルは、
波長507nmにおける強度Ib507、および
波長555nmにおける強度Ib555を有し、
前記強度Ia507、Ia555、Ib507、およびIb555の各々を、前記最大強度Iamaxで除して求めた相対強度Ira507、Ira555、Irb507、およびIrb555は、
相対強度Ira507が、Irb507よりも低く、
相対強度Ira555が、Irb555よりも高い。
本開示の実施形態に係る発光装置は、発光面内に高輝度領域と低輝度領域とを有し、それぞれの領域における視認性が高い。
ヘッドライトの配光は、照射面中央部は高照度で、中央から離れるほど低照度が望ましい。その対策として、本発明者らは、発光面の輝度が部分的に高い発光装置(これを「部分高輝度発光装置」と称する)を検討してきた。部分高輝度発光装置は、発光面の一部の領域において輝度を低下させることで、低輝度領域と高輝度領域とを設けている。部分高輝度発光装置は、高輝度領域からの発光も低輝度領域からの発光も、実質的に同一の発光スペクトル有する。
本発明者らは、部分高輝度発光装置のさらなる性能向上を図るべく検討を行ったところ、高輝度領域からの発光と、低輝度領域からの発光とでは、視認性が異なる可能性に思い至った。高輝度領域からの発光に対しては薄明視~明所視になり、低輝度領域からの発光に対しては暗所視~薄明視になると考えられる。
そこで、本発明者らは、高輝度領域からの発光と、低輝度領域からの発光との両方について視認性を改善した部分高輝度発光装置を提供すべく、鋭意検討を行って、本発明の実施形態に係る発光装置を完成させた。
実施形態を、以下に図面を参照しながら説明する。但し、以下に示す形態は、本実施形態の技術思想を具現化するための発光装置及び発光装置の製造方法を例示するものであって、以下に限定するものではない。また、実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限り、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる例示に過ぎない。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするために誇張又は簡略化していることがある。また、図面が過度に複雑になることを避けるために、一部の要素の図示を省略したり、断面図として切断面のみを示す端面図を用いたりすることがある。更に、「覆う、被覆する」とは直に接する場合に限らず、間接的に、例えば他の部材を介して覆う場合も含む。また、「配置する」とは直接接する場合に限らず、間接的に、例えば他の部材を介して配置する場合も含む。なお、本明細書において「平面図」とは、発光装置の発光面側からの図面であることを意味する。
[第1実施形態]
図1は、第1実施形態に係る発光装置100の平面図である。
発光装置100は、発光面S側からみたとき、点灯時に輝度の異なる発光を出射する第1の領域110と第2の領域120を含む。
第1の領域110の輝度Laは、第2の領域120の輝度Lbより高い。つまり、「La>Lb」の関係を満たす。本明細書では、第1の領域110および第2の領域120を、それぞれ「高輝度領域110」、「低輝度領域120」と称することがある。
本明細書において、「高輝度領域110」とは、発光装置100で最も高い輝度(最大輝度Lamaxと称する)の80%以上100%以下の輝度を有する部分から構成された領域であり、「低輝度領域120」とは、最大輝度Lamaxの5%以上80%未満の輝度を有する部分から構成された領域である。
図1は、第1実施形態に係る発光装置100の平面図である。
発光装置100は、発光面S側からみたとき、点灯時に輝度の異なる発光を出射する第1の領域110と第2の領域120を含む。
第1の領域110の輝度Laは、第2の領域120の輝度Lbより高い。つまり、「La>Lb」の関係を満たす。本明細書では、第1の領域110および第2の領域120を、それぞれ「高輝度領域110」、「低輝度領域120」と称することがある。
本明細書において、「高輝度領域110」とは、発光装置100で最も高い輝度(最大輝度Lamaxと称する)の80%以上100%以下の輝度を有する部分から構成された領域であり、「低輝度領域120」とは、最大輝度Lamaxの5%以上80%未満の輝度を有する部分から構成された領域である。
図2は、発光スペクトルを示す図である。発光装置100の第1の領域(高輝度領域)110から出射された発光の発光スペクトル(これを「第1の発光スペクトル」と称する)と、第2の領域(低輝度領域)120から出射された発光の発光スペクトル(これを「第2の発光スペクトル」と称する)とを、それぞれ図示している。なお、これらの発光スペクトルは、高輝度領域110から出射された発光と、低輝度領域120から出射された発光との発光スペクトルを個別に測定して得たものである。各領域からの発光の発光スペクトルを測定する方法の一例としては、発光装置100の発光面Sのうち測定対象となる領域以外を、光を吸収する材料(マスク)で覆った状態で発光スペクトルを測定する方法がある。この方法により、測定対象となる領域から出射された発光の発光スペクトルのみを測定することができる。なお、輝度測定装置が、各領域からの発光の発光スペクトルを個別に測定できる機能を備える場合は、マスクを使用せずに、各領域からの発光の輝度と発光スペクトルとを測定できる。
発光装置100の発光スペクトルは、第1の発光スペクトルと第2の発光スペクトルとを足し合わせたものとなる。
第1の発光スペクトルは、波長400nm~500nmの範囲における最大強度Iamax、波長507nmにおける強度Ia507、および波長555nmにおける強度Ia555を有する。図2に示す第1の発光スペクトルでは、最大強度Iamaxは波長λ1maxにおける強度である。
第2の発光スペクトルは、波長507nmにおける強度Ib507、および波長555nmにおける強度Ib555を有している。
第2の発光スペクトルは、波長507nmにおける強度Ib507、および波長555nmにおける強度Ib555を有している。
各強度(発光強度)を比較するために、最大強度Iamaxの相対強度を1として、各発光強度の相対強度を求める。つまり、強度Ia507、Ia555、Ib507、およびIb555を、最大強度Iamaxで除して、相対強度(相対発光強度)Ira507、Ira555、Irb507、およびIrb555を求める。これらの相対強度の関係は、相対強度Ira507が、Irb507よりも低い。つまり、「Ira507<Irb507」の関係を満たす。また、相対強度Ira555が、Irb555よりも高い。つまり、「Ira555>Irb555」の関係を満たす。
人間の目には、高輝度領域110からの発光は「明所視」として知覚され、低輝度領域120からの発光は「暗所視」として知覚されると考えられる。図2に示すように、人間の目の視感度曲線は、明所視と暗所視では異なる。明所視における視認性を向上するためには、明所視の視感度曲線のピーク波長である555nmにおける発光強度が強い光で照らすことが有効である。同様に、暗所視における視認性を向上するためには、暗所視の視感度曲線のピーク波長である507nmにおける発光強度が強い光で照らすことが有効である。
第1実施形態に係る発光装置100では、高輝度領域110からの光は、低輝度領域120からの光に比べて、波長555nmにおける相対強度が強いため、明所視比視感度が高い。一方、低輝度領域120からの光は、高輝度領域110からの光に比べて、波長507nmにおける相対強度が強いため、暗所視比視感度が高い。よって、発光装置100は、高輝度領域110からの光も、低輝度領域120からの光も視認性が高い。
図1では、高輝度領域110と低輝度領域120との境界は、発光装置100の外周の辺に平行に図示されている。但し、これに限定されず、所望の配光となるように、任意の形状の境界に変形可能である。例えば、高輝度領域110と低輝度領域120との境界は、平面視において、発光装置100の外周の辺に対して傾いていてもよい。また、高輝度領域110と低輝度領域120との境界は、平面視において直線であることに限らず、曲線でもよい。また、発光装置100の発光面S側における高輝度領域110と低輝度領域120の面積比率についても、使用する用途に合わせて任意に変更可能である。
発光装置100の具体的な構成例を図3に示す。
発光装置100は、波長400nm~500nmの範囲に発光ピークを有する第1の発光層11と、第1の発光層11からの発光を波長変換する少なくとも2つの波長変換部材(第1の波長変換部材41、第2の波長変換部材42)と、を含む。
発光装置100は、波長400nm~500nmの範囲に発光ピークを有する第1の発光層11と、第1の発光層11からの発光を波長変換する少なくとも2つの波長変換部材(第1の波長変換部材41、第2の波長変換部材42)と、を含む。
第1の発光層11は、電極16が形成された電極形成面11bと、電極形成面11bとは反対側に位置する光取出面11aと、電極形成面11bと光取出面11aとを接続する複数の側面11cとを含む。第1の発光層11からの光は、光取出面11aから出射することに限らず、側面11cからも出射し得る。
波長変換部材(第1の波長変換部材41、第2の波長変換部材42)は、第1の発光層11の光取出面11a側に配置される。
波長変換部材(第1の波長変換部材41、第2の波長変換部材42)は、第1の発光層11の光取出面11a側に配置される。
本明細書において「発光層」とは、通電することにより発光する、1層または多層からなる層状体のことを指す。発光層は、例えば、複数の半導体層を積層した半導体積層体である。
発光装置100の発光面S側からみたときに、第1の領域(高輝度領域)110に、第1の波長変換部材41が配置され、第2の領域(低輝度領域)120に、第2の波長変換部材42が配置されている。第1の波長変換部材41によって波長変換された光のピーク波長は、第2の波長変換部材42によって波長変換された光のピーク波長よりも長い。
つまり、高輝度領域110からの光は、第1の発光層11からの光の一部を第1の波長変換部材41によって長波長側にシフトした光を含むため、相対的に長波長側(波長555nm)での発光強度が高くなる。低輝度領域120からの光は、第1の発光層11からの光の一部を第2の波長変換部材42によって長波長側にシフトした光を含むものの、第2の波長変換部材42によるシフト量が小さいため、相対的に短波長側(波長507nm)での発光強度が高くなる。
つまり、高輝度領域110からの光は、第1の発光層11からの光の一部を第1の波長変換部材41によって長波長側にシフトした光を含むため、相対的に長波長側(波長555nm)での発光強度が高くなる。低輝度領域120からの光は、第1の発光層11からの光の一部を第2の波長変換部材42によって長波長側にシフトした光を含むものの、第2の波長変換部材42によるシフト量が小さいため、相対的に短波長側(波長507nm)での発光強度が高くなる。
このような構成を有することにより、高輝度領域110からの光の明所視比視感度も高く、かつ低輝度領域120からの光の暗所視比視感度も高い発光装置100を形成することができる。
発光装置100は、図3に示す例では複数の第1の発光層11を含む。この場合、第1の発光層11ごとに電流値を変えることができる。
