WO2023074120A1 - 固体撮像装置 - Google Patents

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WO2023074120A1
WO2023074120A1 PCT/JP2022/033157 JP2022033157W WO2023074120A1 WO 2023074120 A1 WO2023074120 A1 WO 2023074120A1 JP 2022033157 W JP2022033157 W JP 2022033157W WO 2023074120 A1 WO2023074120 A1 WO 2023074120A1
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WO
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transparent electrode
solid
state imaging
imaging device
wiring
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Application number
PCT/JP2022/033157
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English (en)
French (fr)
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匡 飯島
涼介 鈴木
巖 八木
正大 定榮
賢一 村田
Original Assignee
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Definitions

  • the present disclosure relates to a solid-state imaging device.
  • Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2002-200001 discloses an imaging device and a solid-state imaging device.
  • a pixel unit of an imaging device and a solid-state imaging device includes a first electrode laminated on a semiconductor substrate, a photoelectric conversion film laminated on the first electrode, and a second electrode laminated on the photoelectric conversion film. ing.
  • a connection portion for supplying electricity to the pixel portion is arranged on the semiconductor substrate.
  • a protective film is formed on the pixel portion and the peripheral region.
  • a light shielding film is formed on the protective film in the peripheral region.
  • a metal wiring material that blocks light and has electrical conductivity is used for the light shielding film.
  • the light shielding film can be used as wiring.
  • a light-shielding film can be used as a wiring that connects between the second electrode of the pixel portion and the connection portion of the peripheral region.
  • the wiring extends on the protective film, one end of the wiring is connected to the second electrode through a connection hole formed in the protective film, and the other end of the wiring is connected to the connection portion through the connection hole.
  • the wiring is routed through the connection hole, over the protective film, and again through the connection hole, the wiring structure becomes complicated. Also, since the wiring is drawn around, the wiring resistance increases.
  • a solid-state imaging device includes: a transparent semiconductor formed in an effective pixel region of an insulator; an organic photoelectric conversion film formed on the side of the transparent semiconductor opposite to the insulator; a pixel portion having a transparent electrode formed on the opposite side of the conversion film to the transparent semiconductor; and a circuit provided in an insulator in a peripheral region around the effective pixel region and connected to a circuit for supplying electricity to the transparent electrode. and a wiring that electrically connects between the transparent electrode and the connection portion and is formed of a transparent electrode material.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a schematic overall configuration of a solid-state imaging device according to a first embodiment of the present disclosure
  • FIG. 2 is a schematic plan view of the solid-state imaging device shown in FIG. 1
  • FIG. 1. It is 1st process sectional drawing explaining the manufacturing method of the solid-state imaging device shown by FIG. It is a 2nd process sectional drawing. It is a 3rd process sectional drawing. It is a 4th process sectional drawing. It is a 5th process sectional drawing. It is 6th process sectional drawing. It is a 7th process sectional drawing. It is 8th process sectional drawing. It is 9th process sectional drawing. It is a 10th process sectional drawing. It is 11th process sectional drawing.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view corresponding to FIG. 1 and illustrating a schematic overall configuration of a solid-state imaging device according to a second embodiment of the present disclosure
  • 16A to 16C are cross-sectional views of the first process for explaining the method of manufacturing the solid-state imaging device shown in FIG. 15; It is a 2nd process sectional drawing. It is a 3rd process sectional drawing. It is a 4th process sectional drawing. It is a 5th process sectional drawing. It is 6th process sectional drawing. It is a 7th process sectional drawing. It is 8th process sectional drawing. It is 9th process sectional drawing.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view corresponding to FIG.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view corresponding to FIG. 1 and illustrating a schematic overall configuration of a solid-state imaging device according to a fourth embodiment of the present disclosure;
  • FIG. 12 is a cross-sectional view corresponding to FIG. 1 and illustrating a schematic overall configuration of a solid-state imaging device according to a fourth embodiment of the present disclosure;
  • FIG. 12 is a cross-sectional view corresponding to FIG. 1 and illustrating a schematic overall configuration of a solid-state imaging device according to a fourth embodiment of the present disclosure;
  • FIG. 12 is a cross-sectional view corresponding to FIG. 1 and illustrating a schematic overall configuration of a solid-state imaging device according to a fourth embodiment of the present disclosure;
  • FIG. 12 is a cross-sectional view corresponding to FIG. 1 and illustrating a schematic overall configuration of a solid-state imaging device according to a fourth embodiment of the present disclosure;
  • FIG. 12 is a cross-sectional view corresponding to FIG. 1 and illustrating a schematic overall
  • FIG. 36 is a cross-sectional view of the first step for explaining the manufacturing method of the solid-state imaging device shown in FIG. 35; It is a 2nd process sectional drawing. It is a 3rd process sectional drawing. It is a 4th process sectional drawing. It is a 5th process sectional drawing. It is 6th process sectional drawing.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view corresponding to FIG. 1 and illustrating a schematic overall configuration of a solid-state imaging device according to a fifth embodiment of the present disclosure;
  • FIG. 43 is a cross-sectional view of the first step for explaining the manufacturing method of the solid-state imaging device shown in FIG. 42; It is a 2nd process sectional drawing. It is a 3rd process sectional drawing.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view corresponding to FIG. 1 and illustrating a schematic overall configuration of a solid-state imaging device according to a seventh embodiment of the present disclosure
  • 51 is a cross-sectional view of the first step for explaining the manufacturing method of the solid-state imaging device shown in FIG. 50
  • FIG. It is a 2nd process sectional drawing. It is a 3rd process sectional drawing. It is a 4th process sectional drawing.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view corresponding to FIG. 1 and illustrating a schematic overall configuration of a solid-state imaging device according to a ninth embodiment of the present disclosure
  • FIG. 58 is a cross-sectional view of the first step for explaining the manufacturing method of the solid-state imaging device shown in FIG. 57; It is a 2nd process sectional drawing. It is a 3rd process sectional drawing. It is a 4th process sectional drawing. It is a 5th process sectional drawing.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view corresponding to FIG. 1 and illustrating a schematic overall configuration of a solid-state imaging device according to a ninth embodiment of the present disclosure
  • FIG. 58 is a cross-sectional view of the first step for explaining the manufacturing method of the solid-state imaging device shown in FIG. 57; It is a 2nd process sectional drawing. It is a 3rd process sectional drawing. It is a 4th process sectional drawing. It is a 5th process sectional drawing.
  • FIG. 20 is a cross-sectional view illustrating a schematic overall configuration of a solid-state imaging device according to a tenth embodiment of the present disclosure
  • FIG. 64 is a schematic plan view of the solid-state imaging device shown in FIG. 63
  • FIG. 63 is a cross-sectional view of the first step for explaining the manufacturing method of the solid-state imaging device shown in FIG. 62; It is a 2nd process sectional drawing. It is a 3rd process sectional drawing. It is a 4th process sectional drawing. It is a 5th process sectional drawing. It is 6th process sectional drawing. It is a 7th process sectional drawing. It is 8th process sectional drawing. It is 9th process sectional drawing.
  • FIG. 64 is a schematic plan view of the solid-state imaging device shown in FIG. 63
  • FIG. 63 is a cross-sectional view of the first step for explaining the manufacturing method of the solid-state imaging device shown in FIG. 62; It is a 2nd process sectional drawing.
  • FIG. 20 is a cross-sectional view illustrating the configuration of a modeled pixel unit of a solid-state imaging device according to an eleventh embodiment of the present disclosure
  • FIG. 74 is a cross-sectional view corresponding to FIG. 74 of the solid-state imaging device according to the twelfth embodiment of the present disclosure
  • FIG. 74 is a cross-sectional view corresponding to FIG. 74 of the solid-state imaging device according to the thirteenth embodiment of the present disclosure
  • 74 is a cross-sectional view corresponding to FIG. 74 of the solid-state imaging device according to the fourteenth embodiment of the present disclosure
  • FIG. 74 is a cross-sectional view corresponding to FIG. 74 of the solid-state imaging device according to the fifteenth embodiment of the present disclosure
  • FIG. 74 is a cross-sectional view corresponding to FIG. 74 of the solid-state imaging device according to the fifteenth embodiment of the present disclosure
  • FIG. 74 is a cross-sectional view corresponding to FIG. 74 of
  • First Embodiment A first embodiment describes an example in which the present technology is applied to a solid-state imaging device. 1st Embodiment demonstrates in detail about the cross-sectional structure of a solid-state imaging device, a planar structure, and a manufacturing method. 2. Second Embodiment A second embodiment will explain an example in which the structure of the side surface of the pixel portion and the peripheral region are changed in the solid-state imaging device according to the first embodiment. In the second embodiment, the cross-sectional configuration and manufacturing method of the solid-state imaging device will also be described in detail. 3.
  • Third Embodiment A third embodiment describes an example in which the structure of the side surface of the pixel portion is changed in the solid-state imaging device according to the first embodiment. In the third embodiment, the cross-sectional configuration and manufacturing method of the solid-state imaging device will also be described in detail. 4. Fourth Embodiment A fourth embodiment describes an example in which the structure of the side surface of the pixel portion is changed in the solid-state imaging device according to the third embodiment. In the fourth embodiment, the cross-sectional configuration and manufacturing method of the solid-state imaging device will also be described in detail. 5. Fifth Embodiment A fifth embodiment will explain an example in which the structure of the side surface of the pixel portion, particularly the structure of the sidewall insulator, is changed in the solid-state imaging device according to the first embodiment.
  • the cross-sectional configuration and manufacturing method of the solid-state imaging device will also be described in detail. 6.
  • Sixth Embodiment A sixth embodiment will explain an example in which the manufacturing method of the side wall insulator of the solid-state imaging device according to the fifth embodiment is changed in the solid-state imaging device according to the fifth embodiment. 7.
  • Seventh Embodiment In the seventh embodiment in the solid-state imaging device according to the fifth embodiment, an example in which the structure of the transparent electrode of the pixel portion and the wiring for connecting the transparent electrode and the connection portion of the peripheral region is changed. explain.
  • the cross-sectional configuration and manufacturing method of the solid-state imaging device will also be described in detail. 8.
  • Thirteenth Embodiment A thirteenth embodiment is a third example for explaining the structure of a solid-state imaging device to which the present technology is applicable. 14.
  • Fourteenth Embodiment A fourteenth embodiment is a fourth example for explaining the structure of a solid-state imaging device to which the present technology is applicable.
  • Fifteenth Embodiment A fifteenth embodiment is a fifth example for explaining the structure of a solid-state imaging device to which the present technology is applicable. 16.
  • the arrow X direction shown as appropriate indicates one plane direction of the solid-state imaging device 1 placed on a plane for convenience.
  • the arrow Y direction indicates another planar direction perpendicular to the arrow X direction.
  • the arrow Z direction indicates an upward direction orthogonal to the arrow X direction and the arrow Y direction. That is, the arrow X direction, the arrow Y direction, and the arrow Z direction exactly match the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction of the three-dimensional coordinate system, respectively. It should be noted that each of these directions is illustrated to aid understanding of the description, and does not limit the direction of the present technology.
  • FIG. 1 shows an example of a vertical cross-sectional configuration of the solid-state imaging device 1 .
  • FIG. 2 shows an example of a planar configuration of the solid-state imaging device 1. As shown in FIG.
  • the solid-state imaging device 1 is located at the center of the insulator 2 when viewed in the direction of arrow Y (hereinafter simply referred to as "in side view") and in the direction of arrow Z (hereinafter simply referred to as "in plan view”). It has an effective pixel region 101 having a pixel portion 100 in its portion. Furthermore, the solid-state imaging device 1 includes a peripheral region 102 around the effective pixel region 101 on the insulator 2 . Although the shape is not particularly limited, the effective pixel region 101 is formed in a rectangular shape in which the length in the direction of the arrow Y is shorter than the length in the direction of the arrow X in plan view. The overall planar shape of the solid-state imaging device 1 is formed into a rectangular shape that is one size larger than the effective pixel region 101 by adding a peripheral region 102 around the effective pixel region 101 .
  • the insulator 2 is laminated on the base 3 . Although a detailed description of the structure is omitted, the insulator 2 covers the multi-layer wiring, connection hole wiring, etc., and has insulation and environmental resistance.
  • a visible light transmission filter (not shown) is disposed inside the insulator 2, and the insulator 2 covers and protects this visible light transmission filter.
  • the visible light transmission filter for example, an infrared transmission filter (IRPF) is used (see reference numeral 26 shown in FIG. 74). Silicon oxide (for example, SiO) is used for the insulator 2, for example.
  • wiring 22 is arranged inside the insulator 2 in the light transmission region. A transparent electrode material is used for the wiring 22 .
  • ITO indium tin oxide
  • a wiring 23 is arranged between the wiring 22 and the base 3 to electrically connect the two.
  • Metal wiring such as tungsten (W) is used for the wiring 23 .
  • an insulating film 24 is formed on the uppermost layer of the insulator 2 .
  • the insulating film 24 is made of SiOx, for example.
  • an insulating film 25 is formed under the insulating film 24 in the peripheral region 102 .
  • the insulating film 25 is made of silicon nitride (SiN), for example.
  • the substrate 3 is formed by alternately laminating a plurality of semiconductor layers and insulating layers in which multilayer wiring is arranged.
  • a photodiode is formed in the semiconductor layer stacked closest to the insulator 2 (see, for example, reference numeral 31 shown in FIG. 74).
  • a plurality of photodiodes are arranged at regular intervals in the arrow X direction and the arrow Y direction.
  • the photodiode is configured as a photodetector.
  • a photodetector circuit, a control circuit, and the like are arranged in the semiconductor layer separated from the insulator 2 with the semiconductor layer including the photodiode interposed therebetween.
  • the photodetection circuit reads out a photodetection signal from the photodiode.
  • the control circuit controls the operation of the pixel section 100, the photodetector circuit, and the like.
  • the pixel section 100 arranged in the effective pixel area 101 includes a transparent semiconductor 4, an organic photoelectric conversion film 5, and a transparent electrode 6 as main components.
  • a transparent semiconductor 4 is laminated on the insulator 2 . Electrons converted from light in the organic photoelectric conversion film 5 are accumulated in the transparent semiconductor 4 . Further, the transparent semiconductor 4 is connected to the photodetector arranged on the substrate 3 through a multilayer wiring (not shown) formed inside the insulator 2, and the accumulated electrons are transferred to the photodetector. be done.
  • the transparent semiconductor 4 is an oxide semiconductor that transmits electromagnetic waves in the visible light range.
  • IGZO containing indium (In), gallium (Ga), zinc (Zn), and oxygen (O) is used.
  • the transparent semiconductor 4 is formed with a thickness of 1 nm or more and 10000 nm or less, for example.
  • the organic photoelectric conversion film 5 is laminated on the transparent semiconductor 4 . In the organic photoelectric conversion film 5, electrons are generated from light incident from the arrow Z direction.
  • the organic photoelectric conversion film 5 uses an organic material as a light receiving element material. As the organic material, any organic film capable of photoelectric conversion may be used.
  • the organic photoelectric conversion film 5 is formed with a thickness of 1 nm or more and 100 ⁇ m or less, for example.
  • a transparent electrode 6 is laminated on the organic photoelectric conversion film 5 .
  • the transparent electrode 6 is configured as a common electrode over the entire area of the pixel section 100 , and electricity applied to the entire area of the organic photoelectric conversion film 5 is supplied to the transparent electrode 6 .
  • the transparent electrode 6 includes a first transparent electrode 61 and a second transparent electrode 62 laminated on the opposite side of the first transparent electrode 61 to the organic photoelectric conversion film 5 in the first embodiment.
  • the first transparent electrode 61 is made of indium oxide-zinc oxide (IZO) here.
  • the first transparent electrode 61 is formed with a thickness of, for example, 1 nm or more and 1000 nm or less. The thickness of the first transparent electrode 61 is formed thinner than the thickness of the second transparent electrode 62 .
  • the second transparent electrode 62 is made of the same transparent electrode material as the first transparent electrode 61 here.
  • the second transparent electrode 62 is formed with a thickness of, for example, 1 nm or more and 1000 nm or less.
  • the thickness of the second transparent electrode 62 is formed thicker than the thickness of the first transparent electrode 61 . This increases the thickness of the transparent electrode 6 having the first transparent electrode 61 and the second transparent electrode 62, so that the resistance value of the transparent electrode 6 can be reduced.
  • the second transparent electrode 62 is used for the wiring 63, the resistance value of the wiring 63 can also be reduced.
  • the transparent electrode 6 may be formed of a transparent electrode material other than IZO.
  • the transparent electrode 6 may be formed using one or more transparent electrode materials selected from ITO, tin oxide (SnOx), zinc oxide (ZnOx), titanium oxide (TiOx) and silver (Ag) nanowires.
  • the transparent electrode 6 may be made of a different transparent electrode material for the second transparent electrode 62 than the transparent electrode material for the first transparent electrode 61 . This specific example will be described in detail in the solid-state imaging device 1 according to the seventh embodiment, which will be described later.
  • a protective film 9 covering the transparent electrode 6 is formed on the transparent electrode 6 in the effective pixel region 101 .
  • the protective film 9 is made of, for example, aluminum oxide (AlO), which has insulating properties and environmental resistance.
  • AlO aluminum oxide
  • the protective film 9 is formed with a thickness of, for example, 1 nm or more and 1000 nm or less.
  • a color filter and an optical lens are sequentially laminated on the protective film 9 .
  • the color filter is made of, for example, a resin material to which dyes of red, blue, and green, which are the three primary colors of light, are added.
  • the optical lens is made of, for example, a resin material curved in the arrow Z direction.
  • the connecting portion 8 is arranged on the insulator 2 .
  • the connection portion 8 is arranged on the right side of the effective pixel area 101 in the side view shown in FIG. 1 and the plan view shown in FIG.
  • the connection portion 8 may be arranged on the left side of the effective pixel area 101, or may be arranged above or below the effective pixel area 101 in plan view.
  • the connection portion 8 is not limited to one location, and may be arranged at a plurality of locations on the right and left sides of the effective pixel area 101, for example.
  • the connecting portions 8 are provided at a plurality of locations is described (see FIG. 64).
  • the connection portion 8 is connected to the transparent electrode 6 of the pixel portion 100 through the wiring 63 . That is, the connecting portion 8 is connected to a circuit (not shown) arranged on the substrate 3 and supplies electricity from this circuit to the transparent electrode 6 through the wiring 63 .
  • the circuit may be the aforementioned control circuit or a power supply circuit.
  • the wiring 63 is made of the same transparent electrode material as the second transparent electrode 62 of the transparent electrode 6 in the first embodiment. Furthermore, it is formed of the same conductive layer as the second transparent electrode 62 . That is, the second transparent electrode 62 constructs the transparent electrode 6 of the pixel section 100 in the effective pixel area 101 and extends from the effective pixel area 101 to the peripheral area 102 to form the wiring 63 .
  • the wiring 63 is connected to the multi-layered wiring 23 formed inside the insulator 2 to form the connecting portion 8 . Since the wiring 63 is formed using the second transparent electrode 62 which is a part of the transparent electrodes 6, the thickness of the wiring 63 is formed thinner than the thickness of the transparent electrode 6. As shown in FIG.
  • the wiring 63 extends in the vertical direction (opposite to the arrow Z direction) along the side surface of the pixel section 100 from the connection point with the transparent electrode 6 on the right side of the effective pixel area 101 .
  • the wiring 63 extends in the horizontal direction (the arrow X direction) in the peripheral region 102 .
  • the wiring 63 connects between the transparent electrode 6 and the connecting portion 8 at the shortest distance without running on the protective film 9, for example.
  • sidewall insulators 7 are formed between the side surfaces of the pixel section 100 and the wiring 63, as shown in FIG.
  • the side wall insulator 7 is made of, for example, AlO, which has insulating properties and environmental resistance.
  • the sidewall insulator 7 is formed with a thickness of, for example, 1 nm or more and 1000 nm or less from the side surface of the pixel section 100 toward the peripheral region 102 .
  • a protective film 9 is formed on the wiring 63 in the peripheral region 102 to cover the wiring 63 .
  • the protective film 9 is made of the same material as the protective film 9 on the effective pixel region 101 and is formed in the same layer.
  • a light shielding film 10 is formed on the protective film 9 in the peripheral region 102 .
  • the light shielding film 10 is made of a material that does not transmit light.
  • the light shielding film 10 is formed of a metal material such as tungsten (W), or a resin material colored black (for example, black resist).
  • W tungsten
  • the light shielding film 10 is formed with a thickness of, for example, 1 nm or more and 1000 ⁇ m or less.
  • the light shielding film 10 is formed with a thickness of, for example, 1 nm or more and 1000 ⁇ m or less.
  • the transparent semiconductor 4 the organic photoelectric conversion film 5, the first transparent electrode 61 of the transparent electrode 6, and the mask 71 are sequentially formed on the insulator 2. .
  • the first transparent electrode 61 , the organic photoelectric conversion film 5 , and the transparent semiconductor 4 are each patterned using the uppermost mask 71 .
  • Amorphous carbon for example, is used as the mask 71 .
  • the sidewall insulator 7 is formed over the entire surface including the mask 71 in the effective pixel region 101 and the insulator 2 in the peripheral region 102 .
  • the sidewall insulator 7 is also formed on the side surfaces of the pixel section 100 in the effective pixel area 101, the peripheral area 102 and the boundary area. That is, the sidewall insulator 7 is formed along the side surface of the transparent semiconductor 4 , the side surface of the organic photoelectric conversion film 5 and the side surface of the first transparent electrode 61 .
  • the sidewall insulator 7 is made of AlO, for example.
  • the sidewall insulator 7 is formed, for example, by an atomic layer deposition (ALD) method.
  • ALD atomic layer deposition
  • the sidewall insulator 7 on the mask 71 in the effective pixel region 101 and the sidewall insulator 7 on the insulator 2 in the peripheral region 102 are removed, and the sidewall insulator 7 is formed on the side surface of the pixel portion 100. As shown in FIG. It is formed.
  • An anisotropic etching method such as a reactive ion etching (RIE: Reactive Ion Etching) method is used to remove the sidewall insulator 7 .
  • RIE reactive ion etching
  • a mask 72 is formed over the effective pixel area 101 and the peripheral area 102 .
  • the mask 72 is formed on the mask 71 in the effective pixel area 101 and on the insulator 2 in the peripheral area 102 .
  • An opening 72H is formed in the mask 72 at the connection portion 8 (see FIGS. 1 and 2) in the peripheral region 102 .
  • the mask 72 is made of photoresist, for example.
  • the insulator 2 exposed through the openings 72H of the mask 72 is removed, and the surface of the wiring 23 inside the insulator 2 is exposed.
  • An RIE method for example, is used to remove the insulator 2 . After this, as shown in FIG. 8, the mask 72 is removed.
  • the mask 71 on the first transparent electrode 61 is removed.
  • the surface of the first transparent electrode 61 is exposed.
