WO2022176547A1

WO2022176547A1 - 高周波モジュール及び通信装置

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Publication number: WO2022176547A1
Application number: PCT/JP2022/002911
Authority: WO
Inventors: 邦俊花岡
Original assignee: 株式会社村田製作所
Priority date: 2021-02-18
Filing date: 2022-01-26
Publication date: 2022-08-25
Also published as: US20230380120A1

Abstract

電子部品の間に配置される金属部材の自立性を向上させる高周波モジュールを提供する。高周波モジュールは、実装基板（１００）、第１金属部材（１３０）及び第２金属部材（１４０）を備える。第１金属部材（１３０）及び第２金属部材（１４０）は、実装基板（１００）に配置されている。第１金属部材（１３０）は、実装基板（１００）の厚さ方向（Ｄ３）からの平面視で第１方向（Ｄ１）に沿う長手方向を有する。第２金属部材（１４０）は、実装基板（１００）の厚さ方向（Ｄ３）からの平面視で第２方向（Ｄ２）に沿う長手方向を有する。第１金属部材（１３０）又は第２金属部材（１４０）は、第１電子部品と第２電子部品の間に配置される。第１金属部材（１３０）は第１凹部（１３２）を有する。第２金属部材（１４０）は貫通孔（１４４）と第２凹部（１４２）とを有する。貫通孔（１４４）は第２金属部材（１４０）を第２方向（Ｄ２）に交差する方向（Ｄ１）に貫通する。第２凹部（１４２）は第１凹部（１３２）と対向しかつ接触する。

Description

高周波モジュール及び通信装置

　本発明は、一般に高周波モジュール及び通信装置に関し、より詳細には、実装基板に第１電子部品及び第２電子部品が配置されている高周波モジュール、及び、高周波モジュールを備える通信装置に関する。

　特許文献１に記載の高周波モジュールは、配線基板と、複数の部品（第１電子部品、第２電子部品）と、封止樹脂層（樹脂部材）と、シールド壁とを備える。複数の部品は、配線基板に実装されている。封止樹脂層は、配線基板に実装された複数の部品を封止する。シールド壁は、封止樹脂層内で隣接する部品間に設けられている。

国際公開第２０１６／１８１９５４号

　特許文献１に記載の高周波モジュールでは、シールド壁の自立性が不十分な場合がある。

　本発明は上記課題に鑑みてなされ、複数の電子部品の間に配置されている金属部材の自立性を向上させることができる高周波モジュール及び通信装置を提供することを目的とする。

　本発明の一態様に係る高周波モジュールは、実装基板と、第１電子部品及び第２電子部品と、第１金属部材及び第２金属部材と、樹脂部材と、を備える。前記実装基板は、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する。前記第１電子部品及び前記第２電子部品は、前記実装基板の前記第１主面に配置されている。前記第１金属部材及び前記第２金属部材は、前記実装基板の前記第１主面に配置されている。前記樹脂部材は、前記第１電子部品、前記第２電子部品、及び前記第２金属部材の少なくとも一部を覆う。前記第１金属部材及び前記第２金属部材は、グランドに接続されている。前記第１金属部材は、前記実装基板の厚さ方向からの平面視において、第１方向に沿う第１長手方向を有する。前記第２金属部材は、前記実装基板の厚さ方向からの平面視において、前記第１方向と交差する第２方向に沿う第２長手方向を有する。前記第１金属部材及び前記第２金属部材の少なくとも一方は、前記第１電子部品と前記第２電子部品との間に配置されている。前記第１金属部材は、第１凹部を有する。前記第２金属部材は、貫通孔と、第２凹部と、を有する。前記貫通孔は、前記第２金属部材を前記第２方向に交差する方向に貫通する。前記第２凹部は、前記第１凹部と対向しかつ接触する。

　本発明の一態様に係る通信装置は、前記高周波モジュールと、信号処理回路と、を備える。前記信号処理回路は、前記高周波モジュールを通る前記高周波信号を処理する。

　本発明によれば、複数の電子部品の間に配置されている金属部材の自立性を向上させることができる。

図１は、実施形態に係る高周波モジュールを示す模式的な回路図である。図２は、同上の高周波モジュールの平面図である。図３は、図２のＸ１－Ｘ１断面図である。図４は、同上の高周波モジュールが備える第１金属部材及び第２金属部材の斜視図である。図５は、同上の第１金属部材の断面図である。図６は、同上の第２金属部材の断面図である。図７は、第１金属部材と第２金属部材の交差部分を示す模式的な拡大図である。図８は、変形例１における第２金属部材の第２凹部の幅と第１金属部材の厚さとの関係を説明する説明図である。図９は、変形例２における第１金属部材及び第２金属部材を示す模式的な平面図である。図１０Ａは、変形例３において実装基板での第１金属部材及び第２金属部材の配置の例を示す模式的な平面図である。図１０Ｂは、図１０ＡのＸ２－Ｘ２断面図である。図１１は、変形例４における第１金属部材と第２金属部材の交差部分を示す模式的な拡大図である。図１２は、変形例５におけるワイヤボンディングの実装の例を説明する模式的な斜視図である。図１３は、変形例６におけるワイヤボンディングの実装の例を説明する模式的な斜視図である。図１４は、変形例７における第１金属部材及び第２金属部材を示す模式的な斜視図である。図１５は、変形例７の変形例における傾斜した第２凹部の幅と第１金属部材の厚さとの関係を説明する説明図である。

　以下の実施形態等において参照する図２～図７は、いずれも模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。

　（実施形態１）
　以下、実施形態に係る高周波モジュール１及び通信装置５００について、図１～図７を用いて説明する。

　（１）概要
　図２～図４を参照して、高周波モジュール１の概要を説明する。

　図２に示すように、高周波モジュール１は、実装基板１００と、第１電子部品（例えばパワーアンプ６１）及び第２電子部品（例えば送信フィルタ４１）と、第１金属部材１３０及び第２金属部材１４０と、樹脂層１２０（樹脂部材）と、を備える。実装基板１００は、互いに対向する第１主面１０１及び第２主面１０２を有する。第１電子部品及び第２電子部品は、実装基板１００の第１主面１０１に配置されている。第１金属部材１３０及び第２金属部材１４０は、実装基板１００の第１主面１０１に配置されている。樹脂層１２０は、第１電子部品、第２電子部品、及び第２金属部材１４０の少なくとも一部を覆う（図３参照）。図３の例では、樹脂層１２０は、第１電子部品及び第２電子部品の全体を覆い、第２金属部材１４０の第１主面１４３１以外の部分を覆う。第１主面１４３１とは、第２金属部材１４０の後述の接触部１４３において、実装基板１００の厚さ方向Ｄ３で互いに対向する２つの主面のうち実装基板１００側とは反対側の主面である。第１金属部材１３０及び第２金属部材１４０の少なくとも一方は、グランドに接続されている。

　図２に示すように、第１金属部材１３０は、実装基板１００の厚さ方向Ｄ３（図３参照）からの平面視において、第１方向Ｄ１に沿う第１長手方向を有する。第２金属部材１４０は、上記の平面視において、第１方向Ｄ１と交差する第２方向Ｄ２に沿う第２長手方向を有する。すなわち、第２金属部材１４０は、第１方向Ｄ１及び厚さ方向Ｄ３の双方と交差する第２長手方向を有する。第２金属部材１４０は、第１電子部品（例えばパワーアンプ６１）と第２電子部品（例えば送信フィルタ４１）との間に配置されている。

　図４に示すように、第１金属部材１３０は、第１凹部１３２を有する。第２金属部材１４０は、貫通孔１４４と第２凹部１４２とを有する。貫通孔１４４は、第２金属部材１４０を第２方向Ｄ２に交差（例えば直交）する方向（第１方向Ｄ１）に貫通する。第２凹部１４２は、第１凹部１３２と対向しかつ接触する。

　この構成によれば、第１金属部材１３０の第１凹部１３２と第２金属部材１４０の第２凹部１４２とが対向しかつ接触する。このため、第１金属部材１３０及び第２金属部材１４０は、実装基板１００上で互いに支え合って自立可能である。これにより、第１電子部品と第２電子部品との間に配置されている金属部材（第１金属部材１３０又は第２金属部材１４０）の自立性を向上できる。

　（２）構成
　以下、高周波モジュール１及び通信装置５００の構成について、図１～図７を参照して説明する。

　（２－１）通信装置の構成の一例
　図１に示すように、通信装置５００は、例えば、携帯電話（例えば、スマートフォン）であるが、これに限らず、例えば、ウェアラブル端末（例えば、スマートウォッチ）であってもよい。高周波モジュール１は、例えば、４Ｇ（第４世代移動通信）規格、５Ｇ（第５世代移動通信）規格に対応可能なモジュールである。４Ｇ規格は、例えば、３ＧＰＰ（Third Generation Partnership Project）　ＬＴＥ規格（ＬＴＥ：Long Term Evolution）である。５Ｇ規格は、例えば、５Ｇ　ＮＲ（New Radio）である。高周波モジュール１は、例えば、キャリアアグリゲーション及びデュアルコネクティビティに対応可能なモジュールである。ここで、キャリアアグリゲーション及びデュアルコネクティビティとは、複数の周波数帯域の電波を同時に使用する通信をいう。

