WO2024106211A1

WO2024106211A1 - 光電変換基板、放射線検出パネル、及び放射線検出モジュール

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Publication number: WO2024106211A1
Application number: PCT/JP2023/039525
Authority: WO
Inventors: 圭太本澤; 博之會田
Original assignee: キヤノン電子管デバイス株式会社
Priority date: 2022-11-18
Filing date: 2023-11-01
Publication date: 2024-05-23

Abstract

複数の第１薄膜フォトダイオードの光電変換効率の均一化を図ることのできる光電変換基板、放射線検出パネル、及び放射線検出モジュールを提供する。　光電変換基板（２）は、基材（２ａ）と、複数のゲート線（Ｇ）と、複数のデータ線（Ｔ）と、有効領域（ＤＡ）に位置した複数の第１薄膜トランジスタ（１３ａ）と、有効領域に位置した複数の第１薄膜フォトダイオード（１５ａ）と、非有効領域（ＵＡ）に位置した複数の第２薄膜フォトダイオード（１５ｂ）と、補正領域（ＣＡ）に位置した複数の第２薄膜トランジスタ（１３ｃ）と、を備える。各々の第２薄膜トランジスタは、一の対応のゲート線と一の対応のデータ線とに電気的に接続されている。

Description

光電変換基板、放射線検出パネル、及び放射線検出モジュール

　本発明の実施形態は、光電変換基板、放射線検出パネル、及び放射線検出モジュールに関する。

　放射線検出器として、例えばＸ線検出器（Ｘ線平面検出器）が知られている。Ｘ線検出器のＸ線検出モジュールは、Ｘ線を蛍光に変換するシンチレータ層と、蛍光を電気信号に変換する光電変換基板と、を備えている。光電変換基板は、光（蛍光）を電荷に変換するように構成された複数のフォトダイオードを備えている。

特開２００３－４６０７５号公報特開２００２－１９９２８９号公報特開２０１６－７２３４０号公報

　本実施形態は、複数の第１薄膜フォトダイオードの光電変換効率の均一化を図ることのできる光電変換基板、放射線検出パネル、及び放射線検出モジュールを提供する。

　一実施形態に係る光電変換基板は、
　放射線の検出に有効な有効領域と前記有効領域を囲む枠状の非有効領域と前記非有効領域の外側の補正領域とに位置した基材と、前記基材の上方に設けられ第１方向に延在した複数のゲート線と、前記基材の上方に設けられ前記複数のゲート線と交差し第２方向に延在した複数のデータ線と、前記基材の上方に設けられ前記有効領域に位置した複数の第１薄膜トランジスタであって、各々の前記第１薄膜トランジスタは前記複数のゲート線のうち一の対応のゲート線と前記複数のデータ線のうち一の対応のデータ線とに電気的に接続されている、前記複数の第１薄膜トランジスタと、前記基材の上方に設けられ前記有効領域に位置した複数の第１薄膜フォトダイオードであって、各々の前記第１薄膜フォトダイオードは前記複数の第１薄膜トランジスタのうち一の対応の第１薄膜トランジスタに電気的に接続されている、前記複数の第１薄膜フォトダイオードと、前記基材の上方に設けられ前記非有効領域に位置した複数の第２薄膜フォトダイオードと、前記基材の上方に設けられ前記補正領域に位置した複数の第２薄膜トランジスタであって、各々の前記第２薄膜トランジスタは前記複数のゲート線のうち一の対応のゲート線と前記複数のデータ線のうち一の対応のデータ線とに電気的に接続されている、前記複数の第２薄膜トランジスタと、を備える。

　また、一実施形態に係る放射線検出パネルは、
　光電変換基板と、シンチレータ層と、を備え、前記光電変換基板は、放射線の検出に有効な有効領域と前記有効領域を囲む枠状の非有効領域と前記非有効領域の外側の補正領域とに位置した基材と、前記基材の上方に設けられ第１方向に延在した複数のゲート線と、前記基材の上方に設けられ前記複数のゲート線と交差し第２方向に延在した複数のデータ線と、前記基材の上方に設けられ前記有効領域に位置した複数の第１薄膜トランジスタであって、各々の前記第１薄膜トランジスタは前記複数のゲート線のうち一の対応のゲート線と前記複数のデータ線のうち一の対応のデータ線とに電気的に接続されている、前記複数の第１薄膜トランジスタと、前記基材の上方に設けられ前記有効領域に位置した複数の第１薄膜フォトダイオードであって、各々の前記第１薄膜フォトダイオードは前記複数の第１薄膜トランジスタのうち一の対応の第１薄膜トランジスタに電気的に接続されている、前記複数の第１薄膜フォトダイオードと、前記基材の上方に設けられ前記非有効領域に位置した複数の第２薄膜フォトダイオードと、前記基材の上方に設けられ前記補正領域に位置した複数の第２薄膜トランジスタであって、各々の前記第２薄膜トランジスタは前記複数のゲート線のうち一の対応のゲート線と前記複数のデータ線のうち一の対応のデータ線とに電気的に接続されている、前記複数の第２薄膜トランジスタと、を有し、前記シンチレータ層は、前記光電変換基板の上に設けられ前記有効領域に位置している。

　また、一実施形態に係る放射線検出モジュールは、
　光電変換基板と、駆動回路と、検出回路と、を備え、前記光電変換基板は、放射線の検出に有効な有効領域と前記有効領域を囲む枠状の非有効領域と前記非有効領域の外側の補正領域とに位置した基材と、前記基材の上方に設けられ第１方向に延在した複数のゲート線と、前記基材の上方に設けられ前記複数のゲート線と交差し第２方向に延在した複数のデータ線と、前記基材の上方に設けられ前記有効領域に位置した複数の第１薄膜トランジスタであって、各々の前記第１薄膜トランジスタは前記複数のゲート線のうち一の対応のゲート線と前記複数のデータ線のうち一の対応のデータ線とに電気的に接続されている、前記複数の第１薄膜トランジスタと、前記基材の上方に設けられ前記有効領域に位置した複数の第１薄膜フォトダイオードであって、各々の前記第１薄膜フォトダイオードは前記複数の第１薄膜トランジスタのうち一の対応の第１薄膜トランジスタに電気的に接続されている、前記複数の第１薄膜フォトダイオードと、前記基材の上方に設けられ前記非有効領域に位置した複数の第２薄膜フォトダイオードと、前記基材の上方に設けられ前記補正領域に位置した複数の第２薄膜トランジスタであって、各々の前記第２薄膜トランジスタは前記複数のゲート線のうち一の対応のゲート線と前記複数のデータ線のうち一の対応のデータ線とに電気的に接続されている、前記複数の第２薄膜トランジスタと、を有し、前記駆動回路は、前記複数のゲート線のうち少なくとも前記有効領域に位置した複数のゲート線に電気的に接続され、前記有効領域に位置した前記複数のゲート線に制御信号を与え、前記検出回路は、前記複数のデータ線のうち少なくとも前記有効領域に位置した複数のデータ線に電気的に接続され、前記複数の第１薄膜フォトダイオードで変換された電荷に基づいた画像データ信号を受け取り、前記複数の第２薄膜トランジスタは、前記画像データ信号を補正する機能を有する。

図１は、第１の実施形態に係るＸ線検出器を示す断面図である。図２は、上記Ｘ線検出器の支持基板、Ｘ線検出パネル、回路基板、複数のＦＰＣ、及び画像伝送部を示す斜視図である。図３は、上記Ｘ線検出パネルの一部を示す拡大断面図である。図４は、上記Ｘ線検出パネル、回路基板、及び複数のＦＰＣを示す回路図である。図５は、上記Ｘ線検出パネルを示す平面図であり、有効領域とシンチレータ層との位置関係等を説明するための図である。図６は、上記Ｘ線検出パネルを線ＶＩ－ＶＩに沿って示す断面図であり、ＦＰＣを併せて示す図である。図７は、上記Ｘ線検出パネルの光電変換基板を示す平面図であり、複数の領域の位置関係を説明するための図である。図８は、上記Ｘ線検出器の光電変換基板及び回路基板を示す回路図であり、有効領域、第１非有効領域、第３非有効領域、第５非有効領域、第９非有効領域、第１補正領域等を示す図である。図９は、上記Ｘ線検出器の光電変換基板を示す他の回路図であり、有効領域、第２非有効領域、第３非有効領域、第７非有効領域、第１１非有効領域、第２補正領域等を示す図である。図１０は、上記Ｘ線検出器の光電変換基板及び回路基板を示す他の回路図であり、有効領域、第１非有効領域、第４非有効領域、第６非有効領域、第１０非有効領域、第１補正領域等を示す図である。図１１は、上記Ｘ線検出器の光電変換基板及び回路基板を示す他の回路図であり、有効領域、第２非有効領域、第４非有効領域、第８非有効領域、第１２非有効領域、第２補正領域等を示す図である。図１２は、上記第１の実施形態に係る光電変換基板の製造方法を説明するための図であり、基材、下地層、複数の導電層、積層体、及び複数のレジストマスクを示す断面図である。図１３は、図１２に続く、上記製造方法を説明するための図であり、基材、下地層、複数の導電層、及び複数の薄膜フォトダイオードを示す断面図である。図１４は、上記第１の実施形態の変形例に係るＸ線検出パネルの光電変換基板を示す平面図であり、複数の領域の位置関係を説明するための図である。図１５は、第２の実施形態に係るＸ線検出パネルの光電変換基板を示す平面図であり、複数の領域の位置関係を説明するための図である。図１６は、上記第２の実施形態に係るＸ線検出器の光電変換基板及び回路基板を示す回路図であり、有効領域、第１非有効領域、第３非有効領域、第５非有効領域、第１３非有効領域、第３補正領域等を示す図である。図１７は、上記第２の実施形態に係るＸ線検出器の光電変換基板及び回路基板を示す他の回路図であり、有効領域、第１非有効領域、第４非有効領域、第６非有効領域、第１５非有効領域、第４補正領域等を示す図である。図１８は、上記第２の実施形態の変形例に係るＸ線検出パネルの光電変換基板を示す平面図であり、複数の領域の位置関係を説明するための図である。図１９は、第３の実施形態に係るＸ線検出パネルの光電変換基板を示す平面図であり、複数の領域の位置関係を説明するための図である。図２０は、上記第３の実施形態の変形例に係るＸ線検出パネルの光電変換基板を示す平面図であり、複数の領域の位置関係を説明するための図である。

　以下、本発明の各実施形態及び各変形例について、図面を参照しながら説明する。
　（第１の実施形態）
　まず、第１の実施形態に係るＸ線検出器１の構成及びＸ線検出器１の製造方法について説明する。図１は、本第１の実施形態に係るＸ線検出器１を示す断面図である。Ｘ線検出器１は、Ｘ線画像検出器であり、Ｘ線検出パネルを利用するＸ線平面検出器である。Ｘ線検出器１は、例えば、一般医療用途等に用いられている。

