WO2024051703A1

WO2024051703A1 - 一种籽晶托及晶体生长方法

Info

Publication number: WO2024051703A1
Application number: PCT/CN2023/117096
Authority: WO
Inventors: 王宇; 官伟明; 顾鹏; 雷沛
Original assignee: 眉山博雅新材料股份有限公司
Priority date: 2022-09-09
Filing date: 2023-09-05
Publication date: 2024-03-14
Also published as: CN218989469U; TW202413742A

Abstract

本说明书实施例提供一种籽晶托及晶体生长方法，所述籽晶托包括籽晶托本体和连接杆，所述籽晶托本体固定在所述连接杆的一端，所述籽晶托本体上远离所述连接杆的一侧设有籽晶粘接面。

Description

一种籽晶托及晶体生长方法

交叉引用

本申请要求2022年09月09日提交的申请号为202222415184.0的中国申请的优先权，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本说明书涉及晶体制备领域，特别涉及一种籽晶托及晶体生长方法。

背景技术

液相法是生长晶体(例如，碳化硅单晶)的方法之一。在使用液相法进行晶体(例如，半导体晶体)生长时，需要先将籽晶粘接在籽晶托上，再进行晶体生长，籽晶的粘接质量直接影响制备的晶体的质量。在使用上提拉法制备晶体时，需要将籽晶粘接在籽晶托上，通过降低籽晶托使籽晶与熔液接触，从而实现晶体的生长。因此，籽晶托的结构设计、籽晶托与晶体的粘接情况等对于晶体的生长都非常重要。

发明内容

本说明书一个或多个实施例提供一种籽晶托，其包括籽晶托本体和连接杆，所述籽晶托本体固定在所述连接杆的一端，所述籽晶托本体上远离所述连接杆的一侧设有籽晶粘接面。

在一些实施例中，所述籽晶托本体包括中空的第一内腔，所述连接杆内设有供冷却介质流通的通道；所述通道与所述第一内腔相连通。

在一些实施例中，所述籽晶托本体上设有与所述第一内腔连通的第一通孔。

在一些实施例中，所述内腔中设有冷却介质扩散结构。

在一些实施例中，所述冷却介质扩散结构包括壳体，所述壳体内形成第二内腔，所述壳体上设有多个扩散孔，所述通道与所述第二内腔连通，所述扩散孔连通所述第一内腔和所述第二内腔。

在一些实施例中，所述籽晶托还包括冷却设备，所述冷却设备将所述冷却介质输送给所述通道，所述冷却介质以预设流速在所述通道内流动。

在一些实施例中，所述冷却介质为惰性气体，预设流速大于0.4m/s。

在一些实施例中，所述籽晶托还包括增重结构，所述增重结构连接在所述籽晶托本体上。

在一些实施例中，所述籽晶托还包括设于所述连接杆上的冷却结构，所述冷却结构冷却所述通道内的冷却介质。

在一些实施例中，所述籽晶托还包括驱动机构和搅拌机构，所述连接杆的另一端与所述驱动机构相连，所述驱动机构通过连接杆带动所述籽晶托本体绕所述连接杆的轴线旋转；所述搅拌机构连接在所述籽晶托本体上，所述搅拌机构搅拌用于晶体生长的熔液。

在一些实施例中，所述搅拌机构包括安装杆和搅拌桨，所述搅拌桨位于所述籽晶粘接面的远离所述连接杆的一侧。

在一些实施例中，所述搅拌机构的数量是多个，多个所述搅拌机构环绕所述籽晶托本体设置。

在一些实施例中，所述搅拌机构的材质为钨合金、高温陶瓷中的一种或多种。

在一些实施例中，所述籽晶托主体包括至少两个子部，所述至少两个子部的每个所述子部上均设有半槽；所述籽晶托还包括锁紧结构和卡接结构，所述卡接结构设于连接杆与所述籽晶托本体连接的一端；所述至少两个子部拼接而使得至少两个子部中各个所述子部上的半槽拼接成卡接槽，所述卡接结构卡接在所述卡接槽内；锁紧结构将拼接的所述至少两个子部相固定。

在一些实施例中，所述至少两个子部包括结构相同的第一子部和第二子部；所述第一子部和所述第二子部以所述连接杆的轴线为对称轴对称设置。

在一些实施例中，所述卡接槽沿所述连接杆的轴线方向排列的第一槽体和第二槽体，所述第一槽体比所述第二槽体更靠近所述籽晶粘接面；所述第一槽体沿垂直于所述连接杆的轴线的截面的面积大于所述第二槽体沿垂直于所述连接杆的轴线的截面的面积；所述卡接结构沿垂直于所述连接杆的轴线的截面的面积大于所述连接杆沿垂直于所述连接杆的轴线的截面的面积。

在一些实施例中，所述卡接结构呈多面体形状。

在一些实施例中，所述锁紧结构包括环形槽和锁紧环；所述环形槽环绕所述籽晶托主体的外壁设置，所述锁紧环套设在拼接后的所述至少两个子部外且设置在所述环形槽内。

在一些实施例中，所述籽晶托还包括环形的保护托，所述保护托内设有与所述籽晶托本体的形状匹配的容纳腔；所述保护托环绕所述籽晶托本体设置，且所述保护托环绕所述连接杆的与所述籽晶托本体连接的一端设置。

在一些实施例中，所述籽晶托还包括环形的第一保护套，所述第一保护套套设在所述连接杆外，且所述第一保护套位于所述连接杆与所述保护托之间。

在一些实施例中，所述连接杆沿所述连接杆的轴向包括第一外径段和第二外径段；所述第一外径段的外径小于所述第二外径段的外径，所述第一外径段比所述第二外径段更靠近所述籽晶托本体；所述第一保护套沿所述连接杆的轴向包括第一内径段和第二内径段；所述第一内径段的外径小于所述第二内径段的内径，所述第一内径段与所述第一外径段匹配，所述第二内径段与所述第二外径段匹配。

在一些实施例中，所述保护托的远离所述连接杆的一侧表面上设有环形的第二保护套，所述第二保护套嵌入所述保护托内，且所述第二保护套环绕所述容纳腔设置。

在一些实施例中，当所述籽晶粘接面上粘接有籽晶时，所述第二保护套远离所述连接杆的一端与所述籽晶贴合。

在一些实施例中，所述保护托的远离所述连接杆的一侧表面上设有第一凹槽；所述第一凹槽的直径大于所述容纳腔背离所述连接杆的一侧的开口的直径；所述第一凹槽包括与所述开口连通的连通部分以及环绕在所述连通部分外的环形部分；所述环形部分的底面与所述籽晶粘接面位于同一平面上；所述环形保护套设于所述环形部分的底面上。

在一些实施例中，所述第一凹槽的直径大于所述开口的直径5mm-10mm。

在一些实施例中，所述籽晶粘接面上粘接有石墨纸，所述石墨纸朝向远离所述连接杆的方向凸出于所述第二保护套的远离所述连接杆的一侧表面。

本说明书一个或多个实施例提供一种籽晶粘接装置，所述籽晶粘接装置包括一个或多个粘接组件，所述粘接组件包括支撑部件和施压部件，所述支撑部件支撑籽晶托，所述施压部件施加压力，所述压力将所述籽晶托和所述籽晶托上的籽晶相向压合。

在一些实施例中，所述支撑部件包括第一压件和第二压件，所述施压部件包括第一压盘；所述第一压件的侧壁包括至少一个第一排气孔；所述第二压件与所述第一压件嵌套连接；其中，在籽晶粘接固定过程中，籽晶放置于所述第二压件的上表面，籽晶托放置于所述籽晶上表面；所述第一压盘向所述籽晶托施加压力。

在一些实施例中，所述第一压件底部包括第二通孔，所述第二压件底部包括第一凸起，所述第一凸起与所述第二通孔相互配合实现所述第一压件和所述第二压件的嵌套连接。

在一些实施例中，所述第一排气孔的横截面直径包括0.01mm-10mm。

在一些实施例中，所述第一压件和所述第二压件嵌套连接后，所述第一排气孔与所述第二压件上表面的竖直距离在0.2mm-5mm的范围内。

在一些实施例中，所述第二压件的侧壁包括至少一个第二排气孔，所述第一排气孔与所述第二排气孔至少部分相对应。

在一些实施例中，所述第二排气孔的横截面直径包括0.01mm-10mm。

在一些实施例中，所述第二排气孔与所述第二压件上表面的竖直距离在0.2mm-5mm的范围内。

在一些实施例中，所述第二压件的高度小于所述第一压件的高度。

在一些实施例中，所述籽晶托与所述第一压件螺纹连接。

在一些实施例中，所述第一压盘底部包括第二凸起，所述籽晶托上部包括第二凹槽，所述第二凸起和所述第二凹槽配合实现所述第一压盘和所述籽晶托的连接。

在一些实施例中，支撑部件包括环形底座，所述环形底座和盖体，所述籽晶托放置在所述环形底座上；所述盖体包括环形的侧壁和盖板，所述侧壁套设在所述环形底座外，所述盖体向所述籽晶托上的籽晶施加压力。

在一些实施例中，还包括第一连接件和第二连接件，所述第一连接件设于所述环形底座上，所述第二连接件设于所述盖体上；所述第一连接件与所述第二连接件可拆卸连接；当所述第一连接件与所述第二连接件连接，所述盖体的盖板向所述籽晶托上的籽晶施加压力。

在一些实施例中，所述底座上设有锁紧结构，所述锁紧结构将所述籽晶托固定到所述环形底座上。

在一些实施例中，所述籽晶托的远离所述籽晶粘接面的一侧设有连接螺纹孔，锁紧结构包括锁紧盘、锁紧件和锁紧螺母，所述锁紧件包括托盘、第一螺纹杆和第二螺纹杆，所述托盘承托所述籽晶托的远离所述籽晶粘接面的一侧，所述第一螺纹杆与所述连接螺纹孔配合；所述锁紧盘上设有安装孔，所述第二螺纹杆穿过所述安装孔，所述锁紧螺母与所述第二螺纹杆配合；所述锁紧螺母和所述托盘分别位于所述锁紧盘的沿所述安装孔的轴线方向的两侧。

在一些实施例中，所述托盘由弹性材料制成。

在一些实施例中，所述环形底座的内壁上设有承托结构，所述承托结构包括环形连接板、环形承托板和环形承托凸起；所述环形承托板的外环连接所述环形连接板，所述环形承托板的内环设有所述环形承托凸起，所述环形承托凸起承托所述籽晶托；所述环形连接板连接所述环形底座的内壁。

在一些实施例中，所述盖体上设气泡去除装置，所述气泡去除装置去除籽晶与所述籽晶托之间的气泡。

在一些实施例中，所述气泡去除装置包括插槽、插板和滚轮；所述插槽设于所述盖体上，所述插板位于所述插槽内，所述滚轮设于所述插板的一端；所述插板在所述插槽内运动，以带动所述滚轮滚压所述籽晶。

在一些实施例中，所述插板的另一端设有拉环。

在一些实施例中，所述粘接组件的数量是多个，所述支撑部件包括支撑盘，所述支撑盘承托所述籽晶和所述籽晶托，所述籽晶位于所述支撑盘和所述籽晶托之间；所述籽晶粘接装置还包括支撑架以及设于所述支撑架上的多个施压驱动件，所述支撑盘设于所述支撑架上，所述籽晶粘接装置包括多个粘接组件，多个施压驱动件分别与多个所述施压部件连接；所述施压驱动件使得所述施压部件对所述籽晶托施加朝向所述支撑盘的压力。

在一些实施例中，所述支撑架包括沿着竖直方向延伸的多根支撑杆，多根所述支撑杆沿所述支撑盘的周向间隔布置；多个所述施压驱动件设于至少一根所述支撑杆上，且多个所述施压驱动件沿所述竖直方向间隔布置，多个籽晶粘接组件沿竖直方向间隔布置。

在一些实施例中，所述施压驱动件包括气压施压驱动件或液压施压驱动件。

在一些实施例中，设置有所述施压驱动件的所述支撑杆上设有传压介质通道，至少一个所述施压驱动件通过阀门与所述传压介质通道连通。

在一些实施例中，所述支撑盘可旋转地设于所述支撑架上，所述支撑盘的旋转轴线平行于所述支撑杆，所述籽晶粘接装置还包括旋转驱动件，所述旋转驱动件与所述支撑盘连接，以驱动所述支撑盘旋转。

在一些实施例中，所述旋转驱动件包括磁性元件、动力源和磁性驱动件；所述磁性驱动件与所述磁性元件磁耦合，所述磁性元件固定在所述支撑盘上，所述磁性驱动件固定在所述动力源的输出端上；所述动力源驱动所述磁性驱动件旋转，以驱动所述磁性元件带动所述支撑盘旋转。

在一些实施例中，所述施压部件包括设于所示支撑架上的限位压盘，所述施压驱动件包括第一子驱动件和第二子驱动件，所述第一子驱动件和所述第二子驱动件设于不同的所述支撑杆上；所述第一子驱动件和所述第二子驱动件沿所述限位压盘的周向间隔布置，且所述第一子驱动件和所述第二子驱动件均与所述限位压盘连接。

在一些实施例中，所述籽晶粘接装置还包括压力传感器，所述压力传感器用于确定各个所述施压部件所施加的压力。

在一些实施例中，所述籽晶粘接装置还包括控制器，所述控制器与所述阀门和所述压力传感器均信号连接；所述控制器被配置为：基于所述压力传感器感应的压力数据，调节所述阀门的开度。

本说明书一个或多个实施例提供一种坩埚，包括坩埚本体、驱动组件和温场保持盘，所述驱动组件包括驱动源和连接机构，所述连接机构连接在所述驱动源与所述坩埚本体的底部之间，所述驱动组件驱动所述坩埚本体绕坩埚本体的轴线相对所述温场保持盘旋转；所述温场保持盘设于所述连接结构上，且位于所述驱动源与所述坩埚本体的底部之间。

在一些实施例中，所述连接机构包括旋转柱和第一承托盘，所述第一承托盘设于所述旋转柱的一端，所述驱动源连接在所述旋转柱的另一端。

在一些实施例中，所述第一承托盘上包括同心布置的多个阶梯状凹槽。

在一些实施例中，所述连接机构包括第二承托盘，所述第二承托盘呈环形，所述第二承托盘位于所述第一承托盘和所述驱动源之间，所述第二承托盘的内环与所述旋转柱的外壁固定；所述第二承托盘与所述温场保持盘之间通过滚珠结构连接。

在一些实施例中，所述温场保持盘的材质为莫来石、刚玉以及氧化铝中的至少一种。

在一些实施例中，所述坩埚还包括多根伸缩支撑杆，所述伸缩支撑杆的一端连接在所述温场保持盘的底部。

在一些实施例中，所述坩埚还包括连接环和锁紧机构，所述连接环的侧壁上设有锁紧孔；所述连接环套设在所述驱动源的输出轴以及所述旋转柱的另一端外，所述锁紧孔与所述锁紧机构配合而将所述连接环与所述驱动源的输出轴以及所述旋转柱固定。

