WO2024128308A1

WO2024128308A1 - 電流制御装置、モータ制御装置及び電動パワーステアリング装置

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Publication number: WO2024128308A1
Application number: PCT/JP2023/045007
Authority: WO
Inventors: 雅彦藤田
Original assignee: Ｎｓｋステアリング＆コントロール株式会社
Priority date: 2022-12-15
Filing date: 2023-12-15
Publication date: 2024-06-20
Also published as: WO2024128309A1; WO2024128310A1

Abstract

電流制御装置は、電流制御回路に含まれる複数の電子部品の各々に流れる電流値及び電流制御回路付近に配置された温度検出素子で検出した検出温度に基づいて、電子部品の温度である部品温度を複数の電子部品毎に推定する部品温度推定部（６１ａ１～６１ｇ）と、複数の電子部品毎に推定された部品温度に含まれる複数の異なる部品温度に対して複数の異なる低減係数をそれぞれ設定する低減係数設定部（６３ａ～６３ｇ）と、複数の電子部品毎の低減係数のいずれか１つを選択する選択部（６４）と、選択された低減係数に基づいて電流制御回路から負荷に出力される出力電流を制限する電流制限部（５１）を備える。

Description

電流制御装置、モータ制御装置及び電動パワーステアリング装置

　本発明は、電流制御装置、モータ制御装置及び電動パワーステアリング装置に関する。

　下記特許文献１には、電動パワーステアリング装置における操舵補助力を発生させるモータを駆動するモータ駆動回路の温度を検出し、検出された温度が閾値以上である場合には、モータの駆動電流を制限する技術が記載されている。

特開２００６－３４１７９５号公報

　しかしながら、モータのような負荷を駆動する駆動電流の制限を開始する部品温度の閾値を、最も温度上昇量の大きい部品に合わせて設定すると、安全のために閾値を小さな値に設定する必要が生じる。この結果、過度に早期に駆動電流が制限されることがある。
　本発明は、上記課題に着目してなされたものであり、負荷を駆動する駆動電流を制御する電流制御回路の過熱保護において、電流制御回路に含まれている複数の電子部品のうち熱破損し易い部品の過熱を抑制しつつ、駆動電流の過度な制限を抑制することを目的とする。

　上記目的を達成するために、本発明の一態様による電流制御装置は、複数の電子部品を含む電流制御回路と、電流制御回路の付近に配置された温度検出素子を有する温度検出回路と、複数の電子部品の各々に流れる電流値を検出又は推定する電流検出部と、電流検出部が検出又は推定した電流値と、温度検出回路が検出した検出温度と、に基づいて、電子部品の温度である部品温度を複数の電子部品毎に推定する部品温度推定部と、複数の電子部品毎に推定された部品温度に含まれる複数の異なる部品温度に対して複数の異なる低減係数をそれぞれ設定する低減係数設定部と、複数の低減係数のいずれか１つを選択する選択部と、選択された低減係数に基づいて電流制御回路から負荷に出力される出力電流を制限する電流制限部と、を備える。

　本発明の他の一態様によるモータ制御装置は、上記の電流制御装置により、負荷として電動モータに供給する電流を制御する。
　本発明のさらなる他の一態様による電動パワーステアリング装置は、上記のモータ制御装置と、モータ制御装置により制御される電動モータと、を備え、電動モータによって車両の操舵系に操舵補助力を付与する。

　本発明によれば、負荷を駆動する駆動電流を制御する電流制御回路の過熱保護において、電流制御回路に含まれている複数の電子部品のうち熱破損し易い部品の過熱を抑制しつつ、駆動電流の過度な制限を抑制できる。

実施形態の電動パワーステアリング装置の一例の概要を示す構成図である。実施形態の電子制御ユニット（ＥＣＵ：Electronic Control Unit）の一例の概要を示す構成図である。温度検出回路の一例の回路図である。電力変換回路が発生する熱を放出する放熱構造の模式図である。制御演算装置の機能構成の一例のブロック図である。第１実施形態の第１低減係数設定部の機能構成の一例のブロック図である。ハイサイドＦＥＴ温度推定部の機能構成の一例のブロック図である。ハイサイドＦＥＴ低減係数の特性マップの一例の模式図である。（ａ）～（ｃ）は、部品低減係数の設定動作の一例の模式図である。バッテリ低減係数の特性マップの一例の模式図である。制御演算装置における処理の一例のフローチャートである。第２ローパスフィルタの効果を説明するための模式図である。第２実施形態の第１低減係数設定部の機能構成の一例のブロック図である。両系統駆動モードと片系統駆動モードの各々における部品温度と温度センサの温度の傾向を調べるために特定の大きさの電流を流した場合のこれらの温度を示すグラフである。両系統駆動モードと片系統駆動モードの各々における部品温度と温度センサの温度との間の差分の傾向を調べるために特定の大きさの電流を流した場合のこれらの温度の差分を示すグラフである。（ａ）は換算ゲインの設定例を示す図であり、（ｂ）は第１カットオフ周波数の設定例を示す図である。（ａ）～（ｃ）は第１電流制御回路と第２電流制御回路との間の出力電流の配分比率と換算ゲインと第１カットオフ周波数の間の関係を示す模式図である。第４実施形態のハイサイドＦＥＴ温度推定部の機能構成の第１例のブロック図である。（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ第１実施形態と第４実施形態における温度推定結果の模式図であり、（ｃ）及び（ｄ）は、それぞれ第１実施形態と第４実施形態における推定誤差の模式図である。（ａ）及び（ｂ）は、電子部品からヒートシンクまでの放熱経路の模式図であり、（ｃ）は（ａ）及び（ｂ）の放熱経路を模式的に表現した等価回路図である。第４実施形態のハイサイドＦＥＴ温度推定部の機能構成の第２例のブロック図である。第５実施形態のコンデンサ温度推定部の機能構成の第１例のブロック図である。（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ第１実施形態と第５実施形態における温度推定結果の模式図であり、（ｃ）及び（ｄ）は、それぞれ第１実施形態と第５実施形態における推定誤差の模式図である。（ａ）～（ｉ）は、三相のＦＥＴをそれぞれ特定のデューティ比で駆動した場合における部品温度の推定結果の傾向を表すイメージ図である。（ａ）は、電子部品からヒートシンクまでの放熱経路の模式図であり、（ｂ）は（ａ）の放熱経路を模式的に表現した等価回路図であり、（ｃ）は第５実施形態のコンデンサ温度推定部の機能構成の第２例のブロック図である。（ａ）及び（ｂ）は、電流制御回路に含まれる電子部品の部品温度を推定する部品温度推定部の第１変形例及び第２変形例のブロック図である。第６実施形態の電子制御ユニットの一例の概要を示す構成図である。第６実施形態のハイサイドＦＥＴ温度推定部の機能構成の一例のブロック図である。（ａ）～（ｄ）は推定対象の部品温度の遅れ応答が第２検出温度の遅れ応答より遅い場合に、第１推定ゲインＧｅ１に基づく部品温度の推定値に生じる誤差を説明するための模式図である。（ａ）は第２推定ゲインＧｅ２の一例の模式図であり、（ｂ）は第２推定ゲインＧｅ２に基づく部品温度の推定値の模式図である。（ａ）～（ｃ）は推定対象の部品温度の遅れ応答が第２検出温度の遅れ応答より速い場合に、第１推定ゲインＧｅ１に基づく部品温度の推定値に生じる誤差を説明するための模式図であり、（ｄ）は第２推定ゲインＧｅ２の一例の模式図であり、（ｅ）は第２推定ゲインＧｅ２に基づく部品温度の推定値の模式図である。（ａ）はチョークコイルＬａの部品温度の想定値の変化の一例を示す図であり、（ｂ）は電源遮断ＦＥＴＱＣ２の部品温度の想定値の変化の一例を示す図であり、（ｃ）は電源遮断ＦＥＴＱＤ２の部品温度の想定値の変化の一例を示す図であり、（ｄ）は電源遮断ＦＥＴＱＣ１の部品温度の想定値の変化の一例を示す図であり、（ｅ）は電源遮断ＦＥＴＱＤ１の部品温度の想定値の変化の一例を示す図である。（ａ）～（ｃ）はチョークコイルからの放熱経路の第１例～第３例の模式図である。（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ第７実施形態の電源遮断ＦＥＴ温度推定部の機能構成の第１例及び第２例のブロック図である。電子制御ユニットの第１変形例の概要を示す構成図である。電子制御ユニットの第２変形例の概要を示す構成図である。電動パワーステアリング装置の第１変形例の概要を示す構成図である。電動パワーステアリング装置の第２変形例の概要を示す構成図である。電動パワーステアリング装置の第３変形例の概要を示す構成図である。

　本発明の実施形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す本発明の実施形態は、本発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、本発明の技術的思想は、構成部品の構成、配置等を下記のものに特定するものではない。本発明の技術的思想は、特許請求の範囲に記載された請求項が規定する技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。
　また、以下の説明では、電動パワーステアリングの操舵補助力を発生する電動モータの駆動電流を供給する電流制御装置に本発明を適用する場合について記載するが、本発明は、電動パワーステアリング装置やモータへの適用に限定されるものではなく、さまざまな用途に広く適用可能である。例えば、ロボットの間接を駆動するアクチュエータの駆動電流を供給する電流制御装置に本発明を適用してもよく、モータ以外の電気的デバイス（例えば発光ダイオード等、又はプリドライバもしくはマイコン等のＩＣ）の駆動電流を供給する電流制御装置に本発明を適用してもよい。

　（第１実施形態）
　（構成）
　図１は、実施形態の電動パワーステアリング（ＥＰＳ：Electric Power Steering）装置の一例の概要を示す構成図である。ステアリングホイール（操向ハンドル）１の操舵軸（ステアリングシャフト、ハンドル軸）２は、減速機構を構成する減速ギア（ウォームギア）３、ユニバーサルジョイント４ａ及び４ｂ、ピニオンラック機構５、タイロッド６ａ、６ｂを経て、更にハブユニット７ａ、７ｂを介して操向車輪８Ｌ、８Ｒに連結されている。

　ピニオンラック機構５は、ユニバーサルジョイント４ｂから操舵力が伝達されるピニオンシャフトに連結されたピニオン５ａと、このピニオン５ａに噛合するラック５ｂとを有し、ピニオン５ａに伝達された回転運動をラック５ｂで車幅方向の直進運動に変換する。
　操舵軸２には操舵トルクＴｈを検出するトルクセンサ１０が設けられている。また、操舵軸２には、ステアリングホイール１の操舵角θｈを検出する操舵角センサ１４が設けられている。

　また、ステアリングホイール１の操舵力を補助するモータ２０は、減速ギア３を介して操舵軸２に連結されている。モータ２０は、例えば多相モータであってよい。以下の説明では、同じモータハウジング内に第１系統コイルと第２系統コイルが巻き回されて２つの系統のコイルにより共通のロータを回転させる２重巻線を有する三相モータの例について説明するが、モータ２０は、２重巻線モータ以外のモータであってもよく、モータ２０の相数は３相でなくてもよい。ステアリングホイール１の操舵力を補助する複数のモータ２０を同一の操舵軸２に連結してもよい。

　電動パワーステアリング装置を制御する電子制御ユニット（ＥＣＵ：Electronic Control Unit）３０には、バッテリ１３から電力が供給されるとともに、イグニションスイッチ１１を経てイグニションキー信号が入力される。
　ＥＣＵ３０は、トルクセンサ１０で検出された操舵トルクＴｈと、車速センサ１２で検出された車速Ｖｈと、操舵角センサ１４で検出された操舵角θｈに基づいてアシスト制御指令の電流指令値の演算を行い、電流指令値に補償等を施した電圧制御指令値によってモータ２０に供給する電流（第１系統コイルのＡ相電流Ｉ１ａ、Ｂ相電流Ｉ１ｂ、Ｃ相電流Ｉ１ｃと、第２系統コイルのＡ相電流Ｉ２ａ、Ｂ相電流Ｉ２ｂ、Ｃ相電流Ｉ２ｃ）を制御する。ＥＣＵ３０は、特許請求の範囲に記載の「電流制御装置」及び「モータ制御装置」の一例である。

　なお、操舵角センサ１４は必須のものではなく、モータ２０の回転軸の回転角度を検出する回転角センサ２３ａから得られるモータ回転角θｍと減速ギア３のギア比との積に、トルクセンサ１０のトーションバーの捩れ角を加えて操舵角θｈを算出してもよい。回転角センサ２３ａには、例えば、モータの回転位置を検出するレゾルバや、モータ２０の回転軸に取り付けられた磁石の磁界を検出する磁気センサが利用できる。また、操舵角θｈに代えて、操向車輪８Ｌ、８Ｒの転舵角を用いてもよい。例えばラック５ｂの変位量を検出することにより転舵角を検出してもよい。

　ＥＣＵ３０は、例えば、プロセッサと、記憶装置等の周辺部品とを含むコンピュータを含む。プロセッサは、例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）、やＭＰＵ（Micro-Processing Unit）であってよい。
　記憶装置は、半導体記憶装置、磁気記憶装置及び光学記憶装置のいずれかを備えてよい。記憶装置は、レジスタ、キャッシュメモリ、主記憶装置として使用されるＲＯＭ（Read Only Memory）及びＲＡＭ（Random Access Memory）等のメモリを含んでよい。
　以下に説明するＥＣＵ３０の機能は、例えばＥＣＵ３０のプロセッサが、記憶装置に格納されたコンピュータプログラムを実行することにより実現される。

　なお、ＥＣＵ３０を、以下に説明する各情報処理を実行するための専用のハードウエアにより形成してもよい。
　例えば、ＥＣＵ３０は、汎用の半導体集積回路中に設定される機能的な論理回路を含んでいてもよい。例えばＥＣＵ３０はフィールド・プログラマブル・ゲート・アレイ（ＦＰＧＡ：Field-Programmable Gate Array）等のプログラマブル・ロジック・デバイス（ＰＬＤ：Programmable Logic Device）等を有していてもよい。

　図２は、実施形態のＥＣＵ３０の一例の概要を示す構成図である。ＥＣＵ３０は、モータ回転角検出回路２３と、制御演算装置３１ａ及び３１ｂと、第１モータ電流遮断回路３３Ａ及び第２モータ電流遮断回路３３Ｂと、第１ゲート駆動回路４１Ａ及び第２ゲート駆動回路４１Ｂと、第１電力変換回路４２Ａ及び第２電力変換回路４２Ｂと、第１電源遮断回路４４Ａ及び第２電源遮断回路４４Ｂと、温度検出回路４５Ａ及び４５Ｂを備える。
　ＥＣＵ３０には、コネクタＣＮＴを介してバッテリ１３からの電力を伝送する電力配線ＰＷａが接続される。電力配線ＰＷａの正極側電源ラインＬｐａは、チョークコイルＬａとセラミックコンデンサＣａ１及びＣａ２により形成されたＥＭＣ（Electromagnetic Compatibility）フィルタ等のノイズフィルタ回路を経由した後に分岐点Ｐｂにて分岐する。分岐点Ｐｂにて分岐した正極側電源ラインＬｐａの一方は、制御演算装置３１ａと第１電源遮断回路４４Ａに接続され、他方は制御演算装置３１ｂと第２電源遮断回路４４Ｂに接続される。

　チョークコイルＬａの一端が正極側電源ラインＬｐａとセラミックコンデンサＣａ１の一端とに接続され、チョークコイルＬａの他端が、セラミックコンデンサＣａ２の一端と分岐点Ｐｂとに接続され、セラミックコンデンサＣａ１及びＣａ２の他端は接地されている。一方で、電力配線ＰＷａの負極側ラインは、ＥＣＵ３０の接地線に接続される。
　電圧検出回路３４Ａは、第１電源遮断回路４４Ａから第１電力変換回路４２Ａへ供給される電源電圧ＶＲＡを検出し、制御演算装置３１ａに出力する。電圧検出回路３４Ｂは、第２電源遮断回路４４Ｂから第２電力変換回路４２Ｂへ供給される電源電圧ＶＲＢを検出し、制御演算装置３１ｂに出力する。

　制御演算装置３１ａ及び３１ｂには、コネクタＣＮＴを介してトルクセンサ１０で検出された操舵トルクＴｈと、車速センサ１２で検出された車速Ｖｈと、操舵角センサ１４で検出された操舵角θｈの信号が伝送される。
　制御演算装置３１ａは、少なくとも操舵トルクＴｈに基づいて、モータ２０の駆動電流の制御目標値である電流指令値を演算し、電流指令値に補償等を施して得られる電圧制御指令値Ｖ１ａ、Ｖ１ｂ、Ｖ１ｃを、第１ゲート駆動回路４１Ａに出力する。電圧制御指令値Ｖ１ａ、Ｖ１ｂ、Ｖ１ｃは、それぞれ第１系統コイルのＡ相電圧制御指令値、Ｂ相電圧制御指令値、Ｃ相電圧制御指令値である。

　制御演算装置３１ｂは、少なくとも操舵トルクＴｈに基づいて、モータ２０の駆動電流の制御目標値である電流指令値を演算し、電流指令値に補償等を施して得られる電圧制御指令値Ｖ２ａ、Ｖ２ｂ、Ｖ２ｃを、第２ゲート駆動回路４１Ｂに出力する。電圧制御指令値Ｖ２ａ、Ｖ２ｂ、Ｖ２ｃは、それぞれ第２系統コイルのＡ相電圧制御指令値、Ｂ相電圧制御指令値、Ｃ相電圧制御指令値である。
　なお、制御演算装置３１ａと制御演算装置３１ｂとを単一の制御演算装置に統合してもよい。

　第１電源遮断回路４４Ａは、２つの電源遮断電界効果トランジスタ（ＦＥＴ：Field Effect Transistor）ＱＣ１及びＱＣ２がソース同士を接続して寄生ダイオードが逆向きとなる直列回路構成を有し、正極側電源ラインＬｐａと第１電力変換回路４２Ａとの間を接続又は遮断する。電源遮断ＦＥＴＱＣ１のドレインが正極側電源ラインＬｐａに接続され、電源遮断ＦＥＴＱＣ２のドレインが第１電力変換回路４２ＡのハイサイドＦＥＴＱ１、Ｑ３及びＱ５のドレインに接続されている。制御演算装置３１ａは、電源遮断ＦＥＴＱＣ１及びＱＣ２の通電と遮断とをそれぞれ制御する制御信号ＳｓＡ及びＳｐＡを第１ゲート駆動回路４１Ａに出力する。第１ゲート駆動回路４１Ａは、制御信号ＳｓＡ及びＳｐＡに応じて電源遮断ＦＥＴＱＣ１及びＱＣ２のゲート信号をそれぞれ出力して、電源遮断ＦＥＴＱＣ１及びＱＣ２のオンオフを制御する。なお、電源遮断ＦＥＴＱＣ２は、直流電源であるバッテリ１３の極性を誤って反対に接続した場合の故障を防止するために、直流電源とインバータとの間に接続されてインバータ側から直流電源側へ流れる電流を阻止する逆接続保護電界効果トランジスタとして機能する。

　また、第２電源遮断回路４４Ｂは、２つの電源遮断ＦＥＴＱＤ１及びＱＤ２がソース同士を接続して寄生ダイオードが逆向きとなる直列回路構成を有し、正極側電源ラインＬｐａと第２電力変換回路４２Ｂとの間を接続又は遮断する。電源遮断ＦＥＴＱＤ２も、逆接続保護電界効果トランジスタとして機能する。電源遮断ＦＥＴＱＤ１のドレインは正極側電源ラインＬｐａに接続され、電源遮断ＦＥＴＱＤ２のドレインが第２電力変換回路４２ＢのハイサイドＦＥＴＱ１、Ｑ３及びＱ５のドレインに接続されている。制御演算装置３１ｂは、電源遮断ＦＥＴＱＤ１及びＱＤ２の通電と遮断とをそれぞれ制御する制御信号ＳｓＢ及びＳｐＢを第２ゲート駆動回路４１Ｂに出力する。第２ゲート駆動回路４１Ｂは、制御信号ＳｓＢ及びＳｐＢに応じて電源遮断ＦＥＴＱＤ１及びＱＤ２のゲート信号をそれぞれ出力して、電源遮断ＦＥＴＱＤ１及びＱＤ２のオンオフを制御する。

　第１ゲート駆動回路４１Ａは、制御演算装置３１ａから電圧制御指令値Ｖ１ａ、Ｖ１ｂ、Ｖ１ｃが入力されると、これらの電圧制御指令値Ｖ１ａ、Ｖ１ｂ、Ｖ１ｃと三角波のキャリア信号に基づいてパルス幅変調（ＰＷＭ）した６つのゲート信号を形成する。そして、これらゲート信号を第１電力変換回路４２Ａに出力する。
　第２ゲート駆動回路４１Ｂは、制御演算装置３１ｂから電圧制御指令値Ｖ２ａ、Ｖ２ｂ、Ｖ２ｃが入力されると、これらの電圧制御指令値Ｖ２ａ、Ｖ２ｂ、Ｖ２ｃと三角波のキャリア信号に基づいてパルス幅変調した６つのゲート信号を形成する。そして、これらゲート信号を第２電力変換回路４２Ｂに出力する。

　第１電力変換回路４２Ａは、スイッチング素子であるＦＥＴにより構成された３つのスイッチングアームＳＷＡａ、ＳＷＡｂ及びＳＷＡｃを有するインバータと、電解コンデンサＣＡ１及びＣＡ２とを備える。
　スイッチングアームＳＷＡａ、ＳＷＡｂ及びＳＷＡｃは互いに並列に接続されている。Ａ相のスイッチングアームＳＷＡａは、直列接続されたハイサイドＦＥＴＱ１及びローサイドＦＥＴＱ２を備え、Ｂ相のスイッチングアームＳＷＡｂは、直列接続されたハイサイドＦＥＴＱ３及びローサイドＦＥＴＱ４を備え、Ｃ相のスイッチングアームＳＷＡｃは、直列接続されたハイサイドＦＥＴＱ５及びローサイドＦＥＴＱ６を備える。

　各ＦＥＴＱ１～Ｑ６のゲートに第１ゲート駆動回路４１Ａから出力されるゲート信号が入力され、このゲート信号により、各スイッチングアームＳＷＡａ、ＳＷＡｂ及びＳＷＡｃのＦＥＴ間の接続点からＡ相電流Ｉ１ａ、Ｂ相電流Ｉ１ｂ、Ｃ相電流Ｉ１ｃが第１モータ電流遮断回路３３Ａを介してモータ２０の第１系統コイルのＡ相巻線、Ｂ相巻線及びＣ相巻線に通電される。
　電解コンデンサＣＡ１及びＣＡ２は、第１電力変換回路４２Ａに対するノイズ除去機能及び電力供給補助機能を備えている。電解コンデンサＣＡ１及びＣＡ２は、例えば導電性高分子と電解液を融合した電解質が採用されたハイブリッドコンデンサであってよい。

　第２電力変換回路４２Ｂは、スイッチング素子であるＦＥＴにより構成された３つのスイッチングアームＳＷＢａ、ＳＷＢｂ及びＳＷＢｃを有するインバータと、電解コンデンサＣＢ１及びＣＢ２とを備える。
　スイッチングアームＳＷＢａ、ＳＷＢｂ及びＳＷＢｃは互いに並列に接続されている。Ａ相のスイッチングアームＳＷＢａは、直列接続されたハイサイドＦＥＴＱ１及びローサイドＦＥＴＱ２を備え、Ｂ相のスイッチングアームＳＷＢｂは、直列接続されたハイサイドＦＥＴＱ３及びローサイドＦＥＴＱ４を備え、Ｃ相のスイッチングアームＳＷＢｃは、直列接続されたハイサイドＦＥＴＱ５及びローサイドＦＥＴＱ６を備える。

　各ＦＥＴＱ１～Ｑ６のゲートに第２ゲート駆動回路４１Ｂから出力されるゲート信号が入力され、このゲート信号により、各スイッチングアームＳＷＢａ、ＳＷＢｂ及びＳＷＢｃのＦＥＴ間の接続点からＡ相電流Ｉ２ａ、Ｂ相電流Ｉ２ｂ、Ｃ相電流Ｉ２ｃが第２モータ電流遮断回路３３Ｂを介してモータ２０の第２系統コイルのＡ相巻線、Ｂ相巻線及びＣ相巻線に通電される。
　電解コンデンサＣＢ１及びＣＢ２は、第２電力変換回路４２Ｂに対するノイズ除去機能及び電力供給補助機能を備えている。電解コンデンサＣＢ１及びＣＢ２は、例えばハイブリッドコンデンサであってよい。

　なお、第１電力変換回路４２Ａと第２電力変換回路４２Ｂは、ステアリングホイール１の操舵を補助する操舵補助力をそれぞれ発生する２つの異なるモータに三相電流を供給する電力変換回路であってもよい。例えばこれら２つの異なるモータは、減速ギアを介して同一の操舵軸２に連結されていてもよい。

　第１電力変換回路４２ＡのスイッチングアームＳＷＡａ、ＳＷＡｂ及びＳＷＡｃの下側アームを形成するローサイドＦＥＴＱ２、Ｑ４及びＱ６の各ソース側には、電流検出回路３９Ａ１、３９Ｂ１及び３９Ｃ１が設けられる。電流検出回路３９Ａ１、３９Ｂ１及び３９Ｃ１は、それぞれスイッチングアームＳＷＡａ、ＳＷＡｂ及びＳＷＡｃの下流側電流が流れるシャント抵抗を備える。電流検出回路３９Ａ１、３９Ｂ１及び３９Ｃ１は、シャント抵抗における電圧降下に基づいて第１系統コイルのＡ相電流、Ｂ相電流、Ｃ相電流を検出し、その検出値Ｉ１ａｄ、Ｉ１ｂｄ、Ｉ１ｃｄを出力する。
　第２電力変換回路４２ＢのスイッチングアームＳＷＢａ、ＳＷＢｂ及びＳＷＢｃの下側アームを形成するローサイドＦＥＴＱ２、Ｑ４及びＱ６の各ソース側には、電流検出回路３９Ａ２、３９Ｂ２及び３９Ｃ２が設けられる。電流検出回路３９Ａ２、３９Ｂ２及び３９Ｃ２は、それぞれスイッチングアームＳＷＢａ、ＳＷＢｂ及びＳＷＢｃの下流側電流が流れるシャント抵抗を備える。電流検出回路３９Ａ２、３９Ｂ２及び３９Ｃ２は、シャント抵抗における電圧降下に基づいて第２系統コイルのＡ相電流、Ｂ相電流、Ｃ相電流を検出し、その検出値Ｉ２ａｄ、Ｉ２ｂｄ、Ｉ２ｃｄを出力する。