  • the second transparent electrode 62 is formed over the entire surface including the first transparent electrode 61 in the effective pixel area 101 and the insulator 2 in the peripheral area 102 . Since the second transparent electrode 62 is laminated on the first transparent electrode 61 in the effective pixel region 101, the transparent electrode 6 composed of the first transparent electrode 61 and the second transparent electrode 62 is formed.
  • a mask 73 is formed to cover the transparent electrode 6 in the effective pixel area 101 and the portion from the transparent electrode 6 to the connecting portion 8 .
  • the mask 73 is made of photoresist, for example.
  • a mask 73 is used to remove excess second transparent electrode 62 in peripheral region 102 . Subsequently, mask 73 is removed, as shown in FIG. As a result, the wiring 63 is formed integrally with the second transparent electrode 62 of the transparent electrode 6, is formed of the same transparent electrode material as the second transparent electrode 62, and is made of the same conductive layer as the second transparent electrode 62. It is formed. This wiring 63 is connected to the wiring 23 at the connecting portion 8 . In addition, the wiring 63 is electrically separated from the side surface of the transparent semiconductor 4 of the pixel section 100, the side surface of the organic photoelectric conversion film 5, and the side surface of the first transparent electrode 61 of the transparent electrode 6 with the side wall insulator 7 interposed. be done.
  • the protective film 9 is formed over the entire surface including the transparent electrodes 6 in the effective pixel region 101, the wirings 63 in the peripheral region 102, and the connecting portions 8 in the peripheral region 102. As shown in FIG. Subsequently, as shown in FIG. 1 described above, the light shielding film 10 is formed on the protective film 9 in the peripheral region 102 . When a series of these manufacturing steps are completed, the solid-state imaging device 1 according to the first embodiment is completed.
  • the solid-state imaging device 1 includes a pixel portion 100 having a transparent semiconductor 4, an organic photoelectric conversion film 5, and a transparent electrode 6; and wiring 63 .
  • a transparent semiconductor 4 is formed in an effective pixel region 101 of the insulator 2 .
  • the organic photoelectric conversion film 5 is formed on the side of the transparent semiconductor 4 opposite to the insulator 2 .
  • the transparent electrode 6 is formed on the side of the organic photoelectric conversion film 5 opposite to the transparent semiconductor 4 .
  • the connection portion 8 is arranged in the insulator 2 in the peripheral region 102 around the effective pixel region 101 and connected to a circuit that supplies electricity to the transparent electrode 6 .
  • the wiring 63 electrically connects between the transparent electrode 6 and the connecting portion 8 and is formed of a transparent electrode material. Therefore, the wiring 63 is formed by extending at least a part of the transparent electrode 6 , and the transparent electrode 6 and the connecting portion 8 can be directly connected by the wiring 63 . In other words, there is no need to form connection holes on the transparent electrode 6 of the protective film 9 and on the connection portion 8 of the protective film 9 , and there is no need to route wires over these connection holes and the protective film 9 . Thereby, the wiring structure for connecting the transparent electrode 6 and the connection portion 8 can be simplified. Moreover, since the wiring 63 is not routed, the wiring length of the wiring 63 is shortened, and the wiring resistance of the wiring 63 can be reduced.
  • the wiring 63 is formed to have a thickness smaller than the thickness of the transparent electrode 6, as shown in FIG. In other words, the thickness of the transparent electrode 6 is formed thicker than the thickness of the wiring 63 . Therefore, the resistance value of the transparent electrode 6 of the pixel section 100 can be reduced in the effective pixel region 101, so that uniform photoelectric conversion can be realized in the entire pixel section 100.
  • FIG. since the wiring 63 is formed thin, the second transparent electrode 62 can be easily processed in the manufacturing method of the solid-state imaging device 1, as shown in FIGS.
  • the transparent electrode 6 includes a first transparent electrode 61 and a second transparent electrode 62, as shown in FIG.
  • a first transparent electrode 61 is formed on the organic photoelectric conversion film 5 .
  • the second transparent electrode 62 is formed on the opposite side of the first transparent electrode 61 to the organic photoelectric conversion film 5 . Therefore, since the transparent electrode 6 is formed thickly by overlapping the first transparent electrode 61 and the second transparent electrode 62, the resistance value of the transparent electrode 6 can be reduced.
  • the wiring 63 is formed on the same conductive layer as at least part of the transparent electrode 6 . Specifically, the wiring 63 is formed on the same conductive layer as the second transparent electrode 62 of the transparent electrode 6 . Therefore, as described above, the wiring structure can be simplified and the wiring resistance of the wiring 63 can be reduced.
  • the solid-state imaging device 1 also includes sidewall insulators 7, as shown in FIG.
  • the sidewall insulator 7 is formed on the side surface of the organic photoelectric conversion film 5 and the side surface of the transparent semiconductor 4 .
  • the wiring 63 extends from the transparent electrode 6 to the connection portion 8 along the side surface of the organic photoelectric conversion film 5 and the side surface of the transparent semiconductor 4 with the side wall insulator 7 interposed therebetween. Therefore, the wiring 63 is reliably electrically isolated from the pixel section 100 , specifically from the organic photoelectric conversion film 5 and the transparent semiconductor 4 , by the sidewall insulator 7 .
  • the sidewall insulator 7 can improve the environmental resistance of the pixel section 100 .
  • a protective film 9 is formed in the effective pixel region 101 and the peripheral region 102 to cover the transparent electrodes 6 and the wirings 63.
  • the environmental resistance can be improved in the pixel portion 100 of the effective pixel region 101 and the connection portion 8 of the peripheral region 102 .
  • the light shielding film 10 is formed on the opposite side of the protective film 9 from the wiring 63 to block light. Thereby, the incidence of light in the peripheral area 102 can be blocked.
  • Second Embodiment> A solid-state imaging device 1 according to a second embodiment of the present disclosure will be described with reference to FIGS. 15 to 24.
  • FIG. 15 shows an example of a vertical cross-sectional configuration of the solid-state imaging device 1.
  • the side wall insulator 7 formed on the side surface of the pixel section 100 acts as a barrier between the insulator 2 in the peripheral region 102 and the protective film 9. is also formed between
  • the sidewall insulators 7 formed on the side surfaces of the pixel section 100 and the peripheral region 102 are made of the same insulating material and formed on the same insulating layer. That is, the sidewall insulator 7 formed on the side surface of the pixel section 100 extends to the peripheral region 102 .
  • Components other than the components described above are the same or substantially the same as the components of the solid-state imaging device 1 according to the first embodiment described above.
  • Side wall insulators 7 are formed in the same manner as in the process shown in FIG. 4 of the method for manufacturing the solid-state imaging device 1 according to the first embodiment (hereinafter simply referred to as "first manufacturing method").
  • the sidewall insulator 7 is formed on the entire surface including the mask 71 in the effective pixel region 101 and the insulator 2 in the peripheral region 102 .
  • a mask 72 is formed on the entire surface of the effective pixel region 101 and the peripheral region 102, as shown in FIG.
  • a mask 72 is formed on the sidewall insulator 7 in each of the effective pixel area 101 and the peripheral area 102 .
  • An opening 72H is formed in the mask 72 at the formation location of the connecting portion 8 (see FIG. 15) in the peripheral region 102 .
  • the side wall insulator 7 and the insulator 2 exposed through the opening 72H of the mask 72 are removed, and the inner portion of the insulator 2 is removed as shown in FIG.
  • the surface of the wiring 23 is exposed.
  • the RIE method is used to remove the sidewall insulator 7 and the insulator 2 .
  • mask 72 is removed as shown in FIG. 18, similarly to the step shown in FIG. 8 of the first manufacturing method.
  • the mask 71 is selectively removed in the effective pixel area 101 using a lift-off method. As the mask 71 is removed, the side wall insulator 7 on the mask 71 is removed in the effective pixel region 101 .
  • a second transparent electrode 62 is formed on the entire surface including the body 7 . Since the second transparent electrode 62 is laminated on the first transparent electrode 61 in the effective pixel region 101, the transparent electrode 6 composed of the first transparent electrode 61 and the second transparent electrode 62 is formed.
  • a mask 73 is used to remove excess second transparent electrode 62 in peripheral region 102, as shown in FIG. Subsequently, mask 73 is removed, as shown in FIG. As a result, the wiring 63 is formed integrally with the second transparent electrode 62 of the transparent electrode 6, is formed of the same transparent electrode material as the second transparent electrode 62, and is made of the same conductive layer as the second transparent electrode 62. It is formed. This wiring 63 is connected to the wiring 23 at the connecting portion 8 .
  • the wiring 63 is electrically separated from the side surface of the transparent semiconductor 4 of the pixel section 100, the side surface of the organic photoelectric conversion film 5, and the side surface of the first transparent electrode 61 of the transparent electrode 6 with the side wall insulator 7 interposed. be done.
  • the solid-state imaging device 1 according to the second embodiment is completed.
  • the solid-state imaging device 1 includes sidewall insulators 7 on the sides of the organic photoelectric conversion film 5 and the sides of the transparent semiconductor 4, as shown in FIG.
  • the wiring 63 extends from the transparent electrode 6 to the connecting portion 8 along the side surface of the organic photoelectric conversion film 5 and the side surface of the transparent semiconductor 4 with the side wall insulator 7 interposed.
  • sidewall insulator 7 extends between insulator 2 and protective film 9 in peripheral region 102 . That is, the sidewall insulator 7 formed on the side surface of the organic photoelectric conversion film 5 and the side surface of the transparent semiconductor 4 is used in the peripheral region 102, and the sidewall insulator 7 reduces the effective thickness of the insulator 2 or the protective film 9. can be thickened. Therefore, in the peripheral region 102, environmental resistance can be further improved.
  • FIG. 25 shows an example of a vertical cross-sectional configuration of the solid-state imaging device 1.
  • the side wall formed on the side surface of the pixel section 100 in the solid-state imaging device 1 according to the first embodiment or the second embodiment The insulator 7 is not formed (see FIGS. 1 and 15).
  • a natural oxide film (not shown) is effectively formed on the side surface of the pixel section 100 and at least on the side surface of the transparent semiconductor 4 . That is, the wiring 63 and the transparent semiconductor 4 are electrically separated by the natural oxide film.
  • Components other than the components described above are the same or substantially the same as the components of the solid-state imaging device 1 according to the first embodiment or the second embodiment.
  • the transparent semiconductor 4, the organic photoelectric conversion film 5, the first transparent electrode 61 of the transparent electrode 6, and the mask 71 are formed on the insulator 2 in the same manner as in the steps shown in FIGS. are formed in sequence.
  • the first transparent electrode 61 , the organic photoelectric conversion film 5 , and the transparent semiconductor 4 are each patterned using the uppermost mask 71 .
  • a mask 72 is formed on the entire surface of the effective pixel region 101 and the peripheral region 102 in the same manner as in the steps shown in FIG. 6 of the first manufacturing method.
  • the mask 72 is formed on the mask 71 in the effective pixel area 101 and on the insulator 2 in the peripheral area 102 .
  • An opening 72H is formed in the mask 72 at the formation location of the connecting portion 8 (see FIG. 25) in the peripheral region 102 .
  • the insulator 2 exposed through the openings 72H of the mask 72 is removed as shown in FIG. exposed. Thereby, the connecting portion 8 is substantially formed. After this, as shown in FIG. 28, the mask 72 is removed.
  • the mask 71 on the first transparent electrode 61 is removed in the effective pixel region 101 as shown in FIG.
  • the mask 71 is removed, the surface of the first transparent electrode 61 is exposed.
  • the second transparent electrode 61 is formed on the entire surface including the first transparent electrode 61 in the effective pixel region 101 and the insulator 2 in the peripheral region 102. As shown in FIG. Electrodes 62 are formed. Since the second transparent electrode 62 is laminated on the first transparent electrode 61 in the effective pixel region 101, the transparent electrode 6 composed of the first transparent electrode 61 and the second transparent electrode 62 is formed.
  • the wiring 63 is formed integrally with the second transparent electrode 62 of the transparent electrode 6, is formed of the same transparent electrode material as the second transparent electrode 62, and is made of the same conductive layer as the second transparent electrode 62. It is formed. This wiring 63 is connected to the wiring 23 at the connecting portion 8 . Moreover, the wiring 63 is electrically isolated from the side surface of the transparent semiconductor 4 of the pixel section 100 with a natural oxide film (not shown) interposed therebetween.
  • FIG. 25 Similar to the steps shown in FIG. 14 of the first manufacturing method, as shown in FIG. A protective film 9 is formed on the entire surface including. Subsequently, as shown in FIG. 25 described above, the light shielding film 10 is formed on the protective film 9 in the peripheral region 102 . When a series of these manufacturing steps are finished, the solid-state imaging device 1 according to the third embodiment is completed.
  • the sidewall insulators 7 are not intentionally formed on the side surfaces of the pixel section 100. As shown in FIG. Therefore, the component corresponding to the side wall insulator 7 can be omitted, and the wiring structure can be further simplified. In addition, since the process corresponding to the process of forming the sidewall insulator 7 can be omitted, the number of manufacturing processes of the solid-state imaging device 1 can be reduced. As a result, the manufacturing yield of the solid-state imaging device 1 can be improved.
  • FIG. 35 shows an example of a vertical cross-sectional configuration of the solid-state imaging device 1.
  • FIG. 35 in the solid-state imaging device 1 according to the fourth embodiment, similarly to the solid-state imaging device 1 according to the third embodiment, sidewall insulators 7 are not formed (see FIG. 25). .
  • a cavity 4 ⁇ /b>S is formed between the side surface of the transparent semiconductor 4 of the pixel section 100 and the wiring 63 .
  • a cavity 4 ⁇ /b>S is formed between the side surface of the transparent semiconductor 4 and the wiring 63 by forming the side surface of the transparent semiconductor 4 inside the effective pixel region 101 with respect to the side surface of the organic photoelectric conversion film 5 .
  • the cavity 4S is filled with gas such as air.
  • the transparent semiconductor 4 and the wiring 63 are electrically isolated from each other by gas.
  • Components other than the components described above are the same or substantially the same as the components of the solid-state imaging device 1 according to the third embodiment.
  • third manufacturing method in the manufacturing method of the solid-state imaging device 1 according to the third embodiment (hereinafter simply referred to as "third manufacturing method"), in the effective pixel region 101, on the first transparent electrode 61 mask 71 is removed.
  • the mask 71 is removed, the surface of the first transparent electrode 61 is exposed.
  • side etching is performed on the side surface of the transparent semiconductor 4 in the effective pixel region 101 .
  • an isotropic etching method for example, which has a high etching selectivity of the transparent semiconductor 4 with respect to the organic photoelectric conversion film 5 and the insulator 2, is used.
  • the side surface of the transparent semiconductor 4 recedes inside the effective pixel region 101 to form a cavity 4S.
  • the second transparent electrode 61 is applied over the entire surface including the first transparent electrode 61 in the effective pixel area 101 and the insulator 2 in the peripheral area 102. As shown in FIG. Electrodes 62 are formed. Since the second transparent electrode 62 is laminated on the first transparent electrode 61 in the effective pixel region 101, the transparent electrode 6 composed of the first transparent electrode 61 and the second transparent electrode 62 is formed.
  • a mask 73 is used to remove excess second transparent electrode 62 in peripheral region 102 . Subsequently, mask 73 is removed, as shown in FIG. As a result, the wiring 63 is formed integrally with the second transparent electrode 62 of the transparent electrode 6, is formed of the same transparent electrode material as the second transparent electrode 62, and is made of the same conductive layer as the second transparent electrode 62. It is formed. This wiring 63 is connected to the wiring 23 at the connecting portion 8 .
  • the wiring 63 is arranged on the side surface of the transparent semiconductor 4 with the cavity 4S (the gas filled in the cavity 4S) interposed therebetween. electrically isolated.
  • FIG. 34 of the third manufacturing method Similar to the process shown in FIG. 34 of the third manufacturing method, as shown in FIG. 35 described above, the light shielding film 10 is formed on the protective film 9 in the peripheral region 102 .
  • the solid-state imaging device 1 according to the fourth embodiment is completed.
  • the solid-state imaging device 1 includes a cavity 4S between the side surface of the transparent semiconductor 4 of the pixel section 100 and the wiring 63.
  • the cavity 4 ⁇ /b>S is formed by arranging the side surface of the transparent semiconductor 4 inside the effective pixel region 101 with respect to the side surface of the organic photoelectric conversion film 5 . That is, the cavity 4S is formed by side etching. Therefore, the wiring 63 is reliably electrically isolated from the pixel section 100, specifically from the transparent semiconductor 4 by the cavity 4S (or the gas filled in the cavity 4S).
  • a solid-state imaging device 1 according to a fifth embodiment of the present disclosure will be described with reference to FIGS. 42 to 47.
  • FIG. in the solid-state imaging devices 1 according to the fifth to ninth embodiments examples in which the structure of the side wall insulator 7 is changed will be described.
  • FIG. 42 shows an example of a vertical cross-sectional configuration of the solid-state imaging device 1.
  • the solid-state imaging device 1 according to the fifth embodiment includes sidewall insulators 7, like the solid-state imaging device 1 according to the first embodiment.
  • the sidewall insulator 7 is formed on the side surface of the pixel section 100 , that is, at least on the side surface of the organic photoelectric conversion film 5 and the side surface of the transparent semiconductor 4 .
  • the side wall insulator 7 includes a first side wall insulator 75 which is the same or substantially the same component as the side wall insulator 7 of the solid-state imaging device 1 according to the first embodiment; and a second sidewall insulator 76 stacked on the first sidewall insulator 75 .
  • the second sidewall insulator 76 of the sidewall insulator 7 has an inclined wall surface 7S extending from the effective pixel region 101 to the peripheral region 102 from the transparent electrode 6 toward the transparent semiconductor 4 on the side surface of the pixel section 100 . Since the inclined wall surface 7S is formed, the thickness of the sidewall insulator 7 formed on the side surface of the organic photoelectric conversion film 5 from the side surface of the organic photoelectric conversion film 5 is formed on the side surface of the transparent electrode 6. The thickness of the side wall insulator 7 from the side surface of the transparent electrode 6 is thicker than that of the side wall insulator 7 .
  • the thickness of the side wall insulator 7 formed on the side surface of the transparent semiconductor 4 from the side surface of the transparent semiconductor 4 is equal to the thickness of the side wall insulator 7 formed on the side surface of the organic photoelectric conversion film 5 . It is formed thicker than the thickness from the side surface of 5.
  • the inclined wall surface 7S is formed flat here.
  • an inclination angle ⁇ formed by the inclined wall surface 7S and the surface of the insulator 2 on the effective pixel region 101 side is set to, for example, 20 degrees or more and less than 90 degrees.
  • the inclination angle ⁇ is set to 20 degrees or more and less than 60 degrees.
  • Components other than the components described above are the same or substantially the same as the components of the solid-state imaging device 1 according to the first embodiment described above.
  • first sidewall insulators 75 are formed on the side surfaces of the pixel section 100 (see FIGS. 5 and 43).
  • the first sidewall insulator 75 is here, like the sidewall insulator 7 shown in FIG. 5, for example made of AlO.
  • An ALD method is used to form the first sidewall insulator 75 .
  • insulator 2 is removed in peripheral region 102 to expose the surface of wiring 23 inside insulator 2 .
  • the mask 71 on the first transparent electrode 61 is removed in the effective pixel region 101 in the same manner as in the process shown in FIG. 9 of the first manufacturing method.
  • the surface of the first transparent electrode 61 is exposed.
  • an insulating film 77 is formed over the entire surface including the first transparent electrode 61 in the effective pixel area 101 and the insulator 2 in the peripheral area 102 . Since the insulating film 77 forms the second sidewall insulator 76 of the sidewall insulator 7, it is made of, for example, AlO, which has insulating properties and environmental resistance.
  • the insulating film 77 is formed by sputtering or ALD, for example.
  • the insulating film 77 is formed to have a thickness that completely embeds the pixel portion 100, for example, 1 nm or more and 100 ⁇ m or less.
  • the surface of the insulating film 77 is undulated. That is, the surface of the insulating film 77 is higher in the effective pixel region 101 and lower than the effective pixel region 101 in the peripheral region 102 . As shown in FIG. 44, the surface of insulating film 77 is planarized. A chemical mechanical polishing (CMP) method or an etchback method is used for planarization.
  • CMP chemical mechanical polishing
  • a mask 81 is formed on the insulating film 77 in the effective pixel region 101 .
  • the mask 81 is shown using dashed lines in FIG.
  • a photoresist for example, is used as the mask 81 .
  • insulating film 77 in peripheral region 102 is removed.
  • a dry etching method for example, is used to remove the insulating film 77 .
  • the etching conditions are appropriately adjusted, and the second side wall insulator 76 having the inclined wall surface 7S from the insulating film 77 is formed on the side surface of the pixel section 100.
  • the sidewall insulator 7 is completed with the first sidewall insulator 75 previously formed on the side surface of the pixel portion 100 and the second sidewall insulator 76 newly formed on the first sidewall insulator 75 . do.
  • a mask 82 is formed which covers the insulator 2 and the sidewall insulator 7 in the peripheral region 102 .
  • the mask 82 is shown with dashed lines in FIG.
  • a photoresist is used like the mask 81.
  • FIG. As shown in FIG. 46, the mask 82 is used to remove the insulating film 77 remaining on the first transparent electrode 61 in the effective pixel region 101 .
  • a dry etching method for example, is used to remove the insulating film 77 . By removing the insulating film 77, the surface of the first transparent electrode 61 is exposed. Mask 82 is then removed.
  • connection portion 8 in the peripheral region 102 is covered with a mask 82 during the removal of the insulating film 77 remaining in the effective pixel region 101 . Therefore, the surface of the wiring 23 exposed at the connecting portion 8 is prevented from being damaged by etching.
  • a second transparent electrode 62 is formed on the first transparent electrode 61 in the effective pixel region 101, as shown in FIG.
  • the transparent electrode 6 is completed by the first transparent electrode 61 and the second transparent electrode 62 formed on the first transparent electrode 61 .
  • a wiring 63 extending from the second transparent electrode 62 to the connecting portion 8 along the inclined wall surface 7S of the side wall insulator 7 is formed in the same step.
  • a protective film 9 is formed on the entire surface including the transparent electrodes 6 in the effective pixel region 101, the wirings 63 in the peripheral region 102, and the connecting portions 8 in the peripheral region 102. (See FIG. 42). Subsequently, as shown in FIG. 42 described above, the light shielding film 10 is formed on the protective film 9 in the peripheral region 102 . After a series of these manufacturing steps are completed, the solid-state imaging device 1 according to the fifth embodiment is completed.
  • the side wall insulator 7 has an inclined wall surface 7S extending from the effective pixel region 101 toward the transparent semiconductor 4 toward the transparent electrode 6 to the peripheral region. Therefore, the step coverage (adherence) of the wiring 63 extending from the transparent electrode 6 of the pixel section 100 to the connection section 8 along the side wall insulator 7 can be improved. In other words, the reduction in cross-sectional area of the wiring 63 can be effectively suppressed or prevented, so that the resistance value can be reduced. In addition, disconnection of the wiring 63 can be effectively prevented.
