WO2024128095A1 - 波長検出装置 - Google Patents

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WO2024128095A1
WO2024128095A1 PCT/JP2023/043659 JP2023043659W WO2024128095A1 WO 2024128095 A1 WO2024128095 A1 WO 2024128095A1 JP 2023043659 W JP2023043659 W JP 2023043659W WO 2024128095 A1 WO2024128095 A1 WO 2024128095A1
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WO
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wavelength
light
section
input
detection device
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Application number
PCT/JP2023/043659
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Inventor
剛 小林
陽三 石川
礼高 松原
敦 伊澤
敦次 梶
Original Assignee
古河電気工業株式会社
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    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
    • H01S5/0687—Stabilising the frequency of the laser

Definitions

  • the present invention relates to a wavelength detection device.
  • wavelength detection devices that detect the wavelength of light output from a laser device are known (for example, Patent Document 1).
  • the wavelength of light output from one light source is detected by one wavelength detection device.
  • a wavelength detection device could be shared in an optical device that has multiple light sources that each output light of different wavelengths.
  • one of the objectives of the present invention is to provide a new and improved wavelength detection device that can be used for multiple light beams each having a different wavelength.
  • the wavelength detection device of the present invention for example, comprises a plurality of waveguides that guide light, a multiplexing section that multiplexes a plurality of lights with different wavelengths that are respectively guided in the waveguides, a filter section that receives the light output from the multiplexing section and has a characteristic that the transmittance of light varies depending on the wavelength, and a detection section that detects the intensity of the light output from the filter section, and the plurality of waveguides, the multiplexing section, and the filter section are configured as a planar lightwave circuit.
  • the wavelength detection device may include a switch section provided for each of the plurality of light beams, which switches between a state in which the light is transmitted and a state in which the light is inhibited from being transmitted.
  • the multiplexing section may include a wavelength division multiplexing coupler.
  • the plurality of light beams include a first light beam having a first central wavelength, a second light beam having a second central wavelength longer than the first wavelength, a third light beam having a third central wavelength longer than the second wavelength, and a fourth light beam having a fourth central wavelength longer than the third wavelength
  • the multiplexing unit includes a first wavelength division multiplexing coupler having a port into which the first light beam is input and the transmittance of the input light peaks at the first wavelength, and a port into which the third light beam is input and the transmittance of the input light peaks at the third wavelength, and a second wavelength division multiplexing coupler having a port into which the second light beam is input.
  • a second wavelength division multiplexing coupler having a port into which the output light from the first wavelength division multiplexing coupler is input and the transmittance of the input light peaks at the first wavelength and the third wavelength, and a port into which the output light from the second wavelength division multiplexing coupler is input and the transmittance of the input light peaks at the second wavelength and the fourth wavelength.
  • the filter section may have a plurality of filters with different transmittance characteristics with respect to wavelength.
  • the waveguide may have an extension that extends linearly, and the multiplexing section and the filter section may be positioned away from the extension line of the extension.
  • the waveguide may have an extension that extends linearly, and the multiplexing section and the filter section may be positioned outside the path of virtual reflected light at the side of the planar lightwave circuit, the virtual stray light leaking from the extension and traveling along the extension of the extension.
  • a space may be provided in a portion of the planar lightwave circuit that is separate from the waveguide.
  • the wavelength detection device may include an absorbing section that covers the side of the planar lightwave circuit and absorbs light.
  • the wavelength detection device may include a mode filter that limits the propagation mode of the light guided through the waveguide.
  • the present invention provides a new and improved wavelength detection device that can be used for multiple types of light with different wavelengths.
  • FIG. 1 is an illustrative schematic plan view of a wavelength detection device according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is an exemplary schematic configuration diagram of a multiplexing unit included in the wavelength detection device of the first embodiment.
  • FIG. 3 is an exemplary graph showing the relationship between wavelength and transmittance of the multiplexer included in the wavelength detection device of the first embodiment.
  • FIG. 4 is an illustrative schematic plan view of the wavelength detection device according to the second embodiment.
  • FIG. 5 is an illustrative schematic plan view of the wavelength detection device according to the third embodiment.
  • FIG. 6 is an illustrative schematic plan view of the wavelength detection device according to the fourth embodiment.
  • FIG. 7 is an exemplary schematic side view of a portion of the wavelength detection device according to the fourth embodiment.
  • FIG. 8 is an illustrative schematic plan view of the wavelength detection device according to the fifth embodiment.
  • ordinal numbers are used for convenience to distinguish between light, wavelengths, configurations, etc., and do not indicate priority or order, nor do they limit the number.
  • the X direction is represented by an arrow X
  • the Y direction is represented by an arrow Y
  • the Z direction is represented by an arrow Z.
  • the X direction, Y direction, and Z direction intersect with each other and are perpendicular to each other.
  • the Z direction can also be called the stacking direction or height direction.
  • each figure is a schematic diagram for explanatory purposes, and the scale and proportions of each figure do not necessarily match those of the actual items.
  • [overall structure] 1 is a plan view showing a schematic configuration of a wavelength detector 100A (100) according to a first embodiment.
  • the wavelength detector 100 detects the wavelengths of light output from laser devices 10-1 to 10-4 serving as light sources.
  • Laser devices 10-1 to 10-4 each output light of a different wavelength.
  • Laser devices 10-1 to 10-4 include, for example, a semiconductor laser element that outputs light in response to a supplied current.
  • the laser device 10-1 outputs light with a central wavelength of ⁇ 1.
  • the laser device 10-2 outputs light with a central wavelength of ⁇ 2, which is longer than ⁇ 1.
  • the laser device 10-3 outputs light with a central wavelength of ⁇ 3, which is longer than ⁇ 2.
  • the laser device 10-4 outputs light with a central wavelength of ⁇ 4, which is longer than ⁇ 3.
  • the wavelength detection device 100 includes a planar lightwave circuit 101 (PLC), a plurality of switches 150A (150), and a detection unit 140.
  • PLC planar lightwave circuit 101
  • 150 switches 150A
  • detection unit 140 detection unit 140.
  • Switches 150 are provided corresponding to each of the laser devices 10-1 to 10-4. Each switch 150 can be switched between a state in which light is transmitted and a state in which light transmission is suppressed.