　第１モータ電流遮断回路３３Ａは、モータの相電流を遮断するための３つの相遮断ＦＥＴＱＡ１、ＱＡ２及びＱＡ３を有する。相遮断ＦＥＴＱＡ１のソースが第１電力変換回路４２ＡのスイッチングアームＳＷＡａのＦＥＴＱ１及びＱ２の接続点に接続され、ドレインがモータ２０の第１系統コイルのＡ相巻線に接続されている。相遮断ＦＥＴＱＡ２のソースがスイッチングアームＳＷＡｂのＦＥＴＱ３及びＱ４の接続点に接続され、ドレインが第１系統コイルのＢ相巻線に接続されている。相遮断ＦＥＴＱＡ３のソースがスイッチングアームＳＷＡｃのＦＥＴＱ５及びＱ６の接続点に接続され、ドレインが第１系統コイルのＣ相巻線に接続されている。
　制御演算装置３１ａは、第１モータ電流遮断回路３３Ａの通電と遮断とを制御する制御信号ＳｍＡを第１ゲート駆動回路４１Ａに出力する。第１ゲート駆動回路４１Ａは、制御信号ＳｍＡに応じて相遮断ＦＥＴＱＡ１～ＱＡ３のゲート信号を出力して、第１電力変換回路４２Ａからモータ２０へのＡ相電流Ｉ１ａ、Ｂ相電流Ｉ１ｂ、Ｃ相電流Ｉ１ｃを通電又は遮断する。

　第２モータ電流遮断回路３３Ｂは、モータの相電流を遮断するための３つの相遮断ＦＥＴＱＢ１、ＱＢ２及びＱＢ３を有する。相遮断ＦＥＴＱＢ１のソースが第２電力変換回路４２ＢのスイッチングアームＳＷＢａのＦＥＴＱ１及びＱ２の接続点に接続され、ドレインがモータ２０の第２系統コイルのＡ相巻線に接続されている。相遮断ＦＥＴＱＢ２のソースがスイッチングアームＳＷＢｂのＦＥＴＱ３及びＱ４の接続点に接続され、ドレインが第２系統コイルのＢ相巻線に接続されている。相遮断ＦＥＴＱＢ３のソースがスイッチングアームＳＷＢｃのＦＥＴＱ５及びＱ６の接続点に接続され、ドレインが第２系統コイルのＣ相巻線に接続されている。
　制御演算装置３１ｂは、第２モータ電流遮断回路３３Ｂの通電と遮断とを制御する制御信号ＳｍＢを第２ゲート駆動回路４１Ｂに出力する。第２ゲート駆動回路４１Ｂは、制御信号ＳｍＢに応じて相遮断ＦＥＴＱＢ１～ＱＢ３のゲート信号を出力して、第２電力変換回路４２Ｂからモータ２０へのＡ相電流Ｉ２ａ、Ｂ相電流Ｉ２ｂ、Ｃ相電流Ｉ２ｃを通電又は遮断する。
　なお、ハイサイドＦＥＴＱ１、Ｑ３及びＱ５、ローサイドＦＥＴＱ２、Ｑ４及びＱ６、相遮断ＦＥＴＱＡ１～ＱＡ３及びＱＢ１～ＱＢ３、電源遮断ＦＥＴＱＣ１、ＱＣ２、ＱＤ１及びＱＤ２として、例えば、シリコンデバイスを用いてもよく、シリコンカーバイトデバイスを用いてもよい。

　モータ回転角検出回路２３は、回転角センサ２３ａから検出値を取得し、モータ２０の回転軸の回転角度であるモータ回転角θｍを検出する。モータ回転角検出回路２３は、モータ回転角θｍを制御演算装置３１ａ及び３１ｂへ出力する。
　温度検出回路４５Ａは、第１電力変換回路４２Ａの付近に互いに近接して配置された２つの温度センサを備える。温度検出回路４５Ｂは、第２電力変換回路４２Ｂの付近に互いに近接して配置された２つの温度センサを備える。これらの温度センサは、特許請求の範囲に記載された「温度検出素子」の一例である。なお、温度センサの配置位置は第１電力変換回路４２Ａや第２電力変換回路４２Ｂの付近でなくともよい。温度センサは、ＥＣＵ３０の発熱し易い場所に配置されていれば足りる。

　温度検出回路４５Ａは、２つの温度センサのうち一方のセンサの出力に基づくＥＣＵ３０の温度の検出信号ＳｄＡ１と、他方のセンサの出力に基づくＥＣＵ３０の温度の検出信号ＳｄＡ２とを、制御演算装置３１ａへ出力する。温度検出回路４５Ｂは、２つの温度センサのうち一方のセンサの出力に基づくＥＣＵ３０の温度の検出信号ＳｄＢ１と、他方のセンサの出力に基づくＥＣＵ３０の温度の検出信号ＳｄＢ２を制御演算装置３１ｂへ出力する。
　これらの温度センサは例えばサーミスタであってよい。温度検出回路４５Ａ及び４５Ｂは、サーミスタの抵抗値に応じてＥＣＵ３０の温度を検出するサーミスタ処理回路を備えてよい。

　図３は、温度検出回路４５Ａの一例の回路図である。温度検出回路４５Ａは、温度センサ４５Ａ１及び温度センサ４５Ａ２としてのサーミスタと固定抵抗Ｒ１及びＲ２とがそれぞれ直列接続された分圧回路と、コンデンサＣｔ１及びＣｔ２とを有する。温度検出回路４５Ｂも同様の構成を備える。
　サーミスタ４５Ａ１と固定抵抗Ｒ１とで構成された分圧回路は、サーミスタ４５Ａ１の抵抗値と固定抵抗Ｒ１の抵抗値の比で所定電圧Ｖｃｃを分圧し、分圧により得られた値を検出信号ＳｄＡ１として制御演算装置３１ａに出力する。サーミスタ４５Ａ２と固定抵抗Ｒ２とで構成された分圧回路は、サーミスタ４５Ａ２の抵抗値と固定抵抗Ｒ２の抵抗値の比で所定電圧Ｖｃｃを分圧し、分圧により得られた値を検出信号ＳｄＡ２として制御演算装置３１ａに出力する。

　図４は、第１電力変換回路４２Ａと第２電力変換回路４２Ｂが発生する熱を放出する放熱構造の模式図である。参照符号３６は回路基板を示し、回路基板３６の表面ｆｆと裏面ｆｒには第１電力変換回路４２Ａと第２電力変換回路４２Ｂの電子部品が実装されている。参照符号３７は、第１電力変換回路４２Ａと第２電力変換回路４２Ｂが発生する熱を放出する放熱部材３７を示す。放熱部材３７は、例えばアルミ合金などの熱伝導性のよい金属で形成されたヒートシンクであってよい。
　第１電力変換回路４２Ａと第２電力変換回路４２Ｂの各々に含まれる電子部品はヒートシンク３７を通して放熱する。回路基板３６の表面ｆｆに実装された電子部品の回路基板３６と反対側の面ｆ１と、温度検出回路４５Ａの温度センサ４５Ａ１及び４５Ａ２の回路基板３６と反対側の面ｆ２とは、同一のヒートシンク３７に熱的に接続されている。また、回路基板３６の裏面ｆｒに実装された電子部品は、回路基板３６を貫通するビアを経由して同じヒートシンク３７に熱的に接続されている。
　例えば、導電性ペースト（例えば放熱グリス）のような熱インタフェース材料（ＴＩＭ：Thermal Interface Material）３８ａ及び３８ｂをそれぞれ介して面ｆ１及びｆ２をヒートシンク３７に接触させ、熱インタフェース材料３８ｃとビアを介して、裏面ｆｒに実装された電子部品をヒートシンク３７に接触させる。
　温度検出回路４５Ｂの温度センサも、温度センサ４５Ａ１及び４５Ａ２と同様な構成でヒートシンク３７に熱的に接続されている。

　図２を参照する。制御演算装置３１ａは、図示しないＡ／Ｄ変換部を介して、第１系統コイルのＡ相電流、Ｂ相電流、Ｃ相電流の検出値Ｉ１ａｄ、Ｉ１ｂｄ、Ｉ１ｃｄと、ＥＣＵ３０の温度の検出信号ＳｄＡ１、ＳｄＡ２を取得する。制御演算装置３１ｂは、図示しないＡ／Ｄ変換部を介して、第２系統コイルのＡ相電流、Ｂ相電流、Ｃ相電流の検出値Ｉ２ａｄ、Ｉ２ｂｄ、Ｉ２ｃｄと、ＥＣＵ３０の温度の検出信号ＳｄＢ１、ＳｄＢ２を取得する。以下の説明において、検出信号ＳｄＡ１及びＳｄＡ２を総称して「ＳｄＡ」と表記し、検出信号ＳｄＢ１、ＳｄＢ２を総称して「ＳｄＢ」と表記することがある。

　制御演算装置３１ａと制御演算装置３１ｂはＣＡＮ（Controller Area Network）などの通信回線３５で接続されており、互いにデータを送受信できる。
　例えば制御演算装置３１ａは、第１系統コイルのＡ相電流、Ｂ相電流、Ｃ相電流の検出値Ｉ１ａｄ、Ｉ１ｂｄ、Ｉ１ｃｄに基づいて、バッテリ１３から第１系統コイルに流れるバッテリ電流Ｉｂａｔ１を算出して制御演算装置３１ｂに送信してよい。制御演算装置３１ｂも同様に、第２系統コイルのＡ相電流、Ｂ相電流、Ｃ相電流の検出値Ｉ２ａｄ、Ｉ２ｂｄ、Ｉ２ｃｄに基づいて、バッテリ１３から第２系統コイルに流れるバッテリ電流Ｉｂａｔ２を算出して制御演算装置３１ａに送信してよい。

　制御演算装置３１ａは、モータ２０の第１系統コイルのＡ相電流、Ｂ相電流、Ｃ相電流の検出値Ｉ１ａｄ、Ｉ１ｂｄ、Ｉ１ｃｄと、バッテリ電流Ｉｂａｔ１、Ｉｂａｔ２と、電源電圧ＶＲＡと、温度検出回路４５Ａが出力する検出信号ＳｄＡとに基づいて、第１系統コイルを駆動する電流を制御する第１電流制御回路４０Ａを構成する複数の電子部品の温度である部品温度を推定する。

　制御演算装置３１ａは、第１電流制御回路４０Ａを構成する電子部品として、例えば、第１電力変換回路４２ＡのハイサイドＦＥＴＱ１、Ｑ３、Ｑ５や、ローサイドＦＥＴＱ２、Ｑ４、Ｑ６や、電解コンデンサＣＡ１、ＣＡ２や、電流検出回路３９Ａ１、３９Ｂ１、３９Ｃ１のシャント抵抗や、相遮断ＦＥＴＱＡ１、ＱＡ２、ＱＡ３や、電源遮断ＦＥＴＱＣ１、ＱＣ２の部品温度を推定してよい。

　制御演算装置３１ｂも同様に、モータ２０の第２系統コイルのＡ相電流、Ｂ相電流、Ｃ相電流の検出値Ｉ２ａｄ、Ｉ２ｂｄ、Ｉ２ｃｄと、バッテリ電流Ｉｂａｔ１、Ｉｂａｔ２と、電源電圧ＶＲＢと、温度検出回路４５Ｂが出力する検出信号ＳｄＢとに基づいて、第２系統コイルを駆動する電流を制御する第２電流制御回路４０Ｂを構成する複数の電子部品の温度である部品温度を推定する。

　制御演算装置３１ｂは、第２電流制御回路４０Ｂを構成する電子部品として、例えば、第２電力変換回路４２ＢのハイサイドＦＥＴＱ１、Ｑ３、Ｑ５や、ローサイドＦＥＴＱ２、Ｑ４、Ｑ６や、電解コンデンサＣＢ１、ＣＢ２や、電流検出回路３９Ａ２、３９Ｂ２、３９Ｃ２のシャント抵抗や、相遮断ＦＥＴＱＢ１、ＱＢ２、ＱＢ３や、電源遮断ＦＥＴＱＤ１、ＱＤ２の部品温度を推定してよい。
　また、制御演算装置３１ａ及び３１ｂは、第１電流制御回路４０Ａと第２電流制御回路４０Ｂの共通の電子部品として、ノイズフィルタ回路のチョークコイルＬａの部品温度を推定してよい。

　また、制御演算装置３１ａは、温度検出回路４５Ａが出力する検出信号ＳｄＡに基づいてＥＣＵ３０の温度を推定する。制御演算装置３１ｂは、温度検出回路４５Ｂが出力する検出信号ＳｄＢに基づいて、ＥＣＵ３０の温度を推定する。以下の説明において、ＥＣＵ３０の温度を「ＥＣＵ温度」と表記する。
　また制御演算装置３１ａは、第１系統コイルのＡ相電流、Ｂ相電流、Ｃ相電流の検出値Ｉ１ａｄ、Ｉ１ｂｄ、Ｉ１ｃｄとＥＣＵ温度に基づいてモータ２０の温度（例えば第１系統コイルの巻き線の温度）を推定する。制御演算装置３１ｂは、第２系統コイルのＡ相電流、Ｂ相電流、Ｃ相電流の検出値Ｉ２ａｄ、Ｉ２ｂｄ、Ｉ２ｃｄとＥＣＵ温度に基づいてモータ２０の温度（例えば第２系統コイルの巻き線の温度）を推定する。以下の説明において、モータ２０の温度を「モータ温度」と表記することがある。

　制御演算装置３１ａは、推定した部品温度、ＥＣＵ温度及びモータ温度と、バッテリ１３の出力端子間の電圧であるバッテリ電圧Ｖｂａｔ１とに基づいて、第１系統コイルを駆動する電流を制限する。制御演算装置３１ｂも同様に、推定した部品温度、ＥＣＵ温度及びモータ温度と、バッテリ電圧Ｖｂａｔ１とに基づいて、第２系統コイルを駆動する電流を制限する。

　次に制御演算装置３１ａ及び３１ｂについて説明する。図５は、制御演算装置３１ａの機能構成の一例のブロック図である。制御演算装置３１ｂも同様の構成を有する。
　制御演算装置３１ａは、電流指令値演算部５０と、電流制限部５１と、減算器５２及び５３と、比例積分（ＰＩ：Proportional-Integral）制御部５４と、２相／３相変換部５５と、３相／２相変換部５６と、角速度変換部５７と、第１低減係数設定部６０と、第２低減係数設定部７０と、第３低減係数設定部７１を備えており、モータ２０をベクトル制御で駆動する。

　電流指令値演算部５０は、操舵トルクＴｈと、車速Ｖｈと、モータ２０のモータ回転角θｍと、モータ２０の回転角速度ωに基づいてモータ２０に流すべきｑ軸電流指令値Ｉｑ０及びｄ軸電流指令値Ｉｄ０を演算する。
　電流制限部５１は、第１低減係数設定部６０が設定した部品低減係数Ｋ１と、第２低減係数設定部７０が設定したＥＣＵ低減係数Ｋ２及びモータ低減係数Ｋ３と、第３低減係数設定部７１が設定したバッテリ低減係数Ｋ４とに基づいて、ｑ軸電流指令値Ｉｑ０及びｄ軸電流指令値Ｉｄ０を制限し、制限後のｑ軸電流指令値Ｉｑ１及びｄ軸電流指令値Ｉｄ１を出力する。部品低減係数Ｋ１と、ＥＣＵ低減係数Ｋ２と、モータ低減係数Ｋ３と、バッテリ低減係数Ｋ４については後述する。

　電流検出回路３９Ａ１、３９Ｂ１、３９Ｃ１により検出されたモータ２０の第１系統コイルのＡ相電流、Ｂ相電流及びＣ相電流の検出値Ｉ１ａｄ、Ｉ１ｂｄ、Ｉ１ｃｄは、３相／２相変換部５６でｄ－ｑ２軸の電流ｉｄ、ｉｑに変換される。
　減算器５２及び５３は、フィードバックされた電流ｉｑ、ｉｄをｑ軸電流指令値Ｉｑ１及びｄ軸電流指令値Ｉｄ１からそれぞれ減じることにより、ｑ軸偏差電流Δｑ及びｄ軸偏差電流Δｄを算出する。

　ＰＩ制御部５４は、ｑ軸偏差電流Δｑ及びｄ軸偏差電流Δｄを各々０とするような電圧指令値ｖｑ、ｖｄを算出する。２相／３相変換部５５は、電圧指令値ｖｄ、ｖｑを、モータ２０の第１系統のＡ相電圧制御指令値Ｖ１ａ、Ｂ相電圧制御指令値Ｖ１ｂ、Ｃ相電圧制御指令値Ｖ１ｃにそれぞれ変換して、第１ゲート駆動回路４１Ａへ出力する。
　角速度変換部５７は、モータ回転角θｍの時間的変化に基づいてモータ２０の回転角速度ωを算出する。これらモータ回転角θｍ及び回転角速度ωは、電流指令値演算部５０に入力されてベクトル制御に使用される。

　図６は、第１実施形態の第１低減係数設定部６０の機能構成の一例のブロック図である。第１低減係数設定部６０は、第１電流制御回路４０Ａを構成する複数の電子部品の各々の部品温度を推定する。第１低減係数設定部６０は、複数の電子部品毎に推定された部品温度に基づいて、第１系統コイルを駆動する電流を制限するための低減係数を複数個設定する。例えば、複数の電子部品毎に推定された部品温度に含まれる複数の異なる部品温度に対して複数の異なる低減係数をそれぞれ設定する。

　例えば第１低減係数設定部６０は、電子部品の種類や、第１電流制御回路４０Ａ内における接続関係等に基づいて複数の電子部品を複数のグループに分類分けし、各グループ毎に低減係数を設定してよい。第１低減係数設定部６０は、これら複数個の制限係数のいずれか１つを部品低減係数Ｋ１として選択して出力する。
　第１低減係数設定部６０は、ハイサイドＦＥＴ温度推定部６１ａ１～６１ａ３と、ローサイドＦＥＴ温度推定部６１ｂ１～６１ｂ３と、シャント抵抗温度推定部６１ｃ１～６１ｃ３と、相遮断ＦＥＴ温度推定部６１ｄ１～６１ｄ３と、電源遮断ＦＥＴ温度推定部６１ｅ１及び６１ｅ２と、コンデンサ温度推定部６１ｆ１及び６１ｆ２と、コイル温度推定部６１ｇと、選択器６２ａ、６２ｂ、６２ｃ、６２ｄ、６２ｅ、６２ｆ及び６４と、ハイサイドＦＥＴ低減係数設定部６３ａと、ローサイドＦＥＴ低減係数設定部６３ｂと、シャント抵抗低減係数設定部６３ｃと、相遮断ＦＥＴ低減係数設定部６３ｄと、電源遮断ＦＥＴ低減係数設定部６３ｅと、コンデンサ低減係数設定部６３ｆと、コイル低減係数設定部６３ｇを備える。

　ハイサイドＦＥＴ温度推定部６１ａ１～６１ａ３は、第１電力変換回路４２ＡのハイサイドＦＥＴＱ１、Ｑ３、Ｑ５の部品温度Ｔｅａ１～Ｔｅａ３をそれぞれ推定する。ローサイドＦＥＴ温度推定部６１ｂ１～６１ｂ３は、第１電力変換回路４２ＡのローサイドＦＥＴＱ２、Ｑ４、Ｑ６の部品温度Ｔｅｂ１～Ｔｅｂ３をそれぞれ推定する。シャント抵抗温度推定部６１ｃ１～６１ｃ３は、電流検出回路３９Ａ１、３９Ｂ１、３９Ｃ１のシャント抵抗の部品温度Ｔｅｃ１～Ｔｅｃ３をそれぞれ推定する。

　相遮断ＦＥＴ温度推定部６１ｄ１～６１ｄ３は、相遮断ＦＥＴＱＡ１、ＱＡ２、ＱＡ３の部品温度Ｔｅｄ１～Ｔｅｄ３をそれぞれ推定する。電源遮断ＦＥＴ温度推定部６１ｅ１及び６１ｅ２は、電源遮断ＦＥＴＱＣ１及びＱＣ２の部品温度Ｔｅｅ１及びＴｅｅ２を推定する。コンデンサ温度推定部６１ｆ１及び６１ｆ２は、第１電力変換回路４２Ａの電解コンデンサＣＡ１、ＣＡ２の部品温度Ｔｅｆ１、Ｔｅｆ２をそれぞれ推定する。コイル温度推定部６１ｇは、ノイズフィルタ回路のチョークコイルＬａの部品温度Ｔｅｇを推定する。
　以下の説明において、チョークコイルＬａの部品温度Ｔｅｇを「コイル温度Ｔｅｇ」と表記することがある。

　図７は、ハイサイドＦＥＴ温度推定部６１ａ１の機能構成の一例のブロック図である。
　ハイサイドＦＥＴ温度推定部６１ａ１は、損失電力演算部７２と、ゲイン乗算部７３と、第１ローパスフィルタ７４と、第２ローパスフィルタ７５と、加算器７６を備える。
　損失電力演算部７２は、第１電力変換回路４２ＡのハイサイドＦＥＴＱ１における損失電力Ｗを演算する。
　例えば損失電力演算部７２は、前回の制御サイクルで演算したハイサイドＦＥＴＱ１の部品温度Ｔｅａ１の前回値に基づいてＦＥＴのオン抵抗Ｒｆを推定する。そして、オン抵抗Ｒｆと、Ａ相電圧制御指令値のデューティ比Ｄａと、Ａ相電流Ｉ１ａｄと、電源電圧ＶＲＡと、ＦＥＴのスイッチング損失発生時間Ｔｓｗと、ボディーダイオード順方向電圧Ｖｄｓｆと、ボディーダイオード電流発生時間Ｔｄと、モータ駆動ＰＷＭ周波数ｆｐｗｍとに基づいて、ハイサイドＦＥＴＱ１における損失電力Ｗを演算する。
　なお、制御演算装置３１ｂの損失電力演算部７２は、電源電圧ＶＲＡに代えて電源電圧ＶＲＢを使用して損失電力Ｗを推定する。以下の説明においても同様である。

　なお、スイッチング損失発生時間Ｔｓｗは、ＦＥＴのターンオン時間とターンオフ時間の合計であり、ボディーダイオード電流発生時間Ｔｄは、ＦＥＴをオフした後にボディーダイオード（寄生ダイオード）に回生電流が流れる時間である。
　例えば損失電力演算部７２は、次式に基づいて損失電力Ｗを演算してよい。
　Ｗ＝Ｒｆ×Ｄａ×Ｉ１ａｄ^２＋（１／６）×ＶＲＡ×Ｉ１ａｄ×Ｔｓｗ×ｆｐｗｍ（ただしＩ１ａｄ≧０）
　Ｗ＝Ｒｆ×Ｄａ×Ｉ１ａｄ^２－Ｖｄｓｆ×Ｉ１ａｄ×Ｔｄ×ｆｐｗｍ（ただしＩ１ａｄ＜０）

　ゲイン乗算部７３は、損失電力Ｗと所定の換算ゲインＧ１との積（Ｇ１×Ｗ）を算出して第１ローパスフィルタ７４に出力する。第１ローパスフィルタ７４は、積（Ｇ１×Ｗ）にローパスフィルタ処理を行うことにより得られる信号を加算器７６に出力する。第２ローパスフィルタ７５は、温度検出回路４５Ａが出力するＥＣＵ３０の温度の検出信号ＳｄＡにローパスフィルタ処理を行うことにより得られる信号を基礎温度Ｔｔｈとして加算器７６に出力する。加算器７６は、第１ローパスフィルタ７４の出力と基礎温度Ｔｔｈとの和を、ハイサイドＦＥＴＱ１の部品温度Ｔｅａ１として算出する。
　なお、換算ゲインＧ１と、第１ローパスフィルタ７４の第１カットオフ周波数ｆｃ１及び第２ローパスフィルタ７５の第２カットオフ周波数ｆｃ２は、予めシミュレーションなどにより適宜設定してよい。

　ハイサイドＦＥＴ温度推定部６１ａ２及び６１ａ３と、ローサイドＦＥＴ温度推定部６１ｂ１～６１ｂ３と、シャント抵抗温度推定部６１ｃ１～６１ｃ３と、相遮断ＦＥＴ温度推定部６１ｄ１～６１ｄ３と、電源遮断ＦＥＴ温度推定部６１ｅ１及び６１ｅ２と、コンデンサ温度推定部６１ｆ１及び６１ｆ２と、及びコイル温度推定部６１ｇも、ハイサイドＦＥＴ温度推定部６１ａ１と同様の構成を備えてよい。
　ただし、これらの温度推定部とハイサイドＦＥＴ温度推定部６１ａ１とでは、ゲイン乗算部７３の換算ゲインＧ１と、第１ローパスフィルタ７４の第１カットオフ周波数ｆｃ１及び第２ローパスフィルタ７５の第２カットオフ周波数ｆｃ２と、損失電力演算部７２における損失電力Ｗの演算方法が異なる。

　例えば、ゲイン乗算部７３の換算ゲインＧ１と、第１ローパスフィルタ７４の第１カットオフ周波数ｆｃ１及び第２ローパスフィルタ７５の第２カットオフ周波数ｆｃ２は、異なる場所に配置された電子部品間で異なる値を設定してよい。これらの換算ゲインＧ１、第１カットオフ周波数ｆｃ１、第２カットオフ周波数ｆｃ２も、予めシミュレーションなどにより適宜設定してよい。
　また例えば、損失電力演算部７２における損失電力Ｗの演算方法は、発熱態様の異なる電子部品毎に異なる演算方法であってよい。

　例えば、ハイサイドＦＥＴ温度推定部６１ａ２の損失電力演算部７２は、前回の制御サイクルで演算したハイサイドＦＥＴＱ３の部品温度Ｔｅａ２の前回値に基づいてＦＥＴのオン抵抗Ｒｆを推定する。そして、オン抵抗Ｒｆと、Ｂ相電圧制御指令値のデューティ比Ｄｂと、Ｂ相電流Ｉ１ｂｄと、電源電圧ＶＲＡと、スイッチング損失発生時間Ｔｓｗと、ボディーダイオード順方向電圧Ｖｄｓｆと、ボディーダイオード電流発生時間Ｔｄと、モータ駆動ＰＷＭ周波数ｆｐｗｍとに基づいて、ハイサイドＦＥＴＱ３における損失電力Ｗを演算する。
　例えばハイサイドＦＥＴ温度推定部６１ａ２の損失電力演算部７２は、次式に基づいて損失電力Ｗを演算してよい。
　Ｗ＝Ｒｆ×Ｄｂ×Ｉ１ｂｄ^２＋（１／６）×ＶＲＡ×Ｉ１ｂｄ×Ｔｓｗ×ｆｐｗｍ（ただしＩ１ｂｄ≧０）
　Ｗ＝Ｒｆ×Ｄｂ×Ｉ１ｂｄ^２－Ｖｄｓｆ×Ｉ１ｂｄ×Ｔｄ×ｆｐｗｍ（ただしＩ１ｂｄ＜０）