  • the side wall insulator 7 has the inclined wall surface 7S, the thickness of the side wall insulator 7 formed on the side surface of the organic photoelectric conversion film 5 from the side surface of the organic photoelectric conversion film 5 is equal to that of the transparent electrode 6.
  • the sidewall insulator 7 formed on the side surface is formed to be thicker than the thickness from the side surface of the transparent electrode 6 . Therefore, the side surface of the organic photoelectric conversion film 5 can be improved in environmental resistance. This effect is similarly obtained on the side surface of the transparent semiconductor 4 as well.
  • the inclination angle ⁇ on the effective pixel area 101 side formed by the inclined wall surface 7S of the side wall insulator 7 and the surface of the insulator 2 is 20 degrees or more and 90 degrees. set to less than If the inclination angle ⁇ is equal to or greater than the above lower limit value, the step coverage of the wiring 63 can be sufficiently improved. Of course, the environmental resistance of the pixel unit 100 can be sufficiently improved.
  • FIG. 6th Embodiment demonstrates the modification of the manufacturing method of the solid-state imaging device 1 which concerns on 5th Embodiment.
  • an insulating film 77 is formed in the same manner as in the process shown in FIG. 43 of the manufacturing method of the solid-state imaging device 1 according to the fifth embodiment (hereinafter simply referred to as "fifth manufacturing method").
  • the insulating film 77 is formed on the entire surface including the first transparent electrode 61 in the effective pixel area 101 and the insulator 2 in the peripheral area 102 .
  • the insulating film 77 is also formed on the first sidewall insulator 75 on the side surface of the pixel section 100 .
  • the insulating film 77 formed on the first transparent electrode 61 in the effective pixel area 101 and the insulator 2 in the peripheral area 102 is removed.
  • the removal of the insulating film 77 exposes the surface of the first transparent electrode 61 in the effective pixel region 101 .
  • the insulating film 77 formed on the insulator 2 in the peripheral region 102 is formed thick on the side surface of the pixel portion 100 due to the stepped shape of the pixel portion 100 . part remains.
  • a portion of this insulating film 77 is formed as a second sidewall insulator 76 .
  • the second side wall insulator 76 is formed with an inclined wall surface 7S.
  • the second transparent electrode 62 is formed on the first transparent electrode 61 in the effective pixel region 101, as shown in FIG. After the second transparent electrode 62 is formed, the transparent electrode 6 is completed by the first transparent electrode 61 and the second transparent electrode 62 formed on the first transparent electrode 61 . Further, when the second transparent electrode 62 is formed, a wiring 63 extending from the second transparent electrode 62 to the connecting portion 8 along the inclined wall surface 7S of the side wall insulator 7 is formed in the same step.
  • a protective film 9 is formed on the entire surface including the transparent electrodes 6 in the effective pixel region 101, the wirings 63 in the peripheral region 102, and the connecting portions 8 in the peripheral region 102. (See FIG. 42). Subsequently, as shown in FIG. 42 described above, the light shielding film 10 is formed on the protective film 9 in the peripheral region 102 . After a series of these manufacturing steps are completed, the solid-state imaging device 1 according to the sixth embodiment is completed.
  • the solid-state imaging device 1 according to the sixth embodiment can obtain the same effects or substantially the same effects as those obtained by the solid-state imaging device 1 according to the fifth embodiment.
  • the manufacturing method of the solid-state imaging device 1 after forming the insulating film 77 shown in FIG. 43 of the fifth manufacturing method, as shown in FIG. The surface of the first transparent electrode 61 is exposed and the side wall insulator 7 is formed. That is, in the fifth manufacturing method, the step of planarizing the insulating film 77 shown in FIG. 44, the step of forming the mask 81 and the second sidewall insulator 76 shown in FIG. The step of removing the remaining insulating film 77 is one step. Therefore, in the manufacturing method of the solid-state imaging device 1, the number of manufacturing steps can be significantly reduced. In addition, the manufacturing yield of the solid-state imaging device 1 can be improved by reducing the number of manufacturing steps.
  • FIG. 50 to 54 A solid-state imaging device 1 according to a seventh embodiment of the present disclosure will be described with reference to FIGS. 50 to 54.
  • FIG. 50 to 54 A solid-state imaging device 1 according to a seventh embodiment of the present disclosure will be described with reference to FIGS. 50 to 54.
  • FIG. 50 to 54 A solid-state imaging device 1 according to a seventh embodiment of the present disclosure will be described with reference to FIGS. 50 to 54.
  • FIG. 50 shows an example of a vertical cross-sectional configuration of the solid-state imaging device 1.
  • the solid-state imaging device 1 according to the seventh embodiment includes transparent electrodes 6, like the solid-state imaging device 1 according to the fifth or sixth embodiment.
  • the transparent electrode 6 is formed on the first transparent electrode 61 and the first transparent electrode 61, and the same transparent electrode as the first transparent electrode 61 is formed. and a second transparent electrode 62 formed of an electrode material.
  • the transparent electrode 6 includes the first transparent electrode 61 and the second transparent electrode 62 formed of a transparent electrode material different from that of the first transparent electrode 61.
  • the first transparent electrode 61 is made of IZO, for example.
  • the second transparent electrode 62 is made of ITO, for example.
  • the resistance of ITO is smaller than that of IZO. That is, the transparent electrode 6 is formed by laminating the first transparent electrode 61 and the second transparent electrode 62 having different resistance values.
  • the wiring 63 that connects the transparent electrode 6 and the connecting portion 8 is made of the same transparent electrode material as the second transparent electrode 62 and is formed on the same conductive layer. That is, here, the wiring 63 is made of ITO, for example.
  • Components other than the components described above are the same or substantially the same as the components of the solid-state imaging device 1 according to the fifth embodiment or the sixth embodiment.
  • an insulating film 77 is formed over the entire surface including the first transparent electrode 61 in the effective pixel area 101 and the insulator 2 in the peripheral area 102 . Subsequently, as in the step shown in FIG. 44 of the fifth manufacturing method, the surface of insulating film 77 is planarized as shown in FIG. A CMP method or an etchback method is used for planarization.
  • a mask 81 is formed on the insulating film 77 in the effective pixel region 101, and the mask 81 is used to insulate the peripheral region 102.
  • Film 77 is removed.
  • the second side wall insulator 76 having the inclined wall surface 7S is formed from the insulating film 77 on the side surface of the pixel section 100.
  • the first sidewall insulator 75 previously formed on the side surface of the pixel portion 100 and the second sidewall insulator 76 newly formed on the first sidewall insulator 75 are formed.
  • sidewall insulators 7 are completed.
  • the insulating film 77 remaining on the first transparent electrode 61 in the effective pixel area 101 is removed.
  • the surface of the first transparent electrode 61 is exposed.
  • Mask 82 is then removed.
  • the second transparent electrode 62 is formed on the first transparent electrode 61 in the effective pixel region 101 as shown in FIG.
  • the second transparent electrode 62 is formed of a transparent electrode material different from that of the first transparent electrode 61 .
  • the transparent electrode 6 is completed by the first transparent electrode 61 and the second transparent electrode 62 formed on the first transparent electrode 61 .
  • a wiring 63 extending from the second transparent electrode 62 to the connecting portion 8 along the inclined wall surface 7S of the side wall insulator 7 is formed in the same step.
  • a protective film 9 is formed on the entire surface including the transparent electrodes 6 in the effective pixel region 101, the wirings 63 in the peripheral region 102, and the connecting portions 8 in the peripheral region 102. (See FIG. 50). Subsequently, as shown in FIG. 50 described above, the light shielding film 10 is formed on the protective film 9 in the peripheral region 102 . After a series of these manufacturing steps are completed, the solid-state imaging device 1 according to the seventh embodiment is completed.
  • the transparent electrode 6 is made of a transparent electrode material that makes the resistance of the second transparent electrode 62 smaller than that of the first transparent electrode 61. Therefore, the resistance value of the transparent electrode 6 of the pixel section 100 can be reduced in the effective pixel region 101, so that uniform photoelectric conversion can be realized in the entire pixel section 100.
  • the wiring 63 is made of the same transparent electrode material as the second transparent electrode 62, so the wiring resistance of the wiring 63 can be reduced.
  • FIG. 8th Embodiment demonstrates the modification of the manufacturing method of the solid-state imaging device 1 which concerns on 6th Embodiment.
  • an insulating film is formed in the same manner as in the process shown in FIG. 78 is formed.
  • the insulating film 78 is formed on the entire surface including the first transparent electrode 61 in the effective pixel area 101 and the insulator 2 in the peripheral area 102 .
  • the insulating film 78 is also formed on the first sidewall insulator 75 on the side surface of the pixel section 100 .
  • AlO is used for the insulating film 78, similarly to the insulating film 77 of the solid-state imaging device 1 according to the first to seventh embodiments.
  • the insulating film 78 is formed by a mist chemical vapor deposition (MCVD) method or a mist vapor phase epitaxy (MVPE) method.
  • MCVD mist chemical vapor deposition
  • MVPE mist vapor phase epitaxy
  • the insulating film 78 can be formed at a low temperature of 150° C. or less, for example.
  • the insulating film 78 formed using such a film formation method is uniform on the first transparent electrode 61 in the effective pixel region 101, the insulator 2 in the peripheral region 102, and the first sidewall insulator 75. thickness.
  • the insulating film formed on the first transparent electrode 61 in the effective pixel region 101 and on the insulator 2 in the peripheral region 102 78 is removed.
  • a dry etching method for example, is used to remove the insulating film 78 .
  • the removal of the insulating film 78 exposes the surface of the first transparent electrode 61 in the effective pixel region 101 .
  • the insulating film 78 formed on the insulator 2 in the peripheral region 102 is thick at the side surfaces of the pixel portion 100 due to the stepped shape of the pixel portion 100, the insulating film 78 is formed thick. Some remain. Furthermore, since the insulating film 78 is formed using a CVD method and removed using, for example, a dry etching method, a portion of the insulating film 78 is formed as the second sidewall insulator 76 having the curved wall surface 7C.
  • the curved wall surface 7C is formed in a curved surface shape extending from the effective pixel region 101 to the peripheral region 102 toward the transparent semiconductor 4 from the first transparent electrode 61 and protruding from the effective pixel region 101 to the peripheral region 102 in a side view. be done.
  • Second sidewall insulators 76 are commonly referred to as sidewall spacers.
  • the sidewall insulator 7 having the first sidewall insulator 75 and the second sidewall insulator 76 is completed.
  • a second transparent electrode 62 is formed on the first transparent electrode 61 in the effective pixel region 101 in the same manner as the step shown in FIG. 47 of the fifth manufacturing method. After the second transparent electrode 62 is formed, the transparent electrode 6 is completed by the first transparent electrode 61 and the second transparent electrode 62 formed on the first transparent electrode 61 . Further, when the second transparent electrode 62 is formed, a wiring 63 is formed along the curved wall surface 7C of the sidewall insulator 7 from the second transparent electrode 62 to the connecting portion 8 in the same step.
  • a protective film 9 is formed on the entire surface including the transparent electrodes 6 in the effective pixel region 101, the wirings 63 in the peripheral region 102, and the connecting portions 8 in the peripheral region 102. (See FIG. 42). Subsequently, as shown in FIG. 42 described above, the light shielding film 10 is formed on the protective film 9 in the peripheral region 102 . When a series of these manufacturing steps are finished, the solid-state imaging device 1 according to the eighth embodiment is completed.
  • the insulating film 78 is formed with a uniform thickness using the CVD method. Subsequently, as shown in FIG. 56, the insulating film 78 is removed using the RIE method. As a result, side wall insulators 7 having curved wall surfaces 7C are formed on the side surfaces of the pixel section 100 . Therefore, the step coverage of the wiring 63 from the transparent electrode 6 of the pixel section 100 to the connection section 8 along the side wall insulator 7 can be further improved. In other words, the reduction in cross-sectional area of the wiring 63 can be effectively suppressed or prevented, so that the resistance value can be reduced. In addition, disconnection of the wiring 63 can be prevented more effectively.
  • FIG. 57 shows an example of a vertical cross-sectional configuration of the solid-state imaging device 1.
  • the connecting portion 8 is configured by a laminated structure of the wiring 23 and the wiring 22 laminated on the wiring 23 . That is, the wiring 22 is formed on the wiring 23 instead of the insulating film 25 of the solid-state imaging device 1 according to the fifth embodiment shown in FIG.
  • the wiring 23 is made of W, for example.
  • the wiring 22 is made of, for example, ITO, which is a transparent electrode material. Therefore, the connection portion 8 has a two-layer structure of the wiring 23 and the wiring 22, and the effective thickness of the wiring layer is increased.
  • Components other than the components described above are the same or substantially the same as the components of the solid-state imaging device 1 according to the fifth embodiment.
  • Components other than the above components are the same as or substantially the same as the components of the solid-state imaging devices 1 according to the first to fourth embodiments and the sixth to eighth embodiments. is identical to
  • the wiring 23 and the wiring 22 laminated on the wiring 23 are formed inside the insulator 2 (see FIG. 57).
  • the wiring 22 is formed by the same process as the process of forming the wiring 22 of the effective pixel area 101, and is made of the same conductive material. This interconnection 22 is formed in place of the insulating film 25 shown in FIG.
  • the insulating film 24 of the insulator 2 is removed in the formation region of the connection portion 8 in the peripheral region 102, and a connection hole (not labeled) is formed. . At this time, the surface of the wiring 22 on the wiring 23 is exposed in the connection hole.
  • the wiring 22 in the thickness direction remains.
  • the wiring 23 exists under the wiring 22 . That is, in the connecting portion 8, a sufficient processing margin in the thickness direction of the insulating film 24 can be secured, and electrical connection between the wiring 23 and the wiring 63 to be formed later can be reliably secured.
  • an insulating film is formed on the entire surface including the first transparent electrode 61 in the effective pixel region 101 and the insulator 2 in the peripheral region 102. 77 is formed.
  • the surface of the insulating film 77 is planarized as shown in FIG. A CMP method or an etchback method is used for planarization.
  • a mask 81 is formed on the insulating film 77 in the effective pixel region 101, and the mask 81 is used to insulate the peripheral region 102.
  • Film 77 is removed.
  • the insulating film 77 forms the second side wall insulator 76 having the inclined wall surfaces 7S.
  • the sidewall insulator 7 is completed with the first sidewall insulator 75 previously formed on the side surface of the pixel portion 100 and the second sidewall insulator 76 newly formed on the first sidewall insulator 75 . do.
  • the insulating film 77 remaining on the first transparent electrode 61 is removed in the effective pixel region 101 .
  • a dry etching method for example, is used to remove the insulating film 77 .
  • the surface of the first transparent electrode 61 is exposed.
  • Mask 82 is then removed.
  • the second transparent electrode 62 is formed on the first transparent electrode 61 in the effective pixel region 101 as shown in FIG. After the second transparent electrode 62 is formed, the transparent electrode 6 is completed by the first transparent electrode 61 and the second transparent electrode 62 formed on the first transparent electrode 61 . Further, when the second transparent electrode 62 is formed, a wiring 63 extending from the second transparent electrode 62 to the connecting portion 8 along the inclined wall surface 7S of the side wall insulator 7 is formed in the same step. At the connection portion 8 , the wiring 63 is reliably electrically connected to the wiring 23 through the wiring 22 inside the insulator 2 .
  • a protective film 9 is formed on the entire surface including the transparent electrodes 6 in the effective pixel region 101, the wirings 63 in the peripheral region 102, and the connecting portions 8 in the peripheral region 102. (See FIG. 57). Subsequently, as shown in FIG. 57 described above, light shielding film 10 is formed on protective film 9 in peripheral region 102 . After a series of these manufacturing steps are completed, the solid-state imaging device 1 according to the ninth embodiment is completed.
  • the solid-state imaging device 1 according to the ninth embodiment can obtain the same effects or substantially the same effects as those obtained by the solid-state imaging device 1 according to the fifth embodiment.
  • connection portion 8 of the peripheral region 102 is formed with a two-layer structure in which the wiring 22 is laminated on the wiring 23. As shown in FIG. For this reason, as shown in FIGS. 6 to 8 of the first manufacturing method, when forming contact holes in the insulating film 24, an allowable amount of overetching corresponding to the thickness of the wiring 22 is generated. Margins can be improved. Furthermore, the wiring 63 and the wiring 23 can be reliably electrically connected.
  • FIG. 63 shows an example of a vertical cross-sectional configuration of the solid-state imaging device 1.
  • FIG. 64 shows an example of a planar configuration of the solid-state imaging device 1.
  • the solid-state imaging device 1 according to the tenth embodiment has a transparent semiconductor 4 and an organic photoelectric conversion film in the effective pixel region 101, similarly to the solid-state imaging device 1 according to the first embodiment. 5 and a pixel portion 100 in which transparent electrodes 6 are sequentially laminated.
  • the transparent electrode 6 is formed here with a single layer structure. Note that the transparent electrode 6 may have a laminated structure of the first transparent electrode 61 and the second transparent electrode 62, like the transparent electrode 6 of the solid-state imaging device 1 according to the first to ninth embodiments. .
  • the transparent electrode 6 is connected to the wiring 65 through the transparent connecting portion 64 at the end of the effective pixel area 101 .
  • the transparent connection portion 64 is formed on the transparent electrode 6 and electrically connected to the transparent electrode 6 .
  • the wiring 65 is formed on the transparent connecting portion 64 and electrically connected to the transparent connecting portion 64 .
  • the wiring 65 is formed integrally with the transparent connecting portion 64 .
  • the transparent connecting portions 64 are arranged at two ends of the effective pixel region 101 facing each other in the direction of the arrow X in plan view.
  • Each transparent connection portion 64 is formed in a rectangular shape elongated in the arrow Y direction.
  • the transparent connecting portion 64 is made of the same transparent electrode material as the transparent electrode 6 .
  • the transparent connecting portion 64 is made of IZO, for example.
  • the connecting portions 8 are arranged at two locations facing each other in the direction of the arrow X in the peripheral region 102 in plan view.
  • Each connecting portion 8 is formed in a rectangular shape elongated in the direction of the arrow Y, like the transparent connecting portion 64 , and extends parallel to the extending direction of the transparent connecting portion 64 .
  • the wiring 65 has one end connected to the transparent connection portion 64 and the other end extending along the side surface of the pixel portion 100 and connected to the connection portion 8 .
  • the wiring 65 is electrically connected to the wiring 23 at the connecting portion 8 .
  • the wiring 65 extends from the side surface of the pixel section 100 with the protective film 9 interposed therebetween, and is electrically isolated from the transparent semiconductor 4 .
  • the wiring 65 is made of the same transparent electrode material as the transparent electrode 6, like the transparent connecting portion 64. As shown in FIG.
  • the protective film 9 is formed on the transparent electrode 6, the transparent connection portion 64, and the wiring 65.
  • the protective film 9 is also formed on the insulator 2 and the wiring 65.
  • the protective film 9 is formed of a first protective film 9A and a second protective film 9B here.
  • the first protective film 9A is formed on the transparent electrode 6 and formed between the transparent electrode 6 and the wiring 65.
  • the second protective film 9B is formed on the wiring 65 and on the first protective film 9A.
  • a light shielding film 10 is formed on the protective film 9 in the peripheral region 102 .
  • the light shielding film 10 is made of a light shielding material having a stress lower than that of the protective film 9 .
  • the light-shielding film 10 is made of a light-shielding material capable of reducing stress to 50 MPa or less, which is lower than W exerting a stress of 100 MPa to 300 MPa, for example.
  • Aluminum (Al) having a low stress of 30 MPa to 50 MPa, for example, is used for the light shielding film 10 .
  • the light shielding film 10 is formed with a thickness of, for example, 50 nm or more and 200 nm or less.
  • the protective film 9 can be formed with a thickness of, for example, 200 nm or more and 1000 nm or less.
  • Components other than the components described above are the same or substantially the same as the components of the solid-state imaging device 1 according to the first embodiment described above.
  • the transparent semiconductor 4, the organic photoelectric conversion film 5, and the transparent electrode 6 are sequentially formed on the insulator 2 in the same manner as in the steps shown in FIG. 3 of the first manufacturing method.
  • a hard mask 9C is formed on the transparent electrode 6 in the effective pixel region 101 (see FIG. 65).
  • the hard mask 9C is made of, for example, AlO, SiO.sub.2 , or the like, and has a thickness of, for example, 20 nm or more and 100 nm or less.
  • the first protective film 9A of the protective film 9 is formed on the entire surface including the hard mask 9C in the effective pixel region 101 and the insulator 2 in the peripheral region 102 (see FIG. 65).
  • a portion of the insulator 2 is removed in the peripheral region 102 to form the connecting portion 8 exposing the surface of the wiring 23 (see FIG. 8). 65).
  • a mask 85 is formed on the entire surface including above the first protective film 9A in the effective pixel region 101 and above the first protective film 9A in the peripheral region 102 .
  • the mask 85 is made of photoresist, for example.
  • An opening 85H is formed in the mask 85 in the formation region of the transparent connection portion 64 .
  • the mask 85 is used to remove the first protective film 9A and the hard mask 9C exposed from the opening 85H to form contact holes (not shown).
  • the contact hole is formed, the surface of the transparent electrode 6 is exposed inside the contact hole.
  • Mask 85 is removed as shown in FIG. When the mask 85 is removed, the surfaces of the wirings 23 are exposed at the connection portions 8 in the peripheral region 102 .
  • a wiring 65 is formed on the entire surface of the first protective film 9A including the effective pixel area 101 and the peripheral area 102. As shown in FIG. The wiring 65 is electrically connected to the surface of the transparent electrode 6 through a connection hole formed in the first protective film 9A in the effective pixel area 101. As shown in FIG. Also, the wiring 65 is electrically connected to the surface of the wiring 23 at the connecting portion 8 in the peripheral region 102 .
  • a mask 86 is formed on the wiring 65 as shown in FIG.
  • the mask 86 is made of photoresist, for example.
  • the wiring 65 is patterned using a mask 86, the wiring 65 in unnecessary areas is removed, and the transparent connecting portion 64 and the wiring 65 from the transparent connecting portion 64 to the connecting portion 8 are removed. It is formed. That is, the transparent connecting portion 64 and the wiring 65 are formed of the same transparent electrode material by the same process here. After this, as shown in FIG. 71, the mask 86 is removed.
  • the second protective film 9B is formed on the wiring 65 and on the entire surface of the first protective film 9A.
  • the protective film 9 formed by the first protective film 9A and the second protective film 9B is completed.
  • the hard mask 9C is left as part of the protective film 9 in the tenth embodiment.
  • the protective film 9 is made thin because the light shielding film 10 to be formed later is made of a light shielding material having a low stress.