　高周波モジュール１は、例えば、信号処理回路５０１から入力された送信信号（高周波信号）を増幅してアンテナ５１０に出力できるように構成されている。高周波モジュール１は、例えば、アンテナ５１０から入力された受信信号（高周波信号）を増幅して信号処理回路５０１に出力できるように構成されている。信号処理回路５０１は、高周波モジュール１の構成要素ではなく、高周波モジュール１を備える通信装置５００の構成要素である。高周波モジュール１は、例えば、通信装置５００の備える信号処理回路５０１によって制御される。通信装置５００は、高周波モジュール１と、信号処理回路５０１と、を備える。通信装置５００は、アンテナ５１０を更に備える。通信装置５００は、高周波モジュール１が実装された回路基板（図示せず）を更に備える。回路基板は、例えば、プリント配線板である。回路基板は、グランド電位が与えられるグランド電極を有する。

　信号処理回路５０１は、高周波モジュール１を通る信号（例えば、受信信号、送信信号）を処理する。信号処理回路５０１は、例えば、ＲＦ信号処理回路５０２と、ベースバンド信号処理回路５０３と、を含む。ＲＦ信号処理回路５０２は、例えば、ＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）であり、高周波信号に対する信号処理を行う。ＲＦ信号処理回路５０２は、例えば、ベースバンド信号処理回路５０３から出力された高周波信号（送信信号）に対してアップコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号を出力する。また、ＲＦ信号処理回路５０２は、例えば、高周波モジュール１から出力された高周波信号（受信信号）に対してダウンコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号をベースバンド信号処理回路５０３へ出力する。

　ベースバンド信号処理回路５０３は、例えば、ＢＢＩＣ（Baseband Integrated Circuit）である。ベースバンド信号処理回路５０３は、ベースバンド信号からＩ相信号及びＱ相信号を生成する。ベースバンド信号は、例えば、外部から入力される音声信号、画像信号等である。ベースバンド信号処理回路５０３は、Ｉ相信号とＱ相信号とを合成することでＩＱ変調処理を行って、送信信号を出力する。この際、送信信号は、所定周波数の搬送波信号を、当該搬送波信号の周期よりも長い周期で振幅変調した変調信号（ＩＱ信号）として生成される。ベースバンド信号処理回路５０３で処理された受信信号は、例えば、画像信号として画像表示のために、又は、音声信号として通話のために使用される。実施形態１に係る高周波モジュール１は、アンテナ５１０と信号処理回路５０１のＲＦ信号処理回路５０２との間で高周波信号（送信信号及び受信信号）を伝達する。

　（２－２）高周波モジュールの回路構成の一例
　図１に示すように、高周波モジュール１は、アンテナ端子１０と、スイッチ２０と、第１整合回路３１と、第２整合回路３２と、送信フィルタ４１と、受信フィルタ４２と、第３整合回路５１と、第４整合回路５２と、パワーアンプ６１と、ローノイズアンプ６２と、を備える。高周波モジュール１は、図１に示すように、信号入力端子７１と、信号出力端子７２と、を更に備える。

　アンテナ端子１０は、アンテナ５１０に電気的に接続される。

　スイッチ２０は、アンテナ端子１０に電気的に接続されている。スイッチ２０は、送信フィルタ４１及び受信フィルタ４２と電気的に接続されている。具体的には、スイッチ２０は、共通端子２１と、複数（図示例では、２つ）の選択端子２２，２３を有している。スイッチ２０は、信号処理回路５０１の制御により、複数の選択端子２２，２３のうち少なくとも１つを共通端子２１の接続先として選択する。つまり、スイッチ２０は、送信フィルタ４１及び受信フィルタ４２の少なくとも１つとアンテナ５１０とを選択的に接続する。共通端子２１は、アンテナ端子１０に電気的に接続されている。つまり、共通端子２１は、アンテナ端子１０を介してアンテナ５１０に電気的に接続されている。なお、共通端子２１は、アンテナ５１０に直接接続されていることに限定されない。共通端子２１とアンテナ５１０との間には、フィルタ又はカプラ等が設けられていてもよい。選択端子２２は、送信フィルタ４１に電気的に接続されている。選択端子２３は、受信フィルタ４２に電気的に接続されている。

　第１整合回路３１は、例えばインダクタ及びキャパシタの少なくとも１つである。第１整合回路３１は、スイッチ２０と送信フィルタ４１との間の送信経路において接続されており、スイッチ２０と送信フィルタ４１とのインピーダンス整合をとる。第２整合回路３２は、スイッチ２０の選択端子２３と受信フィルタ４２との間の受信経路において接続されており、スイッチ２０と受信フィルタ４２とのインピーダンス整合をとる。

　送信フィルタ４１は、信号処理回路５０１から入力された所定の周波数帯域の送信信号を通過させるフィルタである。送信フィルタ４１は、例えば、ラダー型フィルタであり、複数（例えば、４つ）の直列腕共振子と、複数（例えば、３つ）の並列腕共振子と、を有する。送信フィルタ４１は、例えば、弾性波フィルタである。弾性波フィルタは、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々が弾性波共振子により構成されている。弾性波フィルタは、例えば、弾性表面波を利用する表面弾性波フィルタである。表面弾性波フィルタでは、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々は、例えば、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）共振子である。

　送信フィルタ４１は、第１整合回路３１を介して、スイッチ２０に電気的に接続されている。送信フィルタ４１の入力端子は、第３整合回路５１に電気的に接続され、送信フィルタ４１の出力端子は、第１整合回路３１に電気的に接続されている。

　受信フィルタ４２は、アンテナ５１０が受信した所定の周波数帯域の受信信号を通過させるフィルタである。受信フィルタ４２は、例えば、ラダー型フィルタであり、複数（例えば、４つ）の直列腕共振子と、複数（例えば、３つ）の並列腕共振子と、を有する。受信フィルタ４２は、例えば、弾性波フィルタである。弾性波フィルタは、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々が弾性波共振子により構成されている。弾性波フィルタは、例えば、弾性表面波を利用する表面弾性波フィルタである。表面弾性波フィルタでは、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々は、例えば、ＳＡＷ共振子である。

　受信フィルタ４２は、第２整合回路３２を介して、スイッチ２０に電気的に接続されている。受信フィルタ４２の入力端子は、第２整合回路３２に電気的に接続され、受信フィルタ４２の出力端子は、第４整合回路５２に電気的に接続されている。

　第３整合回路５１は、送信フィルタ４１とパワーアンプ６１との間の経路において電気的に接続されており、送信フィルタ４１とパワーアンプ６１とのインピーダンス整合をとる。第４整合回路５２は、受信フィルタ４２とローノイズアンプ６２との間の経路において電気的に接続されており、受信フィルタ４２とローノイズアンプ６２とのインピーダンス整合をとる。

　パワーアンプ６１は、送信信号を増幅する。パワーアンプ６１の入力端子は、信号入力端子７１に電気的に接続されている。パワーアンプ６１の出力端子は、第３整合回路５１に電気的に接続されている。

　ローノイズアンプ６２は、受信信号を増幅する。ローノイズアンプ６２の入力端子は、第４整合回路５２に電気的に接続され、ローノイズアンプ６２の出力端子は、信号出力端子７２に電気的に接続されている。

　信号入力端子７１は、ＲＦ信号処理回路５０２に接続される。すなわち、パワーアンプ６１は信号入力端子７１を介して、ＲＦ信号処理回路５０２に電気的に接続される。

　信号出力端子７２は、ＲＦ信号処理回路５０２に接続される。すなわち、ローノイズアンプ６２は信号出力端子７２を介して、ＲＦ信号処理回路５０２に電気的に接続される。

　（２－３）高周波モジュールの構成（構造）の一例
　高周波モジュール１は、実装基板１００と、第１金属部材１３０及び第２金属部材１４０とを更に備える（図２参照）。さらに、高周波モジュール１は、複数（図示例では、２つ）の外部接続端子２００と、樹脂層１２０（樹脂部材）と、シールド層１１０とを備える（図３参照）。

　実装基板１００は、図３に示すように、実装基板１００の厚さ方向Ｄ３において互いに対向する第１主面１０１及び第２主面１０２を有する。実装基板１００は、複数（図示例では２つ）の第１パッド１５０と、複数（図示例では８つ）の第２パッド１６０とを有する。

　実装基板１００は、例えば、プリント配線板、ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）基板、ＨＴＣＣ（High Temperature Co-fired Ceramics）基板、樹脂多層基板である。ここにおいて、実装基板１００は、例えば、複数の誘電体層及び複数の導電層を含む多層基板であってセラミック基板である。複数の誘電体層及び複数の導電層は、実装基板１００の厚さ方向Ｄ３において積層されている。複数の導電層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。複数の導電層の各々は、実装基板１００の厚さ方向Ｄ３に直交する一平面内において１つ又は複数の導体部を含む。各導電層の材料は、例えば、銅である。複数の導電層は、グランド層を含む。高周波モジュール１では、複数の外部接続端子２００に含まれる１つ以上のグランド端子とグランド層とが、実装基板１００の有するビア導体１８０及び第１パッド１５０等を介して電気的に接続されている。図３では、複数のグランド端子のうち２つのグランド端子２０１，２０２とグランド層とが電気的に接続されている。