　図１に示すように、Ｘ線検出器１は、Ｘ線検出モジュール１０、支持基板１２、スペーサ９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄ、筐体５１、入射窓５２等を備えている。Ｘ線検出モジュール１０は、Ｘ線検出パネルＰＮＬ、回路基板１１、ＦＰＣ（フレキシブルプリント基板）２ｅ１等を備えている。Ｘ線検出パネルＰＮＬは、支持基板１２と入射窓５２との間に位置している。Ｘ線検出パネルＰＮＬは、入射窓５２と対向した防湿カバー７を備えている。

　入射窓５２は、筐体５１の開口に取付けられている。入射窓５２はＸ線を透過させる。そのため、Ｘ線は入射窓５２を透過してＸ線検出パネルＰＮＬに入射される。入射窓５２は、板状に形成され、筐体５１内部を保護する機能を有している。入射窓５２は、Ｘ線吸収率の低い材料で薄く形成することが望ましい。これにより、入射窓５２で生じる、Ｘ線の散乱と、Ｘ線量の減衰とを低減することができる。そして、薄くて軽いＸ線検出器１を実現することができる。
　Ｘ線検出モジュール１０、支持基板１２等は、筐体５１及び入射窓５２で囲まれた空間の内部に収容されている。

　Ｘ線検出パネルＰＮＬは、薄い部材を積層して構成されているため、軽く機械的強度の低いものである。このため、Ｘ線検出パネルＰＮＬは、粘着シートを介して支持基板１２の平坦な一面に固定されている。支持基板１２は、例えばアルミニウム合金で板状に形成され、Ｘ線検出パネルＰＮＬを安定して保持するために必要な強度を有している。これにより、Ｘ線検出器１に外部から振動や衝撃が加わった際におけるＸ線検出パネルＰＮＬの破損を抑制することができる。

　支持基板１２の他面には、スペーサ９ａ，９ｂを介して回路基板１１が固定されている。スペーサ９ａ，９ｂを使用することで、主に金属から構成される支持基板１２から回路基板１１までの電気的絶縁距離を保持することができる。
　筐体５１の内面には、スペーサ９ｃ，９ｄを介して回路基板１１が固定されている。スペーサ９ｃ，９ｄを使用することで、主に金属から構成される筐体５１から回路基板１１までの電気的絶縁距離を保持することができる。筐体５１は、回路基板１１及びスペーサ９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄを介して支持基板１２等を支持している。

　回路基板１１にはＦＰＣ２ｅ１に対応するコネクタが実装され、ＦＰＣ２ｅ１はコネクタを介して回路基板１１に電気的に接続されている。ＦＰＣ２ｅ１とＸ線検出パネルＰＮＬとの接続には、ＡＣＦ（異方性導電フィルム）を利用した熱圧着法が用いられる。この方法により、Ｘ線検出パネルＰＮＬの複数の微細なパッドと、ＦＰＣ２ｅ１の複数の微細なパッドとの電気的接続が確保され、ＦＰＣ２ｅ１がＸ線検出パネルＰＮＬに物理的に固定される。なお、Ｘ線検出パネルＰＮＬのパッドに関しては後述する。

　上記のように、回路基板１１は、上記コネクタ、ＦＰＣ２ｅ１等を介してＸ線検出パネルＰＮＬに電気的に接続されている。回路基板１１は、Ｘ線検出パネルＰＮＬを電気的に駆動し、かつ、Ｘ線検出パネルＰＮＬからの出力信号を電気的に処理するものである。

　図２は、本実施形態に係るＸ線検出器１の支持基板１２、Ｘ線検出パネルＰＮＬ、回路基板１１、複数のＦＰＣ２ｅ１，２ｅ２、及び画像伝送部４を示す斜視図である。なお、図２には、Ｘ線検出器１の全ての部材を示していない。後述する接合体等、Ｘ線検出器１のいくつかの部材の図示は、図２において省略している。光電変換基板２に関して、検出領域である有効領域（後述する有効領域ＤＡ）は示されているが、非検出領域（後述する非検出領域ＮＤＡ）は示されていない。

　図２に示すように、Ｘ線検出パネルＰＮＬは、光電変換基板２、シンチレータ層５等を備えている。光電変換基板２は、基材２ａ、複数の光電変換部２ｂ、複数のゲート線（又は制御線）Ｇ１、複数のデータ線（又はシグナル線）Ｔ１等を有している。なお、光電変換部２ｂ、ゲート線Ｇ１、データ線Ｔ１、及び配線基板２ｅ１，２ｅ２の数、配置等は図２の例に限定されるものではない。

　複数のゲート線Ｇ１は、基材２ａの上方に設けられ、第１方向としての行方向Ｘに延在し、第１方向に交差する列方向Ｙに所定の間隔をあけて並べられている。複数のデータ線Ｔ１は、基材２ａの上方に設けられ、第２方向としての列方向Ｙに延在し、複数のゲート線Ｇ１と交差し、行方向Ｘに所定の間隔をあけて並べられている。

　複数の光電変換部２ｂは、基材２ａの一方の面側に設けられている。光電変換部２ｂは、ゲート線Ｇ１とデータ線Ｔ１とにより区画された四角形状の領域に設けられている。１つの光電変換部２ｂは、Ｘ線画像の１つの画素に対応している。複数の光電変換部２ｂは、行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に並べられている。上記のことから、光電変換基板２は、アレイ基板である。

　各々の光電変換部２ｂは、光電変換素子である第１薄膜フォトダイオード１５ａと、第１検出スイッチング素子としての第１薄膜トランジスタ１３ａと、を有している。以下、第１薄膜フォトダイオード１５ａをＴＦＤ１５ａと言い、第１薄膜トランジスタ１３ａをＴＦＴ１３ａと言う。ＴＦＴ１３ａは、基材２ａの上方に設けられ、対応する一のゲート線Ｇ１と、対応する一のデータ線Ｔ１とに接続されている。ＴＦＤ１５ａは、基材２ａの上方に設けられ、ＴＦＴ１３ａに電気的に接続されている。

　ゲート線Ｇ１は、ＦＰＣ２ｅ１を介して回路基板１１に電気的に接続されている。回路基板１１は、ＦＰＣ２ｅ１を介して複数のゲート線Ｇ１に制御信号Ｓ１を与える。データ線Ｔ１は、ＦＰＣ２ｅ２を介して回路基板１１に電気的に接続されている。ＴＦＤ１５ａによって変換された画像データ信号Ｓ２（光電変換部２ｂに蓄積された電荷）は、ＴＦＴ１３ａ、データ線Ｔ１、及びＦＰＣ２ｅ２を介して回路基板１１に伝送される。

　Ｘ線検出器１は、画像伝送部４を備えている。画像伝送部４は、配線４ａを介して回路基板１１に接続されている。なお、画像伝送部４は、回路基板１１に組込まれてもよい。画像伝送部４は、図示しない複数のアナログ－デジタル変換器によりデジタル信号に変換された画像データの信号に基づいて、Ｘ線画像を生成する。生成されたＸ線画像のデータは、画像伝送部４から外部の機器に向けて出力される。

　図３は、本第１の実施形態に係るＸ線検出パネルＰＮＬの一部を示す拡大断面図である。
　図３に示すように、光電変換基板２は、基材２ａ、複数の光電変換部２ｂ、絶縁層２１，２２，２３，２４，２５を有している。複数の光電変換部２ｂは、放射線（例えばＸ線）の検出に有効な有効領域ＤＡに位置している。各々の光電変換部２ｂは、ＴＦＤ１５ａと、ＴＦＴ１３ａと、を備えている。

　ＴＦＴ１３ａは、ゲート電極ＧＥ、半導体層ＳＣ、ソース電極ＳＥ、及びドレイン電極ＤＥを有している。ＴＦＤ１５ａは、薄膜のフォトダイオードで構成されている。

　基材２ａは、板状の形状を有し、絶縁材料で形成されている。上記絶縁材料としては、無アルカリガラスなどのガラスを挙げることができる。本実施形態において、基材２ａは、ガラスで形成されているが、樹脂等の有機絶縁材料で形成されてもよい。基材２ａの平面形状は、例えば四角形である。基材２ａの厚みは、例えば０．５乃至０．７ｍｍである。絶縁層２１は、基材２ａの上に設けられている。

　絶縁層２１の上に、ゲート電極ＧＥが形成されている。ゲート電極ＧＥは、上記ゲート線Ｇ１に電気的に接続されている。絶縁層２２は、絶縁層２１及びゲート電極ＧＥの上に設けられている。半導体層ＳＣは、絶縁層２２の上に設けられ、ゲート電極ＧＥに対向している。半導体層ＳＣは、非晶質半導体としての非晶質シリコン、多結晶半導体としての多結晶シリコン等の半導体材料で形成されている。

　絶縁層２２及び半導体層ＳＣの上に、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥが設けられている。ゲート電極ＧＥ、ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥ、上記ゲート線Ｇ１、及び上記データ線Ｔ１は、アルミニウムやクロムなどの低抵抗金属を用いて形成されている。

　ソース電極ＳＥは、半導体層ＳＣのソース領域に電気的に接続されている。また、ソース電極ＳＥは、上記データ線Ｔ１に電気的に接続されている。ドレイン電極ＤＥは、半導体層ＳＣのドレイン領域に電気的に接続されている。

　絶縁層２３は、絶縁層２２、半導体層ＳＣ、ソース電極ＳＥ、及びドレイン電極ＤＥの上に設けられている。導電層ＣＬは、絶縁層２３の上方に形成され、ドレイン電極ＤＥに電気的に接続されている。ＴＦＤ１５ａは、導電層ＣＬの上に形成され、導電層ＣＬに電気的に接続されている。ＴＦＤ１５ａは、成膜工程及びドライエッチング法を用いたパターニング工程を経て形成されている。

　絶縁層２４は、絶縁層２３、導電層ＣＬ、及びＴＦＤ１５ａの上に設けられている。バイアス線ＢＬ１は、絶縁層２４の上に設けられ、絶縁層２４に形成されたコンタクトホールを通りＴＦＤ１５ａに接続されている。絶縁層２５は、絶縁層２４及びバイアス線ＢＬ１の上に設けられている。

　絶縁層２１，２２，２３，２４，２５は、無機絶縁材料、有機絶縁材料等の絶縁材料で形成されている。無機絶縁材料としては、酸化物絶縁材料、窒化物絶縁材料、及び酸窒化物絶縁材料を挙げることができる。有機絶縁材料としては樹脂を挙げることができる。

　シンチレータ層５は、光電変換基板２（複数の光電変換部２ｂ）の上に設けられている。シンチレータ層５は、少なくとも有効領域ＤＡに位置し、複数の光電変換部２ｂの上方を覆っている。シンチレータ層５は、入射されるＸ線を光（蛍光）に変換するように構成されている。

　なお、ＴＦＤ１５ａは、シンチレータ層５から入射される光を電荷に変換する。変換された電荷はＴＦＤ１５ａに蓄積される。ＴＦＴ１３ａは、ＴＦＤ１５ａへの蓄電及びＴＦＤ１５ａからの放電を切替えることができる。なお、ＴＦＤ１５ａの自己容量が不十分である場合、光電変換基板２はコンデンサ（蓄積キャパシタ）をさらに有し、ＴＦＤ１５ａで変換された電荷をコンデンサに蓄積してもよい。

