WO2024034333A1 - 発光装置 - Google Patents

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WO2024034333A1
WO2024034333A1 PCT/JP2023/026196 JP2023026196W WO2024034333A1 WO 2024034333 A1 WO2024034333 A1 WO 2024034333A1 JP 2023026196 W JP2023026196 W JP 2023026196W WO 2024034333 A1 WO2024034333 A1 WO 2024034333A1
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WO
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light emitting
resin
glass substrate
emitting device
film
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PCT/JP2023/026196
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欣彦 井上
敬造 宇田川
Original Assignee
東レ株式会社
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    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
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    • G09F9/30Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • HELECTRICITY
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    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10Substrates, e.g. flexible substrates

Definitions

  • the present invention relates to a light emitting device using a light emitting diode (hereinafter sometimes referred to as "LED”) or an organic electroluminescence (hereinafter sometimes referred to as “organic EL”) light emitting body. Regarding.
  • LED light emitting diode
  • organic EL organic electroluminescence
  • LED displays consist of a display made by arranging the same number of LEDs as the number of pixels, especially mini LED displays in which the size of the LEDs used as light sources has been reduced from the conventional 1 mm to 100 to 700 ⁇ m, and micro LED displays in which the size has been reduced to 100 ⁇ m or less. It is attracting attention, and research and development is actively underway.
  • various display terminals such as wearable terminals, smartphones, and tablets are flexible, and foldable devices that are foldable are being actively studied.
  • Foldable devices are made by making the cover glass that protects the display and housing thin enough to be bendable, and the glass substrate used as the base material for the display device also has impact resistance even if the glass substrate is thinned. There is a need for a material that does not easily deteriorate, and has both bending resistance and impact resistance.
  • Patent Document 1 describes a display support substrate having a film B containing a polysiloxane resin on at least one side of a film A containing a polyimide resin, the film B containing inorganic oxide particles, and requiring complicated operations. It is disclosed that a high-definition display can be produced without any problems, the coefficient of thermal expansion is small, birefringence is small, and flexibility can be provided.
  • Patent Document 2 includes a support base material, a silicone resin layer, and a substrate in this order, and the silicone resin layer is made of at least one metal element selected from the group consisting of zirconium, aluminum, and tin.
  • a structure is described in which an organic EL structure is formed on the surface of the glass laminate on the opposite side from the silicone resin layer side of the glass substrate. Accordingly, in order to form a highly reliable insulating film, it is disclosed that the generation of bubbles in the silicone resin layer in the glass laminate can be suppressed even by high-temperature treatment such as high-temperature CVD film formation.
  • Patent Document 3 discloses that a cured film made of a crosslinked glass reinforcing material containing a siloxane resin and silica particles has a thickness of 0.5 to 10 ⁇ m, and has a transmittance of 90% or more at a wavelength of 400 nm, on at least one side of a tempered glass substrate.
  • a glass reinforced substrate having the following is described, and the effect of achieving both glass strength and transmittance is disclosed.
  • US Pat. No. 5,002,201 discloses a substrate containing cations on the surface of the substrate in an amount of at least 0.1 atomic weight percent based on the total atomic weight of atoms on the surface of the substrate; a cation-sensitive layer disposed on a surface; and a cured silicone composition disposed between the substrate and the cation-sensitive layer to prevent migration of cations from the substrate to the cation-sensitive layer.
  • a composite article is described comprising a silicone layer.
  • the cured silicone composition can provide other properties, such as preventing defect formation on the substrate surface, thus improving the strength of the substrate.
  • the composite article 10 of the present invention is an organic light emitting diode (hereinafter "OLED")
  • OLED organic light emitting diode
  • an important advantage of the cured silicone composition described above is that it improves the strength of the substrate 12; It is very useful for bendable/flexible OLED structures on thin glass substrates 12. Due to the low thickness of the thin substrate 12, it is disclosed that the thin substrate 12 is flexible and bendable, making it an ideal substrate 12 for bendable/flexible OLEDs.
  • Patent Document 5 discloses an optical film including a glass base material having a defined thickness and a resin layer adjacent to the glass base material, and having a Young's modulus of the resin layer defined, and wherein the resin layer includes a silicone resin.
  • an image display device in which the display panel is an organic light-emitting diode panel is disclosed, and thereby an effect that the optical film has flexibility and impact resistance is disclosed.
  • JP2016-72246A Japanese Patent Application Publication No. 2018-202849 JP2019-214492A International Publication No. 2008/079275 International Publication No. 2019/066078
  • the base material used to protect the display and housing needs to be made thin enough to be bendable, and in doing so, thin glass substrates have lower impact resistance and become more susceptible to breakage. .
  • an ultra-thin glass substrate is made thicker in order to improve impact resistance, there is a problem in that the bending resistance deteriorates, and it has been difficult to achieve both impact resistance and bending resistance.
  • a polyimide resin is used for the display support substrate, it tends to be colored yellow and the transmittance may be lowered.
  • organic devices tend to deteriorate easily.
  • the present invention aims to improve flexibility by achieving both cracking strength and bending resistance of a glass substrate in a light emitting device using an LED or an organic EL light emitter, and also to have excellent transparency.
  • Another object of the present invention is to provide a light-emitting device that can prevent glass from breaking due to handling of a glass substrate and improve productivity when manufacturing a display.
  • a light emitting device comprising at least a glass substrate comprising a resin coating film (S) containing at least a siloxane resin and a light emitter part.
  • the light-emitting body part is an organic EL light-emitting body part composed of at least a first electrode, a second electrode, an organic EL light-emitting body, and a pixel dividing layer.
  • the light emitting body part is a light emitting diode light body part composed of at least wiring, a resin film (A) in contact with at least a part of the wiring, and a light emitting diode. Device.
  • the resin coating film (S) is arranged on both surfaces of the glass substrate, and the light emitter part is further laminated on the surface of either resin film (S), [1] The light emitting device according to any one of [4].
  • dn is the absolute value of the difference between the refractive index n1 of the glass substrate and the refractive index n2 of the resin coating film (S), dn ⁇ 0.05, [1] to [ 4].
  • the resin film (A) contains one or more (M) resins selected from the group consisting of polyimide, polyimide precursor, polybenzoxazole, polybenzoxazole precursor, and copolymers thereof, [4 ] The light emitting device described.
  • the present invention it is possible to provide a light emitting device that has high impact resistance, good bending resistance, and high transparency.
  • FIG. 1 is a side sectional view of a light emitting device using organic EL according to the present invention.
  • FIG. 3 is a side sectional view of another embodiment of a light emitting device using organic EL according to the present invention.
  • FIG. 7 is a side cross-sectional view of another embodiment of the light emitting device using organic EL according to the present invention in a folded state.
  • FIG. 3 is a side sectional view of another embodiment of a light emitting device using organic EL according to the present invention.
  • FIG. 3 is a side sectional view of another embodiment of a light emitting device using organic EL according to the present invention.
  • FIG. 7 is a side cross-sectional view of another embodiment of the light emitting device using organic EL according to the present invention in a folded state.
  • FIG. 7 is a side sectional view of still another embodiment of a light emitting device using organic EL according to the present invention.
  • 1 is a side sectional view of a light emitting device using an LED according to the present invention.
  • FIG. 3 is a side sectional view of another embodiment of a light emitting device using an LED according to the present invention.
  • FIG. 7 is a side sectional view of still another embodiment of a light emitting device using an LED according to the present invention.
  • FIG. 7 is a side sectional view of still another embodiment of a light emitting device using an LED according to the present invention.
  • FIG. 7 is a side sectional view of still another embodiment of a light emitting device using an LED according to the present invention.
  • FIG. 7 is a side sectional view of still another embodiment of a light emitting device using an LED according to the present invention.
  • FIG. 1 is a side sectional view of a light emitting device using an LED according to the present invention.
  • FIG. 3 is a side section
  • FIG. 7 is a side sectional view of still another embodiment of a light emitting device using an LED according to the present invention.
  • FIG. 7 is a side sectional view of still another embodiment of a light emitting device using an LED according to the present invention.
  • FIG. 7 is a side sectional view of still another embodiment of a light emitting device using an LED according to the present invention.
  • FIG. 7 is a side sectional view of still another embodiment of a light emitting device using an LED according to the present invention.
  • FIG. 7 is a side sectional view of still another embodiment of a light emitting device using an LED according to the present invention.
  • FIG. 7 is a side sectional view of still another embodiment of a light emitting device using an LED according to the present invention.
  • FIG. 7 is a side sectional view of still another embodiment of a light emitting device using an LED according to the present invention.
  • FIG. 7 is a side sectional view of still another embodiment of a light emitting device using an LED according to the present invention.
  • FIG. 3 is a side cross-sectional view showing the state of the light emitting device according to the present invention in the folding process.
  • FIG. 3 is a side cross-sectional view showing the state of the light emitting device according to the present invention in the folding process.
  • FIG. 3 is a side cross-sectional view showing the state of the light emitting device according to the present invention in the folding process.
  • FIG. 3 is a side cross-sectional view showing the state of the light emitting device according to the present invention in the folding process.
  • FIG. 3 is a side cross-sectional view showing the state of the light emitting device according to the present invention in the folding process.
  • FIG. 3 is a side cross-sectional view showing the state of the light emitting device according to the present invention in the folding process.
  • FIG. 3 is a side cross-sectional view showing the state of the light emitting device according to the present invention in the folding process.
  • FIG. 3 is a side cross-sectional view showing the state of the light emitting device according to the present invention in the folding process.
  • 1 is a side sectional view showing a manufacturing process of a light emitting device using organic EL according to the present invention.
  • 1 is a side sectional view showing a manufacturing process of a light emitting device using organic EL according to the present invention.
  • 1 is a side sectional view showing a manufacturing process of a light emitting device using organic EL according to the present invention.
  • 1 is a side sectional view showing a manufacturing process of a light emitting device using organic EL according to the present invention.
  • 1 is a side sectional view showing a manufacturing process of a light emitting device using organic EL according to the present invention.
  • 1 is a side sectional view showing a manufacturing process of a light emitting device using organic EL according to the present invention.
  • 1 is a side sectional view showing a manufacturing process of a light emitting device using an LED according to the present invention.
  • the light emitting device of the present invention is a light emitting device that includes at least a glass substrate provided with a resin coating film (S) containing at least a siloxane resin, and a light emitter portion.
  • the light emitter part is disposed on at least one surface of the glass substrate or the resin coating film (S) so that at least a portion thereof is in contact with the surface.
  • the impact resistance of the light emitting device can be increased, the bending resistance can be increased, and the flexibility can be improved. Furthermore, when manufacturing a display, it is possible to prevent the glass from breaking when handling the glass substrate.
  • the light emitting body portion is arranged in such a manner that the surface of the glass substrate provided with the resin coating film (S) and the light emitting body portion are in contact with each other without any other member intervening between the surface of the glass substrate and the light emitting body portion. It is more preferable.
  • Arranging the light emitting body part in such a manner that the surface and the light emitting body part are in contact with each other without any other member intervening between the surface and the light emitting body part is hereinafter referred to as "forming the light body part directly”. There is.
  • the light emitting device 1 using the organic EL of the present invention includes a glass substrate 11 having a resin coating film (S) 23 containing at least a siloxane resin;
  • the structure includes an organic EL light emitter section 20 composed of one electrode 13 , a second electrode 18 , an organic EL light emitter 16 , and a pixel dividing layer 19 .
  • the impact resistance of the light emitting device 1 using organic EL can be increased, and the bending resistance can be increased, and flexibility can be improved. Furthermore, when manufacturing a display, it is possible to prevent the glass from breaking when handling the glass substrate.
  • a resin coating film (S) when forming a resin coating film (S), a flattening layer, a pixel dividing layer, an insulating film, etc. on the glass substrate 11, a polyimide resin or a siloxane resin is contained before being coated on the glass substrate 11.
  • the mixture is a resin composition, and when the resin composition is applied to form a film, the film in which the solvent remains in the film of the resin composition is a coated film, and the film that has been dried and just before heat curing is a dried film.
  • a film obtained by exposing a dried film to actinic rays such as ultraviolet rays, visible light, electron beams, or X-rays is an exposed film, and a prebaked film is a prebaked film, a dry film, an exposed film, or a prebaked film.
  • a film cured by heating is called a resin coated film, resin film or cured film.
  • the plate-shaped body has a form in which the glass substrate 11 has a constant thickness and one side of the plane is longer than the thickness.
  • the organic EL light emitter portion 20 be provided on the surface 21 of the glass substrate 11 opposite to the surface 22 on which the resin coating film (S) 23 is disposed.
  • the bending resistance of the light emitting device 1 using organic EL can be strengthened, so in the case of a top emission type that emits light from the light emitter part 20 in the direction opposite to the glass substrate 11 side, the emission surface that emits light The sides can be folded inward, making the device smaller and more compact.
  • the organic EL light emitter part 20 when the organic EL light emitter part 20 is arranged on the surface 21 of the glass substrate 11, the organic EL light emitter part 20 is arranged in such a manner that at least a part of the organic EL light emitter part 20 is in contact with the surface 21 of the glass substrate 11. It is preferable. Further, the organic EL light emitter part is arranged in such a manner that the organic EL light emitter part 20 is in contact with the surface 21 of the glass substrate 11 without any other member interposed between the surface 21 of the glass substrate 11 and the organic EL light emitter part 20. It is more preferable to arrange 20. Thereby, the impact resistance and bending resistance of the light emitting device can be further improved.
  • a light emitting device 1 using organic EL according to the present invention will be described in detail.
  • a resin coating film (S) 23 is disposed on the surface 22 of the glass substrate 11.
  • An organic EL light emitter part 20 is arranged on the surface 21 of the glass substrate 11 opposite to the surface 22 on which the resin coating film (S) 23 is arranged.
  • a drive element 28 such as a thin film transistor (hereinafter referred to as TFT) that controls the light emission of the organic EL light emitter 16 may be provided.
  • metal wiring may be provided. If necessary, by providing the planarization layer 12, it is possible to cover the metal wiring and the entire surface of the drive element 28, and cover, protect, and planarize the unevenness after the drive element 28 and the like are formed.
  • the first electrode 13 is arranged in a certain wiring pattern shape. This first electrode 13 maintains electrical connection with the driving element 28 through a contact hole formed in a part of the planarization layer 12. This arranged first electrode 13 corresponds to the anode of the organic EL light emitter 16.
  • a pixel dividing layer 19 is arranged on the surface of the planarization layer 12 on the opposite side to the glass substrate 11 side in a shape that covers a part of the first electrode 13.
  • a layer consisting of hole injection layer 14 / hole transport layer 15 / organic EL light emitter 16 / electron transport layer 17 is formed on the first electrode 13, and a second electrode 18 is further formed on the layer in a certain wiring pattern. Arrange by shape.
  • the second electrode 18 corresponds to the cathode of the organic EL light emitter 16. It is preferable that the organic EL light emitter 16 and the driving wiring be connected through a contact hole (not shown) formed in the planarization layer 12.
  • a light emitting device 1 using organic EL is constructed.
  • FIG. 2-1 shows a side cross-sectional view (A) in which the resin coating film (S) 23 is arranged on one plane of the glass substrate 11 and the organic EL light emitter part 20 is arranged on the other plane of the glass substrate 11. show.
  • This is a simplified version of the organic EL light emitter portion 20 of the light emitting device 1 using the top emission type organic EL shown in FIG.
  • FIG. 2-2 shows a side cross-sectional view (B) of the folded state with the organic EL light emitter part 20, which is the emission surface side from which the emitted light 24 is emitted, facing inside.
  • the structure in which the organic EL light emitter part 20 is arranged on the inside and the resin coating film (S) 23 is arranged on the outside of the glass substrate 11 is a structure that can strengthen the bending resistance. Therefore, in a medium for displaying an image, the top emission surface side with the organic EL light emitter portion 20 serving as a display screen can be folded inward.
  • the resin coating film (S) 23 and the organic EL light emitter part 20 are laminated in this order on the surface 21 of the glass substrate 11 is preferable.
  • the emission surface side that emits light can be folded inward, making it possible to make the device smaller and more compact. Further, by using a glass substrate with excellent transparency and a resin coating film (S) 23 containing a siloxane resin, it is possible to improve the light extraction performance from the light emitting device 1 using organic EL.
  • the organic EL light emitter part 20 when the organic EL light emitter part 20 is disposed on the surface of the resin coating film (S) 23, the organic EL light emitter part 20 is arranged in such a manner that at least a part of the organic EL light emitter part 20 is in contact with the surface of the resin coat film (S) 23.
  • an EL light emitter portion 20 is provided.
  • the organic EL light emitter part 20 is placed on the surface of the resin coated film (S) 23 without any other member interposed between the surface of the resin coated film (S) 23 and the organic EL light emitter part 20. It is more preferable to arrange the organic EL light emitter parts 20 in such a manner that they are in contact with each other. Thereby, the impact resistance and bending resistance of the light emitting device can be further improved.
  • FIG. 3 showing a light emitting device 1 using a bottom emission type organic EL
  • the electrode configuration is reversed from that of the top emission type shown in FIG. 1, and a resin coating film ( S) 23 is arranged, and the organic EL light emitter part 20 is arranged thereon.
  • the structure of the organic EL light emitting body portion 20 has been described above with reference to FIG. 1, so a description thereof will be omitted here.
  • a light emitting device using a bottom emission type organic EL that emits light 24 from the organic EL light emitter 16 in the direction toward the glass substrate 11 by using a transparent electrode as the first electrode 13 and a reflective electrode as the second electrode 18. 1 is configured.
  • FIG. 4-1 shows a side cross-sectional view (A) in which the resin coating film (S) 23 and the organic EL light emitter part 20 are arranged on one surface of the glass substrate 11.
  • FIG. 4-2 shows a side sectional view (B) of a state in which the glass substrate 11, which is the emission surface side from which the emitted light 24 is emitted, is folded inward.
  • the structure in which the glass substrate 11 is placed inside and the resin coating film (S) 23 is placed outside of the glass substrate 11 has strong bending resistance. Therefore, the bottom emission surface side with the glass substrate 11 side serving as a display screen can be folded inward.
  • resin coating films (S) 23 are disposed on both surfaces of the glass substrate 11, and an organic EL light emitter portion 20 is further disposed on the surface of either resin coating film (S) 23. Laminated structures are preferred.
  • FIG. 5 shows a configuration in which a resin coating film (S) 23 is provided not only on one surface 21 of the glass substrate 11 but also on the opposite surface 22.
  • the organic EL light emitter part 20 when the organic EL light emitter part 20 is disposed on the surface of the resin coating film (S) 23, the organic EL light emitter part 20 is arranged in such a manner that at least a part of the organic EL light emitter part 20 is in contact with the surface of the resin coat film (S) 23.
  • an EL light emitter portion 20 is provided.
  • the organic EL light emitter part 20 is placed on the surface of the resin coated film (S) 23 without any other member interposed between the surface of the resin coated film (S) 23 and the organic EL light emitter part 20. It is more preferable to arrange the organic EL light emitter parts 20 in such a manner that they are in contact with each other. Thereby, the impact resistance and bending resistance of the light emitting device can be further improved.
  • the flexibility of the film can be increased, and cracks are less likely to occur at wire bends, etc., making it possible to use organic EL. Therefore, it is possible to reduce the defective rate of light emission of the light emitting device 1.
  • the content of polyimide resin (B) is preferably 50% by weight or more.
  • the content of the polyimide resin (B) is preferably 95% by weight or less, more preferably 75% by weight or less.
  • the total solid content refers to all components of the composition contained in each layer.
  • the pixel dividing layer 19 can be applied by a wet coating method such as a spin coating method, a slit coating method, a dip coating method, a spray coating method, or a printing method, which can uniformly form a thin film on a large substrate.
  • the thickness of the pixel dividing layer 19 is preferably at least ten times the thickness of the first electrode 13.
  • it since it also supports the structure covering the second electrode in the subsequent process and affects the strength of the light emitting device, it is also effective to design it in an appropriate step-like manner.
  • the flexibility of the film can be increased, and cracks may occur at the bent portions of the wiring. is less likely to occur, and the rate of defective light emission of the light emitting device 1 using organic EL can be lowered.
  • the planarization layer 12 can be applied by a wet coating method such as a spin coating method, a slit coating method, a dip coating method, a spray coating method, or a printing method, which can uniformly form a thin film on a large substrate.
  • a wet coating method such as a spin coating method, a slit coating method, a dip coating method, a spray coating method, or a printing method, which can uniformly form a thin film on a large substrate.
  • the range of the light emitting pixel formed by the organic EL light emitter part 20 is the range where the first electrode 13 and the second electrode 18, which are arranged opposite to each other, intersect and overlap.
  • the planar shape of the light emitting pixel may be, for example, rectangular or circular, and can be easily changed depending on the shape of the pixel dividing layer.
  • organic EL light emitters 16 having emission peak wavelengths in red, green, and blue regions are arranged, or white organic EL light emitters 16 are fabricated over the entire surface and used in combination with a separate color filter. is called a color display.
  • the peak wavelength of the light to be displayed is in the range of 560 to 700 nm, in the green region 300 to 560 nm, and in the blue region 420 to 500 nm.
  • a passive matrix type in which electrodes are divided into columns and rows and only the pixels sandwiched between the electrodes emit light
  • a passive matrix type in which several TFTs are used for each pixel. It is broadly classified into an active matrix type, which is provided in an active matrix type for switching, but is not particularly limited to the active matrix type.
  • the first electrode 13 or the second electrode 18 in this embodiment is preferably a light-transmissive or light-reflective electrode selected from a top emission or bottom emission mode.
  • the first electrode 13 in this embodiment is preferably a light-reflective conductive film in the case of a top-emission type, and a light-transmissive conductive film in the case of a bottom-emission type.
  • the second electrode 18 in this embodiment is preferably a light-reflective conductive film in the case of a bottom-emission type, and a light-transmissive conductive film in the case of a top-emission type.
  • the resistance of the electrode is not limited as long as sufficient current can be supplied for light emission of the light emitting element, but from the viewpoint of power consumption of the organic EL light emitter 16, a low resistance is preferable.
  • ITO with a resistance of 300 ⁇ / ⁇ or less can function as an element electrode, but since it is also possible to supply a substrate with a resistance of about 10 ⁇ / ⁇ , it is particularly preferable to use a low-resistance product.
  • the thickness of the electrode can be arbitrarily selected according to characteristics such as transmittance and resistance value, but it can usually be used within a range of 100 to 300 nm.
  • conductive metal oxides such as transparent tin oxide, indium oxide, and indium tin oxide (ITO), metals such as gold, silver, and chromium, inorganic conductive substances such as copper iodide and copper sulfide, polythiophene, and polypyrrole.
  • Conductive polymers such as and polyaniline can be used, but are not particularly limited.
  • the first electrode 13 and the second electrode 18 are required to have contrasting characteristics.
  • the second electrode 18 is required to function as a cathode that can efficiently inject electrons, metal materials are often used in consideration of the stability of the electrode. Note that it is also possible to use the first electrode 13 as a cathode and the second electrode 18 as an anode.
  • Al, Mg, Ag, and the like are known as materials for use as the cathode, and are formed by a vacuum film-forming method similarly to the organic EL light emitter 16, but are not particularly limited.
  • the organic EL light emitter part 20 in this embodiment has the form of hole injection layer 14/hole transport layer 15/organic EL light emitter 16/electron transport layer 17 from the glass substrate 11 side.
  • hole injection layer 14/hole transport layer 15/organic EL light emitter 16/electron transport layer 17 from the glass substrate 11 side.
  • it is not limited to this. It may be either a hole transport layer/emissive layer/electron transport layer or a emissive layer/electron transport layer.
  • Each layer can be formed by a known method. For example, it can be formed by a mask vapor deposition method or an inkjet method.
  • the thickness of each layer is generally selected from 1 to 200 nm in consideration of the resistance value of each layer material and the effect on the extraction efficiency of EL light emission.
  • the organic EL light emitter 16 the injected electrons and holes recombine to emit light.
  • the organic EL light emitter may have a single layer or multiple layers, and may be composed of a mixture of a host material and a dopant material, or may be composed of a host material alone. That is, the organic EL light emitter 16 may be made of a single material and emit light, only the host material or the dopant material may emit light, or both the host material and the dopant material may emit light. From the viewpoint of efficiently utilizing electrical energy and obtaining light with high color purity, the organic EL light emitter 16 is preferably made of a mixture of a host material and a dopant material.
  • the host material and the dopant material may each contain two or more kinds of materials.
  • the hole transport layer 15 is formed by laminating or mixing one or more hole transport materials, or by using a mixture of a hole transport material and a polymer binder. Alternatively, the hole transport layer may be formed by adding an inorganic salt such as iron(III) chloride to the hole transport material.
  • the hole transporting material is not particularly limited as long as it is a compound that can form a thin film necessary for manufacturing a light emitting element, can inject holes from the first electrode, and can further transport holes.
  • the resin coating film (S) 23 in the present invention is a cured film of a resin composition containing a siloxane resin.
  • the resin coating film (S) 23 in the present invention is a "cured film” because the siloxane resin in the resin composition undergoes a condensation reaction (thermal crosslinking) of silanol groups or a radical addition reaction (photo-optical) of radically polymerizable groups. (crosslinking).
  • thermal crosslinking thermal crosslinking of silanol groups
  • photo-optical radical addition reaction
  • crosslinking By conducting IR analysis of the cured film, it is possible to determine whether or not it is crosslinked based on the presence or absence of peaks of silanol groups or double bonds.
  • the resin coating film (S) 23 is such that when an impact is applied to the glass substrate 11, the glass substrate 11 may be damaged starting from micro cracks existing on the glass surface, or the resin coating film (S) 23 may cause the glass substrate 11 to S)
  • it is a reinforced film that prevents the glass substrate 11 from breaking starting from micro-cracks at the bent portion when it is bent with 23 on the outside, and improves the impact resistance and bending resistance of the glass substrate 11. .
  • the light emitting device 41 using the LED 42 of the present invention includes a glass substrate 45 coated with a resin coating film (S) 47 containing at least siloxane resin, and at least wiring 44. , a resin film (A) 43 that is in contact with at least a portion of the wiring 44 and an LED light emitter portion 48 that is composed of the LED 42.
  • S resin coating film
  • A resin film
  • the impact resistance of the light emitting device 41 using the LED 42 can be increased, the bending resistance can be increased, and the flexibility can be improved. Furthermore, when manufacturing a display, it is possible to prevent the glass from breaking when handling the glass substrate.
  • the resin coating film (S) 47 and the LED light emitter portion 48 are laminated in this order on either surface 49 of the glass substrate 45.
  • the LED light emitter part 48 when disposing the LED light emitter part 48 on the surface of the resin coating film (S) 47, the LED light emitter part 48 is placed in such a manner that at least a part of the LED light emitter part 48 is in contact with the surface of the resin coating film (S) 47. Preferably, a portion 48 is provided. Furthermore, the LED light emitter part 48 is in contact with the surface of the resin coat film (S) 47 without any other member interposed between the surface of the resin coat film (S) 47 and the LED light emitter part 48. It is more preferable to arrange the LED light emitter portion 48 in the following manner. Thereby, the impact resistance and bending resistance of the light emitting device can be further improved.
  • FIG. 6 illustrates a bottom emission type in which light is emitted from the glass substrate 45 side (lower side in FIG. 6), in which a resin coating film (S) 47 is disposed on the surface 49 of the glass substrate 45, and an LED light emitter portion is placed on top of the resin coating film (S) 47. 48.
  • the configuration of the LED light emitter portion 48 is such that a plurality of LEDs 42 each having an electrode 46 are arranged on a resin coating film (S) 47, and a resin film (A) 43 is arranged on the LEDs 42.
  • the LED 42 has a polygonal solid shape, such as a tetrahedron, a rectangular parallelepiped, a hexahedron such as a cube, and the like. Further, their surfaces may have irregularities.
  • Two different surfaces refer to, in a polygonal three-dimensional LED 42 having two or more surfaces, when one of the surfaces having the electrode 46a is used as a reference surface, the other electrode 46b is placed on a surface different from the reference surface. Indicates that it has. Note that in the present invention, the electrodes 46a and 46b are used to clearly indicate the parts, and the electrodes 46 are still the same. Moreover, the electrode 46 provided in the LED 42 refers to a connection portion for transmitting a signal from the wiring to the LED for controlling the light emission of the LED 42.
  • the polygonal three-dimensional LED 42 has one electrode 46a on the surface facing the resin coating film (S) 47 and the other electrode 46b on the opposite surface.
  • One electrode 46a is connected to a wiring 44c arranged on the surface on the resin coating film (S) 47 side, and the other electrode 46b is connected to a wiring 44d extending in the resin film (A) 43.
  • the wiring 44 is in contact with the resin film (A) 43, and the wiring 44c, the wiring 44d, and the wiring 44e to be described later are for clearly indicating the parts, and are not the wiring 44. There isn't.
  • FIGS. 7 to 9 only the arrangement of the electrode 46 by the LED 42, the electrode 46, the wiring 44, and the resin film (A) 43 is shown in FIGS. 7 to 9.
  • the following is an example of a mode that expresses the following.
  • FIG. 7 illustrates a structure in which the electrodes 46 are arranged laterally on opposing surfaces with the LED 42 in between
  • FIG. 8 illustrates a structure in which the electrodes 46 are provided on adjacent surfaces of the LED 42.
  • FIG. 9 illustrates a structure in which electrodes 46 are arranged on each discontinuous surface of an LED 42 having discontinuous surfaces.
  • a discontinuous surface is not a continuous surface, but a surface with steps, etc.
  • the LED 42 has a configuration in which the electrodes 46 are provided on two different surfaces, but the LED 42 has a configuration in which a pair of electrodes 46 are provided on one of the surfaces. It is also preferable to
  • FIG. 10 shows a light emitting device 41 using an LED 42 provided with a pair of electrodes 46 on either side.
  • the light emitting device 41 has a resin coating film (S) 47 arranged on a glass substrate 45, a plurality of LEDs 42 arranged thereon, and a resin film (A) 43 arranged on the LEDs 42.
  • the LED 42 includes a pair of electrodes 46 on a surface opposite to the surface in contact with the resin coating film (S) 47, and each electrode 46 is connected to a wiring 44 extending in the resin film (A) 43. If the wiring 44 extending in the resin film (A) 43 is covered with the resin film 43 (A), the resin film 43 (A) also functions as an insulating film, so that it maintains electrical insulation. It is configured to do this. Thereby, the light extraction efficiency of the emitted light 50 from the LED 42 can be increased, and the adhesiveness between the resin coating film (S) 47 and the LED 42 can be improved.
  • a plurality of resin films (A) 43 are further laminated on the resin film (A) 43 disposed so as to be in contact with at least a portion of the LED 42, for a total of three layers.
  • the resin film (A) 43 may have a single layer or multiple layers. Note that if the wiring 44 extending in the resin film (A) 43 is covered with the resin film (A) 43, the resin film (A) 43 also functions as an insulating film, so that it has electrical insulation properties. It is configured to hold.
