WO2023062759A1

WO2023062759A1 - 発光素子および発光デバイス

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Publication number: WO2023062759A1
Application number: PCT/JP2021/037950
Authority: WO
Inventors: 康浅岡; 惇佐久間
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2021-10-13
Filing date: 2021-10-13
Publication date: 2023-04-20
Also published as: CN117837271A; JPWO2023062759A1

Abstract

発光素子（１０１）は、機能層（６）の発光層（６ａ）から発せられる第１の色の可視光である光（８）の少なくとも一部を透過するとともに、該光（８）以外の少なくとも一部の可視光を吸収する光吸収層（３）を備えている。光吸収層（３）は、反射層（２）と第１電極（４）とにそれぞれ隣接して設けられており、かつ、発光領域（９）における反射層（２）全体を覆っている。

Description

発光素子および発光デバイス

　本開示は、光吸収層を備えた発光素子および発光デバイスに関する。

　従来、ＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）表示装置およびＱＬＥＤ（量子ドット発光ダイオード）表示装置等の発光デバイスあるいはこれら発光デバイスに用いられる発光素子において、光取り出し効率の向上を目的として、反射構造を設けたものが知られている。このような発光デバイスあるいは発光素子の一例が、特許文献１～７に開示されている。

日本国特開２０１９－１０２４４９号日本国特開２００４－１９２９７７号日本国特開２００９－１１７５００号日本国特開２００７－２８０６７７号日本国特開２０１７－００４７４６号日本国特開２００６－２７６０８９号国際公開２０１７／０４３２４５号

　従来技術においては、これら発光デバイスあるいは発光素子に入射した外光が反射構造によって反射および／または散乱されて、これら発光デバイスあるいは発光素子から外部に射出される。この発光デバイスあるいは発光素子から射出される外光に起因して、従来技術においては、これら発光デバイスあるいは発光素子から発光される光のコントラストが低いという問題が発生する。

　本開示の一態様は、上記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、コントラストが高い光を発する発光素子および発光デバイスを実現することにある。

　本開示の一態様に係る発光素子は、反射層、光吸収層、可視光透過性を有する第１電極、第１の色の可視光を発する発光層を少なくとも有する機能層、および可視光透過性を有する第２電極を、この順に備えた発光素子であって、上記光吸収層は、上記第１の色の可視光の少なくとも一部を透過するとともに、上記第１の色の可視光以外の少なくとも一部の可視光を吸収し、上記反射層と上記第１電極とにそれぞれ隣接して設けられており、かつ、当該発光素子の発光領域における上記反射層全体を覆っている。

　本開示の一態様に係る発光デバイスは、本開示の一態様に係る上記発光素子を複数備えている。

　本開示の一態様によれば、コントラストが高い光を発する発光素子および発光デバイスを実現することができる。

実施形態１に係る発光素子の概略構成を示す断面図および平面図である。異なる発光材料を用いた発光層から発せられる可視光の発光スペクトルを２つ並べて示す図である。実施形態１の変形例に係る発光素子の概略構成を示す断面図である。実施形態２に係る発光素子の概略構成を示す断面図である。実施形態２に係る他の発光素子の概略構成を示す断面図である。絶縁層の凹部の形成例を示す平面図を５つ並べて示す図である。実施形態４に係る発光素子の概略構成を示す断面図である。実施形態４に係る他の発光素子の概略構成を示す断面図である。実施形態４の変形例に係る発光素子の概略構成を示す断面図である。実施形態５に係る発光素子の概略構成を示す断面図である。実施形態６に係る発光素子の概略構成を示す断面図である。実施形態６に係る他の発光素子の概略構成を示す断面図である。実施形態６に係るさらに他の発光素子の概略構成を示す断面図である。実施形態６に係るさらに他の発光素子の概略構成を示す断面図である。実施形態７に係る発光デバイスの概略構成を示すブロック図である。実施形態７に係る発光デバイスにおける、第１の光吸収層の可視光波長域における最大透過波長および可視光波長域における最大吸収波長、第２の光吸収層の可視光波長域における最大透過波長および可視光波長域における最大吸収波長、並びに第３の光吸収層の可視光波長域における最大透過波長および可視光波長域における最大吸収波長を示す図である。実施形態８に係る発光デバイスの概略構成を示すブロック図である。実施形態８に係る発光デバイスにおける、第１の光吸収層および第３の光吸収層としての光吸収層の可視光波長域における最大透過波長および可視光波長域における最大吸収波長、並びに、第２の光吸収層としての光吸収層の可視光波長域における最大透過波長および可視光波長域における最大吸収波長を示す図である。実施形態８の変形例１に係る発光デバイスにおける、第１の光吸収層および第３の光吸収層としての光吸収層の可視光波長域における最大透過波長および可視光波長域における最大吸収波長、並びに、第２の光吸収層としての光吸収層の可視光波長域における最大透過波長および可視光波長域における最大吸収波長を示す図である。

　本開示の実施形態について、以下に説明する。なお、説明の便宜上、先に説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない場合がある。また、以下に示す各断面図に記載の斜面の角度、外光の反射角度および屈折角度、発光層から発せられた光の反射角度および屈折角度等の角度は、図示の便宜上の角度であり、実際の角度とは異なる。

　〔実施形態１〕
　図１は、本実施形態に係る発光素子１０１の概略構成を示す断面図および平面図である。図１に示すように、発光素子１０１は、絶縁層１（第１の絶縁層）、反射層２、光吸収層３、第１電極４、エッジカバー５、機能層６、および第２電極７を備えている。なお、図１の平面図においては、図示の便宜上、第２電極７の図示を省略している。

　なお、以下の説明において、「下層」は、比較対象の層よりも先のプロセスで形成されていることを意味し、「上層」は、比較対象の層よりも後のプロセスで形成されていることを意味する。また、「同層」は、同一のプロセス（成膜工程）にて形成されていることを意味する。また、本開示では、絶縁層１から第２電極７に向かう方向を上方向と称し、その反対方向を下方向と称する。具体的には、本開示において下層側（あるいは下側）とは、比較対象の層よりも基板側を意味する。

　発光素子１０１は、絶縁層１と、反射層２と、光吸収層３と、第１電極４と、エッジカバー５および機能層６と、第２電極７とを、絶縁層１の下に設けられた基板（図示しない）側からこの順に備えている。本開示では、第１電極４と第２電極７との間の層を総称して機能層６と称する。機能層６は、発光層６ａを少なくとも含んでいる。

　基板は、これら、絶縁層１、反射層２、光吸収層３、第１電極４、エッジカバー５、機能層６、および第２電極７を支持する支持体である。

　発光素子１０１は、例えば、表示装置あるいは照明装置等の発光デバイス（電子機器）の光源として用いられてよい。発光素子１０１が例えばこれら発光デバイスの一部である場合、上記基板には、複数の薄膜トランジスタが形成されたアレイ基板等の、当該発光素子１０１を備えた発光デバイスの基板が用いられる。

　したがって、発光素子１０１は、それ自体が上記基板を備えていてもよく、それ自体は上記基板を備えていなくてもよい。つまり、上記基板を含めて発光素子１０１と称してもよく、上記基板を除いて発光素子１０１と称してもよい。

　絶縁層１は、上記基板の表面全体を覆うようにベタ状に形成されている。本実施形態では、絶縁層１と反射層２とで、表面に凹凸を有する反射構造体が形成されている。なお、反射層２の表面が、上記反射構造体の反射面である。反射層２は、機能層６における発光層６ａから発せられた光８（ＥＬ光）を反射するとともに、外光１０を反射する。なお、光８は、単色（第１の色）の可視光である。

　図１に示すように、絶縁層１の表面には、傾斜した内壁面１５（斜面部）を有する凹部１６が、当該発光素子１０１の発光領域９に、複数（例えば４つ）設けられている。反射層２は、絶縁層１上に薄層状に形成されており、図１では、絶縁層１における凹部１６の内壁面１５全体を覆うように、少なくとも発光領域９における、絶縁層１の表面に沿って設けられている。

　なお、本開示において、発光素子の発光領域とは、発光素子が外部に光を発する領域を示す。つまり、本開示において、発光素子の発光領域とは、平面視で、発光層で発光した光を外部に取り出すことができる光取出し領域を示す。発光層は、第１電極と第２電極とで挟まれた領域において発光する。このため、平面視で、発光層が、第１電極および第２電極と重畳する部分が、発光層の発光領域である。しかしながら、第１電極のエッジは、第１電極のパターン端部で機能層が薄くなったり電界集中が起こったりすることで第１電極と第２電極とが短絡することを防止するため、例えば可視光吸収性または遮光性を有する絶縁性のエッジカバーで覆われる。平面視で、エッジカバーに重畳する部分からは、発光層で発光した光を外部に取り出すことができない。また、後述する実施形態４に示すように、発光層から発せられて反射した光は、光取り出し効率は低下するものの、平面視で、エッジカバーで覆われていない領域であれば、発光層の発光領域以外の領域からも取り出すことができる。したがって、本開示では、発光層の発光領域であるか否かに拘らず（例えば、第１電極の有無に拘らず）、発光素子が外部に光を発する領域を、発光素子の発光領域と称する。以下、発光素子の発光領域を「発光領域９」と称する。

　このため、本実施形態において、発光領域９は、当該発光素子１０１が外部に光を発する領域を示す。

　なお、本開示に係る発光素子を表示装置に用いる場合、発光領域９は、該表示装置の１画素となる。発光領域９は、画素分離壁としても機能する、エッジカバー５で囲まれた領域（言い換えれば、エッジカバー５の開口領域）を示し、発光層６ａにおける、平面視でエッジカバー５と重畳しない領域である。したがって、発光領域９は、「画素」または「エッジカバー開口領域」と読み換えることができる。なお、絶縁層１の材料およびエッジカバー５については、後で説明する。

　反射層２の表面には、傾斜した内壁面１３（斜面部）を有する凹部１４が、発光領域９に、複数（例えば４つ）設けられている。

　このように、傾斜した内壁面１５を有する凹部１６が設けられた絶縁層１上に、少なくとも発光領域９における絶縁層１の表面に沿って反射層２を形成することで、傾斜した内壁面１３を有する凹部１４を備えた反射層２を容易に形成することができる。

　本実施形態において、反射層２は、少なくとも、発光領域９における、絶縁層１に設けられた複数の凹部１６の内壁面１５全体を覆っている。なお、図１に示す例では、反射層２は、絶縁層１に設けられた複数の凹部１６の内壁面１５全体を覆っている。このため、凹部１４は、凹部１６と相似形状を有し、内壁面１３は、凹部１６における傾斜した内壁面１５と相似形状を有している。

　このように、傾斜した内壁面１３（言い換えれば、傾斜した反射面）を複数有することで、正面方向への光取り出し効率をより一層向上させることができる発光素子１０１を提供することができる。

　なお、図１では、上述したように、一例として、絶縁層１が発光領域９に凹部１６を複数有し、これにより、反射層２が、発光領域９に凹部１４を複数有している場合を例に挙げて図示している。しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではない。

　反射層２は、傾斜した内壁面１３を有する凹部１４を、発光領域９に少なくとも１つ有していればよい。したがって、絶縁層１は、反射層２における、光吸収層３とは反対側に、傾斜した内壁面１５を有する凹部１６を発光領域９に１つ有していればよい。

　このように、反射層２が、発光領域９に、傾斜した内壁面１３を有する凹部１４を少なくとも１つ有していることで、導波損失を防ぎ、発光素子１０１における、正面方向への光取り出し効率を向上させることができる。

　なお、４つの凹部１６のうち最も底が深いもの（図１中、一番左の凹部１６）は、第１電極４と基板のＴＦＴ（図示しない）とを電気的に接続するためのコンタクトホールＣＨとしても機能する。

　なお、反射層２の材料については、後で説明する。

　発光領域９における反射層２は、光吸収層３で覆われている。一方、反射層２における、発光領域９以外の部分（つまり、発光領域９の外側の部分）は、光吸収層３および後述するエッジカバー５のうち、少なくともエッジカバー５で、直接または間接的に覆われている。

　光吸収層３は、反射層２と第１電極４との間に、これら反射層２と第１電極とにそれぞれ隣接して設けられている。

　光吸収層３は、特定の波長領域の光を吸収し、特定の波長領域の光を透過する層であり、例えば、発光層６ａからＥＬ発光した可視光の少なくとも一部を透過し、発光層６ａのＥＬ発光波長以外の少なくとも一部の可視光を吸収する。光吸収層３の透過率は、例えば、発光層６ａの発光波長で高くなっている。具体的には、光吸収層３は、少なくとも発光層６ａからＥＬ発光した光の色（第１の色)の可視光の最大発光輝度が得られる波長である最大発光輝度波長（例えばＥＬ発光の輝度ピーク波長）の光の透過率が、上記第１の色の可視光以外の少なくとも一部の可視光の透過率よりも高い。

　また、光吸収層３の発光層６ａからＥＬ発光した可視光の最大発光輝度波長における透過率は、例えば、５０％より高いことが好ましく、８０％よりも高いことがより好ましい。さらに、光吸収層３の発光層６ａのＥＬ発光波長以外の可視光の吸収率は、例えば、ＥＬ発光波長以外の少なくとも一部の可視光の吸収率が５０％より高いことが好ましく、７０％よりも高いことがより好ましい。