本说明书一个或多个实施例提供一种晶体生长方法，使用如前述实施例中所述的籽晶托，包括以下步骤：将籽晶粘接在籽晶托本体的籽晶粘接面上；将粘有所述籽晶的所述籽晶托沉入坩埚中的用于晶体生长的熔体中，且所述籽晶的远离所述籽晶托的一侧表面位于所述熔体温度最高的位置处；使用上提拉法生长晶体。

在一些实施例中，所述籽晶托本体的一部分位于所述熔体中，所述籽晶托本体的另一部分位于所述熔体外。

在一些实施例中，所述籽晶托能够绕着连接杆的轴线旋转，所述坩埚能够绕着所述坩埚的轴线旋转；所述连接杆的轴线与所述坩埚的轴线平行；所述使用上提拉法生长晶体包括：控制所述籽晶托和所述坩埚沿着相反的方向旋转。

在一些实施例中，所述籽晶托的旋转速度是0rpm～20rpm；所述坩埚的旋转速度是0rpm～20rpm。

在一些实施例中，所述籽晶托的旋转速度的数值与所述坩埚的旋转速度的数值的乘积为20或150。

在一些实施例中，在将粘有所述籽晶的所述籽晶托沉入用于晶体生长的熔体中之前，还包括：将所述熔体升温至1720℃～1780℃。

在一些实施例中，所述使用上提拉法生长晶体包括：保持粘有所述籽晶的所述籽晶托沉入所述熔体10min～30min；按照0.01mm/h～0.2mm/h的提拉速度提拉所述籽晶托而进行晶体生长。

在一些实施例中，所述使用上提拉法生长晶体包括：在晶体生长10h～30h后，按30mm/h-40mm/h的提拉速度将晶体提拉离开所述熔体，且所述晶体与所述熔体表面具有15mm～25mm的间隔高度。

在一些实施例中，将籽晶粘接在籽晶托本体的籽晶粘接面上，包括：使得所述籽晶的直径大于所述籽晶托本体的直径5mm-10mm，且所述籽晶突出于所述保护托的远离所述连接杆的一侧表面0.1mm-0.2mm。

在一些实施例中，所述保护托的远离所述连接杆的一侧表面上设有环形的第二保护套，所述第二保护套嵌入所述保护托内，且所述第二保护套环绕所述容纳腔设置；所述将籽晶粘接在籽晶托本体的籽晶粘接面上，包括：将籽晶与所述第二保护套远离所述连接杆的一端贴合，并粘接在籽晶托本体的籽晶粘接面上；所述晶体生长方法还包括：在晶体生长完成后，沿平行于所述籽晶粘接面的切割平面切割所述籽晶托，以将所述籽晶托与所述晶体分离；所述切割平面覆盖所述籽晶托本体、所述保护托和所述第二保护套。

附图说明

本说明书将以示例性实施例的方式进一步说明，这些示例性实施例将通过附图进行详细描述。这些实施例并非限制性的，在这些实施例中，相同的编号表示相同的结构，其中：

图1是根据本说明书一些实施例所示的籽晶托的示例性结构图；

图2A是根据本说明书一些实施例所示的另一籽晶托的示例性剖面图；

图2B是根据本说明书一些实施例所示的另一籽晶托的示例性剖面图；

图2C是根据本说明书一些实施例所示的另一籽晶托的示例性剖面图；

图3是根据本说明书一些实施例所示的另一籽晶托的示例性剖面图；

图4是根据本说明书一些实施例所示的另一籽晶托的示例性剖面图；

图5是根据本说明书一些实施例所示的另一籽晶托的示例性剖面图；

图6A是根据本说明书一些实施例所示的第一子部的示例性正视图；

图6B是根据本说明书一些实施例所示的第二子部的示例性正视图；

图6C是根据本说明书一些实施例所示的第一子部与第二子部拼接后的示例性正视图；

图7是根据本说明书一些实施例所示的另一籽晶托示例性俯视图；

图8是根据本说明书一些实施例所示的锁紧结构的示例性剖面图；

图9是根据本说明书一些实施例所示的锁紧结构的示例性仰视图；

图10是根据本说明书一些实施例所示的另一籽晶托的示例性剖面图；

图11是根据本说明书一些实施例所示的籽晶粘接装置的示例性模块图；

图12是根据本说明书一些实施例所示的籽晶粘接装置的示例性结构图；

图13是根据本说明书一些实施例所示的籽晶组件的示例性结构图；

图14是根据本说明书一些实施例所示的另一籽晶粘接装置的示例性剖面图；

图15A是根据本说明书一些实施例所示的锁紧件的示例性结构图；

图15B是根据本说明书一些实施例所示的气泡去除装置的示例性俯视图；

图16是根据本说明书一些实施例所示的另一籽晶粘接装置的示例性结构图；

图17是根据本说明书一些实施例所示的坩埚的示例性模块图；

图18是根据本说明书一些实施例所示的连接机构的示例性结构图；

图19是根据本说明书一些实施例所示的第二承托盘的示例性结构图；

图20A是根据本说明书一些实施例所示的伸缩支撑杆的示例性结构图；

图20B是根据本说明书一些实施例所示的温场保持盘的示例性结构图；

图21是根据本说明书一些实施例所示的连接环的示例性结构图；

图22是根据本说明书一些实施例所示的晶体生长方法的示例性流程图；

图23是根据本说明书一些实施例所示的生成晶体的示意图。

具体实施方式

为了更清楚地说明本说明书实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本说明书的一些示例或实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图将本说明书应用于其它类似情景。除非从语言环境中显而易见或另做说明，图中相同标号代表相同结构或操作。

应当理解，本文使用的“***”、“装置”、“单元”和/或“模块”是用于区分不同级别的不同组件、元件、部件、部分或装配的一种方法。然而，如果其他词语可实现相同的目的，则可通过其他表达来替换所述词语。

如本说明书和权利要求书中所示，除非上下文明确提示例外情形，“一”、“一个”、“一种”和/或“该”等词并非特指单数，也可包括复数。一般说来，术语“包括”与“包含”仅提示包括已明确标识的步骤和元素，而这些步骤和元素不构成一个排它性的罗列，方法或者设备也可能包含其它的步骤或元素。

图1是根据本说明书一些实施例所示的籽晶托的示例性结构图。

本说明书提供了一种籽晶托100，该籽晶托100可以用于实现晶体生长。在制备晶体时，需要将籽晶130粘接在籽晶托100上，籽晶托100可以设置在籽晶粘接装置30上，将制备晶体的原料放置于坩埚400内，通过对籽晶托100以及坩埚400所在的温场进行加热，使原料挥发为气相组分并运动至上部籽晶130处，从而实现液相法的晶体生长。其中，前述籽晶130可以包括半导体籽晶，例如，碳化硅籽晶。关于籽晶粘接装置30的更多内容参见图12-图16及其相关说明，关于坩埚400的更多内容参见图17-图20B及其相关说明。

如图1所示，籽晶托100可以包括籽晶托本体110和连接杆120。籽晶托本体110用于固定籽晶130，籽晶托本体110的材质可以为石墨，籽晶托本体110可以在一定条件(例如，抽真空、加热等)下对籽晶130进行粘接。籽晶托本体110可以设置为柱状(如图1中所示的圆柱状籽晶托本体110)、台状(如图10中所示圆台状籽晶托本体110)或其他可行形状。

连接杆120用于连接籽晶托本体110与驱动设备(如下文的驱动机构150)，从而使得驱动设备可以驱动籽晶托本体110沿着连接杆120的轴向运动或者绕连接杆120的轴线转动。如图1所示，籽晶托本体110固定在连接杆120的一端。籽晶托本体110与连接杆120的连接方式可以有多种。在一些实施例中，籽晶托本体110的远离籽晶粘接面111的一侧设有连接螺纹孔，连接杆120上可以设有连接螺纹，连接杆120可以通过连接螺纹与前述连接螺纹孔的配合实现与籽晶托本体110螺纹连接。连接杆120还可以其他可行连接方式与籽晶托本体110相连，关于其他可行连接方式可以参见图5至图7及其相关描述。

在一些实施例中，如图1所示，籽晶托本体110上远离连接杆的一侧设有用于将籽晶130粘接在籽晶托本体110上的籽晶粘接面111。籽晶粘接面111可以是平面，以保证籽晶130可以更加稳定地粘接在籽晶托本体110上。籽晶粘接面111可以设于籽晶托本体110的端面。例如，籽晶托本体110为圆柱形时，籽晶粘接面111可以在圆柱的端面。又例如，籽晶托本体110为圆台形时，籽晶粘接面111可以在圆台中面积较大的端面。

本说明书的一些实施例，通过将籽晶托100中的籽晶托本体110固定在连接杆120的一端，可以使连接杆120对籽晶托本体施加压力，籽晶130可以稳定粘接在籽晶粘接面111上，有助于提高晶体生长质量。

在一些实施例中，如图2A所示，籽晶托本体110还可以包括中空的第一内腔112，连接杆120内还可以设有供冷却介质流通的通道121，通道121与第一内腔112相连通。第一内腔112是籽晶托本体110的中空结构形成的内部空间，用于汇集冷却介质以降低籽晶托本体110的温度。在一些实施例中，第一内腔112的形状与籽晶托本体110的形状相匹配，以使得籽晶托100的壁厚度均匀，进而实现传热均匀。例如，籽晶托本体110可以为圆柱体、立方体或多棱柱，对应的，第一内腔112的形状也可以为圆柱体、立方体或多棱柱等。连接杆120可以为空心杆，以形成通道，从而通入冷却介质。冷却介质指用于冷却籽晶托的流体，例如氦气、氩气等。在一些实施例中，冷却介质可以为惰性气体(如，常温氩气)。

本说明书一些实施例，通过连接杆120内的通道121与第一内腔112相连，冷却介质可以通过通道121进入籽晶托本体110的第一内腔112中，从而对籽晶托本体110进行冷却，而因为坩埚400中熔液的温度较高，对籽晶托本体110的冷却可以增加籽晶托本体110内部的温度梯度，有助于加快晶体的生成。

在一些实施例中，籽晶托本体110还可以设有与第一内腔112连通的第一通孔113。第一通孔113 可以将第一内腔112与晶体生长炉200的炉腔连通，用于将冷却介质从第一内腔112排出到晶体生长炉200中。籽晶托本体110可以设置有一个或多个第一通孔113。第一通孔113的形状可以为圆形、椭圆形等或其他任意形状。在一些实施例中，第一通孔113可以设置在籽晶托本体110的除了籽晶粘接面111之外的任意表面上。如图2A所示，籽晶托本体110的上壁设有多个第一通孔113。通过第一通孔113将第一内腔112与炉腔连通，可以使得已基本失去效用的冷却介质可以通过第一通孔113排出第一内腔112，以使新的冷却介质可以源源不断地通过通道121进入籽晶托本体110，从而有助于提高对籽晶托本体110的冷却效果，此外，也能够避免籽晶托本体110内部压力升高，保证籽晶托本体110的安全使用。

在一些实施例中，第一内腔112中还可以设在第一内腔112中的冷却介质扩散结构114。冷却介质扩散结构114可以用于辅助冷却介质在第一内腔112中进行扩散。例如，冷却介质扩散结构114可以为设置在通道121在第一内腔112中出口处的螺旋叶片，当冷却介质通过通道121进入第一内腔112内时，冷却介质可以对前述螺旋叶片施加力，从而使得螺旋叶片旋转，从而带动进入的冷却介质随螺旋叶片散落在第一内腔112中的各处。本说明书一些实施例通过冷却介质扩散结构114，有助于使冷却介质在第一内腔112中均匀地扩散，从而保证籽晶托本体110的各个位置能够被均匀地降温，使得籽晶托本体110内的温度分布更加均匀。

在一些实施例中，冷却介质扩散结构114可以包括一个或多个中空的管状结构。前述管状结构可以为圆管、方管或截面为其他形状的管状结构。

当前述冷却介质扩散结构114包括多个管状结构时，前述多个管状结构一端入口与通道121连接，另一端可以包括多个出口，多个出口可以分别将冷却介质导向第一内腔112内的多个不同位置，以使冷却介质在第一内腔112中多个位置均匀扩散。

在一些实施例中，在晶体生成时，还可以通过温度检测装置(例如，外部的热像仪)对籽晶托本体110的温度进行检测，获得对应的温度信息(例如，热红外线图像)。籽晶托100可以与处理器(图未示出)通信，前述处理器可以用于对晶体生成进行控制。当前述温度信息满足预设温度调整条件时，处理器可以基于前述温度信息，确定需要进行温度调整的位置。例如，预设温度调整条件可以为籽晶托本体110中各个区域的温差不超过预设的温差阈值，处理器可以前述温度信息，确定籽晶托本体110的温度分布，当前述温度分布表征籽晶托本体110中某一局部位置的温度与其他区域的温度的温差大于温前述差阈值时，处理器可以将前述局部位置确定为需要进行温度调整的位置。处理器可以基于需要进行温度调整的位置，确定对应的冷却介质扩散结构114，并控制冷却介质输入至对应的冷却介质扩散结构114，以对该位置进行降温，并不断获取降温处理后的籽晶托本体110对应的温度信息，直至前述温度信息表征前述需要进行温度调整的位置不满足预设温度调整条件。其中，处理器可以通过温度调整对应表以及需要进行温度调整的位置，确定对应的冷却介质扩散结构114。前述温度调整对应表可以包括冷却介质扩散结构114中的多个管状结构每一个对应的温度调整位置，即多个管状结构中每一个的出口对应的位置。本说明书的一些实施例通过将前述冷却介质扩散结构114设置为多个管状结构，可以有指向性的对局部温度进行调节，避免局部温度过高而降低晶体生成的质量。此外，通过前述对籽晶托本体110的温度进行监测，可以自动对晶体生成的温度进行调整，从而有效提高晶体生成的质量。

当前述冷却介质扩散结构114包括一个管状结构时，前述一个管状结构可以呈螺旋状环绕贴合在第一内腔112的内壁，其一端入口与通道121连接，并最后从第一通孔113中导出至到晶体生长炉200。例如，前述冷却介质扩散结构114可以为一根方管，前述方管可以呈螺旋状环绕完全贴合在第一内腔112的所有内壁或指定区域。进一步的，前述管状结构还可以延伸至晶体生长炉200外。可以理解的是，通过将冷却介质通过前述管状结构进入第一内腔112，当管状结构与第一内腔112的内壁贴合时，管状结构中的冷却介质可以对籽晶托本体110进行降温，降温后的冷却介质可以继续通过管状结构导出至晶体生长炉200外。本说明书的一些实施例通过前述设置可以使得冷却介质并不直接与籽晶托本体110接触，但仍能够对籽晶托本体110进行降温，避免冷却介质进入籽晶托本体110内难以清洗、造成堵塞等，或进入晶体生长炉200内对晶体生长产生影响。此外，通过前述设置还可以提高进行冷却的可控性。例如，可以通过停止向前述管状结构内继续输入冷却介质，从而当前冷却介质可以停留在指定部位，当需要更新冷却介质时，可以向前述管状结构内继续输入新的冷却介质，随着新的冷却介质的进入，使用后的冷却介质会流出前述管状结构，以保障冷却过程的可控性。

