WO2024143215A1

WO2024143215A1 - 発光装置

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Publication number: WO2024143215A1
Application number: PCT/JP2023/046209
Authority: WO
Inventors: 勇介林; 聡七條
Original assignee: 日亜化学工業株式会社
Priority date: 2022-12-27
Filing date: 2023-12-22
Publication date: 2024-07-04

Abstract

発光面内に高輝度領域と低輝度領域とを有し、それぞれの領域における視認性の高い発光装置を提供する。点灯時に、輝度の異なる発光を出射する第１の領域と第２の領域を含み、第１の領域の輝度Ｌａは、第２の領域の輝度Ｌｂより高く、第１の領域から出射された発光の発光スペクトルは、波長４００ｎｍ～５００ｎｍの範囲における最大強度Ｉａｍａｘ、波長５０７ｎｍにおける強度Ｉａ５０７、波長５５５ｎｍにおける強度Ｉａ５５５を有し、第２の領域からの発光の発光スペクトルは、波長５０７ｎｍでの強度Ｉｂ５０７、波長５５５ｎｍにおける強度Ｉｂ５５５を有し、強度Ｉａ５０７、Ｉａ５５５、Ｉｂ５０７、およびＩｂ５５５の各々を、前記最大強度Ｉａｍａｘで除して求めたＩｒａ５０７、Ｉｒａ５５５、Ｉｒｂ５０７、およびＩｒｂ５５５はＩｒａ５０７が、Ｉｒｂ５０７よりも低く、Ｉｒａ５５５がＩｒｂ５５５よりも高い、発光装置。

Description

発光装置

　本開示は発光装置に関する。

　近年、ヘッドライト等の車両用灯具の光源として、ＬＥＤが用いられている。例えば、特許文献１には、面積の異なる複数の発光素子を組み合わせることで、ヘッドライトに適した配光を有する発光装置が開示されている。

特開２０１７－０１１２５９号公報

　本開示は、発光面内に高輝度領域と低輝度領域とを有し、それぞれの領域における視認性の高い発光装置を提供することを課題とする。

　本開示の実施形態に係る発光装置は、
　点灯時に、輝度の異なる発光を出射する第１の領域と第２の領域を含み、
　前記第１の領域の輝度Ｌａは、前記第２の領域の輝度Ｌｂより高く、
　前記第１の領域から出射された発光の発光スペクトルは、
　　波長４００ｎｍ～５００ｎｍの範囲における最大強度Ｉａ_ｍａｘ、
　　波長５０７ｎｍにおける強度Ｉａ_５０７、および
　　波長５５５ｎｍにおける強度Ｉａ_５５５を有し、
　前記第２の領域から出射された発光の発光スペクトルは、
　　波長５０７ｎｍにおける強度Ｉｂ_５０７、および
　　波長５５５ｎｍにおける強度Ｉｂ_５５５を有し、
　前記強度Ｉａ_５０７、Ｉａ_５５５、Ｉｂ_５０７、およびＩｂ_５５５の各々を、前記最大強度Ｉａ_ｍａｘで除して求めた相対強度Ｉｒａ_５０７、Ｉｒａ_５５５、Ｉｒｂ_５０７、およびＩｒｂ_５５５は、
　相対強度Ｉｒａ_５０７が、Ｉｒｂ_５０７よりも低く、
　相対強度Ｉｒａ_５５５が、Ｉｒｂ_５５５よりも高い。

　本開示の実施形態に係る発光装置は、発光面内に高輝度領域と低輝度領域とを有し、それぞれの領域における視認性が高い。

第１実施形態に係る発光装置の一例を模式的に示す平面図である。第１実施形態に係る発光装置の第１および第２の発光スペクトル、ならびに視感度曲線を示すグラフである。第１実施形態に係る発光装置の一例を模式的に示す断面図である。第１実施形態に係る発光装置の変形例を模式的に示す断面図である。第１実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。第１実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を模式的に示す平面図である。図６ＡのＡ－Ａ線における模式断面図である。第１実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を模式的に示す平面図である。図７ＡのＢ－Ｂ線における模式断面図である。第１実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を模式的に示す平面図である。図８ＡのＣ－Ｃ線における模式断面図である。第１実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を模式的に示す平面図である。図９ＡのＤ－Ｄ線における模式断面図である。第２実施形態に係る発光装置の一例を模式的に示す平面図である。第２実施形態に係る発光装置の一例を模式的に示す断面図である。第２実施形態に係る発光装置の一例を模式的に示す断面図である。第２実施形態に係る発光装置の一例を模式的に示す断面図である。第２実施形態に係る発光装置の一例を模式的に示す断面図である。第３実施形態に係る発光装置の一例を模式的に示す断面図である。第３実施形態に係る発光装置の一例を模式的に示す断面図である。第４実施形態に係る発光装置の一例を模式的に示す断面図である。第４実施形態に係る発光装置の第１および第２の発光スペクトル、ならびに視感度曲線を示すグラフである。

　ヘッドライトの配光は、照射面中央部は高照度で、中央から離れるほど低照度が望ましい。その対策として、本発明者らは、発光面の輝度が部分的に高い発光装置（これを「部分高輝度発光装置」と称する）を検討してきた。部分高輝度発光装置は、発光面の一部の領域において輝度を低下させることで、低輝度領域と高輝度領域とを設けている。部分高輝度発光装置は、高輝度領域からの発光も低輝度領域からの発光も、実質的に同一の発光スペクトル有する。

　本発明者らは、部分高輝度発光装置のさらなる性能向上を図るべく検討を行ったところ、高輝度領域からの発光と、低輝度領域からの発光とでは、視認性が異なる可能性に思い至った。高輝度領域からの発光に対しては薄明視～明所視になり、低輝度領域からの発光に対しては暗所視～薄明視になると考えられる。

　そこで、本発明者らは、高輝度領域からの発光と、低輝度領域からの発光との両方について視認性を改善した部分高輝度発光装置を提供すべく、鋭意検討を行って、本発明の実施形態に係る発光装置を完成させた。

　実施形態を、以下に図面を参照しながら説明する。但し、以下に示す形態は、本実施形態の技術思想を具現化するための発光装置及び発光装置の製造方法を例示するものであって、以下に限定するものではない。また、実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限り、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる例示に過ぎない。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするために誇張又は簡略化していることがある。また、図面が過度に複雑になることを避けるために、一部の要素の図示を省略したり、断面図として切断面のみを示す端面図を用いたりすることがある。更に、「覆う、被覆する」とは直に接する場合に限らず、間接的に、例えば他の部材を介して覆う場合も含む。また、「配置する」とは直接接する場合に限らず、間接的に、例えば他の部材を介して配置する場合も含む。なお、本明細書において「平面図」とは、発光装置の発光面側からの図面であることを意味する。

［第１実施形態］
　図１は、第１実施形態に係る発光装置１００の平面図である。
　発光装置１００は、発光面Ｓ側からみたとき、点灯時に輝度の異なる発光を出射する第１の領域１１０と第２の領域１２０を含む。
　第１の領域１１０の輝度Ｌａは、第２の領域１２０の輝度Ｌｂより高い。つまり、「Ｌａ＞Ｌｂ」の関係を満たす。本明細書では、第１の領域１１０および第２の領域１２０を、それぞれ「高輝度領域１１０」、「低輝度領域１２０」と称することがある。
　本明細書において、「高輝度領域１１０」とは、発光装置１００で最も高い輝度（最大輝度Ｌａ_ｍａｘと称する）の８０％以上１００％以下の輝度を有する部分から構成された領域であり、「低輝度領域１２０」とは、最大輝度Ｌａ_ｍａｘの５％以上８０％未満の輝度を有する部分から構成された領域である。

　図２は、発光スペクトルを示す図である。発光装置１００の第１の領域（高輝度領域）１１０から出射された発光の発光スペクトル（これを「第１の発光スペクトル」と称する）と、第２の領域（低輝度領域）１２０から出射された発光の発光スペクトル（これを「第２の発光スペクトル」と称する）とを、それぞれ図示している。なお、これらの発光スペクトルは、高輝度領域１１０から出射された発光と、低輝度領域１２０から出射された発光との発光スペクトルを個別に測定して得たものである。各領域からの発光の発光スペクトルを測定する方法の一例としては、発光装置１００の発光面Ｓのうち測定対象となる領域以外を、光を吸収する材料（マスク）で覆った状態で発光スペクトルを測定する方法がある。この方法により、測定対象となる領域から出射された発光の発光スペクトルのみを測定することができる。なお、輝度測定装置が、各領域からの発光の発光スペクトルを個別に測定できる機能を備える場合は、マスクを使用せずに、各領域からの発光の輝度と発光スペクトルとを測定できる。

　発光装置１００の発光スペクトルは、第１の発光スペクトルと第２の発光スペクトルとを足し合わせたものとなる。

　第１の発光スペクトルは、波長４００ｎｍ～５００ｎｍの範囲における最大強度Ｉａ_ｍａｘ、波長５０７ｎｍにおける強度Ｉａ_５０７、および波長５５５ｎｍにおける強度Ｉａ_５５５を有する。図２に示す第１の発光スペクトルでは、最大強度Ｉａ_ｍａｘは波長λ１_ｍａｘにおける強度である。
　第２の発光スペクトルは、波長５０７ｎｍにおける強度Ｉｂ_５０７、および波長５５５ｎｍにおける強度Ｉｂ_５５５を有している。