  • Switch 150A can be configured, for example, as a gate switch for laser devices 10-1 to 10-4.
  • Switch 150 is an example of a switch unit.
  • the planar lightwave circuit 101 is configured with a plurality of waveguides 102, a multiplexing section 110, a branching section 120, and a filter section 130.
  • the planar lightwave circuit 101 has a substrate and a laminate section laminated on the substrate.
  • the planar lightwave circuit 101 is made of, for example, a silica-based glass material or a silicon-based material.
  • the light output from the laser devices 10-1 to 10-4 is input to different waveguides 102 via the switch 150.
  • the light output from the four laser devices 10-1 to 10-4 is input to four waveguides 102.
  • Each waveguide 102 is composed of a core and a cladding surrounding the core, and guides light through the core.
  • the core of the waveguide 102 is drawn as a line.
  • the multiplexing unit 110 multiplexes the light input from the laser devices 10-1 to 10-4 and transmitted through the waveguides 102, i.e., multiple light beams with different wavelengths.
  • the multiplexing unit 110 can multiplex four light beams with different wavelengths that are guided through the four waveguides 102. The detailed configuration of the multiplexing unit 110 will be described later.
  • the branching section 120 branches the light output from the multiplexing section 110 into multiple waveguides 102.
  • the branching section 120 has splitters 121 and 122, each of which is configured as a 1x2 splitter.
  • the branching section 120 branches the light output from the multiplexing section 110 into three waveguides 102.
  • the light passing through two of them is output from the planar lightwave circuit 101 via the filter unit 130, and the light passing through the remaining waveguide 102 (102-0) is output from the planar lightwave circuit 101 without passing through the filter unit 130.
  • the filter section 130 has filters 131 and 132.
  • Filters 131 and 132 have a characteristic in which the light transmittance varies depending on the wavelength, that is, the transmittance is maximum at a periodic or one specific wavelength (peak wavelength), and the transmittance decreases as the wavelength deviates from the peak wavelength.
  • the filters 131 and 132 have different characteristics, i.e., transmittance characteristics with respect to wavelength.
  • the filters 131 and 132 can be configured so that the wavelength at which the rate of change of the transmittance with respect to wavelength of one filter is maximum is approximately the same as the peak wavelength of the other filter.
  • the filters 131 and 132 can be configured, for example, as a ring resonator or a Mach-Zehnder interferometer.
  • the light that passes through the filter 131 passes through the waveguide 102 (102-1) and is output from the planar lightwave circuit 101, and the light that passes through the filter 132 passes through the waveguide 102 (102-2) and is output from the planar lightwave circuit 101.
  • Detection units 140-0 to 140-2 detect the intensity of light that has passed through waveguides 102-0 to 102-2, respectively. Detection units 140-0 to 140-2 can be configured as photodiodes, for example.
  • a control unit (not shown) can detect the wavelength of light based on the ratio (intensity ratio) of the intensity of light detected by detection unit 140-1 to the intensity of light detected by detection unit 140-0, and the ratio (intensity ratio) of the intensity of light detected by detection unit 140-2 to the intensity of light detected by detection unit 140-0.
  • the configurations of the branching section 120, the filter section 130, and the detection section 140 are not limited to those shown in FIG. 1, and can be modified in various ways.
  • the number of filter sections 130 may be one
  • the number of detection sections 140 may be one or two.
  • [Configuration of the multiplexing section] 2 is an exemplary schematic diagram of the multiplexing section 110.
  • the multiplexing section 110 is configured to include three wavelength division multiplexing couplers 111, 112, and 113.
  • Wavelength division multiplexing coupler 111 can multiplex light L11 and light L13.
  • Light L11 is an example of a first light
  • light L13 is an example of a third light.
  • Wavelength division multiplexing coupler 112 can multiplex light L12 and light L14.
  • Light L12 is an example of second light
  • light L14 is an example of fourth light.
  • Wavelength division multiplexing coupler 113 can multiplex light L21 and light L22.
  • FIG. 3 is a graph showing the wavelength and transmittance characteristics of the three wavelength division multiplexing couplers 111, 112, and 113.
  • the lower part of the graph shows the characteristics of the wavelength division multiplexing couplers 111 and 112, and the upper part of the graph shows the characteristics of the wavelength division multiplexing coupler 113.
  • wavelength-transmittance characteristics of wavelength division multiplexing coupler 111 are shown by a thick solid line and a thick dashed line, with the thick solid line showing the wavelength-transmittance characteristics for light input to port 111a and the thick dashed line showing the wavelength-transmittance characteristics for light input to port 111b.
  • wavelength division multiplexing coupler 111 is configured so that the transmittance varies sinusoidally with wavelength.
  • Wavelength division multiplexing coupler 111 is configured so that for light input to port 111a, the transmittance is maximum (top peak) at wavelength ⁇ 1 and minimum (bottom peak) at wavelength ⁇ 3.
  • Wavelength division multiplexing coupler 111 is also configured so that for light input to port 111b, the transmittance is minimum (bottom peak) at wavelength ⁇ 1 and maximum (top peak) at wavelength ⁇ 3.
  • the transmittance is minimum (bottom peak) at wavelength ⁇ 1 and maximum (top peak) at wavelength ⁇ 3.
  • the transmittance is minimum (bottom peak) at wavelength ⁇ 1 and maximum (top peak) at wavelength ⁇ 3.
  • wavelength-transmittance characteristics of wavelength division multiplexing coupler 112 are shown by a thin solid line and a thin dashed line, where the thin solid line shows the wavelength-transmittance characteristics for light input to port 112a, and the thin dashed line shows the wavelength-transmittance characteristics for light input to port 112b.
  • wavelength division multiplexing coupler 112 is configured so that the transmittance varies sinusoidally with wavelength.
  • Wavelength division multiplexing coupler 112 is configured so that for light input to port 112a, the transmittance is maximum (top peak) at wavelength ⁇ 2 and minimum (bottom peak) at wavelength ⁇ 4.
  • Wavelength division multiplexing coupler 112 is also configured so that for light input to port 112b, the transmittance is minimum (bottom peak) at wavelength ⁇ 2 and maximum (top peak) at wavelength ⁇ 4.
  • the transmittance is minimum (bottom peak) at wavelength ⁇ 2 and maximum (top peak) at wavelength ⁇ 4.