在一些实施例中，如图2A所示，冷却介质扩散结构114可以包括壳体1141，壳体1141内形成第二内腔1142，通道121与第二内腔1142连通，以使冷却介质可以进入第二内腔1142中。壳体1141上设有多个扩散孔1143，扩散孔1143连通第一内腔112和第二内腔1142，以使第二内腔1142内的冷却介质可以通过扩散孔1143扩散至第一内腔112的各处。前述壳体1141的形状可以与第一内腔112相适应。壳体1141可以为各种形体，例如长方体、正方体、圆柱体或其他形体。壳体1141的材质可以为石墨、高温陶瓷、不锈钢等。本说明书一些实施例中，冷却介质可以通过通道121进入第二内腔1142，再通过扩散孔1143进入第一内腔112，有助于冷却介质更快速地扩散，同时避免冷却介质堆积在通道121的出口处。

在一些实施例中，籽晶托100还可以包括冷却设备(图未示出)。冷却设备是为籽晶托本体110提供冷却介质的设备，其可以将冷却介质输送给通道121。冷却设备可以以一定流速输出冷却介质，以使得冷却介质以预设流速在通道121内流动。例如，冷却设备的出口可以与通道121连通，冷却设备或通道内还可以设置有动力结构(如，输送泵)，以为冷却介质提供动力，驱使其离开冷却设备，并使冷却介质以预设流速在通道121内向籽晶托本体110流动。

在一些实施例中，冷却介质的预设流速大于0.4m/s。在一些实施例中，冷却介质可以是常温的。在另一些实施例中，冷却介质可以是被冷却到一定温度的，如10°、15°、20°等。值得说明的是，由于搭载有该籽晶托本体110的晶体生长炉200内温度较高，流速较低的冷却介质可能被加热，本说明书的一些实施例中通过将预设流速设置为大于0.4m/s，可以防止冷却介质被加热，从而保证冷却介质对籽晶托本体110的冷却效果。

可以理解的是，由于籽晶托本体110设置为具有第一内腔112的结构，籽晶托本体110的质量减轻，可能导致晃动。因此在本说明书的一些实施例中，籽晶托100还可以包括增重结构(图未示出)，增重结构可以与籽晶托本体110上远离连接杆120的一侧通过焊接或粘接等方式相连。增重结构可以设置在第一内腔112中，也可以设置在籽晶托本体110的外壁上(如，除籽晶粘接面111外的任意外壁上)。增重结构可以用于增重籽晶托本体110。增重结构可以是多种形状结构，例如、板状结构、环状结构等。增重结构的材质可以为不锈钢、高温陶瓷、钨合金等多种。本说明书的一些实施例中，通过将增重结构连接在籽晶托本体110上，可以加重籽晶托本体110，避免籽晶托本体110在晶体生长过程中的晃动，有助于晶体的稳定生成，从而保证生长的晶体的品质。

在一些实施例中，籽晶托100还可以包括冷却结构(图未示出)，冷却结构可以设于连接杆120上，用于冷却通道121内的冷却介质。冷却结构可以包括多种，例如冷凝器、膨胀阀等或其任意组合。冷却结构可以是环状结构，附着在连接杆120的内壁，当冷却介质通过通道121时，冷却结构可以通过降低冷却介质的压力和/或与冷却介质进行热量交换以冷却通道121内的冷却介质。本说明书一些实施例通过设置冷却结构，可以使冷却介质温度降低，避免了冷却介质被周围环境过快地加热，尽量保证冷却介质以温度较低的状态进入第一内腔112，从而在第一内腔112中可以更快速高效地吸收籽晶托本体110的热量，有助于提高对籽晶托本体110的冷却效果。

在一些实施例中，冷却结构包括冷却回路123，冷却回路123输送用于冷却冷却介质的冷却流体。在一些实施例中，冷却回路123设置在连接杆外。如图2B以及图2C所示，冷却结构可以包括冷却套124，该冷却套124套设在连接杆120上，冷却回路123设置在冷却套124上。在一些实施例中，冷却流体可以是冷却液，例如，水。在一些实施例中，冷却回路123可以包括输入通道和输出通道。在一些实施例中，输入通道和输出通道可以平行于输送冷却介质的通道121。在另一些实施例中，为了更好地冷却所述冷却介质，输出通道和输出通道可以呈环绕输送冷却介质的通道121布置的螺旋状。

在一些实施例中，如图3所示，籽晶托100还可以包括驱动机构150和搅拌机构160。

驱动机构150是指将其他能源转换为机械能，并产生动能的机构。驱动机构150可以包括多种，例如电机、气压源、液压源等。驱动机构150可以与连接杆120的另一端相连，其中，连接杆120的另一端是指远离籽晶托本体110的一端。驱动机构150可以通过连接杆120带动籽晶托本体110绕连接杆120的轴线A旋转。通过设置驱动结构150，在晶体生长的过程中，籽晶托100可以按照需要的速度进行旋转，以保证晶体的稳定生长。

搅拌机构160可以对用于晶体生长的熔液140进行搅拌。如图3至图4所示，搅拌机构160可以连接在籽晶托本体110上，在驱动机构150驱动籽晶托100旋转的过程中，可以使得搅拌机构160对熔液140进行搅拌。搅拌机构160可以为多种形状，如杆状、板状或其他各种不规则的形状。需要说明的时候，在晶体生长的过程中，搅拌机构160需要伸入到熔液140的液面以下，以实现对熔液140的搅拌。

在晶体生长过程中，籽晶130与熔液140只在液面表面接触，因此熔液140整体的搅动较少，流速不高，这会导致熔液140整体的传质不够就均匀，进而导致对晶体生长品质的影响。本说明书一些实施例中，通过驱动机构150带动籽晶托本体110绕连接杆120的轴线A旋转，籽晶托本体110的旋转同时可以带动搅拌机构160绕连接杆120的轴线A旋转，从而实现对熔液140的搅拌，可以增大熔液140的流速，有助于改善熔液140中关键物质的传质路线，保证传质均匀，提高晶体生长效率。

在一些实施例中，如图4所示，搅拌机构160可以包括安装杆161和搅拌桨162。一个安装杆161对应一个搅拌桨162。搅拌桨162的形状可以包括多种，例如，浆式搅拌桨、圆盘涡轮桨等。搅拌桨162位于籽晶粘接面111远离连接杆120的一侧。搅拌桨162可以伸入熔液140内部，以便对熔液140进行搅拌。如图3和图4所示，搅拌机构160可以包括安装杆161和搅拌桨162，安装杆161的一端与籽晶托本体110连接，另一端与搅拌桨162相连，驱动机构150的运作可以带动籽晶托本体110沿轴线A旋转，进而带动安装杆161沿轴线A旋转旋转，通过安装杆161的旋转可以带动与其连接的搅拌桨162运动，从而使得搅拌桨162对熔液140进行搅拌。

在一些实施例中，搅拌机构160的数量可以是多个，多个搅拌机构160环绕籽晶托本体设置。在一些实施例中，搅拌机构160可以相较于轴线A呈中心对称排布。如图3所示，籽晶托100可以包括两个搅拌机构160，其中，前述两个搅拌机构160基于轴线A呈中心对称对称排布。

在一些实施例中，搅拌机构160的数量也可以是单个。如图4所示，籽晶托100可以包括单个搅拌机构160，单个搅拌机构160的搅拌桨162可以包括多个叶片，在搅拌机构160绕轴线A转动时，前述搅拌桨162的叶片可以绕搅拌桨162的中心进行自转，有助于加大熔液140的流速。

在一些实施例中，搅拌机构160的材质可以为钨合金、高温陶瓷中的一种或多种。采用钨合金、高温陶瓷等材料制作的搅拌机构160可以在高温熔液140中具有较高的稳定性，有效提高搅拌机构160的使用寿命。

在一些实施例中，籽晶托本体110包括至少两个子部。如图6A、图6B以及图6C所示，籽晶托本体110可以包括两个子部，即第一子部115和第二子部116。籽晶托本体也可以包括三个子部、四个子部或其他数量的子部。在下文以籽晶托本体110包括两个子部的实施例进行说明。

如图6C所示为例，第一子部115和第二子部116可以拼接形成籽晶托本体110。可以理解的是，如前所述，籽晶托本体110可以是台状、圆柱状等多种形状，其子部可以是与籽晶托本体110分割后对应的形状。以籽晶托本体110为圆台状或圆柱状为例，第一子部115和第二子部116可以是半圆柱或半圆台形状。

在一些实施例中，籽晶托本体110不同子部的形状和大小也可能不同。示例性的，第一子部115可以为四分之三圆柱，第二子部116可以为四分之一圆柱。也就是说，第一子部115的垂直于第一子部115轴线的截面面积大于第二子部116的垂直于第二子部116轴线的截面面积。例如，第一子部115的垂直于第一子部115轴线的截面是优弧和直线围成，第二子部116的垂直于第二子部116轴线的截面是劣弧和直线围成的。

籽晶托本体110的至少两个子部的拼接可以是指将至少两个子部按照预定的位置摆放、组合在一起，从而拼接成一个完整的籽晶托本体110。籽晶托本体110的至少两个子部可以通过多种方式拼接。例如，至少两个子部可以只需按照预定的位置摆放在一起；又例如，任意相邻的两个子部中一个上设有定位凹槽，另一个上设有定位凸起，通过将定位凸起放入定位凹槽内而实现相邻两个子部的定位，从而将至少两个子部组合到一起。

在一些实施例中，籽晶托本体110的至少两个子部的每个子部上均设有半槽。需要说明的是，半槽可以理解为一个完整的卡接槽的一部分。至少两个子部的拼接使得至少两个子部中各个子部上的半槽拼接成完整的卡接槽170。也就是说，子部是籽晶托本体110的一部分，半槽是卡接槽170的一部分，通过将子部拼接成籽晶托本体110，也实现了半槽拼接成的卡接槽。例如，第一子部115上可以设有第一半槽1150，第二子部116上可以设有第二半槽1160，第一子部115和第二子部116拼接而使得第一半槽1150和第二半槽1160拼接成卡接槽170。

如图5以及图6A～图6C所示，第一半槽1150位于第一子部115，且设置在第一子部115与连接杆120连接的一端。第二半槽1160位于第二子部116，且设置在第二子部116与连接杆120连接的一端。在一些实施例中，第二半槽1160的结构与第一半槽1150的结构可以相同，且以连接杆120的轴线A为对称轴对称。在另一些实施例中，第一半槽1150和第二半槽1160的结构可以不同。第一半槽1150与第二半槽1160拼接形成卡接槽170，可以将连接杆120与卡接结构118镶嵌在卡接槽内。

在一些实施例中，籽晶托100还可以包括锁紧结构117和卡接结构118。

如图5所示，卡接结构118设于连接杆120与籽晶托本体110连接的一端。卡接结构118可以卡接在卡接槽内，以使得连接杆120与籽晶托本体110通过卡接结构118紧密相连。卡接结构118可以包括多种立体结构(如正方体、圆柱体等)，且其位于连接杆120与籽晶托本体110连接一端。卡接结构118可以理解为能够被容纳在卡接槽170内，且在卡接后不会与卡接槽170脱离。卡接结构118与卡接槽170的卡接方式可以有多种，具体请参见下文的相关说明。

如图5所示，锁紧结构117设于籽晶托本体110的外壁，可以将拼接的至少两个子部(如第一子部115和第二子部116)相固定。在一些实施例中，锁紧结构117可以包括螺栓、螺母以及凸起结构，凸起结构设于第一子部115与第二子部116上，凸起结构中存在螺纹孔，螺栓可以穿过第一子部115的凸起结构上的螺纹孔以及第二子部116的凸起结构上的螺纹孔，并通过螺母固定，进而将第一子部115与第二子部116固定。

可以理解的是，在晶体生长的过程中，籽晶托本体110与连接杆120往往通过螺纹连接，螺钉连接的部分会因为存在退刀槽而产生空洞，气体可以进入空洞空间，从而影响籽晶托本体110温度梯度的均匀变化，诱发晶体生长面空洞的形成。因此，本说明书一些实施例，通过将籽晶托本体110设置成包括至少两个子部，锁紧结构117将至少两个子部相固定，并将卡接结构118卡接在卡接槽内，可以使籽晶托本体110与连接杆120紧密连接而不存在能够进入气体的空间，解决了退刀槽的问题，不仅可以使籽晶托本体110温度均匀变化，也便于后期的进行晶托分离(解除锁紧结构117的锁紧即可)，大大提高了制备的晶体的质量。

此外，值得说明的是对籽晶托本体110进行烧蚀可以实现晶体生长后晶体与籽晶托本体110的分离，烧蚀的速度相关于取决于籽晶托本体110顶部内凹螺纹在烧蚀设备中的朝向，在籽晶托本体110顶部螺纹孔无附着物时，逆风方向12小时烧蚀约三分之一后烧蚀速度会逐渐减慢。在本说明书的上述实施例中，多个子部的拼接部位会出现组合面。如图7所示，第一子部115和第二子部116拼接的部位存在组合面B，组合面B在烧蚀过程中可以起一定的引导作用，加快后期烧蚀速度，有助于提高晶托分离的效率。

在一些实施例中，籽晶托本体110的至少两个子部包括结构相同的第一子部115和第二子部116，第一子部115和第二子部116以连接杆的轴线为对称轴对称设置。在另一些实施例中，当籽晶托本体包括三个及以上的子部时，每个子部的结构均可以相同，且均匀、对称地排列。

以籽晶托本体包括两个子部为例，如图6A、图6B、图6C及图7，第一子部115和第二子部116的结构可以相同，第一子部115和第二子部116可以以连接杆120的轴线A为对称轴对称设置。

本说明书的一些实施例中，籽晶托本体110的至少两个子部结构相同且对称排列，可以便于生产制造，其可能提升籽晶托本体110的组装效率。

如图5至图7所示，卡接槽170沿连接杆120的轴线A方向排列而成第一槽体171和第二槽体172。第一槽体171比第二槽体172更靠近籽晶粘接面；第一槽体171沿垂直于连接杆120的轴线A的截面的面积大于第二槽体172沿垂直于连接杆120的轴线A的截面的面积；卡接结构118沿垂直于连接杆120的轴线A的截面的面积大于连接杆120沿垂直于连接杆120的轴线A的截面的面积。

