WO2023011922A1 - Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements - Google Patents

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WO2023011922A1
WO2023011922A1 PCT/EP2022/070343 EP2022070343W WO2023011922A1 WO 2023011922 A1 WO2023011922 A1 WO 2023011922A1 EP 2022070343 W EP2022070343 W EP 2022070343W WO 2023011922 A1 WO2023011922 A1 WO 2023011922A1
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functional material
component
source carrier
radiation
chip
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PCT/EP2022/070343
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Daniel Leisen
Ingo Neudecker
Herbert Brunner
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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    • H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package

Definitions

  • a method for producing an optoelectronic component is specified.
  • One problem to be solved is to specify a method for producing an optoelectronic component that is particularly versatile.
  • At least one component of the optoelectronic component is initially provided.
  • the component can be, for example, a connection carrier such as a printed circuit board or a leadframe. It can also be a housing. It can also be an optoelectronic semiconductor chip, which can be formed for example by a radiation-emitting semiconductor chip such as a light-emitting diode chip or a laser diode chip or by a radiation-receiving semiconductor chip such as a photodiode chip. Furthermore, the component can be, for example, an encapsulation for such a semiconductor chip, which encapsulates the semiconductor chip at least in places in a form-fitting manner.
  • At least one component is provided in the method. It is also possible that two or more components are provided and the following Processing steps then take place on one or more of the components provided.
  • a source carrier which has an underside provided with a functional material.
  • the functional material is a material that takes on a function in the optoelectronic component to be produced.
  • the functional material can be, for example, an optically functional material that takes on an optical function in the component.
  • the functional material can be a radiation-reflecting material, for example.
  • the radiation-reflecting material can be set up to reflect, in particular, visible light.
  • the radiation-reflecting material can have a reflectivity of at least 85% for electromagnetic radiation from the visible range.
  • the radiation-reflecting material can be set up to reflect electromagnetic radiation and/or ambient light generated or to be received in the optoelectronic component during operation.
  • the radiation-reflecting material comprises a matrix material into which radiation-scattering or radiation-reflecting particles, which can be formed with titanium dioxide, for example, are introduced. The functional material can then appear white.
  • the functional material can be a radiation-absorbing material.
  • the radiation absorbing material it can be a material that absorbs at least 85% of visible light.
  • the radiation-absorbing material can be set up to absorb ambient light and/or light generated or to be received in the optoelectronic component.
  • the radiation-absorbing material can in particular have a black color and be formed with a matrix material into which radiation-absorbing particles such as carbon black are introduced.
  • the functional material can be a radiation-scattering material that is designed to scatter electromagnetic radiation, in particular visible light.
  • the radiation-scattering material can be set up, for example, to scatter ambient light and/or light generated or to be received in the optoelectronic component.
  • the functional material can comprise a radiation-refractive material that is designed to break electromagnetic radiation, in particular visible light.
  • the radiation-refracting material can be used, for example, to form optical lenses.
  • the radiation-refracting material is, for example, transparent and/or has a refractive index of 1, 3 or higher.
  • the functional material can be a sealing material that is provided as a protective coating and/or for closing openings in the optoelectronic component.
  • the sealing material can be formed with a plastic, for example be and serve to reduce corrosion in the optoelectronic component.
  • the functional material can comprise an adhesive which is intended to connect components of the optoelectronic component to one another in a materially bonded manner. This means that the components are held together by the adhesive through atomic or molecular forces and form a non-detachable connection between the connected components, which can only be separated by destroying the layer formed from the adhesive.
  • the functional material is detachably attached to the source carrier.
  • the functional material can be attached directly to the source carrier or one or more layers of other materials are arranged between the source carrier and the functional material.
  • the functional material is arranged on an underside of the source carrier facing the at least one component.
  • the source carrier is preferably formed with a radiation-permeable material which is at least partially transparent to the electromagnetic radiation of a laser beam, by means of which the functional material is detached from the source carrier.
  • the method comprises a method step in which part of the functional material is detached by irradiation with a laser beam through an upper side of the source carrier facing away from the at least one component.
  • the functional material or a material between the source carrier and the functional material is heated.
  • a part of the functional material or a material between the functional material and the source carrier can be liquefied or converted into the gas phase.
  • the transition to the gas phase can result in an increase in volume, which means that the functional material is separated from the source carrier in some areas, for example blown off.
  • the heating can reduce an adhesive force between the functional material and the source carrier and part of the functional material is then detached, for example due to gravity or because the adhesive force of the functional material to at least one component is greater than to the source carrier.
  • the detached part of the functional material is attached to a side of the at least one component that faces the source carrier.
  • the functional material is applied to the at least one component due to a force such as gravity.
  • the detached part can then be attached by curing the part of the functional material on the side of the at least one component facing the source carrier. Curing can take place, for example, by exposure to UV radiation or thermally.
  • the optoelectronic is finally completed component . It is possible for further processing steps to take place after the functional material has been applied to the at least one component, in which it is also possible for further functional materials to be applied to the same or other components of the optoelectronic component using the method described here. Furthermore, it is possible that the application of the functional material is the last processing step and the optoelectronic component is thus completed.
  • the method comprises the following steps, which are carried out in particular in the order given:
  • Detaching part of the functional material by irradiating it with a laser beam through an upper side of the source carrier facing away from the at least one component, fastening the detached part of the functional material to a side of the at least one component facing the source carrier, completing the optoelectronic component.
  • the method described here is based, among other things, on the consideration that the transfer of a functional material from a source carrier makes functional materials particularly versatile to different Components of an optoelectronic component can be applied.
  • the method it is possible in particular to apply different functional materials to different components of the optoelectronic component by carrying out the method multiple times on the same optoelectronic component.
  • the method can be used in different production steps of an optoelectronic component.
  • an adhesive layer can be applied to an optoelectronic semiconductor chip by means of the method, by means of which, for example, a covering body is attached to the semiconductor chip.
  • a radiation-absorbing coating can then be applied around the semiconductor chip, for example on a top side of a connection carrier, which faces the semiconductor chip and on which the semiconductor chip is fastened, by means of the method.
  • a separating material is arranged between the source carrier and the functional material, which is irradiated by means of the laser beam.
  • the release material is located on the underside of the source support and may be in direct contact with the source support. It is also possible for the separating material to be in direct contact with the functional material.
  • the separating material by irradiation with the laser beam at least is partially converted into the liquid phase or the gas phase and in this way the functional material is detached.
  • the separating material can comprise radiation-absorbing components, for example particles, which are designed to absorb the laser radiation of the laser beam in a targeted manner, as a result of which the separating material can be heated and converted into the liquid or gaseous phase in places. After detaching the part of the functional material, residues of the separating material can remain on the source carrier.