　各強度（発光強度）を比較するために、最大強度Ｉａ_ｍａｘの相対強度を１として、各発光強度の相対強度を求める。つまり、強度Ｉａ_５０７、Ｉａ_５５５、Ｉｂ_５０７、およびＩｂ_５５５を、最大強度Ｉａ_ｍａｘで除して、相対強度（相対発光強度）Ｉｒａ_５０７、Ｉｒａ_５５５、Ｉｒｂ_５０７、およびＩｒｂ_５５５を求める。これらの相対強度の関係は、相対強度Ｉｒａ_５０７が、Ｉｒｂ_５０７よりも低い。つまり、「Ｉｒａ_５０７＜Ｉｒｂ_５０７」の関係を満たす。また、相対強度Ｉｒａ_５５５が、Ｉｒｂ_５５５よりも高い。つまり、「Ｉｒａ_５５５＞Ｉｒｂ_５５５」の関係を満たす。

　人間の目には、高輝度領域１１０からの発光は「明所視」として知覚され、低輝度領域１２０からの発光は「暗所視」として知覚されると考えられる。図２に示すように、人間の目の視感度曲線は、明所視と暗所視では異なる。明所視における視認性を向上するためには、明所視の視感度曲線のピーク波長である５５５ｎｍにおける発光強度が強い光で照らすことが有効である。同様に、暗所視における視認性を向上するためには、暗所視の視感度曲線のピーク波長である５０７ｎｍにおける発光強度が強い光で照らすことが有効である。

　第１実施形態に係る発光装置１００では、高輝度領域１１０からの光は、低輝度領域１２０からの光に比べて、波長５５５ｎｍにおける相対強度が強いため、明所視比視感度が高い。一方、低輝度領域１２０からの光は、高輝度領域１１０からの光に比べて、波長５０７ｎｍにおける相対強度が強いため、暗所視比視感度が高い。よって、発光装置１００は、高輝度領域１１０からの光も、低輝度領域１２０からの光も視認性が高い。

　図１では、高輝度領域１１０と低輝度領域１２０との境界は、発光装置１００の外周の辺に平行に図示されている。但し、これに限定されず、所望の配光となるように、任意の形状の境界に変形可能である。例えば、高輝度領域１１０と低輝度領域１２０との境界は、平面視において、発光装置１００の外周の辺に対して傾いていてもよい。また、高輝度領域１１０と低輝度領域１２０との境界は、平面視において直線であることに限らず、曲線でもよい。また、発光装置１００の発光面Ｓ側における高輝度領域１１０と低輝度領域１２０の面積比率についても、使用する用途に合わせて任意に変更可能である。

　発光装置１００の具体的な構成例を図３に示す。
　発光装置１００は、波長４００ｎｍ～５００ｎｍの範囲に発光ピークを有する第１の発光層１１と、第１の発光層１１からの発光を波長変換する少なくとも２つの波長変換部材（第１の波長変換部材４１、第２の波長変換部材４２）と、を含む。

　第１の発光層１１は、電極１６が形成された電極形成面１１ｂと、電極形成面１１ｂとは反対側に位置する光取出面１１ａと、電極形成面１１ｂと光取出面１１ａとを接続する複数の側面１１ｃとを含む。第１の発光層１１からの光は、光取出面１１ａから出射することに限らず、側面１１ｃからも出射し得る。
　波長変換部材（第１の波長変換部材４１、第２の波長変換部材４２）は、第１の発光層１１の光取出面１１ａ側に配置される。

　本明細書において「発光層」とは、通電することにより発光する、１層または多層からなる層状体のことを指す。発光層は、例えば、複数の半導体層を積層した半導体積層体である。

　発光装置１００の発光面Ｓ側からみたときに、第１の領域（高輝度領域）１１０に、第１の波長変換部材４１が配置され、第２の領域（低輝度領域）１２０に、第２の波長変換部材４２が配置されている。第１の波長変換部材４１によって波長変換された光のピーク波長は、第２の波長変換部材４２によって波長変換された光のピーク波長よりも長い。
　つまり、高輝度領域１１０からの光は、第１の発光層１１からの光の一部を第１の波長変換部材４１によって長波長側にシフトした光を含むため、相対的に長波長側（波長５５５ｎｍ）での発光強度が高くなる。低輝度領域１２０からの光は、第１の発光層１１からの光の一部を第２の波長変換部材４２によって長波長側にシフトした光を含むものの、第２の波長変換部材４２によるシフト量が小さいため、相対的に短波長側（波長５０７ｎｍ）での発光強度が高くなる。

　このような構成を有することにより、高輝度領域１１０からの光の明所視比視感度も高く、かつ低輝度領域１２０からの光の暗所視比視感度も高い発光装置１００を形成することができる。

　発光装置１００は、図３に示す例では複数の第１の発光層１１を含む。この場合、第１の発光層１１ごとに電流値を変えることができる。

　発光装置１００が複数の第１の発光層１１を含む場合、発光装置１００の発光面Ｓ側からみたときに、複数の第１の発光層１１は互いに重ならないように横並びに配置する。特に、図３に示すように、複数の第１の発光層１１の各々の光取出面１１ａが面一になるように配置されていることが好ましい。また、発光装置１００の発光面Ｓ側からみたときに、第１の領域１１０と第２の領域１２０との各々に、少なくとも１つの第１の発光層１１が配置されていることが好ましい。これにより、第１の領域１１０と第２の領域１２０との各々の輝度を、各領域に配置された第１の発光層１１によって個別に制御することができる。

　図３に示す発光装置１００は、第１の領域（高輝度領域）１１０に配置された第１の発光層１１に印可される電流の密度を、第２の領域（低輝度領域）１２０に配置された第１の発光層１１に印可される電流の密度よりも高くする。高輝度領域１１０に配置された第１の発光層１１に印可される電流の密度を相対的に高くすることにより、高輝度領域１１０からの光の輝度を高くし、低輝度領域１２０に配置された第１の発光層１１に印可される電流の密度を相対的に低くすることにより、低輝度領域１２０からの光の輝度を低くすることができる。

　なお、発光装置１００は、第１の発光層１１を１つだけ含んでもよい。但し、この場合、１つの第１の発光層１１のみを含む発光装置１００では、電流値によって発光装置１００からの発光の一部のみの輝度を変更することができないため、例えば後述する図１５に示すような光調整部材３０を設けて、第１の発光層１１からの発光の一部の輝度を低下させる必要がある。

　発光装置１００が、第１の発光層１１を１つだけ含む場合、その１つの第１の発光層１１の光取出面１１ａ側に、第１の波長変換部材４１と第２の波長変換部材４２の両方を配置する。

　図３に示すように、第１の波長変換部材４１と第２の波長変換部材４２との境界が、発光装置１００の発光面Ｓと垂直であると、高輝度領域１１０と低輝度領域１２０との輝度のコントラストが高く、また、第１の発光スペクトルと第２の発光スペクトルとの差異が明確になる。
　また、複数の第１の発光層１１を含む発光装置１００では、発光装置１００の発光面Ｓ側からみたときに、第１の波長変換部材４１と第２の波長変換部材４２との境界の位置が、第１の発光層１１の間の隙間内に存在すると、高輝度領域１１０と低輝度領域１２０との輝度のコントラストがより高く、また、第１の発光スペクトルと第２の発光スペクトルとの差異が明確になる。
　このような構成および配置を有する発光装置１００は、ヘッドライトの配光等において高輝度領域１１０と低輝度領域１２０とを明確に分けたい場合に好適である。

　図３に示すように、第１の発光層１１の光取出面１１ａ側に、透光性の第１の支持部材５１を配置することができる。第１の支持部材５１は、第１の発光層１１を支持する基板であり、第１の発光層１１をエピタキシャル成長で形成する際の成長基板とすることができる。
　一般的には、第１の支持部材５１と、その表面に形成された第１の発光層１１とから、発光素子が構成され得る。

　図３に示すように、発光装置１００は、第１の支持部材５１の側面を被覆する導光部材６０を備えることができる。導光部材６０は透光性であり、第１の発光層１１からの光を、第１の波長変換部材４１または第２の波長変換部材４２に導く部材である。導光部材６０は、第１の発光層１１の側面を被覆することができる。導光部材６０としては、例えば、透光性の樹脂を用いることができる。
　導光部材６０の形状は、一例として、断面視で、側面が湾曲している。導光部材６０の形状、断面視で、第１の支持部材５１の側面から、第１の波長変換部材４１と第２の波長変換部材４２側に向かって幅が広がるように、側面が傾斜した形状を有するものであってもよい。導光部材６０の側面の断面形状は、直線状であってもよく、湾曲形状であってもよい。
　導光部材６０は、第１の支持部材５１と、第１の波長変換部材４１および第２の波長変換部材４２との間をそれぞれ接着する接着部材としても機能し得る。

