WO2024028170A1 - Device and method for applying a fluid, and component - Google Patents

Abstract

The invention relates to a device (30) for applying a fluid (38) onto at least one surface (32) of a substrate (31), wherein the device (30) comprises a spraying array (36) with at least two spraying units (40) for applying the fluid (38). The device is characterised in that the device (30) is designed such that a nozzle (42) of at least one spraying unit (40) of the spraying array (36) and the substrate surface (32) of the component (50) can be moved relative to one another in at least three degrees of freedom. The invention also relates to a method for applying a fluid (38) to develop a coating (33) on at least one surface (32) of a substrate (31), wherein the device (30) comprises a spraying array (36) with at least two spraying units (40) for applying the fluid (38) and a control unit (47) for controlling the spraying array (36). The method is characterised in that a nozzle (42) of the at least one spraying unit (40) and the substrate surface (32) can be moved relative to one another in at least three degrees of freedom during application of the fluid (38). Furthermore, the invention relates to a component (50) of a system in semiconductor technology (1, 101) with a structure (35), wherein the structure (35) was developed by means of the aforementioned method.

Description

Vorrichtung und Verfahren zur Aufbringung eines Fluids und Komponente Device and method for applying a fluid and component

Die vorliegende Anmeldung nimmt die Priorität der deutschen Patentanmeldung DE 102022 208 010.6 vom 03.08.2022 in Anspruch, deren Inhalt hierin durch Bezugnahme vollumfänglich aufgenommen wird. The present application claims the priority of the German patent application DE 102022 208 010.6 dated August 3, 2022, the content of which is incorporated herein in its entirety by reference.

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Aufbringen eines Fluids auf eine Oberfläche eines zu strukturierenden Substrates. Insbesondere betrifft die Erfindung eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Aufbringen eines Fluids auf eine Oberfläche einer Komponente für eine Anlage der Halbleitertechnologie, beispielsweise für eine Projektionsbelichtungsanlage oder eine Masken- oder Waferinspektionsanlage. Weiterhin betrifft die Erfindung eine Komponente einer Anlage der Halbleitertechnologie, insbesondere einer Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie oder einer Masken- oder Waferinspektionsanlage. The invention relates to a device and a method for applying a fluid to a surface of a substrate to be structured. In particular, the invention relates to a device and a method for applying a fluid to a surface of a component for a semiconductor technology system, for example for a projection exposure system or a mask or wafer inspection system. The invention further relates to a component of a semiconductor technology system, in particular a projection exposure system for semiconductor lithography or a mask or wafer inspection system.

Insbesondere fotolithografische Techniken werden zur Herstellung von Schichtstrukturen auf den oben genannten Komponenten eingesetzt, indem eine strahlungsempfindliche Beschichtung, wie beispielsweise ein Fotolack, auf die zu strukturierende Oberfläche aufgebracht und mit Hilfe von Masken oder lokal angewandten Strahlschreibgeräten unter Anwendung von elektromagnetischer Strahlung bestrahlt und anschließend entwickelt wird. Auf diese Weise lassen sich Strukturen auf einem Substrat, wie beispielsweise einem Wafer für Halbleiterschaltungen und Sensoren, aber auch auf einer Komponente für eine Anlage der Halbleiterlithographie erzeugen.In particular, photolithographic techniques are used to produce layer structures on the above-mentioned components by applying a radiation-sensitive coating, such as a photoresist, to the surface to be structured and irradiating it using masks or locally applied jet writing devices using electromagnetic radiation and then developing it . In this way, structures can be created on a substrate, such as a wafer for semiconductor circuits and sensors, but also on a component for a semiconductor lithography system.

Dabei kann die Bestrahlung der Beschichtung mit einer Wellenlänge im Bereich von ca. 500nm und darunter erfolgen. Die nachfolgende Entwicklung löst die belichteten Bereiche auf, wodurch die gewünschte Struktur in der Beschichtung erzeugt wird. Der gleichmäßige und vollständige Abtrag der Beschichtung ist für die weiteren Prozessschritte essenziell, so dass hohe Anforderungen an die Entwicklungsrate, also die pro Zeit ausgelöste Menge an Beschichtung, über das Substrat hinweg gestellt werden. Bei den genannten Anwendungen kommen überwiegend makroskopisch ebene Substrate zur Anwendung oder die Aufbringung der Strukturen beschränkt sich auf sehr kleine Teilbereiche einer Oberfläche. Die für die Entwicklung verwendete Entwicklerflüssigkeit wird dabei durch ein lineares, planares Sprüharray mit mehreren Düsen aufgebracht, welches mit einer gleichmäßigen Sprühleistung und konstanter Geschwindigkeit über die beschichtete Substratoberfläche verfahren wird. Dadurch wird die Beschichtung gleichmäßig benetzt, wodurch eine gleichmäßige Entwicklungsrate über das Substrat erreicht werden kann. Eine Anwendung dieses Verfahrens beispielsweise für Substrate einer Komponente einer Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie, welche beispielsweise makroskopisch sphärische oder asphärische Oberflächen, welche teilweise mit mikroskopischen Freiformflächen überlagert sind, aufweisen, führt jedoch zu nachteiligen ungleichmäßigen Entwicklungsraten. The coating can be irradiated with a wavelength in the range of approximately 500 nm and below. The subsequent development dissolves the exposed areas, creating the desired structure in the coating. The uniform and complete removal of the coating is essential for the further process steps, so that high demands are placed on the development rate, i.e. the amount of coating released per time, across the substrate. In the applications mentioned, macroscopically flat substrates are predominantly used or the application of the structures is limited to very small areas of a surface. Those for development The developer liquid used is applied by a linear, planar spray array with several nozzles, which is moved over the coated substrate surface with a uniform spray output and constant speed. This wets the coating evenly, allowing a consistent development rate across the substrate to be achieved. However, using this method, for example, for substrates of a component of a projection exposure system for semiconductor lithography, which have, for example, macroscopically spherical or aspherical surfaces which are partially overlaid with microscopic free-form surfaces, leads to disadvantageous non-uniform development rates.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Vorrichtung bereitzustellen, welche die oben beschriebenen Nachteile des Standes der Technik beseitigt. Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zum Aufbringen eines Fluids auf eine Oberfläche eines zu strukturierenden Substrates anzugeben. Bei dem Substrat kann es sich um ein Substrat einer Komponente einer Anlage der Halbleitertechnologie, beispielsweise einer Projektionsbelichtungsanlage oder einer Masken- oder Waferinspektionsanlage handeln. The object of the present invention is to provide a device which eliminates the disadvantages of the prior art described above. A further object of the invention is to provide a method for applying a fluid to a surface of a substrate to be structured. The substrate can be a substrate of a component of a semiconductor technology system, for example a projection exposure system or a mask or wafer inspection system.

Diese Aufgabe wird gelöst durch eine Vorrichtung, ein Verfahren und eine Komponente mit den Merkmalen der unabhängigen Ansprüche. Die Unteransprüche betreffen vorteilhafte Weiterbildungen und Varianten der Erfindung. This task is solved by a device, a method and a component with the features of the independent claims. The subclaims relate to advantageous developments and variants of the invention.

Eine erfindungsgemäße Vorrichtung zum Aufbringen eines Fluids auf mindestens eine Oberfläche eines Substrats umfasst ein Sprüharray mit mindestens zwei Sprüheinheiten zum Aufbringen des Fluids. Erfindungsgemäß ist die Vorrichtung derart ausgebildet, dass mindestens eine Düse einer Sprüheinheit des Sprüharrays und die Substratoberfläche der Komponente relativ zueinander in mindestens drei Freiheitsgraden bewegbar sind. A device according to the invention for applying a fluid to at least one surface of a substrate comprises a spray array with at least two spray units for applying the fluid. According to the invention, the device is designed such that at least one nozzle of a spray unit of the spray array and the substrate surface of the component can be moved relative to one another in at least three degrees of freedom.

Dabei kann die Substratoberfläche nicht ebene Oberflächenbereiche aufweisen. Nicht ebene Oberflächenbereiche können insbesondere sphärisch oder asphärisch ausgebildete Oberflächenbereiche von optischen Komponenten, wie beispielsweise von Linsen, Spiegeln oder Filtern oder von einem Kollektorspiegel in einem Beleuch- tungssystem einer Projektionsbelichtungsanlage, sein. Nicht ebene Oberflächenbereiche können auch auf makroskopisch flachen Oberflächen von Komponenten in Form von im Vergleich zu Fotomasken oder Wafern großen Strukturen oder als Freiformflächen ausgebildet sein. Im Fall einer sphärischen Oberfläche sind bereits drei Freiheitsgrade ausreichend, um die gesamte Oberfläche mit einer Sprüheinheit zu besprühen und die Sprührichtung der Düsen zum Ausgleich der unebenen Oberflächen anzupassen, wodurch eine gleichmäßige Benetzung der Oberflächen gewährleistet werden kann. The substrate surface cannot have flat surface areas. Non-flat surface areas can in particular be spherical or aspherical surface areas of optical components, such as lenses, mirrors or filters or of a collector mirror in a lighting system. tion system of a projection exposure system. Non-planar surface areas can also be formed on macroscopically flat surfaces of components in the form of structures that are large compared to photomasks or wafers or as free-form surfaces. In the case of a spherical surface, three degrees of freedom are already sufficient to spray the entire surface with a spray unit and to adjust the spray direction of the nozzles to compensate for the uneven surfaces, which can ensure uniform wetting of the surfaces.

Insbesondere kann die Sprüheinheit dazu eingerichtet sein, ein Fluid aufzubringen, welches eine Entwicklerflüssigkeit für eine lichtempfindliche Beschichtung, wie sie insbesondere in der Halbleitertechnik Anwendung findet, umfasst. Die Beschichtung kann beispielsweise ein Fotolack sein, welcher in einem lithografischen Verfahren belichtet wurde. Die belichteten Bereiche der Beschichtung können durch die Entwicklerflüssigkeit, im Folgenden als Entwickler bezeichnet, ausgelöst werden, wodurch sich in der Beschichtung eine Struktur ausbilden kann. In particular, the spray unit can be set up to apply a fluid which comprises a developer liquid for a light-sensitive coating, such as is used in particular in semiconductor technology. The coating can be, for example, a photoresist that has been exposed in a lithographic process. The exposed areas of the coating can be triggered by the developer liquid, hereinafter referred to as developer, whereby a structure can form in the coating.

Weiterhin können die drei Freiheitsgrade als ein Translationsfreiheitsgrad und zwei Rotationsfreiheitsgrade oder als drei Rotationsfreiheitsgrade ausgebildet sein. In einer Ausführungsform kann das Sprüharray, im Folgenden als Array bezeichnet, entweder durch eine Translation senkrecht zur Längsachse des Arrays oder eine Rotation um seine Mittenachse die Substratoberfläche vollständig besprühen. Die zwei weiteren Rotationsfreiheitsgrade können die Sprührichtung der Düsen bestimmen. Die Sprührichtung der Düse kann beispielsweise derart eingestellt werden, dass eine gleichmäßige Benetzung der Substratoberfläche ohne die Ausbildung von Fluidansammlungen auf Grund der unebenen Oberflächen positiv unterstützt wird, wodurch eine gleichmäßige Entwicklungsrate sichergestellt werden kann. Die Entwicklungsrate ist die Rate, mit welcher die Beschichtung durch den Entwickler pro Fläche und Zeit ausgelöst wird. Die Düsen können dabei derart ausgerichtet sein, dass sie den Entwickler vor sich hertreiben und kein überschüssiger Entwickler auf der Substratoberfläche zurückbleibt, also eine gleichmäßige Benetzung bewirkt wird. Furthermore, the three degrees of freedom can be designed as one translational degree of freedom and two rotational degrees of freedom or as three rotational degrees of freedom. In one embodiment, the spray array, hereinafter referred to as an array, can completely spray the substrate surface either by translation perpendicular to the longitudinal axis of the array or by rotation about its central axis. The two additional rotational degrees of freedom can determine the spray direction of the nozzles. The spray direction of the nozzle can, for example, be adjusted in such a way that uniform wetting of the substrate surface is positively supported without the formation of fluid accumulations due to the uneven surfaces, whereby a uniform development rate can be ensured. The development rate is the rate at which the coating is triggered by the developer per area and time. The nozzles can be aligned in such a way that they drive the developer in front of them and no excess developer remains on the substrate surface, i.e. uniform wetting is achieved.

Insbesondere kann die Düse der mindestens einen Sprüheinheit und die Substratoberfläche relativ zueinander in sechs Freiheitsgraden bewegbar sein. Dies hat den Vorteil, dass die Sprührichtung der Düse zu jedem Bereich der Substratoberfläche senkrecht oder in jedem anderen Winkel ausgerichtet werden kann. Weiterhin kann der Abstand der Düse zur Substratoberfläche eingestellt werden. Dadurch kann eine gleichmäßige Aufbringung des Fluids auf die Substratoberfläche sichergestellt werden. In particular, the nozzle of the at least one spray unit and the substrate surface can be movable relative to one another in six degrees of freedom. This has the Advantage that the spray direction of the nozzle can be directed perpendicular to any area of the substrate surface or at any other angle. Furthermore, the distance between the nozzle and the substrate surface can be adjusted. This ensures that the fluid is applied evenly to the substrate surface.