発光装置100が複数の第1の発光層11を含む場合、発光装置100の発光面S側からみたときに、複数の第1の発光層11は互いに重ならないように横並びに配置する。特に、図3に示すように、複数の第1の発光層11の各々の光取出面11aが面一になるように配置されていることが好ましい。また、発光装置100の発光面S側からみたときに、第1の領域110と第2の領域120との各々に、少なくとも1つの第1の発光層11が配置されていることが好ましい。これにより、第1の領域110と第2の領域120との各々の輝度を、各領域に配置された第1の発光層11によって個別に制御することができる。
図3に示す発光装置100は、第1の領域(高輝度領域)110に配置された第1の発光層11に印可される電流の密度を、第2の領域(低輝度領域)120に配置された第1の発光層11に印可される電流の密度よりも高くする。高輝度領域110に配置された第1の発光層11に印可される電流の密度を相対的に高くすることにより、高輝度領域110からの光の輝度を高くし、低輝度領域120に配置された第1の発光層11に印可される電流の密度を相対的に低くすることにより、低輝度領域120からの光の輝度を低くすることができる。
なお、発光装置100は、第1の発光層11を1つだけ含んでもよい。但し、この場合、1つの第1の発光層11のみを含む発光装置100では、電流値によって発光装置100からの発光の一部のみの輝度を変更することができないため、例えば後述する図15に示すような光調整部材30を設けて、第1の発光層11からの発光の一部の輝度を低下させる必要がある。
発光装置100が、第1の発光層11を1つだけ含む場合、その1つの第1の発光層11の光取出面11a側に、第1の波長変換部材41と第2の波長変換部材42の両方を配置する。
図3に示すように、第1の波長変換部材41と第2の波長変換部材42との境界が、発光装置100の発光面Sと垂直であると、高輝度領域110と低輝度領域120との輝度のコントラストが高く、また、第1の発光スペクトルと第2の発光スペクトルとの差異が明確になる。
また、複数の第1の発光層11を含む発光装置100では、発光装置100の発光面S側からみたときに、第1の波長変換部材41と第2の波長変換部材42との境界の位置が、第1の発光層11の間の隙間内に存在すると、高輝度領域110と低輝度領域120との輝度のコントラストがより高く、また、第1の発光スペクトルと第2の発光スペクトルとの差異が明確になる。
このような構成および配置を有する発光装置100は、ヘッドライトの配光等において高輝度領域110と低輝度領域120とを明確に分けたい場合に好適である。
また、複数の第1の発光層11を含む発光装置100では、発光装置100の発光面S側からみたときに、第1の波長変換部材41と第2の波長変換部材42との境界の位置が、第1の発光層11の間の隙間内に存在すると、高輝度領域110と低輝度領域120との輝度のコントラストがより高く、また、第1の発光スペクトルと第2の発光スペクトルとの差異が明確になる。
このような構成および配置を有する発光装置100は、ヘッドライトの配光等において高輝度領域110と低輝度領域120とを明確に分けたい場合に好適である。
図3に示すように、第1の発光層11の光取出面11a側に、透光性の第1の支持部材51を配置することができる。第1の支持部材51は、第1の発光層11を支持する基板であり、第1の発光層11をエピタキシャル成長で形成する際の成長基板とすることができる。
一般的には、第1の支持部材51と、その表面に形成された第1の発光層11とから、発光素子が構成され得る。
一般的には、第1の支持部材51と、その表面に形成された第1の発光層11とから、発光素子が構成され得る。
図3に示すように、発光装置100は、第1の支持部材51の側面を被覆する導光部材60を備えることができる。導光部材60は透光性であり、第1の発光層11からの光を、第1の波長変換部材41または第2の波長変換部材42に導く部材である。導光部材60は、第1の発光層11の側面を被覆することができる。導光部材60としては、例えば、透光性の樹脂を用いることができる。
導光部材60の形状は、一例として、断面視で、側面が湾曲している。導光部材60の形状、断面視で、第1の支持部材51の側面から、第1の波長変換部材41と第2の波長変換部材42側に向かって幅が広がるように、側面が傾斜した形状を有するものであってもよい。導光部材60の側面の断面形状は、直線状であってもよく、湾曲形状であってもよい。
導光部材60は、第1の支持部材51と、第1の波長変換部材41および第2の波長変換部材42との間をそれぞれ接着する接着部材としても機能し得る。
導光部材60の形状は、一例として、断面視で、側面が湾曲している。導光部材60の形状、断面視で、第1の支持部材51の側面から、第1の波長変換部材41と第2の波長変換部材42側に向かって幅が広がるように、側面が傾斜した形状を有するものであってもよい。導光部材60の側面の断面形状は、直線状であってもよく、湾曲形状であってもよい。
導光部材60は、第1の支持部材51と、第1の波長変換部材41および第2の波長変換部材42との間をそれぞれ接着する接着部材としても機能し得る。
図3に示すように、発光装置100は、第1の発光層11の光取出面11a側に配置された透光性部材20をさらに含むことができる。透光性部材20としては、例えば透明なガラスを用いることができる。
発光装置100が透光性部材20を含む場合、第1の発光層11と透光性部材20との間に、第1の波長変換部材41と第2の波長変換部材42とが配置されていることが好ましい。つまり、第1の波長変換部材41と第1の発光層11との間、および第2の波長変換部材42と第1の発光層11との間に、透光性部材20が配置されていないことが好ましい。
発光装置100が透光性部材20を含む場合、第1の発光層11と透光性部材20との間に、第1の波長変換部材41と第2の波長変換部材42とが配置されていることが好ましい。つまり、第1の波長変換部材41と第1の発光層11との間、および第2の波長変換部材42と第1の発光層11との間に、透光性部材20が配置されていないことが好ましい。
第1の波長変換部材41および第2の波長変換部材42は、例えば蛍光体を含んでいる。蛍光体は、第1の発光層11からの発光の一部を吸収して、異なる波長の光に変換するが、そのときに蛍光体が発熱する。第1の波長変換部材41および第2の波長変換部材42と第1の発光層11との間に透光性部材20が配置されていないことにより、第1の波長変換部材41および第2の波長変換部材42に含まれる蛍光体で発生した発熱を、第1の発光層11側に放熱しやすくなる。これにより、発熱に起因する蛍光体の特性低下(波長変換時の波長シフト量の変化、蛍光体の劣化)を低減することができる。
また、第1の発光層11と透光性部材20との間に、第1の波長変換部材41と第2の波長変換部材42とが配置されている場合、図3に示すように、透光性部材20の表面が、発光装置100の発光面Sとなり得る。
発光装置100を実装基板等に実装する際、通常は、発光装置100の発光面Sを吸引治具等で吸引してピックアップし、実装位置まで運搬する。発光装置100の発光面Sが透光性部材20の表面であると、吸引治具等によるピックアップがしやすくなる。
発光装置100を実装基板等に実装する際、通常は、発光装置100の発光面Sを吸引治具等で吸引してピックアップし、実装位置まで運搬する。発光装置100の発光面Sが透光性部材20の表面であると、吸引治具等によるピックアップがしやすくなる。
透光性部材20は、第1の波長変換部材41および第2の波長変換部材42を形成する際の基材として機能し得る。第1の波長変換部材41および第2の波長変換部材42は、透光性部材20の表面に直接形成してもよく、または、透光性部材20の表面に、介在層(透光性樹脂または透光性無機部材)を介して形成してもよい。
<変形例>
図4に示す発光装置200は、第1実施形態に係る発光装置100とは、支持部材を複数含む点、透光性部材20を複数含む点、および第1の波長変換部材41と第2の波長変換部材42との間に光反射部材45が配置されている点で相違する。それらの相違点を中心に説明する。
なお、その他の構成については、第1実施形態に係る発光装置100と同一であるため、説明を省略する。
図4に示す発光装置200は、第1実施形態に係る発光装置100とは、支持部材を複数含む点、透光性部材20を複数含む点、および第1の波長変換部材41と第2の波長変換部材42との間に光反射部材45が配置されている点で相違する。それらの相違点を中心に説明する。
なお、その他の構成については、第1実施形態に係る発光装置100と同一であるため、説明を省略する。
図4に示す発光装置200は、第1の領域(高輝度領域)110に配置された第1の発光層11の光取出面11a側に、第1の支持部材51が配置され、第2の領域(低輝度領域)120に配置された第1の発光層11の光取出面11a側に、第2の支持部材52が配置されている。
導光部材60は、第1の支持部材51と第2の支持部材52との間に配置されて、それらを接着する接着部材として機能し得る。導光部材60は、例えば、第1の支持部材51と第1の波長変換部材41との間、第2の支持部材52と第2の波長変換部材42との間をそれぞれ接着する接着部材としても機能し得る。
発光装置200は、複数の透光性部材を含むことができる。図4に示す例では、発光装置200の発光面S側からみたときに、高輝度領域110には、第1の波長変換部材41が設けられた第1の透光性部材21を配置し、低輝度領域120には、第2の波長変換部材42が設けられた第2の透光性部材22を配置している。また、図4に示す例では、第1の透光性部材21と第2の透光性部材22との間、および第1の波長変換部材41と第2の波長変換部材42との間には、光反射部材45が配置されている。
このような構成および配置を有する発光装置200は、高輝度領域110と低輝度領域120との輝度のコントラストがより高くなり、また、第1の発光スペクトルと第2の発光スペクトルとの差異がより明確になる。よって、ヘッドライトの配光等において高輝度領域110と低輝度領域120とを明確に分けたい場合に好適である。
第1の支持部材51と第2の支持部材52との間には、導光部材60の代わりに、光反射部材45が配置されてもよい。
<発光装置100の製造方法>
図3に示した、第1実施形態に係る発光装置100の製造方法を詳述する。
図5に示すように、発光装置100の製造方法では、発光素子10と、波長変換部材40とを個別に準備し、その後、発光素子10の第1の表面10a(第1の支持部材51の第2の表面51bに相当)と、波長変換部材40の第1の表面40a(第1の波長変換部材41および第2の波長変換部材42が形成されている面)とを対向させて、導光部材60で接着する。
図3に示した、第1実施形態に係る発光装置100の製造方法を詳述する。
図5に示すように、発光装置100の製造方法では、発光素子10と、波長変換部材40とを個別に準備し、その後、発光素子10の第1の表面10a(第1の支持部材51の第2の表面51bに相当)と、波長変換部材40の第1の表面40a(第1の波長変換部材41および第2の波長変換部材42が形成されている面)とを対向させて、導光部材60で接着する。
つまり、発光装置100の製造方法は、発光素子10を準備する工程と、波長変換部材40を準備する工程と、波長変換部材40を発光素子10の上に配置する工程と、を含む。
なお、「発光素子10」は、第1の支持部材51と、第1の支持部材51の第1の表面51aに設けられた第1の発光層11とを含む。