　図３に示すように、発光装置１００は、第１の発光層１１の光取出面１１ａ側に配置された透光性部材２０をさらに含むことができる。透光性部材２０としては、例えば透明なガラスを用いることができる。
　発光装置１００が透光性部材２０を含む場合、第１の発光層１１と透光性部材２０との間に、第１の波長変換部材４１と第２の波長変換部材４２とが配置されていることが好ましい。つまり、第１の波長変換部材４１と第１の発光層１１との間、および第２の波長変換部材４２と第１の発光層１１との間に、透光性部材２０が配置されていないことが好ましい。

　第１の波長変換部材４１および第２の波長変換部材４２は、例えば蛍光体を含んでいる。蛍光体は、第１の発光層１１からの発光の一部を吸収して、異なる波長の光に変換するが、そのときに蛍光体が発熱する。第１の波長変換部材４１および第２の波長変換部材４２と第１の発光層１１との間に透光性部材２０が配置されていないことにより、第１の波長変換部材４１および第２の波長変換部材４２に含まれる蛍光体で発生した発熱を、第１の発光層１１側に放熱しやすくなる。これにより、発熱に起因する蛍光体の特性低下（波長変換時の波長シフト量の変化、蛍光体の劣化）を低減することができる。

　また、第１の発光層１１と透光性部材２０との間に、第１の波長変換部材４１と第２の波長変換部材４２とが配置されている場合、図３に示すように、透光性部材２０の表面が、発光装置１００の発光面Ｓとなり得る。
　発光装置１００を実装基板等に実装する際、通常は、発光装置１００の発光面Ｓを吸引治具等で吸引してピックアップし、実装位置まで運搬する。発光装置１００の発光面Ｓが透光性部材２０の表面であると、吸引治具等によるピックアップがしやすくなる。

　透光性部材２０は、第１の波長変換部材４１および第２の波長変換部材４２を形成する際の基材として機能し得る。第１の波長変換部材４１および第２の波長変換部材４２は、透光性部材２０の表面に直接形成してもよく、または、透光性部材２０の表面に、介在層（透光性樹脂または透光性無機部材）を介して形成してもよい。

＜変形例＞
　図４に示す発光装置２００は、第１実施形態に係る発光装置１００とは、支持部材を複数含む点、透光性部材２０を複数含む点、および第１の波長変換部材４１と第２の波長変換部材４２との間に光反射部材４５が配置されている点で相違する。それらの相違点を中心に説明する。
　なお、その他の構成については、第１実施形態に係る発光装置１００と同一であるため、説明を省略する。

　図４に示す発光装置２００は、第１の領域（高輝度領域）１１０に配置された第１の発光層１１の光取出面１１ａ側に、第１の支持部材５１が配置され、第２の領域（低輝度領域）１２０に配置された第１の発光層１１の光取出面１１ａ側に、第２の支持部材５２が配置されている。

　導光部材６０は、第１の支持部材５１と第２の支持部材５２との間に配置されて、それらを接着する接着部材として機能し得る。導光部材６０は、例えば、第１の支持部材５１と第１の波長変換部材４１との間、第２の支持部材５２と第２の波長変換部材４２との間をそれぞれ接着する接着部材としても機能し得る。

　発光装置２００は、複数の透光性部材を含むことができる。図４に示す例では、発光装置２００の発光面Ｓ側からみたときに、高輝度領域１１０には、第１の波長変換部材４１が設けられた第１の透光性部材２１を配置し、低輝度領域１２０には、第２の波長変換部材４２が設けられた第２の透光性部材２２を配置している。また、図４に示す例では、第１の透光性部材２１と第２の透光性部材２２との間、および第１の波長変換部材４１と第２の波長変換部材４２との間には、光反射部材４５が配置されている。

　このような構成および配置を有する発光装置２００は、高輝度領域１１０と低輝度領域１２０との輝度のコントラストがより高くなり、また、第１の発光スペクトルと第２の発光スペクトルとの差異がより明確になる。よって、ヘッドライトの配光等において高輝度領域１１０と低輝度領域１２０とを明確に分けたい場合に好適である。

　第１の支持部材５１と第２の支持部材５２との間には、導光部材６０の代わりに、光反射部材４５が配置されてもよい。

＜発光装置１００の製造方法＞
　図３に示した、第１実施形態に係る発光装置１００の製造方法を詳述する。
　図５に示すように、発光装置１００の製造方法では、発光素子１０と、波長変換部材４０とを個別に準備し、その後、発光素子１０の第１の表面１０ａ（第１の支持部材５１の第２の表面５１ｂに相当）と、波長変換部材４０の第１の表面４０ａ（第１の波長変換部材４１および第２の波長変換部材４２が形成されている面）とを対向させて、導光部材６０で接着する。

　つまり、発光装置１００の製造方法は、発光素子１０を準備する工程と、波長変換部材４０を準備する工程と、波長変換部材４０を発光素子１０の上に配置する工程と、を含む。
　なお、「発光素子１０」は、第１の支持部材５１と、第１の支持部材５１の第１の表面５１ａに設けられた第１の発光層１１とを含む。
　「波長変換部材４０」は、透光性部材２０と、透光性部材２０の第１の表面２０ａに設けられた第１の波長変換部材４１および第２の波長変換部材４２とを含む。

（発光素子１０を準備する工程）
　発光素子１０を準備する工程では、第１の支持部材５１と、第１の発光層１１とを含む発光素子１０を準備する。第１の支持部材５１の表面に第１の発光層１１を形成して発光素子１０を作製することによって、発光素子１０を準備してもよく、または、既に作成された発光素子１０を購入する等により準備してもよい。

（波長変換部材４０を準備する工程）
　図６Ａ、図６Ｂに示すように、波長変換部材４０を準備する工程では、まず、平板状の透光板２０００上に、透光板２０００の上面の一部を覆う第１の波長変換層４１００を配置する。透光板２０００上に配置される第１の波長変換層４１００の平面視形状は、ストライプ状、ドット状、島状、格子状等、種々の形状とすることができる。ここでは、複数の第１の波長変換層４１００が平面視でストライプ状に配置されている。第１の波長変換層４１００は、マスクを用いて印刷することにより形成することができる。

　次に、図７Ａ、図７Ｂに示すように、平板状の透光板２０００上に、第１の波長変換層４１００を囲う枠体７０００を形成する。なお、枠体７０００の形成は、第１の波長変換層４１００の形成前であってもよい。また、枠体７０００の形成は省略してもよい。
　そして、図８Ａ、図８Ｂに示すように、透光板２０００上の枠体７０００内において、第１の波長変換層４１００から露出する透光板２０００の表面を覆うように、第２の波長変換層４２００を配置する。このようにして波長変換部材４０の中間体４０００を作成する。そして、図９Ａ、図９Ｂに示すように、中間体４０００を所望の位置で分割して、波長変換部材４０とする。分割前の透光板２０００、第１の波長変換層４１００、および第２の波長変換層４２００は、分割後に、それぞれ、透光性部材２０、第１の波長変換部材４１、および第２の波長変換部材４２となる。

　ここでは、先に第１の波長変換層４１００を配置し、後に第２の波長変換層４２００を配置する例を示したが、先に第２の波長変換層４２００を配置し、後に第１の波長変換層４１００を配置してもよい。

　なお、ここでは、中間体４０００を分割して複数の波長変換部材４０を同時に準備する方法を説明したが、波長変換部材４０を個別に準備してもよい。すなわち、波長変換部材４０を準備する工程は、透光性部材２０上に、透光性部材２０の第１の表面２０ａの一部を覆う第１の波長変換部材４１を配置する工程と、第１の波長変換部材４１から露出する透光性部材２０を覆う第２の波長変換部材４２を配置する工程と、を含むものであってもよい。また、既に作成された波長変換部材４０を購入する等により準備してもよい。

　なお、発光素子を準備する工程と波長変換部材を準備する工程は、いずれか先であっても、並行して行っても構わない。

（波長変換部材４０を発光素子１０の上に配置する工程）
　図５に示すように、発光素子１０の第１の表面１０ａに、波長変換部材４０を配置する。第１の波長変換部材４１および第２の波長変換部材４２と、それらを支持する透光性部材２０と、を含む波長変換部材４０を、波長変換部材４０の第１の表面４０ａが、発光素子１０の第１の表面１０ａ（発光素子１０の第１の支持部材５１の第２の表面５１ｂに相当）側に位置するように配置する。このとき、平面視で、発光素子１０の第１の発光層１１と、波長変換部材４０の第１の波長変換部材４１および第２の波長変換部材４２とが、適切な位置関係となるように、波長変換部材４０を位置決めする。

　波長変換部材４０は、例えば、接着部材を用いて第１の支持部材５１に接合する。
　また、透光性の樹脂材料などから、第１の支持部材５１の側面を被覆する導光部材６０を形成することができる。
　導光部材６０を形成するための樹脂材料を、接着部材として使用することもできる。第１の支持部材５１と波長変換部材４０との間に樹脂材料を設けることでそれらの部材を接着し、さらに、その樹脂材料を第１の支持部材５１の側面まで延在させて導光部材６０を形成することができる（図３）。なお、接着部材を用いずに、直接接合法で波長変換部材４０を第１の支持部材５１に接合してもよい。