  • this configuration by inputting light L12 with a central wavelength of ⁇ 2 to port 112a and light L14 with a central wavelength of ⁇ 4 to port 112b, it is possible to configure a waveguide with low loss for both light L12 and L14 in the wavelength division multiplexing coupler 112.
  • wavelength-transmittance characteristics of wavelength division multiplexing coupler 113 are shown by a solid line and a dashed line, with the solid line showing the wavelength-transmittance characteristics for light input to port 113a and the dashed line showing the wavelength-transmittance characteristics for light input to port 113b.
  • wavelength division multiplexing coupler 113 is configured so that the transmittance varies sinusoidally and periodically with respect to the wavelength.
  • Wavelength division multiplexing coupler 113 is configured so that for light input to port 113a, the transmittance is maximum (top peak) at wavelengths ⁇ 1 and ⁇ 3 and minimum (bottom peak) at wavelengths ⁇ 2 and ⁇ 4.
  • wavelength division multiplexing coupler 113 is configured so that for light input to port 113b, the transmittance is maximum (top peak) at wavelengths ⁇ 2 and ⁇ 4 and minimum (bottom peak) at wavelengths ⁇ 1 and ⁇ 3.
  • the transmittance is maximum (top peak) at wavelengths ⁇ 2 and ⁇ 4 and minimum (bottom peak) at wavelengths ⁇ 1 and ⁇ 3.
  • light L21 which is output from wavelength division multiplexing coupler 111 and includes light L11 with a central wavelength of ⁇ 1 and light L13 with a central wavelength of ⁇ 3, to port 113a
  • light L22 which is output from wavelength division multiplexing coupler 112 and includes light L12 with a central wavelength of ⁇ 2 and light L14 with a central wavelength of ⁇ 4, to port 113b
  • the wavelength detection device 100 includes a multiplexing section 110 that multiplexes a plurality of light beams L11 to L14 having different wavelengths, and therefore the configuration of the branching section 120, the filter section 130, and the detection section 140 can be shared by the plurality of light beams L11 to L14. Therefore, according to this embodiment, the wavelength detection device 100 can be configured to be smaller than a configuration that includes a branching section 120, a filter section 130, and a detection section 140 for each of a plurality of light beams having different wavelengths, and the effect is that the effort and cost required for manufacturing the wavelength detection device 100 can be reduced.
  • [Second embodiment] 4 is a plan view showing a schematic configuration of a wavelength detector 100B (100) of the second embodiment.
  • the wavelength detector 100B of this embodiment includes a switch 150B (150) inside the planar lightwave circuit 101, instead of the switch 150A outside the planar lightwave circuit 101 included in the wavelength detector 100A of the first embodiment.
  • the switch 150B can be configured as, for example, a variable optical attenuator (VOA).
  • VOA variable optical attenuator
  • the wavelength detection device 100B of this embodiment has a similar configuration to the wavelength detection device 100A of the first embodiment. This embodiment also provides the same effects as the first embodiment.
  • [Third embodiment] 5 is a plan view showing a schematic configuration of a wavelength detector 100C (100) according to the third embodiment.
  • the wavelength detector 100C according to the present embodiment has a similar configuration to the wavelength detector 100A according to the first embodiment. Therefore, according to the present embodiment, the same effects as those of the first embodiment can be obtained.
  • the wavelength detection device 100C of this embodiment differs from the first and second embodiments in the path of the waveguide 102.
  • section 102e that extends linearly in the X direction of the waveguide 102, and the multiplexing section 110, branching section 120, and filter section 130 are positioned outside the extension line of section 102e (the two-dot chain arrow pointing in the X direction in FIG. 5).
  • Section 102e is an example of an extension section.
  • the virtual stray light leaking from section 102e and traveling along the extension of section 102e is located outside the path of the virtual reflected light at side 101b1 (101b) of the planar lightwave circuit 101 (the arrow with two dots and dashes pointing in the opposite direction to the X direction in FIG. 5).
  • the present embodiment can prevent stray light leaking from section 102e and the reflected light of the stray light at side surface 101b1 from combining with multiplexing section 110, branching section 120, and filter section 130, thereby interfering with the detection of intensity by detection section 140, and ultimately with the detection of wavelength by wavelength detection device 100.
  • [Fourth embodiment] 6 is a plan view showing a schematic configuration of a wavelength detector 100D (100) according to the fourth embodiment.
  • the wavelength detector 100D according to the present embodiment has a similar configuration to the wavelength detector 100A according to the first embodiment. Therefore, according to the present embodiment, the same effects as those of the first embodiment can be obtained.
  • a space 101c is provided in a position of the planar lightwave circuit 101 that is separate from the waveguide 102.
  • the space 101c is formed, for example, by an opening in the top surface 101a located at the end of the planar lightwave circuit 101 in the Z direction.
  • the space 101c can also be called a groove or a recess.
  • the space 101c can be provided in various positions away from the waveguide 102.
  • the space 101c can suppress the propagation of stray light within the planar lightwave circuit 101.
  • the space 101c1 is located between the multiplexing section 110, the branching section 120, and the filter section 130, and the section 102e of the waveguide 102 through which the light output from the laser devices 10-1 to 10-4 and input to the planar lightwave circuit 101 via the switch 150 is guided.
  • the space 101c1 can block stray light leaking from the section 102e, so that the stray light can be prevented from combining with the multiplexing section 110, the branching section 120, and the filter section 130 and interfering with the detection of the intensity by the detection section 140, and therefore with the detection of the wavelength by the wavelength detection device 100.
  • the spaces 101c2 are provided between the waveguides 102 near the side surface 101b2 of the planar lightwave circuit 101 from which light is output.
  • the side surface 101b of the planar lightwave circuit 101 which is the end surface in the direction intersecting the Z direction (X direction or Y direction), is provided with an absorption layer 160 that absorbs light so as to cover the side surface 101b.
  • the absorption layer 160 is, for example, a black coating.
  • the absorption layer 160 can prevent stray light propagating within the planar lightwave circuit 101 from being reflected by the side surface 101b, and can also prevent light from entering the planar lightwave circuit 101 from the outside via the side surface 101b.
  • the absorption layer 160 is an example of an absorption section.
  • FIG. 7 is a side view of the planar lightwave circuit 101 of this embodiment, looking at the vicinity of the output end of the waveguide 102.
