WO2024075679A1 - センシング端末およびセンシング方法 - Google Patents

センシング端末およびセンシング方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2024075679A1
WO2024075679A1 PCT/JP2023/035868 JP2023035868W WO2024075679A1 WO 2024075679 A1 WO2024075679 A1 WO 2024075679A1 JP 2023035868 W JP2023035868 W JP 2023035868W WO 2024075679 A1 WO2024075679 A1 WO 2024075679A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
control unit
sensing terminal
acceleration sensor
substrate
sensing
Prior art date
Application number
PCT/JP2023/035868
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
奎介 斎藤
宏章 加門
Original Assignee
株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス filed Critical 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス
Publication of WO2024075679A1 publication Critical patent/WO2024075679A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Definitions

  • the present invention relates to a sensing terminal and a sensing method.
  • Patent Document 1 describes a process condition measuring device (hereinafter, referred to as the measuring device) having a wafer shape.
  • the measuring device includes a substrate made of a silicon wafer or the like, a plurality of sensors arranged on the substrate, a microprocessor, a memory unit, a battery, and the like. The plurality of sensors make it possible to detect the environment inside the semiconductor manufacturing equipment. In addition, the measuring device operates using power stored in a battery.
  • the measuring device described in Patent Document 1 aims to reduce power consumption by increasing the set interval between data storage operations and compressing the data stored in the storage unit.
  • the present invention was made in consideration of the above problems, and its purpose is to provide a sensing terminal and sensing method that can reduce power consumption.
  • a sensing terminal includes a detection sensor, a control unit, a battery, and an acceleration sensor.
  • the detection sensor detects the environment inside the manufacturing device.
  • the control unit can transition between an active state in which a predetermined operation is performed based on the detection result of the detection sensor, and a sleep state in which power consumption is lower than that of the active state.
  • the battery supplies power to the control unit.
  • the acceleration sensor detects acceleration. The control unit transitions between the active state and the sleep state based on the detection result of the acceleration sensor.
  • control unit may transition between the active state and the sleep state based on at least one of a pattern of time-series data generated based on the detection results of the acceleration sensor and a position calculated based on the detection results of the acceleration sensor.
  • control unit may determine whether the sensing terminal is placed at a predetermined position based on at least one of the pattern and the position. When the control unit determines that the sensing terminal is placed at the predetermined position, the control unit may transition from the sleep state to the active state.
  • control unit may determine whether the sensing terminal has been moved from the predetermined position based on the detection result of the acceleration sensor. When the control unit determines that the sensing terminal has been moved from the predetermined position, the control unit may transition from the active state to the sleep state.
  • control unit may compare the detection result of the acceleration sensor with a predetermined threshold value.
  • the control unit may transition between the active state and the sleep state based on the result of the comparison.
  • control unit may determine whether the detection result of the acceleration sensor is equal to or greater than the predetermined threshold. When the detection result is equal to or greater than the predetermined threshold, the control unit may transition from the sleep state to the active state.
  • the manufacturing equipment may be a semiconductor manufacturing equipment that manufactures semiconductor devices.
  • a sensing method uses a sensing terminal that includes a detection sensor that detects the environment inside a manufacturing device, an acceleration sensor, a control unit, and a battery that supplies power to the control unit.
  • the control unit is capable of transitioning between an active state in which a predetermined operation is performed based on the detection result of the detection sensor, and a sleep state that consumes less power than the active state.
  • the sensing method includes a step in which the acceleration sensor detects acceleration, and a step in which the control unit transitions between the active state and the sleep state based on the detection result of the acceleration sensor.
  • the present invention provides a sensing terminal and a sensing method that can reduce power consumption.
  • FIG. 2 is a schematic plan view of a substrate processing apparatus sensed by a sensing terminal of the first embodiment;
  • FIG. 2 is a schematic diagram of a substrate processing unit in the substrate processing apparatus;
  • FIG. 2 is a block diagram illustrating a schematic configuration of a sensing terminal.
  • 10A and 10B are diagrams illustrating an example of a pattern of time-series data regarding acceleration generated based on the detection result of an acceleration sensor.
  • 10A and 10B are diagrams illustrating an example of a pattern of time-series data regarding speed generated based on the detection result of an acceleration sensor.
  • 5 is a flowchart showing an example of a substrate processing method using the substrate processing apparatus.
  • 11 is a flowchart showing an example of a sensing method performed by the sensing terminal.
  • FIG. 13 is a schematic diagram showing a state in which a sensing terminal according to a second embodiment is attached to a substrate holding part of a substrate processing apparatus.
  • FIG. 10 is a flowchart illustrating an example of a sensing method performed by the sensing terminal of the second embodiment.
  • the sensing terminal 500 is a device that senses the environment inside a manufacturing device.
  • the type of manufacturing device sensed by the sensing terminal 500 is not particularly limited, but in this embodiment, it is a semiconductor manufacturing device.
  • the semiconductor manufacturing device is a device for manufacturing semiconductor devices.
  • the semiconductor manufacturing device sensed by the sensing terminal 500 is a substrate processing device 100 that processes substrates. That is, the sensing terminal 500 senses the environment inside the substrate processing device 100.
  • the substrate processing device 100 is an example of the "manufacturing device" and "semiconductor manufacturing device” of the present invention.
  • the sensing terminal 500 may sense the environment inside a panel manufacturing device that manufactures panels other than the semiconductor manufacturing device, or the environment inside a printing machine that prints on a printing medium to manufacture printed matter.
  • Figure 1 is a schematic plan view of the substrate processing apparatus 100 sensed by the sensing terminal 500 of the first embodiment.
  • the substrate processing apparatus 100 processes the substrate W.
  • the substrate processing apparatus 100 processes the substrate W by performing at least one of the following on the substrate W: etching, surface treatment, imparting properties, forming a treatment film, removing at least a portion of a film, and cleaning.
  • the substrate W is used as a semiconductor substrate.
  • the substrate W includes a semiconductor wafer.
  • the substrate W is substantially disk-shaped.
  • the substrate processing apparatus 100 processes the substrates W one by one.
  • the substrate processing apparatus 100 includes a plurality of substrate processing units 10, a processing liquid cabinet 110, a processing liquid box 120, a plurality of load ports 130, an indexer robot 140, a center robot 150, and a control device 101.
  • the control device 101 controls the load ports 130, the indexer robot 140, and the center robot 150.
  • the control device 101 includes a control unit 102 and a memory unit 104.
  • Each of the load ports 130 accommodates a stack of multiple substrates W.
  • the indexer robot 140 transports the substrates W between the load ports 130 and the center robot 150.
  • the center robot 150 transports the substrates W between the indexer robot 140 and the substrate processing units 10.
  • Each of the substrate processing units 10 processes the substrates W by discharging a processing liquid onto the substrates W.
  • the processing liquid includes, for example, a chemical liquid, a cleaning liquid, a removal liquid, and/or a water repellent agent.
  • the processing liquid cabinet 110 accommodates the processing liquid.
  • the processing liquid cabinet 110 may also accommodate a gas.
  • the substrate processing units 10 form a plurality of towers 160 (four towers 160 in FIG. 1) arranged to surround the center robot 150 in a plan view.
  • Each tower 160 includes a plurality of substrate processing units 10 (three substrate processing units 10 in FIG. 1) stacked vertically.
  • Each processing liquid box 120 corresponds to a plurality of towers 160.
  • the liquid in the processing liquid cabinet 110 is supplied to all substrate processing units 10 included in the tower 160 corresponding to the processing liquid box 120 via one of the processing liquid boxes 120.
  • the gas in the processing liquid cabinet 110 is supplied to all substrate processing units 10 included in the tower 160 corresponding to the processing liquid box 120 via one of the processing liquid boxes 120.
  • a boundary wall 170 is disposed between the area in which the center robot 150 and the substrate processing units 10 are installed, and the area in which the processing liquid cabinet 110 is installed.
  • the processing liquid cabinet 110 defines a portion of the space in the area of the substrate processing apparatus 100 that is outside the boundary wall 170.
  • the processing liquid cabinet 110 has a preparation tank (tank) for preparing the processing liquid.
  • the processing liquid cabinet 110 may have a preparation tank for one type of processing liquid, or may have preparation tanks for multiple types of processing liquid.
  • the processing liquid cabinet 110 also has a pump, nozzle, and/or filter for circulating the processing liquid.
  • the processing liquid cabinet 110 has a first processing liquid cabinet 1101 and a second processing liquid cabinet 1102.
  • the first processing liquid cabinet 1101 and the second processing liquid cabinet 1102 are arranged opposite each other.
  • the control device 101 controls various operations of the substrate processing device 100.
  • the control device 101 includes a control unit 102 and a memory unit 104.
  • the control unit 102 has a processor.
  • the control unit 102 has, for example, a central processing unit (CPU).
  • the control unit 102 may have a general-purpose processor.
  • the memory unit 104 stores data and computer programs.
  • the data includes recipe data.
  • the recipe data includes information indicating a plurality of recipes. Each of the plurality of recipes specifies the processing content and processing procedure for the substrate W.
  • the storage unit 104 includes a main storage device and an auxiliary storage device.
  • the main storage device is, for example, a semiconductor memory.
  • the auxiliary storage device is, for example, a semiconductor memory and/or a hard disk drive.
  • the storage unit 104 may include removable media.
  • the control unit 102 executes a computer program stored in the storage unit 104 to perform substrate processing operations.
  • FIG. 2 is a schematic diagram of the substrate processing unit 10 in the substrate processing apparatus 100.
  • the substrate processing unit 10 includes a chamber 11, a substrate holding section 20, and a processing liquid supply section 30.
  • the chamber 11 is generally box-shaped with an internal space.
  • the chamber 11 accommodates the substrate W.
  • the substrate processing apparatus 100 is a sheet-type apparatus that processes the substrate W one by one
  • the chamber 11 accommodates the substrate W one by one.
  • the substrate W is accommodated in the chamber 11 and is processed in the chamber 11.
  • the chamber 11 accommodates at least a part of each of the substrate holder 20 and the processing liquid supply unit 30.
  • the substrate holding unit 20 holds the substrate W.
  • the substrate holding unit 20 holds the substrate W horizontally so that the top surface (front surface) Wa of the substrate W faces upward and the back surface (bottom surface) Wb of the substrate W faces vertically downward.
  • the substrate holding unit 20 also rotates the substrate W while holding it.
  • the top surface Wa of the substrate W has a layered structure with a recess formed therein.
  • the substrate holding unit 20 rotates the substrate W while holding it.
  • the substrate holding unit 20 may be of a clamping type that clamps the edge of the substrate W.
  • the substrate holding unit 20 may have any mechanism that holds the substrate W from the back surface Wb.
  • the substrate holding unit 20 may be of a vacuum type.
  • the substrate holding unit 20 holds the substrate W horizontally by adsorbing the central portion of the back surface Wb of the substrate W, which is the non-device formation surface, to its upper surface.
  • the substrate holding unit 20 may combine a clamping type that brings multiple chuck pins into contact with the peripheral edge surface of the substrate W, with a vacuum type.
  • the substrate holding unit 20 includes a spin base 21, a chuck member 22, a shaft 23, an electric motor 24, and a housing 25.
  • the chuck member 22 is provided on the spin base 21.
  • the chuck member 22 chucks the substrate W.
  • the spin base 21 is provided with a plurality of chuck members 22.
  • the shaft 23 is a hollow shaft.
  • the shaft 23 extends vertically along the rotation axis Ax.
  • the spin base 21 is connected to the upper end of the shaft 23.
  • the substrate W is placed above the spin base 21.
  • the spin base 21 is disk-shaped and supports the substrate W horizontally.
  • the shaft 23 extends downward from the center of the spin base 21.
  • the electric motor 24 provides rotational force to the shaft 23.
  • the electric motor 24 rotates the shaft 23 in the rotational direction, thereby rotating the substrate W and spin base 21 around the rotation axis Ax.
  • the housing 25 surrounds the shaft 23 and the electric motor 24.
  • the processing liquid supply unit 30 supplies processing liquid to the substrate W. Typically, the processing liquid supply unit 30 supplies processing liquid to the upper surface Wa of the substrate W. At least a portion of the processing liquid supply unit 30 is housed within the chamber 11.
  • the processing liquid supply unit 30 supplies a processing liquid to the upper surface Wa of the substrate W.
  • the processing liquid may include a so-called chemical liquid.
  • the chemical liquid includes, for example, hydrofluoric acid.
  • the hydrofluoric acid may be heated to 40°C or higher and 70°C or lower, or to 50°C or higher and 60°C or lower.
  • the hydrofluoric acid does not have to be heated.
  • the chemical liquid may also include water or phosphoric acid.
  • the chemical solution may contain hydrogen peroxide.
  • the chemical solution may also contain SC1 (ammonia hydrogen peroxide mixture), SC2 (hydrochloric acid hydrogen peroxide mixture), or aqua regia (a mixture of concentrated hydrochloric acid and concentrated nitric acid).
  • the processing liquid may include a so-called cleaning liquid (rinsing liquid).
  • the cleaning liquid may include deionized water (DIW), carbonated water, electrolytic ionized water, ozone water, ammonia water, hydrochloric acid water with a diluted concentration (e.g., about 10 ppm to 100 ppm), or reduced water (hydrogen water).
  • the processing liquid supply unit 30 includes a pipe 32, a nozzle 34, and a valve 36.
  • the nozzle 34 ejects processing liquid onto the upper surface Wa of the substrate W.
  • the nozzle 34 is connected to the pipe 32. Processing liquid is supplied to the pipe 32 from a supply source.
  • the valve 36 opens and closes the flow path within the pipe 32. It is preferable that the nozzle 34 is configured to be movable relative to the substrate W.
  • Valve 36 opens and closes the flow path in pipe 32.
  • Valve 36 adjusts the opening of pipe 32 to regulate the flow rate of the treatment liquid supplied to pipe 32.
  • valve 36 includes a valve body (not shown) with a valve seat provided therein, a valve element that opens and closes the valve seat, and an actuator (not shown) that moves the valve element between an open position and a closed position.
  • the nozzle 34 may be movable.
  • the nozzle 34 is configured to be movable.
  • the processing liquid supply unit 30 further includes a movement mechanism 38.
  • the movement mechanism 38 moves the nozzle 34.
  • the nozzle 34 can move in the horizontal direction and/or vertical direction according to the movement mechanism 38 controlled by the control unit 102.
  • the moving mechanism 38 includes an arm 381, a rotating shaft 382, and a driving mechanism 383.
  • the arm 381 extends in a substantially horizontal direction.
  • the nozzle 34 is fixed to one end of the arm 381.
  • the rotating shaft 382 is fixed to the other end of the arm 381.
  • the rotating shaft 382 extends in a substantially vertical direction.
  • the driving mechanism 383 rotates the rotating shaft 382 around the central axis of the rotating shaft 382. This causes the arm 381 and the nozzle 34 to rotate around the rotating shaft 382.
  • the driving mechanism 383 may move the rotating shaft 382 in a substantially vertical direction. In this case, the arm 381 and the nozzle 34 move in a substantially vertical direction.
  • the substrate processing unit 10 further includes a cup 80.
  • the cup 80 collects the processing liquid that has splashed from the substrate W.