  • the functional material is formed as a layer or as a sequence of layers which has a main plane of extent which runs parallel to a main plane of extent of the source carrier.
  • the source carrier is designed in the form of a flat disk, which has its laterally greatest extent parallel to the main plane of extent.
  • the functional material is then applied parallel to the main plane of extension of the source carrier directly onto the source carrier or onto the separating material as a layer or sequence of layers which has a main plane of extension parallel to the main plane of extension of the source carrier.
  • the source carrier has cavities that are each filled with the same functional material or with different functional materials.
  • the source carrier is not designed in the form of a disk, but rather has a large number of cavities, for example of the same type, which are provided for accommodating the functional material.
  • the shape of the cavities can predetermine a shape of the functional material that can be transferred to the at least one component when the functional material is detached from the source carrier. This means that this method makes it possible, for example, to apply three-dimensional structures made of the functional material to the at least one component. In this way, for example, structures such as optical lenses can be produced from the functional material on the component in a simple manner.
  • areas between the cavities on the underside of the source carrier facing the at least one component are free of functional material.
  • the source carrier is only partially covered by functional material on its underside.
  • the functional material can be arranged exclusively in cavities of the source carrier, for example. In this way, it is particularly easy to release functional material from the cavities in a targeted manner and apply it to the at least one component of the optoelectronic device.
  • the functional material is in direct contact with the at least one component during detachment.
  • the transfer from the functional material to the at least one component can take place locally with particular accuracy, since the at least one component can be adjusted in relation to the source carrier before detachment and the part of the functional Material that is being detached is already in direct contact with the component when it is detached.
  • the functional material and the at least one component can be arranged at a distance of between at least 1 ⁇ m and/or at most 1500 ⁇ m from one another.
  • a gap is arranged between the functional material and the at least one component. In this way, when the functional material is detached, as little energy as possible, for example in the form of heat, is transferred to the component, so that it is also possible to coat particularly sensitive components with the functional material.
  • the at least one component includes a potting that surrounds a chip, the functional material covering the potting in places.
  • the chip is, for example, an optoelectronic semiconductor chip that is set up to emit or receive electromagnetic radiation when the optoelectronic component is in operation.
  • the encapsulation can be molded onto the chip in places and, for example, surround it laterally and/or protrude vertically.
  • the functional material is applied to the encapsulation in such a way that the functional material covers the encapsulation in places.
  • the functional material can then be, for example, in particular a material with an optical function such as a radiation-reflecting, radiation-absorbing, radiation-scattering and/or radiation-refracting material.
  • the at least one component includes a housing with a housing cavity into which a chip is introduced.
  • the functional material then covers the housing at least in places.
  • the chip can in turn be an optoelectronic semiconductor chip.
  • the functional material can be an optically functional material. It is also possible for the functional material to be, in particular, a sealing material which seals the housing in places, for example, and represents corrosion protection for at least one component of the optoelectronic component.
  • the cavity of the housing is delimited by at least one sloping side surface and the functional material covers the at least one sloping side surface in places.
  • the at least one side surface runs, for example, at an angle to a main extension plane of the source carrier.
  • the functional material it is possible for the functional material to cover the side face as a layer of uniform thickness. Such a layer of functional material can be applied with a particularly precise fit to sloping side surfaces using the method described here.
  • the at least one component comprises a chip, with the functional material covering the chip in places.
  • the chip is an optoelectronic semiconductor chip.
  • the functional material can then be a radiation-converting material, for example is set up to convert primary radiation from a first wavelength range emitted by the chip during operation into secondary radiation from a second wavelength range.
  • the functional material on the chip provides adhesion between the chip and the covering body.
  • the functional material can be an adhesive, for example, which fastens the covering body to the chip in a material-locking manner.
  • FIG. 1 An exemplary embodiment of a method described here is explained in more detail with reference to FIG. 1 by means of a schematic sectional illustration.
  • FIGS. 2, 3, 4A, 5, 6, 7 show optoelectronic components which are produced using exemplary embodiments of the methods described here.
  • At least one component 1 of an optoelectronic device is made available.
  • the component can be, for example, an optoelectronic semiconductor chip, a connection carrier, a housing, a potting or another component of an optoelectronic device.
  • the component 1 can be attached to an auxiliary carrier 100 , for example.
  • the auxiliary carrier 100 can be a rigid plate or a film, for example.
  • the method described here can also be carried out in a roll-to-roll method, in which a large number of the at least one component 1 is arranged on the auxiliary carrier 100 .
  • a source carrier 2 is arranged above the components 1 and is formed, for example, with a material which is transparent to the laser radiation 5 and which can comprise, for example, glass or a plastic.
  • a layer of functional material 3 is applied to the auxiliary carrier 2 directly or via the separating layer 4 .
  • a part 31 of the functional material 3 is detached by irradiation with the laser beam 5 and is transferred to the component 1 in this way.
  • the laser beam 5 can be operated in a pulsed or continuous manner. Additional optics can be used to expand the laser beam and to adapt the cross section of the laser beam 5 to the size of the parts 31 . Alternatively or additionally, the part 31 of the functional material that is to be transferred can be scanned.
  • a gap is arranged between the at least one component 1 and the functional material.
  • the functional material and the at least one component are arranged at a distance of between at least 1 ⁇ m and/or at most 1500 ⁇ m from one another.
  • the separating material 4 can be, for example, a material that can be converted into the liquid or gaseous phase in places by irradiation with the laser beam 5, whereby a targeted separation of the regions 31 is possible.
  • the use of a separating material 4 has the advantage that there is no thermal or optical degradation in the functional material 3 to be transferred and, in particular, materials that are not suitable for absorbing the laser radiation 5 can also be transferred.
  • the separating material 4 can increase the dimensional accuracy for liquid or pasty layers made of functional material 3 or discrete but not solid elements made of functional material 3 . In this way, the use of a separating material 4 enables discrete elements to be applied to the at least one component 1 .
  • the functional material 3 can be a radiation-reflecting material, for example, which can be made of silicone with a filling of titanium dioxide particles, for example. Furthermore, it can be a radiation-absorbing material, which can be made of silicone with black fillers, for example. Furthermore, the functional material 3 can be a transparent, clear silicone that refracts radiation. Furthermore, the functional material can be luminescence conversion material, which is present, for example, in the form of particles or particles in a matrix material, which can also be silicone, for example.
  • the schematic sectional illustration in FIG. 2 shows an optoelectronic component which can be produced by means of an embodiment of a method described here.
  • the at least one component is formed by an encapsulation 6 that laterally surrounds a chip 7 .
  • the chip 7 is, for example, a light-emitting diode chip that is connected to a connection carrier 9 via a bonding wire 8 .
  • the encapsulation 6 partially covers side faces of the chip and a top side facing away from the connection carrier 9 .