  • the wiring 44 having a structure that maintains electrical insulation means that a portion of the wiring 44 that requires electrical insulation is covered with the resin film (A) 43.
  • a light emitting device 41 using a bottom emission type LED that emits light 50 from the LED 42 in the direction toward the glass substrate 45 is configured.
  • the light emitting diode light emitter portion 48 is provided on the surface 49 of the glass substrate 45 on the opposite side to the surface 51 on which the resin coating film (S) 47 is disposed.
  • the LED light emitter part 48 is arranged on the surface 49 of the glass substrate 45, it is preferable that the LED light emitter part 48 is arranged in such a manner that at least a part of the LED light emitter part 48 is in contact with the surface 49 of the glass substrate 45. . Further, the LED light emitting body portion 48 is arranged in such a manner that the LED light emitting body portion 48 is in contact with the surface 49 of the glass substrate 45 without any other member interposed between the surface 49 of the glass substrate 45 and the LED light emitting body portion 48. It is more preferable to do so. Thereby, the impact resistance and bending resistance of the light emitting device can be further improved.
  • FIG. 11 illustrates a top emission type, in which an LED light emitter part 48 is arranged on a surface 49 of a glass substrate 45, and a surface 51 of the glass substrate 45 opposite to the front surface 49 on which the LED light emitter part 48 is arranged, This is a configuration in which a resin coating film (S) 47 is arranged.
  • the configuration of the LED light emitting body part 48 is such that the LED 42 having electrodes 46a and 46b is placed on the glass substrate 45, and the resin film (A) 43 is placed on the glass substrate 45 and the LED 42. Further, wirings 44c and 44d are connected to the electrodes 46a and 46b, respectively, and a signal for controlling the light emission of the LED 42 is transmitted to the LED through the wiring 44. Similar to FIG. 6, drive elements and the like are omitted.
  • the light emitting device 41 further includes the resin coating film (S) 47 on the surface 51 of the glass substrate 45 opposite to the surface 49 on which the resin coating film (S) 47 is disposed. It is preferable to do so.
  • resin coating films (S) 47 are arranged on both surfaces of the glass substrate 45, and a light emitting diode light emitter portion 48 is further disposed on the surface of either resin coating film (S) 47. It is preferable to have a laminated structure.
  • the LED light emitter part 48 when disposing the LED light emitter part 48 on the surface of the resin coating film (S) 47, the LED light emitter part 48 is placed in such a manner that at least a part of the LED light emitter part 48 is in contact with the surface of the resin coating film (S) 47. Preferably, a portion 48 is provided. Furthermore, the LED light emitter part 48 is in contact with the surface of the resin coat film (S) 47 without any other member interposed between the surface of the resin coat film (S) 47 and the LED light emitter part 48. It is more preferable to arrange the LED light emitter portion 48 in the following manner. Thereby, the impact resistance and bending resistance of the light emitting device can be further improved.
  • FIG. 12 shows a configuration in which a resin coating film (S) 47 is provided not only on one surface 49 of the glass substrate 45 but also on the opposite surface 51.
  • S resin coating film
  • the materials for the wirings 44, 44c, 44d and the electrodes 46, 46a, 46b are not particularly limited, and include metals, conductive films, etc., and known materials may also be used. Metals are preferable from the viewpoint of electron mobility, and examples thereof include gold, silver, copper, aluminum, nickel, titanium, molybdenum, and alloys containing these. These metals can be produced by, for example, wet plating such as electroless plating and electrolytic plating, CVD chemical vapor deposition (CVD) such as thermal CVD, plasma CVD, and laser CVD, dry plating methods such as vacuum evaporation, sputtering, and ion plating. It can be formed by etching after bonding the metal foil to the substrate.
  • CVD chemical vapor deposition such as thermal CVD, plasma CVD, and laser CVD
  • dry plating methods such as vacuum evaporation, sputtering, and ion plating. It can be formed by etching after bonding the metal foil to the substrate.
  • the conductive film is preferable from the viewpoint of transparency, and is made of, for example, a compound containing as a main component an oxide of at least one element selected from indium, gallium, zinc, tin, titanium, niobium, etc., an organic substance, and conductive particles.
  • a compound containing as a main component an oxide of at least one element selected from indium, gallium, zinc, tin, titanium, niobium, etc. examples include photosensitive conductive paste, but other known materials may also be used.
  • Examples of compounds containing as a main component an oxide of at least one element selected from indium, gallium, zinc, tin, titanium, niobium, etc. include indium tin zinc oxide (ITZO), indium gallium zinc oxide, etc.
  • IGZO InGaZnO
  • zinc oxide ZnO
  • indium zinc oxide IZO
  • indium gallium oxide IGO
  • indium tin oxide ITO
  • indium oxide InO
  • These conductive films can be formed by wet plating such as electroless plating or electrolytic plating, CVD chemical vapor deposition (CVD) such as thermal CVD, plasma CVD, or laser CVD, or dry plating such as vacuum evaporation, sputtering, or ion plating. It can be formed by, for example, a method in which a metal foil is bonded to a substrate and then etched.
  • CVD chemical vapor deposition such as thermal CVD, plasma CVD, or laser CVD
  • dry plating such as vacuum evaporation, sputtering, or ion plating. It can be formed by, for example, a method in which a metal foil is bonded to a substrate and then etched.
  • the content of the conductive particles is preferably 60% by mass or more and 90% by mass or less.
  • the conductive layer contains an organic substance, disconnection can be suppressed on curved surfaces and bent portions, and conductivity can be improved.
  • the content of the conductive particles is less than 60% by mass, the probability of contact between the conductive particles becomes low, and the conductivity decreases. Further, the conductive particles tend to separate from each other at the bent portion of the wiring.
  • the content of conductive particles is preferably 70% by mass or more.
  • the content of the conductive particles exceeds 90% by mass, it becomes difficult to form a wiring pattern, and disconnections are likely to occur at bent portions.
  • the content of conductive particles is preferably 80% by mass or less.
  • organic substances include epoxy resins, phenoxy resins, acrylic copolymers, and epoxy carboxylate compounds. Two or more types of these may be contained. It may also contain an organic substance having a urethane bond. By containing an organic substance having a urethane bond, the flexibility of the wiring can be improved.
  • the organic substance preferably exhibits photosensitivity, and a fine wiring pattern can be easily formed by photolithography.
  • Photosensitivity is developed by, for example, containing a photopolymerization initiator and a component having an unsaturated double bond.
  • the conductive particles in the present invention refer to particles made of a substance having an electrical resistivity of 10 ⁇ 5 ⁇ m or less.
  • the material constituting the conductive particles include silver, gold, copper, platinum, lead, tin, nickel, aluminum, tungsten, molybdenum, chromium, titanium, indium, alloys of these metals, and carbon particles.
  • the average particle diameter of the conductive particles is preferably 0.005 ⁇ m or more and 2 ⁇ m or less.
  • the average particle diameter here refers to the average particle diameter of large-diameter particles when two or more types of conductive particles are contained.
  • the average particle diameter of the conductive particles is more preferably 0.01 ⁇ m or more.
  • the average particle diameter of the conductive particles is 2 ⁇ m or less, it becomes easier to form a desired wiring pattern.
  • the average particle diameter of the conductive particles is more preferably 1.5 ⁇ m or less.
  • the thickness of the conductive film is preferably 2 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less. When the thickness of the conductive film is 2 ⁇ m or more, disconnection at the bent portion can be further suppressed and the conductivity can be further improved.
  • the thickness of the conductive film is more preferably 4 ⁇ m or more. On the other hand, when the thickness of the conductive film is 10 ⁇ m or less, a wiring pattern can be more easily formed in the manufacturing process.
  • the thickness of the conductive film is more preferably 8 ⁇ m or less.
  • FIG. 13 shows an embodiment in which the light emitting device 41 shown in FIG. 6 is further provided with an LED driving board 52 and a driving element 53 having a driver IC added thereto.
  • the LED driving board 52 provided at a position facing the glass substrate 45 and the driving element 53 added thereto are electrically connected through wirings 44c and 44e, so that the light emission of the LEDs 42 can be controlled.
  • the drive element 53 is electrically connected to the wiring 44c via a bump 55, for example.
  • a barrier metal 54 may be provided to prevent diffusion of metal such as the wiring 44.
  • the driving element 53 may be arranged in the resin film (A) 43 on the glass substrate 45 near the LED 42, or the driving element 53 may be arranged above the LED 42 using a resin film (A) 43.
  • a configuration in which it is arranged in the membrane (A) 43 is also preferable.
  • the wiring 44e extends on the side surface of the LED driving board 52.
  • a plurality of LEDs can be individually switched and driven, and the height of the light emitting device itself is reduced and high-speed response is improved.
  • the light emitting device can be made smaller and have a narrower frame.
  • the LED drive board 52 is not particularly limited, and any known one can be used. Examples include glass substrates, sapphire substrates, printed wiring boards, TFT array substrates, and ceramics. When using a printed wiring board, it is possible to connect to the driving element 53, the bumps 55, the wiring 44, etc. without forming the wiring 44e.
  • a thin film transistor (hereinafter sometimes referred to as TFT) 56 and a TFT insulating film 57 are added in the resin film (A) 43.
  • the arrangement is shown in FIG. 14. It can be formed on the resin coating film (S) 47 by a chemical vapor deposition technique or a sputtering technique.
  • One of the LED display methods it is clear, has a high response speed, and can achieve good contrast.
  • the driving methods for the light emitting device 41 using LEDs include a passive matrix type in which electrodes are divided into columns and rows and only the pixels sandwiched between the electrodes emit light, and a switching method in which several TFTs are provided in each pixel. Although it is broadly classified into active matrix type, it is not particularly limited.
  • the entire thickness of the resin film (A) 43 is 5 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less.
  • the light emitted from the LED 42 in all directions can be suppressed from being absorbed in the resin film (A) 43, the light extraction efficiency can be increased, and the brightness can be improved. Furthermore, it is possible to reduce the height of the light-emitting device itself using LEDs, to suppress wiring defects such as short circuits by shortening the wiring distance, to suppress reduction in loss, and to improve high-speed response.
  • the total thickness of the resin film (A) 43 refers to the thickness of the entire layer of continuous resin films (A) in which at least a portion of one resin film (A) is in contact with another resin film (A).
  • the overall thickness is preferably 5 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less, more preferably 8 ⁇ m or more and 60 ⁇ m or less.
  • the number of layers of the resin film (A) 43 is 2 or more and 10 or less.
  • the resin film (A) 43 preferably has one or more layers, and furthermore, by having two or more layers, the number of wirings that can be connected to the LEDs can be increased.
  • the number of layers is preferably 10 or less, from the viewpoint of suppressing wiring defects such as short circuits due to reduction in package height and short wiring distance, reducing loss, and improving high-speed response.
  • the surface of the LED 42 other than the light extraction surface is covered with the resin film (A) 43 in a manner in contact with the LED 42, but the LED 42 is not necessarily covered with the resin film (A) 43. It is not necessary to cover the LED 42 with the resin film (A) 43 in a manner in which it is in contact with the resin film (A) 43, and as shown in FIG.
  • the length of one side of the LED 42 is 5 ⁇ m or more and 700 ⁇ m or less, and more preferably the length of one side is 5 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less.
  • An LED is composed of a PN junction in which a P-type semiconductor and an N-type semiconductor are joined, and when a forward voltage is applied to the LED, electrons and holes move within the chip, causing current to flow. At this time, an energy difference is created by the combination of electrons and holes, and the surplus energy is converted into light energy, which emits light.
  • the wavelength of light emitted from an LED varies depending on the compound that constitutes the semiconductor, such as GaN, GaAs, InGaAlP, and GaP, and this difference in wavelength determines the color of the emitted light.
  • white is generally displayed by mixing two or more different colors of light, but in the case of LEDs, color reproducibility is greatly improved by mixing the three primary colors of red, green, and blue. This has been improved, making it possible to display a more natural white color.
  • the shape of the LED includes a bullet shape, a chip shape, a polygonal shape, etc., but a chip shape and a polygonal shape are preferable from the viewpoint of miniaturization of the LED. Further, it is preferable that the length of one side of the LED is 5 ⁇ m or more and 700 ⁇ m or less, since this allows a plurality of chips to be arranged, and it is more preferable that the length of one side of the LED is 5 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less.
  • the reflective film 59 can be provided at any location on the resin film (A) 43, and can be arranged so as to surround it on all sides with respect to the direction in which the LED 42 is taken out, arranged diagonally with respect to the LED 42, or curved. It is also possible to arrange them side by side.
  • the reflective film may be any film that reflects light, such as aluminum, silver, copper, titanium, and alloys containing these, but is not limited to these.
  • a partition wall 60 between the plurality of LEDs 42 having a thickness greater than the thickness of the LEDs 42.
  • partition walls 60 in a repeating pattern corresponding to the number of pixels of the light emitting device 41, that is, between or around each LED 42. This configuration is preferable because it facilitates bonding with the resin coating film (S) 47 that may include the wiring 44d. Further, by disposing the partition wall 60, it is possible to use it as a mark when transferring the LED later, and it can also be used as a photo spacer, so that the efficiency at the time of LED transfer can be improved, which is preferable.
  • FIG. 17 shows a configuration in which the resin film (A) 43 is not disposed so as to be in contact with a part of the periphery of the partition wall, the resin film (A) 43 that covers the LEDs 42 is provided between or around a plurality of LEDs 42. It is also a preferable embodiment to provide a partition wall 60 at.
  • the thickness of the partition wall 60 is preferably larger than the thickness of each LED, and specifically, preferably 1 ⁇ m or more and 120 ⁇ m or less.
  • the partition wall 60 may be made of a resin film (A), and the resin film (A) may be made of a material such as epoxy resin, (meth)acrylic polymer, polyurethane, polyester, polyolefin, or polysiloxane.
  • the resin (M) described below may be used.
  • a light shielding portion may be provided on the side surface of the partition wall 60 or on the partition wall itself.
  • the light shielding portion is a portion containing, for example, a black pigment.
  • the light emitted from the LED toward the partition wall can be reflected to increase the light extraction efficiency, and a reflective film may be provided on the side surface of the partition wall to improve the brightness.
  • a light shielding layer between the plurality of LEDs.
  • a light shielding layer between a plurality of LEDs, it is possible to suppress light leakage from the LEDs and color mixture between pixels and improve contrast without significantly impairing light extraction efficiency.
  • the light-shielding layer may be composed of a resin film (A) containing (E) a coloring material, or may be composed of a known material such as an epoxy resin, (meth)acrylic polymer, polyurethane, polyester, polyolefin, or polysiloxane. It's okay.
  • a black pigment may be used, such as black organic pigments such as carbon black, perylene black, and aniline black, graphite, and titanium, copper, iron, manganese, cobalt, chromium, nickel, and zinc.
  • metal fine particles such as calcium and silver
  • inorganic pigments such as metal oxides, composite oxides, metal sulfides, metal nitrides, and metal oxynitrides.
  • it may be made black by combining a red pigment, a blue pigment, and, if necessary, a yellow pigment or other pigments.
  • a dye may also be used. Two or more types of colorants may be contained.
  • the thickness of the glass substrate 11 and the glass substrate 45 is preferably 0.03 to 0.3 mm.
  • the thickness of the glass substrate By setting the thickness of the glass substrate to 0.03 mm or more, the impact resistance of the glass can be ensured, and by setting the thickness to 0.3 mm or less, bending resistance can be ensured. Preferably it is 0.04 to 0.2 mm, more preferably 0.05 to 0.1 mm.
  • the type of glass substrate can be used without any particular limitation, but common glasses containing SiO 2 (silicon oxide) as a main component, such as soda lime silicate glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, Non-alkali glass, quartz glass, etc. are used.
  • SiO 2 silicon oxide
  • the glass substrate 11 and the glass substrate 45 are glass substrates that have been subjected to a reinforcement treatment. Thereby, the bending resistance of the light emitting device can be improved.
  • the strengthened glass substrate has a compressive stress layer on the glass surface.
  • Methods for forming the compressive stress layer include, for example, a physical strengthening method that utilizes the expansion and contraction of glass by heating and cooling, and a chemical strengthening method that exchanges alkali ions in the glass with other alkali ions with a larger ionic radius.
  • a physical strengthening method that utilizes the expansion and contraction of glass by heating and cooling
  • a chemical strengthening method that exchanges alkali ions in the glass with other alkali ions with a larger ionic radius.
  • chemically strengthened glasses aluminosilicate chemically strengthened glass, soda lime chemically strengthened glass, etc. are more preferable.
  • chemically strengthened ultra-thin glass include “Xensation” (registered trademark) series (manufactured by Schott), “Corning” (registered trademark), “Gorilla” (registered trademark) Glass series (manufactured by CORNING), " Examples include the “Dinorex” (registered trademark) series (manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd.) and the “Dragontrail” (registered trademark) series (manufactured by AGC Corporation).
  • the thickness of the resin coating film (S) 23 and the resin coating film (S) 47 is preferably 1 to 10 ⁇ m.
  • the thickness of the resin coating film (S) is preferably 1.2 to 7 ⁇ m, more preferably 1.4 to 5 m, even more preferably 1.5 to 2 ⁇ m.
  • the resin coating film (S) 23 and the resin coating film (S) 47 contain inorganic particles.
  • the hardness of the resin coating film (S) can be improved and the refractive index of the resin coating film (S) can be adjusted appropriately.
  • the inorganic particles include silicon compound particles, aluminum compound particles, tin compound particles, titanium compound particles, zirconium compound particles, barium compound particles, etc., and can be appropriately selected depending on the purpose. In order to more easily adjust the refractive index, silica particles, zirconium oxide particles, and titanium oxide particles are preferred.
  • the inorganic particles include silica particles.
  • the light emitting device can achieve both high levels of bending resistance and transparency.
  • the content of silica particles is preferably 10% by weight or more and 40% by weight or less in the total solid of the resin coating film (S).
  • the total solid content refers to all components other than the solvent in the resin coating film (S) containing the siloxane resin.
  • the content of silica particles By setting the content of silica particles to 10% by weight or more in the total solid content, crosslinking is promoted by the silanol condensation reaction between the siloxane resin and the silica particles, and the degree of crosslinking of the resin coating film (S) in the present invention is increased. , the bending resistance can be further improved. Moreover, the difference in refractive index between the glass substrate and the resin coating film (S) can be reduced, and unevenness caused by variations in the film thickness of the resin coating film (S) can be reduced. By controlling the content of silica particles to 40% by weight or less based on the total solid content, a resin coating film (S) with good bending resistance and adhesion can be obtained.
  • the average particle diameter of the silica particles is preferably 1 to 200 nm, more preferably 1 to 70 nm, from the viewpoint of further improving the transparency of the resin coating film (S) in the present invention.
  • the average particle diameter of the silica particles can be determined by a dynamic light scattering method. Specifically, a dispersion liquid with a silica particle concentration of 10 to 30% by weight is irradiated with light at a wavelength of 780 nm using a semiconductor laser, the scattered light is measured, and the average value is determined by frequency analysis using the FFT-heterodyne method. Particle size can be determined.
  • silica particles examples include the product name "sicastar” (sold by Corefront Co., Ltd.) and “Rheolo Seal” (registered trademark) (manufactured by Tokuyama Co., Ltd.). These may be used after being pulverized or dispersed using a dispersing machine such as a bead mill.
  • silica particle dispersions examples include IPA-ST, MIBK-ST, IPA-ST-L, IPA-ST-ZL, PGM-ST, PMA-ST (all manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.), " “Oscar” (registered trademark) 101, “Oscar” (registered trademark) 105, “Oscar” (registered trademark) 106, “Cataroid” (registered trademark)-S (all manufactured by JGC Catalysts & Chemicals Co., Ltd.), “Quartron” (Registered trademarks) PL-1-IPA, PL-1-TOL, PL-2L-PGME, PL-2L-MEK, PL-2L, GP-2L (all manufactured by Fuso Chemical Industry Co., Ltd.), etc. . Two or more types of these may be contained.
  • the absolute value of the difference between the refractive index n1 of the glass substrate 11 and the glass substrate 45 and the refractive index n2 of the resin coating film (S) 23 and the resin coating film (S) 47 is dn Then, it is preferable that dn ⁇ 0.05.
  • the difference in refractive index between the glass substrate and the resin coating film (S) By reducing the difference in refractive index between the glass substrate and the resin coating film (S), it is possible to achieve high transmittance and suppress interference unevenness.
  • dn exceeds 0.05, interference unevenness tends to occur easily.
  • the difference in refractive index between the glass substrate (1.48 to 1.52) and the resin coating (S) By reducing the difference in refractive index between the glass substrate (1.48 to 1.52) and the resin coating (S), loss of transmitted light at the interface between the glass substrate and the resin coating (S) can be reduced.
  • unevenness caused by the thickness of the resin coating film (S) can be made less visible, thereby further improving the appearance.
  • the refractive index in the present invention can be measured by a prism coupler method.
  • the refractive index n1 of the glass substrate varies depending on the type of glass used, but is generally 1.40 or more and 1.60 or less.
  • the refractive index n2 of the resin coating film (S) can be easily adjusted by appropriately adjusting the refractive index of the resin component contained therein, as well as by adding inorganic particles having different refractive indexes as described above. Can be done.
  • the resin coating film (S) 23 and the resin coating film (S) 47 coated on the glass substrate 11 and the glass substrate 45 are located on the outside, and the glass substrate 11 and the glass substrate 45 are located on the inside. It is preferable to have a bendable portion.
  • a light emitting device 1 using organic EL will be explained as an example.
  • the resin coating film (S) 23 By disposing the resin coating film (S) 23 on the glass substrate 11, the bending resistance can be improved, and as shown in FIG. 2-2 (B) or FIG. It can be folded with the light emitting surface side from the EL light emitter section 20 facing inside.
  • a foldable structure can be realized, and the device itself can be made more compact.
  • the side view (B) of FIG. 2-2 shows a state in which the organic EL light emitter part 20, which is the light emitting surface side, is folded inward, and the bent angle 32 is 180 degrees.
  • a solid line 30 indicates the plane position of the organic EL light emitter part 20 before folding
  • a dashed line 31 indicates the plane position of the organic EL light emitter part 20 after partially folding. shows.
  • the transition of the angle from the solid line 30 to the dashed-dotted line 31 after folding is defined as the bent angle 32.
  • FIG. 18-1(A) shows a side cross section of the light emitting device 1 before being bent, in which the resin coating film (S) 23 and the organic EL light emitter part 20 are arranged in this order on one surface 21 of the glass substrate 11.
  • 18-2(B) is a plan view of the light-emitting device 1
  • FIG. 13-3(C) is a perspective view showing the light-emitting device 1 in a bent state
  • FIG. 18-4(D) to FIG. 18-6(F) shows a side sectional view showing the bent state.
  • FIG. 18-1(A) shows an organic EL light emitter part of a light-emitting device 1 using an organic EL that emits light 10 from the glass substrate 11 side (from above in FIG. 18-1(A)) shown in FIG. This is a simplified version of 20.
  • a rectangular light emitting device 1 is illustrated as shown in FIG. A configuration in which the glass substrates 11 are bent to face each other from the left and right directions is illustrated. Further, depending on the specifications of the light emitting device 1, it is also preferable that the bent portion 33 is provided at the center of the short side, and the glass substrate 11 is bent so as to face each other from the top and bottom directions in the figure.
  • FIG. 18-2(B) to FIG. 18-6(F) show one light-emitting device member 34a and the other light-emitting device member 34b of the light-emitting device 1 divided by the bent portion 33, and FIG. As shown in C), bend in the direction of arrow 35.
  • the glass substrate 11, the resin coating film (S) 23 disposed on one surface 21 of the glass substrate 11, and the organic EL light emitter portion 20 The member including the above is referred to as the glass resin film portion 36 and is simply described.
  • the light emitting device members 34a and 34b are examples of portable display devices in which a drive circuit for driving light emission of an organic EL light emitter, circuit members for signal processing, wireless transmission and reception, and the like are built-in.
  • a glass resin film portion 36 is arranged on one surface of the light emitting device members 34a and 34b so that the organic EL light emitter portion 20 is located on the light emitting device member 34 side, and is bent in a direction such that the glass substrate 11 side is located on the inside. .
  • the light emitting device member 34a and the light emitting device member 34b which are divided by the bending part 33, are connected by a known hinge structure, but the glass resin film part 36 is not divided by the bending part 33, It can be bent while maintaining the appearance of one continuous, integrated member.
  • FIG. 18-4(D) shows a state in which the light emitting device member 34a is moved and bent using the bending portion 33 relative to the light emitting device member 34b as a fulcrum (upward in the drawing).
  • the planar direction of the glass resin film portion 36 of the light emitting device member 34b is defined as a reference plane 37, and the light emitting device member 34a is bent so that an acute angle difference 39 from the reference plane 38 of the light emitting device member 34a is 5°. .
  • FIG. 18(E) shows a state in which the light emitting device member 34a is further moved and bent using the bending portion 33 as a fulcrum.
  • the light emitting device member 34a is bent so that an acute angle difference 39 between the reference surface 38 of the light emitting device member 34a and the reference surface 37 of the glass resin film portion 36 of the light emitting device member 34b becomes a right angle of 90°.
  • FIG. 18-6(F) shows a state in which the light-emitting device member 34a is further moved and bent by 180° from the original position in FIG. 18-1(A) using the bent portion 33 as a fulcrum.
  • the glass substrate 11 of the light emitting device member 34a and the glass substrate 11 of the light emitting device member 34b are bent to a position where they face each other in parallel.
  • the glass resin film portion 36 according to the present invention can be bent using the bent portion 33 as a fulcrum to a position where the glass substrate 11 of the light emitting device member 34a and the glass substrate 11 of the light emitting device member 34b face each other in parallel. It is something to do.
  • FIG. 18-7(G) shows an enlarged side cross-sectional view of the bent state of the glass resin film portion 36 surrounded by the dashed line 40 in FIG. 18-6(F).
  • the glass substrate 11, the resin coating film (S) 23 disposed on one surface 21 of the glass substrate 11, and the organic EL light emitter portion 20 reach a position where the glass substrate 11 faces in parallel with the bent portion 33 as a fulcrum. It is in a bent state.
  • the configuration is illustrated in which the glass substrate 11 does not come into contact with each other due to the shape of the touch sensor panel and the housing of the light emitting device (not shown).
  • the bending portion 33 shown by the solid line is intended to indicate the point where the bending radius is the minimum, and does not indicate that wrinkles or bent creases remain here.
  • the light emitting device member 34a and the light emitting device member 34b can be bent to a position where the glass substrate 11 faces each other in parallel, so that the emitted light 24 is emitted when the light emitting device using organic EL is used as a display device. It is possible to realize a foldable structure in which the display side is hidden inside, and the device itself can be made compact and portable.
  • the resin coating film (S) 23 and the resin coating film (S) 47 in the present invention are films obtained by curing a resin composition containing a siloxane resin.
  • the resin coating film (S) is a "cured film", which means that the siloxane resin in the resin composition undergoes a condensation reaction (thermal crosslinking) of silanol groups or a radical addition reaction (photo-optical crosslinking) of radically polymerizable groups. (crosslinking).
  • a condensation reaction thermal crosslinking of silanol groups
  • a radical addition reaction photo-optical crosslinking
  • crosslinking crosslinking
  • by conducting IR analysis of the resin coating film (S) it is possible to determine whether or not it is crosslinked based on the presence or absence of peaks of silanol groups or double bonds. It is preferable to contain a solvent from the viewpoint of coating properties.
  • the glass substrate When the resin coating film (S) of the present invention is subjected to an impact, the glass substrate may be damaged starting from the micro cracks existing on the glass surface, and the resin coating film (S) may damage the glass substrate. It is preferable that the reinforcing film prevents the glass substrate from breaking starting from micro-cracks in the bent portion when the glass substrate is bent outward and improves the impact resistance and bending resistance of the glass substrate.
  • the siloxane resin in the present invention refers to a polymer having a repeating unit having a siloxane skeleton, and is preferably a hydrolyzed condensate of an organosilane compound.
  • siloxane resin when it has an oxetanyl group, it shall be classified as a "siloxane compound having an oxetanyl group", which will be described later.
  • the weight average molecular weight of the siloxane resin in the present invention is preferably 2,000 or more and 7,000 or less from the viewpoint of improving coating properties.
  • the content of phenyl groups in the siloxane resin in the present invention is preferably 5 mol% or more and 60 mol% or less based on Si atoms. From the viewpoint of alleviating film stress and further improving the bending resistance of the glass substrate with the resin coating film (S) attached, the content of phenyl groups in the siloxane resin is 5 mol% or more with respect to Si atoms. It is preferable. From the viewpoint of increasing the degree of crosslinking of the resin coating film (S) and further improving the bending resistance, the content is preferably 60 mol% or less.
  • the siloxane resin in the present invention preferably has a radically polymerizable group.
  • a radically polymerizable group together with the photoradical polymerization initiator described later, the degree of crosslinking of the resin coating film (S) in the present invention is increased by the progression of radical polymerization reaction by radicals generated by light irradiation, and the resistance of the glass is increased. The bendability can be further improved.
  • the radically polymerizable group examples include a vinyl group, an ⁇ -methylvinyl group, an allyl group, a styryl group, and a (meth)acryloyl group. From the viewpoint of further increasing the degree of crosslinking of the resin coating film (S) in the present invention, a (meth)acryloyl group is preferable.
  • the siloxane resin having a radically polymerizable group is preferably a hydrolyzed condensate of an organosilane compound having a radically polymerizable group. It may also be a hydrolyzed condensate of an organosilane compound having a radically polymerizable group and another organosilane compound.
  • the siloxane resin in the present invention can be obtained by hydrolyzing and condensing an organosilane compound.
  • it can be obtained by hydrolyzing an organosilane compound and then subjecting the resulting silanol compound to a condensation reaction in the presence of a solvent or without a solvent.
  • Various conditions for the hydrolysis reaction can be appropriately set in consideration of the reaction scale, the size and shape of the reaction container, etc. For example, it is preferable to add an acid catalyst and water to an organosilane compound in a solvent over a period of 1 to 180 minutes, and then react for 1 to 180 minutes at room temperature or higher and 110° C. or lower. By carrying out the hydrolysis reaction under such conditions, rapid reaction can be suppressed.
  • the reaction temperature is more preferably 30°C or higher and 105°C or lower.
  • the hydrolysis reaction is preferably carried out in the presence of an acid catalyst.
  • an acid catalyst an acidic aqueous solution containing formic acid, acetic acid, or phosphoric acid is preferable.
  • the amount of the acid catalyst added is preferably 0.1 parts by weight or more and 5 parts by weight or less, based on 100 parts by weight of all the organosilane compounds used during the hydrolysis reaction. By controlling the amount of the acid catalyst within the above range, the hydrolysis reaction can proceed more efficiently.