　シンチレータ層５は、タリウム賦活ヨウ化セシウム（ＣｓＩ：Ｔｌ）で形成されている。真空蒸着法を用いてシンチレータ層５を形成すれば、複数の柱状結晶の集合体からなるシンチレータ層５が得られる。シンチレータ層５の厚みは、例えば、６００μｍである。シンチレータ層５の最表面において、シンチレータ層５の柱状結晶の太さは、８乃至１２μｍである。

　シンチレータ層５を形成する材料は、ＣｓＩ：Ｔｌに限定されるものではない。シンチレータ層５は、タリウム賦活ヨウ化ナトリウム（ＮａＩ：Ｔｌ）、ナトリウム賦活ヨウ化セシウム（ＣｓＩ：Ｎａ）、ユーロピウム賦活臭化セシウム（ＣｓＢｒ：Ｅｕ）、ヨウ化ナトリウム（ＮａＩ）等で形成されてもよい。

　なお、真空蒸着法を用いてシンチレータ層５を形成する際には、開口を有するマスクが用いられる。この場合、光電変換基板２上の開口に対峙する領域にシンチレータ層５が形成される。また、蒸着によるシンチレータ材は、マスクの表面にも堆積する。そして、シンチレータ材は、マスクの開口の近傍にも堆積し、開口の内部に徐々に張り出すように結晶が成長する。マスクから開口の内部に結晶が張り出すと、開口の近傍において、光電変換基板２へのシンチレータ材の蒸着が抑制される。そのため、図２に示したように、シンチレータ層５の周縁近傍は、外側になるに従い厚みが漸減している。

　又は、シンチレータ層５は、マトリクス状に並べられ、光電変換部２ｂに一対一で設けられ、それぞれ四角柱状の形状を有する複数のシンチレータ部を有してもよい。そのようなシンチレータ層５を形成する際、酸硫化ガドリニウム（Ｇｄ_２Ｏ_２Ｓ）蛍光体粒子をバインダ材と混合したシンチレータ材を、光電変換基板２上に塗布し、シンチレータ材を焼成して硬化させる。その後、ダイサによりダイシングするなどし、シンチレータ材に格子状の溝部を形成する。上記の場合、複数のシンチレータ部の間には、空気又は酸化防止用の窒素（Ｎ_２）等の不活性ガスが封入される。又は、複数のシンチレータ部の間の空間は、大気圧より減圧された空間に設定されてもよい。

　本実施形態において、Ｘ線検出パネルＰＮＬは、光反射層６をさらに備えている。光反射層６は、シンチレータ層５の上に設けられている。言い換えると、光反射層６は、シンチレータ層５のＸ線の入射側に設けられている。光反射層６は、少なくとも有効領域ＤＡに位置し、シンチレータ層５の上面を覆っている。光反射層６は、光（蛍光）の利用効率を高めて感度特性の向上を図るために設けられている。すなわち、光反射層６は、シンチレータ層５において生じた光のうち、光電変換部２ｂが設けられた側とは反対側に向かう光を反射させて、光電変換部２ｂに向かうようにする。ただし、光反射層６は、必ずしも必要ではなく、Ｘ線検出パネルＰＮＬに求められる感度特性などに応じて設ければよい。

　例えば、酸化チタン（ＴｉＯ_２）等からなる光散乱性粒子と、樹脂と、溶媒とを混合した塗布材料をシンチレータ層５上に塗布し、続いて塗布材料を乾燥することで光反射層６を形成することができる。

　なお、光反射層６の構造及び光反射層６の製造方法は、上記の例に限定されるものではなく、種々変形可能である。例えば、銀合金やアルミニウムなどの光反射率の高い金属からなる層をシンチレータ層５上に成膜することで光反射層６を形成してもよい。又は、表面が銀合金やアルミニウムなどの光反射率の高い金属層を含むシートや、光散乱性粒子を含む樹脂シート等をシンチレータ層５の上に設けることで光反射層６を形成してもよい。

　なお、ペースト状の塗布材料をシンチレータ層５の上に塗布し、上記塗布材料を乾燥する場合は、乾燥に伴い塗布材料が収縮するので、シンチレータ層５に引っ張り応力が加わり、シンチレータ層５が光電変換基板２から剥離する場合がある。そのため、シート状の光反射層６を、シンチレータ層５の上に設けることが好ましい。この場合、光反射層６を、例えば、両面テープなどを用いて、シンチレータ層５の上に接合することもできるが、光反射層６をシンチレータ層５の上に載置する方が好ましい。シート状の光反射層６をシンチレータ層５の上に載置すれば、光反射層６の膨張または収縮に起因した、光電変換基板２からシンチレータ層５の剥離を容易に抑制することができる。

　防湿カバー（防湿シート）７は、シンチレータ層５及び光反射層６を覆っている。防湿カバー７は、空気中に含まれる水分により、光反射層６の特性やシンチレータ層５の特性が劣化するのを抑制するために設けられている。防湿カバー７は、シンチレータ層５の露出部分を完全に覆っている。防湿カバー７は光反射層６等との間に隙間を空けてもよいし、防湿カバー７は光反射層６等と接触してもよい。

　防湿カバー７は、金属を含むシートで形成されている。上記金属としては、アルミニウムを含む金属、銅を含む金属、マグネシウムを含む金属、タングステンを含む金属、ステンレス、コバール等を挙げることができる。防湿カバー７が金属を含んでいる場合、防湿カバー７は、水分の透過を、防止したり、大幅に抑制したりすることができる。

　図４は、本第１の実施形態に係るＸ線検出パネルＰＮＬ、回路基板１１、及び複数のＦＰＣ２ｅ１，２ｅ２を示す回路図である。
　図２乃至図４に示すように、回路基板１１には、駆動回路としての読み出し回路１１ａ及び検出回路としての信号検出回路１１ｂが設けられている。なお、これらの回路を１つの基板に設けることもできるし、これらの回路を複数の基板に分けて設けることもできる。ＦＰＣ２ｅ１に設けられた複数の配線の他端は、読み出し回路１１ａとそれぞれ電気的に接続されている。ＦＰＣ２ｅ２に設けられた複数の配線の他端は、信号検出回路１１ｂとそれぞれ電気的に接続されている。

　読み出し回路１１ａは、ＴＦＴ１３ａのオン状態とオフ状態を切り替える。読み出し回路１１ａは、複数のゲートドライバ１１ａａと行選択回路１１ａｂとを有する。行選択回路１１ａｂには、Ｘ線検出器１の外部に設けられた図示しない画像処理部などから制御信号Ｓ１が入力される。行選択回路１１ａｂは、Ｘ線画像の走査方向に従って、対応するゲートドライバ１１ａａに制御信号Ｓ１を入力する。ゲートドライバ１１ａａは、対応するゲート線Ｇ１に制御信号Ｓ１を入力する。

　例えば、読み出し回路１１ａは、ＦＰＣ２ｅ１を介して、制御信号Ｓ１を複数のゲート線Ｇ１に順に入力する。ゲート線Ｇ１に入力された制御信号Ｓ１によりＴＦＴ１３ａがオン又はオフされ、ＴＦＴ１３ａがオン状態となることで、ＴＦＤ１５ａからの電荷（画像データ信号Ｓ２）がＦＰＣ２ｅ２に出力される。

　信号検出回路１１ｂは、複数の積分アンプ１１ｂａ、複数の選択回路１１ｂｂ、及び複数のＡＤコンバータ（Analog-to-digital converter）１１ｂｃを有している。１つの積分アンプ１１ｂａは、１つのデータ線Ｔ１と電気的に接続されている。積分アンプ１１ｂａは、複数の光電変換部２ｂからの画像データ信号Ｓ２を順に受信する。そして、積分アンプ１１ｂａは、一定時間内に流れる電流を積分し、その積分値に対応した電圧を選択回路１１ｂｂへ出力する。この様にすれば、所定の時間内にデータ線Ｔ１を流れる電流の値（電荷量）を電圧値に変換することが可能となる。すなわち、積分アンプ１１ｂａは、シンチレータ層５において発生した蛍光の強弱分布に対応した画像データ情報を、電位情報へと変換する。

　選択回路１１ｂｂは、読み出しを行う積分アンプ１１ｂａを選択し、電位情報へと変換された画像データ信号Ｓ２を順に読み出す。ＡＤコンバータ１１ｂｃは、読み出された画像データ信号Ｓ２をデジタル信号に順に変換する。デジタル信号に変換された画像データ信号Ｓ２は、配線を介して画像処理部に入力される。なお、デジタル信号に変換された画像データ信号Ｓ２は、無線により画像処理部に送信されてもよい。画像処理部は、デジタル信号に変換された画像データ信号Ｓ２に基づいてＸ線画像を構成する。なお、画像処理部は、回路基板１１と一体化することもできる。

　図５は、本第１の実施形態に係るＸ線検出パネルＰＮＬを示す平面図であり、有効領域ＤＡとシンチレータ層５との位置関係等を説明するための図である。図５において、シンチレータ層５には右上がりの斜線を付し、接合体８には右下がりの斜線を付している。図６は、本第１の実施形態に係るＸ線検出パネルＰＮＬを線ＶＩ－ＶＩに沿って示す断面図であり、ＦＰＣ２ｅ１を併せて示す図である。

　図５及び図６に示すように、光電変換基板２は、有効領域ＤＡと、有効領域ＤＡの周囲に位置する枠状の第１非検出領域ＮＤＡ１と、第１非検出領域ＮＤＡ１の外側の第２非検出領域ＮＤＡ２と、を有している。本実施形態において、第２非検出領域ＮＤＡ２は枠状の形状を有している。基材２ａは、有効領域ＤＡと、有効領域ＤＡを囲む枠状の非検出領域（第１非検出領域ＮＤＡ１及び第２非検出領域ＮＤＡ２）とに位置している。

　シンチレータ層５は、少なくとも有効領域ＤＡに位置している。光電変換基板２は、さらに複数のパッド２ｄ１及び複数のパッド２ｄ２を有している。パッド２ｄ１及びパッド２ｄ２は、第２非検出領域ＮＤＡ２に位置している。本実施形態において、複数のパッド２ｄ１は基材２ａの左辺に沿って並べられ、複数のパッド２ｄ２は基材２ａの下辺に沿って並べられている。なお、図５には複数のパッドを模式的に示しており、複数のパッドの個数、形状、サイズ、位置、及びピッチは、図５に示す例に限定されるものではない。

　１つのゲート線Ｇ１は、有効領域ＤＡ、第１非検出領域ＮＤＡ１、及び第２非検出領域ＮＤＡ２を延在し、複数のパッド２ｄ１のうちの１つと電気的に接続されている。１つのデータ線Ｔ１は、有効領域ＤＡ、第１非検出領域ＮＤＡ１、及び第２非検出領域ＮＤＡ２を延在し、複数のパッド２ｄ２のうちの１つと電気的に接続されている。
　１つのパッド２ｄ１にはＦＰＣ２ｅ１に設けられた複数の配線のうちの１つが電気的に接続され、１つのパッド２ｄ２にはＦＰＣ２ｅ２に設けられた複数の配線のうちの１つが電気的に接続されている（図２）。