  • the cup 80 rises and falls. For example, the cup 80 rises vertically upward to the side of the substrate W during the period during which the processing liquid supply unit 30 supplies processing liquid to the substrate W. In this case, the cup 80 collects the processing liquid that splashes from the substrate W due to the rotation of the substrate W. In addition, the cup 80 descends vertically downward from the side of the substrate W when the period during which the processing liquid supply unit 30 supplies processing liquid to the substrate W ends.
  • control device 101 includes the control unit 102 and the memory unit 104.
  • the control unit 102 controls the substrate holder 20, the processing liquid supply unit 30, and/or the cup 80.
  • the control unit 102 controls the electric motor 24, the valve 36, and/or the cup 80.
  • the substrate processing apparatus 100 of this embodiment is suitable for use in the manufacture of semiconductor devices having semiconductors. Typically, in semiconductor devices, a conductive layer and an insulating layer are stacked on a base material. The substrate processing apparatus 100 is suitable for use in cleaning and/or processing (e.g., etching, changing characteristics, etc.) the conductive layer and/or insulating layer during the manufacture of semiconductor devices.
  • cleaning and/or processing e.g., etching, changing characteristics, etc.
  • the processing liquid supply section 30 is capable of supplying one type of processing liquid.
  • the processing liquid supply section 30 may supply multiple types of processing liquid.
  • the processing liquid supply section 30 may be capable of sequentially supplying multiple types of processing liquid with different uses to the substrate W.
  • the processing liquid supply section 30 may be capable of simultaneously supplying multiple types of processing liquid with different uses to the substrate W.
  • FIG. 3 is a block diagram showing a schematic configuration of the sensing terminal 500.
  • the sensing terminal 500 includes a sensor unit 510, a control unit 520, a storage unit 530, a communication unit 540, and a battery 550.
  • the control unit 520 is an example of the "control unit" of the present invention.
  • the sensor unit 510 has a detection sensor 511 and an acceleration sensor 512.
  • the detection sensor 511 detects the environment inside the manufacturing device. In this embodiment, the detection sensor 511 detects the environment inside the substrate processing device 100.
  • the environment detected by the detection sensor 511 is not particularly limited, and may be, for example, temperature, air pressure, liquid pressure, flow rate of fluid such as gas or liquid, fluid components, voltage value, current value, etching rate, and thickness of a film on the substrate W.
  • the number of environments detected by the detection sensor 511 is not particularly limited, and the detection sensor 511 may detect one or more environments. In this embodiment, the detection sensor 511 detects one environment. Furthermore, the number of detection sensors 511 is not particularly limited, and may be one or more. In this embodiment, the number of detection sensors 511 is one.
  • the detection sensor 511 is a sensor other than an acceleration sensor.
  • the detection sensor 511 is a temperature sensor that detects temperature.
  • the type of the detection sensor 511 is not particularly limited, but in this embodiment, the detection sensor 511 includes, for example, a thermocouple or a thermistor.
  • the detection sensor 511 may be a contact type sensor or a non-contact type sensor.
  • the detection sensor 511 detects the environment inside the substrate processing apparatus 100 at regular intervals.
  • the detection sensor 511 transmits the detection result to the control unit 520. Specifically, the detection sensor 511 transmits a signal indicating the detection result to the control unit 520.
  • the acceleration sensor 512 detects acceleration.
  • the type of acceleration sensor 512 is not particularly limited, but for example, a capacitance type sensor or a piezo-resistance type sensor can be used.
  • the sensing terminal 500 is fixed to, for example, a movable member or device (hereinafter, sometimes referred to as a member, etc.) inside the manufacturing device.
  • the acceleration sensor 512 detects its own acceleration. In other words, the acceleration sensor 512 detects the acceleration of the detection sensor 511, the acceleration of the sensing terminal 500, and the acceleration of the member, etc. to which the sensing terminal 500 is fixed.
  • the acceleration sensor 512 detects the acceleration at regular intervals. The intervals of detection by the acceleration sensor 512 may be longer than the intervals of detection by the detection sensor 511.
  • the acceleration sensor 512 transmits the detection result to the control unit 520. Specifically, the acceleration sensor 512 transmits a signal indicating the detection result to the control unit 520. Note that, as described later, the control unit 520 can calculate at least one of the speed, the moving distance, and the position based on the acceleration, which is the detection result of the acceleration sensor 512.
  • the control unit 520 includes, for example, a microcomputer (also called a microcontroller).
  • the microcomputer has, for example, a microprocessor and a memory.
  • the control unit 520 performs various processes by executing programs stored in the memory.
  • the control unit 520 may be a processor such as a CPU (Central Processing Unit) or an MPU (Micro Processing Unit).
  • control unit 520 generates time series data of the detection values based on the detection results of the detection sensor 511. Specifically, the control unit 520 converts the signal from the detection sensor 511 into a detection value. The control unit 520 also uses the converted detection value to generate time series data of the detection value. The control unit 520 also compresses the generated time series data and stores it in the storage unit 530, for example.
  • the storage unit 530 stores data.
  • the storage unit 530 stores, for example, the detection results of the detection sensor 511.
  • the storage unit 530 stores, for example, time series data of the detection values of the detection sensor 511.
  • the storage unit 530 may further store, for example, the detection results of the acceleration sensor 512.
  • the storage unit 530 may further store, for example, time series data of the detection values of the acceleration sensor 512.
  • the control unit 520 may convert the signal from the acceleration sensor 512 into a detection value to generate time series data of the detection value, compress the generated time series data, and store it in the storage unit 530.
  • the storage unit 530 may further store various programs.
  • the storage unit 530 includes, for example, a main storage device and an auxiliary storage device.
  • the main storage device is, for example, a semiconductor memory.
  • the auxiliary storage device is, for example, a semiconductor memory and/or a hard disk drive.
  • the storage unit 104 may include removable media.
  • the communication unit 540 is a communication device.
  • the communication unit 540 transmits data to a device other than the sensing terminal 500 by wired or wireless communication.
  • the communication unit 540 includes, for example, an interface.
  • the communication unit 540 may also include an antenna.
  • the data stored in the memory unit 530 is transmitted to a device other than the sensing terminal 500 (hereinafter, sometimes referred to as a receiving device) via the communication unit 540.
  • the data stored in the memory unit 530 (for example, the detection results of the detection sensor 511 or time series data) is transmitted to the receiving device via the communication unit 540, for example, when the sensing terminal 500 is not performing sensing.
  • the battery 550 supplies power to the control unit 520.
  • the sensing terminal 500 performs sensing using the power stored in the battery 550.
  • the battery 550 is not particularly limited, but is, for example, a lithium-ion battery. Note that the battery 550 may be a battery other than a lithium-ion battery.
  • the battery 550 is charged by an external power source when the sensing terminal 500 is not performing sensing.
  • the battery 550 is charged by an external power source when the sensing terminal 500 is placed in a retracted position, which will be described later.
  • the battery 550 may also be charged by an external power source when removed from the sensing terminal 500.
  • the control unit 520 can transition between an active state and a sleep state.
  • the active state is a state in which the control unit 520 executes a predetermined operation based on the detection result of the detection sensor 511.
  • the predetermined operation includes, for example, converting a signal from the detection sensor 511 into a detection value.
  • the predetermined operation also includes, for example, generating time series data of the detection value based on the signal from the detection sensor 511.
  • the predetermined operation also includes, for example, compressing the time series data and storing it in the memory unit 530.
  • the sleep state is a state in which less power is consumed than in the active state.
  • the sleep state includes, for example, a state in which the control unit 520 does not convert a signal from the detection sensor 511 into a detection value.
  • the sleep state also includes, for example, a state in which the control unit 520 does not generate time series data of the detection value.
  • the sleep state also includes, for example, a state in which the control unit 520 does not compress the time series data or store it in the memory unit 530.
  • the sleep state may also include, for example, a state in which the control unit 520 does not supply power to the detection sensor 511 for detecting the environment.
  • the mounting position of the sensing terminal 500 is not particularly limited, but in this embodiment, as shown in FIG. 2, the sensing terminal 500 is mounted, for example, on the nozzle 34. Also, in this embodiment, the sensing terminal 500 detects the temperature of the processing liquid passing through the nozzle 34 or the temperature of the nozzle 34. The sensing terminal 500 detects the temperature of the processing liquid or the temperature of the nozzle 34 when the nozzle 34 is placed at a predetermined position (for example, above the substrate W).
  • the control unit 520 transitions between an active state and a sleep state based on the detection result of the acceleration sensor 512. Therefore, for example, the control unit 520 can execute a predetermined operation only when the sensing terminal 500 is in a predetermined position or only when the substrate processing apparatus 100 is performing a predetermined process. Therefore, the control unit 520 can be prevented from executing a predetermined operation when the sensing terminal 500 is not in a predetermined position or when the substrate processing apparatus 100 is not performing a predetermined process. As a result, the power consumption of the sensing terminal 500 can be reduced. In this embodiment, for example, the power consumption of the sensing terminal 500 can be reduced when the nozzle 34 is not in a predetermined position above the substrate W.
  • the control unit 520 transitions between an active state and a sleep state based on at least one of the pattern of time-series data generated based on the detection results of the acceleration sensor 512 and the position calculated based on the detection results of the acceleration sensor 512. Therefore, for example, the control unit 520 can easily transition between an active state and a sleep state based on whether the sensing terminal 500 is in a predetermined position or whether the substrate processing apparatus 100 is performing a predetermined process. Therefore, when the sensing terminal 500 is not in a predetermined position or when the substrate processing apparatus 100 is not performing a predetermined process, the control unit 520 can easily be prevented from performing a predetermined operation. Furthermore, since the control unit 520 can be prevented from performing a predetermined operation, the amount of data stored in the memory unit 530 can be reduced. Therefore, it is also possible to reduce the size of the memory unit 530.
  • the control unit 520 generates time series data based on, for example, the detection result of the acceleration sensor 512.
  • the control unit 520 also generates a pattern of time series data based on, for example, the detection result of the acceleration sensor 512.
  • FIG. 4 is a diagram showing an example of a pattern of time series data related to acceleration generated based on the detection result of the acceleration sensor 512.
  • FIG. 5 is a diagram showing an example of a pattern of time series data related to speed generated based on the detection result of the acceleration sensor 512.
  • the pattern of the time series data may be a pattern of time series data related to acceleration (see FIG. 4).
  • the pattern of the time series data may be a pattern of time series data related to speed (see FIG. 5).
  • the pattern of the time series data may be a pattern of time series data related to position (not shown).
  • the pattern of the time series data has, for example, acceleration, speed, or position on the vertical axis and time on the horizontal axis.
  • the pattern of the time series data of the member (here, the nozzle 34) to which the acceleration sensor 512 is attached will be approximately the same pattern.
  • the control unit 520 calculates the position of the sensing terminal 500 based on, for example, the detection result of the acceleration sensor 512.
  • the control unit 520 calculates, for example, the position of the acceleration sensor 512, the position of the detection sensor 511, or the position of a member to which the sensing terminal 500 is fixed, based on, for example, the detection result of the acceleration sensor 512.
  • the position of the sensing terminal 500 is calculated by integrating the movement direction and movement distance of the sensing terminal 500 with respect to the position of the sensing terminal 500 at the evacuation position (for example, the home position).
  • the movement direction and movement distance of the sensing terminal 500 can be calculated, for example, by integrating the detection value of the acceleration sensor 512 twice.
  • the control unit 520 determines whether the detection sensor 511 is placed at a predetermined position based on at least one of the pattern of the time series data (see Figures 4 and 5) and the calculated position of the sensing terminal 500. Therefore, it is possible to easily determine whether the sensing terminal 500 is at a predetermined position or whether the substrate processing apparatus 100 is performing a predetermined process based on at least one of the pattern of the time series data and the calculated position. Then, when the control unit 520 determines that the sensing terminal 500 is placed at the predetermined position, it transitions from a sleep state to an active state. Therefore, it is possible to easily prevent the control unit 520 from performing a predetermined operation when the sensing terminal 500 is not at the predetermined position or when the substrate processing apparatus 100 is not performing the predetermined process.
  • the control unit 520 determines whether the sensing terminal 500 has been moved from the predetermined position based on the detection result of the acceleration sensor 512, and transitions from an active state to a sleep state if it determines that the sensing terminal 500 has been moved from the predetermined position. Therefore, based on at least one of the pattern of the time series data and the calculated position, it can be easily determined whether the sensing terminal 500 is at a predetermined position or whether the substrate processing apparatus 100 is performing a predetermined process. Therefore, when the sensing terminal 500 is not at a predetermined position or when the substrate processing apparatus 100 is not performing a predetermined process, the control unit 520 can be easily prevented from performing a predetermined operation.
  • FIG. 6 is a flow chart showing an example of a substrate processing method using the substrate processing apparatus 100.
  • An example of a substrate processing method using the substrate processing apparatus 100 of this embodiment includes steps S1 to S6. Steps S1 to S6 are executed by the control unit 102.
  • step S1 the control unit 520 moves the nozzle 34 to the discharge position. Specifically, the control unit 520 moves the nozzle 34 from the retracted position to the discharge position by the drive mechanism 383.
  • the retracted position is a position moved horizontally from above the substrate W. In other words, the retracted position is a position other than above the substrate W.
  • the discharge position is a position above the substrate W.
  • the discharge position is a position where the nozzle 34 is positioned when the processing liquid is discharged from the nozzle 34.
  • step S2 the control unit 520 rotates the substrate W using the substrate holding unit 20. Specifically, the control unit 520 rotates the spin base 21 using the electric motor 24, thereby rotating the substrate W. Note that in this embodiment, the nozzle 34 is moved to the discharge position and then rotation of the substrate W is started, but the nozzle 34 may be moved to the discharge position after rotation of the substrate W is started, or the movement of the nozzle 34 to the discharge position and the start of rotation of the substrate W may be performed in parallel.
  • step S3 the control unit 520 ejects the processing liquid from the nozzle 34.
  • the processing liquid is ejected from the nozzle 34 onto the substrate W after being heated to a predetermined temperature by a heater (not shown). This causes the substrate W to undergo a predetermined process (etching, etc.).