　実装基板１００は、プリント配線板、ＬＴＣＣ基板に限らず、配線構造体であってもよい。配線構造体は、例えば、多層構造体である。多層構造体は、少なくとも１つの絶縁層と、少なくとも１つの導電層とを含む。絶縁層は、所定パターンに形成されている。絶縁層が複数の場合は、複数の絶縁層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。導電層は、絶縁層の所定パターンとは異なる所定パターンに形成されている。導電層が複数の場合は、複数の導電層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。導電層は、１つ又は複数の再配線部を含んでもよい。配線構造体では、多層構造体の厚さ方向において互いに対向する２つの面のうち第１面が実装基板１００の第１主面１０１であり、第２面が実装基板１００の第２主面１０２である。配線構造体は、例えば、インタポーザであってもよい。インタポーザは、シリコン基板を用いたインタポーザであってもよいし、多層で構成された基板であってもよい。

　実装基板１００の第１主面１０１及び第２主面１０２は、実装基板１００の厚さ方向Ｄ３において離れており、実装基板１００の厚さ方向Ｄ３に交差する。実装基板１００における第１主面１０１は、例えば、実装基板１００の厚さ方向Ｄ３に直交しているが、例えば、厚さ方向Ｄ３に直交しない面として導体部の側面等を含んでいてもよい。また、実装基板１００における第２主面１０２は、例えば、実装基板１００の厚さ方向Ｄ３に直交しているが、例えば、厚さ方向Ｄ３に直交しない面として、導体部の側面等を含んでいてもよい。また、実装基板１００の第１主面１０１及び第２主面１０２は、微細な凹凸又は凹部又は凸部が形成されていてもよい。実装基板１００の厚さ方向Ｄ３からの平面視で、実装基板１００は、長方形状であるが、これに限らず、例えば、正方形状であってもよい。

　高周波モジュール１は、図２に示すように、複数の電子部品として、スイッチ２０と、第１整合回路３１と、第２整合回路３２と、送信フィルタ４１と、受信フィルタ４２と、第３整合回路５１と、第４整合回路５２と、パワーアンプ６１と、ローノイズアンプ６２と、を備える。複数の電子部品の各々は、実装基板１００の第１主面１０１又は第２主面１０２に実装されている。本実施形態では、高周波モジュール１の複数の電子部品の各々は、第１主面１０１に実装されている。

　より詳細には、図２に示すように、実装基板１００の第１主面１０１は、３つの領域Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３を有する。領域Ｒ１は、第１主面１０１における第１方向Ｄ１の一端側（紙面左端側）でかつ第２方向Ｄ２の全体に渡る領域である。領域Ｒ１には、パワーアンプ６１及び整合回路５１が配置されている。領域Ｒ２は、第１主面１０１における領域Ｒ１よりも第１方向Ｄ１の他端側（紙面右端側）の領域において、第２方向Ｄ２の一端側（紙面上端側）の略半分の領域である。領域Ｒ２には、送信フィルタ４１、受信フィルタ４２、スイッチ２０及び整合回路３１，３２が配置されている。より詳細には、送信フィルタ４１及び受信フィルタ４２は、領域Ｒ２における第１方向Ｄ１の一端側（紙面左端側）の領域において第２方向Ｄ２に沿って並んで配置されている。スイッチ２０は、領域Ｒ２において、第１方向Ｄ１の他端側（紙面右端側）かつ第２方向Ｄ２の他端側（紙面下端側）の領域に配置されている。整合回路３１，３２は、領域Ｒ２において、スイッチ２０よりも第２方向Ｄ２の一端側（紙面上端側）に配置されている。領域Ｒ３は、第１主面１０１における領域Ｒ１よりも第１方向Ｄ１の他端側（紙面右端側）の領域において、領域Ｒ２よりも第２方向Ｄ２の他端側（紙面下端側）の領域である。領域Ｒ３には、ローノイズアンプ６２及び整合回路５２が配置されている。

　複数の外部接続端子２００は、図３に示すように、第２主面１０２に配置されている。より詳細には、複数の外部接続端子２００は、実装基板１００の第２主面１０２に第１パッド１５０を介して配置されている。複数の外部接続端子２００の材料は、例えば、金属（例えば、銅、銅合金）である。複数の外部接続端子２００の各々は、はんだバンプである。

　複数の外部接続端子２００は、アンテナ端子１０、１つ以上のグランド端子、信号入力端子７１及び信号出力端子７２（図１参照）を含んでいる。１つ以上のグランド端子は、上述のように実装基板１００のグランド層と接続されている。グランド層は高周波モジュール１の回路グランドであり、高周波モジュール１の複数の電子部品は、グランド層と接続されている電子部品を含む。

　樹脂層１２０（樹脂部材）は、実装基板１００の第１主面１０１に設けられている。樹脂層１２０は、実装基板１００の第１主面１０１を覆っている。樹脂層１２０は、実装基板１００の第１主面１０１に配置されている複数の電子部品（第１電子部品及び第２電子部品を含む）を覆っている。樹脂層１２０は、第１金属部材１３０の少なくとも一部（例えば第１主面１３３１（図４参照）以外の部分）及び第２金属部材１４０の少なくとも一部（例えば第１主面１４３１以外の部分）を覆っている。なお、第１主面１３３１は、第１金属部材１３０の後述の接触部１３３において、実装基板１００の厚さ方向Ｄ３で互いに対向する２つの主面のうち実装基板１００側とは反対側の主面である。第１主面１４３１は、第２金属部材１４０の後述の接触部１４３において、実装基板１００の厚さ方向Ｄ３で互いに対向する２つの主面のうち実装基板１００側とは反対側の主面である。ここにおいて、樹脂層１２０は、実装基板１００の第１主面１０１に配置されている複数の電子部品を封止している。樹脂層１２０は、実装基板１００の第１主面１０１に配置されている第１金属部材１３０及び第２金属部材１４０において、上記の少なくとも一部（第１主面１３３１，１４３１）以外の部分を封止している。樹脂層１２０は、樹脂（例えば、エポキシ樹脂）を含む。樹脂層１２０は、樹脂の他にフィラーを含んでいてもよい。

　シールド層１１０は、樹脂層１２０に設けられており、樹脂層１２０の少なくとも一部を覆っている。本実施形態では、シールド層１１０は、樹脂層１２０の第１主面１２１及び外周面１２３を覆っている。第１主面１２１は、樹脂層１２０において実装基板１００側とは反対側の主面である。より詳細には、シールド層１１０は、第１シールド部１１０ａと第２シールド部１１０ｂとを有する。第１シールド部１１０ａは、樹脂層１２０の第１主面１２１に設けられており、第１主面１２１の少なくとも一部（例えば全部）を覆っている。第２シールド部１１０ｂは、樹脂層１２０の外周面１２３（側面）に設けられており、外周面１２３の少なくとも一部（例えば全部）を覆っている。また、シールド層１１０は、第１金属部材１３０の少なくとも一部（例えば第１主面１３３１（図４参照））、及び第２金属部材１４０の少なくとも一部（例えば第１主面１４３１）を覆っている。

　シールド層１１０は、導電性を有する。シールド層１１０は、複数の金属層を積層した多層構造を有しているが、これに限らず、１つの金属層であってもよい。金属層は、１又は複数種の金属を含む。シールド層１１０は、樹脂層１２０の第１主面１２１及び外周面１２３と、実装基板１００の外周面１０３と、第１金属部材１３０の第１主面１３３１（図４参照）と、第２金属部材１４０の第１主面１４３１とを覆っている。シールド層１１０は、実装基板１００の有する複数の第２パッド１６０のうち第２パッド１６３と電気的に接続している。第２パッド１６３は、ビア導体１８０を介して、複数の第１パッド１５０のうち第１パッド１５２に電気的に接続している。第１パッド１５２は、グランド端子２０２である外部接続端子２００に電気的に接続されている。これにより、シールド層１１０の電位をグランド層の電位と同じにすることができる。すなわち、シールド層１１０をグランドに接続させることができる。

　第１金属部材１３０及び第２金属部材１４０は、図２に示すように、実装基板１００の第１主面１０１において複数の電子部品の間に配置されている。これにより、複数の電子部品の間のアイソレーションが確保される。第１金属部材１３０及び第２金属部材１４０は、金属部材（すなわち導電性を有する部材）によって例えば平板状に形成されている。第１金属部材１３０及び第２金属部材４０は、実装基板１００の厚さ方向Ｄ３からの平面視で、互いに交差（例えば直交）するように配置されている。第１金属部材１３０は、領域Ｒ２と領域Ｒ３との境界に沿って配置されており、第１方向Ｄ１に延びている。すなわち、第１金属部材１３０は、送信フィルタ４１及びスイッチ２０とローノイズアンプ６２との間に配置されている。これにより、第１金属部材１３０は、送信フィルタ４１及びスイッチ２０とローノイズアンプ６２との間のアイソレーションを確保する。第２金属部材１４０は、領域Ｒ１と領域Ｒ２及び領域Ｒ３との境界に沿って配置されており、第２方向Ｄ２に延びている。すなわち、第２金属部材１４０は、パワーアンプ６１と、送信フィルタ４１、受信フィルタ４２及びローノイズアンプ６２との間に配置されている。これにより、第２金属部材１４０は、例えば、パワーアンプ６１と、送信フィルタ４１、受信フィルタ４２及びローノイズアンプ６２との間のアイソレーションを確保する。

　なお、図２の例では、第１金属部材１３０が送信フィルタ４１（第２電子部品）及びスイッチ２０とローノイズアンプ６２（第３電子部品）との間に配置されている。また、第２金属部材１４０がパワーアンプ６１（第１電子部品）と送信フィルタ４１（第２電部品）及びローノイズアンプ６２との間に配置されている。ただし、第２金属部材１４０が送信フィルタ４１（第２電子部品）及びスイッチ２０とローノイズアンプ６２（第３電子部品）との間に配置されてもよい。また、第１金属部材１３０がパワーアンプ６１（第１電子部品）と送信フィルタ４１（第２電子部品）及びローノイズアンプ６２との間に配置されてもよい。また、第１金属部材１３０及び第２金属部材１４０の少なくとも一方が第１電子部品（例えばパワーアンプ６１）及び第２電子部品（例えば送信フィルタ４１）の間に配置されていればよい。

