WO2022233648A1 - Verfahren und messanordnung zur bestimmung der brechzahl einer schicht - Google Patents

Verfahren und messanordnung zur bestimmung der brechzahl einer schicht Download PDF

Info

Publication number
WO2022233648A1
WO2022233648A1 PCT/EP2022/061102 EP2022061102W WO2022233648A1 WO 2022233648 A1 WO2022233648 A1 WO 2022233648A1 EP 2022061102 W EP2022061102 W EP 2022061102W WO 2022233648 A1 WO2022233648 A1 WO 2022233648A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
refractive index
determining
light source
stack
Prior art date
Application number
PCT/EP2022/061102
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Christian Hembd
Michael Hagg
Christina KNECHTEL
Original Assignee
Carl Zeiss Smt Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss Smt Gmbh filed Critical Carl Zeiss Smt Gmbh
Publication of WO2022233648A1 publication Critical patent/WO2022233648A1/de

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/41—Refractivity; Phase-affecting properties, e.g. optical path length
    • G01N21/45—Refractivity; Phase-affecting properties, e.g. optical path length using interferometric methods; using Schlieren methods

Definitions

  • the invention relates to a method and a measuring arrangement for determining the refractive index of a layer.
  • ellipsometric methods for determining optical constants (in particular the refractive index) of layer materials is known in the prior art.
  • an angle-resolved measurement is typically carried out based on the irradiation of polarized light at different angles of incidence in a measurement setup with a pivotable first measurement arm having a light source and a second measurement arm also pivotable and having an analyzer.
  • the considerable installation space required for the measurement setup and the relatively long measurement time of the angle-resolved measurement can prove to be disadvantageous.
  • the use of spectral reflectometry for layer thickness measurement is also known in the prior art.
  • a light beam generated by a broadband light source is radiated via a suitable fiber optic into the layer of known refractive index to be measured with regard to its layer thickness and located on a substrate.
  • the light reflected from the layer or the substrate is coupled into another fiber via the optics and guided to a spectrometer, with a detector recording the resulting reflection spectrum (ie the dependency of the reflectivity on the wavelength of the light).
  • the light radiated into the layer whose layer thickness is to be measured experiences a wavelength-dependent phase difference, which in turn leads to a sinusoidal or cosinusoidal modulation via constructive or destructive interference in the reflection spectrum.
  • the measured reflection spectrum is evaluated by carrying out a Fourier transformation, the layer thickness being deduced from the position of the peak obtained in the Fourier spectrum.
  • the object of the present invention is to provide a method and a measuring arrangement for determining the refractive index of a layer, which enable the fastest and most accurate possible refractive index determination.
  • a method for determining the refractive index of a layer has the following steps: - providing a layer stack which has the layer to be examined with regard to its refractive index as a first layer and at least one further layer as a second layer;
  • the invention is based in particular on the concept of determining a refractive index based on the principle of spectral reflectometry by realizing the layer to be examined with regard to its refractive index in a layer stack with at least one other layer whose refractive index is known from the outset and which to a certain extent serves as a “reference layer”, is arranged.
  • this layer stack there can be a direct contact between the first layer (to be examined with regard to its refractive index) and the second layer (serving as a "reference layer”) or also a relatively small contact (as described below in relation to the mean wavelength of the broadband light source used). ) gap spacing must be present.
  • the invention makes use of the fact that the amplitude of this secondary peak or secondary maximum depends on the refractive index difference Dh between the relevant refractive indices and thus allows the unknown refractive index of the layer to be examined to be determined directly if the refractive index of the reference layer is known.
  • the determination of the refractive index according to the invention is ultimately based on an evaluation of the contrast amplitude in the Fourier spectrum has the advantage that a measurement of absolute values (such as the measurement of the incident light power and the reflected light power), which is associated with greater measurement inaccuracies, is no longer necessary and in particular also power fluctuations of the light source in the contrast determination according to the invention are excluded and are therefore not included in the measurement result ultimately obtained.
  • a measurement of absolute values such as the measurement of the incident light power and the reflected light power
  • the concept of determining the refractive index based on spectral reflectometry has the advantage of a significantly greater measurement speed compared to ellipsometric measurement methods, since the measurement of the reflection spectrum according to the invention is only carried out once The layer stack is irradiated with light from the broad light source and the reflection spectrum obtained is recorded.
  • the invention with regard to the preparation of the layer stack made of the layer to be examined with regard to its refractive index and the at least one further (reference) layer with a known refractive index, which is necessary before recording the reflection spectrum, increased effort is deliberately accepted in terms of production technology, which with the arrangement of said reference layer.
  • This manufacturing effort results in particular from the required high surface quality of the layers to be brought into the best possible optical contact with one another or at a small distance from one another with a simultaneously low thickness of the required reference layer (whose refractive index must in turn be known with very high accuracy).
  • the acceptance of the increased production technology According to the invention, however, the effort is deliberate in order in return to achieve the advantages described above both with regard to the increased measurement accuracy and the greater speed of the determination of the refractive index according to the invention.
  • the layer stack can be provided in particular by optical wringing and subsequent removal of the thickness of the reference layer on the layer to be examined with regard to its refractive index, with a suitable layer material for the reference layer being crystalline silicon (Si), for example.
  • a suitable layer material for the reference layer being crystalline silicon (Si), for example.
  • Suitable thicknesses of the reference layer can be in the range of (10-20) ⁇ m, for example, and can be adjusted by appropriate thickness removal after optical wringing has taken place.
  • the surface quality required to achieve the required optical contact without air inclusions can be ensured in particular by a polishing process.
  • the step of determining the refractive index includes the steps:
  • the second layer is made of crystalline silicon (Si).
  • the refractive index of the second layer deviates from the refractive index of the first layer by less than 20%, in particular by less than 10%, more particularly by less than 5%, in each case based on the larger value of these two refractive indices. This increases the sensitivity of the method according to the invention with regard to the change in contrast when the refractive index changes.
  • the second layer has a thickness of less than 50 ⁇ m, in particular a thickness in the range of (10-20) ⁇ m.
  • a maximum distance between the second layer and the first layer of less than 1% of the mean wavelength of the broadband light source is set.
  • the second layer is brought into contact with the first layer.
  • the layer stack also has a carrier layer as the third layer.
  • the invention also relates to a measuring arrangement for determining the refractive index of a layer in a method with the features described above, with:
  • a measuring head which is optically coupled to the light source and has at least one layer with a known refractive index as a reference layer;