「波長変換部材40」は、透光性部材20と、透光性部材20の第1の表面20aに設けられた第1の波長変換部材41および第2の波長変換部材42とを含む。
なお、「発光素子10」は、第1の支持部材51と、第1の支持部材51の第1の表面51aに設けられた第1の発光層11とを含む。
「波長変換部材40」は、透光性部材20と、透光性部材20の第1の表面20aに設けられた第1の波長変換部材41および第2の波長変換部材42とを含む。
(発光素子10を準備する工程)
発光素子10を準備する工程では、第1の支持部材51と、第1の発光層11とを含む発光素子10を準備する。第1の支持部材51の表面に第1の発光層11を形成して発光素子10を作製することによって、発光素子10を準備してもよく、または、既に作成された発光素子10を購入する等により準備してもよい。
発光素子10を準備する工程では、第1の支持部材51と、第1の発光層11とを含む発光素子10を準備する。第1の支持部材51の表面に第1の発光層11を形成して発光素子10を作製することによって、発光素子10を準備してもよく、または、既に作成された発光素子10を購入する等により準備してもよい。
(波長変換部材40を準備する工程)
図6A、図6Bに示すように、波長変換部材40を準備する工程では、まず、平板状の透光板2000上に、透光板2000の上面の一部を覆う第1の波長変換層4100を配置する。透光板2000上に配置される第1の波長変換層4100の平面視形状は、ストライプ状、ドット状、島状、格子状等、種々の形状とすることができる。ここでは、複数の第1の波長変換層4100が平面視でストライプ状に配置されている。第1の波長変換層4100は、マスクを用いて印刷することにより形成することができる。
図6A、図6Bに示すように、波長変換部材40を準備する工程では、まず、平板状の透光板2000上に、透光板2000の上面の一部を覆う第1の波長変換層4100を配置する。透光板2000上に配置される第1の波長変換層4100の平面視形状は、ストライプ状、ドット状、島状、格子状等、種々の形状とすることができる。ここでは、複数の第1の波長変換層4100が平面視でストライプ状に配置されている。第1の波長変換層4100は、マスクを用いて印刷することにより形成することができる。
次に、図7A、図7Bに示すように、平板状の透光板2000上に、第1の波長変換層4100を囲う枠体7000を形成する。なお、枠体7000の形成は、第1の波長変換層4100の形成前であってもよい。また、枠体7000の形成は省略してもよい。
そして、図8A、図8Bに示すように、透光板2000上の枠体7000内において、第1の波長変換層4100から露出する透光板2000の表面を覆うように、第2の波長変換層4200を配置する。このようにして波長変換部材40の中間体4000を作成する。そして、図9A、図9Bに示すように、中間体4000を所望の位置で分割して、波長変換部材40とする。分割前の透光板2000、第1の波長変換層4100、および第2の波長変換層4200は、分割後に、それぞれ、透光性部材20、第1の波長変換部材41、および第2の波長変換部材42となる。
そして、図8A、図8Bに示すように、透光板2000上の枠体7000内において、第1の波長変換層4100から露出する透光板2000の表面を覆うように、第2の波長変換層4200を配置する。このようにして波長変換部材40の中間体4000を作成する。そして、図9A、図9Bに示すように、中間体4000を所望の位置で分割して、波長変換部材40とする。分割前の透光板2000、第1の波長変換層4100、および第2の波長変換層4200は、分割後に、それぞれ、透光性部材20、第1の波長変換部材41、および第2の波長変換部材42となる。
ここでは、先に第1の波長変換層4100を配置し、後に第2の波長変換層4200を配置する例を示したが、先に第2の波長変換層4200を配置し、後に第1の波長変換層4100を配置してもよい。
なお、ここでは、中間体4000を分割して複数の波長変換部材40を同時に準備する方法を説明したが、波長変換部材40を個別に準備してもよい。すなわち、波長変換部材40を準備する工程は、透光性部材20上に、透光性部材20の第1の表面20aの一部を覆う第1の波長変換部材41を配置する工程と、第1の波長変換部材41から露出する透光性部材20を覆う第2の波長変換部材42を配置する工程と、を含むものであってもよい。また、既に作成された波長変換部材40を購入する等により準備してもよい。
なお、発光素子を準備する工程と波長変換部材を準備する工程は、いずれか先であっても、並行して行っても構わない。
(波長変換部材40を発光素子10の上に配置する工程)
図5に示すように、発光素子10の第1の表面10aに、波長変換部材40を配置する。第1の波長変換部材41および第2の波長変換部材42と、それらを支持する透光性部材20と、を含む波長変換部材40を、波長変換部材40の第1の表面40aが、発光素子10の第1の表面10a(発光素子10の第1の支持部材51の第2の表面51bに相当)側に位置するように配置する。このとき、平面視で、発光素子10の第1の発光層11と、波長変換部材40の第1の波長変換部材41および第2の波長変換部材42とが、適切な位置関係となるように、波長変換部材40を位置決めする。
図5に示すように、発光素子10の第1の表面10aに、波長変換部材40を配置する。第1の波長変換部材41および第2の波長変換部材42と、それらを支持する透光性部材20と、を含む波長変換部材40を、波長変換部材40の第1の表面40aが、発光素子10の第1の表面10a(発光素子10の第1の支持部材51の第2の表面51bに相当)側に位置するように配置する。このとき、平面視で、発光素子10の第1の発光層11と、波長変換部材40の第1の波長変換部材41および第2の波長変換部材42とが、適切な位置関係となるように、波長変換部材40を位置決めする。
波長変換部材40は、例えば、接着部材を用いて第1の支持部材51に接合する。
また、透光性の樹脂材料などから、第1の支持部材51の側面を被覆する導光部材60を形成することができる。
導光部材60を形成するための樹脂材料を、接着部材として使用することもできる。第1の支持部材51と波長変換部材40との間に樹脂材料を設けることでそれらの部材を接着し、さらに、その樹脂材料を第1の支持部材51の側面まで延在させて導光部材60を形成することができる(図3)。なお、接着部材を用いずに、直接接合法で波長変換部材40を第1の支持部材51に接合してもよい。
また、透光性の樹脂材料などから、第1の支持部材51の側面を被覆する導光部材60を形成することができる。
導光部材60を形成するための樹脂材料を、接着部材として使用することもできる。第1の支持部材51と波長変換部材40との間に樹脂材料を設けることでそれらの部材を接着し、さらに、その樹脂材料を第1の支持部材51の側面まで延在させて導光部材60を形成することができる(図3)。なお、接着部材を用いずに、直接接合法で波長変換部材40を第1の支持部材51に接合してもよい。
[第2実施形態]
図10に示す第2実施形態に係る発光装置300は、発光装置300の発光面Sからみたときに、第1の領域(高輝度領域)110と第2の領域(低輝度領域)120の間に、第3の領域130を含んでいる。
第3の領域130の輝度Lcは、第1の領域110の輝度La以下で、第2の領域120の輝度Lb以上である。本明細書では、第3の領域130を、「中輝度領域130」と称することがある。
図10に示す第2実施形態に係る発光装置300は、発光装置300の発光面Sからみたときに、第1の領域(高輝度領域)110と第2の領域(低輝度領域)120の間に、第3の領域130を含んでいる。
第3の領域130の輝度Lcは、第1の領域110の輝度La以下で、第2の領域120の輝度Lb以上である。本明細書では、第3の領域130を、「中輝度領域130」と称することがある。
中輝度領域130は、低輝度領域120と高輝度領域110との間に配置されている。中輝度領域130の輝度Lcは、低輝度領域120の輝度Lb以上で、高輝度領域110の輝度La以下である。つまり、中輝度領域130は、中間的な輝度を有する光を発する領域である。
以下に詳しく説明する通り、高輝度領域110および輝度領域120は、各領域内における輝度変化(距離当たりの輝度差)が小さい。一方、中輝度領域130は、領域内における輝度変化が大きい。
高輝度領域110内の2点で測定した輝度差ΔLa(cd)と、その2点間の距離Da(μm)とから、高輝度領域110内の輝度変化=ΔLa/Da(これを「第1の輝度変化Ha」と称する)を求める。
低輝度領域120内の2点で測定した輝度差ΔLb(cd)と、その2点間の距離Db(μm)とから、低輝度領域120内の輝度変化=ΔLb/Db(これを「第2の輝度変化Hb」と称する)を求める。
同様に、中輝度領域130内の2点で測定した輝度差ΔLc(cd)と、その2点間の距離Dc(μm)とから、中輝度領域130内の輝度変化=ΔLc/Dc(これを「第3の輝度変化Hc」と称する)を求める。
第1の輝度変化Haと第2の輝度変化Hbは、第3の輝度変化Hcに比べて小さい。
低輝度領域120内の2点で測定した輝度差ΔLb(cd)と、その2点間の距離Db(μm)とから、低輝度領域120内の輝度変化=ΔLb/Db(これを「第2の輝度変化Hb」と称する)を求める。
同様に、中輝度領域130内の2点で測定した輝度差ΔLc(cd)と、その2点間の距離Dc(μm)とから、中輝度領域130内の輝度変化=ΔLc/Dc(これを「第3の輝度変化Hc」と称する)を求める。
第1の輝度変化Haと第2の輝度変化Hbは、第3の輝度変化Hcに比べて小さい。
第1の輝度変化Ha、第2の輝度変化Hb、および第3の輝度変化Hcの具体的な求め方を説明する。まず、低輝度領域120から中輝度領域130を通って高輝度領域110まで移動しながら、各領域からの光の輝度を測定する。次いで、移動距離を横軸、輝度を縦軸として、輝度測定の結果をプロットする。得られたグラフにおいて、低輝度領域120におけるグラフの傾きが第2の輝度変化Hb、中輝度領域130におけるグラフの傾きが第3の輝度変化Hc、高輝度領域110におけるグラフの傾きが第1の輝度変化Haである。
また、このグラフから、高輝度領域110、低輝度領域120、および中輝度領域130の範囲を特定することができる。
グラフの傾き(輝度変化)が小さく、かつ輝度が低い(発光装置100の最大輝度Lamaxの5%以上80%未満)領域は、低輝度領域120である。
グラフの傾き(輝度変化)が小さく、かつ輝度が高い(発光装置100の最大輝度Lamaxの80%以上100%以下)領域範囲は、高輝度領域110である。
グラフの傾き(輝度変化)が大きく、低輝度領域120の輝度Lb以上、高輝度領域110の輝度La以下の輝度を有する領域が、中輝度領域130である。中輝度領域130の輝度Lcは、最大輝度Lamaxの10%~100%であることが好ましい。
グラフの傾き(輝度変化)が小さく、かつ輝度が低い(発光装置100の最大輝度Lamaxの5%以上80%未満)領域は、低輝度領域120である。
グラフの傾き(輝度変化)が小さく、かつ輝度が高い(発光装置100の最大輝度Lamaxの80%以上100%以下)領域範囲は、高輝度領域110である。
グラフの傾き(輝度変化)が大きく、低輝度領域120の輝度Lb以上、高輝度領域110の輝度La以下の輝度を有する領域が、中輝度領域130である。中輝度領域130の輝度Lcは、最大輝度Lamaxの10%~100%であることが好ましい。
