WO2022157879A1 - 発光素子、表示装置及び表示装置の製造方法 - Google Patents

発光素子、表示装置及び表示装置の製造方法 Download PDF

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Definitions

  • the present disclosure relates to a light-emitting element, a display device, and a method for manufacturing a display device.
  • the organic hole-transporting layer is formed of a polymer material that has hole-transporting properties but does not have a three-dimensional network structure as described above, or is formed of a low-molecular-weight material that has hole-transporting properties, Although the solvent resistance can be improved, the solvent resistance is still not satisfactory. There is a problem that the organic hole transport layer is peeled off.
  • One aspect of the present disclosure has been made in view of the above problems, and includes a light-emitting device including a hole-transporting layer having satisfactory solvent resistance and hole-transporting properties; It is an object of the present invention to provide a display device having a light-emitting element and a method for manufacturing the display device including the light-emitting element.
  • the light-emitting device of the present disclosure has a first electrode; a hole transport layer formed on the first electrode; a light emitting layer formed on the hole transport layer; a second electrode formed on the light-emitting layer;
  • the hole-transporting layer comprises a first hole-transporting material having a three-dimensional network structure in which molecules containing a skeleton having a hole-transporting property and at least two thermosetting functional groups are polymerized together; and a second hole-transporting material comprising a plurality of molecules having hole-transporting properties.
  • the display device of the present disclosure includes: A plurality of the light emitting elements are provided on the substrate, The plurality of light emitting elements includes a first light emitting element, a second light emitting element and a third light emitting element,
  • the first light-emitting element includes a first light-emitting layer as the light-emitting layer
  • the second light-emitting element includes, as the light-emitting layer, a second light-emitting layer having an emission peak wavelength different from that of the first light-emitting layer
  • the third light-emitting element includes, as the light-emitting layer, a third light-emitting layer having an emission peak wavelength different from that of the first light-emitting layer and the second light-emitting layer.
  • the display device manufacturing method of the present disclosure includes: forming a first electrode; a hole-transporting material mixture solution containing a plurality of molecules each having a skeleton having a hole-transporting property and at least two thermosetting functional groups, a plurality of molecules having a hole-transporting property, and a solvent; forming the positive electrode on the first electrode and then heat-treating the plurality of molecules including the skeleton having the hole-transporting property and the thermosetting functional group to form a polymer material having a three-dimensional network structure; forming a pore transport layer; forming a light emitting layer on the hole transport layer; and forming a second electrode on the light emitting layer.
  • One aspect of the present disclosure is a light-emitting device comprising a hole-transporting layer having satisfactory solvent resistance and hole-transporting properties, a display device comprising the light-emitting device, and a display device comprising the light-emitting device can provide a manufacturing method of
  • FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a display device according to Embodiment 1;
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a display area of the display device of Embodiment 1;
  • FIG. 4A to 4C are diagrams showing the manufacturing process of the display device of Embodiment 1.
  • FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a display device according to Embodiment 1
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a display area of the display device of Embodiment 1
  • FIG. 4A to 4C are diagrams showing the manufacturing process of the display device of Embodiment 1.
  • FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a display device according to Embodiment 1
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a display area of the display device of Embodiment 1
  • FIG. 4A to 4C are diagrams showing the manufacturing process of the display device of Em
  • FIG. 4 is a diagram for explaining a step of forming each functional layer in the manufacturing process of the display device of Embodiment 1 shown in FIG. 3;
  • FIG. 4 is a diagram for explaining a step of forming each functional layer in the manufacturing process of the display device of Embodiment 1 shown in FIG. 3;
  • FIG. 10 is a diagram showing a polymer material with a three-dimensional network structure obtained by heat-treating CBP-V contained in a hole-transporting layer provided in a display device which is another modified example of FIG.
  • FIG. 3B is a diagram showing the solvent resistance of a hole transport layer having a ratio of 1:2
  • FIG. 4C is a diagram showing the solvent resistance of a hole-transporting layer in which the weight ratio of the transporting material and the second hole-transporting material containing PVK (polyvinylcarbazole) is 1:1;
  • FIG. 3 is a diagram showing the solvent resistance of a hole transport layer containing only a second hole transport material containing PVK (polyvinylcarbazole) after heat treatment.
  • (a), (b), (c), (d), (e), (f), and (g) are red light emitting elements included in red subpixels provided in the display device of Embodiment 1. It is a figure for demonstrating the process of forming a light emitting layer.
  • (a), (b), (c), (d), (e), (f) and (g) are green light emitting elements included in green sub-pixels provided in the display device of Embodiment 1. It is a figure for demonstrating the process of forming a light emitting layer.
  • (a), (b), (c), (d), (e) and (f) form a blue light-emitting layer of a blue light-emitting element included in a blue sub-pixel provided in the display device of Embodiment 1.
  • (a) is a diagram showing a polymer material with a three-dimensional network structure obtained by heat-treating VNPB contained in a hole transport layer provided in a display device of Embodiment 2
  • (b) is an embodiment.
  • 2 is a diagram showing a polymer material with a three-dimensional network structure obtained by heat-treating DV-CBP contained in a hole-transporting layer provided in a display device which is a modification of Embodiment 2;
  • FIG. 10 is a diagram showing a polymer material with a three-dimensional network structure obtained by heat-treating CBP-V contained in a hole-transporting layer provided in a display device which is another modified example of FIG.
  • the weight ratio between the first hole-transporting material having a three-dimensional network structure in which VNPBs are polymerized by a heat treatment process at 150° C. and the second hole-transporting material containing PVK (polyvinylcarbazole) is 1:2. It is a figure which shows the solvent-resistant property of the hole transport layer which is.
  • (a) is a diagram showing an example of a molecule containing a skeleton having a hole-transporting property and thermosetting functional groups such as a phosphonic acid group (—PO 3 H 2 ) and a hydroxy group (—OH);
  • 14(b) is a diagram showing a polymer material with a three-dimensional network structure contained in a hole-transporting layer provided in the display device of Embodiment 3 obtained by heat-treating molecules shown in FIG. 13(a);
  • FIG. . (a) and (b) show thermosetting functional groups, phosphonic acid group ( -PO3H2 ) and hydroxy group (-OH), and a hole-transporting structure different from the molecule shown in Fig. 13(a).
  • FIG. 10 is a diagram showing a polymer material with a three-dimensional network structure contained in a hole-transporting layer provided in a display device according to another modification of Embodiment 3, which is obtained by heat-treating molecules containing a skeleton having a specific property
  • FIG. (a) is a diagram showing an example of a molecule containing a skeleton having a hole-transporting property and thermosetting functional groups such as a carboxyl group (-COOH) and a hydroxy group (-OH);
  • 15 shows a polymer material with a three-dimensional network structure contained in a hole transport layer provided in a display device which is still another modification of Embodiment 3 obtained by heat treatment of molecules shown in FIG. 15(a). It is a diagram.
  • FIG. 10 is a diagram showing a polymer material with a three-dimensional network structure contained in a hole-transporting layer provided in a display device that is still another modification of Embodiment 3, obtained by heat-treating molecules containing and.
  • FIG. (a), (b), and (c) are diagrams for explaining a case where a red light-emitting layer of a red light-emitting element included in a red sub-pixel provided in the display device of Embodiment 4 is formed by an inkjet method. be.
  • FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a display device 1 of Embodiment 1.
  • FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a display device 1 of Embodiment 1.
  • the display device 1 includes a frame area NDA and a display area DA.
  • a plurality of pixels PIX are provided in the display area DA of the display device 1, and each pixel PIX includes a red sub-pixel RSP, a green sub-pixel GSP, and a blue sub-pixel BSP.
  • a case where one pixel PIX is composed of a red sub-pixel RSP, a green sub-pixel GSP, and a blue sub-pixel BSP will be described as an example, but the present invention is not limited to this.
  • one pixel PIX may include red sub-pixels RSP, green sub-pixels GSP, and blue sub-pixels BSP, as well as sub-pixels of other colors.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the display area DA of the display device 1 of Embodiment 1.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the display area DA of the display device 1 of Embodiment 1.
  • a barrier layer 3 As shown in FIG. 2, in the display area DA of the display device 1, a barrier layer 3, a thin film transistor layer 4 including a transistor TR, a red light emitting element 5R, a green light emitting element 5G, and a blue light emitting element 5B are formed on a substrate 12. Also, a bank 23 (transparent resin layer), a sealing layer 6, and a functional film 39 are provided in this order from the substrate 12 side.
  • the red sub-pixels RSP provided in the display area DA of the display device 1 include red light-emitting elements 5R (first light-emitting elements), and the green sub-pixels GSP provided in the display area DA of the display device 1 include green light-emitting elements 5G (
  • the blue sub-pixel BSP provided in the display area DA of the display device 1 includes the blue light emitting element 5B (third light emitting element).
  • a red light emitting element 5R included in the red subpixel RSP includes a first electrode 22 (anode), a functional layer 24R including a red light emitting layer, and a second electrode 25 (cathode), and is included in the green subpixel GSP.
  • the green light emitting element 5G includes a first electrode 22 (anode), a functional layer 24G including a green light emitting layer, and a second electrode 25 (cathode). It includes one electrode 22 (anode), a functional layer 24B including a blue light-emitting layer, and a second electrode 25 (cathode).
  • the substrate 12 may be, for example, a resin substrate made of a resin material such as polyimide, or may be a glass substrate.
  • a resin substrate made of a resin material such as polyimide is used as the substrate 12 will be described as an example, but the present invention is limited to this. never.
  • a glass substrate can be used as the substrate 12 when the display device 1 is a non-flexible display device.
  • the barrier layer 3 is a layer that prevents foreign substances such as water and oxygen from entering the transistor TR, the red light emitting element 5R, the green light emitting element 5G, and the blue light emitting element 5B.
  • a film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, or a laminated film of these can be used.
  • the transistor TR portion of the thin film transistor layer 4 including the transistor TR includes the semiconductor film SEM and the doped semiconductor films SEM' and SEM'', the inorganic insulating film 16, the gate electrode G, the inorganic insulating film 18, and the inorganic insulating film. 20 , a source electrode S and a drain electrode D, and a planarizing film 21 , and the portion other than the transistor TR portion of the thin film transistor layer 4 including the transistor TR is composed of an inorganic insulating film 16 , an inorganic insulating film 18 , an inorganic insulating film 18 , and an inorganic insulating film 18 . It includes a film 20 and a planarizing film 21 .
  • the semiconductor films SEM, SEM', and SEM'' may be composed of, for example, low-temperature polysilicon (LTPS) or an oxide semiconductor (for example, an In--Ga--Zn--O based semiconductor).
  • LTPS low-temperature polysilicon
  • oxide semiconductor for example, an In--Ga--Zn--O based semiconductor.
  • the transistor TR may have a bottom-gate structure.
  • the gate electrode G, the source electrode S, and the drain electrode D can be composed of, for example, a single-layer or laminated film of metal containing at least one of aluminum, tungsten, molybdenum, tantalum, chromium, titanium, and copper.
  • the inorganic insulating film 16, the inorganic insulating film 18, and the inorganic insulating film 20 can be composed of, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, or a laminated film thereof formed by the CVD method.
  • the planarizing film 21 can be made of a coatable organic material such as polyimide or acryl.
  • the red light emitting element 5R includes a first electrode 22 (anode) above the planarizing film 21, a functional layer 24R including a red light emitting layer, and a second electrode 25 (cathode).
  • the blue light emitting element 5B includes a first electrode 22 (anode) above the planarizing film 21, a functional layer 24G including a green light emitting layer, and a second electrode 25 (cathode). It includes an upper first electrode 22 (anode), a functional layer 24B including a blue light-emitting layer, and a second electrode 25 (cathode).
  • the insulating bank 23 (transparent resin layer) covering the edge of the first electrode 22 (anode) can be formed, for example, by applying an organic material such as polyimide or acrylic and then patterning it by photolithography.
  • the functional layer 24R including a red light-emitting layer is configured, for example, by laminating a hole injection layer, a hole transport layer, a red light-emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer in this order from the first electrode 22 (anode) side. can do.
  • the functional layer 24R including the red light emitting layer one or more of the hole injection layer other than the hole transport layer, the electron transport layer, and the electron injection layer may be omitted as appropriate.
  • the functional layer 24R including the red light emitting layer is configured by laminating a hole injection layer, a hole transport layer, a red light emitting layer and an electron transport layer in order from the first electrode 22 (anode) side. A case will be described as an example, but the present invention is not limited to this.
  • the functional layer 24G including a green light-emitting layer is configured by stacking, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a green light-emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer in this order from the first electrode 22 (anode) side. can do.
  • the functional layer 24G including the green light emitting layer one or more of the hole injection layer other than the hole transport layer, the electron transport layer and the electron injection layer may be omitted as appropriate.
  • the functional layer 24G including the green light emitting layer is configured by laminating a hole injection layer, a hole transport layer, a green light emitting layer and an electron transport layer in order from the first electrode 22 (anode) side. A case will be described as an example, but the present invention is not limited to this.
  • the functional layer 24B including a blue light-emitting layer is configured, for example, by laminating a hole injection layer, a hole transport layer, a blue light-emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer in this order from the first electrode 22 (anode) side. can do.
  • the functional layer 24B including the blue light-emitting layer one or more of the hole injection layer other than the hole transport layer, the electron transport layer, and the electron injection layer may be omitted as appropriate.
  • the functional layer 24B including the blue light-emitting layer is configured by laminating a hole injection layer, a hole transport layer, a blue light-emitting layer, and an electron transport layer in order from the first electrode 22 (anode) side. A case will be described as an example, but the present invention is not limited to this.
  • each of the functional layer 24R including the red light-emitting layer, the functional layer 24G including the green light-emitting layer, and the functional layer 24B including the blue light-emitting layer is formed by the same process using the same material.
  • a case in which a hole injection layer, a hole transport layer formed in the same process using the same material, and an electron transport layer formed in the same process using the same material will be described as an example. It is not limited to this.
  • the hole injection layers included in the functional layers 24R, 24G, and 24B may be made of different materials. The included hole injection layers may be formed in the same process using the same material, and only the hole injection layer included in the remaining one functional layer may be formed in a separate process using a different material.
  • the hole transport layers included in the functional layers 24R, 24G, and 24B may be formed of different materials.
  • the hole transport layers included in each may be formed in the same process using the same material, and only the hole transport layer included in the remaining one functional layer may be formed in a separate process using a different material.
  • each electron transport layer included in each of the functional layers 24R, 24G, and 24B may be formed of different materials. may be formed in the same process using the same material, and only the electron transport layer contained in the remaining one functional layer may be formed in a separate process using a different material.
  • the red light emitting element 5R, the green light emitting element 5G, and the blue light emitting element 5B will be described as an example in which they are QLEDs (quantum dot light emitting diodes).
  • the red light emitting element 5R, the green light emitting element 5G and the blue light emitting element 5B may be OLEDs (organic light emitting diodes).
  • the rest of the red light emitting element 5R, the green light emitting element 5G and the blue light emitting element 5B may be OLEDs.
  • the red light-emitting element 5R, the green light-emitting element 5G, and the blue light-emitting element 5B are QLEDs
  • the light-emitting layers included in the light-emitting elements of each color are, for example, quantum dots formed by a coating method or an inkjet method.
  • the red light-emitting element 5R, the green light-emitting element 5G, and the blue light-emitting element 5B are OLEDs
  • the light-emitting layers provided in the light-emitting elements of each color are formed, for example, by vapor deposition. It is an organic light-emitting layer.
  • a control circuit including a transistor TR for controlling each of the red light emitting element 5R, the green light emitting element 5G and the blue light emitting element 5B includes a thin film transistor layer 4 including a transistor TR for each of the red sub-pixel RSP, the green sub-pixel GSP and the blue sub-pixel BSP. is provided in A control circuit including a transistor TR provided for each of the red sub-pixel RSP, the green sub-pixel GSP, and the blue sub-pixel BSP and the light emitting element are also collectively referred to as a sub-pixel circuit.
  • the red light emitting element 5R, the green light emitting element 5G and the blue light emitting element 5B shown in FIG. 2 may be of top emission type or bottom emission type.
  • the red light emitting element 5R, the green light emitting element 5G, and the blue light emitting element 5B are composed of, from the substrate 12 side, a first electrode 22 (anode), functional layers 24R, 24G, and 24B, and a second electrode 25 (cathode). Since it has a direct stack structure formed in order, the second electrode 25 (cathode) is arranged as an upper layer than the first electrode 22 (anode). ) is made of an electrode material that reflects visible light, and the second electrode 25 (cathode) is made of an electrode material that transmits visible light. is made of an electrode material that transmits visible light, and the second electrode 25 (cathode) is made of an electrode material that reflects visible light.
  • the electrode material that reflects visible light is not particularly limited as long as it can reflect visible light and has electrical conductivity. , a laminate of the metal material and a transparent metal oxide (e.g., indium tin oxide, indium zinc oxide, indium gallium zinc oxide, etc.), or a laminate of the alloy and the transparent metal oxide. .
  • a transparent metal oxide e.g., indium tin oxide, indium zinc oxide, indium gallium zinc oxide, etc.
  • the electrode material that transmits visible light is not particularly limited as long as it can transmit visible light and has electrical conductivity. zinc oxide, etc.) or thin films made of metal materials such as Al, Mg, Li and Ag.
  • a film formation method for the first electrode 22 (anode) and the second electrode 25 (cathode) a general electrode formation method can be used.
  • a physical vapor deposition (PVD) method such as a coating method, or a chemical vapor deposition (CVD) method can be mentioned.