  • a silanol compound by a hydrolysis reaction of an organosilane compound After obtaining a silanol compound by a hydrolysis reaction of an organosilane compound, it is preferable to heat the reaction solution as it is at 50° C. or higher and below the boiling point of the solvent for 1 to 100 hours to perform a condensation reaction. Further, in order to increase the degree of polymerization of the polysiloxane, reheating or addition of a base catalyst may be performed.
  • Known solvents can be used in the hydrolysis reaction of the organosilane compound and the condensation reaction of the silanol compound.
  • a solvent is generated by the hydrolysis reaction, it is also possible to perform the hydrolysis without a solvent. It is also preferable to adjust the concentration to an appropriate composition by further adding a solvent after the reaction is completed. Further, depending on the purpose, after the hydrolysis, an appropriate amount of the produced alcohol and the like may be distilled off and removed under heating and/or reduced pressure, and then a suitable solvent may be added.
  • the amount of the solvent used in the hydrolysis reaction is preferably 80 parts by weight or more and 500 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the total organosilane compound. By controlling the amount of the solvent within the above range, the hydrolysis reaction can proceed more efficiently.
  • the water used in the hydrolysis reaction is preferably ion-exchanged water.
  • the amount of water is preferably 1.0 mol or more and 4.0 mol or less per 1 mol of silane atoms.
  • the content of the siloxane resin in the resin composition containing the siloxane resin is 15% by weight or more based on the total solid content of the resin composition, from the viewpoint of further improving the bending resistance and transparency of the resin coating film (S). is preferable, and more preferably 25% by weight or more.
  • the content of the siloxane resin is preferably 90% by weight or less, more preferably 80% by weight or less based on the total solid content of the resin composition.
  • the resin composition containing a siloxane resin contains a solvent from the viewpoint of coatability.
  • a solvent By containing a solvent, each component can be uniformly dissolved.
  • the solvent may contain known solvents, such as aliphatic hydrocarbons, carboxylic acid esters, ketones, ethers, and alcohols. Two or more types of these may be contained. From the viewpoint of uniformly dissolving each component and improving the transparency of the resulting coating film, compounds having an alcoholic hydroxyl group and cyclic compounds having a carbonyl group are preferred.
  • the resin composition containing a siloxane resin preferably contains a photoradical polymerization initiator, and by combining it with a siloxane resin having a radically polymerizable group, the degree of crosslinking of the resin coating film (S) in the present invention can be increased by photo-radical polymerization. It can be increased by radical polymerization reaction to further improve the bending resistance.
  • the content of the photoradical polymerization initiator in the resin composition containing the siloxane resin is determined from the viewpoint of sufficiently promoting the reaction of the radically polymerizable groups and further improving the bending resistance. It is preferably 0.5% by weight or more, more preferably 1% by weight or more.
  • the content of the photoradical polymerization initiator is preferably 20% by weight or less in the total solid content of the resin composition, and 10% by weight. The following are more preferred.
  • photo-radical polymerization initiator examples include alkylphenone-based photo-radical polymerization initiators such as ⁇ -aminoalkylphenone-based photo-radical polymerization initiators and ⁇ -hydroxyalkylphenone-based photo-radical polymerization initiators; acylphosphine oxide-based photo-radicals; Polymerization initiator; oxime ester-based radical photopolymerization initiator; benzophenone-based radical photopolymerization initiator; oxanthone-based radical photopolymerization initiator; imidazole-based radical photopolymerization initiator; benzothiazole-based radical photopolymerization initiator; benzoxazole-based radical photopolymerization initiator Radical polymerization initiators; Carbazole-based radical photopolymerization initiators; Triazine-based radical photopolymerization initiators; Benzoic acid ester-based radical photopolymerization initiators; Phosphorus-based radical photo
  • the radical photopolymerization initiators are ⁇ -aminoalkylphenone-based radical photopolymerization initiators, acyl selected from the group consisting of a phosphine oxide-based radical photopolymerization initiator, an oxime ester-based radical photopolymerization initiator, a benzophenone-based radical photopolymerization initiator having an amino group, and a benzoic acid ester-based radical photopolymerization initiator having an amino group. It is preferable to contain one or more of the following.
  • the resin composition containing the siloxane resin further contains a compound having two or more radically polymerizable groups.
  • a compound having two or more radically polymerizable groups By containing a compound having two or more radically polymerizable groups, the degree of crosslinking of the resin coating film (S) in the present invention is increased through a radical polymerization reaction with the radically polymerizable groups contained in the siloxane resin, thereby increasing the resistance. The bendability can be further improved.
  • Examples of the radically polymerizable group include those exemplified as the radically polymerizable group possessed by the siloxane resin.
  • the content of the compound having two or more radically polymerizable groups in the resin composition containing the siloxane resin is determined from the viewpoint of increasing the degree of crosslinking of the resin coating film (S) and further improving the bending resistance. It is preferably 5% by weight or more, more preferably 10% by weight or more based on the total solid content of the product.
  • the content of the compound having two or more radically polymerizable groups is preferably 50% by weight or less in the total solid content of the resin composition, and 30% by weight or less in the total solid content of the resin composition. It is more preferably less than % by weight.
  • the resin composition containing a siloxane resin may contain a siloxane compound having an oxetanyl group.
  • a siloxane compound having an oxetanyl group By containing a siloxane compound having an oxetanyl group, the stress of the resin coating film (S) is alleviated by the ring-opening reaction of the oxetane ring, and the adhesion between the glass substrate and the resin coating film (S) is improved. Can be done.
  • siloxane compound having an oxetanyl group examples include, but are not limited to, compounds represented by the following formula (1).
  • R 1 to R 4 represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, or a group represented by the following formula (2). However, at least one of R 1 to R 4 is a group represented by the following formula (2).
  • w represents an integer from 1 to 10. From the viewpoint of reactivity, the number of carbon atoms in the alkyl group is preferably 1 or more and 6 or less, and the number of carbon atoms in the cycloalkyl group is preferably 3 to 6.
  • R 5 to R 9 represent a hydrogen atom, a fluorine atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a phenyl group, or a perfluoroalkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
  • p represents an integer of 1 or more and 6 or less.
  • the siloxane compound represented by the formula (1) can be obtained by hydrolyzing an alkoxysilane compound having an oxetanyl group together with an alkoxysilane compound not having an oxetanyl group, if necessary.
  • the content of the siloxane compound having an oxetanyl group in the resin composition containing the siloxane resin is determined based on the total solid content of the resin composition, from the viewpoint of further relaxing the stress of the resin coating film (S) and improving the adhesion.
  • the content is preferably 0.1% by weight or more, more preferably 0.5% by weight or more.
  • the content of the siloxane compound having an oxetanyl group is preferably 10% by weight or less based on the total solid content of the resin composition, from the viewpoint of improving the stress of the resin coating film (S) and further improving the bending resistance. , more preferably 6% by weight or less.
  • the resin composition containing a siloxane resin may contain a metal chelate compound represented by the following formula (3). Since the metal chelate compound acts as a catalyst for the silanol condensation reaction of the siloxane resin, the degree of crosslinking of the resin coating film (S) increases, and the bending resistance can be further improved.
  • M represents a metal atom
  • R 26 represents hydrogen, an alkyl group, an aryl group, or an alkenyl group
  • R 27 and R 28 each independently represent a hydrogen, an alkyl group, an aryl group, an alkenyl group, or Represents an alkoxy group.
  • the alkyl group, aryl group, alkenyl group, or alkoxy group may be substituted with a substituent.
  • e represents the valence of the metal atom M
  • f represents an integer from 0 to e. From the viewpoint of reactivity, the value obtained by subtracting f from e (ef) is preferably 0.
  • the metal atom M is preferably titanium, zirconium, aluminum, zinc, cobalt, molybdenum, lanthanum, barium, strontium, magnesium, or calcium, and more preferably zirconium or aluminum.
  • R 26 examples include hydrogen, methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n- Examples include octyl group, n-nonyl group, n-decyl group, n-octadecyl group, phenyl group, vinyl group, allyl group, and oleyl group.
  • R 27 and R 28 include hydrogen, methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, t-butyl group, phenyl group, vinyl group, methoxy group, Ethoxy group, n-propoxy group, isopropoxy group, n-butoxy group, sec-butoxy group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, n-decyl group group, n-octadecyl group, benzyloxy group, etc.
  • the content of the metal chelate compound in the resin composition containing the siloxane resin is determined based on the total solid content of the resin composition, from the viewpoint of further improving the degree of crosslinking of the resin coating film (S) and further improving the bending resistance.
  • the content is preferably 0.1% by weight or more, more preferably 0.5% by weight or more.
  • the content of the metal chelate compound is preferably 10% by weight or less, more preferably 7% by weight or less based on the total solid content of the resin composition, from the viewpoint of stability over time of the resin composition containing the siloxane resin.
  • the resin composition containing the siloxane resin may contain an adhesion improver. By containing the adhesion improver, the adhesion between the resin coating film (S) and the glass substrate can be further improved.
  • adhesion improver examples include silane coupling agents having functional groups such as vinyl groups, epoxy groups, styryl groups, (meth)acryloxy groups, and amino groups.
  • the content of the adhesion improver in the resin composition containing the siloxane resin is 0.1 weight based on the total solid content of the resin composition. % or more is preferable, and 0.5 weight % or more is more preferable. On the other hand, from the viewpoint of stability over time of the resin composition containing the siloxane resin, the content is preferably 10% by weight or less, more preferably 5% by weight or less based on the total solid content of the resin composition.
  • a resin composition containing a siloxane resin may contain various crosslinking agents to promote or facilitate crosslinking.
  • the crosslinking agent include nitrogen-containing organic substances, silicone resin crosslinking agents, isocyanate compounds and polymers thereof, methylolated melamine derivatives, and methylolated urea derivatives. Two or more types of these may be contained. Among them, methylolated melamine derivatives and methylolated urea derivatives are preferably used from the viewpoint of crosslinkability and stability over time.
  • a curing catalyst such as a thermal acid generator or a photoacid generator may be included in the resin composition containing the siloxane resin.
  • the content of a curing catalyst such as a thermal acid generator or a photoacid generator in a resin composition containing a siloxane resin is determined from the viewpoint of improving the degree of crosslinking of the resin coating film (S) and further improving the bending resistance. , is preferably 0.1% by weight or more, more preferably 0.3% by weight or more in the total solid content of the resin composition.
  • the content of a curing catalyst such as a thermal acid generator or a photoacid generator is preferably 5% by weight or less based on the total solid content of the resin composition. , more preferably 3% by weight or less.
  • the resin composition containing the siloxane resin may contain a polymerization inhibitor. By containing a polymerization inhibitor, stability over time can be improved.
  • the content of the polymerization inhibitor in the resin composition containing the siloxane resin is preferably 0.01% by weight or more, more preferably 0.1% by weight or more based on the total solid content of the resin composition.
  • the content is preferably 5% by weight or less, more preferably 1% by weight or less based on the total solid content of the resin composition.
  • the resin composition containing the siloxane resin may contain an ultraviolet absorber.
  • an ultraviolet absorber By containing an ultraviolet absorber, the light resistance of the resin coating film (S) can be improved.
  • the ultraviolet absorber benzotriazole compounds, benzophenone compounds, and triazine compounds are preferably used from the viewpoint of transparency and non-coloring properties.
  • the content of the ultraviolet absorber in the resin composition containing the siloxane resin is 10% by weight or less based on the total solid content of the resin composition. It is preferably 1% by weight or more, more preferably 5% by weight or less and 0.1% by weight or more.
  • the resin composition containing the siloxane resin may contain a surfactant.
  • a surfactant By containing a surfactant, flowability during application can be improved.
  • the surfactant include fluorine-based surfactants; silicone-based surfactants; fluorine-containing thermally decomposable surfactants; polyether-modified siloxane-based surfactants; polyalkylene oxide-based surfactants; poly(meth) Acrylate surfactants; Anionic surfactants such as ammonium lauryl sulfate and polyoxyethylene alkyl ether sulfate triethanolamine; Cationic surfactants such as stearylamine acetate and lauryl trimethylammonium chloride; Lauryl dimethylamine oxide and lauryl carboxymethyl Examples include amphoteric surfactants such as hydroxyethylimidazolium betaine; nonionic surfactants such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, and sorbitan
  • fluorine-based surfactants silicone-based surfactants, and fluorine-containing thermally decomposable interfaces are used from the viewpoint of suppressing coating defects such as repellency, as well as reducing surface tension and suppressing unevenness during drying of the coating film.
  • the active agent is preferably a polyether-modified siloxane surfactant, and more preferably a fluorine-containing thermally decomposable surfactant.
  • the content of the surfactant in the resin composition containing the siloxane resin is 10 ppm or more and 1,000 ppm or less based on the total components of the resin composition, from the viewpoint of improving the coatability on the glass substrate and the smoothness of the coating film. is preferable, and more preferably 50 ppm or more and 500 ppm or less.
  • a method for producing a resin composition containing a siloxane resin involves adding a siloxane resin and, if necessary, predetermined amounts of other raw materials such as silica particles, a photoradical polymerization initiator, a compound having two or more radical polymerizable compounds, and a solvent.
  • a common method is to mix and stir.
  • resin film (A) 43 known materials such as epoxy resin, silicone resin, fluororesin, (meth)acrylic resin, polyurethane, polyester, and polyolefin can be used, and preferred resin materials include resin (M) described below. It is a cured film obtained by curing a resin composition or a resin sheet.
  • the resin (M) preferably contains one or more resins selected from the group consisting of polyimide, polyimide precursor, polybenzoxazole, polybenzoxazole precursor, and copolymers thereof.
  • the resin (M) may contain one of these resins alone or may contain a combination of a plurality of resins.
  • the polyimide is not particularly limited as long as it has an imide ring.
  • the polyimide precursor is not particularly limited as long as it has a structure that becomes a polyimide having an imide ring by dehydration and ring closure, and it can contain polyamic acids, polyamic acid esters, and the like.
  • Polybenzoxazole is not particularly limited as long as it has an oxazole ring.
  • the polybenzoxazole precursor is not particularly limited as long as it has a structure that becomes a polybenzoxazole having a benzoxazole ring upon dehydration and ring closure, and may contain polyhydroxyamide or the like.
  • Polyimide has a structural unit represented by the following formula (4)
  • polyimide precursors and polybenzoxazole precursors have a structural unit represented by the following formula (5)
  • polybenzoxazole has a structural unit represented by the following formula (6).
  • ) has a structural unit represented by Two or more of these may be contained, or a resin obtained by copolymerizing the structural unit represented by formula (4), the structural unit represented by formula (5), and the structural unit represented by formula (6) may be used. May be contained.
  • V represents a 4 to 10 valent organic group having 4 to 40 carbon atoms
  • W represents a 2 to 8 valent organic group having 4 to 40 carbon atoms
  • a and b each represent an integer of 0 or more and 6 or less.
  • R 1 and R 2 represent a group selected from the group consisting of a hydroxyl group, a carboxy group, a sulfonic acid group, and a thiol group, and a plurality of R 1 and R 2 may be the same or different.
  • X and Y each independently represent a divalent to octavalent organic group having 4 or more and 40 or less carbon atoms.
  • R 3 and R 4 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1 or more and 20 or less carbon atoms.
  • c and d each represent an integer of 0 to 4, and e and f each represent an integer of 0 to 2.
  • T and U each independently represent a divalent to octavalent organic group having 4 or more and 40 or less carbon atoms.
  • a+b>0 in formula (4) In order to give the resin (A-1) alkali solubility, it is preferable that a+b>0 in formula (4). Moreover, it is preferable that the formula (5) satisfies c+d+e+f>0.
  • X and Y in formula (5) In formula (5), in the case of a polyimide precursor, it is preferable that X and Y in formula (5) have an aromatic group. Furthermore, X in formula (5) has an aromatic group, e>2, has a carboxy group or a carboxy ester group at the ortho position of the aromatic amide group, and by dehydration and ring closure, an imide ring is formed. It becomes a structure that forms.
  • X in formula (5) has an aromatic group, d>0, and a hydroxyl group is present at the ortho position of the aromatic amide group. It has a structure that forms a benzoxazole ring by dehydration and ring closure.
  • V-(R 1 ) a , (OH) c -X-(COOR 3 ) e in the above formula (5), and T in the above formula (6) represent an acid residue.
  • V is a tetravalent to decavalent organic group having 4 to 40 carbon atoms, and preferably an organic group having 4 to 40 carbon atoms containing an aromatic ring or a cycloaliphatic group.
  • X and T are divalent to octavalent organic groups having 4 to 40 carbon atoms, and preferably organic groups having 4 to 40 carbon atoms and containing an aromatic ring or an aliphatic group.
  • acid components constituting acid residues include terephthalic acid, isophthalic acid, diphenyl ether dicarboxylic acid, bis(carboxyphenyl)hexafluoropropane, biphenyl dicarboxylic acid, benzophenone dicarboxylic acid, triphenyl dicarboxylic acid, and suberin.
  • tetracarboxylic acids include pyromellitic acid and 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic acid.
  • Examples include, but are not limited to, aromatic tetracarboxylic acids of the structure, butanetetracarboxylic acid, cyclobutanetetracarboxylic acid, 1,2,3,4-cyclopentanetetracarboxylic acid, and the like. Two or more types of these may be used.
  • diamines constituting diamine residues include bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)hexafluoropropane, bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)sulfone, and bis(3-amino-4-hydroxyphenyl).
  • each step in the manufacturing method of the light emitting device 1 using organic EL according to the present invention is performed such that an organic EL
  • An example of a configuration including a light emitter portion 20 will be described with reference to FIGS. 19-1 to 19-6.
  • a resin composition containing a siloxane resin is applied onto the surface 22 of the glass substrate 11 (the surface facing downward in the figure) to form a coating film, and then thermally cured to form a resin coating film (S ) 23 ((A) in FIG. 19-1).
  • the drive element 28 is formed on the surface 21 opposite to the surface 22 of the glass substrate 11 (the upper surface in the drawing), and a resin composition containing a polyimide resin is applied to cover it.
  • the film is applied to a thickness of 0.5 to 5 ⁇ m.
  • a pattern is processed by photolithography (not shown) to form a contact hole 25.
  • the coating film is thermally cured to form a flattening film 12 which is a cured film ((B) in FIG. 19-2).
  • a coating film composed of a resin composition containing a polyimide resin is applied to a thickness of 0.5 to 5 ⁇ m and prebaked to form a prebaked film of the pixel dividing layer.
  • actinic radiation 27 is irradiated through a mask 26 having a desired pattern ((D) in FIG. 19-4).
  • pixel division layer 19 which is a cured film having a desired pattern (Fig. 19-5 (E)).
  • the hole injection layer 14, the hole transport layer 15, the organic EL light emitter 16, and the electron transport layer 17 are deposited through a mask.
  • the film is formed by Next, on the plane of the electron transport layer 17, a second electrode 18, which becomes a transparent electrode, is formed by sputtering to form an organic EL light emitter part 20 ((F) in FIG. 19-6).
  • an organic layer consisting of at least the first electrode 13, the second electrode 18, the organic EL light emitter 16, and the pixel dividing layer 19 is formed on one plane of the glass substrate 11 of the present invention.
  • a light emitting device 1 using a top emission type organic EL having an EL light emitter part 20 and having a resin coating film (S) 23 containing a siloxane resin on the other plane is obtained.
  • the light emitting device 1 using a bottom emission type organic EL has a configuration in which the first electrode 13 is a transparent electrode and the second electrode 18 is a reflective electrode.
  • FIG. 20 a cross-sectional view of each manufacturing step in the method for manufacturing a light emitting device using an LED according to the present invention is shown in which a resin coating film (S) 47 and an LED light emitting body portion 48 are coated on either surface 49 of the glass substrate 45.
  • S resin coating film
  • FIG. 20 an example of a structure in which the layers are stacked in this order will be explained using FIG. 20 as an example.
  • resin film (A) refers to a film obtained by applying a resin composition containing resin (A-1) to a substrate or by laminating a resin sheet, followed by drying and curing.
  • a resin composition containing a siloxane resin is applied onto the surface 49 of the glass substrate 45 to form a coating film, and then thermally cured to form a resin coating film (S) 47 (FIG. 20( A)).
  • wiring 44c is arranged on the resin coating film (S) 47, and LEDs 42 each having electrodes 46a and 46b are arranged on two different surfaces (FIG. 20(B)).
  • a TFT may be arranged on the resin coating film (S) 47.
  • a resin composition containing resin (A-1) or a resin sheet formed from a resin composition containing resin (A-1) is applied or coated onto the resin coating film (S) 47 and the LED 42.
  • a coating film 61 or a laminate film 61 is formed by laminating (FIG. 20(C)).
  • “on the resin coating film (S) 47” and “on the LED 42” refer to not only the surface of the resin coating film (S) 47 and the surface of the LED 42, but also anything above the resin coating film (S) 47 and the LED 42.
  • a resin composition containing resin (A-1) or a resin sheet formed from a resin composition containing resin (A-1) is coated or laminated on wiring, reflective films, and partition walls to form a coating film or laminate.
  • a film may also be formed. Examples of coating methods include spin coating, slit coating, dip coating, spray coating, and printing.
  • the thickness of the coating film varies depending on the coating method, the solid content concentration of the composition, the viscosity, etc., the coating is usually performed so that the film thickness after drying is 0.1 ⁇ m or more and 150 ⁇ m or less.
  • the coated film of the resin composition containing resin (A-1) is dried to obtain a dry film 61. Drying is preferably carried out using an oven, hot plate, infrared rays, etc. at a temperature of 50° C. or higher and 140° C. or lower for 1 minute to several hours.
  • a penetrating opening pattern 62 corresponding to the shape of the wiring 4 is formed in the dry film 61 using a photolithography process (FIG. 20(D)).
  • Actinic radiation is irradiated onto the photosensitive resin film through a mask having a desired pattern.
  • Actinic radiation used for exposure includes ultraviolet rays, visible light, electron beams, and X-rays, but in the present invention, we use G-line (436 nm), H-line (405 nm), or I-line (365 nm), which are common exposure wavelengths. , is preferably used.
  • a photoresist is formed after the resin film is formed, and then the above-mentioned actinic radiation is irradiated.
  • polar solvents such as N-methyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, ⁇ -butyrolactone, and dimethylacrylamide, methanol, ethanol,
  • alcohols such as isopropanol, esters such as ethyl lactate and propylene glycol monomethyl ether acetate, and ketones such as cyclopentanone, cyclohexanone, isobutyl ketone and methyl isobutyl ketone may be added.
  • alcohols such as ethanol and isopropyl alcohol, esters such as ethyl lactate and propylene glycol monomethyl ether acetate, etc. may be added to water for rinsing.
  • a resin film (A) 43 is formed by curing the exposed film (FIG. 20(D)).
  • the exposed film is heated to advance a ring-closing reaction and a thermal crosslinking reaction to obtain a resin film (A) 43.
  • the heat resistance and chemical resistance of the resin film (A) 43 are improved by crosslinking.
  • This heat treatment may be performed by raising the temperature in stages or may be performed while raising the temperature continuously.
  • the heat treatment is preferably carried out for 5 minutes to 5 hours.
  • An example is a case in which heat treatment is performed at 110° C. for 30 minutes and then further heat treated at 230° C. for 60 minutes.
  • the heat treatment conditions are preferably 140°C or higher and 400°C or lower.
  • the heat treatment conditions are preferably 140°C or higher, more preferably 160°C or higher, in order to advance the thermal crosslinking reaction. Further, in order to provide an excellent cured film and improve the reliability of the light emitting device, the heat treatment conditions are preferably 300°C or lower, more preferably 250°C or lower.
  • a wiring 44 made of a metal such as copper or a conductive film for electrical connection with at least one electrode 46 of the LED 42 is formed by plating, sputtering, or photosensitive coating.
  • the opening pattern 62 of the resin film (A) 43 and a part of the surface of the resin film (A) 43 are formed by processing a conductive paste or the like (FIG. 20(E)). After that, unnecessary photoresist and the like are removed. As a result, electrical insulation of the wiring can be ensured by the resin film (A) 43, and by extending the wiring 44 in the resin film (A) 43, the electrode 46 of the LED 42 and a drive element (not shown) can be connected. By electrically connecting them, the light emitting operation of the LED can be controlled.
  • the resin film (A) 43 and the wiring 44 are formed by repeating the same method again.
  • A) A light emitting device 41 in which 43 is formed can be produced (FIG. 20(F)).
  • multiple LEDs can be arranged, and wiring can be reduced by reducing the height of the package and shortening the wiring distance. It is possible to suppress wiring defects such as short circuits, reduce loss, and improve high-speed response.
  • a barrier metal 55 is formed in the opening pattern of the resin film (A) 43 by sputtering, a bump 54 is formed, and electricity is applied to the LED drive board 52 having the drive element 53 such as a driver IC through the bump 54. It is also possible to obtain a light emitting device 41 having a plurality of LEDs 42 shown in FIG. 13 by connecting the LEDs 42 to each other. Note that the wiring 44 may include an electrode.
  • the resin film (A) As a result, electrical insulation of the wiring can be ensured by the resin film (A), and by extending the wiring in the resin film (A), the electrodes of the LED and the driving element can be electrically connected.
  • the light emitting operation can be controlled by.
  • a resin composition containing a siloxane resin is applied onto the surface 49 of the glass substrate 45 to form a coating film, and then thermally cured to form a resin coating film ( S) 47 is formed into a film.
  • an LED 42 including a wiring 44c and electrodes 46a and 46b, respectively, is arranged on the surface 49 of the glass substrate 45 opposite to the surface 51 on which the resin coating film (S) 47 is formed.
  • the other steps are the same as the embodiment shown in FIG. 20, and will therefore be omitted.
  • the transmittance of the obtained glass substrate with the resin coating film (S) at a measurement wavelength of 400 nm was measured using an ultraviolet-visible spectrophotometer UV-2600 (manufactured by Shimadzu Corporation).
  • UV-2600 ultraviolet-visible spectrophotometer
  • the resin compositions obtained in each example and comparative example were applied to a glass substrate to produce a resin coating film (S) consisting of a cured product of the resin composition.
  • a pencil hardness tester to trace the cured film with a pencil of a specified hardness at a load of 750 g at an angle of 45 degrees and observe the presence or absence of scratches.
  • the pencil hardness was measured using the following method.
  • ⁇ Bending resistance> The glass substrate was placed so that the surface on which the resin coating film (S) was formed was on the outside and the surface on which the resin coating film (S) was not formed was on the inside, and then tested using a durability tester DMLHB (Yuasa System Equipment).
  • the number of times (BT1) that a glass substrate with a resin coating film (S) breaks at a radius of curvature (R) of 3 mm was measured using a glass substrate (manufactured by Co., Ltd.).
  • the maximum number of tests was 10,000 times, and evaluation was made based on the following criteria. The larger BT1 is, the better the bending resistance is. Excellent: 10,000 ⁇ BT1 Good: 1,000 ⁇ BT1 ⁇ 10,000 Impossible: BT1 ⁇ 1,000.
  • a cured product of the resin composition was prepared in the same manner as in each Example and Comparative Example except that the resin composition obtained in each Example and Comparative Example was applied to a 4-inch silicon wafer instead of the glass substrate.
  • a resin coating film (S) was produced.
  • the refractive index of the obtained resin coating film (S) on the 4-inch silicone was measured at a wavelength of 633 nm at room temperature of 23° C. using a prism coupler (manufactured by Metricon, PC-2000).
  • Synthesis of siloxane resin (PS-1) In a 500 mL three-necked flask, 47.67 g (0.35 mol) of methyltrimethoxysilane, 39.66 g (0.20 mol) of phenyltrimethoxysilane, 3-trimethoxysilane, 26.23 g (0.10 mol) of methoxysilylpropyl succinic anhydride, 82.04 g (0.35 mol) of 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, and 182.88 g of diacetone alcohol (hereinafter referred to as DAA) were prepared at 40°C.
  • DAA diacetone alcohol
  • the weight average molecular weight (hereinafter referred to as Mw) of the obtained siloxane resin (PS-1) was measured by GPC and found to be 5,000 (in terms of polystyrene).
  • Mw weight average molecular weight of the obtained siloxane resin
  • NMP N-methyl-2-pyrrolidone
  • Synthesis Example 2 Synthesis of siloxane resin (PS-2) In a 500 mL three-necked flask, 54.48 g (0.40 mol) of methyltrimethoxysilane, 99.15 g (0.50 mol) of phenyltrimethoxysilane, 2-( 24.64 g (0.10 mol) of 3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane and 163.35 g of DAA were placed in an oil bath at 40°C, and while stirring, 0.535 g of phosphoric acid was added to 54.0 g of water.
  • PS-2 siloxane resin
  • a siloxane resin (PS-2) solution was added to the DAA solution of the obtained siloxane resin so that the polymer concentration was 40% by weight to obtain a siloxane resin (PS-2) solution.
  • the Mw of the obtained siloxane resin (PS-2) was measured by GPC and was 5,000 (in terms of polystyrene).
  • PGMEA Propylene glycol monomethyl ether acetate
  • PA-1 acrylic polymer solution
  • the acid value of the acrylic resin was defined as the amount (mg) of potassium hydroxide required to neutralize 1 g of the acrylic resin (unit of acid value: mgKOH/g).
  • Particle size 20 to 30 nm, product name "PMA-ST”; manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.) 23.89 g, siloxane resin (PS-2) solution 39.82 g, fluorine-containing thermally decomposable surfactant (product name "DS-21”: 0.20 g of PGMEA 5% by weight solution (equivalent to a concentration of 100 ppm) manufactured by DIC Corporation, PGMEA 5 of silicone-modified acrylic surfactant "BYK” (registered trademark) -3550 (manufactured by BYK Chemie Corporation) 0.20 g of a weight percent solution (equivalent to a concentration of 100 ppm) was added and stirred. Next, filtration was performed using a filter with a filter diameter of 1.00 ⁇ m to prepare a resin composition (S-2) containing a siloxane resin with a solid content concentration of 26% by weight.
  • S-2 siloxane resin
  • Example 1 Using the resin composition (S-1) obtained above, a light emitting device 1 using organic EL as shown in FIG. 1 or 3 was manufactured using the manufacturing method shown in FIG.
  • the strength (impact resistance, bending resistance), transmittance, and pencil hardness of the resin coating film (S) were measured for the obtained glass substrate 11 with the resin coating film (S), and the results are shown in Table 2. .
  • an organic EL light emitter portion 20 was formed on the surface 21 of the glass substrate 11 opposite to the surface 22 on which the resin coating film (S) (SS-1) 23 was formed.
  • a TFT 28 which is a bottom gate type driving element, is formed on the surface of the glass substrate 11, and a coating film made of a photosensitive polyimide resin composition (PW-1) is spin-coated to cover this TFT 28, and then a hot plate After pre-baking (120° C., 3 minutes) above, it is exposed to light through a mask with a desired pattern, developed, and heat-treated at 230° C. for 60 minutes under air flow to form a flattened layer 12 with contact holes 25. was formed ( Figure 19-2(B)).