第一槽体171用于固定卡接结构118，第二槽体172用于容纳连接杆120。因此，对应的，卡接结构118沿垂直于连接杆120的轴线A的截面的面积大于连接杆120沿垂直于连接杆120的轴线A的截面的面积，第一槽体171的形状与卡接结构118的形状适配，以使卡接结构118可以卡接在第一槽体171内，第二槽体172的形状与连接杆120靠近卡接结构118的端部位形状适配，连接杆120靠近卡接结构118的端部位于第二槽体172内，以使得卡接结构118对连接杆120与籽晶托本体110的相对位置进行固定。本说明书一些实施例，连接杆120与籽晶托本体110通过卡接结构118镶嵌式结合，有助于避免前述因存在退刀槽造成的空洞问题，且保证连接杆120与籽晶托本体110的稳定连接。

下面以至少两个子部包括第一子部115(其上具有第一半槽1150)和第二子部116(其上具有第二半槽1160)为例进行说明。如图6A，第一半槽1150可以分为第一上半槽1151和第一下半槽1152。如图6B，第二半槽1160可以分为第二上半槽1161和第二下半槽1162。如图6C，第一上半槽1151和第二上半槽1161可以拼接形成第一槽体171，第一下半槽1152和第二下半槽1162可以拼接形成第二槽体172。

在一些实施例中，卡接结构118可以呈多面体形状。如图7所示，卡接结构118的截面可以为正方体。本说明书一些实施例，通过将卡接结构118设置为多面体形状，可以在籽晶托本体110旋转时，保证卡接结构118同步转动。可以理解的是，如果籽晶托本体110生成晶体时不旋转，卡接结构110也可以是圆柱体。

需要说明的是，卡接槽170和卡接结构118的形状可以有多种，只要能够实现卡接结构118卡接到卡接槽170中，且不会从卡接槽170中脱离出即可。仅作为示例，卡接槽170可以为梯形槽，也就是说卡接槽170的不同位置的垂直于轴线A的截面的截面积不同，越靠近籽晶粘接面111，卡接槽170的垂直于轴线A的截面的截面积越大。对应地，卡接结构118也可以为四棱台。

如图8至图9所示，锁紧结构117可以包括环形槽1171和锁紧环1172。环形槽1171可以环绕籽晶托本体110的外壁设置，锁紧环1172套设在拼接后的至少两个子部(如第一子部115以及第二子部116)外，且设置在环形槽1171内。在一些实施例中，环形槽1171的外壁设有外螺纹，锁紧环1172的内壁设有内螺纹。锁紧环1172与环形槽1171通过螺纹连接的方式连接，以使得锁紧环1172设置到环形槽内。此外，环形槽1171的外壁上的外螺纹不超过籽晶托本体110的顶部，避免后期无法热压。

锁紧结构117中锁紧环1172的底部以及环形槽1171可以与籽晶托本体110贴合。锁紧环1172在籽晶托本体110的外壁将籽晶托本体110环绕，可以将拼接的至少两个子部(如第一子部115和第二子部116)锁紧，对籽晶托本体110进行固定限制，实现至少两个子部的固定，从而保障籽晶托本体110与连接杆120的紧密连接，且锁紧操作简单方便。

在一些实施例中，籽晶托100还可以包括用于对籽晶托本体110进行保护的保护托180。如图10所示，籽晶托100还可以包括环形的保护托180，保护托180内设有与籽晶托本体110的形状匹配的容纳腔184，保护托180可以环绕籽晶托本体110设置。此外，保护托180还可以环绕籽晶托本体110与连接杆120连接的一端。其中，前述容纳腔184可以容纳籽晶托本体110，籽晶托本体110可以与容纳腔184的内壁紧密贴合。保护托180可以由石墨材料制成。保护托180的接近连接杆120的一面为上表面，保护托180的上表面设有第三通孔，第三通孔的形状可以与连接杆120的形状相匹配(例如，连接杆120为圆柱杆状，第三通孔可以为圆柱孔)，第三通孔与前述容纳腔184连通，第三通孔的孔径与连接杆120外壁沿连接杆120轴向的外径相匹配，第三通孔可以以连接杆120的轴线A为轴设置，连接杆120可以从保护托180上表面的第三通孔穿过，与籽晶托本体110通过多种方式连接(例如，螺纹连接、卡扣连接、上文实施例所述的方式等)。

值得说明的是，当顶部籽晶130提拉生长时，籽晶托本体110与籽晶130贴合处会被挥发物包裹，籽晶托本体110表面也会有一层附着层，这不仅会导致晶托无法直接分离，附着层也会影响籽晶托110对热量的吸收和释放，影响晶体的生长及质量。本说明书一些实施例，通过保护托180将籽晶托110环绕，可以避免籽晶托本体110的表面出现附着层，实现籽晶托本体110轴向和径向温度梯度的控制，进而提高晶体的质量和形态稳定。

在一些实施例中，籽晶托100还可以包括环形的第一保护套181，第一保护套181套设在连接杆120外，且第一保护套181位于连接杆120与保护托180之间。第一保护套181可以用于避免挥发物进入籽晶托本体110与连接杆120之间、保护托180与连接杆120之间。如图10所示，第一保护套181可以是内部中空的环形圆柱，第一保护套181的内壁包裹连接杆120，外壁与保护托180的表面相连，底面嵌入保护托180。保护托180的上表面可以设有环形凹槽，环形凹槽的尺寸与第一保护套181适配，以使第一保护套181的外壁及底面贴合在环形凹槽中。

如图10所示，连接杆120沿连接杆120的轴向可以包括第一外径段r₃和第二外径段r₂。第一外径段r₃的外径小于第二外径段r₂的外径，第一外径段r₃比第二外径段r₂更靠近籽晶托本体110。对应的，第一保护套181沿连接杆120的轴向包括第一内径段r₄和第二内径段r₁；第一内径段r₄小于第二内径段r₁的内径，第一内径段r₄比第二内径段r₁更靠近籽晶托本体110。其中，第一内径段r₄可以与第一外径段r₃匹配，第二内径段r₁可以与第二外径段r₂匹配。如图10所示，第一保护套181可以将连接杆120与保护托180连接，第一保护套181的第一内径段r₄和第二内径段r₁分别与连接杆120中第一外径段r₃与第二外径段r₂连接部位贴合，第一保护套181的外壁与保护托180相连，底面嵌入保护托180中。

本说明书一些实施例，通过第一保护套181将连接杆120与保护托180间相连，能够更有效地防止挥发物进入籽晶托本体110与连接杆120之间、保护托180与连接杆120之间造成粘连，方便实现切割晶体分离或烧蚀分离。

在一些实施例中，保护托180的远离连接杆120的一侧表面上可以设有环形的第二保护套182，第二保护套182嵌入保护托180内，且第二保护套182环绕容纳腔184设置。

如图10所示，当籽晶粘接面111上粘接有籽晶130时，第二保护套182远离连接杆120的一端可以与籽晶130靠近连接杆120的一面贴合，以防止挥发物进入籽晶托本体110与连接杆120之间、保护托180与连接杆120之间造成粘连。

本说明书一些实施例，通过第二保护套182可以避免熔液140挥发物进入籽晶托本体110腐蚀石墨纸或籽晶托本体110，还可以保证提拉时籽晶130不受力，进而避免籽晶130脱落。

在一些实施例中，第二保护套182沿连接杆120的轴向的高度与籽晶托本体110的籽晶粘接面111的直径的比值为3∶150。通过对第二保护套182的高度轴向高度与籽晶粘接面111的直径的比值的设置，可以保证第二保护套的182的尺寸可以更有效地起到防护作用。

在一些实施例中，保护托180远离连接杆120的一侧表面上可以设有第一凹槽183。前述第一凹槽183的直径大于容纳腔184背离连接杆120的一侧的开口的直径L。如图10所示，前述第一凹槽183包括与开口连通的连通部分1831以及环绕在连通部分外的环形部分1832；环形部分1832的底面(即第一凹槽上表面)与籽晶粘接面111位于同一平面上，第一凹槽183的环形部分1832与第二保护套182的形状适配，第二保护套182设于第一凹槽183环形部分1832的底面上。

在本说明书的实施例中，第一凹槽183可以使得第二保护套182镶嵌入保护托，可以进一步防止挥发物进入籽晶托本体110与连接杆120之间、保护托180与连接杆120之间造成粘连。此外，由于环形部分1832的底面(即第一凹槽上表面)与籽晶粘接面111位于同一平面上，部分籽晶可以粘接到环形部分1832的底面上，并且与第二保护套182贴合。第一凹槽183的尺寸可以与籽晶的尺寸基本匹配，也能够在一定程度上便于操作者确定籽晶的粘接位置，保证籽晶与籽晶托100的同心度。

在一些实施例中，第一凹槽183的直径大于开口的直径5mm-10mm，以便于环形部分的设置，同时方便第二保护套182嵌入保护托180中，这样也可以保证籽晶能够更稳定地粘接。

在一些实施例中，籽晶粘接面111上可以粘接有石墨纸119。石墨纸119可以用于对籽晶130进行固定。石墨纸119的尺寸可以与籽晶粘接面111适配，以使石墨纸119完全贴合于籽晶粘接面111。石墨纸119可以通过热熔胶粘接在籽晶粘接面111上。石墨纸119朝向远离连接杆120的方向(即如图10所示的D方向)凸出于第二保护套182的下表面。例如，石墨纸119可以朝向远离连接杆120的方向，凸出于第二保护套182远离连接杆120的一侧表面0.1mm-0.2mm，以保证籽晶130可以朝向远离连接杆120的方向凸出于保护托180的下表面。值得说明的是，籽晶130接触熔液140后开始按一定的速度提拉生长，随着时间的推移，坩埚壁开始腐蚀、熔液140蒸发等情况的发生会导致熔液140的液面高度随之逐渐降低，籽晶130偏离熔液140液面的相对速度逐渐加快，从而无法按照制定提拉速度生长。本说明书一些实施例，通过将石墨纸设置于凸出第二保护套182的远离连接杆120的一侧表面，可以使籽晶130与熔液140的液面充分接触，晶体可以按照制定提拉速度生长。

在一些实施例中，前述籽晶托100可以设置在籽晶粘接装置30中，籽晶粘接装置30可以基于籽晶托100进行粘接籽晶130。前述籽晶粘接装置30可以用于粘接籽晶130。

图11是根据本说明书一些实施例所示的籽晶粘接装置30的示例性结构图。

如图11所示，籽晶粘接装置30可以包括一个或多个粘接组件300，粘接组件300可以包括支撑部件310和施压部件320。

支撑部件310可以用于支撑籽晶托100。例如，支撑部件310可以用于支撑籽晶托本体110。再例如，支撑部件310还可以用于支撑籽晶托本体110和连接杆120。支撑部件310可以包括金属、不锈钢等材料制成的支撑架，籽晶托100中的需要进行支撑的结构可以固定在支撑架上。

施压部件320可以向籽晶130和/或籽晶托100施加压力，该压力可以将籽晶托100和籽晶托100上的籽晶130相向压合。

本说明书一些实施例，通过设置有一个或多个粘接组件300的籽晶粘接装置30，在粘接过程中不仅可以将籽晶托100与籽晶130相向压合，还可以固定籽晶托100，使粘接过程更加稳定，进而提高籽晶130的粘接效果。

如图12所示，籽晶粘接装置30还可以包括真空炉腔31、真空组件32、立柱33、电机34、丝杆35、压力柱36、支撑组件37、加热组件38、下压盘39。其中，真空炉腔31可以是籽晶130粘接的场所，真空组件32可以用于对真空颅腔31进行抽真空处理。立柱33可以设置于真空腔体31的顶部，电机34可以固定设置(例如，螺栓连接、焊接)于立柱33上。丝杆35与电机34可以转动连接，在电机34运行时，丝杆35可以绕中心轴转动从而上下运动。压力柱36的上端可以与丝杆35的下端连接，在丝杆35转动和上下运动时压力柱36也可以上下运动，压力柱36向下运动时可以对粘接组件300施加压力。支撑组件37可以放置于籽晶粘接装置30的底部，用于支撑加热组件38和下压盘39。加热组件38可以设置于支撑组件37与下压盘39之间，用于提供籽晶130粘接时所需要的热量。加热组件38的上表面可以放置下压盘39，下压盘39的上部可以放置粘接组件300，以与压力柱36配合对粘接组件300施加压力，将籽晶130粘接在籽晶托100上。籽晶托100和籽晶130可以放置于粘接组件300中，通过籽晶粘接装置30内部的其他组件(例如，真空组件32、压力柱36、加热组件38和下压盘39)对真空腔体31抽真空和对粘接组件300施加压力，以将籽晶130粘接于籽晶托100上，从而进行晶体生长。

在一些实施例中，支撑部件310包括第一压件380和第二压件390，施压部件320包括第一压盘322。第二压件390与第一压件380嵌套连接，在籽晶130粘接固定过程中，籽晶130放置于第二压件390的上表面，籽晶托100放置于籽晶130上表面，第一压盘322可以向籽晶托100施加压力，以使得籽晶130可以粘接在籽晶托100上。

第一压件380的侧壁可以包括至少一个第一排气孔383。至少一个第一排气孔383可以水平贯穿第一压件380的侧壁。至少一个第一排气孔383可以均匀对称分布于第一压件380的侧壁上。至少一个第一排气孔383可以位于竖直方向上的同一高度。

如图13所示，第一压件380的形状可以为具有内部空腔381的柱体。例如，具有内部空腔的圆柱体、立方体或多棱柱。第一压件380的内部空腔的形状可以为圆柱体、立方体或多棱柱。第二压件390的形状可以为圆柱体、立方体或多棱柱。第一压件380的内部空腔的形状和/或尺寸与第二压件390的形状和/或尺寸相适配，使得第二压件390可以放置于第一压件380内且不发生大幅移动(例如，可移动量小于预设阈值)。具体地，第一压件380的内部空腔的形状和/或尺寸与第二压件390的形状和/或尺寸相适配可以是第一压件380的内部空腔的形状与第二压件390外壁的形状一致或大体一致，以及第一压件380的内部空腔的尺寸略大于第二压件390外壁的尺且第一压件380的内部空腔的尺寸与第二压件390外壁的尺寸的差值小于第一预设尺寸阈值(如，3mm)。第一预设尺寸阈值可以是默认值，也可以根据不同情况调整。例如，第二压件390外壁的形状为圆柱体，则第一压件380的内部空腔的形状也为圆柱体，并且第一压件380的内部空腔的直径略大于第二压件390外壁的直径(例如，第二压件390外壁的直径为15cm，第一压件380的内部空腔的直径为15.3cm)。

通过设置第一压件380的内部空腔的形状和/或尺寸与第二压件390的形状和/或尺寸相适配，使得第二压件390可以放置于第一压件380内且不发生大幅移动，第一压件38与第二压件390嵌套连接较为稳固。

在一些实施例中，第一压件380底部包括第二通孔382，第二压件390底部包括第一凸起391，第一凸起391与第二通孔382相互配合实现第一压件380和第二压件390的嵌套连接。