　上述したように、光吸収層３は、少なくとも発光領域９における反射層２全体（言い換えれば、発光領域９における反射層２の上面全面）を覆っている。このように、発光領域９における反射層２全体を光吸収層３で覆うことで、反射層２で反射された外光１０の多くを光吸収層３で吸収させることができる。このため、外光１０の反射（外光反射）を抑制することができる。また、光吸収層３は、上述したように、発光層６ａの発光波長の透過率が高い。このため、上記発光波長の吸収を抑制し、正面輝度を高く保つことができる。したがって、本実施形態によれば、正反射方向でのコントラストを改善することができ、外光１０下でも表示品位を保つことができる発光素子１０１を提供することができる。

　本実施形態において、光吸収層３は、発光領域９における反射層２の凹凸を平坦化する平坦化層としても機能する。発光領域９における、光吸収層３の上面は、光吸収層３の下面よりも平坦であり、発光領域９における、反射層２の凹部１４を覆う部分の光吸収層３の厚みｔａは、発光領域９における反射層２の凹部１４以外の部分を覆う光吸収層３の厚みｔｂよりも大きい。

　このようにｔａ＞ｔｂとなるように光吸収層３が形成されていることで、反射層２の凹部１４における、傾斜した内壁面１３（斜面部）やエッジ部で反射された外光１０を光吸収層３でより確実に吸収することができる。また、ｔａ＞ｔｂとなるように光吸収層３が形成されていることで、凹部１４における光吸収層３を厚膜化することができるので、光吸収層３を、より剥がれ難くすることができる。

　光吸収層３の材料としては、例えば、可視光を吸収する光吸収剤と樹脂との混合物が挙げられる。

　上記光吸収剤としては、例えば、顔料、有機色素、２色性色素、金属ナノ粒子等が挙げられる。上記顔料としては。例えば、金属化合物、レーキ顔料、色素顔料等が挙げられる。上記金属化合物としては、例えば、酸化物、硫化物、硫酸塩、クロム酸塩等の金属化合物が挙げられる。上記有機色素としては、例えば、フタロシアニン系色素、ポルフィリン系色素、クアリリウム系色素等が挙げられる。上記２色性色素としては、例えば、アゾ系、アントラキノン系、キノフタロン系、ジオキサジン系等の２色性色素が挙げられる。上記金属ナノ粒子としては、例えば、プラズモン吸収金属ナノ粒子が挙げられる。これら光吸収剤は、一種類のみを用いてもよく、適宜、二種類以上を混合して用いてもよい。

　これら光吸収剤と樹脂との混合物のなかでも、上記光吸収層３の材料としては、例えば、顔料を混ぜた樹脂または有機色素を混ぜた高屈折率樹脂等が好適に用いられる。

　上記高屈折率樹脂としては、従来、いわゆる高屈折率樹脂として知られている公知の各種樹脂を用いることができる。一般的な樹脂の屈折率は１．５程度であり、高屈折率樹脂としては、例えば、屈折率が１．６以上の樹脂等、一般的な樹脂よりも屈折率が高い樹脂が用いられる。上記高屈折率樹脂としては、例えば、高屈折率高分子、ジルコニウムまたはハフニウム添加アクリレート、高屈折率ナノコンポジット（有機高分子マトリックスと高屈無機ナノ粒子との組み合わせ）、ポリエステル（代表的な屈折率１．６）、ポリイミド（代表的な屈折率１．５３以上、１．８以下）等が挙げられる。なお、本開示において、「屈折率」は、「絶対屈折率」を示す。また、光吸収層３の材料としては、周知のカラーフィルタを構成する材料を適用してもよい。

　本実施形態において、絶縁層１の屈折率をｎ１とし、光吸収層３の屈折率をｎ２とすると、ｎ１＜ｎ２であることが望ましい。つまり、光吸収層３の屈折率（ｎ２）は、絶縁層１の屈折率（ｎ１）よりも高いことが望ましい。ｎ１＜ｎ２とすることで、全反射角（臨界角）以上の角度（入射角）で斜め方向から光吸収層３に入射した光を絶縁層１で全反射させることができる。このため、ｎ１＜ｎ２とすることで、外部への光取り出し効率をより向上させることができる。

　なお、光吸収層３の屈折率（ｎ２）は、例えば、１．５以上、１．８以下であることが望ましい。絶縁層１の屈折率（ｎ１）は、例えば、１．０以上、１．６以下であることが望ましい。

　本実施形態では、前記したように絶縁層１の表面に凹部１６を形成するため、絶縁層１は、有機絶縁材料を用いて形成される。

　絶縁層１に用いられる有機絶縁材料としては、例えば、アクリル樹脂（代表的な屈折率１．４８～１．５）、ポリエチレン（代表的な屈折率１．５４）、ポリエチレンテレフタレート（代表的な屈折率１．５７～１．５８）、ポリテトラフルオロエチレン（代表的な屈折率１．３５）、ポリイミド等をベース樹脂としたフォトレジストが挙げられる。なお、絶縁層１の材料にポリイミドを使用する場合、ｎ１＜ｎ２を満足するポリイミドが使用される。また、上述したように、絶縁層１の材料にポリイミドを使用する場合、屈折率が１．６以下のポリイミドを使用することが望ましい。

　また、絶縁層１は、可視光吸収性を有することが好ましい。このため、絶縁層１は、可視光を吸収する光吸収剤を含んでいてもよい。上記光吸収剤としては、例えば、カーボンブラック等が挙げられる。また、上記光吸収剤としては、光吸収層３に用いられる吸収剤と同様の吸収剤を用いてもよい。

　上述したように絶縁層１が可視光吸収性を有することで、上記外光１０を、光吸収層３だけでなく、絶縁層１でも吸収することができる。このため、絶縁層１が可視光吸収性を有することで、外光１０の反射をより一層抑制し、外光下でのコントラストをより改善することができる。

　発光素子１０１は、一例として、コンタクトホールＣＨとしても機能する凹部１６を覆う反射層２が、発光領域９以外の部分の絶縁層１の上層で第１電極４と接続されることで、第１電極４と基板のＴＦＴとを電気的に接続している。このように、反射層２は、第１電極４と基板のＴＦＴとを電気的に接続する。このため、反射層２には、導電性を有する光反射性材料を用いることが望ましい。

　上記光反射性材料としては、可視光の反射率の高い材料が好ましく、例えば、金属材料を用いることができる。具体的には、例えば、Ａｌ（アルミニウム、代表的な屈折率１．３９）、Ａｇ（銀、代表的な屈折率１．３５）等を用いることができる。これらの材料は、可視光の反射率が高いため、発光効率が向上する。

　また、本実施形態において、発光領域９における第１電極４から第２電極７までの層の平均屈折率をｎ３とすると、ｎ１＜ｎ２＜ｎ３であることが望ましい。つまり、発光領域９における第１電極４から第２電極７までの層の平均屈折率（ｎ３）は、光吸収層３の屈折率（ｎ２）並びに絶縁層１の屈折率（ｎ１）よりも高いことが望ましい。

　前記したようにｎ１＜ｎ２とすることで、全反射角（臨界角）以上の角度（入射角）で斜め方向から光吸収層３に入射した光を絶縁層１で全反射させることができる。また、ｎ２＜ｎ３とすることで、絶縁層１あるいは反射層２で反射された光が、光吸収層３と第１電極４との界面にいかなる角度で入射しても全反射されることが無いため、第１電極４から第２電極７までの層を透過して外部に出射され易い。このため、ｎ１＜ｎ２＜ｎ３とすることで、外部への光取り出し効率をより向上させることができる。

　なお、発光領域９における第１電極４から第２電極７までの層の平均屈折率とは、第１電極４の屈折率、機能層６の屈折率、および第２電極７の屈折率の平均値である。発光領域９における第１電極４から第２電極７までの層の平均屈折率（ｎ３）は、例えば、１．６以上、２．５以下である。

　次に、第１電極４から第２電極７までの層について説明する。

　第１電極４および第２電極７は、何れか一方が陽極（アノード）であり、他方が陰極（カソード）である。なお、第１電極４および第２電極７の何れが陽極であっても陰極であってもよい。

　第１電極４および第２電極７は、それぞれ透光性材料で形成されている。上記透光性材料としては、例えば、スズドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム（ＩＺＯ）、アルミニウムドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ）、アンチモンドープ酸化スズ（ＡＴＯ）、銀ナノワイヤ、グラフェン、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳＳ（（ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）とポリ（４－スチレンスルホン酸）との複合体）等を用いることができる。これらの材料は可視光透過性を有し、可視光の透過率が高いため、発光効率が向上する。

　前述したように、第１電極４および第２電極７は、機能層６を挟むように設けられている。

　発光層６ａは、発光材料を含み、陰極から輸送された電子と、陽極から輸送された正孔との再結合により、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）光として光８を発する層である。光８は、単色（第１の色）の可視光である。

　第１電極４と第２電極７との間に流れる電流によって、発光層６ａはＥＬ発光する。発光素子１０１は、トップエミッション型の表示素子であり、第１電極４および第２電極７は、それぞれ可視光透過性を有している。

　なお、発光素子１０１は、例えば、ＱＬＥＤであってもよく、ＯＬＥＤであってもよい。

　発光素子１０１がＱＬＥＤである場合、発光層６ａは、発光材料として、例えば、ナノサイズの量子ドット（半導体ナノ粒子）を含む。以下、量子ドットを「ＱＤ」と記す。

　上記ＱＤには、公知のＱＤを用いることができる。上記ＱＤは、例えば、Ｃｄ（カドミウム）、Ｓ（硫黄）、Ｔｅ（テルル）、Ｓｅ（セレン）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｉｎ（インジウム）、Ｎ（窒素）、Ｐ（リン）、Ａｓ（ヒ素）、Ｓｂ（アンチモン）、アルミニウム（Ａｌ）、Ｇａ（ガリウム）、Ｐｂ（鉛）、Ｓｉ（ケイ素）、Ｇｅ（ゲルマニウム）、Ｍｇ（マグネシウム）、からなる群より選択される少なくとも一種の元素で構成されている少なくとも一種の半導体材料を含んでいてもよい。また、上記ＱＤは、二成分コア型、三成分コア型、四成分コア型、コアシェル型またはコアマルチシェル型であってもよい。また、上記ＱＤは、上記元素の少なくとも一種がドープされたナノ粒子を含んでいてもよく、組成傾斜した構造を備えていてもよい。

　発光層６ａが発光材料としてＱＤを含んでいる場合、該ＱＤの粒径および組成を適宜調整することによって、上記発光層６ａから発せられる光８の波長帯域、言い換えれば、上記発光層６ａから発せられる光８の色を制御することが可能である。

　一方、発光素子１０１がＯＬＥＤである場合、発光層６ａは、例えば、低分子蛍光色素、金属錯体等の有機発光材料で形成される。なお、上記有機発光材料は、燐光発光材料であってもよく、蛍光発光材料であってもよい。また、発光層６ａは、正孔および電子の輸送を担うホスト材料と、発光材料として発光を担う発光ドーパント材料との２成分系で形成されていてもよく、発光材料単独で形成されていてもよい。上記有機発光材料としては、光８として所望の色の可能光を発する有機発光材料が用いられる。

　発光素子１０１がＱＬＥＤである場合、第１電極４および第２電極７間の駆動電流によって電子と正孔とが発光層６ａ内で再結合し、これによって生じたエキシトンが、ＱＤの伝導帯準位から価電子帯準位に遷移する過程で光が放出される。

　発光素子１０１がＯＬＥＤである場合、第１電極４および第２電極７間の駆動電流によって電子と正孔とが発光層６ａで再結合し、これによって生じたエキシトンが基底状態に遷移する過程で光が放出される。

　但し、発光素子１０１は、ＯＬＥＤ、ＱＬＥＤ以外の発光素子であってもよく、例えばＩＯＬＥＤ（無機発光ダイオード）であってもよい。

　発光素子１０１は、光８として青色光を発する青色発光素子であってもよく、光８として緑色光を発する緑色発光素子であってもよく、光８として赤色光を発する赤色発光素子であってもよい。

　以下では、一例として、発光素子１０１がＱＬＥＤである場合を例に挙げて説明する。発光素子１０１が青色発光素子である場合、発光層６ａは、発光材料として、発光色が青色の青色ＱＤを含む。発光素子１０１が緑色発光素子である場合、発光層６ａは、発光材料として、発光色が緑色の緑色ＱＤを含む。発光素子１０１が赤色発光素子である場合、発光層６ａは、発光材料として、発光色が赤色の赤色ＱＤを含む。

　図２は、カドミウム（Ｃｄ）を実質的に含まないＣｄフリー系の各色のＱＤの発光スペクトルとＣｄ系の各色のＱＤの発光スペクトルとを２つ並べて示す図である。

　図２中、発光スペクトル１１Ｂは、青色のＣｄフリー系ＱＤの発光スペクトルを示す。発光スペクトル１１Ｇは、緑色のＣｄフリー系ＱＤの発光スペクトルを示す。発光スペクトル１１Ｒは、赤色のＣｄフリー系ＱＤの発光スペクトルを示す。また、発光スペクトル１２Ｂは、青色のＣｄ系ＱＤの発光スペクトルを示す。発光スペクトル１２Ｇは、緑色のＣｄ系ＱＤの発光スペクトルを示す。発光スペクトル１２Ｒは、赤色のＣｄ系ＱＤの発光スペクトルを示す。

