WO2023213346A1 - Power semiconductor module having a plug-in connection - Google Patents

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WO2023213346A1
WO2023213346A1 PCT/DE2023/100285 DE2023100285W WO2023213346A1 WO 2023213346 A1 WO2023213346 A1 WO 2023213346A1 DE 2023100285 W DE2023100285 W DE 2023100285W WO 2023213346 A1 WO2023213346 A1 WO 2023213346A1
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power
power semiconductor
semiconductor module
plug
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PCT/DE2023/100285
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Jasper SCHNACK
Ulf SCHÜMANN
Jan STOLLEY
Jan-Philipp GÖRDES
Ronald Eisele
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Fachhochschule Kiel
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    • H01R13/2407Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted characterized by the resilient means

Definitions

  • the invention relates to a power semiconductor module with a plug connection.
  • the power semiconductor module with plug connector provides an integrated current transformer that can be easily connected to an electric motor via the integrated plug connection.
  • the power semiconductor module with a plug connection comprises a structurally simple group, the circuit arrangement of which includes semiconductor components with power semiconductors in modular design, integrated current transformers, for example Hall sensors, power contacts on the semiconductor component, for example sheet metal-shaped load contacts and axially guided plug connectors, for example with contact lamella. Due to the very compact design, a variety of spatial arrangements can be provided, preferably on rotationally symmetrical systems, e.g. on an integrated vehicle drive inverter on an electric machine winding head.
  • the respective power semiconductor modules with plug-in connections in such a system are easy to connect and replace, and are easy to maintain and test.
  • the inventive power semiconductor module with a plug-in connection fulfills all important criteria and wishes for the usability of a power semiconductor module through the type of construction with an integrated, multifunctional plug-in connection for good heat dissipation, the required insulation voltage and partial discharge resistance, the temperature and load change resistance internal connections, the low-inductance, statically and dynamically symmetrical and EMC-compliant internal structure, the defined, harmless behavior in the event of a module defect, the uncomplicated assembly and connection technology as well as the cost-effective, environmentally friendly production and recyclability after the end of the service life.
  • the prior art shows a series of devices for power semiconductor modules with plug connections or devices for high-current interfaces.
  • US 7,717,747 B2 shows a vehicle inverter connection arrangement.
  • the assembly includes a housing having a plurality of engagement formations on the housing shaped to mate with a plurality of inverter engagement formations on a vehicle inverter and a plurality of further engagement formations on the housing shaped to mate with a plurality of engine engagement formations on a vehicle engine. Further shown are multiple current sensors connected to the housing that are configured to sense current flowing between the vehicle inverter and the vehicle motor.
  • the US 2014/035605 A1 shows a semiconductor module with a housing, a circuit carrier with an insulating carrier and a metallization layer applied to one side of the insulating carrier, as well as a connection lug with a first and second load connection section and a shunt resistance area.
  • the shunt resistance region is electrically arranged between the first and second load connection sections and connected in series with the first and second load connection sections.
  • the connection lug in the area of the second load connection section is electrically conductively connected to a first section of the metallization layer by a first cohesive connection.
  • the first load connection section is led out of the housing and has a free end which is arranged on the outside of the housing.
  • the WO 2019/034741 A1 shows a power semiconductor module with a shunt resistor. Sensor components are integrated into the power semiconductor modules. For simple current measurement, so-called shunt resistors (constant resistance elements) are used, which are mounted on specially designed connection zones on a ceramic power substrate (DCB) by soldering. Typically, the actual resistance element of the shunt is made of manganin (CuMnl2Ni) and the connections are made of copper.
  • US 7,187,568 B2 shows a structure for power electronic circuits that reduces the power requirement on a DC bus and thus the occurrence of parasitic inductance.
  • the structure shows a carrier that can accommodate one or more power electronic circuits.
  • the carrier can support the heat dissipation from the circuits by means of a fluid circulating through the carrier.
  • the carrier can act as a shield against both external EMI/RFI and interference generated by the operation of the power electronic circuits.
  • a connection of the circuits with external circuits is z. B. possible through direct contact between the terminal assembly and the AC and DC circuit components.
  • Modular units can be assembled that can be connected to electronic circuits via plug-in devices or via an interface with a backplane or similar assembly and connection structures.
  • the DE 102006 027482 B3 describes a housed semiconductor circuit arrangement with a substrate with conductor tracks and semiconductor components arranged thereon in accordance with the circuit and with a connecting device, which consists of a film composite of at least two electrically conductive layers, each with an insulating layer arranged between them, with at least one conductive layer in is structured and thus forms conductor tracks.
  • At least one conductive layer has first contact devices for connection surfaces of the semiconductor components.
  • At least one part This and/or a further conductive layer is a part of at least one second contact device for reversible connection to an external supply line.
  • the second contact device has at least one spring element with an abutment in the housing and/or at least one locking screw.
  • DE 11 2015 003 117 T5 has a semiconductor device comprising: a plurality of power elements; a conductive plate; a current detection section that detects current.
  • the multiple power elements include a first power element and a second power element.
  • the conductive plate includes: a first support portion to which a first end of the first power element is connected; a second support portion to which a first end of the second power element is connected; a third support portion to which a second end of the first power element is connected; a fourth support portion to which a second end of the second power element is connected; a first connection section; and an output port.
  • the first support section is connected to a first power supply and the fourth support section is connected to a second power supply.
  • the current detection section is attached to the output terminal, and a magnetic field generated by a flow of current in the output terminal passes through the current detection part.
  • high-current interfaces with different designs, such as those in US 2021/156909 A1 or EP 16222 26 A1, which shows a high-current interface for motor vehicles, with a plug and a socket that can be pushed onto this plug.
  • high-current interfaces of this type have the advantage that no individual parts have to be handled during assembly or to release the connection and no tools are required. It is only necessary to insert the plug into the socket by hand and to lock both parts of the high-current interface together by overcoming a pressure point.
  • the present invention eliminates the shortcomings of the prior art through a new approach to the structural integration of a power semiconductor module with a plug connection.
  • Screwable power contacts are replaced by a simple and secure plug connection and a module with the extensive functionalities of a Voltage converter unit, load contacts, current sensor and electrical machine connection.
  • the present invention is based on the object of providing a modular circuit arrangement that is highly integrated both functionally and structurally.
  • Another task is to achieve a floating storage of the power contact to reduce the susceptibility to errors due to thermal stresses.
  • Another task is to achieve fewer parasitic elements than in conventional systems and to reduce line length and number of components in order to increase the power density. This is accompanied by the task of improving the EMC behavior, since the propagation paths in the module and out of it the parasitic elements have a serious influence on the resulting radio interference voltages.
  • Another task is to increase service friendliness by providing individually, easily replaceable and testable units as modules. This is accompanied by a system-friendly design by simplifying the mechatronic integration between the inverter and the electrical machine to achieve higher energy densities.
  • Another task is to measure the current between the power module and the electrical machine so that the entire drive unit can be controlled.
  • This sensor system is integrated directly into the circuit structure on the load contact, making external measurement obsolete with an associated increase in the number of components.