上述したように、第1実施形態に係る発光装置100は、高輝度領域110と低輝度領域120との境界で、輝度のコントラストが高く、また、第1の発光スペクトルと第2の発光スペクトルとの差異が明確である。
これに対し、第2実施形態に係る発光装置300は、高輝度領域110と低輝度領域120との間に中輝度領域130を含むことにより、高輝度領域110と低輝度領域120との間で、輝度のコントラストが低く、また、発光スペクトルが緩やかに変化する。このような構成および配置を有する発光装置100は、ヘッドライトの配光等において高輝度領域110と低輝度領域120との間の輝度変化を緩やかにしたい場合に好適である。
これに対し、第2実施形態に係る発光装置300は、高輝度領域110と低輝度領域120との間に中輝度領域130を含むことにより、高輝度領域110と低輝度領域120との間で、輝度のコントラストが低く、また、発光スペクトルが緩やかに変化する。このような構成および配置を有する発光装置100は、ヘッドライトの配光等において高輝度領域110と低輝度領域120との間の輝度変化を緩やかにしたい場合に好適である。
図10に示すような、中輝度領域130を含む発光装置300は、例えば、図11に示すように構成することで実現できる。図11に示す発光装置300のうち、図3に示す発光装置100との相違点を中心に以下に説明し、発光装置100と同様の構成については説明を省略する。
図11に示す発光装置300は、発光装置300の発光面S側からみたときに、隣接する発光層11間の隙間が存在する領域に中輝度領域130が配置されている。また、図11に示す発光装置300は、発光装置300の発光面S側からみたときに、中輝度領域130に、第1の波長変換部材41の一部と、第2の波長変換部材42の一部とが配置されている。
図11の例では、発光装置300の発光面S側からみたときに、第1の波長変換部材41の一部と、第2の波長変換部材42の一部とが重なっている。2つの波長変換部材41、42が重なっている領域(「重複領域」)では、高輝度領域110からの光と、低輝度領域120からの光が混ざった光が出射される。そのため、重複領域からの光の発光スペクトルは、高輝度領域110からの光の発光スペクトル(第1の発光スペクトル)と、低輝度領域120からの光の発光スペクトル(第2の発光スペクトル)とを足し合わせた発光スペクトルとなる。重複領域からの光の輝度は、低輝度領域120からの光の輝度Lb以上で、高輝度領域110からの光の輝度La以下となり得る。
なお、図3に示す発光装置100についても、隣接する高輝度領域110および低輝度領域120の輝度差によっては、隣接する第1発光層11間の隙間が存在する領域が、中輝度領域130となり得る。
図11に示す重複領域では、断面視において、第1の波長変換部材41と第2の波長変換部材42との境界が下に凸(第1の波長変換部材41が凸になっている)の曲線になっている。但し、これに限らず、重複領域は、断面視において、第1の波長変換部材41と第2の波長変換部材42との境界が直線状であってもよいし、上に凸(第2の波長変換部材42が凸になっている)の曲線でもよい。
図11に示す例では、断面視において、第1の波長変換部材41の幅(図11において、発光面Sと平行な方向における寸法)は、波長変換部材40の第1の表面40aから発光装置100の発光面Sに向かって広くなっており、第2の波長変換部材42の幅は逆に狭くなっている。但し、これに限らず、第1の波長変換部材41の幅は、波長変換部材40の第1の表面40aから発光装置100の発光面Sに向かって狭くなり、第2の波長変換部材42の幅は逆に広くなってもよい。
図11に示す例では、断面視において、第1の波長変換部材41の幅(図11において、発光面Sと平行な方向における寸法)は、波長変換部材40の第1の表面40aから発光装置100の発光面Sに向かって広くなっており、第2の波長変換部材42の幅は逆に狭くなっている。但し、これに限らず、第1の波長変換部材41の幅は、波長変換部材40の第1の表面40aから発光装置100の発光面Sに向かって狭くなり、第2の波長変換部材42の幅は逆に広くなってもよい。
<変形例>
図12~図14に示す発光装置は、第2実施形態に係る発光装置300の変形例である。それらの発光装置について、第2実施形態に係る発光装置300との相違点を説明する。なお、第2実施形態に係る発光装置300と同一の構成については、説明を省略する。
図12~図14に示す発光装置は、第2実施形態に係る発光装置300の変形例である。それらの発光装置について、第2実施形態に係る発光装置300との相違点を説明する。なお、第2実施形態に係る発光装置300と同一の構成については、説明を省略する。
図12に示す発光装置301は、断面視において、発光面Sと平行な方向における寸法が異なる複数の第1の発光層11を含んでいる。この発光装置301を発光面S側からみたときに、第1の領域110には、相対的に面積の小さい第1の発光層11が配置され、第2の領域120には、相対的に面積の大きい第1の発光層11が配置されている。すなわち、第1の領域110に配置される第1の発光層11の寸法(面積)は、第2の領域120の配置される第1の発光層11の寸法(面積)より小さい。このように配置すると、両方の第1の発光層11に同じ電流量の電流を印可したときに、小寸法(面積の小さい)の第1の発光層11における電流密度は、大寸法(面積の大きい)の第1の発光層11における電流密度より高くなるため、高輝度領域110および低輝度領域120の輝度の調節が容易である。
図12に示す発光装置301では、第1の領域110に配置される第1の発光層11の寸法(面積)は、第2の領域120の配置される第1の発光層11の寸法(面積)より小さい。これに対して、図13に示す発光装置302では、第1の領域110に配置される第1の発光層11の寸法は、第2の領域120の配置される第1の発光層11の寸法(面積)より大きい。つまり、発光装置301を発光面S側からみたときに、第1の領域110には、相対的に面積の大きい第1の発光層11が配置され、第2の領域120には、相対的に面積の小さい第1の発光層11が配置されている。このような配置の場合、それぞれの第1の発光層11に、異なる電流量の電流を通電する必要がある。
第1の領域110に配置された大寸法(面積の大きい)の第1の発光層11には、より高い電流を通電する必要があり、その結果、第1の領域110からの光の光束を高くすることができる。
第2の領域120に配置された小寸法(面積の小さい)の第1の発光層11には、より低い電流を通電することになるが、電流密度は高くなるため、波長シフトが低減され、色差が改善される。
第2の領域120に配置された小寸法(面積の小さい)の第1の発光層11には、より低い電流を通電することになるが、電流密度は高くなるため、波長シフトが低減され、色差が改善される。
図14に図示した発光装置303から分かるように、第2実施形態においても、支持部材51、52を複数含むことができる。
第1実施形態の変形例に係る発光装置200(図4)と同様に、図14に示す発光装置303も、第1の領域(高輝度領域)110に配置された第1の発光層11の光取出面11a側に、第1の支持部材51が配置され、第2の領域(低輝度領域)120に配置された第1の発光層11の光取出面11a側に、第2の支持部材52が配置されている。
第1実施形態の変形例に係る発光装置200(図4)と同様に、図14に示す発光装置303も、第1の領域(高輝度領域)110に配置された第1の発光層11の光取出面11a側に、第1の支持部材51が配置され、第2の領域(低輝度領域)120に配置された第1の発光層11の光取出面11a側に、第2の支持部材52が配置されている。
なお、図14に示す発光装置303では、発光面S側からみたときに、第1の波長変換部材41の一部と、第2の波長変換部材42の一部とが重なった重複領域が存在している点で、図4に示す発光装置200とは異なる。
[第3実施形態]
図15に示す第3実施形態に係る発光装置400は、第2の領域(低輝度領域)120から出射される光の輝度を調整する光調整部材30をさらに含む。
光調整部材30は、第1の発光層11の光取出面11a側に配置され、かつ、発光装置400の発光面S側からみたときに、低輝度領域120の全体にわたって配置されている。
光調整部材30は、光反射および光透過の両方の光学特性を有する光学部材である。発光装置400は、低輝度領域120に配置された光調整部材30を備えることにより、低輝度領域120に配置された第1の発光層11からの光の一部を反射させることができる。また、光調整部材30により、第2の波長変換部材42で波長変換された光の一部も反射させることができる。
図15に示す第3実施形態に係る発光装置400は、第2の領域(低輝度領域)120から出射される光の輝度を調整する光調整部材30をさらに含む。
光調整部材30は、第1の発光層11の光取出面11a側に配置され、かつ、発光装置400の発光面S側からみたときに、低輝度領域120の全体にわたって配置されている。
光調整部材30は、光反射および光透過の両方の光学特性を有する光学部材である。発光装置400は、低輝度領域120に配置された光調整部材30を備えることにより、低輝度領域120に配置された第1の発光層11からの光の一部を反射させることができる。また、光調整部材30により、第2の波長変換部材42で波長変換された光の一部も反射させることができる。
発光装置400が光調整部材30を備えることにより、第1の発光層11の寸法または第1の発光層11に印可する電流密度を変更することなしに、低輝度領域120からの光の輝度を低下させることができる。
光調整部材30は、光反射材料、低屈折率の透光性材料、DBR(分布ブラッグ反射器)、波長カットフィルターなどを用いることができる。
光調整部材30は、光反射材料、低屈折率の透光性材料、DBR(分布ブラッグ反射器)、波長カットフィルターなどを用いることができる。
光調整部材30の配置として、発光装置400の発光面S側からみたときに、低輝度領域120内に配置する。また、断面視においては、第1の発光層11の光取出面11aと発光装置400の発光面Sとの間であれば、任意の位置に配置しうる。例えば、図15に示すように、透光性部材20と第2の波長変換部材42との間に光調整部材30を配置してもよい。第2の波長変換部材42に含まれる蛍光体の濃度を低くすることができ、また、第2の波長変換部材42が第1の支持部材51の近くに配置されることにより、信頼性が向上する。
光調整部材30は、第2の波長変換部材42と第1の支持部材51との間に配置してもよい。第1の波長変換部材41によって波長変換された光と、第2の波長変換部材42によって波長変換された光とが混ざりにくい。そのため、第1の波長変換部材41によって波長変換された光は、低輝度領域120からの発光に混ざりにくく、第2の波長変換部材42によって波長変換された光は、高輝度領域110からの発光に混ざりにくい。よって、高輝度領域110からの発光の発光スペクトル(第1の発光スペクトル)と、低輝度領域120からの発光の発光スペクトル(第2の発光スペクトル)との差異を明確にできる。
光調整部材30を第2の波長変換部材42と第1の支持部材51との間に配置する場合、光調整部材30は、第2の波長変換部材42又は第1の支持部材51のいずれか一方に接していてもよいし、第2の波長変換部材42及び第1の支持部材51に接していてもよい。