  • the patterning method for the first electrode 22 (anode) and the second electrode 25 (cathode) is not particularly limited as long as it is a method capable of forming a desired pattern with high accuracy. can include a photolithography method, an inkjet method, and the like.
  • the sealing layer 6 is a translucent film, and includes, for example, an inorganic sealing film 26 covering the second electrode 25 (cathode), an organic film 27 above the inorganic sealing film 26, and a layer above the organic film 27. , and the inorganic sealing film 28.
  • the sealing layer 6 prevents foreign substances such as water and oxygen from penetrating into the red light emitting element 5R, the green light emitting element 5G and the blue light emitting element 5B.
  • Each of the inorganic sealing film 26 and the inorganic sealing film 28 is an inorganic film, and may be composed of, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, or a laminated film thereof formed by a CVD method. can be done.
  • the organic film 27 is a light-transmitting organic film having a flattening effect, and can be made of a coatable organic material such as acryl.
  • the organic film 27 may be formed by an inkjet method, for example.
  • the sealing layer 6 is formed of two layers of inorganic films and one layer of organic film provided between the two layers of inorganic films has been described as an example.
  • the sealing layer 6 may be composed of only an inorganic film, may be composed of only an organic film, may be composed of one layer of inorganic film and two layers of organic film, or may be composed of two or more layers. may be composed of an inorganic film and two or more layers of organic films.
  • the functional film 39 is, for example, a film having at least one of optical compensation function, touch sensor function, and protection function.
  • FIG. 3 is a diagram showing the manufacturing process of the display device 1 of Embodiment 1.
  • FIG. 3 is a diagram showing the manufacturing process of the display device 1 of Embodiment 1.
  • the manufacturing process of the display device 1 shown in FIG. 2 includes, as shown in FIG. A step (S2), a step (S3) of forming a bank 23 (transparent resin layer), a functional layer 24R including a red light emitting layer included in the red light emitting element 5R, and a green light emitting layer included in the green light emitting element 5G.
  • FIG. 4A is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a red light emitting element 5R provided in the display device 1 of Embodiment 1
  • FIG. 4C is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a green light emitting element 5G provided in the display device 1 of Embodiment 1, and FIG. It is a sectional view.
  • FIG. 5 is a diagram for explaining the process of forming the functional layer 24R, the functional layer 24G, and the functional layer 24B in the manufacturing process of the display device 1 of Embodiment 1 shown in FIG.
  • the step of forming the functional layer 24R, the functional layer 24G, and the functional layer 24B provided in the display device 1 is the step of forming the hole injection layer 24HI on the first electrode 22 (anode). (S11), the step of forming the hole transport layer 24HT (S12), the step of forming the light emitting layer 24REM (red light emitting layer) (S13), and the step of forming the light emitting layer 24GEM (green light emitting layer) (S14). ), the step of forming the light emitting layer 24BEM (blue light emitting layer) (S15), and the step of forming the electron transport layer 24ET (S16).
  • the light-emitting layer 24REM red light-emitting layer
  • the light-emitting layer 24GEM green light-emitting layer
  • the light-emitting layer 24BEM blue light-emitting layer
  • the functional layer 24R, the functional layer 24G, and the functional layer 24B each use the same material as the hole injection layer 24HI formed in the same process using the same material.
  • the hole transport layer 24HT is formed on the hole injection layer 24HI provided in each of the red light emitting element 5R, the green light emitting element 5G and the blue light emitting element 5B. is formed. Furthermore, in the step of forming the electron transport layer 24ET (S16), the light emitting layer 24REM (red light emitting layer) provided in the red light emitting element 5R, the light emitting layer 24GEM (green light emitting layer) provided in the green light emitting element 5G, and An electron transport layer 24ET is formed on the light emitting layer 24BEM (blue light emitting layer) provided in the blue light emitting element 5B.
  • the first electrode 22 (anode) can be formed with a film thickness of, for example, 100 nm or more and 300 nm or less, but is not limited to this.
  • the second electrode 25 (cathode) can be formed with a film thickness of, for example, 10 nm or more and 100 nm or less, but is not limited to this.
  • the hole injection layer 24HI can be formed with a thickness of, for example, 20 nm or more and 90 nm or less, but is not limited to this.
  • the hole transport layer 24HT can be formed with a film thickness of, for example, 20 nm or more and 70 nm or less, but is not limited to this.
  • the light-emitting layer 24REM red light-emitting layer
  • the light-emitting layer 24GEM green light-emitting layer
  • the light-emitting layer 24BEM blue light-emitting layer
  • the electron transport layer 24ET can be formed with a film thickness of, for example, 30 nm or more and 90 nm or less, but is not limited to this.
  • the hole transport layer 24HT is a first hole transport layer having a three-dimensional network structure in which molecules each containing a skeleton having a hole transport property and at least two thermosetting functional groups are polymerized. and a second hole-transporting material comprising a plurality of molecules having hole-transporting properties.
  • Each of the red light-emitting element 5R, the green light-emitting element 5G, and the blue light-emitting element 5B provided in the display device 1 of the present embodiment includes a first hole-transporting material and a second hole-transporting material. It has a layer 24HT. Since the second hole-transporting material containing a plurality of molecules having a hole-transporting property contained in the hole-transporting layer 24HT contains a plurality of molecules having a hole-transporting property that do not contain a thermosetting functional group, The hole-transporting property is higher than that of the first hole-transporting material.
  • Examples of the second hole-transporting material containing a plurality of molecules having a hole-transporting property include polymer materials having a hole-transporting property, such as PVK (polyvinylcarbazole) and TFB (poly[ Polymeric materials such as (9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(4,4′-(N-(4-sec-butylphenyl))diphenylamine)]) are preferably used. can be, but is not limited to.
  • a low-molecular-weight material having a hole-transporting property may be used as the second hole-transporting material containing a plurality of molecules having a hole-transporting property.
  • Both low-molecular-weight materials with transport properties may be used.
  • the first hole-transporting material contained in the hole-transporting layer 24HT has a three-dimensional network structure, it has higher solvent resistance than the second hole-transporting material.
  • the hole-transporting layer 24HT is a mixture of the first hole-transporting material having high solvent resistance and the second hole-transporting material having high hole-transporting properties. It is possible to realize a light-emitting device and a display device having a hole-transporting layer having solvent resistance and hole-transporting properties of .
  • the red light emitting element 5R, the green light emitting element 5G, and the blue light emitting element 5B provided in the display device 1 all contain the first hole-transporting material and the second hole-transporting material.
  • the transport layer 24HT is provided has been described as an example, it is not limited to this, and one of the red light emitting element 5R, the green light emitting element 5G, and the blue light emitting element 5B provided in the display device 1
  • the light-emitting device described above may include a hole-transporting layer 24HT containing a first hole-transporting material and a second hole-transporting material.
  • FIG. 6 shows VNPB (N4,N4'-Di(naphthalen-1-yl)-N4,N4'-bis( 4 is a diagram showing a polymer material with a three-dimensional network structure obtained by heat-treating 4-vinylphenyl)biphenyl-4,4′-diamine).
  • VNPB represented by the following (chemical formula 1) has a skeleton (X-X) having a hole-transporting property and a vinyl group as a thermosetting functional group.
  • XX skeleton having a hole-transporting property of VNPB is indicated by XX.
  • FIG. 6B shows DV-CBP(4,4'-Bis(3-((4-vinylphenoxy)methyl) contained in a hole transport layer provided in a display device that is a modification of Embodiment 1
  • Fig. 2 shows a polymer material with a three-dimensional network structure obtained by heat-treating -9H-carbazol-9-yl)biphenyl).
  • DV-CBP represented by the following (Chemical Formula 2) has a skeleton (YY) having a hole-transporting property and a vinyl group as a thermosetting functional group.
  • YY skeleton having the hole-transporting property of DV-CBP is indicated by YY.
  • FIG. 6 shows CBP-V(4,4'-bis(N-carbazolyl)-1,1 1 is a diagram showing a polymer material with a three-dimensional network structure obtained by heat-treating '-biphenyl-vinyl).
  • CBP-V represented by (Chemical Formula 3) below has a skeleton (Z-Z) having a hole-transporting property and a vinyl group as a thermosetting functional group.
  • ZZ skeleton having the hole-transporting property of CBP-V is indicated by ZZ.
  • VNPB shown in (a) of FIG. 6, DV-CBP shown in (b) of FIG. 6, and CBP-V shown in (c) of FIG. 1 is an example of a precursor (precursor molecule) of a hole-transporting material, and each of these precursors (precursor molecules) has a vinyl group as a thermosetting functional group. , nitrogen gas or argon gas) atmosphere, the first hole-transporting material having a three-dimensional network structure in which the precursors (precursor molecules) are polymerized can be obtained. .
  • the step (S12) of forming the hole transport layer 24HT shown in FIG. A hole-transporting material mixed solution containing molecules and a solvent is formed on the first electrode 22 (anode), specifically, on the hole injection layer 24HI on the first electrode 22 (anode), and then heat-treated. This includes a step of converting the precursor (precursor molecule) into a polymer material with a three-dimensional network structure.
  • the type of the solvent contained in the hole-transporting material mixed solution is particularly limited as long as it can dissolve or disperse the precursor (precursor molecule) and the plurality of molecules having hole-transporting properties.
  • chlorobenzene was used in this embodiment.
  • the heat treatment process for polymerizing the precursors (precursor molecules) described above is performed at 230°C
  • the present invention is not limited to this.
  • the heat treatment process for polymerizing the precursors (precursor molecules) is performed at 120° C. or more and 230° C. or less.
  • the weight of the second hole-transporting material with high hole-transporting properties contained in the hole-transporting layer 24HT increases.
  • the weight of the first hole-transporting material with high solvent resistance contained in 24HT is reduced, and the solvent resistance of the hole-transporting layer 24HT is lowered. Therefore, in order to optimize the hole-transporting properties and solvent resistance of the hole-transporting layer 24HT, the weight of the second hole-transporting material with high hole-transporting properties contained in the hole-transporting layer 24HT should be It is preferably 1 to 4 times the weight of the first hole-transporting material with high solvent resistance contained in the hole-transporting layer 24HT.
  • FIG. 7(a) shows a first hole-transporting material having a three-dimensional network structure in which VNPB is polymerized by a heat treatment process at 230° C. and a second hole-transporting material containing PVK (polyvinylcarbazole).
  • 2 is a diagram showing the solvent resistance of a hole transport layer having a weight ratio of 1:2.
  • FIG. 7(b) shows a first hole-transporting material having a three-dimensional network structure in which VNPB is polymerized by a heat treatment process at 230° C. and a second hole-transporting material containing PVK (polyvinylcarbazole).
  • 1 is a diagram showing the solvent resistance of a hole transport layer having a weight ratio of 1:1.
  • FIG. 7 is a diagram showing solvent resistance of a hole-transporting layer containing only the second hole-transporting material containing PVK (polyvinylcarbazole) after heat treatment at 230°C.
  • PVK polyvinylcarbazole
  • the hole-transporting layer shown in FIG. 7(c) immediately after the hole-transporting layer is formed, it has a high hole-transporting property, but is made of a polymeric material that does not have a three-dimensional network structure. Even if it is heat-treated at a temperature exceeding the transition temperature and recrystallized, the solvent resistance is poor, and the hole transport layer is peeled off by the solvent used in the post-process, and as a result, it cannot be used as a hole transport layer. is difficult.
  • the hole transport layers shown in FIGS. 7(a) and 7(b) have satisfactory solvent resistance and hole transport properties.
  • the hole transport layer shown in (b) of FIG. 7 is higher than the hole transport layer shown in (a) of FIG. is higher than the hole transport layer shown in FIG. 7(b).
  • the case of using PVK (polyvinylcarbazole) as the second hole-transporting material containing a plurality of molecules having a hole-transporting property is described as an example.
  • the second hole-transporting material include, but are not limited to, TFB (poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(4,4′-(N -(4-sec-butylphenyl))diphenylamine)]) may also be used.
  • FIG. 10 is a diagram for explaining a step of forming a red light emitting layer 24REM of a red light emitting element 5R included in a red subpixel RSP provided in the display device 1 of Embodiment 1;
  • the red light emitting element 5R included in the red subpixel RSP the green light emitting element 5G included in the green subpixel GSP, and the blue light emitting element BSP included in the blue subpixel BSP.
  • a first resist layer 30 is formed on the hole transport layer 24HT of the blue light emitting element 5B.
  • the green light emitting element 5G included in the green subpixel GSP and the blue light emitting element 5B included in the blue subpixel BSP are not shown, and the first resist layer 30 is a layer formed of a positive resist material. For example, it can be formed with a film thickness of 500 nm or more and 2500 nm or less.
  • the first region of the first resist layer 30 overlapping the hole transport layer 24HT of the red light emitting element 5R included in the red sub-pixel RSP in plan view is covered with the mask M1.
  • the first opening can be formed in the first region of the first resist layer 30 as shown in FIG. 8D by exposing with the light L for exposure through the opening K1 and developing. can.
  • development can be performed using a TMAH (tetramethylammonium hydroxide) aqueous solution.
  • the red light emitting layer 24REM is formed on the first resist layer 30 included in the red sub-pixel RSP, green sub-pixel GSP and blue sub-pixel BSP.
  • the red light-emitting layer 24REM is a light-emitting layer containing quantum dots.
  • the method of forming the red light emitting layer 24REM is not limited to this.
  • the red light emitting layer 24REM of the red light emitting element 5R included in the red sub-pixel RSP can be formed in a predetermined shape, as shown in FIG. 8(g).
  • the stripping of the first resist layer 30 can be performed using a polar solvent, and as the polar solvent, for example, PGMEA (propylene glycol monomethyl ether acetate) can be used.
  • the TMAH aqueous solution is used in the developing step, the TMAH aqueous solution is in direct contact with the hole transport layer 24HT, and the peeling step uses PGMEA, which is a polar solvent. is in direct contact with the hole transport layer 24HT. Therefore, in the case of a hole-transporting layer made of only a polymer material such as PVK (polyvinylcarbazole) that has a hole-transporting property but does not have a three-dimensional network structure, a red light-emitting layer is formed in a post-process.
  • PVK polyvinylcarbazole
  • each step the step of forming a green light-emitting layer and the step of forming a blue light-emitting layer, there is a risk of peeling due to the PGMEA and TMAH aqueous solutions used as solvents, and as a result, it is used as a hole transport layer. It is difficult to
  • each of the red light emitting element 5R, the green light emitting element 5G, and the blue light emitting element 5B provided in the display device 1 of Embodiment 1 includes a hole transport layer 24HT.
  • the first hole-transporting material having a three-dimensional network structure and the second hole-transporting material containing a plurality of molecules having hole-transporting properties are included, high solvent resistance and high hole-transporting have characteristics.
  • the hole transport layer 24HT has high solvent resistance to TMAH aqueous solution and PGMEA.
  • FIG. 10 is a diagram for explaining a step of forming a green light-emitting layer 24GEM of a green light-emitting element 5G included in a green sub-pixel GSP provided in the display device 1 of Embodiment 1;
  • a second resist layer 30 is formed on the hole transport layer 24HT of the green light emitting element 5G included in the BSP and the blue light emitting element 5B included in the blue subpixel BSP.
  • the blue light-emitting element 5B included in the blue sub-pixel BSP is not shown, and the second resist layer 30 is a layer formed of a positive resist material. can be formed.
  • the second region of the second resist layer 30 overlapping the hole transport layer 24HT of the green light emitting element 5G included in the green subpixel GSP in plan view is covered with the mask M2.
  • a second opening can be formed in the second region of the second resist layer 30 as shown in FIG. 9(d).
  • development can be performed using a TMAH (tetramethylammonium hydroxide) aqueous solution.
  • the green light emitting layer 24GEM is formed on the second resist layer 30 included in the red sub-pixel RSP, the green sub-pixel GSP and the blue sub-pixel BSP.
  • the green light emitting layer 24 GEM is a light emitting layer containing quantum dots, and for example, a case where the green light emitting layer 24 GEM is formed by applying a coating method using a spin coater or a slit coater will be described as an example.
  • the method of forming the green light emitting layer 24GEM is not limited to this.
  • the green light emitting layer 24GEM of the green light emitting element 5G included in the green sub-pixel GSP can be formed in a predetermined shape, as shown in (g) of FIG.
  • the stripping of the second resist layer 30 can be performed using a polar solvent, and for example, PGMEA (propylene glycol monomethyl ether acetate) can be used as the polar solvent.
  • the TMAH aqueous solution is used in the developing step, the TMAH aqueous solution is in direct contact with the hole transport layer 24HT, and the peeling step uses PGMEA, which is a polar solvent. is in direct contact with the hole transport layer 24HT.
  • Each of the red light-emitting element 5R, the green light-emitting element 5G, and the blue light-emitting element 5B provided in the display device 1 of Embodiment 1 includes a hole transport layer 24HT, and the hole transport layer 24HT is formed as described above.
  • a first hole-transporting material having a three-dimensional network structure and a second hole-transporting material containing a plurality of molecules having hole-transporting properties, so that high solvent resistance and high hole-transporting properties are achieved. have.
  • the hole transport layer 24HT has high solvent resistance to TMAH aqueous solution and PGMEA.
  • 10(a), 10(b), 10(c), 10(d), 10(e) and 10(f) show the display device 1 of Embodiment 1.
  • 11 is a diagram for explaining a step of forming a blue light-emitting layer 24BEM of a blue light-emitting element 5B included in a blue sub-pixel BSP provided in .