  • the power semiconductor module with a plug connection is designed according to the invention in such a way that the power semiconductor module has a power module structure connecting at least one load connection to an AC load connection via respective power semiconductors and the power module structure functionally integrates the plug connection as a contact connection and a detachable holding connection.
  • the power module structure can have at least one heat sink.
  • the power module structure can have at least one heat sink with a DCB (direct bonded copper) structure on which the power semiconductors are attached.
  • the AC load connection can be coupled to a current sensor.
  • the power module structure can have at least one flow concentrator.
  • the power module structure can also have a power module frame.
  • the plug-in connection can have at least two corresponding slats, which are dimensioned in such a way that the plug-in connection with the slats includes a machine wire in a releasably fixing manner.
  • the power semiconductor module with a plug-in connection can have a power module frame, which encloses the power semiconductor module with a plug-in connection in such a way that complete hard casting of the power module frame is possible, with only the load connection not being enclosed.
  • a use according to the invention of a power semiconductor module according to the invention with a plug-in connection can be for detachable contacting and holding on a respective machine wire of a winding head on a stator package of an electrical machine.
  • the power semiconductor circuit arrangement is built on a material with a very high current carrying capacity, for example a DCB (direct bonded copper) structure.
  • DCB direct bonded copper
  • the advantages of DCB technology over other construction methods lie primarily in the high current-carrying capacity of the copper due to its thickness and the good cooling through a ceramic material, the high adhesion of the copper to the ceramic and the very good thermal conductivity of the ceramic.
  • a non-contact current sensor for example a Hall element
  • the current sensor with at least one magnetic flux concentrator for example made of NiFe
  • the current sensor IC sitting on a rigid-flexible circuit board.
  • the plug connection in the power semiconductor module is designed as a power contact with a lamella plug connection and is integrated into the power semiconductor module structure.
  • the plug-in system can also be designed the other way around, so that the power module output is designed as a plug-in contact that is plugged into a plug-in connection with a spring contact.
  • the machine wire for contacting the plug connection of the power semiconductor module with the plug connection from the winding head of the stator package of the electrical machine is designed, for example, as a hair pin.
  • the plug-in connection with lamellas of the power semiconductor module with plug-in connection welded to the load contact consists of lamellar spring plate on both sides with high current-carrying capacity, e.g. made of coated copper-berrylium.
  • Fig. 1 shows a first exemplary power semiconductor module with a plug connection in a perspective view
  • Fig. 2 shows a first exemplary power semiconductor module with a plug connection according to Figure 1 in a top view
  • Fig. 3 is a first exemplary detailed view of a power semiconductor module with a plug connection according to Figure 1 in a perspective view;
  • Fig. 4 shows a first exemplary power semiconductor module with a plug connection according to Fig. 1 in a first side sectional view
  • Fig. 5 shows a first exemplary power semiconductor module with a plug connection according to Figure 1 in a second side sectional view in a connection with a winding head and
  • FIG. 6 several first exemplary power semiconductor modules with respective plug connections according to Figure 1 in a connection with a stator package of an electrical machine in a perspective view.
  • Fig. 1 shows an example of a first power semiconductor module with plug connection 1 in a perspective view.
  • the power module structure 2 comprises a plug connection 5, which is connected to respective load connections 3 via power semiconductors 6, the power module structure 2 having at least one heat sink 4 and a current sensor 8.
  • Fig. 2 shows an example of a first power semiconductor module with plug connection 1 according to Figure 1 in a top view, so that the components that are on the heat sink 4 can be seen.
  • the plug connection 5 there is a current sensor 8 on its own circuit board 10 appropriate.
  • the respective power semiconductors 6 are attached to the DCB (direct bonded copper) structure 7.
  • the load connection 3 is designed as a flag or tab.
  • the power module frame 9 encloses the components of the power module structure 2 standing on the heat sink 4, so that it has a limit for possible potting, with the contacts for the load connection 3 and the plug connection 1 protruding from the power semiconductor module and enabling simple and secure contacting .
  • Fig. 3 shows an example of a first detailed view of the connection of a power semiconductor module with plug connection 1 according to Figure 1 in a perspective view.
  • the plug connection 5 sits on the AC load connection 12.
  • the current sensor 8 attached to the circuit board 10 is configured next to the flow concentrator 11.
  • Fig. 4 shows an example of a first power semiconductor module with plug connection 1 according to Figure 1 in a first side sectional view.
  • the plug connection 5 with two lamellas as contact sits on the AC load connection 12 with the current sensor 8.
  • the AC load connection 12 is led to the DCB (direct bonded copper) structure 7 with the respective power semiconductors.
  • the load connection 3 comes from the DCB (direct bonded copper) structure 7.
  • the DCB (direct bonded copper) structure 7 rests on the heat sink 4.
  • Fig. 5 shows an example of a first power semiconductor module with a plug connection 1 according to Figure 1 in a second side sectional view in a connection with a winding head 15 via a machine wire 14 onto which the plug connection 5 is plugged, the lamellas 13 being able to detach the machine wire 14 in a non-positive manner include.
  • the entire power module structure 2 with the heat sink 4 is kept at a distance from the winding head 15.
  • Fig. 6 shows an example of several first power semiconductor modules with respective plug connection 1 according to Figure 1 in a connection with a stator pack 16 of an electrical machine 17, which is not further developed, in a perspective view.
  • six power semiconductor modules with a plug connection 1 are shown plugged onto respective machine wires 14 which are guided rotationally symmetrically from the stator package 16.

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Abstract

The invention relates to a power semiconductor module having a plug-in connection (1). The power semiconductor module has a power module construction (2) so as to connect at least one load connection (3) to an AC load connection (12) via a respective power semiconductor (6), and the power module construction (2) integrates the function of a contact connection and a releasable holding connection into the plug-in connection (5). The invention additionally also relates to the use of a power semiconductor module having a plug-in connection (1).

Description

LEISTUNGSHALBLEITER-MODUL MIT STECKVERBINDUNG POWER SEMICONDUCTOR MODULE WITH PLUG CONNECTION
Die Erfindung betrifft ein Leistungshalbleiter-Modul mit Steckverbindung. Das Leistungshalbleiter-Modul mit Steckverbinder stellt einen integrierten Stromwandler bereit, der sich einfach über die integrierte Steckverbindung mit einem elektrischen Motor verbinden lässt.The invention relates to a power semiconductor module with a plug connection. The power semiconductor module with plug connector provides an integrated current transformer that can be easily connected to an electric motor via the integrated plug connection.