  • step S4 the control unit 520 stops the ejection of the treatment liquid from the nozzle 34. Specifically, when a predetermined time has elapsed since the ejection of the treatment liquid was started in step S3, the control unit 520 stops the ejection of the treatment liquid.
  • step S5 the control unit 520 stops the rotation of the substrate W. Specifically, the control unit 520 stops the rotation of the spin base 21 caused by the electric motor 24, thereby stopping the rotation of the substrate W.
  • step S6 the control unit 520 moves the nozzle 34 to the retracted position. Specifically, the control unit 520 moves the nozzle 34 from the discharge position to the retracted position by the drive mechanism 383. Note that in this embodiment, the nozzle 34 is moved to the retracted position after the rotation of the substrate W is stopped, but the rotation of the substrate W may be stopped after the nozzle 34 is moved to the retracted position, or the rotation of the substrate W may be stopped and the nozzle 34 may be moved to the retracted position in parallel.
  • Figure 7 is a flowchart showing an example of a sensing method using the sensing terminal 500.
  • the sensing method by the sensing terminal 500 of this embodiment includes steps S101 to S105.
  • Steps S101 to S105 are executed by the control unit 520.
  • steps S101 and S104 are an example of a "step in which the acceleration sensor detects acceleration” in the present invention.
  • steps S102 and S105 are an example of a "step in which the acceleration sensor transitions between an active state and a sleep state" in the present invention.
  • step S101 the control unit 520 determines whether the sensing terminal 500 is placed in a predetermined position. Note that in step S101, the control unit 520 is in a sleep state.
  • the acceleration sensor 512 detects a change in acceleration. More specifically, the acceleration sensor 512 detects that the horizontal acceleration is increasing.
  • the control unit 520 generates a time series data pattern (see Figures 4 and 5) based on the detection results of the acceleration sensor 512, and determines whether the sensing terminal 500 is placed at a predetermined position based on the pattern of the time series data.
  • the control unit 520 calculates the position of the sensing terminal 500 based on the detection results of the acceleration sensor 512, and determines whether the sensing terminal 500 is placed at a predetermined position based on the calculated position. Note that the control unit 520 may determine whether the sensing terminal 500 is placed at a predetermined position based on both the pattern of the time series data and the calculated position.
  • control unit 520 compares the pattern of the generated time series data with a reference pattern previously stored in the storage unit 530. For example, the control unit 520 determines whether the sensing terminal 500 is placed at a predetermined position based on whether the degree of match between the pattern of the generated time series data and the reference pattern previously stored in the storage unit 530 is equal to or greater than a threshold value.
  • control unit 520 compares the calculated position with a target position previously stored in the storage unit 530. For example, the control unit 520 determines whether the sensing terminal 500 is placed at a predetermined position based on whether the degree of agreement between the calculated position and the target position previously stored in the storage unit 530 is equal to or greater than a threshold value.
  • step S101 If the control unit 520 determines in step S101 that the sensing terminal 500 is not placed in the predetermined position, the process repeats step S101. Specifically, the process repeats step S101 until the nozzle 34 is placed in the ejection position in step S1 above.
  • step S101 determines in step S101 that the sensing terminal 500 is placed in a predetermined position
  • the process proceeds to step S102. Specifically, when the nozzle 34 is placed in the ejection position in step S1, the process proceeds to step S102.
  • step S102 the control unit 520 transitions from the sleep state to the active state.
  • step S103 the control unit 520 executes sensing. That is, sensing is executed by the sensing terminal 500. Specifically, the control unit 520 converts the signal from the detection sensor 511 into a detection value. The control unit 520 also uses the converted detection value to generate time series data of the detection value. The control unit 520 also compresses the generated time series data and stores it in the storage unit 530.
  • step S104 the control unit 520 determines whether the sensing terminal 500 has been moved from a predetermined position. Specifically, when the nozzle 34 moves from the ejection position to the retracted position in step S6 above, the acceleration sensor 512 detects a change in acceleration.
  • control unit 520 determines whether the sensing terminal 500 has been moved from a predetermined position based on whether the degree of match between the pattern of the generated time series data and a reference pattern previously stored in the storage unit 530 is equal to or greater than a threshold value.
  • control unit 520 may determine whether the sensing terminal 500 has been moved from a predetermined position based on whether the degree of coincidence between the calculated position and the evacuation position previously stored in the storage unit 530 is equal to or greater than a threshold value, in a manner similar to step S101.
  • step S104 determines in step S104 that the sensing terminal 500 has not been moved from the predetermined position
  • the process returns to step S103. Specifically, the process repeats steps S103 and S104 until the nozzle 34 starts moving from the discharge position toward the retracted position in step S6 above. Alternatively, the process may repeat steps S103 and S104 until the nozzle 34 reaches the retracted position in step S6 above.
  • step S104 determines in step S104 that the sensing terminal 500 has been moved from the predetermined position
  • the process proceeds to step S105.
  • the process proceeds to step S105.
  • the process may proceed to step S105.
  • step S105 the control unit 520 transitions from the active state to the sleep state.
  • This causes the control unit 520 to stop sensing. In other words, sensing by the sensing terminal 500 is stopped.
  • the control unit 520 does not convert the signal from the detection sensor 511 into a detection value.
  • the control unit 520 may not generate time series data using the converted detection value.
  • the control unit 520 may not compress the time series data or store it in the storage unit 530.
  • the control unit 520 may not, for example, receive the detection result from the detection sensor 511 or supply a voltage to the detection sensor 511 for detecting the environment.
  • the controller 520 can execute a predetermined operation only when the sensing terminal 500 is in a predetermined position or only when the substrate processing apparatus 100 is performing a predetermined process. Therefore, it is possible to prevent the controller 520 from executing a predetermined operation when the sensing terminal 500 is not in a predetermined position or when the substrate processing apparatus 100 is not performing a predetermined process. As a result, it is possible to reduce the power consumption of the sensing terminal 500. In this embodiment, for example, it is possible to reduce the power consumption of the sensing terminal 500 when the nozzle 34 is not in a discharge position above the substrate W.
  • step S104 the nozzle 34 starts to move from the discharge position toward the retracted position, and the process proceeds to step S105. Therefore, the transition from the active state to the sleep state occurs at an earlier timing than when the process proceeds to step S105 after the nozzle 34 reaches the retracted position. This makes it possible to further reduce the power consumption of the sensing terminal 500.
  • a sensing terminal 500 according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to Fig. 8.
  • Fig. 8 is a schematic diagram showing a state in which the sensing terminal 500 of this embodiment is attached to the substrate holding unit 20 of the substrate processing apparatus 100.
  • the sensing terminal 500 is attached to the substrate holding part 20.
  • the sensing terminal 500 is attached to the spin base 21 of the substrate holding part 20.
  • the sensing terminal 500 detects, for example, the temperature of the spin base 21 or the temperature of the substrate W placed on the spin base 21. In this embodiment, the sensing terminal 500 detects the temperature of the spin base 21 or the temperature of the substrate W while the spin base 21 is rotating.
  • control unit 520 compares the detection result of the acceleration sensor 512 with a predetermined threshold value, and transitions between an active state and a sleep state based on the comparison result. Therefore, for example, it is not necessary to generate a pattern of time series data of the detection value of the acceleration sensor 512 or calculate the position of the sensing terminal 500. Therefore, the control unit 520 can easily transition between an active state and a sleep state. In this embodiment, for example, it is possible to reduce the power consumption of the sensing terminal 500 when the substrate W is not rotating.
  • the control unit 520 determines whether the detection result of the acceleration sensor 512 is equal to or greater than a predetermined threshold (hereinafter, sometimes referred to as a first threshold).
  • the predetermined threshold is a predetermined value, and is stored in the memory unit 530, for example.
  • the predetermined threshold is, for example, a value greater than zero and less than the acceleration when the substrate W is being processed.
  • the control unit 520 transitions from a sleep state to an active state. Therefore, for example, the control unit 520 can easily perform a predetermined operation only when the substrate processing apparatus 100 is performing a predetermined process. Therefore, the control unit 520 can easily be prevented from performing a predetermined operation when the substrate processing apparatus 100 is not performing a predetermined process.
  • the control unit 520 also determines whether the detection result of the acceleration sensor 512 is below a predetermined threshold (hereinafter, sometimes referred to as the second threshold). When the detection result of the acceleration sensor 512 is below the predetermined threshold, the control unit 520 transitions from the active state to the sleep state.
  • the second threshold may be the same as the first threshold, or may be different from the first threshold.
  • FIG. 9 is a flowchart showing an example of a sensing method using the sensing terminal 500.
  • the sensing method by the sensing terminal 500 of this embodiment includes steps S201 to S205. Steps S201 to S205 are executed by the control unit 520. Note that steps S201 and S204 are an example of a "step in which the acceleration sensor detects acceleration” in the present invention. Also, steps S202 and S205 are an example of a "step in which the acceleration sensor transitions between an active state and a sleep state" in the present invention.
  • step S201 the control unit 520 determines whether the detection result of the acceleration sensor 512 is equal to or greater than a predetermined threshold value (first threshold value). Note that in step S201, the control unit 520 is in a sleep state.
  • the acceleration sensor 512 detects a change in acceleration. More specifically, the acceleration sensor 512 detects an increase in radial acceleration around the rotation axis Ax.
  • the control unit 520 determines whether the detection result of the acceleration sensor 512 is equal to or greater than a predetermined threshold. Note that when the spin base 21 is not rotating, the detection result of the acceleration sensor 512 is, for example, zero. Furthermore, as the rotation speed of the spin base 21 increases, the detection result of the acceleration sensor 512 also increases.
  • step S201 If the control unit 520 determines in step S201 that the detection result of the acceleration sensor 512 is not equal to or greater than the predetermined threshold, the process repeats step S201. Specifically, the process repeats step S201 until the rotation speed of the spin base 21 becomes equal to or greater than the predetermined value in step S2 above.
  • step S201 determines in step S201 that the detection result of the acceleration sensor 512 is equal to or greater than a predetermined threshold
  • the process proceeds to step S202. Specifically, if the rotation speed of the spin base 21 is equal to or greater than a predetermined value in step S2, the process proceeds to step S202.
  • step S202 the control unit 520 transitions from the sleep state to the active state.
  • step S203 the control unit 520 executes sensing. That is, sensing is executed by the sensing terminal 500. Specifically, the control unit 520 converts the signal from the detection sensor 511 into a detection value. The control unit 520 also uses the converted detection value to generate time series data of the detection value. The control unit 520 also compresses the generated time series data and stores it in the storage unit 530.
  • step S204 the control unit 520 determines whether the detection result of the acceleration sensor 512 is less than a predetermined threshold (second threshold). Specifically, when the rotation of the spin base 21 is stopped in step S5 above, the rotation speed of the spin base 21 becomes less than the predetermined value and then becomes zero.
  • a predetermined threshold second threshold
  • step S204 determines in step S204 that the detection result of the acceleration sensor 512 is not below the predetermined threshold. Specifically, the process repeats steps S203 and S204 until the rotation speed of the spin base 21 becomes less than the predetermined value in step S5 above.
  • step S204 determines in step S204 that the detection result of the acceleration sensor 512 is below the predetermined threshold
  • the process proceeds to step S205. Specifically, if the rotation speed of the spin base 21 is below the predetermined value in step S5 above, the process proceeds to step S205.
  • step S205 the control unit 520 transitions from the active state to the sleep state. This causes the control unit 520 to stop sensing. In other words, sensing by the sensing terminal 500 stops.
  • the control unit 520 compares the detection result of the acceleration sensor 512 with a predetermined threshold value, and transitions between an active state and a sleep state based on the comparison result. Therefore, the control unit 520 does not need to generate a pattern of time-series data of the detection value of the acceleration sensor 512 or calculate the position of the sensing terminal 500, for example. Therefore, the control unit 520 can easily transition between an active state and a sleep state. In this embodiment, for example, the power consumption of the sensing terminal 500 when the substrate W is not rotating can be easily suppressed.
  • data stored in the storage unit 530 is transmitted to the receiving device when the sensing terminal 500 is not performing sensing, but the present invention is not limited to this.
  • Data stored in the storage unit 530 may be transmitted to the receiving device when the sensing terminal 500 is performing sensing. With this configuration, the amount of data stored in the storage unit 530 can be reduced, making it possible to make the storage unit 530 smaller.
  • the sensing terminal 500 was attached to the nozzle 34 or the spin base 21, but the present invention is not limited to this.
  • the sensing terminal 500 may be a terminal having a wafer shape. If configured in this way, it is possible to easily detect, for example, the temperature of the substrate W during processing, or the temperature of the chemical liquid discharged onto the substrate W during processing.
  • the present invention is not limited to this.
  • the environment during transport of the substrate W by the indexer robot 140 or the center robot 150 may be detected.
  • control unit 520 transitions from a sleep state to an active state when the sensing terminal 500 is placed in a predetermined position, but the present invention is not limited to this.
  • control unit 520 may transition from an active state to a sleep state when the sensing terminal 500 is placed in a predetermined position.
  • control unit 520 transitions from an active state to a sleep state when the detection sensor 511 is moved from a predetermined position, but the present invention is not limited to this.
  • control unit 520 may transition from a sleep state to an active state when the detection sensor 511 is moved from a predetermined position.
  • the state transitions from the sleep state to the active state when the detection result of the acceleration sensor 512 becomes equal to or greater than a predetermined threshold
  • the present invention is not limited to this.
  • the state transitions from the active state to the sleep state when the detection result of the acceleration sensor 512 becomes equal to or greater than a predetermined threshold.
  • the state transitions from the active state to the sleep state when the detection result of the acceleration sensor 512 falls below a predetermined threshold, but the present invention is not limited to this.
  • the state transitions from the sleep state to the active state when the detection result of the acceleration sensor 512 falls below a predetermined threshold.
  • the present invention is suitable for use in sensing terminals and sensing methods.
  • Substrate processing apparatus manufacturing apparatus, semiconductor manufacturing apparatus 500: sensing terminal 511: detection sensor 512: acceleration sensor 520: control unit 550: battery