  • a spectrometer for recording a reflection spectrum which is generated when the layer to be examined with regard to its refractive index is irradiated with light from the broadband light source through the reference layer of the measuring head.
  • FIG. 1 shows a schematic representation of the possible structure of a layer stack provided when carrying out the method according to the invention in one embodiment
  • FIG. 2 shows a flowchart to explain the possible course of the method according to the invention
  • FIG. 3 shows a schematic representation of the possible structure of a measuring arrangement suitable for carrying out the method according to the invention
  • FIG. 4 shows a schematic representation of a further possible structure of a measuring arrangement suitable for carrying out the method according to the invention
  • FIG. 5a-5c diagrams to illustrate an evaluation of a Fourier spectrum of a layer stack taking place in a method according to the invention.
  • FIG. 6 shows a diagram to explain the possible determination of the refractive index in an embodiment of the method according to the invention.
  • a layer stack is provided in a first step S210, which, in addition to a layer to be examined with regard to its refractive index, has at least one second layer known with regard to its refractive index as a "reference layer”. having.
  • Said second layer 120 is made of crystalline silicon (Si) in the exemplary embodiment (but without the invention being restricted thereto) and can have an exemplary layer thickness in the range of (10-20) pm.
  • the first layer 110 to be examined with regard to its refractive index r ⁇ 2 can be a layer made of amorphous silicon (Si).
  • “130” in FIG. 1 designates a third layer, which is basically optional but is advantageous from the point of view of stability, as a carrier layer with a likewise known refractive index no.
  • the third layer 130 or carrier layer is made of a material that is sufficiently transmissive for light in the wavelength range used.
  • the third layer 130 or carrier layer can be made of quartz or a glass that transmits well, for example.
  • the thickness of the third layer 130 or carrier layer can amount to several millimeters (mm) merely by way of example (and be in the range of 1 mm-10 mm, for example).
  • the second layer 120 or reference layer in particular can first be wringed or bonded onto the third layer 130 or carrier layer and then be machined to the desired thickness of (10 -20)pm to be removed. Subsequently, the required optical contact between the second layer 120 or reference layer and the first layer 110 to be examined with regard to its refractive index can again be effected by wringing. In further embodiments, a small gap distance between the first layer 110 and the second layer 120 can also remain, as described below.
  • the refractive index r ⁇ 2 of the first layer 110 is determined according to the invention using spectral reflectometry using the measurement setup shown schematically in FIG.
  • light from a broadband light source 350 is coupled into the layer stack 100 via an optical fiber 315 and suitable collimator optics 340 .
  • the light reflected from the layer stack 100 is guided back via the collimator optics 340 and a further optical fiber 325 to a spectrometer 360, with which a reflection spectrum is recorded via a detector 370 and the dependence of the reflectivity on the wavelength is thus determined.
  • a Fourier transformation is carried out for this reflection spectrum.
  • the Fourier spectrum obtained in this way - as illustrated in Fig. 5a-5c merely as an example for the Fourier spectrum of a layer stack made up of two layers with slightly different refractive indices - in addition to the main maximum (i.e. that through the entire layer thickness of the layer stack 100 or 300 or the main peak caused by the layers 110, 120 or 310, 320) as a result of the back reflections occurring at the layer boundaries in the layer stack 100 or 300
  • the difference in refractive index between the respective adjacent layers depends.
  • the (unknown) refractive index r ⁇ 2 of the first layer 110 or 310 can be determined if the refractive index ni of the second layer or reference layer 120 or 320 (and possibly the refractive index no of the third layer 130 or 330) can be determined.
  • the refractive indices of the first layer 110 or 310 to be examined and the second (reference) layer 120 or 320 differ from one another.
  • the material of the second (reference) layer 120 or 320 is preferably selected in such a way that its refractive index differs only slightly from the expected refractive index of the material of the first layer 110 or 310 to be examined (so that e.g. in the exemplary embodiment of FIG. 1, the second (reference) layer 120 or 320 is made of crystalline silicon (Si) when the first layer 110 or 310 is made of amorphous silicon (Si)).
  • this modulation contrast K is independent of the amplitude E in of the light incident on the layer stack 100 or 300 and represents a clear measure for the sought-after refractive index r ⁇ 2 of the first layer 110 or 310, provided that the refractive index ni of the second Layer 120 or 320 is known.
  • the thicknesses and refractive indices of the layers 120, 130 are known exactly. If the refractive index differences between ni and r ⁇ 2 are small, which should preferably be selected, multiple reflections can be neglected. The following applies: n 0 - ni
  • the modulation contrast K is thus a clear function only of the known refractive indices no and ni and the refractive index r2 to be determined. In this way, the refractive index r ⁇ 2 can be clearly determined from the modulation contrast K. As shown in a numerical example in FIG. 6 , this relationship is almost linear when the refractive index difference between the refractive index r ⁇ 2 of the first layer 110 and the refractive index ni of the second (reference) layer 120 is small.
  • the absorption (corresponding to the imaginary part of the complex refractive index) must also be taken into account.
  • the absorption of the second layer 120 or reference layer plays a role. This reference layer must therefore be characterized once and very precisely. This can be done, for example, by ellipsometry or by measuring and evaluating the reflection spectrum of the reference layer, including the carrier, in air.
  • the refractive index based on the functional dependency of the contrast K on the sought-after refractive index r ⁇ 2 of the first layer 110 or 310 can also be calibrated itself (as a “measuring head”) the partial layer stack formed from said other layers.
  • FIG. 4 shows a schematic illustration, in which components that are analogous to or essentially functionally the same as those in FIG. 3 are denoted by reference numbers increased by “100”.
  • the second layer 420 serving as a reference layer, the third layer 430 serving as a carrier layer and the collimator optics 440 are integrated in a measuring head 405, which is optically coupled to the light source 450 via the optical fiber 415 and to the spectrometer 460 via the optical fiber 425 is.
  • a reflection spectrum is recorded via spectrometer 460 and detector 470 analogously to FIG.
  • the measuring head 405 can be placed in such a way that said reference layer or second layer 420 is in direct contact with the layer 410 to be examined with regard to its refractive index or also (as indicated in FIG. 4) at a small distance from this layer 410.
  • the distance is preferably less than 1% of the average wavelength of the light source 450. With an exemplary average wavelength of the light source 450 of 1 pm, the said distance should therefore be less than 10 nm.
  • the measuring head 405 can be calibrated in advance to determine the refractive index ni of the second layer 420 serving as a reference layer, e.g. using ellipsometry, and then used repeatedly to determine the refractive index for different layers 410.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Messanordnung zur Bestimmung der Brechzahl einer Schicht. Ein erfindungsgemäßes Verfahren weist folgende Schritte auf: Bereitstellen eines Schichtstapels (100, 300, 400), welcher die hinsichtlich ihrer Brechzahl (n2) zu untersuchende Schicht als eine erste Schicht (110, 310, 410) sowie wenigstens eine weitere Schicht als eine zweite Schicht (120, 320, 420) aufweist; Messen eines von diesem Schichtstapel bei Bestrahlen mit Licht einer breitbandigen Lichtquelle (350, 450) erzeugten Reflexionsspektrums; und Bestimmen der Brechzahl (n2) der ersten Schicht anhand dieses Reflexionsspektrums und anhand der Brechzahl (n1) der zweiten Schicht, wobei die zweite Schicht (420) Teil eines Messkopfs (405) ist, welcher zur Ermittlung der Brechzahl (n1) der zweiten Schicht (420) im Voraus kalibriert wird.