  • PW-1 photosensitive polyimide resin composition
  • a metal wiring (1.0 ⁇ m in height) to be connected to the TFT 28 through the contact hole 25 was formed on the surface of the planarization layer 12 on the side opposite to the contact hole 25 and the glass substrate side 11.
  • a first electrode 13 made of Al/ITO Al: reflective electrode
  • a resist was applied, prebaked, exposed through a mask with a desired pattern, and developed.
  • the first electrode 13 was patterned by wet etching using an ITO etchant.
  • the resist pattern was stripped using a resist stripping solution (a mixed solution of monoethanolamine and diethylene glycol monobutyl ether).
  • the substrate after peeling was washed with water and dehydrated by heating at 200° C. for 30 minutes to obtain a flattening layer 12 and a first electrode 13 on the surface of the glass substrate 11.
  • the obtained first electrode corresponds to the anode of the organic EL light emitter (FIG. 19-3(C)).
  • a pixel dividing layer 19 was formed on the surface of the flattening layer 12 on the opposite side to the glass substrate 11 side, so as to cover a part of the first electrode 13 .
  • the photosensitive polyimide resin composition (PW-1) was used for the pixel dividing layer 19.
  • a photosensitive polyimide resin composition (PW-1) was applied to a thickness of 2 ⁇ m and prebaked to form a prebaked film of the pixel division layer 19.
  • actinic radiation 27 was irradiated through the mask pattern 26 (FIG. 19-4(D)).
  • a hole injection layer 14, a hole transport layer 15, an organic EL A light emitter 16 and an electron transport layer 17 were sequentially deposited, and then a second electrode 18 made of Mg/ITO was formed on the entire surface above the substrate. Furthermore, a SiON sealing film was formed by CVD film formation, and a light emitting device 1 using an organic EL in which an organic EL light emitter part 20 was formed was obtained (FIG. 19-6(F)).
  • Example 2 Resin coating film (S) (SS-2) 23 and resin coating film ( A glass substrate 11 with S) was produced.
  • Example 5 In the same manner as in Example 1, a resin coating film (S) (SS-5) 23 and a glass substrate 11 with a resin coating film (S) were produced, and using this glass substrate 11, the glass shown in FIG. A light emitting device 1 using a bottom emission type organic EL that emits light from the substrate 11 side was manufactured. Light emitting device 1 using organic EL in the same manner as in Example 1 except that a transparent electrode made of Mg/ITO was formed as the first electrode 13 and Al/ITO (Al: reflective electrode) was formed as the second electrode 18. I got it.
  • Example 6 A resin coating film (S) (SS-6) 23 was prepared in the same manner as in Example 1, except that a resin coating film (S) (SS-2) 23 with a film thickness of 2 ⁇ m was formed on both sides of the glass substrate 11. And a glass substrate 11 with a resin coating film (S) was produced.
  • a light emitting device 1 using organic EL was obtained in the same manner as in Example 1 using the obtained (S) resin coated glass substrate 11.
  • Example 7 Resin coating was carried out in the same manner as in Example 2, except that an alkali-free glass substrate "G-Leaf” (registered trademark) OA-10G (manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd.) with a film thickness of 30 ⁇ m was used as the glass substrate 11.
  • a film (S) (SS-7) 23 and a resin-coated glass substrate 11 were prepared.
  • Example 8 Resin coating was carried out in the same manner as in Example 2, except that an alkali-free glass substrate "G-Leaf” (registered trademark) OA-10G (manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd.) with a film thickness of 50 ⁇ m was used as the glass substrate 11.
  • Example 9 Resin coating was carried out in the same manner as in Example 2, except that an alkali-free glass substrate "G-Leaf” (registered trademark) OA-10G (manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd.) with a film thickness of 100 ⁇ m was used as the glass substrate 11.
  • Example 10 A resin coating film ( S) (SS-10) 23 and a glass substrate 11 with a resin coating film (S) were prepared.
  • a resin film (SA-1) was prepared in the same manner as in Example 2, except that the resin composition (A-1) not containing a siloxane resin was used instead of the resin composition (S-1) containing a siloxane resin. And a glass substrate 11 with a resin film was produced.
  • Example 13 Using the resin composition (S-1) obtained above, a light emitting device 41 using an LED shown in FIG. 6 was manufactured using the manufacturing method shown in FIG.
  • a spray coating device "rCoater” (registered) was applied to one surface of the substrate, an alkali-free glass substrate 45 "G-Leaf” (registered trademark) OA-10G” (manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd.) with a thickness of 70 ⁇ m.
  • a film (S) (SS-1) 47 was obtained (corresponding to step (A) in FIG. 20).
  • an LED light emitter portion 48 was formed on the surface of the glass substrate 45 on which the resin coating film (S) (SS-1) 47 was formed.
  • ITO was formed as the wiring 44c on a part of the surface of the resin coating film (S) (SS-1) 47 by sputtering.
  • An LED 42 having electrodes 46a and 46b was placed thereon (corresponding to step (B) in FIG. 20).
  • the thickness of the LED 42 was 7 ⁇ m, the length of one side was 30 ⁇ m, and the length of the other side was 50 ⁇ m.
  • a resin composition (PW-1) containing a polyimide resin is applied to a thickness of 10 ⁇ m after heat treatment, and the coating film 61 was formed (corresponding to step (C) in FIG. 20).
  • i-line (365 nm) was irradiated onto the coating film 61 through a mask having a desired pattern.
  • the exposed film 61 was developed using a 2.38% by mass tetramethylammonium (TMAH) aqueous solution to form a plurality of opening patterns 62 that penetrated the exposed film 61 in the thickness direction.
  • the shape of the opening pattern 62 was circular, and the longest length of the bottom portion in the smallest area of the opening pattern was 2 ⁇ m in diameter.
  • the exposed film 61 was heat-treated at 110° C. for 30 minutes in an atmosphere with an oxygen concentration of 100 ppm or less, and then further heat-treated at 230° C. for 60 minutes to form a resin film (A) 43 with a thickness of 10 ⁇ m. (Corresponding to step (D) in FIG. 20).
  • the exposed film 61 was cured as it was to become a resin film (A) 43.
  • a titanium barrier metal was sputtered on the resin film (A) 43, and a copper seed layer was further formed thereon by a sputtering method.
  • a wiring 44 made of copper that is electrically connected to the LED 42 is formed by plating on the opening pattern 62 of the resin film (A) 43 and a part of the resin film (A) 43. was formed on the surface, and then the photoresist, seed layer, and barrier metal were removed (corresponding to step (E) in FIG. 20).
  • the thickness of the wiring 44d formed on a part of the surface of the resin film (A) 43 was 5 ⁇ m.
  • step (C), step (D), and step (E) were repeated twice to form three layers of resin film (A) 43.
  • the total thickness 58 of the three-layer resin film (A) 43 was 30 ⁇ m.
  • a light emitting device 41 using a bottom emission type LED shown in FIG. 6 was formed.
  • a barrier metal 54 was formed by sputtering in an opening pattern provided in the (A) resin film (A) 43, and bumps 55 were formed. Thereafter, the bumps were reflowed at 250° C. for 1 minute, and electrically connected to the LED driving substrate 52 having the driver IC, which is the driving element 53, through the bumps 55.
  • Example 14 A glass substrate 45 was coated with a resin coating film (S) (SS-2) 47 in the same manner as in Example 13, except that the film thickness of the resin coating film (S) (SS-1) 47 was 2 ⁇ m. was created.
  • a light emitting device 41 using an LED was obtained in the same manner as in Example 13 using the glass substrate 45 coated with the obtained resin coating film (S) 47.
  • Example 15 A glass substrate 45 was coated with a resin coating film (S) (SS-3) 47 in the same manner as in Example 13, except that the film thickness of the resin coating film (S) (SS-1) 47 was 5 ⁇ m. was created.
  • a light emitting device 41 using an LED was obtained in the same manner as in Example 13 using the glass substrate 45 coated with the obtained resin coating film (S) 47.
  • Example 16 A glass substrate 45 was coated with a resin coating film (S) (SS-4) 47 in the same manner as in Example 13, except that the film thickness of the resin coating film (S) (SS-1) 47 was 10 ⁇ m. was created.
  • a light emitting device 41 using an LED was obtained in the same manner as in Example 13 using the glass substrate 45 coated with the obtained resin coating film (S) 47.
  • Example 17 A glass substrate 45 coated with a resin coating film (S) (SS-2) 47 having a film thickness of 2 ⁇ m was prepared in the same manner as in Example 14, and a glass substrate 45 coated with this resin coating film (S) 47 was prepared.
  • a glass substrate 45 coated with a resin coating film (S) 47 was produced in the same manner as in Example 14, except that the resin coating film (S) 47 was used.
  • the arrangement of the LED light emitter parts 48 is such that the LED light emitter parts 48 are arranged on the surface 49 of the glass substrate 45, and the surface of the glass substrate 45 on which the LED light emitter parts 48 are arranged.
  • a resin coating film (S) 47 is disposed on the surface 51 opposite to the surface 49, and a top emission type LED that emits light from the LED light emitting body portion 48 side is used in the same manner as in Example 13 except for the above.
  • a light emitting device 41 was manufactured using the following methods.
  • Example 18 As shown in FIG. 12, the resin coating film (S) (SS-2) 47 with a thickness of 2 ⁇ m was formed in the same manner as in Example 13, except that the resin coating film (S) (SS-2) 47 was formed on both sides of the glass substrate 45. ) A glass substrate 45 coated with 47 was prepared.
  • a light emitting device 41 using an LED was obtained in the same manner as in Example 13 using the glass substrate 45 coated with the obtained resin coating film (S) 47.
  • Example 19 Resin coating was carried out in the same manner as in Example 14, except that an alkali-free glass substrate "G-Leaf” (registered trademark) OA-10G (manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd.) with a film thickness of 30 ⁇ m was used as the glass substrate 45.
  • a glass substrate 45 coated with a film (S) (SS-7) 47 was prepared.
  • a light emitting device 41 using an LED was obtained in the same manner as in Example 1 using the glass substrate 45 coated with the obtained resin coating film (S) 47.
  • Example 20 Resin coating was carried out in the same manner as in Example 14, except that an alkali-free glass substrate "G-Leaf” (registered trademark) OA-10G (manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd.) with a film thickness of 50 ⁇ m was used as the glass substrate 45.
  • a light emitting device 41 using an LED was obtained in the same manner as in Example 13 using the glass substrate 45 coated with the obtained resin coating film (S) 47.
  • Example 21 Resin coating was carried out in the same manner as in Example 14, except that an alkali-free glass substrate "G-Leaf” (registered trademark) OA-10G (manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd.) with a film thickness of 100 ⁇ m was used as the glass substrate 45.
  • a glass substrate 45 coated with a film (S) (SS-9) 47 was prepared.
  • a light emitting device 41 using an LED was obtained in the same manner as in Example 13 using the glass substrate 45 coated with the obtained resin coating film (S) 47.
  • Example 22 A resin coating film ( A glass substrate 45 coated with S) (SS-10) 47 was prepared.
  • a light emitting device 41 using an LED was obtained in the same manner as in Example 13 using the glass substrate 45 coated with the obtained resin coating film (S) 47.
  • Example 23 The resin coating film (S) ( A glass substrate 45 coated with SS-11) 47 was prepared.
  • a light emitting device 41 using an LED was obtained in the same manner as in Example 13 using the glass substrate 45 coated with the obtained resin coating film (S) 47.
  • Example 24 The resin coating film (S) ( A glass substrate 45 coated with SS-12) 47 was prepared.
  • a light emitting device 41 using an LED was obtained in the same manner as in Example 13 using the glass substrate 45 coated with the obtained resin coating film (S) 47.
  • a resin film (SB-1) was prepared in the same manner as in Example 14, except that the resin composition (A-1) not containing a siloxane resin was used instead of the resin composition (S-1) containing a siloxane resin. And a resin-coated glass substrate 45 was produced.
  • a light emitting device 41 using an LED was obtained in the same manner as in Example 13 using the obtained glass substrate 45 with a resin film.
  • a substrate 45 made of polyimide film "Kapton” (registered trademark) (manufactured by DuPont-Toray Co., Ltd.) is used instead of glass as the material of the glass substrate 45.
  • a light emitting device 41 using an LED was obtained in the same manner as in Example 13 except that the substrate 45 not coated with a resin film was used.
  • the manufacturing method of the present invention can be suitably used as an electronic device equipped with an under-display camera in which the front camera is placed behind the screen, or as a display using a light emitting device using organic EL or LED.

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Abstract

少なくともシロキサン樹脂を含有する樹脂被覆膜(S)を具備するガラス基板と、前記ガラス基板または前記樹脂被覆膜(S)の少なくとも一方の表面上に発光体部位を具備した発光装置であって、前記発光体部位が、少なくとも第一電極、第二電極、有機EL発光体及び画素分割層から構成される有機EL発光体部位、または、少なくとも配線、前記配線の少なくとも一部と接する樹脂膜(A)及び発光ダイオードから構成される発光ダイオード発光体部位である。 有機ELまたは発光ダイオードを用いた発光装置において、ガラス基板の割れ強度及び耐折り曲げ性を両立させてフレキシブル性を向上させるとともに、透明性に優れるディスプレイを提供できる。また、ディスプレイを作製する際においても、ガラス基板のハンドリング等でガラスが割れるのを防ぎ、生産性の収率を向上が図れる発光装置を提供する。

Description

発光装置
 本発明は、発光ダイオード(Light Emitting Diode、以下、「LED」と呼称する場合がある。)または有機エレクトロルミネッセンス(以下、「有機EL」と呼称する場合がある。)発光体を用いた発光装置に関する。
 近年、平面発光装置として、LEDや有機EL発光体を有する発光装置が注目されている。これらの発光装置は、自発光性素子であることから、視野角が広く、バックライトを必要とせず薄型化が可能であり、消費電力が抑えられ、且つ応答速度が速いといった特徴を有している。LEDを画素数と同じだけ並べることでディスプレイを構成するLEDディスプレイ、特に光源となるLEDのサイズを従来の1mm程度から、100~700μmとしたミニLEDディスプレイ、100μm以下まで小型化したマイクロLEDディスプレイが注目を集めており、研究開発が盛んに行われている。
 また、ウェアラブル端末、スマートフォン、タブレットなどの各種表示端末は、フレキシブル性を有し、折り畳みが可能なフレキシブル性を有するフォルダブルデバイスの検討が盛んに行われている。
 フォルダブルデバイスは、ディスプレイや筐体を保護するためのカバーガラスを湾曲可能な程度に薄型化するとともに、表示装置の基材として用いられるガラス基板についても、ガラス基板を薄膜化しても、衝撃耐性が低下しにくく、折り曲げ耐性と衝撃耐性との両立が求められている。
 特許文献1では、ポリイミド樹脂を含む膜Aの少なくとも片面にポリシロキサン樹脂を含む膜Bを有し、前記膜Bに無機酸化物粒子を含むディスプレイ用支持基板が記載され、煩雑な操作を行うことなく、高精細なディスプレイが作製可能で、熱膨張率(Coefficient of Thermal Expansion)が小さく、複屈折が小さく、かつ可撓性を備えルことができる効果が開示されている。
 特許文献2では、支持基材と、シリコーン樹脂層と、基板と、をこの順で備え、シリコーン樹脂層が、ジルコニウム、アルミニウム、および、スズからなる群から選択される少なくとも1種の金属の元素を含む、積層体が記載され、ガラス積層体のガラス基板のシリコーン樹脂層側とは反対側の表面上に有機EL構造体を形成する構成が記載されている。これにより、高信頼性の絶縁膜を形成するため、高温CVD成膜などの高温処理によっても、ガラス積層体中のシリコーン樹脂層に気泡の発生を抑えることが出来る効果が開示されている。
 特許文献3では、強化ガラス基板の少なくとも片面に、シロキサン樹脂およびシリカ粒子を含有するガラス強化材料の架橋物からなる膜厚が0.5~10μm、波長400nmにおける透過率が90%以上の硬化膜を有するガラス強化基板が記載され、ガラス強度および透過率の両立が図れる効果が開示されている。
 特許文献4では、基板の表面上に陽イオンを、前記基板の表面上の原子の全原子量に基づいて少なくとも0.1原子量パーセントの量で含有する基板;陽イオン感受性物質を含み、前記基板の表面上に配置された陽イオン感受性層;および前記基板と前記陽イオン感受性層の間に配置され、陽イオンの前記基板から前記陽イオン感受性層への移動を防ぐための硬化シリコーン組成物を含むシリコーン層;を含んでなる複合品が記載されている。硬化シリコーン組成物は、例えば基板表面での欠陥形成を防御するなどの他の特性を与えることができ、このようにして基板の強度を改良することとなる。本発明の複合品10が有機発光ダイオード(Organic Light Emitting Diode;以下、「OLED」)である場合、上述の硬化シリコーン組成物の重要な利点は、それが基板12の強度を改善すること、非常に薄いガラス基板12上の曲げ性/柔軟性のあるOLEDの構造物に対し非常に有用である。薄い基板12の低い厚みのため、薄い基板12は柔軟性があり、かつ曲げることができ、そして曲げ性/柔軟性のあるOLED用の理想的な基板12となる効果が開示されている。