Das Leistungshalbleiter-Modul mit Steckverbindung umfasst eine konstruktiv einfache Gruppe, deren Schaltungsanordnung Halbleiterbauelemente mit Leistungshalbleitern in Modulbauweise, integrierte Stromwandler, z.B. Hall-Sensoren, Leistungskontakte an dem Halbleiterbauelement, z.B. blechgeformte Lastkontakte und axial geführter Steckverbinder, z.B. mit Kontaktlamelle umfasst. Durch die sehr kompakte Bauweise, können damit eine Vielzahl von räumlichen Anordnungen bevorzugt an rotationssymmetrischen Anlagen, z.B. an einem integrierten Fahrzeug-Antriebswechselrichter an einem E-Maschinen Wickelkopf, bereitgestellt werden. Die jeweiligen Leistungshalbleiter-Module mit Steckverbindung an einer solchen Anlage, sind dabei einfach zu verbinden und austauschbar, servicefreundlich zu warten und zu testen. The power semiconductor module with a plug connection comprises a structurally simple group, the circuit arrangement of which includes semiconductor components with power semiconductors in modular design, integrated current transformers, for example Hall sensors, power contacts on the semiconductor component, for example sheet metal-shaped load contacts and axially guided plug connectors, for example with contact lamella. Due to the very compact design, a variety of spatial arrangements can be provided, preferably on rotationally symmetrical systems, e.g. on an integrated vehicle drive inverter on an electric machine winding head. The respective power semiconductor modules with plug-in connections in such a system are easy to connect and replace, and are easy to maintain and test.
Das erfinderische Leistungshalbleiter-Modul mit Steckverbindung erfüllt damit alle wichtigen Kriterien und Wünsche an die Einsatztauglichkeit eines Leistungshalbleiter-Moduls durch die Art der Konstruktion mit einer integrierten, multifunktionalen Steckverbindung für ein gutes Wärmeabführungsvermögen, die erforderliche Isolationsspannung und Teilentladungsfestigkeit, die Temperatur- bzw. Lastwechselbeständigkeit der internen Verbindungen, der induktivitätsarme, statisch und dynamisch symmetrische und EMV- gerechte interne Aufbau, das definierte, ungefährliche Verhalten bei Moduldefekt, die unkomplizierte Montage- und Anschlusstechnik sowie die kostengünstige, umweltgerechte Fertigung und Recyclebarkeit nach Ende der Lebensdauer. The inventive power semiconductor module with a plug-in connection fulfills all important criteria and wishes for the usability of a power semiconductor module through the type of construction with an integrated, multifunctional plug-in connection for good heat dissipation, the required insulation voltage and partial discharge resistance, the temperature and load change resistance internal connections, the low-inductance, statically and dynamically symmetrical and EMC-compliant internal structure, the defined, harmless behavior in the event of a module defect, the uncomplicated assembly and connection technology as well as the cost-effective, environmentally friendly production and recyclability after the end of the service life.
Stand der Technik State of the art
Der Stand der Technik zeigt eine Reihe von Vorrichtungen für Leistungshalbleiter-Module mit Steckverbindungen bzw. Vorrichtungen für Hochstromschnittstellen. The prior art shows a series of devices for power semiconductor modules with plug connections or devices for high-current interfaces.
Die US 7,717,747 B2 zeigt eine Fahrzeug-Wechselrichter-Verbindungsanordnung. Die Baugruppe umfasst ein Gehäuse mit mehreren Eingriffsausbildungen an dem Gehäuse, die so geformt sind, dass sie mit mehreren Wechselrichtereingriffsausbildungen an einem Fahrzeugwechselrichter zusammenpassen und mehrere weitere Eingriffsausbildungen an dem Gehäuse, die so geformt sind, dass sie mit mehreren Motoreingriffsausbildungen an einem Fahrzeugmotor zusammenpassen. Weiter sind mehrere Stromsensoren, die mit dem Gehäuse verbunden gezeigt, die so konfiguriert sind, dass sie den zwischen dem Fahrzeugwechselrichter und dem Fahrzeugmotor fließenden Strom erfassen. Die US 2014/035605 A1 zeigt ein Halbleitermodul mit Gehäuse, einen Schaltungsträger mit einem Isolationsträger und einer auf einer Seite des Isolationsträgers aufgebrachten Metallisierungsschicht sowie eine Anschlussfahne mit einem ersten und zweiten Lastanschlussabschnitt und einem Nebenschlusswiderstandsbereich. Der Nebenschlusswiderstandsbereich ist elektrisch zwischen dem ersten und zweiten Lastanschlussabschnitt angeordnet und mit dem ersten und zweiten Lastanschlussabschnitt in Reihe geschaltet. Die Anschlussfahne im Bereich des zweiten Lastanschlussabschnitts ist durch eine erste kohäsive Verbindung mit einem ersten Abschnitt der Metallisierungsschicht elektrisch leitend verbunden. Der erste Lastanschlussabschnitt ist aus dem Gehäuse herausgeführt und hat ein freies Ende, das an der Außenseite des Gehäuses angeordnet ist.US 7,717,747 B2 shows a vehicle inverter connection arrangement. The assembly includes a housing having a plurality of engagement formations on the housing shaped to mate with a plurality of inverter engagement formations on a vehicle inverter and a plurality of further engagement formations on the housing shaped to mate with a plurality of engine engagement formations on a vehicle engine. Further shown are multiple current sensors connected to the housing that are configured to sense current flowing between the vehicle inverter and the vehicle motor. The US 2014/035605 A1 shows a semiconductor module with a housing, a circuit carrier with an insulating carrier and a metallization layer applied to one side of the insulating carrier, as well as a connection lug with a first and second load connection section and a shunt resistance area. The shunt resistance region is electrically arranged between the first and second load connection sections and connected in series with the first and second load connection sections. The connection lug in the area of the second load connection section is electrically conductively connected to a first section of the metallization layer by a first cohesive connection. The first load connection section is led out of the housing and has a free end which is arranged on the outside of the housing.
Die WO 2019/034741 A1 zeigt ein Leistungshalbleitermodul mit einem Shunt-Widerstand. In dem Leistungshalbleitermodulen werden Sensorikkomponenten integriert. Für eine einfache Strommessung werden dabei sogenannte Shunt-Widerstände (Konstant-Widerstands- Elemente) verwendet, die auf eigens dafür vorgesehenen Anschlusszonen auf einen keramischen Leistungssubstrat (DCB) mittels Löten montiert werden. Typischerweise wird das eigentliche Widerstandselement des Shunts aus Manganin (CuMnl2Ni) und die Anschlüsse aus Kupfer hergestellt. The WO 2019/034741 A1 shows a power semiconductor module with a shunt resistor. Sensor components are integrated into the power semiconductor modules. For simple current measurement, so-called shunt resistors (constant resistance elements) are used, which are mounted on specially designed connection zones on a ceramic power substrate (DCB) by soldering. Typically, the actual resistance element of the shunt is made of manganin (CuMnl2Ni) and the connections are made of copper.