　なお、本実施形態において、青色光とは、例えば４００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の波長帯域に最大発光輝度波長を有する光である。また、緑色光とは、５００ｎｍを超えて６００ｎｍ以下の波長帯域に最大発光輝度波長を有する光である。また、赤色光とは、６００ｎｍを超えて７００ｎｍ以下の波長帯域に最大発光輝度波長を有する光である。

　図２に発光スペクトル１１Ｂで示すＣｄフリー系の青色ＱＤおよび発光スペクトル１２Ｂで示すＣｄ系の青色ＱＤは、一例として、それぞれ、４４０ｎｍ以上、４８０ｎｍ以下の波長帯域に最大発光輝度波長を有している。図２に、発光スペクトル１１Ｇで示すＣｄフリー系の緑色ＱＤおよび発光スペクトル１２Ｇで示すＣｄ系の緑色ＱＤは、一例として、それぞれ、５３０ｎｍ以上、５６０ｎｍ以下の波長帯域に最大発光輝度波長を有している。図２に、発光スペクトル１１Ｒで示すＣｄフリー系の赤色ＱＤおよび発光スペクトル１２Ｒで示すＣｄ系の赤色ＱＤは、一例として、それぞれ、６１０ｎｍ以上、６４０ｎｍ以下の波長帯域に最大発光輝度波長を有している。

　なお、本実施形態において、上記発光層６ａから発せられる可視光の発光スペクトルの半値全幅は、５０ｎｍ以下であることが望ましい。図２では、一例として、発光スペクトル１１Ｂの半値全幅１１ＢＦ、および発光スペクトル１２Ｒの半値全幅１２ＲＦが、５０ｎｍより小さい場合を例に挙げて示している。但し、図２に示す例は一例であって、本実施形態は、上述した例に限定されない。また、図２では、何れも、発光素子１０１がＱＬＥＤであり、発光層６ａがＱＤを含む場合の一例を示している。しかしながら、発光素子１０１が例えばＯＬＥＤあるいはＩＯＬＥＤであり、発光層６ａがＱＤ以外の発光材料を含む場合でも、発光層６ａの発光スペクトルの半値全幅は、５０ｎｍ以下であることが望ましい。発光スペクトルの半値全幅が５０ｎｍ以下である有機材料としては、例えば、熱活性化遅延蛍光体材料であるＤＡＢＮＡ等が知られている。

　このように、ＥＬ光である光８の半値全幅を狭くすることにより、光吸収層３での吸収が少なくなり、より明るい表示が可能となる。

　また、上述したように可視光域の波長範囲４００ｎｍ～７００ｎｍを大まかに青色、緑色、および赤色に分けると、各色に対応する波長幅は、上述したように１００ｎｍ程度となる。光８の半値全幅を各色に対応する波長幅の半分以下にすると、光吸収層３における、光８の透過と外光１０の吸収とのバランスをとり易くなる。

　なお、図１では、図示の便宜上、最も簡素な構成として、機能層６が発光層６ａである場合を例に挙げて図示している。しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではない。機能層６は、必要に応じて、陽極と発光層６ａの間に正孔を注入する正孔注入層、発光層６ａに正孔を輸送する正孔輸送層、陰極と発光層６ａの間に電子を注入する電子注入層、および発光層６ａに電子を輸送する電子輸送層のうち少なくとも１つを含んでいてもよい。また、機能層６は、上記以外の層を含んでいてもよい。

　第１電極４のエッジ部は、絶縁性のエッジカバー５で覆われている。エッジカバー５は、第１電極４における、光吸収層３とは反対側（言い換えれば、第１電極４上）に、該第１電極４のエッジ部を覆うように、パターン化された第１電極４を取り囲んで形成されている。このエッジカバーの開口領域が、発光素子１０１の発光領域９となる。

　エッジカバー５は、可視光吸収性または遮光性を有している。エッジカバー５の材料としては、例えば、カーボンブラック等の光吸収剤が添加された感光性樹脂が挙げられる。上記感光性樹脂としては、ポリイミド、アクリル樹脂等の、感光性を有する有機絶縁材料が挙げられる。

　前記したように、反射層２における、発光領域９以外の部分は、光吸収層３およびエッジカバー５のうち少なくともエッジカバー５で、直接または間接的に覆われている。また、発光領域９における反射層２は、光吸収層３で覆われている。このため、本実施形態では、反射層２における第１電極４側の面全体が、光吸収層３もしくはエッジカバー５で覆われることになる。したがって、本実施形態によれば、反射層２の全域に亘って、外光１０の反射を抑制することができる。

　このように、発光領域９以外の部分の反射層２の少なくとも一部は、光吸収層３の代わりに、エッジカバー５で覆われていてもよい。発光領域９以外の部分では、反射層２が光吸収層３で覆われていることは、必須でない。

　発光層６ａから発せられた光８のうち、全反射角（臨界角）よりも小さな入射角で第２電極７に入射した光８ａは、第２電極７を通って、発光素子１０１の外部に射出される。発光層６ａから発せられた光８のうち、第１電極４を通って光吸収層３に入射した光８ｂは、光吸収層３を通って反射層２にて反射される。発光層６ａから発せられた光８のうち、全反射角（臨界角）以上の入射角で第２電極７に入射した光８ｃは、第２電極７における、機能層６とは反対側の界面で全反射され、第２電極７、機能層６、第１電極４、および光吸収層３を通って反射層２にて反射される。

　前述したように、光吸収層３は、少なくとも発光層６ａから発せられた色（第１の色)の可視光の最大発光輝度波長の光の透過率が、上記第１の色の可視光以外の少なくとも一部の可視光の透過率よりも高い。このため、例えば、発光層６ａから発せられた色（第１の色)の可視光の最大発光輝度波長が、光吸収層３の可視光波長域における最大透過波長（以下、「可視光最大透過波長」と記す）となる。このため、反射層２で反射された光８ｂおよび光８ｃは、光吸収層３、第１電極４、機能層６、および第２電極７を通って、発光素子１０１の外部に射出される。

　このように、発光素子１０１は、発光層６ａから発せられる光８ｂおよび光８ｃを反射層２で反射させて外部に取り出すことができる。したがって、発光素子１０１は、光８ａ～光８ｃを、それぞれ発光素子１０１の外部に取り出すことができるため、光取り出し効率を向上させることができる。

　また、光吸収層３では、少なくとも発光層６ａから発せられる、特定の発光色（第１の色）の最大発光輝度波長の光の透過率が、上記第１の色の可視光以外の少なくとも一部の可視光の透過率よりも高い。このため、発光素子１０１によれば、色純度を高めることができる。

　一方、外光１０は、第２電極７、機能層６、および第１電極４を通って光吸収層３に入射する。

　光吸収層３が設けられていない場合、反射層２における、傾斜した内壁面１３やエッジ部で外光１０が散乱反射される。このため、外光１０による正反射方向でのコントラストの低下に加え、外光１０の正反射方向以外でのコントラストも低下する。

　しかしながら、本実施形態によれば、第２電極７、機能層６、および第１電極４を通って光吸収層３に入射した外光１０のうち、上記第１の色の波長領域を含む、光吸収層３を透過する波長領域の可視光を除く波長の可視光を光吸収層３で吸収することができる。

　例えば、発光層６ａから発せられる光８が、４４０ｎｍ以上、４８０ｎｍ以下の波長帯域に最大発光輝度波長を有する青色の光である場合、光吸収層３は、例えば該最大発光輝度波長の青色の光の透過率が、青色以外の色の可視光透過率よりも高く、例えば、４４０ｎｍ以上、４８０ｎｍ以下の波長帯域に可視光最大透過波長を有するように形成される。言い換えれば、光吸収層３は、上記波長帯域以外の可視光の波長帯域である、例えば４８０ｎｍ以上の波長帯域に可視光波長域における最大吸収波長（以下、「可視光最大吸収波長」と記す）を有する。この場合、光吸収層３は、緑色の光および赤色の光を吸収し、青色の光を透過する。このため、この場合、発光素子１０１は、光吸収層３で、全波長の可視光のうち、略２／３の波長帯域の可視光を吸収することができる。

　発光層６ａから発せられる光８が、５３０ｎｍ以上、５６０ｎｍ以下の波長帯域に最大発光輝度波長を有する緑色の光である場合、光吸収層３は、例えば該最大発光輝度波長の緑色の光の透過率が、緑色以外の色の可視光透過率よりも高く、例えば５３０ｎｍ以上、５６０ｎｍ以下の波長帯域に可視光最大透過波長を有するように形成される。この場合、光吸収層３は、例えば５３０ｎｍ未満および５６０ｎｍを超える波長帯域にそれぞれ可視光最大吸収波長を有し、青色の光および赤色の光を吸収し、緑色の光を透過する。この場合にも、発光素子１０１は、光吸収層３で、全波長の可視光のうち、略２／３の波長帯域の可視光を吸収することができる。

　発光層６ａから発せられる光８が、６１０ｎｍ以上、６４０ｎｍ以下の波長帯域に最大発光輝度波長を有する赤色の光である場合、光吸収層３は、例えば該最大発光輝度波長の赤色の光の透過率が、赤色以外の色の可視光透過率よりも高く、例えば、６１０ｎｍ以上、６４０ｎｍ以下の波長帯域に可視光最大透過波長を有するように形成される。この場合、光吸収層３は、例えば６１０ｎｍｎｍ未満の波長帯域に可視光最大吸収波長を有し、青色の光および緑色の光を吸収し、赤色の光を透過する。この場合にも、発光素子１０１は、光吸収層３で、全波長の可視光のうち、略２／３の波長帯域の可視光を吸収することができる。

　但し、本実施形態は、これに限定されるものではない。前述したように、光吸収層３は、少なくとも、上記第１の色の可視光の最大発光輝度波長の光の透過率が、上記第１の色の可視光以外の少なくとも一部の可視光の透過率よりも高くなるように設定されていればよい。つまり、光吸収層３は、少なくとも、発光層６ａから発せられる、特定の発光色（第１の色）の最大発光輝度波長を含む特定の波長帯域の光の透過率が、上記第１の色の可視光以外の少なくとも一部の可視光の透過率よりも高くなるように設定されていればよい。

　人間の色覚は、赤色の光および青色の光に鈍感で緑色の光に敏感である。このため、光吸収層３は、例えば、赤色の光および青色の光を透過し、視感度の高い緑色の光のみを吸収するように形成されていてもよい。

　したがって、発光層６ａから発せられる光８が、４４０ｎｍ以上、４８０ｎｍ以下の波長帯域に最大発光輝度波長を有する青色の光、あるいは、６１０ｎｍ以上、６４０ｎｍ以下の波長帯域に最大発光輝度波長を有する赤色の光である場合、光吸収層３は、例えば、４４０ｎｍ以上、４８０ｎｍ以下の波長帯域および６１０ｎｍ以上、６４０ｎｍ以下の波長帯域にそれぞれ可視光最大透過波長を有し、５３０ｎｍ以上、５６０ｎｍ以下の波長帯域に可視光最大吸収波長を有するように形成されていてもよい。この場合、発光素子１０１は、光吸収層３で、全波長の可視光のうち、略１／３の波長帯域の可視光を吸収することができる。

　このように、本実施形態によれば、第２電極７、機能層６、および第１電極４を通って光吸収層３に入射した外光１０の多くを、光吸収層３で吸収することができる。特に、発光素子１０１では、反射層２における、傾斜した内壁面１３（斜面部）やエッジ部で反射された外光１０の多くを、光吸収層３で吸収させることができる。このため、発光素子１０１によれば、反射層２による外光１０の反射を抑制することができ、外光１０の正反射方向および正反射方向以外の方向でのコントラストを、ともに改善することができる。このため、発光素子１０１によれば、明室コントラストをより向上させることができるとともに、外光下でも、表示品位を保ちながら、反射層２で、発光層６ａから発せられる光８を正面方向により多く取り出すことができる。したがって、発光素子１０１によれば、正面輝度を高く保つことができ、より明るい表示が可能となる。

　（変形例）
　なお、図１では、絶縁層１と反射層２とで、表面に凹凸を有する反射構造体が形成されている場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではない。

　図３は、本変形例に係る発光素子１０１’の概略構成を示す断面図および平面図である。

　発光素子１０１’における発光素子１０１との相違点は、以下の通りであり、以下の点を除けば、発光素子１０１’は、発光素子１０１と同じ構成を有している。

　本変形例に係る発光素子１０１’は、絶縁層１に代えて、絶縁層１’を備えているとともに、反射層２に代えて、反射層２’を備えている。

　絶縁層１’は、平坦化膜であり、コンタクトホールＣＨを除き、その表面に、凹部は設けられていない。一方、反射層２’は、反射層２よりも厚く形成されており、反射層２’の表面には、傾斜した内壁面１３を有する凹部１４が、当該発光素子１０１の発光領域９に、複数（例えば４つ）設けられている。つまり、反射層２’は、発光素子１０１における絶縁層１と反射層２とを組み合わせた形状を有している。