図15に示す発光装置400では、第2の波長変換部材42は、第1の発光層11と対面する第1の面42aと、当該第1の面42aとは反対側の第2の面42bとを有している。そして、光調整部材30は、前第2の波長変換部材42の第2の面42b側に配置されている。光調整部材30の第2波長変換部材42側の面は、図15に示すように平坦であってもよく、または波打った形状にしてもよい。また、光調整部材30の厚さが一定であってもよいし、一定でなくてもよい。特に、図16に示す発光装置401のように、高輝度領域110に向かって薄くなっていることが好ましい。低輝度領域120内において、中輝度領域130および高輝度領域110に向かって、輝度を徐々に高くすることができる。
光調整部材30を設けることにより、第2の波長変換部材42の厚さが薄くなるため、第2の波長変換部材42を形成するための材料の使用量を低減できる。
<発光装置400の製造方法>
発光装置400は光調整部材30を含んでいるため、発光装置400の製造方法は、光調整部材30を形成するための工程を含む。それ以外については、第1実施形態に係る発光装置100の製造方法と同様である。
第1実施形態に係る発光装置100の製造方法との相違点を中心に、発光装置400の製造方法を説明する。
発光装置400は光調整部材30を含んでいるため、発光装置400の製造方法は、光調整部材30を形成するための工程を含む。それ以外については、第1実施形態に係る発光装置100の製造方法と同様である。
第1実施形態に係る発光装置100の製造方法との相違点を中心に、発光装置400の製造方法を説明する。
発光装置400の製造方法は、発光素子10を準備する工程と、波長変換部材40x(図15)を準備する工程と、波長変換部材40xを発光素子10の上に配置する工程と、を含む。
ここで「波長変換部材40x」は、透光性部材20と、透光性部材20の第1の表面20aに設けられた第1の波長変換部材41および光調整部材30と、光調整部材30を覆う第2の波長変換部材42とを含む。
ここで「波長変換部材40x」は、透光性部材20と、透光性部材20の第1の表面20aに設けられた第1の波長変換部材41および光調整部材30と、光調整部材30を覆う第2の波長変換部材42とを含む。
(発光素子10を準備する工程)
第1実施形態に係る発光装置100の製造方法で説明した「発光素子10を準備する工程」と同様であるため、説明を省略する。
第1実施形態に係る発光装置100の製造方法で説明した「発光素子10を準備する工程」と同様であるため、説明を省略する。
(波長変換部材40xを準備する工程)
波長変換部材40xを準備する工程では、まず、図6A、図6Bと同様に、平板状の透光板2000上に、透光板2000の上面の一部を覆う第1の波長変換層4100配置する。但し、図6Bでは、第1の波長変換層4100の断面形状が矩形になっているが、波長変換部材40xを準備する場合は、例えば、表面張力を用いて、断面形状が半楕円になるように第1の波長変換層4100を形成する。
波長変換部材40xを準備する工程では、まず、図6A、図6Bと同様に、平板状の透光板2000上に、透光板2000の上面の一部を覆う第1の波長変換層4100配置する。但し、図6Bでは、第1の波長変換層4100の断面形状が矩形になっているが、波長変換部材40xを準備する場合は、例えば、表面張力を用いて、断面形状が半楕円になるように第1の波長変換層4100を形成する。
次に、図7A、図7Bと同様に、平板状の透光板2000上に、第1の波長変換層4100を囲う枠体7000を形成する。なお、枠体7000の形成は、第1の波長変換層4100の形成前であってもよく、さらには、枠体7000の形成を省略してもよい。
そして、透光板2000上の枠体7000内において、第1の波長変換層4100から露出する透光板2000の表面を覆う光調整部材層を配置する。このとき、光調整部材層の厚さは、第1の波長変換層4100の厚さよりも薄くする。
最後に、光調整部材層を覆う第2の波長変換層4200を配置する。第2の波長変換層4200の厚さは、光調整部材層と第2の波長変換層4200の合計厚さが、第1の波長変換層4100の厚さとほぼ等しくなるように設定する。
このようにして波長変換部材40xの中間体を作成する。
最後に、光調整部材層を覆う第2の波長変換層4200を配置する。第2の波長変換層4200の厚さは、光調整部材層と第2の波長変換層4200の合計厚さが、第1の波長変換層4100の厚さとほぼ等しくなるように設定する。
このようにして波長変換部材40xの中間体を作成する。
そして、図9A、図9Bと同様に、波長変換部材40xの中間体を所望の位置で分割して、波長変換部材40xとする。分割前の透光板2000、第1の波長変換層4100、第2の波長変換層4200、および光調整部材層は、分割後に、それぞれ、透光性部材20、第1の波長変換部材41、第2の波長変換部材42、および光調整部材30となる。
ここでは、先に第1の波長変換層4100を配置し、後に、光調整部材層と第2の波長変換層4200を配置する例を説明したが、先に、光調整部材層と第2の波長変換層4200を配置し、後に、第1の波長変換層4100を配置してもよい。
また、光調整部材層と第2の波長変換層4200の配置順について、ここでは、先に光調整部材層を配置し、後で、光調整部材層を覆う第2の波長変換層4200を配置する例を説明したが、先に第2の波長変換層4200を配置し、後で、第2の波長変換層4200を覆う光調整部材層を配置してもよい。
また、光調整部材層と第2の波長変換層4200の配置順について、ここでは、先に光調整部材層を配置し、後で、光調整部材層を覆う第2の波長変換層4200を配置する例を説明したが、先に第2の波長変換層4200を配置し、後で、第2の波長変換層4200を覆う光調整部材層を配置してもよい。
なお、ここでは、波長変換部材40xの中間体を分割して複数の波長変換部材40xを同時に準備する方法を説明したが、波長変換部材40xを個別に準備してもよい。すなわち、波長変換部材40xを準備する工程は、透光性部材20上に、透光性部材20の第1の表面20aの一部を覆う第1の波長変換部材41を配置する工程と、第1の波長変換部材41から露出する透光性部材20を覆う光調整部材30を配置する工程と、光調整部材30を覆う第2の波長変換部材42を配置する工程と、を含むものであってもよい。また、既に作成された波長変換部材40xを購入する等により準備してもよい。
(波長変換部材40xを発光素子10の上に配置する工程)
第1実施形態に係る発光装置100の製造方法で説明した「波長変換部材40を発光素子10の上に配置する工程」とは、波長変換部材40が波長変換部材40xに変わった以外は同様であるため、説明を省略する。
第1実施形態に係る発光装置100の製造方法で説明した「波長変換部材40を発光素子10の上に配置する工程」とは、波長変換部材40が波長変換部材40xに変わった以外は同様であるため、説明を省略する。
[第4実施形態]
図17に示す第4実施形態に係る発光装置500は、第1実施形態に係る発光装置100と異なり、高輝度領域110と低輝度領域120とに、発光ピーク波長が異なる発光層を配置している。
第1の発光層11は、波長400nm~500nmの範囲に発光ピークを有しており、第2の発光層12は、第1の発光層11の発光ピークよりも長波長側に発光ピークを有している。発光装置500の発光面S側からみたときに、第1の領域110に、第1の発光層11と第1の波長変換部材41とが配置され、第2の領域120に、第2の発光層12と第2の波長変換部材42とが配置されている。第1の波長変換部材41は、第1の発光層11の光取出面11a側に配置され、第1の発光層11からの発光の一部を波長変換する。第2の波長変換部材42は、第2の発光層12の光取出面12a側に配置され、第2の発光層12からの発光の一部を波長変換する。
図17に示す第4実施形態に係る発光装置500は、第1実施形態に係る発光装置100と異なり、高輝度領域110と低輝度領域120とに、発光ピーク波長が異なる発光層を配置している。
第1の発光層11は、波長400nm~500nmの範囲に発光ピークを有しており、第2の発光層12は、第1の発光層11の発光ピークよりも長波長側に発光ピークを有している。発光装置500の発光面S側からみたときに、第1の領域110に、第1の発光層11と第1の波長変換部材41とが配置され、第2の領域120に、第2の発光層12と第2の波長変換部材42とが配置されている。第1の波長変換部材41は、第1の発光層11の光取出面11a側に配置され、第1の発光層11からの発光の一部を波長変換する。第2の波長変換部材42は、第2の発光層12の光取出面12a側に配置され、第2の発光層12からの発光の一部を波長変換する。
図18に示すように、第2の発光層12の発光ピーク波長は、第1の発光層11の発光ピーク波長より短いため、第2の発光層12からの光は、第1の発光層11からの光に比べて、暗所視比視感度が高い。これにより、高輝度領域110からの光の明所視比視感度も、低輝度領域120からの光の暗所視比視感度も高い発光装置500を形成することができる。
なお、第2の発光層12からの光は暗所視比視感度が高いため、第2の波長変換部材42を省略しても、高輝度領域110からの光の明所視比視感度も、低輝度領域120からの光の暗所視比視感度も高い発光装置500を形成することができる。
図17に示すように、高輝度領域110に配置された第1の発光層11の光取出面11a側に、第1の支持部材51が配置され、低輝度領域120に配置された第2の発光層12の光取出面12a側に、第2の支持部材52が配置することができる。
第1の発光層11と第2の発光層12は、異なる発光ピーク波長を有する構造であるため、支持部材を分けることが好ましい。
第1の発光層11と第2の発光層12は、異なる発光ピーク波長を有する構造であるため、支持部材を分けることが好ましい。
<各部材の詳細>
第1~第4実施形態に係る発光装置に含まれる各部材について詳述する。
第1~第4実施形態に係る発光装置に含まれる各部材について詳述する。
(第1の発光層11、第2の発光層12)
第1の発光層11および第2の発光層12は、半導体積層体として構成されることができる。半導体積層体は、例えば、第1の支持部材51および第2の支持部材52の表面上に、複数の半導体層(第1の半導体層、半導体発光層および第2の半導体層)が積層されている。なお、第1の支持部材51および第2の支持部材52と第1の発光層11との間には、バッファ層が配置されていてもよいし、配置されていなくてもよい。
第1の発光層11および第2の発光層12は、半導体積層体として構成されることができる。半導体積層体は、例えば、第1の支持部材51および第2の支持部材52の表面上に、複数の半導体層(第1の半導体層、半導体発光層および第2の半導体層)が積層されている。なお、第1の支持部材51および第2の支持部材52と第1の発光層11との間には、バッファ層が配置されていてもよいし、配置されていなくてもよい。
第1の発光層11としては、波長400nm~500nmの範囲に発光ピークを有する光を出射するものを選択することができる。第1の発光層11としては、例えば、青色系(例えば発光ピーク波長430~500nm)の光を出射する半導体積層体を使用することができる。