  • light blocking film 10 is formed on protective film 9 in peripheral region 102 .
  • the light shielding film 10 is formed of Al as a light shielding material having low stress, for example, as described above.
  • a protective film whose reference numeral is omitted is formed on the surface of the light shielding film 10 .
  • the light shielding film 10 on the protective film 9 is made of light shielding material having low stress. Therefore, the stress from the light shielding film 10 to the pixel portion 100 is effectively suppressed or prevented, and the thickness of the protective film 9 can be reduced, so that the height of the protective film 9 can be reduced. can.
  • the effective pixel region 101 color filters, optical lenses, and the like (not shown) are arranged on the pixel portion 100, and by reducing the height of the protective film 9, the RGB oblique incidence characteristics can be improved. can.
  • the light shielding film 10 is formed of a light shielding material having a low stress of 50 MPa or less, for example, the light shielding film 10 is formed of Al. Therefore, the thickness of the protective film 9 can be reduced to 1000 nm or less.
  • the transparent connecting portions 64 and the wirings 65 are formed of a transparent electrode material different from that of the transparent electrodes 6 of the pixel portion 100. (See FIG. 63).
  • the transparent electrodes 6 are made of IZO
  • the transparent connecting portions 64 and the wirings 65 are made of the transparent electrode material exemplified in the solid-state imaging device 1 according to the first embodiment.
  • the transparent connecting portion 64 and the wiring 65 are formed using one or more transparent electrode materials selected from ITO, SnOx, ZnOx, TiOx and Ag nanowires.
  • Components other than the components described above are the same or substantially the same as the components of the solid-state imaging device 1 according to the tenth embodiment.
  • the transparent connection portions 64 are provided at two ends of the effective pixel region 101 facing in the direction of the arrow Y in plan view. are provided (see FIG. 64). Each transparent connection portion 64 is formed in an elongated rectangular shape in the arrow X direction.
  • the transparent connecting portion 64 is made of the same transparent electrode material as the transparent electrode 6, like the solid-state imaging device 1 shown in FIG.
  • the transparent connecting portion 64 may be formed of a transparent electrode material different from that of the transparent electrode 6, as described in the first modification.
  • the connection portions 8 are arranged at two locations facing each other in the direction of the arrow Y in the peripheral region 102 in a plan view. Each connecting portion 8 is formed in a rectangular shape elongated in the direction of the arrow X similarly to the transparent connecting portion 64 and extends parallel to the extending direction of the transparent connecting portion 64 .
  • Components other than the components described above are the same or substantially the same as the components of the solid-state imaging device 1 according to the tenth embodiment.
  • the transparent connection portion 64 is arranged at one end portion of the effective pixel region 101 in the direction of the arrow Y in a plan view. It may be arranged at one end in the arrow Y direction.
  • the transparent connection portions 64 are provided at two ends of the effective pixel region 101 facing in the direction of the arrow X and two ends facing in the direction of the arrow Y in a plan view. may be arranged at four end portions in total.
  • the connecting portions 8 are arranged at a total of four ends of the peripheral region 102 in plan view, including two ends facing in the direction of the arrow X and two ends facing in the direction of the arrow Y. good too.
  • FIG. 74 shows a schematic example of a vertical cross-sectional configuration of the solid-state imaging device 1.
  • the solid-state imaging device 1 according to the eleventh embodiment uses a transparent semiconductor 4 made of an oxide semiconductor represented by IGZO as a carrier accumulation layer and a transfer layer, and drives the organic photoelectric conversion film 5 using the transparent semiconductor 4 .
  • IGZO oxide semiconductor represented by IGZO
  • an insulator 2 formed with, for example, an infrared transmission filter as a visible light transmission filter is arranged on a substrate 3 on which a photodiode 31 is arranged.
  • a photodiode is formed in a silicon semiconductor layer for each pixel.
  • An infrared transmission filter is arranged corresponding to the photodiode and formed for each pixel.
  • a transparent semiconductor 4 is arranged on the insulator 2 , and an organic photoelectric conversion film 5 is arranged on the transparent semiconductor 4 .
  • an organic photoelectric conversion film 5 is used which can correspond to almost all visible light from ultraviolet rays to infrared rays.
  • a color filter 11 is arranged on the organic photoelectric conversion film 5 .
  • the color filters 11 comprise a red light color filter 11R, a blue light color filter 11B and a green light color filter 11G. These are arranged corresponding to the array positions of the photodiodes 31 .
  • the solid-state imaging devices 1 according to the first to tenth embodiments described above are applied to the solid-state imaging device 1 according to the eleventh embodiment. Therefore, in the solid-state imaging device 1 according to the eleventh embodiment, it is possible to obtain the same or substantially the same effects as those obtained by the solid-state imaging devices 1 according to the first to tenth embodiments. can be done.
  • FIG. 75 shows a schematic example of a vertical cross-sectional configuration of the solid-state imaging device 1.
  • the insulator 2 having the color filters 11 formed thereon is arranged on the substrate 3 having the photodiodes 31 arranged thereon.
  • the color filter 11 includes a red light color filter 11R and a blue light color filter 11B.
  • a transparent semiconductor 4 is arranged on the insulator 2 , and an organic photoelectric conversion film 5 is arranged on the transparent semiconductor 4 .
  • a green organic photoelectric conversion film 5G is used as the organic photoelectric conversion film 5.
  • the solid-state imaging devices 1 according to the first to tenth embodiments described above are applied to the solid-state imaging device 1 according to the twelfth embodiment. Therefore, in the solid-state imaging device 1 according to the twelfth embodiment, it is possible to obtain the same or substantially the same effects as those obtained by the solid-state imaging devices 1 according to the first to tenth embodiments. can be done.
  • FIG. 76 shows a schematic example of a vertical cross-sectional configuration of the solid-state imaging device 1.
  • a transparent semiconductor 4 and an organic photoelectric conversion film 5 are sequentially laminated on a substrate 3 on which a photodiode 31 is arranged.
  • a green organic photoelectric conversion film 5G is used as the organic photoelectric conversion film 5.
  • the transparent semiconductor 4 and the organic photoelectric conversion film 5 are sequentially laminated and disposed.
  • a blue organic photoelectric conversion film 5B is used as the organic photoelectric conversion film 5. As shown in FIG.
  • the solid-state imaging devices 1 according to the first to tenth embodiments described above are applied to the solid-state imaging device 1 according to the thirteenth embodiment. Therefore, in the solid-state imaging device 1 according to the thirteenth embodiment, it is possible to obtain the same or substantially the same effects as those obtained by the solid-state imaging devices 1 according to the first to tenth embodiments. can be done.
  • FIG. 77 shows a schematic example of a vertical cross-sectional configuration of the solid-state imaging device 1.
  • a plurality of transparent semiconductors 4 and organic photoelectric conversion films 5 are alternately laminated.
  • a red organic photoelectric conversion film 5R is used as the organic photoelectric conversion film 5 in the lowermost layer.
  • a green organic photoelectric conversion film 5G is used for the organic photoelectric conversion film 5 of the intermediate layer.
  • a blue organic photoelectric conversion film 5B is used for the organic photoelectric conversion film 5 of the uppermost layer.
  • the solid-state imaging devices 1 according to the first to tenth embodiments described above are applied to the solid-state imaging device 1 according to the fourteenth embodiment. Therefore, in the solid-state imaging device 1 according to the fourteenth embodiment, it is possible to obtain the same or substantially the same effects as those obtained by the solid-state imaging devices 1 according to the first to tenth embodiments. can be done.
  • FIG. 78 shows a schematic example of a vertical cross-sectional configuration of the solid-state imaging device 1.
  • a near-infrared light emitting quantum dot (NIR-QD: Near-Infrared Light Emitting Quantum Dot) 12 is arranged on the transparent semiconductor 4 .
  • the solid-state imaging devices 1 according to the first to tenth embodiments described above are applied to the solid-state imaging device 1 according to the fifteenth embodiment. Therefore, in the solid-state imaging device 1 according to the fifteenth embodiment, it is possible to obtain the same or substantially the same effects as those obtained by the solid-state imaging devices 1 according to the first to tenth embodiments. can be done.
  • a solid-state imaging device may be constructed by combining two or more of the solid-state imaging devices according to the first to fifteenth embodiments.
  • organic or inorganic perovskite can be used instead of the NIR-QDs of the solid-state imaging device according to the fifteenth embodiment.
  • the photodiode is not limited to Si, and may be a compound semiconductor.
  • a solid-state imaging device includes a pixel portion having a transparent semiconductor, an organic photoelectric conversion film, and a transparent electrode, a connection portion, and wiring.
  • a transparent semiconductor is formed in the effective pixel area of the insulator.
  • the organic photoelectric conversion film is formed on the side of the transparent semiconductor opposite to the insulator.
  • a transparent electrode is formed on the opposite side of the organic photoelectric conversion film to the transparent semiconductor.
  • the connection part is arranged in the insulator in the peripheral area around the effective pixel area and is connected to a circuit that supplies electricity to the transparent electrode.
  • the wiring electrically connects between the transparent electrode and the connecting portion, and is formed of a transparent electrode material.
  • the wiring is formed by extending at least a part of the transparent electrode, and the transparent electrode and the connection portion can be directly connected by the wiring. That is, there is no need to form connection holes on the transparent electrodes of the protective film and on the connection portions of the protective film, and there is no need to route wiring over these connection holes and the protective film. Thereby, it is possible to simplify the wiring structure for connecting the transparent electrode and the connection portion. In addition, since the wiring is not drawn around, the wiring length of the wiring can be shortened, and the wiring resistance of the wiring can be reduced.
  • the present technology has the following configuration.
  • the wiring structure can be simplified and the wiring resistance of the wiring can be reduced in the solid-state imaging device.
  • a solid-state imaging device comprising: a wiring that electrically connects between the transparent electrode and the connecting portion and is formed of a transparent electrode material.
  • the solid-state imaging device according to (1) wherein the wiring is thinner than the transparent electrode.
  • the transparent electrode comprises a first transparent electrode formed on the organic photoelectric conversion film and a second transparent electrode formed on the opposite side of the first transparent electrode to the organic photoelectric conversion film.