  • a third resist layer 30 is formed above, on the green light emitting layer 24GEM of the green light emitting element 5G included in the green subpixel GSP, and on the hole transport layer 24HT of the blue light emitting element 5B included in the blue subpixel BSP. do.
  • the third resist layer 30 is a layer made of a positive resist material, and can be formed with a film thickness of, for example, 500 nm or more and 2500 nm or less.
  • the third region of the third resist layer 30 overlapping the hole transport layer 24HT of the blue light emitting element 5B included in the blue subpixel BSP in plan view is covered with the mask M3.
  • the third opening can be formed in the third region of the third resist layer 30 as shown in FIG. 10D by exposing with the light L for exposure through the opening K3 and developing. can.
  • development can be performed using a TMAH (tetramethylammonium hydroxide) aqueous solution.
  • the blue light-emitting layer 24BEM is a light-emitting layer containing quantum dots.
  • the method of forming the blue light emitting layer 24BEM is not limited to this.
  • the blue light emitting layer 24BEM of the blue light emitting element 5B included in the blue sub-pixel BSP can be formed in a predetermined shape, as shown in FIG. 10(f).
  • the stripping of the third resist layer 30 can be performed using a polar solvent, and for example, PGMEA (propylene glycol monomethyl ether acetate) can be used as the polar solvent.
  • the aqueous TMAH solution is used in the developing step, the aqueous TMAH solution is in direct contact with the hole transport layer 24HT, and the peeling step uses PGMEA, which is a polar solvent. is in direct contact with the hole transport layer 24HT.
  • Each of the red light-emitting element 5R, the green light-emitting element 5G, and the blue light-emitting element 5B provided in the display device 1 of Embodiment 1 includes a hole transport layer 24HT, and the hole transport layer 24HT is formed as described above.
  • a first hole-transporting material having a three-dimensional network structure and a second hole-transporting material containing a plurality of molecules having hole-transporting properties, so that high solvent resistance and high hole-transporting properties are achieved. have.
  • the hole transport layer 24HT has high solvent resistance to TMAH aqueous solution and PGMEA.
  • the red light emitting layer 24REM, the green light emitting layer 24GEM and the In the step of forming the blue light emitting layer 24BEM the TMAH aqueous solution and PGMEA are used three times each, so the effect of providing the hole transport layer 24HT having high solvent resistance against the TMAH aqueous solution and PGMEA is high.
  • the red light emitting layer 24REM, the green light emitting layer 24GEM, and the blue light emitting layer 24BEM are formed in this order will be described as an example. can be formed in any order.
  • the red light emitting layer 24REM, the green light emitting layer 24GEM, and the blue light emitting layer 24BEM are light emitting layers containing quantum dots, and are coated by a coating method using, for example, a spin coater or a slit coater.
  • the red light emitting layer 24REM, the green light emitting layer 24GEM, and the blue light emitting layer 24BEM may be organic light emitting layers formed by vapor deposition.
  • the red light emitting layer 24REM is vapor-deposited on the entire surface of the hole transport layer 24HT in the first opening of the first resist layer 30 and on the first resist layer 30, and the first resist layer 30 is formed.
  • the red light emitting layer 24REM can be formed in a predetermined shape, and the green light emitting layer is formed on the hole transport layer 24HT in the second opening of the second resist layer 30 and on the entire surface of the second resist layer 30.
  • 24GEM is vapor-deposited and the second resist layer 30 is peeled off to form the green light-emitting layer 24GEM in a predetermined shape.
  • the blue light emitting layer 24BEM can be formed in a predetermined shape.
  • the red light emitting layer 24REM, the green light emitting layer 24GEM, and the blue light emitting layer 24BEM are light emitting layers containing quantum dots, and are coated by a coating method using, for example, a spin coater or a slit coater.
  • the red light emitting layer 24REM, the green light emitting layer 24GEM, and the blue light emitting layer 24BEM may contain a positive photosensitive resist or a negative photosensitive resist.
  • the red light emitting layer 24REM, the green light emitting layer 24GEM, and the blue light emitting layer 24BEM contain a photosensitive resist, it is not necessary to use the first resist layer 30, the second resist layer 30, and the third resist layer 30. .
  • a red light emitting material solution (first light emitting material solution) containing red light emitting quantum dots (first light emitting material), a photosensitive resist, and a solvent is formed on the hole transport layer 24HT. Then, it can be patterned into a predetermined shape by exposing and developing.
  • the green light emitting layer 24 GEM uses a green light emitting material solution (second light emitting material solution) containing quantum dots (second light emitting material) that emits green light, a photosensitive resist, and a solvent as the red light emitting layer 24 REM and the hole-transporting layer 24 REM.
  • the blue light emitting layer 24BEM is formed by adding a blue light emitting material solution (third light emitting material solution) containing blue light emitting quantum dots (third light emitting material), a photosensitive resist, and a solvent to the red light emitting layer 24REM and the green light emitting layer.
  • a blue light emitting material solution third light emitting material solution
  • blue light emitting quantum dots third light emitting material
  • the red light emitting material solution containing the solvent first light emitting material solution
  • a polar solvent or developer is used in the step of forming a green luminescent material solution (second luminescent material solution) containing a solvent and a blue luminescent material solution (third luminescent material solution) containing a solvent and in each developing step. Therefore, the provision of the hole transport layer 24HT having high solvent resistance is highly effective.
  • FIG. 11 a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 11 and 12.
  • precursors (precursor molecules) of the first hole-transporting material having a three-dimensional network structure contained in the hole-transporting layer 24HT such as VNPB, DV-CBP and CBP-V are polymerized. It is different from Embodiment 1 described above in that the heat treatment step for curing is performed at 150°C. Others are as described in the first embodiment. For convenience of explanation, members having the same functions as the members shown in the drawings of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the explanation thereof is omitted.
  • FIG. 11(a) is a diagram showing a polymer material with a three-dimensional network structure obtained by heat-treating VNPB contained in a hole-transporting layer provided in a display device of Embodiment 2
  • FIG. 11 b) is a diagram showing a polymer material with a three-dimensional network structure obtained by heat-treating DV-CBP contained in a hole-transporting layer provided in a display device that is a modification of Embodiment 2
  • FIG. 3(c) is a diagram showing a polymer material with a three-dimensional network structure obtained by heat-treating CBP-V contained in a hole-transporting layer provided in a display device that is another modification of Embodiment 2; FIG. be.
  • VNPB shown in (a) of FIG. 11, DV-CBP shown in (b) of FIG. 11, and CBP-V shown in (c) of FIG. 1 is an example of a precursor (precursor molecule) of a hole-transporting material, and each of these precursors (precursor molecules) has a vinyl group as a thermosetting functional group. , nitrogen gas or argon gas) atmosphere, the first hole-transporting material having a three-dimensional network structure in which the precursors (precursor molecules) are polymerized can be obtained. .
  • the heat treatment step for polymerizing the precursors (precursor molecules) described above is not limited to being performed at 150°C, and is preferably performed at 120°C or higher and 230°C or lower.
  • FIG. 12 shows the weight ratio between the first hole-transporting material having a three-dimensional network structure in which VNPBs are polymerized by a heat treatment process at 150° C. and the second hole-transporting material containing PVK (polyvinylcarbazole).
  • 2 is a diagram showing the solvent resistance of a hole transport layer having a ratio of 1:2.
  • the hole-transporting layer 24HT containing like a hole-transporting layer made of a polymer material that exhibits good solvent resistance and hole-transporting properties but does not have a three-dimensional network structure, the post-process The hole-transporting layer is not peeled off by the solvent used in .
  • the precursor (precursor molecule) of the first hole-transporting material having a three-dimensional network structure contained in the hole-transporting layer 24HT contains a thermosetting functional group other than a vinyl group.
  • the precursor (precursor molecule) of the first hole-transporting material having a three-dimensional network structure contained in the hole-transporting layer 24HT contains a thermosetting functional group other than a vinyl group.
  • Others are as described in the first and second embodiments.
  • members having the same functions as those shown in the drawings of Embodiments 1 and 2 are denoted by the same reference numerals, and their explanations are omitted.
  • FIG. 13 shows a molecule containing a skeleton (XX) having a hole-transporting property and thermosetting functional groups such as a phosphonic acid group (—PO 3 H 2 ) and a hydroxy group (—OH).
  • 14(b) is a diagram showing an example of the three-dimensional network structure included in the hole transport layer provided in the display device of Embodiment 3 obtained by heat treatment of the molecules shown in FIG. 13(a).
  • FIG. 2 shows a polymeric material
  • FIG. 14(a) and FIG. 14(b) show a phosphonic acid group (—PO 3 H 2 ) and a hydroxy group (—OH), which are thermosetting functional groups, and the molecule shown in FIG. 13(a). contained in the hole-transporting layer provided in the display device of another modification of Embodiment 3 obtained by heat treatment of a molecule containing a skeleton (YY or ZZ) having a hole-transporting property different from that of 1 is a diagram showing a polymer material with a three-dimensional network structure.
  • FIG. 15(a) shows an example of a molecule containing a skeleton (XX) having a hole-transporting property and thermosetting functional groups such as a carboxyl group (--COOH) and a hydroxy group (--OH).
  • 15(b) is a hole-transporting layer included in a display device that is still another modification of Embodiment 3 obtained by heat-treating molecules shown in FIG. 15(a).
  • 1 is a diagram showing a polymer material with a three-dimensional network structure.
  • 16(a) and 16(b) show a carboxyl group (-COOH) and a hydroxy group (-OH) which are thermosetting functional groups, and a positive electrode different from the molecule shown in FIG. 15(a).
  • 3 contained in a hole-transporting layer provided in a display device, which is still another modification of Embodiment 3 obtained by heat-treating a molecule containing a skeleton (YY or ZZ) having a hole-transporting property 1 is a diagram showing a polymeric material with a dimensional network structure; FIG.
  • the first hole-transporting material having a three-dimensional network structure in which precursors (precursor molecules) are polymerized can be obtained by heat-treating at 150° C. in an atmosphere.
  • the heat treatment step for polymerizing the precursors (precursor molecules) described above is not limited to being performed at 150°C, and is preferably performed at 120°C or higher and 230°C or lower.
  • precursors comprising a first hole-transporting material having a three-dimensional network structure in which body molecules are polymerized together, and a second hole-transporting material containing a plurality of molecules having hole-transporting properties.
  • 24HT has high solvent resistance and high hole transport properties, it can be used in post-processes such as a hole transport layer made of a polymer material that has hole transport properties but does not have a three-dimensional network structure. The hole-transporting layer is not peeled off by the solvent used.
  • the skeleton (ZZ), which is the same as the skeleton (YY) having a hole-transporting property shown in Chemical Formula 2) and has a hole-transporting property shown in (b) of FIG. 14 and (b) of FIG. is the same as the skeleton (ZZ) having a hole-transporting property shown in the above (Chemical Formula 3).
  • Embodiment 4 of the present invention will be described based on FIG.
  • This embodiment differs from Embodiments 1 to 3 described above in that, for example, the red light emitting layer 24REM' is a light emitting layer containing quantum dots and is formed by an inkjet method.
  • Others are as described in the first to third embodiments.
  • members having the same functions as the members shown in the drawings of Embodiments 1 to 3 are denoted by the same reference numerals, and their explanations are omitted.
  • 17(a), 17(b) and 17(c) show the red light emitting layer 24REM' of the red light emitting element 5R included in the red sub-pixel RSP provided in the display device of Embodiment 4. It is a figure for demonstrating the case where it forms with an inkjet method.
  • the green light-emitting layer and the blue light-emitting layer are also light-emitting layers containing quantum dots, and are formed by an inkjet method.
  • the red light-emitting layer 24REM', the green light-emitting layer, and the blue light-emitting layer are formed by an inkjet method using an inkjet device IJM, the first resist layer 30, the second resist layer 30, and the third resist layer described in Embodiment 1 are used. 30 need not be used.
  • red light is emitted on the hole transport layer 24HT of the red light emitting element 5R included in the red subpixel RSP and inside the bank 23.
  • a red light-emitting material solution (first light-emitting material solution) containing quantum dots (first light-emitting material) and a solvent is added dropwise, and the solvent is removed by, for example, heat treatment, so that as shown in FIG. , the red light emitting layer 24REM' can be formed in a predetermined shape.
  • a quantum dot (second light-emitting material) emitting green light and a solvent are placed on the hole transport layer 24HT of the green light-emitting element 5G included in the green sub-pixel GSP and inside the bank 23.
  • the green light-emitting material solution (second light-emitting material solution) containing the green light-emitting material solution (second light-emitting material solution) is dropped, and the solvent is removed by heat treatment, for example, so that the green light-emitting layer can be formed in a predetermined shape.
  • a blue light-emitting material solution (third light-emitting material solution) containing quantum dots that emit blue light (third light-emitting material) and a solvent is dropped on the hole transport layer 24HT of the element 5B and inside the bank 23.
  • the blue light-emitting layer can be formed in a predetermined shape by removing the solvent by heat treatment or the like.
  • the red light-emitting material solution containing the solvent first light-emitting material solution
  • the solvent-containing green light-emitting material solution (second light-emitting material solution) and the solvent-containing blue light-emitting material solution (third light-emitting material solution) the solvent is in contact with the hole transport layer 24HT, resulting in high solvent resistance.
  • a first electrode a hole transport layer formed on the first electrode; a light emitting layer formed on the hole transport layer; a second electrode formed on the light-emitting layer;
  • the hole-transporting layer comprises a first hole-transporting material having a three-dimensional network structure in which molecules containing a skeleton having a hole-transporting property and at least two thermosetting functional groups are polymerized together; and a second hole-transporting material comprising a plurality of molecules having hole-transporting properties.
  • the molecule containing the hole-transporting skeleton and the thermosetting functional group is VNPB(N4,N4'-Di(naphthalen-1-yl)-N4,N4'-bis(4-vinylphenyl)biphenyl -4,4'-diamine),
  • the second hole-transporting material is PVK (polyvinylcarbazole) or TFB (poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(4,4'-(N-( 4-sec-butylphenyl))diphenylamine)]).
  • the molecule containing the hole-transporting skeleton and the thermosetting functional group is DV-CBP(4,4′-Bis(3-((4-vinylphenoxy)methyl)-9H-carbazol-9- yl) biphenyl);
  • the second hole-transporting material is PVK (polyvinylcarbazole) or TFB (poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(4,4′-(N-( 4-sec-butylphenyl))diphenylamine)]).
  • the molecule containing the hole-transporting skeleton and the thermosetting functional group is CBP-V (4,4′-bis(N-carbazolyl)-1,1′-biphenyl-vinyl),
  • the second hole-transporting material is PVK (polyvinylcarbazole) or TFB (poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(4,4′-(N-( 4-sec-butylphenyl))diphenylamine)]).
  • thermosetting functional groups are phosphonic acid groups ( -PO3H2 ) and hydroxy groups (-OH).
  • thermosetting functional groups are a carboxyl group (-COOH) and a hydroxy group (-OH).
  • a plurality of light emitting elements are provided on a substrate,
  • the plurality of light emitting elements includes a first light emitting element, a second light emitting element and a third light emitting element
  • the first light-emitting element includes a first light-emitting layer as the light-emitting layer
  • the second light-emitting element includes, as the light-emitting layer, a second light-emitting layer having an emission peak wavelength different from that of the first light-emitting layer
  • a display device, wherein the third light-emitting element includes, as the light-emitting layer, a third light-emitting layer having an emission peak wavelength different from that of the first light-emitting layer and the second light-emitting layer.
  • [Aspect 13] forming a first electrode; a hole-transporting material mixture solution containing a plurality of molecules each having a skeleton having a hole-transporting property and at least two thermosetting functional groups, a plurality of molecules having a hole-transporting property, and a solvent; forming the positive electrode on the first electrode and then heat-treating the plurality of molecules including the skeleton having the hole-transporting property and the thermosetting functional group to form a polymer material having a three-dimensional network structure; forming a pore transport layer; forming a light emitting layer on the hole transport layer; and forming a second electrode on the light emitting layer.
  • a plurality of light-emitting elements including the first electrode, the hole transport layer, the light-emitting layer, and the second electrode are provided on the substrate;
  • the plurality of light emitting elements includes a first light emitting element, a second light emitting element and a third light emitting element,
  • the first light-emitting element includes a first light-emitting layer as the light-emitting layer
  • the second light-emitting element includes, as the light-emitting layer, a second light-emitting layer having an emission peak wavelength different from that of the first light-emitting layer
  • the third light-emitting element includes, as the light-emitting layer, a third light-emitting layer having an emission peak wavelength different from that of the first light-emitting layer and the second light-emitting layer
  • the step of forming the light-emitting layer includes After forming a first resist layer on at least the hole transport layer of the first light emitting element, the second light emitting element and the third light emit
  • the forming a first light-emitting layer After forming a second resist layer on at least the first light emitting layer of the first light emitting element and the hole transport layers of the second light emitting element and the third light emitting element, the forming a second opening in the second region of the second resist layer by exposing and developing the second region of the second resist layer overlapping the hole transport layer of the second light emitting element; After forming the second light-emitting layer on the hole transport layer in the second opening and on the second resist layer, the second light-emitting element is removed by removing the second light-emitting layer.
  • a third resist layer is formed on at least the first light emitting layer of the first light emitting element, the second light emitting layer of the second light emitting element, and the hole transport layer of the third light emitting element. After the formation, the third region of the third resist layer overlapping the hole transport layer of the third light emitting element in plan view is exposed and developed to form a third region of the third resist layer. 3 forming an opening; After forming the third light emitting layer on the hole transport layer in the third opening and on the third resist layer, the third light emitting element is formed by removing the third resist layer. and forming a third light emitting layer.