Weiterhin kann die Düse der Sprüheinheit austauschbar ausgebildet sein. Die Düse erzeugt in Abhängigkeit des Drucks, des Durchsatzes und der Viskosität eines zum Aufbringen auf die Substratoberfläche verwendeten Fluids ein vorbestimmtes Sprühbild. Alternativ kann die Düse auch einstellbar ausgebildet sein, so dass bestimmte Parameter, wie beispielsweise der Durchmesser des Düsenaustritts oder das Sprühbild, ohne ein Austausch der Düse eingestellt werden können. Furthermore, the nozzle of the spray unit can be designed to be interchangeable. The nozzle produces a predetermined spray pattern depending on the pressure, flow rate and viscosity of a fluid used to apply to the substrate surface. Alternatively, the nozzle can also be designed to be adjustable, so that certain parameters, such as the diameter of the nozzle outlet or the spray pattern, can be adjusted without replacing the nozzle.

In einem weiteren Ausführungsbeispiel kann die Vorrichtung eine Steuerungseinheit zur Ansteuerung des Sprüharrays umfassen. Die Steuerungseinheit kann neben der Ansteuerung des Sprüharrays und der Sprüheinheiten auch noch andere in der Anmeldung nicht näher beschriebene Parameter der Vorrichtung, wie beispielsweise die Umgebungsbedingungen in der Vorrichtung oder ein automatisiertes Handlingssystem zum Zuführen und Herausnehmen der Komponente in die Vorrichtung, ansteuern. Die Steuerungseinheit kann, wie weiter unten noch im Detail beschrieben wird, die Relativbewegung der Sprüheinheit zur Substratoberfläche, das Sprühbild und die Zusammensetzung des für das Entwickeln der Beschichtung verwendeten Fluids bestimmen und steuern. In a further exemplary embodiment, the device can comprise a control unit for controlling the spray array. In addition to controlling the spray array and the spray units, the control unit can also control other parameters of the device that are not described in detail in the application, such as the environmental conditions in the device or an automated handling system for feeding and removing the component into the device. As will be described in detail below, the control unit can determine and control the relative movement of the spray unit to the substrate surface, the spray pattern and the composition of the fluid used to develop the coating.

Weiterhin kann eine Sprührichtung der Düse in unterschiedlichen Winkeln zur Wirkrichtung der Gravitationskraft ausrichtbar sein. Dadurch kann das Substrat beispielsweise über Kopf angeordnet werden, so dass die Sprührichtung überwiegend entgegen der Wirkrichtung der Gravitationskraft nach oben gerichtet ist. Dadurch kann beispielsweise ein Tropfen der Düse auf die Substratoberfläche vorteilhaft vermieden werden. Ein weiterer Vorteil der über Kopf Anordnung der Substratoberfläche ist eine Reduzierung der Kontamination der Substratoberfläche auf Grund von der Gravitation folgenden Partikeln. Die Verkippung der Substratoberfläche gegenüber der Wirkrichtung der Gravitationskraft kann generell den Vorteil haben, dass dadurch weitere Parameter zur Optimierung des Fließverhaltens des aufgesprühten Fluids und des Sprühbilds zur Verfügung stehen. Insbesondere kann dadurch die Bildung von Fluidansammlungen vorteilhaft vermieden werden. Furthermore, a spray direction of the nozzle can be aligned at different angles to the effective direction of the gravitational force. This allows the substrate to be arranged overhead, for example, so that the spray direction is predominantly directed upwards, counter to the effective direction of the gravitational force. This can advantageously prevent the nozzle from dripping onto the substrate surface, for example. Another advantage of arranging the substrate surface upside down is a reduction in contamination of the substrate surface due to particles following gravity. Tilting the substrate surface relative to the effective direction of the gravitational force can generally have the advantage that additional parameters can be used to optimize the flow behavior of the sprayed fluid and the spray pattern are available. In particular, the formation of fluid accumulations can be advantageously avoided.

In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung kann das Sprüharray mindestens einen Sensor zur Erfassung der Topografie der zu besprühenden Substratoberfläche aufweisen. Die vom Sensor erfasste Topografie kann von der Steuerungseinheit mit einer vorbestimmten Topografie verglichen werden, wodurch globale und insbesondere lokale Unterschiede beim Fortschritt der Entwicklung, also des Auslösens der belichteten Beschichtung, erkannt werden. Der Sensor kann dabei derart angeordnet sein, dass die Topografie des noch zu besprühenden Bereichs des Substrats erfasst wird. Dadurch können die lokalen Abweichungen der Oberfläche des Substrats durch die Anpassung des Sprühbildes der einzelnen Düsen direkt korrigiert werden, wodurch eine gleichmäßige Benetzung und dadurch eine gleichmäßige Entwicklung über das gesamte Substrat vorteilhaft sichergestellt werden kann. In a further embodiment of the invention, the spray array can have at least one sensor for detecting the topography of the substrate surface to be sprayed. The topography recorded by the sensor can be compared by the control unit with a predetermined topography, whereby global and in particular local differences in the progress of development, i.e. the triggering of the exposed coating, are recognized. The sensor can be arranged in such a way that the topography of the area of the substrate that is still to be sprayed is recorded. As a result, the local deviations of the surface of the substrate can be corrected directly by adjusting the spray pattern of the individual nozzles, whereby uniform wetting and thus uniform development over the entire substrate can advantageously be ensured.

Daneben kann das Sprüharray mindestens einen Sensor zur Erfassung mindestens eines Teils eines Sprühbildes der Düse aufweisen. Die Kontrolle des Sprühbildes kann zur Regelung desselben verwendet werden, wodurch eine weitere Verbesserung der gleichmäßigen Entwicklungsrate über die gesamte Substratfläche positiv unterstützt wird. In addition, the spray array can have at least one sensor for detecting at least part of a spray pattern of the nozzle. Controlling the spray pattern can be used to regulate it, thereby positively supporting a further improvement in the uniform development rate across the entire substrate surface.

Weiterhin kann das Sprüharray mindestens einen Sensor zur Erfassung der Topografie der besprühten Beschichtungsoberfläche aufweisen. Dieser kann einerseits direkt den Fortschritt des Entwicklungsprozesses erfassen und andererseits auch eine mögliche Ansammlung von Entwickler auf der Substratoberfläche detektieren. In beiden Fällen kann die Steuerungseinheit auf Basis der erfassten Signale Korrekturen an den Parametern zur Ansteuerung des Sprüharrays, der Sprüheinheiten und der Düsen vornehmen oder Maßnahmen zur Beseitigung der Fluidansammlungen einleiten. Die Maßnahmen können von der Ausgabe eines Hinweises an den Bediener über eine Fehlermeldung bis hin zum Abbruch des Verfahrens reichen. Alternativ kann auch eine Vorrichtung zur Entfernung von Fluidansammlungen, beispielsweise durch Absaugen oder Abblasen, aktiviert werden. In einer vorteilhaften Variante der Erfindung können mindestens zwei Gruppen von Sprüheinheiten vorhanden sein, wobei eine erste Gruppe von Sprüheinheiten mit einem ersten Strang zur Zuführung eines ersten Fluides und eine zweite Gruppe von Sprüheinheiten mit einem zweiten Strang zur Zuführung eines zweiten Fluides verbunden ist. Furthermore, the spray array can have at least one sensor for detecting the topography of the sprayed coating surface. On the one hand, this can directly record the progress of the development process and, on the other hand, it can also detect a possible accumulation of developer on the substrate surface. In both cases, the control unit can make corrections to the parameters for controlling the spray array, the spray units and the nozzles or initiate measures to eliminate the fluid accumulations based on the detected signals. The measures can range from issuing a message to the operator to an error message or even terminating the procedure. Alternatively, a device for removing fluid accumulations, for example by suction or blowing off, can also be activated. In an advantageous variant of the invention, at least two groups of spray units can be present, with a first group of spray units being connected to a first strand for supplying a first fluid and a second group of spray units being connected to a second strand for supplying a second fluid.

Dadurch wird es möglich, unterschiedlichen Bereichen der behandelten Oberfläche unterschiedliche Fluide, beispielsweise Entwicklerflüssigkeiten unterschiedlicher Konzentrationen, zuzuführen. This makes it possible to supply different fluids, for example developer liquids of different concentrations, to different areas of the treated surface.

So kann die erste Gruppe von Sprüheinheiten beispielsweise in einem zentralen Bereich des Sprüharrays angeordnet sein. Auf diese Weise kann beispielsweise ein korrespondierender zentraler Bereich eines optischen Elementes mit Entwicklerflüssigkeit geringerer Konzentration beaufschlagt werden, wohingegen steilere Randbereiche, aus welchen die Entwicklerflüssigkeit aufgrund der Gravitationswirkung schneller abfließt, mit Entwicklerflüssigkeit stärkerer Konzentration versehen werden.For example, the first group of spray units can be arranged in a central area of the spray array. In this way, for example, a corresponding central area of an optical element can be supplied with developer liquid of a lower concentration, whereas steeper edge areas, from which the developer liquid flows away more quickly due to the gravitational effect, are provided with developer liquid of a higher concentration.

Zusätzlich oder alternativ kann eine Ventileinheit vorhanden sein, welche dazu eingerichtet ist, mindestens einen Teil der Sprüheinheiten, insbesondere auch nacheinander, mit unterschiedlichen Fluiden zu beaufschlagen. Additionally or alternatively, a valve unit can be present, which is designed to apply different fluids to at least some of the spray units, in particular one after the other.

Bei einem erfindungsgemäßen Verfahren zum Aufbringen eines Fluids, insbesondere einer Entwicklerflüssigkeit, zur Entwicklung einer Beschichtung auf mindestens einer Oberfläche eines Substrats, wird ein Sprüharray mit mindestens zwei Sprüheinheiten zum Aufbringen des Fluids und eine Steuerungseinheit zum Ansteuern des Sprühar- rays verwendet. Das Verfahren zeichnet sich dadurch aus, dass eine Düse der mindestens einen Sprüheinheit und die Substratoberfläche der Komponente während des Aufbringens des Fluids in mindestens drei Freiheitsgraden relativ zueinander bewegt werden. Dies hat den Vorteil, wie bereits weiter oben erläutert, dass neben der Benetzung der gesamten Substratoberfläche mit Entwickler auch die Sprührichtung der Düsen der Sprüheinheit in einem beliebigen Winkel zur Substratoberfläche eingestellt werden kann. Dadurch kann die Einstellung einer gleichmäßigen Benetzung und dadurch einer gleichmäßigen Entwicklungsrate über die gesamte Substratoberfläche hinweg positiv beeinflusst werden. Weiterhin kann die Steuerungseinheit auf Basis von vorbestimmten Anforderungen an eine Entwicklungsrate und/oder auf Basis einer Topografie der Substratoberfläche ein Steuerprogramm für die Düse der mindestens einen Sprüheinheit relativ zur Substratoberfläche bestimmen. In a method according to the invention for applying a fluid, in particular a developer liquid, for developing a coating on at least one surface of a substrate, a spray array with at least two spray units for applying the fluid and a control unit for controlling the spray array is used. The method is characterized in that a nozzle of the at least one spray unit and the substrate surface of the component are moved relative to one another in at least three degrees of freedom during the application of the fluid. This has the advantage, as already explained above, that in addition to wetting the entire substrate surface with developer, the spray direction of the nozzles of the spray unit can also be set at any angle to the substrate surface. This can positively influence the setting of uniform wetting and thus a uniform development rate across the entire substrate surface. Furthermore, the control unit can determine a control program for the nozzle of the at least one spray unit relative to the substrate surface based on predetermined requirements for a development rate and/or based on a topography of the substrate surface.

Insbesondere kann das Steuerprogramm dabei den Abstand zwischen der Düse der Sprüheinheit und der Substratoberfläche und/oder die Relativgeschwindigkeit zwischen der Düse und der Substratoberfläche und/oder den Winkel zwischen der Sprührichtung der Düse und dem besprühten Substratoberflächenbereich und/oder den von der Düse zurückgelegten Weg über die Substratoberfläche während des Aufbringens des Fluids umfassen. Durch eine vorbestimmte Bahnkurve, die mit Hilfe der Steuerungseinheit abgefahren werden kann, wird in Verbindung mit dem Steuerprogramm vorteilhafterweise eine gleichmäßige Benetzung der Beschichtung mit dem Fluid und eine daraus resultierende gleichmäßige Entwicklungsrate auf der Beschichtung sichergestellt. In particular, the control program can determine the distance between the nozzle of the spray unit and the substrate surface and/or the relative speed between the nozzle and the substrate surface and/or the angle between the spray direction of the nozzle and the sprayed substrate surface area and/or the path traveled by the nozzle include the substrate surface during application of the fluid. A predetermined trajectory, which can be traversed with the help of the control unit, in conjunction with the control program, advantageously ensures uniform wetting of the coating with the fluid and a resulting uniform development rate on the coating.