Description

Verfahren und Messanordnung zur Bestimmung der Brechzahl einer Schicht
Die vorliegende Anmeldung beansprucht die Priorität der Deutschen Patent anmeldung DE 10 2021 204 532.4, angemeldet am 5. Mai 2021. Der Inhalt dieser DE-Anmeldung wird durch Bezugnahme („incorporation by reference“) mit in den vorliegenden Anmeldungstext aufgenommen.
HINTERGRUND DER ERFINDUNG
Gebiet der Erfindung
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Messanordnung zur Bestimmung der Brechzahl einer Schicht.
Stand der Technik
Im Stand der Technik ist zur Bestimmung optischer Konstanten (insbesondere der Brechzahl) von Schichtmaterialien der Einsatz ellipsometrischer Verfahren bekannt. Hierbei wird typischerweise anhand der Einstrahlung von polarisiertem Licht unter voneinander verschiedenen Einfallswinkeln in einem Messaufbau mit einem schwenkbar angeordneten, eine Lichtquelle aufweisenden ersten Mess arm und einem ebenfalls schwenkbar angeordneten und einen Analysator auf weisenden zweiten Messarm eine winkelaufgelöste Messung durchgeführt. Dabei können sich in der Praxis je nach Anwendung der erforderliche erhebliche Bauraum des Messaufbaus sowie die verhältnismäßig lange Messzeit der winkelaufgelösten Messung als nachteilig erweisen. Im Stand der Technik ist ferner der Einsatz spektraler Reflektometrie zur Schichtdickenmessung bekannt. Hierbei wird ein von einer breitbandigen Licht quelle erzeugter Lichtstrahl über eine geeignete Faser-Optik in die hinsichtlich ihrer Schichtdicke zu vermessende und auf einem Substrat befindliche Schicht bekannter Brechzahl eingestrahlt. Das an der Schicht bzw. dem Substrat reflek tierte Licht wird über die Optik in eine weitere Faser eingekoppelt und zu einem Spektrometer geleitet, wobei ein Detektor das resultierende Reflexionsspektrum (d.h. die Abhängigkeit der Reflektivität von der Wellenlänge des Lichts) auf nimmt. Das in die hinsichtlich ihrer Schichtdicke zu vermessende Schicht ein gestrahlte Licht erfährt eine von der Wellenlänge abhängige Phasendifferenz, welche wiederum über konstruktive bzw. destruktive Interferenz im Reflexions spektrum zu einer sinus- oder kosinusförmigen Modulation führt. Das gemes sene Reflexionsspektrum wird unter Durchführung einer Fouriertransformation ausgewertet, wobei aus der Lage des im Fourierspektrum erhaltenen Peaks auf die Schichtdicke geschlossen wird.
Zum Stand der Technik wird lediglich beispielhaft auf US 2010/0141948 A1 , US 2012/0182560 A1 , US 2017/0038201 A1 , US 2018/0061691 A1 und WO 2019/031667 A1 verwiesen.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren und eine Messanord nung zur Bestimmung der Brechzahl einer Schicht bereitzustellen, welche eine möglichst schnelle und genaue Brechzahlbestimmung ermöglichen.
Diese Aufgabe wird durch das Verfahren gemäß den Merkmalen des unabhän gigen Patentanspruchs 1 sowie die Messanordnung gemäß den Merkmalen des nebengeordneten Anspruchs 9 gelöst.
Ein Verfahren zur Bestimmung der Brechzahl einer Schicht weist folgende Schritte auf: - Bereitstellen eines Schichtstapels, welcher die hinsichtlich ihrer Brechzahl zu untersuchende Schicht als eine erste Schicht sowie wenigstens eine weitere Schicht als eine zweite Schicht aufweist;
- Messen eines von diesem Schichtstapel bei Bestrahlen mit Licht einer breit bandigen Lichtquelle erzeugten Reflexionsspektrums; und
- Bestimmen der Brechzahl der ersten Schicht anhand dieses Reflexions spektrums und anhand der Brechzahl der zweiten Schicht; wobei die zweite Schicht Teil eines Messkopfs ist, welcher zur Ermittlung der Brechzahl der zweiten Schicht im Voraus kalibriert wird.
Der Erfindung liegt insbesondere das Konzept zugrunde, eine Brechzahlbestim mung basierend auf dem Prinzip spektraler Reflektometrie dadurch zu realisie ren, dass die hinsichtlich ihrer Brechzahl zu untersuchende Schicht in einem Schichtstapel mit wenigstens einer weiteren Schicht, deren Brechzahl von vor- neherein bekannt ist und die gewissermaßen als „Referenzschicht“ dient, ange ordnet wird. Dabei kann in diesem Schichtstapel zwischen der (hinsichtlich ihrer Brechzahl zu untersuchenden) ersten Schicht und der (als „Referenzschicht“ dienenden) zweiten Schicht ein direkter Kontakt oder auch ein (wie im Weiteren beschrieben bezogen auf die mittlere Wellenlänge der verwendeten breitbandi gen Lichtquelle relativ kleiner) Spaltabstand vorhanden sein.
Die im Wege der spektralen Reflektometrie erfolgende Messung des Reflexions spektrums dieses Schichtstapels und anschließende Durchführung einer Fourier-Transformation ergibt im hierbei erhaltenen Fourierspektrum dann zu sätzlich zum dem durch die gesamte Schichtdicke des Schichtstapels verur sachten Hauptmaximum (= „Hauptpeak“) wenigstens ein Nebenmaximum (= „Nebenpeak“), welches auf Rückreflexe an der Schichtgrenze zwischen der hin sichtlich ihrer Brechzahl zu untersuchenden Schicht und der Referenzschicht zurückzuführen ist.
Dabei macht sich die Erfindung den Umstand zunutze, dass die Amplitude dieses Nebenpeaks bzw. Nebenmaximums von der Brechzahldifferenz Dh zwischen den betreffenden Brechzahlen abhängig ist und somit bei bekannter Brechzahl der Referenzschicht unmittelbar die Bestimmung der unbekannten Brechzahl der zu untersuchenden Schicht ermöglicht.