［第２実施形態］
　図１０に示す第２実施形態に係る発光装置３００は、発光装置３００の発光面Ｓからみたときに、第１の領域（高輝度領域）１１０と第２の領域（低輝度領域）１２０の間に、第３の領域１３０を含んでいる。
　第３の領域１３０の輝度Ｌｃは、第１の領域１１０の輝度Ｌａ以下で、第２の領域１２０の輝度Ｌｂ以上である。本明細書では、第３の領域１３０を、「中輝度領域１３０」と称することがある。

　中輝度領域１３０は、低輝度領域１２０と高輝度領域１１０との間に配置されている。中輝度領域１３０の輝度Ｌｃは、低輝度領域１２０の輝度Ｌｂ以上で、高輝度領域１１０の輝度Ｌａ以下である。つまり、中輝度領域１３０は、中間的な輝度を有する光を発する領域である。

　以下に詳しく説明する通り、高輝度領域１１０および輝度領域１２０は、各領域内における輝度変化（距離当たりの輝度差）が小さい。一方、中輝度領域１３０は、領域内における輝度変化が大きい。

　高輝度領域１１０内の２点で測定した輝度差ΔＬａ（ｃｄ）と、その２点間の距離Ｄａ（μｍ）とから、高輝度領域１１０内の輝度変化＝ΔＬａ／Ｄａ（これを「第１の輝度変化Ｈａ」と称する）を求める。
　低輝度領域１２０内の２点で測定した輝度差ΔＬｂ（ｃｄ）と、その２点間の距離Ｄｂ（μｍ）とから、低輝度領域１２０内の輝度変化＝ΔＬｂ／Ｄｂ（これを「第２の輝度変化Ｈｂ」と称する）を求める。
　同様に、中輝度領域１３０内の２点で測定した輝度差ΔＬｃ（ｃｄ）と、その２点間の距離Ｄｃ（μｍ）とから、中輝度領域１３０内の輝度変化＝ΔＬｃ／Ｄｃ（これを「第３の輝度変化Ｈｃ」と称する）を求める。
　第１の輝度変化Ｈａと第２の輝度変化Ｈｂは、第３の輝度変化Ｈｃに比べて小さい。

　第１の輝度変化Ｈａ、第２の輝度変化Ｈｂ、および第３の輝度変化Ｈｃの具体的な求め方を説明する。まず、低輝度領域１２０から中輝度領域１３０を通って高輝度領域１１０まで移動しながら、各領域からの光の輝度を測定する。次いで、移動距離を横軸、輝度を縦軸として、輝度測定の結果をプロットする。得られたグラフにおいて、低輝度領域１２０におけるグラフの傾きが第２の輝度変化Ｈｂ、中輝度領域１３０におけるグラフの傾きが第３の輝度変化Ｈｃ、高輝度領域１１０におけるグラフの傾きが第１の輝度変化Ｈａである。

　また、このグラフから、高輝度領域１１０、低輝度領域１２０、および中輝度領域１３０の範囲を特定することができる。
　グラフの傾き（輝度変化）が小さく、かつ輝度が低い（発光装置１００の最大輝度Ｌａ_ｍａｘの５％以上８０％未満）領域は、低輝度領域１２０である。
　グラフの傾き（輝度変化）が小さく、かつ輝度が高い（発光装置１００の最大輝度Ｌａ_ｍａｘの８０％以上１００％以下）領域範囲は、高輝度領域１１０である。
　グラフの傾き（輝度変化）が大きく、低輝度領域１２０の輝度Ｌｂ以上、高輝度領域１１０の輝度Ｌａ以下の輝度を有する領域が、中輝度領域１３０である。中輝度領域１３０の輝度Ｌｃは、最大輝度Ｌａ_ｍａｘの１０％～１００％であることが好ましい。

　上述したように、第１実施形態に係る発光装置１００は、高輝度領域１１０と低輝度領域１２０との境界で、輝度のコントラストが高く、また、第１の発光スペクトルと第２の発光スペクトルとの差異が明確である。
　これに対し、第２実施形態に係る発光装置３００は、高輝度領域１１０と低輝度領域１２０との間に中輝度領域１３０を含むことにより、高輝度領域１１０と低輝度領域１２０との間で、輝度のコントラストが低く、また、発光スペクトルが緩やかに変化する。このような構成および配置を有する発光装置１００は、ヘッドライトの配光等において高輝度領域１１０と低輝度領域１２０との間の輝度変化を緩やかにしたい場合に好適である。

　図１０に示すような、中輝度領域１３０を含む発光装置３００は、例えば、図１１に示すように構成することで実現できる。図１１に示す発光装置３００のうち、図３に示す発光装置１００との相違点を中心に以下に説明し、発光装置１００と同様の構成については説明を省略する。

　図１１に示す発光装置３００は、発光装置３００の発光面Ｓ側からみたときに、隣接する発光層１１間の隙間が存在する領域に中輝度領域１３０が配置されている。また、図１１に示す発光装置３００は、発光装置３００の発光面Ｓ側からみたときに、中輝度領域１３０に、第１の波長変換部材４１の一部と、第２の波長変換部材４２の一部とが配置されている。

　図１１の例では、発光装置３００の発光面Ｓ側からみたときに、第１の波長変換部材４１の一部と、第２の波長変換部材４２の一部とが重なっている。２つの波長変換部材４１、４２が重なっている領域（「重複領域」）では、高輝度領域１１０からの光と、低輝度領域１２０からの光が混ざった光が出射される。そのため、重複領域からの光の発光スペクトルは、高輝度領域１１０からの光の発光スペクトル（第１の発光スペクトル）と、低輝度領域１２０からの光の発光スペクトル（第２の発光スペクトル）とを足し合わせた発光スペクトルとなる。重複領域からの光の輝度は、低輝度領域１２０からの光の輝度Ｌｂ以上で、高輝度領域１１０からの光の輝度Ｌａ以下となり得る。

　なお、図３に示す発光装置１００についても、隣接する高輝度領域１１０および低輝度領域１２０の輝度差によっては、隣接する第１発光層１１間の隙間が存在する領域が、中輝度領域１３０となり得る。

　図１１に示す重複領域では、断面視において、第１の波長変換部材４１と第２の波長変換部材４２との境界が下に凸（第１の波長変換部材４１が凸になっている）の曲線になっている。但し、これに限らず、重複領域は、断面視において、第１の波長変換部材４１と第２の波長変換部材４２との境界が直線状であってもよいし、上に凸（第２の波長変換部材４２が凸になっている）の曲線でもよい。
　図１１に示す例では、断面視において、第１の波長変換部材４１の幅（図１１において、発光面Ｓと平行な方向における寸法）は、波長変換部材４０の第１の表面４０ａから発光装置１００の発光面Ｓに向かって広くなっており、第２の波長変換部材４２の幅は逆に狭くなっている。但し、これに限らず、第１の波長変換部材４１の幅は、波長変換部材４０の第１の表面４０ａから発光装置１００の発光面Ｓに向かって狭くなり、第２の波長変換部材４２の幅は逆に広くなってもよい。

＜変形例＞
　図１２～図１４に示す発光装置は、第２実施形態に係る発光装置３００の変形例である。それらの発光装置について、第２実施形態に係る発光装置３００との相違点を説明する。なお、第２実施形態に係る発光装置３００と同一の構成については、説明を省略する。

　図１２に示す発光装置３０１は、断面視において、発光面Ｓと平行な方向における寸法が異なる複数の第１の発光層１１を含んでいる。この発光装置３０１を発光面Ｓ側からみたときに、第１の領域１１０には、相対的に面積の小さい第１の発光層１１が配置され、第２の領域１２０には、相対的に面積の大きい第１の発光層１１が配置されている。すなわち、第１の領域１１０に配置される第１の発光層１１の寸法（面積）は、第２の領域１２０の配置される第１の発光層１１の寸法（面積）より小さい。このように配置すると、両方の第１の発光層１１に同じ電流量の電流を印可したときに、小寸法（面積の小さい）の第１の発光層１１における電流密度は、大寸法（面積の大きい）の第１の発光層１１における電流密度より高くなるため、高輝度領域１１０および低輝度領域１２０の輝度の調節が容易である。

　図１２に示す発光装置３０１では、第１の領域１１０に配置される第１の発光層１１の寸法（面積）は、第２の領域１２０の配置される第１の発光層１１の寸法（面積）より小さい。これに対して、図１３に示す発光装置３０２では、第１の領域１１０に配置される第１の発光層１１の寸法は、第２の領域１２０の配置される第１の発光層１１の寸法（面積）より大きい。つまり、発光装置３０１を発光面Ｓ側からみたときに、第１の領域１１０には、相対的に面積の大きい第１の発光層１１が配置され、第２の領域１２０には、相対的に面積の小さい第１の発光層１１が配置されている。このような配置の場合、それぞれの第１の発光層１１に、異なる電流量の電流を通電する必要がある。