Die US 7,187,568 B2 zeigt einen Aufbau für leistungselektronische Schaltungen, die den Leistungsbedarf an einem Gleichstrombus und damit das Auftreten von parasitärer Induktivität reduziert. Der Aufbau zeigt einen Träger, der eine oder mehrere leistungselektronische Schaltungen aufnehmen kann. Der Träger kann die Wärmeabfuhr von den Schaltkreisen dabei durch ein durch den Träger zirkulierendes Fluid unterstützen. Der Träger kann als Abschirmung sowohl gegen externe EMI/RFI als auch gegen Störungen wirken, die durch den Betrieb der leistungselektronischen Schaltungen erzeugt werden. Eine Verbindung der Schaltungen mit externen Schaltungen wird z. B. durch direkten Kontakt zwischen der Klemmenbaugruppe und den AC- und DC-Schaltungskomponenten möglich. Es können dabei modulare Einheiten zusammengebaut werden, die über Steckvorrichtungen oder über eine Schnittstelle mit einer Rückwandplatine oder ähnlichen Montage- und Verbindungsstrukturen mit elektronischen Schaltungen verbunden werden können. US 7,187,568 B2 shows a structure for power electronic circuits that reduces the power requirement on a DC bus and thus the occurrence of parasitic inductance. The structure shows a carrier that can accommodate one or more power electronic circuits. The carrier can support the heat dissipation from the circuits by means of a fluid circulating through the carrier. The carrier can act as a shield against both external EMI/RFI and interference generated by the operation of the power electronic circuits. A connection of the circuits with external circuits is z. B. possible through direct contact between the terminal assembly and the AC and DC circuit components. Modular units can be assembled that can be connected to electronic circuits via plug-in devices or via an interface with a backplane or similar assembly and connection structures.
Die DE 102006 027482 B3 beschreibt eine gehauste Halbleiterschaltungsanordnung mit einem Substrat mit Leiterbahnen und hierauf schaltungsgerecht angeordneten Halbleiterbauelementen und mit einer Verbindungseinrichtung, wobei diese aus einem Folienverbund aus mindestens zwei elektrisch leitenden Schichten mit jeweils einer dazwischen angeordneten isolierenden Schicht besteht, wobei mindestens eine leitende Schicht in sich strukturiert ist und somit Leiterbahnen ausbildet. Mindestens eine leitende Schicht weist erste Kontakteinrichtungen zu Anschlussflächen der Halbleiterbauelemente auf. Mindestens ein Teil dieser und/oder einer weiteren leitenden Schicht ist ein Teil mindestens einer zweiten Kontakteinrichtung zur reversiblen Verbindung mit einer externen Zuleitung. Hierbei weist die zweite Kontakteinrichtung mindestens ein Federelement mit einem Widerlager im Gehäuse und/oder mindestens eine Feststellschraube auf. The DE 102006 027482 B3 describes a housed semiconductor circuit arrangement with a substrate with conductor tracks and semiconductor components arranged thereon in accordance with the circuit and with a connecting device, which consists of a film composite of at least two electrically conductive layers, each with an insulating layer arranged between them, with at least one conductive layer in is structured and thus forms conductor tracks. At least one conductive layer has first contact devices for connection surfaces of the semiconductor components. At least one part This and/or a further conductive layer is a part of at least one second contact device for reversible connection to an external supply line. Here, the second contact device has at least one spring element with an abutment in the housing and/or at least one locking screw.
Die DE 11 2015 003 117 T5 weist eine Halbleitervorrichtung auf, die aufweist: mehrere Leistungselemente; eine leitfähige Platte; einen Stromerfassungsabschnitt, der Strom erfasst. Die mehreren Leistungselemente weisen ein erstes Leistungselement und ein zweites Leistungselement auf. Die leitfähige Platte weist auf: einen ersten Tragabschnitt, mit dem ein erstes Ende des ersten Leistungselements verbunden ist; einen zweiten Tragabschnitt, mit dem ein erstes Ende des zweiten Leistungselements verbunden ist; einen dritten Tragabschnitt, mit dem ein zweites Ende des ersten Leistungselements verbunden ist; einen vierten Tragabschnitt, mit dem ein zweites Ende des zweiten Leistungselements verbunden ist; einen ersten Verbindungsabschnitt; und einen Ausgangsanschluss. Der erste Tragabschnitt ist mit einer ersten Stromversorgung verbunden und der vierte Tragabschnitt ist mit einer zweiten Stromversorgung verbunden. Der Stromerfassungsabschnitt ist an dem Ausgangsanschluss befestigt, und ein Magnetfeld, das durch einen Fluss des Stroms in dem Ausgangsanschluss erzeugt wird, passiert das Stromerfassungsteil. DE 11 2015 003 117 T5 has a semiconductor device comprising: a plurality of power elements; a conductive plate; a current detection section that detects current. The multiple power elements include a first power element and a second power element. The conductive plate includes: a first support portion to which a first end of the first power element is connected; a second support portion to which a first end of the second power element is connected; a third support portion to which a second end of the first power element is connected; a fourth support portion to which a second end of the second power element is connected; a first connection section; and an output port. The first support section is connected to a first power supply and the fourth support section is connected to a second power supply. The current detection section is attached to the output terminal, and a magnetic field generated by a flow of current in the output terminal passes through the current detection part.
Weiter gibt es eine Vielzahl von konstruktiv unterschiedlich ausgeführten Hochstromschnittstellen, wie z.B. in der US 2021/156909 A1 oder der EP 16222 26 A1 ausgeführt, die eine Hochstromschnittstelle für Kraftfahrzeuge, mit einem Stecker sowie einer auf diesen Stecker aufschiebbaren Buchse zeigt. Hochstromschnittstellen dieser Art haben gegenüber der herkömmlichen Lösung mit Kabelschuhen, Schraubbolzen und Muttern den Vorteil, dass bei der Montage bzw. zum Lösen der Verbindung keine Einzelteile gehandhabt werden müssen und keine Werkzeuge erforderlich sind. Es ist lediglich erforderlich, den Stecker in die Buchse von Hand einzuführen und darin durch Überwinden eines Druckpunktes beide Teile der Hochstromschnittstelle miteinander zu verrasten. There are also a variety of high-current interfaces with different designs, such as those in US 2021/156909 A1 or EP 16222 26 A1, which shows a high-current interface for motor vehicles, with a plug and a socket that can be pushed onto this plug. Compared to the conventional solution with cable lugs, screw bolts and nuts, high-current interfaces of this type have the advantage that no individual parts have to be handled during assembly or to release the connection and no tools are required. It is only necessary to insert the plug into the socket by hand and to lock both parts of the high-current interface together by overcoming a pressure point.
Der Stand der Technik zeigt, dass Leistungsmodule zumeist Gehäuse mit Schraub-, tonnenförmigen Steck- oder Lötanschlüssen aufweisen. Bei der Mehrheit der Leistungsmodule sind die verschiedenen Hersteller um weitgehende Kompatibilität mit teils historisch gewachsenen Bauformen bemüht. The state of the art shows that power modules usually have housings with screw, barrel-shaped plug or solder connections. For the majority of power modules, the various manufacturers strive to ensure extensive compatibility with designs that have evolved over time.
Die vorliegende Erfindung beseitigt die Mängel des Standes der Technik durch einen neuen Ansatz der bautechnischen Integration eines Leistungshalbleiter-Moduls mit Steckverbindung.The present invention eliminates the shortcomings of the prior art through a new approach to the structural integration of a power semiconductor module with a plug connection.
Dabei werden schraubbare Leistungskontakte durch eine einfache und sichere Steckverbindung ersetzt und ein Modul mit den umfangreichen Funktionalitäten einer Spannungswandler-Einheit, Lastkontakten, Stromsensor und Elektro-Maschinenanbindung ausgebildet. Screwable power contacts are replaced by a simple and secure plug connection and a module with the extensive functionalities of a Voltage converter unit, load contacts, current sensor and electrical machine connection.