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

センシング端末（５００）は、検出センサ（５１１）と、制御部（５２０）と、バッテリー（５５０）と、加速度センサ（５１２）とを備える。検出センサ（５１１）は、基板処理装置（１００）内部の環境を検出する。制御部（５２０）は、検出センサ（５１１）の検出結果に基づいて所定の動作を実行するアクティブ状態と、アクティブ状態に比べて電力消費量が少ないスリープ状態との間で遷移可能である。バッテリー（５５０）は、制御部（５２０）に電力を供給する。加速度センサ（５１２）は、加速度を検出する。制御部（５２０）は、加速度センサ（５１２）の検出結果に基づいて、アクティブ状態とスリープ状態との間で遷移する。

Description

センシング端末およびセンシング方法
　本発明は、センシング端末およびセンシング方法に関する。
　従来、基板を処理する基板処理装置等の半導体製造装置が知られている。半導体製造装置では、処理工程における処理状態を把握するため、処理中の基板の表面温度、および、処理液の温度等の装置内部の環境を計測することが求められる。そこで、半導体製造装置内部の環境を検出するためのセンシング端末が知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１には、ウエハ形状を有するプロセス条件測定デバイス（以下、測定デバイスと記載する）が記載されている。測定デバイスは、シリコンウエハ等からなる基板と、基板に配置される複数のセンサ、マイクロプロセッサ、記憶部およびバッテリー等とを含む。複数のセンサによって、半導体製造装置内部の環境を検出することが可能である。また、測定デバイスは、バッテリーに蓄えられた電力によって動作する。
特表２００７－５３６７２６号公報
　ところで、バッテリーからの給電によって動作するセンシング端末では、長時間にわたって検出動作を実行できるように、消費電力を抑えることが求められる。特許文献１に記載の測定デバイスでは、データの記憶操作の間の設定間隔を大きくしたり、記憶部に保存するデータを圧縮したりすることによって、消費電力の削減を図っている。
　しかしながら、例えば、センシング端末が所定位置にあるときの環境データ、または、半導体製造装置が所定の処理を実行しているときの環境データが必要となる場合がある。この場合、センシング端末が所定位置にないとき、または、半導体製造装置が所定の処理を実行していないときに、制御部が環境データを取得して所定の動作を実行すると、余計な電力を消費してしまうという問題点がある。
　本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、消費電力を抑えることが可能なセンシング端末およびセンシング方法を提供することにある。
　本発明の一局面によれば、センシング端末は、検出センサと、制御部と、バッテリーと、加速度センサとを備える。前記検出センサは、製造装置内部の環境を検出する。前記制御部は、前記検出センサの検出結果に基づいて所定の動作を実行するアクティブ状態と、前記アクティブ状態に比べて電力消費量が少ないスリープ状態との間で遷移可能である。前記バッテリーは、前記制御部に電力を供給する。前記加速度センサは、加速度を検出する。前記制御部は、前記加速度センサの検出結果に基づいて、前記アクティブ状態と前記スリープ状態との間で遷移する。
　ある実施形態では、前記制御部は、前記加速度センサの検出結果に基づいて生成される時系列データのパターンと、前記加速度センサの検出結果に基づいて算出される位置との少なくとも一方に基づいて、前記アクティブ状態と前記スリープ状態との間で遷移してもよい。
　ある実施形態では、前記制御部は、前記パターンと前記位置との少なくとも一方に基づいて、前記センシング端末が所定位置に配置されたか否かを判定してもよい。前記制御部は、前記所定位置に配置されたと判定した場合、前記スリープ状態から前記アクティブ状態に遷移してもよい。
　ある実施形態では、前記制御部は、前記加速度センサの検出結果に基づいて、前記センシング端末が前記所定位置から移動されたか否かを判定してもよい。前記制御部は、前記所定位置から移動されたと判定した場合、前記アクティブ状態から前記スリープ状態に遷移してもよい。
　ある実施形態では、前記制御部は、前記加速度センサの検出結果と、所定の閾値とを比較してもよい。前記制御部は、比較した結果に基づいて、前記アクティブ状態と前記スリープ状態との間で遷移してもよい。
　ある実施形態では、前記制御部は、前記加速度センサの検出結果が前記所定の閾値以上になったか否かを判定してもよい。前記制御部は、前記所定の閾値以上になった場合、前記スリープ状態から前記アクティブ状態に遷移してもよい。
　ある実施形態では、前記製造装置は、半導体デバイスを製造する半導体製造装置であってもよい。
　本発明の別の局面によれば、センシング方法は、製造装置内部の環境を検出する検出センサと、加速度センサと、制御部と、前記制御部に電力を供給するバッテリーとを備えたセンシング端末を用いたセンシング方法である。前記制御部は、前記検出センサの検出結果に基づいて所定の動作を実行するアクティブ状態と、前記アクティブ状態に比べて電力消費量が少ないスリープ状態との間で遷移可能である。前記センシング方法は、前記加速度センサが加速度を検出するステップと、前記制御部が、前記加速度センサの検出結果に基づいて、前記アクティブ状態と前記スリープ状態との間で遷移するステップとを含む。
　本発明によれば、消費電力を削減可能なセンシング端末およびセンシング方法を提供できる。
第１実施形態のセンシング端末によってセンシングされる基板処理装置の模式的な平面図である。 基板処理装置における基板処理ユニットの模式図である。 センシング端末の構成を概略的に示すブロック図である。 加速度センサの検出結果に基づいて生成される加速度に関する時系列データのパターンの一例を示す図である。 加速度センサの検出結果に基づいて生成される速度に関する時系列データのパターンの一例を示す図である。 基板処理装置による基板処理方法の一例を示すフローチャートである。 センシング端末によるセンシング方法の一例を示すフローチャートである。 第２実施形態のセンシング端末が基板処理装置の基板保持部に取り付けられた状態を示す模式図である。 第２実施形態のセンシング端末によるセンシング方法の一例を示すフローチャートである。
　以下、図面を参照して、本発明によるセンシング端末およびセンシング方法の実施形態を説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。本願明細書では、発明の理解を容易にするため、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載することがある。本実施形態では、Ｘ軸およびＹ軸は水平方向に平行であり、Ｚ軸は鉛直方向に平行である。
（第１実施形態）
　本発明の第１実施形態によるセンシング端末５００は、製造装置内部の環境をセンシングする装置である。センシング端末５００がセンシングする製造装置の種類は、特に限定されるものではないが、本実施形態では、半導体製造装置である。半導体製造装置は、半導体デバイスを製造するための装置である。また、本実施形態では、センシング端末５００がセンシングする半導体製造装置は、基板を処理する基板処理装置１００である。つまり、センシング端末５００は、基板処理装置１００内部の環境をセンシングする。なお、基板処理装置１００は、本発明の「製造装置」および「半導体製造装置」の一例である。また、センシング端末５００は、半導体製造装置以外の、例えば、パネルを製造するパネル製造装置の内部の環境、または、被印刷体に印刷して印刷物を製造する印刷機の内部の環境をセンシングしてもよい。
　理解を容易にするために、本発明の第１実施形態のセンシング端末５００を説明する前に、まず、図１および図２を参照して、基板処理装置１００について説明する。図１は、第１実施形態のセンシング端末５００によってセンシングされる基板処理装置１００の模式的な平面図である。
　基板処理装置１００は、基板Ｗを処理する。基板処理装置１００は、基板Ｗに対して、エッチング、表面処理、特性付与、処理膜形成、膜の少なくとも一部の除去、および、洗浄のうちの少なくとも１つを行うように基板Ｗを処理する。
　基板Ｗは、半導体基板として用いられる。基板Ｗは、半導体ウエハを含む。例えば、基板Ｗは略円板状である。ここでは、基板処理装置１００は、基板Ｗを一枚ずつ処理する。
　図１に示すように、基板処理装置１００は、複数の基板処理ユニット１０と、処理液キャビネット１１０と、処理液ボックス１２０と、複数のロードポート１３０と、インデクサーロボット１４０と、センターロボット１５０と、制御装置１０１とを備える。制御装置１０１は、ロードポート１３０、インデクサーロボット１４０およびセンターロボット１５０を制御する。制御装置１０１は、制御部１０２および記憶部１０４を含む。
　ロードポート１３０の各々は、複数枚の基板Ｗを積層して収容する。インデクサーロボット１４０は、ロードポート１３０とセンターロボット１５０との間で基板Ｗを搬送する。センターロボット１５０は、インデクサーロボット１４０と基板処理ユニット１０との間で基板Ｗを搬送する。基板処理ユニット１０の各々は、基板Ｗに処理液を吐出して、基板Ｗを処理する。処理液は、例えば、薬液、洗浄液、除去液および／または撥水剤を含む。処理液キャビネット１１０は、処理液を収容する。なお、処理液キャビネット１１０は、ガスを収容してもよい。
　具体的には、複数の基板処理ユニット１０は、平面視においてセンターロボット１５０を取り囲むように配置された複数のタワー１６０（図１では４つのタワー１６０）を形成している。各タワー１６０は、上下に積層された複数の基板処理ユニット１０（図１では３つの基板処理ユニット１０）を含む。処理液ボックス１２０は、それぞれ、複数のタワー１６０に対応している。処理液キャビネット１１０内の液体は、いずれかの処理液ボックス１２０を介して、処理液ボックス１２０に対応するタワー１６０に含まれる全ての基板処理ユニット１０に供給される。また、処理液キャビネット１１０内のガスは、いずれかの処理液ボックス１２０を介して、処理液ボックス１２０に対応するタワー１６０に含まれる全ての基板処理ユニット１０に供給される。
　基板処理装置１００において、センターロボット１５０および基板処理ユニット１０の設置された領域と、処理液キャビネット１１０の設置された領域との間には、境界壁１７０が配置される。処理液キャビネット１１０は、基板処理装置１００のうちの境界壁１７０の外側部分の領域の一部の空間を区画する。
　典型的には、処理液キャビネット１１０は、処理液を調製するための調製槽（タンク）を有する。処理液キャビネット１１０は、１種類の処理液のための調製槽を有してもよく、複数種類の処理液のための調製槽を有してもよい。また、処理液キャビネット１１０は、処理液を流通するためのポンプ、ノズルおよび／またはフィルターを有する。
　ここでは、処理液キャビネット１１０は、第１処理液キャビネット１１０１と、第２処理液キャビネット１１０２とを有する。第１処理液キャビネット１１０１および第２処理液キャビネット１１０２は互いに対向して配置される。
　制御装置１０１は、基板処理装置１００の各種動作を制御する。
　制御装置１０１は、制御部１０２および記憶部１０４を含む。制御部１０２は、プロセッサを有する。制御部１０２は、例えば、中央処理演算機（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ：ＣＰＵ）を有する。または、制御部１０２は、汎用演算機を有してもよい。
　記憶部１０４は、データおよびコンピュータプログラムを記憶する。データは、レシピデータを含む。レシピデータは、複数のレシピを示す情報を含む。複数のレシピの各々は、基板Ｗの処理内容および処理手順を規定する。
　記憶部１０４は、主記憶装置と、補助記憶装置とを含む。主記憶装置は、例えば、半導体メモリである。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリおよび／またはハードディスクドライブである。記憶部１０４はリムーバブルメディアを含んでいてもよい。制御部１０２は、記憶部１０４の記憶しているコンピュータプログラムを実行して、基板処理動作を実行する。
　次に、図２を参照して、基板処理装置１００における基板処理ユニット１０を説明する。図２は、基板処理装置１００における基板処理ユニット１０の模式図である。
　基板処理ユニット１０は、チャンバー１１と、基板保持部２０と、処理液供給部３０とを備える。
　チャンバー１１は、内部空間を有する略箱形状である。チャンバー１１は、基板Ｗを収容する。ここでは、基板処理装置１００は、基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉型であり、チャンバー１１には基板Ｗが１枚ずつ収容される。基板Ｗは、チャンバー１１内に収容され、チャンバー１１内で処理される。チャンバー１１には、基板保持部２０および処理液供給部３０のそれぞれの少なくとも一部が収容される。