Der Umstand, dass die erfindungsgemäße Brechzahlbestimmung letztlich auf einer Auswertung der Kontrastamplitude im Fourier-Spektrum basiert, hat hier bei den Vorteil, dass eine mit größeren Messungenauigkeiten einhergehende Messung absoluter Größen (wie z.B. die Messung der eingestrahlten Lichtleis tung und der reflektierten Lichtleistung) entbehrlich wird und insbesondere auch Leistungsschwankungen der Lichtquelle bei der erfindungsgemäßen Kontrast bestimmung herausfallen und somit nicht in das letztlich erhaltene Messergebnis eingehen.
Neben der aus der vorstehend genannten Messung des Kontraste als einer relativen Größe resultierenden größeren Messgenauigkeit hat das erfindungs gemäße Konzept der Brechzahlbestimmung basierend auf spektraler Reflekto- metrie den Vorteil einer wesentlich größeren Messgeschwindigkeit im Vergleich zu ellipsometrischen Messverfahren, da die erfindungsgemäße Messung des Reflexionsspektrums unter nur einmaliger Bestrahlung des Schichtstapels mit Licht der Breitlichtquelle und Aufnahme des erhaltenen Reflexionsspektrums erfolgt.
Dabei wird erfindungsgemäß hinsichtlich der vor Aufnahme des Reflexions spektrums erforderlichen Bereitstellung des Schichtstapels aus der hinsichtlich ihrer Brechzahl zu untersuchenden Schicht und der wenigstens einen weiteren (Referenz-) Schicht mit bekannter Brechzahl bewusst ein erhöhter Aufwand in fertigungstechnischer Hinsicht in Kauf genommen, welcher mit der Anordnung der besagten Referenzschicht einhergeht. Dieser fertigungstechnische Aufwand resultiert insbesondere aus der erforderlichen hohen Oberflächenqualität der in möglichst gutem optischem Kontakt miteinander oder in geringen Abstand von einander zu bringenden Schichten bei zugleich geringer Dicke der erforderlichen Referenzschicht (deren Brechzahl wiederum mit sehr hoher Genauigkeit be kannt sein muss). Die Inkaufnahme des erhöhten fertigungstechnischen Aufwandes erfolgt erfindungsgemäß jedoch bewusst, um im Gegenzug die zu vor beschriebenen Vorteile sowohl hinsichtlich der erhöhten Messgenauigkeit als auch der größeren Schnelligkeit der erfindungsgemäßen Brechzahlbestim mung zu erreichen.
In einer beispielhaften Ausführungsform kann die Bereitstellung des Schicht stapels insbesondere im Wege eines optischen Ansprengens und anschließen dem Dickenabtrag der Referenzschicht auf der hinsichtlich ihrer Brechzahl zu untersuchenden Schicht erfolgen, wobei ein geeignetes Schichtmaterial für die Referenzschicht beispielsweise kristallines Silizium (Si) ist. Geeignete Dicken der Referenzschicht können beispielsweise im Bereich von (10-20)pm liegen und nach erfolgtem optischem Ansprengen über entsprechenden Dickenabtrag eingestellt werden. Die zur Erzielung des erforderlichen optischen Kontakts ohne Lufteinschlüsse erforderliche Oberflächenqualität kann insbesondere durch einen Polierprozess gewährleistet werden.
Gemäß einer Ausführungsform umfasst der Schritt des Bestimmens der Brech zahl die Schritte:
Durchführen einer Fouriertransformation für das Reflexionsspektrum zur Ermittlung eines Fourierspektrums; und
Bestimmen der Brechzahl der ersten Schicht aus dem Modulationskontrast in diesem Fourierspektrum.
Gemäß einer Ausführungsform wird die zweite Schicht aus kristallinem Silizium (Si) hergestellt.
Gemäß einer Ausführungsform weicht die Brechzahl der zweiten Schicht von der Brechzahl der ersten Schicht um weniger als 20%, insbesondere um weniger als 10%, weiter insbesondere um weniger als 5%, jeweils bezogen auf den größeren Wert dieser beiden Brechzahlen, ab. Hierdurch wird die Sensitivität des erfin dungsgemäßen Verfahrens in Bezug auf die Änderung des Kontrasts bei Ände rung der Brechzahl erhöht. Gemäß einer Ausführungsform besitzt die zweite Schicht eine Dicke von weniger als 50pm, insbesondere eine Dicke im Bereich von (10-20)pm.
Gemäß einer Ausführungsform wird beim Bereitstellen des Schichtstapels ein maximaler Abstand zwischen der zweiten Schicht und der ersten Schicht von weniger als 1 % der mittleren Wellenlänge der breitbandigen Lichtquelle einge stellt.
Gemäß einer Ausführungsform wird beim Bereitstellen des Schichtstapels die zweite Schicht mit der ersten Schicht in Kontakt gebracht.
Gemäß einer Ausführungsform weist der Schichtstapel ferner eine T rägerschicht als dritte Schicht auf.
Die Erfindung betrifft weiter auch eine Messanordnung zur Bestimmung der Brechzahl einer Schicht in einem Verfahren mit den vorstehend beschriebenen Merkmalen, mit:
- einer breitbandigen Lichtquelle;
- einem Messkopf, welcher an die Lichtquelle optisch gekoppelt ist und wenigstens eine Schicht mit bekannter Brechzahl als Referenzschicht auf weist; und
- einem Spektrometer zur Aufnahme eines Reflexionsspektrums, welches er zeugt wird, wenn die hinsichtlich ihrer Brechzahl zu untersuchende Schicht mit Licht der breitbandigen Lichtquelle durch die Referenzschicht des Mess kopfs hindurch bestrahlt wird.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind der Beschreibung sowie den Unter- ansprüchen zu entnehmen.
Die Erfindung wird nachstehend anhand von in den beigefügten Abbildungen dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert. KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Es zeigen:
Figur 1 eine schematische Darstellung des möglichen Aufbaus eines bei Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens in einer Ausführungsform bereitgestellten Schichtstapels;
Figur 2 ein Flussdiagramm zur Erläuterung des möglichen Ablaufs des erfindungsgemäßen Verfahrens;