Damit wird z.B. zum einen eine konstruktive Hoch integration außerhalb des Leistungshalbleiter- Moduls ohne eine konstruktive Veränderung des Modulaufbaus ermöglicht und zum anderen eine hohe Leistungsdichte durch die Gesamtsystemintegration aus Inverter und elektrischer Maschine erreichbar. This makes possible, for example, a highly constructive integration outside the power semiconductor module without a structural change to the module structure and, on the other hand, a high power density can be achieved through the overall system integration of the inverter and electrical machine.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine modulare, sowohl funktional als auch bautechnisch hoch integrierte Schaltungsanordnung bereit zu stellen. The present invention is based on the object of providing a modular circuit arrangement that is highly integrated both functionally and structurally.
Eine weitere Aufgabe besteht darin, eine Loslagerung des Leistungskontaktes zur Verringerung der Fehleranfälligkeit aufgrund thermischer Spannungen zu erreichen. Another task is to achieve a floating storage of the power contact to reduce the susceptibility to errors due to thermal stresses.
Eine weitere Aufgabe ist es geringere parasitäre Elemente als bei herkömmlichen Systemen zu realisieren, Leitungslänge und Bauteilanzahl zu verringern, um die Leistungsdichte zu erhöhen. Damit einher geht die Aufgabe das EMV-Verhalten zu verbessern, da die Ausbreitungswege im Modul und aus diesem heraus die ihrer parasitären Elemente einen gravierenden Einfluss auf die entstehenden Funkstörspannungen haben. Another task is to achieve fewer parasitic elements than in conventional systems and to reduce line length and number of components in order to increase the power density. This is accompanied by the task of improving the EMC behavior, since the propagation paths in the module and out of it the parasitic elements have a serious influence on the resulting radio interference voltages.
Eine weitere Aufgabe besteht darin die Servicefreundlichkeit zu erhöhen, indem einzeln, einfach austauschbare und testbare Einheiten als Module bereitgestellt werden. Damit einher geht eine Systemdienliche Konstruktion durch Vereinfachung der mechatronischen Integration zwischen Inverter und elektrischer Maschine zum Erzielen höherer Energiedichten. Another task is to increase service friendliness by providing individually, easily replaceable and testable units as modules. This is accompanied by a system-friendly design by simplifying the mechatronic integration between the inverter and the electrical machine to achieve higher energy densities.
Weiter Aufgabe ist es, den Strom zwischen Leistungsmodul und elektrischer Maschine zu messen, damit die Regelung der gesamten Antriebseinheit ermöglicht werden kann. Diese Sensorik wird unmittelbar in den Schaltungsaufbau an den Lastkontakt integriert, sodass eine externe Messung mit einer einhergehenden Erhöhung der Bauteileanzahl obsolet wird. Another task is to measure the current between the power module and the electrical machine so that the entire drive unit can be controlled. This sensor system is integrated directly into the circuit structure on the load contact, making external measurement obsolete with an associated increase in the number of components.
Gelöst wird diese Aufgabe mit dem erfinderischen Leistungshalbleiter-Modul mit Steckverbindung und integriertem Stromsensor nach Hauptanspruch. This task is solved with the inventive power semiconductor module with plug connection and integrated current sensor according to the main claim.
Das Leistungshalbleiter-Modul mit Steckverbindung ist derart erfindungsgemäß ausgebildet, dass das Leistungshalbleiter-Modul einen Leistungsmodulaufbau mindestens einem Lastanschluss mit einem AC-Lastanschluss über jeweilige Leistungshalbleiter verbindend aufweist und der Leistungsmodulaufbau die Steckverbindung funktional als Kontaktverbindung und lösbare Halteverbindung integriert. The power semiconductor module with a plug connection is designed according to the invention in such a way that the power semiconductor module has a power module structure connecting at least one load connection to an AC load connection via respective power semiconductors and the power module structure functionally integrates the plug connection as a contact connection and a detachable holding connection.
Weiter kann der Leistungsmodulaufbau mindestes einen Kühlkörper aufweisen. Furthermore, the power module structure can have at least one heat sink.
In einer Ausgestaltung kann der Leistungsmodulaufbau zumindest einen Kühlkörper mit einer DCB (direct bonded copper) - Struktur aufweisen, auf dem die Leistungshalbleiter angebracht sind. Zudem kann der AC-Lastanschluss mit einem Stromsensor gekoppelt sein. In one embodiment, the power module structure can have at least one heat sink with a DCB (direct bonded copper) structure on which the power semiconductors are attached. In addition, the AC load connection can be coupled to a current sensor.
Weiter kann der Leistungsmodulaufbau zumindest einen Flusskonzentrator aufweisen. Furthermore, the power module structure can have at least one flow concentrator.
Der Leistungsmodulaufbau kann weiterhin in einer Variante einen Leistungsmodulrahmen aufweisen. In one variant, the power module structure can also have a power module frame.
Die Steckverbindung kann zumindest zwei korrespondierende Lamellen aufweisen, die derart dimensioniert ausgebildet sein, dass die Steckverbindung mit den Lamellen einen Maschinendraht lösbar fixierend umfasst. The plug-in connection can have at least two corresponding slats, which are dimensioned in such a way that the plug-in connection with the slats includes a machine wire in a releasably fixing manner.
Weiter kann das Leistungshalbleiter-Modul mit Steckverbindung einen Leistungsmodulrahmen aufweisen, der derart das Leistungshalbleitermodul mit Steckverbindung umfasst, dass ein vollumfänglicher Hartverguss des Leistungsmodulrahmens möglich ist, wobei lediglich der Lastanschluss nicht umschlossen wird. Furthermore, the power semiconductor module with a plug-in connection can have a power module frame, which encloses the power semiconductor module with a plug-in connection in such a way that complete hard casting of the power module frame is possible, with only the load connection not being enclosed.
Eine erfindungsgemäße Verwendung eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleiter-Moduls mit Steckverbindung kann zur lösbaren Kontaktierung und Halterung an einem jeweiligen Maschinendraht eines Wickelkopfes an einem Statorpaket einer elektrischen Maschine sein.A use according to the invention of a power semiconductor module according to the invention with a plug-in connection can be for detachable contacting and holding on a respective machine wire of a winding head on a stator package of an electrical machine.
Dabei wird die Leistungshalbleiter-Schaltungsanordnung auf einem Material mit sehr hoher Stromtragfähigkeit aufgebaut, z.B. einer DCB (direct bonded copper) - Struktur. Die Vorteile der DCB-Technologie gegenüber anderen Bauweisen liegen vor allem in der hohen Stromtragfähigkeit des Kupfers aufgrund dessen Dicke und der guten Kühlung durch ein Keramikmaterial, der hohen Haftfähigkeit des Kupfers auf der Keramik und der sehr guten Wärmeleitfähigkeit der Keramik. The power semiconductor circuit arrangement is built on a material with a very high current carrying capacity, for example a DCB (direct bonded copper) structure. The advantages of DCB technology over other construction methods lie primarily in the high current-carrying capacity of the copper due to its thickness and the good cooling through a ceramic material, the high adhesion of the copper to the ceramic and the very good thermal conductivity of the ceramic.