　また例えば、ハイサイドＦＥＴ温度推定部６１ａ３の損失電力演算部７２は、前回の制御サイクルで演算したハイサイドＦＥＴＱ５の部品温度Ｔｅａ３の前回値に基づいてＦＥＴのオン抵抗Ｒｆを推定する。そして、オン抵抗Ｒｆと、Ｃ相電圧制御指令値のデューティ比Ｄｃと、Ｃ相電流Ｉ１ｃｄと、電源電圧ＶＲＡと、スイッチング損失発生時間Ｔｓｗと、ボディーダイオード順方向電圧Ｖｄｓｆと、ボディーダイオード電流発生時間Ｔｄと、モータ駆動ＰＷＭ周波数ｆｐｗｍとに基づいて、ハイサイドＦＥＴＱ５における損失電力Ｗを演算する。
　例えばハイサイドＦＥＴ温度推定部６１ａ３の損失電力演算部７２は、次式に基づいて損失電力Ｗを演算してよい。
　Ｗ＝Ｒｆ×Ｄｃ×Ｉ１ｃｄ^２＋（１／６）×ＶＲＡ×Ｉ１ｃｄ×Ｔｓｗ×ｆｐｗｍ（ただしＩ１ｃｄ≧０）
　Ｗ＝Ｒｆ×Ｄｃ×Ｉ１ｃｄ^２－Ｖｄｓｆ×Ｉ１ｃｄ×Ｔｄ×ｆｐｗｍ（ただしＩ１ｃｄ＜０）

　また例えば、ローサイドＦＥＴ温度推定部６１ｂ１の損失電力演算部７２は、前回の制御サイクルで演算したローサイドＦＥＴＱ２の部品温度Ｔｅｂ１の前回値に基づいてＦＥＴのオン抵抗Ｒｆを推定する。そして、オン抵抗Ｒｆと、Ａ相デューティ比Ｄａと、Ａ相電流Ｉ１ａｄと、電源電圧ＶＲＡと、スイッチング損失発生時間Ｔｓｗと、ボディーダイオード順方向電圧Ｖｄｓｆと、ボディーダイオード電流発生時間Ｔｄと、モータ駆動ＰＷＭ周波数ｆｐｗｍに基づいて、ローサイドＦＥＴＱ２における損失電力Ｗを演算する。
　例えばローサイドＦＥＴ温度推定部６１ｂ１の損失電力演算部７２は、次式に基づいて損失電力Ｗを演算してよい。
　Ｗ＝Ｒｆ×（１－Ｄａ）×Ｉ１ａｄ^２－（１／６）×ＶＲＡ×Ｉ１ａｄ×Ｔｓｗ×ｆｐｗｍ（ただしＩ１ａｄ≦０）
　Ｗ＝Ｒｆ×（１－Ｄａ）×Ｉ１ａｄ^２＋Ｖｄｓｆ×Ｉ１ａｄ×Ｔｄ×ｆｐｗｍ（ただしＩ１ａｄ＞０）

　また例えば、ローサイドＦＥＴ温度推定部６１ｂ２の損失電力演算部７２は、前回の制御サイクルで演算したローサイドＦＥＴＱ４の部品温度Ｔｅｂ２の前回値に基づいてＦＥＴのオン抵抗Ｒｆを推定する。そして、オン抵抗Ｒｆと、Ｂ相デューティ比Ｄｂと、Ｂ相電流Ｉ１ｂｄと、電源電圧ＶＲＡと、スイッチング損失発生時間Ｔｓｗと、ボディーダイオード順方向電圧Ｖｄｓｆと、ボディーダイオード電流発生時間Ｔｄと、モータ駆動ＰＷＭ周波数ｆｐｗｍに基づいて、ローサイドＦＥＴＱ４における損失電力Ｗを演算する。
　例えばローサイドＦＥＴ温度推定部６１ｂ２の損失電力演算部７２は、次式に基づいて損失電力Ｗを演算してよい。
　Ｗ＝Ｒｆ×（１－Ｄｂ）×Ｉ１ｂｄ^２－（１／６）×ＶＲＡ×Ｉ１ｂｄ×Ｔｓｗ×ｆｐｗｍ（ただしＩ１ｂｄ≦０）
　Ｗ＝Ｒｆ×（１－Ｄｂ）×Ｉ１ｂｄ^２＋Ｖｄｓｆ×Ｉ１ｂｄ×Ｔｄ×ｆｐｗｍ（ただしＩ１ｂｄ＞０）

　また例えば、ローサイドＦＥＴ温度推定部６１ｂ３の損失電力演算部７２は、前回の制御サイクルで演算したローサイドＦＥＴＱ６の部品温度Ｔｅｂ３の前回値に基づいてＦＥＴのオン抵抗Ｒｆを推定する。そして、オン抵抗Ｒｆと、Ｃ相デューティ比Ｄｃと、Ｃ相電流Ｉ１ｃｄと、電源電圧ＶＲＡと、スイッチング損失発生時間Ｔｓｗと、ボディーダイオード順方向電圧Ｖｄｓｆと、ボディーダイオード電流発生時間Ｔｄと、モータ駆動ＰＷＭ周波数ｆｐｗｍに基づいて、ローサイドＦＥＴＱ６における損失電力Ｗを演算する。
　例えばローサイドＦＥＴ温度推定部６１ｂ３の損失電力演算部７２は、次式に基づいて損失電力Ｗを演算してよい。
　Ｗ＝Ｒｆ×（１－Ｄｃ）×Ｉ１ｃｄ^２－（１／６）×ＶＲＡ×Ｉ１ｃｄ×Ｔｓｗ×ｆｐｗｍ（ただしＩ１ｃｄ≦０）
　Ｗ＝Ｒｆ×（１－Ｄｃ）×Ｉ１ｃｄ^２＋Ｖｄｓｆ×Ｉ１ｃｄ×Ｔｄ×ｆｐｗｍ（ただしＩ１ｃｄ＞０）

　また例えば、シャント抵抗温度推定部６１ｃ１の損失電力演算部７２は、前回の制御サイクルで演算した電流検出回路３９Ａ１のシャント抵抗の部品温度Ｔｅｃ１の前回値に基づいてシャント抵抗の抵抗値Ｒｓを推定する。そして、シャント抵抗Ｒｓと、Ａ相デューティ比Ｄａと、Ａ相電流Ｉ１ａｄに基づいて、電流検出回路３９Ａ１のシャント抵抗における損失電力Ｗを演算する。
　例えばシャント抵抗温度推定部６１ｃ１の損失電力演算部７２は、次式に基づいて損失電力Ｗを演算してよい。
　Ｗ＝Ｒｓ×（１－Ｄａ）×Ｉ１ａｄ^２

　また例えば、シャント抵抗温度推定部６１ｃ２の損失電力演算部７２は、前回の制御サイクルで演算した電流検出回路３９Ｂ１のシャント抵抗の部品温度Ｔｅｃ２の前回値に基づいてシャント抵抗の抵抗値Ｒｓを推定する。そして、シャント抵抗Ｒｓと、Ｂ相デューティ比Ｄｂと、Ｂ相電流Ｉ１ｂｄとに基づいて、電流検出回路３９Ｂ１のシャント抵抗における損失電力Ｗを演算する。
　例えばシャント抵抗温度推定部６１ｃ２の損失電力演算部７２は、次式に基づいて損失電力Ｗを演算してよい。
　Ｗ＝Ｒｓ×（１－Ｄｂ）×Ｉ１ｂｄ^２

　また例えば、シャント抵抗温度推定部６１ｃ３の損失電力演算部７２は、前回の制御サイクルで演算した電流検出回路３９Ｃ１のシャント抵抗の部品温度Ｔｅｃ３の前回値に基づいてシャント抵抗の抵抗値Ｒｓを推定する。そして、シャント抵抗Ｒｓと、Ｃ相デューティ比Ｄｃと、Ｃ相電流Ｉ１ｃｄとに基づいて、電流検出回路３９Ｃ１のシャント抵抗における損失電力Ｗを演算する。
　例えばシャント抵抗温度推定部６１ｃ３の損失電力演算部７２は、次式に基づいて損失電力Ｗを演算してよい。
　Ｗ＝Ｒｓ×（１－Ｄｃ）×Ｉ１ｃｄ^２

　また例えば、相遮断ＦＥＴ温度推定部６１ｄ１の損失電力演算部７２は、前回の制御サイクルで演算した相遮断ＦＥＴＱＡ１の部品温度Ｔｅｄ１の前回値に基づいてＦＥＴのオン抵抗Ｒｆを推定する。そして、オン抵抗Ｒｆと、Ａ相電流Ｉ１ａｄとに基づいて、相遮断ＦＥＴＱＡ１における損失電力Ｗを演算する。
　例えば相遮断ＦＥＴ温度推定部６１ｄ１の損失電力演算部７２は、次式に基づいて損失電力Ｗを演算してよい。
　Ｗ＝Ｒｆ×Ｉ１ａｄ^２

　また例えば、相遮断ＦＥＴ温度推定部６１ｄ２の損失電力演算部７２は、前回の制御サイクルで演算した相遮断ＦＥＴＱＡ２の部品温度Ｔｅｄ２の前回値に基づいてＦＥＴのオン抵抗Ｒｆを推定する。そして、オン抵抗Ｒｆと、Ｂ相電流Ｉ１ｂｄとに基づいて、相遮断ＦＥＴＱＡ２における損失電力Ｗを演算する。
　例えば相遮断ＦＥＴ温度推定部６１ｄ２の損失電力演算部７２は、次式に基づいて損失電力Ｗを演算してよい。
　Ｗ＝Ｒｆ×Ｉ１ｂｄ^２

　また例えば、相遮断ＦＥＴ温度推定部６１ｄ３の損失電力演算部７２は、前回の制御サイクルで演算した相遮断ＦＥＴＱＡ３の部品温度Ｔｅｄ３の前回値に基づいてＦＥＴのオン抵抗Ｒｆを推定する。そして、オン抵抗Ｒｆと、Ｃ相電流Ｉ１ｃｄとに基づいて、相遮断ＦＥＴＱＡ３における損失電力Ｗを演算する。
　例えば相遮断ＦＥＴ温度推定部６１ｄ３の損失電力演算部７２は、次式に基づいて損失電力Ｗを演算してよい。
　Ｗ＝Ｒｆ×Ｉ１ｃｄ^２

　また例えば、電源遮断ＦＥＴ温度推定部６１ｅ１及び６１ｅ２の損失電力演算部７２は、前回の制御サイクルで演算した電源遮断ＦＥＴＱＣ１及びＱＣ２の部品温度Ｔｅｅ１及びＴｅｅ２の前回値に基づいて電源遮断ＦＥＴＱＣ１及びＱＣ２のオン抵抗Ｒｆを推定する。そして、オン抵抗Ｒｆと、バッテリ電流Ｉｂａｔ１とに基づいて、電源遮断ＦＥＴＱＣ１及びＱＣ２におけるそれぞれの損失電力Ｗを演算する。
　例えば電源遮断ＦＥＴ温度推定部６１ｅ１及び６１ｅ２の損失電力演算部７２は、次式に基づいて損失電力Ｗを演算してよい。
　Ｗ＝Ｒｆ×Ｉｂａｔ１^２

　また例えば、コンデンサ温度推定部６１ｆ１及び６１ｆ２は、前回の制御サイクルで演算した第１電力変換回路４２Ａの電解コンデンサＣＡ１、ＣＡ２の部品温度Ｔｅｆ１、Ｔｅｆ２の前回値に基づいて電解コンデンサＣＡ１及びＣＡ２の等価直列抵抗（ＥＳＲ：Equivalent Series Resistance）Ｒｅｓｒをそれぞれ推定する。そして、等価直列抵抗Ｒｅｓｒと、３相／２相変換部５６が算出したｄ軸電流ｉｄ及びｑ軸電流ｉｑに基づいて、電解コンデンサＣＡ１及びＣＡ２におけるそれぞれの損失電力Ｗを演算する。
　例えばコンデンサ温度推定部６１ｆ１及び６１ｆ２の損失電力演算部７２は、次式に基づいて損失電力Ｗを演算してよい。
　Ｗ＝Ｒｆ×（Ｉｄ^２＋Ｉｑ^２）

　またコイル温度推定部６１ｇは、前回の制御サイクルで演算したコイル温度Ｔｅｇの前回値に基づいてノイズフィルタ回路のチョークコイルＬａの直流抵抗Ｒｄｃを推定する。そして、直流抵抗Ｒｄｃと、バッテリ電流Ｉｂａｔ１及びＩｂａｔ２とに基づいて、チョークコイルＬａにおける損失電力Ｗを演算する。
　例えばコイル温度推定部６１ｇの損失電力演算部７２は、次式に基づいて損失電力Ｗを演算してよい。
　Ｗ＝Ｒｄｃ×（Ｉｂａｔ１＋Ｉｂａｔ２）^２
　なお、第２系統コイルの駆動が禁止されている場合には、バッテリ電流Ｉｂａｔ２を０［Ａ］として損失電力Ｗを演算してよい。また、通信回線３５の異常等の理由によりバッテリ電流Ｉｂａｔ２のデータを制御演算装置３１ｂから取得できない場合には、バッテリ電流Ｉｂａｔ２の値をバッテリ電流Ｉｂａｔ１の値で置き換えてもよい。

　図６を参照する。選択器６２ａは、ハイサイドＦＥＴ温度推定部６１ａ１～６１ａ３が推定したハイサイドＦＥＴＱ１、Ｑ３及びＱ５の部品温度Ｔｅａ１～Ｔｅａ３のうちいずれかを、ハイサイドＦＥＴ温度Ｔｅａとして選択する。例えば選択器６２ａは、部品温度Ｔｅａ１～Ｔｅａ３のうち最も高い温度をハイサイドＦＥＴ温度Ｔｅａとして選択してよい。
　選択器６２ｂは、ローサイドＦＥＴ温度推定部６１ｂ１～６１ｂ３が推定したローサイドＦＥＴＱ２、Ｑ４及びＱ６の部品温度Ｔｅｂ１～Ｔｅｂ３のうちいずれかを、ローサイドＦＥＴ温度Ｔｅｂとして選択する。例えば選択器６２ｂは、部品温度Ｔｅｂ１～Ｔｅｂ３のうち最も高い温度をローサイドＦＥＴ温度Ｔｅｂとして選択してよい。

　選択器６２ｃは、シャント抵抗温度推定部６１ｃ１～６１ｃ３が推定したシャント抵抗の部品温度Ｔｅｃ１～Ｔｅｃ３のうちいずれかを、シャント抵抗温度Ｔｅｃとして選択する。例えば選択器６２ｃは、部品温度Ｔｅｃ１～Ｔｅｃ３のうち最も高い温度をシャント抵抗温度Ｔｅｃとして選択してよい。
　選択器６２ｄは、相遮断ＦＥＴ温度推定部６１ｄ１～６１ｄ３が推定した相遮断ＦＥＴＱＡ１、ＱＡ２、ＱＡ３の部品温度Ｔｅｄ１～Ｔｅｄ３のうちのいずれかを、相遮断ＦＥＴ温度Ｔｅｄとして選択する。例えば選択器６２ｄは、部品温度Ｔｅｄ１～Ｔｅｄ３のうち最も高い温度を相遮断ＦＥＴ温度Ｔｅｄとして選択してよい。
　選択器６２ｅは、電源遮断ＦＥＴ温度推定部６１ｅ１及び６１ｅ２が推定した電源遮断ＦＥＴＱＣ１及びＱＣ２の部品温度Ｔｅｅ１及びＴｅｅ２のうちのいずれかを、電源遮断ＦＥＴ温度Ｔｅｅとして選択する。選択器６２ｅは、部品温度Ｔｅｅ１及びＴｅｅ２のうちのいずれかより高い温度を電源遮断ＦＥＴ温度Ｔｅｅとして選択してよい。
　選択器６２ｆは、コンデンサ温度推定部６１ｆ１、６１ｆ２が推定した電解コンデンサＣＡ１、ＣＡ２の部品温度Ｔｅｆ１、Ｔｅｆ２のうちいずれかを、コンデンサ温度Ｔｅｆとして選択する。例えば選択器６２ｆは、部品温度Ｔｅｆ１、Ｔｅｆ２のうちいずれかより高い温度をコンデンサ温度Ｔｅｆとして選択してよい。

　ハイサイドＦＥＴ低減係数設定部６３ａは、ハイサイドＦＥＴ温度Ｔｅａに基づいて、第１系統コイルを駆動する電流を制限するための低減係数であるハイサイドＦＥＴ低減係数Ｋａを設定する。
　図８は、ハイサイドＦＥＴ低減係数設定部６３ａにより設定されるハイサイドＦＥＴ低減係数Ｋａの特性を示す特性マップの一例の模式図である。ハイサイドＦＥＴ低減係数設定部６３ａは、ハイサイドＦＥＴ温度Ｔｅａが第１温度Ｔ１よりも低い場合にハイサイドＦＥＴ低減係数Ｋａを最大値Ｋｍａｘに設定する。最大値Ｋｍａｘは例えば０［％］よりも大きく１００［％］以下の値であってよい。

　ハイサイドＦＥＴ低減係数設定部６３ａは、ハイサイドＦＥＴ低減係数Ｋａにヒステリシス特性を持たせるために、ハイサイドＦＥＴ低減係数Ｋａが最大値Ｋｍａｘを有する状態では、ハイサイドＦＥＴ温度Ｔｅａが第１温度Ｔ１よりも高い第２温度Ｔ２より低い限り、ハイサイドＦＥＴ低減係数Ｋａを最大値Ｋｍａｘに設定する。
　ハイサイドＦＥＴ低減係数Ｋａが最大値Ｋｍａｘを有する状態でハイサイドＦＥＴ温度Ｔｅａが第２温度Ｔ２を超えると、ハイサイドＦＥＴ低減係数設定部６３ａは、ハイサイドＦＥＴ温度Ｔｅａが第２温度Ｔ２よりも高い第３温度Ｔ３に至るまでハイサイドＦＥＴ低減係数Ｋａを最大値Ｋｍａｘから最小値Ｋｍｉｎまで低減させる。最小値Ｋｍｉｎは例えば１００［％］よりも小さく０［％］以上の値であってよい。ハイサイドＦＥＴ温度Ｔｅａが第３温度Ｔ３よりも高い場合に、ハイサイドＦＥＴ低減係数設定部６３ａはハイサイドＦＥＴ低減係数Ｋａを最小値Ｋｍｉｎに設定する。

　ハイサイドＦＥＴ低減係数Ｋａが最小値Ｋｍｉｎを有する状態では、ハイサイドＦＥＴ低減係数設定部６３ａは、ハイサイドＦＥＴ温度Ｔｅａが第３温度Ｔ３よりも低い第４温度Ｔ４より高い限り、ハイサイドＦＥＴ低減係数Ｋａを最小値Ｋｍｉｎに設定する。ハイサイドＦＥＴ低減係数Ｋａが最小値Ｋｍｉｎを有する状態でハイサイドＦＥＴ温度Ｔｅａが第４温度Ｔ４未満になると、ハイサイドＦＥＴ低減係数設定部６３ａは、ハイサイドＦＥＴ温度Ｔｅａが第１温度Ｔ１に至るまで、ハイサイドＦＥＴ低減係数Ｋａを最小値Ｋｍｉｎから最大値Ｋｍａｘまで増加させる。

　ハイサイドＦＥＴＱ１の電子部品としての定格温度Ｔｎから第３温度Ｔ３までの差分であるマージン幅ΔＴ３と、第１温度Ｔ１と第４温度Ｔ４との間の差分である低減幅ΔＴ４と、第２温度Ｔ２と第３温度Ｔ３との間の差分である低減幅ΔＴ２と、第１温度Ｔ１と第２温度Ｔ２との間の差分であるヒステリシス幅ΔＴ１は、予めシミュレーションなどにより適宜設定してよい。定格温度Ｔｎは、使用されるハイサイドＦＥＴＱ１に応じて適宜設定してよい。なお、低減幅ΔＴ２と低減幅ΔＴ４を同じ値に設定してもよく、低減幅ΔＴ２と低減幅ΔＴ４とを異なる値に設定してもよい。例えば低減幅ΔＴ４を低減幅ΔＴ２よりも小さく設定することにより、高温側におけるヒステリシス幅をより大きくしてもよい。

　図６を参照する。ローサイドＦＥＴ低減係数設定部６３ｂは、ローサイドＦＥＴ温度Ｔｅｂに基づいて、第１系統コイルを駆動する電流を制限するためのローサイドＦＥＴ低減係数Ｋｂを設定する。シャント抵抗低減係数設定部６３ｃは、シャント抵抗温度Ｔｅｃに基づいて、第１系統コイルを駆動する電流を制限するためのシャント低減係数Ｋｃを設定する。相遮断ＦＥＴ低減係数設定部６３ｄは、相遮断ＦＥＴ温度Ｔｅｄに基づいて、第１系統コイルを駆動する電流を制限するための相遮断ＦＥＴ低減係数Ｋｄを設定する。

　電源遮断ＦＥＴ低減係数設定部６３ｅは、電源遮断ＦＥＴ温度Ｔｅｅに基づいて、第１系統コイルを駆動する電流を制限するための電源遮断ＦＥＴ低減係数Ｋｅを設定する。コンデンサ低減係数設定部６３ｆは、コンデンサ温度Ｔｅｆに基づいて、第１系統コイルを駆動する電流を制限するためのコンデンサ低減係数Ｋｆを設定する。コイル低減係数設定部６３ｇは、コイル温度Ｔｅｇに基づいて、第１系統コイルを駆動する電流を制限するためのコイル低減係数Ｋｇを設定する。

　ローサイドＦＥＴ低減係数設定部６３ｂ、シャント抵抗低減係数設定部６３ｃ、相遮断ＦＥＴ低減係数設定部６３ｄ、電源遮断ＦＥＴ低減係数設定部６３ｅ、コンデンサ低減係数設定部６３ｆ、コイル低減係数設定部６３ｇは、図８に示す特性マップと同様の特性を有するローサイドＦＥＴ低減係数Ｋｂ、シャント低減係数Ｋｃ、相遮断ＦＥＴ低減係数Ｋｄ、電源遮断ＦＥＴ低減係数Ｋｅ、コンデンサ低減係数Ｋｆ、コイル低減係数Ｋｇを設定してよい。

　図８に示す特性マップにおける定格温度Ｔｎ、ヒステリシス幅ΔＴ１、低減幅ΔＴ２及びΔＴ４並びにマージン幅ΔＴ３の少なくとも１つを、異なる種類の電子部品間で異なる値に設定してもよい。すなわち、第１温度Ｔ１～第４温度Ｔ４の少なくとも１つを、異なる種類の電子部品間で異なる値に設定してもよい。
　例えば、定格温度Ｔｎ、ヒステリシス幅ΔＴ１、低減幅ΔＴ２及びΔＴ４並びにマージン幅ΔＴ３の少なくとも１つを、ＦＥＴ（ハイサイドＦＥＴＱ１、Ｑ３、Ｑ５、ローサイドＦＥＴＱ２、Ｑ４、Ｑ６、相遮断ＦＥＴＱＡ１～ＱＡ３、電源遮断ＦＥＴＱＣ１及びＱＣ２）と、抵抗（シャント抵抗）と、コンデンサ（電解コンデンサＣＡ１、ＣＡ２）と、コイル（チョークコイルＬｐ）の間で異なる値に設定してもよい。これらヒステリシス幅ΔＴ１、低減幅ΔＴ２及びΔＴ４並びにマージン幅ΔＴ３は、例えば予めシミュレーションなどにより適宜設定してよい。定格温度Ｔｎは、使用される電子部品に応じて適宜設定してよい。

　選択器６４は、ハイサイドＦＥＴ低減係数Ｋａ、ローサイドＦＥＴ低減係数Ｋｂ、シャント低減係数Ｋｃ、相遮断ＦＥＴ低減係数Ｋｄ、電源遮断ＦＥＴ低減係数Ｋｅ、コンデンサ低減係数Ｋｆ及びコイル低減係数Ｋｇのうちいずれか１つを部品低減係数Ｋ１として選択する。例えば選択器６４は、上記の低減係数Ｋａ～Ｋｇのうち最も小さな係数を部品低減係数Ｋ１として選択してよい。

　図９（ａ）～図９（ｃ）は、部品低減係数Ｋ１の設定動作の一例の模式図である。ここでは説明の簡単のため、ローサイドＦＥＴ低減係数Ｋｂ、シャント低減係数Ｋｃ、相遮断ＦＥＴ低減係数Ｋｄ、電源遮断ＦＥＴ低減係数Ｋｅ、コンデンサ低減係数Ｋｆが最大値Ｋｍａｘに固定されている場合を想定する。また、選択器６４が低減係数Ｋａ～Ｋｇのうち最も小さな係数を部品低減係数Ｋ１として選択する場合を想定する。

　図９（ａ）に示すようにハイサイドＦＥＴ低減係数Ｋａは、時刻ｔ０から時刻ｔ３までの期間は最大値Ｋｍａｘに設定されており、時刻ｔ３において減少を開始し、時刻ｔ４、時刻ｔ５及び時刻ｔ６においてそれぞれ値Ｋ１１、Ｋ１３、Ｋ１５まで減少する。
　一方で図９（ｂ）に示すようにコイル低減係数Ｋｇは、時刻ｔ０から時刻ｔ１までの期間は最大値Ｋｍａｘに設定されており、時刻ｔ１において減少を開始し、時刻ｔ３よりも早い時刻ｔ２において値Ｋ１２まで減少する。値Ｋ１２は、値Ｋ１１より小さく値Ｋ１３より大きい。その後、コイル低減係数Ｋｇは、時刻ｔ２から時刻ｔ４までの期間は値Ｋ１２に設定され、その後に時刻ｔ５及び時刻ｔ６においてそれぞれＫ１３、Ｋ１４まで低下する。値Ｋ１４は、値Ｋ１３より小さく値Ｋ１５よりも大きい。