如图13所示，第二通孔382的形状可以为圆柱体、立方体或多棱柱。为了便于安装，第二通孔382可以为圆柱体。在一些实施例中，第二通孔382的直径可以包括5mm-150mm。在一些实施例中，第二通孔382的直径可以包括8mm-140mm。在一些实施例中，第二通孔382的直径可以包括10mm-130mm。在一些实施例中，第二通孔382的直径可以包括20mm-120mm。在一些实施例中，第二通孔382的直径可以包括30mm-110mm。在一些实施例中，第二通孔382的直径可以包括40mm-100mm。在一些实施例中，第二通孔382的直径可以包括50mm-90mm。在一些实施例中，第二通孔382的直径可以包括60mm-80mm。在一些实施例中，第二通孔382的直径可以包括70mm-75mm。

第一凸起391的形状可以为圆柱体、立方体或多棱柱。第一凸起391与第二通孔382可以同心设置。第二通孔382的形状和/或尺寸与第一凸起391的形状和/或尺寸相适配，使得第一凸起391可以放置于第二通孔382内且不发生大幅移动(例如，可移动量小于预设阈值)。具体地，第二通孔382的形状和/或尺寸与第一凸起391的形状和/或尺寸相适配可以是第一凸起391的形状与第二通孔382的形状一致或大体一致，以及第二通孔382的尺寸略大于第一凸起391的尺寸且第二通孔382的尺寸与第一凸起391的尺寸的差值小于第二预设尺寸阈值(如，3mm)。第二预设尺寸阈值可以是默认值，也可以根据不同情况调整。例如，第一凸起391的形状为圆柱体，则第二通孔382的形状也为圆柱体，并且第二通孔382的直径略大于第一凸起391的直径(例如，第一凸起391的直径为5cm，第二通孔382的直径为5.3cm)。

通过设置第二通孔382的形状和/或尺寸与第一凸起391的形状和/或尺寸相适配，使得第二压件390可以放置于第一压件380内且第一凸起391与第二通孔382相互配合，实现第一压件380和第二压件390的嵌套连接，从而使得粘接组件300的整体结构连接更为稳固。

在一些实施例中，第一排气孔383的横截面为圆形时，第一排气孔383的横截面直径可以包括0.01mm-10mm。在一些实施例中，第一排气孔383的横截面为圆形时，第一排气孔383的直径可以包括0.1mm-9mm。在一些实施例中，第一排气孔383的横截面为圆形时，第一排气孔383的直径可以包括1mm-8mm。在一些实施例中，第一排气孔383的横截面为圆形时，第一排气孔383的直径可以包括2mm-7mm。在一些实施例中，第一排气孔383的横截面为圆形时，第一排气孔383的直径可以包括3mm-6mm。在一些实施例中，第一排气孔383的横截面为圆形时，第一排气孔383的直径可以包括4mm-5mm。通过合理设置第一排气孔383的尺寸，可以加强籽晶130粘接固定过程中的排气效果，从而提升粘接固定效果，提高制备的晶体质量。

在一些实施例中，第一压件380和第二压件390嵌套连接后，第一排气孔383与第二压件390上表面的竖直距离在0.2-5mm的范围内。在一些实施例中，第一压件380和第二压件390嵌套连接后，第一排气孔382与第二压件390上表面的竖直距离可以在0.5mm-4.5mm的范围内。在一些实施例中，第一压件380和第二压件390嵌套连接后，第一排气孔383与第二件390上表面的竖直距离可以在1mm-4mm的范围内。在一些实施例中，第一压件380和第二压件390嵌套连接后，第一排气孔383与第二压件390上表面的竖直距离可以在2mm-3mm的范围内。通过控制第一排气孔383与第二压件390上表面的竖直距离，可以加强籽晶130粘接固定过程中的排气效果，从而提升粘接固定效果，提高制备的晶体质量。

在一些实施例中，第二压件390的侧壁包括至少一个第二排气孔393。如图13所示，至少一个第二排气孔393可以水平贯穿第二压件390上卡槽392的侧壁，卡槽392用于放置籽晶130。至少一个第二排气孔393可以均匀对称分布于卡槽392的侧壁上，至少一个第二排气孔393可以位于竖直方向上的同一高度。

第一排气孔383与第二排气孔393至少部分相对应，第一排气孔383与第二排气孔393至少部分相对应可以是第一压件380和第二压件390嵌套连接后，第一排气孔383与第二排气孔393的部分或全部相重合，也可以是第一压件380和第二压件390嵌套连接后，第一排气孔383与第二排气孔393同心设置。第一排气孔383的尺寸与第二排气孔393的尺寸可以相同，也可以不同。

本说明书一些实施例将第一排气孔383与第二排气孔393至少部分相对应，可以提高籽晶130粘接过程中的排气效果，有助于提高制备的晶体质量。

在一些实施例中，第二排气孔393的横截面直径可以包括0.01mm-10mm，以提高籽晶130粘接过程中的排气效果。在一些实施例中，第二排气孔393的横截面为圆形时，第二排气孔393的直径可以包括1mm-8mm。在一些实施例中，第二排气孔393的横截面为圆形时，第二排气孔393的直径可以包括2mm-7mm。在一些实施例中，第二排气孔393的横截面为圆形时，第二排气孔393的直径可以包括3mm-6mm。在一些实施例中，第二排气孔393的横截面为圆形时，第二排气孔393的直径可以包括 4mm-5mm。

在一些实施例中，第二排气孔393与第二压件390上表面的竖直距离在0.2mm-5mm的范围内，以提高籽晶130粘接过程中的排气效果。在一些实施例中，第二排气孔393与第二压件120上表面的竖直距离可以在0.5mm-4.5mm的范围内。在一些实施例中，第二排气孔393与第二压件390上表面的竖直距离可以在1m-4m的范围内。在一些实施例中，第二排气孔393与第二压件390上表面的竖直距离可以在2m-3m的范围内。

在一些实施例中，第二压件390的高度可以小于第一压件380的高度，以使第二压件390与第一压件380嵌套连接后，第二压件390可以位于第一压件380的内部空腔381内。

在一些实施例中，籽晶托100与第一压件380可以螺纹连接。第一压件380的内部空腔381侧壁上部可以设置螺纹结构，籽晶托100的侧壁可以设置螺纹结构。籽晶托100与第一压件380螺纹连接后，第二压件390可以位于籽晶托100与第一压件380围成的空腔内。

在一些实施例中，第一压盘322底部包括第二凸起3221，籽晶托100上部包括第二凹槽3222，第二凸起3221和第二凹槽3222配合实现第一压盘380和籽晶托100的连接。

第二凸起3221的形状可以为圆柱体、立方体或多棱柱。第二凸起3221的侧壁可以设置螺纹结构，第二凹槽3222的内侧壁可以设置螺纹结构，且第二凸起3221与第二凹槽3222可以螺纹连接。通过设置第二凹槽3222与第二凸起3221螺纹连接，使得第二凹槽3222与第二凸起3221相互配合，实现第一压盘322和籽晶托100的连接，进而实现在不同温度或不同压力下分阶段对籽晶130以及粘接剂进行挤压排气，以更好地将籽晶130粘接在籽晶托100上。

在一些实施例中，支撑部件310还可以包括环形底座311和盖体312，籽晶托100可以放置在环形底座311上。环形底座311可以为圆筒状，环形底座311的直径可以大于或小于籽晶托100的最大直径(即籽晶粘接面111的直径)。环形底座311的直径大于籽晶托100的最大直径时，籽晶粘接面111可以平稳放置在环形底座311上。环形底座311的直径小于籽晶托100的最大直径时，籽晶托100的外表面可以放置在环形底座311上。盖体312也可以为圆筒状。如图14所示，盖体312包括环形的侧壁3121和盖板3122，侧壁3121可以套设在环形底座311外。在一些实施例中，侧壁3121的内壁可以与环形底座311的外壁贴合。盖板3122可以为内部中空的圆柱状，位于环形底座311如图14所示的上端部，且盖板3122沿垂直于籽晶托100的轴线A的截面面积大于环形底座311底面沿垂直于籽晶托100的轴线A的截面面积。盖体312可以朝向环形底座311向贴合在籽晶托100上的籽晶130施加压力。本说明书一些实施例通过环形底座311固定籽晶托100的同时通过盖体312对籽晶130施加压力，使籽晶130向籽晶托100压合，进而实现对籽晶130的快速、方便地粘接。

在一些实施例中，籽晶粘接装置30还可以包括第一连接件331和第二连接件332，其中，第一连接件331可以设于环形底座311上，第二连接件332可以设于盖体312上。

第一连接件331可以与第二连接件332可拆卸连接。如图14所示，第一连接件331可以是位于环形底座311侧壁上的卡环、卡钩、卡接块等结构。第二连接件332可以包括定位凸起3321和卡扣3322，定位凸起3321可以设置于盖体312的侧壁3121的如图14所示的下表面或侧表面，用于将第二连接件332固定在盖体312上。卡扣3322可以可传动地连接到固定凸起3321上，且卡扣3322可以卡接在第一连接件331中，以使第一连接件331与第二连接件332连接，此时，盖体312的盖板3122向籽晶托100上的籽晶130施加压力，以对籽晶130进行粘接。卡扣3322脱离第一连接件331时，第一连接件331与第二连接件332脱离。

在一些实施例中，第一连接件331和第二连接件332可以为连接绳，第一连接件331的一端缠绕在环形底座331的外周侧，第二连接件332的一端缠绕在盖体312的侧壁3121的下表面或侧表面，第一连接件331的另一端与第二连接件332的另一端相连。

籽晶粘接装置30可以包括多个第一连接件331和多个第二连接件332，其中，多个第一连接件331和多个第二连接件332一一对应地相互配合。如图14所示，籽晶粘接装置30可以包括两个第一连接件331和两个第二连接件332，其中，每一第一连接件331分别和一个第二连接件332配合。

本说明书一些实施例通过第一连接件331与第二连接件332，方便将盖体312与环形底座311快速连接，进而对籽晶托100施加压力。此外，将第一连接件331与第二连接件332设置为可拆卸连接，可以避免固定连接造成的籽晶托100与籽晶130错位，进而提高粘接效果。

在一些实施例中，环形底座311上还可以设有锁紧结构340。锁紧结构340可以用于将籽晶托100固定到环形底座311上，以提高籽晶托100在长晶过程中的稳定性，提高晶体生成的质量。例如，锁紧结构340可以包括插销，籽晶托130和侧壁3121中可以设有位置及尺寸与前述插销相匹配的插销孔，前述插销可以***插销孔中，进而将籽晶托100固定到环形底座311上。

在一些实施例中，籽晶托100远离籽晶粘接面111的一侧设有连接螺纹孔，锁紧结构340包括锁紧盘341、锁紧件和锁紧螺母343。如图15A所示前述锁紧件可以包括托盘3421、第一螺纹杆3422和第二螺纹杆3423。第一螺纹杆3422和第二螺杆3423可位于托盘3421的厚度方向的两侧。如图14所示，第一螺纹杆3422可以与连接螺纹孔(图未示出)配合，***连接螺纹孔中，进而与籽晶托100螺纹连接。在一些实施例中，托盘3421中可以设置有螺纹孔(图未示出)，从而可以与第一螺纹杆3422螺纹相连，以承托籽晶托100远离籽晶粘接面111的一侧。在另一些实施例中，第一螺纹杆3422可以通过粘接、焊接等固定连接方式固定到托盘3421上。第二螺纹杆3423可以位于托盘3421远离籽晶粘接面111的一侧并与托盘341螺纹相连。锁紧盘341可以位于托盘3421远离籽晶粘接面111的一侧，锁紧盘341可以为与环形底座311内壁贴合的圆盘。锁紧盘341上可以设有安装孔，第二螺纹杆3423可以穿过前述安装孔与锁紧螺母343配合。锁紧螺母343和托盘3421可以分别位于锁紧盘341沿安装孔的轴线方向(同托盘3421的厚度方向)的两侧。安装孔的轴线方向可以与籽晶托100的轴线A的方向相同。本说明书一些实施例通过锁紧件连接籽晶托100的连接螺纹孔和锁紧盘341，并通过锁紧螺母343固定，可以更稳定地将籽晶托100固定于环形底座311上，同时，通过锁紧盘341与环形底座311配合，有利于提高籽晶托100与籽晶130的同心度。

在一些实施例中，托盘341可以由弹性材料(如，橡胶、塑料)制成，可以吸收压力或籽晶托100在旋转时的摩擦，达到缓冲的效果，能够避免热压过程损坏籽晶托本体110。

在一些实施例中，环形底座311的内壁上还可以设有承托结构350。如图14所示，前述承托结构350可以包括环形连接板351、环形承托板352和环形承托凸起353。

环形连接板351可以用于连接环形底座311的内壁。环形连接板351的外壁可以与环形底座311的内壁贴合，其形状可以与环形底座311的内壁的形状相适应。例如，环形底座311的内壁呈圆柱形，对应的，环形连接板351为圆环。环形底座311的内壁上可以设有与环形连接板351相配的卡接凹槽，环形连接板351嵌入前述卡接凹槽内。

环形承托板352的形状可以与环形连接板351的形状相适应，例如，环形连接板351为圆环时，对应的，环形承托板352可以为圆环。环形承托板352的外环连接环形连接板351，内环设有环形承托凸起353。

环形承托凸起353可以用于承托籽晶托100，其截面可以为半圆形或其他形状(例如，倒圆锥形)。前述环形承托凸起353可以由弹性材料(如，橡胶)制成，可以吸收压力或籽晶托100在旋转时的摩擦，达到缓冲的效果，有助于在热压过程中保护籽晶托本体110。

本说明书一些实施例通过设置承托结构350有助于更稳定地承托籽晶托100，有效减少籽晶托100受压后产生的偏移，环形承托凸起353有利于配合不同锥度的籽晶托100进行承托。

籽晶130与籽晶托100粘接时会使用胶，粘接过程中有黏度的胶会产生气泡。在一些实施例中，籽晶粘接面111可以设有涂层，涂层可以是热塑性塑料(如聚四氟乙烯)，可以保持籽晶粘接面111的光滑度，从而能更好地排出挤压中产生的气泡。

在一些实施例中，籽晶粘接装置还可以包括气泡去除装置。在一些实施例中，气泡去除装置可以设于盖体312上，前述气泡去除装置可以用于去除籽晶130与籽晶托100之间的气泡。气泡去除装置可以设在盖体312与籽晶托100之间。在另一些实施例中，气泡去除装置可以包括驱动籽晶托旋转的设备(如下文中图16所示的旋转驱动件370，关于旋转驱动件370更多内容可以参见图16及其相关描述)。当气泡去除装置包括下文中图16所示的旋转驱动件370时，可以将已经与籽晶130粘接的籽晶托100从环形底座311上取下，然后将其放置到一个驱动籽晶托100旋转的设备上，在盖体312提供的压力下，籽晶托100旋转，可以使得籽晶托100与籽晶130之间的气泡被排出。