Weiterhin kann die Steuerungseinheit auf Basis von vorbestimmten Anforderungen an das aufzubringende Fluid und/oder auf Basis der Topografie der Substratoberfläche ein Sprühbild für das Aufbringen des Fluids auf die Substratoberfläche bestimmen. Das Sprühbild ist dabei die Geometrie des auf die zu besprühende Fläche gerichteten Sprühstrahls und kann sich abhängig von verschiedenen Parametern unterscheiden. Furthermore, the control unit can determine a spray pattern for applying the fluid to the substrate surface based on predetermined requirements for the fluid to be applied and/or based on the topography of the substrate surface. The spray pattern is the geometry of the spray jet directed onto the surface to be sprayed and can differ depending on various parameters.

Insbesondere können die Parameter für die Einstellung des Sprühbildes die Form der Düse und/oder den Druck und/oder den Durchsatz und/oder die Temperatur und/oder die Tröpfchengröße des verwendeten Fluids umfassen. In particular, the parameters for setting the spray pattern can include the shape of the nozzle and/or the pressure and/or the throughput and/or the temperature and/or the droplet size of the fluid used.

Weiterhin kann die Steuerungseinheit auf Basis von vorbestimmten Anforderungen an das aufzubringende Fluid und/oder der Topografie der Substratoberfläche die Zusammensetzung des Fluids bestimmen. Furthermore, the control unit can determine the composition of the fluid based on predetermined requirements for the fluid to be applied and/or the topography of the substrate surface.

Insbesondere kann die Zusammensetzung des zum Entwickeln der Beschichtung verwendeten Fluids das Mischungsverhältnis von Entwickler, Lösungsmittel und/oder anderen Zusatzstoffen umfassen. Im Fall von Fluiden zum Entwickeln eines Fotolacks kann das Fluid beispielsweise Borsäure, Dinatriumsalz, Natriumhydroxid, Dikaliumtetraborat, Kaliumhydroxid, Tetramethylammoniumhydroxid (TMAH), Dinatriummetasilikat, Trinatriumorthophosphat, Natriumsulfit, Natriumkarbonat, Tetramethylammoniumhydroxid oder Kaliumhydroxid aufweisen, und/oder es können weitere Zusatzstoffe, wie beispielsweise gegen Schaumbildung, Anwendung finden. Die Mischungsverhältnisse können dabei in einem weiten Bereich liegen. Das Mischungsverhältnis kann auch Einfluss auf die Benetzung der Substratoberfläche durch das Fluid nehmen, wodurch an Flächen mit einer auf Grund der Ausrichtung zur Gravitation starken Fließkraft die Zusammensetzung des Fluids im Vergleich zu ebenen Flächen eine höhere Viskosität aufweisen kann, also weniger Lösungsmittel, wie beispielsweise Wasser, aufweisen kann. In particular, the composition of the fluid used to develop the coating may include the mixing ratio of developer, solvent and/or other additives. In the case of fluids for developing a photoresist, the fluid may, for example, boric acid, disodium salt, sodium hydroxide, Dipotassium tetraborate, potassium hydroxide, tetramethylammonium hydroxide (TMAH), disodium metasilicate, trisodium orthophosphate, sodium sulfite, sodium carbonate, tetramethylammonium hydroxide or potassium hydroxide, and / or other additives, such as anti-foaming, can be used. The mixing ratios can be in a wide range. The mixing ratio can also influence the wetting of the substrate surface by the fluid, whereby on surfaces with a strong flow force due to the orientation to gravity, the composition of the fluid can have a higher viscosity compared to flat surfaces, i.e. less solvent, such as water , can have.

Weiterhin können die Parameter für die Bahnkurve, für das Sprühbild und/oder die Zusammensetzung des aufzubringenden Fluids während des Aufbringens variiert werden. Die Anpassung an die Topografie der Substratoberfläche führt fast automatisch zu einer Variation der Parameter während des Aufbringens, um eine gleichmäßige Benetzung und Entwicklungsrate zu erreichen, wobei der Vollständigkeit halber auch erwähnt sei, dass alle oder eine Auswahl der Parameter auch konstant gehalten werden können. Durch die Bestimmung aller weiter oben genannten Parameter, insbesondere durch die Relativbewegung der Düse zur Substratoberfläche in bis zu sechs Freiheitsgraden kann die Qualität der zu entwickelnden Struktur, insbesondere durch die gleichmäßige Entwicklungsrate, durch die erfindungsgemäße Vorrichtung und das erfindungsgemäße Verfahren vorteilhaft verbessert werden. Dadurch ist auch eine Entwicklung einer Struktur auf nicht ebenen Substratoberflächen und komplexen Strukturen mit hoher Qualität möglich. Furthermore, the parameters for the trajectory, for the spray pattern and/or the composition of the fluid to be applied can be varied during application. The adaptation to the topography of the substrate surface almost automatically leads to a variation of the parameters during application in order to achieve a uniform wetting and development rate, although for the sake of completeness it should also be mentioned that all or a selection of the parameters can also be kept constant. By determining all the parameters mentioned above, in particular by the relative movement of the nozzle to the substrate surface in up to six degrees of freedom, the quality of the structure to be developed, in particular by the uniform development rate, can be advantageously improved by the device according to the invention and the method according to the invention. This also makes it possible to develop a structure on non-flat substrate surfaces and complex structures with high quality.

Daneben kann die Sprührichtung der Düse einen Winkel zwischen 0° und 180° Grad, bevorzugt zwischen 150° und 180° Grad oder zwischen 45° und 135° Grad zur Wirkrichtung der Gravitationskraft aufweisen. Durch die variable Einstellung der Sprührichtung kann das Substrat beispielsweise über Kopf angeordnet werden, so dass die Sprührichtung überwiegend entgegen der Gravitation nach oben gerichtet ist. Dadurch kann beispielsweise ein Tropfen der Düse auf die Substratoberfläche vorteilhaft vermieden werden. Ein weiterer Vorteil der über Kopf Anordnung der Substratoberfläche ist eine Reduzierung der Kontamination der Substratoberfläche auf Grund von durch die Gravitation bewegten Partikeln. Die Verkippung der Substratoberfläche gegenüber der Wirkrichtung der Gravitationskraft kann generell den Vorteil haben, dass dadurch weitere Parameter zur Optimierung des Fließverhaltens des aufgesprühten Fluids und des Sprühbilds zur Verfügung stehen. In addition, the spray direction of the nozzle can have an angle between 0° and 180° degrees, preferably between 150° and 180° degrees or between 45° and 135° degrees to the effective direction of the gravitational force. By variable adjustment of the spray direction, the substrate can be arranged overhead, for example, so that the spray direction is predominantly directed upwards against gravity. This can advantageously prevent the nozzle from dripping onto the substrate surface, for example. Another advantage of arranging the substrate surface upside down is a reduction in contamination of the substrate surface due to particles moved by gravity. Tilting the substrate surface relative to the effective direction of the gravitational force can generally have the advantage that additional parameters are available for optimizing the flow behavior of the sprayed fluid and the spray pattern.

Eine differenzierte Behandlung der jeweiligen Oberfläche kann dadurch erreicht werden, dass mindestens einer ersten Gruppe von Sprüheinheiten ein erstes Fluid zugeführt wird, wobei einer zweiten Gruppe von Sprüheinheiten ein zweites Fluid zugeführt wird, und wobei sich das erste und das zweite Fluid unterscheiden. A differentiated treatment of the respective surface can be achieved by supplying a first fluid to at least a first group of spray units, a second fluid being supplied to a second group of spray units, and the first and second fluids being different.

Dabei kann das erste und das zweite Fluid den Sprüheinheiten gleichzeitig zugeführt werden. The first and second fluids can be supplied to the spray units at the same time.

In einer vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung ist die erste Gruppe von Sprüheinheiten in einem zentralen Bereich des Sprüharrays angeordnet. In an advantageous embodiment of the invention, the first group of spray units is arranged in a central area of the spray array.

Weiterhin kann es sich bei dem ersten und dem zweiten Fluid zumindest zeitweise um Entwicklerflüssigkeiten verschiedener Konzentrationen handeln. Diese Variante ist insbesondere dann vorteilhaft, wenn die Entwicklerflüssigkeit aufgrund der Topographie der behandelten Oberfläche in unterschiedlichen Bereichen unterschiedlich schnell abfließt. Furthermore, the first and second fluids can at least temporarily be developer liquids of different concentrations. This variant is particularly advantageous if the developer liquid flows off at different speeds in different areas due to the topography of the treated surface.

Ein gegebenenfalls schneller Stopp des Entwicklungsvorganges kann insbesondere dadurch erreicht werden, wenn es sich bei mindestens einem Fluid zumindest zeitweise um Wasser handelt. If necessary, a quick stop to the development process can be achieved in particular if at least one fluid is water, at least at times.

Weiterhin kann es sich bei mindestens einem Fluid zumindest zeitweise um ein Trockengas handeln. In diesem Zusammenhang seien Stickstoff oder XC DA (extrem reine, trockene Luft) erwähnt. Furthermore, at least one fluid can at least temporarily be a dry gas. Nitrogen or XC DA (extremely pure, dry air) should be mentioned in this context.

Wenn es sich bei mindestens einem Fluid zumindest zeitweise um ein Lösungsmittel für einen Fotolack handelt, kann vor dem Belichtungsvorgang eine gewisse Glättung der Lackoberfläche erzielt werden, wodurch das Belichtungsergebnis positiv beeinflusst wird. Eine erfindungsgemäße Komponente einer Anlage der Halbleitertechnologie mit einer Struktur zeichnet sich dadurch aus, dass die Struktur mittels eines der weiter oben erläuterten Verfahren entwickelt ist. If at least one fluid is at least temporarily a solvent for a photoresist, a certain smoothing of the resist surface can be achieved before the exposure process, which has a positive influence on the exposure result. A component according to the invention of a semiconductor technology system with a structure is characterized in that the structure is developed using one of the methods explained above.

Gemäß einer ersten Ausführungsform ist die Komponente ein Teil einer Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie. According to a first embodiment, the component is part of a projection exposure system for semiconductor lithography.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist die Komponente ein Teil einer Waferinspektionsanlage für die Halbleiterlithographie. According to a further embodiment, the component is part of a wafer inspection system for semiconductor lithography.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist die Komponente ein Teil einer Maskeninspektionsanlage für die Halbleiterlithographie. According to a further embodiment, the component is part of a mask inspection system for semiconductor lithography.

Nachfolgend werden Ausführungsbeispiele und Varianten der Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen Exemplary embodiments and variants of the invention are explained in more detail below with reference to the drawing. Show it

Figur 1 schematisch im Meridionalschnitt eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Projektionslithografie, 1 shows a schematic meridional section of a projection exposure system for EUV projection lithography,

Figur 2 schematisch im Meridionalschnitt eine Projektionsbelichtungsanlage für die DUV-Projektionslithografie, 2 shows a schematic meridional section of a projection exposure system for DUV projection lithography,

Figur 3 eine Ausführungsform der Erfindung, Figure 3 shows an embodiment of the invention,

Figur 4 eine Detailansicht der Erfindung, und Figure 4 is a detailed view of the invention, and

Figur 5 eine Variante der Erfindung Figure 5 shows a variant of the invention

Im Folgenden werden zunächst unter Bezugnahme auf die Figur 1 exemplarisch die wesentlichen Bestandteile einer Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikrolithografie beschrieben. Die Beschreibung des grundsätzlichen Aufbaus der Projektionsbelichtungsanlage 1 sowie deren Bestandteile sind hierbei nicht einschränkend verstanden. Below, the essential components of a projection exposure system 1 for microlithography will first be described as an example with reference to FIG. The description of the basic structure of the projection exposure system 1 and its components are not intended to be restrictive.

Eine Ausführung eines Beleuchtungssystems 2 der Projektionsbelichtungsanlage 1 hat neben einer Strahlungsquelle 3 eine Beleuchtungsoptik 4 zur Beleuchtung eines Objektfeldes 5 in einer Objektebene 6. Bei einer alternativen Ausführung kann die Lichtquelle 3 auch als ein zum sonstigen Beleuchtungssystem separates Modul bereitgestellt sein. In diesem Fall umfasst das Beleuchtungssystem die Lichtquelle 3 nicht. One embodiment of an illumination system 2 of the projection exposure system 1 has, in addition to a radiation source 3, illumination optics 4 for illuminating an object field 5 in an object plane 6. In an alternative embodiment, the Light source 3 can also be provided as a module separate from the other lighting system. In this case, the lighting system does not include the light source 3.

Beleuchtet wird ein im Objektfeld 5 angeordnetes Retikel 7. Das Retikel 7 ist von einem Retikelhalter 8 gehalten. Der Retikelhalter 8 ist über einen Retikelverlage- rungsantrieb 9 insbesondere in einer Scanrichtung verlagerbar. A reticle 7 arranged in the object field 5 is illuminated. The reticle 7 is held by a reticle holder 8. The reticle holder 8 can be displaced in particular in a scanning direction via a reticle displacement drive 9.