　選択器６４がハイサイドＦＥＴ低減係数Ｋａ及びコイル低減係数Ｋｇのうち小さい方を部品低減係数Ｋ１として選択すると、選択器６４は、時刻ｔ０から時刻ｔ１まで期間は部品低減係数Ｋ１を最大値Ｋｍａｘに設定し、時刻ｔ１から時刻ｔ５までの期間は、コイル低減係数Ｋｇを部品低減係数Ｋ１として選択し、時刻ｔ５以降は、ハイサイドＦＥＴ低減係数Ｋａを部品低減係数Ｋ１として選択する。
　この結果、部品低減係数Ｋ１は、時刻ｔ０から時刻ｔ１までの期間は最大値Ｋｍａｘに設定されており、時刻ｔ１において減少を開始し、時刻ｔ２において値Ｋ１２まで減少する。時刻ｔ２から時刻ｔ４までの期間は値Ｋ１２に設定され、その後に時刻ｔ５及び時刻ｔ６においてそれぞれＫ１３、Ｋ１５まで低下する。

　図５を参照する。第２低減係数設定部７０は、温度検出回路４５Ａが出力する検出信号ＳｄＡに基づいてＥＣＵ温度を推定する。また、Ａ相電流、Ｂ相電流、Ｃ相電流の検出値Ｉ１ａｄ、Ｉ１ｂｄ、Ｉ１ｃｄに基づいて、モータ電流によるモータ２０における温度（例えば第１系統コイルの巻き線の温度）の上昇値を推定し、ＥＣＵ温度と上昇値の和をモータ温度として推定する。

　第２低減係数設定部７０は、ＥＣＵ温度に基づいてＥＣＵ低減係数Ｋ２を設定する。例えば第２低減係数設定部７０は、ＥＣＵ温度の変化に対して図８に示す特性マップと同様の特性を有するＥＣＵ低減係数Ｋ２を設定してよい。
　また第２低減係数設定部７０は、モータ温度に基づいてモータ低減係数Ｋ３を設定する。例えば第２低減係数設定部７０は、モータ温度の変化に対して図８に示す特性マップと同様の特性を有するモータ低減係数Ｋ３を設定してよい。

　第３低減係数設定部７１は、バッテリ１３の出力端子間の電圧であるバッテリ電圧Ｖｂａｔ１に基づいてバッテリ低減係数Ｋ４を設定する。図１０は、第３低減係数設定部７１により設定されるバッテリ低減係数Ｋ４の特性マップの一例の模式図である。第３低減係数設定部７１は、バッテリ電圧Ｖｂａｔ１が第１電圧Ｖ１よりも低い場合にバッテリ低減係数Ｋ４を最小値Ｋ４ｍｉｎに設定する。最小値Ｋ４ｍｉｎは例えば１００［％］よりも小さく０［％］以上の値であってよい。

　バッテリ電圧Ｖｂａｔ１が第１電圧Ｖ１から第２電圧Ｖ２までの範囲にある場合、第３低減係数設定部７１は、バッテリ電圧Ｖｂａｔ１が高いほど大きなバッテリ低減係数Ｋ４を設定し、バッテリ電圧Ｖｂａｔ１が第２電圧Ｖ２に至ると、バッテリ低減係数Ｋ４を最大値Ｋ４ｍａｘに設定する。最大値Ｋ４ｍａｘは例えば０［％］よりも大きく１００［％］以下の値であってよい。
　バッテリ電圧Ｖｂａｔ１が第２電圧Ｖ２から第３電圧Ｖ３までの範囲にある場合、第３低減係数設定部７１は、バッテリ低減係数Ｋ４を最大値Ｋ４ｍａｘに設定する。

　バッテリ電圧Ｖｂａｔ１が第３電圧Ｖ３から第４電圧Ｖ４までの範囲にある場合、第３低減係数設定部７１は、バッテリ電圧Ｖｂａｔ１が高いほど小さなバッテリ低減係数Ｋ４を設定し、バッテリ電圧Ｖｂａｔ１が第４電圧Ｖ４に至ると、バッテリ低減係数Ｋ４を最小値Ｋ４ｍｉｎに設定する。
　第３低減係数設定部７１は、バッテリ電圧Ｖｂａｔ１が第４電圧Ｖ４よりも高い場合にバッテリ低減係数Ｋ４を最小値Ｋ４ｍｉｎに設定する。

　図５を参照する。電流制限部５１は、部品低減係数Ｋ１と、ＥＣＵ低減係数Ｋ２と、モータ低減係数Ｋ３と、バッテリ低減係数Ｋ４とに基づいて、ｑ軸電流指令値Ｉｑ０及びｄ軸電流指令値Ｉｄ０を制限し、制限後のｑ軸電流指令値Ｉｑ１及びｄ軸電流指令値Ｉｄ１を出力する。
　例えば、電流制限部５１は、部品低減係数Ｋ１と、ＥＣＵ低減係数Ｋ２と、モータ低減係数Ｋ３と、バッテリ低減係数Ｋ４のうち最小の係数を低減係数Ｋとして選択し、低減係数Ｋに基づいてｑ軸電流指令値Ｉｑ０及びｄ軸電流指令値Ｉｄ０を制限してよい。例えば、低減係数Ｋが小さいほど制限後のｑ軸電流指令値Ｉｑ１とｄ軸電流指令値Ｉｄ１が小さくなるようにｑ軸電流指令値Ｉｑ０及びｄ軸電流指令値Ｉｄ０を制限してよい。例えば、ｑ軸電流指令値Ｉｑ０及びｄ軸電流指令値Ｉｄ０の各々に低減係数Ｋを乗じた積を、制限後のｑ軸電流指令値Ｉｑ１＝Ｋ×Ｉｑ０及びｄ軸電流指令値Ｉｄ１＝Ｋ×Ｉｄ０として算出してよい。

　（動作）
　図１１は、制御演算装置３１ａにおける処理の一例のフローチャートである。
　ステップＳ１において第１低減係数設定部６０と第２低減係数設定部７０は、温度検出回路４５Ａの検出信号ＳｄＡを取得する。
　ステップＳ２において電流検出回路３９Ａ１、３９Ｂ１及び３９Ｃ１は、第１系統コイルのＡ相電流Ｉ１ａｄ、Ｂ相電流Ｉ１ｂｄ、Ｃ相電流Ｉ１ｃｄを検出する。
　ステップＳ３において電圧検出回路３４Ａは、第１電力変換回路４２Ａの電源電圧ＶＲＡを検出する。

　ステップＳ４において制御演算装置３１ａは、Ａ相電流Ｉ１ａｄ、Ｂ相電流Ｉ１ｂｄ、Ｃ相電流Ｉ１ｃｄに基づいて、バッテリ１３から第１系統コイルに流れるバッテリ電流Ｉｂａｔ１を算出する。また、バッテリ１３から第２系統コイルに流れるバッテリ電流Ｉｂａｔ２を制御演算装置３１ｂから受信する。
　ステップＳ５において第１低減係数設定部６０は、Ａ相電流Ｉ１ａｄ、Ｂ相電流Ｉ１ｂｄ、Ｃ相電流Ｉ１ｃｄ、バッテリ電流Ｉｂａｔ１、Ｉｂａｔ２、電源電圧ＶＲＡに基づいて、第１電流制御回路４０Ａを構成する複数の電子部品の各々における損失電力Ｗを推定する。

　ステップＳ６において第１低減係数設定部６０は、損失電力Ｗと検出信号ＳｄＡに基づいて、第１電流制御回路４０Ａを構成する複数の電子部品の各々の部品温度を推定する。
　ステップＳ７において第２低減係数設定部７０は、検出信号ＳｄＡに基づいてＥＣＵ温度を推定する。また、Ａ相電流Ｉ１ａｄ、Ｂ相電流Ｉ１ｂｄ、Ｃ相電流Ｉ１ｃｄ、ＥＣＵ温度に基づいてモータ温度を推定する。
　ステップＳ８において第１低減係数設定部６０は、推定した複数の電子部品毎の部品温度に基づいて部品低減係数Ｋ１を設定する。

　ステップＳ９において第２低減係数設定部７０は、推定したＥＣＵ温度に基づいてＥＣＵ低減係数Ｋ２を設定する。
　ステップＳ１０において第２低減係数設定部７０は、推定したモータ温度に基づいてモータ低減係数Ｋ３を設定する。
　ステップＳ１１において第３低減係数設定部７１は、バッテリ１３の出力端子間の電圧であるバッテリ電圧Ｖｂａｔ１に基づいてバッテリ低減係数Ｋ４を設定する。

　ステップＳ１２において電流制限部５１は、部品低減係数Ｋ１と、ＥＣＵ低減係数Ｋ２と、モータ低減係数Ｋ３と、バッテリ低減係数Ｋ４とに基づいて、第１系統コイルの駆動電流を制限する。その後に処理は終了する。
　なお、制御演算装置３１ｂの構成及び処理は、上記の制御演算装置３１ａの構成及び処理と同様であり、上記説明において「温度検出回路４５Ａ」を「温度検出回路４５Ｂ」と読み替え、「検出信号ＳｄＡ、ＳｄＡ１、ＳｄＡ２」を「検出信号ＳｄＢ、ＳｄＢ１、ＳｄＢ２」と読み替え、「第１系統コイル」を「第２系統コイル」と読み替え、「Ａ相電流Ｉ１ａｄ、Ｂ相電流Ｉ１ｂｄ、Ｃ相電流Ｉ１ｃｄ」を「Ａ相電流Ｉ２ａｄ、Ｂ相電流Ｉ２ｂｄ、Ｃ相電流Ｉ２ｃｄ」と読み替え、「制御演算装置３１ａ」を「制御演算装置３１ｂ」と読み替え、「バッテリ電流Ｉｂａｔ１」を「バッテリ電流Ｉｂａｔ２」と読み替え、「制御演算装置３１ｂ」を「制御演算装置３１ａ」と読み替え、「電圧検出回路３４Ａ」を「電圧検出回路３４Ｂ」と読み替え、「第１電力変換回路４２Ａ」を「第２電力変換回路４２Ｂ」と読み替え、「電源電圧ＶＲＡ」を「電源電圧ＶＲＢ」と読み替える。

　（第１実施形態の効果）
　（１）第１実施形態の電流制御装置は、複数の電子部品を含む電流制御回路と、電流制御回路の付近に配置された温度検出素子を有する温度検出回路と、複数の電子部品の各々に流れる電流値を検出又は推定する電流検出部と、電流検出部が検出又は推定した電流値と、温度検出回路が検出した検出温度と、に基づいて、電子部品の温度である部品温度を複数の電子部品毎に推定する部品温度推定部と、複数の電子部品毎に推定された部品温度に含まれる複数の異なる部品温度に対して複数の異なる低減係数をそれぞれ設定する低減係数設定部と、複数の低減係数のいずれか１つを選択する選択部と、選択された低減係数に基づいて電流制御回路から負荷に出力される出力電流を制限する電流制限部と、を備える。

　これにより、電流制御回路に含まれている複数の電子部品のうち熱破損し易い部品の過熱を抑制できる。例えば、電流制御回路における通電パターンが変化することにより発熱量が大きな部品が変わっても、発熱量の増加により熱破損し易くなった部品に応じて低減係数を設定できる。また、各部品の特性（例えば定格電圧など）と部品温度に応じて、熱破損し易い部品に応じて低減係数を設定できる。また、個々の部品の必要に応じて低減係数を設定することにより、駆動電流の過度な制限を抑制することができる。

　（２）複数の電子部品は、発熱態様の異なる電子部品を含んでよい。部品温度推定部は、電子部品の抵抗値と、電子部品に流れる電流の電流値及び通電時間（例えば通電デューティ比）と、温度検出回路が検出した検出温度と、に基づいて、発熱態様の異なる電子部品の各々の部品温度を推定してよい。
　これにより個々の電子部品の発熱態様に応じて部品温度を個別に推定できる。

　（３）複数の電子部品は、複数の異なる種類の電子部品を含んでよい。低減係数設定部は、電子部品の種類毎に１つの低減係数を設定してもよい。
　同じ種類の複数の電子部品をまとめて低減係数を設定することにより、複数の電子部品毎に部品温度を推定した際の低減係数の設定処理に要する計算負荷を低減できる。

　（４）複数の異なる種類の電子部品のうち少なくとも１つの種類の電子部品は、電流制御回路の異なる場所に配置された複数の電子部品を含んでよい。電流制御装置は、異なる場所に配置された複数の電子部品の各々について推定された部品温度のうちいずれか１つを選択する第２の選択部を含んでよい。低減係数設定部は、第２の選択部によって選択された部品温度に基づいて少なくとも１つの種類の電子部品の低減係数を設定してよい。
　このように部品の種類や配置場所に基づいて電子部品をグループ化して、グループ毎に低減係数を設定することにより、複数の電子部品毎に部品温度を推定した際の低減係数の設定処理に要する計算負荷を低減できる。

　（５）部品温度推定部は、複数の電子部品毎に、電子部品において発生する損失電力を推定してよい。部品温度推定部は、損失電力と所定ゲインとの積を第１ローパスフィルタ処理して得られた値と、温度検出回路が検出した検出温度を第２ローパスフィルタ処理して得られた値と、の和に基づいて、複数の電子部品毎に部品温度を推定してよい。
　損失電力を第１ローパスフィルタ処理して得られた値に基づいて部品温度を推定することにより、部品温度を精度良く推定できる。また、温度検出回路が検出した検出温度に第２ローパスフィルタ処理を施すことにより、個々の電子部品の近傍の周囲温度の推定値を取得できる。電子部品がヒートシンクに熱接続されている場合には電子部品の近傍のヒートシンク温度を取得できる。
　図１２は、第２ローパスフィルタ処理の効果を説明するための模式図である。参照符号１００、１０１、１０２は、回路基板３６に設けられた電子部品を模式的に示す。部品温度推定部は、電子部品１００～１０２の各々の損失電力による変化温度を周囲温度に加算することにより電子部品１００～１０２の個々の温度を推定する。このため、電子部品１００、１０１の部品温度の推定の際に周囲温度として温度検出回路の検出値をそのまま使用すると、温度検出回路の温度センサ４５Ａ１及び温度センサ４５Ａ２の近くに配置されている他の電子部品１０２の発熱の影響を受けて、電子部品１００、１０１の周囲の部品温度を適切に推定できない。そこで温度検出回路が検出した検出温度に第２ローパスフィルタ処理を施すことにより、温度センサ４５Ａ１及び温度センサ４５Ａ２の付近の電子部品１０２の発熱の影響を抑制することにより、個々の電子部品の近傍の周囲温度を精度良く推定できる。

　（６）複数の電子部品は、電流制御回路の異なる場所に配置された電子部品を含んでよい。上記の所定ゲイン、第１ローパスフィルタ処理のカットオフ周波数及び第２ローパスフィルタ処理のカットオフ周波数の少なくとも１つを、異なる場所に配置された電子部品間で異なる値に設定してよい。
　これにより、電子部品が配置されている場所に応じて部品温度を個別に推定できる。例えば図１２に示すように、温度センサ４５Ａ１及び温度センサ４５Ａ２と個々の電子部品１００～１０２との間の距離は電子部品１００～１０２によって異なるため、第２ローパスフィルタ処理のカットオフ周波数を、電子部品間で異なる値に設定することにより、温度センサと電子部品との間の距離の違いの影響を抑制できる。

　（７）電流制限部は、低減係数が小さいほど電流制御回路から負荷に出力される出力電流が小さくなるように出力電流を制限してよい。低減係数設定部は、部品温度が第１温度よりも低い場合に低減係数を最大値に設定し、低減係数が最大値を有する状態で部品温度が第１温度よりも高い第２温度を超えると部品温度が第２温度よりも高い第３温度に至るまで低減係数を最大値から最小値まで低減させ、部品温度が第３温度よりも高い場合に低減係数を最小値に設定し、低減係数が最小値を有する状態で部品温度が第３温度よりも低い第４温度未満になると、部品温度が第１温度に至るまで、低減係数を最小値から最大値まで増加させてよい。複数の電子部品は、発熱態様の異なる電子部品を含んでもよく、第１温度、第２温度、第３温度及び第４温度の少なくとも１つを、発熱態様の異なる電子部品間で異なる値に設定してよい。
　これにより、電子部品の発熱態様に応じて低減係数を個別に設定できる。

　（８）電流制御装置は、電流制御回路からの発熱を放熱するヒートシンクを備えてもよい。温度検出素子がヒートシンクに熱的に結合されていてもよい。
　これにより、電流制御回路の電子部品の全体の温度を温度検出素子で検出し易くなる。

　（第２実施形態）
　第１実施形態では、異なる場所にそれぞれ配置された同じ種類の複数の電子部品の各々について推定された部品温度のいずれか１つを選択し、選択された部品温度に基づいてこれらの電子部品の低減係数を設定する。例えば、ハイサイドＦＥＴ温度推定部６１ａ１～６１ａ３が推定したハイサイドＦＥＴＱ１、Ｑ３及びＱ５の部品温度Ｔｅａ１～Ｔｅａ３のいずれかをハイサイドＦＥＴ温度Ｔｅａとして選択し、ハイサイドＦＥＴ温度Ｔｅａに基づいてハイサイドＦＥＴ低減係数Ｋａを設定した。

　第２実施形態では、異なる場所にそれぞれ配置された同じ種類の複数の電子部品に対して、複数の異なる低減係数をそれぞれ設定する。例えば、ハイサイドＦＥＴＱ１、Ｑ３及びＱ５の部品温度Ｔｅａ１～Ｔｅａ３のそれぞれに基づいて、複数のハイサイドＦＥＴ低減係数Ｋａ１～Ｋａ３を設定してよい。同様にローサイドＦＥＴＱ２、Ｑ４及びＱ６、シャント抵抗、相遮断ＦＥＴＱＡ１～ＱＡ３、電源遮断ＦＥＴＱＣ１及びＱＣ２、電解コンデンサＣＡ１、ＣＡ２についても、それぞれ複数のローサイドＦＥＴ低減係数Ｋｂ１～Ｋｂ３、シャント低減係数Ｋｃ１～Ｋｃ３、相遮断ＦＥＴ低減係数Ｋｄ１～Ｋｄ３、電源遮断ＦＥＴ低減係数Ｋｅ１及びＫｅ２、コンデンサ低減係数Ｋｆ１及びＫｆ２を設定してよい。

　そして、ハイサイドＦＥＴ低減係数Ｋａ１～Ｋａ３、ローサイドＦＥＴ低減係数Ｋｂ１～Ｋｂ３、シャント低減係数Ｋｃ１～Ｋｃ３、相遮断ＦＥＴ低減係数Ｋｄ１～Ｋｄ３、電源遮断ＦＥＴ低減係数Ｋｅ１及びＫｅ２、コンデンサ低減係数Ｋｆ１及びＫｆ２、並びにコイル低減係数Ｋｇのうちいずれか１つを部品低減係数Ｋ１として選択する。
　このように、異なる場所にそれぞれ配置された同じ種類の複数の電子部品毎に設定された低減係数のうちからいずれか１つを部品低減係数Ｋ１として選択することにより、電子部品に基づいたよりきめ細かな出力電流の制限が可能となる。

　図１３は、第２実施形態の第１低減係数設定部６０の機能構成の一例のブロック図である。第２実施形態の第１低減係数設定部６０は、図６を参照して説明した第１実施形態の第１低減係数設定部６０に類似する構成を有しており、同一又は類似の構成要素には同一の参照符号で示し、重複する説明を省略する。第２実施形態の第１低減係数設定部６０は、ハイサイドＦＥＴ低減係数設定部６３ａ１～６３ａ３と、ローサイドＦＥＴ低減係数設定部６３ｂ１～６３ｂ３と、シャント抵抗低減係数設定部６３ｃ１～６３ｃ３と、相遮断ＦＥＴ低減係数設定部６３ｄ１～６３ｄ３と、電源遮断ＦＥＴ低減係数設定部６３ｅ１及び６３ｅ２と、コンデンサ低減係数設定部６３ｆ１及び６３ｆ２と、コイル低減係数設定部６３ｇを備える。

　ハイサイドＦＥＴ低減係数設定部６３ａ１～６３ａ３は、ハイサイドＦＥＴＱ１、Ｑ３及びＱ５の部品温度Ｔｅａ１～Ｔｅａ３のそれぞれに基づいて、複数のハイサイドＦＥＴ低減係数Ｋａ１～Ｋａ３を設定する。ローサイドＦＥＴ低減係数設定部６３ｂ１～６３ｂ３は、ローサイドＦＥＴＱ２、Ｑ４及びＱ６の部品温度Ｔｅｂ１～Ｔｅｂ３のそれぞれに基づいて、複数のローサイドＦＥＴ低減係数Ｋｂ１～Ｋｂ３を設定する。シャント抵抗低減係数設定部６３ｃ１～６３ｃ３は、電流検出回路３９Ａ１、３９Ｂ１、３９Ｃ１のシャント抵抗の部品温度Ｔｅｃ１～Ｔｅｃ３のそれぞれに基づいて、複数のシャント低減係数Ｋｃ１～Ｋｃ３を設定する。相遮断ＦＥＴ低減係数設定部６３ｄ１～６３ｄ３は、相遮断ＦＥＴＱＡ１、ＱＡ２、ＱＡ３の部品温度Ｔｅｄ１～Ｔｅｄ３のそれぞれに基づいて、複数の相遮断ＦＥＴ低減係数Ｋｄ１～Ｋｄ３を設定する。電源遮断ＦＥＴ低減係数設定部６３ｅ１及び６３ｅ２は、電源遮断ＦＥＴＱＣ１及びＱＣ２の部品温度Ｔｅｅ１及びＴｅｅ２のそれぞれに基づいて、複数の電源遮断ＦＥＴ低減係数Ｋｅ１及びＫｅ２を設定する。コンデンサ低減係数設定部６３ｆ１及び６３ｆ２は、第１電力変換回路４２Ａの電解コンデンサＣＡ１、ＣＡ２の部品温度Ｔｅｆ１及びＴｅｆ２のそれぞれに基づいて、複数のコンデンサ低減係数Ｋｆ１及びＫｆ２を設定する。コイル低減係数設定部６３ｇは、コイル温度Ｔｅｇに基づいてコイル低減係数Ｋｇを設定する。

　ハイサイドＦＥＴ低減係数設定部６３ａ１～６３ａ３と、ローサイドＦＥＴ低減係数設定部６３ｂ１～６３ｂ３と、シャント抵抗低減係数設定部６３ｃ１～６３ｃ３と、相遮断ＦＥＴ低減係数設定部６３ｄ１～６３ｄ３と、電源遮断ＦＥＴ低減係数設定部６３ｅ１及び６３ｅ２と、コンデンサ低減係数設定部６３ｆ１及び６３ｆ２と、コイル低減係数設定部６３ｇは、図８に示す特性マップと同様の特性を有するハイサイドＦＥＴ低減係数Ｋａ１～Ｋａ３、ローサイドＦＥＴ低減係数Ｋｂ１～Ｋｂ３、シャント低減係数Ｋｃ１～Ｋｃ３、相遮断ＦＥＴ低減係数Ｋｄ１～Ｋｄ３、電源遮断ＦＥＴ低減係数Ｋｅ１及びＫｅ２、コンデンサ低減係数Ｋｆ１及びＫｆ２、コイル低減係数Ｋｇを設定してよい。

　図８に示す特性マップにおける定格温度Ｔｎ、ヒステリシス幅ΔＴ１、低減幅ΔＴ２及びΔＴ４並びにマージン幅ΔＴ３の少なくとも１つを、異なる種類の電子部品間で異なる値に設定してもよい。
　特に、定格温度Ｔｎ、ヒステリシス幅ΔＴ１、低減幅ΔＴ２及びΔＴ４並びにマージン幅ΔＴ３の少なくとも１つを、異なる場所にそれぞれ配置された同じ種類の複数の電子部品の間で、異なる値に設定してもよい。例えば、定格温度Ｔｎ、ヒステリシス幅ΔＴ１、低減幅ΔＴ２及びΔＴ４並びにマージン幅ΔＴ３の少なくとも１つを、複数のシャント低減係数Ｋｃ１～Ｋｃ３の間で異なる値に設定してもよい。ローサイドＦＥＴ低減係数Ｋｂ１～Ｋｂ３、シャント低減係数Ｋｃ１～Ｋｃ３、相遮断ＦＥＴ低減係数Ｋｄ１～Ｋｄ３、電源遮断ＦＥＴ低減係数Ｋｅ１及びＫｅ２、コンデンサ低減係数Ｋｆ１及びＫｆ２についても同様である。

　選択器６４は、ハイサイドＦＥＴ低減係数Ｋａ１～Ｋａ３、ローサイドＦＥＴ低減係数Ｋｂ１～Ｋｂ３、シャント低減係数Ｋｃ１～Ｋｃ３、相遮断ＦＥＴ低減係数Ｋｄ１～Ｋｄ３、電源遮断ＦＥＴ低減係数Ｋｅ１及びＫｅ２、コンデンサ低減係数Ｋｆ１及びＫｆ２、並びにコイル低減係数Ｋｇのうちいずれか１つを部品低減係数Ｋ１として選択する。例えば選択器６４は、上記の低減係数Ｋａ１～Ｋａ３、Ｋｂ１～Ｋｂ３、Ｋｃ１～Ｋｃ３、Ｋｄ１～Ｋｄ３、Ｋｅ１及びＫｅ２、Ｋｆ１及びＫｆ２並びにＫｇのうち最も小さな係数を部品低減係数Ｋ１として選択してよい。

　（第２実施形態の効果）
　第２実施形態の電流制御装置は、複数の電子部品を含む電流制御回路と、電流制御回路の付近に配置された温度検出素子を有する温度検出回路と、複数の電子部品の各々に流れる電流値を検出又は推定する電流検出部と、電流検出部が検出又は推定した電流値と、温度検出回路が検出した検出温度と、に基づいて、電子部品の温度である部品温度を複数の電子部品毎に推定する部品温度推定部と、複数の電子部品毎に推定された部品温度に含まれる複数の異なる部品温度に対して複数の異なる低減係数をそれぞれ設定する低減係数設定部と、複数の低減係数のいずれか１つを選択する選択部と、選択された低減係数に基づいて電流制御回路から負荷に出力される出力電流を制限する電流制限部と、を備える。複数の電子部品は、複数の異なる種類の電子部品を含み、複数の異なる種類の電子部品のうち少なくとも１つの種類の電子部品は、電流制御回路の異なる場所に配置された複数の電子部品を含む。低減係数設定部は、少なくとも１つの種類の電子部品に含まれる電流制御回路の異なる場所に配置された複数の電子部品に対して複数の異なる低減係数をそれぞれ設定する。

　（第３実施形態）
　次に、本発明の第３実施形態について説明する。電流制御装置が電動モータを駆動する動作モードには、第１系統コイルと第２系統コイルの両方を駆動する両系統駆動モードと、第１系統コイルと第２系統コイルの片方のみを駆動する片系統駆動モードが存在する。両系統駆動モードでは第１電流制御回路４０Ａと第２電流制御回路４０Ｂの両方からモータ２０に駆動電流を出力し、片系統駆動モードでは一方のみからモータ２０に駆動電流を出力する。例えば電流制御装置は、通常時に両系統駆動モードで動作し、異常時には片系統駆動モードで動作する。