  • the planar lightwave circuit 101 includes a substrate 101d and a laminated section 101e formed on the substrate 101d.
  • the core 102a and the clad 102b are formed in the laminated section 101e.
  • the absorption layer 160 is provided on the side surface 101b2 so as to cover the portion of the output end of the waveguide 102 except for the core 102a and a part of the clad 102b. This configuration makes it possible to prevent the absorption layer 160 from interfering with the original transmission of light in the waveguide 102.
  • [Fifth embodiment] 8 is a plan view showing a schematic configuration of a wavelength detector 100E (100) according to the fifth embodiment.
  • the wavelength detector 100E according to the present embodiment has a similar configuration to the wavelength detector 100A according to the first embodiment. Therefore, according to the present embodiment, the same effects as those of the first embodiment can be obtained.
  • the planar lightwave circuit 101 is provided with a mode filter 170 that limits the propagation mode of light guided through the waveguide 102.
  • the mode filter 170 can suppress the propagation of light in higher modes, thereby preventing light from leaking from the waveguide 102 and causing stray light. Therefore, with this configuration, it is possible to prevent the stray light from combining with the multiplexing section 110, the branching section 120, and the filter section 130 and interfering with the detection of intensity by the detection section 140, and ultimately the detection of wavelength by the wavelength detection device 100.
  • the present invention can be used in wavelength detection devices.
  • Laser device 100 100A to 100E... Wavelength detection device 101... Planar lightwave circuit 101a... Top surface 101b, 101b1, 101b2... Side surface 101c, 101c1, 101c2... Space 101d... Substrate 101e... Laminated portion 102, 102-0 to 102-2... Waveguide 102a... Core 102b... Clad 102e...
  • Section (extension) 110 Multiplexer 111: Wavelength division multiplexing coupler (first wavelength division multiplexing coupler) 112...Wavelength division multiplexing coupler (second wavelength division multiplexing coupler) 113...wavelength division multiplexing coupler (third wavelength division multiplexing coupler) 111a, 111b, 112a, 112b, 113a, 113b... port 120... branching section 121, 122... splitter 130... filter section 131, 132... filter 140, 140-0 to 140-2... detection section 150, 150A, 150B...
  • switch switch section
  • absorption layer absorption portion 170...mode filter L11...light (first light) L12...Light (second light) L13...Light (third light) L14...Light (fourth light) L21, L22...Light X...direction Y...direction Z...direction ⁇ 1 to ⁇ 4...wavelength

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Abstract

波長検出装置は、例えば、光を導波する複数の導波路と、それぞれ導波路で導波され互いに波長が異なる複数の光を合波する合波部と、合波部から出力された光が入力され光の透過率が波長に応じて異なる特性を有するフィルタ部と、フィルタ部から出力された光の強度を検出する検出部と、を備え、複数の導波路、合波部、およびフィルタ部が平面光波回路に構成される。波長検出装置は、複数の光のそれぞれに対応して設けられ、光を透過する状態と透過を抑制する状態とを切り替えるスイッチ部を備えてもよい。また、合波部は、波長分割多重カプラを含んでもよい。