　第２金属部材１４０は、図３に示すように、実装基板１００の有する複数の第２パッド１６０のうち第２パッド１６１と半田１７０を介して電気的に接続している。第２パッド１６１は、ビア導体１８１（１８０）を介して、複数の第１パッド１５０のうち第１パッド１５１に電気的に接続している。第１パッド１５１は、グランド端子２０１である外部接続端子２００に電気的に接続されている。すなわち、第２金属部材１４０がグランドに接続されている。これにより、第２金属部材１４０の電位がグランド層の電位と同じになる。第２金属部材１４０と同様に、第１金属部材１３０も、実装基板１００の第２パッドと電気的に接続することで、グランドに接続されている。このように、本実施形態では、第１金属部材１３０及び第２金属部材１４０の両方がグランドに接続される。ただし、第１金属部材１３０及び第２金属部材１４０の少なくとも一方がグランドに接続されてもよい。第１金属部材１３０及び第２金属部材１４０がグランドに接続されるとは、第１金属部材１３０及び第２金属部材１４０がグランドに電気的に接続されることである。

　また、第２金属部材１４０は、第１主面１４３１を有する。第１主面１４３１は、第２金属部材１４０の後述の接触部１４３において実装基板１００側とは反対側の主面である。第２金属部材１４０の第１主面１４３１は、シールド層１１０と電気的に接触している（図３参照）。第２金属部材１４０における第２方向Ｄ２の両端（例えば紙面上の上下両端）は、シールド層１１０と電気的に接触している（図２参照）。このように、第２金属部材１４０は、第１主面１３３１及び第２方向Ｄ２の両端部を介してシールド層１１０と電気的に接触している。これにより、第２金属部材１４０は、第２パッド１６１に電気的に接続する他に、シールド層１１０を介してもグランドに接続されている。第２金属部材１４０と同様に、第１金属部材１３０も、第１主面１３３１及び第１方向Ｄ１の一端部を介してシールド層１１０と電気的に接触している。これにより、第１金属部材１３０も、第２パッド（図示省略）に電気的に接続する他に、シールド層１１０を介してもグランドに接続されている。

　（２－４）第１金属部材及び第２金属部材の形状
　図４～図７を参照して第１金属部材１３０及び第２金属部材１４０の形状について説明する。

　（２－４－１）第１金属部材の形状
　図４及び図５に示すように、第１金属部材１３０は、例えば略平板状である。第１金属部材１３０は、第１方向Ｄ１に延びている。すなわち、第１金属部材１３０は、実装基板１００の厚さ方向Ｄ３からの平面視において、第１方向Ｄ１に沿う長手方向（第１長手方向）を有する。第１金属部材１３０は、壁部１３１と、１つ以上（図４及び図５では１つ）の接触部１３３とを有する。

　壁部１３１は、第１金属部材１３０の本体（すなわち基部）である。壁部１３１は、第２方向Ｄ２において対向する２つの主面１３１１，１３１２を有する矩形の板状である。壁部１３１は、実装基板１００の第１主面１０１において、主面１３１１の短手方向が実装基板１００の厚さ方向Ｄ３に一致し、主面１３１１の長手方向（すなわち第１金属部材１３０の長手方向）が実装基板１００の第１主面１０１に平行となるように配置される。図４及び図５の例では、壁部１３１の主面１３１１の長手方向は、第１方向Ｄ１に一致している。

　接触部１３３は、シールド層１１０の第１シールド部１１０ａ（図３参照）の裏面と接触する部分である。この接触により、第１金属部材１３０は、シールド層１１０と電気的に接続する。接触部１３３は、例えば矩形の平板状である。接触部１３３は、壁部１３１の頂部１３１３における長手方向（第１方向Ｄ１）の例えば中央に設けられている。接触部１３３は、頂部１３１３から壁部１３１の厚さ方向（第２方向Ｄ２）の一の向き（例えば主面１３１１側）に突出している。接触部１３３において実装基板１００とは反対側の主面が、シールド層１１０の第１シールド部１１０ａの裏面と接触する第１主面１３３１となる。なお、頂部１３１３は、壁部１３１における実装基板１００の側とは反対側の端部である。

　第１金属部材１３０は、第１凹部１３２を有する。第１凹部１３２は、第２金属部材１４０の第２凹部１４２と嵌り合う部分（すなわち対向しかつ接触する部分）である。第１凹部１３２は、壁部１３１の厚さ方向（第２方向Ｄ２）からの平面視で例えば矩形である。第１凹部１３２は、実装基板１００の厚さ方向Ｄ３からの平面視において第１金属部材１３０における第２金属部材１４０との交差部分に設けられている。より詳細には、第１凹部１３２は、壁部１３１の基端部１３１４における上記の交差部分において、壁部１３１の頂部１３１３側に向かって窪むように形成されている。第１凹部１３２の底部１３２ａと第２凹部１４２の底部１４２ａとが対向するように、第１凹部１３２と第２凹部１４２は、嵌り合っている。第１凹部１３２は、壁部１３１を壁部１３１の厚さ方向に貫通するように形成されている。なお、基端部１３１４は、壁部１３１における実装基板１００の側の端部である。

　第１金属部材１３０では、壁部１３１の基端部１３１４が、実装基板１００の第１主面１０１に設けられた第２パッド１６０と例えば半田によって接続される部分である。壁部１３１の基端部１３１４のうちの少なくとも１つが第２パッド１６０と接続されることで、第１金属部材１３０は、第２パッド１６０と電気的に接続される。

　（２－４－２）第２金属部材の形状
　図４及び図６に示すように、第２金属部材１４０は、例えば略平板状である。第２金属部材１４０は、第１方向Ｄ１と交差する第２方向Ｄ２に延びている。すなわち、第２金属部材１４０は、実装基板１００の厚さ方向Ｄ３からの平面視において、第２方向Ｄ２沿う長手方向（第２長手方向）を有する。第２金属部材１４０は、壁部１４１と、１つ以上（図４及び図６では１つ）の接触部１４３と、複数の接続部１４５とを有する。

　壁部１４１は、第２金属部材１４０の本体（すなわち基部）である。壁部１４１は、対向する２つの主面１４１１，１４１２を有する矩形の板状である。壁部１４１は、実装基板１００の第１主面１０１において、主面１４１１の短手方向が実装基板１００の厚さ方向Ｄ３に一致し、主面１４１１の長手方向（すなわち第２金属部材１４０の長手方向）が実装基板１００の第１主面１０１に平行となるように配置される。図４及び図６の例では、壁部１４１の主面１４１１の長手方向は、第２方向Ｄ２に一致している。

　接触部１４３は、シールド層１１０の第１シールド部１１０ａの裏面と接触する部分である。この接触により、第１金属部材１３０は、シールド層１１０と電気的に接続する。接触部１４３は、例えば矩形の平板状である。接触部１４３は、壁部１４１の頂部１４１３における長手方向（第２方向Ｄ２）の所定位置（例えば中央、又は中央からずれた位置）に設けられている。接触部１４３は、頂部１４１３から壁部１４１における厚さ方向（第１方向Ｄ１）の一の向き（例えば主面１４１１側）に突出している。接触部１４３において実装基板１００とは反対側の主面が、シールド層１１０の第１シールド部１１０ａの裏面と接触する第１主面１４３１となる。なお、頂部１４１３は、壁部１４１における実装基板１００の側とは反対側の端部である。

　複数の接続部１４５は、実装基板１００の第１主面１０１に設けられた第２パッド１６０と接続される部分である。複数の接続部１４５のうちの少なくとも１つが第２パッド１６１と接続される。接続部１４５は、例えば半田によって第２パッド１６１に接続される。この接続により、第１金属部材１３０は、第２パッド１６１と電気的に接続される。接続部１４５は、例えば矩形の平板状である。複数の接続部１４５は、壁部１４１の基端部１４１４において壁部１４１の長手方向（第２方向Ｄ２）に沿って互いに間隔を空けて配置されている。接触部１４３は、壁部１４１の基端部１４１４から壁部１４１の厚さ方向（第１方向Ｄ１）の一の向き（例えば主面１４１１側）に突出している。本実施形態では、接続部１４５は、接触部１４３と同じ側に突出するが、接触部１４３の側とは反対側に突出してもよい。なお、基端部１４１４は、壁部１４１における実装基板１００の側の端部である。

　第２金属部材１４０は、第２凹部１４２と、１つ以上（図４及び図６の例では複数）の貫通孔１４４とを有する。

　第２凹部１４２は、第１金属部材１３０の第１凹部１３２と嵌り合う部分（すなわち対向しかつ接触する部分）である。第２凹部１４２は、壁部１４１の厚さ方向（第１方向Ｄ１）からの平面視で例えば矩形である。第２凹部１４２は、第２金属部材１４０において、実装基板１００の厚さ方向Ｄ３からの平面視において第２金属部材１４０における第１金属部材１３０との交差部分に設けられている。より詳細には、第２凹部１４２は、壁部１４１の頂部１４１３における上記の交差部分において、壁部１４１の基端部１４１４側に向かって窪むように形成されている。第２凹部１４２は、壁部１４１を壁部１４１の厚さ方向（第１方向Ｄ１）に貫通するように形成されている。第１凹部１３２の底部１３２ａと第２凹部１４２の底部１４２ａとが対向するように、第１凹部１３２と第２凹部１４２は、嵌り合っている。