  • the first light-emitting layer, the second light-emitting layer and the third light-emitting layer are light-emitting layers containing quantum dots; 19. The method of manufacturing a display device according to any one of Modes 15 to 18, wherein the first light-emitting layer, the second light-emitting layer, and the third light-emitting layer are formed by coating.
  • a plurality of light-emitting elements including the first electrode, the hole transport layer, the light-emitting layer, and the second electrode are provided on the substrate;
  • the plurality of light emitting elements includes a first light emitting element, a second light emitting element and a third light emitting element,
  • the first light-emitting element includes a first light-emitting layer as the light-emitting layer
  • the second light-emitting element includes, as the light-emitting layer, a second light-emitting layer having an emission peak wavelength different from that of the first light-emitting layer
  • the third light-emitting element includes, as the light-emitting layer, a third light-emitting layer having an emission peak wavelength different from that of the first light-emitting layer and the second light-emitting layer
  • the step of forming the light-emitting layer includes forming a first light-emitting material solution containing a first light-emitting material, a photosensitive resist, and a solvent
  • a second light-emitting material solution to form the second light-emitting layer forming a second light-emitting material solution to form the second light-emitting layer; a second light emitting layer patterning step of forming the second light emitting layer of the second light emitting element by exposing and developing the second light emitting layer; a third light-emitting material on at least the first light-emitting layer of the first light-emitting element, the second light-emitting layer of the second light-emitting element, and the hole transport layer of the third light-emitting element; forming a third light-emitting material solution containing a photosensitive resist and a solvent to form the third light-emitting layer;
  • the display device according to mode 13 or 14 comprising a patterning step of the third light-emitting layer, which forms the third light-emitting layer of the third light-emitting element by exposing and developing the third light-emitting layer. manufacturing method.
  • a plurality of light-emitting elements including the first electrode, the hole transport layer, the light-emitting layer, and the second electrode are provided on the substrate;
  • the plurality of light emitting elements includes a first light emitting element, a second light emitting element and a third light emitting element,
  • the first light-emitting element includes a first light-emitting layer as the light-emitting layer
  • the second light-emitting element includes, as the light-emitting layer, a second light-emitting layer having an emission peak wavelength different from that of the first light-emitting layer
  • the third light-emitting element includes, as the light-emitting layer, a third light-emitting layer having an emission peak wavelength different from that of the first light-emitting layer and the second light-emitting layer
  • the step of forming the light-emitting layer includes dropping a first light-emitting material solution containing a first light-emitting material and a solvent onto the hole transport layer of the first
  • the present invention can be used for a display device driving method and a display device.

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Abstract

発光素子（５Ｒ・５Ｇ・５Ｂ）は、第１電極（２２）と、第１電極（２２）上に形成された正孔輸送層（２４ＨＴ）と、正孔輸送層（２４ＨＴ）上に形成された発光層（２４ＲＥＭ・２４ＧＥＭ・２４ＢＥＭ）と、発光層（２４ＲＥＭ・２４ＧＥＭ・２４ＢＥＭ）上に形成された第２電極（２５）と、を含み、正孔輸送層（２４ＨＴ）は、正孔輸送性を有する骨格と少なくとも２つの熱硬化性官能基とを含む分子同士が高分子化された３次元網目構造を有する第１正孔輸送性材料と、正孔輸送性を有する複数の分子を含む第２正孔輸送性材料とを含む。

Description

発光素子、表示装置及び表示装置の製造方法
　本開示は、発光素子、表示装置及び表示装置の製造方法に関する。
　近年、発光素子を備えた様々な表示装置が開発されており、特に、ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode：有機発光ダイオード）または、ＱＬＥＤ（Quantum dot Light Emitting Diode：量子ドット発光ダイオード）を備えた表示装置は、低消費電力化、薄型化及び高画質化などを実現できる点から、高い注目を浴びている。
　例えば、特許文献１には、有機正孔輸送層を、例えば、ＰＰＶ（ポリ（フェニレンビニレン））、ＭＥＨ‐ＰＰＶ（ポリ［２‐メトキシ‐５‐（２‐エチル‐ヘキシルオキシ）‐１，４‐フェニレンビニレン］）、ＰＶＫ（ポリ（９‐ビニルカルバゾール））及びＴＦＢ（ポリ［（９，９‐ジオクチルフルオレニル‐２，７‐ジイル）‐ｃｏ‐（４，４‐（Ｎ‐（４‐ｓｅｃ‐ブチルフェニル））ジフェニルアミン）］）などの正孔輸送性を有するが、３次元網目構造を有さない高分子材料で形成したＱＬＥＤについて記載されている。
日本国特開２０１０－１１４０７９公報
　しかしながら、有機正孔輸送層を、上述したような正孔輸送性を有するが、３次元網目構造を有さない高分子材料で形成した場合、正孔輸送性を有する低分子材料で形成した場合よりは、耐溶媒特性を向上させることができるが、依然として、満足できる程の耐溶媒特性は得られず、有機正孔輸送層の形成工程の後の工程で用いられる溶媒によって先に形成された有機正孔輸送層が剥離してしまうという問題がある。
　一方、無機材料からなる無機正孔輸送層の場合は、満足できる程の耐溶媒特性は得られるが、満足できる程の正孔輸送特性を得られないという問題がある。
　本開示の一態様は、前記の問題点に鑑みてなされたものであり、満足できる程の耐溶媒特性及び正孔輸送特性を有する正孔輸送層を備えた発光素子と、前記発光素子を備えた表示装置と、前記発光素子を備えた表示装置の製造方法とを提供することを目的とする。
　本開示の発光素子は、前記の課題を解決するために、
　第１電極と、
　前記第１電極上に形成された正孔輸送層と、
　前記正孔輸送層上に形成された発光層と、
　前記発光層上に形成された第２電極と、を含み、
　前記正孔輸送層は、正孔輸送性を有する骨格と少なくとも２つの熱硬化性官能基とを含む分子同士が高分子化された３次元網目構造を有する第１正孔輸送性材料と、正孔輸送性を有する複数の分子を含む第２正孔輸送性材料とを含む。
　本開示の表示装置は、前記の課題を解決するために、
　基板上に、前記発光素子が複数設けられ、
　前記複数の発光素子は、第１発光素子と第２発光素子と第３発光素子とを含み、
　前記第１発光素子は、前記発光層として、第１発光層を備え、
　前記第２発光素子は、前記発光層として、前記第１発光層とは発光ピーク波長が異なる第２発光層を備え、
　前記第３発光素子は、前記発光層として、前記第１発光層及び前記第２発光層とは発光ピーク波長が異なる第３発光層を備えている。
　本開示の表示装置の製造方法は、前記の課題を解決するために、
　第１電極を形成する工程と、
　それぞれが正孔輸送性を有する骨格と少なくとも２つの熱硬化性官能基とを含む複数の分子と、正孔輸送性を有する複数の分子と、溶媒とを含む正孔輸送性材料混合溶液を前記第１電極上に形成した後、熱処理することで前記正孔輸送性を有する骨格と前記熱硬化性官能基とを含む前記複数の分子を３次元網目構造の高分子材料にする工程を含む正孔輸送層を形成する工程と、
　前記正孔輸送層上に発光層を形成する工程と、
　前記発光層上に第２電極を形成する工程と、を含む。
　本開示の一態様は、満足できる程の耐溶媒特性及び正孔輸送特性を有する正孔輸送層を備えた発光素子と、前記発光素子を備えた表示装置と、前記発光素子を備えた表示装置の製造方法とを提供できる。
実施形態１の表示装置の概略的な構成を示す平面図である。 実施形態１の表示装置の表示領域の概略的な構成を示す断面図である。 実施形態１の表示装置の製造工程を示す図である。 （ａ）は、実施形態１の表示装置に備えられた赤色発光素子の概略的な構成を示す断面図であり、（ｂ）は、実施形態１の表示装置に備えられた緑色発光素子の概略的な構成を示す断面図であり、（ｃ）は、実施形態１の表示装置に備えられた青色発光素子の概略的な構成を示す断面図である。 図３に示す実施形態１の表示装置の製造工程における各機能層を形成する工程を説明するための図である。 （ａ）は、実施形態１の表示装置に備えられた正孔輸送層に含まれるＶＮＰＢの熱処理によって得られた３次元網目構造の高分子材料を示す図であり、（ｂ）は、実施形態１の変形例である表示装置に備えられた正孔輸送層に含まれるＤＶ‐ＣＢＰの熱処理によって得られた３次元網目構造の高分子材料を示す図であり、（ｃ）は、実施形態１の他の変形例である表示装置に備えられた正孔輸送層に含まれるＣＢＰ‐Ｖの熱処理によって得られた３次元網目構造の高分子材料を示す図である。 （ａ）は、２３０℃の熱処理工程によってＶＮＰＢ同士が高分子化された３次元網目構造を有する第１正孔輸送性材料とＰＶＫ（ポリビニルカルバゾール）を含む第２正孔輸送性材料との重量比が１：２である正孔輸送層の耐溶媒特性を示す図であり、（ｂ）は、２３０℃の熱処理工程によってＶＮＰＢ同士が高分子化された３次元網目構造を有する第１正孔輸送性材料とＰＶＫ（ポリビニルカルバゾール）を含む第２正孔輸送性材料との重量比が１：１である正孔輸送層の耐溶媒特性を示す図であり、（ｃ）は、２３０℃の熱処理後のＰＶＫ（ポリビニルカルバゾール）を含む第２正孔輸送性材料のみを含む正孔輸送層の耐溶媒特性を示す図である。 （ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）及び（ｇ）は、実施形態１の表示装置に備えられた赤色サブ画素に含まれる赤色発光素子の赤色発光層を形成する工程を説明するための図である。 （ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）及び（ｇ）は、実施形態１の表示装置に備えられた緑色サブ画素に含まれる緑色発光素子の緑色発光層を形成する工程を説明するための図である。 （ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）及び（ｆ）は、実施形態１の表示装置に備えられた青色サブ画素に含まれる青色発光素子の青色発光層を形成する工程を説明するための図である。 （ａ）は、実施形態２の表示装置に備えられた正孔輸送層に含まれるＶＮＰＢの熱処理によって得られた３次元網目構造の高分子材料を示す図であり、（ｂ）は、実施形態２の変形例である表示装置に備えられた正孔輸送層に含まれるＤＶ‐ＣＢＰの熱処理によって得られた３次元網目構造の高分子材料を示す図であり、（ｃ）は、実施形態２の他の変形例である表示装置に備えられた正孔輸送層に含まれるＣＢＰ‐Ｖの熱処理によって得られた３次元網目構造の高分子材料を示す図である。 １５０℃の熱処理工程によってＶＮＰＢ同士が高分子化された３次元網目構造を有する第１正孔輸送性材料とＰＶＫ（ポリビニルカルバゾール）を含む第２正孔輸送性材料との重量比が１：２である正孔輸送層の耐溶媒特性を示す図である。 （ａ）は、正孔輸送性を有する骨格と、熱硬化性官能基であるホスホン酸基（-ＰＯ３Ｈ２）及びヒドロキシ基（-ＯＨ）とを含む分子の一例を示す図であり、（ｂ）は、図１３の（ａ）に示す分子の熱処理によって得られた実施形態３の表示装置に備えられた正孔輸送層に含まれる３次元網目構造の高分子材料を示す図である。 （ａ）及び（ｂ）は、熱硬化性官能基であるホスホン酸基（-ＰＯ３Ｈ２）及びヒドロキシ基（-ＯＨ）と、図１３の（ａ）に示す分子とは異なる正孔輸送性を有する骨格とを含む分子の熱処理によって得られた実施形態３の他の変形例の表示装置に備えられた正孔輸送層に含まれる３次元網目構造の高分子材料を示す図である。 （ａ）は、正孔輸送性を有する骨格と、熱硬化性官能基であるカルボキシル基（-ＣＯＯＨ）及びヒドロキシ基（-ＯＨ）とを含む分子の一例を示す図であり、（ｂ）は、図１５の（ａ）に示す分子の熱処理によって得られた実施形態３のさらに他の変形例である表示装置に備えられた正孔輸送層に含まれる３次元網目構造の高分子材料を示す図である。 （ａ）及び（ｂ）は、熱硬化性官能基であるカルボキシル基（-ＣＯＯＨ）及びヒドロキシ基（-ＯＨ）と、図１５の（ａ）に示す分子とは異なる正孔輸送性を有する骨格とを含む分子の熱処理によって得られた実施形態３のさらに他の変形例である表示装置に備えられた正孔輸送層に含まれる３次元網目構造の高分子材料を示す図である。 （ａ）、（ｂ）及び（ｃ）は、実施形態４の表示装置に備えられた赤色サブ画素に含まれる赤色発光素子の赤色発光層をインクジェット法で形成する場合を説明するための図である。