　このため、発光素子１０１’でも、発光素子１０１と同様の効果を得ることができる。

　なお、本変形例では、反射層２’によって反射構造体が形成されている。このように、反射構造体は、必ずしも絶縁層を備えていなくてもよい。

　また、上述したように、絶縁層１’は平坦化膜である。したがって、例えば、支持体としての基板が、ＴＦＴを覆う平坦化膜を備えたアレイ基板である場合のように表面に平坦化膜を備えている場合、絶縁層１’は、基板表面の平坦化膜であってもよく、発光素子１０１’は、必ずしも絶縁膜を備えていなくてもよい。

　なお、図３では、反射層２’が、発光領域９に凹部１４を複数有している場合を例に挙げて図示した。しかしながら、本変形例でも、凹部１４は、発光領域９に少なくとも１つ設けられていればよい。

　〔実施形態２〕
　図４は、本実施形態に係る発光素子１０２ａの概略構成を示す断面図である。図５は、本実施形態に係る他の発光素子１０２ｂの概略構成を示す断面図である。

　発光素子１０２ａにおける発光素子１０１との相違点は、以下の通りであり、以下の点を除けば、発光素子１０２ｂは、発光素子１０１と同じ構成を有している。

　発光素子１０１は、反射層２が、絶縁層１に設けられた複数の凹部１６の内壁面１５全体を覆っている。このため、発光素子１０１は、反射層２が、発光領域９における、絶縁層１に設けられた複数の凹部１６の内壁面１５全体を覆っている。しかしながら、図４に示すように、発光素子１０２ａでは、反射層２は、発光領域９において、絶縁層１に設けられた凹部１６の内壁面１５の一部を覆っている。

　具体的には、図４に示す発光素子１０２ａは、発光領域９において、隣り合う２つの凹部１６の間に位置する、絶縁層１の頂部１７（つまり、凸部上面）が、第１電極４と接しており、反射層２および光吸収層３の何れによっても覆われていない。但し、図４は一例であって、頂部１７は反射層２で覆われていなければよい。頂部１７は、光吸収層３で覆われていてもよい。

　反射層２は、発光領域９において、絶縁層１に設けられた凹部１６の内壁面１５の一部を覆っていることから、発光領域９における反射層２の凹部１４の端部は、内壁面１５（傾斜部）の途中に設けられている。このため、発光領域９において、内壁面１５における頂部１７の近傍は、反射層２で覆われておらず、光吸収層３で覆われている。但し、発光素子１０２ａでも、発光領域９では、光吸収層３が反射層２全体を覆っている。

　このように、発光素子１０２ａによれば、発光領域９において、反射層２が、絶縁層１に設けられた凹部１６の内壁面１５の一部を覆う、傾斜した内壁面１３を有する凹部１４を有していることで、外光１０の反射面積が小さくなる。このため、発光素子１０２ａによれば、発光素子１０１と同様の効果を得ることができるのみならず、外光１０下でのコントラストをより向上させることができる。

　発光素子１０２ｂにおける発光素子１０２ａとの相違点は、以下の通りであり、以下の点を除けば、発光素子１０２ｂは、発光素子１０２ａと同じ構成を有している。

　発光素子１０２ａは、発光素子１０１と同様に、凹部１６のうち、コンタクトホールＣＨとしても機能する凹部１６に設けられた反射層２が、発光領域９以外の部分の絶縁層１の上層まで延設されることで、エッジカバー５の下で、第１電極４と接続されている。これにより、第１電極４と基板のＴＦＴとが、反射層２によって電気的に接続されている。

　これに対し、発光素子１０２ｂは、図５に示すように、第１電極４が、コンタクトホールＣＨとしても機能する凹部１６内まで延設されることで、第１電極４と基板のＴＦＴとが電気的に接続されている。

　また、発光素子１０１は、反射層２が、絶縁層１に設けられた複数の凹部１６の内壁面１５全体を覆っていることで、発光領域９以外の部分でも、内壁面１５の全体が、反射層２で覆われている。図４に示すように、発光素子１０２ａは、発光領域９では、反射層２が、絶縁層１に設けられた複数の凹部１６の内壁面１５の一部しか覆っていない。しかしながら、上述したように、コンタクトホールＣＨとしても機能する凹部１６に設けられた反射層２が、発光領域９以外の部分の絶縁層１の上層まで延設されている。このため、発光素子１０２ａでは、発光素子１０１同様、反射層２が、発光領域９以外の部分の内壁面１５を覆っている。

　これに対し、発光素子１０２ｂは、図５に示すように、第１電極４が、コンタクトホールＣＨとしても機能する凹部１６内まで延設されることで、発光領域９以外の部分において、内壁面１５が、反射層２でも光吸収層３でも覆われていない部分がある。この部分は、エッジカバー５で覆われている。

　図５に示す発光素子１０２ｂは、反射層２が全て光吸収層３で覆われていることで、エッジカバー５が可視光吸収性を有していなくてもよい。

　なお、発光領域９以外の部分における反射層２自体は、発光素子１０１同様、発光素子１０２ａも発光素子１０２ｂも、光吸収層３および後述するエッジカバー５のうち、少なくともエッジカバー５で、直接または間接的に覆われている。また、発光素子１０２ｂでも、発光領域９では、光吸収層３が反射層２全体を覆っている。

　発光素子１０２ｂでも、発光領域９において、反射層２が、絶縁層１に設けられた凹部１６の内壁面１５の一部を覆う、傾斜した内壁面１３を有する凹部１４を有していることで、外光１０の反射面積が小さくなる。このため、発光素子１０２ｂでも、発光素子１０１と同様の効果を得ることができるのみならず、外光１０下でのコントラストをより向上させることができる。

　〔実施形態３〕
　図６は、前記絶縁層１における凹部１６の形成例を示す平面図を５つ並べて示す図である。図６には、５つの絶縁層構造１８ａ～１８ｅを示している。図示を簡潔にするために、各絶縁層構造１８ａ～１８ｅにおいては、絶縁層１および凹部１６のみを図示している。

　凹部１６が複数設けられる場合、複数の凹部１６の配置は、絶縁層構造１８ａのように１列の島状であってもよいし、絶縁層構造１８ｂのように複数列の島状であってもよい。

　また、各絶縁層構造１８ｃ～１８ｅに示すように、凹部１６は、少なくともライン状に形成された部分である線状部１９を有していてもよい。上記の構成によれば、光吸収層３を構成する材料の塗布が容易で、反射層２のエッジを確実に被覆することができる。また、反射層２が設けられた絶縁層１の凹部１６を覆う、光吸収層３の厚膜部が連続して形成されることで、光吸収層３が剥がれ難い。

　小さな円形の凹部１６が複数あるよりもそれぞれが連続していた方が剥がれにくく、複雑な形状の方が内壁面１５の比率が高くなり、正面方向へ光を反射される構造の面積が増える。さらに、凹部１６は枝分かれした方が、効果的である。

　なお、例えば絶縁層構造１８ｅをＡ－Ａ線で切断した断面は、一例として、図１あるいは図４または図５に示す絶縁層１の断面形状と同じ形状であってもよい。

　〔実施形態４〕
　図７は、本実施形態に係る発光素子１０３ａの概略構成を示す断面図である。図８は、本実施形態に係る他の発光素子１０３ｂの概略構成を示す断面図である。なお、図７および図８に示す例でも、絶縁層１の平面形状は、例えば絶縁層構造１８ｅと同じであってもよい。

　発光素子１０３ａにおける発光素子１０２ａとの相違点は、以下の通りであり、以下の点を除けば、発光素子１０３ａは、発光素子１０２ａと同じ構成を有している。但し、本実施形態は、これに限定されるものではなく、発光素子１０３ａは、発光素子１０２ｂに対し、以下の点が異なる構成を有していてもよい。

　図７に示すように、発光素子１０３ａは、発光素子１０２ａと同様に、反射層２が、発光領域９において、絶縁層１に設けられた凹部１６の内壁面１５の一部を覆っている。但し、発光素子１０３ａでは、発光領域９において、反射層２が設けられていない部分には、第１電極４が設けられていない。言い換えれば、発光領域９では、第１電極４は、平面視で反射層２と重畳する部分にのみ形成されている。

　このため、発光素子１０２ａは、発光領域９において、隣り合う２つの凹部１６の間に位置する、絶縁層１の頂部１７（つまり、凸部上面）が第１電極４と接しているのに対し、発光素子１０３ａは、発光領域９において、上記頂部１７が機能層６と接している。

　反射層２が、発光領域９において、上記凹部１６の内壁面１５全体ではなく、該内壁面１５の一部を覆っている場合、発光領域９における反射層２が設けられていない部分では、光取り出し効率が低い。

　このため、発光領域９における、反射層２が設けられていない、光取り出し効率が低い部分には第１電極４の形成を行わないことで、発光素子１０２ａと同様の効果を得ることができるのみならず、光取り出し効率が高い領域のみを発光させることで、消費電力を抑制することができる。また、第１電極４が形成されている部分の光取り出し効率を向上させることができる。

　なお、前記したように、図７に示す絶縁層１は、例えば、図６に示す絶縁層構造１８ｅと同じ平面形状を有している。このため、図７に示す断面では、該断面における各凹部１６内の反射層２および該反射層２に重畳する第１電極４が互いに離間しているが、該断面における反射層２および第１電極４は、図７とは異なる断面において接続されていることは、言うまでもない。

　また、発光素子１０３ａは、発光素子１０２ａ同様、発光領域９における反射層２の凹部１４の端部が、絶縁層１の凹部１６における、傾斜した内壁面１５の途中に設けられている。このため、発光領域９における反射層２は、平面視で、例えば絶縁層１の凹部１６よりも一回り小さく形成されており、平面視で、凹部１６と相似形状を有している。このため、第１電極４は、例えば、図６に示す絶縁層構造１８ｅにおける凹部１６よりも一回り小さい相似形状を有しており、エッジカバー５は、該凹部１６と相似形状の開口領域を有していてもよい。つまり、発光領域９は、図６に示す絶縁層構造１８ｅにおける凹部１６よりも一回り小さい相似形状を有していてもよい。

　但し、本実施形態は、これに限定されるものではなく、発光領域９は、例えば、図６に示す絶縁層構造１８ｃまたは絶縁層構造１８ｄにおける凹部１６よりも一回り小さい相似形状を有していてもよい。また、発光領域９は、例えば、図６に示す絶縁層構造１８ａまたは絶縁層構造１８ｂにおける凹部１６を一回り小さくして互いに連結した形状を有していてもよい。

　発光素子１０３ｂにおける発光素子１０３ａとの相違点は、以下の通りであり、以下の点を除けば、発光素子１０３ｂは、発光素子１０３ａと同じ構成を有している。

　図８に示すように、発光素子１０３ｂは、発光素子１０１同様、反射層２が、絶縁層１における凹部１６の内壁面１５全体を覆っている。このため、発光素子１０１同様、発光領域９における反射層２は、光吸収層３で覆われている。

　このような構成において、発光層６ａにおける、凹部１６の底部の上にあたる領域で斜め下方向に発光した光は、光吸収層３の厚みが厚いため、容易に反射層２の斜面に到達し、真上方向に反射される。このため、発光層６ａにおける、凹部１６の底部の上にあたる領域は、光取り出し効率が高い。一方、発光層６ａにおける、絶縁層１の頂部１７の上にあたる領域（言い換えれば、平面視で、凹部１６と重畳しない領域）で斜め下方向に発光した光は、光吸収層３の厚みが薄いため、第２電極７と光吸収層３の下面とで多重反射する。このため、平面視で凹部１６と重畳しない、絶縁層１の頂部１７の上にあたる領域は、平面視で凹部１６と重畳する領域よりも光取り出し効率が低い。

　そこで、発光素子１０３ｂでは、この光取り出し効率が低い部分における第１電極４と第２電極７との間に、絶縁層６ｂ（第２の絶縁層）を形成している。

　つまり、発光素子１０３ｂの機能層６は、絶縁層６ｂをさらに含んでいる。絶縁層６ｂは、平面視で、凹部１６と重畳しない領域に、絶縁層１の頂部１７に対応して形成されている。言い換えれば、絶縁層６ｂは、凹部１６に対応した開口領域を有している。

　図８に示す発光素子１０３ｂによれば、このように光取り出し効率が低い部分に絶縁層６ｂを形成して、光取り出し効率の高い領域のみを通電領域ＥＡにすることで、消費電力を抑制することができる。

　絶縁層６ｂは、無機絶縁膜あるいは有機絶縁膜をパターニングすることで形成することができる。無機絶縁膜に用いられる無機絶縁材料としては、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）等が挙げられる。有機絶縁膜に用いられる有機絶縁材料としては、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド等、例えば絶縁層１の材料として例示した絶縁性樹脂が挙げられる。

　（変形例）
　図９は、本変形例に係る発光素子１０３ｂ’の概略構成を示す断面図である。なお、図９に示す例でも、絶縁層１の平面形状は、例えば絶縁層構造１８ｅと同じであってもよい。