In der Figur 1 ist zur Erläuterung ein kartesisches xyz-Koordinatensystem eingezeichnet. Die x-Richtung verläuft senkrecht zur Zeichenebene hinein. Die y-Richtung verläuft horizontal und die z-Richtung verläuft vertikal. Die Scanrichtung verläuft in der Fig. 1 längs der y-Richtung. Die z-Richtung verläuft senkrecht zur Objektebene 6. A Cartesian xyz coordinate system is shown in FIG. 1 for explanation purposes. The x direction runs perpendicular to the drawing plane. The y-direction is horizontal and the z-direction is vertical. The scanning direction in FIG. 1 runs along the y-direction. The z direction runs perpendicular to the object plane 6.

Die Projektionsbelichtungsanlage 1 umfasst eine Projektionsoptik 10. Die Projektionsoptik 10 dient zur Abbildung des Objektfeldes 5 in ein Bildfeld 11 in einer Bildebene 12. Die Bildebene 12 verläuft parallel zur Objektebene 6. Alternativ ist auch ein von 0° verschiedener Winkel zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 12 möglich. The projection exposure system 1 includes projection optics 10. The projection optics 10 is used to image the object field 5 into an image field 11 in an image plane 12. The image plane 12 runs parallel to the object plane 6. Alternatively, an angle other than 0 ° is also between the object plane 6 and the Image level 12 possible.

Abgebildet wird eine Struktur auf dem Retikel 7 auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 11 in der Bildebene 12 angeordneten Wafers 13. Der Wafer 13 wird von einem Waferhalter 14 gehalten. Der Waferhalter 14 ist über einen Waferverlagerungsantrieb 15 insbesondere längs der y-Richtung verlagerbar. Die Verlagerung einerseits des Retikels 7 über den Retikelverlagerungsantrieb 9 und andererseits des Wafers 13 über den Waferverlagerungsantrieb 15 kann synchronisiert zueinander erfolgen. A structure on the reticle 7 is imaged on a light-sensitive layer of a wafer 13 arranged in the area of the image field 11 in the image plane 12. The wafer 13 is held by a wafer holder 14. The wafer holder 14 can be displaced in particular along the y direction via a wafer displacement drive 15. The displacement, on the one hand, of the reticle 7 via the reticle displacement drive 9 and, on the other hand, of the wafer 13 via the wafer displacement drive 15 can take place in synchronization with one another.

Bei der Strahlungsquelle 3 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle. Die Strahlungsquelle 3 emittiert insbesondere EUV-Strahlung 16, welche im Folgenden auch als Nutzstrahlung, Beleuchtungsstrahlung oder Beleuchtungslicht bezeichnet wird. Die Nutzstrahlung hat insbesondere eine Wellenlänge im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm. Bei der Strahlungsquelle 3 kann es sich um eine Plasmaquelle handeln, zum Beispiel um eine LPP-Quelle (Laser Produced Plasma, mithilfe eines Lasers erzeugtes Plasma) oder um eine DPP-Quelle (Gas Discharged Produced Plasma, mittels Gasentladung erzeugtes Plasma). Es kann sich auch um eine synchrotronbasierte Strahlungsquelle handeln. Bei der Strahlungsquelle 3 kann es sich um einen Freie-Elektronen-Laser (Free-Electron-Laser, FEL) handeln. The radiation source 3 is an EUV radiation source. The radiation source 3 emits in particular EUV radiation 16, which is also referred to below as useful radiation, illumination radiation or illumination light. The useful radiation in particular has a wavelength in the range between 5 nm and 30 nm. The radiation source 3 can be a plasma source, for example an LPP source (Laser Produced Plasma) or a DPP source. Source (Gas Discharged Produced Plasma, plasma produced by gas discharge). It can also be a act as a synchrotron-based radiation source. The radiation source 3 can be a free electron laser (FEL).

Die Beleuchtungsstrahlung 16, die von der Strahlungsquelle 3 ausgeht, wird von einem Kollektor 17 gebündelt. Bei dem Kollektor 17 kann es sich um einen Kollektor mit einer oder mit mehreren ellipsoidalen und/oder hyperboloiden Reflexionsflächen handeln. Die mindestens eine Reflexionsfläche des Kollektors 17 kann im streifenden Einfall (Grazing Incidence, Gl), also mit Einfallswinkeln größer als 45° gegenüber der Normalenrichtung der Spiegeloberfläche, oder im normalen Einfall (Normal Incidence, NI), also mit Einfallwinkeln kleiner als 45°, mit der Beleuchtungsstrahlung 16 beaufschlagt werden. Der Kollektor 17 kann einerseits zur Optimierung seiner Reflektivität für die Nutzstrahlung und andererseits zur Unterdrückung von Falschlicht strukturiert und/oder beschichtet sein. The illumination radiation 16, which emanates from the radiation source 3, is focused by a collector 17. The collector 17 can be a collector with one or more ellipsoidal and/or hyperboloid reflection surfaces. The at least one reflection surface of the collector 17 can be in grazing incidence (Grazing Incidence, Gl), i.e. with angles of incidence greater than 45° compared to the normal direction of the mirror surface, or in normal incidence (Normal Incidence, NI), i.e. with angles of incidence smaller than 45°. with the lighting radiation 16 are applied. The collector 17 can be structured and/or coated on the one hand to optimize its reflectivity for the useful radiation and on the other hand to suppress false light.

Nach dem Kollektor 17 propagiert die Beleuchtungsstrahlung 16 durch einen Zwischenfokus in einer Zwischenfokusebene 18. Die Zwischenfokusebene 18 kann eine Trennung zwischen einem Strahlungsquellenmodul, aufweisend die Strahlungsquelle 3 und den Kollektor 17, und der Beleuchtungsoptik 4 darstellen. After the collector 17, the illumination radiation 16 propagates through an intermediate focus in an intermediate focus plane 18. The intermediate focus plane 18 can represent a separation between a radiation source module, having the radiation source 3 and the collector 17, and the illumination optics 4.

Die Beleuchtungsoptik 4 umfasst einen Umlenkspiegel 19 und diesem im Strahlengang nachgeordnet einen ersten Facettenspiegel 20. Bei dem Umlenkspiegel 19 kann es sich um einen planen Umlenkspiegel oder alternativ um einen Spiegel mit einer über die reine Umlenkungswirkung hinaus bündelbeeinflussenden Wirkung handeln. Alternativ oder zusätzlich kann der Umlenkspiegel 19 als Spektralfilter ausgeführt sein, der eine Nutzlichtwellenlänge der Beleuchtungsstrahlung 16 von Falschlicht einer hiervon abweichenden Wellenlänge trennt. Sofern der erste Facettenspiegel 20 in einer Ebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet ist, die zur Objektebene 6 als Feldebene optisch konjugiert ist, wird dieser auch als Feldfacettenspiegel bezeichnet. Der erste Facettenspiegel 20 umfasst eine Vielzahl von einzelnen ersten Facetten 21 , welche im Folgenden auch als Feldfacetten bezeichnet werden. Von diesen Facetten 21 sind in der Fig. 1 nur beispielhaft einige dargestellt. Die ersten Facetten 21 können als makroskopische Facetten ausgeführt sein, insbesondere als rechteckige Facetten oder als Facetten mit bogenförmiger oder teilkreisförmiger Randkontur. Die ersten Facetten 21 können als plane Facetten oder alternativ als konvex oder konkav gekrümmte Facetten ausgeführt sein. The lighting optics 4 comprises a deflection mirror 19 and, downstream of it in the beam path, a first facet mirror 20. The deflection mirror 19 can be a flat deflection mirror or alternatively a mirror with an effect that influences the bundle beyond the pure deflection effect. Alternatively or additionally, the deflection mirror 19 can be designed as a spectral filter which separates a useful light wavelength of the illumination radiation 16 from false light of a wavelength that deviates from this. If the first facet mirror 20 is arranged in a plane of the illumination optics 4, which is optically conjugate to the object plane 6 as a field plane, it is also referred to as a field facet mirror. The first facet mirror 20 includes a large number of individual first facets 21, which are also referred to below as field facets. Some of these facets 21 are shown in FIG. 1 only as examples. The first facets 21 can be designed as macroscopic facets, in particular as rectangular facets or as facets with an arcuate or part-circular edge contour. The first facets 21 can be designed as flat facets or alternatively as convex or concave curved facets.

Wie beispielsweise aus der DE 102008 009 600 A1 bekannt ist, können die ersten Facetten 21 selbst jeweils auch aus einer Vielzahl von Einzelspiegeln, insbesondere einer Vielzahl von Mikrospiegeln, zusammengesetzt sein. Der erste Facettenspiegel 20 kann insbesondere als mikroelektromechanisches System (MEMS-System) ausgebildet sein. Für Details wird auf die DE 102008 009 600 A1 verwiesen. As is known, for example, from DE 102008 009 600 A1, the first facets 21 themselves can also each be composed of a large number of individual mirrors, in particular a large number of micromirrors. The first facet mirror 20 can in particular be designed as a microelectromechanical system (MEMS system). For details, please refer to DE 102008 009 600 A1.

Zwischen dem Kollektor 17 und dem Umlenkspiegel 19 verläuft die Beleuchtungsstrahlung 16 horizontal, also längs der y-Richtung. Between the collector 17 and the deflection mirror 19, the illumination radiation 16 runs horizontally, i.e. along the y-direction.

Im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 4 ist dem ersten Facettenspiegel 20 nachgeordnet ein zweiter Facettenspiegel 22. Sofern der zweite Facettenspiegel 22 in einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet ist, wird dieser auch als Pupillenfacettenspiegel bezeichnet. Der zweite Facettenspiegel 22 kann auch beabstandet zu einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet sein. In diesem Fall wird die Kombination aus dem ersten Facettenspiegel 20 und dem zweiten Facettenspiegel 22 auch als spekularer Reflektor bezeichnet. Spekulare Reflektoren sind bekannt aus der US 2006/0132747 A1 , der EP 1 614 008 B1 und der US 6,573,978. A second facet mirror 22 is located downstream of the first facet mirror 20 in the beam path of the illumination optics 4. If the second facet mirror 22 is arranged in a pupil plane of the illumination optics 4, it is also referred to as a pupil facet mirror. The second facet mirror 22 can also be arranged at a distance from a pupil plane of the lighting optics 4. In this case, the combination of the first facet mirror 20 and the second facet mirror 22 is also referred to as a specular reflector. Specular reflectors are known from US 2006/0132747 A1, EP 1 614 008 B1 and US 6,573,978.

Der zweite Facettenspiegel 22 umfasst eine Mehrzahl von zweiten Facetten 23. Die zweiten Facetten 23 werden im Falle eines Pupillenfacettenspiegels auch als Pupillenfacetten bezeichnet. The second facet mirror 22 comprises a plurality of second facets 23. In the case of a pupil facet mirror, the second facets 23 are also referred to as pupil facets.

Bei den zweiten Facetten 23 kann es sich ebenfalls um makroskopische Facetten, die beispielsweise rund, rechteckig oder auch hexagonal berandet sein können, oder alternativ um aus Mikrospiegeln zusammengesetzte Facetten handeln. Diesbezüglich wird ebenfalls auf die DE 102008 009 600 A1 verwiesen. The second facets 23 can also be macroscopic facets, which can have, for example, round, rectangular or even hexagonal edges, or alternatively they can be facets composed of micromirrors. In this regard, reference is also made to DE 102008 009 600 A1.

Die zweiten Facetten 23 können plane oder alternativ konvex oder konkav gekrümmte Reflexionsflächen aufweisen. Die Beleuchtungsoptik 4 bildet somit ein doppelt facettiertes System. Dieses grundlegende Prinzip wird auch als Wabenkondensor (Fly's Eye Integrator) bezeichnet.The second facets 23 can have flat or alternatively convex or concave curved reflection surfaces. The lighting optics 4 thus forms a double faceted system. This basic principle is also known as the honeycomb condenser (fly's eye integrator).

Es kann vorteilhaft sein, den zweiten Facettenspiegel 22 nicht exakt in einer Ebene, welche zu einer Pupillenebene der Projektionsoptik 10 optisch konjugiert ist, anzuordnen. Insbesondere kann der Pupillenfacettenspiegel 22 gegenüber einer Pupillenebene der Projektionsoptik 10 verkippt angeordnet sein, wie es zum Beispiel in der DE 10 2017 220 586 A1 beschrieben ist. It may be advantageous not to arrange the second facet mirror 22 exactly in a plane that is optically conjugate to a pupil plane of the projection optics 10. In particular, the pupil facet mirror 22 can be arranged tilted relative to a pupil plane of the projection optics 10, as described for example in DE 10 2017 220 586 A1.

Mit Hilfe des zweiten Facettenspiegels 22 werden die einzelnen ersten Facetten 21 in das Objektfeld 5 abgebildet. Der zweite Facettenspiegel 22 ist der letzte bündelformende oder auch tatsächlich der letzte Spiegel für die Beleuchtungsstrahlung 16 im Strahlengang vor dem Objektfeld 5. With the help of the second facet mirror 22, the individual first facets 21 are imaged into the object field 5. The second facet mirror 22 is the last beam-forming mirror or actually the last mirror for the illumination radiation 16 in the beam path in front of the object field 5.