  • the connecting wire 8 can be arranged completely in the encapsulation 6 .
  • the encapsulation 6 can be an encapsulation that is formed with a plastic material such as silicone and/or epoxy resin.
  • the functional material 31 is attached to the top of the using the method described here Potting 6 applied.
  • the functional material 31 surrounds a covering body 11 on the top side of the chip.
  • the encapsulation 6 can be radiation-reflecting and can be formed, for example, with a plastic material filled with white particles.
  • the functional material 31 can be radiation-reflecting or radiation-absorbing.
  • the functional material 31 is a black coating that increases the contrast between the semiconductor chip and the environment.
  • the functional material 31 and the encapsulation 6 can have the same matrix material, which increases adhesion between the encapsulation 6 and the functional material 3 .
  • the covering body 11 can, for example, be clear-sighted, can be designed as a lens or it can comprise a luminescence conversion material.
  • the optoelectronic component produced in this way comprises a housing 12 with a cavity 13 into which the semiconductor chip 7 is introduced.
  • the chip 7 represents a component onto which a functional material 31 is applied, for example to a reflective or absorbent material, using the method described here Area of the chip such as a bond pad is applied.
  • the functional material 31 can be applied to inclined side surfaces 12a of the housing 12 .
  • the functional material 31 can be a pasty material that is applied as a thin layer with high local accuracy and at the same time with a gap that is greater than 1 mm.
  • the functional material 31 is a radiation-reflecting material.
  • the functional material 31 can also be applied to a bottom surface of the cavity 13 .
  • This functional material can also be a radiation-reflecting material that covers radiation-scattering or radiation-absorbing areas on the bottom surface of the cavity.
  • a potting 6 which surrounds a semiconductor chip 7 forms the component 1 on which the functional material 31 is applied.
  • the functional material 31 can be microstructures here, which have a lateral extent in the micrometer range and have an aspect ratio of >1. In this way, for example, radiation-scattering structures can be applied to the outside of a potting 6, which serve to reduce specular reflection of sunlight or other ambient light.
  • the functional material 31 can be a radiation-scattering material.
  • the source carrier 2 includes cavities 21 that are filled with parts of the functional material 31 . Areas 22 between the cavities 21 are free from the functional material 3 .
  • a separating layer 4 can be arranged between the source carrier and the functional material 3 .
  • decoupling structures are applied, for example, to a covering body 11 and to the outer surface of a casting 6, which each form components for the method described here.
  • the decoupling structures can be formed, for example, with a radiation-scattering and a radiation-refracting material and can increase the probability of light escaping from the optoelectronic component.
  • an exemplary embodiment of an optoelectronic component is described on the basis of a schematic sectional illustration, which can be produced by means of an exemplary embodiment of a method described here.
  • parts 31 of the functional material 3 are attached to the Housing 12 applied, which forms the component 1.
  • the functional material 3 can be a sealing material, for example, which can be placed in the housing with high lateral accuracy and acts there, for example, against the ingress of atmospheric gases and/or moisture from the outside.
  • an optoelectronic component is described with reference to a schematic sectional illustration, which can be produced with an exemplary embodiment of a method described here.
  • the part 31 of the functional material 3 is an adhesive which connects a covering body 11 to a chip 7 of the optoelectronic component in a material-locking manner.
  • the functional material 3 can then in particular be a radiation-transmissive adhesive which is suitable, for example, for attaching a covering body, which is designed as a luminescence conversion element, to the chip.
  • a radiation-transmissive adhesive which is suitable, for example, for attaching a covering body, which is designed as a luminescence conversion element, to the chip.
  • such an adhesive can be applied with a more precise fit than by stamping and/or jetting.
  • very small volumes of adhesive can be applied, which is not possible with conventional methods.

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Abstract

Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements angegeben, umfassend - Bereitstellen zumindest einer Komponente (1) des optoelektronischen Bauelements (10), - Bereitstellen eines Quellträgers (2) mit einem funktionellen Material (3) an einer der zumindest einer Komponente zugewandten Unterseite (2b) des Quellträgers (2), - Ablösen eines Teils (31) des funktionellen Materials (3) durch Bestrahlen mittels eines Laserstrahls (5) durch eine der zumindest einen Komponente (1) abgewandte Oberseite (2a) des Quellträgers (2), - Befestigen des abgelösten Teils (31) des funktionellen Materials (3) an einer dem Quellträger (2) zugewandten Seite der zumindest einen Komponente (1), - Fertigstellen des optoelektronischen Bauelements (10).

Description

Beschreibung
VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS
Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements angegeben .
Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements anzugeben, das besonders vielseitig ist .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements wird zunächst zumindest eine Komponente des optoelektronischen Bauelements bereitgestellt .
Bei der Komponente kann es sich beispielsweise um einen Anschlussträger wie zum Beispiel eine Leiterplatte oder einen Leiterrahmen handeln . Ferner kann es sich um ein Gehäuse handeln . Weiter kann es sich um einen optoelektronischen Halbleiterchip handeln, der beispielsweise durch einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip wie einen Leuchtdiodenchip oder einen Laserdiodenchip gebildet sein kann oder durch einen strahlungsempfangenden Halbleiterchip wie beispielsweise einen Fotodiodenchip . Weiter kann es sich bei der Komponente beispielsweise um einen Verguss für einen solchen Halbleiterchip handeln, der den Halbleiterchip zumindest stellenweise formschlüssig umhüllt .
Bei dem Verfahren wird zumindest eine Komponente bereitgestellt . Es ist darüber hinaus möglich, dass zwei oder mehr Komponenten bereitgestellt werden und die nachfolgenden Bearbeitungsschritte dann an einer oder mehrerer der bereitgestellten Komponenten erfolgen .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens wird ein Quellträger bereitgestellt , der eine Unterseite aufweist , die mit einem funktionellen Material versehen ist . Bei dem funktionellen Material handelt es sich um ein Material , das im herzustellenden optoelektronischen Bauelement eine Funktion übernimmt .
Bei dem funktionellen Material kann es sich beispielsweise um ein optisch funktionelles Material handeln, das im Bauelement eine optische Funktion übernimmt . Bei dem funktionellen Material kann es sich beispielsweise um ein strahlungsreflektierendes Material handeln . Das strahlungsreflektierende Material kann dazu eingerichtet sein, insbesondere sichtbares Licht zu reflektieren . Beispielsweise kann das strahlungsreflektierende Material eine Ref lektivität von wenigstens 85 % für elektromagnetische Strahlung aus dem sichtbaren Bereich aufweisen . Das strahlungsreflektierende Material kann dazu eingerichtet sein, im Betrieb im optoelektronischen Bauteil erzeugte oder zu empfangende elektromagnetische Strahlung und/oder Umgebungslicht zu reflektieren . Beispielsweise umfasst das strahlungsreflektierende Material ein Matrixmaterial , in welches strahlungsstreuende oder strahlungsreflektierende Partikel , die beispielsweise mit Titandioxid gebildet sein können, eingebracht sind . Das funktionelle Material kann dann weiß erscheinen .