Figur 3 eine schematische Darstellung des möglichen Aufbaus einer zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens geeig neten Messanordnung;
Figur 4 eine schematische Darstellung eines weiteren möglichen Auf baus einer zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfah rens geeigneten Messanordnung;
Figur 5a-5c Diagramme zur Veranschaulichung einer in einem erfindungs gemäßen Verfahren erfolgenden Auswertung eines Fourier spektrums eines Schichtstapels; und
Figur 6 ein Diagramm zur Erläuterung der möglichen Brechzahlbestim mung in einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Ver fahrens. DETAILLIERTE BESCHREIBUNG BEVORZUGTER AUSFÜHRUNGSFORMEN
Im Weiteren wird ein möglicher Ablauf eines erfindungsgemäßen Verfahrens zur Brechzahlbestimmung anhand beispielhafter Ausführungsformen und unter Bezugnahme auf Fig. 1-6 beschrieben.
Gemäß der schematischen Darstellung von Fig. 1 und dem Flussdiagramm von Fig. 2 erfolgt in einem ersten Schritt S210 die Bereitstellung eines Schicht stapels, welcher zusätzlich zu einer hinsichtlich ihrer Brechzahl zu untersuchen den Schicht wenigstens eine hinsichtlich ihrer Brechzahl bekannte zweite Schicht als „Referenzschicht“ aufweist.
Fig. 1 zeigt in lediglich schematischer Darstellung einen möglichen Aufbau eines solchen Schichtstapels 100, wobei die hinsichtlich ihrer Brechzahl r\2 zu unter suchende erste Schicht mit „110“ und die eine bekannte Brechzahl ni auf weisende zweite Schicht mit „120“ bezeichnet ist. Die besagte zweite Schicht 120 ist im Ausführungsbeispiel (jedoch ohne dass die Erfindung hierauf beschränkt wäre) aus kristallinem Silizium (Si) hergestellt und kann eine bei spielhafte Schichtdicke im Bereich von (10-20)pm besitzen.
Bei der hinsichtlich ihrer Brechzahl r\2 zu untersuchenden ersten Schicht 110 kann es sich im Ausführungsbeispiel um eine Schicht aus amorphem Silizium (Si) handeln. Mit „130“ ist in Fig. 1 eine grundsätzlich optionale, jedoch unter Stabilitätsaspekten vorteilhafte dritte Schicht als Trägerschicht mit ebenfalls be kannter Brechzahl no bezeichnet. Die dritte Schicht 130 bzw. Trägerschicht ist aus einem für Licht im verwendeten Wellenlängenbereich hinreichend transmis- siven Material hergestellt. Die dritte Schicht 130 bzw. Trägerschicht kann bei spielsweise aus Quarz oder einem gut transmittierenden Glas hergestellt sein. Die Dicke der dritten Schicht 130 bzw. Trägerschicht kann lediglich beispielhaft mehrere Millimeter (mm) betragen (und z.B. im Bereich von 1 mm-10mm liegen). Zur Bereitstellung des in Fig. 1 dargestellten Schichtstapels 100 kann insbeson dere die zweite Schicht 120 bzw. Referenzschicht zunächst auf der dritten Schicht 130 bzw. Trägerschicht angesprengt oder gebondet werden und anschließend unter materialabtragender Bearbeitung z.B. in einem Polier prozess auf die gewünschte Dicke von (10-20)pm abgetragen werden. Anschlie ßend kann der erforderliche optische Kontakt zwischen der zweiten Schicht 120 bzw. Referenzschicht und der hinsichtlich ihrer Brechzahl zu untersuchenden ersten Schicht 110 wiederum über Ansprengen erfolgen. In weiteren Ausführungsformen kann auch wie im Weiteren beschrieben auch ein geringer Spaltabstand zwischen erster Schicht 110 und zweiter Schicht 120 verbleiben.
In dem so bereitgestellten Schichtstapel 100 wird nun erfindungsgemäß die Brechzahl r\2 der ersten Schicht 110 anhand spektraler Reflektometrie unter Ver wendung des in Fig. 3 schematisch dargestellten Messaufbaus bestimmt. Flierzu wird gemäß Fig. 3 Licht einer breitbandigen Lichtquelle 350 über eine optische Faser 315 und eine geeignete Kollimatoroptik 340 in den Schichtstapel 100 ein gekoppelt. Das von dem Schichtstapel 100 reflektierte Licht wird zurück über die Kollimatoroptik 340 und eine weitere optische Faser 325 zu einem Spektrometer 360 geführt, mit welchem über einen Detektor 370 ein Reflexionsspektrum auf genommen und somit die Abhängigkeit der Reflektivität von der Wellenlänge be stimmt wird.
Für dieses Reflexionsspektrum wird in einem nachfolgenden Schritt S230 und in für sich bekannter Weise eine Fourier-Transformation durchgeführt. In dem so erhaltenen Fourier-Spektrum treten - wie in Fig. 5a-5c lediglich beispielhaft für das Fourierspektrum eines Schichtstapels aus zwei Schichten mit geringfügig voneinander abweichenden Brechzahlen veranschaulicht - zusätzlich zu dem Hauptmaximum (d.h. dem durch die gesamte Schichtdicke des Schichtstapels 100 bzw. 300 oder des aus den Schichten 110, 120 bzw. 310, 320 gebildeten Teilstapels verursachten Hauptpeak) infolge der an den im Schichtstapel 100 bzw. 300 vorhandenen Schichtgrenzen auftretenden Rückreflexe Nebenmaxima („Nebenpeaks“) auf, wobei die Amplitude dieser Nebenmaxima von der Brechzahldifferenz zwischen den jeweils aneinander angrenzenden Schichten abhängt. Somit kann anhand der Amplitude der betreffenden Nebenmaxima die (unbekannte) Brechzahl r\2 der ersten Schicht 110 bzw. 310 bei Kenntnis der Brechzahl ni der zweiten Schicht bzw. Referenzschicht 120 bzw. 320 (sowie ggf. der Brechzahl no der dritten Schicht 130 bzw. 330) bestimmt werden.
Für das Auftreten der o.g. Nebenmaxima ist erforderlich, dass sich die Brech zahlen der zu untersuchenden ersten Schicht 110 bzw. 310 und der zweiten (Referenz-)Schicht 120 bzw. 320 voneinander unterscheiden. Des Weiteren wird das Material der zweiten (Referenz-)Schicht 120 bzw. 320 vorzugsweise derart geeignet gewählt, dass es in seiner Brechzahl nur geringfügig von der zu erwar tenden Brechzahl des Materials der zu untersuchenden ersten Schicht 110 bzw. 310 abweicht (so dass z.B. im Ausführungsbeispiel von Fig. 1 die zweite (Refe renz-) Schicht 120 bzw. 320 aus kristallinem Silizium (Si) hergestellt wird, wenn die erste Schicht 110 bzw. 310 aus amorphem Silizium (Si) besteht).