　Ｘ線検出パネルＰＮＬは、接合体８をさらに備えている。接合体８は、シンチレータ層５の周囲に設けられている。接合体８は、枠状の形状を有し、シンチレータ層５の周囲を連続的に延在している。接合体８は、光電変換基板２（例えば、上記絶縁層２５）に接合されている。

　防湿カバー７は、光電変換基板２、シンチレータ層５、及び光反射層６の上に設けられている。防湿カバー７は、有効領域ＤＡ及び非検出領域（第１非検出領域ＮＤＡ１）に位置している。防湿カバー７は、図５に示す平面図において、シンチレータ層５を完全に覆っている。図６に示すように、シンチレータ層５のうち光電変換基板２及び接合体８で覆われていない部分は、防湿カバー７で完全に覆われている。防湿カバー７は、接合体８に接合されている。防湿カバー７は、光電変換基板２及び接合体８とともにシンチレータ層５及び光反射層６を密封している。

　例えば、大気圧よりも減圧された環境において防湿カバー７と接合体８とを接合すれば、防湿カバー７を光反射層６等に接触させることができる。また、一般的に、シンチレータ層５には、その体積の１０乃至４０％程度の空隙が存在する。大気圧よりも減圧された環境において防湿カバー７と接合体８とを接合すれば、Ｘ線検出器１が航空機などで輸送された場合であっても防湿カバー７の破損を抑制することができる。上記のことから、接合体８と防湿カバー７とにより画された空間の圧力は、大気圧よりも低くした方が好ましい。

　接合体８は、光電変換基板２と防湿カバー７との間に位置し、熱可塑性樹脂で形成されている。防湿カバー７の周縁近傍を加熱することで、接合体８は、光電変換基板２と防湿カバー７とを接合する。
　ＦＰＣ２ｅ１は、接続材ＡＤにより光電変換基板２（Ｘ線検出パネルＰＮＬ）に固定され、パッド２ｄ１に電気的に接続されている。接続材ＡＤはＡＣＦで形成されている。

　図７は、本第１の実施形態に係る光電変換基板２を示す平面図であり、複数の領域の位置関係を説明するための図である。図７において、非有効領域ＵＡにはドットパターンを付し、補正領域ＣＡには右上がりの斜線を付している。
　図７に示すように、非検出領域（第１非検出領域ＮＤＡ１）は、非有効領域ＵＡを備えている。非有効領域ＵＡは、第１非検出領域ＮＤＡ１のうち有効領域ＤＡに隣接している。非有効領域ＵＡは、有効領域ＤＡを囲んでいる。

　非有効領域ＵＡは、第１非有効領域ＵＡ１、第２非有効領域ＵＡ２、第３非有効領域ＵＡ３、第４非有効領域ＵＡ４、第５非有効領域ＵＡ５、第６非有効領域ＵＡ６、第７非有効領域ＵＡ７、及び第８非有効領域ＵＡ８を有している。第１非有効領域ＵＡ１乃至第８非有効領域ＵＡ８は、枠状の領域である。

　第１非有効領域ＵＡ１は、列方向Ｙに延在し、行方向Ｘに有効領域ＤＡに隣接している。第２非有効領域ＵＡ２は、列方向Ｙに延在し、行方向Ｘに有効領域ＤＡに隣接し、第１非有効領域ＵＡ１とともに有効領域ＤＡを行方向Ｘに挟んでいる。第３非有効領域ＵＡ３は、行方向Ｘに延在し、列方向Ｙに有効領域ＤＡに隣接している。第４非有効領域ＵＡ４は、行方向Ｘに延在し、列方向Ｙに有効領域ＤＡに隣接し、第３非有効領域ＵＡ３とともに有効領域ＤＡを列方向Ｙに挟んでいる。本第１の実施形態において、有効領域ＤＡを基準に第１非有効領域ＵＡ１乃至第４非有効領域ＵＡ４をみると、第１非有効領域ＵＡ１は左側に位置し、第２非有効領域ＵＡ２は右側に位置し、第３非有効領域ＵＡ３は上側に位置し、第４非有効領域ＵＡ４は下側に位置している。

　第５非有効領域ＵＡ５は、列方向Ｙに第１非有効領域ＵＡ１に隣接し、行方向Ｘに第３非有効領域ＵＡ３に隣接している。第６非有効領域ＵＡ６は、列方向Ｙに第１非有効領域ＵＡ１に隣接し、行方向Ｘに第４非有効領域ＵＡ４に隣接している。第７非有効領域ＵＡ７は、列方向Ｙに第２非有効領域ＵＡ２に隣接し、行方向Ｘに第３非有効領域ＵＡ３に隣接している。第８非有効領域ＵＡ８は、列方向Ｙに第２非有効領域ＵＡ２に隣接し、行方向Ｘに第４非有効領域ＵＡ４に隣接している。

　非検出領域（第１非検出領域ＮＤＡ１）は、補正領域ＣＡをさらに備えている。補正領域ＣＡは、第１非検出領域ＮＤＡ１のうち非有効領域ＵＡの外側に位置している。補正領域ＣＡは、第１補正領域ＣＡ１及び第２補正領域ＣＡ２を有している。第１補正領域ＣＡ１は、列方向Ｙに延在し、行方向Ｘに第１非有効領域ＵＡ１に隣接し、有効領域ＤＡとともに第１非有効領域ＵＡ１を行方向Ｘに挟んでいる。第２補正領域ＣＡ２は、列方向Ｙに延在し、行方向Ｘに第２非有効領域ＵＡ２に隣接し、有効領域ＤＡとともに第２非有効領域ＵＡ２を行方向Ｘに挟んでいる。

　非有効領域ＵＡは、第９非有効領域ＵＡ９、第１０非有効領域ＵＡ１０、第１１非有効領域ＵＡ１１、及び第１２非有効領域ＵＡ１２をさらに有している。
　第９非有効領域ＵＡ９は、行方向Ｘに第５非有効領域ＵＡ５に隣接し、第３非有効領域ＵＡ３とともに第５非有効領域ＵＡ５を行方向Ｘに挟んでいる。第１０非有効領域ＵＡ１０は、行方向Ｘに第６非有効領域ＵＡ６に隣接し、第４非有効領域ＵＡ４とともに第６非有効領域ＵＡ６を行方向Ｘに挟んでいる。

　第１１非有効領域ＵＡ１１は、行方向Ｘに第７非有効領域ＵＡ７に隣接し、第３非有効領域ＵＡ３とともに第７非有効領域ＵＡ７を行方向Ｘに挟んでいる。第１２非有効領域ＵＡ１２は、行方向Ｘに第８非有効領域ＵＡ８に隣接し、第４非有効領域ＵＡ４とともに第８非有効領域ＵＡ８を行方向Ｘに挟んでいる。
　なお、第１補正領域ＣＡ１は、第９非有効領域ＵＡ９及び第１０非有効領域ＵＡ１０にさらに隣接し、列方向Ｙに第９非有効領域ＵＡ９と第１０非有効領域ＵＡ１０とで挟まれている。第２補正領域ＣＡ２は、第１１非有効領域ＵＡ１１及び第１２非有効領域ＵＡ１２にさらに隣接し、列方向Ｙに第１１非有効領域ＵＡ１１と第１２非有効領域ＵＡ１２とで挟まれている。

　ここで、第３非有効領域ＵＡ３、第５非有効領域ＵＡ５、及び第７非有効領域ＵＡ７の列方向Ｙの幅をＷｕｐとし、第４非有効領域ＵＡ４、第６非有効領域ＵＡ６、及び第８非有効領域ＵＡ８の列方向Ｙの幅をＷｌｏとし、第１非有効領域ＵＡ１、第５非有効領域ＵＡ５、及び第６非有効領域ＵＡ６の行方向Ｘの幅をＷｌｆとし、第２非有効領域ＵＡ２、第７非有効領域ＵＡ７、及び第８非有効領域ＵＡ８の行方向Ｘの幅をＷｒｉとする。
　本実施形態において、幅Ｗｕｐ、幅Ｗｌｏ、幅Ｗｌｆ、及び幅Ｗｒｉは、３００μｍである。但し、幅Ｗｕｐ、幅Ｗｌｏ、幅Ｗｌｆ、及び幅Ｗｒｉは、３００μｍに限らず、種々変更可能である。

　図８、図９、図１０、及び図１１は、本第１の実施形態に係るＸ線検出器１の光電変換基板２を示す回路図であり、図８、図１０、及び図１１は、さらに回路基板１１を示す回路図である。図８は、有効領域ＤＡ、第１非有効領域ＵＡ１、第３非有効領域ＵＡ３、第５非有効領域ＵＡ５、第９非有効領域ＵＡ９、第１補正領域ＣＡ１等を示す図である。図９は、有効領域ＤＡ、第２非有効領域ＵＡ２、第３非有効領域ＵＡ３、第７非有効領域ＵＡ７、第１１非有効領域ＵＡ１１、第２補正領域ＣＡ２等を示す図である。図１０は、有効領域ＤＡ、第１非有効領域ＵＡ１、第４非有効領域ＵＡ４、第６非有効領域ＵＡ６、第１０非有効領域ＵＡ１０、第１補正領域ＣＡ１等を示す図である。図１１は、有効領域ＤＡ、第２非有効領域ＵＡ２、第４非有効領域ＵＡ４、第８非有効領域ＵＡ８、第１２非有効領域ＵＡ１２、第２補正領域ＣＡ２等を示す図である。

　図８乃至図１１に示すように、光電変換基板２は、少なくとも有効領域ＤＡに位置した複数のゲート線Ｇ１を備えている。複数のゲート線Ｇ１は、補正領域ＣＡ（第１補正領域ＣＡ１及び第２補正領域ＣＡ２）にさらに位置し、連続的に延在している。

　図８及び図９に示すように、光電変換基板２は、第３非有効領域ＵＡ３、第５非有効領域ＵＡ５、第７非有効領域ＵＡ７、第９非有効領域ＵＡ９、及び第１１非有効領域ＵＡ１１に位置したゲート線Ｇ２をさらに備えている。本実施形態において、光電変換基板２は、第３非有効領域ＵＡ３、第５非有効領域ＵＡ５、第７非有効領域ＵＡ７、第９非有効領域ＵＡ９、及び第１１非有効領域ＵＡ１１に、２本のゲート線Ｇ２を備えているが、１本のゲート線Ｇ２を備えてもよく、３本以上のゲート線Ｇ２を備えてもよい。

　各々のゲート線Ｇ２は、第３非有効領域ＵＡ３、第５非有効領域ＵＡ５、第７非有効領域ＵＡ７、第９非有効領域ＵＡ９、及び第１１非有効領域ＵＡ１１にて断続的に延在している。言い換えると、各々のゲート線Ｇ２は、分断された複数の分割線を有している。ここでは、各々のゲート線Ｇ２は、隣り合う２本のデータ線Ｔの間の区間毎に分断して形成されている。連続している場合のゲート線Ｇ２に蓄積する電荷の量より、ゲート線Ｇ２の各分割線に蓄積する電荷の量を少なくできるため、本実施形態において、光電変換基板２の静電破壊の抑制に寄与することができる。