Description

波長検出装置
　本発明は、波長検出装置に関する。
　従来、レーザ装置から出力される光の波長を検出する波長検出装置（波長モニタ部）が、知られている（例えば、特許文献１）。
国際公開第２０２０／１６６６１５号
　特許文献１では、一つの光源から出力された光の波長を、一つの波長検出装置によって検出している。
　例えば、出力する光の波長がそれぞれ異なる複数の光源を有した光学装置等において、波長検出装置を共用することができれば、有益である。
　そこで、本発明の課題の一つは、例えば、波長がそれぞれ異なる複数の光について共用することが可能となる新規な改善された波長検出装置を得ることである。
　本発明の波長検出装置は、例えば、光を導波する複数の導波路と、それぞれ前記導波路で導波され互いに波長が異なる複数の光を合波する合波部と、前記合波部から出力された光が入力され光の透過率が波長に応じて異なる特性を有するフィルタ部と、前記フィルタ部から出力された光の強度を検出する検出部と、を備え、前記複数の導波路、前記合波部、および前記フィルタ部が平面光波回路に構成される。
　前記波長検出装置は、前記複数の光のそれぞれに対応して設けられ、前記光を透過する状態と透過を抑制する状態とを切り替えるスイッチ部を備えてもよい。
　前記波長検出装置では、前記合波部は、波長分割多重カプラを含んでもよい。
　前記波長検出装置では、前記複数の光は、中心波長が第一波長の第一光と、中心波長が前記第一波長より長い第二波長の第二光と、中心波長が前記第二波長より長い第三波長の第三光と、中心波長が前記第三波長より長い第四波長の第四光と、を含み、前記合波部は、前記波長分割多重カプラとして、前記第一光が入力されるとともに入力された光の透過率が前記第一波長でピークとなるポートと、前記第三光が入力されるとともに入力された光の透過率が前記第三波長でピークとなるポートと、を有した第一波長分割多重カプラと、前記第二光が入力されるとともに入力された光の透過率が前記第二波長でピークとなるポートと、前記第四光が入力されるとともに入力された光の透過率が前記第四波長でピークとなるポートと、を有した第二波長分割多重カプラと、前記第一波長分割多重カプラからの出力光が入力されるとともに入力された光の透過率が前記第一波長および前記第三波長でピークとなるポートと、前記第二波長分割多重カプラからの出力光が入力されるとともに入力された光の透過率が前記第二波長および前記第四波長でピークとなるポートと、を有した第三波長分割多重カプラと、を有してもよい。
　前記波長検出装置では、前記フィルタ部は、波長に対する透過率の特性が異なる複数のフィルタを有してもよい。
　前記波長検出装置では、前記導波路が、直線状に延びた延部を有し、前記合波部および前記フィルタ部が、前記延部の延長線から外れて位置してもよい。
　前記波長検出装置では、前記導波路が、直線状に延びた延部を有し、前記合波部および前記フィルタ部が、前記延部から漏洩し前記延部の延長線に沿って進む仮想迷光の前記平面光波回路の側面での仮想反射光の進む経路から外れて位置してもよい。
　前記波長検出装置では、前記平面光波回路の、前記導波路とは外れた部位に、空間が設けられてもよい。
　前記波長検出装置は、前記平面光波回路の側面を覆い光を吸収する吸収部を備えてもよい。
　前記波長検出装置は、前記導波路を導波される光の伝搬モードを制限するモードフィルタを備えてもよい。
　本発明によれば、例えば、波長がそれぞれ異なる複数の光について共用することが可能となる新規な改善された波長検出装置を得ることができる。
図１は、第１実施形態の波長検出装置の例示的かつ模式的な平面図である。 図２は、第１実施形態の波長検出装置に含まれる合波部の例示的な概略構成図である。 図３は、第１実施形態の波長検出装置に含まれる合波部の波長と透過率との関係を示す例示的なグラフである。 図４は、第２実施形態の波長検出装置の例示的かつ模式的な平面図である。 図５は、第３実施形態の波長検出装置の例示的かつ模式的な平面図である。 図６は、第４実施形態の波長検出装置の例示的かつ模式的な平面図である。 図７は、第４実施形態の波長検出装置の一部の例示的かつ模式的な側面図である。 図８は、第５実施形態の波長検出装置の例示的かつ模式的な平面図である。
　以下、本発明の例示的な複数の実施形態が開示される。以下に示される実施形態の構成、ならびに当該構成によってもたらされる作用および結果（効果）は、一例である。本発明は、以下の実施形態に開示される構成以外によっても実現可能である。また、本発明によれば、構成によって得られる種々の効果（派生的な効果も含む）のうち少なくとも一つを得ることが可能である。
　以下に示される複数の実施形態は、同様の構成を備えている。よって、各実施形態の構成によれば、当該同様の構成に基づく同様の作用および効果が得られる。また、以下では、それら同様の構成には同様の符号が付与されるとともに、重複する説明が省略される場合がある。
　本明細書において、序数は、光や、波長、構成等を区別するために便宜上付与されており、優先順位や順番を示すものではないし、個数を限定するものでもない。
　各図において、Ｘ方向を矢印Ｘで表し、Ｙ方向を矢印Ｙで表し、Ｚ方向を矢印Ｚで表す。Ｘ方向、Ｙ方向、およびＺ方向は、互いに交差するとともに互いに直交している。Ｚ方向は、積層方向あるいは高さ方向とも称されうる。
　また、各図は説明を目的とした模式図であって、各図と実物とでスケールや比率は、必ずしも一致しない。
［第１実施形態］
［全体構成］
　図１は、第１実施形態の波長検出装置１００Ａ（１００）の概略構成を示す平面図である。波長検出装置１００は、光源としてのレーザ装置１０－１～１０－４のそれぞれが出力する光の波長を検出する。
　レーザ装置１０－１～１０－４は、それぞれ波長が異なる光を出力する。レーザ装置１０－１～１０－４は、例えば、供給された電流に応じて光を出力する半導体レーザ素子を含んでいる。
　本実施形態では、レーザ装置１０－１は、中心波長がλ１の光を出力する。レーザ装置１０－２は、中心波長がλ１より長いλ２の光を出力する。レーザ装置１０－３は、中心波長がλ２より長いλ３の光を出力する。また、レーザ装置１０－４は、中心波長がλ３より長いλ４の光を出力する。
　波長検出装置１００は、平面光波回路１０１（ＰＬＣ：planar　lightwave　circuit）と、複数のスイッチ１５０Ａ（１５０）と、検出部１４０と、を備えている。