Gemäß den Fresnel'schen Formeln bei senkrechtem Einfall ist das Verhältnis der Reflexionsamplitude E2 zur einfallenden Amplitude E,n gegeben durch
E2 _ ni ~ n2 Ein ni + n2
(1 )
Für den Modulationskontrast K gilt:
Figure imgf000012_0001
Der Erfindung liegt die Überlegung zugrunde, dass dieser Modulationskontrast K unabhängig von der Amplitude Ein des auf den Schichtstapel 100 bzw. 300 einfallenden Lichts ist und ein eindeutiges Maß für die gesuchte Brechzahl r\2 der ersten Schicht 110 bzw. 310 darstellt, sofern die Brechzahl ni der zweiten Schicht 120 bzw. 320 bekannt ist.
Im Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 1 sind Dicken und Brechzahlen der Schichten 120, 130 exakt bekannt. Bei vorzugsweise zu wählenden kleinen Brechzahlunterschieden zwischen ni und r\2 können Mehrfachreflexionen ver nachlässigt werden. Es gilt: n0 - ni
E1 = E in n0 + nt
(3) und
Figure imgf000013_0001
Der Modulationskontrast K ist somit eine eindeutige Funktion nur von den be kannten Brechzahlen no und ni sowie der zu bestimmenden Brechzahl r2. Damit kann aus dem Modulationskontrast K die Brechzahl r\2 eindeutig bestimmt wer den. Wie in einem numerischen Beispiel in Fig. 6 gezeigt, ist diese Beziehung bei kleiner Brechzahldifferenz zwischen der Brechzahl r\2 ersten Schicht 110 und der Brechzahl ni der zweiten (Referenz-)Schicht 120 nahezu linear.
Im Allgemeinen muss bei der Berechnung des Kontraste auch die Absorption (entsprechend dem imaginären Anteil des komplexen Brechungsindex) berück sichtigt werden. Wie aus Fig. 1 und den Gleichungen (3) und (4) hervorgeht, spielt dabei nur die Absorption der zweiten Schicht 120 bzw. Referenzschicht eine Rolle. Diese Referenzschicht muss also einmalig sehr genau charakterisiert sein. Das kann z.B. durch Ellipsometrie oder durch Messung und Auswertung des Reflexionsspektrums der Referenzschicht inkl. Träger an Luft geschehen.
Alternativ zur Brechzahlbestimmung anhand der funktionalen Abhängigkeit des Kontraste K von der gesuchten Brechzahl r\2 der ersten Schicht 110 bzw. 310 (unter Zugrundelegung der vorbekannten Brechzahlen ni, no der übrigen Schichten 120, 130 bzw. 320, 330) kann auch der aus besagten übrigen Schichten gebildete Teilschichtstapel selbst (als „Messkopf“) kalibriert werden.
Fig. 4 zeigt hierzu eine schematische Darstellung, in welcher zu Fig. 3 analoge bzw. im Wesentlichen funktionsgleiche Komponenten mit um „100“ erhöhten Bezugsziffern bezeichnet sind. Dabei sind die als Referenzschicht dienenden zweite Schicht 420, die als Trägerschicht dienende dritte Schicht 430 und die Kollimatoroptik 440 in einen Messkopf 405 integriert, welcher jeweils an die Lichtquelle 450 über die optische Faser 415 und an das Spektrometer 460 über die optische Faser 425 optisch gekoppelt ist. Über Spektrometer 460 und Detektor 470 erfolgt analog zu Fig. 3 die Aufnahme eines Reflexionsspektrums, wenn die hinsichtlich ihrer Brechzahl zu untersuchende Schicht 410 mit Licht der breitbandigen Lichtquelle 450 durch die Referenzschicht bzw. zweite Schicht 420 des Messkopfs 405 hindurch bestrahlt wird. Dabei kann der Messkopf 405 so platziert werden, dass sich besagte Referenzschicht bzw. zweite Schicht 420 in direktem Kontakt mit der hinsichtlich ihrer Brechzahl zu untersuchenden Schicht 410 oder auch (wie in Fig. 4 angedeutet) in geringem Abstand von dieser Schicht 410 befindet. Vorzugsweise beträgt dabei der Abstand weniger als 1 % der mittleren Wellenlänge der Lichtquelle 450. Bei einer beispielhaften mittleren Wellenlänge der Lichtquelle 450 von 1 pm sollte daher der besagte Abstand geringer als 10nm sein.
Der Messkopf 405 kann zur Ermittlung der Brechzahl ni der als Referenzschicht dienenden zweiten Schicht 420 z.B. anhand von Ellipsometrie im Voraus kalib riert und dann wiederholt zur Brechzahlbestimmung für unterschiedliche Schichten 410 eingesetzt werden.
Wenngleich in den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen jeweils eine plane Geometrie der als Referenzschicht dienenden zweiten Schicht angenom men wurde, ist die Erfindung nicht hierauf beschränkt. So kann in weiteren Aus führungsformen auch eine gekrümmte Geometrie der als Referenzschicht dienenden zweiten Schicht sowie der ggf. vorhandenen Trägerschicht vorgese hen sein, wobei diese Geometrie insbesondere auf die Geometrie der hinsichtlich ihrer Brechzahl zu untersuchenden Schicht abgestimmt sein kann, um auf diese Weise einen flächigen Kontakt oder auch einen im Wesentlichen konstanten geringen Abstand zwischen den Schichten zu ermöglichen. Wenn die Erfindung auch anhand spezieller Ausführungsformen beschrieben wurde, erschließen sich für den Fachmann zahlreiche Variationen und alterna tive Ausführungsformen, z.B. durch Kombination und/oder Austausch von Merk malen einzelner Ausführungsformen. Dementsprechend versteht es sich für den Fachmann, dass derartige Variationen und alternative Ausführungsformen von der vorliegenden Erfindung mit umfasst sind, und die Reichweite der Erfindung nur im Sinne der beigefügten Patentansprüche und deren Äquivalente be schränkt ist.