　本発明の実施の形態について、図１から図１７に基づいて説明すれば、次の通りである。以下、説明の便宜上、特定の実施形態にて説明した構成と同一の機能を有する構成については、同一の符号を付記し、その説明を省略する場合がある。
　〔実施形態１〕
　図１は、実施形態１の表示装置１の概略的な構成を示す平面図である。
　図１に示すように、表示装置１は、額縁領域ＮＤＡと、表示領域ＤＡとを備えている。表示装置１の表示領域ＤＡには、複数の画素ＰＩＸが備えられており、各画素ＰＩＸは、それぞれ、赤色サブ画素ＲＳＰと、緑色サブ画素ＧＳＰと、青色サブ画素ＢＳＰとを含む。本実施形態においては、１画素ＰＩＸが、赤色サブ画素ＲＳＰと、緑色サブ画素ＧＳＰと、青色サブ画素ＢＳＰとで構成される場合を一例に挙げて説明するが、これに限定されることはない。例えば、１画素ＰＩＸは、赤色サブ画素ＲＳＰ、緑色サブ画素ＧＳＰ及び青色サブ画素ＢＳＰの他に、さらに他の色のサブ画素を含んでいてもよい。
　図２は、実施形態１の表示装置１の表示領域ＤＡの概略的な構成を示す断面図である。
　図２に示すように、表示装置１の表示領域ＤＡにおいては、基板１２上に、バリア層３と、トランジスタＴＲを含む薄膜トランジスタ層４と、赤色発光素子５Ｒ、緑色発光素子５Ｇ、青色発光素子５Ｂ及びバンク２３（透明樹脂層）と、封止層６と、機能フィルム３９とが、基板１２側からこの順に備えられている。
　表示装置１の表示領域ＤＡに備えられた赤色サブ画素ＲＳＰは赤色発光素子５Ｒ（第１発光素子）を含み、表示装置１の表示領域ＤＡに備えられた緑色サブ画素ＧＳＰは緑色発光素子５Ｇ（第２発光素子）を含み、表示装置１の表示領域ＤＡに備えられた青色サブ画素ＢＳＰは青色発光素子５Ｂ（第３発光素子）を含む。赤色サブ画素ＲＳＰに含まれる赤色発光素子５Ｒは、第１電極２２（アノード）と、赤色発光層を含む機能層２４Ｒと、第２電極２５（カソード）とを含み、緑色サブ画素ＧＳＰに含まれる緑色発光素子５Ｇは、第１電極２２（アノード）と、緑色発光層を含む機能層２４Ｇと、第２電極２５（カソード）とを含み、青色サブ画素ＢＳＰに含まれる青色発光素子５Ｂは、第１電極２２（アノード）と、青色発光層を含む機能層２４Ｂと、第２電極２５（カソード）とを含む。
　基板１２は、例えば、ポリイミドなどの樹脂材料からなる樹脂基板であってもよく、ガラス基板であってもよい。本実施形態においては、表示装置１を可撓性表示装置とするため、基板１２として、ポリイミドなどの樹脂材料からなる樹脂基板を用いた場合を一例に挙げて説明するが、これに限定されることはない。表示装置１を非可撓性表示装置とする場合には、基板１２として、ガラス基板を用いることができる。
　バリア層３は、水、酸素などの異物がトランジスタＴＲ、赤色発光素子５Ｒ、緑色発光素子５Ｇ及び青色発光素子５Ｂに侵入することを防ぐ層であり、例えば、ＣＶＤ法により形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。
　トランジスタＴＲを含む薄膜トランジスタ層４のトランジスタＴＲ部分は、半導体膜ＳＥＭ及びドープされた半導体膜ＳＥＭ’・ＳＥＭ’’と、無機絶縁膜１６と、ゲート電極Ｇと、無機絶縁膜１８と、無機絶縁膜２０と、ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄと、平坦化膜２１とを含み、トランジスタＴＲを含む薄膜トランジスタ層４のトランジスタＴＲ部分以外の部分は、無機絶縁膜１６と、無機絶縁膜１８と、無機絶縁膜２０と、平坦化膜２１とを含む。
　半導体膜ＳＥＭ・ＳＥＭ’・ＳＥＭ’’は、例えば、低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）あるいは酸化物半導体（例えば、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の半導体）で構成してもよい。本実施形態においては、トランジスタＴＲがトップゲート構造である場合を一例に挙げて説明するが、これに限定されることはなく、トランジスタＴＲは、ボトムゲート構造であってもよい。
　ゲート電極Ｇと、ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄとは、例えば、アルミニウム、タングステン、モリブデン、タンタル、クロム、チタン、銅の少なくとも１つを含む金属の単層膜あるいは積層膜によって構成できる。
　無機絶縁膜１６、無機絶縁膜１８及び無機絶縁膜２０は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜または、これらの積層膜によって構成することができる。
　平坦化膜２１は、例えば、ポリイミド、アクリルなどの塗布可能な有機材料によって構成することができる。
　赤色発光素子５Ｒは、平坦化膜２１よりも上層の第１電極２２（アノード）と、赤色発光層を含む機能層２４Ｒと、第２電極２５（カソード）とを含み、緑色発光素子５Ｇは、平坦化膜２１よりも上層の第１電極２２（アノード）と、緑色発光層を含む機能層２４Ｇと、第２電極２５（カソード）とを含み、青色発光素子５Ｂは、平坦化膜２１よりも上層の第１電極２２（アノード）と、青色発光層を含む機能層２４Ｂと、第２電極２５（カソード）とを含む。なお、第１電極２２（アノード）のエッジを覆う絶縁性のバンク２３（透明樹脂層）は、例えば、ポリイミドまたはアクリルなどの有機材料を塗布した後にフォトリソグラフィー法によってパターニングすることで形成できる。
　赤色発光層を含む機能層２４Ｒは、例えば、第１電極２２（アノード）側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、赤色発光層、電子輸送層及び電子注入層を積層することで構成することができる。赤色発光層を含む機能層２４Ｒのうち、正孔輸送層以外の正孔注入層、電子輸送層及び電子注入層の１層以上を適宜省いてもよい。本実施形態においては、赤色発光層を含む機能層２４Ｒを、第１電極２２（アノード）側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、赤色発光層及び電子輸送層を積層することで構成した場合を一例に挙げて説明するが、これに限定されることはない。
　緑色発光層を含む機能層２４Ｇは、例えば、第１電極２２（アノード）側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、緑色発光層、電子輸送層及び電子注入層を積層することで構成することができる。緑色発光層を含む機能層２４Ｇのうち、正孔輸送層以外の正孔注入層、電子輸送層及び電子注入層の１層以上を適宜省いてもよい。本実施形態においては、緑色発光層を含む機能層２４Ｇを、第１電極２２（アノード）側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、緑色発光層及び電子輸送層を積層することで構成した場合を一例に挙げて説明するが、これに限定されることはない。
　青色発光層を含む機能層２４Ｂは、例えば、第１電極２２（アノード）側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、青色発光層、電子輸送層及び電子注入層を積層することで構成することができる。青色発光層を含む機能層２４Ｂのうち、正孔輸送層以外の正孔注入層、電子輸送層及び電子注入層の１層以上を適宜省いてもよい。本実施形態においては、青色発光層を含む機能層２４Ｂを、第１電極２２（アノード）側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、青色発光層及び電子輸送層を積層することで構成した場合を一例に挙げて説明するが、これに限定されることはない。
　また、本実施形態においては、赤色発光層を含む機能層２４Ｒ、緑色発光層を含む機能層２４Ｇ及び青色発光層を含む機能層２４Ｂのそれぞれが、同一材料を用いて同一工程で形成された正孔注入層と、同一材料を用いて同一工程で形成された正孔輸送層と、同一材料を用いて同一工程で形成された電子輸送層とを備えている場合を一例に挙げて説明するがこれに限定されることはない。例えば、各機能層２４Ｒ・２４Ｇ・２４Ｂに含まれるそれぞれの正孔注入層を、互いに異なる材料で形成してもよく、例えば、機能層２４Ｒ・２４Ｇ・２４Ｂのうちの２つの機能層のそれぞれに含まれる正孔注入層は同一材料を用いて同一工程で形成し、残りの１つの機能層に含まれる正孔注入層のみを異なる材料を用いて別工程で形成してもよい。また、例えば、各機能層２４Ｒ・２４Ｇ・２４Ｂに含まれるそれぞれの正孔輸送層を、互いに異なる材料で形成してもよく、例えば、機能層２４Ｒ・２４Ｇ・２４Ｂのうちの２つの機能層のそれぞれに含まれる正孔輸送層は同一材料を用いて同一工程で形成し、残りの１つの機能層に含まれる正孔輸送層のみを異なる材料を用いて別工程で形成してもよい。さらに、例えば、各機能層２４Ｒ・２４Ｇ・２４Ｂに含まれるそれぞれの電子輸送層を、互いに異なる材料で形成してもよく、例えば、機能層２４Ｒ・２４Ｇ・２４Ｂのうちの２つの機能層のそれぞれに含まれる電子輸送層は同一材料を用いて同一工程で形成し、残りの１つの機能層に含まれる電子輸送層のみを異なる材料を用いて別工程で形成してもよい。
　本実施形態においては、赤色発光素子５Ｒ、緑色発光素子５Ｇ及び青色発光素子５Ｂは、ＱＬＥＤ（量子ドット発光ダイオード）である場合を一例に挙げて説明するが、これに限定されることはなく、赤色発光素子５Ｒ、緑色発光素子５Ｇ及び青色発光素子５Ｂは、ＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）であってもよく、さらには、赤色発光素子５Ｒ、緑色発光素子５Ｇ及び青色発光素子５Ｂの一部がＱＬＥＤで、赤色発光素子５Ｒ、緑色発光素子５Ｇ及び青色発光素子５Ｂの残りの一部がＯＬＥＤであってもよい。なお、赤色発光素子５Ｒ、緑色発光素子５Ｇ及び青色発光素子５Ｂが、ＱＬＥＤである場合には、各色の発光素子が備えている発光層は、例えば、塗布法またはインクジェット法で形成された量子ドットを含む発光層であり、赤色発光素子５Ｒ、緑色発光素子５Ｇ及び青色発光素子５Ｂが、ＯＬＥＤである場合には、各色の発光素子が備えている発光層は、例えば、蒸着法によって形成された有機発光層である。
　赤色発光素子５Ｒ、緑色発光素子５Ｇ及び青色発光素子５Ｂのそれぞれを制御するトランジスタＴＲを含む制御回路が、赤色サブ画素ＲＳＰ、緑色サブ画素ＧＳＰ及び青色サブ画素ＢＳＰごとにトランジスタＴＲを含む薄膜トランジスタ層４に設けられている。なお、赤色サブ画素ＲＳＰ、緑色サブ画素ＧＳＰ及び青色サブ画素ＢＳＰごとに設けられているトランジスタＴＲを含む制御回路と発光素子とを合わせてサブ画素回路ともいう。
　図２に示す赤色発光素子５Ｒ、緑色発光素子５Ｇ及び青色発光素子５Ｂは、トップエミッション型であっても、ボトムエミッション型であってもよい。赤色発光素子５Ｒ、緑色発光素子５Ｇ及び青色発光素子５Ｂは、基板１２側から、第１電極２２（アノード）と、機能層２４Ｒ・２４Ｇ・２４Ｂと、第２電極２５（カソード）とが、この順に形成された順積構造を有することから、第１電極２２（アノード）より第２電極２５（カソード）が上層として配置されるので、トップエミッション型にするためには、第１電極２２（アノード）は可視光を反射する電極材料で形成し、第２電極２５（カソード）は可視光を透過する電極材料で形成すればよく、ボトムエミッション型にするためには、第１電極２２（アノード）は可視光を透過する電極材料で形成し、第２電極２５（カソード）は可視光を反射する電極材料で形成すればよい。
　可視光を反射する電極材料としては、可視光を反射でき、導電性を有するのであれば、特に限定されないが、例えば、Ａｌ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ａｇなどの金属材料または、前記金属材料の合金または、前記金属材料と透明金属酸化物（例えば、indium tin oxide、indium zinc oxide、indium gallium zinc oxideなど）との積層体または、前記合金と前記透明金属酸化物との積層体などを挙げることができる。
　一方、可視光を透過する電極材料としては、可視光を透過でき、導電性を有するのであれば、特に限定されないが、例えば、透明金属酸化物（例えば、indium tin oxide、indium zinc oxide、indium gallium zinc oxideなど）または、Ａｌ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ａｇなどの金属材料からなる薄膜などを挙げることができる。
　第１電極２２（アノード）及び第２電極２５（カソード）の成膜方法としては、一般的な電極の形成方法を用いることができ、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、ＥＢ蒸着法、イオンプレーティング法などの物理的蒸着（ＰＶＤ）法、あるいは、化学的蒸着（ＣＶＤ）法などを挙げることができる。また、第１電極２２（アノード）及び第２電極２５（カソード）のパターニング方法としては、所望のパターンに精度よく形成することができる方法であれば特に限定されるものではないが、具体的にはフォトリソグラフィー法やインクジェット法などを挙げることができる。
　封止層６は透光性膜であり、例えば、第２電極２５（カソード）を覆う無機封止膜２６と、無機封止膜２６よりも上層の有機膜２７と、有機膜２７よりも上層の無機封止膜２８とで構成することができる。封止層６は、水、酸素などの異物の赤色発光素子５Ｒ、緑色発光素子５Ｇ及び青色発光素子５Ｂへの浸透を防いでいる。
　無機封止膜２６及び無機封止膜２８はそれぞれ無機膜であり、例えば、ＣＶＤ法により形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。有機膜２７は、平坦化効果のある透光性有機膜であり、例えば、アクリルなどの塗布可能な有機材料によって構成することができる。有機膜２７は、例えばインクジェット法によって形成してもよい。本実施形態においては、封止層６を、２層の無機膜と２層の無機膜の間に設けられた１層の有機膜とで形成した場合を一例に挙げて説明したが、２層の無機膜と１層の有機膜の積層順はこれに限定されることはない。さらに、封止層６は、無機膜のみで構成されてもよく、有機膜のみで構成されてもよく、１層の無機膜と２層の有機膜とで構成されてもよく、２層以上の無機膜と２層以上の有機膜とで構成されてもよい。
　機能フィルム３９は、例えば、光学補償機能、タッチセンサ機能、保護機能の少なくとも１つを有するフィルムである。
　図３は、実施形態１の表示装置１の製造工程を示す図である。
　図２に示す表示装置１の製造工程は、図３に示すように、基板１２上に、バリア層３及び薄膜トランジスタ層４を形成する工程（Ｓ１）と、第１電極２２（アノード）を形成する工程（Ｓ２）と、バンク２３（透明樹脂層）を形成する工程（Ｓ３）と、赤色発光素子５Ｒに含まれる赤色発光層を含む機能層２４Ｒ、緑色発光素子５Ｇに含まれる緑色発光層を含む機能層２４Ｇ及び青色発光素子５Ｂに含まれる青色発光層を含む機能層２４Ｂを形成する工程（Ｓ４）と、第２電極２５（カソード）を形成する工程（Ｓ５）と、封止層６を形成する工程（Ｓ６）と、機能フィルム３９を形成する工程（Ｓ７）とを含む。
　図４の（ａ）は、実施形態１の表示装置１に備えられた赤色発光素子５Ｒの概略的な構成を示す断面図であり、図４の（ｂ）は、実施形態１の表示装置１に備えられた緑色発光素子５Ｇの概略的な構成を示す断面図であり、図４の（ｃ）は、実施形態１の表示装置１に備えられた青色発光素子５Ｂの概略的な構成を示す断面図である。
　図５は、図３に示す実施形態１の表示装置１の製造工程における機能層２４Ｒ、機能層２４Ｇ及び機能層２４Ｂを形成する工程を説明するための図である。
　図５に示すように、表示装置１に備えられた機能層２４Ｒ、機能層２４Ｇ及び機能層２４Ｂを形成する工程は、第１電極２２（アノード）上に、正孔注入層２４ＨＩを形成する工程（Ｓ１１）と、正孔輸送層２４ＨＴを形成する工程（Ｓ１２）と、発光層２４ＲＥＭ（赤色発光層）を形成する工程（Ｓ１３）と、発光層２４ＧＥＭ（緑色発光層）を形成する工程（Ｓ１４）と、発光層２４ＢＥＭ（青色発光層）を形成する工程（Ｓ１５）と、電子輸送層２４ＥＴを形成する工程（Ｓ１６）とを含む。
　本実施形態においては、発光層２４ＲＥＭ（赤色発光層）と、発光層２４ＧＥＭ（緑色発光層）と、発光層２４ＢＥＭ（青色発光層）とを、この順序で形成した場合を一例に挙げて説明するが、これに限定されることはなく、これらの発光層はどのような順序で形成されてもよい。