第2の発光層12としては、第1の発光層11よりも長波長側に発光ピークを有する光を出射するものを選択することができる。第2の発光層12としては、例えば、青色系(例えば発光ピーク波長430~500nm)、緑色系(例えば発光ピーク波長500~570nm)の光を出射する半導体積層体を使用することができる。
第2の発光層12としては、第1の発光層11よりも長波長側に発光ピークを有する光を出射するものを選択することができる。第2の発光層12としては、例えば、青色系(例えば発光ピーク波長430~500nm)、緑色系(例えば発光ピーク波長500~570nm)の光を出射する半導体積層体を使用することができる。
半導体積層体として、窒化物系半導体(InXAlYGa1-X-YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)、GaP等を用いたものを使用することができる。赤色系(例えば波長610~700nm)の光を出射する第1の発光層11および第2の発光層12の一方または両方は、半導体積層体として、窒化物系半導体素子の他にもGaAlAs、AlInGaP等を用いることができる。バッファ層として、AlGaN等を用いることができる。
発光装置100は、発光時における高輝度領域110に配置した第1の発光層11の発光強度を1としたときに、低輝度領域120に配置した発光層(第1の発光層11または第2の発光層12)の発光強度を0.05以上0.8以下とすることができ、0.1以上0.7以下とすることが好ましい。第1の発光層11および第2の発光層12の発光強度をこのように制御することにより、高輝度領域110および低輝度領域120の各々からの光の輝度を適切な範囲に制御し得る。
(波長変換部材40、40x)
第1、第2および第4実施形態に係る発光装置に使用される波長変換部材40は、透光性部材20と、透光性部材20の第1の表面20aに設けられた第1の波長変換部材41および第2の波長変換部材42とを含む。
第3実施形態に係る発光装置に使用される波長変換部材40xは、透光性部材20と、透光性部材20の第1の表面20aに設けられた第1の波長変換部材41および光調整部材30と、光調整部材30を覆う第2の波長変換部材42とを含む。
第1の波長変換部材41および第2の波長変換部材42、透光性部材20、ならびに光調整部材30について以下に詳述する。
第1、第2および第4実施形態に係る発光装置に使用される波長変換部材40は、透光性部材20と、透光性部材20の第1の表面20aに設けられた第1の波長変換部材41および第2の波長変換部材42とを含む。
第3実施形態に係る発光装置に使用される波長変換部材40xは、透光性部材20と、透光性部材20の第1の表面20aに設けられた第1の波長変換部材41および光調整部材30と、光調整部材30を覆う第2の波長変換部材42とを含む。
第1の波長変換部材41および第2の波長変換部材42、透光性部材20、ならびに光調整部材30について以下に詳述する。
(第1の波長変換部材41、第2の波長変換部材42)
第1の波長変換部材41は、第1の発光層11からの光の少なくとも一部を異なる波長に波長変換するものである。第2の波長変換部材42は、第1の発光層11または第2の発光層12からの光の少なくとも一部を異なる波長に波長変換するものである。第1の波長変換部材41および第2の波長変換部材42は、ある発光ピーク波長を有する光を吸収して、異なる発光ピーク波長を有する光に波長変換する蛍光体を含む。
第1の波長変換部材41は、第1の発光層11からの光の少なくとも一部を異なる波長に波長変換するものである。第2の波長変換部材42は、第1の発光層11または第2の発光層12からの光の少なくとも一部を異なる波長に波長変換するものである。第1の波長変換部材41および第2の波長変換部材42は、ある発光ピーク波長を有する光を吸収して、異なる発光ピーク波長を有する光に波長変換する蛍光体を含む。
第1の波長変換部材41および第2の波長変換部材42としては、蛍光体と透光性材料を混合して成形したものを用いることができる。透光性材料としては、例えばエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂等の有機樹脂材料、ガラス、セラミック等の無機材料を用いることができる。
第1の波長変換部材41に使用される蛍光体としては、第1の発光層11から出射される光で励起可能なものが使用される。第2の波長変換部材42に使用される蛍光体としては、第1~第3実施形態では、第1の発光層11から出射される光で励起可能なものが使用され、第4実施形態では、第2の発光層12から出射される光で励起可能なものが使用される。
第1の波長変換部材41および第2の波長変換部材42に使用できる蛍光体の例を以下に例示する。なお、各波長変換部材41、42に使用する蛍光体は、第1の波長変換部材41によって波長変換された光のピーク波長が、第2の波長変換部材42によって波長変換された光のピーク波長よりも長くなるように選択する。
第1の波長変換部材41および第2の波長変換部材42に使用できる蛍光体の例を以下に例示する。なお、各波長変換部材41、42に使用する蛍光体は、第1の波長変換部材41によって波長変換された光のピーク波長が、第2の波長変換部材42によって波長変換された光のピーク波長よりも長くなるように選択する。
例えば、緑色発光する蛍光体としては、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(例えばY3(Al,Ga)5O12:Ce)、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(例えばLu3(Al,Ga)5O12:Ce)、テルビウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(例えばTb3(Al,Ga)5O12:Ce)、シリケート系蛍光体(例えば(Ba,Sr)2SiO4:Eu)、クロロシリケート系蛍光体(例えばCa8Mg(SiO4)4Cl2:Eu)、β サイアロン系蛍光体(例えばSi6-zAlzOzN8-z:Eu(0<z<4.2))、SGS系蛍光体(例えばSrGa2S4:Eu)等が挙げられる。
黄色発光する蛍光体としては、α サイアロン系蛍光体(例えばMz(Si,Al)12(O,N)16(但し、0<z≦2であり、MはLi、Mg、Ca、Y、及びLaとCeを除くランタニド元素)等が挙げられる。この他、上記緑色発光する蛍光体の中には黄色発光する蛍光体もある。また例えば、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体は、Yの一部をGdで置換することにより、発光ピーク波長を長波長側にシフトさせることができ、黄色発光が可能である。また、これらの中には、橙色発光が可能な蛍光物質もある。
赤色発光する蛍光体としては、窒素含有アルミノ珪酸カルシウム(CASN又はSCASN)系蛍光体(例えば(Sr,Ca)AlSiN3:Eu)、BSESN系蛍光体(例えば(Ba,Sr,Ca)2Si5N8:Eu)等が挙げられる。この他、マンガン賦活フッ化物系蛍光体(一般式(I)A2[M1-aMnaF6]で表される蛍光体(但し、上記一般式(I)中、Aは、K、Li、Na、Rb、Cs及びNH4からなる群から選ばれる少なくとも1種であり、Mは、第4族元素及び第14族元素からなる群から選ばれる少なくとも1種の元素であり、aは0<a<0.2を満たす))が挙げられる。このマンガン賦活フッ化物系蛍光体の例としては、KSF系蛍光体(例えばK2SiF6:Mn)、KSAF系蛍光体(例えば、K2Si0.99Al0.01F5.99:Mn)及びMGF系蛍光体(例えば、3.5MgO・0.5MgF2・GeO2:Mn)等がある。
例えば青色発光素子と組み合わせて白色系の混色光を発光させることができる蛍光体である黄色発光の蛍光体として、Yの一部をGdで置換した、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(例えば、(Y,Gd)3Al5O12:Ce)を好適に用いることができる。そして、白色に発光可能な発光装置100とする場合、第1の波長変換部材41および第2の波長変換部材42に含まれる蛍光体の種類及び濃度は、所望の色度ランクの白色に発光可能となるように調整される。
第1の発光層11または第2の発光層12から出射する発光で励起される波長変換効率や発光波長等を考慮して、第1の波長変換部材41および第2の波長変換部材42に含有させる蛍光体の種類、粒径、濃度が決定される。第1の波長変換部材41および第2の波長変換部材42の蛍光体濃度は、例えば50質量%以上60質量%以下とすることが好ましい。蛍光体濃度は、蛍光体を含む第1の波長変換部材41および第2の波長変換部材42における蛍光体の割合を示す。
(透光性部材20)
透光性部材20は、例えば樹脂、ガラス、無機物等の透光性材料を板状に成形したものが挙げられる。この透光性部材20は、平面視において、第1の波長変換部材41と第2の波長変換部材42とを合計した面積と同等の面積を有する。ガラスとしては、例えばホウ珪酸ガラス、石英ガラス等を用いることができ、樹脂としては、例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂等を用いることができる。なかでも、光により劣化しにくいこと、機械的強度等を考慮して、透光性部材20はガラスを用いることが好ましい。
透光性部材20は、例えば樹脂、ガラス、無機物等の透光性材料を板状に成形したものが挙げられる。この透光性部材20は、平面視において、第1の波長変換部材41と第2の波長変換部材42とを合計した面積と同等の面積を有する。ガラスとしては、例えばホウ珪酸ガラス、石英ガラス等を用いることができ、樹脂としては、例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂等を用いることができる。なかでも、光により劣化しにくいこと、機械的強度等を考慮して、透光性部材20はガラスを用いることが好ましい。
透光性部材20は、波長変換部材40において、第1の波長変換部材41および第2の波長変換部材42を支持するための部材である。第1の波長変換部材41および第2の波長変換部材42は、例えば、ガラス板からなる透光性部材20の表面に、印刷等によって配置される。このような構成であれば、第1の波長変換部材41および第2の波長変換部材42をより薄くできる。これにより、第1の波長変換部材41および第2の波長変換部材42を通過する光の光路長が短くなり、第1の波長変換部材41および第2の波長変換部材42を通過するときの光の減衰が抑制され、より高輝度な発光装置とすることができる。
透光性部材20の厚さは、発光装置の小型化、また第1の波長変換部材41、第2の波長変換部材42の機械的強度等を考慮して、例えば30μm以上300μm以下、好ましくは60μm以上200μm以下とすることができる。
なお、透光性部材20には、光拡散部材を含有させることができる。透光性部材20に光拡散部材を含有させることで、色度ムラ、輝度ムラを抑制することができる。光拡散部材としては、例えば酸化チタン、チタン酸バリウム、酸化アルミニウム、酸化ケイ素等を用いることができる。
(光調整部材30)
光調整部材30は、光反射材料、低屈折率の透光性材料、DBR(分布ブラッグ反射器)、波長カットフィルターなどを用いることができる。