　両系統駆動モードの場合には、片系統駆動モードの場合と異なり、第１電流制御回路４０Ａの電子部品の部品温度が、第２電流制御回路４０Ｂの電子部品の発熱の影響を受け、反対に第２電流制御回路４０Ｂの電子部品の部品温度が、第１電流制御回路４０Ａの電子部品の発熱の影響を受ける。例えば、両系統駆動モードの場合は片系統駆動モードの場合に比べて放熱部材３７の温度が高くなるため、部品温度と温度センサの温度が高くなる。

　図１４は、両系統駆動モードと片系統駆動モードの各々における通電中の部品温度と温度センサの温度の傾向を調べるために特定の大きさの電流を流した場合のこれらの温度を示すグラフである。実線は片系統駆動モードにおけるハイサイドＦＥＴの部品温度の傾向を示し、破線は両系統駆動モードにおけるハイサイドＦＥＴの部品温度の傾向を示し、一点鎖線は片系統駆動モードにおける温度センサの温度の傾向を示し、二点鎖線は両系統駆動モードにおける温度センサの温度の傾向を示している。

　図１４に示すように、通電中の部品の部品温度は、片系統駆動モードの場合より両系統駆動モードの場合の方が高くなる。温度センサの温度も、片系統駆動モードの場合より両系統駆動モードの場合の方が高くなる。
　さらに、両系統駆動モードと片系統駆動モードとの間の部品温度の差分Δ１は、両系統駆動モードと片系統駆動モードとの間の温度センサの温度の差分Δ２よりも小さい。これは、通電中の部品は自ら発熱しているため、周囲の高温（例えば放熱部材３７の高温）の影響による温度上昇が小さくなるためである。

　この結果、部品温度から温度センサの温度を減算した差分は、両系統駆動モード場合よりも片系統駆動モードの方が大きくなる。図１５は、両系統駆動モードと片系統駆動モードの各々における部品温度と温度センサの温度との間の差分（部品温度－温度センサの温度）の傾向を調べるために特定の大きさの電流を流した場合のこれらの温度の差分を示すグラフである。実線は片系統駆動モードにおける部品温度と温度センサの温度との間の差分の傾向を示し、破線は両系統駆動モードにおける部品温度と温度センサの温度との間の差分の傾向を示している。図１５に示すように、片系統駆動モードにおける部品温度と温度センサの温度との間の差分（実線）は、両系統駆動モードにおける差分（破線）よりも大きい。

　ここで、図７のハイサイドＦＥＴ温度推定部６１ａ１を参照する。ゲイン乗算部７３は、損失電力Ｗと所定の換算ゲインＧ１との積（Ｇ１×Ｗ）を算出して第１ローパスフィルタ７４に出力する。第１ローパスフィルタ７４は、積（Ｇ１×Ｗ）にローパスフィルタ処理を行うことにより得られる信号を出力する。以下、第１ローパスフィルタ７４の出力をＬＰＦ（Ｇ１×Ｗ）と表記することがある。

　第２ローパスフィルタ７５は、温度検出回路４５Ａの温度センサの検出信号（すなわち温度センサの温度）にローパスフィルタ処理を行うことにより得られる信号を基礎温度Ｔｔｈとして加算器７６に出力する。以下、第２ローパスフィルタ７５の出力（基礎温度Ｔｔｈ）をＬＰＦ（ＳｄＡ）と表記することがある。ハイサイドＦＥＴ温度推定部６１ａ１は、第１ローパスフィルタ７４の出力と第２ローパスフィルタ７５の出力との和（ＬＰＦ（Ｇ１×Ｗ）＋ＬＰＦ（ＳｄＡ））を、ハイサイドＦＥＴＱ１の部品温度として推定する。

　図１４のグラフのＦＥＴの部品温度は、ハイサイドＦＥＴ温度推定部６１ａ１の推定結果である和（ＬＰＦ（Ｇ１×Ｗ）＋ＬＰＦ（ＳｄＡ））に対応し、図１４のグラフの温度センサの温度は、第２ローパスフィルタ７５の出力ＬＰＦ（ＳｄＡ）に対応する。このため、図１５のグラフの部品温度と温度センサの温度との間の差分は、和（ＬＰＦ（Ｇ１×Ｗ）＋ＬＰＦ（ＳｄＡ））からＬＰＦ（ＳｄＡ）を減じた差分であるＬＰＦ（Ｇ１×Ｗ）、すなわち第１ローパスフィルタ７４の出力に対応する。

　したがって、図１５に示すように両系統駆動モードの場合の値よりも片系統駆動モードの場合の値の方が大きくなるように第１ローパスフィルタ７４の出力ＬＰＦ（Ｇ１×Ｗ）を調整することにより、駆動モードの違いに応じた部品温度の推定が可能になり、より精度の高い部品温度を推定できる。

　また、両系統駆動モードでは、制御演算装置３１ａ及び３１ｂの各々の電流指令値演算部５０が演算する電流指令値の大きさを異ならせることにより、第１電流制御回路４０Ａと第２電流制御回路４０Ｂからモータ２０に出力する駆動電流の配分比率を異ならせることもできる。これらの出力電流の配分比率を変化させた場合においても、上述した両系統駆動モードと片系統駆動モードとを切り替えた場合と同じ理由により、部品温度と温度センサの温度との間の差分の大きさが変化する。

　そこで、第３実施形態のハイサイドＦＥＴ温度推定部６１ａ１は、第１電流制御回路４０Ａの出力電流と第２電流制御回路４０Ｂの出力電流との間の配分比率に応じて換算ゲインＧ１を設定する。ハイサイドＦＥＴ温度推定部６１ａ２及び６１ａ３、ローサイドＦＥＴ温度推定部６１ｂ１～６１ｂ３、シャント抵抗温度推定部６１ｃ１～６１ｃ３、相遮断ＦＥＴ温度推定部６１ｄ１～６１ｄ３、電源遮断ＦＥＴ温度推定部６１ｅ１及び６１ｅ２、コンデンサ温度推定部６１ｆ１及び６１ｆ２、コイル温度推定部６１ｇにおいても同様である。

　以下の説明において、ハイサイドＦＥＴ温度推定部６１ａ１～６１ａ３、ローサイドＦＥＴ温度推定部６１ｂ１～６１ｂ３、シャント抵抗温度推定部６１ｃ１～６１ｃ３、相遮断ＦＥＴ温度推定部６１ｄ１～６１ｄ３、電源遮断ＦＥＴ温度推定部６１ｅ１及び６１ｅ２、コンデンサ温度推定部６１ｆ１及び６１ｆ２、コイル温度推定部６１ｇを総称して「温度推定部６１」と表記することがある。

　図１６（ａ）は、換算ゲインＧ１の設定例を示す図である。第１電流制御回路４０Ａの制御演算装置３１ａの部品温度推定部６１は、第１電流制御回路４０Ａの配分比率が高いほどより大きな換算ゲインＧ１を設定してよい。同様に、第２電流制御回路４０Ｂの制御演算装置３１ｂの部品温度推定部６１は、第２電流制御回路４０Ｂの配分比率が高いほどより大きな換算ゲインＧ１を設定してよい。
　例えば配分比率が５０％である場合には換算ゲインＧ１を値「ｇ０」に設定し、配分比率が１００％である場合には換算ゲインＧ１を値「ｇ０」よりも大きな値「ｇ１」に設定し、配分比率が０％である場合には換算ゲインＧ１を値「ｇ０」よりも小さな値「ｇ２」に設定する。

　配分比率が０％から５０％の範囲では、配分比率が大きくなるにしたがって換算ゲインＧ１を「ｇ２」から「ｇ０」へ増加させ、配分比率が５０％から１００％の範囲では、配分比率が大きくなるにしたがって換算ゲインＧ１を「ｇ０」から「ｇ１」へ増加させる。例えば値「ｇ１」は、（１．１×ｇ０）程度の値に設定してよく、値「ｇ２」は、（０．９×ｇ０）程度の値に設定してよい。
　これにより、両系統駆動モードの場合に比べて片系統駆動モードの場合により大きな換算ゲインＧ１が設定される。

　図１５を参照する。矢印７７の部分の波形に注目すると、片系統駆動モードにおける部品温度と温度センサの温度との間の差分の波形は、両系統駆動モードにおける差分の波形よりも応答が遅い。
　このため第３実施形態の部品温度推定部６１は、第１電流制御回路４０Ａの出力電流と第２電流制御回路４０Ｂの出力電流との間の配分比率に応じて、第１ローパスフィルタ７４の第１カットオフ周波数ｆｃ１を設定する。

　図１６（ｂ）は、第１カットオフ周波数ｆｃ１の設定例を示す図である。第１電流制御回路４０Ａの制御演算装置３１ａの部品温度推定部６１は、第１電流制御回路４０Ａの配分比率が高いほどより低い第１カットオフ周波数ｆｃ１を設定してよい。同様に、第２電流制御回路４０Ｂの制御演算装置３１ｂの部品温度推定部６１は、第２電流制御回路４０Ｂの配分比率が高いほどより低い第１カットオフ周波数ｆｃ１を設定してよい。
　例えば配分比率が５０％である場合には第１カットオフ周波数ｆｃ１を値「ｆ０」に設定し、配分比率が１００％である場合には第１カットオフ周波数ｆｃ１を値「ｆ０」よりも低い値「ｆ１」に設定し、配分比率が０％である場合には第１カットオフ周波数ｆｃ１を値「ｆ０」よりも高い値「ｆ２」に設定する。

　配分比率が０％から５０％の範囲では、配分比率が大きくなるにしたがって第１カットオフ周波数ｆｃ１を「ｆ２」から「ｆ０」へ低下させ、配分比率が５０％から１００％の範囲では、配分比率が大きくなるにしたがって換算ゲインＧ１を「ｆ０」から「ｆ１」へ低下させる。
　これにより、両系統駆動モードの場合に比べて片系統駆動モードの場合により低い第１カットオフ周波数ｆｃ１が設定される。

　図１７（ａ）～図１７（ｃ）は、第１電流制御回路４０Ａと第２電流制御回路４０Ｂとの間の出力電流の配分比率と換算ゲインＧ１と第１カットオフ周波数ｆｃ１の間の関係を示す模式図である。
　図１７（ａ）の実線は第１電流制御回路４０Ａの出力電流の配分比率を示し、一点鎖線は第２電流制御回路４０Ｂの出力電流の配分比率を示す。

　図１７（ａ）は、時刻ｔ１より前の期間において第１電流制御回路４０Ａと第２電流制御回路４０Ｂとが両系統駆動モードで動作しており、時刻ｔ２以降の期間では第１電流制御回路４０Ａと第２電流制御回路４０Ｂとが片系統駆動モードで動作する例を示す。
　時刻ｔ１より前の期間では、第１電流制御回路４０Ａと第２電流制御回路４０Ｂの出力電流の配分比率が５０％であり、時刻ｔ１から時刻ｔ２の間に第１電流制御回路４０Ａの出力電流の配分比率が１００％まで増加するともに第２電流制御回路４０Ｂの出力電流の配分比率が０％まで減少し、時刻ｔ２以降の期間では第１電流制御回路４０Ａと第２電流制御回路４０Ｂの出力電流の配分比率がそれぞれ１００％と０％である。

　この場合、図１７（ｂ）の実線に示す第１電流制御回路４０Ａの制御演算装置３１ａの部品温度推定部６１の換算ゲインＧ１の値は、時刻ｔ１より前の期間において値「ｇ０」に設定され、時刻ｔ１から時刻ｔ２の間に値「ｇ１」に増加し、時刻ｔ２以降では値「ｇ１」に設定される。
　図１７（ｂ）の破線に示す第２電流制御回路４０Ｂの制御演算装置３１ｂの部品温度推定部６１の換算ゲインＧ１の値は、時刻ｔ１より前の期間において値「ｇ０」に設定され、時刻ｔ１から時刻ｔ２の間に値「ｇ２」に減少し、時刻ｔ２以降では値「ｇ２」に設定される。

　図１７（ｃ）の実線に示す第１電流制御回路４０Ａの制御演算装置３１ａの部品温度推定部６１の第１カットオフ周波数ｆｃ１の値は、時刻ｔ１より前の期間において値「ｆ０」に設定され、時刻ｔ１から時刻ｔ２の間に値「ｆ１」に低下し、時刻ｔ２以降では値「ｆ１」に設定される。
　図１７（ｃ）の破線に示す第２電流制御回路４０Ｂの制御演算装置３１ｂの部品温度推定部６１の第１カットオフ周波数ｆｃ１の値は、時刻ｔ１より前の期間において値「ｆ０」に設定され、時刻ｔ１から時刻ｔ２の間に値「ｆ２」に上昇し、時刻ｔ２以降では値「ｆ２」に設定される。

　（第３実施形態の効果）
　（１）部品温度推定部は、一対の電流制御回路の出力電流の間の配分比率に応じた所定ゲインを設定し、複数の電子部品毎に、電子部品において発生する損失電力を推定し、損失電力と所定ゲインとの積に応じた値と、温度検出回路が検出した検出温度に応じた値と、の和に基づいて、複数の電子部品毎に部品温度を推定してもよい。
　例えば部品温度推定部は、一対の電流制御回路のうちいずれか一方の配分比率が高いほどより大きな所定ゲインに基づいて、いずれか一方の電流制御回路の部品温度を推定してもよい。
　温度検出回路が検出した検出温度と実際の部品温度との間の差分は、一対の電流制御回路の出力電流の間の配分比率に応じて変化する。配分比率に応じて設定した所定ゲインに基づいて部品温度を推定することにより、配分比率に応じた部品温度の推定が可能になり、より精度の高い部品温度を推定できる。

　（２）例えば部品温度推定部は、一対の電流制御回路のうち両方を駆動する場合に比べていずれか一方のみを駆動する場合により大きな所定ゲインを設定してもよい。
　これにより、駆動モードの違いに応じた部品温度の推定が可能になり、より精度の高い部品温度を推定できる。

　（３）部品温度推定部は、損失電力と所定ゲインとの積に応じた値として、損失電力と所定ゲインとの積を第１ローパスフィルタに通して得られた値を取得し、配分比率に応じて第１ローパスフィルタのカットオフ周波数を設定してもよい。
　例えば部品温度推定部は、一対の電流制御回路のうちいずれか一方の配分比率が高いほどより低いカットオフ周波数を有する第１ローパスフィルタを用いて、いずれか一方の電流制御回路の部品温度を推定してもよい。
一対の電流制御回路の出力電流の間の配分比率に応じて変化する。配分比率に応じて設定した所定ゲインに基づいて部品温度を推定することにより、配分比率に応じた部品温度の推定が可能になり、より精度の高い部品温度を推定できる。
　電流制御回路の出力電流が変化すると電子部品の発熱量が変化するため、これに伴って部品温度や温度検出回路が検出した検出温度も変化するところ、温度検出回路が検出した検出温度と実際の部品温度との間の差分の波形は、配分比率に応じて異なる応答性を有する。配分比率に応じて設定したカットオフ周波数を有する第１ローパスフィルタを用いて部品温度を推定することにより、配分比率に応じた部品温度の推定が可能になり、より精度の高い部品温度を推定できる。

　（４）部品温度推定部は、一対の電流制御回路のうち両方を駆動する場合に比べていずれか一方のみを駆動する場合に第１ローパスフィルタのカットオフ周波数をより低く設定してもよい。
　これにより、駆動モードの違いに応じた部品温度の推定が可能になり、より精度の高い部品温度を推定できる。

　（第４実施形態）
　図１８は、第４実施形態のハイサイドＦＥＴ温度推定部６１ａ１の機能構成の第１例のブロック図である。
　第１実施形態及び第２実施形態では、電子部品において発生する損失電力を第１ローパスフィルタ７４によりフィルタ処理して得られた第１値と、温度検出回路４５Ａや温度検出回路４５Ｂが検出した検出温度を第２ローパスフィルタ７５でフィルタ処理して得られた第２値と、の和に基づいて部品温度を推定した。

　これに対して第４実施形態では、並列接続された複数の第１ローパスフィルタ７４ａ及び７４ｂによって損失電力をフィルタ処理して得られた第１値と、温度検出回路４５Ａや温度検出回路４５Ｂが検出した検出温度を第２ローパスフィルタ７５でフィルタ処理して得られた第２値と、の和に基づいて前記複数の電子部品毎に前記部品温度を推定する。

　並列接続された複数の第１ローパスフィルタ７４ａ及び７４ｂは、第１電力変換回路４２ＡのハイサイドＦＥＴＱ１における損失電力Ｗと所定のゲインＧ１との各々の乗算結果（Ｇ１×Ｗ）にローパスフィルタ処理を行うことにより得られる信号をそれぞれ加算器７６に入力する。加算器７６は、第１ローパスフィルタ７４ａの出力と、第１ローパスフィルタ７４ｂの出力と、第２ローパスフィルタ７５の出力との和を、ハイサイドＦＥＴＱ１の部品温度Ｔｅａ１として算出する。

　このように、第１電力変換回路４２ＡのハイサイドＦＥＴＱ１における損失電力Ｗを、並列接続された複数の第１ローパスフィルタ７４ａ及び７４ｂによってフィルタ処理して得られた第１値に基づいてハイサイドＦＥＴＱ１の部品温度Ｔｅａ１として算出することにより、ハイサイドＦＥＴＱ１の部品温度Ｔｅａ１の推定精度を向上できる。

　図１９（ａ）及び図１９（ｂ）は、それぞれ第１実施形態と第４実施形態における温度推定結果の模式図であり、実線は実際のハイサイドＦＥＴＱ１の部品温度の想定値、破線はハイサイドＦＥＴ温度推定部６１ａ１の部品温度の推定値を示している。図１９（ｃ）及び図１９（ｄ）は、それぞれ図１９（ａ）及び図１９（ｂ）における推定値（破線）と想定値（実線）との間の推定誤差の模式図である。なお、本明細書において、部品温度の「想定値」の文言は、過去の実績や経験値から想定される部品温度の値の意味に使用される。
　図１９（ａ）～図１９（ｄ）から分かるように、並列接続された複数の第１ローパスフィルタ７４ａ及び７４ｂによってフィルタ処理することにより、部品温度の推定精度が向上することが分かる。

　図２０（ａ）は、電子部品からヒートシンクまでの放熱経路の一例の模式図である。上記のとおり、第１電力変換回路４２Ａと第２電力変換回路４２Ｂの各々に含まれる電子部品と、温度検出回路４５Ａの温度センサ４５Ａ１及び４５Ａ２とは、同一の回路基板３６に実装されている。回路基板３６の表面ｆｆに実装された電子部品の回路基板３６と反対側の面ｆ１と、温度検出回路４５Ａの温度センサ４５Ａ１及び４５Ａ２の回路基板３６と反対側の面ｆ２とは、同一のヒートシンク３７に熱的に接続されている。例えば、熱インタフェース材料３８ａ及び３８ｂをそれぞれ介して面ｆ１及びｆ２をヒートシンク３７に接触させる。温度検出回路４５Ｂの温度センサも、温度センサ４５Ａ１及び４５Ａ２と同様な構成でヒートシンク３７に熱的に接続されている。

　このため、電子部品で発生した熱は、熱インタフェース材料３８ａを介して直接ヒートシンク３７へ伝達される第１放熱経路Ｐｔｈ１と、回路基板３６を経由してヒートシンク３７へ伝達される第２放熱経路Ｐｔｈ２と、を介して並列に伝達される。第２放熱経路Ｐｔｈ２は、回路基板３６を経由する経路であるため、第１放熱経路Ｐｔｈ１とは異なる熱的特性（例えば熱伝導率や熱容量）を有している。

　図２０（ｂ）は、電子部品からヒートシンクまでの放熱経路の他の一例の模式図である。第１電力変換回路４２Ａと第２電力変換回路４２Ｂの各々に含まれる第１の電子部品と第２の電子部品とは、同一の回路基板３６に実装されている。回路基板３６の表面ｆｆに実装されたこれら電子部品の回路基板３６と反対側の面ｆ１ａ及びｆ１ｂは、同一のヒートシンク３７に熱的に接続されている。このような構造においても、第１の電子部品で発生した熱は、熱インタフェース材料３８ａを介して直接ヒートシンク３７へ伝達される第１放熱経路Ｐｔｈ１と、第１放熱経路Ｐｔｈ１とは熱的特性が異なる回路基板３６を経由してヒートシンク３７へ伝達される第２放熱経路Ｐｔｈ２と、を介して並列に伝達される。

　図２０（ｃ）は、電子部品で発生した熱を並列に伝達する複数の放熱経路Ｐｔｈ１及びＰｔｈ２が存在する場合における、部品温度の遅れ応答を模式的に表現した等価回路図である。
　第１放熱経路Ｐｔｈ１と第２放熱経路Ｐｔｈ２とでは熱の伝達特性が異なる。このため、これらの放熱経路Ｐｔｈ１及びＰｔｈ２によって放熱される電子部品の温度変化の遅れ応答を、単一の第１ローパスフィルタ７４によって再現することは難しい。

　そこで第４実施形態では、電子部品で発生した熱が複数の放熱経路Ｐｔｈ１及びＰｔｈ２を伝達することによって生じる電子部品の温度変化のそれぞれ遅れ応答を、互いに並列接続された複数の第１ローパスフィルタ７４ａ及び７４ｂによってそれぞれ再現する。
　これにより、電子部品が発生した熱が複数の放熱経路Ｐｔｈ１及びＰｔｈ２を通ってヒートシンク３７に放熱する場合の電子部品の温度変化の遅れ応答を、複数の第１ローパスフィルタ７４ａ及び７４ｂによってそれぞれ再現することにより、電子部品の温度を精度よく推定することが可能となる。

　図２１は、第４実施形態のハイサイドＦＥＴ温度推定部６１ａ１の機能構成の第２例のブロック図である。この例では、異なる複数の所定ゲインを損失電力Ｗに乗算してそれぞれ得られた複数の乗算結果を、複数の第１ローパスフィルタによってそれぞれフィルタ処理して得られた値の合計を、第１値として算出する。図２１の例では、異なる所定のゲインＧ１ａ及びＧ１ｂを損失電力Ｗに乗算してそれぞれ得られた複数の乗算結果Ｇ１ａ×Ｗ及びＧ１ｂ×Ｗを、複数の第１ローパスフィルタ７４ａ及び７４ｂによってそれぞれフィルタ処理して得られた値をそれぞれＬＰＦ１ａ（Ｇ１ａ×Ｗ）、ＬＰＦ１ｂ（Ｇ１ｂ×Ｗ）と表すとき、これらの値の合計ＬＰＦ１ａ（Ｇ１ａ×Ｗ）＋ＬＰＦ１ｂ（Ｇ１ｂ×Ｗ）を第１値として算出する。
　このように、第１ローパスフィルタ７４ａ及び７４ｂに対してそれぞれ異なる値のゲインＧ１ａ及びＧ１ｂを設定することにより、放熱経路Ｐｔｈ１及びＰｔｈ２の熱特性の違いを推定値に反映させることができる。この結果、部品温度の推定精度を向上できる。

　なお、図２０（ａ）及び図２０（ｂ）に模式的に例示した第１放熱経路Ｐｔｈ１と第２放熱経路Ｐｔｈ２のうち、第２放熱経路Ｐｔｈ２は、熱的特性が大きく異なる材質からなる複数材料（回路基板３６とヒートシンク３７）の両方を介して電子部品の発熱を放熱する。このため、第２放熱経路Ｐｔｈ２を通って放熱する場合の電子部品の温度変化の遅れ応答を、複数の１次ローパスフィルタの直列接続と等価な２次以上のローパスフィルタによって再現してもよい。
　このため、並列接続された複数の第１ローパスフィルタ７４ａ及び７４ｂのいずれかを２次以上のローパスフィルタとしてもよい。

　ハイサイドＦＥＴ温度推定部６１ａ２及び６１ａ３、ローサイドＦＥＴ温度推定部６１ｂ１～６１ｂ３、シャント抵抗温度推定部６１ｃ１～６１ｃ３、相遮断ＦＥＴ温度推定部６１ｄ１～６１ｄ３、電源遮断ＦＥＴ温度推定部６１ｅ１及び６１ｅ２、並びにコイル温度推定部６１ｇ等の他の部品温度推定部も、図１８又は図２１に示すハイサイドＦＥＴ温度推定部６１ａ１と同様の構成を備えてよい。

　また、回路基板３６の裏面ｆｒに実装される電子部品については、電子部品で発生した熱が熱インタフェース材料を介して直接ヒートシンク３７へ伝達される第１放熱経路Ｐｔｈ１が存在しない。このため、回路基板３６の裏面ｆｒに実装に実装される電子部品の部品温度を推定する温度推定部は、図１８又は図２１に示す構成を採用しなくてもよい。例えば電解コンデンサＣＡ１、ＣＡ２が回路基板３６の裏面ｆｒに実装される場合、コンデンサ温度推定部６１ｆ１及び６１ｆ２は、図１８又は図２１に示す構成を採用しなくてもよい。

　（第４実施形態の効果）
　（１）第４実施形態の電流制御装置は、複数の電子部品を含む電流制御回路と、電流制御回路の付近に配置された温度検出素子を有する温度検出回路と、複数の電子部品の各々に流れる電流値を検出又は推定する電流検出部と、電流検出部が検出又は推定した電流値と、温度検出回路が検出した検出温度と、に基づいて、電子部品の温度である部品温度を複数の電子部品毎に推定する部品温度推定部と、複数の電子部品毎に推定された部品温度に含まれる複数の異なる部品温度に対して複数の異なる低減係数をそれぞれ設定する低減係数設定部と、複数の低減係数のいずれか１つを選択する選択部と、選択された低減係数に基づいて電流制御回路から負荷に出力される出力電流を制限する電流制限部と、を備える。

　部品温度推定部は、複数の電子部品毎に、電子部品において発生する損失電力を推定し、互いに並列接続された複数の第１ローパスフィルタによって損失電力をフィルタ処理して得られた第１値と、温度検出回路が検出した検出温度を第２ローパスフィルタでフィルタ処理して得られた第２値と、の和に基づいて複数の電子部品毎に部品温度を推定する。例えば、損失電力と所定ゲインとの乗算結果を複数の第１ローパスフィルタによってフィルタ処理して第１値を取得してもよい。
　これにより、１つの電子部品で発生した熱が、並列に存在する複数の放熱経路を伝達して放熱される場合における部品温度を精度よく推定できる。