 特許文献5では、厚さを規定したガラス基材と前記ガラス基材に隣接した樹脂層とを備え、前記樹脂層のヤング率を規定した光学フィルムが開示され、前記樹脂層がシリコーン樹脂を含み、前記表示パネルが有機発光ダイオードパネルとする画像表示装置が記載され、これにより、光学フィルムが柔軟性および耐衝撃性を有する効果が開示されている。
特開2016-72246号公報 特開2018-202849号公報 特開2019-214492号公報 国際公開第2008/079275号 国際公開第2019/066078号
 フォルダブルデバイスは、ディスプレイや筐体を保護するための基材を湾曲可能な程度に薄型化する必要があり、そうすると、厚さが薄いガラス基板は、衝撃耐性が低下してガラスが割れ易くなる。一方、衝撃耐性を改善するため、超薄板ガラス基板を厚くすると、折り曲げ耐性が悪化するという問題があり、衝撃耐性と折り曲げ耐性の両立が困難であった。また、ディスプレイ支持基板にポリイミド系樹脂を使用すると、黄色く着色する傾向にあり透過率を下げてしまう場合があった。さらには、ガラスと比較して、吸湿性や透湿性が高いため有機デバイスが劣化しやすいという課題があった。
 そこで、本発明は、かかる従来技術の課題に鑑み、LEDや有機EL発光体を用いた発光装置において、ガラス基板の割れ強度及び折り曲げ耐性を両立させてフレキシブル性を向上させるとともに、透明性に優れるディスプレイを提供できる。また、ディスプレイを作製する際においても、ガラス基板のハンドリング等でガラスが割れるのを防ぎ、生産性の収率を向上が図れる発光装置を提供することを目的とする。
 本発明者らは、従来技術の課題を解決するために鋭意検討した結果、以下の構成が極めて有効であることを見出し、本発明を完成した。
 [1]少なくともシロキサン樹脂を含有する樹脂被覆膜(S)を具備するガラス基板と、発光体部位とを、少なくとも具備する発光装置。
 [2]前記発光体部位が、前記ガラス基板または前記樹脂被覆膜(S)の少なくとも一方の表面上に前記表面と少なくとも一部が接して配された[1]記載の発光装置。
 [3]前記発光体部位が、少なくとも第一電極、第二電極、有機EL発光体及び画素分割層から構成される有機EL発光体部位である[1]または[2]記載の発光装置。
 [4]前記発光体部位が、少なくとも配線、前記配線の少なくとも一部と接した樹脂膜(A)及び発光ダイオードから構成される発光ダイオード発光体部位である[1]または[2]記載の発光装置。
 [5]前記樹脂被覆膜(S)が配された前記ガラス基板の表面と反対側の表面に、前記発光体部位を具備する、[1]~[4]のいずれかに記載の発光装置。
 [6]前記ガラス基板の表面上に、前記樹脂被覆膜(S)及び前記発光体部位が、この順に積層された、[1]~[4]のいずれかに記載の発光装置。
 [7]前記ガラス基板の両側の表面上に、前記樹脂被覆膜(S)が配され、いずれかの樹脂膜(S)の表面にさらに前記発光体部位が積層された、[1]~[4]のいずれかに記載の発光装置。
 [8]前記ガラス基板の厚みが、0.03mm以上、0.30mm以下である、[1]~[4]のいずれかに記載の発光装置。
 [9]前記ガラス基板が、強化処理されたガラス基板である、[1]~[4]のいずれかに記載の発光装置。
 [10]前記樹脂膜(S)の厚みが1μm以上、10μm以下である、[1]~[4]のいずれかに記載の発光装置。
 [11]前記樹脂膜(S)が無機粒子を含有する、[1]~[4]のいずれかに記載の発光装置。
 [12]前記無機粒子がシリカ粒子を含む、[11]に記載の発光装置。
 [13]前記ガラス基板の屈折率n1と前記樹脂被覆膜(S)の屈折率n2の屈折率との差の絶対値をdnとすると、dn≦0.05である、[1]~[4]のいずれかに記載の発光装置。
 [14]
前記ガラス基板に被覆した前記(S)樹脂膜が外側に、前記ガラス基板が内側に位置する方向で屈曲可能な部位を具備する、[1]~[4]のいずれかに記載の発光装置。
 [15]前記発光体からのエミッション面側を内側に閉じる方向で屈曲可能な部位を具備する、[1]~[4]のいずれかに記載の発光装置。
 [16]
前記樹脂膜(A)の全体の厚みが5μm以上100μm以下である、[4]記載の発光装置。
 [17]
前記発光ダイオードの1辺の長さが5μm以上700μm以下である、[4]記載の発光装置。
 [18]
前記樹脂膜(A)は、ポリイミド、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾオキサゾール前駆体およびそれらの共重合体からなる群より選択される1種以上の(M)樹脂を含有する、[4]記載の発光装置。
 本発明によれば、衝撃耐性が高く、折り曲げ耐性が良好で、高い透明性を有する発光装置を提供することができる。
本発明に係る有機ELを用いた発光装置の側面断面図である。 本発明に係る有機ELを用いた発光装置の別の態様の側面断面図である。 本発明に係る有機ELを用いた発光装置の別の態様の折り畳んだ状態の側面断面図である。 本発明に係る有機ELを用いた発光装置の別の態様の側面断面図である。 本発明に係る有機ELを用いた発光装置の別の態様の側面断面図である。 本発明に係る有機ELを用いた発光装置の別の態様の折り畳んだ状態の側面断面図である。 本発明に係る有機ELを用いた発光装置のさらに別の態様の側面断面図である。 本発明に係るLEDを用いた発光装置の側面断面図である。 本発明に係るLEDを用いた発光装置の別の態様の側面断面図である。 本発明に係るLEDを用いた発光装置のさらに別の態様の側面断面図である。 本発明に係るLEDを用いた発光装置のさらに別の態様の側面断面図である。 本発明に係るLEDを用いた発光装置のさらに別の態様の側面断面図である。 本発明に係るLEDを用いた発光装置のさらに別の態様の側面断面図である。 本発明に係るLEDを用いた発光装置のさらに別の態様の側面断面図である。 本発明に係るLEDを用いた発光装置のさらに別の態様の側面断面図である。 本発明に係るLEDを用いた発光装置のさらに別の態様の側面断面図である。 本発明に係るLEDを用いた発光装置のさらに別の態様の側面断面図である。 本発明に係るLEDを用いた発光装置のさらに別の態様の側面断面図である。 本発明に係るLEDを用いた発光装置のさらに別の態様の側面断面図である。 本発明に係る発光装置の折り畳む過程の状態を示した側面断面図である。 本発明に係る発光装置の折り畳む過程の状態を示した側面断面図である。 本発明に係る発光装置の折り畳む過程の状態を示した側面断面図である。 本発明に係る発光装置の折り畳む過程の状態を示した側面断面図である。 本発明に係る発光装置の折り畳む過程の状態を示した側面断面図である。 本発明に係る発光装置の折り畳む過程の状態を示した側面断面図である。 本発明に係る発光装置の折り畳む過程の状態を示した側面断面図である。 本発明に係る有機ELを用いた発光装置の製造過程を示した側面断面図である。 本発明に係る有機ELを用いた発光装置の製造過程を示した側面断面図である。 本発明に係る有機ELを用いた発光装置の製造過程を示した側面断面図である。 本発明に係る有機ELを用いた発光装置の製造過程を示した側面断面図である。 本発明に係る有機ELを用いた発光装置の製造過程を示した側面断面図である。 本発明に係る有機ELを用いた発光装置の製造過程を示した側面断面図である。 本発明に係るLEDを用いた発光装置の製造過程を示した側面断面図である。
 本発明を更に詳細に説明する。
 以下、実施の形態について図面を用いて説明する。なお、本発明は図や実施例に何ら限定されるものではない。
 本発明の発光装置は、少なくともシロキサン樹脂を含有する樹脂被覆膜(S)を具備するガラス基板と、発光体部位とを、少なくとも具備する発光装置である。本発明の発光装置において、前記発光体部位が、前記ガラス基板または前記樹脂被覆膜(S)の少なくとも一方の表面上に前記表面と少なくとも一部が接して配されているのが好ましい。
 これにより、発光装置の耐衝撃性を高めるとともに、耐折り曲げ性を高められ、フレキシブル性を向上させることができる。また、ディスプレイを作製する際に、ガラス基板のハンドリングでガラスが割れるのを防ぐことができる。
 ガラス基材を特定樹脂で被覆することで、ガラスの衝撃耐性、折り曲げ耐性が高められ、発光体部位を形成する基材としてガラス基板を用いる際に、樹脂被覆されたガラス基材を用いることで、フレキシブル性を有する発光装置を得ることが可能となると共に、発光装置を作製する際に、ガラス基材が割れることを防ぐことができる。すなわち、樹脂被覆膜(S)を具備するガラス基板の表面と発光体部位の間には他の部材が介在せずに、その表面と発光体部位とが接する態様で発光体部位を配することがより好ましい。その表面と発光体部位の間には他の部材が介在せずにその表面と発光体部位とが接する態様で発光体部位を配することを、以降、発光体部位を直接形成すると表記することがある。
 また、本発明の有機ELを用いた発光装置1は、図1の側面断面図に示すように、少なくともシロキサン樹脂を含有する樹脂被覆膜(S)23を具備するガラス基板11と、少なくとも第一電極13、第二電極18、有機EL発光体16及び画素分割層19から構成される有機EL発光体部位20を具備する構成である。
 これにより、有機ELを用いた発光装置1の耐衝撃性を高めるとともに、耐折り曲げ性を高められ、フレキシブル性を向上させることができる。また、ディスプレイを作製する際に、ガラス基板のハンドリングでガラスが割れるのを防ぐことができる。
 本発明において、ガラス基板11上に樹脂被覆膜(S)や平坦化層、画素分割層、絶縁膜等を形成する場合において、ガラス基板11に塗布する前のポリイミド樹脂やシロキサン樹脂を含有する混合物は樹脂組成物、樹脂組成物を塗布して膜を形成した際、樹脂組成物の膜中に溶剤が残存している膜は塗布膜、塗布膜を乾燥した加熱硬化直前の膜は乾燥膜、乾燥膜を紫外線、可視光線、電子線、X線などの化学線を照射して露光した膜は露光膜、プリベークした膜はプリべーク膜、乾燥膜、露光膜またはプリべーク膜を加熱硬化した膜は樹脂被覆膜、樹脂膜または硬化膜という。また、板状体は、ガラス基材11が一定の板厚を有し、その板厚よりも平面の一辺が長い形態であることが好ましい。
 また、本発明において、樹脂被覆膜(S)23が配されるガラス基板11の表面22と反対側の表面21に、有機EL発光体部位20を具備することが好ましい。
 これにより、有機ELを用いた発光装置1の耐折り曲げ性が強くすることができるため、発光体部位20からガラス基板11側と反対側の方向に発光するトップエミッション型の場合、発光するエミッション面側を内側に折り畳むことができ、装置の小型化、コンパクト化を実現することができる。
 また、ガラス基板11の表面21に有機EL発光体部位20を配する場合、ガラス基板11の表面21に有機EL発光体部位20の少なくとも一部が接する態様で有機EL発光体部位20を配することが好ましい。さらに、ガラス基板11の表面21と有機EL発光体部位20の間には他の部材が介在せずに、ガラス基板11の表面21に有機EL発光体部位20が接する態様で有機EL発光体部位20を配することがより好ましい。これにより、発光装置の耐衝撃性や耐折り曲げ性をより高められることができる。
 本願発明にかかる有機ELを用いた発光装置1について詳述する。図1では、ガラス基板11の表面22上に樹脂被覆膜(S)23が配される。樹脂被覆膜(S)23が配されるガラス基板11の表面22と反対側の表面21に有機EL発光体部位20を配する。この場合、薄膜トランジスタ(以下、TFT)等の有機EL発光体16の発光を制御する駆動素子28が設けられる場合がある。また、金属配線を設けることもある。必要に応じて、平坦化層12を設けることで、金属配線や駆動素子28全面を覆い駆動素子28等が形成された後の凹凸を覆い保護や平坦化することができる。
 また、平坦化層12のガラス基板側11と反対側の表面上に、第一電極13を一定の配線パターン形状で配する。この第一電極13は平坦化層12の一部に形成されたコンタクトホール内を通じて駆動素子28と電気的接続を保持する。この配された第一電極13は有機EL発光体16の陽極に相当する。
 さらに、第一電極13の一部を覆う形状で、平坦化層12のガラス基板11側と反対側の表面上に画素分割層19を配する。これにより、後述する有機EL発光体16を画素毎に区画することができるとともに、第一電極13と後述する第二電極18との間の電気的短絡を防止することができる。
 さらに、第一電極13上に、正孔注入層14/正孔輸送層15/有機EL発光体16/電子輸送層17から層が形成され、さらにその上に第二電極18を一定の配線パターン形状で配する。第二電極18は有機EL発光体16の陰極に相当する。有機EL発光体16と駆動用の配線とは、平坦化層12に形成された図示しないコンタクトホールを介して接続することが好ましい。
 このように、第一電極13に反射電極、第二電極18に透明電極を用いることにより、ガラス基板11とは反対側の方向へ有機EL発光体16から発光光24を放出するトップエミッション型の有機ELを用いた発光装置1が構成される。
 図2-1に、ガラス基板11の一方の平面に樹脂被覆膜(S)23を、ガラス基板11のもう一方の平面に有機EL発光体部位20が配された側面断面図(A)を示す。図1に記載したトップエミッション型の有機ELを用いた発光装置1の有機EL発光体部位20を簡略化したものである。図2-2に、発光光24が放出されるエミッション面側である有機EL発光体部位20を内側にして折り畳んだ状態の側面断面図(B)を示す。折り畳む状態で、有機EL発光体部位20を内側に配し、ガラス基板11に対してその外側に樹脂被覆膜(S)23を配する構成が耐折り曲げ性を強くできる構成である。そのため、画像を表示させる媒体において、有機EL発光体部位20側を表示画面とするトップエミッション面側を内側に折り畳むことができる。
 また、本発明において、ガラス基板11の表面21上に、樹脂被覆膜(S)23及び有機EL発光体部位20の順に積層された構造が好ましい。
 これにより、ガラス基板11側から発光するボトムエミッション型の場合、発光するエミッション面側を内側に折り畳むことができ、装置の小型化、コンパクト化を実現することができる。また、透明性に優れるガラス基板及びシロキサン樹脂を含有する樹脂被覆膜(S)23を使用することにより、有機ELを用いた発光装置1からの光取り出し性を向上させることができる。
 また、樹脂被覆膜(S)23の表面に有機EL発光体部位20を配する場合、樹脂被覆膜(S)23の表面に有機EL発光体部位20の少なくとも一部が接する態様で有機EL発光体部位20を配することが好ましい。さらに、樹脂被覆膜(S)23の表面と有機EL発光体部位20の間には他の部材が介在せずに、樹脂被覆膜(S)23の表面に有機EL発光体部位20が接する態様で有機EL発光体部位20を配することがより好ましい。これにより、発光装置の耐衝撃性や耐折り曲げ性をより高めることができる。
 ボトムエミッション型の有機ELを用いた発光装置1について示した図3では、図1に示したトップエミッション型と電極の構成が逆となるともに、ガラス基板11の表面22上に樹脂被覆膜(S)23が配され、その上に有機EL発光体部位20を配する構成である。有機EL発光体部位20の構成については図1で前述しているのでここでは省略する。第一電極13に透明電極、第二電極18に反射電極を用いることにより、ガラス基板11側の方向へ有機EL発光体16から発光光24を放出するボトムエミッション型の有機ELを用いた発光装置1が構成される。
 図4-1に、ガラス基板11の一方の表面に樹脂被覆膜(S)23及び有機EL発光体部位20が配された側面断面図(A)を示す。図4-2に、発光光24が放出されるエミッション面側であるガラス基板11を内側にして折り畳んだ状態の側面断面図(B)を示す。図2-2において説明したように、折り畳む状態で、ガラス基板11を内側に配し、ガラス基板11に対してその外側に樹脂被覆膜(S)23を配する構成が耐折り曲げ性を強くできる構成であるため、ガラス基板11側を表示画面とするボトムエミッション面側を内側に折り畳むことができる。
 また、本発明において、ガラス基板11の両側の表面上に、樹脂被覆膜(S)23が配され、いずれかの樹脂被覆膜(S)23の表面にさらに有機EL発光体部位20が積層された構造が好ましい。
 図5にガラス基板11の一方の表面21のみならず、反対側の表面22上にも、樹脂被覆膜(S)23を具備する構成を示す。これにより、有機EL発光体部位20から基板11側と反対側の方向に発光するトップエミッション型を例に取ると、発光するエミッション面側を内側に折り畳むことができるとともに、エミッション面側を外側にしても折り畳むことができ、発光装置の設計の自由度を高めることができる。
 また、樹脂被覆膜(S)23の表面に有機EL発光体部位20を配する場合、樹脂被覆膜(S)23の表面に有機EL発光体部位20の少なくとも一部が接する態様で有機EL発光体部位20を配することが好ましい。さらに、樹脂被覆膜(S)23の表面と有機EL発光体部位20の間には他の部材が介在せずに、樹脂被覆膜(S)23の表面に有機EL発光体部位20が接する態様で有機EL発光体部位20を配することがより好ましい。これにより、発光装置の耐衝撃性や耐折り曲げ性をより高められることができる。
 画素分割層19では、全固形分中ポリイミド樹脂(B)を30重量%以上含有することにより、膜のフレキシブル性を高めることができ、配線折り曲げ部分などでクラック等が発生にくく、有機ELを用いた発光装置1の発光不良率を下げることができる。ポリイミド樹脂(B)の含有量は好ましくは50重量%以上である。一方、現像残渣を防止する観点からポリイミド樹脂(B)の含有量は好ましくは95重量%以下、より好ましくは75重量%以下である。ここで、全固形分とは、各層含有する組成物全成分のことをいう。
 画素分割層19は、大判基板に薄い膜を均一に形成することができるスピンコート法、スリットコート法、ディップコート法、スプレーコート法、印刷法などのウェットコーティング法で塗布することができる。画素分割層19の膜厚は、第一電極13の膜厚の10倍以上とすることが好ましい。また、後工程において第二電極上を覆う構造物も支え、発光装置の強度にも影響するため、適宜階段状に作製するなどの設計も有効である。
 また、平坦化層12では、画素分割層19同様、全固形分中ポリイミド樹脂(B)を30重量%以上含有することにより、膜のフレキシブル性を高めることができ、配線折り曲げ部分などでクラック等が発生にくく、有機ELを用いた発光装置1の発光不良率を下げることができる。
 平坦化層12は、大判基板に薄い膜を均一に形成することができるスピンコート法、スリットコート法、ディップコート法、スプレーコート法、印刷法などのウェットコーティング法で塗布することができる。
 有機EL発光体部位20で形成される発光画素の範囲は、対向配置された第一電極13と第二電極18とが交差し重なる範囲である。発光画素の平面形状は、例えば矩形でも円形でもよく、画素分割層の形状によっても容易に変化させることができる。
 また、赤、緑、青色領域にそれぞれ発光ピーク波長を有する有機EL発光体16が配列したもの、もしくは全面に白色の有機EL発光体16を作製して別途カラーフィルタと組み合わせて使用するようなものをカラーディスプレイと呼ぶ。通常、表示される赤色領域の光のピーク波長は560~700nm、緑色領域は300~560nm、青色領域は420~500nmの範囲である。
 本発明の有機ELを用いた発光装置1の駆動方式としては、電極を列と行に分け、電極間に挟まれている画素だけを発光させるパッシブマトリックス型と、数個のTFTをそれぞれの画素に設けてスイッチングするアクティブマトリックス型に大別されるが、特に限定されない。
 本実施形態における第一電極13または第二電極18はトップエミッションまたはボトムエミッションの形態から光透過性または光反射性の電極を選択することが好ましい。本実施形態における第一電極13は、トップエミッション型の場合には光反射性の導電膜、ボトムエミッション型の場合には光透過性の導電膜であることが好ましい。本実施形態における第二電極18は、ボトムエミッション型の場合には光反射性の導電膜、トップエミッション型の場合には光透過性の導電膜であることが好ましい。
 電極の抵抗は、発光素子の発光に十分な電流が供給できればよいので限定されないが、有機EL発光体16の消費電力の観点からは低抵抗であることが好ましい。例えば、300Ω/□以下のITOであれば素子電極として機能するが、10Ω/□程度の基板の供給も可能になっていることから、低抵抗品を使用することが特に好ましい。電極の厚みは透過率や抵抗値などの特性に合わせて任意に選ぶ事ができるが、通常100~300nmの間で用いることができる。
 例えば、透明な酸化錫、酸化インジウム、酸化錫インジウム(ITO)などの導電性金属酸化物、あるいは金、銀、クロムなどの金属、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリチオフェン、ポリピロールおよびポリアニリンなどの導電性ポリマーなどを用いることができるが、特に限定されるものではない。
 光学的に第一電極13と第二電極18は対照的な特性が求められる。第二電極18に電子を効率よく注入できる陰極としての機能が求められる場合、電極の安定性を考慮して金属材料が多く用いられる。なお、第一電極13を陰極に、第二電極18を陽極にすることも可能である。
 陰極として用いる場合の材料としては、Al、Mg、またはAgなどが知られており、有機EL発光体16と同様に真空成膜法により形成されるが、特に限定されない。
 本実施形態における有機EL発光体部位20は図1に示すように、ガラス基板11側から正孔注入層14/正孔輸送層15/有機EL発光体16/電子輸送層17の形態を例示したがこれに限定されるものではない。正孔輸送層/発光層/電子輸送層、発光層/電子輸送層のいずれであってもよい。
 各層は、公知の方法で形成することができる。例えば、マスク蒸着法やインクジェット法によって形成することができる。各層の厚みは、各層材料の抵抗値やEL発光の取り出し効率への影響を考慮して一般的に1~200nmの間から選ばれる。
 有機EL発光体16では、注入された電子と正孔とが再結合し発光する。有機EL発光体は、単一層、複数層のどちらでもよく、ホスト材料とドーパント材料との混合物で構成されていても、ホスト材料単独で構成されていても、いずれでもよい。すなわち、有機EL発光体16において、単一の材料で構成され発光してもよいし、ホスト材料もしくはドーパント材料のみが発光してもよいし、ホスト材料とドーパント材料がともに発光してもよい。電気エネルギーを効率よく利用し、高色純度の発光を得るという観点から、有機EL発光体16は、ホスト材料とドーパント材料の混合物からなることが好ましい。ホスト材料とドーパント材料はそれぞれ2種以上の材料を含有してもよい。
 正孔輸送層15は、正孔輸送材料の一種または二種以上を積層または混合する方法、もしくは、正孔輸送材料と高分子結着剤の混合物を用いる方法により形成される。また、正孔輸送材料に塩化鉄(III)のような無機塩を添加して正孔輸送層を形成してもよい。正孔輸送材料は、発光素子の作製に必要な薄膜を形成し、第一電極から正孔が注入できて、さらに正孔を輸送できる化合物であれば特に限定されない。
 本発明における樹脂被覆膜(S)23はシロキサン樹脂を含有する樹脂組成物の硬化膜である。本発明における樹脂被覆膜(S)23が「硬化膜」であるとは、樹脂組成物中のシロキサン樹脂が、シラノール基の縮合反応(熱架橋)やラジカル重合性基のラジカル付加反応(光架橋)により架橋したものを指す。なお、硬化膜をIR分析することにより、シラノール基や二重結合のピークの有無大小から、架橋しているか否かを判断することができる。
 本発明における樹脂被覆膜(S)23はガラス基板11に衝撃がかかった際に、ガラス表面に存在するマイクロクラックを起点にガラス基板11が破損したり、ガラス基板11を樹脂被覆膜(S)23を外側にして折り曲げた際に、折り曲げ部のマイクロクラックを起点にガラス基板11が破断するのを防止し、ガラス基板11の衝撃耐性や折り曲げ耐性を向上させる強化膜であることが好ましい。
 また、本発明のLED42を用いた発光装置41は、図6の側面断面図に示すように、少なくともシロキサン樹脂を含有する樹脂被覆膜(S)47を被覆したガラス基板45と、少なくとも配線44、配線44の少なくとも一部と接する樹脂膜(A)43及びLED42から構成されるLED発光体部位48とを、少なくとも具備する構成である。
 これにより、LED42を用いた発光装置41の耐衝撃性を高めるとともに、耐折り曲げ性を高められ、フレキシブル性を向上させることができる。また、ディスプレイを作製する際に、ガラス基板のハンドリングでガラスが割れるのを防ぐことができる。
 また、本発明において、ガラス基板45のどちらか一方の表面上49に、樹脂被覆膜(S)47及びLED発光体部位48が、この順に積層された構造が好ましい。
 これにより、ガラス基板45を内側に樹脂被覆膜(S)47を外側にして折り畳む方向において、強い耐折り曲げ性を発現でき、発光するガラス基板45側を内側に折り畳むことができ、ボトムエミッション型を実現でき、また、装置の小型化、コンパクト化を実現することができる。また、透明性に優れるガラス基板45及びシロキサン樹脂を含有する樹脂被覆膜(S)47を使用することにより、発光装置41からの光取り出し性を向上させることができる。
 また、樹脂被覆膜(S)47の表面にLED発光体部位48を配する場合、樹脂被覆膜(S)47の表面にLED発光体部位48の少なくとも一部が接する態様でLED発光体部位48を配することが好ましい。さらに、樹脂被覆膜(S)47の表面とLED発光体部位48の間には他の部材が介在せずに、樹脂被覆膜(S)47の表面にLED発光体部位48が接する態様でLED発光体部位48を配することがより好ましい。これにより、発光装置の耐衝撃性や耐折り曲げ性をより高められることができる。
 本願発明にかかる発光装置41について詳述する。図6ではガラス基板45側(図6では下方)から発光するボトムエミッション型を例示し、ガラス基板45の表面49上に樹脂被覆膜(S)47が配され、その上にLED発光体部位48を配する構成である。LED発光体部位48の構成は、樹脂被覆膜(S)47の上に電極46を具備する複数のLED42を配し、LED42上に樹脂膜(A)43を配する。ここで、LED42は多角立体形状であり、例えば四面体や直方体、立方体などの六面体等が挙げられる。また、それらの表面に凹凸があってもよい。
 ここでは、LED42は異なる2つの面に電極46をそれぞれ具備する構成を例示する。異なる2つの面とは、2つ以上の面を有する多角立体形状のLED42において、電極46aを有する面の1つを基準面としたときに、基準面とは異なる面にその他の電極46bをそれぞれ有することを示す。なお、本発明において、電極46a、電極46bは部位を明示するためのものであり、電極46であることには変わりはない。また、LED42に具備される電極46は、LED42の発光を制御するための信号を配線からLEDに伝えるための接続部位のことを指す。
 図6に示す態様では、多角立体形状のLED42に対し、樹脂被覆膜(S)47側の面に一方の電極46aを有し、反対側の面にその他の電極46bをそれぞれ有する。一方の電極46aは樹脂被覆膜(S)47側の面に配された配線44cと接続し、その他の電極46bは樹脂膜(A)43中に延在する配線44dと接続する。また、配線44の少なくとも一部は樹脂膜(A)43と接する態様であり、配線44c、配線44d及び後述する配線44eは部位を明示するためのものであり、配線44であることには変わりはない。
 また、LEDの異なる2つの面に電極をそれぞれ具備する別の態様例としては、図7から図9に、LED42、電極46、配線44及び樹脂膜(A)43による電極46の配置の状態のみを表した態様を例示する。
 図7に、電極46がLED42を挟んで向かい合う面で横方向に配置した構造、図8に、電極46がLED42の隣り合う面にそれぞれ具備する構造を例示する。電極46がLED42を挟んで向かい合う面にそれぞれ具備する、または電極46がLED42の隣り合う面にそれぞれ有することで、LEDのサイズの小型化が可能となり、低コスト化や高密度実装による高解像度な発光装置を得ることができる。
 また、図9に、不連続な面を具備するLED42の不連続な面にそれぞれ電極46を配した構造を例示する。不連続な面とは、連続した面ではなく、段差が存在する面などが挙げられる。不連続な面に電極46を具備することで、LEDの発光面積を制御できるとともに、LEDの生産性や発光効率を向上させることができる。
 また、図6~図9に示した発光装置41では、LED42は異なる2つの面に電極46をそれぞれ具備する構成を示したが、LED42はいずれか一方の面に一対の電極46を具備する構成とすることも好ましい。
 図10に、いずれか一方の面に一対の電極46を具備したLED42を用いた発光装置41を示す。図10において、発光装置41は、ガラス基板45上に樹脂被覆膜(S)47を配し、その上に複数のLED42を配し、LED42上に樹脂膜(A)43を配する。LED42は樹脂被覆膜(S)47と接する面と反対の面に一対の電極46を具備し、それぞれの電極46が樹脂膜(A)43中に延在する配線44と接続されている。樹脂膜(A)43中に延在する配線44は、樹脂膜43(A)により覆われていれば、樹脂膜43(A)は、絶縁膜としても機能するため、電気的絶縁性を保持する構成となっている。これにより、LED42からの発光光50の光取り出し効率を高めることができ、樹脂被覆膜(S)47とLED42との接着性を高めることができる。
 また、図6または図10に示す態様では、LED42の少なくとも一部と接するように配した樹脂膜(A)43の上に、さらに複数の樹脂膜(A)43を積層し合計して3層積層する構成を例示しているが、樹脂膜(A)43は単層や複数層であってもよい。なお、樹脂膜(A)43中に延在する配線44は、樹脂膜(A)43により覆われていれば、樹脂膜(A)43は、絶縁膜としても機能するため、電気的絶縁性を保持する構成となっている。配線44が電気的絶縁性を保持する構成となっているとは、樹脂膜(A)43によって配線44の電気的絶縁性が必要な部分が覆われること意味する。
 このような構成でガラス基板45側の方向へLED42から発光光50を放出するボトムエミッション型のLEDを用いた発光装置41が構成される。
 また、本発明において、樹脂被覆膜(S)47が配されたガラス基板45の表面51と反対側の表面49に、発光ダイオード発光体部位48を具備する構造が好ましい。
 これにより、ガラス基板45を内側に樹脂被覆膜(S)47を外側にして折り畳む方向において、強い耐折り曲げ性を発現でき、ガラス基板45と反対側のLED発光体部位48側から発光する面を内側に折り畳むことができ、トップエミッション型を実現でき、また、装置の小型化、コンパクト化を実現することができる。
 また、ガラス基板45の表面49にLED発光体部位48を配する場合、ガラス基板45の表面49にLED発光体部位48の少なくとも一部が接する態様でLED発光体部位48を配することが好ましい。さらに、ガラス基板45の表面49とLED発光体部位48の間には他の部材が介在せずに、ガラス基板45の表面49にLED発光体部位48が接する態様でLED発光体部位48を配することがより好ましい。これにより、発光装置の耐衝撃性や耐折り曲げ性をより高められることができる。
 図11にトップエミッション型を例示し、ガラス基板45の表面49上にLED発光体部位48を配し、LED発光体部位48が配されたガラス基板45の表面49と反対側の表面51に、樹脂被覆膜(S)47を配する構成である。
 LED発光体部位48の構成は、ガラス基板45上に電極46a、及び46bを具備するLED42上を配し、ガラス基板45上及びLED42上に樹脂膜(A)43を配する構成である。また、電極46a及び46bにはそれぞれ配線44c及び44dが接続し、LED42の発光を制御するための信号が配線44を通じてLEDに伝えられる。図6と同様に駆動素子等は省略している。
 また、本発明において、発光装置41は、樹脂被覆膜(S)47が配されたガラス基板45の表面49と反対側の表面51にも、さらに前記樹脂被覆膜(S)47を具備することが好ましい。
 すなわち、発光装置41は、ガラス基板45の両側の表面上に、樹脂被覆膜(S)47が配され、いずれかの樹脂被覆膜(S)47の表面にさらに発光ダイオード発光体部位48が積層された構成であることが好ましい。
 また、樹脂被覆膜(S)47の表面にLED発光体部位48を配する場合、樹脂被覆膜(S)47の表面にLED発光体部位48の少なくとも一部が接する態様でLED発光体部位48を配することが好ましい。さらに、樹脂被覆膜(S)47の表面とLED発光体部位48の間には他の部材が介在せずに、樹脂被覆膜(S)47の表面にLED発光体部位48が接する態様でLED発光体部位48を配することがより好ましい。これにより、発光装置の耐衝撃性や耐折り曲げ性をより高められることができる。
 図12に、ガラス基板45の一方の表面49のみならず、反対側の表面51上にも、樹脂被覆膜(S)47を具備する構成を示す。これにより、LED発光体部位48からガラス基板45側の方向に発光するボトムエミッション型を例に取ると、発光するエミッション面側を内側に折り畳むことができるとともに、エミッション面側を外側にしても折り畳むことができ、発光装置の設計の自由度を高めることができる。
 配線44、44c、44dおよび電極46、46a、46bの材料としては、特に限定されず、金属や導電膜などが挙げられ、公知のものも使用してもよい。金属は電子移動度などの観点から好ましく、例えば、金や銀、銅、アルミニウム、ニッケル、チタン、モリブデンやこれらを含む合金などが挙げられる。これらの金属は、例えば無電解めっき、電解めっき等などの湿式めっき、熱CVD、プラズマCVD、レーザーCVDなどのCVD化学蒸着法(CVD)、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどの乾式めっき法、金属箔を基板に結合した後、エッチングを行う方法などにより形成することができる。
 導電膜は透明性などの観点から好ましく、例えば、インジウム、ガリウム、亜鉛、スズ、チタン、およびニオブなどのうちの少なくとも1種の元素の酸化物を主成分として含む化合物や有機物および導電性粒子を含有する感光性導電ペーストなどが挙げられるが、その他公知のものを使用してもよい。インジウム、ガリウム、亜鉛、スズ、チタン、およびニオブなどのうちの少なくとも1種の元素の酸化物を主成分として含む化合物としては、具体的には、酸化インジウム錫亜鉛(ITZO)、酸化インジウムガリウム亜鉛(IGZO:InGaZnO)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)、酸化インジウムガリウム(IGO)、酸化インジウム錫(ITO)および酸化インジウム(InO)のいずれか1種、またはこれらを少なくとも2種以上の組み合わせたものが挙げられる。
 これらの導電膜は、例えば無電解めっき、電解めっき等などの湿式めっき、熱CVD、プラズマCVD、レーザーCVDなどのCVD化学蒸着法(CVD)、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどの乾式めっき法、金属箔を基板に結合した後、エッチングを行う方法などにより形成することができる。