　発光素子１０３ｂ’における、発光素子１０３ａおよび発光素子１０３ｂとの相違点は、以下の通りであり、以下の点を除けば、発光素子１０３ｂ’は、発光素子１０３ａおよび発光素子１０３ｂと同じ構成を有している。

　上述したように、発光層６ａにおける、絶縁層１の頂部１７の上にあたる領域（つまり、平面視で凹部１６と重畳しない領域）は、光吸収層３の厚みが薄いため、光取り出し効率が低下する。

　そこで、図９に示すように、発光素子１０３ｂ’では、この光吸収層３の厚みが薄く、光取り出し効率が低い部分における第１電極４と第２電極７との間に絶縁層６ｂ（第２の絶縁層）を形成するとともに、この部分には反射層２を設けていない。このため、発光素子１０３ｂ’では、発光領域９において、反射層２は、凹部１６の内壁面１５のみを覆っており、絶縁層１の頂部１７上には形成されていない。したがって、発光素子１０３ｂ’では、光吸収層３は、平面視で凹部１６と重畳する領域では、凹部１６を覆う反射層２と第１電極４との間に、これら反射層２と第１電極とにそれぞれ隣接して設けられている。一方、平面視で、凹部１６と重畳しない、絶縁層１の頂部１７の上にあたる領域では、光吸収層３は、絶縁層１と第１電極４との間に、これら絶縁層１と第１電極とにそれぞれ隣接して設けられている。

　図９に示す発光素子１０３ｂ’によれば、上述したように光取り出し効率が低い部分に絶縁層６ｂを形成して、光取り出し効率の高い領域のみを通電領域ＥＡにすることで、消費電力を抑制することができる。また、光吸収層３が薄い領域の反射層２を無くすことにより、外光反射をより減らすことができる。

　なお、図９では、一例として、反射層２で覆われていない、絶縁層１の頂部１７が光吸収層３で覆われている場合を例に挙げて図示している。しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではなく、発光素子１０３ａ同様、反射層２で覆われていない頂部１７が、第１電極４に接して形成されていてもよい。

　〔実施形態５〕
　図１０は、本実施形態に係る発光素子１０４の概略構成を示す断面図である。

　以下では、発光素子１０１との相違点について説明する。発光素子１０４における発光素子１０１との相違点は、以下の通りであり、以下の点を除けば、発光素子１０４は、発光素子１０１と同じ構成を有している。

　発光素子１０４において、絶縁層１および反射層２は、発光領域９以外の部分（つまり、発光領域９の外側）に、凹部としてコンタクトホールＣＨを有しているが、発光領域９内には凹凸を有していない。つまり、絶縁層１および反射層２の表面は、発光領域９内では平坦面であり、発光領域９において、反射構造体の表面には凹凸が設けられていない。

　なお、図１０では、発光領域９の外側における、コンタクトホールＣＨの内壁面および反射層２を第１電極４と接続するための反射層２の延設部が傾斜面を有しているが、絶縁層１および反射層２が傾斜面を有していることは、必須ではない。

　また、図１０では、発光素子１０２ｂ同様、第１電極４が、コンタクトホールＣＨまで延設されることで、第１電極４と基板のＴＦＴとが、反射層２によって電気的に接続されている場合を例に挙げて図示している。しかしながら、発光素子１０４でも、コンタクトホールＣＨに設けられた反射層２が、発光領域９以外の部分の絶縁層１の上層まで延設されることで、第１電極４と基板のＴＦＴとが、反射層２によって電気的に接続されていてもよい。

　このように発光領域９における反射層２の表面に凹凸が設けられていない場合であっても、発光層６ａから発せられた光８のうち、全反射角（臨界角）よりも小さな入射角で第２電極７に入射した光８ａは、第２電極７を通って、発光素子１０１の外部に射出される。また、発光層６ａから発せられた光のうち、第１電極４を通って光吸収層３に入射した光８ｂは、光吸収層３を通って反射層２にて反射される。発光層６ａから発せられた光のうち、全反射角（臨界角）以上の入射角で第２電極７に入射した光８ｃは、第２電極７における、機能層６とは反対側の界面で全反射され、第２電極７、機能層６、第１電極４、および光吸収層３を通って反射層２にて反射されて導光した光の一部が、平面視で発光領域９の外側にある反射層２の傾斜面で反射され、第２電極７に入射する角度が変わる。

　このため、発光素子１０１同様、発光素子１０４でも、光８ａ～光８ｃを、それぞれ発光素子１０１の外部に取り出すことができる。このため、反射層２に、傾斜した内壁面１３を有する凹部１４が設けられている場合ほどではないが、この場合にも、光取り出し効率を向上させることができる。

　また、発光素子１０４でも、発光素子１０１同様、少なくとも、発光層６ａから発せられる、特定の発光色（第１の色）の最大発光輝度波長の光の透過率が、上記第１の色の可視光以外の少なくとも一部の可視光の透過率よりも高い。このため、発光素子１０４によれば、色純度を高めることができる。

　また、本実施形態でも、外光１０は、第２電極７、機能層６、および第１電極４を通って光吸収層３に入射する。

　反射層２の表面に凹凸が設けられていない場合、反射層２における、傾斜した内壁面１３やエッジ部で外光１０が散乱反射されることがない。このため、反射層２の表面に凹凸が設けられていない場合、光吸収層３が設けられていない場合であっても外光１０の正反射方向以外ではコントラストは低下しないが、光吸収層３が設けられていない場合、外光１０の正反射方向でのコントラストは低下する。

　しかしながら、発光素子１０４によれば、発光素子１０１同様、第２電極７、機能層６、および第１電極４を通って光吸収層３に入射した外光１０の多くを、光吸収層３で吸収することができる。

　このため、発光素子１０４によれば、反射層２による外光１０の反射を抑制することができ、外光１０の正反射方向でのコントラストを改善することができる。このため、発光素子１０４でも、明室コントラストをより向上させることができるとともに、外光下でも、表示品位を保ちながら、反射層２で、発光層６ａから発せられる光８を正面方向により多く取り出すことができる。したがって、発光素子１０４でも、発光素子１０１同様、正面輝度を高く保つことができ、より明るい表示が可能となる。

　〔実施形態６〕
　図１１は、本実施形態に係る発光素子１０５ａの概略構成を示す断面図である。図１２は、本実施形態に係る他の発光素子１０５ｂの概略構成を示す断面図である。図１３は、本実施形態に係るさらに他の発光素子１０５ｃの概略構成を示す断面図である。図１４は、本実施形態に係るさらに他の発光素子１０５ｄの概略構成を示す断面図である。

　図１１～図１４に示すように、発光素子１０５ａ～発光素子１０５ｄは、それぞれ、基板２０、絶縁層１、反射層２、光吸収層３、第１電極４、図示しないエッジカバー５、機能層６、第２電極７、低屈折率層２１、および円偏光板２２を備えている。

　なお、図１１～図１３に示す例では、絶縁層１、反射層２、光吸収層３、第１電極４、図示しないエッジカバー５、機能層６、および第２電極７が、例えば図４に示す発光素子１０２ａ、または、図５に示す発光素子１０２ｂと同じ構成を有している場合を例に挙げて図示している。このため、本実施形態では、これら絶縁層１～第２電極７の説明を省略する。

　低屈折率層２１は、第２電極７における機能層６とは反対側の面に隣接して設けられている。円偏光板２２は、第２電極７における、機能層６とは反対側に、低屈折率層２１を介して設けられている。つまり、発光素子１０５ａ～発光素子１０５ｄは、それぞれ、基板２０、絶縁層１、反射層２、光吸収層３、第１電極４、図示しないエッジカバー５、機能層６、第２電極７、低屈折率層２１、および円偏光板２２が、この順に積層された構成を有している。

　低屈折率層２１は、第１電極４から第２電極７までの層の平均屈折率（ｎ３）よりも低い屈折率を有する層である。つまり、低屈折率層２１の屈折率をｎ４とすると、ｎ４＜ｎ３である。

　また、上述したように、低屈折率層２１は、第１電極４から第２電極７までの層を挟んで、光吸収層３と反対側である光取り出し側に配置されている。このため、低屈折率層２１の屈折率（ｎ４）は、光吸収層３の屈折率（ｎ２）よりも低い（つまり、ｎ４＜ｎ２である）ことが望ましい。

　したがって、第１電極４から第２電極７までの層の平均屈折率（ｎ３）と低屈折率層２１の屈折率との屈折率（ｎ４）との屈折率差をΔｎ３ｎ４とし、第１電極４から第２電極７までの層の平均屈折率（ｎ３）と光吸収層３の屈折率（ｎ２）との屈折率差をΔｎ３ｎ２とすると、Δｎ３ｎ２＜Δｎ３ｎ４であることが望ましい。

　なお、上述したようにｎ４＜ｎ３であり、前述したようにｎ２＜ｎ３であることから、Δｎ３ｎ２＜Δｎ３ｎ４は、（ｎ３－ｎ２）＜（ｎ３－ｎ４）と言い換えることができる。

　このようにΔｎ３ｎ４がΔｎ３ｎ２よりも大きいことで、発光層６ａから発せられる光２３のうち全反射角（臨界角）以上の角度（入射角）で、斜め方向から低屈折率層２１に入射した光を全反射させて光吸収層３に導き、反射層２で反射させて、外部に取り出すことができる。このため、外部への光取り出し効率を向上させることができる。また、全反射角未満の角度での界面反射率も、機能層６と光吸収層３との界面の方が、機能層６と低屈折率層２１との界面よりも小さくなり、機能層６内で発せられた光２３を光吸収層３に優先的に導くことが可能となる。

　また、円偏光板２２の屈折率をｎ５とすると、円偏光板２２の屈折率（ｎ５）は、低屈折率層２１の屈折率（ｎ４）よりも大きいことが望ましい。

　また、円偏光板２２は、低屈折率層２１同様、第１電極４と第２電極７とで挟まれた、発光層６ａを含む機能層６に対し、光吸収層３よりも光取り出し側に配置されている。このため、円偏光板２２の屈折率（ｎ５）は、光吸収層３の屈折率（ｎ２）よりも低い（つまり、ｎ５＜ｎ２である）ことが望ましい。

　したがって、光吸収層３の屈折率（ｎ２）と円偏光板２２の屈折率（ｎ５）との屈折率差をΔｎ２ｎ５とすると、Δｎ２ｎ５は、Δｎ３ｎ２よりも大きい（つまり、Δｎ３ｎ２＜Δｎ２ｎ５である）ことが望ましい。

　なお、上述したようにｎ５＜ｎ２であり、前述したようにｎ２＜ｎ３であることから、Δｎ３ｎ２＜Δｎ２ｎ５は、（ｎ３－ｎ２）＜（ｎ２－ｎ５）と言い換えることができる。

　また、ｎ５＜Δ２であることから、ｎ２、ｎ３、ｎ４、ｎ５は、ｎ４＜ｎ５＜ｎ２＜ｎ３となる。

　低屈折率層２１は、例えば、１．３以上、１．６以下の屈折率（但し、ｎ４＜ｎ５＜ｎ２＜ｎ３）を有していることが好ましい。この理由としては、例えば、汎用的に入手可能な低屈折率樹脂の屈折率は１．３程度であることが挙げられる。また、低屈折率層２１の屈折率（ｎ４）が１．６を超えると、第１電極４から第２電極７までの層の平均屈折率（ｎ３）を１．６以上にする必要があり、機能層６の構成の選択肢が限定されるためである。

　なお、円偏光板２２の屈折率は例えば、１．４以上、１．６以下である。

　図１１に示す発光素子１０５ａと、図１２に示す発光素子１０５ｂと、図１３に示す発光素子１０５ｃと、図１４に示す発光素子１０５ｄとは、以下に示す点を除けば、互いに同じ構成を有している。

　図１１に示す発光素子１０５ａは、低屈折率層２１が、例えば、１．３以上、１．６以下の屈折率（但し、ｎ４＜ｎ５＜ｎ２＜ｎ３）を有する樹脂で形成されている。このような樹脂としては、例えば、アクリル樹脂（代表的な屈折率１．４８～１．５）、ポリエチレン（代表的な屈折率１．５４）、ポリエチレンテレフタレート（代表的な屈折率１．５７～１．５８）、ポリテトラフルオロエチレン（代表的な屈折率１．３５）、フッ素系樹脂（代表的な屈折率１．４０）等が挙げられる。

　図１２に示す発光素子１０５ｂは、低屈折率層２１が、樹脂１２１中に中空ビーズ１２２を複数含有する中空ビーズ含有樹脂で形成されている。中空ビーズ１２２が含有される樹脂１２１の一例としては、例えば、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等が挙げられる。

　なお、中空ビーズ１２２としては、内部が中空のビーズであればよく、低屈折率層２１の平均の屈折率を、低屈折率層２１の屈折率（ｎ４）とすると、ｎ４がｎ４＜ｎ５＜ｎ２＜ｎ３を満足していればよい。このため、上記条件を満足していれば、中空ビーズ１２２の外径および内径並びに樹脂１２１中の中空ビーズ１２２の密度等は、特に限定されない。なお、中空ビーズ１２２の材料の一例としては、例えば、樹脂１２１同様、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等が挙げられる。また、樹脂１２１に中空ビーズ１２２を混合する代わりに、樹脂１２１に気泡を含有させてもよい。