　（２）複数の電子部品と温度検出素子とが同一の回路基板上に実装され、複数の電子部品のうちいずれかである第１部品の回路基板側とは反対側の面と、温度検出素子又は複数の電子部品のうち第１部品以外の第２部品の回路基板側とは反対側の面と、が同一のヒートシンクに熱的に結合されていてもよい。
　これにより、回路基板を経由しないでヒートシンクで放熱する放熱経路と、回路基板を経由して放熱する放熱経路と、によって放熱される電子部品の温度変化のそれぞれ遅れ応答を、互いに並列接続された複数の第１ローパスフィルタによってそれぞれ再現できる。

　（３）部品温度推定部は、異なる複数の所定ゲインを損失電力に乗算してそれぞれ得られた複数の乗算結果を、複数の第１ローパスフィルタによってそれぞれフィルタ処理して得られた値の合計を、第１値として取得してもよい。
　このように、異なる第１ローパスフィルタに対してそれぞれ異なる値の所定ゲインを設定することにより、放熱経路の熱特性の違いを推定値に反映させることができる。この結果、部品温度の推定精度を向上できる。

　（４）複数の第１ローパスフィルタのうち少なくとも１つは、２次以上のローパスフィルタであってもよい。
　これにより、熱的特性が大きく異なる材質からなる複数部材を介して放熱される電子部品の温度変化の遅れ応答を精度よく推定できる。

　（第５実施形態）
　例えば第４実施形態のハイサイドＦＥＴ温度推定部６１ａ１は、図２０（ａ）や図２０（ｂ）に示すように、電流制御装置に含まれる電子部品のうち回路基板３６の表面ｆｆ上に実装されている電子部品の部品温度を推定する。この電子部品は、回路基板３６とヒートシンク３７との間に配置され、回路基板３６と反対側を向く面ｆ１がヒートシンク３７に熱的に接続されており、電子部品で発生した熱は、直接又は熱インタフェース材料３８ａを介してヒートシンク３７に放熱される。

　一方で、電流制御装置に含まれる電子部品には、回路基板３６の表面ｆｆ及び裏面ｆｒのうち、ヒートシンク３７側に向いている表面ｆｆとは反対側の裏面ｆｒ上に搭載されている電子部品がある。
　以下の説明では、例えばインバータの正極線と負極線とを接続する電解コンデンサＣＡ１及びＣＡ２が裏面ｆｒ上に搭載されている場合を例示する。ただし本発明は、回路基板３６の裏面ｆｒ側の搭載される電子部品を電解コンデンサＣＡ１及びＣＡ２に限定することを意図するものではない。電流制御装置に含まれる電子部品のどの部品が、ヒートシンク３７と反対側を向く回路基板３６の面ｆｒ上に搭載されるかは、個々の製品よって異なる。

　回路基板３６の裏面ｆｒ上に実装される電子部品の場合、電子部品が発生した熱は回路基板３６を経由し、さらに回路基板３６とヒートシンク３７との間に介在する部材（例えば表面ｆｆに実装された他の電子部品や温度センサ）や介挿物（例えば、表面ｆｆに塗布された熱インタフェース材料など）を介してヒートシンク３７に放熱される。このため熱伝達の経路が複雑になり、１次のローパスフィルタ単体では、電子部品の部品温度の上昇量を電子部品の損失電力から正確に推定することが困難になることがある。
　そこで第５実施形態では、直列接続された複数の第１ローパスフィルタによって損失電力をフィルタ処理することにより電子部品の発熱による部品温度の上昇量を推定する。

　図２２は、第５実施形態のコンデンサ温度推定部６１ｆ１の機能構成の第１例のブロック図である。コンデンサ温度推定部６１ｆ１は、回路基板３６の裏面ｆｒ上に搭載された第１電力変換回路４２Ａの電解コンデンサＣＡ１の部品温度を推定する。回路基板３６の裏面ｆｒ上に搭載された電解コンデンサＣＡ２の部品温度を推定するコンデンサ温度推定部６１ｆ２も、図２２に示す構成と同様の機能構成を有していてよい。
　第５実施形態のコンデンサ温度推定部６１ｆ１は、直列接続された複数の第１ローパスフィルタ７４ａ及び７４ｃによって、損失電力演算部７２が演算した損失電力Ｗをフィルタ処理して得られた第１値と、温度検出回路４５Ａや温度検出回路４５Ｂが検出した検出温度を第２ローパスフィルタ７５でフィルタ処理して得られた第２値と、の和に基づいて前記複数の電子部品毎に前記部品温度を推定する。

　また第５実施形態のコンデンサ温度推定部６１ｆ１の損失電力演算部７２は、Ａ相電流Ｉ１ａｄ、Ｂ相電流Ｉ１ｂｄ及びＣ相電流Ｉ１ｃｄに基づいて、次式にしたがって電解コンデンサＣＡ１の損失電力Ｗを演算する。
　Ｗ＝Ｇａ×Ｉ１ａｄ^２＋Ｇｂ×Ｉ１ｂｄ^２＋Ｇｃ×Ｉ１ｃｄ^２
　すなわち、第５実施形態のコンデンサ温度推定部６１ｆ１は、Ａ相電流Ｉ１ａｄ、Ｂ相電流Ｉ１ｂｄ及びＣ相電流Ｉ１ｃｄの各々の二乗値の重み付け和に基づいて損失電力Ｗを演算する。
　なお、第５実施形態のコンデンサ温度推定部６１ｆ１においても、第１実施形態～第４実施形態のコンデンサ温度推定部６１ｆ１と同様に次式に基づいて、電解コンデンサＣＡ１の損失電力Ｗを演算してもよい。
　Ｗ＝Ｒｆ×（Ｉｄ^２＋Ｉｑ^２）

　直列接続された複数の第１ローパスフィルタ７４ａ及び７４ｃのうち前段の第１ローパスフィルタ７４ａは、電解コンデンサＣＡにおける損失電力Ｗと所定のゲインＧ１との各々の乗算結果（Ｇ１×Ｗ）にローパスフィルタ処理を行う。後段の第１ローパスフィルタ７４ｃは、前段の第１ローパスフィルタ７４ａの出力にローパスフィルタ処理を行うことにより得られる信号をそれぞれ加算器７６に入力する。加算器７６は、第１ローパスフィルタ７４ｃの出力と、第２ローパスフィルタ７５の出力との和を、電解コンデンサＣＡの部品温度Ｔｅｆ１として算出する。

　このように、Ａ相電流Ｉ１ａｄ、Ｂ相電流Ｉ１ｂｄ及びＣ相電流Ｉ１ｃｄに基づいて電解コンデンサＣＡ１の損失電力Ｗを演算し、演算した損失電力Ｗを、直列接続された複数の第１ローパスフィルタ７４ａ及び７４ｃによってフィルタ処理して得られた第１値に基づいて電解コンデンサＣＡの部品温度Ｔｅｆ１を算出することにより、回路基板３６の裏面ｆｒ上に実装される電解コンデンサＣＡの部品温度Ｔｅｆ１の推定精度を向上できる。

　図２３（ａ）及び図２３（ｂ）は、それぞれ第１実施形態と第５実施形態における温度推定結果の模式図であり、実線は実際の電解コンデンサＣＡの部品温度の想定値、破線はコンデンサ温度推定部６１ｆ１の部品温度の推定値を示している。図２３（ｃ）及び図２３（ｄ）は、それぞれ図２３（ａ）及び図２３（ｂ）における推定値（破線）と想定値（実線）との間の推定誤差の模式図である。
　図２３（ａ）～図２３（ｄ）から分かるように、Ａ相電流Ｉ１ａｄ、Ｂ相電流Ｉ１ｂｄ及びＣ相電流Ｉ１ｃｄに基づいて電解コンデンサＣＡ１の損失電力Ｗを演算し、直列接続された複数の第１ローパスフィルタ７４ａ及び７４ｃによって損失電力Ｗをフィルタ処理することにより、部品温度の推定精度が向上することが分かる。

　次に、図２４（ａ）～図２４（ｆ）を参照して、Ａ相電流Ｉ１ａｄ、Ｂ相電流Ｉ１ｂｄ及びＣ相電流Ｉ１ｃｄに基づいて電解コンデンサＣＡ１の損失電力Ｗを演算することにより、部品温度の推定精度が向上する理由を説明する。
　図２４（ａ）～図２４（ｃ）は、ｄ軸電流ｉｄ及びｑ軸電流ｉｑに基づいて電解コンデンサＣＡ１の損失電力Ｗを演算した場合のコンデンサ温度推定部６１ｆ１の部品温度の推定値の波形（破線）と、実際の電解コンデンサＣＡの部品温度の想定値の波形（実線）のイメージ図である。

　また、図２４（ｄ）～図２４（ｆ）は、Ａ相電流Ｉ１ａｄ、Ｂ相電流Ｉ１ｂｄ及びＣ相電流Ｉ１ｃｄに基づいて電解コンデンサＣＡ１の損失電力Ｗを演算した場合のコンデンサ温度推定部６１ｆ１の部品温度の推定値の波形（破線）と、実際の電解コンデンサＣＡの部品温度の想定値の波形（実線）のイメージ図である。
　なお、図２４（ａ）及び図２４（ｄ）の波形は、Ａ相～Ｃ相のデューティ比Ｄａ～ＤｃのうちＡ相のデューティ比Ｄａを最大に設定した場合に得られる波形である、後述の図２４（ｇ）の波形も同様である。部品温度が上昇している期間と下降している期間は、それぞれ通電されている期間と通電が停止している期間を示している。このような波形は、例えばモータ２０の回転軸の回転角度が特定の角度に固定されるように制御することにより再現できる。
　また図２４（ｂ）、図２４（ｅ）及び図２４（ｈ）の波形はＢ相のデューティ比Ｄｂを最大に設定した場合に得られる波形であり、図２４（ｃ）、図２４（ｆ）及び図２４（ｉ）の波形はＣ相のデューティ比Ｄｃを最大に設定した場合に得られる波形である。

　図２４（ａ）～図２４（ｃ）を参照すると、実際の電解コンデンサＣＡの部品温度の想定値（実線）は、Ｂ相デューティ比Ｄｂが最大である場合（図２４（ｂ））はＡ相デューティ比Ｄａが最大である場合（図２４（ａ））に比べて低くなり、Ｃ相デューティ比Ｄｃが最大である場合（図２４（ｃ））はＡ相デューティ比Ｄａが最大である場合（図２４（ａ））に比べて高くなっている。
　これは、Ａ相電流Ｉ１ａｄ、Ｂ相電流Ｉ１ｂｄ及びＣ相電流Ｉ１ｃｄが流れるときに発熱する構成物（電子部品や電力ライン配線）と電解コンデンサＣＡまでのそれぞれの距離が異なり、これらの構成物で発生した熱が電解コンデンサＣＡに与える影響が異なるためであると考えられる。

　そこで、電解コンデンサＣＡ１の損失電力Ｗを演算する際に、Ａ相電流Ｉ１ａｄ、Ｂ相電流Ｉ１ｂｄ及びＣ相電流Ｉ１ｃｄに基づいて損失電力Ｗを演算し、重み係数Ｇａ、Ｇｂ及びＧｃを調整して、ハイサイドＦＥＴＱ１、Ｑ３、Ｑ５の各々から電解コンデンサＣＡまでのそれぞれの距離の違いを補償することで、図２４（ｄ）～図２４（ｆ）の破線のように、コンデンサ温度推定部６１ｆ１の部品温度の推定値の波形（破線）の大きさを、実際の電解コンデンサＣＡの部品温度の想定値の波形（実線）の大きさに近付けることができる。
　但し、重み係数Ｇａ、Ｇｂ及びＧｃを調整するだけでは、推定値の波形（破線）の最大値を、実際の電解コンデンサＣＡの部品温度の想定値の波形（実線）の最大値に合わせることができても、推定値（破線）の波形の形状と想定値（実線）の波形の形状との間に形状のずれを合わせることができない。

　そこで、直列接続された複数の第１ローパスフィルタ７４ａ及び７４ｃによって損失電力Ｗをフィルタ処理することによって、コンデンサ温度推定部６１ｆ１の推定値の波形の再現性を向上させることができる。ここでは例えば、想定値（実線）の波形の形状に対する推定値（破線）の波形の形状の推定誤差が最小になるように第１ローパスフィルタ７４ａ及び７４ｃの特性を調整する。
　図２４（ｇ）～図２４（ｉ）は、直列接続された複数の第１ローパスフィルタ７４ａ及び７４ｃによって損失電力Ｗをフィルタ処理した場合のコンデンサ温度推定部６１ｆ１の部品温度の推定値の波形（破線）と、実際の電解コンデンサＣＡの部品温度の想定値の波形（実線）のイメージ図である。図２４（ｇ）～図２４（ｉ）に示すように、コンデンサ温度推定部６１ｆ１の部品温度の推定値の波形（破線）は、想定値の波形（実線）により近づいており再現性が向上されている。

　次に、直列接続された複数の第１ローパスフィルタ７４ａ及び７４ｃを用いることにより、コンデンサ温度推定部６１ｆ１の推定値の波形の再現性が向上する理由を考察する。図２５（ａ）は、回路基板３６の裏面ｆｒ上に搭載された電子部品ｅｃｒからヒートシンクまでの放熱経路の一例の模式図である。
　電子部品ｅｃｒは、回路基板３６の裏面ｆｒ上に実装され、裏面ｆｒとは反対側の回路基板３６の表面ｆｆには、表面ｆｆ上に実装された電子部品ｅｃｆや温度センサ４５Ａ１及び４５Ａ２が実装され、熱インタフェース材料３８ａ及び３８ｂを介してヒートシンク３７に熱的に結合されている。

　例えば、電子部品ｅｃｆの回路基板３６側とは反対側の面ｆ１が、熱インタフェース材料３８ａを介してヒートシンク３７に熱的に結合されていることにより、回路基板３６の表面ｆｆは、電子部品ｅｃｆを介してヒートシンク３７に熱的に結合されている。また、温度センサ４５Ａ１及び４５Ａ２の回路基板３６側とは反対側の面ｆ２が、熱インタフェース材料３８ｂを介してヒートシンク３７に熱的に結合されていることにより、回路基板３６の表面ｆｆは、温度センサ４５Ａ１及び４５Ａ２を介してヒートシンク３７に熱的に結合されている。また、回路基板３６の表面ｆｆは、回路基板３６とヒートシンク３７との間に介在している熱インタフェース材料３８ａを介してヒートシンク３７に熱的に結合されている。

　このため、回路基板３６の裏面ｆｒ上に実装された電子部品ｅｃｒが発生した熱は、電子部品ｅｃｒから回路基板３６まで放熱経路Ｐｔｈ３を経由して放熱され、さらに回路基板３６からヒートシンク３７まで、これらの間に介在する電子部品ｅｃｆと熱インタフェース材料３８ａを通る放熱経路Ｐｔｈ１を経由してヒートシンク３７に放熱される。これらの放熱経路Ｐｔｈ３と放熱経路Ｐｔｈ１は、異なる熱的特性（例えば熱伝導率や熱容量）を有しているため、電子部品ｅｃｒからヒートシンク３７までの熱伝達の経路を複雑にしている。

　図２５（ｂ）は、電子部品ｅｃｒで発生した熱が放熱経路Ｐｔｈ３及びＰｔｈ１を直列に伝達する場合における、部品温度の遅れ応答を模式的に表現した等価回路図である。
　放熱経路Ｐｔｈ３と放熱経路Ｐｔｈ１とでは熱の伝達特性が異なる。このため、これらの放熱経路Ｐｔｈ３及びＰｔｈ１によって放熱される電子部品の温度変化の遅れ応答を、単一の第１ローパスフィルタ７４によって再現することは難しい。

　そこで第５実施形態では、電子部品ｅｃｒで発生した熱が放熱経路Ｐｔｈ３及びＰｔｈ１を伝達することによって生じる電子部品の温度変化のそれぞれ遅れ応答を、互いに直列接続された複数の第１ローパスフィルタ７４ａ及び７４ｃによってそれぞれ再現する。
　これにより、電子部品ｅｃｒで発生した熱が放熱経路Ｐｔｈ３及びＰｔｈ１を直列に伝達してヒートシンク３７に放熱する場合の電子部品ｅｃｒの温度変化の遅れ応答を、複数の第１ローパスフィルタ７４ａ及び７４ｃによってそれぞれ再現することにより、回路基板３６の裏面ｆｒ上に実装された電子部品ｅｃｒの温度を精度よく推定することが可能となる。

　なお、電子部品ｅｃｒで発生した熱が回路基板３６からヒートシンク３７まで伝達される放熱経路としては、電子部品ｅｃｆ以外に回路基板３６の表面ｆｆに実装された他の電子部品や、温度センサ４５Ａ１及び４５Ａ２や熱インタフェース材料３８ａ、３８ｂを通って、放熱経路Ｐｔｈ１と並列に熱が伝達する放熱経路Ｐｔｈ４も存在する。
　このため、図２５（ｃ）に示すように放熱経路Ｐｔｈ４を経由する放熱による電子部品ｅｃｒの温度変化の遅れ応答を再現するための第１ローパスフィルタ７４ｄを、第１ローパスフィルタ７４ｃに対して並列に接続してもよい。
　但し図２５（ａ）の例では、電子部品ｅｃｆから見れば放熱経路Ｐｔｈ１と放熱経路Ｐｔｈ４はいずれも回路基板３６を経由して放熱する。このため第１ローパスフィルタ７４ｃと第１ローパスフィルタ７４ｄの特性が近くなると考えられ、第１ローパスフィルタ７４ｃと第１ローパスフィルタ７４ｄとを１つの第１ローパスフィルタ７４ｃで実現してもよい。
　また、第１ローパスフィルタ７４ｃの効果が支配的である場合には、第１ローパスフィルタ７４ｃに第１ローパスフィルタ７４ｄを並列接続する効果が少なくなるため、第１ローパスフィルタ７４ｄを省略してもよい。

　さらに、電流制御装置に含まれる電子部品の配置には、実際の製品に応じて様々な形態が考え、これらの電子部品から発生する熱の放熱経路にも様々な形態が考えられる。このため、損失電力演算部７２が演算する損失電力Ｗをフィルタ処理する第１ローパスフィルタ７４として、様々な接続形態で接続された複数の第１ローパスフィルタ７４を、電子部品の配置形態に応じて使い分けてもよい。
　ここで、説明の便宜のためにハイサイドＦＥＴ温度推定部６１ａ１～６１ａ３、ローサイドＦＥＴ温度推定部６１ｂ１～６１ｂ３、シャント抵抗温度推定部６１ｃ１～６１ｃ３、相遮断ＦＥＴ温度推定部６１ｄ１～６１ｄ３、電源遮断ＦＥＴ温度推定部６１ｅ１、６１ｅ２、コンデンサ温度推定部６１ｆ１、６１ｆ２及びコイル温度推定部６１ｇを総称して「部品温度推定部６１」と表記する。

　例えば、第５実施形態の第１低減係数設定部６０は、図１８又は図２１に示すハイサイドＦＥＴ温度推定部６１ａ１と同様に構成した部品温度推定部６１と、図２２又は図２５（ｃ）に示すコンデンサ温度推定部６１ｆ１と同様に構成した部品温度推定部６１と、を両方備えてもよい。
　例えば、図１８又は図２１に示すハイサイドＦＥＴ温度推定部６１ａ１と同様に構成した部品温度推定部６１は、回路基板３６の表面ｆｆ上に搭載された電子部品を推定し、図２２又は図２５（ｃ）に示すコンデンサ温度推定部６１ｆ１と同様に構成した部品温度推定部６１は、回路基板３６の裏面ｆｒ上に搭載された電子部品を推定してよい。

　図２６（ａ）及び図２６（ｂ）は、部品温度推定部６１の第１変形例及び第２変形例のブロック図である。
　なお、図２６（ａ）及び図２６（ｂ）では、損失電力演算部７２への入力信号の図示を省略している。これは、損失電力演算部７２における損失電力Ｗの演算式が、ハイサイドＦＥＴ温度推定部６１ａ１～６１ａ３と、ローサイドＦＥＴ温度推定部６１ｂ１～６１ｂ３と、シャント抵抗温度推定部６１ｃ１～６１ｃ３と、相遮断ＦＥＴ温度推定部６１ｄ１～６１ｄ３と、電源遮断ＦＥＴ温度推定部６１ｅ１、６１ｅ２と、コンデンサ温度推定部６１ｆ１、６１ｆ２と、コイル温度推定部６１ｇとによって異なるためである。

　例えば部品温度推定部６１は、並列接続された複数の第１ローパスフィルタ７４に対して、他の第１ローパスフィルタ７４が直列接続されることにより構成される第１ローパスフィルタ７４の並直列接続を備えていてもよい。例えば図２６（ａ）に示す部品温度推定部６１は、並列接続された第１ローパスフィルタ７４ａ及び７４ｂと、並列接続された第１ローパスフィルタ７４ｃ及び７４ｄとを直列接続することにより形成された第１ローパスフィルタ７４ａ～７４ｄの並直列接続によって、損失電力演算部７２が演算した損失電力Ｗをフィルタ処理してもよい。

　また例えば部品温度推定部６１は、直列接続された複数の第１ローパスフィルタ７４に対して、他の第１ローパスフィルタ７４が並列接続されることにより構成される第１ローパスフィルタ７４の直並列接続を備えていてもよい。例えば図２６（ｂ）に示す部品温度推定部６１は、直列接続された第１ローパスフィルタ７４ａ及び７４ｃと、直列接続された第１ローパスフィルタ７４ｂ及び７４ｄとを並列接続することにより形成された第１ローパスフィルタ７４ａ～７４ｄの直並列接続によって、損失電力演算部７２が演算した損失電力Ｗをフィルタ処理してもよい。

　（第５実施形態の効果）
　（１）実施形態の電流制御装置は、複数の電子部品を含む電流制御回路と、電流制御回路の付近に配置された温度検出素子を有する温度検出回路と、複数の電子部品の各々に流れる電流値を検出又は推定する電流検出部と、電流検出部が検出又は推定した電流値と、温度検出回路が検出した検出温度と、に基づいて、電子部品の温度である部品温度を複数の電子部品毎に推定する部品温度推定部と、複数の電子部品毎に推定された部品温度に含まれる複数の異なる部品温度に対して複数の異なる低減係数をそれぞれ設定する低減係数設定部と、複数の低減係数のいずれか１つを選択する選択部と、選択された低減係数に基づいて電流制御回路から負荷に出力される出力電流を制限する電流制限部と、を備える。

　部品温度推定部は、複数の電子部品毎に、電子部品において発生する損失電力を推定し、互いに直列接続された複数の第１ローパスフィルタによって損失電力をフィルタ処理して得られた第１値と、温度検出回路が検出した検出温度を第２ローパスフィルタでフィルタ処理して得られた第２値と、の和に基づいて複数の電子部品のうちいずれかの電子部品の部品温度を推定する。例えば、損失電力と所定ゲインとの乗算結果を複数の第１ローパスフィルタによってフィルタ処理して第１値を取得してもよい。これにより、電子部品で発生した熱が、電子部品と放熱部材との間に介在する様々な部材や介挿物を経由して放熱される場合における部品温度を精度よく推定できる。

　（２）いずれかの電子部品は、回路基板の第１面上に実装され、第１面とは反対側の回路基板の第２面は、ヒートシンクに熱的に結合されていてよい。これにより、ヒートシンクと反対側を向く回路基板の第１面上に実装される電子部品の部品温度を精度よく推定できる。
　（３）複数の第１ローパスフィルタのうち少なくとも１つは、２次以上のローパスフィルタであってもよい。これにより、熱的特性が大きく異なる材質からなる複数部材を介して放熱される電子部品の温度変化の遅れ応答を精度よく推定できる。

　（４）部品温度推定部は、電子部品のうちいずれかの電子部品以外の他の電子部品の部品温度を、互いに並列接続された複数の第２ローパスフィルタによって損失電力をフィルタ処理して得られた第３値と、温度検出回路が検出した検出温度を第２ローパスフィルタでフィルタ処理して得られた第２値と、の和に基づいて推定してよい。これにより、他の電子部品で発生した熱が、並列に存在する複数の放熱経路を伝達して放熱される場合における部品温度を精度よく推定できる。

　（５）いずれかの電子部品は、回路基板の第１面上に実装され、他の電子部品は、第１面とは反対側の回路基板の第２面上に実装され、他の電子部品の回路基板側とは反対側の面がヒートシンクに熱的に結合されており、回路基板の第２面は、他の電子部品、第２面上に実装された温度検出素子又は熱インタフェース材料を介してヒートシンクに熱的に結合されていてよい。これにより、回路基板の第１面と第２面に実装されるそれぞれの電子部品の部品温度を精度よく推定できる。

　（６）部品温度推定部は、互いに並直列接続又は直並列接続された複数の第１ローパスフィルタによって損失電力をフィルタ処理して得られた第１値と、温度検出回路が検出した検出温度を第２ローパスフィルタでフィルタ処理して得られた第２値と、の和に基づいて複数の電子部品毎に部品温度を推定してよい。これにより、電流制御装置に含まれる電子部品の配置形態に応じて、様々な遅延特性の第１ローパスフィルタ７４を選択できる。

　（７）電流制御回路はインバータ回路であり、いずれかの電子部品は、インバータ回路の正極線と負極線とを接続する平滑コンデンサであってよい。これにより平滑コンデンサ発生した熱が、平滑コンデンサと放熱部材との間に介在する様々な部材や介挿物を経由して放熱される場合における平滑コンデンサの部品温度を精度よく推定できる。

　（８）電流制御回路はインバータ回路であり、複数の電子部品は、インバータ回路の正極線と負極線とを接続する平滑コンデンサを含み、部品温度推定部は、インバータ回路の相電流の大きさに基づいて平滑コンデンサにおいて発生する損失電力を推定してもよい。これにより、インバータ回路のスイッチングと平滑コンデンサとの間の距離の違いに応じて発生する部品温度の推定値のばらつきを低減できる。

　（第６実施形態）
　図７に示すハイサイドＦＥＴ温度推定部６１ａ１は、ハイサイドＦＥＴＱ１の部品温度Ｔｅａ１の推定のために第１ローパスフィルタ７４を有している。第１ローパスフィルタ７４は積分回路により構成され、ＥＣＵ３０が動作を停止すると（すなわち、第１電流制御回路４０Ａ、第２電流制御回路４０Ｂが停止すると）、積分回路の遅延素子がリセットされる。以下の説明において、第１電流制御回路４０Ａ及び第２電流制御回路４０Ｂを総称して電流制御回路４０と表記することがある。
　このような積分回路の遅延素子のリセットは、例えば、バッテリ１３のバッテリ電圧の瞬間的な変動、バッテリ１３のコネクタの不良、ＥＣＵ３０のシステムチェック機能による制御演算装置３１ａ、３１ｂの強制リセット、イグニションスイッチ１１のオフなどの原因により、第１低減係数設定部６０が機能を停止し、ハイサイドＦＥＴＱ１の部品温度Ｔｅａ１の温度推定を継続できない場合に発生する。