 有機物および導電性粒子を含有する感光性導電ペーストにおいて、導電性粒子の含有量が60質量%以上、90質量%以下であることが好ましい。導電層が有機物を含有することにより、曲面や屈曲部において断線を抑制し、導電性を向上させることができる。導電性粒子の含有量が60質量%未満であると、導電性粒子同士の接触確率が低くなり、導電性が低下する。また、配線の屈曲部において、導電性粒子同士が乖離しやすくなる。導電性粒子の含有量は好ましくは70質量%以上である。一方、導電性粒子の含有量が90質量%を超えると、配線パターンを形成することが困難になるとともに、屈曲部において断線が生じやすくなる。導電性粒子の含有量は好ましくは80質量%以下である。
 有機物としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル系共重合体、エポキシカルボキシレート化合物等が挙げられる。これらを2種以上含有してもよい。またウレタン結合を有する有機物を含有してもよい。ウレタン結合を有する有機物を含有することで、配線の柔軟性を向上させることができる。
 また、有機物は、感光性を示すことが好ましく、フォトリソグラフィにより容易に微細な配線パターンを形成することができる。感光性は、例えば光重合開始剤、不飽和二重結合を有する成分を含有させることにより発現する。
 本発明における導電性粒子とは、電気抵抗率が10-5Ω・m以下の物質で構成される粒子を指す。導電性粒子を構成する材料としては、例えば、銀、金、銅、白金、鉛、スズ、ニッケル、アルミニウム、タングステン、モリブデン、クロム、チタン、インジウムやこれら金属の合金、カーボン粒子が挙げられる。また、導電性粒子を2種以上含有することが好ましい。導電性粒子を2種以上含有することにより、後述する熱処理工程において、同種の導電性粒子同士が焼結して体積収縮することを抑制し、結果として導電膜全体としての体積収縮が抑制され、屈曲性を向上させることができる。
 導電性粒子の平均粒子径は0.005μm以上、2μm以下であることが好ましい。ここでの平均粒子径とは、2種以上の導電性粒子を含有する場合は、大径粒子の平均粒子径とする。導電性粒子の平均粒子径が0.005μm以上であると、導電性粒子間の相互作用を適度に抑え、導電性粒子の分散状態をより安定に保つことができる。導電性粒子の平均粒子径はより好ましくは0.01μm以上である。一方、導電性粒子の平均粒子径が2μm以下であると、所望の配線パターンを形成しやすくなる。導電性粒子の平均粒子径はより好ましくは1.5μm以下である。
 導電膜の厚さは2μm以上、10μm以下であることが好ましい。導電膜の厚さが2μm以上であると、屈曲部における断線をより抑制し、導電性をより向上させることができる。導電膜の厚さはより好ましくは4μm以上である。一方、導電膜の厚さが10μm以下であると、製造工程において配線パターンをより容易に形成することができる。導電膜の厚さはより好ましくは8μm以下である。
 また、図6に示した発光装置41に対して、さらにLED駆動基板52とそれに付加されたドライバーICを有する駆動素子53を設けた態様を図13に示す。ガラス基板45に対向した位置に設けられたLED駆動基板52とそれに付加された駆動素子53と、配線44cや44eを通じて電気的に接続されて、LED42の発光を制御させることができる。また、駆動素子53は、例えばバンプ55を介して配線44cと電気的に接続されている。さらに配線44などの金属の拡散を防止するため、バリアメタル54を配してもよい。
 また、駆動素子53の配置の構成態様として、樹脂膜(A)43中に駆動素子53をガラス基板45上にLED42の近傍に配置する構成や、駆動素子53をLED42の上方の位置で、樹脂膜(A)43中に配置する構成も好ましい。
 さらに、駆動素子53の配置の構成態様としては、配線44eの少なくとも一部は、LED駆動基板52の側面に延在させることが好ましい。配線44eの少なくとも一部がLED駆動基板52の側面に延在することで、複数のLEDを個別にスイッチング駆動することができるとともに、発光装置自体の低背化や高速応答性が向上し、さらに発光装置をより小型化、狭額縁化することができる。
 LED駆動基板52としては特に限定されず、公知のものが使用できる。例えば、ガラス基板、サファイヤ基板、プリント配線板、TFTアレイ基板、セラミックスなどが挙げられる。プリント配線板を用いる場合は、配線44eを形成せずに駆動素子53やバンプ55、配線44などと接続することができる。
 また、図6に示した発光装置41に対して、さらに樹脂膜(A)43中に薄膜トランジスタ(Thin Film Transitors、以下TFTと称する場合がある、)56と、それを絶縁するTFT絶縁膜57を配した態様を図14に示す。樹脂被覆膜(S)47上に化学的気相成長法(Chemical Vapor Deposition)技術やスパッタリング技術で形成することができる。LEDの表示方式の一つであり、クリアで応答速度が高く、良好なコントラストを実現できる。LEDを用いた発光装置41の駆動方式としては、電極を列と行に分け、電極間に挟まれている画素だけを発光させるパッシブマトリックス型と、数個のTFTをそれぞれの画素に設けてスイッチングするアクティブマトリックス型に大別されるが、特に限定されない。
 また、本発明において、樹脂膜(A)43の全体の厚みが5μm以上100μm以下であることが好ましい。
 これにより、LED42から四方に発光した光が樹脂膜(A)43中で吸収されることを抑制し、光取り出し効率を高めることができ、輝度を向上させることができる。さらにLEDを用いた発光装置自体の低背化、配線短距離化による配線の短絡など配線不良の抑制や低損失化の抑制、高速応答性の向上が可能になる。
 樹脂膜(A)43の全体の厚みとは、一の樹脂膜(A)の少なくとも一部が他の樹脂膜(A)に接する連続した樹脂膜(A)の層全体の厚みをいう。例えば前述の図6のように樹脂膜(A)43を複数積層した場合は、図6の領域58が樹脂膜(A)の層全体の厚みである。全体の厚みは好ましくは5μm以上100μm以下、より好ましくは8μm以上60μm以下である。5μm以上とすることで配線の保護を確保することができ、配線の短絡など配線不良の抑制に効果がある。100μm以下とすることで光取り出し効果を発現できるとともに、発光装置自体の低背化、配線の短絡など配線不良の抑制や低損失化の抑制、高速応答性の向上を発現することができる。
 また、本発明において、樹脂膜(A)43を複数積層する場合、樹脂膜(A)43の層数が2層以上10層以下であることが好ましい。
 樹脂膜(A)43は複数のLED42を配置する観点から、1層以上が好ましく、さらに2層以上とすることで、LEDと接続可能な配線数を増加させることができるため、複数のLEDを配置することができ、また、パッケージ低背化や配線短距離化による配線の短絡など配線不良の抑制や低損失化、高速応答性の向上の観点から10層以下が好ましい。
 また、本発明において、図6に示すように、LED42の光取り出し面以外の面をLED42と接する態様で樹脂膜(A)43により覆われる構成として図示しているが、必ずしもLED42が樹脂膜(A)43と接する態様で樹脂膜(A)43により覆われる必要はなく、図15に示すように、LED42が樹脂膜(A)43と接することなく、離間して配される態様も好ましい。
 また、本発明において、LED42の1辺の長さが5μm以上、700μm以下であることが好ましく、より好ましくは1辺の長さが5μm以上、100μm以下のLEDである。
 LEDは、P型半導体とN型半導体が接合されたPN接合により構成され、LEDに順方向の電圧をかけると、チップ内を電子と正孔が移動し、電流が流れる。その際、電子と正孔が結合することによってエネルギー差が生じ、余剰エネルギーが光エネルギーに変換され、発光する。LEDから放出される光の波長は、GaN、GaAs、InGaAlP、GaPなど半導体を構成する化合物によって異なり、この波長の違いが発光色を決定する。また、白色は、2種類以上の色の異なる光を混ぜることによって表示することが一般的であるが、LEDの場合、赤、緑、青の3原色を混色することにより色の再現性が大幅に改善され、より自然な白色を表示することが可能となる。
 LEDは形状として砲弾型やチップ型、多角体型などが挙げられるが、LED微小化の観点からチップ型や多角形型が好ましい。また、LEDの1辺の長さが5μm以上、700μm以下であることで、複数のチップを配置できるため好ましく、LEDの1辺の長さが5μm以上、100μm以下であることがさらに好ましい。
 また、本発明において樹脂膜(A)43に反射膜59を設けることが好ましい。
 図16に示すように、LED42の周辺に配した樹脂膜(A)43に反射膜59を設けることで、樹脂膜(A)43を通過した光が反射膜59によって反射されることによりさらに取り出し効率が高まり、輝度を向上させることができる。
 反射膜59は樹脂膜(A)43の任意の場所に設けることができ、LED42の取り出し方向に対して四方を囲むように配する態様や、LED42に対して斜めに配する態様、湾曲を持たせて配する態様とすることもできる。反射膜としては光が反射する膜であればよく、例えばアルミニウムや銀、銅、チタンやそれらを含む合金などが挙げられるが、これらに限定しない。
 また、本発明において、複数のLED42の間に、LED42の厚み以上の厚みを有する隔壁60を有することが好ましい。
 図17に示すように、発光装置41の画素数に応じた繰り返しパターン、すなわち各LED42間またはその周囲に、隔壁60を有することが好ましい。この構成により、配線44dを含んでもよい樹脂被覆膜(S)47との貼り合わせが容易になるため好ましい。また、隔壁60を配することにより、その後のLEDを転写する際の目印とすることができること、フォトスペーサーとしても用いることができるため、LED転写時の効率を上げることができるため、好ましい。
 図17では、隔壁の周囲の一部に接するように樹脂膜(A)43は配していない構成を示したが、LED42を覆う樹脂膜(A)43中に複数のLED42の間またはその周囲に隔壁60を設けることも好ましい態様である。
 隔壁60の厚みは、各LEDの厚みよりも大きいことが好ましく、具体的には、1μm以上、120μm以下が好ましい。
 また、隔壁60は、樹脂膜(A)から構成されていてもよく、また、樹脂膜(A)は、エポキシ樹脂、(メタ)アクリルポリマ、ポリウレタン、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリシロキサンなど材料から構成されてもよく、好ましくは後述する(M)樹脂を使用してもよい。これらの材料を使用することで、密着性の優れた隔壁を形成することができる。
 また、LEDからの光漏れや各画素間の混色を抑制し、コントラストを向上させるために、隔壁60の側面もしくは隔壁自体に遮光部を設けてもよい。遮光部は例えば黒色顔料などが含まれる部分である。
 また、LEDから隔壁方向に発光した光を反射して光の取り出し効率を高めることができ、輝度を向上させるために隔壁の側面に反射膜を設けてもよい。
 また、LEDからの光漏れや各画素間の混色を抑制し、コントラストを向上させるために、複数のLEDの間に、遮光層を有することが好ましい。複数のLEDの間に、遮光層を有することで、光取り出し効率を大きく損なうことなく、LEDからの光漏れや各画素間の混色を抑制し、コントラストを向上させることができる。
 遮光層は、(E)着色材を含む樹脂膜(A)から構成されていてもよく、また、エポキシ樹脂、(メタ)アクリルポリマ、ポリウレタン、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリシロキサンなど公知の材料から構成されてもよい。(E)着色材としては、黒色顔料を用いてもよく、例えば、カーボンブラック、ペリレンブラック、アニリンブラック等の黒色有機顔料、グラファイト、およびチタン、銅、鉄、マンガン、コバルト、クロム、ニッケル、亜鉛、カルシウム、銀等の金属微粒子、金属酸化物、複合酸化物、金属硫化物、金属窒化物、金属酸窒化物等の無機顔料が挙げられる。また、赤色顔料および青色顔料や必要に応じて黄色顔料やその他の顔料を組み合わせて黒色としてもよい。また染料を用いてもよい。着色材は2種以上含有してもよい。
 また、本発明において、ガラス基板11及びガラス基板45の厚みが、0.03~0.3mmであることが好ましい。
 ガラス基板の厚みを0.03mm以上とすることで、ガラスの耐衝撃性を確保でき、また、0.3mm以下とすることで折り曲げ耐性を確保することができる。好ましくは0.04~0.2mm、より好ましくは0.05~0.1mmである。
 また、本発明において、ガラス基板の種類としては特に制限なく使用できるが、SiO(酸化ケイ素)を主成分とする一般的なガラス、例えば、ソーダライムシリケートガラス、アルミノシリケートガラス、ホウ珪酸ガラス、無アルカリガラス、石英ガラス等が使用される。
 また、本発明において、ガラス基板11及びガラス基板45は、強化処理されてたガラス基板であることが好ましい。これにより、発光装置の折り曲げ耐性を向上させることができる。
 強化処理されたガラス基板は、ガラス表面に圧縮応力層を有することが好ましい。圧縮応力層の形成方法としては、例えば、加熱と冷却によるガラスの膨張と収縮を利用する物理強化法、ガラス中のアルカリイオンをよりイオン半径の大きな他のアルカリイオンと交換する化学強化法などが知られている。これらの方法はいずれも公知であり、任意の方法を選択することができる。タッチパネルのカバーガラスなどの薄い強化ガラス基板の場合、化学強化法により強化処理されたガラス、いわゆる化学強化ガラスが好ましい。
 化学強化ガラスの中でも、アルミノシリケート化学強化ガラス、ソーダライム化学強化ガラスなどがより好ましい。化学強化された超薄板ガラスとしては、例えば、“Xensation”(登録商標)シリーズ(Schott社製)、“Corning”(登録商標)、“Gorilla”(登録商標)Glassシリーズ(CORNING社製)、“Dinorex”(登録商標)シリーズ(日本電気硝子(株)製)、“Dragontrail”(登録商標)(AGC(株)製)シリーズなどが挙げられる。
 また、本発明において、樹脂被覆膜(S)23及び樹脂被覆膜(S)47の厚みが1~10μmであることが好ましい。
 厚みを1μm以上とすることにより、発光装置の耐衝撃性をより向上させることができ、厚みを5μm以下とすることにより、発光装置の折り曲げ耐性をより向上させることができる。樹脂被覆膜(S)の厚みは、好ましくは1.2~7μm、より好ましくは1.4~5m、さらに好ましくは1.5~2μmである。
 また、本発明において、樹脂被覆膜(S)23及び樹脂被覆膜(S)47が無機粒子を含有することが好ましい。
 無機粒子を含有することにより、樹脂被覆膜(S)の硬度を向上させ、樹脂被覆膜(S)の屈折率を適度に調整することができる。無機粒子としては、シリコン化合物粒子、アルミニウム化合物粒子、スズ化合物粒子、チタン化合物粒子、ジルコニウム化合物粒子、バリウム化合物粒子などが挙げられ、用途に応じて適宜選択することができる。屈折率の調整をより容易なものとするためには、シリカ粒子、酸化ジルコニウム粒子、酸化チタン粒子が好ましい。
 また、本発明において、無機粒子がシリカ粒子を含むことがより好ましい。
 シリカ粒子を含有することにより、発光装置の折り曲げ耐性と透明性を高いレベルで両立することができる。
 シリカ粒子の含有率は、樹脂被覆膜(S)全固形中10重量%以上40重量%以下であることが好ましい。ここで、全固形分とは、シロキサン樹脂を含有する樹脂被覆膜(S)中における、溶媒以外の全成分をいう。
 シリカ粒子の含有率を全固形分中10重量%以上とすることにより、シロキサン樹脂とシリカ粒子とのシラノール縮合反応により架橋を促進し、本発明における樹脂被覆膜(S)の架橋度を高め、折り曲げ耐性をより向上させることができる。また、ガラス基板と樹脂被覆膜(S)との屈折率差を低減し、樹脂被覆膜(S)の膜厚バラツキに起因するムラを軽減することができる。シリカ粒子の含有率を全固形分中40重量%以下とすることにより、折り曲げ耐性と密着性が良好な樹脂被覆膜(S)を得ることができる。
 シリカ粒子の平均粒子径は、本発明における樹脂被覆膜(S)の透明性をより向上させる観点から、1~200nmが好ましく、1~70nmがより好ましい。ここで、シリカ粒子の平均粒子径は、動的光散乱法によって求めることができる。具体的には、シリカ粒子濃度10~30重量%の分散液に対して、半導体レーザーにより波長780nmの光を照射し、散乱光を測定した後、FFT-ヘテロダイン法によって周波数解析することにより、平均粒子径を求めることができる。
 シリカ粒子としては、例えば、商品名「sicastar」(コアフロント(株)販売)、“レオロシール”(登録商標)((株)トクヤマ製)などが挙げられる。これらを、ビーズミル等の分散機を用いて粉砕または分散させて用いてもよい。シリカ粒子の分散液としては、例えば、IPA-ST、MIBK-ST、IPA-ST-L、IPA-ST-ZL、PGM-ST、PMA-ST(いずれも日産化学工業(株)製)、“オスカル”(登録商標)101、“オスカル”(登録商標)105、“オスカル”(登録商標)106、“カタロイド”(登録商標)-S(いずれも日揮触媒化成(株)製)、“クォートロン”(登録商標)PL-1-IPA、PL-1-TOL、PL-2L-PGME、PL-2L-MEK、PL-2L、GP-2L(いずれも扶桑化学工業(株)製)などが挙げられる。これらを2種以上含有してもよい。
 また、本発明において、ガラス基板11及びガラス基板45の屈折率n1と樹脂被覆膜(S)23及び樹脂被覆膜(S)47の屈折率n2の屈折率との差の絶対値をdnとすると、dn≦0.05であることが好ましい。
 ガラス基板と樹脂被覆膜(S)との屈折率差を小さくすることで、高い透過率と、干渉ムラの抑制が可能となる。dnが0.05を超えると、干渉ムラが生じ易くなる傾向にある。好ましくは、dn≦0.04、より好ましくは、dn≦0.03、さらに好ましくは、dn≦0.02である。ガラス基板の屈折率(1.48~1.52)と樹脂被覆膜(S)の屈折率差を小さくすることにより、ガラス基板および樹脂被覆膜(S)の界面での透過光の損失を低減することが可能となり、また、樹脂被覆膜(S)の膜厚さに起因するムラを視認しし難くして外観をより向上させることができる。なお、本発明における屈折率は、プリズムカプラー法により測定することができる。
 ガラス基板の屈折率n1は、用いるガラス種により異なるが、1.40以上1.60以下が一般的である。一方、樹脂被覆膜(S)の屈折率n2は、含有する樹脂成分の屈折率を適宜調整することに加え、上述の通り、屈折率の異なる無機粒子を添加することにより簡便に調整することができる。
 また、本発明において、ガラス基板11及びガラス基板45に被覆した樹脂被覆膜(S)23及び樹脂被覆膜(S)47が外側に、ガラス基板11及びガラス基板45が内側に位置する方向で屈曲可能な部位を具備することが好ましい。
 また、本発明において、LED発光体42及び有機EL発光体16からのエミッション面側を内側に閉じる方向で屈曲可能な部位を具備することが好ましい。
 以下、有機ELを用いた発光装置1を例に取って説明する。ガラス基板11に樹脂被覆膜(S)23を配することで耐折り曲げ性を高めることができ、図2-2の(B)または図4-2の(B)に示したように、有機EL発光体部位20からの発光面側を内側にして折り畳むことができる。これにより有機ELを用いた発光装置をディスプレイ装置として使用した場合に折りたたみ式構造を実現することができ、装置自体のコンパクト化を図ることができる。
 図2-2の側面図(B)では、発光面側である有機EL発光体部位20を内側にして折り畳んだ状態で、屈曲した角度32は180度である状態を示している。図2-2の(B)において、実線30は折り畳む前の有機EL発光体部位20の平面の位置を示し、一点鎖線31は一部を折り畳んだ後の有機EL発光体部位20の平面の位置を示す。実線30から折り畳んだ後の一点鎖線31への角度の推移が屈曲した角度32と定義する。これにより有機ELを用いた発光装置をディスプレイ装置として使用した場合に表示側を内側に隠す状態の折りたたみ式構造を実現することができ、装置自体をコンパクトにして持ち運ぶことが可能となる。
 さらに、折り畳まれる過程を詳述する。図18-1(A)に、ガラス基板11の一方の表面21に樹脂被覆膜(S)23及び有機EL発光体部位20がこの順で配された発光装置1が屈曲する前の側面断面図を、図18-2(B)に発光装置1の平面図、図13-3(C)に発光装置1が屈曲している状態を示した斜視図、図18-4(D)~図18-6(F)にその屈曲している状態を示した側面断面図を示す。
 図18-1(A)は、図3に記載したガラス基板11側(図18-1(A)では上方)から発光光10を発光する有機ELを用いた発光装置1の有機EL発光体部位20を簡略化したものである。
 本実施形態では、図18-2(B)のように長方形状の発光装置1を例示し、発光装置1の長辺部の中央部同士を結ぶ対向線を屈曲する部位33として、図中の左右の方向からガラス基板11が対向する形にまで屈曲する構成を例示する。また、発光装置1の仕様によっては屈曲する部位33を短辺部の中央部に設け、図中の上下の方向からガラス基板11が対向する形にまで屈曲する構成も好ましい。
 図18-2(B)~図18-6(F)において、屈曲する部位33によって分割される発光装置1の一方の発光装置部材34aと他の発光装置部材34bを示し、図18-3(C)に示すように、矢印35の方向に屈曲させる。
 また、図18-3(C)~図18-6(F)において、ガラス基板11、ガラス基板11の一方の表面21に配された樹脂被覆膜(S)23及び有機EL発光体部位20を含む部材をガラス樹脂膜部36と称呼し簡略化して表記している。発光装置部材34a及び34bは、有機EL発光体の発光を駆動する駆動回路や信号処理、無線の送受信を行う回路部材等が内蔵される携帯型表示装置を例示したものである。発光装置部材34a及び34bの一方の面に、有機EL発光体部位20が発光装置部材34側に位置するようにガラス樹脂膜部36が配され、ガラス基板11側が内側に位置する方向で屈曲する。
 また、屈曲する部位33により分割された発光装置部材34aと発光装置部材34bは、公知のヒンジ構造により連結されることが好ましいが、ガラス樹脂膜部36は屈曲する部位33で分断することなく、連続した一体化した一つの部材の態様を保持したまま屈曲することができる。
 図18-4(D)は、発光装置部材34bに対して屈曲する部位33を支点として発光装置部材34aを移動して(図面上方)屈曲させた状態を示す。発光装置部材34bのガラス樹脂膜部36の平面方向を基準面37としそれに対して、発光装置部材34aの基準面38との鋭角の角度差39が5°となるように屈曲させた状態である。
 図18(E)は、屈曲する部位33を支点として、さらに、発光装置部材34aを移動して屈曲させた状態を示す。発光装置部材34bのガラス樹脂膜部36の基準面37に対して、発光装置部材34aの基準面38との鋭角の角度差39が90°と直角となるように屈曲させた状態である。
 図18-6(F)は、屈曲する部位33を支点として、さらに、発光装置部材34aを図18-1(A)の元の位置から180°移動して屈曲させた状態を示す。つまり、発光装置部材34aのガラス基板11と発光装置部材34bのガラス基板11とが平行に対向する位置まで屈曲させた状態である。本発明に係るガラス樹脂膜部36は、屈曲する部位33を支点として、発光装置部材34aのガラス基板11と発光装置部材34bのガラス基板11とが平行に対向する位置まで屈曲することを可能とするものである。
 図18-7(G)に、図18-6(F)の一点鎖線40で囲んだガラス樹脂膜部36が屈曲した状態の拡大側面断面図を示す。ガラス基板11、ガラス基板11の一方の表面21に配された樹脂被覆膜(S)23及び有機EL発光体部位20が、屈曲する部位33を支点としてガラス基板11が平行に対向する位置まで屈曲した状態である。図示しないタッチセンサーパネルや発光装置の筐体の形状によりガラス基板11は接触しない構成を例示している。実線で示した屈曲する部位33は、屈曲半径が最小となる箇所を示すためであり、ここにしわや折れ曲がった折目が残ることを示すものではない。
 これにより、発光装置部材34aと発光装置部材34bは、ガラス基板11が平行に対向する位置まで屈曲できることで、有機ELを用いた発光装置をディスプレイ装置として使用した場合に発光光24が放出される表示側を内側に隠す状態の折りたたみ式構造を実現することができ、装置自体をコンパクトにして持ち運ぶことが可能となる。
 本発明における樹脂被覆膜(S)23及び樹脂被覆膜(S)47はシロキサン樹脂を含有する樹脂組成物を硬化した膜である。本発明における樹脂被覆膜(S)が「硬化した膜」であるとは、樹脂組成物中のシロキサン樹脂が、シラノール基の縮合反応(熱架橋)やラジカル重合性基のラジカル付加反応(光架橋)により架橋したものを指す。なお、樹脂被覆膜(S)をIR分析することにより、シラノール基や二重結合のピークの有無大小から、架橋しているか否かを判断することができる。塗布性の観点から溶媒を含有することが好ましい。
 本発明における樹脂被覆膜(S)はガラス基板に衝撃がかかった際に、ガラス表面に存在するマイクロクラックを起点にガラス基板が破損したり、ガラス基板を、樹脂被覆膜(S)を外側にして折り曲げた際に、折り曲げ部のマイクロクラックを起点にガラス基板が破断するのを防止し、ガラス基板の耐衝撃性や耐折り曲げ性を向上させる強化膜であることが好ましい。
 本発明におけるシロキサン樹脂とは、シロキサン骨格を有する繰り返し単位を有するポリマーを言い、オルガノシラン化合物の加水分解縮合物が好ましい。ただし、シロキサン樹脂がオキセタニル基を有する場合は、後述する「オキセタニル基を有するシロキサン化合物」に分類するものとする。
 本発明におけるシロキサン樹脂の重量平均分子量は、塗布性を向上させる観点から、2,000以上7,000以下が好ましい。
 本発明におけるシロキサン樹脂のフェニル基の含有率はSi原子に対して5モル%以上60モル%以下であることが好ましい。膜ストレスを緩和し、樹脂被覆膜(S)を付けたガラス基板の耐折り曲げ性をより向上させる観点から、シロキサン樹脂中のフェニル基の含有率がSi原子に対して5モル%以上であることが好ましい。樹脂被覆膜(S)の架橋度を高め、耐折り曲げ性をより向上させることができる観点から、60モル%以下であることが好ましい。 
 本発明におけるシロキサン樹脂は、ラジカル重合性基を有することが好ましい。後述する光ラジカル重合開始剤とともにラジカル重合性基を有することにより、光照射により発生するラジカルによるラジカル重合反応の進行により、本発明における樹脂被覆膜(S)の架橋度を高め、ガラスの耐折り曲げ性をより向上させることができる。
 ラジカル重合性基としては、例えば、ビニル基、α-メチルビニル基、アリル基、スチリル基、(メタ)アクリロイル基などが挙げられる。本発明における樹脂被覆膜(S)の架橋度をより高める観点から、(メタ)アクリロイル基が好ましい。ラジカル重合性基を有するシロキサン樹脂としては、ラジカル重合性基を有するオルガノシラン化合物の加水分解縮合物が好ましい。ラジカル重合性基を有するオルガノシラン化合物と、その他のオルガノシラン化合物との加水分解縮合物でもよい。
 本発明におけるシロキサン樹脂は、オルガノシラン化合物を加水分解縮合することにより得ることができる。例えば、オルガノシラン化合物を加水分解した後、得られるシラノール化合物を溶媒の存在下または無溶媒で縮合反応させることによって得ることができる。
 加水分解反応の各種条件は、反応スケール、反応容器の大きさ、形状などを考慮して適宜設定することができる。例えば、溶媒中、オルガノシラン化合物に酸触媒および水を1~180分間かけて添加した後、室温以上110℃以下で1~180分間反応させることが好ましい。このような条件で加水分解反応を行うことにより、急激な反応を抑制することができる。反応温度は、より好ましくは30℃以上105℃以下である。
 加水分解反応は、酸触媒の存在下で行うことが好ましい。酸触媒としては、蟻酸、酢酸、リン酸を含む酸性水溶液が好ましい。酸触媒の添加量は、加水分解反応時に使用される全オルガノシラン化合物100重量部に対して、0.1重量部以上5重量部以下が好ましい。酸触媒の量を上記範囲とすることにより、加水分解反応をより効率的に進めることができる。
 オルガノシラン化合物の加水分解反応によりシラノール化合物を得た後、反応液をそのまま50℃以上、溶媒の沸点以下で1~100時間加熱し、縮合反応を行うことが好ましい。また、ポリシロキサンの重合度を上げるために、再加熱または塩基触媒添加を行ってもよい。オルガノシラン化合物の加水分解反応およびシラノール化合物の縮合反応に用いられる溶媒としては公知の溶媒を使用することができる。
 加水分解反応によって溶媒が生成する場合には、無溶媒で加水分解させることも可能である。反応終了後に、さらに溶媒を添加することにより、組成物として適切な濃度に調整することも好ましい。また、目的に応じて加水分解後に、生成アルコールなどを加熱および/または減圧下にて適量を留出、除去し、その後好適な溶媒を添加してもよい。
 加水分解反応において使用する溶媒の量は、全オルガノシラン化合物100重量部に対して80重量部以上500重量部以下が好ましい。溶媒の量を上記範囲とすることにより、加水分解反応をより効率的に進めることができる。
 また、加水分解反応に用いる水は、イオン交換水が好ましい。水の量は、シラン原子1モルに対して、1.0モル以上4.0モル以下が好ましい。
 シロキサン樹脂を含有する樹脂組成物中におけるシロキサン樹脂の含有量は、樹脂被覆膜(S)の耐折り曲げ性と透明性をより向上させる観点から、樹脂組成物の全固形分中15重量%以上が好ましく、25重量%以上がより好ましい。一方、樹脂被覆膜(S)の屈曲性をより向上させる観点から、シロキサン樹脂の含有量は、樹脂組成物の全固形分中90重量%以下が好ましく、80重量%以下がより好ましい。
 シロキサン樹脂を含有する樹脂組成物は、塗布性の観点から、溶媒を含有することが好ましい。溶媒を含有することにより、各成分を均一に溶解することができる。溶媒としては公知の溶媒を含有することができ、例えば、脂肪族炭化水素、カルボン酸エステル、ケトン、エーテル、アルコール類などが挙げられる。これらを2種以上含有してもよい。各成分を均一に溶解し、得られる塗布膜の透明性を向上させる観点から、アルコール性水酸基を有する化合物、カルボニル基を有する環状化合物が好ましい。
 シロキサン樹脂を含有する樹脂組成物は、光ラジカル重合開始剤を含有することが好ましく、ラジカル重合性基を有するシロキサン樹脂と組み合わせることで、本発明における樹脂被覆膜(S)の架橋度を光ラジカル重合反応により高め、耐折り曲げ性をより向上させることができる。
 この場合、シロキサン樹脂を含有する樹脂組成物中における光ラジカル重合開始剤の含有量は、ラジカル重合性基の反応を十分に進めて耐折り曲げ性をより向上させる観点から、樹脂組成物の全固形分中0.5重量%以上が好ましく、1重量%以上がより好ましい。一方、光ラジカル重合開始剤の含有量は、本発明における樹脂被覆膜(S)の透明性をより向上させる観点から、樹脂組成物の全固形分中20重量%以下が好ましく、10重量%以下がより好ましい。
 光ラジカル重合開始剤としては、例えば、α-アミノアルキルフェノン系光ラジカル重合開始剤やα-ヒドロキシアルキルフェノン系光ラジカル重合開始剤などのアルキルフェノン系光ラジカル重合開始剤;アシルホスフィンオキサイド系光ラジカル重合開始剤;オキシムエステル系光ラジカル重合開始剤;ベンゾフェノン系光ラジカル重合開始剤;オキサントン系光ラジカル重合開始剤;イミダゾール系光ラジカル重合開始剤;ベンゾチアゾール系光ラジカル重合開始剤;ベンゾオキサゾール系光ラジカル重合開始剤;カルバゾール系光ラジカル重合開始剤;トリアジン系光ラジカル重合開始剤;安息香酸エステル系光ラジカル重合開始剤;リン系光ラジカル重合開始剤;チタネート等の無機系光ラジカル重合開始剤など公知のものが挙げられる。光ラジカル重合開始剤は、これらを2種以上含有してもよい。
 これらのうち、本発明における樹脂被覆膜(S)の架橋度を高めて耐折り曲げ性をより向上させる観点から、光ラジカル重合開始剤は、α-アミノアルキルフェノン系光ラジカル重合開始剤、アシルホスフィンオキサイド系光ラジカル重合開始剤、オキシムエステル系光ラジカル重合開始剤、アミノ基を有するベンゾフェノン系光ラジカル重合開始剤、およびアミノ基を有する安息香酸エステル系光ラジカル重合開始剤からなる群より選択される1種以上を含有することが好ましい。
 シロキサン樹脂を含有する樹脂組成物は、さらに、ラジカル重合性基を2個以上有する化合物を含有することが好ましい。ラジカル重合性基を2個以上有する化合物を含有することにより、シロキサン樹脂に含有されるラジカル重合性基とのラジカル重合反応により、本発明における樹脂被覆膜(S)の架橋度を高めて耐折り曲げ性をより向上させることができる。
 ラジカル重合性基としては、シロキサン樹脂が有するラジカル重合性基として例示したものが挙げられる。
 シロキサン樹脂を含有する樹脂組成物中のラジカル重合性基を2個以上有する化合物の含有量は、樹脂被覆膜(S)の架橋度を高めて耐折り曲げ性をより向上させる観点から、樹脂組成物の全固形分中5重量%以上が好ましく、10重量%以上がより好ましい。一方、ラジカル重合性基を2個以上有する化合物の含有量は、樹脂被覆膜(S)の屈曲性をより向上させる観点から、樹脂組成物の全固形分中50重量%以下が好ましく、30重量%以下がより好ましい。
 シロキサン樹脂を含有する樹脂組成物は、オキセタニル基を有するシロキサン化合物を含有してもよい。オキセタニル基を有するシロキサン化合物を含有することにより、オキセタン環の開環反応により樹脂被覆膜(S)の応力が緩和され、ガラス基板と樹脂被覆膜(S)との密着性を向上させることができる。
 オキセタニル基を有するシロキサン化合物としては、例えば下記式(1)で示される化合物等が挙げられるが、これに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
 上記式(1)中、R~Rは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基または下記式(2)で表される基を表す。ただし、R~Rの少なくとも1つは下記式(2)で表される基である。wは1以上10以下の整数を表す。反応性の観点から、アルキル基の炭素数は1以上6以下が好ましく、シクロアルキル基の炭素数は3~6が好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
 上記式(2)中、R~Rは水素原子、フッ素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、フェニル基または炭素数1以上4以下のパーフルオロアルキル基を表す。pは1以上6以下の整数を表す。
 前記式(1)で示されるシロキサン化合物は、オキセタニル基を有するアルコキシシラン化合物を、必要に応じてオキセタニル基を有しないアルコキシシラン化合物とともに加水分解することにより得ることができる。
 シロキサン樹脂を含有する樹脂組成物におけるオキセタニル基を有するシロキサン化合物の含有量は、樹脂被覆膜(S)の応力をより緩和して密着性をより向上させる観点から、樹脂組成物の全固形分中0.1重量%以上が好ましく、0.5重量%以上がより好ましい。一方、オキセタニル基を有するシロキサン化合物の含有量は、樹脂被覆膜(S)の応力を向上させて耐折り曲げ性をより向上させる観点から、樹脂組成物の全固形分中10重量%以下が好ましく、6重量%以下がより好ましい。
 シロキサン樹脂を含有する樹脂組成物は、下記式(3)で表される金属キレート化合物を含有してもよい。金属キレート化合物がシロキサン樹脂のシラノール縮合反応の触媒として働くことから、樹脂被覆膜(S)の架橋度が高くなり、耐折り曲げ性をより向上させることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