　図１３に示す発光素子１０５ｃは、低屈折率層２１が、例えば、スペーサ１２３と気体層１２４とを有し、発光領域９における低屈折率層２１が気体層１２４で形成されている。

　発光素子１０５ｃでは、例えば、低屈折率層２１を配置すべき位置の周囲に設けられた部材上（例えばエッジカバー５の上方に位置する第２電極７上）にスペーサ１２３を形成し、このスペーサ１２３によって円偏光板２２を保持している。これにより、発光領域９における低屈折率層２１が、第２電極７とスペーサ１２３と円偏光板２２とによって規定された空間として形成されている。

　なお、スペーサ１２３によって図示しない透明基板を保持することで、発光領域９における低屈折率層２１を、第２電極７とスペーサ１２３と上記透明基板とによって規定された空間として形成してもよい。

　発光層６ａの劣化を抑制するために、このような低屈折率層２１は、真空で形成されるか、もしくは不活性ガスまたはドライエア等の気体によって形成されることが好ましい。このように、発光領域９において、低屈折率層２１は、上記空間によって規定された気体層１２４であってもよい。

　この場合、気体層１２４の屈折率を、低屈折率層２１の屈折率（ｎ４）として、ｎ４がｎ４＜ｎ５＜ｎ２＜ｎ３を満足していればよい。

　なお、この場合、スペーサ１２３は、可視光吸収性を有していることが好ましい。スペーサ１２３の材料としては、例えば、エッジカバー５あるいは絶縁層１と同様の理由から、エッジカバー５あるいは絶縁層１と同様の材料を用いることができる。

　図１４に示す発光素子１０５ｄは、低屈折率層２１が中空状に形成されている。この場合、低屈折率層２１の平均屈折率を、低屈折率層２１の屈折率（ｎ４）として、ｎ４がｎ４＜ｎ５＜ｎ２＜ｎ３を満足していればよい。なお、この場合にも、低屈折率層２１に用いられる樹脂の一例としては、例えば、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等が挙げられる。

　次に、一例として、図１１に示す発光素子１０５ａを例に挙げて、発光素子１０５ａにおける発光層６ａから発せられた光２３の経路および発光素子１０５ａに入射した外光２４の経路について説明する。なお、光２３は、単色（第１の色）の可視光である。

　図１１に示すように、発光層６ａから発せられた光２３のうち、全反射角（臨界角）よりも小さな入射角で第２電極７に入射した光２３ａは、第２電極７、低屈折率層２１、および円偏光板２２を通って、発光素子１０５ａの外部に射出される。発光層６ａから発せられた光２３のうち、第１電極４を通って光吸収層３に入射した光２３ｂは、光吸収層３を通って反射層２にて反射される。発光層６ａから発せられた光２３のうち、全反射角（臨界角）以上の入射角で第２電極７に入射した光２３ｃは、第２電極７と低屈折率層２１との界面で全反射され、第２電極７、機能層６、第１電極４、および光吸収層３を通って反射層２にて反射される。

　実施形態１で説明したように、光吸収層３は、少なくとも発光層６ａから発せられた色（第１の色)の可視光の最大発光輝度波長の光の透過率が、上記第１の色の可視光以外の少なくとも一部の可視光の透過率よりも高い。本実施形態において反射層２で反射された光２３ｂおよび光２３ｃは、光吸収層３、第１電極４、機能層６、第２電極７、低屈折率層２１、および円偏光板２２を通って、発光素子１０５ａの外部に射出される。このように、発光素子１０５ａは、発光層６ａから発せられる光２３ｂおよび光２３ｃを反射層２で反射させて外部に取り出すことができる。したがって、発光素子１０５ａは、光２３ａ～光２３ｃを、それぞれ発光素子１０５ａの外部に取り出すことができるため、光取り出し効率を向上させることができる。

　また、本実施形態でも、光吸収層３では、少なくとも、発光層６ａから発せられる、特定の発光色（第１の色）の最大発光輝度波長の光の透過率が、上記第１の色の可視光以外の少なくとも一部の可視光の透過率よりも高い。このため、発光素子１０５ａによれば、色純度を高めることができる。

　一方、外光２４は、円偏光板２２、低屈折率層２１、第２電極７、機能層６、および第１電極４を通って光吸収層３に入射する。本実施形態でも、光吸収層３に入射した外光２４のうち、上記第１の色の波長領域を含む、光吸収層３を透過する波長領域の可視光を除く波長の可視光は、光吸収層３で吸収される。そして、このとき、反射層２における、傾斜した内壁面１３（斜面部）やエッジ部で反射された外光２４の多くを、光吸収層３で吸収させることができる。このため、発光素子１０５ａでも、反射層２による外光２４の反射を抑制することができ、外光２４の正反射方向および正反射方向以外の方向でのコントラストを、ともに改善することができる。このため、発光素子１０５ａによれば、明室コントラストをより向上させることができるとともに、外光下でも、表示品位を保ちながら、反射層２で、発光層６ａから発せられる光２３を正面方向により多く取り出すことができる。したがって、発光素子１０５ａによれば、正面輝度を高く保つことができ、より明るい表示が可能となる。

　また、本実施形態によれば、第２電極７における、機能層６とは反対側に、低屈折率層２１を介して円偏光板２２が設けられていることで、光吸収層３で吸収されなかった、各層の界面や反射層２による外光２４の反射を効率的に吸収することができる。このため、外光下でのコントラストをより向上させることができる。

　なお、図１２～図１４に示すように、発光素子１０５ｂ～発光素子１０５ｄにおける発光層６ａから発せられた光２３の経路および発光素子１０５ａに入射した外光２４の経路は、図１１に示す発光素子１０５ａと同じである。このため、発光素子１０５ｂ～発光素子１０５ｄも、発光素子１０５ａと同様の効果を得ることができる。

　なお、これら絶縁層１～第２電極７の構成は、発光素子１０１、発光素子１０１’、発光素子１０２ａ、発光素子１０２ｂ、発光素子１０３ａ、発光素子１０３ｂ、発光素子１０３ｂ’、および発光素子１０４の何れかと同じであってもよい。すなわち、発光素子１０１、発光素子１０１’、発光素子１０２ａ、発光素子１０２ｂ、発光素子１０３ａ、発光素子１０３ｂ、発光素子１０３ｂ’、および発光素子１０４のそれぞれに、低屈折率層２１および円偏光板２２が設けられる構成であってもよい。

　〔実施形態７〕
　以下では、本実施形態に係る発光デバイスとして、複数の画素を備えた表示装置を例に挙げて説明する。

　図１５は、本実施形態に係る表示装置１１１の概略構成を示すブロック図である。なお、図示の便宜上、図１５においては、図１５を参照した説明に関連しない部材の図示を省略している。

　表示装置１１１は、画素として、第１の画素２５Ｂと、第２の画素２５Ｇと、第３の画素２５Ｒと、を備えている。

　第１の画素２５Ｂは、青色光を発する青色画素である。第２の画素２５Ｇは、緑色光を発する緑色画素である。第３の画素２５Ｒは、赤色光を発する赤色画素である。

　第１の画素２５Ｂには、第１の発光素子１０６Ｂが設けられている。第１の画素２５Ｂには、第１の発光素子１０６Ｂが設けられている。第２の画素２５Ｇには、第２の発光素子１０６Ｇが設けられている。第３の画素２５Ｒには、第３の発光素子１０６Ｒが設けられている。

　第１の発光素子１０６Ｂ、第２の発光素子１０６Ｇ、および第３の発光素子１０６Ｒには、先の各実施形態に記載した何れの発光素子を用いてもよい。例えば、第１の発光素子１０６Ｂ、第２の発光素子１０６Ｇ、および第３の発光素子１０６Ｒは、それぞれ、発光素子１０１であってもよく、発光素子１０１’、発光素子１０２ａ、発光素子１０２ｂ、発光素子１０３ａ、発光素子１０３ｂ、発光素子１０３ｂ’発光素子１０４、発光素子１０５ａ、発光素子１０５ｂ、発光素子１０５ｃ、発光素子１０５ｄ、または発光素子１０５ｅであってもよい。

　第１の発光素子１０６Ｂは、前述した発光層６ａとして、第１の発光層２６Ｂを備えている。また、第１の発光素子１０６Ｂは、前述した光吸収層３として、第１の光吸収層２７Ｂを備えている。第１の発光素子１０６Ｂは、第１の発光層２６Ｂから第１の色の可視光として上記青光色を発する青色発光素子である。

　第２の発光素子１０６Ｇは、前述した発光層６ａとして、第２の発光層２６Ｇを備えている。また、第２の発光素子１０６Ｇは、前述した光吸収層３として、第２の光吸収層２７Ｇを備えている。第２の発光素子１０６Ｇは、第２の発光層２６Ｇから第１の色の可視光として上記緑光色を発する緑色発光素子である。

　第３の発光素子１０６Ｒは、前述した発光層６ａとして、第３の発光層２６Ｒを備えている。また、第３の発光素子１０６Ｒは、前述した光吸収層３として、第３の光吸収層２７Ｒを備えている。第３の発光素子１０６Ｒは、第３の発光層２６Ｒから第１の色の可視光として上記赤光色を発する赤色発光素子である。

　第１の発光素子１０６Ｂにおける第１の光吸収層２７Ｂは、上記青色光の最大発光輝度波長の光の透過率が、上記青色光以外の可視光の透過率よりも高い。また、第２の発光素子１０６Ｇにおける第２の光吸収層２７Ｇは、上記緑色光の最大発光輝度波長の光の透過率が、上記緑色光以外の可視光の透過率よりも高い。第３の発光素子１０６Ｒにおける第３の光吸収層２７Ｒは、上記赤色光の最大発光輝度波長の光の透過率が、上記赤色光以外の可視光の透過率よりも高い。

　図１６は、第１の光吸収層２７Ｂの可視光最大透過波長および可視光最大吸収波長、第２の光吸収層２７Ｇの可視光最大透過波長および可視光最大吸収波長、並びに第３の光吸収層２７Ｒの可視光最大透過波長および可視光最大吸収波長を示す図である。

　図１６に示すように、第１の光吸収層２７Ｂは、４４０ｎｍ以上、４８０ｎｍ以下の波長帯域に可視光最大透過波長を有し、４８０ｎｍを超える波長帯域に可視光最大吸収波長を有している。このため、第１の発光素子１０６Ｂは、青色の光を透過し、緑色の光および赤色の光を吸収する。

　また、第２の光吸収層２７Ｇは、５３０ｎｍ以上、５６０ｎｍ以下の波長帯域に可視光最大透過波長を有し、５３０ｎｍ未満および５６０ｎｍを超える波長帯域にそれぞれ可視光最大吸収波長を有している。このため、第２の発光素子１０６Ｇは、緑色の光を透過し、青色の光および赤色の光を吸収する。

　また、第３の光吸収層２７Ｒは、６１０ｎｍ以上、６４０ｎｍ以下の波長帯域に可視光最大透過波長を有し、６１０ｎｍ未満の波長帯域にそれぞれ可視光最大吸収波長を有している。このため、第３の発光素子１０６Ｒは、赤色の光を透過し、青色の光および緑色の光を吸収する。

　なお、図１６中、「４４０～４８０」は、４４０以上、４８０以下を示し、「４８０～」は、４８０よりも大きいことを示す。「５３０～５６０」は、５３０以上、５６０以下を示し、「～５３０」は、５３０よりも小さいことを示し、「５６０～」は、５６０よりも大きいことを示す。「６１０～６４０」は、６１０以上、６４０以下を示し、「～６１０」は、６１０よりも小さいことを示す。

　このように、表示装置１１１は、第１の光吸収層２７Ｂの可視光最大透過波長と、第２の光吸収層２７Ｇの可視光最大透過波長と、第３の光吸収層２７Ｒの可視光最大透過波長とが互いに異なっている。このため、表示装置１１１では、第１の画素２５Ｂと第２の画素２５Ｇと第３の画素２５Ｒとで、それぞれの画素における光吸収層３の可視光最大透過波長が異なるため、全波長の可視光のうち、略２／３の波長帯域の可視光を吸収することができる。つまり、表示装置１１１では、全画素において、反射層２で反射された外光１０または外光２４の例えば略２／３を吸収することができる。このため、本実施形態によれば、従来よりもコントラストが高い光を発する表示装置１１１を実現することができる。

　〔実施形態８〕
　本実施形態でも、発光デバイスとして、複数の画素を備えた表示装置を例に挙げて説明する。

　図１７は、本実施形態に係る表示装置１１２の概略構成を示すブロック図である。なお、図示の便宜上、図１７でも、図１７を参照した説明に関連しない部材の図示を省略している。

　表示装置１１２における表示装置１１１との相違点は、以下の通りであり、以下の点を除けば、表示装置１１２は、表示装置１１１と同じ構成を有している。

　表示装置１１２では、第１の画素２５Ｂに、第１の発光素子１０６Ｂに代えて第１の発光素子１０７Ｂが設けられている。第２の画素２５Ｇには、第２の発光素子１０６Ｇに代えて第２の発光素子１０７Ｇが設けられている。第３の画素２５Ｒには、第３の発光素子１０６Ｒに代えて第３の発光素子１０７Ｒが設けられている。