Zusätzlich oder alternativ ist es möglich, dass es sich bei dem funktionellen Material um ein strahlungsabsorbierendes Material handelt . Bei dem strahlungsabsorbierenden Material kann es sich um ein Material handeln, das wenigstens 85 % von sichtbarem Licht absorbiert . Beispielsweise kann das strahlungsabsorbierende Material dazu eingerichtet sein, Umgebungslicht und/oder im optoelektronischen Bauteil erzeugtes oder zu empfangendes Licht zu absorbieren . Das strahlungsabsorbierende Material kann insbesondere eine schwarze Farbe aufweisen und mit einem Matrixmaterial gebildet sein, in welches strahlungsabsorbierende Partikel wie etwa Ruß gebracht sind .
Alternativ oder zusätzlich kann das funktionelle Material ein strahlungsstreuendes Material sein, das dazu eingerichtet ist , elektromagnetische Strahlung, insbesondere sichtbares Licht , zu streuen . Das strahlungsstreuende Material kann beispielsweise dazu eingerichtet sein, Umgebungslicht und/oder im optoelektronischen Bauteil erzeugtes oder zu empfangendes Licht zu streuen .
Alternativ oder zusätzlich kann das funktionelle Material ein strahlungsbrechendes Material umfassen, das dazu eingerichtet ist , elektromagnetische Strahlung, insbesondere sichtbares Licht , zu brechen . Das strahlungsbrechende Material kann beispielsweise zur Bildung von optischen Linsen dienen . Das strahlungsbrechende Material ist beispielsweise klarsichtig transparent ausgebildet und/oder weist einen Brechungsindex von 1 , 3 oder höher auf .
Alternativ oder zusätzlich kann es sich bei dem funktionellen Material um ein versiegelndes Material handeln, das als Schutzbeschichtung und/oder zum Schließen von Öf fnungen im optoelektronischen Bauteil vorgesehen ist . Das versiegelnde Material kann beispielsweise mit einem Kunststof f gebildet sein und zur Reduzierung von Korrosion im optoelektronischen Bauelement dienen .
Alternativ oder zusätzlich kann das funktionelle Material einen Klebstof f umfassen, der dazu vorgesehen ist , Komponenten des optoelektronischen Bauelements stof f schlüssig miteinander zu verbinden . Das heißt , die Komponenten werden durch den Klebstof f durch atomare oder molekulare Kräfte zusammengehalten und bilden eine nichtlösbare Verbindung zwischen den verbundenen Komponenten, die sich nur durch Zerstörung der Schicht , die aus dem Klebstof f gebildet ist , trennen lassen .
Das funktionelle Material ist lösbar am Quellträger befestigt . Dabei kann das funktionelle Material unmittelbar am Quellträger befestigt sein oder eine oder mehrere Schichten weiterer Materialien sind zwischen dem Quellträger und dem funktionellen Material angeordnet . Das funktionelle Material ist dabei an einer der zumindest einen Komponente zugewandten Unterseite des Quellträgers angeordnet .
Der Quellträger ist bevorzugt mit einem strahlungsdurchlässigen Material gebildet , welches für die elektromagnetische Strahlung eines Laserstrahls , mittels dem ein Ablösen des funktionellen Materials von Quellträger erfolgt , zumindest teilweise durchlässig ist .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form umfasst das Verfahren einen Verfahrensschritt , bei dem ein Ablösen eines Teils des funktionellen Materials durch Bestrahlen mittels eines Laserstrahls durch eine der zumindest einen Komponente abgewandte Oberseite des Quellträgers hindurch erfolgt . Bei dem Bestrahlen erfolgt beispielsweise ein Erhitzen des funktionellen Materials oder eines Materials zwischen dem Quellträger und dem funktionellen Material . Durch das Erhitzen kann ein Teil des funktionellen Materials oder eines Materials zwischen dem funktionellen Material und dem Quellträger verflüssigt werden oder in die Gasphase überführt werden . Durch den Übergang in die Gasphase kann eine Volumenvergrößerung erfolgen, die dazu führt , dass das funktionelle Material von Quellträger bereichsweise abgetrennt , zum Beispiel abgesprengt , wird . Alternativ oder zusätzlich kann sich durch das Erhitzen eine Adhäsionskraft zwischen dem funktionellen Material und dem Quellträger verringern und das Ablösen eines Teils des funktionellen Materials erfolgt dann beispielsweise aufgrund der Schwerkraft oder weil die Haftkraft des funktionellen Materials zur zumindest einen Komponente größer ist als zum Quellträger .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens erfolgt ein Befestigen des abgelösten Teils des funktionellen Materials an einer dem Quellträger zugewandten Seite der zumindest einen Komponente . Beispielsweise erfolgt nach dem Ablösen des Teils des funktionellen Materials ein Aufbringen des funktionellen Materials auf der zumindest einen Komponente aufgrund einer Kraft wie beispielsweise der Schwerkraft . Nachfolgend kann ein Befestigen des abgelösten Teils durch Aushärten des Teils des funktionellen Materials an der dem Quellträger zugewandten Seite der zumindest einen Komponente erfolgen . Das Aushärten kann beispielsweise durch Bestrahlung mit UV-Strahlung oder thermisch erfolgen .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens erfolgt abschließend ein Fertigstellen des optoelektronischen Bauelements . Dabei ist es möglich, dass nach dem Aufbringen des funktionellen Materials auf der zumindest einen Komponente weitere Bearbeitungsschritte erfolgen, bei denen es auch möglich ist , dass weitere funktionelle Materialien auf derselben oder anderen Komponenten des optoelektronischen Bauelements durch das hier beschriebene Verfahren aufgebracht werden . Ferner ist es möglich, dass es sich bei dem Aufbringen des funktionellen Materials um den letzten Bearbeitungsschritt handelt und das optoelektronische Bauelement damit fertiggestellt ist .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form umfasst das Verfahren die folgenden Schritte , die insbesondere in der angegebenen Reihenfolge durchgeführt werden :
Bereitstellen zumindest einer Komponente des optoelektronischen Bauelements ,
Bereitstellen eines Quellträgers mit einem funktionellen Material an einer der zumindest einer Komponente zugewandten Unterseite des Quellträgers ,
Ablösen eines Teils des funktionellen Materials durch Bestrahlen mittels eines Laserstrahls durch eine der zumindest einen Komponente abgewandte Oberseite des Quellträgers , Befestigen des abgelösten Teils des funktionellen Materials an einer dem Quellträger zugewandten Seite der zumindest einen Komponente , Fertigstellen des optoelektronischen Bauelements .