Bei einer weiteren, nicht dargestellten Ausführung der Beleuchtungsoptik 4 kann im Strahlengang zwischen dem zweiten Facettenspiegel 22 und dem Objektfeld 5 eine Übertragungsoptik angeordnet sein, die insbesondere zur Abbildung der ersten Facetten 21 in das Objektfeld 5 beiträgt. Die Übertragungsoptik kann genau einen Spiegel, alternativ aber auch zwei oder mehr Spiegel aufweisen, welche hintereinander im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet sind. Die Übertragungsoptik kann insbesondere einen oder zwei Spiegel für senkrechten Einfall (Nl-Spiegel, Normal Incidence Spiegel) und/oder einen oder zwei Spiegel für streifenden Einfall (Gl-Spiegel, Gracing Incidence Spiegel) umfassen. In a further embodiment of the illumination optics 4, not shown, transmission optics can be arranged in the beam path between the second facet mirror 22 and the object field 5, which contributes in particular to the imaging of the first facets 21 into the object field 5. The transmission optics can have exactly one mirror, but alternatively also two or more mirrors, which are arranged one behind the other in the beam path of the lighting optics 4. The transmission optics can in particular comprise one or two mirrors for perpendicular incidence (NL mirror, normal incidence mirror) and/or one or two mirrors for grazing incidence (Gl mirror, gracing incidence mirror).

Die Beleuchtungsoptik 4 hat bei der Ausführung, die in der Fig. 1 gezeigt ist, nach dem Kollektor 17 genau drei Spiegel, nämlich den Umlenkspiegel 19, den Feldfacettenspiegel 20 und den Pupillenfacettenspiegel 22. 1, the lighting optics 4 has exactly three mirrors after the collector 17, namely the deflection mirror 19, the field facet mirror 20 and the pupil facet mirror 22.

Bei einer weiteren Ausführung der Beleuchtungsoptik 4 kann der Umlenkspiegel 19 auch entfallen, so dass die Beleuchtungsoptik 4 nach dem Kollektor 17 dann genau zwei Spiegel aufweisen kann, nämlich den ersten Facettenspiegel 20 und den zweiten Facettenspiegel 22. Die Abbildung der ersten Facetten 21 mittels der zweiten Facetten 23 beziehungsweise mit den zweiten Facetten 23 und einer Übertragungsoptik in die Objektebene 6 ist regelmäßig nur eine näherungsweise Abbildung. In a further embodiment of the lighting optics 4, the deflection mirror 19 can also be omitted, so that the lighting optics 4 can then have exactly two mirrors after the collector 17, namely the first facet mirror 20 and the second facet mirror 22. The imaging of the first facets 21 into the object plane 6 by means of the second facets 23 or with the second facets 23 and a transmission optics is generally only an approximate image.

Die Projektionsoptik 10 umfasst eine Mehrzahl von Spiegeln Mi, welche gemäß ihrer Anordnung im Strahlengang der Projektionsbelichtungsanlage 1 durchnummeriert sind. The projection optics 10 comprises a plurality of mirrors Mi, which are numbered consecutively according to their arrangement in the beam path of the projection exposure system 1.

Bei dem in der Figur 1 dargestellten Beispiel umfasst die Projektionsoptik 10 sechs Spiegel M1 bis M6. Alternativen mit vier, acht, zehn, zwölf oder einer anderen Anzahl an Spiegeln Mi sind ebenso möglich. Der vorletzte Spiegel M5 und der letzte Spiegel M6 haben jeweils eine Durchtrittsöffnung für die Beleuchtungsstrahlung 16. Bei der Projektionsoptik 10 handelt es sich um eine doppelt obskurierte Optik. Die Projektionsoptik 10 hat eine bildseitige numerische Apertur, die größer ist als 0,5 und die auch größer sein kann als 0,6 und die beispielsweise 0,7 oder 0,75 betragen kann.In the example shown in FIG. 1, the projection optics 10 comprises six mirrors M1 to M6. Alternatives with four, eight, ten, twelve or another number of mirrors Mi are also possible. The penultimate mirror M5 and the last mirror M6 each have a passage opening for the illumination radiation 16. The projection optics 10 are double-obscured optics. The projection optics 10 has an image-side numerical aperture that is larger than 0.5 and which can also be larger than 0.6 and which can be, for example, 0.7 or 0.75.

Reflexionsflächen der Spiegel Mi können als Freiformflächen ohne Rotationssymmetrieachse ausgeführt sein. Alternativ können die Reflexionsflächen der Spiegel Mi als asphärische Flächen mit genau einer Rotationssymmetrieachse der Reflexionsflächenform gestaltet sein. Die Spiegel Mi können, genauso wie die Spiegel der Beleuchtungsoptik 4, hoch reflektierende Beschichtungen für die Beleuchtungsstrahlung 16 aufweisen. Diese Beschichtungen können als Multilayer-Beschichtungen, insbesondere mit alternierenden Lagen aus Molybdän und Silizium, gestaltet sein. Reflection surfaces of the mirrors Mi can be designed as free-form surfaces without an axis of rotational symmetry. Alternatively, the reflection surfaces of the mirrors Mi can be designed as aspherical surfaces with exactly one axis of rotational symmetry of the reflection surface shape. The mirrors Mi, just like the mirrors of the lighting optics 4, can have highly reflective coatings for the lighting radiation 16. These coatings can be designed as multilayer coatings, in particular with alternating layers of molybdenum and silicon.

Die Projektionsoptik 10 hat einen großen Objekt-Bildversatz in der y-Richtung zwischen einer y-Koordinate eines Zentrums des Objektfeldes 5 und einer y- Koordinate des Zentrums des Bildfeldes 11 . Dieser Objekt-Bild-Versatz in der y- Richtung kann in etwa so groß sein wie ein z-Abstand zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 12. The projection optics 10 has a large object image offset in the y direction between a y coordinate of a center of the object field 5 and a y coordinate of the center of the image field 11. This object-image offset in the y direction can be approximately as large as a z distance between the object plane 6 and the image plane 12.

Die Projektionsoptik 10 kann insbesondere anamorphotisch ausgebildet sein. Sie weist insbesondere unterschiedliche Abbildungsmaßstäbe ßx, ßy in x- und y- Richtung auf. Die beiden Abbildungsmaßstäbe ßx, ßy der Projektionsoptik 10 liegen bevorzugt bei (ßx, ßy) = (+/- 0,25, +/- 0,125). Ein positiver Abbildungsmaßstab ß bedeutet eine Abbildung ohne Bildumkehr. Ein negatives Vorzeichen für den Abbildungsmaßstab ß bedeutet eine Abbildung mit Bildumkehr. The projection optics 10 can in particular be anamorphic. In particular, it has different imaging scales ßx, ßy in the x and y directions. The two imaging scales ßx, ßy of the projection optics 10 are preferably (ßx, ßy) = (+/- 0.25, +/- 0.125). A positive magnification ß means an image without image reversal. A negative sign for the image scale ß means an image with image reversal.

Die Projektionsoptik 10 führt somit in x-Richtung, das heißt in Richtung senkrecht zur Scanrichtung, zu einer Verkleinerung im Verhältnis 4:1. The projection optics 10 thus leads to a reduction in size in the x direction, that is to say in the direction perpendicular to the scanning direction, in a ratio of 4:1.

Die Projektionsoptik 10 führt in y-Richtung, das heißt in Scanrichtung, zu einer Verkleinerung von 8:1 . The projection optics 10 leads to a reduction of 8:1 in the y direction, that is to say in the scanning direction.

Andere Abbildungsmaßstäbe sind ebenso möglich. Auch vorzeichengleiche und absolut gleiche Abbildungsmaßstäbe in x- und y-Richtung, zum Beispiel mit Absolutwerten von 0,125 oder von 0,25, sind möglich. Other image scales are also possible. Image scales of the same sign and absolutely the same in the x and y directions, for example with absolute values of 0.125 or 0.25, are also possible.

Die Anzahl von Zwischenbildebenen in der x- und in der y-Richtung im Strahlengang zwischen dem Objektfeld 5 und dem Bildfeld 11 kann gleich sein oder kann, je nach Ausführung der Projektionsoptik 10, unterschiedlich sein. Beispiele für Projektionsoptiken mit unterschiedlichen Anzahlen derartiger Zwischenbilder in x- und y-Richtung sind bekannt aus der US 2018/0074303 A1 . The number of intermediate image planes in the x and y directions in the beam path between the object field 5 and the image field 11 can be the same or, depending on the design of the projection optics 10, can be different. Examples of projection optics with different numbers of such intermediate images in the x and y directions are known from US 2018/0074303 A1.

Jeweils eine der Pupillenfacetten 23 ist genau einer der Feldfacetten 21 zur Ausbildung jeweils eines Beleuchtungskanals zur Ausleuchtung des Objektfeldes 5 zugeordnet. Es kann sich hierdurch insbesondere eine Beleuchtung nach dem Köhlerschen Prinzip ergeben. Das Fernfeld wird mit Hilfe der Feldfacetten 21 in eine Vielzahl an Objektfeldern 5 zerlegt. Die Feldfacetten 21 erzeugen eine Mehrzahl von Bildern des Zwischenfokus auf den diesen jeweils zugeordneten Pupillenfacetten 23. One of the pupil facets 23 is assigned to exactly one of the field facets 21 to form an illumination channel for illuminating the object field 5. This can in particular result in lighting based on Köhler's principle. The far field is broken down into a large number of object fields 5 using the field facets 21. The field facets 21 generate a plurality of images of the intermediate focus on the pupil facets 23 assigned to them.

Die Feldfacetten 21 werden jeweils von einer zugeordneten Pupillenfacette 23 einander überlagernd zur Ausleuchtung des Objektfeldes 5 auf das Retikel 7 abgebildet. Die Ausleuchtung des Objektfeldes 5 ist insbesondere möglichst gleichmäßige. Sie weist vorzugsweise einen Uniformitätsfehler von weniger als 2 % auf. Die Felduniformität kann über die Überlagerung unterschiedlicher Beleuchtungskanäle erreicht werden. The field facets 21 are each imaged onto the reticle 7 by an assigned pupil facet 23, superimposed on one another, in order to illuminate the object field 5. The illumination of the object field 5 is in particular as uniform as possible. It preferably has a uniformity error of less than 2%. Field uniformity can be achieved by overlaying different lighting channels.

Durch eine Anordnung der Pupillenfacetten kann geometrisch die Ausleuchtung der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 definiert werden. Durch Auswahl der Beleuchtungskanäle, insbesondere der Teilmenge der Pupillenfacetten, die Licht führen, kann die Intensitätsverteilung in der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 eingestellt werden. Diese Intensitätsverteilung wird auch als Beleuchtungssetting bezeichnet.The illumination of the entrance pupil of the projection optics 10 can be geometrically defined by an arrangement of the pupil facets. By selecting the illumination channels, particularly the subset of pupil facets that carry light, The intensity distribution in the entrance pupil of the projection optics 10 can be adjusted. This intensity distribution is also referred to as the lighting setting.

Eine ebenfalls bevorzugte Pupillenuniformität im Bereich definiert ausgeleuchteter Abschnitte einer Beleuchtungspupille der Beleuchtungsoptik 4 kann durch eine Umverteilung der Beleuchtungskanäle erreicht werden. A likewise preferred pupil uniformity in the area of defined illuminated sections of an illumination pupil of the illumination optics 4 can be achieved by redistributing the illumination channels.

Im Folgenden werden weitere Aspekte und Details der Ausleuchtung des Objektfeldes 5 sowie insbesondere der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 beschrieben.Further aspects and details of the illumination of the object field 5 and in particular the entrance pupil of the projection optics 10 are described below.

Die Projektionsoptik 10 kann insbesondere eine homozentrische Eintrittspupille aufweisen. Diese kann zugänglich sein. Sie kann auch unzugänglich sein. The projection optics 10 can in particular have a homocentric entrance pupil. This can be accessible. It can also be inaccessible.

Die Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 lässt sich regelmäßig mit dem Pupillenfacettenspiegel 22 nicht exakt ausleuchten. Bei einer Abbildung der Projektionsoptik 10, welche das Zentrum des Pupillenfacettenspiegels 22 telezentrisch auf den Wafer 13 abbildet, schneiden sich die Aperturstrahlen oftmals nicht in einem einzigen Punkt. Es lässt sich jedoch eine Fläche finden, in welcher der paarweise bestimmte Abstand der Aperturstrahlen minimal wird. Diese Fläche stellt die Eintrittspupille oder eine zu ihr konjugierte Fläche im Ortsraum dar. Insbesondere zeigt diese Fläche eine endliche Krümmung. The entrance pupil of the projection optics 10 cannot regularly be illuminated precisely with the pupil facet mirror 22. When imaging the projection optics 10, which images the center of the pupil facet mirror 22 telecentrically onto the wafer 13, the aperture rays often do not intersect at a single point. However, an area can be found in which the pairwise distance of the aperture beams becomes minimal. This surface represents the entrance pupil or a surface conjugate to it in local space. In particular, this surface shows a finite curvature.