　スイッチ１５０は、レーザ装置１０－１～１０－４のそれぞれに対応して設けられている。スイッチ１５０は、それぞれ、光を透過する状態と、光の透過を抑制する状態と、を切り替えることができる。スイッチ１５０Ａは、例えば、レーザ装置１０－１～１０－４のゲートスイッチとして構成されうる。スイッチ１５０は、スイッチ部の一例である。
　平面光波回路１０１には、複数の導波路１０２、合波部１１０、分岐部１２０、およびフィルタ部１３０が構成されている。平面光波回路１０１は、基板と、基板上に積層された積層部と、を有している。また、平面光波回路１０１は、例えば、石英系ガラス材料や、シリコン系材料で作られる。
　レーザ装置１０－１～１０－４から出力された光は、スイッチ１５０を介して、それぞれ、異なる導波路１０２に入力される。本実施形態では、一例として、四つのレーザ装置１０－１～１０－４から出力された光は、四つの導波路１０２に入力される。
　導波路１０２は、それぞれ、コアと当該コアを取り囲むクラッドとによって構成され、コアにおいて光を導波する。図１では、導波路１０２のコアが線状に描かれている。
　合波部１１０は、レーザ装置１０－１～１０－４から入力され導波路１０２で伝送された光、すなわち、互いに波長が異なる複数の光を、合波する。本実施形態では、合波部１１０は、四つの導波路１０２で導波された、波長が異なる四つの光を、合波することができる。合波部１１０の詳細な構成については、後述する。
　分岐部１２０は、合波部１１０から出力された光を、複数の導波路１０２に分岐する。本実施形態では、分岐部１２０は、スプリッタ１２１，１２２を有しており、これらスプリッタ１２１，１２２は、それぞれ、１×２スプリッタとして構成されている。分岐部１２０は、合波部１１０から出力された光を、三つの導波路１０２に分岐する。
　三つの導波路１０２のうち、二つの導波路１０２を通る光は、フィルタ部１３０を経由して平面光波回路１０１から出力され、残りの一つの導波路１０２（１０２－０）を通る光は、フィルタ部１３０を経由せずに平面光波回路１０１から出力される。
　フィルタ部１３０は、フィルタ１３１，１３２を有している。フィルタ１３１，１３２は、光の透過率が波長に応じて異なる特性、すなわち、周期的なあるいは一つの特定の波長（ピーク波長）で透過率が最大となり、波長が当該ピーク波長から離れるほど、透過率が低くなる特性を、有している。
　また、フィルタ１３１，１３２は、当該特性、すなわち波長に対する透過率の特性が、互いに異なっている。一例として、フィルタ１３１，１３２は、一方のフィルタの波長に対する透過率の変化率が最大となる波長と他方のフィルタのピーク波長とが略一致するよう、構成されうる。フィルタ１３１，１３２は、例えば、リング共振器や、マッハツェンダ干渉計として構成されうる。
　フィルタ１３１を経由した光は、導波路１０２（１０２－１）を通って平面光波回路１０１から出力され、フィルタ１３２を経由した光は、導波路１０２（１０２－２）を通って平面光波回路１０１から出力される。
　検出部１４０－０～１４０－２は、それぞれ、導波路１０２－０～１０２－２を通った光の強度を検出する。検出部１４０－０～１４０－２は、例えば、フォトダイオードとして構成されうる。
　当該検出部１４０－０～１４０－２の構成の場合、不図示の制御部は、検出部１４０－０で検出された光の強度に対する検出部１４０－１で検出された光の強度の比（強度比）と、検出部１４０－０で検出された光の強度に対する検出部１４０－２で検出された光の強度の比（強度比）と、に基づいて、光の波長を検出することができる。
　なお、分岐部１２０、フィルタ部１３０、および検出部１４０の構成は、図１の構成には限定されず、種々に変形して実施することができる。例えば、フィルタ部１３０の数は、１であってもよいし、検出部１４０の数は、１や２であってもよい。
［合波部の構成］
　図２は、合波部１１０の例示的な概略構成図である。図２に示されるように、本実施形態では、合波部１１０は、三つの波長分割多重カプラ１１１，１１２，１１３を有して構成されている。
　波長分割多重カプラ１１１のポート１１１ａには、レーザ装置１０－１からの光Ｌ１１が入力され、ポート１１１ｂには、レーザ装置１０－３からの光Ｌ１３が入力される。波長分割多重カプラ１１１は、光Ｌ１１と光Ｌ１３とを合波することができる。光Ｌ１１は、第一光の一例であり、光Ｌ１３は、第三光の一例である。
　波長分割多重カプラ１１２のポート１１２ａには、レーザ装置１０－２からの光Ｌ１２が入力され、ポート１１２ｂには、レーザ装置１０－４からの光Ｌ１４が入力される。波長分割多重カプラ１１２は、光Ｌ１２と光Ｌ１４とを合波することができる。光Ｌ１２は、第二光の一例であり、光Ｌ１４は、第四光の一例である。
　波長分割多重カプラ１１３のポート１１３ａには、波長分割多重カプラ１１１から出力された光Ｌ２１が入力され、ポート１１３ｂには、波長分割多重カプラ１１２から出力された光Ｌ２２が入力される。波長分割多重カプラ１１３は、光Ｌ２１と光Ｌ２２とを合波することができる。
　図３は、三つの波長分割多重カプラ１１１，１１２，１１３の波長と透過率の特性を示すグラフである。グラフの下段は、波長分割多重カプラ１１１，１１２の特性を示し、グラフの上段は、波長分割多重カプラ１１３の特性を示している。
　図３のグラフの下段において、波長分割多重カプラ１１１の波長－透過率特性は、太い実線と太い破線とで示しており、太い実線は、ポート１１１ａに入力した光に対する波長－透過率特性を示すとともに、太い破線は、ポート１１１ｂに入力した光に対する波長－透過率特性を示している。これら太い実線および太い破線に示されるように、波長分割多重カプラ１１１は、透過率が波長に対して正弦波状に変化するよう構成されている。波長分割多重カプラ１１１は、ポート１１１ａに入力した光に対しては、波長λ１で透過率が最大（トップピーク）となり、かつ波長λ３で透過率が最小（ボトムピーク）となるよう構成されている。また、波長分割多重カプラ１１１は、ポート１１１ｂに入力した光に対しては、波長λ１で透過率が最小（ボトムピーク）となり、かつ波長λ３で透過率が最大（トップピーク）となるよう構成されている。このような構成において、ポート１１１ａに中心波長が波長λ１となる光Ｌ１１を入力し、ポート１１１ｂに中心波長が波長λ３となる光Ｌ１３を入力することにより、波長分割多重カプラ１１１において、光Ｌ１１，Ｌ１３の双方に対して損失の小さい導波路を構成することができる。