　図１０及び図１１に示すように、光電変換基板２は、第４非有効領域ＵＡ４、第６非有効領域ＵＡ６、第８非有効領域ＵＡ８、第１０非有効領域ＵＡ１０、及び第１２非有効領域ＵＡ１２に位置したゲート線Ｇ３をさらに備えている。ゲート線Ｇ１、ゲート線Ｇ２、及びゲート線Ｇ３は、同一材料で同時に形成され、同一層（絶縁層２１と絶縁層２２との間）に位置している。

　本実施形態において、光電変換基板２は、第４非有効領域ＵＡ４、第６非有効領域ＵＡ６、第８非有効領域ＵＡ８、第１０非有効領域ＵＡ１０、及び第１２非有効領域ＵＡ１２に、２本のゲート線Ｇ３を備えているが、１本のゲート線Ｇ３を備えてもよく、３本以上のゲート線Ｇ３を備えてもよい。

　各々のゲート線Ｇ３は、第４非有効領域ＵＡ４、第６非有効領域ＵＡ６、第８非有効領域ＵＡ８、第１０非有効領域ＵＡ１０、及び第１２非有効領域ＵＡ１２にて断続的に延在している。言い換えると、各々のゲート線Ｇ３は、分断された複数の分割線を有している。ここでは、各々のゲート線Ｇ３は、隣り合う２本のデータ線Ｔの間の区間毎に分断して形成されている。連続している場合のゲート線Ｇ３に蓄積する電荷の量より、ゲート線Ｇ３の各分割線に蓄積する電荷の量を少なくできるため、本実施形態において、光電変換基板２の静電破壊の抑制に寄与することができる。

　図８乃至図１１に示すように、光電変換基板２は、少なくとも有効領域ＤＡに位置し複数のゲート線Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３と交差した複数のデータ線Ｔ１を備えている。複数のデータ線Ｔ１は、第３非有効領域ＵＡ３及び第４非有効領域ＵＡ４にさらに位置し、連続的に延在している。

　図８及び図１０に示すように、光電変換基板２は、第１非有効領域ＵＡ１、第５非有効領域ＵＡ５、及び第６非有効領域ＵＡ６に位置したデータ線Ｔ２をさらに備えている。本実施形態において、光電変換基板２は、第１非有効領域ＵＡ１、第５非有効領域ＵＡ５、及び第６非有効領域ＵＡ６に、２本のデータ線Ｔ２を備えているが、１本のデータ線Ｔ２を備えてもよく、３本以上のデータ線Ｔ２を備えてもよい。

　各々のデータ線Ｔ２は、第１非有効領域ＵＡ１、第５非有効領域ＵＡ５、及び第６非有効領域ＵＡ６にて断続的に延在している。言い換えると、各々のデータ線Ｔ２は、分断された複数の分割線を有している。ここでは、各々のデータ線Ｔ２は、隣り合う２本のゲート線Ｇの間の区間毎に分断して形成されている。連続している場合のデータ線Ｔ２に蓄積する電荷の量より、データ線Ｔ２の各分割線に蓄積する電荷の量を少なくできるため、本実施形態において、光電変換基板２の静電破壊の抑制に寄与することができる。

　光電変換基板２は、第１補正領域ＣＡ１、第９非有効領域ＵＡ９、及び第１０非有効領域ＵＡ１０に位置した複数のデータ線Ｔ４をさらに備えている。各々のデータ線Ｔ４は、第１補正領域ＣＡ１、第９非有効領域ＵＡ９、及び第１０非有効領域ＵＡ１０にて連続的に延在している。

　図９及び図１１に示すように、光電変換基板２は、第２非有効領域ＵＡ２、第７非有効領域ＵＡ７、及び第８非有効領域ＵＡ８に位置したデータ線Ｔ３をさらに備えている。本実施形態において、光電変換基板２は、第２非有効領域ＵＡ２、第７非有効領域ＵＡ７、及び第８非有効領域ＵＡ８に、２本のデータ線Ｔ３を備えているが、１本のデータ線Ｔ３を備えてもよく、３本以上のデータ線Ｔ３を備えてもよい。

　各々のデータ線Ｔ３は、第２非有効領域ＵＡ２、第７非有効領域ＵＡ７、及び第８非有効領域ＵＡ８にて断続的に延在している。言い換えると、各々のデータ線Ｔ３は、分断された複数の分割線を有している。ここでは、各々のデータ線Ｔ３は、隣り合う２本のゲート線Ｇの間の区間毎に分断して形成されている。連続している場合のデータ線Ｔ３に蓄積する電荷の量より、データ線Ｔ３の各分割線に蓄積する電荷の量を少なくできるため、本実施形態において、光電変換基板２の静電破壊の抑制に寄与することができる。

　光電変換基板２は、第２補正領域ＣＡ２、第１１非有効領域ＵＡ１１、及び第１２非有効領域ＵＡ１２に位置した複数のデータ線Ｔ５をさらに備えている。各々のデータ線Ｔ５は、第２補正領域ＣＡ２、第１１非有効領域ＵＡ１１、及び第１２非有効領域ＵＡ１２にて連続的に延在している。データ線Ｔ１、データ線Ｔ２、データ線Ｔ３、データ線Ｔ４、及びデータ線Ｔ５は、同一材料で同時に形成され、同一層（絶縁層２２と絶縁層２３との間）に位置している。

　図８乃至図１１に示すように、複数のＴＦＴ１３ａは、有効領域ＤＡに位置している。各々のＴＦＴ１３ａは、複数のゲート線Ｇ１のうち一の対応のゲート線Ｇ１と、複数のデータ線Ｔ１のうち一の対応のデータ線Ｔ１と、に電気的に接続されている。

　光電変換基板２は、複数のダミースイッチング素子としての複数の薄膜トランジスタ１３ｂと、複数の補正スイッチング素子としての複数の薄膜トランジスタ１３ｃと、を有している。薄膜トランジスタ１３ｃは第２薄膜トランジスタとして機能し、薄膜トランジスタ１３ｂは第３薄膜トランジスタとして機能している。以下、薄膜トランジスタ１３ｂをＴＦＴ１３ｂと言い、薄膜トランジスタ１３ｃをＴＦＴ１３ｃと言う。複数のＴＦＴ１３ｂ及び複数のＴＦＴ１３ｃは、基材２ａの上方に設けられている。
　複数のＴＦＴ１３ｂは、非有効領域ＵＡに位置している。各々のＴＦＴ１３ｂは、対応する１本のゲート線Ｇと対応する１本のデータ線Ｔとの交差部近傍に設けられているが、ゲート線Ｇ及びデータ線Ｔに電気的に接続されていない。

　複数のＴＦＴ１３ｃは、補正領域ＣＡに位置している。各々のＴＦＴ１３ｃは、複数のゲート線Ｇのうち一の対応のゲート線Ｇと、複数のデータ線Ｔのうち一の対応のデータ線Ｔとに電気的に接続されている。複数のＴＦＴ１３ｃは、複数の第１補正スイッチング素子としての複数のＴＦＴ１３ｃ１と、複数の第２補正スイッチング素子としての複数のＴＦＴ１３ｃ２と、を有している。
　ＴＦＴ１３ａ、ＴＦＴ１３ｂ、ＴＦＴ１３ｃ１、及びＴＦＴ１３ｃ２は、例えば同一材料で同時に形成されている。

　複数のＴＦＴ１３ｃ１は、第１補正領域ＣＡ１に位置している。各々のＴＦＴ１３ｃ１は、一の対応のゲート線Ｇ１と、一の対応のデータ線Ｔ４とに電気的に接続されている。複数のＴＦＴ１３ｃ２は、第２補正領域ＣＡ２に位置している。各々のＴＦＴ１３ｃ２は、一の対応のゲート線Ｇ１と、一の対応のデータ線Ｔ５とに電気的に接続されている。

　光電変換基板２は、複数のバイアス線ＢＬ１、複数のバイアス線ＢＬ２、複数のバイアス線ＢＬ３、複数のバイアス線ＢＬ４、及び複数のバイアス線ＢＬ５と、非有効領域ＵＡの外側に位置した周辺配線ＷＬと、を有している。複数のバイアス線ＢＬ１、複数のバイアス線ＢＬ２、複数のバイアス線ＢＬ３、複数のバイアス線ＢＬ４、及び複数のバイアス線ＢＬ５は、絶縁層２４と絶縁層２５との間に位置している（図３）。周辺配線ＷＬは、接地されている。

　複数のバイアス線ＢＬ１は、有効領域ＤＡ、第３非有効領域ＵＡ３、及び第４非有効領域ＵＡ４に位置し、列方向Ｙに延在し、周辺配線ＷＬに電気的に接続されている。複数のバイアス線ＢＬ２は、第１非有効領域ＵＡ１、第５非有効領域ＵＡ５、及び第６非有効領域ＵＡ６に位置し、列方向Ｙに延在し、周辺配線ＷＬに電気的に接続されていない。複数のバイアス線ＢＬ３は、第２非有効領域ＵＡ２、第７非有効領域ＵＡ７、及び第８非有効領域ＵＡ８に位置し、列方向Ｙに延在し、周辺配線ＷＬに電気的に接続されていない。複数のバイアス線ＢＬ４は、第１補正領域ＣＡ１、第９非有効領域ＵＡ９、及び第１０非有効領域ＵＡ１０に位置し、列方向Ｙに延在し、周辺配線ＷＬに電気的に接続されている。複数のバイアス線ＢＬ５は、第２補正領域ＣＡ２、第１１非有効領域ＵＡ１１、及び第１２非有効領域ＵＡ１２に位置し、列方向Ｙに延在し、周辺配線ＷＬに電気的に接続されている。
　なお、本実施形態において、ＴＦＴ１３ｃ１はバイアス線ＢＬ４に電気的に接続され、ＴＦＴ１３ｃ２はバイアス線ＢＬ５に電気的に接続されている。但し、ＴＦＴ１３ｃ１はバイアス線ＢＬ４に電気的に接続されていなくともよく、ＴＦＴ１３ｃ２はバイアス線ＢＬ５に電気的に接続されていなくともよい。

　本実施形態において、光電変換基板２は、第１非有効領域ＵＡ１、第５非有効領域ＵＡ５、及び第６非有効領域ＵＡ６に、２本のバイアス線ＢＬ２を備えているが、１本のバイアス線ＢＬ２を備えてもよく、３本以上のバイアス線ＢＬ２を備えてもよい。同様に、光電変換基板２は、第２非有効領域ＵＡ２、第７非有効領域ＵＡ７、及び第８非有効領域ＵＡ８に、２本のバイアス線ＢＬ３を備えているが、１本のバイアス線ＢＬ３を備えてもよく、３本以上のバイアス線ＢＬ３を備えてもよい。
　なお、バイアス線ＢＬ１，ＢＬ２，ＢＬ３，ＢＬ４，ＢＬ５は、列方向Ｙではなく、行方向Ｘに延在してもよい。