　基板保持部２０は、基板Ｗを保持する。基板保持部２０は、基板Ｗの上面（表面）Ｗａを上方に向け、基板Ｗの裏面（下面）Ｗｂを鉛直下方に向くように基板Ｗを水平に保持する。また、基板保持部２０は、基板Ｗを保持した状態で基板Ｗを回転させる。例えば、基板Ｗの上面Ｗａには、リセスの形成された積層構造が設けられている。基板保持部２０は、基板Ｗを保持したまま基板Ｗを回転させる。
　例えば、基板保持部２０は、基板Ｗの端部を挟持する挟持式であってもよい。あるいは、基板保持部２０は、基板Ｗを裏面Ｗｂから保持する任意の機構を有してもよい。例えば、基板保持部２０は、バキューム式であってもよい。この場合、基板保持部２０は、非デバイス形成面である基板Ｗの裏面Ｗｂの中央部を上面に吸着させることにより基板Ｗを水平に保持する。あるいは、基板保持部２０は、複数のチャックピンを基板Ｗの周端面に接触させる挟持式とバキューム式とを組み合わせてもよい。
　例えば、基板保持部２０は、スピンベース２１と、チャック部材２２と、シャフト２３と、電動モーター２４と、ハウジング２５とを含む。チャック部材２２は、スピンベース２１に設けられる。チャック部材２２は、基板Ｗをチャックする。典型的には、スピンベース２１には、複数のチャック部材２２が設けられる。
　シャフト２３は、中空軸である。シャフト２３は、回転軸線Ａｘに沿って鉛直方向に延びている。シャフト２３の上端には、スピンベース２１が結合されている。基板Ｗは、スピンベース２１の上方に載置される。
　スピンベース２１は、円板状であり、基板Ｗを水平に支持する。シャフト２３は、スピンベース２１の中央部から下方に延びる。電動モーター２４は、シャフト２３に回転力を与える。電動モーター２４は、シャフト２３を回転方向に回転させることにより、回転軸線Ａｘを中心に基板Ｗおよびスピンベース２１を回転させる。ハウジング２５は、シャフト２３および電動モーター２４の周囲を囲んでいる。
　処理液供給部３０は、基板Ｗに処理液を供給する。典型的には、処理液供給部３０は、基板Ｗの上面Ｗａに処理液を供給する。処理液供給部３０の少なくとも一部は、チャンバー１１内に収容される。
　処理液供給部３０は、基板Ｗの上面Ｗａに処理液を供給する。処理液は、いわゆる薬液を含んでもよい。薬液は、例えば、フッ酸を含む。例えば、フッ酸は、４０℃以上７０℃以下に加熱されてもよく、５０℃以上６０℃以下に加熱されてもよい。ただし、フッ酸は、加熱されなくてもよい。また、薬液は、水または燐酸を含んでもよい。
　さらに、薬液は、過酸化水素水を含んでもよい。また、薬液は、ＳＣ１（アンモニア過酸化水素水混合液）、ＳＣ２（塩酸過酸化水素水混合液）または王水（濃塩酸と濃硝酸との混合物）を含んでもよい。
　または、処理液は、いわゆる洗浄液（リンス液）を含んでもよい。例えば、洗浄液は、脱イオン水（Ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ　Ｗａｔｅｒ：ＤＩＷ）、炭酸水、電解イオン水、オゾン水、アンモニア水、希釈濃度（例えば、１０ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度）の塩酸水、または、還元水（水素水）のいずれかを含んでもよい。
　処理液供給部３０は、配管３２と、ノズル３４と、バルブ３６とを含む。ノズル３４は基板Ｗの上面Ｗａに処理液を吐出する。ノズル３４は、配管３２に接続される。配管３２には、供給源から処理液が供給される。バルブ３６は、配管３２内の流路を開閉する。ノズル３４は、基板Ｗに対して移動可能に構成されていることが好ましい。
　バルブ３６は、配管３２内の流路を開閉する。バルブ３６は、配管３２の開度を調節して、配管３２に供給される処理液の流量を調整する。具体的には、バルブ３６は、弁座が内部に設けられたバルブボディ（図示しない）と、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータ（図示しない）とを含む。
　ノズル３４は移動可能であってもよい。本実施形態では、ノズル３４は、移動可能に構成されている。具体的には、処理液供給部３０は、移動機構３８をさらに含む。移動機構３８は、ノズル３４を移動させる。ノズル３４は、制御部１０２によって制御される移動機構３８にしたがって水平方向および／または鉛直方向に移動できる。
　詳細には、移動機構３８は、アーム３８１と、回転シャフト３８２と、駆動機構３８３とを含む。アーム３８１は、略水平方向に延びる。アーム３８１の一端には、ノズル３４が固定される。アーム３８１の他端には、回転シャフト３８２が固定される。回転シャフト３８２は、略鉛直方向に延びる。駆動機構３８３は、回転シャフト３８２の中心軸線回りに回転シャフト３８２を回転させる。これにより、回転シャフト３８２を中心として、アーム３８１およびノズル３４が回転する。なお、駆動機構３８３は、回転シャフト３８２を略鉛直方向に移動させてもよい。この場合、アーム３８１およびノズル３４が略鉛直方向に移動する。
　基板処理ユニット１０は、カップ８０をさらに備える。カップ８０は、基板Ｗから飛散した処理液を回収する。カップ８０は昇降する。例えば、カップ８０は、処理液供給部３０が基板Ｗに処理液を供給する期間にわたって基板Ｗの側方にまで鉛直上方に上昇する。この場合、カップ８０は、基板Ｗの回転によって基板Ｗから飛散する処理液を回収する。また、カップ８０は、処理液供給部３０が基板Ｗに処理液を供給する期間が終了すると、基板Ｗの側方から鉛直下方に下降する。
　上述したように、制御装置１０１は、制御部１０２および記憶部１０４を含む。制御部１０２は、基板保持部２０、処理液供給部３０および／またはカップ８０を制御する。一例では、制御部１０２は、電動モーター２４、バルブ３６および／またはカップ８０を制御する。
　本実施形態の基板処理装置１００は、半導体の設けられた半導体素子の作製に好適に用いられる。典型的には、半導体素子において、基材の上に導電層および絶縁層が積層される。基板処理装置１００は、半導体素子の製造時に、導電層および／または絶縁層の洗浄および／または加工（例えば、エッチング、特性変化等）に好適に用いられる。
　なお、図２に示した基板処理ユニット１０では、処理液供給部３０は、１種類の処理液を供給可能である。ただし、本実施形態はこれに限定されない。処理液供給部３０は、複数種類の処理液を供給してもよい。例えば、処理液供給部３０は、用途の異なる複数種類の処理液を基板Ｗに順次供給可能であってもよい。あるいは、処理液供給部３０は、用途の異なる複数種類の処理液を基板Ｗに同時に供給可能であってもよい。
　次に、図３を参照して、本実施形態のセンシング端末５００について説明する。図３は、センシング端末５００の構成を概略的に示すブロック図である。図３に示すように、センシング端末５００は、センサ部５１０と、制御部５２０と、記憶部５３０と、通信部５４０と、バッテリー５５０とを備える。なお、制御部５２０は、本発明の「制御部」の一例である。
　センサ部５１０は、検出センサ５１１と、加速度センサ５１２とを有する。検出センサ５１１は、製造装置内部の環境を検出する。本実施形態では、検出センサ５１１は、基板処理装置１００内部の環境を検出する。
　検出センサ５１１が検出する環境は、特に限定されるものではないが、例えば、温度、気圧、液圧、ガスまたは液等の流体の流量、流体の成分、電圧値、電流値、エッチング速度、基板Ｗ上の膜の厚みである。検出センサ５１１が検出する環境の数は、特に限定されるものではなく、検出センサ５１１は、１つ以上の環境を検出すればよい。本実施形態では、検出センサ５１１は、１つの環境を検出する。また、検出センサ５１１の数は、特に限定されるものではなく、１つ以上あればよい。本実施形態では、検出センサ５１１の数は、１つである。
　検出センサ５１１は、加速度センサ以外のセンサである。本実施形態では、検出センサ５１１は、温度を検出する温度センサである。検出センサ５１１の種類は、特に限定されるものではないが、本実施形態では、検出センサ５１１は、例えば、熱電対またはサーミスタを含む。なお、検出センサ５１１は、接触型のセンサであってもよいし、非接触型のセンサであってもよい。
　検出センサ５１１は、基板処理装置１００内部の環境を一定時間毎に検出する。検出センサ５１１は、検出結果を制御部５２０に送信する。具体的には、検出センサ５１１は、検出結果を示す信号を制御部５２０に送信する。
　加速度センサ５１２は、加速度を検出する。加速度センサ５１２の種類は、特に限定されるものではないが、例えば、静電容量方式のセンサ、または、ピエゾ抵抗方式のセンサを用いることができる。
　センシング端末５００は、例えば、製造装置内部で移動可能な部材または装置（以下、部材等と記載することがある）に固定される。加速度センサ５１２は、自身の加速度を検出する。言い換えると、加速度センサ５１２は、検出センサ５１１の加速度、センシング端末５００の加速度、および、センシング端末５００が固定される部材等の加速度を検出する。加速度センサ５１２は、加速度を一定時間毎に検出する。加速度センサ５１２による検出の間隔は、検出センサ５１１による検出の間隔に比べて長くてもよい。加速度センサ５１２は、検出結果を制御部５２０に送信する。具体的には、加速度センサ５１２は、検出結果を示す信号を制御部５２０に送信する。なお、後述するように、制御部５２０は、加速度センサ５１２の検出結果である加速度に基づいて、速度、移動距離および位置の少なくとも１つを算出することが可能である。
　制御部５２０は、例えば、マイクロコンピュータ（マイクロコントローラともいう）を含む。マイクロコンピュータは、例えば、マイクロプロセッサおよびメモリを有する。制御部５２０は、メモリに記憶されたプログラムを実行することによって、種々の処理を行う。なお、制御部５２０は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）、またはＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）のようなプロセッサであってもよい。
　例えば、制御部５２０は、検出センサ５１１の検出結果に基づいて、検出値の時系列データを生成する。具体的には、制御部５２０は、検出センサ５１１からの信号を検出値に変換する。また、制御部５２０は、変換した検出値を用いて、検出値の時系列データを生成する。また、制御部５２０は、例えば、生成した時系列データを圧縮し、記憶部５３０に記憶する。
　記憶部５３０は、データを記憶する。記憶部５３０は、例えば、検出センサ５１１の検出結果を記憶する。具体的には、記憶部５３０は、例えば、検出センサ５１１の検出値の時系列データを記憶する。また、記憶部５３０は、例えば、加速度センサ５１２の検出結果をさらに記憶してもよい。また、記憶部５３０は、例えば、加速度センサ５１２の検出値の時系列データを記憶してもよい。この場合、制御部５２０は、加速度センサ５１２からの信号を検出値に変換して検出値の時系列データを生成し、生成した時系列データを圧縮して記憶部５３０に記憶してもよい。また、記憶部５３０は、各種プログラムをさらに記憶してもよい。
　記憶部５３０は、例えば、主記憶装置と、補助記憶装置とを含む。主記憶装置は、例えば、半導体メモリである。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリおよび／またはハードディスクドライブである。記憶部１０４はリムーバブルメディアを含んでいてもよい。
　通信部５４０は、通信機である。通信部５４０は、有線または無線によって、センシング端末５００以外の装置にデータを送信する。通信部５４０は、例えば、インターフェースを含む。なお、通信部５４０は、アンテナを含んでもよい。記憶部５３０に記憶されたデータは、通信部５４０を介してセンシング端末５００以外の装置（以下、受信装置と記載することがある）に送信される。記憶部５３０に記憶されたデータ（例えば、検出センサ５１１の検出結果、または、時系列データ）は、例えば、センシング端末５００がセンシングを実行していないときに、通信部５４０を介して受信装置に送信される。
　バッテリー５５０は、制御部５２０に電力を供給する。バッテリー５５０に蓄えられた電力によって、センシング端末５００がセンシングを実行する。バッテリー５５０は、特に限定されるものではないが、例えば、リチウムイオンバッテリーである。なお、バッテリー５５０は、リチウムイオンバッテリー以外のバッテリーでもよい。
　また、バッテリー５５０は、センシング端末５００がセンシングを実行していないときに、外部電源によって充電される。例えば、バッテリー５５０は、後述する退避位置にセンシング端末５００が配置されているときに、外部電源によって充電される。なお、バッテリー５５０は、センシング端末５００から取り外された状態で、外部電源によって充電されてもよい。
　引き続き、制御部５２０について説明する。制御部５２０は、アクティブ状態とスリープ状態との間で遷移可能である。アクティブ状態は、検出センサ５１１の検出結果に基づいて制御部５２０が所定の動作を実行する状態である。所定の動作は、例えば、検出センサ５１１からの信号を検出値に変換することを含む。また、所定の動作は、例えば、検出センサ５１１からの信号に基づいて、検出値の時系列データを生成することを含む。また、所定の動作は、例えば、時系列データを圧縮して記憶部５３０に記憶することを含む。