  • side wall insulators are provided on the side surfaces of the organic photoelectric conversion film and the side surfaces of the transparent semiconductor; The wiring extends from the transparent electrode to the connecting portion along the side surface of the organic photoelectric conversion film and the side surface of the transparent semiconductor with the side wall insulator interposed from (1) above.
  • the solid-state imaging device according to any one of (4). (6) the side surface of the transparent semiconductor is formed inside the effective pixel region from the side surface of the organic photoelectric conversion film; The solid-state imaging device according to any one of (1) to (4), wherein a cavity is formed between the side surface of the transparent semiconductor and the wiring. (7) a protective film covering the transparent electrode and the wiring is formed in the effective pixel region and the peripheral region; The solid-state imaging device according to any one of (1) to (6), wherein in the peripheral region, a light shielding film that shields light is formed on a side of the protective film opposite to the wiring.
  • side wall insulators are provided on the side surfaces of the organic photoelectric conversion film and the side surfaces of the transparent semiconductor; the wiring extends from the transparent electrode to the connection portion along the side surface of the organic photoelectric conversion film and the side surface of the transparent semiconductor with the sidewall insulator interposed therebetween;
  • the solid-state imaging device wherein an inclination angle formed by the inclined wall surface and the surface of the insulator on the effective pixel area side is 20 degrees or more and less than 90 degrees.
  • the side wall insulator has a curved wall surface extending from the effective pixel region toward the peripheral region toward the transparent semiconductor from the transparent electrode and protruding from the effective pixel region toward the peripheral region.
  • the solid-state imaging device according to (5) or (8).
  • the thickness of the sidewall insulator formed on the side surface of the organic photoelectric conversion film from the side surface of the organic photoelectric conversion film is equal to the thickness of the sidewall insulator formed on the side surface of the transparent electrode.
  • the solid-state imaging device according to (5) or (8) which is thicker than the thickness from the side surface of the electrode.
  • (13) The solid-state imaging device according to any one of (1) to (12), wherein the transparent semiconductor is IGZO.
  • the transparent electrode is made of at least one transparent electrode material selected from IZO, ITO, SnOx, ZnOx, TiOx, CNT and Ag nanowires
  • the wiring is formed of the same transparent electrode material or a different transparent electrode material with respect to the transparent electrode.
  • the wiring is formed on the opposite side of the transparent electrode to the organic photoelectric conversion film,
  • the solid-state imaging device according to any one of (16) to (19), wherein the wiring is electrically connected to the transparent electrode via a transparent connecting portion formed of a transparent electrode material. .
  • the present technology further includes the following configuration.
  • the following configuration in a solid-state imaging device, it is possible to improve the step coverage of the wiring from the transparent electrode of the pixel portion to the connection portion along the side wall insulator, and in addition, it is possible to improve the environmental resistance. .
  • a solid-state imaging device comprising: wiring made of a material; (22) The solid-state imaging device according to (21), wherein the side wall insulator has an inclined wall surface extending from the effective pixel area to the
  • the sidewall insulator has a curved wall surface that extends from the effective pixel region toward the peripheral region from the transparent electrode toward the transparent semiconductor and protrudes from the effective pixel region toward the peripheral region.
  • the thickness of the sidewall insulator formed on the side surface of the organic photoelectric conversion film from the side surface of the organic photoelectric conversion film is equal to the thickness of the sidewall insulator formed on the side surface of the transparent electrode.
  • the solid-state imaging device according to any one of (21) to (24), which is thicker than the thickness from the side surface of the electrode.
  • the present technology further includes the following configuration.
  • a transparent semiconductor formed in an insulator effective pixel region; an organic photoelectric conversion film formed on the side of the transparent semiconductor opposite to the insulator; a pixel portion having a transparent electrode formed on the opposite side of the organic photoelectric conversion film to the transparent semiconductor; a connecting portion disposed in the insulator in a peripheral region around the effective pixel region and connected to a circuit for supplying electricity to the transparent electrode; a wiring that electrically connects between the transparent electrode and the connecting portion and is formed of a transparent electrode material; a protective film formed in the effective pixel region and the peripheral region and covering the transparent electrode and the wiring;
  • a solid-state imaging device comprising: a light-shielding film formed on the side of the protective film opposite to the wiring in the peripheral region, blocking light and having a lower stress than the protective film.
  • the protective film is AlO;
  • the wiring is formed on the opposite side of the transparent electrode to the organic photoelectric conversion film, The solid-state imaging device according to any one of (27) to (30), wherein the wiring is electrically connected to the transparent electrode via a transparent connecting portion formed of a transparent electrode material. Device.

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Abstract

固体撮像装置は、絶縁体の有効画素領域に形成されている透明半導体と、透明半導体の絶縁体とは反対側に形成されている有機光電変換膜と、有機光電変換膜の透明半導体とは反対側に形成されている透明電極と、を有する画素部と、有効画素領域の周囲の周辺領域において絶縁体に配設され、透明電極へ電気を供給する回路に接続されている接続部と、透明電極と接続部との間を電気的に接続し、透明電極材料により形成されている配線とを備えている。

Description

固体撮像装置
　本開示は、固体撮像装置に関する。
　特許文献１には、撮像素子及び固体撮像装置が開示されている。撮像素子及び固体撮像装置の画素部は、半導体基板上に積層された第１電極と、第１電極上に積層された光電変換膜と、光電変換膜上に積層された第２電極とを備えている。画素部の周囲の周辺領域において、半導体基板上には画素部に電気を供給する接続部が配置されている。
　画素部上及び周辺領域上には保護膜が形成されている。さらに、周辺領域において保護膜上には遮光膜が形成されている。遮光膜には、光を遮り、かつ、導電性を有する金属配線材料が使用されている。
特開２０１７－１５７８１６号公報
　上記撮像素子及び固体撮像装置では、遮光部に金属配線材料が使用されているので、遮光膜を配線として使用することができる。例えば、画素部の第２電極と周辺領域の接続部との間を接続する配線として、遮光膜が使用可能である。配線は保護膜上に延設され、配線の一端部は保護膜に形成された接続孔を通して第２電極に接続され、配線の他端部は接続孔を通して接続部に接続される。
　しかしながら、配線が接続孔、保護膜上、そして再び接続孔に引き回されるので、配線構造が複雑になる。また、配線が引き回れるので、配線抵抗が増大する。
　このため、固体撮像装置では、配線構造を簡素化し、配線抵抗を小さくすることが望まれている。
　本開示の一実施態様に係る固体撮像装置は、絶縁体の有効画素領域に形成されている透明半導体と、透明半導体の絶縁体とは反対側に形成されている有機光電変換膜と、有機光電変換膜の透明半導体とは反対側に形成されている透明電極と、を有する画素部と、有効画素領域の周囲の周辺領域において絶縁体に配設され、透明電極へ電気を供給する回路に接続されている接続部と、透明電極と接続部との間を電気的に接続し、透明電極材料により形成されている配線とを備えている。
本開示の第１実施の形態に係る固体撮像装置の概略的な全体の構成を説明する断面図である。 図１に示される固体撮像装置の概略的な平面図である。 図１に示される固体撮像装置の製造方法を説明する第１工程断面図である。 第２工程断面図である。 第３工程断面図である。 第４工程断面図である。 第５工程断面図である。 第６工程断面図である。 第７工程断面図である。 第８工程断面図である。 第９工程断面図である。 第１０工程断面図である。 第１１工程断面図である。 第１２工程断面図である。 本開示の第２実施の形態に係る固体撮像装置の概略的な全体の構成を説明する、図１に対応する断面図である。 図１５に示される固体撮像装置の製造方法を説明する第１工程断面図である。 第２工程断面図である。 第３工程断面図である。 第４工程断面図である。 第５工程断面図である。 第６工程断面図である。 第７工程断面図である。 第８工程断面図である。 第９工程断面図である。 本開示の第３実施の形態に係る固体撮像装置の概略的な全体の構成を説明する、図１に対応する断面図である。 図２５に示される固体撮像装置の製造方法を説明する第１工程断面図である。 第２工程断面図である。 第３工程断面図である。 第４工程断面図である。 第５工程断面図である。 第６工程断面図である。 第７工程断面図である。 第８工程断面図である。 第９工程断面図である。 本開示の第４実施の形態に係る固体撮像装置の概略的な全体の構成を説明する、図１に対応する断面図である。 図３５に示される固体撮像装置の製造方法を説明する第１工程断面図である。 第２工程断面図である。 第３工程断面図である。 第４工程断面図である。 第５工程断面図である。 第６工程断面図である。 本開示の第５実施の形態に係る固体撮像装置の概略的な全体の構成を説明する、図１に対応する断面図である。 図４２に示される固体撮像装置の製造方法を説明する第１工程断面図である。 第２工程断面図である。 第３工程断面図である。 第４工程断面図である。 第５工程断面図である。 本開示の第６実施の形態に係る固体撮像装置の製造方法を説明する第１工程断面図である。 第２工程断面図である。 本開示の第７実施の形態に係る固体撮像装置の概略的な全体の構成を説明する、図１に対応する断面図である。 図５０に示される固体撮像装置の製造方法を説明する第１工程断面図である。 第２工程断面図である。 第３工程断面図である。 第４工程断面図である。 本開示の第８実施の形態に係る固体撮像装置の製造方法を説明する第１工程断面図である。 第２工程断面図である。 本開示の第９実施の形態に係る固体撮像装置の概略的な全体の構成を説明する、図１に対応する断面図である。 図５７に示される固体撮像装置の製造方法を説明する第１工程断面図である。 第２工程断面図である。 第３工程断面図である。 第４工程断面図である。 第５工程断面図である。 本開示の第１０実施の形態に係る固体撮像装置の概略的な全体の構成を説明する断面図である。 図６３に示される固体撮像装置の概略的な平面図である。 図６２に示される固体撮像装置の製造方法を説明する第１工程断面図である。 第２工程断面図である。 第３工程断面図である。 第４工程断面図である。 第５工程断面図である。 第６工程断面図である。 第７工程断面図である。 第８工程断面図である。 第９工程断面図である。 本開示の第１１実施の形態に係る固体撮像装置のモデル化された画素部の構成を説明する断面図である。 本開示の第１２実施の形態に係る固体撮像装置の図７４に対応する断面図である。 本開示の第１３実施の形態に係る固体撮像装置の図７４に対応する断面図である。 本開示の第１４実施の形態に係る固体撮像装置の図７４に対応する断面図である。 本開示の第１５実施の形態に係る固体撮像装置の図７４に対応する断面図である。
　以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序に従って行う。
１．第１実施の形態
　第１実施の形態は、固体撮像装置に、本技術を適用した例を説明する。第１実施の形態は、固体撮像装置の断面構成、平面構成並びに製造方法について、詳細に説明する。
２．第２実施の形態
　第２実施の形態は、第１実施の形態に係る固体撮像装置において、画素部の側面並びに周辺領域の構造を変えた例を説明する。第２実施の形態は、固体撮像装置の断面構成並びに製造方法についても、詳細に説明する。
３．第３実施の形態
　第３実施の形態は、第１実施の形態に係る固体撮像装置において、画素部の側面の構造を変えた例を説明する。第３実施の形態は、固体撮像装置の断面構成並びに製造方法についても、詳細に説明する。
４．第４実施の形態
　第４実施の形態は、第３実施の形態に係る固体撮像装置において、画素部の側面の構造を変えた例を説明する。第４実施の形態は、固体撮像装置の断面構成並びに製造方法についても、詳細に説明する。
５．第５実施の形態
　第５実施の形態は、第１実施の形態に係る固体撮像装置において、画素部の側面の構造、特に側壁絶縁体の構造を変えた例を説明する。第５実施の形態は、固体撮像装置の断面構成並びに製造方法についても、詳細に説明する。
６．第６実施の形態
　第６実施の形態は、第５実施の形態に係る固体撮像装置において、第５実施の形態に係る固体撮像装置の側壁絶縁体の製造方法を変えた例を説明する。
７．第７実施の形態
　第７実施の形態は、第５実施の形態に係る固体撮像装置において、画素部の透明電極及び透明電極と周辺領域の接続部とを接続する配線の構造を変えた例を説明する。第７実施の形態は、固体撮像装置の断面構成並びに製造方法についても、詳細に説明する。
８．第８実施の形態
　第８実施の形態は、第６実施の形態に係る固体撮像装置において、側壁絶縁体の製造方法を変えた例を説明する。
９．第９実施の形態
　第９実施の形態は、第５実施の形態に係る固体撮像装置において、周辺領域の接続部の構造を変えた例を説明する。第９実施の形態は、固体撮像装置の断面構成並びに製造方法についても、詳細に説明する。
１０．第１０実施の形態
　第１０実施の形態は、第１実施の形態に係る固体撮像装置において、画素部及び周辺領域の保護膜と、周辺領域の遮光膜との構造を変えた例を説明する。第１０実施の形態は、固体撮像装置の断面構成並びに製造方法についても、詳細に説明する。
１１．第１１実施の形態
　第１１実施の形態は、本技術が適用可能な固体撮像装置の構造を説明する第１例である。第１１実施の形態は、固体撮像装置の要部の概略的な断面構成について、簡単に説明する。第１２実施の形態～第１５実施の形態に係る固体撮像装置についても同様である。
１２．第１２実施の形態
　第１２実施の形態は、本技術が適用可能な固体撮像装置の構造を説明する第２例である。
１３．第１３実施の形態
　第１３実施の形態は、本技術が適用可能な固体撮像装置の構造を説明する第３例である。
１４．第１４実施の形態
　第１４実施の形態は、本技術が適用可能な固体撮像装置の構造を説明する第４例である。
１５．第１５実施の形態
　第１５実施の形態は、本技術が適用可能な固体撮像装置の構造を説明する第５例である。
１６．その他の実施の形態
＜１．第１実施の形態＞
　図１～図１４を用いて、本開示の第１実施の形態に係る固体撮像装置１を説明する。
　ここで、図中、適宜、図示されている矢印Ｘ方向は、便宜的に平面上に載置された固体撮像装置１の１つの平面方向を示している。矢印Ｙ方向は、矢印Ｘ方向に対して直交する他の１つの平面方向を示している。また、矢印Ｚ方向は、矢印Ｘ方向及び矢印Ｙ方向に対して直交する上方向を示している。つまり、矢印Ｘ方向、矢印Ｙ方向、矢印Ｚ方向は、丁度、三次元座標系のＸ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向に各々一致している。
　なお、これらの各方向は、説明の理解を助けるために図示されており、本技術の方向を限定するものではない。
［固体撮像装置１の構成］
（１）固体撮像装置１の全体構成
　図１は、固体撮像装置１の縦断面構成の一例を示している。図２は、固体撮像装置１の平面構成の一例を示している。
　固体撮像装置１は、矢印Ｙ方向に見て（以下、単に「側面視において」という。）及び矢印Ｚ方向から見て（以下、単に「平面視において」という。）、絶縁体２上の中央部に画素部１００を有する有効画素領域１０１を備えている。さらに、固体撮像装置１は、絶縁体２上において、有効画素領域１０１の周囲に周辺領域１０２を備えている。
　特に形状が限定されるものではないが、ここでは、有効画素領域１０１は、平面視において、矢印Ｘ方向の長さに対して矢印Ｙ方向の長さが短い矩形状に形成されている。また、固体撮像装置１の全体の平面形状は、有効画素領域１０１の周囲に周辺領域１０２を加えて、有効画素領域１０１に対して一回り大きい矩形状に形成されている。
　絶縁体２は、基体３上に積層されている。詳細な構造の説明は省略するが、絶縁体２は、多層構造の配線、接続孔配線等を被覆し、絶縁性並びに環境耐性を備えている。また、絶縁体２の内部には図示省略の可視光透過フィルタが配設され、絶縁体２はこの可視光透過フィルタを被覆し、かつ、保護している。可視光透過フィルタとしては、例えば赤外線透過フィルタ（ＩＲＰＦ）が使用されている（図７４に示される符号２６参照）。
　また、絶縁体２には、例えば酸化珪素（例えばＳｉＯ）が使用されている。また、光透過領域において、絶縁体２の内部には配線２２が配置されている。配線２２には透明電極材料が使用されている。透明電極材料としては、例えば酸化インジウム錫（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）が使用されている。また、配線２２と基体３との間には、双方を電気的に接続する配線２３が配置されている。配線２３には例えばタングステン（Ｗ）等の金属配線が使用されている。
　一方、絶縁体２の最上層には絶縁膜２４が形成されている。絶縁膜２４は例えばＳｉＯｘにより形成されている。また、周辺領域１０２において、絶縁膜２４下には絶縁膜２５が形成されている。絶縁膜２５は例えば窒化珪素（ＳｉＮ）により形成されている。
　詳細な構造の説明は省略するが、基体３は、複数の半導体層と、多層の配線が配置された絶縁層とを交互に積層して構成されている。
　最も絶縁体２側に積層されている半導体層には、例えばフォトダイオード（Photo Diode）が構成されている（例えば、図７４に示される符号３１参照。）。フォトダイオードは、矢印Ｘ方向及び矢印Ｙ方向に一定の間隔において複数配列されている。フォトダイオードは光検出素子として構成されている。
　さらに、フォトダイオードが構成された半導体層を介在させて、絶縁体２から離間された半導体層には、例えば光検出回路、制御回路等が配置されている。光検出回路では、フォトダイオードからの光検出信号が読出される。制御回路は、画素部１００、光検出回路等の動作制御を司る。
（２）有効画素領域１０１の構成
　有効画素領域１０１に配設された画素部１００は、透明半導体４と、有機光電変換膜５と、透明電極６とを主要な構成要素として備えている。
　透明半導体４は、絶縁体２上に積層されている。透明半導体４では、有機光電変換膜５において光から変換された電子が蓄積される。さらに、透明半導体４では、絶縁体２内部に形成されている図示省略の多層の配線を通して、前述の基体３に配置されている光検出素子に接続され、蓄積された電子が光検出素子に転送される。
　透明半導体４は、可視光域の電磁波を透過する酸化物半導体である。透明半導体４としては、例えばインジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、酸素（Ｏ）を含むＩＧＺＯが使用されている。透明半導体４は、例えば１ｎｍ以上１００００ｎｍ以下の厚さに形成されている。
　有機光電変換膜５は、透明半導体４上に積層されている。有機光電変換膜５では、矢印Ｚ方向から入射される光から電子が生成される。
　有機光電変換膜５は、受光素子材料として有機材料を使用している。有機材料としては、光電変換できる有機膜であればよい。有機光電変換膜５は、例えば１ｎｍ以上１００μｍ以下の厚さに形成されている。