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zur Bestimmung der Brechzahl einer Schicht, wobei das Verfah ren folgende Schritte aufweist: a) Bereitstellen eines Schichtstapels (100, 300, 400), welcher die hin sichtlich ihrer Brechzahl (n2) zu untersuchende Schicht als eine erste Schicht (110, 310, 410) sowie wenigstens eine weitere Schicht als eine zweite Schicht (120, 320, 420) aufweist; b) Messen eines von diesem Schichtstapel (100, 300, 400) bei Bestrah len mit Licht einer breitbandigen Lichtquelle (350, 450) erzeugten Reflexionsspektrums; und c) Bestimmen der Brechzahl (n2) der ersten Schicht (110, 310, 410) anhand dieses Reflexionsspektrums und anhand der Brechzahl (n-i) der zweiten Schicht (120, 320, 420); wobei die zweite Schicht (420) Teil eines Messkopfs (405) ist, welcher zur
Ermittlung der Brechzahl (n-i) der zweiten Schicht (420) im Voraus kalibriert wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt c) des Bestimmens der Brechzahl (n2) der ersten Schicht (110, 310, 410) die Schritte umfasst:
- Durchführen einer Fouriertransformation für das Reflexionsspektrum zur Ermittlung eines Fourierspektrums; und
- Bestimmen der Brechzahl (n2) der ersten Schicht (110, 310, 410) aus dem Modulationskontrast in diesem Fourierspektrum.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Schicht (120) aus kristallinem Silizium (Si) hergestellt wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Brechzahl (n-i) der zweiten Schicht (120, 320, 420) von der Brechzahl (112) der ersten Schicht (110, 310, 410) um weniger als 20%, ins besondere um weniger als 10%, weiter insbesondere um weniger als 5%, jeweils bezogen auf den größeren Wert dieser beiden Brechzahlen, ab weicht.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn zeichnet, dass die zweite Schicht (120, 320, 420) eine Dicke von weniger als 50pm, insbesondere eine Dicke im Bereich von (10-20)pm, besitzt.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn zeichnet, dass beim Bereitstellen des Schichtstapels (100, 300, 40) ein maximaler Abstand zwischen der zweiten Schicht (120, 320, 420) und der ersten Schicht (110, 310, 410) von weniger als 1% der mittleren Wellen länge der breitbandigen Lichtquelle (350, 450) eingestellt wird.
7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn zeichnet, dass beim Bereitstellen des Schichtstapels (100, 300, 400) die zweite Schicht (120, 320, 420) mit der ersten Schicht (110, 310, 410) in Kontakt gebracht wird.
8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn zeichnet, dass der Schichtstapel (100, 300, 400) ferner eine Trägerschicht als dritte Schicht (130, 330, 430) aufweist.
9. Messanordnung zur Bestimmung der Brechzahl einer Schicht in einem Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, mit:
- einer breitbandigen Lichtquelle (450);
- einem Messkopf (405), welcher an die Lichtquelle (450) optisch gekop pelt ist und wenigstens eine Schicht (420) mit bekannter Brechzahl (n-i) als Referenzschicht aufweist; und
- einem Spektrometer (460) zur Aufnahme eines Reflexionsspektrums, welches erzeugt wird, wenn die hinsichtlich ihrer Brechzahl (n2) zu untersuchende Schicht (410) mit Licht der breitbandigen Lichtquelle (450) durch die Referenzschicht des Messkopfs (405) hindurch bestrahlt wird.
PCT/EP2022/061102 2021-05-05 2022-04-26 Verfahren und messanordnung zur bestimmung der brechzahl einer schicht WO2022233648A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102021204532.4 2021-05-05
DE102021204532.4A DE102021204532A1 (de) 2021-05-05 2021-05-05 Verfahren und Messanordnung zur Bestimmung der Brechzahl einer Schicht