　第１の発光素子１０７Ｂは、第１の発光素子１０６Ｂ同様、第１の発光層２６Ｂから第１の色の可視光として青光色を発する青色発光素子である。第２の発光素子１０７Ｇは、第２の発光素子１０６Ｇ同様、第２の発光層２６Ｇから第１の色の可視光として緑光色を発する緑色発光素子である。第３の発光素子１０７Ｒは、第３の発光素子１０６Ｒ同様、第３の発光層２６Ｒから第１の色の可視光として赤光色を発する赤色発光素子である。

　第１の発光素子１０７Ｂは、前述した光吸収層３として、第１の光吸収層２７Ｂに代えて、第１の光吸収層（つまり、第１の発光素子の光吸収層）として機能する光吸収層２７を備えている。第２の発光素子１０７Ｇは、前述した光吸収層３として、第２の光吸収層２７Ｇに代えて、第２の光吸収層（つまり、第２の発光素子の光吸収層）として機能する光吸収層２８を備えている。第３の発光素子１０７Ｒは、前述した光吸収層３として、第３の光吸収層２７Ｒに代えて、第３の光吸収層（つまり、第３の発光素子の光吸収層）として機能する光吸収層２７を備えている。

　第１の発光素子１０７Ｂおよび第３の発光素子１０７Ｒにおける光吸収層２７は、上記青色光の最大発光輝度波長の光の透過率および上記赤色光の最大発光輝度波長の光の透過率が、上記赤色光および上記青色光以外の可視光の透過率よりも高い。また、第２の発光素子１０７Ｇにおける光吸収層２８は、上記緑色光の最大発光輝度波長の光の透過率が、上記緑色光以外の可視光の透過率よりも高い。

　図１８は、第１の光吸収層および第３の光吸収層としての光吸収層２７の可視光最大透過波長および可視光最大吸収波長、並びに、第２の光吸収層としての光吸収層２８の可視光最大透過波長および可視光最大吸収波長を示す図である。

　図１８に示すように、第１の光吸収層および第３の光吸収層としての光吸収層２７は、４４０ｎｍ以上、４８０ｎｍ以下の波長帯域および６１０ｎｍ以上、６４０ｎｍ以下の波長帯域に可視光最大透過波長を有し、５３０ｎｍ以上、５６０ｎｍ以下の波長帯域に可視光最大吸収波長を有している。このため、第１の発光素子１０７Ｂおよび第３の発光素子１０７Ｒは、青色の光および赤色の光を透過し、緑色の光を吸収する。

　また、第２の光吸収層としての光吸収層２８は、第２の光吸収層２７Ｇ同様、５３０ｎｍ以上、５６０ｎｍ以下の波長帯域に可視光最大透過波長を有し、５３０ｎｍ未満および５６０ｎｍを超える波長帯域にそれぞれ可視光最大吸収波長を有している。このため、第２の発光素子１０６Ｇは、緑色の光を透過し、青色の光および赤色の光を吸収する。

　なお、図１８でも、「４４０～４８０」は、４４０以上、４８０以下を示し、「６１０～６４０」は、６１０以上、６４０以下を示し、「５３０～５６０」は、５３０以上、５６０以下を示す。また、「～５３０」は、５３０よりも小さいことを示し、「５６０～」は、５６０よりも大きいことを示す。

　このように、表示装置１１２は、第１の発光素子１０７Ｂおよび第３の発光素子１０７Ｒに、光吸収層３として、赤色の光および青色の光を透過し、視感度の高い緑色の光のみを吸収する光吸収層２７をそれぞれ設けている。

　このため、表示装置１１２によれば、第１の発光素子１０７Ｂおよび第３の発光素子１０７Ｒに、光吸収層３として上記光吸収層２７を同時に形成することができるので、光吸収層３のパターニング回数を例えば２回に減らすことができる。

　また、表示装置１１２は、第１の画素２５Ｂおよび第３の画素２５Ｒでは、全波長の可視光のうち、略１／３の波長帯域の可視光を吸収することができ、第２の画素２５Ｇでは、全波長の可視光のうち、略２／３の波長帯域の可視光を吸収することができる。つまり、第１の画素２５Ｂおよび第３の画素２５Ｒでは、反射層２で反射された外光１０または外光２４の例えば略１／３が吸収される一方、第２の画素２５Ｇでは、反射層２で反射された外光１０または外光２４の例えば略４／９（具体的には、赤色光１／９、緑色光２／９、青色光１／９）が吸収される。このため、本実施形態によれば、従来よりもコントラストが高い光を発する表示装置１１２を実現することができる。

　（変形例１）
　図１９は、本変形例に係る表示装置１１２における、第１の光吸収層および第３の光吸収層としての光吸収層２７の可視光最大透過波長および可視光最大吸収波長、並びに、第２の光吸収層としての光吸収層２８の可視光最大透過波長および可視光最大吸収波長を示す図である。

　図１９に示すように、例えば、第２の光吸収層としての光吸収層２８は、光の吸収を実質的に無視できるものであってもよい。

　この場合、第２の画素２５Ｇでは、反射層２で反射された外光１０または外光２４を実質的に吸収することはできないものの、第２の画素２５Ｇでは、反射層２で反射された外光１０または外光２４の例えば略２／９を吸収することができる。

　（変形例２）
　上記実施形態７～８では、本開示に係る発光デバイスが表示装置である場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本開示に係る発光デバイスは、これに限定されるものではなく、例えば、照明装置であってもよく、発光素子であってもよい。

　〔まとめ〕
　本開示の態様１に係る発光素子は、反射層、光吸収層、可視光透過性を有する第１電極、第１の色の可視光を発する発光層を少なくとも有する機能層、および可視光透過性を有する第２電極を、この順に備えた発光素子であって、上記光吸収層は、上記第１の色の可視光の少なくとも一部を透過するとともに、上記第１の色の可視光以外の少なくとも一部の可視光を吸収し、上記反射層と上記第１電極とにそれぞれ隣接して設けられており、かつ、当該発光素子の発光領域における上記反射層全体を覆っている。

　上記態様によれば、上記発光層から発せられる第１の色の可視光を上記反射層で反射させて外部に取り出すことができ、光取り出し効率を向上させることができる。一方、上記態様によれば、上記反射層で反射された外光の少なくとも一部を上記光吸収層で吸収させることができるので、外光反射を抑制することができる。このため、上記態様によれば、正反射方向でのコントラストを改善することができ、外光下でも表示品位を保つことができる発光素子を提供することができる。

　本開示の態様２に係る発光素子は、上記態様１において、上記第１の色の可視光の発光スペクトルの半値全幅は、５０ｎｍ以下である。

　上記態様によれば、光吸収層での吸収が少なくなり、より明るい表示が可能となる。可視光域の波長範囲４００ｎｍ～７００ｎｍを大まかに赤色、緑色、および青色に分けると、各色に対応する波長幅は１００ｎｍ程度となる。発光層から発せられる光の半値全幅を各色に対応する波長幅の半分以下にすると、光吸収層における、発光層から発せられる光の透過と外光の吸収とのバランスがとり易い。

　本開示の態様３に係る発光素子は、上記態様１または２において、上記第１電極における、上記光吸収層とは反対側に、上記第１電極のエッジ部を覆うエッジカバーを備え、上記エッジカバーは、可視光吸収性を有しており、上記反射層における上記発光領域以外の部分が、上記エッジカバーで、直接または間接的に覆われている。

　上記態様によれば、上記反射層における上記発光領域以外の部分の外光反射を抑制することができる。

　本開示の態様４に係る発光素子は、上記態様１～３の何れかにおいて、上記発光領域における上記第１電極から上記第２電極までの層の平均屈折率よりも低い屈折率を有する低屈折率層が、上記第２電極における上記機能層とは反対側の面に隣接して設けられており、上記発光領域における上記第１電極から上記第２電極までの層の平均屈折率と上記低屈折率層の屈折率との屈折率差が、上記発光領域における上記第１電極から上記第２電極までの層の平均屈折率と上記光吸収層の屈折率との屈折率差よりも大きい。

　上記態様によれば、上記屈折率差によって、上記発光層から発せられる光のうち全反射角（臨界角）以上の角度（入射角）で、斜め方向から上記低屈折率層に入射した光を全反射させて上記光吸収層に導き、上記反射層で反射させて、外部に取り出すことができる。このため、外部への光取り出し効率を向上させることができる。また、全反射角以下の角度での界面反射率も、上記機能層と上記光吸収層との界面の方が、上記機能層と上記低屈折率層との界面よりも小さくなり、上記機能層内で発せられた光を上記光吸収層に優先的に導くことが可能となる。

　本開示の態様５に係る発光素子は、上記態様４において、上記低屈折率層が、１．３以上、１．６以下の屈折率を有する樹脂からなる。

　汎用的に入手可能な低屈折率樹脂の屈折率は１．３程度であり、１．６以上になると、上記第１電極から上記第２電極までの層の平均屈折率を１．６以上にする必要があり、機能層の選択肢が限定される。

　本開示の態様６に係る発光素子は、上記態様４において、上記低屈折率層が、中空のビーズを複数含有する中空ビーズ含有樹脂からなる。

　本開示の態様７に係る発光素子は、上記態様４において、上記低屈折率層が、中空もしくは気体層である。

　本開示の態様８に係る発光素子は、上記態様４～７の何れかにおいて、上記第２電極における、上記機能層とは反対側に、上記低屈折率層を介して円偏光板が設けられている。

　上記の構成によれば、上記光吸収層で吸収されなかった、各層の界面や上記反射層による外光反射を効率的に吸収し、外光下でのコントラストをより向上させることができる。

　本開示の態様９に係る発光素子は、上記態様１～８の何れかにおいて、上記反射層は、上記発光領域に、傾斜した内壁面を有する凹部を少なくとも１つ有している。

　上記態様によれば、上記構造を有する反射層が設けられていることで、導波損失を防ぎ、上記発光素子の正面方向への光取り出し効率をより向上させることができる。また、上記光吸収層が設けられていない場合、上記構造を有する反射層を形成すると、上記反射層における、傾斜した上記内壁面（斜面部）やエッジ部で外光が散乱反射され、外光による正反射方向でのコントラストの低下に加え、外光の正反射方向以外でのコントラストも低下する。しかしながら、上記態様によれば、上記反射層における、傾斜した上記内壁面（斜面部）やエッジ部で反射された外光も上記光吸収層で吸収させることができるので、上記発光素子の正反射方向以外でのコントラストも改善することができる。したがって、上記態様によれば、明室コントラストをより向上させることができるとともに、外光下でも、表示品位を保ちながら、上記反射層で、上記発光層から発せられる光を正面方向により多く取り出すことができる。したがって、上記態様によれば、上記発光素子の正面輝度を高く保つことができ、より明るい表示が可能となる。

　本開示の態様１０に係る発光素子は、上記態様９において、上記発光領域における、上記反射層の上記凹部を覆う部分の上記光吸収層の厚みが、上記発光領域における上記反射層の上記凹部以外の部分を覆う上記光吸収層の厚みよりも大きい。

　上記態様によれば、上記反射層の上記凹部における、傾斜した上記内壁面（斜面部）やエッジ部で反射された外光を上記光吸収層でより確実に吸収することができるとともに、上記凹部における上記光吸収層を厚膜化することができるので、上記光吸収層を、より剥がれ難くすることができる。

　本開示の態様１１に係る発光素子は、上記態様９または１０において、上記反射層における、上記光吸収層とは反対側に、傾斜した内壁面を有する凹部を上記発光領域に少なくとも１つ有する第１の絶縁層を備え、上記反射層は、上記第１の絶縁層における上記凹部の上記内壁面の少なくとも一部を覆うように、少なくとも上記発光領域における、上記第１の絶縁層の表面の少なくとも一部に沿って設けられている。

　上記態様によれば、傾斜した内壁面を有する凹部を有する第１の絶縁層上に、該第１の絶縁層の表面の少なくとも一部に沿って上記反射層を形成することで、傾斜した内壁面を有する凹部を有する反射層を、容易に形成することができる。

　本開示の態様１２に係る発光素子は、上記態様１１において、上記第１の絶縁層は、上記発光領域に、上記凹部を複数有しており、上記反射層は、少なくとも、上記発光領域における、上記第１の絶縁層に設けられた複数の上記凹部の上記内壁面全体を覆っている。

　上記態様によれば、傾斜した反射面を複数有し、正面方向への光取り出し効率をより一層向上させることができる発光素子を提供することができる。

　本開示の態様１３に係る発光素子は、上記態様１１において、上記発光領域において、上記反射層は、上記第１の絶縁層に設けられた上記凹部の上記内壁面の一部を覆っている。

　上記の構成によれば、上記発光領域において、上記反射層が、上記第１の絶縁層に設けられた上記凹部の上記内壁面の一部を覆う、傾斜した内壁面を有する凹部を有していることで、外光の反射面積が小さくなり、外光下でのコントラストを向上させることができる。