　貫通孔１４４は、接続部１４５を第２パッド１６０にリフロー接続する際の風を通過させることが可能である。また、貫通孔１４４は、樹脂層１２０の材料である硬化前の液状材料を実装基板１００に塗布した際に、その液状材料を通過させることが可能である。貫通孔１４４に上記の風及び液状材料が通過することで、上記の風及び液状材料によって第２金属部材１４０が傾斜したり倒れたりすることを抑制できる。

　複数の貫通孔１４４は、壁部１４１の基端部１４１４において壁部１４１の長手方向（第２方向Ｄ２）に沿って互いに間隔を空けて配置されている。複数の貫通孔１４４は、複数の接触部１４３の間に配置されている。貫通孔１４４は、壁部１４１の厚さ方向（第１方向Ｄ１）からの平面視で例えば矩形である。貫通孔１４４は、壁部１４１の基端部１４１４側の縁において、壁部１４１の厚さ方向（第１方向Ｄ１）に貫通するように形成されている。壁部１４１の厚さ方向（第１方向Ｄ１）とは、第２方向Ｄ２に交差（例えば直交）する方向である。すなわち、貫通孔１４４は、第２方向Ｄ２に交差する方向に貫通している。貫通孔１４４は、壁部１４１の両側の主面１４１１，１４１２の間を貫通している。貫通孔１４４は、基端部１４１４で開口している。すなわち、貫通孔１４４は、壁部１４１において基端部１４１４から頂部１４１３側に窪んでいる。換言すれば、壁部１４１の主面１４１１において、貫通孔１４４の開口の輪郭は、壁部１４１の基端部１４１４で開いている。なお、本実施形態では、貫通孔１４４は、壁部１４１の基端部１４１４で開いているが、基端部１４１４で閉じていてもよい。換言すれば、壁部１４１の主面１４１１において、貫通孔１４４の開口の輪郭は閉じていてもよい。

　（２－４－３）第１金属部材と第２金属部材との組み付き方
　図７に示すように、実装基板１００の厚さ方向Ｄ３からの平面視で、第１金属部材１３０と第２金属部材１４０は、互いに交差（例えば直交）するように組み付けられている。なお、図７では、第１金属部材１３０の接触部１３３は図示省略されている。また、図７では、第２金属部材１４０の接触部１４３、貫通孔１４４及び接続部１４５は図示省略されている。

　上記の組み付け状態では、第１金属部材１３０の第１凹部１３２と第２金属部材１４０の第２凹部１４２は、上記の平面視で互いに交差した状態で互いに嵌り合っている。すなわち、第１凹部１３２と第２凹部１４２は、実装基板１００の厚さ方向Ｄ３からの平面視で、互いに交差した状態で互いに対向しかつ接触している。「第１凹部１３２と第２凹部１４２とが接触する」とは、第１凹部１３２の一部と第２凹部１４２の一部とが接触する場合、第１凹部１３２の一部と第２金属部材１４０の一部とが接触する場合、第１金属部材１３０の一部と第２凹部１４２の一部とが接触する場合を含む。

　また、上記の組み付き状態では、第１金属部材１３０は、第２金属部材１４０の第２凹部１４２における第２方向Ｄ２の開口幅（以下、単に開口幅と記載する。）の範囲内で傾斜可能である。これにより、第１金属部材１３０は、第２凹部１４２の開口幅の範囲内で傾斜して自立可能である。同様に、第２金属部材１４０は、第１金属部材１３０の第１凹部１３２における第１方向Ｄ１の開口幅（以下、単に開口幅と記載する。）の範囲内で傾斜可能である。これにより、第２金属部材１４０は、第１凹部１３２の開口幅の範囲内で傾斜して自立可能する。このように第１金属部材１３０及び第２金属部材１４０が互いに組み付くことで、第１金属部材１３０及び第２金属部材１４０の自立性を向上することができる。

　なお、第１金属部材１３０及び第２金属部材１４０は、互いに組み付けられた状態で、互いに半田等で一体的に接続されなくてもよい。

　また、上記の組み付き状態では、第１金属部材１３０の頂部１３１３と第２金属部材１４０の頂部１４１３は、互いに平坦である。これにより、第１金属部材１３０の接触部１３３（図４参照）と第２金属部材１４０の接触部１４３（図４参照）との両方がシールド層１１０の第１シールド部１１０ａの裏面に接触可能である。なお、「互いに平坦である」とは、第１金属部材１３０の頂部１３１３と第２金属部材１４０の頂部１４１３とが完全に平坦である場合と、第１金属部材１３０の頂部１３１３と第２金属部材１４０の頂部１４１３との高さの間に多少の差（例えば、第１金属部材１３０における厚さ方向Ｄ３の長さの１０％未満の大きさに相当する差）がある場合とを含む。

　なお、第１金属部材１３０において、第２金属部材１４０と同様に、貫通孔１４４及び接続部１４５を設けてもよい。また、第２金属部材１４０において、第１金属部材１３０のように、貫通孔１４４及び接続部１４５を省略してもよい。

　（３）主要な効果
　以上説明したように、本実施形態に係る高周波モジュール１は、実装基板１００と、第１電子部品（例えばパワーアンプ６１）及び第２電子部品（例えば送信フィルタ４１）と、第１金属部材１３０及び第２金属部材１４０と、樹脂層１２０（樹脂部材）と、を備える。実装基板１００は、互いに対向する第１主面１０１及び第２主面１０２を有する。第１電子部品及び第２電子部品は、実装基板１００の第１主面１０１に配置されている。第１金属部材１３０及び第２金属部材１４０は、実装基板１００の第１主面１０１に配置されている。樹脂層１２０は、第１電子部品、第２電子部品、及び第２金属部材１４０の少なくとも一部を覆う。第１金属部材１３０及び第２金属部材１４０の少なくとも一方は、グランドに電気的に接続されている。第１金属部材１３０は、実装基板１００の厚さ方向Ｄ３からの平面視において、第１方向Ｄ１に沿う第１長手方向を有する。第２金属部材１４０は、実装基板１００の厚さ方向Ｄ３からの平面視において、第１方向Ｄ１と交差する第２方向Ｄ２に沿う第２長手方向を有する。第１金属部材１３０及び第２金属部材１４０の一方（本実施形態では第２金属部材１４０）は、第１電子部品と第２電子部品との間に配置されている。

　この構成によれば、第１金属部材１３０の第１凹部１３２と第２金属部材１４０の第２凹部１４２とが対向しかつ接触する。このため、第１金属部材１３０及び第２金属部材１４０は、実装基板１００上で互いに支え合って自立可能である。これにより、電子部品の間に配置される第１金属部材１３０又は第２金属部材１４０の自立性を向上できる。

　（４）変形例
　以下、上記の実施形態の変形例について説明する。以下の変形例では、上記の実施形態と同じ構成要素には同じ符号を付して説明を省略し、上記の実施形態と異なる構成要素を中心に説明する。上記の実施形態及び下記の変形例を組み合わせて実施してもよい。

　（４－１）変形例１
　図８に示すように、変形例１では、上記の実施形態において、第２金属部材１４０の第２凹部１４２における第２方向Ｄ２の幅Ｍ１は、例えば、第１金属部材１３０の厚さ（第２方向Ｄ２の幅）Ｍ２の２倍よりも小さい。これにより、第２金属部材１４０の第２凹部１４２内で第１金属部材１３０ががたつくことを抑制できる。

　（４－２）変形例２
　図９に示すように、上記の実施形態において、第１金属部材１３０における第２方向Ｄ２の厚さｄ１と、第２金属部材１４０における第１方向Ｄ１の厚さｄ２は、互いに異なってもよい。換言すれば、第１金属部材１３０及び第２金属部材１４０のうちの一方の厚さ（図９では厚さｄ２）を他方の厚さ（図９では厚さｄ１）よりも薄くしてもよい。第１金属部材１３０及び第２金属部材１４０の両方の厚さを厚くすると、実装基板１００において電子部品を実装する実装面積の確保が容易でなくなる。しかし、変形例２のように、第１金属部材１３０及び第２金属部材１４０のうちの一方の厚さを他方の厚さよりも薄くすることで、実装基板１００において電子部品を実装するための実装面積を確保しつつ、第１金属部材１３０及び第２金属部材１４０の自立性を向上させることができる。

　変形例２では、第１金属部材１３０の長さＬ１を、実装基板１００の厚さ方向Ｄ３からの平面視における第１方向Ｄ１の長さとし、第２金属部材１４０の長さＬ２を、上記の平面視における第２方向Ｄ２の長さとする。このとき、第２金属部材１４０の長さＬ２は、第１金属部材１３０の長さＬ１よりも長い。すなわち、変形例２では、上記の長さが短い方の第１金属部材１３０の厚さｄ１は、上記の長さが長い方の第２金属部材１４０の厚さｄ２よりも厚い。これにより、実装基板１００において電子部品を実装するための実装面積を更に確保しつつ、第１金属部材１３０及び第２金属部材１４０の自立性を更に向上できる。