　複数のＴＦＤ１５ａは、有効領域ＤＡに位置している。各々のＴＦＤ１５ａは、複数のＴＦＴ１３ａのうち一の対応のＴＦＴ１３ａに電気的に接続されている。また、各々のＴＦＤ１５ａは、複数のバイアス線ＢＬ１のうち一の対応のバイアス線ＢＬ１に電気的に接続されている。詳しくは、各々のＴＦＤ１５ａにおいて、陽極は一の対応のバイアス線ＢＬ１に電気的に接続され、陰極は一の対応のＴＦＴ１３ａに電気的に接続されている。

　光電変換基板２は、複数の第２薄膜フォトダイオード１５ｂをさらに備えている。以下、第２薄膜フォトダイオード１５ｂをＴＦＤ１５ｂと言う。複数のＴＦＤ１５ｂは、非有効領域ＵＡに位置している。複数のＴＦＤ１５ｂは、基材２ａの上方に設けられている（図３）。

　各々のＴＦＤ１５ｂは、複数のＴＦＴ１３ｂのうち一の対応のＴＦＴ１３ｂに電気的に接続されている。また、各々のＴＦＤ１５ｂは、複数のバイアス線ＢＬに電気的に接続されていない。詳しくは、各々のＴＦＤ１５ｂにおいて、陽極はバイアス線ＢＬに電気的に接続されておらず、陰極は一の対応のＴＦＴ１３ｂに電気的に接続されている。

　複数のＴＦＴ１３ａ、複数のＴＦＴ１３ｃ１、及び複数のＴＦＴ１３ｃ２のうち行方向Ｘに並んだ複数のＴＦＴ１３ａ、複数のＴＦＴ１３ｃ１、及び複数のＴＦＴ１３ｃ２は、複数のゲート線Ｇのうち有効領域ＤＡ、第１補正領域ＣＡ１、及び第２補正領域ＣＡ２を延在する一の対応のゲート線Ｇ１に電気的に接続されている。

　複数のＴＦＴ１３ｃ１のうち列方向Ｙに並んだ複数のＴＦＴ１３ｃ１は、複数のデータ線Ｔのうち第１補正領域ＣＡ１、第９非有効領域ＵＡ９、及び第１０非有効領域ＵＡ１０を延在する一の対応のデータ線Ｔ４に電気的に接続されている。
　複数のＴＦＴ１３ｃ２のうち列方向Ｙに並んだ複数のＴＦＴ１３ｃ２は、複数のデータ線Ｔのうち第２補正領域ＣＡ２、第１１非有効領域ＵＡ１１、及び第１２非有効領域ＵＡ１２を延在する一の対応のデータ線Ｔ５に電気的に接続されている。

　光電変換基板２の複数の画素Ｐのうち、互いに電気的に接続されたＴＦＴ１３ａとＴＦＤ１５ａとを含む画素を有効画素Ｐｖとし、互いに電気的に接続されたＴＦＴ１３ｂとＴＦＤ１５ｂとを含む画素を非有効画素Ｐｕとし、ＴＦＴ１３ｃ１を含む画素を第１補正画素Ｐｃ１とし、ＴＦＴ１３ｃ２を含む画素を第２補正画素Ｐｃ２とする。複数の画素Ｐは、行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に並べられている。例えば、有効画素Ｐｖは、放射線（例えばＸ線）の検出に有効な画素である。

　非有効画素Ｐｕ（ＴＦＴ１３ｂ）は、ゲート線Ｇ１に電気的に接続されていない。そのため、最も右側の第１補正画素Ｐｃ１（ＴＦＴ１３ｃ１）は、最も左側の有効画素Ｐｖ（ＴＦＴ１３ａ）と電気的に連続している。同様に、最も左側の第２補正画素Ｐｃ２（ＴＦＴ１３ｃ２）は、最も右側の有効画素Ｐｖ（ＴＦＴ１３ａ）と電気的に連続している。

　第３非有効領域ＵＡ３、第５非有効領域ＵＡ５、及び第７非有効領域ＵＡ７において、複数の非有効画素Ｐｕは、２行にわたって並べられている。上記幅Ｗｕｐは、最も上側のゲート線Ｇ１から最も上側のゲート線Ｇ２までの列方向Ｙの長さに相当している。
　但し、第３非有効領域ＵＡ３、第５非有効領域ＵＡ５、及び第７非有効領域ＵＡ７において、複数の非有効画素Ｐｕは、１行分のみ並べられてもよく、３行以上にわたって並べられてもよい。複数の非有効画素Ｐｕが１行分のみ並べられる場合、上記幅Ｗｕｐは、例えば１５０μｍである。

　第４非有効領域ＵＡ４、第６非有効領域ＵＡ６、及び第８非有効領域ＵＡ８において、複数の非有効画素Ｐｕは、２行にわたって並べられている。
　但し、第４非有効領域ＵＡ４、第６非有効領域ＵＡ６、及び第８非有効領域ＵＡ８において、複数の非有効画素Ｐｕは、１行分のみ並べられてもよく、３行以上にわたって並べられてもよい。

　第１非有効領域ＵＡ１、第５非有効領域ＵＡ５、及び第６非有効領域ＵＡ６において、複数の非有効画素Ｐｕは、２列にわたって並べられている。上記幅Ｗｌｆは、最も左側のデータ線Ｔ１から最も左側のデータ線Ｔ２までの行方向Ｘの長さに相当している。
　但し、第１非有効領域ＵＡ１、第５非有効領域ＵＡ５、及び第６非有効領域ＵＡ６において、複数の非有効画素Ｐｕは、１列分のみ並べられてもよく、３列以上にわたって並べられてもよい。複数の非有効画素Ｐｕが１列分のみ並べられる場合、上記幅Ｗｌｆは、例えば１５０μｍである。

　第２非有効領域ＵＡ２、第７非有効領域ＵＡ７、及び第８非有効領域ＵＡ８において、複数の非有効画素Ｐｕは、２列にわたって並べられている。上記幅Ｗｒｉは、最も左側のデータ線Ｔ３から最も左側のデータ線Ｔ５までの行方向Ｘの長さに相当している。
　但し、第２非有効領域ＵＡ２、第７非有効領域ＵＡ７、及び第８非有効領域ＵＡ８において、複数の非有効画素Ｐｕは、１列分のみ並べられてもよく、３列以上にわたって並べられてもよい。

　駆動回路としての読み出し回路１１ａは、複数のゲート線Ｇのうち少なくとも有効領域ＤＡに位置した複数のゲート線Ｇ１に電気的に接続され、複数のゲート線Ｇ１に制御信号Ｓ１を順に与える。読み出し回路１１ａは、複数のゲート線Ｇのうち、第３非有効領域ＵＡ３、第５非有効領域ＵＡ５、第７非有効領域ＵＡ７、第９非有効領域ＵＡ９、及び第１１非有効領域ＵＡ１１に位置した複数のゲート線Ｇ２と、第４非有効領域ＵＡ４、第６非有効領域ＵＡ６、第８非有効領域ＵＡ８、第１０非有効領域ＵＡ１０、及び第１２非有効領域ＵＡ１２に位置した複数のゲート線Ｇ３と、に電気的に接続されていない。

　但し、読み出し回路１１ａは、複数のゲート線Ｇ２と、複数のゲート線Ｇ３と、に電気的に接続されてもよい。
　複数のＴＦＴ１３ｃ１及び複数のＴＦＴ１３ｃ２は、複数のゲート線Ｇ１に与えられる制御信号Ｓ１を補正することができる。制御信号Ｓ１を補正することで、ひいては画像データ信号Ｓ２を補正することができる。

　検出回路としての信号検出回路１１ｂは、複数のデータ線Ｔのうち少なくとも有効領域ＤＡに位置した複数のデータ線Ｔ１に電気的に接続され、各々のＴＦＤ１５ａで変換された電荷に基づいた画像データ信号Ｓ２を受け取ることができる。

　信号検出回路１１ｂは、複数のデータ線Ｔのうち補正領域ＣＡに位置した複数のデータ線Ｔにさらに電気的に接続されている。詳しくは、信号検出回路１１ｂは、第１補正領域ＣＡ１等に位置した複数のデータ線Ｔ４と、第２補正領域ＣＡ２等に位置した複数のデータ線Ｔ５と、にさらに電気的に接続されている。

　信号検出回路１１ｂは、複数のデータ線Ｔのうち、第１非有効領域ＵＡ１、第５非有効領域ＵＡ５、及び第６非有効領域ＵＡ６に位置した複数のデータ線Ｔ２と、第２非有効領域ＵＡ２、第７非有効領域ＵＡ７、及び第８非有効領域ＵＡ８に位置した複数のデータ線Ｔ３と、に電気的に接続されていない。
　但し、信号検出回路１１ｂは、複数のデータ線Ｔ２と、複数のデータ線Ｔ３と、に電気的に接続されてもよい。
　第１の実施形態に係るＸ線検出器１は、上記のように構成されている。

　次に、本第１の実施形態に係る光電変換基板２の製造方法について説明する。図１２は、本第１の実施形態に係る光電変換基板２の製造方法を説明するための図であり、基材２ａ、下地層ＬＢ、複数の導電層ＣＬ、積層体ＬＡ、及び複数のレジストマスクＭを示す断面図である。図１３は、図１２に続く、上記製造方法を説明するための図であり、基材２ａ、下地層ＬＢ、複数の導電層ＣＬ、及び複数のＴＦＤ１５ａ，１５ｂを示す断面図である。

　図１２に示すように、光電変換基板２の製造が開始されると、まず、基材２ａの上に下地層ＬＢを形成する。下地層ＬＢは、絶縁層２１から絶縁層２３までの積層構造を含んでいる（図３）。次いで、下地層ＬＢの上に複数の導電層ＣＬを形成する。次いで、下地層ＬＢ及び複数の導電層ＣＬの上に、積層体ＬＡを形成する。本実施形態において、積層体ＬＡは、３層の積層構造を有している。但し、積層体ＬＡは、４層以上の積層構造を有してもよく、ＴＦＤ１５ａ，１５ｂのタイプに対応していればよい。

　その後、積層体ＬＡの上にレジスト層を成膜し、レジスト層にパターニングを施す。これにより、積層体ＬＡの上に複数のレジストマスクＭが形成される。各々のレジストマスクＭは、導電層ＣＬに重ねられ、ＴＦＤ１５ａ又はＴＦＤ１５ｂを形成したい領域に位置している。

　続いて、ドライエッチングにより、積層体ＬＡをエッチングする。これにより、積層体ＬＡのうちレジストマスクＭに重なった領域を残すことができる。その後、レジストマスクＭを除去する。

　図１３に示すように、これにより、複数の導電層ＣＬの上に複数のＴＦＤ１５ａ，１５ｂが形成される。複数のＴＦＤ１５ａは、有効領域ＤＡの全体にて良好に（均一に）形成される。このため、複数のＴＦＤ１５ａは、シンチレータ層５から入射される光を均一の条件で検出し、電荷に変換することができる。