　スリープ状態は、アクティブ状態に比べて電力消費量が少ない状態である。スリープ状態は、例えば、制御部５２０が、検出センサ５１１からの信号を検出値に変換しない状態を含む。また、スリープ状態は、例えば、制御部５２０が、検出値の時系列データを生成しない状態を含む。また、スリープ状態は、例えば、制御部５２０が、時系列データを圧縮したり、記憶部５３０に記憶したりしない状態を含む。また、スリープ状態は、例えば、制御部５２０が、環境を検出するための電力を検出センサ５１１に供給しない状態を含んでもよい。
　センシング端末５００の取付位置は、特に限定されるものではないが、本実施形態では、図２に示すように、センシング端末５００は、例えば、ノズル３４に取り付けられる。また、本実施形態では、センシング端末５００は、ノズル３４を通過する処理液の温度、または、ノズル３４の温度を検出する。センシング端末５００は、ノズル３４が所定位置（例えば、基板Ｗの上方）に配置された状態において、処理液の温度またはノズル３４の温度を検出する。
　制御部５２０は、加速度センサ５１２の検出結果に基づいて、アクティブ状態とスリープ状態との間で遷移する。従って、例えば、センシング端末５００が所定位置にあるときのみ、または、基板処理装置１００が所定の処理を実行しているときのみ、制御部５２０による所定の動作を実行することができる。よって、センシング端末５００が所定位置にないとき、または、基板処理装置１００が所定の処理を実行していないときに、制御部５２０が所定の動作を実行することを抑制できる。その結果、センシング端末５００の消費電力を抑えることができる。本実施形態では、例えば、ノズル３４が基板Ｗの上方の所定位置にないときにおける、センシング端末５００の消費電力を抑えることができる。
　本実施形態では、制御部５２０は、加速度センサ５１２の検出結果に基づいて生成される時系列データのパターンと、加速度センサ５１２の検出結果に基づいて算出される位置との少なくとも一方に基づいて、アクティブ状態とスリープ状態との間で遷移する。従って、例えば、センシング端末５００が所定位置にあるか否か、または、基板処理装置１００が所定の処理を実行しているか否かに基づいて、制御部５２０はアクティブ状態とスリープ状態との間で容易に遷移できる。よって、センシング端末５００が所定位置にないとき、または、基板処理装置１００が所定の処理を実行していないときに、制御部５２０が所定の動作を実行することを容易に抑制できる。さらに、制御部５２０による所定の動作の実行を抑制できるので、記憶部５３０に記憶するデータ量を抑制できる。よって、記憶部５３０を小型化することも可能である。
　具体的には、制御部５２０は、例えば、加速度センサ５１２の検出結果に基づいて、時系列データを生成する。また、制御部５２０は、例えば、加速度センサ５１２の検出結果に基づいて、時系列データのパターンを生成する。図４は、加速度センサ５１２の検出結果に基づいて生成される加速度に関する時系列データのパターンの一例を示す図である。図５は、加速度センサ５１２の検出結果に基づいて生成される速度に関する時系列データのパターンの一例を示す図である。時系列データのパターンは、加速度に関する時系列データのパターン（図４参照）であってもよい。また、時系列データのパターンは、速度に関する時系列データのパターン（図５参照）であってもよい。また、時系列データのパターンは、位置に関する時系列データのパターン（図示せず）であってもよい。このように、時系列データのパターンは、例えば、加速度、速度または位置を縦軸に、時間を横軸にしたものである。基板処理装置１００が同じ処理を実行する場合、例えば、加速度センサ５１２が取り付けられる部材（ここでは、ノズル３４）の時系列データのパターンは、略同じパターンになる。
　また、具体的には、制御部５２０は、例えば、加速度センサ５１２の検出結果に基づいて、センシング端末５００の位置を算出する。言い換えると、制御部５２０は、例えば、加速度センサ５１２の検出結果に基づいて、加速度センサ５１２の位置、検出センサ５１１の位置、または、センシング端末５００が固定される部材等の位置を算出する。例えば、センシング端末５００の位置は、退避位置におけるセンシング端末５００の位置（例えば、ホームポジション）に対して、センシング端末５００の移動方向および移動距離を積算することによって、算出される。センシング端末５００の移動方向および移動距離は、例えば、加速度センサ５１２の検出値を２回積分することによって算出可能である。
　また、本実施形態では、制御部５２０は、時系列データのパターン（図４および図５参照）と、算出されるセンシング端末５００の位置との少なくとも一方に基づいて、検出センサ５１１が所定位置に配置されたか否かを判定する。従って、時系列データのパターンと、算出される位置との少なくとも一方に基づいて、センシング端末５００が所定位置にあるか否か、または、基板処理装置１００が所定の処理を実行しているか否かを容易に判定できる。そして、制御部５２０は、所定位置に配置されたと判定した場合、スリープ状態からアクティブ状態に遷移する。従って、センシング端末５００が所定位置にないとき、または、基板処理装置１００が所定の処理を実行していないときに、制御部５２０が所定の動作を実行することを容易に抑制できる。
　また、本実施形態では、制御部５２０は、加速度センサ５１２の検出結果に基づいて、センシング端末５００が所定位置から移動されたか否かを判定し、所定位置から移動されたと判定した場合、アクティブ状態からスリープ状態に遷移する。従って、時系列データのパターンと算出される位置との少なくとも一方に基づいて、センシング端末５００が所定位置にあるか否か、または、基板処理装置１００が所定の処理を実行しているか否かを容易に判定できる。よって、センシング端末５００が所定位置にないとき、または、基板処理装置１００が所定の処理を実行していないときに、制御部５２０が所定の動作を実行することを容易に抑制できる。
　次に、理解を容易にするために、センシング端末５００によるセンシング方法を説明する前に、図６を参照して、基板処理装置１００による基板処理方法の一例を説明する。図６は、基板処理装置１００による基板処理方法の一例を示すフローチャートである。
　本実施形態の基板処理装置１００による基板処理方法の一例は、ステップＳ１～ステップＳ６を含む。ステップＳ１～ステップＳ６は、制御部１０２によって実行される。
　図６に示すように、ステップＳ１において、制御部５２０は、ノズル３４を吐出位置へ移動させる。具体的には、制御部５２０は、駆動機構３８３により、ノズル３４を退避位置から吐出位置へ移動させる。例えば、退避位置は、基板Ｗの上方から水平方向に移動した位置である。つまり、退避位置は、基板Ｗの上方以外の位置である。吐出位置は、基板Ｗの上方の位置である。吐出位置は、ノズル３４から処理液を吐出する際にノズル３４が配置される位置である。
　次に、ステップＳ２において、制御部５２０は、基板保持部２０により、基板Ｗを回転させる。具体的には、制御部５２０は、電動モーター２４によりスピンベース２１を回転させることによって、基板Ｗを回転させる。なお、本実施形態では、ノズル３４を吐出位置へ移動させた後に、基板Ｗの回転を開始するが、基板Ｗの回転を開始した後にノズル３４を吐出位置へ移動させてもよいし、ノズル３４の吐出位置への移動と基板Ｗの回転の開始とを並行して行ってもよい。
　次に、ステップＳ３において、制御部５２０は、ノズル３４から処理液を吐出させる。処理液は、図示しないヒータにより所定温度に加熱された状態で、ノズル３４から基板Ｗ上に吐出される。これにより、基板Ｗに対して所定の処理（エッチング等）が施される。
　次に、ステップＳ４において、制御部５２０は、ノズル３４からの処理液の吐出を停止する。具体的には、ステップＳ３による処理液の吐出を開始してから所定時間経過すると、制御部５２０は、処理液の吐出を停止する。
　次に、ステップＳ５において、制御部５２０は、基板Ｗの回転を停止する。具体的には、制御部５２０は、電動モーター２４によるスピンベース２１の回転を停止することによって、基板Ｗの回転を停止する。
　次に、ステップＳ６において、制御部５２０は、ノズル３４を退避位置へ移動させる。具体的には、制御部５２０は、駆動機構３８３により、ノズル３４を吐出位置から退避位置へ移動させる。なお、本実施形態では、基板Ｗの回転を停止した後に、ノズル３４を退避位置へ移動させるが、ノズル３４を退避位置へ移動させた後に基板Ｗの回転を停止してもよいし、基板Ｗの回転の停止とノズル３４の退避位置への移動とを並行して行ってもよい。
　以上のようにして、基板Ｗに対する処理が終了する。
　次に、本実施形態のセンシング端末５００によるセンシング方法について説明する。図７は、センシング端末５００によるセンシング方法の一例を示すフローチャートである。
　本実施形態のセンシング端末５００によるセンシング方法は、ステップＳ１０１～ステップＳ１０５を含む。ステップＳ１０１～ステップＳ１０５は、制御部５２０によって実行される。なお、ステップＳ１０１およびステップＳ１０４は、本発明の「加速度センサが加速度を検出するステップ」の一例である。また、ステップＳ１０２およびステップＳ１０５は、本発明の「アクティブ状態とスリープ状態との間で遷移するステップ」の一例である。
　図７に示すように、ステップＳ１０１において、制御部５２０は、センシング端末５００が所定位置に配置されたか否かを判定する。なお、ステップＳ１０１では、制御部５２０は、スリープ状態になっている。
　具体的には、上記ステップＳ１でノズル３４が退避位置から吐出位置に移動する際に、加速度センサ５１２は加速度の変化を検出する。詳細には、加速度センサ５１２は、水平方向の加速度が大きくなっていることを検出する。制御部５２０は、加速度センサ５１２の検出結果に基づいて時系列データのパターン（図４および図５参照）を生成し、時系列データのパターンに基づいてセンシング端末５００が所定位置に配置されたか否かを判定する。または、制御部５２０は、加速度センサ５１２の検出結果に基づいてセンシング端末５００の位置を算出し、算出した位置に基づいてセンシング端末５００が所定位置に配置されたか否かを判定する。なお、制御部５２０は、時系列データのパターンと算出した位置との両方に基づいて、センシング端末５００が所定位置に配置されたか否かを判定してもよい。
　例えば、制御部５２０は、生成した時系列データのパターンと、予め記憶部５３０に記憶された基準パターンとを比較する。例えば、制御部５２０は、生成した時系列データのパターンと予め記憶部５３０に記憶された基準パターンとの一致度が閾値以上であるか否かによって、センシング端末５００が所定位置に配置されたか否かを判定する。
　または、例えば、制御部５２０は、算出した位置と、予め記憶部５３０に記憶された目標位置とを比較する。例えば、制御部５２０は、算出した位置と予め記憶部５３０に記憶された目標位置との一致度が閾値以上であるか否かによって、センシング端末５００が所定位置に配置されたか否かを判定する。
　ステップＳ１０１で、センシング端末５００が所定位置に配置されていないと制御部５２０が判定した場合、処理はステップＳ１０１を繰り返す。具体的には、上記ステップＳ１でノズル３４が吐出位置に配置されるまで、処理はステップＳ１０１を繰り返す。
　その一方、ステップＳ１０１で、センシング端末５００が所定位置に配置されたと制御部５２０が判定した場合、処理はステップＳ１０２に進む。具体的には、上記ステップＳ１でノズル３４が吐出位置に配置されると、処理はステップＳ１０２に進む。
　次に、ステップＳ１０２において、制御部５２０は、スリープ状態からアクティブ状態に遷移する。
　次に、ステップＳ１０３において、制御部５２０は、センシングを実行する。つまり、センシング端末５００によるセンシングが実行される。具体的には、制御部５２０は、検出センサ５１１からの信号を検出値に変換する。また、制御部５２０は、変換した検出値を用いて、検出値の時系列データを生成する。また、制御部５２０は、生成した時系列データを圧縮し、記憶部５３０に記憶する。
　次に、ステップＳ１０４において、制御部５２０は、センシング端末５００が所定位置から移動されたか否かを判定する。具体的には、上記ステップＳ６でノズル３４が吐出位置から退避位置に移動する際に、加速度センサ５１２は加速度の変化を検出する。
　例えば、制御部５２０は、ステップＳ１０１と同様にして、生成した時系列データのパターンと予め記憶部５３０に記憶された基準パターンとの一致度が閾値以上であるか否かによって、センシング端末５００が所定位置から移動されたか否かを判定する。
　または、例えば、制御部５２０は、ステップＳ１０１と同様にして、算出した位置と予め記憶部５３０に記憶された退避位置との一致度が閾値以上であるか否かによって、センシング端末５００が所定位置から移動されたか否かを判定してもよい。
　ステップＳ１０４で、センシング端末５００が所定位置から移動されていないと制御部５２０が判定した場合、処理はステップＳ１０３に戻る。具体的には、上記ステップＳ６でノズル３４が吐出位置から退避位置に向かって移動を開始するまで、処理はステップＳ１０３およびステップＳ１０４を繰り返す。または、上記ステップＳ６でノズル３４が退避位置に到達するまで、処理はステップＳ１０３およびステップＳ１０４を繰り返してもよい。