Dem hier beschriebenen Verfahren liegt dabei unter anderem die Überlegung zugrunde , dass durch die Übertragung eines funktionellen Materials von einem Quellträger funktionelle Materialien besonders vielseitig auf unterschiedliche Komponenten eines optoelektronischen Bauelements aufgebracht werden können . Mit dem Verfahren ist es insbesondere möglich, durch mehrfaches Durchführen des Verfahrens am selben optoelektronischen Bauelement unterschiedliche funktionelle Materialien auf unterschiedliche Komponenten des optoelektronischen Bauelements auf zubringen . Dabei kann das Verfahren in unterschiedlichen Herstellungsschritten eines optoelektronischen Bauelements zum Einsatz kommen . Beispielsweise kann mittels des Verfahrens eine Klebstof f schicht auf einen optoelektronischen Halbleiterchip aufgebracht werden, mittels der beispielsweise ein Abdeckkörper am Halbleiterchip befestigt wird . Nachfolgend kann mittels des Verfahrens eine strahlungsabsorbierende Beschichtung um den Halbleiterchip, beispielsweise an einer dem Halbleiterchip zugewandten Oberseite eines Anschlussträgers , auf dem der Halbleiterchip befestigt ist , aufgebracht werden .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens ist zwischen dem Quellträger und dem funktionellen Material ein Trennmaterial angeordnet , welches mittels des Laserstrahls bestrahlt wird . Das Trennmaterial ist an der Unterseite des Quellträgers angeordnet und kann sich in direktem Kontakt mit dem Quellträger befinden . Ferner ist es möglich, dass das Trennmaterial sich in direktem Kontakt mit dem funktionellen Material befindet . Durch Bestrahlen des Trennmaterials mittels des Laserstrahls ist es möglich, dass eine Haftkraft zwischen dem Trennmaterial und dem funktionellen Material soweit verringert wird, dass sich der bestrahlte Teil des funktionellen Materials aufgrund der Schwerkraft vom Quellträger löst und in Richtung der zumindest einen Komponente bewegt . Ferner ist es möglich, dass das Trennmaterial durch Bestrahlung mit dem Laserstrahl zumindest stellenweise in die flüssige Phase oder die Gasphase überführt wird und auf diese Weise ein Ablösen des funktionellen Materials erfolgt . Das Trennmaterial kann strahlungsabsorbierende Komponenten, zum Beispiel Partikel , umfassen, die dazu eingerichtet sind, die Laserstrahlung des Laserstrahls gezielt zu absorbieren, wodurch ein Erhitzen und Überführen des Trennmaterials stellenweise in die flüssige oder gas förmige Phase erreicht werden kann . Nach dem Ablösen des Teils des funktionellen Materials können Reste des Trennmaterials am Quellträger verbleiben .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens ist das funktionelle Material als Schicht oder als Schichtenfolge ausgebildet , die eine Haupterstreckungsebene aufweist , die parallel zu einer Haupterstreckungsebene des Quellträgers verläuft . Beispielsweise ist der Quellträger in der Form einer ebenen Scheibe ausgebildet , die ihre lateral größte Erstreckung parallel zur Haupterstreckungsebene aufweist . Parallel zur Haupterstreckungsebene des Quellträgers ist dann das funktionelle Material direkt auf den Quellträger oder auf das Trennmaterial als Schicht oder Schichtenfolge aufgebracht , die eine Haupterstreckungsebene parallel zur Haupterstreckungsebene des Quellträgers aufweist .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens weist der Quellträger Kavitäten auf , die j eweils mit demselben funktionellen Material oder mit unterschiedlichen funktionellen Materialien befüllt sind . Das heißt , in dieser Aus führungs form ist der Quellträger insbesondere nicht scheibenförmig ausgebildet , sondern er weist insbesondere eine Viel zahl zum Beispiel gleichartiger Kavitäten auf , die zur Aufnahme des funktionellen Materials vorgesehen sind . Zwischen dem funktionellen Material und dem Quellträger kann sich ein Trennmaterial befinden oder das funktionelle Material befindet sich in direktem Kontakt mit dem Quellträger . Durch die Form der Kavitäten kann eine Form des funktionellen Materials vorgegeben sein, die beim Ablösen des funktionellen Materials vom Quellträger auf die zumindest eine Komponente übertragen werden kann . Das heißt , mittels dieses Verfahrens ist es beispielsweise möglich, dreidimensionale Strukturen aus dem funktionellen Material auf die zumindest eine Komponente auf zubringen . Auf diese Weise können auf der Komponente beispielsweise in einfacher Weise Strukturen wie zum Beispiel optische Linsen aus dem funktionellen Material erzeugt werden .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens sind Bereiche zwischen den Kavitäten an der der zumindest einen Komponente zugewandten Unterseite des Quellträgers frei von funktionellem Material . Das heißt , in dieser Aus führungs form ist der Quellträger an seiner Unterseite nur stellenweise von funktionellem Material bedeckt . Das funktionelle Material kann beispielsweise ausschließlich in Kavitäten des Quellträgers angeordnet sein . Auf diese Weise ist es besonders einfach möglich, funktionelles Material gezielt aus den Kavitäten aus zulösen und auf die zumindest eine Komponente des optoelektronischen Bauteils auf zubringen .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens steht das funktionelle Material beim Ablösen in direktem Kontakt mit der zumindest einen Komponente . Auf diese Weise kann die Übertragung vom funktionellen Material auf die zumindest eine Komponente örtlich besonders genau erfolgen, da eine Justage der zumindest einen Komponente in Bezug auf den Quellträger vor dem Ablösen erfolgen kann und der Teil des funktionellen Materials , der abgelöst wird, beim Ablösen bereits in direktem Kontakt mit der Komponente steht .