　第１の領域１１０に配置された大寸法（面積の大きい）の第１の発光層１１には、より高い電流を通電する必要があり、その結果、第１の領域１１０からの光の光束を高くすることができる。
　第２の領域１２０に配置された小寸法（面積の小さい）の第１の発光層１１には、より低い電流を通電することになるが、電流密度は高くなるため、波長シフトが低減され、色差が改善される。

　図１４に図示した発光装置３０３から分かるように、第２実施形態においても、支持部材５１、５２を複数含むことができる。
　第１実施形態の変形例に係る発光装置２００（図４）と同様に、図１４に示す発光装置３０３も、第１の領域（高輝度領域）１１０に配置された第１の発光層１１の光取出面１１ａ側に、第１の支持部材５１が配置され、第２の領域（低輝度領域）１２０に配置された第１の発光層１１の光取出面１１ａ側に、第２の支持部材５２が配置されている。

　なお、図１４に示す発光装置３０３では、発光面Ｓ側からみたときに、第１の波長変換部材４１の一部と、第２の波長変換部材４２の一部とが重なった重複領域が存在している点で、図４に示す発光装置２００とは異なる。

［第３実施形態］
　図１５に示す第３実施形態に係る発光装置４００は、第２の領域（低輝度領域）１２０から出射される光の輝度を調整する光調整部材３０をさらに含む。
　光調整部材３０は、第１の発光層１１の光取出面１１ａ側に配置され、かつ、発光装置４００の発光面Ｓ側からみたときに、低輝度領域１２０の全体にわたって配置されている。
　光調整部材３０は、光反射および光透過の両方の光学特性を有する光学部材である。発光装置４００は、低輝度領域１２０に配置された光調整部材３０を備えることにより、低輝度領域１２０に配置された第１の発光層１１からの光の一部を反射させることができる。また、光調整部材３０により、第２の波長変換部材４２で波長変換された光の一部も反射させることができる。

　発光装置４００が光調整部材３０を備えることにより、第１の発光層１１の寸法または第１の発光層１１に印可する電流密度を変更することなしに、低輝度領域１２０からの光の輝度を低下させることができる。
　光調整部材３０は、光反射材料、低屈折率の透光性材料、ＤＢＲ（分布ブラッグ反射器）、波長カットフィルターなどを用いることができる。

　光調整部材３０の配置として、発光装置４００の発光面Ｓ側からみたときに、低輝度領域１２０内に配置する。また、断面視においては、第１の発光層１１の光取出面１１ａと発光装置４００の発光面Ｓとの間であれば、任意の位置に配置しうる。例えば、図１５に示すように、透光性部材２０と第２の波長変換部材４２との間に光調整部材３０を配置してもよい。第２の波長変換部材４２に含まれる蛍光体の濃度を低くすることができ、また、第２の波長変換部材４２が第１の支持部材５１の近くに配置されることにより、信頼性が向上する。

　光調整部材３０は、第２の波長変換部材４２と第１の支持部材５１との間に配置してもよい。第１の波長変換部材４１によって波長変換された光と、第２の波長変換部材４２によって波長変換された光とが混ざりにくい。そのため、第１の波長変換部材４１によって波長変換された光は、低輝度領域１２０からの発光に混ざりにくく、第２の波長変換部材４２によって波長変換された光は、高輝度領域１１０からの発光に混ざりにくい。よって、高輝度領域１１０からの発光の発光スペクトル（第１の発光スペクトル）と、低輝度領域１２０からの発光の発光スペクトル（第２の発光スペクトル）との差異を明確にできる。

　光調整部材３０を第２の波長変換部材４２と第１の支持部材５１との間に配置する場合、光調整部材３０は、第２の波長変換部材４２又は第１の支持部材５１のいずれか一方に接していてもよいし、第２の波長変換部材４２及び第１の支持部材５１に接していてもよい。

　図１５に示す発光装置４００では、第２の波長変換部材４２は、第１の発光層１１と対面する第１の面４２ａと、当該第１の面４２ａとは反対側の第２の面４２ｂとを有している。そして、光調整部材３０は、前第２の波長変換部材４２の第２の面４２ｂ側に配置されている。光調整部材３０の第２波長変換部材４２側の面は、図１５に示すように平坦であってもよく、または波打った形状にしてもよい。また、光調整部材３０の厚さが一定であってもよいし、一定でなくてもよい。特に、図１６に示す発光装置４０１のように、高輝度領域１１０に向かって薄くなっていることが好ましい。低輝度領域１２０内において、中輝度領域１３０および高輝度領域１１０に向かって、輝度を徐々に高くすることができる。

　光調整部材３０を設けることにより、第２の波長変換部材４２の厚さが薄くなるため、第２の波長変換部材４２を形成するための材料の使用量を低減できる。

＜発光装置４００の製造方法＞
　発光装置４００は光調整部材３０を含んでいるため、発光装置４００の製造方法は、光調整部材３０を形成するための工程を含む。それ以外については、第１実施形態に係る発光装置１００の製造方法と同様である。
　第１実施形態に係る発光装置１００の製造方法との相違点を中心に、発光装置４００の製造方法を説明する。

　発光装置４００の製造方法は、発光素子１０を準備する工程と、波長変換部材４０ｘ（図１５）を準備する工程と、波長変換部材４０ｘを発光素子１０の上に配置する工程と、を含む。
　ここで「波長変換部材４０ｘ」は、透光性部材２０と、透光性部材２０の第１の表面２０ａに設けられた第１の波長変換部材４１および光調整部材３０と、光調整部材３０を覆う第２の波長変換部材４２とを含む。

（発光素子１０を準備する工程）
　第１実施形態に係る発光装置１００の製造方法で説明した「発光素子１０を準備する工程」と同様であるため、説明を省略する。

（波長変換部材４０ｘを準備する工程）
　波長変換部材４０ｘを準備する工程では、まず、図６Ａ、図６Ｂと同様に、平板状の透光板２０００上に、透光板２０００の上面の一部を覆う第１の波長変換層４１００配置する。但し、図６Ｂでは、第１の波長変換層４１００の断面形状が矩形になっているが、波長変換部材４０ｘを準備する場合は、例えば、表面張力を用いて、断面形状が半楕円になるように第１の波長変換層４１００を形成する。

　次に、図７Ａ、図７Ｂと同様に、平板状の透光板２０００上に、第１の波長変換層４１００を囲う枠体７０００を形成する。なお、枠体７０００の形成は、第１の波長変換層４１００の形成前であってもよく、さらには、枠体７０００の形成を省略してもよい。

　そして、透光板２０００上の枠体７０００内において、第１の波長変換層４１００から露出する透光板２０００の表面を覆う光調整部材層を配置する。このとき、光調整部材層の厚さは、第１の波長変換層４１００の厚さよりも薄くする。
　最後に、光調整部材層を覆う第２の波長変換層４２００を配置する。第２の波長変換層４２００の厚さは、光調整部材層と第２の波長変換層４２００の合計厚さが、第１の波長変換層４１００の厚さとほぼ等しくなるように設定する。
　このようにして波長変換部材４０ｘの中間体を作成する。

　そして、図９Ａ、図９Ｂと同様に、波長変換部材４０ｘの中間体を所望の位置で分割して、波長変換部材４０ｘとする。分割前の透光板２０００、第１の波長変換層４１００、第２の波長変換層４２００、および光調整部材層は、分割後に、それぞれ、透光性部材２０、第１の波長変換部材４１、第２の波長変換部材４２、および光調整部材３０となる。

　ここでは、先に第１の波長変換層４１００を配置し、後に、光調整部材層と第２の波長変換層４２００を配置する例を説明したが、先に、光調整部材層と第２の波長変換層４２００を配置し、後に、第１の波長変換層４１００を配置してもよい。
　また、光調整部材層と第２の波長変換層４２００の配置順について、ここでは、先に光調整部材層を配置し、後で、光調整部材層を覆う第２の波長変換層４２００を配置する例を説明したが、先に第２の波長変換層４２００を配置し、後で、第２の波長変換層４２００を覆う光調整部材層を配置してもよい。

　なお、ここでは、波長変換部材４０ｘの中間体を分割して複数の波長変換部材４０ｘを同時に準備する方法を説明したが、波長変換部材４０ｘを個別に準備してもよい。すなわち、波長変換部材４０ｘを準備する工程は、透光性部材２０上に、透光性部材２０の第１の表面２０ａの一部を覆う第１の波長変換部材４１を配置する工程と、第１の波長変換部材４１から露出する透光性部材２０を覆う光調整部材３０を配置する工程と、光調整部材３０を覆う第２の波長変換部材４２を配置する工程と、を含むものであってもよい。また、既に作成された波長変換部材４０ｘを購入する等により準備してもよい。

（波長変換部材４０ｘを発光素子１０の上に配置する工程）
　第１実施形態に係る発光装置１００の製造方法で説明した「波長変換部材４０を発光素子１０の上に配置する工程」とは、波長変換部材４０が波長変換部材４０ｘに変わった以外は同様であるため、説明を省略する。