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2022233648A1 true WO2022233648A1 (de) 2022-11-10

Family

ID=81850188

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2022/061102 WO2022233648A1 (de) 2021-05-05 2022-04-26 Verfahren und messanordnung zur bestimmung der brechzahl einer schicht

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE102021204532A1 (de)
WO (1) WO2022233648A1 (de)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100141948A1 (en) 2007-07-11 2010-06-10 Yoel Cohen Method and system for use in monitoring properties of patterned structures
US20120182560A1 (en) 2009-07-17 2012-07-19 Limited Liability Company "Biomedical Technologies" Spectral reflectometry method and device
KR20140032682A (ko) * 2012-09-07 2014-03-17 한국광기술원 광페룰을 이용한 외부 패브리-페로 광섬유 센서 시스템 및 이에 적용되는 광섬유 센서 제조 방법
US20170038201A1 (en) 2015-08-04 2017-02-09 GlobalFoundries, Inc. Measurement system and method for measuring in thin films
US20180061691A1 (en) 2016-08-29 2018-03-01 Kla-Tencor Corporation Spectral Reflectometry For In-Situ Process Monitoring And Control
WO2019031667A1 (ko) 2017-08-07 2019-02-14 한국표준과학연구원 각도분해 분광 반사광측정법을 이용한 다층박막 두께 및 굴절률 측정장치 및 측정방법
CN110793938A (zh) * 2019-09-05 2020-02-14 天津大学 同时测量折射率和温度的光纤法珀传感器及其测量方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100141948A1 (en) 2007-07-11 2010-06-10 Yoel Cohen Method and system for use in monitoring properties of patterned structures
US20120182560A1 (en) 2009-07-17 2012-07-19 Limited Liability Company "Biomedical Technologies" Spectral reflectometry method and device
KR20140032682A (ko) * 2012-09-07 2014-03-17 한국광기술원 광페룰을 이용한 외부 패브리-페로 광섬유 센서 시스템 및 이에 적용되는 광섬유 센서 제조 방법
US20170038201A1 (en) 2015-08-04 2017-02-09 GlobalFoundries, Inc. Measurement system and method for measuring in thin films
US20180061691A1 (en) 2016-08-29 2018-03-01 Kla-Tencor Corporation Spectral Reflectometry For In-Situ Process Monitoring And Control
WO2019031667A1 (ko) 2017-08-07 2019-02-14 한국표준과학연구원 각도분해 분광 반사광측정법을 이용한 다층박막 두께 및 굴절률 측정장치 및 측정방법
CN110793938A (zh) * 2019-09-05 2020-02-14 天津大学 同时测量折射率和温度的光纤法珀传感器及其测量方法

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JIA-RONG ZHAO ET AL: "High-Resolution and Temperature-Insensitive Fiber Optic Refractive Index Sensor Based on Fresnel Reflection Modulated by Fabry-Perot Interference", JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY, IEEE, USA, vol. 28, no. 19, 1 October 2010 (2010-10-01), pages 2799 - 2803, XP011316314, ISSN: 0733-8724 *
JI-HUAN CHEN ET AL: "Extrinsic fiber-optic Fabry-Perot interferometer sensor for refractive index measurement of optical glass", APPLIED OPTICS, OPTICAL SOCIETY OF AMERICA, WASHINGTON, DC, US, vol. 49, no. 29, 10 October 2010 (2010-10-10), pages 5592 - 5596, XP001557733, ISSN: 0003-6935, DOI: 10.1364/AO.49.005592 *
KYUNG-SU KIM ET AL: "Refractive Index Sensor for Liquids and Solids Using Dielectric Multilayer Films Deposited on Optical Fiber End Surface", IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, IEEE, USA, vol. 23, no. 20, 1 October 2011 (2011-10-01), pages 1472 - 1474, XP011353555, ISSN: 1041-1135, DOI: 10.1109/LPT.2011.2163063 *
RODRIGUEZ-QUIROZ OSVALDO ET AL: "Hybrid Fiber Fabry-Perot Interferometer With Improved Refractometric Response", JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY, IEEE, USA, vol. 37, no. 17, 1 September 2019 (2019-09-01), pages 4268 - 4274, XP011741195, ISSN: 0733-8724, [retrieved on 20190819], DOI: 10.1109/JLT.2019.2922836 *

Also Published As

Publication number Publication date
DE102021204532A1 (de) 2022-11-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2626144C3 (de) Eichverfahren für ein Meßgerät zur Bestimmung der Menge einer von einer laufenden Materialbahn transportierten Substanz aus der Absorption optischer Strahlung
DE69930651T2 (de) Vorrichtung zur optischen charakterisierung eines dünnschichtmaterials
EP0011708B1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Messung der Ebenheit, der Rauhigkeit oder des Krümmungsradius einer Messfläche
EP3435027B1 (de) Konfokalmikroskop zur schichtdickenmessung und mikroskopieverfahren zur schichtdickenmessung
DE69631400T2 (de) System für das Messen von Dünnfilmen
DE60218795T2 (de) Vorrichtung zur Messung der Blendenöffnung einer Probe für optisches Nahfeld, und Verfahren zur deren Messung
DE2611514B2 (de) Oberflächen-Abtastprüfvorrichtung
DE102021105946A1 (de) Messvorrichtung und Verfahren zur Rauheits- und/oder Defektmessung an einer Oberfläche
DE2925749A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur koernungsbestimmung
DE102007043937A1 (de) Verfahren zur Bestimmung der Dicke und des Brechungsindex von optisch transparenten Schichten auf optisch transparenten planparallelen Substraten
DE10204943B4 (de) Verfahren zur Bestimmung von Schichtdicken
WO2022233648A1 (de) Verfahren und messanordnung zur bestimmung der brechzahl einer schicht
DE112017008083T5 (de) Ferninfrarotlichtquelle und ferninfrarotspektrometer
DE69918661T2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Messen von Musterstrukturen
DE102006003472A1 (de) Verfahren zur Anpassung eines Modellspektrums an ein Messspektrum
DE102019114167A1 (de) Optische Messvorrichtung und Verfahren
WO2017045982A1 (de) Vorrichtung und verfahren zur chromatisch-konfokalen untersuchung einer probe
DE1648748C3 (de) Verfahren zum Prüfen eines Stuckes aus gleichmäßig vorgespanntem Glas
DE102020112489A1 (de) Optische Messvorrichtung
DE10227376B4 (de) Verfahren zur Bestimmung von Schichtdickenbereichen
WO2021151792A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur charakterisierung eines kohärenten lichtfelds in amplitude und phase
DE3814606C2 (de)
DE10341322A1 (de) Optisches Messsystem und Verfahren
EP3602198B1 (de) Verfahren zum detektieren von partikeln an der oberfläche eines objekts, wafer und maskenblank
DE19814056A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung optischer Parameter von optischen Schichten

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 22725820

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 22725820

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1