　透明電極６は、有機光電変換膜５上に積層されている。透明電極６は画素部１００の全域に共有の電極として構成され、透明電極６には有機光電変換膜５の全域に印加される電気が供給される。
　透明電極６は、第１実施の形態において、第１透明電極６１と、第１透明電極６１の有機光電変換膜５とは反対側に積層されている第２透明電極６２とを備えている。
　第１透明電極６１は、ここでは、酸化インジウム－酸化亜鉛系酸化物（ＩＺＯ）により形成されている。第１透明電極６１は、例えば１ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の厚さに形成されている。第１透明電極６１の厚さは第２透明電極６２の厚さよりも薄く形成されている。これにより、第１透明電極６１の製造上の加工を容易に行うことができる。
　第２透明電極６２は、ここでは、第１透明電極６１と同一の透明電極材料により形成されている。第２透明電極６２は、例えば１ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の厚さに形成されている。第２透明電極６２の厚さは第１透明電極６１の厚さよりも厚く形成されている。これにより、第１透明電極６１及び第２透明電極６２を有する透明電極６の厚さが厚くなるので、透明電極６の抵抗値を小さくすることができる。また、第２透明電極６２は配線６３に利用されているので、配線６３の抵抗値も小さくすることができる。
　また、透明電極６は、ＩＺＯ以外の透明電極材料により形成してもよい。例えば、透明電極６は、ＩＴＯ、酸化錫（ＳｎＯｘ）、酸化亜鉛（ＺｎＯｘ）、酸化チタン（ＴｉＯｘ）及び銀（Ａｇ）ナノワイヤから選択される１以上の透明電極材料を用いて形成してもよい。さらに、透明電極６は、第１透明電極６１の透明電極材料に対して、第２透明電極６２を異なる透明電極材料により形成してもよい。この具体的な例示は、後述する第７実施の形態に係る固体撮像装置１において、詳細に説明する。
　有効画素領域１０１において、透明電極６上には、透明電極６を覆う保護膜９が形成されている。保護膜９は、絶縁性を有し、かつ、環境耐性を有する、例えば酸化アルミニウム（ＡｌＯ）により形成されている。保護膜９は、例えば１ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の厚さに形成されている。
　有効画素領域１０１において、保護膜９上には図示省略のカラーフィルタ、光学レンズのそれぞれが順次積層されている。カラーフィルタは、例えば、光の三原色である赤色、青色、緑色のそれぞれの染料が添加された樹脂材料により形成されている。光学レンズは、例えば矢印Ｚ方向に湾曲された樹脂材料により形成されている。
（３）周辺領域１０２の構成
　周辺領域１０２には、絶縁体２上に接続部８が配設されている。ここで、接続部８は、図１に示される側面視において、並びに図２に示される平面視において、有効画素領域１０１の右側に配設されている。なお、接続部８は、有効画素領域１０１の左側に配設されていても、平面視において、有効画素領域１０１の上側又は下側に配設されていてもよい。また、接続部８は、一カ所に限定されるものでなく、例えば有効画素領域１０１の右側及び左側の複数箇所に配設されていてもよい。後述する第１０実施の形態に係る固体撮像装置１では、複数箇所に接続部８を配設する例が説明されている（図６４参照）。
　接続部８は、配線６３を通して画素部１００の透明電極６に接続されている。つまり、接続部８は、基体３に配置されている図示省略の回路に接続され、この回路からの電気を配線６３を通して透明電極６に供給する。回路は、前述の制御回路であってもよいし、電源回路であってもよい。
　配線６３は、第１実施の形態において、透明電極６の第２透明電極６２と同一の透明電極材料により形成されている。さらに、第２透明電極６２と同一の導電層により形成されている。つまり、第２透明電極６２は、有効画素領域１０１において画素部１００の透明電極６を構築し、有効画素領域１０１から周辺領域１０２へ延設させて配線６３として形成されている。そして、配線６３は、絶縁体２内部に形成されている多層の配線２３に接続され、接続部８を構成している。
　配線６３は透明電極６のうちの一部の第２透明電極６２を用いて形成されているので、配線６３の厚さは透明電極６の厚さよりも薄く形成されている。
　配線６３は、ここでは、有効画素領域１０１の右側において、透明電極６との接続箇所から画素部１００の側面に沿って垂直方向（矢印Ｚ方向とは反対側）に延設されている。そして、配線６３は、周辺領域１０２において、水平方向（矢印Ｘ方向）に延設されている。つまり、配線６３は、例えば保護膜９上を引き回すことなく、最短距離において、透明電極６と接続部８との間を接続している。
　ここで、画素部１００の側面と配線６３との間には、図１に示されるように、側壁絶縁体７が形成されている。側壁絶縁体７は、例えば絶縁性を有し、かつ、環境耐性を有する例えばＡｌＯにより形成されている。側壁絶縁体７は、画素部１００の側面から周辺領域１０２へ向かって、例えば１ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の厚さに形成されている。
　周辺領域１０２において、配線６３上には、配線６３を覆う保護膜９が形成されている。この保護膜９は、有効画素領域１０１上の保護膜９と同一の材料により形成され、かつ、同一の層に形成されている。
　さらに、周辺領域１０２において、保護膜９上には遮光膜１０が形成されている。遮光膜１０は、光を透過させない材料により形成されている。ここでは、遮光膜１０は、例えばタングステン（Ｗ）等の金属材料、又は黒色に着色された樹脂材料（例えば、ブラックレジスト）により形成されている。
　金属材料の場合、遮光膜１０は、例えば１ｎｍ以上１０００μｍ以下の厚さに形成されている。また、樹脂材料の場合、遮光膜１０は、例えば１ｎｍ以上１０００μｍ以下の厚さに形成されている。
［固体撮像装置１の製造方法］
　次に、図１及び図２を参照しつつ、図３～図１４を用いて、固体撮像装置１の製造方法について説明する。
　まず、図３に示されるように、有効画素領域１０１において、絶縁体２上に透明半導体４、有機光電変換膜５、透明電極６の第１透明電極６１、マスク７１のそれぞれが順次形成される。第１透明電極６１、有機光電変換膜５、透明半導体４のそれぞれは、最上層のマスク７１を用いて、パターンニングされる。マスク７１としては、例えばアモルファスカーボンが使用される。
　図４に示されるように、有効画素領域１０１のマスク７１上及び周辺領域１０２の絶縁体２上を含む全面に、側壁絶縁体７が形成される。側壁絶縁体７は、有効画素領域１０１と周辺領域１０２と境界領域において、画素部１００の側面にも形成される。つまり、側壁絶縁体７は、透明半導体４の側面、有機光電変換膜５の側面及び第１透明電極６１の側面に沿って形成される。側壁絶縁体７は、例えばＡｌＯにより形成される。側壁絶縁体７は、例えば原子層堆積（ＡＬＤ：Atomic Layer Deposition）法により形成される。
　図５に示されるように、有効画素領域１０１のマスク７１上の側壁絶縁体７及び周辺領域１０２の絶縁体２上の側壁絶縁体７を除去し、画素部１００の側面に側壁絶縁体７が形成される。側壁絶縁体７の除去には、例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）法等の異方性エッチング法が使用される。
　図６に示されるように、有効画素領域１０１及び周辺領域１０２の全面にマスク７２が形成される。マスク７２は、有効画素領域１０１ではマスク７１上に形成され、周辺領域１０２では絶縁体２上に形成される。周辺領域１０２の接続部８（図１及び図２参照）の箇所において、マスク７２には開口７２Ｈが形成される。マスク７２は例えばフォトレジストにより形成される。
　図７に示されるように、マスク７２の開口７２Ｈから露出される絶縁体２が除去され、絶縁体２の内部の配線２３の表面が露出される。絶縁体２の除去には、例えばＲＩＥ法が使用される。
　この後、図８に示されるように、マスク７２が除去される。
　図９に示されるように、有効画素領域１０１において、第１透明電極６１上のマスク７１が除去される。マスク７１が除去されると、第１透明電極６１の表面が露出される。
　図１０に示されるように、有効画素領域１０１の第１透明電極６１上及び周辺領域１０２の絶縁体２上を含む全面に第２透明電極６２が形成される。有効画素領域１０１では、第１透明電極６１上に第２透明電極６２が積層されるので、第１透明電極６１及び第２透明電極６２からなる透明電極６が形成される。
　図１１に示されるように、有効画素領域１０１の透明電極６上及び透明電極６上から接続部８上に至る箇所を覆うマスク７３が形成される。マスク７３は例えばフォトレジストにより形成される。
　図１２に示されるように、マスク７３を用いて、周辺領域１０２の余分な第２透明電極６２が除去される。引き続き、図１３に示されるように、マスク７３が除去される。
　これにより、透明電極６の第２透明電極６２に一体に形成され、第２透明電極６２と同一の透明電極材料により形成され、かつ、第２透明電極６２と同一の導電層からなる配線６３が形成される。この配線６３は接続部８において配線２３に接続される。また、画素部１００の透明半導体４の側面、有機光電変換膜５の側面及び透明電極６の第１透明電極６１の側面に対して、配線６３は側壁絶縁体７を介在させて電気的に分離される。
　図１４に示されるように、有効画素領域１０１の透明電極６上、周辺領域１０２の配線６３上及び周辺領域１０２の接続部８上を含む全面に保護膜９が形成される。引き続き、前述の図１に示されるように、周辺領域１０２において、保護膜９上に遮光膜１０が形成される。
　これら一連の製造工程が終了すると、第１実施の形態に係る固体撮像装置１が完成する。
［作用効果］
　第１実施の形態に係る固体撮像装置１は、図１及び図２に示されるように、透明半導体４と、有機光電変換膜５と、透明電極６とを有する画素部１００と、接続部８と、配線６３とを備える。
　透明半導体４は、絶縁体２の有効画素領域１０１に形成される。有機光電変換膜５は、透明半導体４の絶縁体２とは反対側に形成される。透明電極６は、有機光電変換膜５の透明半導体４とは反対側に形成される。接続部８は、有効画素領域１０１の周囲の周辺領域１０２において絶縁体２に配設され、透明電極６へ電気を供給する回路に接続される。
　ここで、配線６３は、透明電極６と接続部８との間を電気的に接続し、透明電極材料により形成される。このため、配線６３は透明電極６の少なくとも一部を延設させて形成し、透明電極６と接続部８とが配線６３により直接的に接続可能となる。つまり、保護膜９の透明電極６上並びに保護膜９の接続部８上に接続孔を形成する必要が無く、これらの接続孔並びに保護膜９上に配線を引き回す必要が無い。これにより、透明電極６と接続部８とを接続する配線構造を簡素化することができる。
　また、配線６３は引き回されないので、配線６３の配線長が短くなり、配線６３の配線抵抗を小さくすることができる。
　また、固体撮像装置１では、図１に示されるように、配線６３は、透明電極６の厚さよりも薄い厚さに形成される。表現を代えれば、透明電極６の厚さは、配線６３の厚さよりも厚く形成される。このため、有効画素領域１０１において、画素部１００の透明電極６の抵抗値を小さくすることができるので、画素部１００の全域において均等な光電変換を実現することができる。
　一方、配線６３の厚さが薄く形成されているので、図１１及び図１２に示されるように、固体撮像装置１の製造方法において、第２透明電極６２の加工を容易に行うことができる。
　また、固体撮像装置１では、図１に示されるように、透明電極６は、第１透明電極６１と、第２透明電極６２とを備える。第１透明電極６１は、有機光電変換膜５上に形成される。第２透明電極６２は、第１透明電極６１の有機光電変換膜５とは反対側に形成される。
　このため、透明電極６は第１透明電極６１と第２透明電極６２とを重ねて厚く形成されているので、透明電極６の抵抗値を小さくすることができる。
　また、固体撮像装置１では、図１に示されるように、配線６３は、透明電極６の少なくとも一部と同一の導電層に形成される。具体的には、配線６３は、透明電極６の第２透明電極６２と同一の導電層に形成される。
　このため、前述の通り、配線構造を簡素化し、配線６３の配線抵抗を小さくすることができる。
　また、固体撮像装置１は、図１に示されるように、側壁絶縁体７を備える。側壁絶縁体７は、有機光電変換膜５の側面及び透明半導体４の側面に形成される。そして、配線６３は、透明電極６から接続部８へ、有機光電変換膜５の側面及び透明半導体４の側面に沿って、かつ、側壁絶縁体７を介在させて延設される。
　このため、配線６３は、画素部１００に対して、具体的には有機光電変換膜５、透明半導体４のそれぞれに対して、側壁絶縁体７により確実に電気的に分離される。加えて、側壁絶縁体７により、画素部１００の環境耐性を向上させることができる。
　さらに、固体撮像装置１では、図１に示されるように、有効画素領域１０１及び周辺領域１０２に、透明電極６及び配線６３を覆う保護膜９が形成される。これにより、有効画素領域１０１の画素部１００並びに周辺領域１０２の接続部８において、環境耐性を向上させることができる。
　加えて、周辺領域１０２において、保護膜９の配線６３とは反対側に光を遮る遮光膜１０が形成される。これにより、周辺領域１０２における光の入射を遮断することができる。
＜２．第２実施の形態＞
　図１５～図２４を用いて、本開示の第２実施の形態に係る固体撮像装置１を説明する。なお、第２実施の形態並びにそれ以降に説明する実施の形態において、第１実施の形態に係る固体撮像装置１の構成要素と同一の構成要素又は実質的に同一の構成要素には同一符号を付し、重複する説明は省略する。
［固体撮像装置１の構成］
　図１５は、固体撮像装置１の縦断面構成の一例を示している。図１５に示されるように、第２実施の形態に係る固体撮像装置１では、画素部１００の側面に形成されている側壁絶縁体７が、周辺領域１０２の絶縁体２と保護膜９との間にも形成されている。画素部１００の側面及び周辺領域１０２に形成されている側壁絶縁体７は、同一の絶縁材料により形成され、かつ、同一の絶縁層に形成されている。つまり、画素部１００の側面に形成されている側壁絶縁体７は、周辺領域１０２まで延設されている。
　上記構成要素以外の構成要素は、前述の第１実施の形態に係る固体撮像装置１の構成要素と同一又は実質的に同一である。
［固体撮像装置１の製造方法］
　次に、図１５を参照しつつ、図１６～図２４を用いて、固体撮像装置１の製造方法について説明する。
　第１実施の形態に係る固体撮像装置１の製造方法（以下、単に「第１製造方法」という。）の図４に示される工程と同様に、側壁絶縁体７が形成される。側壁絶縁体７は、有効画素領域１０１のマスク７１上及び周辺領域１０２の絶縁体２上を含む全面に形成される。
　第１製造方法の図６に示される工程と同様に、図１６に示されるように、有効画素領域１０１及び周辺領域１０２の全面にマスク７２が形成される。マスク７２は、有効画素領域１０１、周辺領域１０２のそれぞれにおいて、側壁絶縁体７上に形成される。周辺領域１０２の接続部８（図１５参照）の形成箇所において、マスク７２には開口７２Ｈが形成される。
　第１製造方法の図７に示される工程と同様に、図１７に示されるように、マスク７２の開口７２Ｈから露出される側壁絶縁体７及び絶縁体２が除去され、絶縁体２の内部の配線２３の表面が露出される。側壁絶縁体７及び絶縁体２の除去には、例えばＲＩＥ法が使用される。
　この後、第１製造方法の図８に示される工程と同様に、図１８に示されるように、マスク７２が除去される。
　図１９に示されるように、有効画素領域１０１において、リフトオフ（Lift-off）法を用いてマスク７１が選択的に除去される。このマスク７１の除去に伴い、有効画素領域１０１において、マスク７１上の側壁絶縁体７が除去される。
　第１製造方法の図１０に示される工程と同様に、図２０に示されるように、有効画素領域１０１の第１透明電極６１上、周辺領域１０２の絶縁体２上及び周辺領域１０２の側壁絶縁体７上を含む全面に第２透明電極６２が形成される。有効画素領域１０１では、第１透明電極６１上に第２透明電極６２が積層されるので、第１透明電極６１及び第２透明電極６２からなる透明電極６が形成される。
　第１製造方法の図１１に示される工程と同様に、図２１に示されるように、有効画素領域１０１の透明電極６上及び透明電極６上から接続部８（図１５参照）上に至る箇所を覆うマスク７３が形成される。周辺領域１０２の配線６３及び接続部８が形成される領域以外において、マスク７３から第２透明電極６２の表面は露出される。
　第１製造方法の図１２に示される工程と同様に、図２２に示されるように、マスク７３を用いて、周辺領域１０２の余分な第２透明電極６２が除去される。引き続き、図２３に示されるように、マスク７３が除去される。
　これにより、透明電極６の第２透明電極６２に一体に形成され、第２透明電極６２と同一の透明電極材料により形成され、かつ、第２透明電極６２と同一の導電層からなる配線６３が形成される。この配線６３は接続部８において配線２３に接続される。また、画素部１００の透明半導体４の側面、有機光電変換膜５の側面及び透明電極６の第１透明電極６１の側面に対して、配線６３は側壁絶縁体７を介在させて電気的に分離される。
　第１製造方法の図１４に示される工程と同様に、図２４に示されるように、有効画素領域１０１の透明電極６上、周辺領域１０２の配線６３上及び周辺領域１０２の接続部８上を含む全面に保護膜９が形成される。引き続き、前述の図１５に示されるように、周辺領域１０２において、保護膜９上に遮光膜１０が形成される。
　これら一連の製造工程が終了すると、第２実施の形態に係る固体撮像装置１が完成する。
［作用効果］
　第２実施の形態に係る固体撮像装置１では、前述の第１実施の形態に係る固体撮像装置１により得られる作用効果と同一の作用効果又は実質的に同一の作用効果を得ることができる。
　また、固体撮像装置１は、図１５に示されるように、有機光電変換膜５の側面及び透明半導体４の側面に側壁絶縁体７を備える。配線６３は、透明電極６から接続部８へ、有機光電変換膜５の側面及び透明半導体４の側面に沿って、かつ、側壁絶縁体７を介在させて延設される。
　ここで、側壁絶縁体７は、周辺領域１０２において、絶縁体２と保護膜９との間に延設される。つまり、有機光電変換膜５の側面及び透明半導体４の側面に形成される側壁絶縁体７が周辺領域１０２において利用され、側壁絶縁体７により絶縁体２又は保護膜９の実効的な厚さを厚くすることができる。このため、周辺領域１０２において、環境耐性を更に向上させることができる。
＜３．第３実施の形態＞
　図２５～図３４を用いて、本開示の第３実施の形態に係る固体撮像装置１を説明する。
［固体撮像装置１の構成］
　図２５は、固体撮像装置１の縦断面構成の一例を示している。図２５に示されるように、第３実施の形態に係る固体撮像装置１では、第１実施の形態又は第２実施の形態に係る固体撮像装置１において画素部１００の側面に形成されている側壁絶縁体７が形成されていない（図１及び図１５参照）。なお、側壁絶縁体７は積極的に形成されていないが、画素部１００の側面であって、少なくとも透明半導体４の側面には図示省略の自然酸化膜が実効的に形成されている。つまり、配線６３と透明半導体４との間は自然酸化膜により電気的に分離されている。
　上記構成要素以外の構成要素は、前述の第１実施の形態又は第２実施の形態に係る固体撮像装置１の構成要素と同一又は実質的に同一である。
［固体撮像装置１の製造方法］
　次に、図２５を参照しつつ、図２６～図３４を用いて、固体撮像装置１の製造方法について説明する。
　まず、第１製造方法の図３に示される工程と同様に、有効画素領域１０１において、絶縁体２上に透明半導体４、有機光電変換膜５、透明電極６の第１透明電極６１、マスク７１のそれぞれが順次形成される。第１透明電極６１、有機光電変換膜５、透明半導体４のそれぞれは、最上層のマスク７１を用いて、パターンニングされる。
　ここで、第１製造方法の図４及び図５に示される、側壁絶縁体７を形成する工程が省略される。そして、第１製造方法の図６に示される工程と同様に、図２６に示されるように、有効画素領域１０１及び周辺領域１０２の全面にマスク７２が形成される。マスク７２は、有効画素領域１０１ではマスク７１上に形成され、周辺領域１０２では絶縁体２上に形成される。周辺領域１０２の接続部８（図２５参照）の形成箇所において、マスク７２には開口７２Ｈが形成される。
　第１製造方法の図７に示される工程と同様に、図２７に示されるように、マスク７２の開口７２Ｈから露出される絶縁体２が除去され、絶縁体２の内部の配線２３の表面が露出される。これにより、接続部８が実質的に形成される。
　この後、図２８に示されるように、マスク７２が除去される。
　第１製造方法の図９に示される工程と同様に、図２９に示されるように、有効画素領域１０１において、第１透明電極６１上のマスク７１が除去される。マスク７１が除去されると、第１透明電極６１の表面が露出される。
　第１製造方法の図１０に示される工程と同様に、図３０に示されるように、有効画素領域１０１の第１透明電極６１上及び周辺領域１０２の絶縁体２上を含む全面に第２透明電極６２が形成される。有効画素領域１０１では、第１透明電極６１上に第２透明電極６２が積層されるので、第１透明電極６１及び第２透明電極６２からなる透明電極６が形成される。
　第１製造方法の図１１に示される工程と同様に、図３１に示されるように、有効画素領域１０１の透明電極６上及び透明電極６上から接続部８（図２５参照）上に至る箇所を覆うマスク７３が形成される。
　第１製造方法の図１２に示される工程と同様に、図３２に示されるように、マスク７３を用いて、周辺領域１０２の余分な第２透明電極６２が除去される。引き続き、図３３に示されるように、マスク７３が除去される。
　これにより、透明電極６の第２透明電極６２に一体に形成され、第２透明電極６２と同一の透明電極材料により形成され、かつ、第２透明電極６２と同一の導電層からなる配線６３が形成される。この配線６３は接続部８において配線２３に接続される。また、画素部１００の特に透明半導体４の側面に対して、配線６３は図示省略の自然酸化膜を介在させて電気的に分離される。
　第１製造方法の図１４に示される工程と同様に、図３４に示されるように、有効画素領域１０１の透明電極６上、周辺領域１０２の配線６３上及び周辺領域１０２の接続部８上を含む全面に保護膜９が形成される。引き続き、前述の図２５に示されるように、周辺領域１０２において、保護膜９上に遮光膜１０が形成される。
　これら一連の製造工程が終了すると、第３実施の形態に係る固体撮像装置１が完成する。
［作用効果］
　第３実施の形態に係る固体撮像装置１では、前述の第１実施の形態に係る固体撮像装置１により得られる作用効果と同一の作用効果又は実質的に同一の作用効果を得ることができる。
　また、固体撮像装置１は、図２５に示されるように、画素部１００の側面に積極的に側壁絶縁体７を形成しない。このため、側壁絶縁体７に相当する構成要素を省略することができ、配線構造を更に簡素化することができる。
　加えて、側壁絶縁体７を形成する工程に相当する工程を省略することができるので、固体撮像装置１の製造工程数を削減することができる。結果として、固体撮像装置１の製造上の歩留まりを向上させることができる。
＜４．第４実施の形態＞
　図３５～図４１を用いて、本開示の第４実施の形態に係る固体撮像装置１を説明する。
［固体撮像装置１の構成］
　図３５は、固体撮像装置１の縦断面構成の一例を示している。図３５に示されるように、第４実施の形態に係る固体撮像装置１では、第３実施の形態に係る固体撮像装置１と同様に、側壁絶縁体７が形成されていない（図２５参照）。そして、固体撮像装置１では、画素部１００の透明半導体４の側面と配線６３との間に空洞４Ｓが形成されている。
　透明半導体４の側面が有機光電変換膜５の側面よりも有効画素領域１０１の内側に形成されることにより、透明半導体４の側面と配線６３との間に空洞４Ｓが形成されている。空洞４Ｓ内には例えば空気等の気体が充填されている。透明半導体４、配線６３のそれぞれは気体により電気的に分離されている。
　上記構成要素以外の構成要素は、前述の第３実施の形態に係る固体撮像装置１の構成要素と同一又は実質的に同一である。
［固体撮像装置１の製造方法］
　次に、図３５を参照しつつ、図３６～図４１を用いて、固体撮像装置１の製造方法について説明する。
　第３実施の形態に係る固体撮像装置１の製造方法（以下、単に「第３製造方法」という。）の図２９に示される工程と同様に、有効画素領域１０１において、第１透明電極６１上のマスク７１が除去される。マスク７１が除去されると、第１透明電極６１の表面が露出される。
　図３６に示されるように、有効画素領域１０１の透明半導体４の側面にサイドエッチングが行われる。サイドエッチングには、有機光電変換膜５、絶縁体２のそれぞれに対して、透明半導体４のエッチング選択比が大きい、例えば等方性エッチング法が使用される。
　これにより、透明半導体４の側面は、有効画素領域１０１の内側へ後退し、空洞４Ｓが形成される。
　第３製造方法の図３０に示される工程と同様に、図３７に示されるように、有効画素領域１０１の第１透明電極６１上及び周辺領域１０２の絶縁体２上を含む全面に第２透明電極６２が形成される。有効画素領域１０１では、第１透明電極６１上に第２透明電極６２が積層されるので、第１透明電極６１及び第２透明電極６２からなる透明電極６が形成される。
　第３製造方法の図３１に示される工程と同様に、図３８に示されるように、有効画素領域１０１の透明電極６上及び透明電極６上から接続部８（図３５参照）上に至る箇所を覆うマスク７３が形成される。
　第３製造方法の図３２に示される工程と同様に、図３９に示されるように、マスク７３を用いて、周辺領域１０２の余分な第２透明電極６２が除去される。引き続き、図４０に示されるように、マスク７３が除去される。
　これにより、透明電極６の第２透明電極６２に一体に形成され、第２透明電極６２と同一の透明電極材料により形成され、かつ、第２透明電極６２と同一の導電層からなる配線６３が形成される。この配線６３は接続部８において配線２３に接続される。また、画素部１００の特に透明半導体４の側面には空洞４Ｓが形成されるので、透明半導体４の側面に対して、配線６３は空洞４Ｓ（空洞４Ｓ内に充填された気体）を介在させて電気的に分離される。
　第３製造方法の図３４に示される工程と同様に、図４１に示されるように、有効画素領域１０１の透明電極６上、周辺領域１０２の配線６３上及び周辺領域１０２の接続部８上を含む全面に保護膜９が形成される。引き続き、前述の図３５に示されるように、周辺領域１０２において、保護膜９上に遮光膜１０が形成される。
　これら一連の製造工程が終了すると、第４実施の形態に係る固体撮像装置１が完成する。
［作用効果］
　第４実施の形態に係る固体撮像装置１では、前述の第３実施の形態に係る固体撮像装置１により得られる作用効果と同一の作用効果又は実質的に同一の作用効果を得ることができる。
　また、固体撮像装置１は、図３５に示されるように、画素部１００の透明半導体４の側面と配線６３との間に空洞４Ｓを備える。空洞４Ｓは、透明半導体４の側面を有機光電変換膜５の側面よりも有効画素領域１０１の内側に配置することにより形成される。つまり、空洞４Ｓはサイドエッチングにより形成される。
　このため、配線６３は、画素部１００に対して、具体的には透明半導体４に対して、空洞４Ｓ（又は空洞４Ｓに充填された気体）により確実に電気的に分離される。
＜５．第５実施の形態＞
　図４２～図４７を用いて、本開示の第５実施の形態に係る固体撮像装置１を説明する。第５実施の形態から第９実施の形態に係る固体撮像装置１では、側壁絶縁体７の構造を変えた例を説明する。
［固体撮像装置１の構成］
　図４２は、固体撮像装置１の縦断面構成の一例を示している。図４２に示されるように、第５実施の形態に係る固体撮像装置１は、第１実施の形態に係る固体撮像装置１と同様に、側壁絶縁体７を備えている。側壁絶縁体７は、画素部１００の側面、つまり少なくとも有機光電変換膜５の側面及び透明半導体４の側面に形成されている。第５実施の形態では、側壁絶縁体７は、第１実施の形態に係る固体撮像装置１の側壁絶縁体７と同一又は実質的に同一の構成要素である第１側壁絶縁体７５と、第１側壁絶縁体７５上に積層された第２側壁絶縁体７６とを備えている。