Weiter wird in das Leistungshalbleiter-Modul ein berührungsloser Stromsensor, z.B. ein Hall- Element integriert und der Stromsensor mit zumindest einem magnetischem Flusskonzentrator, z.B. aus NiFe, im Leistungshalbleiter-Modul integriert, dabei sitzt der Stromsensor-IC auf einer starrflexiblen Leiterplatte. Furthermore, a non-contact current sensor, for example a Hall element, is integrated into the power semiconductor module and the current sensor with at least one magnetic flux concentrator, for example made of NiFe, is integrated in the power semiconductor module, with the current sensor IC sitting on a rigid-flexible circuit board.
Die Steckverbindung im Leistungshalbleiter-Modul ist als Leistungskontakt mit Lamellen- Steckverbindung ausgelegt und im Leistungshalbleiter-Modul Aufbau integriert. The plug connection in the power semiconductor module is designed as a power contact with a lamella plug connection and is integrated into the power semiconductor module structure.
Das Stecksystem kann auch anders herum ausgeführt werden, so dass der Leistungsmodulausgang als Steckkontakt ausgeführt ist, der in eine Steckverbindung mit Federkontakt gesteckt wird. The plug-in system can also be designed the other way around, so that the power module output is designed as a plug-in contact that is plugged into a plug-in connection with a spring contact.
Damit ist eine vollständige Isolierung aller Bauteile des Leistungshalbleiter-Moduls mit Steckverbindung z.B. über einen vollumfänglichen Hartverguss des Leistungsmodulrahmens möglich. Der Maschinendraht für die Kontaktierung mit der Steckverbindung des Leistungshalbleiter- Moduls mit Steckverbindung vom Wickelkopf des Statorpakets der elektrischen Maschine ist z.B. als Hair-Pin ausgeführt. This makes it possible to completely insulate all components of the power semiconductor module with a plug connection, for example by completely hard casting the power module frame. The machine wire for contacting the plug connection of the power semiconductor module with the plug connection from the winding head of the stator package of the electrical machine is designed, for example, as a hair pin.
Die am Lastkontakt angeschweißte Steckverbindung mit Lamellen des Leistungshalbleiter- Moduls mit Steckverbindung besteht aus beidseitigem Lamellenförmigem Federblech mit hoher Stromtragfähigkeit, z.B. aus beschichtetem Kupfer-Berrylium. The plug-in connection with lamellas of the power semiconductor module with plug-in connection welded to the load contact consists of lamellar spring plate on both sides with high current-carrying capacity, e.g. made of coated copper-berrylium.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand der beiliegenden Abbildungen in der Abbildungsbeschreibung beschrieben, wobei diese die Erfindung erläutern sollen und nicht beschränkend zu werten sind. The invention is described below with reference to the accompanying illustrations in the illustration description, which are intended to explain the invention and are not to be viewed as restrictive.
Es zeigen: Show it:
Abb. 1 ein erstes beispielhaftes Leistungshalbleiter-Modul mit Steckverbindung in perspektivischer Ansicht; Fig. 1 shows a first exemplary power semiconductor module with a plug connection in a perspective view;
Abb. 2 ein erstes beispielhaftes Leistungshalbleiter-Modul mit Steckverbindung nach Abbildung 1 in einer Aufsicht; Fig. 2 shows a first exemplary power semiconductor module with a plug connection according to Figure 1 in a top view;
Abb. 3 ein erste beispielhafte Detailansicht eines Leistungshalbleiter-Moduls mit Steckverbindung nach Abbildung 1 in perspektivischer Ansicht; Fig. 3 is a first exemplary detailed view of a power semiconductor module with a plug connection according to Figure 1 in a perspective view;
Abb. 4 ein erstes beispielhaftes Leistungshalbleiter-Modul mit Steckverbindung nach Abbildung 1 in einer ersten Seiten-Schnittansicht; Fig. 4 shows a first exemplary power semiconductor module with a plug connection according to Fig. 1 in a first side sectional view;
Abb. 5 ein erstes beispielhaftes Leistungshalbleiter-Modul mit Steckverbindung nach Abbildung 1 in einer zweiten Seiten-Schnittansicht in einer Verbindung mit einem Wickelkopf und Fig. 5 shows a first exemplary power semiconductor module with a plug connection according to Figure 1 in a second side sectional view in a connection with a winding head and
Abb. 6 mehrere erste beispielhafte Leistungshalbleiter-Module mit jeweiliger Steckverbindung nach Abbildung 1 in einer Verbindung mit einem Statorpaket einer elektrischen Maschine in perspektivischer Ansicht. Fig. 6 several first exemplary power semiconductor modules with respective plug connections according to Figure 1 in a connection with a stator package of an electrical machine in a perspective view.
Abb. 1 zeigt beispielhaft ein erstes Leistungshalbleiter-Modul mit Steckverbindung 1 in perspektivischer Ansicht. Der Leistungsmodulaufbau 2 umfasst eine Steckverbindung 5, die leitungstechnisch über Leistungshalbleiter 6 mit jeweiligen Lastanschlüssen 3 verbunden ist, wobei der Leistungsmodulaufbau 2 zumindest einen Kühlkörper 4 und einen Stromsensor 8 aufweist. Fig. 1 shows an example of a first power semiconductor module with plug connection 1 in a perspective view. The power module structure 2 comprises a plug connection 5, which is connected to respective load connections 3 via power semiconductors 6, the power module structure 2 having at least one heat sink 4 and a current sensor 8.
Abb. 2 zeigt beispielhaft ein erstes Leistungshalbleiter-Modul mit Steckverbindung 1 nach Abbildung 1 in einer Aufsicht, so dass die Bauteile, die auf dem Kühlkörper 4 stehen zu sehen sind. Neben dem Steckverbindung 5 ist auf einer eigenen Leiterplatte 10 ein Stromsensor 8 angebracht. Auf der DCB (direct bonded copper) - Struktur 7 sind die jeweiligen Leistungshalbleiter 6 angebracht. Auf der der Steckverbindung 5 gegenüberliegenden Seite ist der Lastanschluss 3 als Fahne bzw. Lasche ausgebildet. Der Leistungsmodulrahmen 9 umschließt die auf dem Kühlkörper 4 stehenden Bauteile des Leistungsmodulaufbaus 2, so dass dieser einer Grenze für einen möglichen Verguss aufweist, wobei die Kontakte für den Lastanschluss 3 und die Steckverbindung 1 aus dem Leistungshalbleiter-Modul hervorstehen und eine einfache und sichere Kontaktierung ermöglichen. Fig. 2 shows an example of a first power semiconductor module with plug connection 1 according to Figure 1 in a top view, so that the components that are on the heat sink 4 can be seen. In addition to the plug connection 5, there is a current sensor 8 on its own circuit board 10 appropriate. The respective power semiconductors 6 are attached to the DCB (direct bonded copper) structure 7. On the side opposite the plug connection 5, the load connection 3 is designed as a flag or tab. The power module frame 9 encloses the components of the power module structure 2 standing on the heat sink 4, so that it has a limit for possible potting, with the contacts for the load connection 3 and the plug connection 1 protruding from the power semiconductor module and enabling simple and secure contacting .