　図３のグラフの下段において、波長分割多重カプラ１１２の波長－透過率特性は、細い実線と細い破線とで示しており、細い実線は、ポート１１２ａに入力した光に対する波長－透過率特性を示すとともに、細い破線は、ポート１１２ｂに入力した光に対する波長－透過率特性を示している。これら細い実線および細い破線に示されるように、波長分割多重カプラ１１２は、透過率が波長に対して正弦波状に変化するよう構成されている。波長分割多重カプラ１１２は、ポート１１２ａに入力した光に対しては、波長λ２で透過率が最大（トップピーク）となり、かつ波長λ４で透過率が最小（ボトムピーク）となるよう構成されている。また、波長分割多重カプラ１１２は、ポート１１２ｂに入力した光に対しては、波長λ２で透過率が最小（ボトムピーク）となり、かつ波長λ４で透過率が最大（トップピーク）となるよう構成されている。このような構成において、ポート１１２ａに中心波長が波長λ２となる光Ｌ１２を入力し、ポート１１２ｂに中心波長が波長λ４となる光Ｌ１４を入力することにより、波長分割多重カプラ１１２において、光Ｌ１２，Ｌ１４の双方に対して損失の小さい導波路を構成することができる。
　また、図３のグラフの上段において、波長分割多重カプラ１１３の波長－透過率特性は、実線と破線とで示しており、実線は、ポート１１３ａに入力した光に対する波長－透過率特性を示すとともに、破線は、ポート１１３ｂに入力した光に対する波長－透過率特性を示している。これら実線および破線に示されるように、波長分割多重カプラ１１３は、透過率が波長に対して正弦波状にかつ周期的に変化するよう構成されている。波長分割多重カプラ１１３は、ポート１１３ａに入力した光に対しては、波長λ１，λ３で透過率が最大（トップピーク）となり、かつ波長λ２，λ４で透過率が最小（ボトムピーク）となるよう構成されている。また、波長分割多重カプラ１１３は、ポート１１３ｂに入力した光に対しては、波長λ２，λ４で透過率が最大（トップピーク）となり、かつ波長λ１，λ３で透過率が最小（ボトムピーク）となるよう構成されている。このような構成において、ポート１１３ａに、波長分割多重カプラ１１１から出力され、中心波長がλ１である光Ｌ１１と中心波長がλ３である光Ｌ１３とを含む光Ｌ２１を入力するとともに、ポート１１３ｂに、波長分割多重カプラ１１２から出力され、中心波長がλ２である光Ｌ１２と中心波長がλ４である光Ｌ１４とを含む光Ｌ２２を入力することにより、波長分割多重カプラ１１３において、光Ｌ２１，Ｌ２２の双方、すなわち、光Ｌ１１，Ｌ１２，Ｌ１３，Ｌ１４に対して損失の小さい導波路を構成することができる。
　以上、説明したように、本実施形態では、波長検出装置１００は、互いに波長が異なる複数の光Ｌ１１～Ｌ１４を合波する合波部１１０を備えているため、分岐部１２０、フィルタ部１３０、および検出部１４０の構成を、当該複数の光Ｌ１１～Ｌ１４で共用することができる。よって、本実施形態によれば、例えば、波長が異なる複数の光のそれぞれについて、分岐部１２０、フィルタ部１３０、および検出部１４０を備えた構成に比べて、波長検出装置１００をより小さく構成できるとともに、波長検出装置１００の製造に要する手間やコストを抑制することができるという効果が得られる。
［第２実施形態］
　図４は、第２実施形態の波長検出装置１００Ｂ（１００）の概略構成を示す平面図である。本実施形態の波長検出装置１００Ｂは、第１実施形態の波長検出装置１００Ａが備えていた平面光波回路１０１外のスイッチ１５０Ａに替えて、平面光波回路１０１内のスイッチ１５０Ｂ（１５０）を備えている。当該スイッチ１５０Ｂは、例えば、可変光減衰器（ＶＯＡ：variable　optical　attenuator）として構成されうる。
　スイッチ１５０が異なる点を除き、本実施形態の波長検出装置１００Ｂは、第１実施形態の波長検出装置１００Ａと同様の構成を備えている。本実施形態によっても、第１実施形態と同様の効果が得られる。
［第３実施形態］
　図５は、第３実施形態の波長検出装置１００Ｃ（１００）の概略構成を示す平面図である。本実施形態の波長検出装置１００Ｃは、第１実施形態の波長検出装置１００Ａと同様の構成を備えている。よって、本実施形態によっても、第１実施形態と同様の効果が得られる。
　ただし、本実施形態の波長検出装置１００Ｃは、導波路１０２の経路が、第１実施形態および第２実施形態と相違している。
　具体的には、まず、レーザ装置１０－１～１０－４から入力された光が、それぞれ、導波路１０２のＸ方向に直線状に延びた区間１０２ｅで導波され、合波部１１０、分岐部１２０、およびフィルタ部１３０が、当該区間１０２ｅの延長線（図５中のＸ方向へ向かう二点鎖線の矢印）から外れて位置している。区間１０２ｅは、延部の一例である。
　さらに、区間１０２ｅから漏洩し当該区間１０２ｅの延長線に沿って進む仮想迷光の、平面光波回路１０１の側面１０１ｂ１（１０１ｂ）での仮想反射光の進む経路（図５中のＸ方向の反対方向へ向かう二点鎖線の矢印）から外れて位置している。
　このような構成の本実施形態によれば、区間１０２ｅから漏れた迷光、および当該迷光の側面１０１ｂ１における反射光が、合波部１１０、分岐部１２０、およびフィルタ部１３０と結合して、検出部１４０による強度の検出、ひいては波長検出装置１００による波長の検出に支障を来すのを、抑制することができる。
［第４実施形態］
　図６は、第４実施形態の波長検出装置１００Ｄ（１００）の概略構成を示す平面図である。本実施形態の波長検出装置１００Ｄは、第１実施形態の波長検出装置１００Ａと同様の構成を備えている。よって、本実施形態によっても、第１実施形態と同様の効果が得られる。
　ただし、本実施形態の波長検出装置１００Ｄにあっては、平面光波回路１０１の、導波路１０２とは外れた位置に、空間１０１ｃが設けられている。空間１０１ｃは、例えば、平面光波回路１０１のＺ方向の端部に位置する頂面１０１ａに開口した開口によって、形成されている。空間１０１ｃは、溝や凹部とも称されうる。
　空間１０１ｃは、導波路１０２と外れた種々の位置に設けることができる。空間１０１ｃは、平面光波回路１０１内で迷光が伝播するのを抑制することができる。
　空間１０１ｃのうち、空間１０１ｃ１は、合波部１１０、分岐部１２０、およびフィルタ部１３０と、レーザ装置１０－１～１０－４から出力されスイッチ１５０を介して平面光波回路１０１に入力された光が導波される導波路１０２の区間１０２ｅと、の間に、位置している。このような構成によれば、当該空間１０１ｃ１によって、区間１０２ｅから漏れた迷光を遮ることができるため、当該迷光が合波部１１０、分岐部１２０、およびフィルタ部１３０と結合して、検出部１４０による強度の検出、ひいては波長検出装置１００による波長の検出に支障を来すのを、抑制することができる。
　また、空間１０１ｃのうち、空間１０１ｃ２は、平面光波回路１０１の、光が出力される側面１０１ｂ２の近傍で、導波路１０２の間に設けられている。このような構成によれば、側面１０１ｂ２への外部からの戻り光、例えば出力光に対する検出部１４０からの反射光が平面光波回路１０１内に進入した場合に、当該光が平面光波回路１０１内で伝播するのを抑制することができる。