　なお、変形例２において、第１金属部材１３０の長さＬ１が第２金属部材１４０の長さＬ２よりも長くてもよい。この場合は、上記の長さが短い方の第２金属部材１４０の厚さｄ２が、上記の長さが長い方の第１金属部材１３０の厚さｄ１よりも厚くなる。この場合も、変形例２の場合と同様に、実装基板１００において電子部品を実装するための実装面積を更に確保しつつ、第１金属部材１３０及び第２金属部材１４０の自立性を更に向上できる。

　（４－３）変形例３
　図１０Ａ及び図１０Ｂに示すように、変形例３では、複数（図１０Ａ及び図１０Ｂでは２つ）の第１金属部材１３０によって、第２金属部材１４０を自立させる。なお、図１０Ａ及び図１０Ｂでは、第１金属部材１３０の接触部１３３は省略されている。また、図１０Ａ及び図１０Ｂでは、第２金属部材１４０の接触部１４３、貫通孔１４４及び接続部１４５は図示省略されている。

　すなわち、変形例３では、複数の第１金属部材１３０が備えられている。また、変形例３では、第２金属部材１４０は、複数（図１０Ａ及び図１０Ｂでは２つ）の第２凹部１４２を有する。複数の第２凹部１４２は、複数の第１金属部材１３０と対応している。複数の第２凹部１４２は、第２金属部材１４０において、第２方向Ｄ２に互いに間隔を空けて設けられている。複数の第２凹部１４２の各々は、複数の第１金属部材１３０のうちの対応する第１金属部材１３０の第１凹部１３２と対向しかつ接触する（すなわち嵌り合う）。この構成により、第１金属部材１３０及び第２金属部材１４０の自立性を更に向上できる。

　図１０Ａに示すように、変形例３では、実装基板１００の第１主面１０１は、中央領域Ｒ１０、第１領域Ｒ１１及び第２領域Ｒ１２を有する。中央領域Ｒ１０は、例えば、実装基板１００の第１主面１０１における第２方向Ｄ２の中央に存在する領域である。第１領域Ｒ１１は、実装基板１００の第１主面１０１において、中央領域Ｒ１０よりも第２方向Ｄ２の一端側（紙面左端側）に存在する領域である。第２領域Ｒ１２は、実装基板１００の第１主面１０１において、中央領域Ｒ１０よりも第２方向Ｄ２の他端側（紙面右端側）に存在する領域である。中央領域Ｒ１０、第１領域Ｒ１１及び第２領域Ｒ１２の各々の第２方向Ｄ２の幅は、例えば、実装基板１００における第２方向Ｄ２の長さ（全長）の３分の１の大きさである。

　変形例３では、第２金属部材１４０は、実装基板１００の厚さ方向Ｄ３からの平面視で、実装基板１００の第２方向Ｄ２に延びている。複数の第１金属部材１３０はそれぞれ、上記の平面視で実装基板１００の第１方向Ｄ１に延びている。複数（図１０Ａ及び図１０Ｂでは２つ）の第１金属部材１３０は、実装基板１００の第１領域Ｒ１１に配置されている第１金属部材１３０と、実装基板１００の第２領域Ｒ１２に配置されている第１金属部材１３０とを含む。これにより、実装基板１００の中央領域Ｒ１０には、第１金属部材１３０が配置されないため、電子部品を実装するための実装面積を確保できる。

　（４－４）変形例４
　上記の実施形態では、図７に示すように、第１凹部１３２は、第１金属部材１３０の基端部１３１４に設けられており、第２凹部１４２は、第２金属部材１４０の頂部１４１３に設けられている。なお、図１１に示すように、第１凹部１３２は、第１金属部材１３０の頂部１３１３に設けられ、第２凹部１４２は、第２金属部材１４０の基端部１４１４に設けられてもよい。この場合も、上記の実施形態と同様の効果を奏する。なお、図１１では、第１金属部材１３０において接触部１３３は図示省略されており、第２金属部材１４０において接触部１４３、貫通孔１４４及び接続部１４５は図示省略されている。

　（４－５）変形例５
　図１２に示すように、変形例５の高周波モジュール１は、上記の実施形態の高周波モジュール１において、１つ以上（図１２では１つ）のワイヤボンディング用のワイヤ７０を更に備える。ワイヤ７０は、導電部材（例えば金、アルミニウム又は銅）によって形成されており、例えば十数マイクロメートルから数百マイクロメートルの直径を有するように形成されている。ワイヤ７０は、実装基板１００の第１主面１０１に実装されている。変形例５の第２金属部材１４０は、上記の実施形態１の第２金属部材１４０において、１つ以上（図１２では１つ）の第３凹部１４６を更に備える。第３凹部１４６は、第２金属部材１４０においてワイヤ７０を通すための通路である。第３凹部１４６は、壁部１４１の頂部１４１３において壁部１４１の基端部１４１４側に向かって窪むように形成されている。第３凹部１４６は、壁部１４１を壁部１４１の厚さ方向（第１方向Ｄ１）に貫通するように形成されている。第３凹部１４６は、壁部１４１の厚さ方向からの平面視で例えば矩形である。変形例５では、第２金属部材１４０の厚さ方向は、第２方向Ｄ２に直交する直交方向（第１方向Ｄ１）である。

　ワイヤ７０は、第３凹部１４６の内部を通過するように第３凹部１４６を跨いで配置されている。ワイヤ７０は、実装基板１００の第１主面１０１に２つの第２パッド１６０（導体部）を接続している。２つの第２パッド１６０は、実装基板１００の第１主面１０１において、第２金属部材１４０における第１方向Ｄ１の両側の領域Ｒ２２，Ｒ２１の各々に設けられている。なお、本変形例では、ワイヤ７０は、２つの第２パッド１６０（導体部）の間を接続する場合を例示する。ただし、ワイヤ７０は、第２パッド１６０（導体部）と電子部品の外部端子（導体部）との間を接続してもよいし、２つの電子部品の各々の外部端子（導体部）との間を接続してもよい。

　第２金属部材１４０はグランドに接続されている。このため、上記の２つの第２パッド１６０がグランドに接続されている場合は、ワイヤ７０は、第３凹部１４６に接触してもよい。ただし、上記の２つの第２パッド１６０がグランドに接続されていない場合は、ワイヤ７０は、第３凹部１４６に接触しないように配置する必要がある。

　変形例５によれば、ワイヤ７０によって、実装基板１００の第１主面１０１において、第２金属部材１４０における第１方向Ｄ１の両側の領域の各々に設けられた２つの第２パッド１６０（導体部）を接続できる。その際、ワイヤ７０は、実装基板１００のグランド電極に容量を殆ど発生させることなく、２つの第２パッド１６０を接続することができる。

　（４－６）変形例６
　図１３に示すように、変形例６は、変形例５において、第１金属部材１３０を省略して、ワイヤ７０によって第２金属部材１４０を自立させている。本変形例において、第２金属部材１４０において第２凹部１４２は省略されてもよい。なお、第２凹部１４２を省略する代わりに第３凹部１４６を省略して、第２凹部１４２を跨ぐようにワイヤ７０を配置してもよい。本変形例でも、上記の実施形態の場合と同様に、第２金属部材１４０の自立性を向上できる。

　（４－７）変形例７
　上記の実施形態では、図７に示すように、第２凹部１４２の中心線Ｑ１は、第２金属部材１４０の主面１４１２の短手方向（厚さ方向Ｄ３）に平行である。なお、図１４に示すように、第２凹部１４２の中心線Ｑ１は、第２金属部材１４０の主面１４１２の短手方向（厚さ方向Ｄ３）に対して傾斜してもよい。なお、第２凹部１４２の中心線Ｑ１は、第２金属部材１４０の厚さ方向（第１方向Ｄ１）からの側面視で、第２凹部１４２における第２方向Ｄ２の幅の中心を通る線である。すなわち中心線Ｑ１は、第２凹部１４２の窪む方向に沿って延びている。

　図１４の例では、第２金属部材１４０は、３つの第２凹部１４２（１４２１，１４２２，１４２３）を有する。３つの第２凹部１４２のうち、真ん中の第２凹部１４２２の中心線Ｑ１は、例えば、第２金属部材１４０の短手方向（厚さ方向Ｄ３）に平行である。これにより、真ん中の第２凹部１４２２に組み付けられる第１金属部材１３０は、その主面１３１１の短手方向が大凡、第２凹部１４２２の中心線Ｑ１に沿うように配置される。

　３つの第２凹部１４２のうち、一端（紙面左端）の第２凹部１４２１の中心線Ｑ１は、例えば、第１方向Ｄ１からの側面視で、第２金属部材１４０の短手方向（厚さ方向Ｄ３）に対して、第２金属部材１４０の基端部１４１４側から頂部１４１３側に向かって第２方向Ｄ２の外側（紙面左側）に傾斜している。これにより、一端の第２凹部１４２１に組み付けられる第１金属部材１３０は、第１方向Ｄ１からの側面視で、第２凹部１４２１の中心線Ｑ１に沿って厚さ方向Ｄ３に対して傾斜して配置される。

　３つの第２凹部１４２のうち、他端（紙面右端）の第２凹部１４２３の中心線Ｑ１は、第１方向Ｄ１からの側面視で、第２金属部材１４０の短手方向（厚さ方向Ｄ３）に対して、第２金属部材１４０の基端部１４１４側から頂部１４１３側に向かって第２方向Ｄ２の外側（紙面右側）に傾斜している。これにより、他端の第２凹部１４２３に組み付けられる第１金属部材１３０は、第１方向Ｄ１からの側面視で、第２凹部１４２３の中心線Ｑ１に沿って厚さ方向Ｄ３に対して傾斜して配置される。