光反射材料としては、樹脂と光反射性物質を混合して成形したものを用いることができる。樹脂としては、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリフタルアミド樹脂、の1種以上を含む樹脂又はハイブリッド樹脂が挙げられる。なかでも、耐熱性、電気絶縁性に優れ、柔軟性のあるシリコーン樹脂をベースポリマーとして含有する樹脂が好ましい。光反射性物質としては、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、珪酸カルシウム、酸化亜鉛、チタン酸バリウム、チタン酸カリウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライト及びこれらの組み合わせ等が挙げられる。なかでも酸化チタンは、水分等に対して比較的安定でかつ高屈折率であるため好ましい。
光調整部材30は、光反射材料、低屈折率の透光性材料、DBR(分布ブラッグ反射器)、波長カットフィルターなどを用いることができる。
光反射材料としては、樹脂と光反射性物質を混合して成形したものを用いることができる。樹脂としては、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリフタルアミド樹脂、の1種以上を含む樹脂又はハイブリッド樹脂が挙げられる。なかでも、耐熱性、電気絶縁性に優れ、柔軟性のあるシリコーン樹脂をベースポリマーとして含有する樹脂が好ましい。光反射性物質としては、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、珪酸カルシウム、酸化亜鉛、チタン酸バリウム、チタン酸カリウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライト及びこれらの組み合わせ等が挙げられる。なかでも酸化チタンは、水分等に対して比較的安定でかつ高屈折率であるため好ましい。
(導光部材60)
導光部材60としては、例えば、透光性の樹脂を用いることができる。透光性の樹脂としては、例えばエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂等の有機樹脂を用いることができる。なかでも、耐熱性の高いシリコーン樹脂を用いることが好ましい。また、前記した光拡散部材が含有されていてもよいし、含有されていなくてもよい。
導光部材60としては、例えば、透光性の樹脂を用いることができる。透光性の樹脂としては、例えばエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂等の有機樹脂を用いることができる。なかでも、耐熱性の高いシリコーン樹脂を用いることが好ましい。また、前記した光拡散部材が含有されていてもよいし、含有されていなくてもよい。
(第1の支持部材51、第2の支持部材52)
第1の支持部材51および第2の支持部材52は、サファイアやスピネル(MgAl2O4)のような絶縁性基板、InN、AlN、GaN、InGaN、AlGaN、InGaAlN等の窒化物系の半導体基板が挙げられる。なお第1の発光層11から出射される光を第1の支持部材51を介して取り出すために、第1の支持部材51は、透光性を有する材料を用いることが好ましい。
第1の支持部材51および第2の支持部材52は、サファイアやスピネル(MgAl2O4)のような絶縁性基板、InN、AlN、GaN、InGaN、AlGaN、InGaAlN等の窒化物系の半導体基板が挙げられる。なお第1の発光層11から出射される光を第1の支持部材51を介して取り出すために、第1の支持部材51は、透光性を有する材料を用いることが好ましい。
(実施例1)
図3に示す発光装置100を作成した。使用した発光層の発光ピーク波長、第1の波長変換部材41および第2の波長変換部材42に含まれる蛍光体の種類を表1に示す。
なお、高輝度領域110と低輝度領域120の各々に、発光面Sから見たときの寸法(光取出面11aの面積)が同一の第1の発光層11を1つずつ配置した。低輝度領域120をマスクして、高輝度領域110からの発光の発光スペクトル(第1の発光スペクトル)を測定した。次いで、高輝度領域110をマスクして、低輝度領域120からの発光の発光スペクトル(第2の発光スペクトル)を測定した。図2に、実施例1に係る発光装置100の第1の発光スペクトルと第2の発光スペクトルを示す。
図3に示す発光装置100を作成した。使用した発光層の発光ピーク波長、第1の波長変換部材41および第2の波長変換部材42に含まれる蛍光体の種類を表1に示す。
なお、高輝度領域110と低輝度領域120の各々に、発光面Sから見たときの寸法(光取出面11aの面積)が同一の第1の発光層11を1つずつ配置した。低輝度領域120をマスクして、高輝度領域110からの発光の発光スペクトル(第1の発光スペクトル)を測定した。次いで、高輝度領域110をマスクして、低輝度領域120からの発光の発光スペクトル(第2の発光スペクトル)を測定した。図2に、実施例1に係る発光装置100の第1の発光スペクトルと第2の発光スペクトルを示す。
第1の発光スペクトルの波長400nm~500nmの範囲における最大強度Iamaxに対する、第1の発光スペクトルの波長507nmおよび波長555nmにおける相対強度Ia507、Ia555と、第2の発光スペクトルの波長507nmおよび波長555nmにおける相対強度Ib507、Ib555とをそれぞれ求め、表1に示す。
(実施例2)
図17に示す発光装置500を作成した。使用した発光層の発光ピーク波長、第1の波長変換部材41および第2の波長変換部材42に含まれる蛍光体の種類を表2に示す。
なお、高輝度領域110には第1の発光層11を、低輝度領域120には第2の発光層12をそれぞれ配置した。第1の発光層11と第2の発光層12とは、発光面Sから見たときの寸法(光取出面11a、12aの面積)が同一であった。
実施例1と同様に、第1の発光スペクトルおよび第2の発光スペクトルを測定した。図18に、実施例2に係る発光装置500の第1の発光スペクトルと第2の発光スペクトルを示す。
図17に示す発光装置500を作成した。使用した発光層の発光ピーク波長、第1の波長変換部材41および第2の波長変換部材42に含まれる蛍光体の種類を表2に示す。
なお、高輝度領域110には第1の発光層11を、低輝度領域120には第2の発光層12をそれぞれ配置した。第1の発光層11と第2の発光層12とは、発光面Sから見たときの寸法(光取出面11a、12aの面積)が同一であった。
実施例1と同様に、第1の発光スペクトルおよび第2の発光スペクトルを測定した。図18に、実施例2に係る発光装置500の第1の発光スペクトルと第2の発光スペクトルを示す。
第1の発光スペクトルの波長400nm~500nmの範囲における最大強度Iamaxに対する、第1の発光スペクトルの波長507nmおよび波長555nmにおける相対強度Ia507、Ia555と、第2の発光スペクトルの波長507nmおよび波長555nmにおける相対強度Ib507、Ib555とをそれぞれ求め、表2に示す。
本開示の実施形態に係る発光装置は、例えば、以下の通りである。
[項1]
点灯時に、輝度の異なる発光を出射する第1の領域と第2の領域を含み、
前記第1の領域の輝度Laは、前記第2の領域の輝度Lbより高く、
前記第1の領域から出射された発光の発光スペクトルは、
波長400nm~500nmの範囲における最大強度Iamax、
波長507nmにおける強度Ia507、および
波長555nmにおける強度Ia555を有し、
前記第2の領域から出射された発光の発光スペクトルは、
波長507nmにおける強度Ib507、および
波長555nmにおける強度Ib555を有し、
前記強度Ia507、Ia555、Ib507、およびIb555の各々を、前記最大強度Iamaxで除して求めた相対強度Ira507、Ira555、Irb507、およびIrb555は、
相対強度Ira507が、Irb507よりも低く、
相対強度Ira555が、Irb555よりも高い、発光装置。
[項2]
前記発光装置は、
波長400nm~500nmの範囲に発光ピークを有する第1の発光層と、
前記第1の発光層の光取出面側に配置され、該第1の発光層からの発光を波長変換する少なくとも2つの波長変換部材と、を含み、
前記発光装置の発光面側からみたときに、
前記第1の領域に、第1の波長変換部材が配置され、
前記第2の領域に、第2の波長変換部材が配置され、
前記第1の波長変換部材によって波長変換された光のピーク波長は、第2の波長変換部材によって波長変換された光のピーク波長よりも長い、項1に記載の発光装置。
[項3]
複数の前記第1の発光層を含み、
前記発光装置の発光面側からみたときに、
前記第1の領域と前記第2の領域との各々に、少なくとも1つの前記第1の発光層が配置されている、項2に記載の発光装置。
[項4]
前記第1の領域に配置された前記第1の発光層に印可される電流の密度は、前記第2の領域に配置された前記第1の発光層に印可される電流の密度よりも高い、項3に記載の発光装置。
[項5]
前記第2の領域から出射される光の輝度を調整する光調整部材をさらに含み、
前記光調整部材は、前記第1の発光層の光取出面側に配置され、かつ、前記発光装置の発光面側からみたときに前記第2の領域の全体にわたって配置されている、項2~項4のいずれか1項に記載の発光装置。
[項6]
前記第2の波長変換部材は、前記第1の発光層と対面する第1の面と、当該第1の面とは反対側の第2の面とを有し、
前記光調整部材は、前記第2の波長変換部材の前記第2の面側に配置されている、項5に記載の発光装置。
[項7]
前記発光装置の発光面側からみたときに、前記第1の領域と前記第2の領域の間に第3の領域を含み、
前記第3の領域は、前記輝度Lb以上、前記輝度La以下の輝度Lcを有する、項1~項6のいずれか1項に記載の発光装置。
[項8]
前記発光装置の発光面側からみたときに、
前記第1の領域と前記第2の領域の間に第3の領域を含み、
前記第3の領域は、前記輝度Lb以上、前記輝度La以下の輝度Lcを有し、
前記発光装置の発光面側からみたときに、前記第3の領域に、前記第1の波長変換部材の一部と前記第2の波長変換部材の一部とが配置されている、項2~項6のいずれか1項に記載の発光装置。
[項9]
前記発光装置は、
波長400nm~500nmの範囲に発光ピークを有する第1の発光層と、
前記第1の発光層の発光ピークよりも長波長側に発光ピークを有する第2の発光層と、
前記第1の発光層の光取出面側に配置され、該第1の発光層からの発光を波長変換する第1の波長変換部材と、を含み、
前記発光装置の発光面側からみたときに、
前記第1の領域に、前記第1の発光層と前記第1の波長変換部材とが配置され、
前記第2の領域に、前記第2の発光層が配置されている、項1に記載の発光装置。
[項10]
前記第2の発光層の光取出面側に配置され、該第2の発光層からの発光を波長変換する第2の波長変換部材をさらに含む、項9に記載の発光装置。
[項11]
前記第1の発光層の光取出面側に配置された透光性部材をさらに含み、
前記第1の発光層と前記透光性部材との間に、前記第1の波長変換部材と前記第2の波長変換部材とが配置されている、項2~項6および項8のいずれか1項に記載の発光装置。
[項12]
前記第1の発光層の光取出面側に配置された透光性部材をさらに含み、
前記第1の発光層と前記透光性部材との間に、前記第1の波長変換部材が配置されている、項9または項10に記載の発光装置。
[項1]
点灯時に、輝度の異なる発光を出射する第1の領域と第2の領域を含み、
前記第1の領域の輝度Laは、前記第2の領域の輝度Lbより高く、