　さらに、本実施形態では、平面光波回路１０１の、Ｚ方向と交差した方向（Ｘ方向やＹ方向）の端面としての側面１０１ｂには、当該側面１０１ｂを覆うように、光を吸収する吸収層１６０が設けられている。吸収層１６０は、例えば、黒色塗膜である。吸収層１６０によれば、平面光波回路１０１内を伝播した迷光が、側面１０１ｂで反射されるのを抑制することができるとともに、外部から側面１０１ｂを介して平面光波回路１０１内に光が進入するのを抑制することができる。吸収層１６０は、吸収部の一例である。
　図７は、本実施形態の平面光波回路１０１の、導波路１０２の出力端近傍を見た側面図である。図７に示されるように、平面光波回路１０１は、基板１０１ｄと、当該基板１０１ｄ上に形成された積層部１０１ｅと、を含んでいる。コア１０２ａおよびクラッド１０２ｂは、積層部１０１ｅに形成されている。そして、図７に示されるように、吸収層１６０は、側面１０１ｂ２において、導波路１０２の出力端のコア１０２ａとクラッド１０２ｂの一部とを除く部位を覆うように設けられている。このような構成により、吸収層１６０が、導波路１０２における本来の光の伝送を阻害するのを、回避することができる。
［第５実施形態］
　図８は、第５実施形態の波長検出装置１００Ｅ（１００）の概略構成を示す平面図である。本実施形態の波長検出装置１００Ｅは、第１実施形態の波長検出装置１００Ａと同様の構成を備えている。よって、本実施形態によっても、第１実施形態と同様の効果が得られる。
　ただし、本実施形態の波長検出装置１００Ｅにあっては、平面光波回路１０１は、導波路１０２を導波される光の伝搬モードを制限するモードフィルタ１７０が設けられている。モードフィルタ１７０により、高次モードでの光の伝搬を抑制することができるため、導波路１０２から光が漏れて迷光が生じるのを抑制することができる。よって、このような構成によれば、当該迷光が合波部１１０、分岐部１２０、およびフィルタ部１３０と結合して、検出部１４０による強度の検出、ひいては波長検出装置１００による波長の検出に支障を来すのを、抑制することができる。
　以上、本発明の実施形態が例示されたが、上記実施形態は一例であって、発明の範囲を限定することは意図していない。上記実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、組み合わせ、変更を行うことができる。また、各構成や、形状、等のスペック（構造や、種類、方向、型式、大きさ、長さ、幅、厚さ、高さ、数、配置、位置、材質等）は、適宜に変更して実施することができる。
　本発明は、波長検出装置に利用することができる。
１０－１～１０－４…レーザ装置
１００，１００Ａ～１００Ｅ…波長検出装置
１０１…平面光波回路
１０１ａ…頂面
１０１ｂ，１０１ｂ１，１０１ｂ２…側面
１０１ｃ，１０１ｃ１，１０１ｃ２…空間
１０１ｄ…基板
１０１ｅ…積層部
１０２，１０２－０～１０２－２…導波路
１０２ａ…コア
１０２ｂ…クラッド
１０２ｅ…区間（延部）
１１０…合波部
１１１…波長分割多重カプラ（第一波長分割多重カプラ）
１１２…波長分割多重カプラ（第二波長分割多重カプラ）
１１３…波長分割多重カプラ（第三波長分割多重カプラ）
１１１ａ，１１１ｂ，１１２ａ，１１２ｂ，１１３ａ，１１３ｂ…ポート
１２０…分岐部
１２１，１２２…スプリッタ
１３０…フィルタ部
１３１，１３２…フィルタ
１４０，１４０－０～１４０－２…検出部
１５０，１５０Ａ，１５０Ｂ…スイッチ（スイッチ部）
１６０…吸収層（吸収部）
１７０…モードフィルタ
Ｌ１１…光（第一光）
Ｌ１２…光（第二光）
Ｌ１３…光（第三光）
Ｌ１４…光（第四光）
Ｌ２１，Ｌ２２…光
Ｘ…方向
Ｙ…方向
Ｚ…方向
λ１～λ４…波長

Claims (10)

  1. 　光を導波する複数の導波路と、
    　それぞれ前記導波路で導波され互いに波長が異なる複数の光を合波する合波部と、
    　前記合波部から出力された光が入力され光の透過率が波長に応じて異なる特性を有するフィルタ部と、
    　前記フィルタ部から出力された光の強度を検出する検出部と、
    　を備え、前記複数の導波路、前記合波部、および前記フィルタ部が平面光波回路に構成された、波長検出装置。
  2. 　前記複数の光のそれぞれに対応して設けられ、前記光を透過する状態と透過を抑制する状態とを切り替えるスイッチ部を備えた、請求項１に記載の波長検出装置。
  3. 　前記合波部は、波長分割多重カプラを含む、請求項１に記載の波長検出装置。
  4. 　前記複数の光は、中心波長が第一波長の第一光と、中心波長が前記第一波長より長い第二波長の第二光と、中心波長が前記第二波長より長い第三波長の第三光と、中心波長が前記第三波長より長い第四波長の第四光と、を含み、
    　前記合波部は、
    　前記波長分割多重カプラとして、
    　前記第一光が入力されるとともに入力された光の透過率が前記第一波長でピークとなるポートと、前記第三光が入力されるとともに入力された光の透過率が前記第三波長でピークとなるポートと、を有した第一波長分割多重カプラと、
    　前記第二光が入力されるとともに入力された光の透過率が前記第二波長でピークとなるポートと、前記第四光が入力されるとともに入力された光の透過率が前記第四波長でピークとなるポートと、を有した第二波長分割多重カプラと、
    　前記第一波長分割多重カプラからの出力光が入力されるとともに入力された光の透過率が前記第一波長および前記第三波長でピークとなるポートと、前記第二波長分割多重カプラからの出力光が入力されるとともに入力された光の透過率が前記第二波長および前記第四波長でピークとなるポートと、を有した第三波長分割多重カプラと、
    　を有した、請求項３に記載の波長検出装置。
  5. 　前記フィルタ部は、波長に対する透過率の特性が異なる複数のフィルタを有した、請求項１に記載の波長検出装置。
  6. 　前記導波路が、直線状に延びた延部を有し、
    　前記合波部および前記フィルタ部が、前記延部の延長線から外れて位置した、請求項１に記載の波長検出装置。
  7. 　前記導波路が、直線状に延びた延部を有し、
    　前記合波部および前記フィルタ部が、前記延部から漏洩し前記延部の延長線に沿って進む仮想迷光の前記平面光波回路の側面での仮想反射光の進む経路から外れて位置した、請求項１に記載の波長検出装置。
  8. 　前記平面光波回路の、前記導波路とは外れた部位に、空間が設けられた、請求項１に記載の波長検出装置。
  9. 　前記平面光波回路の側面を覆い光を吸収する吸収部を備えた、請求項１に記載の波長検出装置。
  10. 　前記導波路を導波される光の伝搬モードを制限するモードフィルタを備えた、請求項１に記載の波長検出装置。
PCT/JP2023/043659 2022-12-13 2023-12-06 波長検出装置 WO2024128095A1 (ja)

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