　変形例７によれば、第２凹部１４２の中心線Ｑ１を予め傾斜させることで、第１金属部材１３０を、第２金属部材１４０に組み付けたときに予め第２凹部１４２の中心線Ｑ１が傾斜する方向に傾斜させることができる。これにより、第１金属部材１３０が第２凹部１４２内でがたつくことを抑制できる。

　なお、図１５に示すように、変形例７において、傾斜した第２凹部１４２（例えば第２凹部１４２３）の第２方向Ｄ２の幅Ｍ１は、当該第２凹部１４２３に組み付けられる第１金属部材１３０における第２方向Ｄ２の幅Ｍ２と同じ大きさであってもよい。「同じ大きさ」とは、幅Ｍ１と幅Ｍ２とが全く同じ大きさである場合、及び、幅Ｍ２が幅Ｍ１よりも若干（例えば幅Ｍ１の１０％未満の大きさ）小さい場合を含む。

　（４－８）変形例８
　変形例８では、実装基板１００での第１金属部材１３０及び第２金属部材１４０の配置の例（例１～例４）を例示する。例１として、第１金属部材１３０又は第２金属部材１４０は、パワーアンプの出力側の出力整合回路（例えば整合回路５１）と弾性波フィルタ（例えば送信フィルタ４１、受信フィルタ４２又は送受信兼用フィルタ）との間に配置されてもよい。これにより、出力整合回路と弾性波フィルタとの間のアイソレーションを確保できる。

　例２として、第１金属部材１３０又は第２金属部材１４０は、複数の弾性波フィルタ（例えば送信フィルタ４１及び受信フィルタ４２）の間に配置されてもよい。これにより、複数の弾性波フィルタの間のアイソレーションを確保できる。

　例３として、２つ以上の通信バンドを用いて同時に送信又は受信する場合において、アイソレーションを確保すべき電子部品の間に配置されてもよい。これにより、２つ以上の通信バンドを用いて同時に送信又は受信する場合において、アイソレーションを確保すべき電子部品の間のアイソレーションを確保できる。

　例４として、第１金属部材１３０又は第２金属部材１４０は、アンテナ端子１０に接続される配線及び整合回路と、他の電子部品との間に配置されてもよい。これにより、アンテナ端子１０に接続される配線及び整合回路と他の電子部品との間のアイソレーションを確保できる。

　（４－９）変形例９
　上記の実施形態では、第１金属部材１３０及び第２金属部材１４０の両方がシールド層１１０の第１シールド部１１０ａ（図２参照）に接触する。ただし、第１金属部材１３０及び第２金属部材１４０のうちの一方のみがシールド層１１０の第１シールド部１１０ａに接触してもよいし、第１金属部材１３０及び第２金属部材１４０の両方がシールド層１１０の第１シールド部１１０ａに接触しなくてもよい。

　（５）まとめ
　第１の態様の高周波モジュール（１）は、実装基板（１００）と、第１電子部品（例えばパワーアンプ６１）及び第２電子部品（例えば送信フィルタ４１）と、第１金属部材（１３０）及び第２金属部材（１４０）と、樹脂部材（１２０）と、を備える。実装基板（１００）は、互いに対向する第１主面（１０１）及び第２主面（１０２）を有する。第１電子部品（例えばパワーアンプ６１）及び第２電子部品（例えば送信フィルタ４１）は、実装基板（１００）の第１主面（１０１）に配置されている。第１金属部材（１３０）及び第２金属部材（１４０）は、実装基板（１００）の第１主面（１０１）に配置されている。樹脂部材（１２０）は、第１電子部品（例えばパワーアンプ６１）、第２電子部品（例えば送信フィルタ４１）、及び第２金属部材（１４０）の少なくとも一部を覆う。第１金属部材（１３０）及び第２金属部材（１４０）の少なくとも一方は、グランドに接続されている。第１金属部材（１３０）は、実装基板（１００）の厚さ方向（Ｄ３）からの平面視において、第１方向（Ｄ１）に沿う第１長手方向を有する。第２金属部材（１４０）は、上記の平面視において、第１方向（Ｄ１）と交差する第２方向（Ｄ２）に沿う第２長手方向を有する。第１金属部材（１３０）及び第２金属部材（１４０）の少なくとも一方は、第１電子部品（例えばパワーアンプ６１）と第２電子部品（例えば送信フィルタ４１）との間に配置されている。第１金属部材（１３０）は、第１凹部（１３２）を有する。第２金属部材（１４０）は、貫通孔（１４４）と、第２凹部（１４２）と、を有する。貫通孔（１４４）は、第２金属部材（１４０）を第２方向（Ｄ２）に交差する方向（Ｄ１）に貫通する。第２凹部（１４２）は、第１凹部（１３２）と対向しかつ接触する。

　この構成によれば、第１金属部材（１３０）の第１凹部（１３２）と第２金属部材（１４０）の第２凹部（１４２）とが対向しかつ接触する。このため、第１金属部材（１３０）及び第２金属部材（１４０）は、実装基板（１００）の第１主面（１０１）において互いに支え合って自立可能である。これにより、電子部品の間に配置される第１金属部材（１３０）又は第２金属部材（１４０）の自立性を向上できる。

　また、貫通孔（１４４）は、第２金属部材（１４０）を実装基板（１００）にリフロー接続する際の風を通過させることが可能である。また、貫通孔（１４４）は、樹脂部材（１２０）の材料である硬化前の液状材料を実装基板（１００）に塗布した際に、その液状材料を通過させることが可能である。貫通孔（１４４）に上記の風及び液状材料が通過することで、上記の風及び液状材料によって第２金属部材（１４０）が傾斜したり倒れたりすることを抑制できる。

　第２の態様の高周波モジュール（１）は、第１の態様において、実装基板（１００）の厚さ方向（Ｄ３）からの平面視において、第１金属部材（１３０）における第１方向（Ｄ１）に直交する方向（Ｄ２）の厚さ（ｄ１）と、第２金属部材（１４０）における第２方向（Ｄ２）に直交する方向（Ｄ１）の厚さ（ｄ２）は、互いに異なる。

　この構成によれば、実装基板（１００）において電子部品（第１電子部品（例えばパワーアンプ６１）及び第２電子部品（例えば送信フィルタ４１）を含む）を実装するための実装面積を確保しつつ、第１金属部材（１３０）及び第２金属部材（１４０）の自立性を向上できる。

　第３の態様の高周波モジュール（１）は、第２の態様において、第２金属部材（１４０）における第２方向（Ｄ２）の長さ（Ｌ２）は、第１金属部材（１３０）における第１方向（Ｄ１）の長さ（Ｌ１）よりも長い。第１金属部材（１３０）の厚さ（ｄ１）は、第２金属部材（１４０）の厚さ（ｄ２）よりも厚い。

　この構成によれば、実装基板（１００）において電子部品（第１電子部品（例えばパワーアンプ６１）及び第２電子部品（例えば送信フィルタ４１）を含む）を実装するための実装面積を更に確保しつつ、第１金属部材（１３０）及び第２金属部材（１４０）の自立性を更に向上できる。

　第４の態様の高周波モジュール（１）は、第２の態様において、第１金属部材（１３０）における第１方向（Ｄ１）の長さ（Ｌ１）は、第２金属部材（１４０）における第２方向（Ｄ２）の長さ（Ｌ２）よりも長い。第２金属部材（１４０）の厚さ（ｄ２）は、第１金属部材（１３０）の厚さ（ｄ１）よりも厚い。

　第５の態様の高周波モジュール（１）は、第１～第４の態様のいずれか１つにおいて、第１金属部材（１３０）を複数備える。第２金属部材（１４０）は、第２凹部（１４２）を複数有する。複数の第２凹部（１４２）は、複数の第１金属部材（１３０）と対応している。複数の第２凹部（１４２）は、第２金属部材（１４０）において、第２方向（Ｄ２）に互いに間隔を空けて設けられている。複数の第２凹部（１４２）の各々は、複数の第１金属部材（１３０）のうちの対応する第１金属部材（１３０）の第１凹部（１３２）と対向しかつ接触する。

　この構成によれば、第２金属部材（１４０）が複数の第１金属部材（１３０）で支えられるため、第２金属部材（１４０）の自立性を更に向上できる。

　第６の態様の高周波モジュール（１）は、第５の態様において、実装基板（１００）の第１主面（１０１）は、中央領域（Ｒ１０）と、第１領域（Ｒ１１）及び第２領域（Ｒ１２）と、を含む。第１領域（Ｒ１１）及び第２領域（Ｒ１２）は、中央領域（Ｒ１０）における第２方向（Ｄ２）の両側に存在する。複数の第１金属部材（１３０）は、第１領域（Ｒ１１）に配置されている第１金属部材（１３０）と、第２領域（Ｒ１２）に配置されている第１金属部材（１３０）と、を含む。

　この構成によれば、実装基板（１００）の第１主面（１０１）の中央領域（Ｒ１０）において、電子部品（第１電子部品（例えばパワーアンプ６１）及び第２電子部品（例えば送信フィルタ４１）を含む）を実装するための実装面積を確保できる。