 上記式(3)中、Mは金属原子を表す、R26は水素、アルキル基、アリール基またはアルケニル基を表し、R27およびR28はそれぞれ独立に水素、アルキル基、アリール基、アルケニル基またはアルコキシ基を表す。ただし、アルキル基、アリール基、アルケニル基またはアルコキシ基は、置換基により置換されていてもよい。eは金属原子Mの原子価を表し、fは0~eの整数を表す。反応性の観点から、eからfを減じた値(e-f)は0が好ましい。
 金属原子Mとしては樹脂被覆膜(S)の透明性の観点から、チタン、ジルコニウム、アルミニウム、亜鉛、コバルト、モリブデン、ランタン、バリウム、ストロンチウム、マグネシウム、カルシウムが好ましく、ジルコニウム、アルミニウムがより好ましい。
 R26としては、例えば、水素、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デシル基、n-オクタデシル基、フェニル基、ビニル基、アリル基、オレイル基などが挙げられる。
 R27およびR28としては、例えば、水素、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、フェニル基、ビニル基、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デシル基、n-オクタデシル基、ベンジルオキシ基などが挙げられる。
 シロキサン樹脂を含有する樹脂組成物における金属キレート化合物の含有量は、樹脂被覆膜(S)の架橋度をより向上させて耐折り曲げ性をより向上させる観点から、樹脂組成物の全固形分中0.1重量%以上が好ましく、0.5重量%以上がより好ましい。一方、金属キレート化合物の含有量は、シロキサン樹脂を含有する樹脂組成物の経時安定性の観点から、樹脂組成物の全固形分中10重量%以下が好ましく、7重量%以下がより好ましい。
 シロキサン樹脂を含有する樹脂組成物は、密着改良剤を含有してもよい。密着改良剤を含有することにより、樹脂被覆膜(S)とガラス基板との密着性をより向上させることができる。
 密着改良剤としては、例えば、ビニル基、エポキシ基、スチリル基、(メタ)アクリロキシ基、アミノ基等の官能基を有するシランカップリング剤が挙げられる。
 シロキサン樹脂を含有する樹脂組成物における密着改良剤の含有量は、樹脂被覆膜(S)とガラス基板との密着性をより向上させる観点から、樹脂組成物の全固形分中0.1重量%以上が好ましく、0.5重量%以上がより好ましい。一方、シロキサン樹脂を含有する樹脂組成物の経時安定性の観点から、樹脂組成物の全固形分中10重量%以下が好ましく、5重量%以下がより好ましい。
 シロキサン樹脂を含有する樹脂組成物は、各種の架橋剤を含有してもよく、架橋を促進または容易にすることができる。架橋剤としては、例えば、窒素含有有機物、シリコーン樹脂架橋剤、イソシアネート化合物やその重合体、メチロール化メラミン誘導体、メチロール化尿素誘導体などが挙げられる。これらを2種以上含有してもよい。なかでも、架橋性と経時安定性の観点から、メチロール化メラミン誘導体、メチロール化尿素誘導体が好ましく用いられる。
 シロキサン樹脂は酸により硬化が促進されるので、シロキサン樹脂を含有する樹脂組成物に熱酸発生剤や光酸発生剤などの硬化触媒を含有してもよい。
 シロキサン樹脂を含有する樹脂組成物における熱酸発生剤や光酸発生剤などの硬化触媒の含有量は、樹脂被覆膜(S)の架橋度を向上させて耐折り曲げ性をより向上させる観点から、樹脂組成物の全固形分中0.1重量%以上が好ましく、0.3重量%以上がより好ましい。一方、シロキサン樹脂を含有する樹脂組成物の経時安定性の観点から、熱酸発生剤や光酸発生剤などの硬化触媒の含有量は、樹脂組成物の全固形分中5重量%以下が好ましく、3重量%以下がより好ましい。
 シロキサン樹脂を含有する樹脂組成物は、重合禁止剤を含有してもよい。重合禁止剤を含有することにより、経時安定性を向上させることができる。
 シロキサン樹脂を含有する樹脂組成物における重合禁止剤の含有量は、樹脂組成物の全固形分中0.01重量%以上が好ましく、0.1重量%以上がより好ましい。一方、樹脂被覆膜(S)の架橋を阻害しない観点から、樹脂組成物の全固形分中5重量%以下が好ましく、1重量%以下がより好ましい。
 シロキサン樹脂を含有する樹脂組成物は、紫外線吸収剤を含有してもよい。紫外線吸収剤を含有することにより、樹脂被覆膜(S)の耐光性を向上させることができる。紫外線吸収剤としては、透明性、非着色性の面から、ベンゾトリアゾール系化合物、ベンゾフェノン系化合物、トリアジン系化合物が好ましく用いられる。
 シロキサン樹脂を含有する樹脂組成物における紫外線吸収剤の含有量は、樹脂被覆膜(S)とガラス基板との密着性を向上させる観点から、樹脂組成物全固形分中10重量%以下0.1重量%以上が好ましく、5重量%以下0.1重量%以上がより好ましい。
 シロキサン樹脂を含有する樹脂組成物は、界面活性剤を含有してもよい。界面活性剤を含有することにより、塗布時のフロー性を向上させることができる。界面活性剤としては、例えば、フッ素系界面活性剤;シリコーン系界面活性剤;含フッ素熱分解性界面活性剤;ポリエーテル変性シロキサン系界面活性剤;ポリアルキレンオキシド系界面活性剤;ポリ(メタ)アクリレート系界面活性剤;ラウリル硫酸アンモニウム、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸トリエタノールアミンなどの陰イオン界面活性剤;ステアリルアミンアセテート、ラウリルトリメチルアンモニウムクロライドなどの陽イオン界面活性剤;ラウリルジメチルアミンオキサイド、ラウリルカルボキシメチルヒドロキシエチルイミダゾリウムベタインなどの両性界面活性剤;ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ソルビタンモノステアレートなどの非イオン界面活性剤などが挙げられる。これらを2種以上含有してもよい。
 これらの中でも、はじき等の塗布性不良を抑制するとともに、表面張力を低減し塗膜乾燥時のムラを抑制する観点から、フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤、含フッ素熱分解性界面活性剤、ポリエーテル変性シロキサン系界面活性剤が好ましく、含フッ素熱分解性界面活性剤がより好ましい。
 シロキサン樹脂を含有する樹脂組成物における界面活性剤の含有量は、ガラス基板上での塗布性および塗布膜の平滑性を向上させる観点から、樹脂組成物全成分に対して10ppm以上1,000ppm以下が好ましく、50ppm以上500ppm以下がより好ましい。
 次に、シロキサン樹脂を含有する樹脂組成物の製造方法について、以下に説明する。
 シロキサン樹脂を含有する樹脂組成物の製造方法としては、シロキサン樹脂と、必要に応じて、シリカ粒子、光ラジカル重合開始剤、ラジカル重合性を2個以上有する化合物、溶媒などのその他原料を所定量混合し、撹拌する方法が一般的である。
 また、樹脂膜(A)43は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、(メタ)アクリル樹脂、ポリウレタン、ポリエステル、ポリオレフィンなど公知のものを使用でき、好ましい樹脂材料は後述する樹脂(M)を含む樹脂組成物または樹脂シートを硬化した硬化膜である。
 前記樹脂(M)は、ポリイミド、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾオキサゾール前駆体およびそれらの共重合体からなる群より選択される1種以上の樹脂を含有することが好ましい。前記樹脂(M)は、これらの樹脂を単独で含有してもよく、また複数の樹脂を組み合わせて含有してもよい。
 ポリイミド、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾオキサゾール前駆体について説明する。
 ポリイミドはイミド環を有するものであれば、特に限定されない。またポリイミド前駆体は、脱水閉環することによりイミド環を有するポリイミドとなる構造を有していれば、特に限定されず、ポリアミド酸やポリアミド酸エステルなどを含有することができる。ポリベンゾオキサゾールはオキサゾール環を有するものであれば、特に限定されない。ポリベンゾオキサゾール前駆体は、脱水閉環することによりベンゾオキサゾール環を有するポリベンゾオキサゾールとなる構造を有していれば、特に限定されず、ポリヒドロキシアミドなどを含有することができる。
 ポリイミドは下記式(4)で表される構造単位を有し、ポリイミド前駆体およびポリベンゾオキサゾール前駆体は下記式(5)で表される構造単位を有し、ポリベンゾオキサゾールは下記式(6)で表される構造単位を有する。これらを2種以上含有してもよいし、式(4)で表される構造単位、式(5)で表される構造単位、式(6)で表される構造単位を共重合した樹脂を含有してもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
 式(4)中、Vは炭素数4以上40以下の4~10価の有機基、Wは炭素数4以上40以下の2~8価の有機基を表す。aおよびbは、それぞれ0以上6以下の整数を表す。RおよびRは水酸基、カルボキシ基、スルホン酸基およびチオール基からなる群より選ばれる基を表し、複数のRおよびRはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
 式(5)中、XおよびYは、それぞれ独立に炭素数4以上40以下の2~8価の有機基を表す。RおよびRは、それぞれ独立に水素原子、または炭素数1以上20以下の1価の有機基を表す。cおよびdは、それぞれ0~4の整数、eおよびfは、それぞれ0~2の整数を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
 式(6)中、TおよびUは、それぞれ独立に炭素数4以上40以下の2~8価の有機基を表す。
 樹脂(A-1)にアルカリ可溶性を持たせるために、式(4)はa+b>0であることが好ましい。また、式(5)はc+d+e+f>0であることが好ましい。式(5)において、ポリイミド前駆体の場合は、式(5)中のX、Yは芳香族基を有することが好ましい。さらには、式(5)中のXは芳香族基を有し、e>2であって、芳香族アミド基のオルト位にカルボキシ基またはカルボキシエステル基を有し、脱水閉環することによりイミド環を形成する構造となる。
 また、式(5)において、ポリベンゾオキサゾール前駆体の場合は、式(5)中のXは芳香族基を有し、d>0であって、芳香族アミド基のオルト位にヒドロキシル基を有し、脱水閉環することによりベンゾオキサゾール環を形成する構造となる。
 上記式(4)中、V-(R、上記式(5)中、(OH)-X-(COORおよび上記式(6)中のTは酸の残基を表す。Vは炭素数4以上40以下の4価~10価の有機基であり、なかでも芳香族環または環状脂肪族基を含有する炭素原子数4~40の有機基が好ましい。XおよびTは炭素数4以上40以下の2価~8価の有機基であり、なかでも芳香族環、または脂肪族基を含有する炭素原子数4以上40以下の有機基が好ましい。
 酸の残基を構成する酸成分としては、ジカルボン酸の例としてテレフタル酸、イソフタル酸、ジフェニルエーテルジカルボン酸、ビス(カルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビフェニルジカルボン酸、ベンゾフェノンジカルボン酸、トリフェニルジカルボン酸、スベリン酸、ドデカフルオロスベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ヘキサデカフルオロセバシン酸、1,9-ノナン二酸、ドデカン二酸、トリデカン二酸、テトラデカン二酸、ペンタデカン二酸、ヘキサデカン二酸、ヘプタデカン二酸、オクタデカン二酸、ノナデカン二酸、エイコサン二酸、ヘンエイコサン二酸、ドコサン二酸、トリコサン二酸、テトラコサン二酸、ペンタコサン二酸、ヘキサコサン二酸、ヘプタコサン二酸、オクタコサン二酸、ノナコサン二酸、トリアコンタン二酸など、トリカルボン酸の例としてトリメリット酸、トリメシン酸、ジフェニルエーテルトリカルボン酸、ビフェニルトリカルボン酸など、テトラカルボン酸の例としてピロメリット酸、3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸、2,3,3’,4’-ビフェニルテトラカルボン酸、2,2’,3,3’-ビフェニルテトラカルボン酸、3,3’,4,4’-ジフェニルエーテルテトラカルボン酸、3,3’,4,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸、2,2’,3,3’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸、2,2-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)プロパン、2,2-ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)プロパン、1,1-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)エタン、1,1-ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)エタン、ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)メタン、ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)メタン、ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)エーテル、1,2,5,6-ナフタレンテトラカルボン酸、9,9-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)フルオレン、9,9-ビス{4-(3,4-ジカルボキシフェノキシ)フェニル}フルオレン、2,3,6,7-ナフタレンテトラカルボン酸、2,3,6,7-ナフタレンテトラカルボン酸、2,3,5,6-ピリジンテトラカルボン酸、3,4,9,10-ペリレンテトラカルボン酸、2,2-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンおよび下記に示した構造の芳香族テトラカルボン酸、ブタンテトラカルボン酸、シクロブタンテトラカルボン酸、1,2,3,4-シクロペンタンテトラカルボン酸などを挙げることができるが、これらに限定されない。これらを2種以上用いてもよい。
 ジアミンの残基を構成するジアミンの具体的な例としては、ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)プロパン、ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)メチレン、ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)エーテル、ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシ)ビフェニル、ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)フルオレンなどのヒドロキシル基含有ジアミン、3-スルホン酸-4,4’-ジアミノジフェニルエーテルなどのスルホン酸含有ジアミン、ジメルカプトフェニレンジアミンなどのチオール基含有ジアミン、3,4’-ジアミノジフェニルエーテル、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、3,4’-ジアミノジフェニルメタン、4,4’-ジアミノジフェニルメタン、3,4’-ジアミノジフェニルスルホン、4,4’-ジアミノジフェニルスルホン、3,4’-ジアミノジフェニルスルフィド、4,4’-ジアミノジフェニルスルフィド、1,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、ベンジン、m-フェニレンジアミン、p-フェニレンジアミン、1,5-ナフタレンジアミン、2,6-ナフタレンジアミン、ビス(4-アミノフェノキシフェニル)スルホン、ビス(3-アミノフェノキシフェニル)スルホン、ビス(4-アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス{4-(4-アミノフェノキシ)フェニル}エーテル、1,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、2,2’-ジメチル-4,4’-ジアミノビフェニル、2,2’-ジエチル-4,4’-ジアミノビフェニル、3,3’-ジメチル-4,4’-ジアミノビフェニル、3,3’-ジエチル-4,4’-ジアミノビフェニル、2,2’,3,3’-テトラメチル-4,4’-ジアミノビフェニル、3,3’,4,4’-テトラメチル-4,4’-ジアミノビフェニル、2,2’-ビス(トリフルオロメチル)-4,4’-ジアミノビフェニルなどの芳香族ジアミンや、これらの芳香族環の水素原子の一部を、炭素数1以上10以下のアルキル基やフルオロアルキル基、ハロゲン原子などで置換した化合物、2,4-ジアミノ-1,3,5-トリアジン(グアナミン)、2,4-ジアミノ-6-メチル-1,3,5-トリアジン(アセトグアナミン)、2,4-ジアミノ-6-フェニル-1,3,5-トリアジン(ベンゾグアナミン)などの含窒素複素芳香族環を有するジアミン、1,3-ビス(3-アミノプロピル)-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン、1,3-ビス(p-アミノフェニル)-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン、1,3-ビス(p-アミノフェネチル)-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン、1,7-ビス(p-アミノフェニル)-1,1,3,3,5,5,7,7-オクタメチルテトラシロキサンなどのシリコーンジアミン、シクロヘキシルジアミン、メチレンビスシクロヘキシルアミンなどの脂環式ジアミンおよび下記に示した構造のジアミンなどが挙げられる。これらを2種以上用いてもよい。
 次に、本発明における有機ELを用いた発光装置1の製造方法における各工程を、樹脂被覆膜(S)23が配されるガラス基板11の表面22と反対側の表面21に、有機EL発光体部位20を具備する構成を例に取って、図19-1~図19-6に示して説明する。
 まず、ガラス基板11の表面22上(図中では下側方向の面)に、シロキサン樹脂を含有する樹脂組成物を塗布して塗布膜を形成した後、熱硬化させて樹脂被覆膜(S)23を成膜する(図19-1の(A))。
 次に、ガラス基板11の表面22と反対側の表面21(図中では上側方向の面)に、駆動素子28を形成し、それを覆う形でポリイミド樹脂を含む樹脂組成物から構成される塗布膜を膜厚0.5~5μmの厚さに塗布する。その後、図示しないフォトリソグラフィーによってパターン加工しコンタクトホール25を形成する。その後、塗布膜を熱硬化させ、硬化膜である平坦化膜12を成膜する(図19-2の(B))。
 次に、コンタクトホール25と平坦化膜12のガラス基板側11と反対側の表面上の少なくとも一部に、反射電極となる第一電極13を一定の配線パターン形状で形成する(図19-3の(C))。
 次に、ポリイミド樹脂を含む樹脂組成物から構成される塗布膜を膜厚0.5~5μmの厚さに塗布及びプリベークして、画素分割層のプリベーク膜を形成する。次に、所望のパターンを有するマスク26を介して、活性化学線27を照射する(図19-4の(D))。
 次に、現像してパターン加工をした後、必要に応じてブリーチング露光及びミドルベークし、熱硬化させることで、所望のパターンを有する硬化膜である画素分割層19を形成する(図19-5の(E))。
 次に、画素分割層19が形成されていない平坦化層12の平面上に、正孔注入層14、正孔輸送層15、有機EL発光体16及び電子輸送層17を、マスクを介した蒸着によって成膜する。次に、電子輸送層17の平面上に、透明電極となる第二電極18をスパッタにより成膜し、有機EL発光体部位20を形成する(図19-6の(F))。
 その後、図示しないカバーガラスを接合させることで、本発明のガラス基板11の一方の平面上に少なくとも第一電極13、第二電極18、有機EL発光体16及び画素分割層19から構成される有機EL発光体部位20を有し、もう一方の平面上にシロキサン樹脂を含有する樹脂被覆膜(S)23を具備するトップエミッション型の有機ELを用いた発光装置1を得る。ボトムエミッション型の有機ELを用いた発光装置1は第一電極13を透明電極、第二電極18を反射電極とする構成となる。
 次に、本発明におけるLEDを用いた発光装置の製造方法における各作製工程断面図を、ガラス基板45のどちらか一方の表面上49に、樹脂被覆膜(S)47及びLED発光体部位48が、この順に積層された構造を例に取って、図20に示して説明する。
 以下、樹脂膜(A)とは樹脂(A-1)を含む樹脂組成物を基板に塗布もしくは樹脂シートをラミネートし、乾燥し、硬化して得られた膜をいう。
 まず、ガラス基板45の表面49上に、シロキサン樹脂を含有する樹脂組成物を塗布して塗布膜を形成した後、熱硬化させて樹脂被覆膜(S)47を成膜する(図20(A))。
 次に、樹脂被覆膜(S)47上に配線44cを配し、異なる2つの面に電極46a、46bをそれぞれ具備するLED42を配置する(図20(B))。樹脂被覆膜(S)47上にTFTを配しても構わない。
 次に、樹脂被覆膜(S)47上およびLED42上に、樹脂(A-1)を含む樹脂組成物または樹脂(A-1)を含む樹脂組成物から形成された樹脂シートを、塗布またはラミネートして塗布膜61またはラミネート膜61を形成する(図20(C))。
 なお、樹脂被覆膜(S)47上およびLED42上とは、樹脂被覆膜(S)47の表面やLED42の表面のみならず、樹脂被覆膜(S)47やLED42の上側にあればよく、配線、反射膜、隔壁上に樹脂(A-1)を含む樹脂組成物または樹脂(A-1)を含む樹脂組成物から形成された樹脂シートを、塗布またはラミネートして塗布膜またはラミネート膜を形成してもよい。塗布方法としては、スピンコート法、スリットコート法、ディップコート法、スプレーコート法、印刷法などの方法がある。また、塗布膜厚は、塗布手法、組成物の固形分濃度、粘度などによって異なるが、通常、乾燥後の膜厚が0.1μm以上150μm以下になるように塗布される。次に、樹脂(A-1)を含む樹脂組成物の塗布膜を乾燥して、乾燥膜61を得る。乾燥はオーブン、ホットプレート、赤外線などを使用し、50℃以上140℃以下の範囲で1分~数時間行うことが好ましい。
 次に、乾燥膜61に対して、フォトリソ工程を用いて、配線4の形態に対応した貫通した開口パターン62を形成する(図20(D))。
 樹脂(A-1)を含む樹脂組成物または樹脂シートは微細加工可能なため、LEDの高密度配置が可能である。感光性を有する樹脂膜上に所望のパターンを有するマスクを通して化学線を照射する。露光に用いられる化学線としては紫外線、可視光線、電子線、X線などがあるが、本発明では一般的な露光波長であるg線(436nm)、h線(405nm)またはi線(365nm)、を用いることが好ましい。感光性を有さない樹脂膜においては、樹脂膜形成後にフォトレジストを形成した後、前記の化学線を照射する。
 露光された感光性を有する露光膜を現像する。現像液としては、テトラメチルアンモニウム、ジエタノールアミン、ジエチルアミノエタノール、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、トリエチルアミン、ジエチルアミン、メチルアミン、ジメチルアミン、酢酸ジメチルアミノエチル、ジメチルアミノエタノール、ジメチルアミノエチルメタクリレート、シクロヘキシルアミン、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミンなどのアルカリ性を示す化合物の水溶液が好ましい。また場合によっては、これらのアルカリ水溶液にN-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、γ-ブチロラクトン、ジメチルアクリルアミドなどの極性溶剤、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール類、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル類、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、イソブチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類などを1種または2種以上添加してもよい。現像後は水にてリンス処理をすることが一般的である。ここでもエタノール、イソプロピルアルコールなどのアルコール類、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル類などを水に加えてリンス処理をしてもよい。
 次に、露光膜を硬化させることにより、樹脂膜(A)43を形成する(図20(D))。露光膜を加熱して閉環反応や熱架橋反応を進行させ、樹脂膜(A)43を得る。樹脂膜(A)43は架橋によって、耐熱性および耐薬品性が向上する。この加熱処理は、段階的に昇温して行ってもよいし、連続的に昇温しながら行ってもよい。加熱処理は5分間~5時間実施することが好ましい。一例としては、110℃で30分加熱処理した後、さらに230℃60分熱処理する例が挙げられる。加熱処理条件としては、140℃以上400℃以下が好ましい。加熱処理条件は、熱架橋反応を進行させるため、140℃以上が好ましく、160℃以上がより好ましい。また優れた硬化膜を提供するため、発光装置の信頼性を向上させるため、加熱処理条件は300℃以下が好ましく、250℃以下がより好ましい。
 次に、フォトレジスト層(図示せず)を形成した後、LED42の少なくとも一方の電極46と電気的に接続させるための銅などの金属や導電膜などからなる配線44をめっき法やスパッタリング、感光性導電ペーストの加工等により樹脂膜(A)43の開口パターン62および樹脂膜(A)43の一部の表面上に形成する(図20(E))。その後、不要なフォトレジスト等を除去する。これにより、樹脂膜(A)43により配線の電気的絶縁性を確保することができ、樹脂膜(A)43中に配線44を延在させることにより、LED42の電極46と図示しない駆動素子を電気的に接続させることによりLEDの発光動作を制御させることができる。
 さらに、図20(C)~(E)に示すように樹脂膜(A)43および配線44は再度同様の方法で繰り返し実施することで、図6に示すような2層以上からなる樹脂膜(A)43を形成した発光装置41を生成することができる(図20(F))。
 これにより、樹脂膜(A)中に配線を有する樹脂膜(A)を複数層とすることで、複数のLEDを配置することができ、また、パッケージ低背化や配線短距離化による配線の短絡など配線不良の抑制や低損失化、高速応答性の向上を図ることができる。
 また、その後に、樹脂膜(A)43の開口パターンにバリアメタル55をスパッタリング法で形成し、バンプ54を形成し、バンプ54を介してドライバーICなど駆動素子53を有するLED駆動基板52に電気的に接続させ、図13に示す複数のLED42を有する発光装置41を得ることもできる。なお、配線44は電極を包含してもよい。
 これにより、樹脂膜(A)により配線の電気的絶縁性を確保することができ、樹脂膜(A)中に配線を延在させることにより、LEDの電極と駆動素子を電気的に接続させることにより発光動作を制御させることができる。
 また、図11に示すトップエミッション型では、まず、ガラス基板45の表面49上に、シロキサン樹脂を含有する樹脂組成物を塗布して塗布膜を形成した後、熱硬化させて樹脂被覆膜(S)47を成膜する。樹脂被覆膜(S)47を成膜した面51と反対側のガラス基板45の表面49に、配線44cや、電極46a、46bをそれぞれ具備するLED42を配置する。その他の工程は図20に記載した態様と同様であるため省略する。
 以下、実施例および比較例を用いて、本発明を更に詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
(評価方法)
<膜厚>
ガラス基材上に作製された樹脂被覆膜(S)や樹脂膜の膜厚は接触式膜厚計(“DEKTAK”(登録商標)150;アルバック社販売)を用いて測定した。
<透過率>
各実施例および比較例により得られた樹脂組成物をガラス基材に塗布し、樹脂組成物の硬化物からなる樹脂被覆膜(S)を作製した。得られた樹脂被覆膜(S)付きガラス基板について、紫外-可視分光光度計UV-2600((株)島津製作所製)を用いて、測定波長400nmにおける透過率を測定した。
<鉛筆硬度>
各実施例および比較例により得られた樹脂組成物をガラス基材に塗布し、樹脂組成物の硬化物からなる樹脂被覆膜(S)を作製した。得られたガラス基材上の樹脂被覆膜(S)について、鉛筆硬度試験器を用いて、所定硬度の鉛筆により、硬化膜を荷重750g、角度45度でなぞり、傷の有無を観察することにより、鉛筆硬度を測定した。
 <衝撃耐性>
 ガラス基板の表面上に樹脂被覆膜(S)が形成された面を下向きにとして、厚さ10mmのSUS304の上に樹脂被覆膜(S)が形成されたガラス基板を置いた。次に、樹脂が被覆されていない方のガラス基板の表面に、所定の高さから重さ5.7g、芯径0.7mmのボールペンを落下させ、ガラス基板の割れの有無を観察した。割れが認められない場合、ボールペンの落下高さを高くして同様の評価を行い、ガラス基板が割れる最小高さPT1(cm)を測定し、以下の基準で評価した。PT1が大きいほど衝撃耐性が良好である。
優:15≦PT1
良:5≦PT1<15
不可:PT1<5。
 <折り曲げ耐性>
 樹脂被覆膜(S)が形成された面が外側、樹脂被覆膜(S)が形成されていない面が内側となるようにガラス基板を配置して、耐久試験機DMLHB(ユアサシステム機器(株)製)を用いて、曲率半径(R)3mmにおける樹脂被覆膜(S)付きガラス基板が割れる回数(BT1)を測定した。最大試験回数は10,000回であり、以下の基準で評価した。BT1が大きいほど折り曲げ耐性が良好である。
優:10,000≦BT1
良:1,000≦BT1<10,000
不可:BT1<1,000。
 <屈折率>
 各実施例および比較例により得られた樹脂組成物を、ガラス基材のかわりに4インチシリコンウェハーに塗布したこと以外は各実施例および比較例と同様にして、樹脂組成物の硬化物からなる樹脂被覆膜(S)を作製した。得られた4インチシリコン上の樹脂被覆膜(S)について、プリズムカプラー(メトリコン製、PC-2000)を用い、室温23℃において、波長633nmにおける屈折率を測定した。
 (合成例1)シロキサン樹脂(PS-1)の合成
 500mLの三口フラスコにメチルトリメトキシシランを47.67g(0.35mol)、フェニルトリメトキシシランを39.66g(0.20mol)、3-トリメトキシシリルプロピルコハク酸無水物26.23g(0.10mol)、3-アクリロキシプロピルトリメトキシシランを82.04g(0.35mol)、ダイアセトンアルコール(以下、DAA)を182.88g仕込み、40℃のオイルバスに漬けて撹拌しながら、水55.8gにリン酸0.391g(仕込みモノマーに対して0.2重量部)を溶かしたリン酸水溶液を滴下ロートで10分間かけて添加した。40℃で1時間撹拌した後、オイルバス温度を70℃に設定して1時間撹拌し、さらにオイルバスを30分間かけて115℃まで昇温した。昇温開始1時間後に溶液の内温が100℃に到達し、そこから2時間加熱撹拌した(内温は100~110℃)。反応中に副生成物であるメタノール及び水が合計120g留出した。得られたシロキサン樹脂のDAA溶液に、ポリマー濃度が40重量%となるようにDAAを加えてシロキサン樹脂(PS-1)溶液を得た。なお、得られたシロキサン樹脂(PS-1)の重量平均分子量(以下、Mw)をGPCにより測定したところ5,000(ポリスチレン換算)であった。なお、GPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)装置Waters2690-996(日本ウォーターズ(株)製)を用いて、展開溶媒をN-メチル-2-ピロリドン(以下、NMP)として、ポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)を求めた。
 (合成例2)シロキサン樹脂(PS-2)の合成
 500mLの三口フラスコにメチルトリメトキシシランを54.48g(0.40mol)、フェニルトリメトキシシランを99.15g(0.50mol)、2-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシランを24.64g(0.10mol)、DAAを163.35g仕込み、40℃のオイルバスに漬けて撹拌しながら、水54.0gにリン酸0.535g(仕込みモノマに対して0.3重量部)を溶かしたリン酸水溶液を滴下ロートで10分間かけて添加した。40℃で1時間撹拌した後、オイルバス温度を70℃に設定して1時間撹拌し、さらにオイルバスを30分間かけて115℃まで昇温した。昇温開始1時間後に溶液の内温が100℃に到達し、そこから2時間加熱撹拌した(内温は100~110℃)。反応中に副生成物であるメタノール及び水が合計120g留出した。得られたシロキサン樹脂のDAA溶液に、ポリマー濃度が40重量%となるようにDAAを加えてシロキサン樹脂(PS-2)溶液を得た。なお、得られたシロキサン樹脂(PS-2)のMwをGPCにより測定したところ5,000(ポリスチレン換算)であった。
 (合成例3)アクリル樹脂(PA-1)の合成
 特許第3120476号明細書の実施例1に記載の方法により、メチルメタクリレート/メタクリル酸/スチレン共重合体(重量比:30/40/30)を合成した。得られた共重合体100重量部に対し、グリシジルメタクリレート40重量部を付加させ、精製水で再沈し、濾過および乾燥することにより、重量平均分子量15,000、酸価110mgKOH/gのアルカリ可溶性のアクリル樹脂を得た。ポリマー濃度が40質量%となるようにプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(以下、PGMEA)を加えてアクリルポリマー溶液(PA-1)を得た。なお、アクリル樹脂の酸価は、アクリル樹脂1gを中和するのに要した水酸化カリウムの量(mg)とした(酸価の単位:mgKOH/g)。
 (合成例4) ポリイミド樹脂(PI-1)の合成
 乾燥窒素気流下、3,3’,4,4’-ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物31.0g(0.10モル)をNMP500gに溶解させた。ここに合成例1で得られたヒドロキシル基含有ジアミン化合物45.35g(0.08モル)をNMP50gとともに加えて、20℃で1時間反応させ、次いで50℃で2時間反応させた。次に末端封止剤として4-アミノフェノール4.36g(0.04モル)をNMP5gとともに加え、50℃で2時間反応させた。その後、N,N-ジメチルホルムアミドジメチルアセタール28.6g(0.24モル)をNMP50gで希釈した溶液を10分かけて滴下した。滴下後、50℃で3時間撹拌した。撹拌終了後、溶液を室温まで冷却した後、溶液を水3Lに投入して白色沈殿を得た。この沈殿を濾過で集めて、水で3回洗浄した後、80℃の真空乾燥機で24時間乾燥し、目的のポリイミド樹脂(PI-1)であるポリイミド前駆体を得た。
 (合成例5)キノンジアジドの合成