本说明书一些实施例通过气泡去除装置可以将气泡去除，提高籽晶130与籽晶托100之间的粘接效果。

如图14及图15B所示，气泡去除装置还可以包括插槽361、插板362和滚轮363。插槽361位于盖体312上，用于容纳插板362并限制插板362的运动方向。插板362为条状，其尺寸与插槽361适配。插板362可以位于插槽361内。滚轮363可以设置在插板362的一端。前述滚轮363的直径可以小于插槽361的高度，以使得滚轮363可以在插槽361内运动。前述滚轮363可以为弹性材料(如，橡胶)制作，以避免其运动时对籽晶130或籽晶托100造成损坏。

籽晶130粘接前，插板362可以对籽晶托100进行支撑，籽晶130粘接后，插板362可以在插槽361内运动(例如，左右运动)，以带动滚轮363滚压籽晶130。本说明书一些实施例，通过插板362带动滚轮363滚压籽晶130，可以挤出籽晶130在粘接过程中产生的气泡，提高籽晶130与籽晶托100之间的粘接质量。

如图14及图15B所示，插板362的另一端还可以设有拉环364。籽晶130粘接后，拉动拉环364可以带动插板362运动，进而带动滚轮363滚压籽晶130，更方便地实现对气泡的挤压。

在一些实施例中，气泡去除装置还可以包括滚压转动件(图中未示出)。滚压转动件可以向朝向籽晶粘接面111的方向对籽晶130施加一定的压力。同时滚压转动件还可以以某个固定的轴(如轴线A)旋转，通过一边旋转一边对籽晶130施加压力，可以使得籽晶130与籽晶托100之间的气体排出。在以下实施例中，滚压转动件上与籽晶130接触的表面可以设有滚珠、滚柱或滚轮等，以减少滚压转动件与籽晶130之间的摩擦。

在一些实施例中，如图16所示，支撑部件310可以包括支撑盘313。前述支撑盘313用于承托籽晶130和籽晶托100。在一些实施例中，支撑盘313可以为圆盘状、方形盘状等。支撑盘313的沿垂直于籽晶托100的轴线A的截面面积大于籽晶托100或籽晶130沿垂直于籽晶托100的轴线A的截面面积。籽晶130位于支撑盘313与籽晶托110之间。

在一些实施例中，籽晶粘接装置30还可以包括支撑架314以及设于支撑架314上的多个施压驱动件。支撑盘313设于前述支撑架314上。施压驱动件可以包括泵类设备(如，电动泵)，用于驱动施压部件320对籽晶托100施加压力。在一些实施例中，施压驱动件还可以包括气压施压驱动件或液压施压驱动件。

在一些实施例中，籽晶粘接装置30可以包括多个粘接组件300，前述多个施压驱动件分别与每一粘接组件300中的施压部件320连接，以使施压部件320对籽晶托100施加朝向支撑盘313的压力。当施压驱动件向籽晶托100施加压力时，支撑盘313可以承托住籽晶托100，对其进行限位，避免籽晶托100发生位移，同时多个粘接组件300可以同时进行多组粘接，提高粘接效率。如图16所示，籽晶粘接装置30可以包括3个粘接组件300，沿着竖直方向间隔布置，前述竖直方向与籽晶托100的轴向相同，每个粘接组件300对一个籽晶托100的籽晶130进行粘接，当施压驱动件可以同时驱动3个粘接组件300的施压部件320对对应的籽晶托100进行施压，进而实现同时进行的多组籽晶130的粘接。

如图16所示，支撑架314可以包括沿着前述竖直方向延伸的多根支撑杆315。支撑杆315沿支撑盘313的周向间隔布置。多个施压驱动件可以设于至少一根支撑杆315上，且多个施压驱动件沿竖直方向间隔布置，多个粘接组件300沿竖直方向间隔布置，从而有助于多个施压驱动件一次施压对多个粘接组件300进行粘接，并减少空间的占用。

在一些实施例中，设置有施压驱动件的支撑杆315上还可以设有传压介质通道，至少一个施压驱动件可以通过阀门316与传压介质通道连通。前述阀门316可以设置在设置有施压驱动件的支撑杆315上。通过开启阀门316，籽晶粘接装置30可以通过传压介质通道对施压驱动件产生的气压或液压进行传送，以将气压或液压传至施压组件320，对籽晶托100进行施压。

在一些实施例中，支撑盘313可旋转地设于支撑架314上，支撑盘313的旋转轴线可以平行于支撑杆314。籽晶粘接装置30还可以包括旋转驱动件370，前述旋转驱动件370与支撑盘313连接，以驱动支撑盘313旋转。例如，旋转驱动件可以包括电机，电机可以带动支撑盘313的旋转。又例如，旋转驱动件370可以包括位于支撑盘313底部的气动驱动件，气动驱动件可以为圆形转盘，气动驱动件的底部与气体压缩器相连，气体压缩器可以将压缩空气传递至气动驱动件中带动气动驱动件旋转，进而带动支撑盘313的旋转。

本说明书一些实施例，通过将支撑盘313旋转地设于支撑架314上，支撑盘313的旋转可以将籽晶130粘接处的气泡赶出，可以有效防止粘接不牢固导致籽晶130脱离。

在一些实施例中，旋转驱动件370可以包括磁性元件、动力源371和磁性驱动件。磁性元件可以固定在支撑盘313上。磁性驱动件可以用于驱动磁性元件旋转。在一些实施例中，磁性驱动件可以为圆形转盘。磁性驱动件可以固定在动力源371的输出端上，磁性驱动件与磁性元件磁耦合。动力源371可以将其他能源转换为动能，用于驱动磁性驱动件旋转。本说明书一些实施例，通过动力源371驱动磁性驱动件旋转，进而驱动磁性元件带动支撑盘313旋转，可以更方便地控制支撑盘313的旋转，减小支撑盘313旋转时的摩擦及振动。

在一些实施例中，施压部件320可以包括设于支撑架314上的限位压盘317。如图16所示，在一些实施例中，限位压盘317为底部有凸起的圆盘，凸起部分与籽晶托110相连(例如，螺纹或卡扣连接)。

在一些实施例中，施压驱动件可以包括第一子驱动件381和第二子驱动件381。第一子驱动件381和第二子驱动件382可以设于不同的支撑杆314上，以调整限位压盘317不同位置与支撑盘313间的距离。第一子驱动件381与第二子驱动件382的结构可以相同，例如，可以均为可移动的支撑底座。第一子驱动件381和第二子驱动件382可以沿限位压盘317的周向间隔布置，且第一子驱动件381和第二子驱动件382均与限位压盘317连接。

本说明书一些实施例，第一子驱动件381和第二子驱动件381可以从不同的位置向籽晶托100施加压力，有助于避免从单一位置施加压力导致籽晶托100受力不均。

在一些实施例中，籽晶粘接装置30还可以包括压力传感器321，压力传感器321用于确定各个施压部件320所施加的压力。如图16所示，在一些实施例中，压力传感器321可以套设在支撑杆315与支撑架314连接的部位，可以用于感应施压驱动件的驱动压力和/或阀门316处的压力。在另一些实施例中，压力传感器321还可以直接设在支撑盘313的上表面以直接感应籽晶托100所受的压力。通过压力传感器321，可以直接或间接感应籽晶托100处的压力，有助于对籽晶130粘接过程的更好把控，便于在压力过大或过小时及时做出调整，有效防止因压力过大导致籽晶130被压碎，或因压力过小导致籽晶130的粘接质量降低。

在一些实施例中，籽晶粘接装置30还可以包括控制器，前述控制器与阀门316和压力传感器321均可以信号连接。在一些实施例中，控制器可以基于压力传感器321感应的压力数据，调节阀门316的开度。例如，控制器可以实时获取压力传感器321获取到的压力数据，当前述压力数据小于预设的参考压力最小值时，控制器可以加大阀门316的开度，以提高籽晶130的粘接效果；当前述压力数据大于预设的参考压力最大值时，控制器可以减小阀门316的开度，以防止籽晶130被压碎。本说明书一些实施例，通过判断压力传感器321感应的压力数据，进而自动地对阀门316的开度进行调节，有助于调控每个粘接组件300的压力，使每个粘接组件300受力均衡，可以有效防止压力过大导致籽晶130被压碎，或因压力过小影响籽晶130的粘接效果。

本说明书还提供了一种坩埚400。坩埚400可以用于生成晶体生长所需的气相组分。坩埚400中的原料(如，熔液140)可以在温场的作用下挥发为气相组分并运动至上部粘接在籽晶托100上的籽晶130处，从而实现晶体生长。

在一些实施例中，如图17所示，坩埚400可以包括坩埚本体450、驱动组件460和温场保持盘410。

坩埚本体450用于承载用于晶体生长的熔液140。坩埚本体450可以呈圆筒状，坩埚本体450中可以设置有熔液140，通过加热坩埚本体450以加热熔液140，籽晶托100中的籽晶130与熔液140相接触，进而实现晶体生长。

温场保持盘410可以用于保持热场。

驱动组件460可以驱动坩埚本体450绕坩埚本体450的轴线E相对温场保持盘410旋转。驱动组件460可以包括驱动源和连接机构420，连接机构420可以连接在驱动源与坩埚本体450的底部之间，驱动源可以位于连接机构420底部，为驱动组件460提供驱动力。前述驱动源可以包括各种驱动设备与传动设备的组合，驱动设备可以包括电机、液压缸、气压缸等。

温场保持盘410可以设于连接结构420上，且位于驱动源与坩埚本体450的底部之间。在一些实施例中，温场保持盘410可以为圆盘状或其他形状。在一些实施例中，温场保持盘410的材质为莫来石、刚玉以及氧化铝中的至少一种，通过以上材料设置可以使得温场保持盘410适应高温环境，有助于提高温场保持盘410的稳定性。

温场保持盘410可以使热场在坩埚400旋转时保持静止，以避免其偏移倾斜导致与线圈接触而打火，无法继续长晶。此外，当坩埚400沿坩埚本体450的轴线E上下运动时，温场保持盘410还可以与坩埚400保持相对静止，以维持坩埚400的温度稳定，保障晶体生成的质量。

本说明书一些实施例通过设置驱动组件460可以驱动坩埚本体450绕坩埚本体450的轴线E旋转，从而可以使得坩埚400与籽晶130对转，还可以使得坩埚400与籽晶130交替旋转等，对晶体上形成的台阶进行不同方向的冲刷从而减小台阶的宽度以及大小，使晶体更加平整并减少夹杂的助熔剂。

坩埚本体450的旋转可以使晶体更加平整并减少夹杂的助熔剂，极大提高熔体整体的传质，进而有效提升晶体厚度。

如图18所示，连接机构420可以包括旋转柱421和第一承托盘422，第一承托盘422设于旋转柱421的一端，驱动源连接在旋转柱421的另一端。如图18所示，第一承托盘422可以为圆筒状，用于承托坩埚本体450，旋转柱421可以为圆柱状，用于带动第一承托盘422旋转。旋转柱421可以通过联轴器、轴承等连接件与驱动源连接。第一承托盘422的材质可以为石墨，旋转柱421的材质可以为莫来石、刚玉、氧化铝等耐高温材料。本说明书一些实施例通过驱动源驱动旋转柱421旋转，可以进一步带动第一承托盘422中的坩埚本体450旋转。

如图18所示，第一承托盘422上可以包括同心布置的多个阶梯状凹槽。前述多个阶梯状凹槽均与旋转柱421同心，且尺寸与多个不同坩埚本体450的尺寸适配。本说明书一些实施例通过同心布置的多个阶梯状凹槽，可以对多种不同尺寸的坩埚本体450进行定位，并结合实际情况替换不同尺寸形状的坩埚本体450，防止坩埚本体450与第一承托盘422同心偏移。在一些实施例中，第一承托盘422上的多个阶梯状凹槽处还可以包括有限位结构(例如，橡胶圈)，防止坩埚本体450在旋转时滑动。

在一些实施例中，连接机构420还包括第二承托盘423。第二承托盘423可以用于承托温场保持盘410。第二承托盘423的材质可以为莫来石、刚玉以及氧化铝等耐高温材料中的至少一种。

如图19所示，在一些实施例中，第二承托盘423可以呈环形，第二承托盘423的内环与旋转柱421的外壁固定。第二承托盘423可以位于第一承托盘422和驱动源之间。在一些实施例中，第二承托盘423可以位于温场保持盘410底部，且与温场保持盘410之间通过滚珠结构424连接。第二承托盘423可以包括多个滚珠结构424，前述多个滚珠结构424可以通过一种或多种定位装置固定在第二承托盘423上，多个滚珠结构424绕第二承托盘423轴向均匀分布。如图19所示，滚珠结构424可以以第二承托盘423的圆心为圆心，布置为半径不同的两组圆环排布。值得说明的是，热场的材质易粉化，硬度和稳定性较低，不能保证旋转时的绝对平衡，故温场保持盘410在旋转时可能会偏移倾斜，导致其与线圈接触而打火，从而无法继续长晶。同时，也会破坏坩埚本体450内的稳定性导致不可控因素的增加，本说明书一些实施例通过滚珠结构424连接第二承托盘423与温场保持盘410，可以在旋转柱421转动时保持温场保持盘410的静止，有助于防止温场保持盘410旋转的不可控因素增加。

在一些实施例中，坩埚400还可以包括多根伸缩支撑杆430。伸缩支撑杆430可以用于支撑温场保持盘410，伸缩支撑杆430的一端连接在温场保持盘410的底部。如图20A所示，伸缩支撑杆430可以包括滑动杆431和固定杆432，滑动杆431可以沿伸缩支撑杆430轴向上下移动，滑动杆431与固定杆431间可以通过收紧螺纹或其他锁紧机构固定。滑动杆431远离固定杆432的一端可以与温场保持盘410的第四通孔411连接。如图20B所示，温场保持盘410中可以有三个绕温场保持盘410轴向均匀分布的第四通孔411，第四通孔411的尺寸与滑动杆431适配，滑动杆可以通过螺纹连接或其他连接方式通过第四通孔411，并固定在温场保持盘410中。本说明书一些实施例通过多根伸缩支撑杆430，可以防止温场保持盘410在坩埚400旋转的过程中发生倾斜，进而保证晶体正常生长。

在一些实施例中，坩埚400还可以包括连接环440和锁紧机构。前述锁紧孔441与锁紧机构配合可以将连接环440与驱动源的输出轴以及旋转柱421固定。如图21所示，连接环440可以为内部中空的圆柱，其侧壁上设有沿连接环440轴向对称的多个锁紧孔441，连接环440可以套设在驱动源的输出轴以及旋转柱421的另一端(即靠近驱动源的一端)外。锁紧机构可以为螺钉，锁紧孔441的尺寸与锁紧机构适配，通过锁紧机构与锁紧孔441的配合可以将连接环440与驱动源的输出轴以及旋转柱421固定。本说明书一些实施例通过连接环440和锁紧机构可以将驱动源的输出轴以及旋转柱421与连接环440相固定，驱动源可以稳定地驱动旋转柱421旋转，有助于防止旋转柱421旋转时脱离驱动源。