　また、本実施形態においては、上述したように、機能層２４Ｒ、機能層２４Ｇ及び機能層２４Ｂのそれぞれが、同一材料を用いて同一工程で形成された正孔注入層２４ＨＩと、同一材料を用いて同一工程で形成された正孔輸送層２４ＨＴと、同一材料を用いて同一工程で形成された電子輸送層２４ＥＴとを備えている。したがって、第１電極２２（アノード）上に、正孔注入層２４ＨＩを形成する工程（Ｓ１１）においては、赤色発光素子５Ｒ、緑色発光素子５Ｇ及び青色発光素子５Ｂのそれぞれに備えられた第１電極２２（アノード）上に、正孔注入層２４ＨＩが形成される。また、正孔輸送層２４ＨＴを形成する工程（Ｓ１２）においては、赤色発光素子５Ｒ、緑色発光素子５Ｇ及び青色発光素子５Ｂのそれぞれに備えられた正孔注入層２４ＨＩ上に、正孔輸送層２４ＨＴが形成される。さらに、電子輸送層２４ＥＴを形成する工程（Ｓ１６）においては、赤色発光素子５Ｒに備えられた発光層２４ＲＥＭ（赤色発光層）、緑色発光素子５Ｇに備えられた発光層２４ＧＥＭ（緑色発光層）及び青色発光素子５Ｂに備えられた発光層２４ＢＥＭ（青色発光層）上に、電子輸送層２４ＥＴが形成される。
　なお、第１電極２２（アノード）は、例えば、１００ｎｍ以上、３００ｎｍ以下の膜厚で形成することができるが、これに限定されることはない。第２電極２５（カソード）は、例えば、１０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下の膜厚で形成することができるが、これに限定されることはない。正孔注入層２４ＨＩは、例えば、２０ｎｍ以上、９０ｎｍ以下の膜厚で形成することができるが、これに限定されることはない。正孔輸送層２４ＨＴは、例えば、２０ｎｍ以上、７０ｎｍ以下の膜厚で形成することができるが、これに限定されることはない。発光層２４ＲＥＭ（赤色発光層）、発光層２４ＧＥＭ（緑色発光層）及び発光層２４ＢＥＭ（青色発光層）は、例えば、２０ｎｍ以上、５０ｎｍ以下の膜厚で形成することができるが、これに限定されることはない。電子輸送層２４ＥＴは、例えば、３０ｎｍ以上、９０ｎｍ以下の膜厚で形成することができるが、これに限定されることはない。
　正孔輸送層２４ＨＴは、後述するように、正孔輸送性を有する骨格と少なくとも２つの熱硬化性官能基とを含む分子同士が高分子化された３次元網目構造を有する第１正孔輸送性材料と、正孔輸送性を有する複数の分子を含む第２正孔輸送性材料とを含む。
　本実施形態の表示装置１に備えられた赤色発光素子５Ｒ、緑色発光素子５Ｇ及び青色発光素子５Ｂのそれぞれは、第１正孔輸送性材料と第２正孔輸送性材料とを含む正孔輸送層２４ＨＴを備えている。正孔輸送層２４ＨＴに含まれる正孔輸送性を有する複数の分子を含む第２正孔輸送性材料は、熱硬化性官能基などを含まない正孔輸送性を有する複数の分子を含むので、第１正孔輸送性材料に比べると正孔輸送特性が高い。正孔輸送性を有する複数の分子を含む第２正孔輸送性材料としては、例えば、正孔輸送性を有する高分子材料を一例に挙げることができ、ＰＶＫ（ポリビニルカルバゾール）やＴＦＢ（ポリ［（９，９-ジオクチルフルオレニル‐２，７‐ジイル）‐ｃｏ‐（４，４’‐（Ｎ‐（４‐ｓｅｃ‐ブチルフェニル））ジフェニルアミン）］）などの高分子材料を好適に用いることができるが、これに限定されることはない。正孔輸送性を有する複数の分子を含む第２正孔輸送性材料としては、例えば、正孔輸送性を有する低分子材料を用いてもよく、正孔輸送性を有する高分子材料と正孔輸送性を有する低分子材料との両方を用いてもよい。一方、正孔輸送層２４ＨＴに含まれる第１正孔輸送性材料は、３次元網目構造を有するので、第２正孔輸送性材料に比べると耐溶媒特性が高い。以上のように、正孔輸送層２４ＨＴは、耐溶媒特性が高い第１正孔輸送性材料と、正孔輸送特性が高い第２正孔輸送性材料とが混合されているので、満足できる程の耐溶媒特性及び正孔輸送特性を有する正孔輸送層を備えた発光素子及び表示装置を実現できる。
　本実施形態においては、表示装置１に備えられた赤色発光素子５Ｒ、緑色発光素子５Ｇ及び青色発光素子５Ｂの全てが第１正孔輸送性材料と第２正孔輸送性材料とを含む正孔輸送層２４ＨＴを備えている場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、表示装置１に備えられた赤色発光素子５Ｒ、緑色発光素子５Ｇ及び青色発光素子５Ｂの１つ以上の発光素子が第１正孔輸送性材料と第２正孔輸送性材料とを含む正孔輸送層２４ＨＴを備えていてもよい。
　図６の（ａ）は、実施形態１の表示装置１に備えられた正孔輸送層２４ＨＴに含まれるＶＮＰＢ（Ｎ４，Ｎ４’-Ｄｉ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎ-１-ｙｌ）-Ｎ４，Ｎ４’-ｂｉｓ（４-ｖｉｎｙｌｐｈｅｎｙｌ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ-４，４’－ｄｉａｍｉｎｅ）の熱処理によって得られた３次元網目構造の高分子材料を示す図である。
　なお、下記（化学式１）で示されるＶＮＰＢは、正孔輸送性を有する骨格（Ｘ‐Ｘ）と、熱硬化性官能基としてビニル基とを有する。なお、図６の（ａ）において、ＶＮＰＢが有する正孔輸送性を有する骨格は、Ｘ‐Ｘで図示している。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
 　図６の（ｂ）は、実施形態１の変形例である表示装置に備えられた正孔輸送層に含まれるＤＶ‐ＣＢＰ（４，４’-Ｂｉｓ（３-（（４-ｖｉｎｙｌｐｈｅｎｏｘｙ）ｍｅｔｈｙｌ）-９Ｈ-ｃａｒｂａｚｏｌ-９-ｙｌ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ）の熱処理によって得られた３次元網目構造の高分子材料を示す図である。
　なお、下記（化学式２）で示されるＤＶ‐ＣＢＰは、正孔輸送性を有する骨格（Ｙ‐Ｙ）と、熱硬化性官能基としてビニル基とを有する。なお、図６の（ｂ）において、ＤＶ‐ＣＢＰが有する正孔輸送性を有する骨格は、Ｙ‐Ｙで図示している。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
 　図６の（ｃ）は、実施形態１の他の変形例である表示装置に備えられた正孔輸送層に含まれるＣＢＰ‐Ｖ（４，４’-ビス(Ｎ-カルバゾリル)-１，１’-ビフェニル-ビニル）の熱処理によって得られた３次元網目構造の高分子材料を示す図である。
　なお、下記（化学式３）で示されるＣＢＰ‐Ｖは、正孔輸送性を有する骨格（Ｚ‐Ｚ）と、熱硬化性官能基としてビニル基とを有する。なお、図６の（ｃ）において、ＣＢＰ‐Ｖが有する正孔輸送性を有する骨格は、Ｚ‐Ｚで図示している。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
 　図６の（ａ）に示すＶＮＰＢ、図６の（ｂ）に示すＤＶ‐ＣＢＰ及び図６の（ｃ）に示すＣＢＰ‐Ｖは、正孔輸送層２４ＨＴに含まれる３次元網目構造を有する第１正孔輸送性材料の前駆体（前駆体分子）の一例であり、これらの前駆体（前駆体分子）は何れも熱硬化性官能基としてビニル基を有するので、例えば、不活性ガス（例えば、窒素ガスまたはアルゴンガス）雰囲気下、２３０℃で熱処理することで、前駆体（前駆体分子）同士が高分子化された３次元網目構造を有する第１正孔輸送性材料を得ることができる。
　したがって、図５に示す正孔輸送層２４ＨＴを形成する工程（Ｓ１２）は、例えば、ＶＮＰＢ、ＤＶ‐ＣＢＰ及びＣＢＰ‐Ｖなどの前駆体（前駆体分子）と、正孔輸送性を有する複数の分子と、溶媒とを含む正孔輸送性材料混合溶液を第１電極２２（アノード）上、具体的には、第１電極２２（アノード）上の正孔注入層２４ＨＩ上に形成した後、熱処理することで前駆体（前駆体分子）を３次元網目構造の高分子材料にする工程を含む。なお、前記正孔輸送性材料混合溶液に含まれる溶媒は、前記前駆体（前駆体分子）と前記正孔輸送性を有する複数の分子とを溶解または分散できるのであれば、その種類は特に限定されないが、本実施形態においては、クロロベンゼンを用いた。
　本実施形態においては、上述した前駆体（前駆体分子）同士を高分子化させる熱処理工程を２３０℃で行う場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはない。この熱処理による正孔注入層２４ＨＩの性能低下を考慮した場合、上述した前駆体（前駆体分子）同士を高分子化させる熱処理工程は、１２０℃以上、２３０℃以下で行うことが好ましい。
　正孔輸送層２４ＨＴに含まれる正孔輸送特性が高い第２正孔輸送性材料の重量が大きくなれば、正孔輸送層２４ＨＴの正孔輸送特性は向上するが、その分、正孔輸送層２４ＨＴに含まれる耐溶媒特性が高い第１正孔輸送性材料の重量は小さくなり、正孔輸送層２４ＨＴの耐溶媒特性は低下する。したがって、正孔輸送層２４ＨＴの正孔輸送特性及び耐溶媒特性を最適化するためには、正孔輸送層２４ＨＴに含まれる正孔輸送特性が高い第２正孔輸送性材料の重量は、正孔輸送層２４ＨＴに含まれる耐溶媒特性が高い第１正孔輸送性材料の重量の１倍以上、４倍以下であることが好ましい。
　図７の（ａ）は、２３０℃の熱処理工程によってＶＮＰＢ同士が高分子化された３次元網目構造を有する第１正孔輸送性材料とＰＶＫ（ポリビニルカルバゾール）を含む第２正孔輸送性材料との重量比が１：２である正孔輸送層の耐溶媒特性を示す図である。
　図７の（ｂ）は、２３０℃の熱処理工程によってＶＮＰＢ同士が高分子化された３次元網目構造を有する第１正孔輸送性材料とＰＶＫ（ポリビニルカルバゾール）を含む第２正孔輸送性材料との重量比が１：１である正孔輸送層の耐溶媒特性を示す図である。
　図７の（ｃ）は、２３０℃の熱処理後のＰＶＫ（ポリビニルカルバゾール）を含む第２正孔輸送性材料のみを含む正孔輸送層の耐溶媒特性を示す図である。
　図７の（ｃ）に示す正孔輸送層の場合、正孔輸送層の形成直後には、高い正孔輸送特性を有するが、３次元網目構造を有さない高分子材料からなるので、ガラス転移温度を超える温度で熱処理し、再結晶させでも、耐溶媒特性が悪く、後工程で使用される溶媒によって正孔輸送層が剥離してしまい、結果的には、正孔輸送層として使用することが困難である。
　一方、図７の（ａ）及び図７の（ｂ）に示す正孔輸送層の場合、満足できる程の耐溶媒特性及び正孔輸送特性を有する。なお、耐溶媒特性面では、図７の（ｂ）に示す正孔輸送層が図７の（ａ）に示す正孔輸送層よりも高く、正孔輸送特性面では、図７の（ａ）に示す正孔輸送層が図７の（ｂ）に示す正孔輸送層よりも高い。
　以上のように、本実施形態においては、正孔輸送性を有する複数の分子を含む第２正孔輸送性材料としてＰＶＫ（ポリビニルカルバゾール）を用いた場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、第２正孔輸送性材料としては、例えば、ＴＦＢ（ポリ［（９，９-ジオクチルフルオレニル‐２，７‐ジイル）‐ｃｏ‐（４，４’‐（Ｎ‐（４‐ｓｅｃ‐ブチルフェニル））ジフェニルアミン）］）などの有機正孔輸送性材料を用いてもよい。
　図８の（ａ）、図８の（ｂ）、図８の（ｃ）、図８の（ｄ）、図８の（ｅ）、図８の（ｆ）及び図８の（ｇ）は、実施形態１の表示装置１に備えられた赤色サブ画素ＲＳＰに含まれる赤色発光素子５Ｒの赤色発光層２４ＲＥＭを形成する工程を説明するための図である。
　図８の（ａ）及び図８の（ｂ）に示すように、少なくとも、赤色サブ画素ＲＳＰに含まれる赤色発光素子５Ｒ、緑色サブ画素ＧＳＰに含まれる緑色発光素子５Ｇ及び青色サブ画素ＢＳＰに含まれる青色発光素子５Ｂの正孔輸送層２４ＨＴ上に、第１レジスト層３０を形成する。なお、緑色サブ画素ＧＳＰに含まれる緑色発光素子５Ｇ及び青色サブ画素ＢＳＰに含まれる青色発光素子５Ｂは図示しておらず、第１レジスト層３０はポジ型のレジスト材料によって形成された層であり、例えば、５００ｎｍ以上、２５００ｎｍ以下の膜厚で形成することができる。
　その後、図８の（ｃ）に示すように、平面視において赤色サブ画素ＲＳＰに含まれる赤色発光素子５Ｒの正孔輸送層２４ＨＴと重畳する第１レジスト層３０の第１領域を、マスクＭ１の開口Ｋ１を介して、露光用の光Ｌで露光し、現像することで、図８の（ｄ）に示すように、第１レジスト層３０の前記第１領域に第１開口を形成することができる。なお、前記現像工程では、例えば、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）水溶液を用いて現像を行うことができる。
　それから、図８の（ｅ）に示すように、第１レジスト層３０に形成された前記第１開口における正孔輸送層２４ＨＴ上と、図８の（ｅ）及び図８の（ｆ）に示すように、赤色サブ画素ＲＳＰ、緑色サブ画素ＧＳＰ及び青色サブ画素ＢＳＰに含まれる第１レジスト層３０上とに、赤色発光層２４ＲＥＭを形成する。なお、本実施形態においては、赤色発光層２４ＲＥＭは量子ドットを含む発光層であり、例えば、スピンコーターやスリットコーターなどを用いた塗布法によって、塗布して形成した場合を一例に挙げて説明するが、赤色発光層２４ＲＥＭの形成方法はこれに限定されることはない。
　その後、第１レジスト層３０を剥離することで、図８の（ｇ）に示すように、赤色サブ画素ＲＳＰに含まれる赤色発光素子５Ｒの赤色発光層２４ＲＥＭを所定形状に形成することができる。なお、前記剥離工程においては、第１レジスト層３０の剥離は、極性溶媒を用いて行うことができ、極性溶媒としては、例えば、ＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）を用いることができる。
　上述したように、赤色発光層２４ＲＥＭを形成する工程においては、現像工程でＴＭＡＨ水溶液が使用され、ＴＭＡＨ水溶液は正孔輸送層２４ＨＴと直接接し、剥離工程では極性溶媒であるＰＧＭＥＡが使用され、ＰＧＭＥＡは正孔輸送層２４ＨＴと直接接する。したがって、ＰＶＫ（ポリビニルカルバゾール）のように正孔輸送性を有するが、３次元網目構造を有さない高分子材料のみからなる正孔輸送層の場合、後工程である、赤色発光層を形成する工程、緑色発光層を形成する工程及び青色発光層を形成する工程のそれぞれにおいて、使用する溶媒であるＰＧＭＥＡ及びＴＭＡＨ水溶液によって剥離してしまう恐れがあり、結果的には、正孔輸送層として使用することが困難である。
　一方、実施形態１の表示装置１に備えられた赤色発光素子５Ｒ、緑色発光素子５Ｇ及び青色発光素子５Ｂのそれぞれは、正孔輸送層２４ＨＴを備えており、正孔輸送層２４ＨＴは、上述したように、３次元網目構造を有する第１正孔輸送性材料と、正孔輸送性を有する複数の分子を含む第２正孔輸送性材料とを含むので、高い耐溶媒特性及び高い正孔輸送特性を有する。正孔輸送層２４ＨＴは、ＴＭＡＨ水溶液やＰＧＭＥＡに対して、高い耐溶媒特性を有する。
　図９の（ａ）、図９の（ｂ）、図９の（ｃ）、図９の（ｄ）、図９の（ｅ）、図９の（ｆ）及び図９の（ｇ）は、実施形態１の表示装置１に備えられた緑色サブ画素ＧＳＰに含まれる緑色発光素子５Ｇの緑色発光層２４ＧＥＭを形成する工程を説明するための図である。
　図８の（ｇ）、図９の（ａ）及び図９の（ｂ）に示すように、少なくとも、赤色サブ画素ＲＳＰに含まれる赤色発光素子５Ｒの赤色発光層２４ＲＥＭ上と、緑色サブ画素ＧＳＰに含まれる緑色発光素子５Ｇ及び青色サブ画素ＢＳＰに含まれる青色発光素子５Ｂの正孔輸送層２４ＨＴ上とに、第２レジスト層３０を形成する。なお、青色サブ画素ＢＳＰに含まれる青色発光素子５Ｂは図示しておらず、第２レジスト層３０はポジ型のレジスト材料によって形成された層であり、例えば、５００ｎｍ以上、２５００ｎｍ以下の膜厚で形成することができる。
　その後、図９の（ｃ）に示すように、平面視において緑色サブ画素ＧＳＰに含まれる緑色発光素子５Ｇの正孔輸送層２４ＨＴと重畳する第２レジスト層３０の第２領域を、マスクＭ２の開口Ｋ２を介して、露光用の光Ｌで露光し、現像することで、図９の（ｄ）に示すように、第２レジスト層３０の前記第２領域に第２開口を形成することができる。なお、前記現像工程では、例えば、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）水溶液を用いて現像を行うことができる。
　それから、図９の（ｅ）に示すように、第２レジスト層３０に形成された前記第２開口における正孔輸送層２４ＨＴ上と、図９の（ｅ）及び図９の（ｆ）に示すように、赤色サブ画素ＲＳＰ、緑色サブ画素ＧＳＰ及び青色サブ画素ＢＳＰに含まれる第２レジスト層３０上とに、緑色発光層２４ＧＥＭを形成する。なお、本実施形態においては、緑色発光層２４ＧＥＭは量子ドットを含む発光層であり、例えば、スピンコーターやスリットコーターなどを用いた塗布法によって、塗布して形成した場合を一例に挙げて説明するが、緑色発光層２４ＧＥＭの形成方法はこれに限定されることはない。
　その後、第２レジスト層３０を剥離することで、図９の（ｇ）に示すように、緑色サブ画素ＧＳＰに含まれる緑色発光素子５Ｇの緑色発光層２４ＧＥＭを所定形状に形成することができる。なお、前記剥離工程においては、第２レジスト層３０の剥離は、極性溶媒を用いて行うことができ、極性溶媒としては、例えば、ＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）を用いることができる。