Alternativ ist es möglich, dass das funktionelle Material und die zumindest eine Komponente in einem Abstand zwischen wenigstens 1 pm und/oder höchstens 1500 pm zueinander angeordnet sind . In diesem Fall ist zwischen dem funktionellen Material und der zumindest einen Komponente also ein Spalt angeordnet . Auf diese Weise wird beim Ablösen des funktionellen Materials möglichst wenig Energie , beispielsweise in Form von Wärme , auf die Komponente übertragen, so dass auch eine Beschichtung von besonders empfindlichen Komponenten mittels dem funktionellen Material möglich ist .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens umfasst die zumindest eine Komponente einen Verguss , der einen Chip umgibt , wobei das funktionelle Material den Verguss stellenweise bedeckt . Bei dem Chip handelt es sich beispielsweise um einen optoelektronischen Halbleiterchip, der dazu eingerichtet ist , im Betrieb des optoelektronischen Bauteils elektromagnetische Strahlung zu emittieren oder zu empfangen . Der Verguss kann stellenweise an den Chip angeformt sein und diesen beispielsweise seitlich umgeben und/oder vertikal überragen . Das funktionelle Material wird derart auf den Verguss aufgebracht , dass das funktionelle Material den Verguss stellenweise bedeckt . Bei dem funktionellen Material kann es sich dann beispielsweise insbesondere um ein Material mit einer optischen Funktion wie beispielsweise ein strahlungsreflektierendes , ein strahlungsabsorbierendes , ein strahlungsstreuendes und/oder ein strahlungsbrechendes Material handeln . Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens umfasst die zumindest eine Komponente ein Gehäuse mit einer Gehäusekavität , in die ein Chip eingebracht ist . Das funktionelle Material bedeckt das Gehäuse dann zumindest stellenweise . Bei dem Chip kann es sich wiederum um einen optoelektronischen Halbleiterchip handeln . Bei dem funktionellen Material kann es sich um ein optisch funktionelles Material handeln . Ferner ist es möglich, dass es sich bei dem funktionellen Material insbesondere um ein versiegelndes Material handelt , welches das Gehäuse zum Beispiel stellenweise abdichtet und einen Korrosionsschutz für zumindest eine Komponente des optoelektronischen Bauteils darstellt .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens ist die Kavität des Gehäuses von zumindest einer schrägen Seitenfläche begrenzt und das funktionelle Material bedeckt die zumindest eine schräge Seitenfläche stellenweise . Die zumindest eine Seitenfläche verläuft zum Beispiel schräg zu einer Haupterstreckungsebene des Quellträgers . Beispielsweise ist es möglich, dass das funktionelle Material die Seitenfläche als Schicht gleichmäßiger Dicke bedeckt . Eine solche Schicht aus funktionellem Material kann mittels dem hier beschriebenen Verfahren besonders passgenau auf schräg verlaufende Seitenflächen aufgebracht werden .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens umfasst die zumindest eine Komponente einen Chip, wobei das funktionelle Material den Chip stellenweise bedeckt . Beispielsweise handelt es sich bei dem Chip um einen optoelektronischen Halbleiterchip . Bei dem funktionellen Material kann es sich dann beispielsweise um ein strahlungskonvertierendes Material handeln, das dazu eingerichtet ist , im Betrieb vom Chip emittierte Primärstrahlung aus einem ersten Wellenlängenbereich in Sekundärstrahlung aus einem zweiten Wellenlängenbereich umzuwandeln .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form vermittelt das funktionelle Material auf dem Chip eine Haftung zwischen dem Chip und dem Abdeckkörper . In diesem Fall kann es sich bei dem funktionellen Material beispielsweise um einen Klebstof f handeln, der den Abdeckkörper stof f schlüssig am Chip befestigt .
Im Folgenden wird das hier beschriebene Verfahren anhand von Aus führungsbeispielen und den dazugehörigen Figuren näher erläutert .
Anhand der Figur 1 ist ein Aus führungsbeispiel eines hier beschriebenen Verfahrens mittels einer schematischen Schnittdarstellung näher erläutert .
Die Figuren 2 , 3 , 4A, 5 , 6 , 7 zeigen optoelektronische Bauteile , die mittels Aus führungsbeispielen von hier beschriebenen Verfahren hergestellt sind .
Anhand der schematischen Schnittdarstellung der Figur 4B ist ein weiteres Aus führungsbeispiel eines hier beschriebenen Verfahrens näher erläutert .
Anhand der schematischen Schnittdarstellung der Figur 1 ist ein Aus führungsbeispiel eines hier beschriebenen Verfahrens näher erläutert . Gleiche , gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugs zeichen versehen . Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten . Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder für eine bessere Verständlichkeit übertrieben groß dargestellt sein .
Bei dem Verfahren wird zumindest eine Komponente 1 eines optoelektronischen Bauteils zur Verfügung gestellt . Bei der Komponente kann es sich beispielsweise um einen optoelektronischen Halbleiterchip, einen Anschlussträger , ein Gehäuse , einen Verguss oder eine andere Komponente eines optoelektronischen Bauelements handeln .
Die Komponente 1 kann dabei beispielsweise auf einen Hil fsträger 100 aufgebracht sein . Bei dem Hil fsträger 100 kann es sich beispielsweise um eine starre Platte oder eine Folie handeln . Insbesondere kann das hier beschriebene Verfahren auch in einem Rolle- zu-Rolle-Verf ahren durchgeführt werden, bei dem eine Viel zahl der zumindest einen Komponenten 1 auf dem Hil fsträger 100 angeordnet ist .
Oberhalb der Komponenten 1 wird ein Quellträger 2 angeordnet , der beispielsweise mit einem für die Laserstrahlung 5 durchlässigen Material gebildet ist , welches beispielsweise ein Glas oder einen Kunststof f umfassen kann . Auf den Hil fsträger 2 direkt oder über die Trennschicht 4 ist eine Schicht aus funktionellem Material 3 aufgebracht . Durch Bestrahlung mit dem Laserstrahl 5 wird ein Teil 31 des funktionellen Materials 3 abgelöst und auf diese Weise auf die Komponente 1 übertragen . Der Laserstrahl 5 kann dabei gepulst oder kontinuierlich betrieben werden . Es können zusätzliche Optiken zum Aufweiten des Laserstrahls und zur Anpassung des Querschnitts des Laserstrahls 5 an die Größe der Teile 31 Verwendung finden . Alternativ oder zusätzlich ist das Abscannen des Teils 31 des funktionellen Materials , der übertragen werden soll , möglich .
Beim Aus führungsbeispiel der Figur 1 ist ein Spalt zwischen der zumindest einen Komponente 1 und dem funktionellen Material angeordnet . Beispielsweise sind das funktionelle Material und die zumindest eine Komponente in einem Abstand zwischen wenigstens 1 pm und/oder höchstens 1500 pm zueinander angeordnet . Alternativ ist es möglich, dass insbesondere für feste und/oder bistabile funktionelle Materialien ein direkter Kontakt zwischen der zumindest einen Komponente und dem funktionellen Material 3 besteht .