　側壁絶縁体７の第２側壁絶縁体７６は、画素部１００の側面において、透明電極６から透明半導体４へ向かって、有効画素領域１０１から周辺領域１０２へ広がる傾斜壁面７Ｓを備えている。傾斜壁面７Ｓが形成されているので、有機光電変換膜５の側面に形成されている側壁絶縁体７の有機光電変換膜５の側面からの厚さは、透明電極６の側面に形成されている側壁絶縁体７の透明電極６の側面からの厚さよりも厚く形成されている。同様に、透明半導体４の側面に形成されている側壁絶縁体７の透明半導体４の側面からの厚さは、有機光電変換膜５の側面に形成されている側壁絶縁体７の有機光電変換膜５の側面からの厚さよりも厚く形成されている。傾斜壁面７Ｓは、ここでは、平面に形成されている。
　また、傾斜壁面７Ｓと絶縁体２の表面とがなす、有効画素領域１０１側の傾斜角度αは、例えば２０度以上９０度未満に設定されている。好ましくは、傾斜角度αは、２０度以上６０度未満に設定される。
　下限の傾斜角度αを設定することにより、側壁絶縁体７の周辺領域１０２における占有面積を縮小することができる。また、上限の傾斜角度αを設定することにより、透明電極６から側壁絶縁体７の傾斜壁面７Ｓに沿って形成される配線６３のステップカバレッジを向上させることができる。
　上記構成要素以外の構成要素は、前述の第１実施の形態に係る固体撮像装置１の構成要素と同一又は実質的に同一である。
［固体撮像装置１の製造方法］
　次に、図４２を参照しつつ、図４３～図４７を用いて、固体撮像装置１の製造方法について説明する。
　まず、第１製造方法の図５に示される側壁絶縁体７を形成する工程と同様に、画素部１００の側面に第１側壁絶縁体７５が形成される（図５及び図４３参照）。第１側壁絶縁体７５は、ここでは、図５に示される側壁絶縁体７と同様に、例えばＡｌＯにより形成される。第１側壁絶縁体７５の形成には、ＡＬＤ法が使用される。
　第１製造方法の図６～図８に示される工程と同様に、周辺領域１０２において絶縁体２が除去され、絶縁体２の内部の配線２３の表面が露出される。
　引き続き、第１製造方法の図９に示される工程と同様に、有効画素領域１０１において、第１透明電極６１上のマスク７１が除去される。マスク７１が除去されると、第１透明電極６１の表面が露出される。
　図４３に示されるように、有効画素領域１０１の第１透明電極６１上及び周辺領域１０２の絶縁体２上を含む全面に、絶縁膜７７が形成される。絶縁膜７７は、側壁絶縁体７の第２側壁絶縁体７６を形成するので、絶縁性を有し、かつ、環境耐性を有する、例えばＡｌＯにより形成される。絶縁膜７７は、例えばスパッタリング法又はＡＬＤ法により形成される。絶縁膜７７は、画素部１００を完全に埋め込む厚さであって、例えば１ｎｍ以上１００μｍ以下の厚さに形成される。
　絶縁体２に対して画素部１００が矢印Ｚ方向に突出されているので、絶縁膜７７の表面には起伏が生成される。つまり、絶縁膜７７の表面は、有効画素領域１０１において高く、周辺領域１０２において有効画素領域１０１よりも低くなる。
　図４４に示されるように、絶縁膜７７の表面が平坦化される。平坦化には、化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）法又はエッチバック法が使用される。
　次に、有効画素領域１０１において絶縁膜７７上にマスク８１が形成される。マスク８１は、図４５において破線を用いて示されている。マスク８１としては、例えばフォトレジストが使用される。
　図４５に示されるように、マスク８１を用いて、周辺領域１０２の絶縁膜７７が除去される。絶縁膜７７の除去には、例えばドライエッチング法が使用される。ここで、エッチング条件が、適宜、調整され、画素部１００の側面において、絶縁膜７７から傾斜壁面７Ｓを有する第２側壁絶縁体７６が形成される。
　これにより、画素部１００の側面に予め形成された第１側壁絶縁体７５と、この第１側壁絶縁体７５上に新たに形成された第２側壁絶縁体７６とにより、側壁絶縁体７が完成する。
　引き続き、周辺領域１０２の絶縁体２上及び側壁絶縁体７上を覆うマスク８２が形成される。マスク８２は、図４６において破線を用いて示されている。マスク８２としては、例えばマスク８１と同様に、フォトレジストが使用される。
　図４６に示されるように、マスク８２を用いて、有効画素領域１０１において、第１透明電極６１上に残存する絶縁膜７７が除去される。絶縁膜７７の除去には、例えばドライエッチング法が使用される。絶縁膜７７の除去により、第１透明電極６１の表面が露出される。マスク８２はこの後に除去される。
　なお、有効画素領域１０１に残存する絶縁膜７７の除去において、周辺領域１０２の接続部８はマスク８２により覆われている。このため、接続部８において露出される配線２３の表面では、エッチングによる損傷が防止されている。
　第１製造方法の図１０～図１３に示される工程と同様に、図４７に示されるように、有効画素領域１０１において第１透明電極６１上に第２透明電極６２が形成される。第２透明電極６２が形成されると、第１透明電極６１及び第１透明電極６１上に形成された第２透明電極６２により透明電極６が完成する。
　さらに、第２透明電極６２が形成されると、同一の工程において、第２透明電極６２から側壁絶縁体７の傾斜壁面７Ｓに沿って接続部８に至る配線６３が形成される。
　第１製造方法の図１４に示される工程と同様に、有効画素領域１０１の透明電極６上、周辺領域１０２の配線６３上及び周辺領域１０２の接続部８上を含む全面に保護膜９が形成される（図４２参照）。引き続き、前述の図４２に示されるように、周辺領域１０２において、保護膜９上に遮光膜１０が形成される。
　これら一連の製造工程が終了すると、第５実施の形態に係る固体撮像装置１が完成する。
［作用効果］
　第５実施の形態に係る固体撮像装置１では、前述の第１実施の形態に係る固体撮像装置１により得られる作用効果と同一の作用効果又は実質的に同一の作用効果を得ることができる。
　また、固体撮像装置１では、図４２に示されるように、側壁絶縁体７は、透明電極６から透明半導体４へ向かって、有効画素領域１０１から周辺領域へ広がる傾斜壁面７Ｓを備える。
　このため、画素部１００の透明電極６から側壁絶縁体７に沿って接続部８へ至る配線６３のステップカバレッジ（被着性）を向上させることができる。つまり、配線６３の断面面積の減少を効果的に抑制又は防止することができるので、抵抗値を小さくすることができる。加えて、配線６３の断線を効果的に防止することができる。
　また、側壁絶縁体７が傾斜壁面７Ｓを備えているので、有機光電変換膜５の側面に形成されている側壁絶縁体７の有機光電変換膜５の側面からの厚さは、透明電極６の側面に形成されている側壁絶縁体７の透明電極６の側面からの厚さよりも厚く形成される。このため、有機光電変換膜５の側面において、環境耐性を向上させることができる。この効果は、透明半導体４の側面においても同様に得られる。
　さらに、固体撮像装置１は、図４２に示されるように、側壁絶縁体７の傾斜壁面７Ｓと絶縁体２の表面とがなす、有効画素領域１０１側の傾斜角度αは、２０度以上９０度未満に設定される。傾斜角度αが上記下限値以上であれば、配線６３のステップカバレッジを十分に向上させることができる。勿論、画素部１００の環境耐性を十分に向上させることができる。
＜６．第６実施の形態＞
　図４８及び図４９を用いて、本開示の第６実施の形態に係る固体撮像装置１を説明する。第６実施の形態は、第５実施の形態に係る固体撮像装置１の製造方法の変形例を説明する。
［固体撮像装置１の製造方法］
　まず、第５実施の形態に係る固体撮像装置１の製造方法（以下、単に「第５製造方法」という。）の図４３に示される工程と同様に、絶縁膜７７が形成される。絶縁膜７７は、有効画素領域１０１の第１透明電極６１上及び周辺領域１０２の絶縁体２上を含む全面に形成される。当然のことながら、絶縁膜７７は、画素部１００の側面において、第１側壁絶縁体７５上にも形成される。
　図４８に示されるように、有効画素領域１０１の第１透明電極６１上及び周辺領域１０２の絶縁体２上に形成されている絶縁膜７７が除去される。絶縁膜７７の除去により、有効画素領域１０１において、第１透明電極６１の表面が露出される。
　このとき、画素部１００の側面の箇所では、画素部１００の段差形状により、周辺領域１０２の絶縁体２上に形成された絶縁膜７７の厚さが厚く形成されるので、絶縁膜７７の一部が残存する。この絶縁膜７７の一部は第２側壁絶縁体７６として形成される。第２側壁絶縁体７６には傾斜壁面７Ｓが形成される。第２側壁絶縁体７６が形成されると、第１側壁絶縁体７５及び第２側壁絶縁体７６を有する側壁絶縁体７が完成する。
　第５製造方法の図４７に示される工程と同様に、図４９に示されるように、有効画素領域１０１において第１透明電極６１上に第２透明電極６２が形成される。第２透明電極６２が形成されると、第１透明電極６１及び第１透明電極６１上に形成された第２透明電極６２により透明電極６が完成する。
　さらに、第２透明電極６２が形成されると、同一の工程において、第２透明電極６２から側壁絶縁体７の傾斜壁面７Ｓに沿って接続部８に至る配線６３が形成される。
　第１製造方法の図１４に示される工程と同様に、有効画素領域１０１の透明電極６上、周辺領域１０２の配線６３上及び周辺領域１０２の接続部８上を含む全面に保護膜９が形成される（図４２参照）。引き続き、前述の図４２に示されるように、周辺領域１０２において、保護膜９上に遮光膜１０が形成される。
　これら一連の製造工程が終了すると、第６実施の形態に係る固体撮像装置１が完成する。
［作用効果］
　第６実施の形態に係る固体撮像装置１では、前述の第５実施の形態に係る固体撮像装置１により得られる作用効果と同一の作用効果又は実質的に同一の作用効果を得ることができる。
　また、固体撮像装置１の製造方法では、第５製造方法の図４３に示される絶縁膜７７を形成した後、図４８に示されるように、有効画素領域１０１及び周辺領域１０２の絶縁膜７７が除去され、第１透明電極６１の表面が露出されると共に、側壁絶縁体７が形成される。つまり、第５製造方法の図４４に示される絶縁膜７７を平坦化する工程と、図４５に示されるマスク８１及び第２側壁絶縁体７６を形成する工程と、図４６に示されるマスク８２及び残存する絶縁膜７７を除去する工程とが、１つの工程になる。
　このため、固体撮像装置１の製造方法では、製造工程数を大幅に削減させることができる。加えて、製造工程数が削減されることにより、固体撮像装置１の製造上の歩留まりを向上させることができる。
＜７．第７実施の形態＞
　図５０～図５４を用いて、本開示の第７実施の形態に係る固体撮像装置１を説明する。
［固体撮像装置１の構成］
　図５０は、固体撮像装置１の縦断面構成の一例を示している。図５０に示されるように、第７実施の形態に係る固体撮像装置１は、第５実施の形態又は第６実施の形態に係る固体撮像装置１と同様に、透明電極６を備えている。第１実施の形態～第６実施の形態に係る固体撮像装置１では、透明電極６は、第１透明電極６１と、第１透明電極６１上に形成され、第１透明電極６１と同一の透明電極材料により形成された第２透明電極６２とを備えている。これに対して、第７実施の形態に係る固体撮像装置１では、透明電極６は、第１透明電極６１と、第１透明電極６１とは異なる透明電極材料により形成された第２透明電極６２とを備えている。
　ここでは、第１透明電極６１は例えばＩＺＯにより形成されている。第２透明電極６２は例えばＩＴＯにより形成されている。ＩＴＯの抵抗値はＩＺＯの抵抗値よりも小さい。つまり、透明電極６は、互いに抵抗値が異なる第１透明電極６１と第２透明電極６２とを積層して形成されている。
　また、透明電極６と接続部８とを接続する配線６３は、第２透明電極６２と同一の透明電極材料により形成され、かつ、同一の導電層に形成されている。つまり、ここでは、配線６３は例えばＩＴＯにより形成されている。
　上記構成要素以外の構成要素は、前述の第５実施の形態又は第６実施の形態に係る固体撮像装置１の構成要素と同一又は実質的に同一である。
［固体撮像装置１の製造方法］
　次に、図５０を参照しつつ、図５１～図５４を用いて、固体撮像装置１の製造方法について説明する。
　まず、第５製造方法の図４３に示される工程と同様に、有効画素領域１０１の第１透明電極６１上及び周辺領域１０２の絶縁体２上を含む全面に、絶縁膜７７が形成される。
　引き続き、第５製造方法の図４４に示される工程と同様に、図５１に示されるように、絶縁膜７７の表面が平坦化される。平坦化には、ＣＭＰ法又はエッチバック法が使用される。
　第５製造方法の図４５に示される工程と同様に、図５２に示されるように、有効画素領域１０１において絶縁膜７７上にマスク８１が形成され、マスク８１を用いて、周辺領域１０２の絶縁膜７７が除去される。これにより、画素部１００の側面において、絶縁膜７７から傾斜壁面７Ｓを有する第２側壁絶縁体７６が形成される。第２側壁絶縁体７６が形成されると、画素部１００の側面に予め形成された第１側壁絶縁体７５と、この第１側壁絶縁体７５上に新たに形成された第２側壁絶縁体７６とにより、側壁絶縁体７が完成する。
　第５製造方法の図４６に示される工程と同様に、図５３に示されるように、周辺領域１０２の絶縁体２上及び側壁絶縁体７上を覆うマスク８２が形成され、マスク８２を用いて、有効画素領域１０１の第１透明電極６１上に残存する絶縁膜７７が除去される。この絶縁膜７７の除去により、第１透明電極６１の表面が露出される。マスク８２はこの後に除去される。
　第５製造方法の図４７に示される工程と同様に、図５４に示されるように、有効画素領域１０１において第１透明電極６１上に第２透明電極６２が形成される。この工程では、第２透明電極６２は、第１透明電極６１とは異なる透明電極材料により形成される。第２透明電極６２が形成されると、第１透明電極６１及び第１透明電極６１上に形成された第２透明電極６２により透明電極６が完成する。
　さらに、第２透明電極６２が形成されると、同一の工程において、第２透明電極６２から側壁絶縁体７の傾斜壁面７Ｓに沿って接続部８に至る配線６３が形成される。
　第１製造方法の図１４に示される工程と同様に、有効画素領域１０１の透明電極６上、周辺領域１０２の配線６３上及び周辺領域１０２の接続部８上を含む全面に保護膜９が形成される（図５０参照）。引き続き、前述の図５０に示されるように、周辺領域１０２において、保護膜９上に遮光膜１０が形成される。
　これら一連の製造工程が終了すると、第７実施の形態に係る固体撮像装置１が完成する。
［作用効果］
　第７実施の形態に係る固体撮像装置１では、前述の第５実施の形態に係る固体撮像装置１により得られる作用効果と同一の作用効果又は実質的に同一の作用効果を得ることができる。
　また、固体撮像装置１では、図５０に示されるように、透明電極６は、第２透明電極６２の抵抗値を第１透明電極６１の抵抗値よりも小さい透明電極材料により形成される。このため、有効画素領域１０１において、画素部１００の透明電極６の抵抗値を小さくすることができるので、画素部１００の全域において均等な光電変換を実現することができる。
　さらに、固体撮像装置１では、図５０に示されるように、配線６３は第２透明電極６２と同一の透明電極材料により形成されるので、配線６３の配線抵抗を小さくすることができる。
＜８．第８実施の形態＞
　図５５及び図５６を用いて、本開示の第８実施の形態に係る固体撮像装置１を説明する。第８実施の形態は、第６実施の形態に係る固体撮像装置１の製造方法の変形例を説明する。
［固体撮像装置１の製造方法］
　まず、第６実施の形態に係る固体撮像装置１の製造方法（以下、単に「第６製造方法」という。）の図４３に示される工程と同様に、図５５に示されるように、絶縁膜７８が形成される。絶縁膜７８は、有効画素領域１０１の第１透明電極６１上及び周辺領域１０２の絶縁体２上を含む全面に形成される。当然のことながら、絶縁膜７８は、画素部１００の側面において第１側壁絶縁体７５上にも形成される。
　ここで、絶縁膜７８には、第１実施の形態～第７実施の形態に係る固体撮像装置１の絶縁膜７７と同様に、ＡｌＯが使用される。そして、絶縁膜７８は、ミスト化学気相析出（ＭＣＶＤ：Mist Chemical Vapor Deposition）法又はミスト気相エピタキシー（ＭＶＰＥ：Mist Vapor Phase Epitaxy）法により形成される。このような成膜方法に関しては、例えば、表面技術、６８巻（２０１７）１２号、７０７頁～７１１頁を参照されたい。ここで例示されている成膜方法では、例えば１５０℃以下の低温度において、絶縁膜７８が成膜可能である。
　このような成膜方法を用いて形成される絶縁膜７８は、有効画素領域１０１の第１透明電極６１上、周辺領域１０２の絶縁体２上、第１側壁絶縁体７５上のそれぞれにおいて、均一な厚さに形成される。
　第６製造方法の図４８に示される工程と同様に、図５６に示されるように、有効画素領域１０１の第１透明電極６１上及び周辺領域１０２の絶縁体２上に形成されている絶縁膜７８が除去される。絶縁膜７８の除去には例えばドライエッチング法が使用される。絶縁膜７８の除去により、有効画素領域１０１において、第１透明電極６１の表面が露出される。
　このとき、画素部１００の側面の箇所では、画素部１００の段差形状により、周辺領域１０２の絶縁体２上に形成された絶縁膜７８の厚さが厚く形成されているので、絶縁膜７８の一部が残存する。さらに、絶縁膜７８がＣＶＤ法を用いて形成され、例えばドライエッチング法を用いて除去されるので、絶縁膜７８の一部は、湾曲壁面７Ｃを有する第２側壁絶縁体７６として形成される。湾曲壁面７Ｃは、側面視において、第１透明電極６１から透明半導体４へ向かって、有効画素領域１０１から周辺領域１０２へ広がり、かつ、有効画素領域１０１から周辺領域１０２へ突出する曲面形状に形成される。一般的に、第２側壁絶縁体７６はサイドウォールスペーサと呼ばれる。
　第２側壁絶縁体７６が形成されると、第１側壁絶縁体７５及び第２側壁絶縁体７６を有する側壁絶縁体７が完成する。
　第５製造方法の図４７に示される工程と同様に、有効画素領域１０１において第１透明電極６１上に第２透明電極６２が形成される。第２透明電極６２が形成されると、第１透明電極６１及び第１透明電極６１上に形成された第２透明電極６２により透明電極６が完成する。
　さらに、第２透明電極６２が形成されると、同一の工程において、第２透明電極６２から側壁絶縁体７の湾曲壁面７Ｃに沿って接続部８に至る配線６３が形成される。
　第１製造方法の図１４に示される工程と同様に、有効画素領域１０１の透明電極６上、周辺領域１０２の配線６３上及び周辺領域１０２の接続部８上を含む全面に保護膜９が形成される（図４２参照）。引き続き、前述の図４２に示されるように、周辺領域１０２において、保護膜９上に遮光膜１０が形成される。
　これら一連の製造工程が終了すると、第８実施の形態に係る固体撮像装置１が完成する。
［作用効果］
　第８実施の形態に係る固体撮像装置１では、前述の第６実施の形態に係る固体撮像装置１により得られる作用効果と同一の作用効果又は実質的に同一の作用効果を得ることができる。
　また、固体撮像装置１の製造方法では、図５５に示されるように、絶縁膜７８が、ＣＶＤ法を用いて、均一な厚さにより形成される。引き続き、図５６に示されるように、ＲＩＥ法を用いて、絶縁膜７８が除去される。この結果、画素部１００の側面には、湾曲壁面７Ｃを有する側壁絶縁体７が形成される。
　このため、画素部１００の透明電極６から側壁絶縁体７に沿って接続部８へ至る配線６３のステップカバレッジをより一層向上させることができる。つまり、配線６３の断面面積の減少を効果的に抑制又は防止することができるので、抵抗値を小さくすることができる。加えて、配線６３の断線をより一層効果的に防止することができる。
＜９．第９実施の形態＞
　図５７～図６２を用いて、本開示の第９実施の形態に係る固体撮像装置１を説明する。
［固体撮像装置１の構成］
　図５７は、固体撮像装置１の縦断面構成の一例を示している。図５７に示されるように、第９実施の形態に係る固体撮像装置１は、配線２３と配線２３上に積層された配線２２との積層構造により接続部８が構成されている。つまり、図４２に示される第５実施の形態に係る固体撮像装置１の絶縁膜２５に代えて、配線２３上に配線２２が形成されている。
　配線２３は例えばＷにより形成されている。配線２２は透明電極材料である例えばＩＴＯにより形成されている。このため、接続部８においては、配線２３及び配線２２の２層構造となり、配線層の実効的な厚さが厚くなっている。
　上記構成要素以外の構成要素は、前述の第５実施の形態に係る固体撮像装置１の構成要素と同一又は実質的に同一である。また、上記構成要素以外の構成要素は、第１実施の形態～第４実施の形態、第６実施の形態～第８実施の形態のそれぞれに係る固体撮像装置１の構成要素と同一又は実質的に同一である。
［固体撮像装置１の製造方法］
　次に、図５７を参照しつつ、図５８～図６２を用いて、固体撮像装置１の製造方法について説明する。
　まず、周辺領域１０２の接続部８の形成領域において、絶縁体２の内部に配線２３及び配線２３上に積層された配線２２が形成される（図５７参照）。この配線２２は、有効画素領域１０１の配線２２を形成する工程と同一の工程により形成され、かつ、同一の導電性材料により形成される。この配線２２は、図４２に示される絶縁膜２５に代えて形成される。
　第１製造方法の図６～図８に示される工程と同様に、周辺領域１０２の接続部８の形成領域において、絶縁体２の絶縁膜２４が除去され、符号省略の接続孔が形成される。このとき、接続孔内において、配線２３上の配線２２の表面が露出される。
　ここで、オーバエッチングがなされたとしても、配線２２の厚さ方向の一部が残存する。また、配線２２の厚さ方向のすべてが除去されたとしても、配線２２下には配線２３が存在する。つまり、接続部８では、絶縁膜２４の厚さ方向の加工マージンを十分に確保することができ、配線２３と後に形成される配線６３との電気的な接続を確実に確保することができる。
　第５製造方法の図４３に示される工程と同様に、図５８に示されるように、有効画素領域１０１の第１透明電極６１上及び周辺領域１０２の絶縁体２上を含む全面に、絶縁膜７７が形成される。
　第５製造方法の図４４に示される工程と同様に、図５９に示されるように、絶縁膜７７の表面が平坦化される。平坦化には、ＣＭＰ法又はエッチバック法が使用される。
　第５製造方法の図４５に示される工程と同様に、図６０に示されるように、有効画素領域１０１において絶縁膜７７上にマスク８１が形成され、マスク８１を用いて、周辺領域１０２の絶縁膜７７が除去される。この絶縁膜７７が除去されると、絶縁膜７７から傾斜壁面７Ｓを有する第２側壁絶縁体７６が形成される。
　これにより、画素部１００の側面に予め形成された第１側壁絶縁体７５と、この第１側壁絶縁体７５上に新たに形成された第２側壁絶縁体７６とにより、側壁絶縁体７が完成する。
　第５製造方法の図４６に示される工程と同様に、図６１に示されるように、周辺領域１０２の絶縁体２上及び側壁絶縁体７上を覆うマスク８２が形成され、マスク８２を用いて、有効画素領域１０１において、第１透明電極６１上に残存する絶縁膜７７が除去される。絶縁膜７７の除去には、例えばドライエッチング法が使用される。絶縁膜７７の除去により、第１透明電極６１の表面が露出される。マスク８２はこの後に除去される。
　第５製造方法の図４７に示される工程と同様に、図６２に示されるように、有効画素領域１０１において第１透明電極６１上に第２透明電極６２が形成される。第２透明電極６２が形成されると、第１透明電極６１及び第１透明電極６１上に形成された第２透明電極６２により透明電極６が完成する。
　さらに、第２透明電極６２が形成されると、同一の工程において、第２透明電極６２から側壁絶縁体７の傾斜壁面７Ｓに沿って接続部８に至る配線６３が形成される。接続部８では、配線６３は絶縁体２の内部の配線２２を通して配線２３に確実に電気的に接続される。
　第１製造方法の図１４に示される工程と同様に、有効画素領域１０１の透明電極６上、周辺領域１０２の配線６３上及び周辺領域１０２の接続部８上を含む全面に保護膜９が形成される（図５７参照）。引き続き、前述の図５７に示されるように、周辺領域１０２において、保護膜９上に遮光膜１０が形成される。
　これら一連の製造工程が終了すると、第９実施の形態に係る固体撮像装置１が完成する。
［作用効果］
　第９実施の形態に係る固体撮像装置１では、前述の第５実施の形態に係る固体撮像装置１により得られる作用効果と同一の作用効果又は実質的に同一の作用効果を得ることができる。
　また、固体撮像装置１では、図５７に示されるように、周辺領域１０２の接続部８において、配線２３上に配線２２が積層された２層構造により形成される。
　このため、第１製造方法の図６～図８に示されるように、絶縁膜２４に接続孔を形成するとき、配線２２の厚さに相当するオーバエッチングの許容量が生成されるので、加工マージンを向上することができる。さらに、配線６３と配線２３とを確実に電気的に接続することができる。
＜１０．第１０実施の形態＞
　図６３～図７３を用いて、本開示の第１０実施の形態に係る固体撮像装置１を説明する。
［固体撮像装置１の構成］
　図６３は、固体撮像装置１の縦断面構成の一例を示している。図６４は、固体撮像装置１の平面構成の一例を示している。
　図６３に示されるように、第１０実施の形態に係る固体撮像装置１は、有効画素領域１０１において、第１実施の形態に係る固体撮像装置１と同様に、透明半導体４、有機光電変換膜５、透明電極６のそれぞれを順次積層した画素部１００を備えている。透明電極６は、ここでは単層構造により形成されている。なお、第１実施の形態～第９実施の形態に係る固体撮像装置１の透明電極６と同様に、透明電極６は第１透明電極６１及び第２透明電極６２の積層構造であってもよい。
　透明電極６は、有効画素領域１０１の端部において、透明接続部６４を通して配線６５に接続されている。透明接続部６４は、透明電極６上に形成され、透明電極６に電気的に接続されている。配線６５は、透明接続部６４上に形成され、透明接続部６４に電気的に接続されている。ここでは、配線６５は、透明接続部６４と一体に形成されている。
　第１０実施の形態では、透明接続部６４は、平面視において有効画素領域１０１の矢印Ｘ方向に対向する２カ所の端部に配設されている。それぞれの透明接続部６４は、矢印Ｙ方向に細長い矩形状に形成されている。透明接続部６４は、透明電極６と同一の透明電極材料により形成されている。透明接続部６４は例えばＩＺＯにより形成されている。
　さらに、接続部８は、平面視において周辺領域１０２の矢印Ｘ方向に対向する２カ所に配設されている。それぞれの接続部８は、透明接続部６４と同様に矢印Ｙ方向に細長い矩形状に形成され、透明接続部６４の延設方向に対して平行に延設されている。
　配線６５は、一端を透明接続部６４に接続し、他端を画素部１００の側面に沿って延設させて接続部８に接続している。配線６５は、接続部８において、配線２３に電気的に接続されている。配線６５は、画素部１００の側面に対して、保護膜９を介在させて離間させて延設され、透明半導体４に対して電気的に分離されている。
　第１０実施の形態では、配線６５は、透明接続部６４と同様に、透明電極６と同一の透明電極材料により形成されている。
　そして、有効画素領域１０１において、透明電極６、透明接続部６４及び配線６５上には保護膜９が形成され、周辺領域１０２において、絶縁体２及び配線６５上にも保護膜９が形成されている。保護膜９は、ここでは、第１保護膜９Ａ及び第２保護膜９Ｂにより形成されている。第１保護膜９Ａは、透明電極６上に形成され、透明電極６と配線６５との間に形成されている。第２保護膜９Ｂは、配線６５上であって、第１保護膜９Ａ上に形成されている。
　さらに、周辺領域１０２において、保護膜９上には遮光膜１０が形成されている。
　ここで、遮光膜１０は、保護膜９よりも低いストレスを有する遮光材料により形成されている。具体的には、遮光膜１０は、例えば、１００ＭＰａ～３００ＭＰａのストレスを及ぼすＷよりも低い、５０ＭＰａ以下のストレスまで減少可能な遮光材料により形成されている。遮光膜１０には、例えば、３０ＭＰａ～５０ＭＰａの低いストレスを有するアルミニウム（Ａｌ）が使用されている。この場合、遮光膜１０は、例えば５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の厚さに形成されている。
　遮光膜１０に低いストレスを有する遮光材料が使用されると、遮光膜１０からのストレスが画素部１００に与える影響を効果的に抑制することができるので、保護膜９の厚さが薄膜化可能となる。保護膜９は、例えば２００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の厚さに形成することができる。
　上記構成要素以外の構成要素は、前述の第１実施の形態に係る固体撮像装置１の構成要素と同一又は実質的に同一である。
［固体撮像装置１の製造方法］