　なお、ドライエッチングの際、複数のＴＦＤ１５ａ，１５ｂを形成する領域のうち外周側の領域にてエッチングを良好に行うことができない場合がある。例えば、第１非有効領域ＵＡ１の外周側にて、積層体ＬＡにエッチングガスが当たり難く、積層体ＬＡのエッチングが不十分となり、第１補正領域ＣＡ１側のＴＦＤ１５ｂが不所望に大きく形成される。第１補正領域ＣＡ１側のＴＦＤ１５ｂが大きくなりすぎて、第１補正領域ＣＡ１側のＴＦＤ１５ｂが有効領域ＤＡ側のＴＦＤ１５ｂと連続的に形成される場合もある。複数のＴＦＤ１５ｂは、シンチレータ層５から入射される光を均一の条件で検出し、電荷に変換することは困難である。

　なお、非有効領域ＵＡのＴＦＤ１５ｂを良好にエッチングしようとすると、有効領域ＤＡの中央のＴＦＤ１５ａが過剰にエッチングされる事態を招いてしまう。

　但し、ＴＦＤ１５ｂは、非有効領域ＵＡに配置されるダミーの薄膜フォトダイオードであり、ゲート線Ｇ、データ線Ｔ、及びバイアス線ＢＬに電気的に接続されていない。すなわち、ＴＦＤ１５ｂで検出した光に基づいて非有効画素Ｐｕが画像データ信号Ｓ２を出力することはない。また、ＴＦＤ１５ｂで生成した電荷が、有効画素Ｐｖが出力する画像データ信号Ｓ２に悪影響を及ぼすことは無い。

　複数のＴＦＤ１５ａ，１５ｂを形成した後、絶縁層２４、バイアス線ＢＬ、絶縁層２５等を順に形成する。これにより、光電変換基板２が完成し、光電変換基板２の製造が終了する。

　上記のように構成された第１の実施形態に係るＸ線検出器１及び光電変換基板２の製造方法によれば、光電変換基板２は、基材２ａと、複数のゲート線Ｇと、複数のデータ線Ｔと、複数のＴＦＴ１３ａと、複数のＴＦＤ１５ａと、複数のＴＦＤ１５ｂと、複数のＴＦＴ１３ｃと、を備えている。各々のＴＦＴ１３ａは、一の対応のゲート線Ｇ１と、一の対応のデータ線Ｔ１と、に電気的に接続されている。各々のＴＦＤ１５ａは、一の対応のＴＦＴ１３ａに電気的に接続されている。複数のＴＦＤ１５ｂは、非検出領域（第１非検出領域ＮＤＡ１）のうち有効領域ＤＡに隣接した非有効領域ＵＡに位置している。各々のＴＦＴ１３ｃは、一の対応のゲート線Ｇ１と、一の対応のデータ線Ｔ４又は一の対応のデータ線Ｔ５と、に電気的に接続されている。

　有効領域ＤＡの周囲に複数のＴＦＤ１５ｂを形成することで、有効領域ＤＡの全体にて複数のＴＦＤ１５ａを良好に形成することができる。複数のＴＦＤ１５ａの光電変換効率の均一化を図ることのできる光電変換基板２、Ｘ線検出パネルＰＮＬ、及びＸ線検出モジュール１０を得ることができる。
　複数のＴＦＴ１３ｃは、画像データ信号Ｓ２を補正する機能を有している。ＴＦＴ１３ｃはリアルタイムで信号を補正することができ、有効画素Ｐｖで検出した信号のノイズを除去又は低減することができる。光電変換基板２の内部にて、ノイズが除去又は低減された画像データ信号Ｓ２を得ることができる。光電変換基板２の外部にて画像データ信号Ｓ２を補正する処理を不要にできる。そのため、静止画撮影だけでなく、動画撮影にも良好に対応することのできる光電変換基板２を得ることができる。

　（第１の実施形態の変形例）
　次に、上記第１の実施形態の変形例に係るＸ線検出器１の構成について説明する。Ｘ線検出器１は、本変形例で説明する構成以外、上記第１の実施形態と同様に構成されている。図１４は、本変形例に係るＸ線検出パネルＰＮＬの光電変換基板２を示す平面図であり、複数の領域の位置関係を説明するための図である。

　図１４に示すように、光電変換基板２は、第１非検出領域ＮＤＡ１にて、第２補正領域ＣＡ２、第１１非有効領域ＵＡ１１、及び第１２非有効領域ＵＡ１２無しに形成されてもよい。言い換えると、光電変換基板２のうち、第２非有効領域ＵＡ２、第７非有効領域ＵＡ７、及び第８非有効領域ＵＡ８より外側に、非有効画素Ｐｕ（ＴＦＴ１３ｂ及びＴＦＤ１５ｂ）と第２補正画素Ｐｃ２（ＴＦＴ１３ｃ２）とが形成されていなくともよい。
　本変形例においても、上記第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。

　（第２の実施形態）
　次に、第２の実施形態に係るＸ線検出器１の構成について説明する。Ｘ線検出器１は、本第２の実施形態で説明する構成以外、上記第１の実施形態と同様に構成されている。図１５は、本第２の実施形態に係るＸ線検出パネルＰＮＬの光電変換基板２を示す平面図であり、複数の領域の位置関係を説明するための図である。図１５において、非有効領域ＵＡにはドットパターンを付し、補正領域ＣＡには右上がりの斜線を付している。

　図１５に示すように、非検出領域（第１非検出領域ＮＤＡ１）は、第９非有効領域ＵＡ９、第１０非有効領域ＵＡ１０、第１１非有効領域ＵＡ１１、第１２非有効領域ＵＡ１２、第１補正領域ＣＡ１、及び第２補正領域ＣＡ２を有していない。非検出領域（第１非検出領域ＮＤＡ１）は、第１３非有効領域ＵＡ１３、第１４非有効領域ＵＡ１４、第１５非有効領域ＵＡ１５、第１６非有効領域ＵＡ１６、第３補正領域ＣＡ３、及び第４補正領域ＣＡ４をさらに有している。

　補正領域ＣＡは、第３補正領域ＣＡ３及び第４補正領域ＣＡ４を有している。第３補正領域ＣＡ３は、行方向Ｘに延在し、列方向Ｙに第３非有効領域ＵＡ３に隣接し、有効領域ＤＡとともに第３非有効領域ＵＡ３を列方向Ｙに挟んでいる。第４補正領域ＣＡ４は、行方向Ｘに延在し、列方向Ｙに第４非有効領域ＵＡ４に隣接し、有効領域ＤＡとともに第４非有効領域ＵＡ４を列方向Ｙに挟んでいる。

　非有効領域ＵＡは、第１３非有効領域ＵＡ１３、第１４非有効領域ＵＡ１４、第１５非有効領域ＵＡ１５、第１６非有効領域ＵＡ１６をさらに有している。
　第１３非有効領域ＵＡ１３は、列方向Ｙに第５非有効領域ＵＡ５に隣接し、第１非有効領域ＵＡ１とともに第５非有効領域ＵＡ５を列方向Ｙに挟んでいる。第１４非有効領域ＵＡ１４は、列方向Ｙに第７非有効領域ＵＡ７に隣接し、第２非有効領域ＵＡ２とともに第７非有効領域ＵＡ７を列方向Ｙに挟んでいる。

　第１５非有効領域ＵＡ１５は、列方向Ｙに第６非有効領域ＵＡ６に隣接し、第１非有効領域ＵＡ１とともに第６非有効領域ＵＡ６を列方向Ｙに挟んでいる。第１６非有効領域ＵＡ１６は、列方向Ｙに第８非有効領域ＵＡ８に隣接し、第２非有効領域ＵＡ２とともに第８非有効領域ＵＡ８を列方向Ｙに挟んでいる。
　なお、第３補正領域ＣＡ３は、第１３非有効領域ＵＡ１３及び第１４非有効領域ＵＡ１４にさらに隣接し、行方向Ｘに第１３非有効領域ＵＡ１３と第１４非有効領域ＵＡ１４とで挟まれている。第４補正領域ＣＡ４は、第１５非有効領域ＵＡ１５及び第１６非有効領域ＵＡ１６にさらに隣接し、行方向Ｘに第１５非有効領域ＵＡ１５と第１６非有効領域ＵＡ１６とで挟まれている。

　図１６及び図１７は、本第２の実施形態に係るＸ線検出器１の光電変換基板２及び回路基板１１を示す回路図である。図１６は、有効領域ＤＡ、第１非有効領域ＵＡ１、第３非有効領域ＵＡ３、第５非有効領域ＵＡ５、第１３非有効領域ＵＡ１３、第３補正領域ＣＡ３等を示す図である。図１７は、有効領域ＤＡ、第１非有効領域ＵＡ１、第４非有効領域ＵＡ４、第６非有効領域ＵＡ６、第１５非有効領域ＵＡ１５、第４補正領域ＣＡ４等を示す図である。

　図１５乃至図１７に示すように、光電変換基板２は、第１３非有効領域ＵＡ１３、第１４非有効領域ＵＡ１４、及び第３補正領域ＣＡ３に位置した複数のゲート線Ｇ４をさらに備えている。ゲート線Ｇ４は、連続的に延在し、読み出し回路１１ａに電気的に接続されている。光電変換基板２は、第１５非有効領域ＵＡ１５、第１６非有効領域ＵＡ１６、及び第４補正領域ＣＡ４に位置した複数のゲート線Ｇ５をさらに備えている。ゲート線Ｇ５は、連続的に延在し、読み出し回路１１ａに電気的に接続されている。

　複数のＴＦＴ１３ｃは、複数の第３補正スイッチング素子としての複数のＴＦＴ１３ｃ３と、複数の第４補正スイッチング素子としての複数のＴＦＴ１３ｃ４と、を有している。複数のＴＦＴ１３ｃ３は、第３補正領域ＣＡ３に位置している。各々のＴＦＴ１３ｃ３は、一の対応のゲート線Ｇ４と、一の対応のデータ線Ｔ１とに電気的に接続されている。複数のＴＦＴ１３ｃ４は、第４補正領域ＣＡ４に位置している。各々のＴＦＴ１３ｃ４は、一の対応のゲート線Ｇ５と、一の対応のデータ線Ｔ１とに電気的に接続されている。また、ＴＦＴ１３ｃ３及びＴＦＴ１３ｃ４は、バイアス線ＢＬ１に電気的に接続されている。但し、本第２の実施形態と異なり、ＴＦＴ１３ｃ３及びＴＦＴ１３ｃ４は、バイアス線ＢＬ１に電気的に接続されていなくともよい。

　光電変換基板２の複数の画素Ｐのうち、ＴＦＴ１３ｃ３を含む画素を第３補正画素Ｐｃ３とし、ＴＦＴ１３ｃ４を含む画素を第４補正画素Ｐｃ４とする。
　非有効画素Ｐｕ（ＴＦＴ１３ｂ）は、データ線Ｔ１に電気的に接続されていない。そのため、最も下側の第３補正画素Ｐｃ３（ＴＦＴ１３ｃ３）は、最も上側の有効画素Ｐｖ（ＴＦＴ１３ａ）と電気的に連続している。同様に、最も上側の第４補正画素Ｐｃ４（ＴＦＴ１３ｃ４）は、最も下側の有効画素Ｐｖ（ＴＦＴ１３ａ）と電気的に連続している。