　その一方、ステップＳ１０４で、センシング端末５００が所定位置から移動されたと制御部５２０が判定した場合、処理はステップＳ１０５に進む。具体的には、上記ステップＳ６でノズル３４が吐出位置から退避位置に向かって移動を開始すると、処理はステップＳ１０５に進む。または、上記ステップＳ６でノズル３４が退避位置に到達すると、処理はステップＳ１０５に進んでもよい。
　次に、ステップＳ１０５において、制御部５２０は、アクティブ状態からスリープ状態に遷移する。これにより、制御部５２０は、センシングを停止する。つまり、センシング端末５００によるセンシングが停止する。具体的には、制御部５２０は、例えば、検出センサ５１１からの信号を検出値に変換しない。または、制御部５２０は、変換した検出値を用いて時系列データを生成しなくてもよい。または、制御部５２０は、例えば、時系列データを圧縮したり、記憶部５３０に記憶したりしなくてもよい。または、制御部５２０は、スリープ状態に遷移することによって、例えば、検出センサ５１１からの検出結果を受信しなくてもよいし、環境を検出するための電圧を検出センサ５１１に供給しなくてもよい。
　以上のようにして、センシング端末５００によるセンシングが終了する。
　以上、図１～図７を参照して本発明の第１実施形態を説明した。本実施形態では、上記のように、例えば、センシング端末５００が所定位置にあるときのみ、または、基板処理装置１００が所定の処理を実行しているときのみ、制御部５２０による所定の動作を実行することができる。よって、センシング端末５００が所定位置にないとき、または、基板処理装置１００が所定の処理を実行していないときに、制御部５２０が所定の動作を実行することを抑制できる。その結果、センシング端末５００の消費電力を抑えることができる。本実施形態では、例えば、ノズル３４が基板Ｗの上方の吐出位置にないときにおける、センシング端末５００の消費電力を抑えることができる。
　また、上記のように、ステップＳ１０４で、ノズル３４が吐出位置から退避位置に向かって移動を開始することによって、処理はステップＳ１０５に進む。従って、ノズル３４が退避位置に到達した後に処理がステップＳ１０５に進む場合に比べて、早いタイミングでアクティブ状態からスリープ状態に遷移する。よって、センシング端末５００の消費電力をより抑えることができる。
（第２実施形態）
　次に、図８を参照して、本発明の第２実施形態によるセンシング端末５００を説明する。第２実施形態では、第１実施形態とは異なり、センシング端末５００が基板保持部２０に取り付けられる例について説明する。図８は、本実施形態のセンシング端末５００が基板処理装置１００の基板保持部２０に取り付けられた状態を示す模式図である。
　図８に示すように、センシング端末５００は、基板保持部２０に取り付けられる。本実施形態では、センシング端末５００は、基板保持部２０のスピンベース２１に取り付けられる。センシング端末５００は、例えば、スピンベース２１の温度、または、スピンベース２１上に配置された基板Ｗの温度を検出する。本実施形態では、センシング端末５００は、スピンベース２１が回転している状態において、スピンベース２１の温度、または、基板Ｗの温度を検出する。
　本実施形態では、制御部５２０は、加速度センサ５１２の検出結果と、所定の閾値とを比較し、比較した結果に基づいて、アクティブ状態とスリープ状態との間で遷移する。従って、例えば、加速度センサ５１２の検出値の時系列データのパターンを生成したり、センシング端末５００の位置を算出したりしなくてよい。よって、制御部５２０は、アクティブ状態とスリープ状態との間で容易に遷移することができる。本実施形態では、例えば、基板Ｗが回転しないときにおけるセンシング端末５００の消費電力を抑えることができる。
　具体的には、制御部５２０は、加速度センサ５１２の検出結果が所定の閾値（以下、第１閾値と記載することがある）以上になったか否かを判定する。所定の閾値は、予め決められた値であり、例えば、記憶部５３０に記憶されている。所定の閾値は、例えば、ゼロより大きく、基板Ｗを処理しているときの加速度よりも小さい値である。そして、制御部５２０は、加速度センサ５１２の検出結果が所定の閾値以上になった場合、スリープ状態からアクティブ状態に遷移する。従って、例えば、基板処理装置１００が所定の処理を実行しているときのみ、容易に、制御部５２０による所定の動作を実行することができる。よって、基板処理装置１００が所定の処理を実行していないときに、制御部５２０が所定の動作を実行することを容易に抑制できる。
　また、制御部５２０は、加速度センサ５１２の検出結果が所定の閾値（以下、第２閾値と記載することがある）未満になったか否かを判定する。そして、制御部５２０は、加速度センサ５１２の検出結果が所定の閾値未満になった場合、アクティブ状態からスリープ状態に遷移する。なお、第２閾値は、第１閾値と同じであってもよいし、第１閾値と異なってもよい。
　次に、本実施形態のセンシング端末５００によるセンシング方法について説明する。図９は、センシング端末５００によるセンシング方法の一例を示すフローチャートである。
　本実施形態のセンシング端末５００によるセンシング方法は、ステップＳ２０１～ステップＳ２０５を含む。ステップＳ２０１～ステップＳ２０５は、制御部５２０によって実行される。なお、ステップＳ２０１およびステップＳ２０４は、本発明の「加速度センサが加速度を検出するステップ」の一例である。また、ステップＳ２０２およびステップＳ２０５は、本発明の「アクティブ状態とスリープ状態との間で遷移するステップ」の一例である。
　図９に示すように、ステップＳ２０１において、制御部５２０は、加速度センサ５１２の検出結果が所定の閾値（第１閾値）以上になったか否かを判定する。なお、ステップＳ２０１では、制御部５２０は、スリープ状態になっている。
　具体的には、上記ステップＳ２で基板保持部２０のスピンベース２１が回転を開始すると、加速度センサ５１２は加速度の変化を検出する。詳細には、加速度センサ５１２は、回転軸線Ａｘを中心とする径方向の加速度が大きくなったことを検出する。制御部５２０は、加速度センサ５１２の検出結果が所定の閾値以上になったか否かを判定する。なお、スピンベース２１が回転していない状態では、加速度センサ５１２の検出結果は、例えばゼロである。また、スピンベース２１の回転速度が大きくなるにしたがって、加速度センサ５１２の検出結果も大きくなる。
　ステップＳ２０１で、加速度センサ５１２の検出結果が所定の閾値以上になっていないと制御部５２０が判定した場合、処理はステップＳ２０１を繰り返す。具体的には、上記ステップＳ２でスピンベース２１の回転速度が所定値以上になるまで、処理はステップＳ２０１を繰り返す。
　その一方、ステップＳ２０１で、加速度センサ５１２の検出結果が所定の閾値以上になったと制御部５２０が判定した場合、処理はステップＳ２０２に進む。具体的には、上記ステップＳ２でスピンベース２１の回転速度が所定値以上になると、処理はステップＳ２０２に進む。
　次に、ステップＳ２０２において、制御部５２０は、スリープ状態からアクティブ状態に遷移する。
　次に、ステップＳ２０３において、制御部５２０は、センシングを実行する。つまり、センシング端末５００によるセンシングが実行される。具体的には、制御部５２０は、検出センサ５１１からの信号を検出値に変換する。また、制御部５２０は、変換した検出値を用いて、検出値の時系列データを生成する。また、制御部５２０は、生成した時系列データを圧縮し、記憶部５３０に記憶する。
　次に、ステップＳ２０４において、制御部５２０は、加速度センサ５１２の検出結果が所定の閾値（第２閾値）未満になったか否かを判定する。具体的には、上記ステップＳ５でスピンベース２１の回転が停止される際に、スピンベース２１の回転速度は、所定値未満になった後、ゼロになる。
　ステップＳ２０４で、加速度センサ５１２の検出結果が所定の閾値未満になっていないと制御部５２０が判定した場合、処理はステップＳ２０３に戻る。具体的には、上記ステップＳ５でスピンベース２１の回転速度が所定値未満になるまで、処理はステップＳ２０３およびステップＳ２０４を繰り返す。
　その一方、ステップＳ２０４で、加速度センサ５１２の検出結果が所定の閾値未満になったと制御部５２０が判定した場合、処理はステップＳ２０５に進む。具体的には、上記ステップＳ５でスピンベース２１の回転速度が所定値未満になると、処理はステップＳ２０５に進む。
　次に、ステップＳ２０５において、制御部５２０は、アクティブ状態からスリープ状態に遷移する。これにより、制御部５２０は、センシングを停止する。つまり、センシング端末５００によるセンシングが停止する。
　以上のようにして、センシング端末５００によるセンシングが終了する。
　第２実施形態のその他の構成およびセンシング方法は、上記第１実施形態と同様である。
　以上、図８および図９を参照して本発明の第２実施形態を説明した。本実施形態では、上記のように、制御部５２０は、加速度センサ５１２の検出結果と、所定の閾値とを比較し、比較した結果に基づいて、アクティブ状態とスリープ状態との間で遷移する。従って、制御部５２０は、例えば、加速度センサ５１２の検出値の時系列データのパターンを生成したり、センシング端末５００の位置を算出したりしなくてよい。よって、制御部５２０は、アクティブ状態とスリープ状態との間で容易に遷移することができる。本実施形態では、例えば、基板Ｗが回転しないときにおけるセンシング端末５００の消費電力を容易に抑えることができる。
　第２実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。
　以上、図面を参照して本発明の実施形態を説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素を適宜組み合わせることによって、種々の発明の形成が可能である。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。図面は、理解しやすくするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚み、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の材質、形状、寸法等は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
　例えば、上記実施形態では、記憶部５３０に記憶されたデータが、センシング端末５００がセンシングを実行していないときに受信装置に送信される例について説明したが、本発明はこれに限らない。記憶部５３０に記憶されたデータは、センシング端末５００がセンシングを実行しているときに受信装置に送信されてもよい。このように構成すれば、記憶部５３０に記憶するデータ量を抑制できるので、記憶部５３０を小型化することができる。
　また、上記実施形態では、センシング端末５００がノズル３４またはスピンベース２１に取り付けられる例について説明したが、本発明はこれに限らない。例えば、センシング端末５００は、ウエハ形状を有する端末であってもよい。このように構成すれば、例えば、処理中の基板Ｗの温度、または、処理中に基板Ｗに吐出される薬液の温度等を容易に検出できる。
　また、上記実施形態では、基板Ｗに対する処理中の環境を検出する例について説明したが、本発明はこれに限らない。例えば、インデクサーロボット１４０またはセンターロボット１５０による基板Ｗの搬送中の環境を検出してもよい。
　また、例えば第１実施形態では、センシング端末５００が所定位置に配置された場合に、制御部５２０がスリープ状態からアクティブ状態に遷移する例について説明したが、本発明はこれに限らない。例えば、センシング端末５００が所定位置に配置された場合に、制御部５２０がアクティブ状態からスリープ状態に遷移してもよい。
　また、例えば第１実施形態では、検出センサ５１１が所定位置から移動された場合に、制御部５２０がアクティブ状態からスリープ状態に遷移する例について説明したが、本発明はこれに限らない。例えば、検出センサ５１１が所定位置から移動された場合に、制御部５２０がスリープ状態からアクティブ状態に遷移してもよい。
　また、例えば第２実施形態では、加速度センサ５１２の検出結果が所定の閾値以上になった場合に、スリープ状態からアクティブ状態に遷移する例について説明したが、本発明はこれに限らない。例えば、加速度センサ５１２の検出結果が所定の閾値以上になった場合に、アクティブ状態からスリープ状態に遷移してもよい。
　また、例えば第２実施形態では、加速度センサ５１２の検出結果が所定の閾値未満になった場合に、アクティブ状態からスリープ状態に遷移する例について説明したが、本発明はこれに限らない。例えば、加速度センサ５１２の検出結果が所定の閾値未満になった場合に、スリープ状態からアクティブ状態に遷移してもよい。
　本発明は、センシング端末およびセンシング方法に好適に用いられる。
１００　　：基板処理装置（製造装置、半導体製造装置）
５００　　：センシング端末
５１１　　：検出センサ
５１２　　：加速度センサ
５２０　　：制御部
５５０　　：バッテリー