Abb. 3 zeigt beispielhaft eine erste Detailansicht des Anschlusses eines Leistungshalbleiter- Moduls mit Steckverbindung 1 nach Abbildung 1 in perspektivischer Ansicht. Die Steckverbindung 5 sitzt auf dem AC-Lastanschluss 12. Daneben ist der auf der Leiterplatte 10 angebrachte Stromsensor 8 neben dem Flusskonzentrator 11 konfiguriert. Fig. 3 shows an example of a first detailed view of the connection of a power semiconductor module with plug connection 1 according to Figure 1 in a perspective view. The plug connection 5 sits on the AC load connection 12. In addition, the current sensor 8 attached to the circuit board 10 is configured next to the flow concentrator 11.
Abb. 4 zeigt beispielhaft ein erstes Leistungshalbleiter-Modul mit Steckverbindung 1 nach Abbildung 1 in einer ersten Seiten-Schnittansicht. Die Steckverbindung 5 mit zwei Lamellen als Kontakt sitzt auf dem AC-Lastanschluss 12 mit dem Stromsensor 8. Der AC-Lastanschluss 12 ist zur DCB (direct bonded copper) - Struktur 7 mit den jeweiligen Leistungshalbleitern geführt. Von der DCB (direct bonded copper) - Struktur 7 geht der Lastanschluss 3 ab. Die DCB (direct bonded copper) - Struktur 7 liegt auf dem Kühlkörper 4 auf. Fig. 4 shows an example of a first power semiconductor module with plug connection 1 according to Figure 1 in a first side sectional view. The plug connection 5 with two lamellas as contact sits on the AC load connection 12 with the current sensor 8. The AC load connection 12 is led to the DCB (direct bonded copper) structure 7 with the respective power semiconductors. The load connection 3 comes from the DCB (direct bonded copper) structure 7. The DCB (direct bonded copper) structure 7 rests on the heat sink 4.
Abb. 5 zeigt beispielhaft ein erstes Leistungshalbleiter-Modul mit Steckverbindung 1 nach Abbildung 1 in einer zweiten Seiten-Schnittansicht in einer Verbindung mit einem Wickelkopf 15 über einen Maschinendraht 14 auf den die Steckverbindung 5 aufgesteckt ist, wobei die Lamellen 13 den Maschinendraht 14 kraftschlüssig lösbar umfassen. Der gesamte Leistungsmodulaufbau 2 mit dem Kühlkörper 4 wird dabei vom Wickelkopf 15 beabstandet gehalten. Fig. 5 shows an example of a first power semiconductor module with a plug connection 1 according to Figure 1 in a second side sectional view in a connection with a winding head 15 via a machine wire 14 onto which the plug connection 5 is plugged, the lamellas 13 being able to detach the machine wire 14 in a non-positive manner include. The entire power module structure 2 with the heat sink 4 is kept at a distance from the winding head 15.
Abb. 6 zeigt beispielhaft mehrere erste Leistungshalbleiter-Module mit jeweiliger Steckverbindung 1 nach Abbildung 1 in einer Verbindung mit einem Statorpaket 16 einer elektrischen Maschine 17, die nicht weiter ausgeführt ist, in perspektivischer Ansicht. Im Beispiel sind sechs Leistungshalbleiter-Module mit Steckverbindung 1 aufgesteckt auf jeweilige aus dem Statorpaket 16 rotationssymmetrisch geführte Maschinendrähte 14 gezeigt. Bezugszeichenliste Fig. 6 shows an example of several first power semiconductor modules with respective plug connection 1 according to Figure 1 in a connection with a stator pack 16 of an electrical machine 17, which is not further developed, in a perspective view. In the example, six power semiconductor modules with a plug connection 1 are shown plugged onto respective machine wires 14 which are guided rotationally symmetrically from the stator package 16. Reference symbol list
1 Leistungshalbleiter-Modul mit Steckverbindung1 power semiconductor module with plug connection
2 Leistungsmodulaufbau 2 power module structure
3 Lastanschluss 3 load connection
4 Kühlkörper 4 heat sinks
5 Steckverbindung 5 plug connection
6 Leistungshalbleiter 6 power semiconductors
7 DCB (direct bonded copper) - Struktur 7 DCB (direct bonded copper) structure
8 Stromsensor 8 current sensor
9 Leistungsmodulrahmen 9 power module frames
10 Leiterplatte 10 circuit board
11 Flusskonzentrator 11 flow concentrator
12 AC-Lastanschluss 12 AC load connection
13 Lamellen 13 slats
14 Maschinendraht 14 machine wire
15 Wickelkopf 15 winding head
16 Statorpaket 16 stator pack
17 Elektrische Maschine 17 Electric Machine

Claims

A N S P R Ü C H E EXPECTATIONS
1. Leistungshalbleiter-Modul mit Steckverbindung (1), wobei das Leistungshalbleiter-Modul einen Leistungsmodulaufbau (2) mindestens einem Lastanschluss (3) mit einem AC-Lastanschluss (12) über jeweilige Leistungshalbleiter (6) verbindend aufweist und der Leistungsmodulaufbau (2) die Steckverbindung (5) funktional als Kontaktverbindung und lösbare Halteverbindung integriert. 1. Power semiconductor module with plug connection (1), wherein the power semiconductor module has a power module structure (2) connecting at least one load connection (3) to an AC load connection (12) via respective power semiconductors (6) and the power module structure (2). Plug connection (5) functionally integrated as a contact connection and detachable holding connection.
2. Leistungshalbleiter-Modul mit Steckverbindung (1) nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass der Leistungsmodulaufbau (2) mindestes einen Kühlkörper (4) aufweist. 2. Power semiconductor module with plug connection (1) according to claim 1, characterized in that the power module structure (2) has at least one heat sink (4).
3. Leistungshalbleiter-Modul mit Steckverbindung (1) nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Leistungsmodulaufbau (2) zumindest einen Kühlkörper (4) mit einer DCB (direct bonded copper) - Struktur (7) aufweist, auf dem die Leistungshalbleiter (6) angebracht sind. 3. Power semiconductor module with plug connection (1) according to claim 1 or 2, characterized in that the power module structure (2) has at least one heat sink (4) with a DCB (direct bonded copper) structure (7) on which the power semiconductors (6) are attached.
4. Leistungshalbleiter-Modul mit Steckverbindung (1) nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der AC-Lastanschluss (12) mit einem Stromsensor (8) gekoppelt ist. 4. Power semiconductor module with plug connection (1) according to one of the preceding claims, characterized in that the AC load connection (12) is coupled to a current sensor (8).
5. Leistungshalbleiter-Modul mit Steckverbindung (1) nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Leistungsmodulaufbau (2) zumindest einen Flusskonzentrator (11) aufweist. 5. Power semiconductor module with plug connection (1) according to one of the preceding claims, characterized in that the power module structure (2) has at least one flux concentrator (11).