　積分回路の遅延素子がリセットされると、ハイサイドＦＥＴ温度推定部６１ａ１は、第１ローパスフィルタ７４の遅延素子に適切な初期値を設定した後に積分回路を動作させないと適正な部品温度Ｔｅａを推定できなくなる。
　そこで第６実施形態のハイサイドＦＥＴ温度推定部６１ａ１は、ＥＣＵ３０が停止してから動作を再開するときに、電流制御回路４０の付近の２箇所で検出される第１検出温度Ｔｄ１及び第２検出温度Ｔｄ２に基づいて、ハイサイドＦＥＴ温度推定部６１ａ１が推定する部品温度の初期値を設定する。

　以下の説明では、ハイサイドＦＥＴ温度推定部６１ａ１を例示するが、ハイサイドＦＥＴ温度推定部６１ａ２及び６１ａ３と、ローサイドＦＥＴ温度推定部６１ｂ１～６１ｂ３と、シャント抵抗温度推定部６１ｃ１～６１ｃ３と、相遮断ＦＥＴ温度推定部６１ｄ１～６１ｄ３と、電源遮断ＦＥＴ温度推定部６１ｅ１及び６１ｅ２と、コンデンサ温度推定部６１ｆ１及び６１ｆ２と、及びコイル温度推定部６１ｇも、ハイサイドＦＥＴ温度推定部６１ａ１と同様の構成を備えてよい。

　なお、第１検出温度Ｔｄ１及び第２検出温度Ｔｄ２を検出するための温度検出素子は、第１検出温度Ｔｄ１と第２検出温度Ｔｄ２との間に温度差が発生するように互いに十分に離れた位置に設置すればよく、特に設置位置は限定されない。
　図２７を参照する。例えば第１検出温度Ｔｄ１及び第２検出温度Ｔｄ２のうちいずれか一方を検出するための温度検出素子として、制御演算装置３１ａ、３１ｂのＩＣパッケージ内に設けられた温度検出器４６Ａ、４６Ｂを用いてもよい。

　第１検出温度Ｔｄ１及び第２検出温度Ｔｄ２のうちいずれか他方を検出するための温度検出素子として、温度検出回路４５Ａ又は４５Ｂを用いてもよい。
　このように、第１検出温度Ｔｄ１及び第２検出温度Ｔｄ２を検出するための温度検出素子は、ＥＣＵ３０を構成する何れかのＩＣのＩＣパッケージ内に設けられていてもよく、ＩＣパッケージとは別個に電流制御回路４０の付近に設けられていてもよい。

　図２８は、第６実施形態のハイサイドＦＥＴ温度推定部６１ａ１の機能構成の一例のブロック図である。第６実施形態のハイサイドＦＥＴ温度推定部６１ａ１は、初期値設定部７８と、減算器７９を備える。
　初期値設定部７８は、ＥＣＵ３０が動作を停止した時点の第１検出温度Ｔｄ１及び第２検出温度Ｔｄ２と、ＥＣＵ３０が動作を停止した時点にハイサイドＦＥＴ温度推定部６１ａ１が出力した部品温度Ｔｅａ１の推定値と、ＥＣＵ３０が動作を再開した時点の第１検出温度Ｔｄ１及び第２検出温度Ｔｄ２と、に基づいて、ＥＣＵ３０が動作を再開した時点の部品温度Ｔｅａ１の推定値の初期値Ｔｉｎｉを算出する。

　以下、ＥＣＵ３０が動作を停止した時点の第１検出温度Ｔｄ１及び第２検出温度Ｔｄ２を「停止時の第１検出温度Ｔｄ１ｅ及び第２検出温度Ｔｄ２ｅ」と表記し、ＥＣＵ３０が動作を停止した時点にハイサイドＦＥＴ温度推定部６１ａ１が出力した部品温度Ｔｅａ１の推定値を「停止時の部品温度Ｔｅａ１の推定値Ｔｅａ１ｅ」と表記し、ＥＣＵ３０が動作を再開した時点の第１検出温度Ｔｄ１及び第２検出温度Ｔｄ２を、「再開時の第１検出温度Ｔｄ１ｒ及び第２検出温度Ｔｄ２ｒ」と表記することがある。

　また以下の説明では、温度検出回路４５Ａが出力するＥＣＵ３０の温度の検出信号ＳｄＡを第１検出温度Ｔｄ１として使用する場合を例示するが、温度検出回路４５Ａが出力するＥＣＵ３０の温度の検出信号ＳｄＡを第２検出温度Ｔｄ２として使用してもよい。
　ＥＣＵ３０が動作を停止すると、初期値設定部７８は、ＥＣＵ３０の動作停止時に最後に入力された第１検出温度Ｔｄ１及び第２検出温度Ｔｄ２を、停止時の第１検出温度Ｔｄ１ｅ及び第２検出温度Ｔｄ２ｅとして記憶する。また、ＥＣＵ３０の動作停止時にハイサイドＦＥＴ温度推定部６１ａ１が最後に出力した部品温度Ｔｅａ１の推定値を、停止時の部品温度Ｔｅａ１の推定値Ｔｅａ１ｅとして記憶する。

　ＥＣＵ３０が動作を再開すると、初期値設定部７８は、再開時の第１検出温度Ｔｄ１ｒ及び第２検出温度Ｔｄ２ｒを取得する。
　初期値設定部７８は、停止時の第１検出温度Ｔｄ１ｅと第２検出温度Ｔｄ２ｅの温度差（Ｔｄ２ｅ－Ｔｄ１ｅ）と、再開時の第１検出温度Ｔｄ１ｒと第２検出温度Ｔｄ２ｒの温度差（Ｔｄ２ｒ－Ｔｄ１ｒ）との比を、第１推定ゲインＧｅ１＝（Ｔｄ２ｒ－Ｔｄ１ｒ）／（Ｔｄ２ｅ－Ｔｄ１ｅ）として算出する。

　図２９（ａ）は、時刻ｔ＝０においてＥＣＵ３０が動作を停止した後の第１検出温度Ｔｄ１（実線）及び第２検出温度Ｔｄ２（破線）と、推定対象のハイサイドＦＥＴＱ１の部品温度Ｔｅａ１の想定値（一点鎖線）の模式図である。図２９（ｂ）は、図２９（ａ）の第１検出温度Ｔｄ１及び第２検出温度Ｔｄ２に基づいて算出した第１推定ゲインＧｅ１の模式図である。
　図２９（ａ）は、ＥＣＵ３０が動作を停止した後の推定対象の部品温度Ｔｅａ１の温度低下の遅れ応答が、第２検出温度Ｔｄ２の温度低下の遅れ応答よりも遅い場合の例を示している。

　例えば、特許第６５６９４４７号公報には、第１電子部品の第１部品温度の影響を被り易い停止時の第１検出温度Ｔｄ１ｅと停止時の部品温度Ｔｅａ１の推定値Ｔｅａ１ｅとの温度差（Ｔｅａ１ｅ－Ｔｄ１ｅ）に第１推定ゲインＧｅ１を乗じて、再開時の部品温度Ｔｅａ１の推定値（Ｇｅ１×（Ｔｅａ１ｅ－Ｔｄ１ｅ））を算出する温度推定方法が記載されている。
　しかしながら、推定対象の部品温度Ｔｅａ１の温度低下の遅れ応答と第２検出温度Ｔｄ２の温度低下の遅れ応答とが異なる場合に、第１推定ゲインＧｅ１をそのまま用いて部品温度Ｔｅａ１を推定すると、部品温度Ｔｅａ１の推定値に誤差を生じる。

　図２９（ｃ）の破線は、第１推定ゲインＧｅ１に基づく部品温度Ｔｅａ１の推定値（Ｇｅ１×（Ｔｅａ１ｅ－Ｔｄ１ｅ））を示し、図２９（ｃ）の一点鎖線は部品温度Ｔｅａ１の想定値を示す。図２９（ｄ）は、推定値と想定値との誤差を示す模式図である。
　部品温度Ｔｅａ１の温度低下の遅れ応答が第２検出温度Ｔｄ２の温度低下の遅れ応答よりも遅い場合には、図２９（ｃ）及び図２９（ｄ）に示すように、第１推定ゲインＧｅ１に基づく推定値（破線）が想定値（一点鎖線）よりも低く見積もられて、時刻ｔ１０において最も誤差が大きくなっている。部品温度Ｔｅａ１が過小に見積もられると電流指令値の制限が不十分になるため、図２９（ｃ）及び図２９（ｄ）の推定誤差は、危険側に生じた誤差となる。
　推定対象の部品温度Ｔｅａ１の温度低下の遅れ応答と第１検出温度Ｔｄ１の温度低下の遅れ応答とが異なる場合も同様に、第１推定ゲインＧｅ１をそのまま用いて部品温度Ｔｅａ１を推定すると推定値に誤差を生じる。

　そこで、第６実施形態では、ＥＣＵ３０が動作を停止した時（すなわち電流制御回路４０が停止した時）に発生する部品温度Ｔｅａ１の時間変化を予め実際に測定しておく。そして、初期値設定部７８は、測定結果から求められた部品温度Ｔｅａ１の時間変化の温度データに基づいて第１推定ゲインＧｅ１を較正することにより第２推定ゲインＧｅ２を設定する。以下、ＥＣＵ３０が動作を停止した時の部品温度Ｔｅａ１の時間変化を予め実際に測定して求めた部品温度Ｔｅａ１の時間変化の温度データを「実測定温度データ」と表記することがある。
　例えば、実測定温度データに基づいて、第１推定ゲインＧｅ１から第２推定ゲインＧｅ２へ変換する関数を予め設定してもよい。初期値設定部７８は、予め設定された関数に第１推定ゲインＧｅ１を代入して第２推定ゲインＧｅ２を設定してよい。

　例えば初期値設定部７８は、実測定温度データに基づいて設定された定数ｘをべき指数とし、第１推定ゲインＧｅ１を底とするべき関数を用いて第２推定ゲインＧｅ２＝Ｇｅ１^ｘを設定してよい。上述した第１推定ゲインＧｅ１に基づく推定値の誤差は、部品温度Ｔｅａ１の温度低下の遅れ応答の時定数と第２検出温度Ｔｄ２の温度低下の遅れ応答との時定数の違いによって生じると考えられるためである。
　図３０（ａ）は第２推定ゲインＧｅの一例の模式図である。例えば、推定対象の部品温度Ｔｅａ１の温度低下の遅れ応答が第２検出温度Ｔｄ２の温度低下の遅れ応答よりも遅い場合には、１より小さな値のべき指数ｘを設定してよい。

　初期値設定部７８は、停止時の第１検出温度Ｔｄ１ｅと停止時の部品温度Ｔｅａ１の推定値Ｔｅａ１ｅとの温度差（Ｔｅａ１ｅ－Ｔｄ１ｅ）に第２推定ゲインＧｅ２を乗じて、再開時の部品温度Ｔｅａ１の推定値の初期値Ｔｉｎｉ＝（Ｇｅ２×（Ｔｅａ１ｅ－Ｔｄ１ｅ））を算出する。
　図３０（ｂ）は第２推定ゲインＧｅ２に基づく部品温度の推定値の模式図である。第２推定ゲインＧｅ２を用いて部品温度Ｔｅａ１を推定することにより、推定値を想定値に近付けることができる。これにより、部品温度Ｔｅａ１が過小に見積もられることにより生じる電流指令値の不十分な制限を回避できる。
　なお、初期値設定部７８は、予め実際に測定した温度データに基づいて設定されたルックアップテーブルに基づいて、第１推定ゲインＧｅ１から第２推定ゲインＧｅ２へ変換してもよい。

　図２８を参照する。減算器７９は、初期値Ｔｉｎｉから基礎温度Ｔｔｈを減算した差分（Ｔｉｎｉ－Ｔｔｈ）を、ＥＣＵ３０が動作を再開した時点の第１ローパスフィルタ７４の出力の初期値として、第１ローパスフィルタ７４に設定する。例えば減算器７９は、差分（Ｔｉｎｉ－Ｔｔｈ）を第１ローパスフィルタ７４の遅延素子に代入してよい。
　この結果、ＥＣＵ３０が動作を再開した時点で、第１ローパスフィルタ７４から差分（Ｔｉｎｉ－Ｔｔｈ）が出力される。加算器７６は、差分（Ｔｉｎｉ－Ｔｔｈ）に基礎温度Ｔｔｈを加える。この結果、ハイサイドＦＥＴ温度推定部６１ａ１から初期値Ｔｉｎｉが出力される。

　図３１（ａ）は、ＥＣＵ３０が動作を停止した後の推定対象の部品温度Ｔｅａ１の温度低下の遅れ応答が、第２検出温度Ｔｄ２の温度低下の遅れ応答よりも速い場合の第１検出温度Ｔｄ１（実線）及び第２検出温度Ｔｄ２（破線）と、推定対象のハイサイドＦＥＴＱ１の部品温度Ｔｅａ１の想定値（一点鎖線）の模式図である。
　図３１（ｂ）の破線は、図３１（ａ）の第１検出温度Ｔｄ１及び第２検出温度Ｔｄ２から求めた第１推定ゲインＧｅ１に基づいて算出した部品温度Ｔｅａ１の推定値を示し、図３１（ｂ）の一点鎖線は、部品温度Ｔｅａ１の想定値を示す。図３１（ｃ）は、推定値と想定値との誤差を示す模式図である。

　部品温度Ｔｅａ１の遅れ応答が第２検出温度Ｔｄ２の遅れ応答よりも速い場合には、図３１（ｂ）及び図３１（ｃ）に示すように、第１推定ゲインＧｅ１に基づく推定値（破線）が想定値（一点鎖線）よりも高く見積もられる。この結果、電流指令値が不必要に制限される虞がある。

　したがって、部品温度Ｔｅａ１の遅れ応答が第２検出温度Ｔｄ２の遅れ応答よりも速い場合には、第１推定ゲインＧｅ１から第２推定ゲインＧｅ２へ変換するべき関数のべき指数ｘを１より大きな値に設定してよい。
　図３１（ｄ）は、第１推定ゲインＧｅ１と第２推定ゲインＧｅの一例の模式図であり、図３１（ｅ）は、第２推定ゲインＧｅ２に基づく部品温度の推定値の模式図である。第２推定ゲインＧｅ２を用いて部品温度Ｔｅａ１を推定することにより、推定値を想定値に近付けることができる。これにより、部品温度Ｔｅａ１が過大に見積もられることにより生じる電流指令値の不要な制限を回避できる。

　（第６実施形態の効果）
　（１）電流制御装置は、電子部品を含む電流制御回路と、電流制御回路の付近に配置された温度検出素子を有する温度検出回路と、電子部品に流れる電流値を検出又は推定する電流検出部と、電流検出部が検出又は推定した電流値と、温度検出回路が検出した検出温度と、に基づいて、電子部品の温度である部品温度を推定する部品温度推定部と、部品温度に基づいて電流制御回路から負荷に出力される出力電流を制限する電流制限部と、を備える。

　部品温度推定部は、電流制御回路が停止してから動作を再開するときに部品温度の推定値の初期値を設定する初期値設定部を備える。
　初期値設定部は、電流制御回路の付近の互いに離れた２箇所で検出される第１検出温度及び第２検出温度を取得し、電流制御回路の停止時に、部品温度の推定温度と第１検出温度と第２検出温度とを記憶し、停止時における第１検出温度と第２検出温度の温度差と、電流制御回路の動作の再開時における第１検出温度と第２検出温度の温度差との比を、第１推定ゲインとして算出し、電流制御回路が停止した時の部品温度の時間変化を予め実際に測定して得られる温度データに基づいて第１推定ゲインを較正することにより第２推定ゲインを設定し、停止時における第１検出温度と部品温度の推定温度との温度差に第２推定ゲインを乗じて求めた温度差に基づいて初期値を設定する。

　これにより、電流制御回路の停止後における第２検出温度の低下の遅れ応答の時定数と、推定対象の電子部品の部品温度の低下の遅れ応答の時定数とが異なっていても、電流制御回路の動作の再開時における電子部品の推定精度を向上できる。この結果、電流制御回路が停止してから動作を再開するときに、再開時における部品温度の推定精度を向上できる。

　（２）初期値設定部は、温度データに基づいて設定された第１推定ゲインの関数によって、第１推定ゲインを第２推定ゲインに変換してよい。上記関数は、温度データに基づいて設定された定数をべき指数とし第１推定ゲインを底とするべき関数であってもよく、温度データに基づいて設定されたルックアップテーブルであってもよい。これにより、部品温度の時間変化を予め実際に測定して得られる温度データと、第１推定ゲインと、に基づいて第２推定ゲインを適切に設定できる。

　（３）温度データに基づいて求めた部品温度の遅れ応答が、電流制御回路が停止した時の第２検出温度の遅れ応答よりも遅い場合に１よりも小さなべき指数を設定し、速い場合に１よりも大きなべき指数を設定してよい。これにより、電流制御回路が停止した時の部品温度の温度低下の遅れ応答特性に応じて、第１推定ゲインを第２推定ゲインに変換するべき関数を適切に設定できる。

　（４）部品温度推定部は、温度検出回路が検出した検出温度に応じた値として温度検出回路が検出した検出温度を第２ローパスフィルタ７５に通して得られた値を取得してもよい。このように温度検出回路が検出した検出温度にローパスフィルタ処理を施すことにより、個々の電子部品の近傍の周囲温度の推定値を取得できる。例えば、温度検出回路の付近の電子部品の発熱の影響を抑制することで、他の電子部品の近傍の周囲温度を精度良く推定できる。電子部品がヒートシンクに熱接続されている場合には電子部品の近傍のヒートシンク温度を取得できる。

　（第７実施形態）
　図３２（ａ）～図３２（ｅ）はそれぞれ、ＥＣＵ３０がモータ２０の第１系統コイルと第２系統コイルの両方を駆動する両系統駆動モードで動作し、且つ第１電流制御回路４０Ａと第２電流制御回路４０Ｂからモータ２０に出力する駆動電流の配分比率を略等しくした場合におけるチョークコイルＬａ、電源遮断ＦＥＴＱＣ２、ＱＤ２、ＱＣ１及びＱＤ１の部品温度の想定値の変化の一例を示す図である。

　両系統駆動モードでは、バッテリ１３から第１系統コイルと第２系統コイルとにそれぞれ流れるバッテリ電流Ｉｂａｔ１、Ｉｂａｔ２の両方がチョークコイルＬａに流れる。このためチョークコイルＬａは高温になり易く、図３２（ａ）に示すように時刻ｔ１においてチョークコイルＬａの部品温度は高くなっている。

　これに対し、バッテリ電流Ｉｂａｔ１のみが流れる電源遮断ＦＥＴＱＣ１及びＱＣ２の部品温度と（図３２（ｄ）及び図３２（ｂ））、バッテリ電流Ｉｂａｔ２のみが流れる電源遮断ＦＥＴＱＤ１及びＱＤ２（図３２（ｅ）及び図３２（ｃ））の発熱量は、チョークコイルＬａの発熱量よりも小さい。
　さらに、第１電流制御回路４０Ａと第２電流制御回路４０Ｂからモータ２０に出力する駆動電流の配分比率が略等しい場合には、バッテリ電流Ｉｂａｔ１とＩｂａｔ２の大きさは略等しい。このため、バッテリ電流Ｉｂａｔ１が流れる電源遮断ＦＥＴＱＣ１（図３２（ｄ））とバッテリ電流Ｉｂａｔ２が流れる電源遮断ＦＥＴＱＤ１（図３２（ｅ））の時刻ｔ１付近の部品温度の差が小さくなっている。

　一方で、バッテリ電流Ｉｂａｔ１が流れる電源遮断ＦＥＴＱＣ２（図３２（ｂ））とバッテリ電流Ｉｂａｔ２が流れる電源遮断ＦＥＴＱＤ２（図３２（ｃ））の部品温度の差も小さくなることが予想されるところ、図３２（ｂ）及び図３２（ｃ）を比較すると、電源遮断ＦＥＴＱＤ２の部品温度が電源遮断ＦＥＴＱＣ２の部品温度よりも、時刻ｔ１付近において有意に高くなっている。
　これは、電源遮断ＦＥＴＱＤ２が、電源遮断ＦＥＴＱＣ１、ＱＣ２、ＱＤ１よりもチョークコイルＬａに近接して配置しているため、高温のチョークコイルＬａから伝搬する熱量が電源遮断ＦＥＴＱＤ２の部品温度に影響したことが原因であると考えられる。

　図３３（ａ）は、チョークコイルＬａからの放熱経路の第１例の模式図である。図３３（ａ）の例では、電源遮断ＦＥＴＱＤ２、温度センサ４５Ｂ１及び４５Ｂ２、チョークコイルＬａが回路基板３６の表面ｆｆに実装され、それぞれ熱インタフェース材料３８ａ～３８ｃを介してヒートシンク３７に接触している。
　この場合は、チョークコイルＬａの熱が熱インタフェース材料３８ｃを通ってヒートシンク３７に放熱される放熱経路Ｐｔｈ５と、チョークコイルＬａの熱が、回路基板３６と電源遮断ＦＥＴＱＤ２と熱インタフェース材料３８ａを通ってヒートシンク３７に放熱される放熱経路Ｐｔｈ６が想定される。このため、チョークコイルＬａから放熱経路Ｐｔｈ６を伝搬する熱が、電源遮断ＦＥＴＱＤ２の部品温度の上昇を招くと考えられる。

　図３３（ｂ）は、チョークコイルＬａからの放熱経路の第２例の模式図である。図３３（ｂ）の例では、電源遮断ＦＥＴＱＤ２、温度センサ４５Ｂ１及び４５Ｂ２が回路基板３６の表面ｆｆに実装され、それぞれ熱インタフェース材料３８ａ及び３８ｂを介してヒートシンク３７に接触している。一方でチョークコイルＬａは、回路基板３６に接続配線Ｗで電気的に接続され、熱インタフェース材料３８ｃを介してヒートシンク３７に接触している。
　この場合は、チョークコイルＬａの熱が熱インタフェース材料３８ｃを通ってヒートシンク３７に放熱される放熱経路Ｐｔｈ５と、チョークコイルＬａの熱が、接続配線Ｗと回路基板３６と電源遮断ＦＥＴＱＤ２と熱インタフェース材料３８ａを通ってヒートシンク３７に放熱される放熱経路Ｐｔｈ７が想定される。このため、チョークコイルＬａから放熱経路Ｐｔｈ７を伝搬する熱が、電源遮断ＦＥＴＱＤ２の部品温度の上昇を招くと考えられる。

　図３３（ｃ）は、チョークコイルＬａからの放熱経路の第３例の模式図である。図３３（ｃ）の例では、電源遮断ＦＥＴＱＤ２、温度センサ４５Ｂ１及び４５Ｂ２が回路基板３６の表面ｆｆに実装され、それぞれ熱インタフェース材料３８ａ及び３８ｂを介してヒートシンク３７に接触している。一方でチョークコイルＬａは、回路基板３６の裏面ｆｒに実装され、回路基板３６を貫通するビアと熱インタフェース材料３８ｃを介してヒートシンク３７に熱的に接続されている。
　この場合は、チョークコイルＬａの熱がビアと熱インタフェース材料３８ｃを通ってヒートシンク３７に放熱される放熱経路Ｐｔｈ８と、チョークコイルＬａの熱が、回路基板３６と電源遮断ＦＥＴＱＤ２と熱インタフェース材料３８ａを通ってヒートシンク３７に放熱される放熱経路Ｐｔｈ９が想定される。このため、チョークコイルＬａから放熱経路Ｐｔｈ９を伝搬する熱が、電源遮断ＦＥＴＱＤ２の部品温度の上昇を招くと考えられる。

　このように、高温になり易いチョークコイルＬａに近接して電源遮断ＦＥＴＱＤ２が配置されている場合には、電源遮断ＦＥＴＱＤ２はチョークコイルＬａの高温の影響を受ける虞がある。この結果、電源遮断ＦＥＴＱＤ２の実際の部品温度が、電源遮断ＦＥＴ温度推定部６１ｅ２による推定値よりも高くなり、部品温度の推定精度が低下する虞がある。以下の説明において、高温になりやすい電子部品を「第１電子部品」と表記し、第１電子部品の部品温度の影響を被り易い電子部品を「第２電子部品」と表記することがある。チョークコイルＬａは、「第１電子部品」の一例であり、電源遮断ＦＥＴＱＤ２は、「第２電子部品」の一例である。
　説明の便宜上、以下の説明において、第２系統コイルを駆動する電流を制御する電流制御回路を構成する第２電力変換回路４２ＢのハイサイドＦＥＴＱ１、Ｑ３及びＱ５、ローサイドＦＥＴＱ２、Ｑ４及びＱ６、電流検出回路３９Ａ２、３９Ｂ２及び３９Ｃ２のシャント抵抗、相遮断ＦＥＴＱＢ１、ＱＢ２及びＱＢ３、電源遮断ＦＥＴＱＤ１、ＱＤ２、並びに電解コンデンサＣＢ１及びＣＢ２、の部品温度についても、第１系統コイルを駆動する電流を制御する電流制御回路を構成する電子部品の部品温度と同じ符号（すなわち、それぞれＴｅａ１～Ｔｅａ３、Ｔｅｂ１～Ｔｅｂ３、Ｔｅｃ１～Ｔｅｃ３、Ｔｅｄ１～Ｔｅｄ３、Ｔｅｅ１及びＴｅｅ２、並びにＴｅｆ１及びＴｅｆ２）を用いる。

　第７実施形態では、第２電子部品の損失電力Ｗと、温度検出回路４５Ｂが出力するＥＣＵ３０の温度の検出信号ＳｄＢに加えて、第１電子部品の第１部品温度に基づいて第２電子部品の第２部品温度を推定する。例えば、電源遮断ＦＥＴＱＤ２の損失電力Ｗと、検出信号ＳｄＢと、チョークコイルＬａの部品温度Ｔｅｇとに基づいて電源遮断ＦＥＴＱＤ２の部品温度Ｔｅｅ２を推定する。
　これにより、第２電子部品の第２部品温度が第１電子部品の第１部品温度の影響を被り易い構成において、第２部品温度の推定値を第１部品温度の推定値に基づいて補正することが可能になるため、第２部品温度の推定精度を向上できる。