Es kann sein, dass die Projektionsoptik 10 unterschiedliche Lagen der Eintrittspupille für den tangentialen und für den sagittalen Strahlengang aufweist. In diesem Fall sollte ein abbildendes Element, insbesondere ein optisches Bauelement der Übertragungsoptik, zwischen dem zweiten Facettenspiegel 22 und dem Retikel 7 bereitgestellt werden. Mit Hilfe dieses optischen Elements kann die unterschiedliche Lage der tangentialen E intrittspupille und der sagittalen E intrittspupi Ile berücksichtigt werden.It may be that the projection optics have 10 different positions of the entrance pupil for the tangential and sagittal beam paths. In this case, an imaging element, in particular an optical component of the transmission optics, should be provided between the second facet mirror 22 and the reticle 7. With the help of this optical element, the different positions of the tangential entrance pupil and the sagittal entrance pupil can be taken into account.

Bei der in der Figur 1 dargestellten Anordnung der Komponenten der Beleuchtungsoptik 4 ist der Pupillenfacettenspiegel 22 in einer zur E intrittspupi Ile der Projektionsoptik 10 konjugierten Fläche angeordnet. Der Feldfacettenspiegel 20 ist verkippt zur Objektebene 6 angeordnet. Der erste Facettenspiegel 20 ist verkippt zu einer Anordnungsebene angeordnet, die vom Umlenkspiegel 19 definiert ist. Der erste Facettenspiegel 20 ist verkippt zu einer Anordnungsebene angeordnet, die vom zweiten Facettenspiegel 22 definiert ist. In the arrangement of the components of the illumination optics 4 shown in FIG. 1, the pupil facet mirror 22 is arranged in a surface conjugate to the entrance pupil of the projection optics 10. The field facet mirror 20 is tilted relative to the object plane 6. The first facet mirror 20 is arranged tilted to an arrangement plane that is defined by the deflection mirror 19. The first facet mirror 20 is arranged tilted to an arrangement plane that is defined by the second facet mirror 22.

In Figur 2 zeigt schematisch im Meridionalschnitt eine weitere Projektionsbelichtungsanlage 101 für die DUV-Projektionslithografie, in welcher die Erfindung ebenfalls zur Anwendung kommen kann. 2 shows a schematic meridional section of another projection exposure system 101 for DUV projection lithography, in which the invention can also be used.

Der Aufbau der Projektionsbelichtungsanlage 101 und das Prinzip der Abbildung ist vergleichbar mit dem in Figur 1 beschriebenen Aufbau und Vorgehen. Gleiche Bauteile sind mit einem um 100 gegenüber Figur 1 erhöhten Bezugszeichen bezeichnet, die Bezugszeichen in Figur 2 beginnen also mit 101. The structure of the projection exposure system 101 and the principle of the imaging is comparable to the structure and procedure described in Figure 1. The same components are designated with a reference number increased by 100 compared to Figure 1, so the reference numbers in Figure 2 begin with 101.

Im Unterschied zu einer wie in Figur 1 beschriebenen EUV-Projektionsbelichtungs- anlage 1 können auf Grund der größeren Wellenlänge der als Nutzlicht verwendeten DUV-Strahlung 116 im Bereich von 100 nm bis 300 nm, insbesondere von 193 nm, in der DUV-Projektionsbelichtungsanlage 101 zur Abbildung beziehungsweise zur Beleuchtung refraktive, diffraktive und/oder reflexive optische Elementen 117, wie beispielsweise Linsen, Spiegeln, Prismen, Abschlussplatten und dergleichen verwendet werden. Die Projektionsbelichtungsanlage 101 umfasst dabei im Wesentlichen ein Beleuchtungssystem 102, einen Retikelhalter 108 zur Aufnahme und exakten Positionierung eines mit einer Struktur versehenen Retikels 107, durch welches die späteren Strukturen auf einem Wafer 113 bestimmt werden, einen Waferhalter 114 zur Halterung, Bewegung und exakten Positionierung eben dieses Wafers 113 und einem Projektionsobjektiv 110, mit mehreren optischen Elementen 117, die über Fassungen 118 in einem Objektivgehäuse 119 des Projektionsobjektives 110 gehalten sind. In contrast to an EUV projection exposure system 1 as described in FIG Imaging or for lighting refractive, diffractive and / or reflective optical elements 117, such as lenses, mirrors, prisms, end plates and the like are used. The projection exposure system 101 essentially comprises an illumination system 102, a reticle holder 108 for holding and precisely positioning a reticle 107 provided with a structure, through which the later structures on a wafer 113 are determined, and a wafer holder 114 for holding, moving and precisely positioning this wafer 113 and a projection lens 110, with a plurality of optical elements 117, which are held via mounts 118 in a lens housing 119 of the projection lens 110.

Das Beleuchtungssystem 102 stellt eine für die Abbildung des Retikels 107 auf dem Wafer 113 benötigte DUV-Strahlung 116 bereit. Als Quelle für diese Strahlung 116 kann ein Laser, eine Plasmaquelle oder dergleichen Verwendung finden. Die Strahlung 116 wird in dem Beleuchtungssystem 102 über optische Elemente derart geformt, dass die DUV-Strahlung 116 beim Auftreffen auf das Retikel 107 die gewünschten Eigenschaften hinsichtlich Durchmesser, Polarisation, Form der Wellenfront und dergleichen aufweist. Der Aufbau der nachfolgenden Projektionsoptik 110 mit dem Objektivgehäuse 119 unterscheidet sich außer durch den zusätzlichen Einsatz von refraktiven optischen Elementen 117 wie Linsen, Prismen, Abschlussplatten prinzipiell nicht von dem in Figur 1 beschriebenen Aufbau und wird daher nicht weiter beschrieben. The illumination system 102 provides DUV radiation 116 required for imaging the reticle 107 on the wafer 113. A laser, a plasma source or the like can be used as the source for this radiation 116. The radiation 116 is shaped in the illumination system 102 via optical elements in such a way that the DUV radiation 116 has the desired properties in terms of diameter, polarization, shape of the wavefront and the like when it hits the reticle 107. The structure of the subsequent projection optics 110 with the lens housing 119 does not differ in principle from the structure described in Figure 1 except for the additional use of refractive optical elements 117 such as lenses, prisms, end plates and is therefore not described further.

Figur 3 zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel einer Vorrichtung 30 zum Aufbringen eines als Entwicklerflüssigkeit 38 ausgebildeten Fluids auf eine Substratoberfläche 32 eines Substrats 31 einer Komponente 50. Die Komponente 50 kann als ein optisches Element einer in der Figur 1 und in der Figur 2 erläuterten Projektionsbelichtungsanlagen ausgebildet sein. Die Substratoberfläche 32 ist mit einer als Fotolack 33, im Folgenden als Lack 33 bezeichnet, ausgebildeten Beschichtung beschichtet, wobei der Lack 33 durch einen lithografischen Prozess belichtet wurde. 3 shows a first exemplary embodiment of a device 30 for applying a fluid designed as a developer liquid 38 to a substrate surface 32 of a substrate 31 of a component 50. The component 50 can be designed as an optical element of a projection exposure system explained in FIG. 1 and in FIG. 2 . The substrate surface 32 is coated with a coating designed as photoresist 33, hereinafter referred to as resist 33, the resist 33 being exposed by a lithographic process.

Die Substratoberfläche 32 ist konvex ausgebildet und weist darüber hinaus noch nicht dargestellte von der sphärischen Form der Substratoberfläche 32 abweichende teilweise mikroskopische Freiformflächen auf. Die belichteten Bereiche des Lacks 33 werden durch die Entwicklerflüssigkeit 38, die im Folgenden als Entwickler 38 bezeichnet wird und beispielsweise Tetramethylammoniumhydroxid oder Kaliumhydroxid aufweist, ausgelöst und bilden dadurch eine Struktur 35 in dem Lack 33 aus. The substrate surface 32 is convex and also has partially microscopic free-form surfaces that deviate from the spherical shape of the substrate surface 32 and are not yet shown. The exposed areas of the lacquer 33 are triggered by the developer liquid 38, which is referred to below as developer 38 and has, for example, tetramethylammonium hydroxide or potassium hydroxide, and thereby form a structure 35 in the lacquer 33.

Der Entwickler 38 wird durch ein Sprüharray 36, welches mehrere Sprüheinheiten 40 mit jeweils einer Düse 42 umfasst, auf die Lackoberfläche 34 aufgebracht. Der Entwickler 38 wird dabei in Richtung der Normalen auf die Substratoberfläche 32, also überwiegend entgegen der Wirkrichtung der Gravitationskraft 39, auf die Lackoberfläche 34 gesprüht. Dies hat den Vorteil, dass der Entwickler 38 in den Freiformflächen, die lokale Vertiefungen in der sonst konvexen Substratoberfläche 32 ausbilden, nicht stehen bleibt und überschüssiger Entwickler 38, der Gravitation 39 folgend, abtropft. Dadurch wird eine gleichmäßige Entwicklungsrate, also ein gleichmäßiges Auslösen der belichteten Bereiche des Lacks 33 pro Fläche und Zeit, realisiert. The developer 38 is applied to the paint surface 34 by a spray array 36, which comprises several spray units 40, each with a nozzle 42. The developer 38 is sprayed onto the paint surface 34 in the direction of the normal to the substrate surface 32, i.e. predominantly against the direction of action of the gravitational force 39. This has the advantage that the developer 38 does not stand still in the free-form surfaces, which form local depressions in the otherwise convex substrate surface 32, and excess developer 38 drips off following the gravity 39. This results in a uniform development rate, i.e. a uniform release of the exposed areas of the lacquer 33 per area and time.

Das Sprüharray 36 umfasst einen Rahmen 37, an welchem die einzelnen Sprüheinheiten 40 angeordnet sind. Der Rahmen 37 weist eine der konvexen Substratoberfläche 32 korrespondierende konkave Form auf. Die Form des Rahmens 37 kann alternativ zu der in der Figur 3 dargestellten festen zu einer bestimmten Substratoberfläche korrespondierenden Ausführungsform auch derart ausgebildet sein, dass sich der Radius zumindest in bestimmten Bereichen einstellen lässt, so dass ein Rahmen 37 an unterschiedliche optische Elemente mit unterschiedlichen Radien angepasst werden kann. The spray array 36 includes a frame 37 on which the individual spray units 40 are arranged. The frame 37 has a concave shape corresponding to the convex substrate surface 32. The shape of the frame 37 can As an alternative to the fixed embodiment shown in Figure 3, which corresponds to a specific substrate surface, it can also be designed in such a way that the radius can be adjusted at least in certain areas, so that a frame 37 can be adapted to different optical elements with different radii.

Die Sprüheinheiten 40 umfassen eine Positioniereinheit 41 und eine austauschbar ausgebildete Düse 42, wobei die Düse 42 durch die Positioniereinheit 41 in sechs Freiheitsgraden relativ zu dem Rahmen 37 bewegt werden kann. Dadurch kann die Sprührichtung 49 der Düse 42 in eine beliebige Richtung ausgerichtet werden und auch der Abstand der Düse 42 zu Lackoberfläche34 verändert werden. Dadurch wird unter anderem auch das Sprühbild 48, also die Geometrie des auf der Substratoberfläche 32 auftreffenden Sprühstrahls, beeinflusst und ermöglicht eine gleichmäßige Entwicklungsrate über die gesamte Lackoberfläche 34. Der Rahmen 37 selbst kann durch eine nicht dargestellte Positioniereinheit ebenfalls in sechs Freiheitsgraden relativ zu der Komponente 50 positioniert werden. Alternativ kann auch die Komponente 50 positionierbar ausgebildet sein oder eine Kombination aus den Freiheitsgraden der Positioniereinheiten 41 des Sprüharrays 36, der Düsen 42 und der Komponente 50 ermöglichen mindestens eine Relativbewegung zwischen den Düsen 42 und der Substratoberfläche 32 in sechs Freiheitsgraden. The spray units 40 include a positioning unit 41 and an interchangeably designed nozzle 42, wherein the nozzle 42 can be moved by the positioning unit 41 in six degrees of freedom relative to the frame 37. As a result, the spray direction 49 of the nozzle 42 can be aligned in any direction and the distance between the nozzle 42 and the paint surface 34 can also be changed. This also influences, among other things, the spray pattern 48, i.e. the geometry of the spray jet striking the substrate surface 32, and enables a uniform development rate over the entire paint surface 34. The frame 37 itself can also be positioned in six degrees of freedom relative to the component using a positioning unit (not shown). 50 can be positioned. Alternatively, the component 50 can also be designed to be positionable or a combination of the degrees of freedom of the positioning units 41 of the spray array 36, the nozzles 42 and the component 50 enable at least one relative movement between the nozzles 42 and the substrate surface 32 in six degrees of freedom.