　次に、図６３及び図６４を参照しつつ、図６５～図７３を用いて、固体撮像装置１の製造方法について説明する。
　まず、第１製造方法の図３に示される工程と同様に、有効画素領域１０１において、絶縁体２上に透明半導体４、有機光電変換膜５、透明電極６のそれぞれが順次形成される。なお、有効画素領域１０１において、透明電極６上にはハードマスク９Ｃが形成される（図６５参照）。ハードマスク９Ｃは、例えば、ＡｌＯ、ＳｉＯ２等により形成され、例えば２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の厚さに形成される。
　この後、有効画素領域１０１のハードマスク９Ｃ上及び周辺領域１０２の絶縁体２上を含む全面に、保護膜９の第１保護膜９Ａが形成される（図６５参照）。
　第１製造方法の図６～図８に示される工程と同様に、周辺領域１０２において、絶縁体２の一部を除去し、配線２３の表面が露出される接続部８が形成される（図６５参照）。
　図６５に示されるように、有効画素領域１０１の第１保護膜９Ａ上及び周辺領域１０２の第１保護膜９Ａ上を含む全面にマスク８５が形成される。マスク８５は例えばフォトレジストにより形成され。マスク８５には、透明接続部６４の形成領域において、開口８５Ｈが形成される。
　図６６に示されるように、有効画素領域１０１において、マスク８５を用いて、開口８５Ｈから露出する第１保護膜９Ａ及びハードマスク９Ｃが除去され、符号省略の接続孔が形成される。接続孔が形成されると、接続孔内において透明電極６の表面が露出される。
　図６７に示されるように、マスク８５が除去される。マスク８５が除去されると、周辺領域１０２の接続部８において、配線２３の表面が露出される。
　図６８に示されるように、有効画素領域１０１及び周辺領域１０２を含む第１保護膜９Ａ上の全面に配線６５が形成される。配線６５は、有効画素領域１０１において第１保護膜９Ａに形成された接続孔を通して透明電極６の表面に電気的に接続される。また、配線６５は、周辺領域１０２の接続部８において、配線２３の表面に電気的に接続される。
　図６９に示されるように、配線６５上にマスク８６が形成される。マスク８６は例えばフォトレジストにより形成される。
　図７０に示されるように、マスク８６を用いて、配線６５がパターンニングされ、不必要な領域の配線６５が除去され、透明接続部６４及び透明接続部６４から接続部８に至る配線６５が形成される。つまり、透明接続部６４及び配線６５は、ここでは同一の工程により、同一の透明電極材料により形成される。
　この後、図７１に示されるように、マスク８６が除去される。
　図７２に示されるように、配線６５上であって、第１保護膜９Ａ上の全面に第２保護膜９Ｂが形成される。第２保護膜９Ｂが形成されると、第１保護膜９Ａ及び第２保護膜９Ｂにより形成された保護膜９が完成する。なお、第１０実施の形態では、ハードマスク９Ｃは保護膜９の一部として残されている。
　ここで、保護膜９は、この後に形成される遮光膜１０が低いストレスを有する遮光材料により形成されるので、薄膜化されている。
　図７３に示されるように、周辺領域１０２において、保護膜９上に遮光膜１０が形成される。遮光膜１０は、前述の通り、例えば低いストレスを有する遮光材料としてのＡｌにより形成される。
　この後、前述の図６３に示されるように、遮光膜１０の表面上に符号省略の保護膜が形成される。
　これら一連の製造工程が終了すると、第１０実施の形態に係る固体撮像装置１が完成する。
［作用効果］
　第１０実施の形態に係る固体撮像装置１では、図６３に示されるように、周辺領域１０２において、保護膜９上の遮光膜１０が、低いストレスを有する遮光材料により形成される。このため、遮光膜１０から画素部１００へのストレスが効果的に抑制又は防止されるので、保護膜９の厚さを薄くすることができるので、保護膜９の低背化を実現することができる。
　有効画素領域１０１において、画素部１００上には図示省略のカラーフィルタ、光学レンズ等が配設されており、保護膜９の低背化を実現することにより、ＲＧＢ斜入射特性を改善することができる。
　また、固体撮像装置１では、遮光膜１０が５０ＭＰａ以下の低いストレスを有する遮光材料により形成され、例えば遮光膜１０がＡｌにより形成される。このため、保護膜９では、１０００ｎｍ以下の厚さの低背化を実現することができる。
［変形例１］
　図示は省略するが、第１０実施の形態の第１変形例に係る固体撮像装置１では、画素部１００の透明電極６に対して、透明接続部６４及び配線６５が異なる透明電極材料により形成されている（図６３参照）。
　例えば、透明電極６がＩＺＯにより形成されているとき、透明接続部６４及び配線６５は、第１実施の形態に係る固体撮像装置１において例示した透明電極材料により形成されている。具体的には、透明接続部６４及び配線６５は、ＩＴＯ、ＳｎＯｘ、ＺｎＯｘ、ＴｉＯｘ及びＡｇナノワイヤから選択される１以上の透明電極材料を用いて形成されている。
　上記構成要素以外の構成要素は、前述の第１０実施の形態に係る固体撮像装置１の構成要素と同一又は実質的に同一である。
［変形例２］
　図示は省略するが、第１０実施の形態の第２変形例に係る固体撮像装置１では、透明接続部６４は、平面視において有効画素領域１０１の矢印Ｙ方向に対向する２カ所の端部に配設されている（図６４参照）。それぞれの透明接続部６４は、矢印Ｘ方向に細長い矩形状に形成されている。透明接続部６４は、図６３に示される固体撮像装置１と同様に、透明電極６と同一の透明電極材料により形成されている。また、透明接続部６４は、変形例１において説明した通り、透明電極６と異なる透明電極材料により形成されてもよい。
　さらに、接続部８は、平面視において周辺領域１０２の矢印Ｙ方向に対向する２カ所に配設されている。それぞれの接続部８は、透明接続部６４と同様に矢印Ｘ方向に細長い矩形状に形成され、透明接続部６４の延設方向に対して平行に延設されている。
　上記構成要素以外の構成要素は、前述の第１０実施の形態に係る固体撮像装置１の構成要素と同一又は実質的に同一である。
　また、変形例２に係る固体撮像装置１では、透明接続部６４は、平面視において有効画素領域１０１の矢印Ｙ方向の一端部に配設され、同様に、接続部８は、周辺領域１０２の矢印Ｙ方向の一端部に配設されてもよい。
　さらに、変形例２に係る固体撮像装置１では、透明接続部６４は、平面視において有効画素領域１０１の矢印Ｘ方向に対向する２カ所の端部及び矢印Ｙ方向に対向する２カ所の端部の合計４カ所の端部に配設されてもよい。同様に、接続部８は、平面視において周辺領域１０２の矢印Ｘ方向に対向する２カ所の端部及び矢印Ｙ方向に対向する２カ所の端部の合計４カ所の端部に配設されてもよい。
＜１１．第１１実施の形態＞
　図７４を用いて、本開示の第１１実施の形態に係る固体撮像装置１を説明する。第１１実施の形態～第１５実施の形態に係る固体撮像装置１は、本技術を適用可能な概略的構造について説明する。
［固体撮像装置１の構成］
　図７４は、固体撮像装置１の縦断面構成の概略的な一例を示している。
　第１１実施の形態に係る固体撮像装置１は、ＩＧＺＯに代表される酸化物半導体からなる透明半導体４をキャリア蓄積層及び転送層とし、透明半導体４を用いて有機光電変換膜５を駆動する。
　固体撮像装置１では、図７４に示されるように、フォトダイオード３１が配設された基体３上に、可視光透過フィルタとして例えば赤外線透過フィルタが形成された絶縁体２が配設されている。フォトダイオードはシリコン半導体層に画素毎に形成されている。赤外線透過フィルタは、フォトダイオードに対応して配置され、画素毎に形成されている。
　絶縁体２上には透明半導体４が配設され、透明半導体４上には有機光電変換膜５が配設されている。ここで、有機光電変換膜５には、紫外線から赤外線までの可視光の殆どすべてに対応可能なパンクロマチック（Panchromatic）有機光電変換膜が使用されている。
　有機光電変換膜５上にはカラーフィルタ１１が配設されている。ここでは、カラーフィルタ１１は、赤色光カラーフィルタ１１Ｒ、青色光カラーフィルタ１１Ｂ及び緑色光カラーフィルタ１１Ｇを備えている。これらはフォトダイオード３１の配列位置に対応させて配置されている。
　前述の第１実施の形態～第１０実施の形態に係る固体撮像装置１は、第１１実施の形態に係る固体撮像装置１に適用されている。従って、第１１実施の形態に係る固体撮像装置１では、第１実施の形態～第１０実施の形態に係る固体撮像装置１により得られる作用効果と同一又は実質的に同一の作用効果を得ることができる。
＜１２．第１２実施の形態＞
　図７５を用いて、本開示の第１２実施の形態に係る固体撮像装置１を説明する。
［固体撮像装置１の構成］
　図７５は、固体撮像装置１の縦断面構成の概略的な一例を示している。
　第１２実施の形態に係る固体撮像装置１は、フォトダイオード３１が配設された基体３上に、カラーフィルタ１１が形成された絶縁体２が配設されている。カラーフィルタ１１は、赤色光カラーフィルタ１１Ｒ及び青色光カラーフィルタ１１Ｂを備えている。
　そして、絶縁体２上には透明半導体４が配設され、透明半導体４上には有機光電変換膜５が配設されている。ここで、有機光電変換膜５にはグリーン有機光電変換膜５Ｇが使用されている。
　前述の第１実施の形態～第１０実施の形態に係る固体撮像装置１は、第１２実施の形態に係る固体撮像装置１に適用されている。従って、第１２実施の形態に係る固体撮像装置１では、第１実施の形態～第１０実施の形態に係る固体撮像装置１により得られる作用効果と同一又は実質的に同一の作用効果を得ることができる。
＜１３．第１３実施の形態＞
　図７６を用いて、本開示の第１３実施の形態に係る固体撮像装置１を説明する。
［固体撮像装置１の構成］
　図７６は、固体撮像装置１の縦断面構成の概略的な一例を示している。
　第１３実施の形態に係る固体撮像装置１は、フォトダイオード３１が配設された基体３上に、透明半導体４、有機光電変換膜５のそれぞれが順次積層して配設されている。ここで、有機光電変換膜５には、グリーン有機光電変換膜５Ｇが使用されている。
　そして、有機光電変換膜５上には、更に透明半導体４、有機光電変換膜５のそれぞれが順次積層して配設されている。ここで、有機光電変換膜５にはブルー有機光電変換膜５Ｂが使用されている。
　前述の第１実施の形態～第１０実施の形態に係る固体撮像装置１は、第１３実施の形態に係る固体撮像装置１に適用されている。従って、第１３実施の形態に係る固体撮像装置１では、第１実施の形態～第１０実施の形態に係る固体撮像装置１により得られる作用効果と同一又は実質的に同一の作用効果を得ることができる。
＜１４．第１４実施の形態＞
　図７７を用いて、本開示の第１４実施の形態に係る固体撮像装置１を説明する。
［固体撮像装置１の構成］
　図７７は、固体撮像装置１の縦断面構成の概略的な一例を示している。
　第１４実施の形態に係る固体撮像装置１は、透明半導体４、有機光電変換膜５のそれぞれが交互に複数積層されている。
　ここで、最下層の有機光電変換膜５にはレッド有機光電変換膜５Ｒが使用されている。中間層の有機光電変換膜５にはグリーン有機光電変換膜５Ｇが使用されている。そして、最上層の有機光電変換膜５にはブルー有機光電変換膜５Ｂが使用されている。
　前述の第１実施の形態～第１０実施の形態に係る固体撮像装置１は、第１４実施の形態に係る固体撮像装置１に適用されている。従って、第１４実施の形態に係る固体撮像装置１では、第１実施の形態～第１０実施の形態に係る固体撮像装置１により得られる作用効果と同一又は実質的に同一の作用効果を得ることができる。
＜１５．第１５実施の形態＞
　図７８を用いて、本開示の第１４実施の形態に係る固体撮像装置１を説明する。
［固体撮像装置１の構成］
　図７８は、固体撮像装置１の縦断面構成の概略的な一例を示している。
　第１５実施の形態に係る固体撮像装置１では、透明半導体４上に、近赤外光量子ドット（ＮＩＲ－ＱＤ：Near-Infrared Light emitting Quantum Dot）１２が配設されている。
　前述の第１実施の形態～第１０実施の形態に係る固体撮像装置１は、第１５実施の形態に係る固体撮像装置１に適用されている。従って、第１５実施の形態に係る固体撮像装置１では、第１実施の形態～第１０実施の形態に係る固体撮像装置１により得られる作用効果と同一又は実質的に同一の作用効果を得ることができる。
＜１６．その他の実施の形態＞
　本技術は、上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲内において、種々変更可能である。
　例えば、上記第１実施の形態～第１５実施の形態に係る固体撮像装置のうち、２以上の実施の形態に係る固体撮像装置を組み合わせた固体撮像装置が構築されてもよい。
　また、本技術では、前述の第１５実施の形態に係る固体撮像装置のＮＩＲ－ＱＤに代えて、有機若しくは無機ペロブスカイトが使用可能である。さらに、フォトダイオードは、Ｓｉに限定されず、化合物半導体であってもよい。
　本開示では、固体撮像装置は、透明半導体と、有機光電変換膜と、透明電極とを有する画素部と、接続部と、配線とを備える。
　透明半導体は、絶縁体の有効画素領域に形成される。有機光電変換膜は、透明半導体の絶縁体とは反対側に形成される。透明電極は、有機光電変換膜の透明半導体とは反対側に形成される。接続部は、有効画素領域の周囲の周辺領域において絶縁体に配設され、透明電極へ電気を供給する回路に接続される。
　ここで、配線は、透明電極と接続部との間を電気的に接続し、透明電極材料により形成される。このため、配線は透明電極の少なくとも一部を延設させて形成し、透明電極と接続部とが配線により直接的に接続可能となる。つまり、保護膜の透明電極上並びに保護膜の接続部上に接続孔を形成する必要が無く、これらの接続孔並びに保護膜上に配線を引き回す必要が無い。これにより、透明電極と接続部とを接続する配線構造を簡素化することができる。
　また、配線は引き回されないので、配線の配線長が短くなり、配線の配線抵抗を小さくすることができる。
＜本技術の構成＞
　本技術は、以下の構成を備えている。以下の構成を備えることにより、固体撮像装置において、配線構造を簡素化することができ、配線の配線抵抗を小さくすることができる。
（１）絶縁体の有効画素領域に形成されている透明半導体と、
　前記透明半導体の前記絶縁体とは反対側に形成されている有機光電変換膜と、
　前記有機光電変換膜の前記透明半導体とは反対側に形成されている透明電極と、を有する画素部と、
　前記有効画素領域の周囲の周辺領域において前記絶縁体に配設され、前記透明電極へ電気を供給する回路に接続されている接続部と、
　前記透明電極と前記接続部との間を電気的に接続し、透明電極材料により形成されている配線と
　を備えている固体撮像装置。
（２）前記配線の厚さは、前記透明電極の厚さよりも薄い
　前記（１）に記載の固体撮像装置。
（３）前記透明電極は、前記有機光電変換膜に形成されている第１透明電極と、当該第１透明電極の前記有機光電変換膜とは反対側に形成されている第２透明電極とを備えている
　前記（１）又は（２）に記載の固体撮像装置。
（４）前記配線は、前記透明電極の少なくとも一部と同一の導電層に形成されている
　前記（１）から（３）のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
（５）前記有機光電変換膜の側面及び前記透明半導体の側面に側壁絶縁体を備え、
　前記配線は、前記透明電極から前記接続部へ、前記有機光電変換膜の側面及び前記透明半導体の側面に沿って、かつ、前記側壁絶縁体を介在させて延設されている
　前記（１）から（４）のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
（６）前記透明半導体の側面は、前記有機光電変換膜の側面よりも前記有効画素領域の内側に形成され、
　前記透明半導体の側面と前記配線との間に空洞が形成されている
　前記（１）から（４）のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
（７）前記有効画素領域及び前記周辺領域に、前記透明電極及び前記配線を覆う保護膜が形成され、
　前記周辺領域において、前記保護膜の前記配線とは反対側に光を遮る遮光膜が形成されている
　前記（１）から（６）のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
（８）前記有機光電変換膜の側面及び前記透明半導体の側面に側壁絶縁体を備え、
　前記配線は、前記透明電極から前記接続部へ、前記有機光電変換膜の側面及び前記透明半導体の側面に沿って、かつ、前記側壁絶縁体を介在させて延設され、
　前記側壁絶縁体は、前記周辺領域において、前記絶縁体と前記保護膜との間に延設されている
　前記（７）に記載の固体撮像装置。
（９）前記側壁絶縁体は、前記透明電極から前記透明半導体へ向かって、前記有効画素領域から前記周辺領域へ広がる傾斜壁面を備えている
　前記（５）又は（８）に記載の固体撮像装置。
（１０）前記傾斜壁面と前記絶縁体の表面とがなす、前記有効画素領域側の傾斜角度は、２０度以上９０度未満である
　前記（９）に記載の固体撮像装置。
（１１）前記側壁絶縁体は、前記透明電極から前記透明半導体へ向かって、前記有効画素領域から前記周辺領域へ広がり、かつ、前記有効画素領域から前記周辺領域へ突出する湾曲壁面を備えている
　前記（５）又は（８）に記載の固体撮像装置。
（１２）前記有機光電変換膜の側面に形成されている前記側壁絶縁体の前記有機光電変換膜の側面からの厚さは、前記透明電極の側面に形成されている前記側壁絶縁体の前記透明電極の側面からの厚さよりも厚い
　前記（５）又は（８）に記載の固体撮像装置。
（１３）前記透明半導体は、ＩＧＺＯである
　前記（１）から（１２）のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
（１４）前記透明電極は、ＩＺＯ、ＩＴＯ、ＳｎＯｘ、ＺｎＯｘ、ＴｉＯｘ、ＣＮＴ及びＡｇナノワイヤから選択される少なくとも１つの透明電極材料により形成されている
　前記（１）から（１３）のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
（１５）前記配線は、前記透明電極に対して、同一の透明電極材料又は異なる透明電極材料により形成されている
　前記（１）から（１４）のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
（１６）前記遮光膜は、前記保護膜よりも低ストレス膜である
　前記（７）又は（８）に記載の固体撮像装置。
（１７）前記遮光膜は、５０Ｍｐａ以下の低ストレス膜である
　前記（１６）に記載の固体撮像装置。
（１８）前記保護膜は、ＡｌＯであり、
　前記遮光膜は、Ａｌである
　前記（１６）又は（１７）に記載の固体撮像装置。
（１９）前記保護膜は、１０００ｎｍ以下の厚さである
　前記（１６）から（１８）のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
（２０）前記配線は、前記透明電極の前記有機光電変換膜とは反対側に形成され、
　前記配線は、透明電極材料により形成されている透明接続部を介在させて、前記透明電極に電気的に接続されている
　前記（１６）から（１９）のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
　本技術は、更に以下の構成を備えている。以下の構成を備えることにより、固体撮像装置において、画素部の透明電極から側壁絶縁体に沿って接続部へ至る配線のステップカバレッジを向上させることができ、加えて環境耐性を向上させることができる。
（２１）絶縁体の有効画素領域に形成されている透明半導体と、
　前記透明半導体の前記絶縁体とは反対側に形成されている有機光電変換膜と、
　前記有機光電変換膜の前記透明半導体とは反対側に形成されている透明電極と、を有する画素部と、
　前記有効画素領域の周囲の周辺領域において前記絶縁体に配設され、前記透明電極へ電気を供給する回路に接続されている接続部と、
　前記有機光電変換膜の側面及び前記透明半導体の側面に形成され、前記透明電極から前記透明半導体へ向かって、前記有効画素領域から前記周辺領域へ広がる側壁絶縁体と、
　前記有機光電変換膜の側面及び前記透明半導体の側面に沿って、かつ、前記側壁絶縁体を介在して延設され、前記透明電極と前記接続部との間を電気的に接続し、透明電極材料により形成されている配線と
　を備えている固体撮像装置。
（２２）前記側壁絶縁体は、前記透明電極から前記透明半導体へ向かって、前記有効画素領域から前記周辺領域へ広がる傾斜壁面を備えている
　前記（２１）に記載の固体撮像装置。
（２３）前記傾斜壁面と前記絶縁体の表面とがなす、前記有効画素領域側の傾斜角度は、２０度以上９０度未満である
　前記（２２）に記載の固体撮像装置。
（２４）前記側壁絶縁体は、前記透明電極から前記透明半導体へ向かって、前記有効画素領域から前記周辺領域へ広がり、かつ、前記有効画素領域から前記周辺領域へ突出する湾曲壁面を備えている
　前記（２１）に記載の固体撮像装置。
（２５）前記有機光電変換膜の側面に形成されている前記側壁絶縁体の前記有機光電変換膜の側面からの厚さは、前記透明電極の側面に形成されている前記側壁絶縁体の前記透明電極の側面から厚さよりも厚い
　前記（２１）から（２４）のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
（２６）前記透明電極は、前記配線に対して、同一の透明電極材料又は異なる透明電極材料により形成されている
　前記（２１）から（２５）のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
　本技術は、更に以下の構成を備えている。以下の構成を備えることにより、固体撮像装置において、保護膜の低背化を実現することができ、斜入射特性を改善することができる。
（２７）絶縁体の有効画素領域に形成されている透明半導体と、
　前記透明半導体の前記絶縁体とは反対側に形成されている有機光電変換膜と、
　前記有機光電変換膜の前記透明半導体とは反対側に形成されている透明電極と、を有する画素部と、
　前記有効画素領域の周囲の周辺領域において前記絶縁体に配設され、前記透明電極へ電気を供給する回路に接続されている接続部と、
　前記透明電極と前記接続部との間を電気的に接続し、透明電極材料により形成されている配線と、
　前記有効画素領域及び前記周辺領域に形成され、前記透明電極及び前記配線を覆う保護膜と、
　前記周辺領域において前記保護膜の前記配線とは反対側に形成され、光を遮り、かつ、前記保護膜よりも低ストレス膜である遮光膜と
　を備えている固体撮像装置。
（２８）前記遮光膜は、５０Ｍｐａ以下の低ストレス膜である
　前記（２７）に記載の固体撮像装置。
（２９）前記保護膜は、ＡｌＯであり、
　前記遮光膜は、Ａｌである
　前記（２７）又は（２８）に記載の固体撮像装置。
（３０）前記保護膜は、１０００ｎｍ以下の厚さである
　前記（２７）から（２９）のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
（３１）前記配線は、前記透明電極の前記有機光電変換膜とは反対側に形成され、
　前記配線は、透明電極材料により形成されている透明接続部を介在させて、前記透明電極に電気的に接続されている
　前記（２７）から（３０）のいずれか１つ）に記載の固体撮像装置。
　本出願は、日本国特許庁において２０２１年１０月２９日に出願された日本特許出願番号 ２０２１－１７８００２号を基礎として優先権を主張するものであり、この出願のすべての内容を参照によって本出願に援用する。
　当業者であれば、設計上の要件や他の要因に応じて、種々の修正、コンビネーション、サブコンビネーション、および変更を想到し得るが、それらは添付の請求の範囲やその均等物の範囲に含まれるものであることが理解される。

Claims (20)

  1. 　絶縁体の有効画素領域に形成されている透明半導体と、
    　前記透明半導体の前記絶縁体とは反対側に形成されている有機光電変換膜と、
    　前記有機光電変換膜の前記透明半導体とは反対側に形成されている透明電極と、を有する画素部と、
    　前記有効画素領域の周囲の周辺領域において前記絶縁体に配設され、前記透明電極へ電気を供給する回路に接続されている接続部と、
    　前記透明電極と前記接続部との間を電気的に接続し、透明電極材料により形成されている配線と
    　を備えている固体撮像装置。
  2. 　前記配線の厚さは、前記透明電極の厚さよりも薄い
    　請求項１に記載の固体撮像装置。
  3. 　前記透明電極は、前記有機光電変換膜に形成されている第１透明電極と、当該第１透明電極の前記有機光電変換膜とは反対側に形成されている第２透明電極とを備えている
    　請求項１に記載の固体撮像装置。
  4. 　前記配線は、前記透明電極の少なくとも一部と同一の導電層に形成されている
    　請求項３に記載の固体撮像装置。
  5. 　前記有機光電変換膜の側面及び前記透明半導体の側面に側壁絶縁体を備え、
    　前記配線は、前記透明電極から前記接続部へ、前記有機光電変換膜の側面及び前記透明半導体の側面に沿って、かつ、前記側壁絶縁体を介在させて延設されている
    　請求項１に記載の固体撮像装置。
  6. 　前記透明半導体の側面は、前記有機光電変換膜の側面よりも前記有効画素領域の内側に形成され、
    　前記透明半導体の側面と前記配線との間に空洞が形成されている
    　請求項１に記載の固体撮像装置。
  7. 　前記有効画素領域及び前記周辺領域に、前記透明電極及び前記配線を覆う保護膜が形成され、
    　前記周辺領域において、前記保護膜の前記配線とは反対側に光を遮る遮光膜が形成されている
    　請求項１に記載の固体撮像装置。
  8. 　前記有機光電変換膜の側面及び前記透明半導体の側面に側壁絶縁体を備え、
    　前記配線は、前記透明電極から前記接続部へ、前記有機光電変換膜の側面及び前記透明半導体の側面に沿って、かつ、前記側壁絶縁体を介在させて延設され、
    　前記側壁絶縁体は、前記周辺領域において、前記絶縁体と前記保護膜との間に延設されている
    　請求項７に記載の固体撮像装置。
  9. 　前記側壁絶縁体は、前記透明電極から前記透明半導体へ向かって、前記有効画素領域から前記周辺領域へ広がる傾斜壁面を備えている
    　請求項５に記載の固体撮像装置。
  10. 　前記傾斜壁面と前記絶縁体の表面とがなす、前記有効画素領域側の傾斜角度は、２０度以上９０度未満である
    　請求項９に記載の固体撮像装置。
  11. 　前記側壁絶縁体は、前記透明電極から前記透明半導体へ向かって、前記有効画素領域から前記周辺領域へ広がり、かつ、前記有効画素領域から前記周辺領域へ突出する湾曲壁面を備えている
    　請求項５に記載の固体撮像装置。
  12. 　前記有機光電変換膜の側面に形成されている前記側壁絶縁体の前記有機光電変換膜の側面からの厚さは、前記透明電極の側面に形成されている前記側壁絶縁体の前記透明電極の側面からの厚さよりも厚い
    　請求項５に記載の固体撮像装置。
  13. 　前記透明半導体は、ＩＧＺＯである
    　請求項１に記載の固体撮像装置。
  14. 　前記透明電極は、ＩＺＯ、ＩＴＯ、ＳｎＯｘ、ＺｎＯｘ、ＴｉＯｘ、ＣＮＴ及びＡｇナノワイヤから選択される少なくとも１つの透明電極材料により形成されている
    　請求項１に記載の固体撮像装置。
  15. 　前記配線は、前記透明電極に対して、同一の透明電極材料又は異なる透明電極材料により形成されている
    　請求項１に記載の固体撮像装置。
  16. 　前記遮光膜は、前記保護膜よりも低ストレス膜である
    　請求項７に記載の固体撮像装置。
  17. 　前記遮光膜は、５０Ｍｐａ以下の低ストレス膜である
    　請求項１６に記載の固体撮像装置。
  18. 　前記保護膜は、ＡｌＯであり、
    　前記遮光膜は、Ａｌである
    　請求項１６に記載の固体撮像装置。
  19. 　前記保護膜は、１０００ｎｍ以下の厚さである
    　請求項１６に記載の固体撮像装置。
  20. 　前記配線は、前記透明電極の前記有機光電変換膜とは反対側に形成され、
    　前記配線は、透明電極材料により形成されている透明接続部を介在させて、前記透明電極に電気的に接続されている
    　請求項１６に記載の固体撮像装置。
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