［第４実施形態］
　図１７に示す第４実施形態に係る発光装置５００は、第１実施形態に係る発光装置１００と異なり、高輝度領域１１０と低輝度領域１２０とに、発光ピーク波長が異なる発光層を配置している。
　第１の発光層１１は、波長４００ｎｍ～５００ｎｍの範囲に発光ピークを有しており、第２の発光層１２は、第１の発光層１１の発光ピークよりも長波長側に発光ピークを有している。発光装置５００の発光面Ｓ側からみたときに、第１の領域１１０に、第１の発光層１１と第１の波長変換部材４１とが配置され、第２の領域１２０に、第２の発光層１２と第２の波長変換部材４２とが配置されている。第１の波長変換部材４１は、第１の発光層１１の光取出面１１ａ側に配置され、第１の発光層１１からの発光の一部を波長変換する。第２の波長変換部材４２は、第２の発光層１２の光取出面１２ａ側に配置され、第２の発光層１２からの発光の一部を波長変換する。

　図１８に示すように、第２の発光層１２の発光ピーク波長は、第１の発光層１１の発光ピーク波長より短いため、第２の発光層１２からの光は、第１の発光層１１からの光に比べて、暗所視比視感度が高い。これにより、高輝度領域１１０からの光の明所視比視感度も、低輝度領域１２０からの光の暗所視比視感度も高い発光装置５００を形成することができる。

　なお、第２の発光層１２からの光は暗所視比視感度が高いため、第２の波長変換部材４２を省略しても、高輝度領域１１０からの光の明所視比視感度も、低輝度領域１２０からの光の暗所視比視感度も高い発光装置５００を形成することができる。

　図１７に示すように、高輝度領域１１０に配置された第１の発光層１１の光取出面１１ａ側に、第１の支持部材５１が配置され、低輝度領域１２０に配置された第２の発光層１２の光取出面１２ａ側に、第２の支持部材５２が配置することができる。
　第１の発光層１１と第２の発光層１２は、異なる発光ピーク波長を有する構造であるため、支持部材を分けることが好ましい。

＜各部材の詳細＞
　第１～第４実施形態に係る発光装置に含まれる各部材について詳述する。

（第１の発光層１１、第２の発光層１２）
　第１の発光層１１および第２の発光層１２は、半導体積層体として構成されることができる。半導体積層体は、例えば、第１の支持部材５１および第２の支持部材５２の表面上に、複数の半導体層（第１の半導体層、半導体発光層および第２の半導体層）が積層されている。なお、第１の支持部材５１および第２の支持部材５２と第１の発光層１１との間には、バッファ層が配置されていてもよいし、配置されていなくてもよい。

　第１の発光層１１としては、波長４００ｎｍ～５００ｎｍの範囲に発光ピークを有する光を出射するものを選択することができる。第１の発光層１１としては、例えば、青色系（例えば発光ピーク波長４３０～５００ｎｍ）の光を出射する半導体積層体を使用することができる。
　第２の発光層１２としては、第１の発光層１１よりも長波長側に発光ピークを有する光を出射するものを選択することができる。第２の発光層１２としては、例えば、青色系（例えば発光ピーク波長４３０～５００ｎｍ）、緑色系（例えば発光ピーク波長５００～５７０ｎｍ）の光を出射する半導体積層体を使用することができる。

　半導体積層体として、窒化物系半導体（Ｉｎ_ＸＡｌ_ＹＧａ_{１－Ｘ－Ｙ}Ｎ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）、ＧａＰ等を用いたものを使用することができる。赤色系（例えば波長６１０～７００ｎｍ）の光を出射する第１の発光層１１および第２の発光層１２の一方または両方は、半導体積層体として、窒化物系半導体素子の他にもＧａＡｌＡｓ、ＡｌＩｎＧａＰ等を用いることができる。バッファ層として、ＡｌＧａＮ等を用いることができる。

　発光装置１００は、発光時における高輝度領域１１０に配置した第１の発光層１１の発光強度を１としたときに、低輝度領域１２０に配置した発光層（第１の発光層１１または第２の発光層１２）の発光強度を０．０５以上０.８以下とすることができ、０.１以上０．７以下とすることが好ましい。第１の発光層１１および第２の発光層１２の発光強度をこのように制御することにより、高輝度領域１１０および低輝度領域１２０の各々からの光の輝度を適切な範囲に制御し得る。

（波長変換部材４０、４０ｘ）
　第１、第２および第４実施形態に係る発光装置に使用される波長変換部材４０は、透光性部材２０と、透光性部材２０の第１の表面２０ａに設けられた第１の波長変換部材４１および第２の波長変換部材４２とを含む。
　第３実施形態に係る発光装置に使用される波長変換部材４０ｘは、透光性部材２０と、透光性部材２０の第１の表面２０ａに設けられた第１の波長変換部材４１および光調整部材３０と、光調整部材３０を覆う第２の波長変換部材４２とを含む。
　第１の波長変換部材４１および第２の波長変換部材４２、透光性部材２０、ならびに光調整部材３０について以下に詳述する。

（第１の波長変換部材４１、第２の波長変換部材４２）
　第１の波長変換部材４１は、第１の発光層１１からの光の少なくとも一部を異なる波長に波長変換するものである。第２の波長変換部材４２は、第１の発光層１１または第２の発光層１２からの光の少なくとも一部を異なる波長に波長変換するものである。第１の波長変換部材４１および第２の波長変換部材４２は、ある発光ピーク波長を有する光を吸収して、異なる発光ピーク波長を有する光に波長変換する蛍光体を含む。

　第１の波長変換部材４１および第２の波長変換部材４２としては、蛍光体と透光性材料を混合して成形したものを用いることができる。透光性材料としては、例えばエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂等の有機樹脂材料、ガラス、セラミック等の無機材料を用いることができる。

　第１の波長変換部材４１に使用される蛍光体としては、第１の発光層１１から出射される光で励起可能なものが使用される。第２の波長変換部材４２に使用される蛍光体としては、第１～第３実施形態では、第１の発光層１１から出射される光で励起可能なものが使用され、第４実施形態では、第２の発光層１２から出射される光で励起可能なものが使用される。
　第１の波長変換部材４１および第２の波長変換部材４２に使用できる蛍光体の例を以下に例示する。なお、各波長変換部材４１、４２に使用する蛍光体は、第１の波長変換部材４１によって波長変換された光のピーク波長が、第２の波長変換部材４２によって波長変換された光のピーク波長よりも長くなるように選択する。

　例えば、緑色発光する蛍光体としては、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えばＹ_３（Ａｌ，Ｇａ）_５Ｏ_１２：Ｃｅ）、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えばＬｕ_３（Ａｌ，Ｇａ）_５Ｏ_１２：Ｃｅ）、テルビウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えばＴｂ３（Ａｌ，Ｇａ）_５Ｏ_１２：Ｃｅ）、シリケート系蛍光体（例えば（Ｂａ，Ｓｒ）_２ＳｉＯ_４：Ｅｕ）、クロロシリケート系蛍光体（例えばＣａ_８Ｍｇ（ＳｉＯ_４）_４Ｃ_ｌ２：Ｅｕ）、β サイアロン系蛍光体（例えばＳｉ_６－ｚＡｌ_ｚＯ_ｚＮ_８－ｚ：Ｅｕ（０＜ｚ＜４．２））、ＳＧＳ系蛍光体（例えばＳｒＧａ_２Ｓ_４：Ｅｕ）等が挙げられる。

　黄色発光する蛍光体としては、α サイアロン系蛍光体（例えばＭ_ｚ（Ｓｉ，Ａｌ）_１２（Ｏ，Ｎ）_１６（但し、０＜ｚ≦２であり、ＭはＬｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｙ、及びＬａとＣｅを除くランタニド元素）等が挙げられる。この他、上記緑色発光する蛍光体の中には黄色発光する蛍光体もある。また例えば、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体は、Ｙの一部をＧｄで置換することにより、発光ピーク波長を長波長側にシフトさせることができ、黄色発光が可能である。また、これらの中には、橙色発光が可能な蛍光物質もある。

　赤色発光する蛍光体としては、窒素含有アルミノ珪酸カルシウム（ＣＡＳＮ又はＳＣＡＳＮ）系蛍光体（例えば（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ）、ＢＳＥＳＮ系蛍光体（例えば（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）_２Ｓｉ_５Ｎ_８：Ｅｕ）等が挙げられる。この他、マンガン賦活フッ化物系蛍光体（一般式（Ｉ）Ａ_２［Ｍ_１－ａＭｎ_ａＦ_６］で表される蛍光体（但し、上記一般式（Ｉ）中、Ａは、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｒｂ、Ｃｓ及びＮＨ_４からなる群から選ばれる少なくとも１種であり、Ｍは、第４族元素及び第１４族元素からなる群から選ばれる少なくとも１種の元素であり、ａは０＜ａ＜０．２を満たす））が挙げられる。このマンガン賦活フッ化物系蛍光体の例としては、ＫＳＦ系蛍光体（例えばＫ_２ＳｉＦ_６：Ｍｎ）、ＫＳＡＦ系蛍光体（例えば、Ｋ_２Ｓｉ_０．９９Ａｌ_０．０１Ｆ_５．９９：Ｍｎ）及びＭＧＦ系蛍光体（例えば、３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ_２・ＧｅＯ_２：Ｍｎ）等がある。