　上述したように、緑色発光層２４ＧＥＭを形成する工程においては、現像工程でＴＭＡＨ水溶液が使用され、ＴＭＡＨ水溶液は正孔輸送層２４ＨＴと直接接し、剥離工程では極性溶媒であるＰＧＭＥＡが使用され、ＰＧＭＥＡは正孔輸送層２４ＨＴと直接接する。
　実施形態１の表示装置１に備えられた赤色発光素子５Ｒ、緑色発光素子５Ｇ及び青色発光素子５Ｂのそれぞれは、正孔輸送層２４ＨＴを備えており、正孔輸送層２４ＨＴは、上述したように、３次元網目構造を有する第１正孔輸送性材料と、正孔輸送性を有する複数の分子を含む第２正孔輸送性材料とを含むので、高い耐溶媒特性及び高い正孔輸送特性を有する。正孔輸送層２４ＨＴは、ＴＭＡＨ水溶液やＰＧＭＥＡに対して、高い耐溶媒特性を有する。
　図１０の（ａ）、図１０の（ｂ）、図１０の（ｃ）、図１０の（ｄ）、図１０の（ｅ）及び図１０の（ｆ）は、実施形態１の表示装置１に備えられた青色サブ画素ＢＳＰに含まれる青色発光素子５Ｂの青色発光層２４ＢＥＭを形成する工程を説明するための図である。
　図８の（ｇ）、図９の（ｇ）、図１０の（ａ）及び図１０の（ｂ）に示すように、少なくとも、赤色サブ画素ＲＳＰに含まれる赤色発光素子５Ｒの赤色発光層２４ＲＥＭ上と、緑色サブ画素ＧＳＰに含まれる緑色発光素子５Ｇの緑色発光層２４ＧＥＭ上と、青色サブ画素ＢＳＰに含まれる青色発光素子５Ｂの正孔輸送層２４ＨＴ上とに、第３レジスト層３０を形成する。なお、第３レジスト層３０はポジ型のレジスト材料によって形成された層であり、例えば、５００ｎｍ以上、２５００ｎｍ以下の膜厚で形成することができる。
　その後、図１０の（ｃ）に示すように、平面視において青色サブ画素ＢＳＰに含まれる青色発光素子５Ｂの正孔輸送層２４ＨＴと重畳する第３レジスト層３０の第３領域を、マスクＭ３の開口Ｋ３を介して、露光用の光Ｌで露光し、現像することで、図１０の（ｄ）に示すように、第３レジスト層３０の前記第３領域に第３開口を形成することができる。なお、前記現像工程では、例えば、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）水溶液を用いて現像を行うことができる。
　それから、図１０の（ｅ）に示すように、第３レジスト層３０に形成された前記第３開口における正孔輸送層２４ＨＴ上と、赤色サブ画素ＲＳＰ、緑色サブ画素ＧＳＰ及び青色サブ画素ＢＳＰに含まれる第３レジスト層３０上とに、青色発光層２４ＢＥＭを形成する。なお、本実施形態においては、青色発光層２４ＢＥＭは量子ドットを含む発光層であり、例えば、スピンコーターやスリットコーターなどを用いた塗布法によって、塗布して形成した場合を一例に挙げて説明するが、青色発光層２４ＢＥＭの形成方法はこれに限定されることはない。
　その後、第３レジスト層３０を剥離することで、図１０の（ｆ）に示すように、青色サブ画素ＢＳＰに含まれる青色発光素子５Ｂの青色発光層２４ＢＥＭを所定形状に形成することができる。なお、前記剥離工程においては、第３レジスト層３０の剥離は、極性溶媒を用いて行うことができ、極性溶媒としては、例えば、ＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）を用いることができる。
　上述したように、青色発光層２４ＢＥＭを形成する工程においては、現像工程でＴＭＡＨ水溶液が使用され、ＴＭＡＨ水溶液は正孔輸送層２４ＨＴと直接接し、剥離工程では極性溶媒であるＰＧＭＥＡが使用され、ＰＧＭＥＡは正孔輸送層２４ＨＴと直接接する。
　実施形態１の表示装置１に備えられた赤色発光素子５Ｒ、緑色発光素子５Ｇ及び青色発光素子５Ｂのそれぞれは、正孔輸送層２４ＨＴを備えており、正孔輸送層２４ＨＴは、上述したように、３次元網目構造を有する第１正孔輸送性材料と、正孔輸送性を有する複数の分子を含む第２正孔輸送性材料とを含むので、高い耐溶媒特性及び高い正孔輸送特性を有する。正孔輸送層２４ＨＴは、ＴＭＡＨ水溶液やＰＧＭＥＡに対して、高い耐溶媒特性を有する。
　以上のように、図８から図１０に基づいて説明した、第１レジスト層３０、第２レジスト層３０及び第３レジスト層３０を用いたリフトオフ法による、赤色発光層２４ＲＥＭ、緑色発光層２４ＧＥＭ及び青色発光層２４ＢＥＭの形成工程では、ＴＭＡＨ水溶液とＰＧＭＥＡとがそれぞれ３回ずつ使用されるため、ＴＭＡＨ水溶液やＰＧＭＥＡに対して、高い耐溶媒特性を有する正孔輸送層２４ＨＴを備えることによる効果が高い。本実施形態においては、赤色発光層２４ＲＥＭと、緑色発光層２４ＧＥＭと、青色発光層２４ＢＥＭとを、この順序で形成した場合を一例に挙げて説明するが、これに限定されることはなく、これらの発光層はどのような順序で形成されてもよい。
　また、本実施形態においては、赤色発光層２４ＲＥＭ、緑色発光層２４ＧＥＭ及び青色発光層２４ＢＥＭが、量子ドットを含む発光層であり、例えば、スピンコーターやスリットコーターなどを用いた塗布法によって、塗布して形成した場合を一例に挙げて説明するが、赤色発光層２４ＲＥＭ、緑色発光層２４ＧＥＭ及び青色発光層２４ＢＥＭは、蒸着法によって形成された有機発光層であってもよい。この場合には、第１レジスト層３０の第１開口の正孔輸送層２４ＨＴ上と、第１レジスト層３０上との全面に赤色発光層２４ＲＥＭを蒸着して形成し、第１レジスト層３０を剥離することで、赤色発光層２４ＲＥＭを所定形状に形成することができ、第２レジスト層３０の第２開口の正孔輸送層２４ＨＴ上と、第２レジスト層３０上との全面に緑色発光層２４ＧＥＭを蒸着して形成し、第２レジスト層３０を剥離することで、緑色発光層２４ＧＥＭを所定形状に形成することができ、第３レジスト層３０の第３開口の正孔輸送層２４ＨＴ上と、第３レジスト層３０上との全面に青色発光層２４ＢＥＭを蒸着して形成し、第３レジスト層３０を剥離することで、青色発光層２４ＢＥＭを所定形状に形成することができる。
　また、本実施形態においては、赤色発光層２４ＲＥＭ、緑色発光層２４ＧＥＭ及び青色発光層２４ＢＥＭが、量子ドットを含む発光層であり、例えば、スピンコーターやスリットコーターなどを用いた塗布法によって、塗布して形成した場合を一例に挙げて説明するが、赤色発光層２４ＲＥＭ、緑色発光層２４ＧＥＭ及び青色発光層２４ＢＥＭは、ポジ型の感光性レジストまたはネガ型の感光性レジストを含んでいてもよい。この場合には、赤色発光層２４ＲＥＭ、緑色発光層２４ＧＥＭ及び青色発光層２４ＢＥＭが、感光性レジストを含むため、第１レジスト層３０、第２レジスト層３０及び第３レジスト層３０を用いる必要がない。例えば、赤色発光層２４ＲＥＭは、赤色を発光する量子ドット（第１発光材料）と感光性レジストと溶媒とを含む赤色発光材料溶液（第１発光材料溶液）を、正孔輸送層２４ＨＴ上に形成し、露光及び現像することで、所定形状にパターニングして形成することができる。また、緑色発光層２４ＧＥＭは、緑色を発光する量子ドット（第２発光材料）と感光性レジストと溶媒とを含む緑色発光材料溶液（第２発光材料溶液）を、赤色発光層２４ＲＥＭ及び正孔輸送層２４ＨＴ上に形成し、露光及び現像することで、所定形状にパターニングして形成することができる。さらに、青色発光層２４ＢＥＭは、青色を発光する量子ドット（第３発光材料）と感光性レジストと溶媒とを含む青色発光材料溶液（第３発光材料溶液）を、赤色発光層２４ＲＥＭ、緑色発光層２４ＧＥＭ及び正孔輸送層２４ＨＴ上に形成し、露光及び現像することで、所定形状にパターニングして形成することができる。
　以上のように、フォトリソグラフィー法によってパターニングすることで、赤色発光層２４ＲＥＭ、緑色発光層２４ＧＥＭ及び青色発光層２４ＢＥＭを形成する工程においても、溶媒を含む赤色発光材料溶液（第１発光材料溶液）、溶媒を含む緑色発光材料溶液（第２発光材料溶液）及び溶媒を含む青色発光材料溶液（第３発光材料溶液）を形成する工程と、各現像工程とにおいて、極性溶媒や現像液が使用されるため、高い耐溶媒特性を有する正孔輸送層２４ＨＴを備えることによる効果が高い。
　〔実施形態２〕
　次に、図１１及び図１２に基づき、本発明の実施形態２について説明する。本実施形態においては、ＶＮＰＢ、ＤＶ‐ＣＢＰ及びＣＢＰ‐Ｖなどの正孔輸送層２４ＨＴに含まれる３次元網目構造を有する第１正孔輸送性材料の前駆体（前駆体分子）同士を高分子化させる熱処理工程を１５０℃で行っている点において、上述した実施形成１とは異なる。その他については実施形態１において説明したとおりである。説明の便宜上、実施形態１の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
　図１１の（ａ）は、実施形態２の表示装置に備えられた正孔輸送層に含まれるＶＮＰＢの熱処理によって得られた３次元網目構造の高分子材料を示す図であり、図１１の（ｂ）は、実施形態２の変形例である表示装置に備えられた正孔輸送層に含まれるＤＶ‐ＣＢＰの熱処理によって得られた３次元網目構造の高分子材料を示す図であり、図１１の（ｃ）は、実施形態２の他の変形例である表示装置に備えられた正孔輸送層に含まれるＣＢＰ‐Ｖの熱処理によって得られた３次元網目構造の高分子材料を示す図である。
　図１１の（ａ）に示すＶＮＰＢ、図１１の（ｂ）に示すＤＶ‐ＣＢＰ及び図１１の（ｃ）に示すＣＢＰ‐Ｖは、正孔輸送層２４ＨＴに含まれる３次元網目構造を有する第１正孔輸送性材料の前駆体（前駆体分子）の一例であり、これらの前駆体（前駆体分子）は何れも熱硬化性官能基としてビニル基を有するので、例えば、不活性ガス（例えば、窒素ガスまたはアルゴンガス）雰囲気下、１５０℃で熱処理することで、前駆体（前駆体分子）同士が高分子化された３次元網目構造を有する第１正孔輸送性材料を得ることができる。
　以上のように、１５０℃で熱処理することで、この熱処理による正孔注入層２４ＨＩの性能低下を抑制することができる。なお、上述した前駆体（前駆体分子）同士を高分子化させる熱処理工程は、１５０℃で行うことに限定されることはなく、１２０℃以上、２３０℃以下で行うことが好ましい。
　図１２は、１５０℃の熱処理工程によってＶＮＰＢ同士が高分子化された３次元網目構造を有する第１正孔輸送性材料とＰＶＫ（ポリビニルカルバゾール）を含む第２正孔輸送性材料との重量比が１：２である正孔輸送層の耐溶媒特性を示す図である。
　図１２に示すように、比較的低温である１５０℃の熱処理工程によってＶＮＰＢ同士が高分子化された３次元網目構造を有する第１正孔輸送性材料とＰＶＫを含む第２正孔輸送性材料とを含む正孔輸送層２４ＨＴの場合、良好な耐溶媒特性を示し、正孔輸送性を有するが、３次元網目構造を有さない高分子材料からなる正孔輸送層のように、後工程で使用される溶媒によって正孔輸送層が剥離してしまうことはない。
　〔実施形態３〕
　次に、図１３、図１４、図１５及び図１６に基づき、本発明の実施形態３について説明する。本実施形態においては、正孔輸送層２４ＨＴに含まれる３次元網目構造を有する第１正孔輸送性材料の前駆体（前駆体分子）が、ビニル基以外の熱硬化性官能基を含む点において、上述した実施形成１及び２とは異なる。その他については実施形態１及び２において説明したとおりである。説明の便宜上、実施形態１及び２の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
　図１３の（ａ）は、正孔輸送性を有する骨格（Ｘ‐Ｘ）と、熱硬化性官能基であるホスホン酸基（-ＰＯ３Ｈ２）及びヒドロキシ基（-ＯＨ）とを含む分子の一例を示す図であり、（ｂ）は、図１３の（ａ）に示す分子の熱処理によって得られた実施形態３の表示装置に備えられた正孔輸送層に含まれる３次元網目構造の高分子材料を示す図である。
　図１４の（ａ）及び図１４の（ｂ）は、熱硬化性官能基であるホスホン酸基（-ＰＯ３Ｈ２）及びヒドロキシ基（-ＯＨ）と、図１３の（ａ）に示す分子とは異なる正孔輸送性を有する骨格（Ｙ‐ＹまたはＺ－Ｚ）とを含む分子の熱処理によって得られた実施形態３の他の変形例の表示装置に備えられた正孔輸送層に含まれる３次元網目構造の高分子材料を示す図である。
　図１５の（ａ）は、正孔輸送性を有する骨格（Ｘ－Ｘ）と、熱硬化性官能基であるカルボキシル基（－ＣＯＯＨ）及びヒドロキシ基（－ＯＨ）とを含む分子の一例を示す図であり、図１５の（ｂ）は、図１５の（ａ）に示す分子の熱処理によって得られた実施形態３のさらに他の変形例である表示装置に備えられた正孔輸送層に含まれる３次元網目構造の高分子材料を示す図である。
　図１６の（ａ）及び図１６の（ｂ）は、熱硬化性官能基であるカルボキシル基（-ＣＯＯＨ）及びヒドロキシ基（-ＯＨ）と、図１５の（ａ）に示す分子とは異なる正孔輸送性を有する骨格（Ｙ‐ＹまたはＺ－Ｚ）とを含む分子の熱処理によって得られた実施形態３のさらに他の変形例である表示装置に備えられた正孔輸送層に含まれる３次元網目構造の高分子材料を示す図である。
　図１３、図１４、図１５及び図１６に示す正孔輸送層２４ＨＴに含まれる３次元網目構造を有する第１正孔輸送性材料の前駆体（前駆体分子）は、熱硬化性官能基として、ホスホン酸基（-ＰＯ３Ｈ２）及びヒドロキシ基（-ＯＨ）または、カルボキシル基（－ＣＯＯＨ）及びヒドロキシ基（－ＯＨ）を有するので、例えば、不活性ガス（例えば、窒素ガスまたはアルゴンガス）雰囲気下、１５０℃で熱処理することで、前駆体（前駆体分子）同士が高分子化された３次元網目構造を有する第１正孔輸送性材料を得ることができる。
　以上のように、１５０℃で熱処理することで、この熱処理による正孔注入層２４ＨＩの性能低下を抑制することができる。なお、上述した前駆体（前駆体分子）同士を高分子化させる熱処理工程は、１５０℃で行うことに限定されることはなく、１２０℃以上、２３０℃以下で行うことが好ましい。
　以上のように、熱硬化性官能基として、ホスホン酸基（-ＰＯ３Ｈ２）及びヒドロキシ基（-ＯＨ）または、カルボキシル基（－ＣＯＯＨ）及びヒドロキシ基（－ＯＨ）を有する前駆体（前駆体分子）同士が高分子化された３次元網目構造を有する第１正孔輸送性材料と、正孔輸送性を有する複数の分子を含む第２正孔輸送性材料とを含む正孔輸送層２４ＨＴは、高い耐溶媒特性及び高い正孔輸送特性を有するので、正孔輸送性を有するが、３次元網目構造を有さない高分子材料からなる正孔輸送層のように、後工程で使用される溶媒によって正孔輸送層が剥離してしまうことはない。
　なお、図１３の（ａ）、図１３の（ｂ）、図１５の（ａ）及び図１５の（ｂ）に示す正孔輸送性を有する骨格（Ｘ－Ｘ）は、上記（化学式１）で示す正孔輸送性を有する骨格（Ｘ－Ｘ）と同一であり、図１４の（ａ）及び図１６の（ａ）に示す正孔輸送性を有する骨格（Ｙ－Ｙ）は、上記（化学式２）で示す正孔輸送性を有する骨格（Ｙ－Ｙ）と同一であり、図１４の（ｂ）及び図１６の（ｂ）に示す正孔輸送性を有する骨格（Ｚ－Ｚ）は、上記（化学式３）で示す正孔輸送性を有する骨格（Ｚ－Ｚ）と同一である。
　〔実施形態４〕
　次に、図１７に基づき、本発明の実施形態４について説明する。本実施形態においては、例えば、赤色発光層２４ＲＥＭ’が、量子ドットを含む発光層であり、インクジェット法で形成されている点において、上述した実施形成１から３とは異なる。その他については実施形態１から３において説明したとおりである。説明の便宜上、実施形態１から３の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
　図１７の（ａ）、図１７の（ｂ）及び図１７の（ｃ）は、実施形態４の表示装置に備えられた赤色サブ画素ＲＳＰに含まれる赤色発光素子５Ｒの赤色発光層２４ＲＥＭ’をインクジェット法で形成する場合を説明するための図である。
　なお、図示してないが、緑色発光層及び青色発光層も量子ドットを含む発光層であり、インクジェット法で形成されているものとする。
　赤色発光層２４ＲＥＭ’、緑色発光層及び青色発光層を、インクジェット装置ＩＪＭを用いたインクジェット法で形成する場合、実施形態１で説明した第１レジスト層３０、第２レジスト層３０及び第３レジスト層３０を用いる必要がない。
　図１７の（ａ）及び図１７の（ｂ）に示すように、赤色サブ画素ＲＳＰに含まれる赤色発光素子５Ｒの正孔輸送層２４ＨＴ上であって、バンク２３の内側に、赤色を発光する量子ドット（第１発光材料）と溶媒とを含む赤色発光材料溶液（第１発光材料溶液）を滴下し、例えば、熱処理などにより溶媒を除去することで、図１７の（ｃ）に示すように、赤色発光層２４ＲＥＭ’を所定形状に形成することができる。
　図示してないが、緑色サブ画素ＧＳＰに含まれる緑色発光素子５Ｇの正孔輸送層２４ＨＴ上であって、バンク２３の内側に、緑色を発光する量子ドット（第２発光材料）と溶媒とを含む緑色発光材料溶液（第２発光材料溶液）を滴下し、例えば、熱処理などにより溶媒を除去することで、緑色発光層を所定形状に形成することができ、青色サブ画素ＢＳＰに含まれる緑色発光素子５Ｂの正孔輸送層２４ＨＴ上であって、バンク２３の内側に、青色を発光する量子ドット（第３発光材料）と溶媒とを含む青色発光材料溶液（第３発光材料溶液）を滴下し、例えば、熱処理などにより溶媒を除去することで、青色発光層を所定形状に形成することができる。
　以上のように、インクジェット装置ＩＪＭを用いたインクジェット法で、赤色発光層２４ＲＥＭ’、緑色発光層及び青色発光層を形成する工程においても、溶媒を含む赤色発光材料溶液（第１発光材料溶液）、溶媒を含む緑色発光材料溶液（第２発光材料溶液）及び溶媒を含む青色発光材料溶液（第３発光材料溶液）を滴下する工程において、溶媒が正孔輸送層２４ＨＴと接するため、高い耐溶媒特性を有する正孔輸送層２４ＨＴを備えることによる効果が高い。