　第７の態様の高周波モジュール（１）は、第１～第６の態様のいずれか１つにおいて、実装基板（１００）の第１主面（１０１）における第２金属部材（１４０）の両側の領域（Ｒ２０，Ｒ２１）に設けられた２つの導体部（１６０）を接続するためのワイヤ（７０）を更に備える。第２金属部材（１４０）は、第２金属部材（１４０）を第２方向（Ｄ２）に直交する方向（第１方向Ｄ１）に貫通する第３凹部（１４６）を備える。ワイヤ（７０）は、第３凹部（１４６）を跨いで、上記の２つの導体部（１６０）を接続する。

　この構成によれば、ワイヤ（７０）によって、実装基板（１００）の第１主面（１０１）において、第２金属部材（１４０）の両側の領域の各々に設けられた２つの導体部（１６０）を接続できる。また、ワイヤ（７０）によって、実装基板（１００）のグランド電極に容量を殆ど発生させることなく２つの導体部（１６０）を接続できる。

　第８の態様の高周波モジュール（１）は、第１～第７の態様のいずれか１つにおいて、樹脂部材（１２０）は、実装基板（１００）の第１主面（１０１）を覆う。

　この構成によれば、樹脂部材（１２０）が実装基板（１００）の第１主面（１０１）を覆う構造において、第１金属部材（１３０）及び第２金属部材（１４０）の自立性を向上できる。

　第９の態様の高周波モジュール（１）は、第１～第８の態様のいずれか１つにおいて、実装基板（１００）の第１主面（１０１）に配置された第３部品（例えばローノイズアンプ６２）を更に備える。第１金属部材（１３０）及び第２金属部材（１４０）のうちの他方は、第１電子部品（例えばパワーアンプ６１）と第３部品（例えばローノイズアンプ６２）との間に配置されている。

　この構成によれば、第１金属部材（１３０）によって、第１電子部品（例えばパワーアンプ６１）と第３部品（例えばローノイズアンプ６２）とのアイソレーションを確保できる。

　第１０の態様の高周波モジュール（１）は、第１～第９の態様のいずれか１つにおいて、シールド層（１１０）を更に備える。シールド層（１１０）は、樹脂部材（１２０）において実装基板（１００）の側とは反対側の主面（１２１）及び樹脂部材（１２０）の側面（１２３）に設けられている。第１金属部材（１３０）及び第２金属部材（１４０）の少なくとも一方は、シールド層（１１０）に接触している。

　この構成によれば、第１金属部材（１３０）及び第２金属部材（１４０）の少なくとも一方は、シールド層（１１０）を介してグランドに電気的に接続できる。

　第１１の態様の高周波モジュール（１）は、第１０の態様において、シールド層（１１０）は、樹脂部材（１２０）において実装基板（１００）の側とは反対側の主面に設けられた第１シールド部（１１０ａ）を有する。第１金属部材（１３０）及び第２金属部材（１４０）の少なくとも一方は、第１シールド部（１１０ａ）に接触している。

　この構成によれば、第１金属部材（１３０）及び第２金属部材（１４０）の少なくとも一方は、第１シールド部（１１０ａ）においてシールド層（１１０）と接触できる。

　第１２の態様の通信装置（５００）は、第１～第１１の態様のいずれか１つの高周波モジュール（１）と、信号処理回路（５０１）と、を備える。信号処理回路（５０１）は、高周波モジュール（１）を通る高周波信号を処理する。

　この構成によれば、上述の作用効果を有する高周波モジュール（１）を備える通信装置（５００）を提供できる。

　１　高周波モジュール
　１０　アンテナ端子
　２０　スイッチ
　２１　共通端子
　２２，２３　選択端子
　３１　第１整合回路
　３２　第２整合回路
　４１　送信フィルタ
　４２　受信フィルタ
　５１　第３整合回路
　５１　整合回路
　５２　第４整合回路
　６１　パワーアンプ
　６２　ローノイズアンプ
　７０　ワイヤ
　７１　信号入力端子
　７２　信号出力端子
　１００　実装基板
　１０１　第１主面
　１０２　第２主面
　１０３　外周面
　１１０　シールド層
　１１０ａ　第１シールド部
　１１０ｂ　第２シールド部
　１２０　樹脂層（樹脂部材）
　１２１　第１主面
　１２３　外周面
　１３０　第１金属部材
　１３１　壁部
　１３２　第１凹部
　１３３　接触部
　１４０　第２金属部材
　１４１　壁部
　１４２　第２凹部
　１４３　接触部
　１４４　貫通孔
　１４５　接続部
　１４６　第３凹部
　１５０～１５２　第１パッド
　１６０　第２パッド（導体部）
　１６１，１６３　第２パッド
　１８０　ビア導体
　２００　外部接続端子
　２０１　グランド端子
　２０２　グランド端子
　５００　通信装置
　５０１　信号処理回路
　５０２　ＲＦ信号処理回路
　５０３　ベースバンド信号処理回路
　５１０　アンテナ
　１３１１　主面
　１３１２　主面
　１３１３　頂部
　１３１４　基端部
　１３３１　第１主面
　１４１１　主面
　１４１２　主面
　１４１３　頂部
　１４１４　基端部
　１４２１～１４２３　第２凹部
　１４３１　第１主面
　ｄ１　厚さ
　ｄ２　厚さ
　Ｄ１　第１方向
　Ｄ２　第２方向
　Ｄ３　厚さ方向
　Ｌ１　長さ
　Ｌ２　長さ
　Ｍ１，Ｍ２　幅
　Ｑ１　中心線
　Ｒ１～Ｒ３，Ｒ２１，Ｒ２２　領域
　Ｒ１０　中央領域
　Ｒ１１　第１領域
　Ｒ１２　第２領域

Claims

　互いに対向する第１主面及び第２主面を有する実装基板と、
　前記実装基板の前記第１主面に配置された第１電子部品及び第２電子部品と、
　前記実装基板の前記第１主面に配置された第１金属部材及び第２金属部材と、
　前記第１電子部品、前記第２電子部品、及び前記第２金属部材の少なくとも一部を覆う樹脂部材と、を備え、
　前記第１金属部材及び前記第２金属部材は、グランドに接続されており、
　前記第１金属部材は、前記実装基板の厚さ方向からの平面視において、第１方向に沿う第１長手方向を有し、
　前記第２金属部材は、前記実装基板の厚さ方向からの平面視において、前記第１方向と交差する第２方向に沿う第２長手方向を有し、
　前記第１金属部材及び前記第２金属部材の少なくとも一方は、前記第１電子部品と前記第２電子部品との間に配置されており、
　前記第１金属部材は、第１凹部を有し、
　前記第２金属部材は、
　　前記第２金属部材を前記第２方向に交差する方向に貫通する貫通孔と、
　　前記第１凹部と対向しかつ接触する第２凹部と、を有する、
高周波モジュール。
　前記実装基板の厚さ方向からの平面視において、前記第１金属部材における前記第１方向に直交する方向の厚さと、前記第２金属部材における前記第２方向に直交する方向の厚さは、互いに異なる、
請求項１に記載の高周波モジュール。
　前記第２金属部材における前記第２方向の長さは、前記第１金属部材における前記第１方向の長さよりも長く、
　前記第１金属部材の前記厚さは、前記第２金属部材の前記厚さよりも厚い、
請求項２に記載の高周波モジュール。
　前記第１金属部材における前記第１方向の長さは、前記第２金属部材における前記第２方向の長さよりも長く、
　前記第２金属部材の前記厚さは、前記第１金属部材の前記厚さよりも厚い、
請求項２に記載の高周波モジュール。
　前記第１金属部材を複数備え、
　前記第２金属部材は、前記第２凹部を複数有し、
　前記複数の第２凹部は、前記複数の第１金属部材と対応しており、前記第２金属部材において、前記第２方向に互いに間隔を空けて設けられており、
　前記複数の第２凹部の各々は、前記複数の第１金属部材のうちの対応する第１金属部材の前記第１凹部と対向しかつ接触する、
　請求項１～４のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　前記実装基板の前記第１主面は、
　　中央領域と、
　　前記中央領域における前記第２方向の両側に存在する第１領域及び第２領域と、を含み、
　前記複数の第１金属部材は、
　　前記第１領域に配置されている第１金属部材と、
　　前記第２領域に配置されている第１金属部材と、を含む、
請求項５に記載の高周波モジュール。
　前記実装基板の前記第１主面における前記第２金属部材の両側の領域に設けられた２つの導体部を接続するためのワイヤを更に備え、
　前記第２金属部材は、前記第２金属部材を前記第２方向に直交する方向に貫通する第３凹部を備え、
　前記ワイヤは、前記第３凹部を跨いで、前記２つの導体部を接続する、
請求項１～６のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　前記樹脂部材は、前記実装基板の前記第１主面を覆う
請求項１～７のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　前記実装基板の前記第１主面に配置された第３部品を更に備え、
　前記第１金属部材及び前記第２金属部材のうちの他方は、前記第１電子部品と前記第３部品との間に配置されている、
請求項１～８のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　前記樹脂部材において前記実装基板の側とは反対側の主面及び前記樹脂部材の側面に設けられたシールド層を更に備え、
　前記第１金属部材及び前記第２金属部材の少なくとも一方は、前記シールド層に接触している、
請求項１～９のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　前記シールド層は、前記樹脂部材において前記実装基板の側とは反対側の主面に設けられた第１シールド部を有し、
　前記第１金属部材及び前記第２金属部材の少なくとも一方は、前記第１シールド部に接触している、
請求項１０に記載の高周波モジュール。
　請求項１～１１のいずれか１項に記載の高周波モジュールと、
　前記高周波モジュールを通る高周波信号を処理する信号処理回路と、を備える、
　通信装置。