　図３４（ａ）は、第７実施形態の制御演算装置３１ｂの第１低減係数設定部６０に設けられた電源遮断ＦＥＴ温度推定部６１ｅ２の機能構成の第１例のブロック図である。電源遮断ＦＥＴ温度推定部６１ｅ２は、電流検出回路３９Ａ２、３９Ｂ２及び３９Ｃ２でそれぞれ検出したＡ相電流、Ｂ相電流、Ｃ相電流の検出値Ｉ２ａｄ、Ｉ２ｂｄ、Ｉ２ｃｄと、温度検出回路４５Ｂが検出したＥＣＵ３０の温度の検出信号ＳｄＢと、コイル温度推定部６１ｇが推定したチョークコイルＬａの部品温度Ｔｅｇの推定値を受信する。

　損失電力演算部７２は、前回の制御サイクルで演算した電源遮断ＦＥＴＱＤ２の部品温度Ｔｅｅ２の前回値に基づいて電源遮断ＦＥＴＱＤ２のオン抵抗Ｒｆを推定する。そして、オン抵抗Ｒｆと、Ａ相電流、Ｂ相電流、Ｃ相電流の検出値Ｉ２ａｄ、Ｉ２ｂｄ、Ｉ２ｃｄに基づいてバッテリ１３から第２系統コイルに流れるバッテリ電流Ｉｂａｔ２を算出する。そして、次式に基づいて電源遮断ＦＥＴＱＤ２の損失電力Ｗを演算する。
　Ｗ＝Ｒｆ×Ｉｂａｔ２^２
　ゲイン乗算部７３は、損失電力Ｗと所定のゲインＧ１との積（Ｇ１×Ｗ）を算出して第１ローパスフィルタ７４に出力する。

　第１ローパスフィルタ７４は、積（Ｇ１×Ｗ）にローパスフィルタ処理を行うことにより得られる信号を加算器７６に出力する。第２ローパスフィルタ７５は、温度検出回路４５Ｂが出力するＥＣＵ３０の温度の検出信号ＳｄＢにローパスフィルタ処理を行うことにより得られる信号を加算器７６に出力する。
　ゲイン乗算部８１は、上記のゲインＧ１と異なる所定のゲインＧ２と、チョークコイルＬａの部品温度Ｔｅｇと、の積（Ｇ２×Ｔｅｇ）を算出して第３ローパスフィルタ８２に出力する。第３ローパスフィルタ８２は、積（Ｇ２×Ｔｅｇ）にローパスフィルタ処理を行うことにより得られる信号を加算器７６に出力する。

　加算器７６は、第１ローパスフィルタ７４の出力と、第２ローパスフィルタ７５の出力と、第３ローパスフィルタ８２の出力との和を、電源遮断ＦＥＴＱＤ２の部品温度Ｔｅｅ２として算出する。
　なお、本明細書では、「第１電子部品」としてチョークコイルＬａを例示し、「第２電子部品」として電源遮断ＦＥＴＱＤ２を例示するが、本実施形態はこのような特定の例に限定されるものではない。本実施形態は、電流制御回路に含まれる複数の電子部品のうち発熱し易い電子部品と、この電子部品に近接して配置される他の部品の組合せに対して広く適用できる。

　図３４（ｂ）は、第７実施形態の制御演算装置３１ｂの第１低減係数設定部６０に設けられた電源遮断ＦＥＴ温度推定部６１ｅ２の機能構成の第２例のブロック図である。
　電流制御回路の動作状態（動作モード）には、電流制御回路に含まれる電子部品が発熱し易い（すなわち高温になり易い）動作状態と、発熱が緩やかな動作状態とが存在する。以下の説明において、電子部品が比較的発熱し易い（すなわち高温になり易い）動作状態を「第１状態」と表記し、発熱が比較的緩やかな動作状態を「第２状態」と表記する。

　例えば第１状態は、電子部品の発熱量の時間平均や電子部品に流れる電流の時間平均が閾値以上である状態であり、第２状態は、電子部品の発熱量の時間平均や電子部品に流れる電流の時間平均が閾値未満である状態であってよい。例えば、第１状態はバッテリ１３から流れるバッテリ電流Ｉｂａｔ＝（Ｉｂａｔ１＋Ｉｂａｔ２）やその時間平均が閾値以上である状態であり、第２状態はバッテリ電流Ｉｂａｔやその時間平均が閾値未満である状態であってよい。
　スイッチ８３は、電流制御回路の動作状態が、第１状態であるか第２状態であるかを判定する。

　例えば、スイッチ８３は、バッテリ電流Ｉｂａｔやその時間平均が閾値以上である場合に電流制御回路の動作状態が第１状態であると判定し、バッテリ電流Ｉｂａｔやその時間平均が閾値未満である場合に電流制御回路の動作状態が第２状態であると判定してよい。
　また例えば、モータ２０の駆動電流を供給する電流制御装置に本発明を適用する場合、モータ２０のモータ回転軸の回転速度が閾値以上である場合に第１状態であると判定し、回転速度が閾値未満である場合に第２状態であると判定してよい。また、多相モータのいずれか特定の１相の電流が他の相の電流よりも高い状態が継続して、モータ回転軸の回転が停止した状態を第２状態であると判定し、モータ回転軸が回転している状態を第１状態であると判定してもよい。

　スイッチ８３は、電流制御回路の動作状態が第１状態である場合に、第３ローパスフィルタ８２の出力を加算器７６に出力する。加算器７６は、第１ローパスフィルタ７４の出力と、第２ローパスフィルタ７５の出力と、第３ローパスフィルタ８２の出力との和を、電源遮断ＦＥＴＱＤ２の部品温度Ｔｅｅ２として算出する。
　一方で、電流制御回路の動作状態が第２状態である場合に、スイッチ８３は値「０」を加算器７６に出力する。加算器７６は、第１ローパスフィルタ７４の出力と、第２ローパスフィルタ７５の出力との和を、電源遮断ＦＥＴＱＤ２の部品温度Ｔｅｅ２として算出する。すなわち、チョークコイルＬａの部品温度Ｔｅｇに基づかないで電源遮断ＦＥＴＱ２の部品温度Ｔｅｅ２を推定する。

　（第７実施形態の効果）
　（１）電流制御装置は、複数の電子部品を含む電流制御回路と、電流制御回路の付近に配置された温度検出素子を有する温度検出回路と、複数の電子部品の各々に流れる電流値を検出又は推定する電流検出部と、電流検出部が検出又は推定した電流値と、温度検出回路が検出した検出温度と、に基づいて、電子部品の温度である部品温度を複数の電子部品毎に推定する部品温度推定部と、複数の電子部品毎に推定された部品温度に含まれる複数の異なる部品温度に対して複数の異なる低減係数をそれぞれ設定する低減係数設定部と、複数の低減係数のいずれか１つを選択する選択部と、選択された低減係数に基づいて電流制御回路から負荷に出力される出力電流を制限する電流制限部と、を備える。

　複数の電子部品は、少なくとも第１電子部品と第２電子部品とを含み、部品温度推定部は、電流検出部が検出又は推定した電流値と、温度検出回路が検出した検出温度と、に基づいて第１電子部品の部品温度である第１部品温度を推定し、電流検出部が検出又は推定した電流値と、温度検出回路が検出した検出温度と、第１部品温度と、に基づいて第２電子部品の部品温度である第２部品温度を推定する。例えば、第１電子部品と第２電子部品とは互いに近接して配置されている部品であってよい。

　これにより、第２電子部品の第２部品温度が第１電子部品の第１部品温度の影響を被り易い構成において、第２部品温度の推定値を第１部品温度の推定値に基づいて補正することが可能になるため、第２部品温度の推定精度を向上できる。

　（２）部品温度推定部は、第１電子部品において発生する損失電力である第１損失電力と、第２電子部品において発生する損失電力である第２損失電力とを推定し、第１損失電力と所定ゲインとの積をローパスフィルタ処理して得られた値と、温度検出回路が検出した検出温度をローパスフィルタ処理して得られた値と、の和に基づいて、第１部品温度を推定し、第２損失電力と所定ゲインとの積をローパスフィルタ処理して得られた値と、温度検出回路が検出した検出温度をローパスフィルタ処理して得られた値と、第１部品温度と所定ゲインとの積をローパスフィルタ処理して得られた値と、の和に基づいて、第２部品温度を推定してよい。

　損失電力をローパスフィルタ処理して得られた値に基づいて部品温度を推定することにより、部品温度を精度良く推定できる。また、温度検出回路が検出した検出温度にローパスフィルタ処理を施すことにより、個々の電子部品の近傍の周囲温度の推定値を取得できる。電子部品がヒートシンクに熱接続されている場合には電子部品の近傍のヒートシンク温度を取得できる。また、第１部品温度をローパスフィルタ処理して得られた値に基づいて部品温度を推定することにより、第１電子部品の発熱の伝搬が第２部品温度に及ぼす影響を精度良く推定できる。

　（３）部品温度推定部は、電流制御装置が第１状態にある場合に第１部品温度に基づいて第２部品温度を推定し、電流制御装置が第２状態にある場合に第１部品温度に基づかないで第２部品温度を推定してよい。
　これにより、電流制御装置の動作状態に応じて、第２部品温度の推定に第１部品温度を反映させるか否かを切り替えることができる。

　（４）例えば、第１状態は第１電子部品の発熱量が閾値以上である状態であり、第２状態は第１電子部品の発熱量が閾値未満である状態であってよい。例えば第１状態は、電流制御回路に直流電力を供給する直流電源から流れる電源電流が閾値以上である状態であり、第２状態は電源電流が閾値未満である状態であってよい。
　これにより、第１電子部品が高温になり易い状態であるか否かに応じて、第２部品温度の推定に第１部品温度を反映させるか否かを切り替えることができる。

　（変形例）
　（１）図３５は、ＥＣＵ３０の第１変形例の概要を示す構成図である。電動パワーステアリング装置は、バッテリ１３として、第１電力配線ＰＷａを経由して第１電力変換回路４２Ａに電力を供給する第１バッテリと、第２電力配線ＰＷｂを経由して第２電力変換回路４２Ｂに電力を供給する第２バッテリと、を別個に備えてもよい。
　第１電力配線ＰＷａの正極側電源ラインＬｐａは、チョークコイルＬａとセラミックコンデンサＣａ１及びＣａ２により形成されたノイズフィルタ回路を経由して、制御演算装置３１ａに接続されるとともに、第１電源遮断回路４４Ａに接続される。
　チョークコイルＬａの一端が正極側電源ラインＬｐａとセラミックコンデンサＣａ１の一端とに接続され、チョークコイルＬａの他端が、セラミックコンデンサＣａ２の一端と制御演算装置３１ａに接続され、セラミックコンデンサＣａ１及びＣａ２の他端は接地されている。一方で、第１電力配線ＰＷａの負極側ラインは、ＥＣＵ３０の接地線に接続される。

　第２電力配線ＰＷｂの正極側電源ラインＬｐｂは、チョークコイルＬｂとセラミックコンデンサＣｂ１及びＣｂ２により形成されたノイズフィルタ回路を経由して、制御演算装置３１ｂに接続されるとともに、第２電源遮断回路４４Ｂに接続される。
　チョークコイルＬｂの一端が正極側電源ラインＬｐｂとセラミックコンデンサＣｂ１の一端とに接続され、チョークコイルＬｂの他端が、セラミックコンデンサＣｂ２の一端と制御演算装置３１ｂに接続され、セラミックコンデンサＣｂ１及びＣｂ２の他端は接地されている。一方で、第２電力配線ＰＷｂの負極側ラインは、ＥＣＵ３０の接地線に接続される。

　なお、第１変形例の制御演算装置３１ｂでは、チョークコイルＬａに代えてチョークコイルＬｂのコイル温度Ｔｅｇを推定してコイル低減係数Ｋｇを設定する。
　また、第２バッテリの出力端子間の電圧であるバッテリ電圧Ｖｂａｔ２に基づいてバッテリ低減係数Ｋ４を設定する。
　なお、第６実施形態のように初期値設定部７８を設ける場合には、制御演算装置３１ａ及び３１ｂに温度検出器４６Ａ及び４６Ｂを設けてもよい。またはＥＣＵ３０のその他の箇所に、温度検出回路４５Ａ及び４５Ｂ以外の温度検出器を設けてもよい。図３６のＥＣＵ３０の第２変形例においても同様である。

　（２）図３６は、ＥＣＵ３０の第２変形例の概要を示す構成図である。ＥＣＵ３０の第２変形例は、単一のインバータによりモータ２０を駆動する。このため、図２に表した構成に含まれる第１モータ電流遮断回路３３Ａ及び第２モータ電流遮断回路３３Ｂと、第１ゲート駆動回路４１Ａ及び第２ゲート駆動回路４１Ｂと、第１電力変換回路４２Ａ及び第２電力変換回路４２Ｂと、第１電源遮断回路４４Ａ及び第２電源遮断回路４４Ｂと、温度検出回路４５Ａ及び４５Ｂのうち、第１モータ電流遮断回路３３Ａと、第１ゲート駆動回路４１Ａと、第１電力変換回路４２Ａと、第１電源遮断回路４４Ａと、温度検出回路４５Ａのみを備えている。

　（３）以上の説明では、本発明の電流制御装置を、いわゆる上流アシスト方式と呼ばれるコラムアシスト方式の電動パワーステアリング装置に適用する例について記載したが、本発明の電流制御装置は、いわゆる下流アシスト方式の電動パワーステアリング装置に適用してもよい。以下、下流アシスト方式の電動パワーステアリング装置の例として、シングルピニオンアシスト方式、ラックアシスト方式、デュアルピニオンアシスト方式の電動パワーステアリング装置に、本発明の電流制御装置を適用する構成例を説明する。
　なお、下流アシスト方式の場合には、防水対策のためモータ２０、回転角センサ２３ａ、ＥＣＵ３０は別体ではなく、図３７～図３９の破線で示すように一体構造のＭＣＵ（Ｍｏｔｏｒ　Ｃｏｎｔｒｏｌ　Ｕｎｉｔ）としてよい。

　図３７は、シングルピニオンアシスト方式の電動パワーステアリング装置に、本発明の電流制御装置を適用する構成例を示す。ステアリングホイール１は、操舵軸２を経て、インターミディエイトシャフトの一方のユニバーサルジョイント４ａと連結されている。また、他方のユニバーサルジョイント４ｂには、トーションバー（図示せず）の入力側シャフト４ｃが連結されている。
　ピニオンラック機構５は、ピニオンギア（ピニオン）５ａ、ラックバー（ラック）５ｂ及びピニオン軸５ｃを備える。入力側シャフト４ｃとピニオンラック機構５とは、入力側シャフト４ｃとピニオンラック機構５との間の回転角のずれによってねじれるトーションバー（図示せず）によって連結されている。トルクセンサ１０は、トーションバーの捩れ角を、ステアリングホイール１の操舵トルクＴｈとして電磁気的に測定する。
　ピニオン軸５ｃには、ステアリングホイール１の操舵力を補助するモータ２０が減速ギア３を介して連結されており、回転角センサ２３ａは、モータ２０のモータ回転軸の回転角情報を算出する。

　（４）図３８は、ラックアシスト方式の電動パワーステアリング装置に、本発明の電流制御装置を適用する構成例を示す。ラックバー５ｂの外周面には螺旋溝（図示せず）が形成され、これと同様のリードの螺旋溝（図示せず）がナット９１の内周面にも形成されている。これら螺旋溝によって形成される転動路に複数の転動体が配置されることによりボールネジが形成されている。
　ステアリングホイール１の操舵力を補助するモータ２０の回転軸２０ａに連結する駆動プーリ９２と、ナット９１に連結する従動プーリ９３にはベルト９４が巻きかけられており、回転軸２０ａの回転運動がラックバー５ｂの直進運動に変換される。回転角センサ２３ａは、モータ２０のモータ回転軸の回転角情報を算出する。

　（５）図３９は、デュアルピニオンアシスト方式の電動パワーステアリング装置に、本発明の電流制御装置を適用する構成例を示す。デュアルピニオンアシスト方式の電動パワーステアリング装置は、ピニオン軸５ｃ、ピニオンギア５ａに加えて、第２ピニオン軸９５、第２ピニオンギア９６を有し、ラックバー５ｂは、ピニオンギア５ａと噛合する第１ラック歯（図示せず）と、第２ピニオンギア９６と噛合する第２ラック歯（図示せず）を有する。
　第２ピニオン軸９５には、ステアリングホイール１の操舵力を補助するモータ２０が減速ギア３を介して連結されており、回転角センサ２３ａは、モータ２０のモータ回転軸の回転角情報を算出する。

　（６）第１ローパスフィルタ７４及び第２ローパスフィルタ７５の各々を、２次遅れフィルタに置き換えてもよい。

　１…ステアリングホイール、２…操舵軸、３…減速ギア、４ａ、４ｂ…ユニバーサルジョイント、４ｃ…入力側シャフト、５…ピニオンラック機構、５ａ…ピニオンギア（ピニオン）、５ｂ…ラックバー（ラック）、５ｃ…ピニオン軸、６ａ、６ｂ…タイロッド、７ａ、７ｂ…ハブユニット、８Ｌ、８Ｒ…操向車輪、１０…トルクセンサ、１１…イグニションスイッチ、１２…車速センサ、１３…バッテリ、１４…操舵角センサ、２０…モータ、２０ａ…回転軸、２３…モータ回転角検出回路、２３ａ…回転角センサ、３０…電子制御ユニット（ＥＣＵ）、３１ａ、３１ｂ…制御演算装置、３３Ａ…第１モータ電流遮断回路、３３Ｂ…第２モータ電流遮断回路、３４Ａ、３４Ｂ…電圧検出回路、３５…通信回線、３６…回路基板、３７…放熱部材（ヒートシンク）、３８ａ～３８ｃ…熱インタフェース材料、３９Ａ１、３９Ａ２、３９Ｂ１、３９Ｂ２、３９Ｃ１、３９Ｃ２…電流検出回路、４１Ａ…第１ゲート駆動回路、４１Ｂ…第２ゲート駆動回路、４２Ａ…第１電力変換回路、４２Ｂ…第２電力変換回路、４４Ａ…第１電源遮断回路、４４Ｂ…第２電源遮断回路、４５Ａ、４５Ｂ…温度検出回路、４６Ａ、４６Ｂ…温度検出器、５０…電流指令値演算部、５１…電流制限部、５２、５３…減算器、５４…比例積分（ＰＩ）制御部、５５…２相／３相変換部、５６…３相／２相変換部、５７…角速度変換部、６０…第１低減係数設定部、６１ａ１、６１ａ２、６１ａ３…ハイサイドＦＥＴ温度推定部、６１ｂ１、６１ｂ２、６１ｂ３…ローサイドＦＥＴ温度推定部、６１ｃ１、６１ｃ２、６１ｃ３…シャント抵抗温度推定部、６１ｄ１、６１ｄ２、６１ｄ３…相遮断ＦＥＴ温度推定部、６１ｅ１、６１ｅ２…電源遮断ＦＥＴ温度推定部、６１ｆ１、６１ｆ２…コンデンサ温度推定部、６１ｇ…コイル温度推定部、６２ａ、６２ｂ、６２ｃ、６２ｄ、６２ｅ、６２ｆ、６４…選択器、６３ａ、６３ａ１、６３ａ２、６３ａ３…ハイサイドＦＥＴ低減係数設定部、６３ｂ、６３ｂ１、６３ｂ２、６３ｂ３…ローサイドＦＥＴ低減係数設定部、６３ｃ、６３ｃ１、６３ｃ２、６３ｃ３…シャント抵抗低減係数設定部、６３ｄ、６３ｄ１、６３ｄ２、６３ｄ３…相遮断ＦＥＴ低減係数設定部、６３ｅ、６３ｅ１、６３ｅ２…電源遮断ＦＥＴ低減係数設定部、６３ｆ、６３ｆ１、６３ｆ２…コンデンサ低減係数設定部、６３ｇ…コイル低減係数設定部、７０…第２低減係数設定部、７１…第３低減係数設定部、７２…損失電力演算部、７３、７３ａ、７３ｂ…ゲイン乗算部、７４、７４ａ、７４ｂ、７４ｃ、７４ｄ…第１ローパスフィルタ、７５…第２ローパスフィルタ、７６…加算器、７８…初期値設定部、７９…減算器、８１…ゲイン乗算部、８２…第３ローパスフィルタ、８３…スイッチ、９１…ナット、９２…駆動プーリ、９３…従動プーリ、９４…ベルト、９５…第２ピニオン軸、９６…第２ピニオンギア、Ｃａ１、Ｃａ２、Ｃｂ１、Ｃｂ２…セラミックコンデンサ、ＣＡ１、ＣＡ２、ＣＢ１、ＣＢ２…電解コンデンサ、ＣＮＴ…コネクタ、Ｃｔ１、Ｃｔ２…コンデンサ、Ｑ１、Ｑ３、Ｑ５…ハイサイドＦＥＴ、Ｑ２、Ｑ４、Ｑ６…ローサイドＦＥＴ、ＱＡ１、ＱＡ２、ＱＡ３、ＱＢ１、ＱＢ２、ＱＢ３…相遮断ＦＥＴ、ＱＣ１、ＱＣ２、ＱＤ１、ＱＤ２…電源遮断ＦＥＴ、Ｌａ、Ｌｂ…チョークコイル、Ｌｐａ、Ｌｐｂ…正極側電源ライン、ＰＷａ…第１電力配線、ＰＷｂ…第２電力配線、ＳＷＡａ、ＳＷＡｂ、ＳＷＡｃ、ＳＷＢａ、ＳＷＢｂ、ＳＷＢｃ…スイッチングアーム

Claims

　複数の電子部品を含む電流制御回路と、
　前記電流制御回路の付近に配置された温度検出素子を有する温度検出回路と、
　前記複数の電子部品の各々に流れる電流値を検出又は推定する電流検出部と、
　前記電流検出部が検出又は推定した電流値と、前記温度検出回路が検出した検出温度と、に基づいて、前記電子部品の温度である部品温度を前記複数の電子部品毎に推定する部品温度推定部と、
　前記複数の電子部品毎に推定された前記部品温度に含まれる複数の異なる部品温度に対して複数の異なる低減係数をそれぞれ設定する低減係数設定部と、
　前記複数の低減係数のいずれか１つを選択する選択部と、
　選択された前記低減係数に基づいて前記電流制御回路から負荷に出力される出力電流を制限する電流制限部と、
　を備えることを特徴とする電流制御装置。
　前記複数の電子部品は、発熱態様の異なる電子部品を含み、
　前記部品温度推定部は、前記電子部品の抵抗値と、前記電子部品に流れる電流の電流値及び通電時間と、前記温度検出回路が検出した検出温度と、に基づいて、前記発熱態様の異なる電子部品の各々の部品温度を推定する、
　ことを特徴とする請求項１に記載の電流制御装置。
　前記複数の電子部品は、複数の異なる種類の電子部品を含み、
　前記低減係数設定部は、前記電子部品の種類毎に１つの前記低減係数を設定する、
　ことを特徴とする請求項１又は２に記載の電流制御装置。
　前記複数の電子部品は、複数の異なる種類の電子部品を含み、
　前記複数の異なる種類の電子部品のうち少なくとも１つの種類の電子部品は、前記電流制御回路の異なる場所に配置された複数の電子部品を含み、
　前記電流制御装置は、前記異なる場所に配置された複数の電子部品の各々について推定された前記部品温度のうちいずれか１つを選択する第２の選択部を含み、
　前記低減係数設定部は、前記第２の選択部によって選択された部品温度に基づいて前記少なくとも１つの種類の電子部品の前記低減係数を設定する、
　ことを特徴とする請求項１～３のいずれか一項に記載の電流制御装置。
　前記複数の電子部品は、複数の異なる種類の電子部品を含み、
　前記複数の異なる種類の電子部品のうち少なくとも１つの種類の電子部品は、前記電流制御回路の異なる場所に配置された複数の電子部品を含み、
　前記低減係数設定部は、前記少なくとも１つの種類の電子部品に含まれる前記電流制御回路の異なる場所に配置された複数の電子部品に対して複数の異なる低減係数をそれぞれ設定する、
　ことを特徴とする請求項１～３のいずれか一項に記載の電流制御装置。
　前記部品温度推定部は、
　前記複数の電子部品毎に、前記電子部品において発生する損失電力を推定し、
　前記損失電力と所定ゲインとの積を第１ローパスフィルタ処理して得られた値と、前記温度検出回路が検出した検出温度を第２ローパスフィルタ処理して得られた値と、の和に基づいて、前記複数の電子部品毎に前記部品温度を推定する、
　ことを特徴とする請求項１～５のいずれか一項に記載の電流制御装置。
　前記複数の電子部品は、前記電流制御回路の異なる場所に配置された電子部品を含み、
　前記所定ゲイン、前記第１ローパスフィルタ処理のカットオフ周波数及び前記第２ローパスフィルタ処理のカットオフ周波数の少なくとも１つは、前記異なる場所に配置された電子部品間で異なる値が設定されている、
　ことを特徴とする請求項６に記載の電流制御装置。
　前記電流制限部は、前記低減係数が小さいほど前記電流制御回路から前記負荷に出力される前記出力電流が小さくなるように、前記出力電流を制限し、
　前記低減係数設定部は、前記部品温度が第１温度よりも低い場合に前記低減係数を最大値に設定し、前記低減係数が前記最大値を有する状態で前記部品温度が前記第１温度よりも高い第２温度を超えると前記部品温度が前記第２温度よりも高い第３温度に至るまで前記低減係数を前記最大値から最小値まで低減させ、前記部品温度が前記第３温度よりも高い場合に前記低減係数を最小値に設定し、前記低減係数が前記最小値を有する状態で前記部品温度が前記第３温度よりも低い第４温度未満になると、前記部品温度が前記第１温度に至るまで、前記低減係数を前記最小値から前記最大値まで増加させ、
　前記複数の電子部品は、発熱態様の異なる電子部品を含み、
　前記第１温度、前記第２温度、前記第３温度及び前記第４温度の少なくとも１つは、前記発熱態様の異なる電子部品間で異なる値に設定されている、
　ことを特徴とする請求項１～７のいずれか一項に記載の電流制御装置。
　前記電流制御回路からの発熱を放熱するヒートシンクを備え、
　前記温度検出素子が前記ヒートシンクに熱的に結合されている、
　ことを特徴とする請求項１～８のいずれか一項に記載の電流制御装置。
　請求項１～９のいずれか一項に記載の電流制御装置により、前記負荷として電動モータに供給する電流を制御することを特徴とするモータ制御装置。
　請求項１０に記載のモータ制御装置と、
　前記モータ制御装置により制御される電動モータと、を備え、
　前記電動モータによって車両の操舵系に操舵補助力を付与することを特徴とする電動パワーステアリング装置。