Figur 4 zeigt eine Detailansicht einer Sprüheinheit 40, welche neben der bereits in der Figur 3 erläuterten Positioniereinheit 41 zusätzlich drei Sensoren 43, 44, 45 aufweist. Der in Bewegungsrichtung des Rahmens 37, welche durch einen Pfeil in der Figur 3 dargestellt ist, erste Sensor 43 ist als Topografiesensor ausgebildet. Der Sensor 43 erfasst die Topografie der Lackoberfläche 34 mit der bereits teilweise ausgebildeten Struktur 35. Die vom Sensor 43 erfasste Oberflächentopografie oder einfach Topografie wird an eine Steuerungseinheit 47 gesendet, welche über eine Leitung 46 mit der Sprüheinheit 40 und dem Sensor 43 verbunden ist. Die Steuerungseinheit 47 bestimmt auf Basis der erfassten Topografie und der vorbestimmten Grundform des Substrats 31 und/oder der Art des verwendeten Lacks 33 und/oder weiterer vorbestimmter Anforderungen ein Steuerprogramm für jede Düse 42 der Sprüheinheiten 40. Das Steuerprogramm Bahnkurve umfasst dabei neben anderen Parametern den Abstand zwischen der Düse 42 des Sprüharrays 36 und der Lackoberfläche 34, die Relativgeschwindigkeit zwischen der Düse 42 und der Lackoberfläche 34, den Winkel zwischen der Sprührichtung 49 der Düsen 42 und dem besprühten Oberflächenbereich und/oder den von den Düsen 42 zurückgelegten Weg über die Substratoberfläche 32 während des Aufbringens des Entwicklers 38. Das Steuerprogramm wird in Steuersignale für die Positioniereinheit 41 der Düse 42 und die nicht dargestellte Positioniereinheit des Rahmens 37 übersetzt. Figure 4 shows a detailed view of a spray unit 40, which, in addition to the positioning unit 41 already explained in Figure 3, also has three sensors 43, 44, 45. The first sensor 43 in the direction of movement of the frame 37, which is shown by an arrow in FIG. 3, is designed as a topography sensor. The sensor 43 detects the topography of the paint surface 34 with the already partially formed structure 35. The surface topography or simply topography detected by the sensor 43 is sent to a control unit 47, which is connected to the spray unit 40 and the sensor 43 via a line 46. The control unit 47 determines a control program for each nozzle 42 of the spray units 40 based on the detected topography and the predetermined basic shape of the substrate 31 and/or the type of paint 33 used and/or other predetermined requirements. The control program includes trajectory curves, among others Parameters include the distance between the nozzle 42 of the spray array 36 and the paint surface 34, the relative speed between the nozzle 42 and the paint surface 34, the angle between the spray direction 49 of the nozzles 42 and the sprayed surface area and/or the path traveled by the nozzles 42 the substrate surface 32 during the application of the developer 38. The control program is translated into control signals for the positioning unit 41 of the nozzle 42 and the positioning unit, not shown, of the frame 37.

Weiterhin werden die für ein Sprühbild 48 der Düse 42 relevanten Parameter, wie beispielsweise die Geometrie des Sprühbildes 48 und/oder die Form der Düse 42 und/oder den Druck und/oder den Durchsatz und/oder die Temperatur und/oder die Tröpfchengröße und/oder die Viskosität des Entwicklers 38, durch die Steuerungseinheit 47 bestimmt. Die Viskosität kann beispielsweise durch ein Mischungsverhältnis eines Entwicklers 38 und eines Verdünners, wie beispielsweise Wasser beeinflusst werden. Das Sprühbild 48 wird durch einen zweiten Sensor 44 erfasst, welcher in Bewegungsrichtung des Sprüharrays 36 hinter der Sprüheinheit 40 angeordnet ist. Die vom Sensor 44 erfassten Signale werden an die Steuerungseinheit 47 übertragen. Diese bestimmt das erfasste Sprühbild 48 und gleicht dieses mit einem vorbestimmten Sprühbild ab und generiert gegebenenfalls Korrekturwerte für die weiter oben erläuterten Parameter zur Einstellung des Sprühbildes 48. Furthermore, the parameters relevant to a spray pattern 48 of the nozzle 42, such as the geometry of the spray pattern 48 and/or the shape of the nozzle 42 and/or the pressure and/or the throughput and/or the temperature and/or the droplet size and/or or the viscosity of the developer 38, determined by the control unit 47. The viscosity can be influenced, for example, by a mixing ratio of a developer 38 and a thinner, such as water. The spray pattern 48 is detected by a second sensor 44, which is arranged behind the spray unit 40 in the direction of movement of the spray array 36. The signals detected by the sensor 44 are transmitted to the control unit 47. This determines the detected spray pattern 48 and compares it with a predetermined spray pattern and, if necessary, generates correction values for the parameters explained above for setting the spray pattern 48.

Ein zweiter wiederum nach dem Sprühbildsensor 44 angeordneten Topografiesensor 45 erfasst die nach dem Aufsprühen des Entwicklers 38 entstandene Topografie der Lackoberfläche 34. Die Daten können zur Kontrolle des Entwicklungsfortschrittes verwendet werden und um die tatsächliche Entwicklungsrate mit dem vorbestimmten Wert abzugleichen und im Falle von Abweichungen Korrekturwerte für die entsprechenden Parameter der Bahnkurve und/oder des Sprühbildes 48 zu bestimmen. Während der erste Topografiesensor 43 als Input für eine Vorsteuerung der Vorrichtung 30 dient, wird der Sensor 44 zur Sprühbilderfassung und der zweite Topografiesensor 45 zur Regelung der Entwicklungsrate verwendet. Die Sensoren 43, 44, 45 sind optional und dienen einer in situ Überwachung des Prozesses und einer Vorsteuerung und/oder Regelung der Entwicklungsrate. Alternativ kann auch nur einer oder zwei der Sensoren 43, 44, 45 Anwendung finden. Auch die in der Figur 3 und der Figur 4 erläuterte Ausführungsformen mit der überwiegend gegen die Wirkrichtung der Gravitationskraft 39 ausgerichteten Sprührichtung 49 der Düsen 42 ist für die Funktion der Vorrichtung 30 nicht zwingend. Die Substratoberfläche 32 kann auch in jedem anderen Winkel zur Wirkrichtung der Gravitationskraft 39 ausgebildet sein. A second topography sensor 45, again arranged after the spray image sensor 44, records the topography of the paint surface 34 created after the developer 38 has been sprayed on. The data can be used to control the development progress and to compare the actual development rate with the predetermined value and, in the event of deviations, to provide correction values for to determine the corresponding parameters of the trajectory and/or the spray pattern 48. While the first topography sensor 43 serves as input for a pre-control of the device 30, the sensor 44 is used to capture the spray image and the second topography sensor 45 is used to control the development rate. The sensors 43, 44, 45 are optional and serve to monitor the process in situ and to pre-control and/or regulate the development rate. Alternatively, only one or two of the sensors 43, 44, 45 can be used. Also those in Figure 3 and 4 explained embodiments with the spray direction 49 of the nozzles 42 predominantly aligned against the effective direction of the gravitational force 39 is not mandatory for the function of the device 30. The substrate surface 32 can also be formed at any other angle to the effective direction of the gravitational force 39.

Es ist auch denkbar, zur Vermeidung von ungleichmäßiger Benetzung der Lackoberfläche 34 durch das Bilden von Lachen von überschüssigem Entwickler 38 eine Vorrichtung zur Absaugung oder zum Abziehen der Lackoberfläche 34 zu integrieren, wobei ein mechanischer Kontakt nicht bevorzugt wird. It is also conceivable to integrate a device for suction or for removing the paint surface 34 in order to avoid uneven wetting of the paint surface 34 due to the formation of pools of excess developer 38, with mechanical contact not being preferred.

Figur 5 zeigt ausgehend von Figur 3 eine Variante der Erfindung. In der Figur 5 gezeigte Komponenten, welche den in Figur 3 dargestellten Komponenten entsprechen, sind mit ebenfalls einander entsprechenden Bezugsziffern versehen. Figure 5 shows a variant of the invention based on Figure 3. Components shown in FIG. 5, which correspond to the components shown in FIG. 3, are also provided with corresponding reference numbers.

Die in Figur 5 gezeigte Vorrichtung 30 zeigt eine gegenüber der in Figur 3 dargestellten Vorrichtung erweiterte Funktionalität. The device 30 shown in FIG. 5 shows expanded functionality compared to the device shown in FIG.

In der Figur gezeigt sind zwei Gruppen von Sprüheinheiten 40.1 und 40.2, von denen die erste Gruppe mit den Sprüheinheiten 40.1 in einem zentralen Bereich des Sprüharrays 36 angeordnet sind. Weitere Sprüheinheiten 40.2 befinden sich in einem äußeren Bereich des Sprüharrays 36, so dass die korrespondierenden Bereiche der Substratoberfläche 32 mit unterschiedlichen Fluiden 38.1 und 38.2 beaufschlagt werden können. Die beiden Gruppen von Sprüheinheiten 40.1 und 40.2 sind dabei jeweils über zugehörige Stränge 70.1 und 70.2 von Fluidleitungen mit einem Ventilblock 71 verbunden, welcher seinerseits über in der Figur 5 nicht bezeichnete Fluidleitungen mit Vorratsbehältern 73.1 bis 73.5 für unterschiedliche Fluide in Verbindung steht. Bei den Fluiden kann es sich beispielsweise um Entwicklerflüssigkeiten unterschiedlicher Konzentration, Wasser, insbesondere hochreines Wasser, Lösungsmittel für Fotolacke oder auch um Trocknungsgase wie beispielsweise Stickstoff oder extrem trockene Luft, handeln. Shown in the figure are two groups of spray units 40.1 and 40.2, of which the first group with the spray units 40.1 are arranged in a central area of the spray array 36. Further spray units 40.2 are located in an outer region of the spray array 36, so that the corresponding regions of the substrate surface 32 can be acted upon with different fluids 38.1 and 38.2. The two groups of spray units 40.1 and 40.2 are each connected via associated strands 70.1 and 70.2 of fluid lines to a valve block 71, which in turn is connected to storage containers 73.1 to 73.5 for different fluids via fluid lines not shown in FIG. The fluids can be, for example, developer liquids of different concentrations, water, in particular highly pure water, solvents for photoresists or drying gases such as nitrogen or extremely dry air.

Eine bedarfsgerecht gesteuerte Zuführung der jeweiligen Fluide erfolgt im gezeigten Beispiel mittels einer Steuerungseinheit 72, welche über eine in der Figur nicht bezeichnete Signalleitung mit dem Ventilblock 71 verbunden ist. Die Steuerungsein- heit 72 steuert automatisiert oder auf Basis manueller Eingaben die Zuführung der Fluide zu den jeweiligen Sprüheinheiten 40 1 ,40.2. In the example shown, the respective fluids are supplied as required by means of a control unit 72, which is connected to the valve block 71 via a signal line not shown in the figure. The control settings Unit 72 controls the supply of fluids to the respective spray units 40 1, 40.2, automatically or based on manual input.

Bezugszeichenliste Reference symbol list

1 Projektionsbehchtungsanlage1 projection control system

2 Beleuchtungssystem 2 lighting system

3 Strahlungsquelle 3 radiation source

4 Beleuchtungsoptik 4 lighting optics

5 Objektfeld 5 object field

6 Objektebene 6 object level

7 Retikel 7 reticles

8 Retikelhalter 8 reticle holders

9 Retikelverlagerungsantrieb9 reticle displacement drive

10 Projektionsoptik 10 projection optics

11 Bildfeld 11 image field

12 Bildebene 12 image levels

13 Wafers 13 wafers

14 Waferhalter 14 wafer holders

15 Waferverlagerungsantrieb15 wafer displacement drive

16 EUV-Strahlung 16 EUV radiation

17 Kollektor 17 collector

18 Zwischenfokusebene 18 intermediate focus plane

19 Umlenkspiegel 19 deflection mirrors

20 Facettenspiegel 20 facet mirrors

21 Facetten 21 facets

22 Facettenspiegel 22 facet mirrors

23 Facetten 23 facets

30 Vorrichtung 30 device

31 Substrat 31 substrate

32 Substratoberfläche 32 substrate surface

33 Fotolack 33 photoresist

34 Lackoberfläche Struktur 34 lacquer surface structure

Sprüharray Spray array

Rahmen , 38.1 , 38.2 EntwicklerflüssigkeitFrame, 38.1, 38.2 developer liquid

Wirkrichtung der Gravitationskraft, 40.1 , 40.2 Sprüheinheit Direction of effect of the gravitational force, 40.1, 40.2 spray unit

Positioniereinheit Positioning unit

Düse jet

TopografiesensorTopography sensor

StrahlbildsensorBeam image sensor

Topografiesensor Topography sensor

Leitung Line

Steuerungseinheit Control unit

Sprühbild Spray pattern

Sprührichtung Spray direction

Komponente .1 , 70.2 Strang Component .1, 70.2 strand

Ventilblock Valve block

Steuerungseinheit .x Vorratsbehälter 1 Projektionsbelichtungsanlage 2 Beleuchtungssystem 7 Retikel 8 Retikelhalter 0 Projektionsoptik 3 Wafers 4 Waferhalter 6 DUV-Strahlung 7 optisches Element 8 Fassungen 9 Objektivgehäuse M1-M6 Spiegel Control unit .x storage container 1 projection exposure system 2 lighting system 7 reticle 8 reticle holder 0 projection optics 3 wafers 4 wafer holder 6 DUV radiation 7 optical element 8 mounts 9 lens housing M1-M6 mirrors