 乾燥窒素気流下、4,4’-[1-[4-[1-(4-ヒドロキシフェニル-1)-1-メチルエチル]フェニル]エチリデン]ビスフェノール(商品名「TrisP-PA」;本州化学工業(株)製)、21.22g(0.05モル)と5-ナフトキノンジアジドスルホン酸クロリド(商品名「NAC-5」;東洋合成(株)製)33.5g(0.125モル)を1,4-ジオキサン450gに室温において溶解させた。ここに、1,4-ジオキサン50gと混合したトリエチルアミン12.65gを、系内が35℃以上にならないように滴下した。滴下後40℃で2時間撹拌した。トリエチルアミン塩を濾過し、濾液を水に投入した。その後、析出した沈殿を濾過で集め、さらに1%塩酸水1Lで洗浄した。その後、さらに水2Lで2回洗浄した。この沈殿を真空乾燥機で乾燥し、下記式(7)で表されるキノンジアジド化合物(QD-1)を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
 (シロキサン樹脂を含有する樹脂組成物(S-1)の調製)
 黄色灯下にてフェニルビス(2,4,6-トリメチルベンゾイル)ホスフィンオキシド“Omnirad”(登録商標)819(IGM RESINS社製)1.52g、ジルコニウムテトラアセチルアセトナート“オルガチックス”(登録商標)ZC-150(マツモトファインケミカル(株)製)1.30gを、DAA23.96g、PGMEA1.53g、3-メチル-3-メトキシ-1-ブタノール(以下、MMB)14.80gの混合溶媒に溶解させ、オキセタニル基を有するシロキサン化合物“アロンオキセタン”(登録商標)OXT-191(東亞合成(株)製)0.98g、3-アミノプロピルトリメトキシシラン(商品名「KBM-903」;信越化学工業(株)製)0.43g、トリス(2-ヒドロキシエチル)イソシアヌル酸のアクリル酸エステル“アロニックス”(登録商標)M-315(東亞合成(株)製)4.35g、シリカ粒子のPGMEA30重量%分散液(平均粒子径=20~30nm、商品名「PMA-ST」;日産化学工業(株)製)28.99g、シロキサン樹脂(PS-1)溶液21.74g、含フッ素熱分解性界面活性剤(商品名「DS-21」;DIC(株)製)のPGMEA5重量%溶液0.20g(濃度100ppmに相当)、シリコーン変性アクリル系界面活性剤“BYK”(登録商標)-3550(ビックケミー社製)のPGMEA5重量%溶液0.20g(濃度100ppmに相当)を加え、撹拌した。次いでフィルター径1.00μmのフィルターでろ過を行い、固形分濃度26重量%のシロキサン樹脂を含有する樹脂組成物(S-1)を調製した。
 (シロキサン樹脂を含有する樹脂組成物(S-2)の調製)
 黄色灯下にてトリフルオロメタンスルホン酸エステル(商品名「MDT」;ヘレウス社製)0.36gを、DAA4.00g、PGMEA8.80g、3-メトキシ-3-メチル-1-ブチルアセテート(沸点=188℃)22.20gの混合溶媒に溶解させ、シラン変性イソシアヌル酸エステル系化合物(商品名「KBM-9659」;信越化学工業(株)製)0.54g、シリカ粒子のPGMEA30重量%分散液(平均粒子径=20~30nm、商品名「PMA-ST」;日産化学工業(株)製)23.89g、シロキサン樹脂(PS-2)溶液39.82g、含フッ素熱分解性界面活性剤(商品名「DS-21」;DIC(株)製)のPGMEA5重量%溶液0.20g(濃度100ppmに相当)、シリコーン変性アクリル系界面活性剤“BYK”(登録商標)-3550(ビックケミー社製)のPGMEA5重量%溶液0.20g(濃度100ppmに相当)を加え、撹拌した。次いでフィルター径1.00μmのフィルターでろ過を行い、固形分濃度26重量%のシロキサン樹脂を含有する樹脂組成物(S-2)を調製した。
 (シロキサン樹脂を含有する樹脂組成物(S-3の調製)
 黄色灯下にてフェニルビス(2,4,6-トリメチルベンゾイル)ホスフィンオキシド“Omnirad”(登録商標)819(IGM RESINS社製)1.52g、ジルコニウムテトラアセチルアセトナート“オルガチックス”(登録商標)ZC-150」(マツモトファインケミカル(株)製)1.30gを、DAA17.43g、PGMEA21.82g、MMB14.80gの混合溶媒に溶解させ、オキセタニル基を有するシロキサン化合物“アロンオキセタン”(登録商標)OXT-191」(東亞合成(株)製)0.98g、3-アミノプロピルトリメトキシシラン(商品名「KBM-903」;信越化学工業(株)製)0.43g、トリス(2-ヒドロキシエチル)イソシアヌル酸のアクリル酸エステル“アロニックス”(登録商標)M-315(東亞合成(株)製)8.70g、シロキサン樹脂(PS-1)溶液32.61g、含フッ素熱分解性界面活性剤(商品名「DS-21」;DIC(株)製)のPGMEA5重量%溶液0.20g(濃度100ppmに相当)、シリコーン変性アクリル系界面活性剤“BYK”(登録商標)-3550(ビックケミー社製)のPGMEA5重量%溶液0.20g(濃度100ppmに相当)を加え、撹拌した。次いでフィルター径1.00μmのフィルターでろ過を行い、固形分濃度26重量%のシロキサン樹脂を含有する組成物(S-3)を調製した。
 (シロキサン樹脂を含有しない樹脂組成物(A-1)の調製)
 黄色灯下にてフェニルビス(2,4,6-トリメチルベンゾイル)ホスフィンオキシド“Omnirad”(登録商標)819(IGM RESINS社製)1.52g、ジルコニウムテトラアセチルアセトナート“オルガチックス”(登録商標)ZC-150(マツモトファインケミカル(株)製)1.30gを、DAA22.20g、PGMEA3.28g、MMB14.80gの混合溶媒に溶解させ、オキセタニル基を有するシロキサン化合物“アロンオキセタン”(登録商標)OXT-191(東亞合成(株)製)0.98g、3-アミノプロピルトリメトキシシラン(商品名「KBM-903」;信越化学工業(株)製)0.43g、トリス(2-ヒドロキシエチル)イソシアヌル酸のアクリル酸エステル“アロニックス”(登録商標)M-315(東亞合成(株)製)4.35g、シリカ粒子のPGMEA30重量%分散液(平均粒子径=20~30nm、商品名「PMA-ST」;日産化学工業(株)製)28.99g、アクリル樹脂(PA-1)溶液21.74g、含フッ素熱分解性界面活性剤(商品名「DS-21」;DIC(株)製)のPGMEA5重量%溶液0.20g(濃度100ppmに相当)、シリコーン変性アクリル系界面活性剤“BYK”(登録商標)-3550(ビックケミー社製)のPGMEA5重量%溶液0.20g(濃度100ppmに相当)を加え、撹拌した。次いでフィルター径1.00μmのフィルターでろ過を行い、固形分濃度26重量%のシロキサン樹脂を含有しない組成物(A-1)を調製した。
 (ポリイミド樹脂を含有する樹脂組成物(PW-1)の調製)
 前記合成で得られたアルカリ可溶性ポリイミド樹脂(PI-1)を固形分換算で10.0g、前記キノンジアジド化合物(QD-1)3.4g、商品名「ニカラックMX-270」((株)三和ケミカル製)1.4g、商品名「TrisP-HAP」(本州化学工業(株)製)を2.5gそれぞれ測り、溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテル30.0gとGBL8.0gを加えて溶解した後、フィルター径0.2μmのポリテトラフルオロエチレン製のフィルター(住友電気工業(株)製)で濾過して感光性ポリイミド樹脂組成物(PW-1)を得た。
 (実施例1)
 上記で得られた樹脂組成物(S-1)を、図19に示す製造方法を用いて,図1または図3に示す有機ELを用いた発光装置1を作製した。
 基板である厚さ70μmの無アルカリガラス基板11“G-Leaf”(登録商標)OA-10G(日本電気硝子(株)製)の一方の表面に、スプレー塗布装置“rCoater”(登録商標)ES1533(旭サナック(株)製)を用いて、シロキサン樹脂を含有する樹脂組成物(S-1)をスプレー塗布した後、100℃のホットプレートを用いて2分間プリベイクし、プリベーク膜を得た。その後、大日本スクリーン(株)製露光機XG-5000を用いて500mJ/cm(i線換算)で露光し、180℃の熱風オーブンを用いて40分間キュアし、膜厚1μmの樹脂被覆膜(S)(SS―1)23を得た(図19-1(A))。
 得られた樹脂被覆膜(S)付きガラス基板11について、強度(衝撃耐性、折り曲げ耐性)、透過率、および樹脂被覆膜(S)の鉛筆硬度を測定し、その結果を表2に示す。
 次に、ガラス基板11の樹脂被覆膜(S)(SS―1)23を形成した表面22と反対側の表面21上に、有機EL発光体部位20を形成した。
 まず、ガラス基板11の表面上にボトムゲート型の駆動素子であるTFT28を形成し、このTFT28を覆う状態で感光性ポリイミド樹脂組成物(PW―1)から成る塗布膜をスピンコートし、ホットプレート上でプリベーク(120℃、3分間)した後、所望のパターンのマスクを介して露光、現像し、空気フロー下において230℃で60分間加熱処理することによりコンタクトホール25を具備した平坦化層12を形成した(図19-2(B))。
 次に、このコンタクトホール25を介してTFT28に接続される金属配線(高さ1.0μm)をコンタクトホール25及びガラス基板側11と反対側の平坦化層12表面上に形成した。次に、平坦化層12上に、Al/ITO(Al:反射電極)からなる第一電極13を、コンタクトホールを介して金属配線に接続させて形成した。その後、レジストを塗布、プリベークし、所望のパターンのマスクを介して露光し、現像した。このレジストパターンをマスクとして、ITOエッチャントを用いたウエットエッチングにより第一電極13のパターン加工を行った。その後、レジスト剥離液(モノエタノールアミンとジエチレングリコールモノブチルエーテルの混合液)を用いて該レジストパターンを剥離した。剥離後の基板を水洗し、200℃で30分間加熱脱水してガラス基板11の表面上に平坦化層12と第一電極13を得た。得られた第一電極は、有機EL発光体の陽極に相当する(図19-3(C))。
 次に、第一電極13の一部を覆う形状で、平坦化層12のガラス基板11側と反対側の表面上に画素分割層19を形成した。画素分割層19には、同じく感光性ポリイミド樹脂組成物(PW―1)を用いた。感光性ポリイミド樹脂組成物(PW―1)を膜厚2μmの厚さに塗布及びプリベークして、画素分割層19のプリベーク膜を形成した。次に、マスクパターン26を介して、活性化学線27を照射した(図19-4(D))。
 次に、現像してパターン加工をした後、ブリーチング露光及びミドルベークし、熱硬化させることで、画素分割層19の硬化膜を形成した(図19-5(E))。この画素分割層19を設けることによって、第一電極13とこの後の工程で形成する第二電極18との間のショートを防止することができる。
 次に、画素分割層19が形成されていない平坦化層12及び第一電極13上に真空蒸着装置内で所望のパターンマスクを介して、正孔注入層14、正孔輸送層15、有機EL発光体16及び電子輸送層17を順次蒸着して、次いで、基板上方の全面にMg/ITOからなる第二電極18を形成した。さらにCVD成膜により、SiON封止膜を形成し、有機EL発光体部位20を形成した有機ELを用いた発光装置1を得た(図19-6(F))。
 (実施例2)
 樹脂被覆膜(S)(SS-1)23の膜厚を2μmとした以外は、実施例1と同様にして、樹脂被覆膜(S)(SS-2)23および樹脂被覆膜(S)付きガラス基板11を作製した。
 また、得られた樹脂被覆膜(S)付きガラス基板11を用いて、実施例1と同様にして有機ELを用いた発光装置1を得た。
 (実施例3)
 樹脂被覆膜(S)(SS-1)23の膜厚を5μmとした以外は、実施例1と同様にして、樹脂被覆膜(S)(SS-3)23および樹脂被覆膜(S)付きガラス基板11を作製した。
 また、得られた樹脂被覆膜(S)付きガラス基板11を用いて、実施例1と同様にして有機ELを用いた発光装置1を得た。
 (実施例4)
 樹脂被覆膜(S)(SS-1)23の膜厚を10μmとした以外は、実施例1と同様にして、樹脂被覆膜(S)(SS-4)23および樹脂被覆膜(S)付きガラス基板11を作製した。
 また、得られた樹脂被覆膜(S)付きガラス基板11を用いて、実施例1と同様にして有機ELを用いた発光装置1を得た。
 (実施例5)
 実施例1と同様にして、樹脂被覆膜(S)(SS-5)23および樹脂被覆膜(S)付きガラス基板11を作製し、このガラス基板11を用いて、図3に示すガラス基板11側から発光するボトムエミッション型の有機ELを用いた発光装置1を作製した。第一電極13としてMg/ITOからなる透明電極を形成し、第二電極18としてAl/ITO(Al:反射電極)を形成した以外は実施例1と同様にして有機ELを用いた発光装置1を得た。
 (実施例6)
 膜厚2μmの樹脂被覆膜(S)(SS-2)23をガラス基板11の両面に形成した以外は、実施例1と同様にして、樹脂被覆膜(S)(SS-6)23および樹脂被覆膜(S)付きガラス基板11を作製した。
 また、得られた(S)樹脂被膜付きガラス基板11を用いて、実施例1と同様にして有機ELを用いた発光装置1を得た。
 (実施例7)
 ガラス基板11として膜厚30μmの無アルカリガラス基板“G-Leaf”(登録商標)OA-10G(日本電気硝子(株)製)を用いた以外は、実施例2と同様にして、樹脂被覆膜(S)(SS-7)23および樹脂被膜付きガラス基板11を作製した。
 また、得られた樹脂被覆膜(S)付きガラス基板11を用いて、実施例1と同様にして有機ELを用いた発光装置1を得た。
 (実施例8)
 ガラス基板11として膜厚50μmの無アルカリガラス基板“G-Leaf”(登録商標)OA-10G(日本電気硝子(株)製)を用いた以外は、実施例2と同様にして、樹脂被覆膜(S)(SS-8)23および樹脂被覆膜(S)付きガラス基板11を作製した。
 また、得られた樹脂被覆膜(S)付きガラス基板11を用いて、実施例1と同様にして有機ELを用いた発光装置1を得た。
 (実施例9)
 ガラス基板11として膜厚100μmの無アルカリガラス基板“G-Leaf”(登録商標)OA-10G(日本電気硝子(株)製)を用いた以外は、実施例2と同様にして、樹脂被覆膜(S)(SS-9)23および樹脂被覆膜(S)付きガラス基板11を作製した。
 また、得られた樹脂被覆膜(S)付きガラス基板11を用いて、実施例1と同様にして有機ELを用いた発光装置1を得た。
 (実施例10)
 ガラス基板11として膜厚70μmの化学強化ガラス基板“Dinorex”(登録商標)T2-X1(日本電気硝子(株)製)を用いた以外は、実施例2と同様にして、樹脂被覆膜(S)(SS-10)23および樹脂被覆膜(S)付きガラス基板11を作製した。
 また、得られた樹脂被覆膜(S)付きガラス基板11を用いて、実施例1と同様にして有機ELを用いた発光装置1を得た。
 (実施例11)
 シロキサン樹脂を含有する樹脂組成物として(S-1)の代わりに(S-2)を用いた以外は、実施例2と同様にして、樹脂被覆膜(S)(SS-11)23および樹脂被覆膜(S)付きガラス基板11を作製した。
 また、得られた樹脂被覆膜(S)付きガラス基板11を用いて、実施例1と同様にして有機ELを用いた発光装置1を得た。
 (実施例12)
 シロキサン樹脂を含有する樹脂組成物として(S-1)の代わりに(S-3)を用いた以外は、実施例2と同様にして、樹脂被覆膜(S)(SS-12)23および樹脂被覆膜(S)付きガラス基板11を作製した。
 また、得られた樹脂被覆膜(S)付きガラス基板11を用いて、実施例1と同様にして有機ELを用いた発光装置1を得た。
 (比較例1)
 樹脂被覆膜(S)付きガラス基板11の代わりに樹脂被覆膜(S)の付いていない厚さ30μmの無アルカリガラス基板“G-Leaf”(登録商標)OA-10G(日本電気硝子(株)製)を用いた以外は実施例1と同様にして有機ELを用いた発光装置1を得た。
 (比較例2)
 樹脂被覆膜(S)付きガラス基板11の代わりに樹脂被覆膜(S)の付いていない厚さ50μmの無アルカリガラス基板“G-Leaf”(登録商標)OA-10G(日本電気硝子(株)製)を用いた以外は実施例1と同様にして有機ELを用いた発光装置1を得た。
 (比較例3)
 樹脂被覆膜(S)付きガラス基板11の代わりに樹脂被覆膜(S)の付いていない厚さ70μmの無アルカリガラス基板“G-Leaf”(登録商標)OA-10G(日本電気硝子(株)製)を用いた以外は実施例1と同様にして有機ELを用いた発光装置1を得た。
 (比較例4)
 樹脂被覆膜(S)付きガラス基板11の代わりに樹脂被覆膜(S)の付いていない厚さ100μmの無アルカリガラス基板“G-Leaf”(登録商標)OA-10G(日本電気硝子(株)製)を用いた以外は実施例1と同様にして有機ELを用いた発光装置1を得た。
 (比較例5)
 シロキサン樹脂を含有する樹脂組成物(S-1)の代わりにシロキサン樹脂を含有しない樹脂組成物(A-1)を用いた以外は、実施例2と同様にして、樹脂膜(SA-1)および樹脂膜付きガラス基板11を作製した。
 また、得られた樹脂膜付きガラス11を用いて、実施例1と同様にして有機ELを用いた発光装置を得た。
 (比較例6)
 樹脂被覆膜(S)付きガラス基板11の代わりに、基板11の素材としてガラスではなく、ポリイミドフィルム“カプトン”(登録商標)(東レ・デュポン(株)製)からなる基板11を用い、樹脂膜を付けない基板11を用いた以外は実施例1と同様にして有機ELを用いた発光装置を1得た。
 (実施例13)
 上記で得られた樹脂組成物(S-1)を、図20に示す製造方法を用いて,図6に示すLEDを用いた発光装置41を作製した。
 基板である厚さ70μmの無アルカリガラス基板45「“G-Leaf”(登録商標)OA-10G」;(日本電気硝子(株)製)の一方の表面に、スプレー塗布装置“rCoater”(登録商標)ES1533(旭サナック(株)製)を用いて、シロキサン樹脂を含有する樹脂組成物(S-1)をスプレー塗布した後、100℃のホットプレートを用いて2分間プリベイクし、プリベーク膜を得た。その後、大日本スクリーン(株)製露光機XG-5000を用いて500mJ/cm(i線換算)で露光し、180℃の熱風オーブンを用いて40分間キュアし、膜厚1μmの樹脂被覆膜(S)(SS―1)47を得た(図20工程(A)に相当)。 
 次に、ガラス基板45の樹脂被覆膜(S)(SS―1)47を形成した表面上に、LED発光体部位48を形成した。
 まず、配線44cとしてITOをスパッタリング法により樹脂被覆膜(S)(SS―1)47の一部の表面上に形成した。その上に電極46a及び46bを有するLED42を配置した(図20工程(B)に相当)。LED42の厚みは7μm、1辺の長さが30μm、もう1辺の長さが50μmであった。
 次に、樹脂被覆膜(S)(SS―1)47上およびLED42上に、ポリイミド樹脂を含有する樹脂組成物(PW-1)を加熱処理後10μmとなるように塗布し、塗布膜61を形成した(図20工程(C)に相当)。
 次に、塗布膜61上に所望のパターンを有するマスクを通してi線(365nm)を照射した。露光された露光膜61を、2.38質量%のテトラメチルアンモニウム(TMAH)水溶液を用いて現像し、露光膜61の厚さ方向に貫通する複数の開口パターン62をパターン形成した。開口パターン62の形状は円形で、開口パターンのうち、最も小さい領域での底面部の最長長さは直径2μmであった。次に、露光膜61を酸素濃度100ppm以下の雰囲気下で110℃、30分加熱処理した後、さらに230℃60分熱処理して、硬化させることにより厚み10μmの樹脂膜(A)43を形成した(図20工程(D)に相当)。露光膜61はそのまま硬化して樹脂膜(A)43となった。
 次に、樹脂膜(A)43上にチタンのバリアメタルをスパッタリングし、さらにその上に銅のシード層をスパッタリング法で形成した。そのあと、フォトレジスト層を形成した後、めっき法により、LED42と電気的に接続される銅からなる配線44を樹脂膜(A)43の開口パターン62及び樹脂膜(A)43の一部の表面上に形成し、その後、フォトレジストおよびシード層、バリアメタルを除去した(図20工程(E)に相当)。樹脂膜(A)43の一部の表面上に形成した配線44dの厚みは5μmであった。
 その後、工程(C)、工程(D)および工程(E)を2回繰り返し行い、樹脂膜(A)43を3層形成した。その結果、3層の樹脂膜(A)43全体の厚み58は30μmであった。これにより図6に示すボトムエミッション型のLEDを用いた発光装置41が形成された。
 また、図13に示すLED駆動基板52及び駆動素子53は、(A)樹脂膜(A)43に設けた開口パターンにバリアメタル54をスパッタリング法で形成し、バンプ55を形成した。その後、250℃、1分でバンプをリフローさせ、バンプ55を介して駆動素子53であるドライバーICを有するLED駆動基板52に電気的に接続させて形成した。
 (実施例14)
 樹脂被覆膜(S)(SS―1)47の膜厚を2μmとした以外は、実施例13と同様にして、樹脂被覆膜(S)(SS-2)47を被覆したガラス基板45を作製した。
 また、得られた樹脂被覆膜(S)47を被覆したガラス基板45を用いて、実施例13と同様にしてLEDを用いた発光装置41を得た。
 (実施例15)
 樹脂被覆膜(S)(SS―1)47の膜厚を5μmとした以外は、実施例13と同様にして、樹脂被覆膜(S)(SS-3)47を被覆したガラス基板45を作製した。
 また、得られた樹脂被覆膜(S)47を被覆したガラス基板45を用いて、実施例13と同様にしてLEDを用いた発光装置41を得た。
 (実施例16)
 樹脂被覆膜(S)(SS―1)47の膜厚を10μmとした以外は、実施例13と同様にして、樹脂被覆膜(S)(SS-4)47を被覆したガラス基板45を作製した。
 また、得られた樹脂被覆膜(S)47を被覆したガラス基板45を用いて、実施例13と同様にしてLEDを用いた発光装置41を得た。
 (実施例17)
 実施例14と同様に膜厚を2μmの樹脂被覆膜(S)(SS―2)47を被覆したガラス基板45を作製し、この樹脂被覆膜(S)47を被覆したガラス基板45を用いた以外は、実施例14と同様にして、樹脂被覆膜(S)47を被覆したガラス基板45を作製した。
 また、LED発光体部位48の配置構成は、図11に示すように、ガラス基板45の表面49上にLED発光体部位48を配し、LED発光体部位48が配されたガラス基板45の表面49と反対側の表面51に、樹脂被覆膜(S)47を配する構成とし、それ以外は実施例13と同様にして、LED発光体部位48側から発光するトップエミッション型のLEDを用いた発光装置41を作製した。
 (実施例18)
 図12に示すように、膜厚2μmの樹脂被覆膜(S)(SS―2)47をガラス基板45の両面に形成した以外は、実施例13と同様にして、樹脂被覆膜(S)47を被覆したガラス基板45を作製した。
 また、得られた樹脂被覆膜(S)47を被覆したガラス基板45を用いて、実施例13と同様にしてLEDを用いた発光装置41を得た。
 (実施例19)
 ガラス基板45として膜厚30μmの無アルカリガラス基板“G-Leaf”(登録商標)OA-10G(日本電気硝子(株)製)を用いた以外は、実施例14と同様にして、樹脂被覆膜(S)(SS-7)47を被覆したガラス基板45を作製した。
 その後の工程は、得られた樹脂被覆膜(S)47を被覆したガラス基板45を用いて、実施例1と同様にしてLEDを用いた発光装置41を得た。
 (実施例20)
 ガラス基板45として膜厚50μmの無アルカリガラス基板“G-Leaf”(登録商標)OA-10G(日本電気硝子(株)製)を用いた以外は、実施例14と同様にして、樹脂被覆膜(S)(SS-8)47を被覆したガラス基板45を作製した。
 その後の工程は、得られた樹脂被覆膜(S)47を被覆したガラス基板45を用いて、実施例13と同様にしてLEDを用いた発光装置41を得た。
 (実施例21)
 ガラス基板45として膜厚100μmの無アルカリガラス基板“G-Leaf”(登録商標)OA-10G(日本電気硝子(株)製)を用いた以外は、実施例14と同様にして、樹脂被覆膜(S)(SS-9)47を被覆したガラス基板45を作製した。
 その後の工程は、得られた樹脂被覆膜(S)47を被覆したガラス基板45を用いて、実施例13と同様にしてLEDを用いた発光装置41を得た。
 (実施例22)
 ガラス基板45として膜厚70μmの化学強化ガラス基板“Dinorex”(登録商標)T2-X1(日本電気硝子(株)製)を用いた以外は、実施例14と同様にして、樹脂被覆膜(S)(SS-10)47を被覆したガラス基板45を作製した。
 その後の工程は、得られた樹脂被覆膜(S)47を被覆したガラス基板45を用いて、実施例13と同様にしてLEDを用いた発光装置41を得た。
 (実施例23)
 シロキサン樹脂を含有する樹脂組成物として樹脂組成物(S-1)の代わりに樹脂組成物(S-2)を用いた以外は、実施例2と同様にして、樹脂被覆膜(S)(SS-11)47を被覆したガラス基板45を作製した。
 その後の工程は、得られた樹脂被覆膜(S)47を被覆したガラス基板45を用いて、実施例13と同様にしてLEDを用いた発光装置41を得た。
 (実施例24)
 シロキサン樹脂を含有する樹脂組成物として樹脂組成物(S-1)の代わりに樹脂組成物(S-3)を用いた以外は、実施例2と同様にして、樹脂被覆膜(S)(SS-12)47を被覆したガラス基板45を作製した。
 その後の工程は、得られた樹脂被覆膜(S)47を被覆したガラス基板45を用いて、実施例13と同様にしてLEDを用いた発光装置41を得た。
 (比較例7)
 樹脂被覆膜(S)を被覆したガラス基板45の代わりに樹脂被覆膜(S)を被覆していない厚さ30μmの無アルカリガラス基板“G-Leaf”(登録商標)OA-10G(日本電気硝子(株)製)を用いた以外は実施例13と同様にしてLEDを用いた発光装置41を得た。
 (比較例8)
 樹脂被覆膜(S)を被覆したガラス基板45の代わりに樹脂被覆膜(S)を被覆していない厚さ50μmの無アルカリガラス基板“G-Leaf”(登録商標)OA-10G(日本電気硝子(株)製)を用いた以外は実施例13と同様にしてLEDを用いた発光装置41を得た。
 (比較例9)
 樹脂被覆膜(S)を被覆したガラス基板45の代わりに樹脂被覆膜(S)を被覆していない厚さ70μmの無アルカリガラス基板“G-Leaf”(登録商標)OA-10G(日本電気硝子(株)製)を用いた以外は実施例13と同様にしてLEDを用いた発光装置41を得た。
 (比較例10)
 樹脂被覆膜(S)を被覆したガラス基板45の代わりに樹脂被覆膜(S)を被覆していない厚さ100μmの無アルカリガラス基板“G-Leaf”(登録商標)OA-10G(日本電気硝子(株)製)を用いた以外は実施例13と同様にしてLEDを用いた発光装置41を得た。
 (比較例11)
 シロキサン樹脂を含有する樹脂組成物(S-1)の代わりにシロキサン樹脂を含有しない樹脂組成物(A-1)を用いた以外は、実施例14と同様にして、樹脂膜(SB-1)および樹脂付きガラス基板45を作製した。
 その後の工程は、得られた樹脂膜付きガラス基板45を用いて、実施例13と同様にしてLEDを用いた発光装置41を得た。
 (比較例12)
 樹脂被覆膜(S)を被覆したガラス基板45の代わりに、ガラス基板45の素材としてガラスではなく、ポリイミドフィルム“カプトン”(登録商標)(東レ・デュポン(株)製)からなる基板45を用い、樹脂膜を被覆していない基板45を用いた以外は実施例13と同様にしてLEDを用いた発光装置を41得た。
 以上説明した樹脂組成物の処方を表1に、その樹脂組成物からなる樹脂被覆膜付きガラス基板の強度(衝撃耐性、耐折り曲げ性)、透過率、および樹脂被覆膜(S)の鉛筆硬度を測定し、その評価結果を表2~表5に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000008
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000009
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000010
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000011
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000012
 本発明の製造方法は、フロントカメラを画面の背後に配置させるアンダーディスプレイカメラを搭載される電子機器や有機ELやLEDを用いた発光装置を用いたディスプレイとして好適に利用できる。
1:有機ELを用いた発光装置
11:ガラス基板
12:平坦化膜
13:第一電極
14:正孔注入層
15:正孔輸送層
16:有機EL発光体
17:電子輸送層
18:第二電極
19:画素分割層
20:有機EL発光体部位
21:ガラス基板の表面
22:ガラス基板の反対側の表面
23:樹脂被覆膜(S)
24:光取り出し方向
25:コンタクトホール
26:フォトホトマスク
27:活性化学線
28:駆動素子
30:平面の位置
31:平面の位置
32:屈曲した角度
33:屈曲する部位
34、34a、34b:発光装置部材
35:屈曲方向
36:ガラス樹脂膜
37:発光装置部材の基準面
38:発光装置部材の基準面
39:角度差
40:拡大領域
41:LEDを用いた発光装置
42:LED
43:樹脂膜(A)
44、44c、44d、44e:配線
45:ガラス基板
46、46a、46b:電極
47:樹脂被覆膜(S)
48:LED発光体部位
49:ガラス基板の表面
50:発光光
51:ガラス基板の反対側の表面
52:LED駆動基板
53:駆動素子
54:バリアメタル
55:バンプ
56:TFT
57:TFTの絶縁膜
58:樹脂膜(A)の厚さ
59:反射膜
60:隔壁
61:塗布膜、露光膜
62:開口パターン

Claims (18)

  1. 少なくともシロキサン樹脂を含有する樹脂被覆膜(S)を具備するガラス基板と、
    発光体部位とを、少なくとも具備する発光装置。
  2. 前記発光体部位が、前記ガラス基板または前記樹脂被覆膜(S)の少なくとも一方の表面上に前記表面と少なくとも一部が接して配された請求項1記載の発光装置。
  3. 前記発光体部位が、少なくとも第一電極、第二電極、有機EL発光体及び画素分割層から構成される有機EL発光体部位である請求項1または2記載の発光装置。
  4. 前記発光体部位が、少なくとも配線、前記配線の少なくとも一部と接した樹脂膜(A)及び発光ダイオードから構成される発光ダイオード発光体部位である請求項1または2記載の発光装置。
  5. 前記樹脂被覆膜(S)が配された前記ガラス基板の表面と反対側の表面に、前記発光体部位を具備する、請求項1~4のいずれかに記載の発光装置。
  6. 前記ガラス基板の表面上に、前記樹脂被覆膜(S)及び前記発光体部位が、この順に積層された、請求項1~4のいずれかに記載の発光装置。
  7. 前記ガラス基板の両側の表面上に、前記樹脂被覆膜(S)が配され、いずれかの樹脂被覆膜(S)の表面にさらに前記発光体部位が積層された、請求項1~4のいずれかに記載の発光装置。
  8. 前記ガラス基板の厚みが、0.03mm以上、0.30mm以下である、請求項1~4のいずれかに記載の発光装置。
  9. 前記ガラス基板が、強化処理されたガラス基板である、請求項1~4のいずれかに記載の発光装置。
  10. 前記樹脂膜(S)の厚みが1μm以上、10μm以下である、請求項1~4のいずれかに記載の発光装置。
  11. 前記樹脂膜(S)が無機粒子を含有する、請求項1~4のいずれかに記載の発光装置。
  12. 前記無機粒子がシリカ粒子を含む、請求項11に記載の発光装置。
  13. 前記ガラス基板の屈折率n1と前記樹脂被覆膜(S)の屈折率n2の屈折率との差の絶対値をdnとすると、dn≦0.05である、請求項1~4のいずれかに記載の発光装置。
  14. 前記ガラス基板に被覆した前記樹脂被覆膜(S)が外側に、前記ガラス基板が内側に位置する方向で屈曲可能な部位を具備する、請求項1~4のいずれかに記載の発光装置。
  15. 前記発光体からのエミッション面側を内側に閉じる方向で屈曲可能な部位を具備する、請求項1~4のいずれかに記載の発光装置。
  16. 前記樹脂膜(A)の全体の厚みが5μm以上100μm以下である、請求項4記載の発光装置。
  17. 前記発光ダイオードの1辺の長さが5μm以上700μm以下である、請求項4記載の発光装置。
  18. 前記樹脂膜(A)は、ポリイミド、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾオキサゾール前駆体およびそれらの共重合体からなる群より選択される1種以上の樹脂(M)を含有する、請求項4記載の発光装置。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005297498A (ja) * 2004-04-16 2005-10-27 Dainippon Printing Co Ltd 可撓性基板およびそれを用いた有機デバイス
JP2016072246A (ja) * 2014-09-30 2016-05-09 東レ株式会社 ディスプレイ用支持基板、それを用いたカラーフィルターおよびその製造方法、有機el素子およびその製造方法、ならびにフレキシブル有機elディスプレイ
US20190055151A1 (en) * 2017-08-21 2019-02-21 Samsung Display Co., Ltd. Method of processing window member
JP2019214492A (ja) * 2018-06-13 2019-12-19 東レ株式会社 ガラス強化基板
CN111081746A (zh) * 2019-12-25 2020-04-28 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及制作方法
US20220118744A1 (en) * 2019-07-03 2022-04-21 Huawei Technologies Co., Ltd. Flexible Display Cover, Flexible Display Module, And Flexible Display Apparatus

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005297498A (ja) * 2004-04-16 2005-10-27 Dainippon Printing Co Ltd 可撓性基板およびそれを用いた有機デバイス
JP2016072246A (ja) * 2014-09-30 2016-05-09 東レ株式会社 ディスプレイ用支持基板、それを用いたカラーフィルターおよびその製造方法、有機el素子およびその製造方法、ならびにフレキシブル有機elディスプレイ
US20190055151A1 (en) * 2017-08-21 2019-02-21 Samsung Display Co., Ltd. Method of processing window member
JP2019214492A (ja) * 2018-06-13 2019-12-19 東レ株式会社 ガラス強化基板
US20220118744A1 (en) * 2019-07-03 2022-04-21 Huawei Technologies Co., Ltd. Flexible Display Cover, Flexible Display Module, And Flexible Display Apparatus
CN111081746A (zh) * 2019-12-25 2020-04-28 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及制作方法

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