在一些实施例中，籽晶托110可以通过如图22所示流程2200所述的晶体生长方法进行晶体生长。

图22是根据本说明书一些实施例所示的晶体生长方法的示例性流程图。在一些实施例中，该方法可以通过使用籽晶托(如图10所示的籽晶托)来完成。如图22所示，流程2200包括下述步骤。

步骤2210，将籽晶粘接在籽晶托本体的籽晶粘接面上。

籽晶可以被粘接在籽晶粘接面上。在一些实施例中，籽晶可以通过石墨纸进行固定。关于籽晶粘接面以及石墨纸的更多说明可以参见前文相关部分，如图1、图10等。

在一些实施例中，将籽晶粘接在籽晶托本体的籽晶粘接面上，包括：使籽晶的直径略大于籽晶托本体的直径，且籽晶略突出于保护托的远离连接杆的一侧表面。

在一些优选实施例中，将籽晶粘接在籽晶托本体的籽晶粘接面上时，籽晶的直径大于籽晶托本体的直径5mm-10mm，且籽晶突出于保护托的远离连接杆的一侧表面0.1mm-0.2mm；此外，保护托还可以对籽晶进行包裹，实现轴向和径向的温度梯度控制；保护托对籽晶还存在保护作用。例如，籽晶沉入保护托后，提拉时籽晶不受力，避免了籽晶脱落。

本说明书的一些实施例中，在粘接籽晶时，使籽晶的直径略大于籽晶托本体的直径，且籽晶略突出于保护托的远离连接杆的一侧表面，可以保证籽晶与熔体的充分接触。

在一些实施例中，当籽晶托具有图10中所示的保护托180、第二保护套182等部件时，将籽晶粘接在籽晶托本体的籽晶粘接面上的步骤可以进一步包括将籽晶与第二保护套182远离连接杆120的一端贴合，并粘接在籽晶托本体110的籽晶粘接面111上。这样可以保证在晶体生长的过程中，第二保护套182可以有效地防止熔体的挥发物进入籽晶与保护托180之间以及籽晶托本体110与保护托之间。

步骤2220，将粘有籽晶的籽晶托沉入坩埚中的用于晶体生长的熔体中，且籽晶的远离籽晶托本体的一侧表面位于熔体温度最高的位置处。

图23是根据本说明书一些实施例所示的生成晶体的示意图。如图23所示，籽晶托可以沉入坩埚400中的用于晶体生长的熔体2320中。其中，熔体2320是指用于生成晶体的原料的熔融态。

在一些实施例中，籽晶的远离籽晶托的一侧表面基本位于熔体温度最高的位置处。其可以理解为籽晶的远离籽晶托的一侧表面与熔体温度最高的高温线之间的距离很小，如小于熔体整体深度的1％等。如图23，籽晶的远离籽晶托的一侧表面位于熔体的高温线2310处。高温线2310可以表示熔体的最高温度处。

在一些实施例中，籽晶托的一部分位于熔体中，籽晶托的另一部分位于熔体外。参照图23，籽晶托的一部分位于熔体中，籽晶托的另一部分位于熔体外。可以理解的是，籽晶托的一部分裸露在熔体外可以保证籽晶托轴向和径向的温度梯度控制，保证晶体更好生长。在一些实施例中，籽晶托尽量不与熔体接触，从而避免挥发物附着到籽晶托上，以免晶体生长后难以实现晶托分离。但是籽晶托尽量不与熔体接触其实不利于晶体的生长。而由于保护托180的设置，尤其是进一步设置了第一保护套181和第二保护套182后，挥发物不会附着到籽晶托本体上。在解决了这一问题后，籽晶托可以一部分位于熔体中，另一部分位于熔体外，籽晶可以放置到熔体的高温线附近，这样可以保证晶体更好地生长。

在一些实施例中，在将粘有籽晶的籽晶托沉入用于晶体生长的熔体中之前，还包括：将熔体升温至预设温度区间。在一些优选实施例中，熔体升温的预设温度区间可以是1720℃～1780℃。可以理解的是，将熔体升温至1720℃～1780℃的温度区间，可以保证熔体的充分熔融，便于后续晶体生长。

步骤2230，使用上提拉法生长晶体。

在一些实施例中，晶体可以通过上提拉法生长。

在一些实施例中，籽晶托能够绕着连接杆的轴线旋转，坩埚能够绕着坩埚的轴线旋转；连接杆的轴线与坩埚的轴线平行。

如图23所示，籽晶托能够绕着连接杆的轴线A旋转，坩埚能够绕着坩埚的轴线旋转。其中，坩埚的轴线与连接杆的轴线平行。

在一些实施例中，使用上提拉法生长晶体还包括：控制籽晶托和坩埚沿着相反的方向旋转。在本说明书一些实施例中，通过相反的方向旋转籽晶托和坩埚，可以更好地进行提拉，提高晶体生长效率。

在一些实施例中，籽晶托的旋转速度是0rpm～20rpm；坩埚的旋转速度是0rpm～20rpm。

在一些实施例中，籽晶托的旋转速度的数值与坩埚的旋转速度的数值的乘积为预设值。

在一些优选实施例中，籽晶托的旋转速度的数值与坩埚的旋转速度的数值的乘积为20或150。

在本说明书的一些实施例中，控制籽晶托的旋转速度的数值与坩埚的旋转速度的数值的乘积为20或150，可以保证晶体稳定、快速、高质量地生长。

在一些实施例中，使用上提拉法生长晶体包括：保持粘有籽晶的籽晶托沉入熔体10min～30min，以及按照0.01mm/h～0.2mm/h的提拉速度提拉籽晶托而进行晶体生长。

在一些优选实施例中，提拉速度可以为0.05mm/h。

在本说明书的一些实施例中，通过上述实施例，可以保证晶体在熔体稳定的情况下生长。

在一些实施例中，在晶体生长10h～30h后，按30mm/h-40mm/h的提拉速度将晶体提拉离开熔体，且晶体与熔体表面具有15mm～25mm的间隔高度。

值得说明的是，在晶体生长一段时间后，由于坩埚壁腐蚀、熔体蒸发等情况，导致熔体液面高度逐渐降低，使得籽晶离开熔体的相对速度逐渐加快，导致晶体生长缓慢甚至不生长。基于前述实施例中所述的生长时间、提拉高度以及间隔高度可以较好地克服上述问题，使得晶体更好地生长。

在一些实施例中，晶体生长方法还包括：在晶体生长完成后，沿平行于籽晶粘接面的切割平面切割籽晶托，以将籽晶托与晶体分离。其中，切割平面覆盖籽晶托本体、保护托和第二保护套。由于保护托和第二保护套的设置，籽晶与籽晶托本体之间没有挥发物的附着，可以实现方便地切割而将籽晶托与晶体分离。

在本说明书的一些实施例中，上述实施例所述的晶体生长方法，由于阻碍了挥发物质导致的粘连，籽晶与籽晶托本体之间无其它物质附着，且籽晶直径大于籽晶托本体，可以轻松对晶体进行分离；此外，保护托还可以在调节轴向和径向的温度梯度的保证籽晶稳定、高效地生长。因此，本说明书实施例中所述的晶体生长方法可以高效、快速地获得晶体，且获得的晶体易于分离。

应当注意的是，上述有关流程2200的描述仅仅是为了示例和说明，而不限定本说明书的适用范围。对于本领域技术人员来说，在本说明书的指导下可以对流程2200进行各种修正和改变。然而，这些修正和改变仍在本说明书的范围之内。

上文已对基本概念做了描述，显然，对于本领域技术人员来说，上述详细披露仅仅作为示例，而并不构成对本说明书的限定。虽然此处并没有明确说明，本领域技术人员可能会对本说明书进行各种修改、改进和修正。该类修改、改进和修正在本说明书中被建议，所以该类修改、改进、修正仍属于本说明书示范实施例的精神和范围。

同时，本说明书使用了特定词语来描述本说明书的实施例。如“一个实施例”、“一实施例”、和/或“一些实施例”意指与本说明书至少一个实施例相关的某一特征、结构或特点。因此，应强调并注意的是，本说明书中在不同位置两次或多次提及的“一实施例”或“一个实施例”或“一个替代性实施例”并不一定是指同一实施例。此外，本说明书的一个或多个实施例中的某些特征、结构或特点可以进行适当的组合。

此外，除非权利要求中明确说明，本说明书所述处理元素和序列的顺序、数字字母的使用、或其他名称的使用，并非用于限定本说明书流程和方法的顺序。尽管上述披露中通过各种示例讨论了一些目前认为有用的发明实施例，但应当理解的是，该类细节仅起到说明的目的，附加的权利要求并不仅限于披露的实施例，相反，权利要求旨在覆盖所有符合本说明书实施例实质和范围的修正和等价组合。例如，虽然以上所描述的***组件可以通过硬件设备实现，但是也可以只通过软件的解决方案得以实现，如在现有的服务器或移动设备上安装所描述的***。

同理，应当注意的是，为了简化本说明书披露的表述，从而帮助对一个或多个发明实施例的理解，前文对本说明书实施例的描述中，有时会将多种特征归并至一个实施例、附图或对其的描述中。但是，这种披露方法并不意味着本说明书对象所需要的特征比权利要求中提及的特征多。实际上，实施例的特征要少于上述披露的单个实施例的全部特征。

一些实施例中使用了描述成分、属性数量的数字，应当理解的是，此类用于实施例描述的数字，在一些示例中使用了修饰词“大约”、“近似”或“大体上”来修饰。除非另外说明，“大约”、“近似”或“大体上”表明所述数字允许有±20％的变化。相应地，在一些实施例中，说明书和权利要求中使用的数值参数均为近似值，该近似值根据个别实施例所需特点可以发生改变。在一些实施例中，数值参数应考虑规定的有效数位并采用一般位数保留的方法。尽管本说明书一些实施例中用于确认其范围广度的数值域和参数为近似值，在具体实施例中，此类数值的设定在可行范围内尽可能精确。

针对本说明书引用的每个专利、专利申请、专利申请公开物和其他材料，如文章、书籍、说明书、出版物、文档等，特此将其全部内容并入本说明书作为参考。与本说明书内容不一致或产生冲突的申请历史文件除外，对本说明书权利要求最广范围有限制的文件(当前或之后附加于本说明书中的)也除外。需要说明的是，如果本说明书附属材料中的描述、定义、和/或术语的使用与本说明书所述内容有不一致或冲突的地方，以本说明书的描述、定义和/或术语的使用为准。

最后，应当理解的是，本说明书中所述实施例仅用以说明本说明书实施例的原则。其他的变形也可能属于本说明书的范围。因此，作为示例而非限制，本说明书实施例的替代配置可视为与本说明书的教导一致。相应地，本说明书的实施例不仅限于本说明书明确介绍和描述的实施例。

Claims

一种籽晶托，其特征在于，其包括籽晶托本体和连接杆，所述籽晶托本体固定在所述连接杆的一端，所述籽晶托本体上远离所述连接杆的一侧设有籽晶粘接面。
如权利要求1所述的籽晶托，其特征在于，所述籽晶托本体包括中空的第一内腔，所述连接杆内设有供冷却介质流通的通道；所述通道与所述第一内腔相连通。
如权利要求2所述的籽晶托，其特征在于，所述籽晶托本体上设有与所述第一内腔连通的第一通孔。
如权利要求2所述的籽晶托，其特征在于，所述内腔中设有冷却介质扩散结构。
如权利要求4所述的籽晶托，其特征在于，所述冷却介质扩散结构包括壳体，所述壳体内形成第二内腔，所述壳体上设有多个扩散孔，所述通道与所述第二内腔连通，所述扩散孔连通所述第一内腔和所述第二内腔。
如权利要求2所述的籽晶托，其特征在于，所述籽晶托还包括冷却设备，所述冷却设备将所述冷却介质输送给所述通道，所述冷却介质以预设流速在所述通道内流动。
如权利要求6所述的籽晶托，其特征在于，所述冷却介质为惰性气体，预设流速大于0.4m/s。
如权利要求2所述的籽晶托，其特征在于，所述籽晶托还包括增重结构，所述增重结构连接在所述籽晶托本体上。
如权利要求2所述的籽晶托，其特征在于，所述籽晶托还包括设于所述连接杆上的冷却结构，所述冷却结构冷却所述通道内的冷却介质。
如权利要求1所述的籽晶托，其特征在于，所述籽晶托还包括驱动机构和搅拌机构，所述连接杆的另一端与所述驱动机构相连，所述驱动机构通过连接杆带动所述籽晶托本体绕所述连接杆的轴线旋转；

所述搅拌机构连接在所述籽晶托本体上，所述搅拌机构搅拌用于晶体生长的熔液。
如权利要求10所述的籽晶托，其特征在于，所述搅拌机构包括安装杆和搅拌桨，所述搅拌桨位于所述籽晶粘接面的远离所述连接杆的一侧。
如权利要求10所述的籽晶托，其特征在于，所述搅拌机构的数量是多个，多个所述搅拌机构环绕所述籽晶托本体设置。
如权利要求10所述的籽晶托，其特征在于，所述搅拌机构的材质为钨合金、高温陶瓷中的一种或多种。
如权利要求1所述的籽晶托，其特征在于，所述籽晶托主体包括至少两个子部，所述至少两个子部的每个所述子部上均设有半槽；

所述籽晶托还包括锁紧结构和卡接结构，所述卡接结构设于连接杆与所述籽晶托本体连接的一端；

所述至少两个子部拼接而使得至少两个子部中各个所述子部上的半槽拼接成卡接槽，所述卡接结构卡接在所述卡接槽内；

锁紧结构将拼接的所述至少两个子部相固定。
如权利要求14所述的籽晶托，其特征在于，所述至少两个子部包括结构相同的第一子部和第二子部；所述第一子部和所述第二子部以所述连接杆的轴线为对称轴对称设置。
如权利要求14所述的籽晶托，其特征在于，所述卡接槽沿所述连接杆的轴线方向排列的第一槽体和第二槽体，所述第一槽体比所述第二槽体更靠近所述籽晶粘接面；所述第一槽体沿垂直于所述连接杆的轴线的截面的面积大于所述第二槽体沿垂直于所述连接杆的轴线的截面的面积；所述卡接结构沿垂直于所述连接杆的轴线的截面的面积大于所述连接杆沿垂直于所述连接杆的轴线的截面的面积。
如权利要求14所述的籽晶托，其特征在于，所述卡接结构呈多面体形状。
如权利要求14所述的籽晶托，其特征在于，所述锁紧结构包括环形槽和锁紧环；所述环形槽环绕所述籽晶托主体的外壁设置，所述锁紧环套设在拼接后的所述至少两个子部外且设置在所述环形槽内。
如权利要求1所述的籽晶托，其特征在于，所述籽晶托还包括环形的保护托，所述保护托内设有与所述籽晶托本体的形状匹配的容纳腔；所述保护托环绕所述籽晶托本体设置，且所述保护托环绕所述连接杆的与所述籽晶托本体连接的一端设置。
如权利要求19所述的籽晶托，其特征在于，所述籽晶托还包括环形的第一保护套，所述第一保护套套设在所述连接杆外，且所述第一保护套位于所述连接杆与所述保护托之间。
如权利要求20所述的籽晶托，其特征在于，所述连接杆沿所述连接杆的轴向包括第一外径段和第二外径段；所述第一外径段的外径小于所述第二外径段的外径，所述第一外径段比所述第二外径段更靠近所述籽晶托本体；