Claims

Patentansprüche Vorrichtung (30) zum Aufbringen eines Fluids (38) auf mindestens eine Oberfläche (32) eines Substrats (31 ) einer Komponente (50) einer Anlage der Halbleitertechnologie (1 ,101 ), wobei die Vorrichtung (30) ein Sprüharray (36) mit mindestens zwei Sprüheinheiten (40) zum Aufbringen des Fluids (38) umfasst, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung (30) derart ausgebildet ist, dass eine Düse (42) mindestens einer Sprüheinheit (40) des Sprüharrays (36) und die Substratoberfläche (32) relativ zueinander in mindestens drei Freiheitsgraden bewegbar sind. Vorrichtung (30) nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die Sprüheinheit (40) dazu eingerichtet ist, ein Fluid (38) aufzubringen, welches eine Entwicklerflüssigkeit (38) für eine lichtempfindliche Beschichtung (33) umfasst. Vorrichtung (30) nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die drei Freiheitsgrade als ein Translationsfreiheitsgrad und zwei Rotationsfreiheitsgrade oder als drei Rotationsfreiheitsgrade ausgebildet sind. Vorrichtung (30) nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Düse (42) der mindestens einen Sprüheinheit (40) und die Substratoberfläche (32) relativ zueinander in sechs Freiheitsgraden bewegbar sind. Vorrichtung (30) nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Düse (42) der Sprüheinheit (40) austauschbar ausgebildet ist. Vorrichtung (30) nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung (30) eine Steuerungseinheit (47) zur Ansteuerung des Sprüharrays (36) umfasst. Vorrichtung (30) nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine Sprührichtung (49) der Düse (42) in unterschiedlichen Winkeln zur Wirkrichtung der Gravitationskraft (39) ausrichtbar ist. Vorrichtung (30) nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Sprüharray (36) mindestens einen Sensor (43) zur Erfassung der Topografie der zu besprühenden Beschichtungsoberfläche (34) aufweist. Vorrichtung (30) nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Sprüharray (36) mindestens einen Sensor (44) zur Erfassung mindestens eines Teils eines Sprühbildes (48) der Düse (42) aufweist. orrichtung (30) nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Sprüharray (36) mindestens einen Sensor (45) zur Erfassung der Topografie der besprühten Beschichtungsoberfläche (34) aufweist. orrichtung (30) nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens zwei Gruppen von Sprüheinheiten (40.1 ,40.2) vorhanden sind, wobei eine erste Gruppe (40.1 ) von Sprüheinheiten mit einem ersten StrangClaims Device (30) for applying a fluid (38) to at least one surface (32) of a substrate (31) of a component (50) of a semiconductor technology system (1, 101), the device (30) being a spray array (36) with at least two spray units (40) for applying the fluid (38), characterized in that the device (30) is designed such that a nozzle (42) of at least one spray unit (40) of the spray array (36) and the substrate surface ( 32) can be moved relative to one another in at least three degrees of freedom. Device (30) according to claim 1, characterized in that the spray unit (40) is set up to apply a fluid (38) which comprises a developer liquid (38) for a light-sensitive coating (33). Device (30) according to one of claims 1 or 2, characterized in that the three degrees of freedom are designed as one translational degree of freedom and two rotational degrees of freedom or as three rotational degrees of freedom. Device (30) according to one of the preceding claims, characterized in that the nozzle (42) of the at least one spray unit (40) and the substrate surface (32) can be moved relative to one another in six degrees of freedom. Device (30) according to one of the preceding claims, characterized in that the nozzle (42) of the spray unit (40) is designed to be replaceable. Device (30) according to one of the preceding claims, characterized in that the device (30) comprises a control unit (47) for controlling the spray array (36). Device (30) according to one of the preceding claims, characterized in that a spray direction (49) of the nozzle (42) can be aligned at different angles to the effective direction of the gravitational force (39). Device (30) according to one of the preceding claims, characterized in that the spray array (36) has at least one sensor (43) for detecting the topography of the coating surface (34) to be sprayed. Device (30) according to one of the preceding claims, characterized in that the spray array (36) has at least one sensor (44) for detecting at least part of a spray pattern (48) of the nozzle (42). Device (30) according to one of the preceding claims, characterized in that the spray array (36) has at least one sensor (45) for detecting the topography of the sprayed coating surface (34). Device (30) according to one of the preceding claims, characterized in that at least two groups of spray units (40.1, 40.2) are present, a first group (40.1) of spray units having a first strand

(70.1 ) zur Zuführung eines ersten Fluides (38.1) und eine zweite Gruppe(70.1) for supplying a first fluid (38.1) and a second group

(40.2) von Sprüheinheiten mit einem zweiten Strang (70.2) zur Zuführung eines zweiten Fluides (38.2) verbunden ist. orrichtung (30) nach Anspruch 11 , dadurch gekennzeichnet, dass die erste Gruppe (40.1 ) von Sprüheinheiten in einem zentralen Bereich des Sprüharrays (36) angeordnet ist. orrichtung (30) nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine Ventileinheit (71 ) vorhanden ist, welche dazu eingerichtet ist, mindestens einen Teil der Sprüheinheiten (40.1 ,40.2) mit unterschiedlichen Fluiden (38.1 ,38.2) zu beaufschlagen. erfahren zum Aufbringen eines Fluids (38) zur Entwicklung einer Beschichtung (33) auf mindestens einer Oberfläche (32) eines Substrats (31), wobei ein Sprüharray (36) mit mindestens zwei Sprüheinheiten (40) zum Aufbringen des Fluids (38) und eine Steuerungseinheit (47) zum Ansteuern des Sprüharrays (36) verwendet wird, dadurch gekennzeichnet, dass eine Düse (42) der mindestens einen Sprüheinheit (40) und die Substratoberfläche (32) während dem Aufbringen des Fluids (38) in mindestens drei Freiheitsgraden relativ zueinander bewegt werden. erfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass das Fluid (38) eine Entwicklerflüssigkeit umfasst. erfahren nach einem der Ansprüche 14 oder 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Steuerungseinheit (47) auf Basis von vorbestimmten Anforderungen an eine Entwicklungsrate und/oder auf Basis einer Topografie der Substratoberfläche (32) ein Steuerprogramm für die Düse (42) der mindestens einen Sprüheinheit (40) bestimmt. erfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass das Steuerprogramm den Abstand zwischen der Düse (42) und der Substratoberfläche (32), die Relativgeschwindigkeit zwischen den Düsen (42) und der Substratoberfläche (32), den Winkel zwischen der Sprührichtung (49) der Düse (42) und dem besprühten Substratoberflächenbereich und/oder den von der Düse (42) zurückgelegten Weg über die Substratoberfläche (32) während des Aufbringens des Fluids (38) umfasst. erfahren nach einem der Ansprüche 14 oder 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Steuerungseinheit (47) auf Basis von vorbestimmten Anforderungen an das aufzubringende Fluid (38) und/oder auf Basis einer Topografie der Substratoberfläche (32) ein Sprühbild (48) für das Aufbringen des Fluids (38) auf die Substratoberfläche (32) bestimmt. (40.2) of spray units is connected to a second strand (70.2) for supplying a second fluid (38.2). Device (30) according to claim 11, characterized in that the first group (40.1) of spray units is arranged in a central area of the spray array (36). Device (30) according to one of the preceding claims, characterized in that a valve unit (71) is present, which is set up to supply at least some of the spray units (40.1, 40.2) with different fluids (38.1, 38.2). experienced for applying a fluid (38) to develop a coating (33) on at least one surface (32) of a substrate (31), wherein a spray array (36) with at least two spray units (40) for applying the fluid (38) and one Control unit (47) is used to control the spray array (36), characterized in that a nozzle (42) of the at least one spray unit (40) and the substrate surface (32) during the application of the fluid (38) in at least three degrees of freedom relative to one another be moved. experienced according to claim 14, characterized in that the fluid (38) comprises a developer liquid. experienced according to one of claims 14 or 15, characterized in that the control unit (47) creates a control program for the nozzle (42) of the at least one spray unit based on predetermined requirements for a development rate and / or based on a topography of the substrate surface (32). (40) determined. experienced according to claim 16, characterized in that the control program determines the distance between the nozzle (42) and the substrate surface (32), the relative speed between the nozzles (42) and the substrate surface (32), the angle between the spray direction (49). Nozzle (42) and the sprayed substrate surface area and / or the path traveled by the nozzle (42) over the substrate surface (32) during the application of the fluid (38). experienced according to one of claims 14 or 17, characterized in that the control unit (47) creates a spray pattern (48) for the application based on predetermined requirements for the fluid (38) to be applied and / or based on a topography of the substrate surface (32). of the fluid (38). the substrate surface (32) is determined.

19. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass die Parameter für die Einstellung des Sprühbildes (48) die Form der Düse (42) und/oder den Druck und/oder den Durchsatz und/oder die Temperatur und/oder die Tröpfchengröße des verwendeten Fluids (38) umfassen. 19. The method according to claim 18, characterized in that the parameters for setting the spray pattern (48) are the shape of the nozzle (42) and / or the pressure and / or the throughput and / or the temperature and / or the droplet size of the used Fluids (38) include.

20. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 oder 19, dadurch gekennzeichnet, dass die Steuerungseinheit (47) dazu eingerichtet ist, auf Basis von vorbestimmten Anforderungen an das aufzubringende Fluid (38) und/oder der Topografie der Substratoberfläche (32) die Zusammensetzung des Fluids (38) bestimmen. 20. The method according to one of claims 14 or 19, characterized in that the control unit (47) is set up to determine the composition of the fluid based on predetermined requirements for the fluid (38) to be applied and / or the topography of the substrate surface (32). (38) determine.

21 .Verfahren nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass die Parameter für eine Bahnkurve, für das Sprühbild (48) und/oder die Zusammensetzung des aufzubringenden Fluids (38) während des Aufbringens variiert werden. 21 .The method according to claim 20, characterized in that the parameters for a trajectory, for the spray pattern (48) and / or the composition of the fluid to be applied (38) are varied during application.

22. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 21 , dadurch gekennzeichnet, dass die Sprührichtung (49) der Düse (42) einen Winkel zwischen 0° und 180° Grad, bevorzugt zwischen 150° und 180° Grad oder zwischen 45° und 135° Grad gegenüber der Wirkrichtung der Gravitationskraft (39) aufweist. 22. The method according to any one of claims 14 to 21, characterized in that the spray direction (49) of the nozzle (42) has an angle between 0° and 180° degrees, preferably between 150° and 180° degrees or between 45° and 135° Degrees relative to the effective direction of the gravitational force (39).

23. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 22, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens einer ersten Gruppe von Sprüheinheiten (40.1) ein erstes Fluid23. The method according to any one of claims 14 to 22, characterized in that at least a first group of spray units (40.1) a first fluid

(38.1 ) zugeführt wird, wobei einer zweiten Gruppe von Düsen (40.2) ein zweites Fluid (38.2) zugeführt wird, und wobei sich das erste (38.1 ) und das zweite(38.1) is supplied, a second fluid (38.2) being supplied to a second group of nozzles (40.2), and the first (38.1) and the second

(38.2) Fluid unterscheiden. (38.2) Distinguish fluid.

24. Verfahren nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, dass das erste (38.1) und das zweite (38.2) Fluid den Sprüheinheiten (40.1 ,40.2) gleichzeitig zugeführt werden. erfahren nach Anspruch 23 oder 24, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Gruppe von Sprüheinheiten (40.1 ) in einem zentralen Bereich des Sprüharrays (36) angeordnet ist. erfahren nach einem der Ansprüche 23 bis 25, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei dem ersten (38.1 ) und dem zweiten (38.2) Fluid zumindest zeitweise um Entwicklerflüssigkeiten verschiedener Konzentrationen handelt. erfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 26, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei mindestens einem Fluid (38) zumindest zeitweise um Wasser handelt. erfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 27, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei mindestens einem Fluid (38) zumindest zeitweise um ein Trockengas handelt. erfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 28, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei mindestens einem Fluid (38) zumindest zeitweise um ein Lösungsmittel für einen Fotolack handelt. Komponente (50) einer Anlage der Halbleitertechnologie (1 ,101 ) mit einer24. The method according to claim 23, characterized in that the first (38.1) and the second (38.2) fluid are supplied to the spray units (40.1, 40.2) at the same time. experienced according to claim 23 or 24, characterized in that the first group of spray units (40.1) is arranged in a central area of the spray array (36). experienced according to one of claims 23 to 25, characterized in that the first (38.1) and the second (38.2) fluid are, at least at times, developer liquids of different concentrations. experienced according to one of claims 14 to 26, characterized in that at least one fluid (38) is at least temporarily water. experienced according to one of claims 14 to 27, characterized in that at least one fluid (38) is at least temporarily a dry gas. experienced according to one of claims 14 to 28, characterized in that at least one fluid (38) is at least temporarily a solvent for a photoresist. Component (50) of a semiconductor technology system (1,101) with a

Struktur (35), dadurch gekennzeichnet, dass die Struktur (35) mindestens teilweise mittels eines Verfahrens nach den Ansprüchen 14 bis 29 geschaffen wurde. Structure (35), characterized in that the structure (35) was created at least partially by means of a method according to claims 14 to 29.