　複数のＴＦＴ１３ｃ３及び複数のＴＦＴ１３ｃ４は、複数のデータ線Ｔに出力される画像データ信号Ｓ２を補正することができる。
　上記のように構成された第２の実施形態に係るＸ線検出器１においても、上記第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。

　（第２の実施形態の変形例）
　次に、上記第２の実施形態の変形例に係るＸ線検出器１の構成について説明する。Ｘ線検出器１は、本変形例で説明する構成以外、上記第２の実施形態と同様に構成されている。図１８は、本変形例に係るＸ線検出パネルＰＮＬの光電変換基板２を示す平面図であり、複数の領域の位置関係を説明するための図である。

　図１８に示すように、光電変換基板２は、第１非検出領域ＮＤＡ１にて、第３補正領域ＣＡ３、第１３非有効領域ＵＡ１３、及び第１４非有効領域ＵＡ１４無しに形成されてもよい。言い換えると、光電変換基板２のうち、第３非有効領域ＵＡ３、第５非有効領域ＵＡ５、及び第７非有効領域ＵＡ７より外側に、非有効画素Ｐｕ（ＴＦＴ１３ｂ及びＴＦＤ１５ｂ）と第３補正画素Ｐｃ３（ＴＦＴ１３ｃ３）とが形成されていなくともよい。
　本変形例においても、上記第２の実施形態と同様の効果を得ることができる。

　（第３の実施形態）
　次に、第３の実施形態に係るＸ線検出器１の構成について説明する。Ｘ線検出器１は、本第３の実施形態で説明する構成以外、上記第１の実施形態及び上記第２の実施形態と同様に構成されている。図１９は、本第３の実施形態に係るＸ線検出パネルＰＮＬの光電変換基板２を示す平面図であり、複数の領域の位置関係を説明するための図である。図１９において、非有効領域ＵＡにはドットパターンを付し、補正領域ＣＡには右上がりの斜線を付している。

　図１９に示すように、非検出領域（第１非検出領域ＮＤＡ１）は、第１非有効領域ＵＡ１乃至第１６非有効領域ＵＡ１６と、第１補正領域ＣＡ１乃至第４補正領域ＣＡ４と、を備えてもよい。第１補正領域ＣＡ１及び第２補正領域ＣＡ２にて、複数のＴＦＴ１３ｃ１及び複数のＴＦＴ１３ｃ２は、複数のゲート線Ｇ１に与えられる制御信号Ｓ１を補正することができる。第３補正領域ＣＡ３及び第４補正領域ＣＡ４にて、複数のＴＦＴ１３ｃ３及び複数のＴＦＴ１３ｃ４は、複数のデータ線Ｔに出力される画像データ信号Ｓ２を補正することができる。

　上記のように構成された第３の実施形態に係るＸ線検出器１においても、上記第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。

　（第３の実施形態の変形例）
　次に、上記第３の実施形態の変形例に係るＸ線検出器１の構成について説明する。Ｘ線検出器１は、本変形例で説明する構成以外、上記第３の実施形態と同様に構成されている。図２０は、本変形例に係るＸ線検出パネルＰＮＬの光電変換基板２を示す平面図であり、複数の領域の位置関係を説明するための図である。

　図２０に示すように、光電変換基板２は、第１非検出領域ＮＤＡ１にて、第２補正領域ＣＡ２、第１１非有効領域ＵＡ１１、第１２非有効領域ＵＡ１２、第３補正領域ＣＡ３、第１３非有効領域ＵＡ１３、及び第１４非有効領域ＵＡ１４無しに形成されてもよい。言い換えると、光電変換基板２のうち、第５非有効領域ＵＡ５、第７非有効領域ＵＡ７、第８非有効領域ＵＡ８、第９非有効領域ＵＡ９、及び第１６非有効領域ＵＡ１６より外側に、非有効画素Ｐｕ（ＴＦＴ１３ｂ及びＴＦＤ１５ｂ）と第２補正画素Ｐｃ２（ＴＦＴ１３ｃ２）と第３補正画素Ｐｃ３（ＴＦＴ１３ｃ３）とが形成されていなくともよい。
　本変形例においても、上記第３の実施形態と同様の効果を得ることができる。

　本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

　例えば、上述した技術は、上記Ｘ線検出パネルＰＮＬ、上記Ｘ線検出モジュール１０、及び上記Ｘ線検出器１への適用に限定されるものではなく、他のＸ線検出パネル等の各種の放射線検出パネル、他のＸ線検出モジュール等の各種の放射線検出モジュール、及び他のＸ線検出器等の各種の放射線検出器に適用することができる。放射線検出器は、Ｘ線検出パネルＰＮＬの替わりに、放射線を検出する放射線検出パネルを備えていればよい。

Claims

　放射線の検出に有効な有効領域と前記有効領域を囲む枠状の非有効領域と前記非有効領域の外側の補正領域とに位置した基材と、
　前記基材の上方に設けられ第１方向に延在した複数のゲート線と、
　前記基材の上方に設けられ前記複数のゲート線と交差し第２方向に延在した複数のデータ線と、
　前記基材の上方に設けられ前記有効領域に位置した複数の第１薄膜トランジスタであって、各々の前記第１薄膜トランジスタは前記複数のゲート線のうち一の対応のゲート線と前記複数のデータ線のうち一の対応のデータ線とに電気的に接続されている、前記複数の第１薄膜トランジスタと、
　前記基材の上方に設けられ前記有効領域に位置した複数の第１薄膜フォトダイオードであって、各々の前記第１薄膜フォトダイオードは前記複数の第１薄膜トランジスタのうち一の対応の第１薄膜トランジスタに電気的に接続されている、前記複数の第１薄膜フォトダイオードと、
　前記基材の上方に設けられ前記非有効領域に位置した複数の第２薄膜フォトダイオードと、
　前記基材の上方に設けられ前記補正領域に位置した複数の第２薄膜トランジスタであって、各々の前記第２薄膜トランジスタは前記複数のゲート線のうち一の対応のゲート線と前記複数のデータ線のうち一の対応のデータ線とに電気的に接続されている、前記複数の第２薄膜トランジスタと、を備える、
光電変換基板。
　前記非有効領域は、
　　それぞれ前記第２方向に延在し前記有効領域に隣接し前記第１方向に前記有効領域を挟んだ第１非有効領域及び第２非有効領域と、
　　それぞれ前記第１方向に延在し前記有効領域に隣接し前記第２方向に前記有効領域を挟んだ第３非有効領域及び第４非有効領域と、を有する、
請求項１に記載の光電変換基板。
　前記複数のゲート線のうち前記第３非有効領域に位置したゲート線は、前記第３非有効領域にて断続的に延在し、
　前記複数のゲート線のうち前記第４非有効領域に位置したゲート線は、前記第４非有効領域にて断続的に延在し、
　前記複数のデータ線のうち前記第１非有効領域に位置したデータ線は、前記第１非有効領域にて断続的に延在し、
　前記複数のデータ線のうち前記第２非有効領域に位置したデータ線は、前記第２非有効領域にて断続的に延在している、
請求項２に記載の光電変換基板。
　光電変換基板と、
　シンチレータ層と、を備え、
　前記光電変換基板は、
　　放射線の検出に有効な有効領域と前記有効領域を囲む枠状の非有効領域と前記非有効領域の外側の補正領域とに位置した基材と、
　　前記基材の上方に設けられ第１方向に延在した複数のゲート線と、
　　前記基材の上方に設けられ前記複数のゲート線と交差し第２方向に延在した複数のデータ線と、
　　前記基材の上方に設けられ前記有効領域に位置した複数の第１薄膜トランジスタであって、各々の前記第１薄膜トランジスタは前記複数のゲート線のうち一の対応のゲート線と前記複数のデータ線のうち一の対応のデータ線とに電気的に接続されている、前記複数の第１薄膜トランジスタと、
　　前記基材の上方に設けられ前記有効領域に位置した複数の第１薄膜フォトダイオードであって、各々の前記第１薄膜フォトダイオードは前記複数の第１薄膜トランジスタのうち一の対応の第１薄膜トランジスタに電気的に接続されている、前記複数の第１薄膜フォトダイオードと、
　　前記基材の上方に設けられ前記非有効領域に位置した複数の第２薄膜フォトダイオードと、
　　前記基材の上方に設けられ前記補正領域に位置した複数の第２薄膜トランジスタであって、各々の前記第２薄膜トランジスタは前記複数のゲート線のうち一の対応のゲート線と前記複数のデータ線のうち一の対応のデータ線とに電気的に接続されている、前記複数の第２薄膜トランジスタと、を有し、
　前記シンチレータ層は、前記光電変換基板の上に設けられ前記有効領域に位置している、
放射線検出パネル。
　前記シンチレータ層の上に設けられ前記有効領域に位置した光反射層をさらに備える、
請求項４に記載の放射線検出パネル。
　前記光電変換基板、前記シンチレータ層、及び前記光反射層の上に設けられ、前記有効領域及び前記非有効領域に位置し、前記光電変換基板とともに前記シンチレータ層及び前記光反射層を密封した防湿カバーをさらに備える、
請求項５に記載の放射線検出パネル。
　光電変換基板と、
　駆動回路と、
　検出回路と、を備え、
　前記光電変換基板は、
　　放射線の検出に有効な有効領域と前記有効領域を囲む枠状の非有効領域と前記非有効領域の外側の補正領域とに位置した基材と、
　　前記基材の上方に設けられ第１方向に延在した複数のゲート線と、
　　前記基材の上方に設けられ前記複数のゲート線と交差し第２方向に延在した複数のデータ線と、
　　前記基材の上方に設けられ前記有効領域に位置した複数の第１薄膜トランジスタであって、各々の前記第１薄膜トランジスタは前記複数のゲート線のうち一の対応のゲート線と前記複数のデータ線のうち一の対応のデータ線とに電気的に接続されている、前記複数の第１薄膜トランジスタと、
　　前記基材の上方に設けられ前記有効領域に位置した複数の第１薄膜フォトダイオードであって、各々の前記第１薄膜フォトダイオードは前記複数の第１薄膜トランジスタのうち一の対応の第１薄膜トランジスタに電気的に接続されている、前記複数の第１薄膜フォトダイオードと、
　　前記基材の上方に設けられ前記非有効領域に位置した複数の第２薄膜フォトダイオードと、
　　前記基材の上方に設けられ前記補正領域に位置した複数の第２薄膜トランジスタであって、各々の前記第２薄膜トランジスタは前記複数のゲート線のうち一の対応のゲート線と前記複数のデータ線のうち一の対応のデータ線とに電気的に接続されている、前記複数の第２薄膜トランジスタと、を有し、
　前記駆動回路は、前記複数のゲート線のうち少なくとも前記有効領域に位置した複数のゲート線に電気的に接続され、前記有効領域に位置した前記複数のゲート線に制御信号を与え、
　前記検出回路は、前記複数のデータ線のうち少なくとも前記有効領域に位置した複数のデータ線に電気的に接続され、前記複数の第１薄膜フォトダイオードで変換された電荷に基づいた画像データ信号を受け取り、
　前記複数の第２薄膜トランジスタは、前記画像データ信号を補正する機能を有する、
放射線検出モジュール。