Claims (8)

  1. 　製造装置内部の環境を検出する検出センサと、
    　前記検出センサの検出結果に基づいて所定の動作を実行するアクティブ状態と、前記アクティブ状態に比べて電力消費量が少ないスリープ状態との間で遷移可能な制御部と、
    　前記制御部に電力を供給するバッテリーと、
    　加速度を検出する加速度センサと
    　を備え、
    　前記制御部は、前記加速度センサの検出結果に基づいて、前記アクティブ状態と前記スリープ状態との間で遷移する、センシング端末。
  2. 　前記制御部は、前記加速度センサの検出結果に基づいて生成される時系列データのパターンと、前記加速度センサの検出結果に基づいて算出される位置との少なくとも一方に基づいて、前記アクティブ状態と前記スリープ状態との間で遷移する、請求項１に記載のセンシング端末。
  3. 　前記制御部は、
    　　前記パターンと前記位置との少なくとも一方に基づいて、前記センシング端末が所定位置に配置されたか否かを判定し、
    　　前記所定位置に配置されたと判定した場合、前記スリープ状態から前記アクティブ状態に遷移する、請求項２に記載のセンシング端末。
  4. 　前記制御部は、
    　　前記加速度センサの検出結果に基づいて、前記センシング端末が前記所定位置から移動されたか否かを判定し、
    　　前記所定位置から移動されたと判定した場合、前記アクティブ状態から前記スリープ状態に遷移する、請求項３に記載のセンシング端末。
  5. 　前記制御部は、
    　　前記加速度センサの検出結果と、所定の閾値とを比較し、
    　　比較した結果に基づいて、前記アクティブ状態と前記スリープ状態との間で遷移する、請求項１に記載のセンシング端末。
  6. 　前記制御部は、
    　　前記加速度センサの検出結果が前記所定の閾値以上になったか否かを判定し、
    　　前記所定の閾値以上になった場合、前記スリープ状態から前記アクティブ状態に遷移する、請求項５に記載のセンシング端末。
  7. 　前記製造装置は、半導体デバイスを製造する半導体製造装置である、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のセンシング端末。
  8. 　製造装置内部の環境を検出する検出センサと、加速度センサと、制御部と、前記制御部に電力を供給するバッテリーとを備えたセンシング端末を用いたセンシング方法であって、
    　前記制御部は、前記検出センサの検出結果に基づいて所定の動作を実行するアクティブ状態と、前記アクティブ状態に比べて電力消費量が少ないスリープ状態との間で遷移可能であり、
    　前記センシング方法は、
    　前記加速度センサが加速度を検出するステップと、
    　前記制御部が、前記加速度センサの検出結果に基づいて、前記アクティブ状態と前記スリープ状態との間で遷移するステップと
    　を含む、センシング方法。
PCT/JP2023/035868 2022-10-03 2023-10-02 センシング端末およびセンシング方法 WO2024075679A1 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022-159683 2022-10-03
JP2022159683A JP2024053414A (ja) 2022-10-03 2022-10-03 センシング端末およびセンシング方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2024075679A1 true WO2024075679A1 (ja) 2024-04-11

Family

ID=90608037

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2023/035868 WO2024075679A1 (ja) 2022-10-03 2023-10-02 センシング端末およびセンシング方法

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2024053414A (ja)
WO (1) WO2024075679A1 (ja)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004507889A (ja) * 2000-08-22 2004-03-11 オンウエハー　テクノロジーズ　インコーポレーテッド 処理操作をおこなうため、効率的に利用するため、監視するため、及び制御するために、データを獲得する方法及び、その装置
KR101375324B1 (ko) * 2013-08-19 2014-03-18 슈펙스주식회사 무선통신을 기반으로 관리되는 엘이디 조명 장치 및 그 통합 관리 장치의 사용상태 관리 및 분실방지 방법
KR102213348B1 (ko) * 2020-08-03 2021-02-09 주식회사 티케이씨 고장감지 및 예방이 가능한 자가발전형 연속식 도금장치의 행거장치
JP2022077850A (ja) * 2020-11-12 2022-05-24 キヤノン株式会社 情報処理装置、システム、生産設備、情報処理方法、物品の製造方法、制御プログラム、及び記録媒体

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004507889A (ja) * 2000-08-22 2004-03-11 オンウエハー　テクノロジーズ　インコーポレーテッド 処理操作をおこなうため、効率的に利用するため、監視するため、及び制御するために、データを獲得する方法及び、その装置
KR101375324B1 (ko) * 2013-08-19 2014-03-18 슈펙스주식회사 무선통신을 기반으로 관리되는 엘이디 조명 장치 및 그 통합 관리 장치의 사용상태 관리 및 분실방지 방법
KR102213348B1 (ko) * 2020-08-03 2021-02-09 주식회사 티케이씨 고장감지 및 예방이 가능한 자가발전형 연속식 도금장치의 행거장치
JP2022077850A (ja) * 2020-11-12 2022-05-24 キヤノン株式会社 情報処理装置、システム、生産設備、情報処理方法、物品の製造方法、制御プログラム、及び記録媒体

Also Published As

Publication number Publication date
JP2024053414A (ja) 2024-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11715648B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate drying method
KR102671101B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 시스템
JP2002219424A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
US20130061888A1 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method and storage medium
JP2008053325A (ja) 基板搬送装置及び基板搬送方法
WO2018147008A1 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP5844673B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
WO2024075679A1 (ja) センシング端末およびセンシング方法
US12002688B2 (en) Substrate cleaning device and substrate cleaning method
KR20230004753A (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 학습용 데이터의 생성 방법, 학습 방법, 학습 장치, 학습이 완료된 모델의 생성 방법, 및, 학습이 완료된 모델
US10790151B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2019140166A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
US20070157957A1 (en) Substrate transfer robot and apparatus having the substrate transfer robot for cleaning a substrate
JP2018182228A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
US20230205178A1 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, training data generating method, training method, training device, trained model generating method, and trained model
JP5370381B2 (ja) 液処理方法、液処理装置及び記憶媒体
CN115692256A (zh) 用于处理衬底的装置
JP5194044B2 (ja) 処理液供給装置および処理液供給方法
JP2007324610A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2024079200A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
WO2024062739A1 (ja) 基板処理装置およびパーティクル除去方法
WO2023182218A1 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
TWI839163B (zh) 基板處理裝置以及基板處理方法
JP2023141831A (ja) 不活性ガスの供給方法および基板処理装置
JP2024075338A (ja) 基板処理装置および基板処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 23874806

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1