所述第一保护套沿所述连接杆的轴向包括第一内径段和第二内径段；所述第一内径段的外径小于所述第二内径段的内径，所述第一内径段与所述第一外径段匹配，所述第二内径段与所述第二外径段匹配。
如权利要求19所述的籽晶托，其特征在于，所述保护托的远离所述连接杆的一侧表面上设有环形的第二保护套，所述第二保护套嵌入所述保护托内，且所述第二保护套环绕所述容纳腔设置。
如权利要求22所述的籽晶托，其特征在于，当所述籽晶粘接面上粘接有籽晶时，所述第二保护套远离所述连接杆的一端与所述籽晶贴合。
如权利要求22所述的籽晶托，其特征在于，所述保护托的远离所述连接杆的一侧表面上设有第一凹槽；所述第一凹槽的直径大于所述容纳腔背离所述连接杆的一侧的开口的直径；所述第一凹槽包括与所述开口连通的连通部分以及环绕在所述连通部分外的环形部分；

所述环形部分的底面与所述籽晶粘接面位于同一平面上；所述环形保护套设于所述环形部分的底面上。
如权利要求24所述的籽晶托，其特征在于，所述第一凹槽的直径大于所述开口的直径5mm-10mm。
如权利要求24所述的籽晶托，其特征在于，所述籽晶粘接面上粘接有石墨纸，所述石墨纸朝向远离所述连接杆的方向凸出于所述第二保护套的远离所述连接杆的一侧表面。
一种籽晶粘接装置，其特征在于，所述籽晶粘接装置包括一个或多个粘接组件，所述粘接组件包括支撑部件和施压部件，所述支撑部件支撑籽晶托，所述施压部件施加压力，所述压力将所述籽晶托和所述籽晶托上的籽晶相向压合。
如权利要求27所述的籽晶粘接装置，其特征在于，所述支撑部件包括第一压件和第二压件，所述施压部件包括第一压盘；

所述第一压件的侧壁包括至少一个第一排气孔；所述第二压件与所述第一压件嵌套连接；其中，在籽晶粘接固定过程中，籽晶放置于所述第二压件的上表面，籽晶托放置于所述籽晶上表面；所述第一压盘向所述籽晶托施加压力。
如权利要求28所述的籽晶粘接装置，其特征在于，所述第一压件底部包括第二通孔，所述第二压件底部包括第一凸起，所述第一凸起与所述第二通孔相互配合实现所述第一压件和所述第二压件的嵌套连接。
如权利要求28所述的籽晶粘接装置，其特征在于，所述第一排气孔的横截面直径包括0.01mm-10mm。
如权利要求28所述的籽晶粘接装置，其特征在于，所述第一压件和所述第二压件嵌套连接后，所述第一排气孔与所述第二压件上表面的竖直距离在0.2mm-5mm的范围内。
如权利要求28所述的籽晶粘接装置，其特征在于，所述第二压件的侧壁包括至少一个第二排气孔，所述第一排气孔与所述第二排气孔至少部分相对应。
如权利要求32所述的籽晶粘接装置，其特征在于，所述第二排气孔的横截面直径包括0.01mm-10mm。
如权利要求32所述的籽晶粘接装置，其特征在于，所述第二排气孔与所述第二压件上表面的竖直距离在0.2mm-5mm的范围内。
如权利要求28所述的籽晶粘接装置，其特征在于，所述第二压件的高度小于所述第一压件的高度。
如权利要求28所述的籽晶粘接装置，其特征在于，所述籽晶托与所述第一压件螺纹连接。
如权利要求28所述的籽晶粘接装置，其特征在于，所述第一压盘底部包括第二凸起，所述籽晶托上部包括第二凹槽，所述第二凸起和所述第二凹槽配合实现所述第一压盘和所述籽晶托的连接。
如权利要求27所述的籽晶粘接装置，其特征在于，支撑部件包括环形底座，所述环形底座和盖体，所述籽晶托放置在所述环形底座上；所述盖体包括环形的侧壁和盖板，所述侧壁套设在所述环形底座外，所述盖体向所述籽晶托上的籽晶施加压力。
如权利要求38所述的籽晶粘接装置，其特征在于，还包括第一连接件和第二连接件，所述第一连接件设于所述环形底座上，所述第二连接件设于所述盖体上；所述第一连接件与所述第二连接件可拆卸连接；

当所述第一连接件与所述第二连接件连接，所述盖体的盖板向所述籽晶托上的籽晶施加压力。
如权利要求38所述的籽晶粘接装置，其特征在于，所述底座上设有锁紧结构，所述锁紧结构将所述籽晶托固定到所述环形底座上。
如权利要求40所述的籽晶粘接装置，其特征在于，所述籽晶托的远离所述籽晶粘接面的一侧设有连接螺纹孔，锁紧结构包括锁紧盘、锁紧件和锁紧螺母，所述锁紧件包括托盘、第一螺纹杆和第二螺纹杆，所述托盘承托所述籽晶托的远离所述籽晶粘接面的一侧，所述第一螺纹杆与所述连接螺纹孔配合；所述锁紧盘上设有安装孔，所述第二螺纹杆穿过所述安装孔，所述锁紧螺母与所述第二螺纹杆配合；

所述锁紧螺母和所述托盘分别位于所述锁紧盘的沿所述安装孔的轴线方向的两侧。
如权利要求41所述的籽晶粘接装置，其特征在于，所述托盘由弹性材料制成。
如权利要求38所述的籽晶粘接装置，其特征在于，所述环形底座的内壁上设有承托结构，所述承托结构包括环形连接板、环形承托板和环形承托凸起；所述环形承托板的外环连接所述环形连接板，所述环形承托板的内环设有所述环形承托凸起，所述环形承托凸起承托所述籽晶托；所述环形连接板连接所述环形底座的内壁。
如权利要求38所述的籽晶粘接装置，其特征在于，所述盖体上设气泡去除装置，所述气泡去除装置去除籽晶与所述籽晶托之间的气泡。
如权利要求44所述的籽晶粘接装置，其特征在于，所述气泡去除装置包括插槽、插板和滚轮；所述插槽设于所述盖体上，所述插板位于所述插槽内，所述滚轮设于所述插板的一端；所述插板在所述插槽内运动，以带动所述滚轮滚压所述籽晶。
如权利要求45所述的籽晶粘接装置，其特征在于，所述插板的另一端设有拉环。
如权利要求27所述的籽晶粘接装置，其特征在于，所述粘接组件的数量是多个，所述支撑部件包括支撑盘，所述支撑盘承托所述籽晶和所述籽晶托，所述籽晶位于所述支撑盘和所述籽晶托之间；

所述籽晶粘接装置还包括支撑架以及设于所述支撑架上的多个施压驱动件，所述支撑盘设于所述支撑架上，所述籽晶粘接装置包括多个粘接组件，多个施压驱动件分别与多个所述施压部件连接；所述施压驱动件使得所述施压部件对所述籽晶托施加朝向所述支撑盘的压力。
如权利要求47所述的籽晶粘接装置，其特征在于，所述支撑架包括沿着竖直方向延伸的多根支撑杆，多根所述支撑杆沿所述支撑盘的周向间隔布置；多个所述施压驱动件设于至少一根所述支撑杆上，且多个所述施压驱动件沿所述竖直方向间隔布置，多个籽晶粘接组件沿竖直方向间隔布置。
如权利要求47所述的籽晶粘接装置，其特征在于，所述施压驱动件包括气压施压驱动件或液压施压驱动件。
如权利要求49所述的籽晶粘接装置，其特征在于，设置有所述施压驱动件的所述支撑杆上设有传压介质通道，至少一个所述施压驱动件通过阀门与所述传压介质通道连通。
如权利要求47所述的籽晶粘接装置，其特征在于，所述支撑盘可旋转地设于所述支撑架上，所述支撑盘的旋转轴线平行于所述支撑杆，所述籽晶粘接装置还包括旋转驱动件，所述旋转驱动件与所述支撑盘连接，以驱动所述支撑盘旋转。
如权利要求51所述的籽晶粘接装置，其特征在于，所述旋转驱动件包括磁性元件、动力源和磁性驱动件；所述磁性驱动件与所述磁性元件磁耦合，所述磁性元件固定在所述支撑盘上，所述磁性驱动件固定在所述动力源的输出端上；所述动力源驱动所述磁性驱动件旋转，以驱动所述磁性元件带动所述支撑盘旋转。
如权利要求48所述的籽晶粘接装置，其特征在于，所述施压部件包括设于所示支撑架上的限位压盘，所述施压驱动件包括第一子驱动件和第二子驱动件，所述第一子驱动件和所述第二子驱动件设于不同的所述支撑杆上；

所述第一子驱动件和所述第二子驱动件沿所述限位压盘的周向间隔布置，且所述第一子驱动件和所述第二子驱动件均与所述限位压盘连接。
如权利要求50所述的籽晶粘接装置，其特征在于，所述籽晶粘接装置还包括压力传感器，所述压力传感器用于确定各个所述施压部件所施加的压力。
如权利要求54所述的籽晶装置，其特征在于，所述籽晶粘接装置还包括控制器，所述控制器与所述阀门和所述压力传感器均信号连接；所述控制器被配置为：

基于所述压力传感器感应的压力数据，调节所述阀门的开度。
一种坩埚，其特征在于，包括坩埚本体、驱动组件和温场保持盘，所述驱动组件包括驱动源和连接机构，所述连接机构连接在所述驱动源与所述坩埚本体的底部之间，所述驱动组件驱动所述坩埚本体绕坩埚本体的轴线相对所述温场保持盘旋转；所述温场保持盘设于所述连接结构上，且位于所述驱动源与所述坩埚本体的底部之间。
如权利要求56所述的坩埚，其特征在于，所述连接机构包括旋转柱和第一承托盘，所述第一承托盘设于所述旋转柱的一端，所述驱动源连接在所述旋转柱的另一端。
如权利要求57所述的坩埚，其特征在于，所述第一承托盘上包括同心布置的多个阶梯状凹槽。
如权利要求57所述的坩埚，其特征在于，所述连接机构包括第二承托盘，所述第二承托盘呈环形，所述第二承托盘位于所述第一承托盘和所述驱动源之间，所述第二承托盘的内环与所述旋转柱的外壁固定；

所述第二承托盘与所述温场保持盘之间通过滚珠结构连接。
如权利要求56所述的坩埚，其特征在于，所述温场保持盘的材质为莫来石、刚玉以及氧化铝中的至少一种。
如权利要求56所述的坩埚，其特征在于，所述坩埚还包括多根伸缩支撑杆，所述伸缩支撑杆的一端连接在所述温场保持盘的底部。
权利要求56所述的坩埚，其特征在于，所述坩埚还包括连接环和锁紧机构，所述连接环的侧壁上设有锁紧孔；所述连接环套设在所述驱动源的输出轴以及所述旋转柱的另一端外，所述锁紧孔与所述锁紧机构配合而将所述连接环与所述驱动源的输出轴以及所述旋转柱固定。
一种晶体生长方法，其特征在于，使用权利要求19-26所述的籽晶托，包括以下步骤：

将籽晶粘接在籽晶托本体的籽晶粘接面上；

将粘有所述籽晶的所述籽晶托沉入坩埚中的用于晶体生长的熔体中，且所述籽晶的远离所述籽晶托的一侧表面位于所述熔体温度最高的位置处；

使用上提拉法生长晶体。
如权利要求63所述的晶体生长方法，其特征在于，所述籽晶托本体的一部分位于所述熔体中，所述籽晶托本体的另一部分位于所述熔体外。
如权利要求63所述的晶体生长方法，其特征在于，所述籽晶托能够绕着连接杆的轴线旋转，所述坩埚能够绕着所述坩埚的轴线旋转；所述连接杆的轴线与所述坩埚的轴线平行；

所述使用上提拉法生长晶体包括：

控制所述籽晶托和所述坩埚沿着相反的方向旋转。
如权利要求65所述的晶体生长方法，其特征在于，所述籽晶托的旋转速度是0rpm～20rpm；所述坩埚的旋转速度是0rpm～20rpm。
如权利要求66所述的晶体生长方法，其特征在于，所述籽晶托的旋转速度的数值与所述坩埚的旋转速度的数值的乘积为20或150。
如权利要求63所述的晶体生长方法，其特征在于，在将粘有所述籽晶的所述籽晶托沉入用于晶体生长的熔体中之前，还包括：

将所述熔体升温至1720℃～1780℃。
如权利要求63所述的晶体生长方法，其特征在于，所述使用上提拉法生长晶体包括：

保持粘有所述籽晶的所述籽晶托沉入所述熔体10min～30min；

按照0.01mm/h～0.2mm/h的提拉速度提拉所述籽晶托而进行晶体生长。
如权利要求63所述的晶体生长方法，其特征在于，所述使用上提拉法生长晶体包括：

在晶体生长10h～30h后，按30mm/h-40mm/h的提拉速度将晶体提拉离开所述熔体，且所述晶体与所述熔体表面具有15mm～25mm的间隔高度。
如权利要求63所述的晶体生长方法，其特征在于，所述将籽晶粘接在籽晶托本体的籽晶粘接面上包括：

使得所述籽晶的直径大于所述籽晶托本体的直径5mm-10mm，且所述籽晶突出于所述保护托的远离所述连接杆的一侧表面0.1mm-0.2mm。
如权利要求63所述的晶体生长方法，其特征在于，所述保护托的远离所述连接杆的一侧表面上设有环形的第二保护套，所述第二保护套嵌入所述保护托内，且所述第二保护套环绕所述容纳腔设置；

所述将籽晶粘接在籽晶托本体的籽晶粘接面上包括：

将籽晶与所述第二保护套远离所述连接杆的一端贴合，并粘接在籽晶托本体的籽晶粘接面上；

所述晶体生长方法还包括：

在晶体生长完成后，沿平行于所述籽晶粘接面的切割平面切割所述籽晶托，以将所述籽晶托与所述晶体分离；

所述切割平面覆盖所述籽晶托本体、所述保护托和所述第二保护套。