Bei dem Trennmaterial 4 kann es sich beispielsweise um ein Material handeln, das durch Bestrahlung mit dem Laserstrahl 5 stellenweise in die flüssige oder die gas förmige Phase überführt werden kann, wodurch ein gezieltes Abtrennen der Bereiche 31 möglich ist . Die Verwendung eines Trennmaterials 4 hat den Vorteil , dass es beim zu übertragenden, funktionellen Material 3 keine thermische oder optische Degradation gibt und insbesondere auch Materialien übertragen werden können, die nicht dazu geeignet sind, die Laserstrahlung 5 zu absorbieren . Das Trennmaterial 4 kann die Formgenauigkeit für flüssige oder pastöse Schichten aus funktionellem Material 3 oder diskrete aber nicht feste Elemente aus dem funktionellen Material 3 erhöhen . Auf diese Weise ermöglicht die Verwendung eines Trennmaterials 4 das Aufbringen von diskreten Elementen auf die zumindest eine Komponente 1 . Bei dem funktionellen Material 3 kann es sich beispielsweise um ein strahlungsreflektierendes Material handeln, das zum Beispiel aus Silikon mit einer Füllung aus Titandioxidpartikeln gebildet sein kann . Ferner kann es sich um ein strahlungsabsorbierendes Material handeln, das beispielsweise aus Silikon mit schwarzen Füllstof fen gebildet sein kann . Ferner kann es sich bei dem funktionellen Material 3 um ein transparentes , klarsichtiges Silikon handeln, das strahlungsbrechend ist . Ferner kann es sich bei dem funktionellen Material um Lumines zenzkonversionsmaterial handeln, das beispielsweise in Form von Partikeln oder Teilchen in einem Matrixmaterial vorliegt , bei dem es sich beispielsweise ebenfalls um Silikon handeln kann .
Die schematische Schnittdarstellung der Figur 2 zeigt ein optoelektronisches Bauelement , das mittels einer Aus führungs form eines hier beschriebenen Verfahrens hergestellt werden kann . Die zumindest eine Komponente ist in diesem Aus führungsbeispiel durch einen Verguss 6 gebildet , der einen Chip 7 lateral umgibt . Bei dem Chip 7 handelt es sich beispielsweise um einen Leuchtdiodenchip, der über einen Bonddraht 8 mit einem Anschlussträger 9 verbunden ist . Der Verguss 6 bedeckt Seitenflächen des Chips sowie eine dem Anschlussträger 9 abgewandte Oberseite stellenweise . Der Verbindungsdraht 8 kann vollständig im Verguss 6 angeordnet sein .
Beispielsweise kann es sich bei dem Verguss 6 um einen Verguss handeln, der mit einem Kunststof fmaterial wie Silikon und/oder Epoxidharz gebildet ist . Zur Einstellung von optischen Eigenschaften ist das funktionelle Material 31 mittels dem hier beschriebenen Verfahren an der Oberseite des Vergusses 6 aufgebracht . Beispielsweise umgibt das funktionelle Material 31 einen Abdeckkörper 11 an der Oberseite des Chips . Der Verguss 6 kann strahlungsreflektierend ausgebildet sein und zum Beispiel mit einem mit weißen Partikeln gefüllten Kunststof fmaterial gebildet sein .
Das funktionelle Material 31 kann strahlungsreflektierend oder strahlungsabsorbierend ausgebildet sein . Zum Beispiel handelt es sich bei dem funktionellen Material 31 um eine schwarze Beschichtung, die den Kontrast zwischen dem Halbleiterchip und der Umgebung erhöht .
Das funktionelle Material 31 und der Verguss 6 können dasselbe Matrixmaterial aufweisen, wodurch sich eine Haftung zwischen dem Verguss 6 und dem funktionellen Material 3 erhöht . Der Abdeckkörper 11 kann beispielsweise klarsichtig sein, kann als Linse ausgebildet sein oder er kann ein Lumines zenz konversionsmaterial umfassen .
Beim Aus führungsbeispiel der Figur 3 ist mittels dem hier beschriebenen Verfahren funktionelles Material 31 auf verschiedene Komponenten des optoelektronischen Bauelements aufgebracht . Bei den unterschiedlichen funktionellen Materialien 31 kann es sich dabei um unterschiedliche Materialien mit unterschiedlichen Eigenschaften handeln . Das derart hergestellte optoelektronische Bauelement umfasst ein Gehäuse 12 mit einer Kavität 13 , in die der Halbleiterchip 7 eingebracht ist .
Der Chip 7 stellt eine Komponente dar, auf die mittels des hier beschriebenen Verfahrens ein funktionelles Material 31 beispielsweise auf einen reflektierenden oder absorbierenden Bereich des Chips wie beispielsweise ein Bondpad aufgebracht ist . Ferner kann das funktionelle Material 31 auf schräge Seitenflächen 12a des Gehäuses 12 aufgebracht werden . Hier kann es sich beispielsweise bei dem funktionellen Material 31 um ein pastöses Material handeln, das als dünne Schicht mit hoher örtlicher Genauigkeit und gleichzeitig mit einem Spalt , der größer als 1 mm ist , aufgebracht ist . Beispielsweise handelt es sich bei dem funktionellen Material 31 dabei um ein strahlungsreflektierendes Material . In gleicher Weise kann das funktionelle Material 31 auch auf eine Bodenfläche der Kavität 13 aufgebracht sein . Auch bei diesem funktionellen Material kann es sich um ein strahlungsreflektierendes Material handeln, welches strahlungsstreuende oder absorbierende Bereiche an der Bodenfläche der Kavität abdeckt .
In Verbindung mit der schematischen Schnittdarstellung der Figur 4A ist ein Aus führungsbeispiel dargestellt , bei dem ein Verguss 6 , welcher einen Halbleiterchip 7 umgibt , die Komponente 1 bildet , auf der das funktionelle Material 31 aufgebracht ist . Bei dem funktionellen Material 31 kann es sich hier um Mikrostrukturen handeln, die eine laterale Erstreckung im Mikrometerbereich aufweisen und ein Seitenverhältnis von > 1 aufweisen . Beispielsweise können auf diese Weise strahlungsstreuende Strukturen auf der Außenseite eines Vergusses 6 aufgebracht werden, die zur Reduzierung einer spiegelnden Reflexion von Sonnenlicht oder anderem Umgebungslicht dienen . Das funktionelle Material 31 kann dabei ein strahlungsstreuendes Material sein .
In Verbindung mit der schematischen Schnittdarstellung der Figur 4B ist ein Aus führungsbeispiel eines hier beschriebenen Verfahrens näher erläutert , mit dem Strukturen, wie sie beispielsweise in der Figur 4A oder in der Figur 5 gezeigt sind, auf die zumindest eine Komponente 1 übertragen werden können . In diesem Aus führungsbeispiel umfasst der Quellträger 2 Kavitäten 21 , die mit Teilen des funktionellen Materials 31 befüllt sind . Bereiche 22 zwischen den Kavitäten 21 sind frei vom funktionellen Material 3 . Zwischen dem Quellträger und dem funktionellen Material 3 kann eine Trennschicht 4 angeordnet sein .
Mittels eines auf geweiteten Laserstrahls 5 ist es möglich, dass mehrere Teile 31 des funktionellen Materials 3 gleichzeitig aus den Kavitäten abgelöst werden und auf diese Weise auf die zumindest eine Komponente 1 übertragen werden .