　例えば青色発光素子と組み合わせて白色系の混色光を発光させることができる蛍光体である黄色発光の蛍光体として、Ｙの一部をＧｄで置換した、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、（Ｙ，Ｇｄ）_３Ａｌ_５Ｏ_１２：Ｃｅ）を好適に用いることができる。そして、白色に発光可能な発光装置１００とする場合、第１の波長変換部材４１および第２の波長変換部材４２に含まれる蛍光体の種類及び濃度は、所望の色度ランクの白色に発光可能となるように調整される。

　第１の発光層１１または第２の発光層１２から出射する発光で励起される波長変換効率や発光波長等を考慮して、第１の波長変換部材４１および第２の波長変換部材４２に含有させる蛍光体の種類、粒径、濃度が決定される。第１の波長変換部材４１および第２の波長変換部材４２の蛍光体濃度は、例えば５０質量％以上６０質量％以下とすることが好ましい。蛍光体濃度は、蛍光体を含む第１の波長変換部材４１および第２の波長変換部材４２における蛍光体の割合を示す。

（透光性部材２０）
　透光性部材２０は、例えば樹脂、ガラス、無機物等の透光性材料を板状に成形したものが挙げられる。この透光性部材２０は、平面視において、第１の波長変換部材４１と第２の波長変換部材４２とを合計した面積と同等の面積を有する。ガラスとしては、例えばホウ珪酸ガラス、石英ガラス等を用いることができ、樹脂としては、例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂等を用いることができる。なかでも、光により劣化しにくいこと、機械的強度等を考慮して、透光性部材２０はガラスを用いることが好ましい。

　透光性部材２０は、波長変換部材４０において、第１の波長変換部材４１および第２の波長変換部材４２を支持するための部材である。第１の波長変換部材４１および第２の波長変換部材４２は、例えば、ガラス板からなる透光性部材２０の表面に、印刷等によって配置される。このような構成であれば、第１の波長変換部材４１および第２の波長変換部材４２をより薄くできる。これにより、第１の波長変換部材４１および第２の波長変換部材４２を通過する光の光路長が短くなり、第１の波長変換部材４１および第２の波長変換部材４２を通過するときの光の減衰が抑制され、より高輝度な発光装置とすることができる。

　透光性部材２０の厚さは、発光装置の小型化、また第１の波長変換部材４１、第２の波長変換部材４２の機械的強度等を考慮して、例えば３０μｍ以上３００μｍ以下、好ましくは６０μｍ以上２００μｍ以下とすることができる。

　なお、透光性部材２０には、光拡散部材を含有させることができる。透光性部材２０に光拡散部材を含有させることで、色度ムラ、輝度ムラを抑制することができる。光拡散部材としては、例えば酸化チタン、チタン酸バリウム、酸化アルミニウム、酸化ケイ素等を用いることができる。

（光調整部材３０）
　光調整部材３０は、光反射材料、低屈折率の透光性材料、ＤＢＲ（分布ブラッグ反射器）、波長カットフィルターなどを用いることができる。
　光反射材料としては、樹脂と光反射性物質を混合して成形したものを用いることができる。樹脂としては、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリフタルアミド樹脂、の１種以上を含む樹脂又はハイブリッド樹脂が挙げられる。なかでも、耐熱性、電気絶縁性に優れ、柔軟性のあるシリコーン樹脂をベースポリマーとして含有する樹脂が好ましい。光反射性物質としては、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、珪酸カルシウム、酸化亜鉛、チタン酸バリウム、チタン酸カリウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライト及びこれらの組み合わせ等が挙げられる。なかでも酸化チタンは、水分等に対して比較的安定でかつ高屈折率であるため好ましい。

（導光部材６０）
　導光部材６０としては、例えば、透光性の樹脂を用いることができる。透光性の樹脂としては、例えばエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂等の有機樹脂を用いることができる。なかでも、耐熱性の高いシリコーン樹脂を用いることが好ましい。また、前記した光拡散部材が含有されていてもよいし、含有されていなくてもよい。

（第１の支持部材５１、第２の支持部材５２）
　第１の支持部材５１および第２の支持部材５２は、サファイアやスピネル（ＭｇＡｌ_２Ｏ_４）のような絶縁性基板、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＡｌＮ等の窒化物系の半導体基板が挙げられる。なお第１の発光層１１から出射される光を第１の支持部材５１を介して取り出すために、第１の支持部材５１は、透光性を有する材料を用いることが好ましい。

（実施例１）
　図３に示す発光装置１００を作成した。使用した発光層の発光ピーク波長、第１の波長変換部材４１および第２の波長変換部材４２に含まれる蛍光体の種類を表１に示す。
　なお、高輝度領域１１０と低輝度領域１２０の各々に、発光面Ｓから見たときの寸法（光取出面１１ａの面積）が同一の第１の発光層１１を１つずつ配置した。低輝度領域１２０をマスクして、高輝度領域１１０からの発光の発光スペクトル（第１の発光スペクトル）を測定した。次いで、高輝度領域１１０をマスクして、低輝度領域１２０からの発光の発光スペクトル（第２の発光スペクトル）を測定した。図２に、実施例１に係る発光装置１００の第１の発光スペクトルと第２の発光スペクトルを示す。

　第１の発光スペクトルの波長４００ｎｍ～５００ｎｍの範囲における最大強度Ｉａ_ｍａｘに対する、第１の発光スペクトルの波長５０７ｎｍおよび波長５５５ｎｍにおける相対強度Ｉａ_５０７、Ｉａ_５５５と、第２の発光スペクトルの波長５０７ｎｍおよび波長５５５ｎｍにおける相対強度Ｉｂ_５０７、Ｉｂ_５５５とをそれぞれ求め、表１に示す。

（実施例２）
　図１７に示す発光装置５００を作成した。使用した発光層の発光ピーク波長、第１の波長変換部材４１および第２の波長変換部材４２に含まれる蛍光体の種類を表２に示す。
　なお、高輝度領域１１０には第１の発光層１１を、低輝度領域１２０には第２の発光層１２をそれぞれ配置した。第１の発光層１１と第２の発光層１２とは、発光面Ｓから見たときの寸法（光取出面１１ａ、１２ａの面積）が同一であった。
　実施例１と同様に、第１の発光スペクトルおよび第２の発光スペクトルを測定した。図１８に、実施例２に係る発光装置５００の第１の発光スペクトルと第２の発光スペクトルを示す。

　第１の発光スペクトルの波長４００ｎｍ～５００ｎｍの範囲における最大強度Ｉａ_ｍａｘに対する、第１の発光スペクトルの波長５０７ｎｍおよび波長５５５ｎｍにおける相対強度Ｉａ_５０７、Ｉａ_５５５と、第２の発光スペクトルの波長５０７ｎｍおよび波長５５５ｎｍにおける相対強度Ｉｂ_５０７、Ｉｂ_５５５とをそれぞれ求め、表２に示す。