6. Leistungshalbleiter-Modul mit Steckverbindung (1) nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Leistungsmodulaufbau (2) einen Leistungsmodulrahmen (9) aufweist. Leistungshalbleiter-Modul mit Steckverbindung (1) nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Steckverbindung (5) zumindest zwei korrespondierende Lamellen (13) aufweist, die derart dimensioniert sind, dass die Steckverbindung (5) mit den Lamellen (13) einen6. Power semiconductor module with plug connection (1) according to one of the preceding claims, characterized in that the power module structure (2) has a power module frame (9). Power semiconductor module with plug connection (1) according to one of the preceding claims, characterized in that the plug connection (5) has at least two corresponding slats (13), which are dimensioned such that the plug connection (5) has a connection with the slats (13).
Maschinendraht (14) lösbar fixierend umfasst. Leistungshalbleiter-Modul mit Steckverbindung (1) nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Leistungshalbleiter-Modul mit Steckverbindung (1) einen Leistungsmodulrahmen (9) aufweist, der derart das Leistungshalbleitermodul mit Steckverbindung (1) umfasst, dass ein vollumfänglicher Hartverguss des Leistungsmodulrahmens (9) möglich ist, wobei lediglich der Lastanschluss (3) nicht umschlossen wird. Verwendung eines Leistungshalbleiter-Modul mit Steckverbindung (1) nach einem der vorangegangenen Ansprüche zur lösbaren Kontaktierung und Halterung an einem jeweiligen Maschinendraht (14) eines Wickelkopfes (15) an einem Statorpaket (16) einer elektrischen Maschine (17). Machine wire (14) is covered in a detachable fixing manner. Power semiconductor module with plug connection (1) according to one of the preceding claims, characterized in that the power semiconductor module with plug connection (1) has a power module frame (9) which encloses the power semiconductor module with plug connection (1) in such a way that a complete hard casting of the Power module frame (9) is possible, with only the load connection (3) not being enclosed. Use of a power semiconductor module with a plug-in connection (1) according to one of the preceding claims for releasably contacting and holding on a respective machine wire (14) of a winding head (15) on a stator packet (16) of an electrical machine (17).
PCT/DE2023/100285 2022-05-06 2023-04-20 Power semiconductor module having a plug-in connection WO2023213346A1 (en)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
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DE102022111406.6A DE102022111406A1 (en) 2022-05-06 2022-05-06 POWER SEMICONDUCTOR MODULE WITH PLUG CONNECTION
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Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1622226A1 (en) 2004-07-30 2006-02-01 Lisa Dräxlmaier GmbH High current interface for vehicles
US7187568B2 (en) 2002-01-16 2007-03-06 Rockwell Automation Technologies, Inc. Power converter having improved terminal structure
DE102006027482B3 (en) 2006-06-14 2007-08-16 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Housed semiconductor circuit arrangement e.g. power semiconductor module, has two conductive layers with contact device to joint surface of semiconductor component, where part of conductive layers is part of another contact device
US7717747B2 (en) 2006-11-06 2010-05-18 Gm Global Technology Operations, Inc. Power inverter connector having integrated current sensors
DE102010038727A1 (en) * 2010-07-30 2012-02-02 Infineon Technologies Ag Power semiconductor module, method for producing a power semiconductor module and a housing element for a power semiconductor module
EP2467001A1 (en) * 2010-12-17 2012-06-20 SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG Circuit assembly with at least two sub-modules
DE112011101833T5 (en) * 2010-09-15 2013-03-14 Aisin Aw Co., Ltd. Inverter device
DE102012211924A1 (en) * 2012-07-09 2014-01-09 Infineon Technologies Ag Semiconductor module having a shunt resistor integrated in a terminal lug and method for detecting a current flowing through a load terminal of a semiconductor module
DE112015003117T5 (en) 2014-07-03 2017-03-30 Denso Corporation Semiconductor device
DE102017001166A1 (en) * 2017-01-31 2018-08-02 Kostal Kontakt Systeme Gmbh Contact blade for a socket-like connector part and female connector part
EP3432006A1 (en) * 2017-07-20 2019-01-23 Audi Ag Electronics device with current sensor integrated into a heat sink
WO2019034741A1 (en) 2017-08-18 2019-02-21 Danfoss Silicon Power Gmbh Power semiconductor having a shunt resistor
WO2020219955A1 (en) * 2019-04-25 2020-10-29 American Axle & Manufacturing, Inc. Electric drive module
WO2021074896A1 (en) * 2019-10-16 2021-04-22 TE Connectivity Services Gmbh Contact assembly
US20210156909A1 (en) 2016-11-29 2021-05-27 Seiko Epson Corporation Electronic component handler and electronic component tester

Patent Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7187568B2 (en) 2002-01-16 2007-03-06 Rockwell Automation Technologies, Inc. Power converter having improved terminal structure
EP1622226A1 (en) 2004-07-30 2006-02-01 Lisa Dräxlmaier GmbH High current interface for vehicles
DE102006027482B3 (en) 2006-06-14 2007-08-16 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Housed semiconductor circuit arrangement e.g. power semiconductor module, has two conductive layers with contact device to joint surface of semiconductor component, where part of conductive layers is part of another contact device
US7717747B2 (en) 2006-11-06 2010-05-18 Gm Global Technology Operations, Inc. Power inverter connector having integrated current sensors
DE102010038727A1 (en) * 2010-07-30 2012-02-02 Infineon Technologies Ag Power semiconductor module, method for producing a power semiconductor module and a housing element for a power semiconductor module
DE112011101833T5 (en) * 2010-09-15 2013-03-14 Aisin Aw Co., Ltd. Inverter device
EP2467001A1 (en) * 2010-12-17 2012-06-20 SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG Circuit assembly with at least two sub-modules
US20140035605A1 (en) 2012-07-09 2014-02-06 Infineon Technologies Ag Shunt Resistor Integrated in a Connection Lug of a Semiconductor Module and Method for Determining a Current Flowing Through a Load Connection of a Semiconductor Module
DE102012211924A1 (en) * 2012-07-09 2014-01-09 Infineon Technologies Ag Semiconductor module having a shunt resistor integrated in a terminal lug and method for detecting a current flowing through a load terminal of a semiconductor module
DE112015003117T5 (en) 2014-07-03 2017-03-30 Denso Corporation Semiconductor device
US20210156909A1 (en) 2016-11-29 2021-05-27 Seiko Epson Corporation Electronic component handler and electronic component tester
DE102017001166A1 (en) * 2017-01-31 2018-08-02 Kostal Kontakt Systeme Gmbh Contact blade for a socket-like connector part and female connector part
EP3432006A1 (en) * 2017-07-20 2019-01-23 Audi Ag Electronics device with current sensor integrated into a heat sink
WO2019034741A1 (en) 2017-08-18 2019-02-21 Danfoss Silicon Power Gmbh Power semiconductor having a shunt resistor
WO2020219955A1 (en) * 2019-04-25 2020-10-29 American Axle & Manufacturing, Inc. Electric drive module
WO2021074896A1 (en) * 2019-10-16 2021-04-22 TE Connectivity Services Gmbh Contact assembly

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