前記第1の領域から出射された発光の発光スペクトルは、
波長400nm~500nmの範囲における最大強度Iamax、
波長507nmにおける強度Ia507、および
波長555nmにおける強度Ia555を有し、
前記第2の領域から出射された発光の発光スペクトルは、
波長507nmにおける強度Ib507、および
波長555nmにおける強度Ib555を有し、
前記強度Ia507、Ia555、Ib507、およびIb555の各々を、前記最大強度Iamaxで除して求めた相対強度Ira507、Ira555、Irb507、およびIrb555は、
相対強度Ira507が、Irb507よりも低く、
相対強度Ira555が、Irb555よりも高い、発光装置。
[項2]
前記発光装置は、
波長400nm~500nmの範囲に発光ピークを有する第1の発光層と、
前記第1の発光層の光取出面側に配置され、該第1の発光層からの発光を波長変換する少なくとも2つの波長変換部材と、を含み、
前記発光装置の発光面側からみたときに、
前記第1の領域に、第1の波長変換部材が配置され、
前記第2の領域に、第2の波長変換部材が配置され、
前記第1の波長変換部材によって波長変換された光のピーク波長は、第2の波長変換部材によって波長変換された光のピーク波長よりも長い、項1に記載の発光装置。
[項3]
複数の前記第1の発光層を含み、
前記発光装置の発光面側からみたときに、
前記第1の領域と前記第2の領域との各々に、少なくとも1つの前記第1の発光層が配置されている、項2に記載の発光装置。
[項4]
前記第1の領域に配置された前記第1の発光層に印可される電流の密度は、前記第2の領域に配置された前記第1の発光層に印可される電流の密度よりも高い、項3に記載の発光装置。
[項5]
前記第2の領域から出射される光の輝度を調整する光調整部材をさらに含み、
前記光調整部材は、前記第1の発光層の光取出面側に配置され、かつ、前記発光装置の発光面側からみたときに前記第2の領域の全体にわたって配置されている、項2~項4のいずれか1項に記載の発光装置。
[項6]
前記第2の波長変換部材は、前記第1の発光層と対面する第1の面と、当該第1の面とは反対側の第2の面とを有し、
前記光調整部材は、前記第2の波長変換部材の前記第2の面側に配置されている、項5に記載の発光装置。
[項7]
前記発光装置の発光面側からみたときに、前記第1の領域と前記第2の領域の間に第3の領域を含み、
前記第3の領域は、前記輝度Lb以上、前記輝度La以下の輝度Lcを有する、項1~項6のいずれか1項に記載の発光装置。
[項8]
前記発光装置の発光面側からみたときに、
前記第1の領域と前記第2の領域の間に第3の領域を含み、
前記第3の領域は、前記輝度Lb以上、前記輝度La以下の輝度Lcを有し、
前記発光装置の発光面側からみたときに、前記第3の領域に、前記第1の波長変換部材の一部と前記第2の波長変換部材の一部とが配置されている、項2~項6のいずれか1項に記載の発光装置。
[項9]
前記発光装置は、
波長400nm~500nmの範囲に発光ピークを有する第1の発光層と、
前記第1の発光層の発光ピークよりも長波長側に発光ピークを有する第2の発光層と、
前記第1の発光層の光取出面側に配置され、該第1の発光層からの発光を波長変換する第1の波長変換部材と、を含み、
前記発光装置の発光面側からみたときに、
前記第1の領域に、前記第1の発光層と前記第1の波長変換部材とが配置され、
前記第2の領域に、前記第2の発光層が配置されている、項1に記載の発光装置。
[項10]
前記第2の発光層の光取出面側に配置され、該第2の発光層からの発光を波長変換する第2の波長変換部材をさらに含む、項9に記載の発光装置。
[項11]
前記第1の発光層の光取出面側に配置された透光性部材をさらに含み、
前記第1の発光層と前記透光性部材との間に、前記第1の波長変換部材と前記第2の波長変換部材とが配置されている、項2~項6および項8のいずれか1項に記載の発光装置。
[項12]
前記第1の発光層の光取出面側に配置された透光性部材をさらに含み、
前記第1の発光層と前記透光性部材との間に、前記第1の波長変換部材が配置されている、項9または項10に記載の発光装置。
本開示の実施形態に係る発光装置は、ヘッドライト等の車両用照明に好適に利用することができる。その他、本開示の実施形態に係る発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト光源、各種照明器具、大型ディスプレイ、広告や行き先案内等の各種表示装置、更には、デジタルビデオカメラ、ファクシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取装置、プロジェクタ装置等に利用することができる。
本願は、2022年12月27日付けで日本国にて出願された特願2022-210850に基づく優先権を主張し、その記載内容の全てが、参照することにより本明細書に援用される。
100、200、300、301、302、303、400、401、500 発光装置
11 第1の発光層
11a 光取出面
12 第2の発光層
12a 光取出面
16 電極
20 透光性部材
30 光調整部材
40、40x 波長変換部材
41 第1の波長変換部材
42 第2の波長変換部材
51 第1の支持部材
52 第2の支持部材
60 導光部材
S 発光面
110 第1の領域(高輝度領域)
120 第2の領域(低輝度領域)
130 第3の領域(中輝度領域)
11 第1の発光層
11a 光取出面
12 第2の発光層
12a 光取出面
16 電極
20 透光性部材
30 光調整部材
40、40x 波長変換部材
41 第1の波長変換部材
42 第2の波長変換部材
51 第1の支持部材
52 第2の支持部材
60 導光部材
S 発光面
110 第1の領域(高輝度領域)
120 第2の領域(低輝度領域)
130 第3の領域(中輝度領域)
Claims (12)
- 点灯時に、輝度の異なる発光を出射する第1の領域と第2の領域を含み、
前記第1の領域の輝度Laは、前記第2の領域の輝度Lbより高く、
前記第1の領域から出射された発光の発光スペクトルは、
波長400nm~500nmの範囲における最大強度Iamax、
波長507nmにおける強度Ia507、および
波長555nmにおける強度Ia555を有し、
前記第2の領域から出射された発光の発光スペクトルは、
波長507nmにおける強度Ib507、および
波長555nmにおける強度Ib555を有し、
前記強度Ia507、Ia555、Ib507、およびIb555の各々を、前記最大強度Iamaxで除して求めた相対強度Ira507、Ira555、Irb507、およびIrb555は、
相対強度Ira507が、Irb507よりも低く、
相対強度Ira555が、Irb555よりも高い、発光装置。 - 前記発光装置は、
波長400nm~500nmの範囲に発光ピークを有する第1の発光層と、
前記第1の発光層の光取出面側に配置され、該第1の発光層からの発光を波長変換する少なくとも2つの波長変換部材と、を含み、
前記発光装置の発光面側からみたときに、
前記第1の領域に、第1の波長変換部材が配置され、
前記第2の領域に、第2の波長変換部材が配置され、
前記第1の波長変換部材によって波長変換された光のピーク波長は、第2の波長変換部材によって波長変換された光のピーク波長よりも長い、請求項1に記載の発光装置。 - 複数の前記第1の発光層を含み、
前記発光装置の発光面側からみたときに、
前記第1の領域と前記第2の領域との各々に、少なくとも1つの前記第1の発光層が配置されている、請求項2に記載の発光装置。 - 前記第1の領域に配置された前記第1の発光層に印可される電流の密度は、前記第2の領域に配置された前記第1の発光層に印可される電流の密度よりも高い、請求項3に記載の発光装置。
- 前記第2の領域から出射される光の輝度を調整する光調整部材をさらに含み、
前記光調整部材は、前記第1の発光層の光取出面側に配置され、かつ、前記発光装置の発光面側からみたときに前記第2の領域の全体にわたって配置されている、請求項2~4のいずれか1項に記載の発光装置。 - 前記第2の波長変換部材は、前記第1の発光層と対面する第1の面と、当該第1の面とは反対側の第2の面とを有し、
前記光調整部材は、前記第2の波長変換部材の前記第2の面側に配置されている、請求項5に記載の発光装置。 - 前記発光装置の発光面側からみたときに、前記第1の領域と前記第2の領域の間に第3の領域を含み、
前記第3の領域は、前記輝度Lb以上、前記輝度La以下の輝度Lcを有する、請求項1~6のいずれか1項に記載の発光装置。 - 前記発光装置の発光面側からみたときに、
前記第1の領域と前記第2の領域の間に第3の領域を含み、
前記第3の領域は、前記輝度Lb以上、前記輝度La以下の輝度Lcを有し、
前記発光装置の発光面側からみたときに、前記第3の領域に、前記第1の波長変換部材の一部と前記第2の波長変換部材の一部とが配置されている、請求項2~6のいずれか1項に記載の発光装置。 - 前記発光装置は、
波長400nm~500nmの範囲に発光ピークを有する第1の発光層と、
前記第1の発光層の発光ピークよりも長波長側に発光ピークを有する第2の発光層と、
前記第1の発光層の光取出面側に配置され、該第1の発光層からの発光を波長変換する第1の波長変換部材と、を含み、
前記発光装置の発光面側からみたときに、
前記第1の領域に、前記第1の発光層と前記第1の波長変換部材とが配置され、
前記第2の領域に、前記第2の発光層が配置されている、請求項1に記載の発光装置。 - 前記第2の発光層の光取出面側に配置され、該第2の発光層からの発光を波長変換する第2の波長変換部材をさらに含む、請求項9に記載の発光装置。
- 前記第1の発光層の光取出面側に配置された透光性部材をさらに含み、
前記第1の発光層と前記透光性部材との間に、前記第1の波長変換部材と前記第2の波長変換部材とが配置されている、請求項2~6および8のいずれか1項に記載の発光装置。 - 前記第1の発光層の光取出面側に配置された透光性部材をさらに含み、
前記第1の発光層と前記透光性部材との間に、前記第1の波長変換部材が配置されている、請求項9または10に記載の発光装置。
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country | Link |
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015188050A (ja) * | 2014-03-12 | 2015-10-29 | 株式会社東芝 | 発光装置 |
JP2017011259A (ja) * | 2015-06-18 | 2017-01-12 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
WO2021131287A1 (ja) * | 2019-12-24 | 2021-07-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
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- 2023-12-22 WO PCT/JP2023/046209 patent/WO2024143215A1/ja unknown
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