　本開示の実施形態に係る発光装置は、例えば、以下の通りである。
［項１］
　点灯時に、輝度の異なる発光を出射する第１の領域と第２の領域を含み、
　前記第１の領域の輝度Ｌａは、前記第２の領域の輝度Ｌｂより高く、
　前記第１の領域から出射された発光の発光スペクトルは、
　　波長４００ｎｍ～５００ｎｍの範囲における最大強度Ｉａ_ｍａｘ、
　　波長５０７ｎｍにおける強度Ｉａ_５０７、および
　　波長５５５ｎｍにおける強度Ｉａ_５５５を有し、
　前記第２の領域から出射された発光の発光スペクトルは、
　　波長５０７ｎｍにおける強度Ｉｂ_５０７、および
　　波長５５５ｎｍにおける強度Ｉｂ_５５５を有し、
　前記強度Ｉａ_５０７、Ｉａ_５５５、Ｉｂ_５０７、およびＩｂ_５５５の各々を、前記最大強度Ｉａ_ｍａｘで除して求めた相対強度Ｉｒａ_５０７、Ｉｒａ_５５５、Ｉｒｂ_５０７、およびＩｒｂ_５５５は、
　相対強度Ｉｒａ_５０７が、Ｉｒｂ_５０７よりも低く、
　相対強度Ｉｒａ_５５５が、Ｉｒｂ_５５５よりも高い、発光装置。
［項２］
　前記発光装置は、
　　波長４００ｎｍ～５００ｎｍの範囲に発光ピークを有する第１の発光層と、
　　前記第１の発光層の光取出面側に配置され、該第１の発光層からの発光を波長変換する少なくとも２つの波長変換部材と、を含み、
　前記発光装置の発光面側からみたときに、
　　前記第１の領域に、第１の波長変換部材が配置され、
　　前記第２の領域に、第２の波長変換部材が配置され、
　前記第１の波長変換部材によって波長変換された光のピーク波長は、第２の波長変換部材によって波長変換された光のピーク波長よりも長い、項１に記載の発光装置。
［項３］
　複数の前記第１の発光層を含み、
　前記発光装置の発光面側からみたときに、
　　前記第１の領域と前記第２の領域との各々に、少なくとも１つの前記第１の発光層が配置されている、項２に記載の発光装置。
［項４］
　前記第１の領域に配置された前記第１の発光層に印可される電流の密度は、前記第２の領域に配置された前記第１の発光層に印可される電流の密度よりも高い、項３に記載の発光装置。
［項５］
　前記第２の領域から出射される光の輝度を調整する光調整部材をさらに含み、
　前記光調整部材は、前記第１の発光層の光取出面側に配置され、かつ、前記発光装置の発光面側からみたときに前記第２の領域の全体にわたって配置されている、項２～項４のいずれか１項に記載の発光装置。
［項６］
　前記第２の波長変換部材は、前記第１の発光層と対面する第１の面と、当該第１の面とは反対側の第２の面とを有し、
　前記光調整部材は、前記第２の波長変換部材の前記第２の面側に配置されている、項５に記載の発光装置。
［項７］
　前記発光装置の発光面側からみたときに、前記第１の領域と前記第２の領域の間に第３の領域を含み、
　前記第３の領域は、前記輝度Ｌｂ以上、前記輝度Ｌａ以下の輝度Ｌｃを有する、項１～項６のいずれか１項に記載の発光装置。
［項８］
　前記発光装置の発光面側からみたときに、
　前記第１の領域と前記第２の領域の間に第３の領域を含み、
　前記第３の領域は、前記輝度Ｌｂ以上、前記輝度Ｌａ以下の輝度Ｌｃを有し、
　前記発光装置の発光面側からみたときに、前記第３の領域に、前記第１の波長変換部材の一部と前記第２の波長変換部材の一部とが配置されている、項２～項６のいずれか１項に記載の発光装置。
［項９］
　前記発光装置は、
　　波長４００ｎｍ～５００ｎｍの範囲に発光ピークを有する第１の発光層と、
　　前記第１の発光層の発光ピークよりも長波長側に発光ピークを有する第２の発光層と、
　　前記第１の発光層の光取出面側に配置され、該第１の発光層からの発光を波長変換する第１の波長変換部材と、を含み、
　前記発光装置の発光面側からみたときに、
　　前記第１の領域に、前記第１の発光層と前記第１の波長変換部材とが配置され、
　　前記第２の領域に、前記第２の発光層が配置されている、項１に記載の発光装置。
［項１０］
　前記第２の発光層の光取出面側に配置され、該第２の発光層からの発光を波長変換する第２の波長変換部材をさらに含む、項９に記載の発光装置。
［項１１］
　前記第１の発光層の光取出面側に配置された透光性部材をさらに含み、
　前記第１の発光層と前記透光性部材との間に、前記第１の波長変換部材と前記第２の波長変換部材とが配置されている、項２～項６および項８のいずれか１項に記載の発光装置。
［項１２］
　前記第１の発光層の光取出面側に配置された透光性部材をさらに含み、
　前記第１の発光層と前記透光性部材との間に、前記第１の波長変換部材が配置されている、項９または項１０に記載の発光装置。

　本開示の実施形態に係る発光装置は、ヘッドライト等の車両用照明に好適に利用することができる。その他、本開示の実施形態に係る発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト光源、各種照明器具、大型ディスプレイ、広告や行き先案内等の各種表示装置、更には、デジタルビデオカメラ、ファクシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取装置、プロジェクタ装置等に利用することができる。

　本願は、２０２２年１２月２７日付けで日本国にて出願された特願２０２２－２１０８５０に基づく優先権を主張し、その記載内容の全てが、参照することにより本明細書に援用される。

　　１００、２００、３００、３０１、３０２、３０３、４００、４０１、５００　発光装置
　　１１　第１の発光層
　　１１ａ　光取出面
　　１２　第２の発光層
　　１２ａ　光取出面
　　１６　電極
　　２０　透光性部材
　　３０　光調整部材
　　４０、４０ｘ　波長変換部材
　　４１　第１の波長変換部材
　　４２　第２の波長変換部材
　　５１　第１の支持部材
　　５２　第２の支持部材
　　６０　導光部材
　　Ｓ　発光面
　　１１０　第１の領域（高輝度領域）
　　１２０　第２の領域（低輝度領域）
　　１３０　第３の領域（中輝度領域）

Claims

　点灯時に、輝度の異なる発光を出射する第１の領域と第２の領域を含み、
　前記第１の領域の輝度Ｌａは、前記第２の領域の輝度Ｌｂより高く、
　前記第１の領域から出射された発光の発光スペクトルは、
　　波長４００ｎｍ～５００ｎｍの範囲における最大強度Ｉａ_ｍａｘ、
　　波長５０７ｎｍにおける強度Ｉａ_５０７、および
　　波長５５５ｎｍにおける強度Ｉａ_５５５を有し、
　前記第２の領域から出射された発光の発光スペクトルは、
　　波長５０７ｎｍにおける強度Ｉｂ_５０７、および
　　波長５５５ｎｍにおける強度Ｉｂ_５５５を有し、
　前記強度Ｉａ_５０７、Ｉａ_５５５、Ｉｂ_５０７、およびＩｂ_５５５の各々を、前記最大強度Ｉａ_ｍａｘで除して求めた相対強度Ｉｒａ_５０７、Ｉｒａ_５５５、Ｉｒｂ_５０７、およびＩｒｂ_５５５は、
　相対強度Ｉｒａ_５０７が、Ｉｒｂ_５０７よりも低く、
　相対強度Ｉｒａ_５５５が、Ｉｒｂ_５５５よりも高い、発光装置。
　前記発光装置は、
　　波長４００ｎｍ～５００ｎｍの範囲に発光ピークを有する第１の発光層と、
　　前記第１の発光層の光取出面側に配置され、該第１の発光層からの発光を波長変換する少なくとも２つの波長変換部材と、を含み、
　前記発光装置の発光面側からみたときに、
　　前記第１の領域に、第１の波長変換部材が配置され、
　　前記第２の領域に、第２の波長変換部材が配置され、
　前記第１の波長変換部材によって波長変換された光のピーク波長は、第２の波長変換部材によって波長変換された光のピーク波長よりも長い、請求項１に記載の発光装置。
　複数の前記第１の発光層を含み、
　前記発光装置の発光面側からみたときに、
　　前記第１の領域と前記第２の領域との各々に、少なくとも１つの前記第１の発光層が配置されている、請求項２に記載の発光装置。
　前記第１の領域に配置された前記第１の発光層に印可される電流の密度は、前記第２の領域に配置された前記第１の発光層に印可される電流の密度よりも高い、請求項３に記載の発光装置。
　前記第２の領域から出射される光の輝度を調整する光調整部材をさらに含み、
　前記光調整部材は、前記第１の発光層の光取出面側に配置され、かつ、前記発光装置の発光面側からみたときに前記第２の領域の全体にわたって配置されている、請求項２～４のいずれか１項に記載の発光装置。
　前記第２の波長変換部材は、前記第１の発光層と対面する第１の面と、当該第１の面とは反対側の第２の面とを有し、
　前記光調整部材は、前記第２の波長変換部材の前記第２の面側に配置されている、請求項５に記載の発光装置。
　前記発光装置の発光面側からみたときに、前記第１の領域と前記第２の領域の間に第３の領域を含み、
　前記第３の領域は、前記輝度Ｌｂ以上、前記輝度Ｌａ以下の輝度Ｌｃを有する、請求項１～６のいずれか１項に記載の発光装置。
　前記発光装置の発光面側からみたときに、
　前記第１の領域と前記第２の領域の間に第３の領域を含み、
　前記第３の領域は、前記輝度Ｌｂ以上、前記輝度Ｌａ以下の輝度Ｌｃを有し、
　前記発光装置の発光面側からみたときに、前記第３の領域に、前記第１の波長変換部材の一部と前記第２の波長変換部材の一部とが配置されている、請求項２～６のいずれか１項に記載の発光装置。
　前記発光装置は、
　　波長４００ｎｍ～５００ｎｍの範囲に発光ピークを有する第１の発光層と、
　　前記第１の発光層の発光ピークよりも長波長側に発光ピークを有する第２の発光層と、
　　前記第１の発光層の光取出面側に配置され、該第１の発光層からの発光を波長変換する第１の波長変換部材と、を含み、
　前記発光装置の発光面側からみたときに、
　　前記第１の領域に、前記第１の発光層と前記第１の波長変換部材とが配置され、
　　前記第２の領域に、前記第２の発光層が配置されている、請求項１に記載の発光装置。
　前記第２の発光層の光取出面側に配置され、該第２の発光層からの発光を波長変換する第２の波長変換部材をさらに含む、請求項９に記載の発光装置。
　前記第１の発光層の光取出面側に配置された透光性部材をさらに含み、
　前記第１の発光層と前記透光性部材との間に、前記第１の波長変換部材と前記第２の波長変換部材とが配置されている、請求項２～６および８のいずれか１項に記載の発光装置。
　前記第１の発光層の光取出面側に配置された透光性部材をさらに含み、
　前記第１の発光層と前記透光性部材との間に、前記第１の波長変換部材が配置されている、請求項９または１０に記載の発光装置。