In Verbindung mit der Figur 5 ist ein weiteres Aus führungsbeispiel gezeigt , das beispielsweise mit dem in Verbindung mit der Figur 4B gezeigten Aus führungsbeispiel des Verfahrens hergestellt werden kann . In diesem Aus führungsbeispiel sind Auskoppelstrukturen beispielsweise auf einem Abdeckkörper 11 sowie auf der Außenfläche eines Vergusses 6 , welche j eweils Komponenten für das hier beschriebene Verfahren bilden, aufgebracht . Die Auskoppelstrukturen können beispielsweise mit einem strahlungsstreuenden und einem strahlungsbrechenden Material gebildet sein und die Austrittswahrscheinlichkeit für Licht aus dem optoelektronischen Bauteil erhöhen .
In Verbindung mit der Figur 6 ist anhand einer schematischen Schnittdarstellung ein Aus führungsbeispiel eines optoelektronischen Bauteils beschrieben, das mittels eines Aus führungsbeispiels eines hier beschriebenen Verfahrens hergestellt werden kann . In diesem Aus führungsbeispiel werden beispielsweise Teile 31 des funktionellen Materials 3 auf das Gehäuse 12 aufgebracht , welches die Komponente 1 bildet . Bei dem funktionellen Material 3 kann es sich beispielsweise um ein versiegelndes Material handeln, welches mit hoher lateraler Genauigkeit im Gehäuse platziert werden kann und dort zum Beispiel gegen ein Eindringen von atmosphärischen Gasen und/oder Feuchtigkeit von außen wirkt .
In Verbindung mit der Figur 7 ist anhand einer schematischen Schnittdarstellung ein optoelektronisches Bauteil beschrieben, das mit einem Aus führungsbeispiel eines hier beschriebenen Verfahrens hergestellt werden kann . Hier handelt es sich bei dem Teil 31 des funktionellen Materials 3 um einen Klebstof f , der einen Abdeckkörper 11 stof f schlüssig mit einem Chip 7 des optoelektronischen Bauelements verbindet . Bei dem funktionellen Material 3 kann es sich dann insbesondere um einen strahlungsdurchlässigen Klebstof f handeln, der beispielsweise dazu geeignet ist , einen Abdeckkörper, der als Lumines zenzkonversionselement ausgebildet ist , am Chip zu befestigen . Mittels dem hier beschriebenen Verfahren kann ein solcher Klebstof f passgenauer als durch Stanzen und/oder Jetten aufgebracht werden . Ferner sind sehr kleine Volumina von Klebstof f aufbringbar, was mit herkömmlichen Verfahren nicht möglich ist .
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Aus führungsbeispiele auf diese beschränkt . Vielmehr umfasst die Erfindung j edes neue Merkmal sowie j ede Kombination von Merkmalen, was insbesondere j ede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet , auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht expli zit in den Patentansprüchen oder Aus führungsbeispielen angegeben ist . Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 102021120136.5, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Bezugs zeichenliste
1 Komponente
10 optoelektronisches Bauelements
2 Quellträger
2a Oberseite
2b Unterseite
21 Kavität
22 Bereich
3 funktionelles Material
31 Teil des funktionellen Materials
4 Trennschicht
5 Laserstrahl
6 Verguss
7 Chip
8 Verbindungsdraht
9 Anschlussträger
11 Abdeckkörper
12 Gehäuse
13 Kavität
12a schräge Seitenfläche
14 einfallendes Licht
14a Streulicht
100 Hil fsträger

Claims

- 22 - Patentansprüche
1. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements umfassend
Bereitstellen zumindest einer Komponente (1) des optoelektronischen Bauelements (10) ,
Bereitstellen eines Quellträgers (2) mit einem funktionellen Material (3) an einer der zumindest einer Komponente zugewandten Unterseite (2b) des Quellträgers (2) ,
Ablösen eines Teils (31) des funktionellen Materials (3) durch Bestrahlen mittels eines Laserstrahls (5) durch eine der zumindest einen Komponente (1) abgewandte Oberseite (2a) des Quellträgers (2) ,
Befestigen des abgelösten Teils (31) des funktionellen Materials (3) an einer dem Quellträger (2) zugewandten Seite der zumindest einen Komponente (1) ,
Fertigstellen des optoelektronischen Bauelements (10) .
2. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, wobei zwischen dem Quellträger (2) und dem funktionellen Material (3) ein Trennmaterial (4) angeordnet ist, welches mittels des Laserstrahls (5) bestrahlt wird.
3. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei das funktionelle Material (3) als Schicht oder als Schichtenfolge vorliegt, die eine Haupterstreckungsebene aufweist, die parallel zu einer Haupterstreckungsebene des Quellträgers (2) verläuft.
4. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei der Quellträger (2) Kavitäten (21) aufweist, die jeweils mit dem funktionellen Material (3) befüllt sind.
5. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, wobei Bereiche (22) zwischen den Kavitäten (21) an der der zumindest einen Komponente (1) zugewandten Unterseite (2b) des Quellträgers (2) frei vom funktionellen Material (3) sind .
6. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, wobei das funktionelle Material (3) bei dem Ablösen in direktem Kontakt mit der zumindest einen Komponente (1) steht .
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei das funktionelle Material (3) und die zumindest eine Komponente (1) in einem Abstand zwischen wenigstens 1 pm und höchstens 1500 pm zueinander angeordnet sind.
8. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die zumindest eine Komponente (1) einen Verguss (6) umfasst, der einen Chip (7) umgibt, wobei das funktionelle Material (3) den Verguss (6) stellenweise bedeckt.
9. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die zumindest eine Komponente (1) ein Gehäuse (12) mit einer Gehäusekavität (13) , in die ein Chip (7) eingebracht ist, umfasst, wobei das funktionelle Material (3) das Gehäuse (11) stellenweise bedeckt.
10. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, wobei die Kavität (13) von zumindest einer schrägen Seitenfläche (12a) begrenzt ist, wobei das funktionelle Material (3) die zumindest eine schräge Seitenfläche (12a) stellenweise bedeckt.
11. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die zumindest eine Komponente (1) einen Chip (7) umfasst, wobei das funktionelle Material (3) den Chip (7) stellenweise bedeckt.
12. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, wobei das funktionelle Material (3) eine Haftung zwischen dem Chip (7) und einem Abdeckkörper (11) vermittelt.
13. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei das funktionelle Material (3) zumindest eines der folgenden Materialen umfasst: Strahlung reflektierendes Material, Strahlung absorbierendes Material, Strahlung streuendes Material, Strahlung brechendes Material, Lumineszenzkonversionsmaterial, versiegelndes Material, Klebstoff .
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