　本開示の態様１４に係る発光素子は、上記態様１３において、上記第１電極は、平面視で反射層と重畳する部分にのみ形成されている。

　上記態様によれば、上記反射層が設けられていない部分では光取り出し効率が低いので、光取り出し効率が低い部分での上記第１電極の形成は行わず、材料費を抑えて安価な構成にするとともに、上記第１電極が形成されている部分の光取り出し効率を向上させることができる。

　本開示の態様１５に係る発光素子は、上記態様１２または１３において、平面視で上記凹部と重畳しない領域における、上記第１電極と上記第２電極との間に、第２の絶縁層が設けられている。

　上記態様によれば、平面視で上記凹部と重畳しない領域における、上記第１電極と上記第２電極との間に、第２の絶縁層が設けて、光取り出し効率の高い領域のみを通電領域にすることで、消費電力を抑制することができる。

　本開示の態様１６に係る発光素子は、上記態様１３または１４において、上記光吸収層の屈折率が、上記第１の絶縁層の屈折率よりも高い。

　上記態様によれば、上記光吸収層を介して、全反射角（臨界角）以上の角度（入射角）で斜め方向から上記低屈折率層に入射した光を上記第１の絶縁層で全反射させることができるので、外部への光取り出し効率をより向上させることができる。

　本開示の態様１７に係る発光素子は、上記態様１６において、上記発光領域における上記第１電極から上記第２電極までの層の平均屈折率が、上記第１の絶縁層の屈折率よりも高い。

　上記態様によれば、上記光吸収層を介して、全反射角（臨界角）以上の角度（入射角）で斜め方向から上記低屈折率層に入射した光が、上記機能層を透過して外部に出射され易く、外部への光取り出し効率をより向上させることができる。

　本開示の態様１８に係る発光素子は、上記態様１１～１７の何れかにおいて、上記第１の絶縁層が、可視光吸収性を有する。

　上記態様によれば、上記第１の絶縁層でも外光反射を抑制することができるので、外光下でのコントラストをより改善することができる。

　本開示の態様１９に係る発光素子は、上記態様１１～１８の何れかにおいて、上記第１の絶縁層の凹部が、少なくともライン状に形成された部分を有している。

　上記態様によれば、光吸収層を構成する材料の塗布が容易で、反射層のエッジを確実に被覆することができる。また、上記反射層が設けられた上記第１の絶縁層の凹部を覆う、上記光吸収層の厚膜部が連続して形成されることで、上記光吸収層が剥がれ難い。

　本開示の態様２０に係る発光素子は、上記態様１～１９の何れかにおいて、上記光吸収層は、上記第１の色の可視光の最大発光輝度波長の光の透過率が、上記第１の色の可視光以外の少なくとも一部の可視光の透過率よりも高い。

　上記態様によれば、少なくとも上記第１の色の可視光の最大発光輝度波長が、上記光吸収層の可視光最大透過波長となる。また、上記態様によれば、上記反射層で反射された外光の多くを上記光吸収層で吸収させて、外光反射を抑制することができる。

　本開示の態様２１に係る発光素子は、上記態様１～２０の何れかにおいて、上記発光層は、上記第１の色の可視光を発する量子ドットを含む。

　上記態様によれば、上記発光素子として、正反射方向でのコントラストを改善することができ、外光下でも表示品位を保つことができる量子ドット発光ダイオードを提供することができる。

　本開示の態様２２に係る発光デバイスは、上記態様１～２１の何れかの発光素子を複数備えている。

　上記態様によれば、正反射方向でのコントラストを改善することができ、外光下でも表示品位を保つことができる発光デバイスを提供することができる。

　本開示の態様２３に係る発光デバイスは、上記態様２２において、複数の上記発光素子は、上記第１の色の可視光として赤色光を発する赤色発光素子と、上記第１の色の可視光として緑色光を発する緑色発光素子と、上記第１の色の可視光として青色光を発する青色発光素子と、を含み、上記赤色発光素子の光吸収層および上記青色発光素子の光吸収層は、上記赤色光の最大発光輝度波長の光の透過率および上記青色光の最大発光輝度波長の光の透過率が、上記赤色光および上記青色光以外の可視光の透過率よりも高い。

　上記態様によれば、上記赤色発光素子の光吸収層と上記青色発光素子の光吸収層とを同時に形成することができるので、光吸収層のパターニング回数を例えば２回に減らすことができる。また、上記赤色発光素子および上記青色発光素子では外光の例えば略１／３を吸収することができ、上記緑色発光素子では外光の例えば略２／３を吸収することができる。

　本開示の態様２４に係る発光デバイスは、上記態様２２において、複数の上記発光素子は、上記第１の色の可視光として赤色光を発する赤色発光素子と、上記第１の色の可視光として緑色光を発する緑色発光素子と、上記第１の色の可視光として青色光を発する青色発光素子と、を含み、上記赤色発光素子の光吸収層は、上記赤色光の最大発光輝度波長の光の透過率が、上記赤色光以外の可視光の透過率よりも高く、上記緑色発光素子の光吸収層は、上記緑色光の最大発光輝度波長の光の透過率が、上記緑色光以外の可視光の透過率よりも高く、上記青色発光素子の光吸収層は、上記青色光の最大発光輝度波長の光の透過率が、上記青色光以外の可視光の透過率よりも高い。

　上記態様によれば、上記青色発光素子、上記緑色発光素子、上記赤色発光素子のそれぞれで、全波長域で外光の例えば略２／３を吸収することができる。

　本開示は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本開示の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。

　１　　絶縁層（第１の絶縁層）
　２　　反射層
　３、２７、２８　　光吸収層
　４　　第１電極
　５　　エッジカバー
　６　　機能層
　６ａ　発光層
　６ｂ　絶縁層（第２の絶縁層）
　７　　第２電極
　８、８ａ、８ｂ、２３、２３ａ、２３ｂ、２３ｃ　　光
　９　　発光領域
　１０、２４　　外光
　１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂ、１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂ　　発光スペクトル
　１１ＢＦ、１２ＲＦ　　半値全幅
　１３、１５　　内壁面
　１４、１６　　凹部
　１７　　頂部
　１８ａ、１８ｂ、１８ｃ、１８ｄ、１８ｅ　　絶縁層構造
　１９　　線状部
　２０　　基板
　２１　　低屈折率層
　２２　　円偏光板
　２５Ｂ　　第１の画素
　２５Ｇ　　第２の画素
　２５Ｒ　　第３の画素
　２６Ｂ　　第１の発光層
　２６Ｇ　　第２の発光層
　２６Ｒ　　第３の発光層
　２７Ｂ　　第１の光吸収層
　２７Ｇ　　第２の光吸収層
　２７Ｒ　　第３の光吸収層
　１０１、１０１’、１０２ａ、１０２ｂ、１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｂ’、１０４、１０５　　発光素子
　１０６Ｂ、１０７Ｂ　　第１の発光素子
　１０６Ｇ、１０７Ｇ　　第２の発光素子
　１０６Ｒ、１０７Ｒ　　第３の発光素子
　１１１、１１２　　表示装置（発光デバイス）
　１２１　　樹脂
　１２２　　中空ビーズ
　１２４　　気体層
　ｔａ、ｔｂ　　厚み

Claims

　反射層、光吸収層、可視光透過性を有する第１電極、第１の色の可視光を発する発光層を少なくとも有する機能層、および可視光透過性を有する第２電極を、この順に備えた発光素子であって、
　上記光吸収層は、
　　上記第１の色の可視光の少なくとも一部を透過するとともに、上記第１の色の可視光以外の少なくとも一部の可視光を吸収し、
　　上記反射層と上記第１電極とにそれぞれ隣接して設けられており、かつ、
　　当該発光素子の発光領域における上記反射層全体を覆っていることを特徴とする発光素子。
　上記第１の色の可視光の発光スペクトルの半値全幅は、５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
　上記第１電極における、上記光吸収層とは反対側に、上記第１電極のエッジ部を覆うエッジカバーを備え、
　上記エッジカバーは、可視光吸収性を有しており、
　上記反射層における上記発光領域以外の部分が、上記エッジカバーで、直接または間接的に覆われていることを特徴とする請求項１または２に記載の発光素子。
　上記発光領域における上記第１電極から上記第２電極までの層の平均屈折率よりも低い屈折率を有する低屈折率層が、上記第２電極における上記機能層とは反対側の面に隣接して設けられており、
　上記発光領域における上記第１電極から上記第２電極までの層の平均屈折率と上記低屈折率層の屈折率との屈折率差が、上記発光領域における上記第１電極から上記第２電極までの層の平均屈折率と上記光吸収層の屈折率との屈折率差よりも大きいことを特徴とする請求項１～３の何れか１項に記載の発光素子。
　上記低屈折率層が、１．３以上、１．６以下の屈折率を有する樹脂からなることを特徴とする請求項４に記載の発光素子。
　上記低屈折率層が、中空のビーズを複数含有する中空ビーズ含有樹脂からなることを特徴とする請求項４に記載の発光素子。
　上記低屈折率層が、中空もしくは気体層であることを特徴とする請求項４に記載の発光素子。
　上記第２電極における、上記機能層とは反対側に、上記低屈折率層を介して円偏光板が設けられていることを特徴とする請求項４～７の何れか１項に記載の発光素子。
　上記反射層は、上記発光領域に、傾斜した内壁面を有する凹部を少なくとも１つ有していることを特徴とする請求項１～８の何れか１項に記載の発光素子。
　上記発光領域における、上記反射層の上記凹部を覆う部分の上記光吸収層の厚みが、上記発光領域における上記反射層の上記凹部以外の部分を覆う上記光吸収層の厚みよりも大きいことを特徴とする請求項９に記載の発光素子。
　上記反射層における、上記光吸収層とは反対側に、傾斜した内壁面を有する凹部を上記発光領域に少なくとも１つ有する第１の絶縁層を備え、
　上記反射層は、上記第１の絶縁層における上記凹部の上記内壁面の少なくとも一部を覆うように、少なくとも上記発光領域における、上記第１の絶縁層の表面の少なくとも一部に沿って設けられていることを特徴とする請求項９または１０に記載の発光素子。
　上記第１の絶縁層は、上記発光領域に、上記凹部を複数有しており、
　上記反射層は、少なくとも、上記発光領域における、上記第１の絶縁層に設けられた複数の上記凹部の上記内壁面全体を覆っていることを特徴とする請求項１１に記載の発光素子。
　上記発光領域において、上記反射層は、上記第１の絶縁層に設けられた上記凹部の上記内壁面の一部を覆っていることを特徴とする請求項１１に記載の発光素子。
　上記第１電極は、平面視で反射層と重畳する部分にのみ形成されていることを特徴とする請求項１３に記載の発光素子。
　平面視で上記凹部と重畳しない領域における、上記第１電極と上記第２電極との間に、第２の絶縁層が設けられていることを特徴とする請求項１２または１３に記載の発光素子。
　上記光吸収層の屈折率が、上記第１の絶縁層の屈折率よりも高いことを特徴とする請求項１３または１４に記載の発光素子。
　上記発光領域における上記第１電極から上記第２電極までの層の平均屈折率が、上記第１の絶縁層の屈折率よりも高いことを特徴とする請求項１６に記載の発光素子。
　上記第１の絶縁層が、可視光吸収性を有することを特徴とする請求項１１～１７の何れか１項に記載の発光素子。
　上記第１の絶縁層の凹部が、少なくともライン状に形成された部分を有していることを特徴とする請求項１１～１８の何れか１項に記載の発光素子。
　上記光吸収層は、上記第１の色の可視光の最大発光輝度波長の光の透過率が、上記第１の色の可視光以外の少なくとも一部の可視光の透過率よりも高い請求項１～１９の何れか１項に記載の発光素子。
　上記発光層は、上記第１の色の可視光を発する量子ドットを含むことを特徴とする請求項１～２０の何れか１項に記載の発光素子。
　請求項１～２１の何れか１項に記載の発光素子を複数備えていることを特徴とする発光デバイス。
　複数の上記発光素子は、
　　上記第１の色の可視光として赤色光を発する赤色発光素子と、
　　上記第１の色の可視光として緑色光を発する緑色発光素子と、
　　上記第１の色の可視光として青色光を発する青色発光素子と、を含み、
　上記赤色発光素子の光吸収層および上記青色発光素子の光吸収層は、上記赤色光の最大発光輝度波長の光の透過率および上記青色光の最大発光輝度波長の光の透過率が、上記赤色光および上記青色光以外の可視光の透過率よりも高いことを特徴とする請求項２２に記載の発光デバイス。
　複数の上記発光素子は、
　　上記第１の色の可視光として赤色光を発する赤色発光素子と、
　　上記第１の色の可視光として緑色光を発する緑色発光素子と、
　　上記第１の色の可視光として青色光を発する青色発光素子と、を含み、
　上記赤色発光素子の光吸収層は、上記赤色光の最大発光輝度波長の光の透過率が、上記赤色光以外の可視光の透過率よりも高く、
　上記緑色発光素子の光吸収層は、上記緑色光の最大発光輝度波長の光の透過率が、上記緑色光以外の可視光の透過率よりも高く、
　上記青色発光素子の光吸収層は、上記青色光の最大発光輝度波長の光の透過率が、上記青色光以外の可視光の透過率よりも高いことを特徴とする請求項２２に記載の発光デバイス。