　〔まとめ〕
　〔態様１〕
　第１電極と、
　前記第１電極上に形成された正孔輸送層と、
　前記正孔輸送層上に形成された発光層と、
　前記発光層上に形成された第２電極と、を含み、
　前記正孔輸送層は、正孔輸送性を有する骨格と少なくとも２つの熱硬化性官能基とを含む分子同士が高分子化された３次元網目構造を有する第１正孔輸送性材料と、正孔輸送性を有する複数の分子を含む第２正孔輸送性材料とを含む、発光素子。
　〔態様２〕
　前記熱硬化性官能基は、ビニル基である、態様１に記載の発光素子。
　〔態様３〕
　前記正孔輸送性を有する骨格と前記熱硬化性官能基とを含む前記分子は、ＶＮＰＢ（Ｎ４，Ｎ４’-Ｄｉ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎ-１-ｙｌ）-Ｎ４，Ｎ４’-ｂｉｓ（４-ｖｉｎｙｌｐｈｅｎｙｌ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ-４，４’－ｄｉａｍｉｎｅ）であり、
　前記第２正孔輸送性材料は、ＰＶＫ（ポリビニルカルバゾール）または、ＴＦＢ（ポリ［（９，９-ジオクチルフルオレニル‐２，７‐ジイル）‐ｃｏ‐（４，４’‐（Ｎ‐（４‐ｓｅｃ‐ブチルフェニル））ジフェニルアミン）］）である、態様２に記載の発光素子。
　〔態様４〕
　前記正孔輸送性を有する骨格と前記熱硬化性官能基とを含む前記分子は、ＤＶ-ＣＢＰ（４，４’-Ｂｉｓ（３-（（４-ｖｉｎｙｌｐｈｅｎｏｘｙ）ｍｅｔｈｙｌ）-９Ｈ-ｃａｒｂａｚｏｌ-９-ｙｌ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ）であり、
　前記第２正孔輸送性材料は、ＰＶＫ（ポリビニルカルバゾール）または、ＴＦＢ（ポリ［（９，９‐ジオクチルフルオレニル‐２，７‐ジイル）‐ｃｏ‐（４，４’‐（Ｎ‐（４‐ｓｅｃ‐ブチルフェニル））ジフェニルアミン）］）である、態様２に記載の発光素子。
　〔態様５〕
　前記正孔輸送性を有する骨格と前記熱硬化性官能基とを含む前記分子は、ＣＢＰ-Ｖ（４，４’-ビス(Ｎ-カルバゾリル)-１，１’-ビフェニル-ビニル）であり、
　前記第２正孔輸送性材料は、ＰＶＫ（ポリビニルカルバゾール）または、ＴＦＢ（ポリ［（９，９‐ジオクチルフルオレニル‐２，７‐ジイル）‐ｃｏ‐（４，４’‐（Ｎ‐（４‐ｓｅｃ‐ブチルフェニル））ジフェニルアミン）］）である、態様２に記載の発光素子。
　〔態様６〕
　前記熱硬化性官能基は、ホスホン酸基（-ＰＯ３Ｈ２）及びヒドロキシ基（-ＯＨ）である、態様１に記載の発光素子。
　〔態様７〕
　前記熱硬化性官能基は、カルボキシル基（-ＣＯＯＨ）及びヒドロキシ基（-ＯＨ）である、態様１に記載の発光素子。
　〔態様８〕
　前記第２正孔輸送性材料の重量は、前記第１正孔輸送性材料の重量の１倍以上、４倍以下である、態様１から７の何れかに記載の発光素子。
　〔態様９〕
　前記発光層は、量子ドットを含む、態様１から８の何れかに記載の発光素子。
　〔態様１０〕
　前記発光層は、有機材料からなる、態様１から８の何れかに記載の発光素子。
　〔態様１１〕
　前記第１電極と前記正孔輸送層との間に正孔注入層をさらに備えている、態様１から１０の何れかに記載の発光素子。
　〔態様１２〕
　基板上に、態様１から１１の何れかに記載の発光素子が複数設けられ、
　前記複数の発光素子は、第１発光素子と第２発光素子と第３発光素子とを含み、
　前記第１発光素子は、前記発光層として、第１発光層を備え、
　前記第２発光素子は、前記発光層として、前記第１発光層とは発光ピーク波長が異なる第２発光層を備え、
　前記第３発光素子は、前記発光層として、前記第１発光層及び前記第２発光層とは発光ピーク波長が異なる第３発光層を備えている、表示装置。
　〔態様１３〕
　第１電極を形成する工程と、
　それぞれが正孔輸送性を有する骨格と少なくとも２つの熱硬化性官能基とを含む複数の分子と、正孔輸送性を有する複数の分子と、溶媒とを含む正孔輸送性材料混合溶液を前記第１電極上に形成した後、熱処理することで前記正孔輸送性を有する骨格と前記熱硬化性官能基とを含む前記複数の分子を３次元網目構造の高分子材料にする工程を含む正孔輸送層を形成する工程と、
　前記正孔輸送層上に発光層を形成する工程と、
　前記発光層上に第２電極を形成する工程と、を含む、表示装置の製造方法。
　〔態様１４〕
　前記熱処理は、１２０℃以上、２３０℃以下で行われる、態様１３に記載の表示装置の製造方法。
　〔態様１５〕
　基板上に、前記第１電極と、前記正孔輸送層と、前記発光層と、前記第２電極とを含む発光素子が複数設けられ、
　前記複数の発光素子は、第１発光素子と第２発光素子と第３発光素子とを含み、
　前記第１発光素子は、前記発光層として、第１発光層を備え、
　前記第２発光素子は、前記発光層として、前記第１発光層とは発光ピーク波長が異なる第２発光層を備え、
　前記第３発光素子は、前記発光層として、前記第１発光層及び前記第２発光層とは発光ピーク波長が異なる第３発光層を備え、
　前記発光層を形成する工程は、
　少なくとも、前記第１発光素子、前記第２発光素子及び前記第３発光素子の前記正孔輸送層上に、第１レジスト層を形成した後、平面視において前記第１発光素子の正孔輸送層と重畳する前記第１レジスト層の第１領域を露光し、現像することで、前記第１レジスト層の前記第１領域に第１開口を形成する工程と、
　前記第１開口における前記正孔輸送層上と、前記第１レジスト層上とに、前記第１発光層を形成した後、前記第１レジスト層を剥離することで、前記第１発光素子の前記第１発光層を形成する工程と、
　少なくとも、前記第１発光素子の前記第１発光層上と、前記第２発光素子及び前記第３発光素子の前記正孔輸送層上とに、第２レジスト層を形成した後、平面視において前記第２発光素子の正孔輸送層と重畳する前記第２レジスト層の第２領域を露光し、現像することで、前記第２レジスト層の前記第２領域に第２開口を形成する工程と、
　前記第２開口における前記正孔輸送層上と、前記第２レジスト層上とに、前記第２発光層を形成した後、前記第２レジスト層を剥離することで、前記第２発光素子の前記第２発光層を形成する工程と、
　少なくとも、前記第１発光素子の前記第１発光層上と、前記第２発光素子の前記第２発光層上と、前記第３発光素子の前記正孔輸送層上とに、第３レジスト層を形成した後、平面視において前記第３発光素子の正孔輸送層と重畳する前記第３レジスト層の第３領域を露光し、現像することで、前記第３レジスト層の前記第３領域に第３開口を形成する工程と、
　前記第３開口における前記正孔輸送層上と、前記第３レジスト層上とに、前記第３発光層を形成した後、前記第３レジスト層を剥離することで、前記第３発光素子の前記第３発光層を形成する工程と、を含む、態様１３または１４に記載の表示装置の製造方法。
　〔態様１６〕
　前記現像は、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）水溶液を用いて行う、態様１５に記載の表示装置の製造方法。
　〔態様１７〕
　前記剥離は、極性溶媒を用いて行う、態様１５または１６に記載の表示装置の製造方法。
　〔態様１８〕
　前記極性溶媒は、ＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）である、態様１７に記載の表示装置の製造方法。
　〔態様１９〕
　前記第１発光層、前記第２発光層及び前記第３発光層は、量子ドットを含む発光層であり、
　前記第１発光層、前記第２発光層及び前記第３発光層は、塗布して形成される、態様１５から１８の何れかに記載の表示装置の製造方法。
　〔態様２０〕
　前記第１発光層、前記第２発光層及び前記第３発光層は、蒸着して形成される、態様１５から１８の何れかに記載の表示装置の製造方法。
　〔態様２１〕
　基板上に、前記第１電極と、前記正孔輸送層と、前記発光層と、前記第２電極とを含む発光素子が複数設けられ、
　前記複数の発光素子は、第１発光素子と第２発光素子と第３発光素子とを含み、
　前記第１発光素子は、前記発光層として、第１発光層を備え、
　前記第２発光素子は、前記発光層として、前記第１発光層とは発光ピーク波長が異なる第２発光層を備え、
　前記第３発光素子は、前記発光層として、前記第１発光層及び前記第２発光層とは発光ピーク波長が異なる第３発光層を備え、
　前記発光層を形成する工程は、
　少なくとも、前記第１発光素子、前記第２発光素子及び前記第３発光素子の前記正孔輸送層上に、第１発光材料と感光性レジストと溶媒とを含む第１発光材料溶液を形成し、前記第１発光層を形成する工程と、
　前記第１発光層を露光及び現像することで、前記第１発光素子の前記第１発光層を形成する、前記第１発光層のパターニング工程と、
　少なくとも、前記第１発光素子の前記第１発光層上と、前記第２発光素子及び前記第３発光素子の前記正孔輸送層上とに、第２発光材料と感光性レジストと溶媒とを含む第２発光材料溶液を形成し、前記第２発光層を形成する工程と、
　前記第２発光層を露光及び現像することで、前記第２発光素子の前記第２発光層を形成する、前記第２発光層のパターニング工程と、
　少なくとも、前記第１発光素子の前記第１発光層上と、前記第２発光素子の前記第２発光層上と、前記第３発光素子の前記正孔輸送層上とに、第３発光材料と感光性レジストと溶媒とを含む第３発光材料溶液を形成し、前記第３発光層を形成する工程と、
　前記第３発光層を露光及び現像することで、前記第３発光素子の前記第３発光層を形成する、前記第３発光層のパターニング工程と、を含む、態様１３または１４に記載の表示装置の製造方法。
　〔態様２２〕
　基板上に、前記第１電極と、前記正孔輸送層と、前記発光層と、前記第２電極とを含む発光素子が複数設けられ、
　前記複数の発光素子は、第１発光素子と第２発光素子と第３発光素子とを含み、
　前記第１発光素子は、前記発光層として、第１発光層を備え、
　前記第２発光素子は、前記発光層として、前記第１発光層とは発光ピーク波長が異なる第２発光層を備え、
　前記第３発光素子は、前記発光層として、前記第１発光層及び前記第２発光層とは発光ピーク波長が異なる第３発光層を備え、
　前記発光層を形成する工程は、
　前記第１発光素子の前記正孔輸送層上に、第１発光材料と溶媒とを含む第１発光材料溶液を滴下し、前記第１発光層を形成する工程と、
　前記第２発光素子の前記正孔輸送層上に、第２発光材料と溶媒とを含む第２発光材料溶液を滴下し、前記第２発光層を形成する工程と、
　前記第３発光素子の前記正孔輸送層上に、第３発光材料と溶媒とを含む第３発光材料溶液を滴下し、前記第３発光層を形成する工程と、を含む、態様１３または１４に記載の表示装置の製造方法。
　〔付記事項〕
　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
　本発明は、表示装置の駆動方法及び表示装置に利用することができる。
　１　　　　　　　表示装置
　３　　　　　　　バリア層
　４　　　　　　　薄膜トランジスタ層
　５Ｒ　　　　　　赤色発光素子（発光素子）
　５Ｇ　　　　　　緑色発光素子（発光素子）
　５Ｂ　　　　　　青色発光素子（発光素子）
　６　　　　　　　封止層
　１２　　　　　　基板
　１６、１８、２０　無機絶縁膜
　２１　　　　　　平坦化膜
　２２　　　　　　第１電極（アノード）
　２３　　　　　　バンク（透明樹脂層）
　２４Ｒ　　　　　赤色発光層を含む機能層
　２４Ｇ　　　　　緑色発光層を含む機能層
　２４Ｂ　　　　　青色発光層を含む機能層
　２４ＨＩ　　　　正孔注入層
　２４ＨＴ　　　　正孔輸送層
　２４ＲＥＭ、２４ＲＥＭ’　赤色発光層（発光層）
　２４ＧＥＭ　　　緑色発光層（発光層）
　２４ＢＥＭ　　　青色発光層（発光層）
　２４ＥＴ　　　　電子輸送層
　２５　　　　　　第２電極（カソード）
　２６、２８　　　無機封止膜
　２７　　　　　　有機膜
　３０　　　　　　第１レジスト層～第３レジスト層
　３９　　　　　　機能フィルム
　ＰＩＸ　　　　　画素
　ＲＳＰ　　　　　赤色サブ画素
　ＧＳＰ　　　　　緑色サブ画素
　ＢＳＰ　　　　　青色サブ画素
　ＴＲ　　　　　　トランジスタ
　ＳＥＭ、ＳＥＭ’、ＳＥＭ’’　半導体膜
　Ｇ　　　　　　　ゲート電極
　Ｄ　　　　　　　ドレイン電極
　Ｓ　　　　　　　ソース電極
　ＤＡ　　　　　　表示領域
　ＮＤＡ　　　　　額縁領域
　Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３　マスク
　Ｋ１、Ｋ２、Ｋ３　マスクの開口
　Ｌ　　　　　　　　露光用の光

Claims (22)

  1. 　第１電極と、
    　前記第１電極上に形成された正孔輸送層と、
    　前記正孔輸送層上に形成された発光層と、
    　前記発光層上に形成された第２電極と、を含み、
    　前記正孔輸送層は、正孔輸送性を有する骨格と少なくとも２つの熱硬化性官能基とを含む分子同士が高分子化された３次元網目構造を有する第１正孔輸送性材料と、正孔輸送性を有する複数の分子を含む第２正孔輸送性材料とを含む、発光素子。
  2. 　前記熱硬化性官能基は、ビニル基である、請求項１に記載の発光素子。
  3. 　前記正孔輸送性を有する骨格と前記熱硬化性官能基とを含む前記分子は、ＶＮＰＢ（Ｎ４，Ｎ４’-Ｄｉ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎ-１-ｙｌ）-Ｎ４，Ｎ４’-ｂｉｓ（４-ｖｉｎｙｌｐｈｅｎｙｌ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ-４，４’－ｄｉａｍｉｎｅ）であり、
    　前記第２正孔輸送性材料は、ＰＶＫ（ポリビニルカルバゾール）または、ＴＦＢ（ポリ［（９，９-ジオクチルフルオレニル‐２，７‐ジイル）‐ｃｏ‐（４，４’‐（Ｎ‐（４‐ｓｅｃ‐ブチルフェニル））ジフェニルアミン）］）である、請求項２に記載の発光素子。
  4. 　前記正孔輸送性を有する骨格と前記熱硬化性官能基とを含む前記分子は、ＤＶ-ＣＢＰ（４，４’-Ｂｉｓ（３-（（４-ｖｉｎｙｌｐｈｅｎｏｘｙ）ｍｅｔｈｙｌ）-９Ｈ-ｃａｒｂａｚｏｌ-９-ｙｌ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ）であり、
    　前記第２正孔輸送性材料は、ＰＶＫ（ポリビニルカルバゾール）または、ＴＦＢ（ポリ［（９，９‐ジオクチルフルオレニル‐２，７‐ジイル）‐ｃｏ‐（４，４’‐（Ｎ‐（４‐ｓｅｃ‐ブチルフェニル））ジフェニルアミン）］）である、請求項２に記載の発光素子。
  5. 　前記正孔輸送性を有する骨格と前記熱硬化性官能基とを含む前記分子は、ＣＢＰ-Ｖ（４，４’-ビス(Ｎ-カルバゾリル)-１，１’-ビフェニル-ビニル）であり、
    　前記第２正孔輸送性材料は、ＰＶＫ（ポリビニルカルバゾール）または、ＴＦＢ（ポリ［（９，９‐ジオクチルフルオレニル‐２，７‐ジイル）‐ｃｏ‐（４，４’‐（Ｎ‐（４‐ｓｅｃ‐ブチルフェニル））ジフェニルアミン）］）である、請求項２に記載の発光素子。
  6. 　前記熱硬化性官能基は、ホスホン酸基（-ＰＯ３Ｈ２）及びヒドロキシ基（-ＯＨ）である、請求項１に記載の発光素子。
  7. 　前記熱硬化性官能基は、カルボキシル基（-ＣＯＯＨ）及びヒドロキシ基（-ＯＨ）である、請求項１に記載の発光素子。
  8. 　前記第２正孔輸送性材料の重量は、前記第１正孔輸送性材料の重量の１倍以上、４倍以下である、請求項１から７の何れか１項に記載の発光素子。
  9. 　前記発光層は、量子ドットを含む、請求項１から８の何れか１項に記載の発光素子。
  10. 　前記発光層は、有機材料からなる、請求項１から８の何れか１項に記載の発光素子。
  11. 　前記第１電極と前記正孔輸送層との間に正孔注入層をさらに備えている、請求項１から１０の何れか１項に記載の発光素子。
  12. 　基板上に、請求項１から１１の何れか１項に記載の発光素子が複数設けられ、
    　前記複数の発光素子は、第１発光素子と第２発光素子と第３発光素子とを含み、
    　前記第１発光素子は、前記発光層として、第１発光層を備え、
    　前記第２発光素子は、前記発光層として、前記第１発光層とは発光ピーク波長が異なる第２発光層を備え、
    　前記第３発光素子は、前記発光層として、前記第１発光層及び前記第２発光層とは発光ピーク波長が異なる第３発光層を備えている、表示装置。
  13. 　第１電極を形成する工程と、
    　それぞれが正孔輸送性を有する骨格と少なくとも２つの熱硬化性官能基とを含む複数の分子と、正孔輸送性を有する複数の分子と、溶媒とを含む正孔輸送性材料混合溶液を前記第１電極上に形成した後、熱処理することで前記正孔輸送性を有する骨格と前記熱硬化性官能基とを含む前記複数の分子を３次元網目構造の高分子材料にする工程を含む正孔輸送層を形成する工程と、
    　前記正孔輸送層上に発光層を形成する工程と、
    　前記発光層上に第２電極を形成する工程と、を含む、表示装置の製造方法。
  14. 　前記熱処理は、１２０℃以上、２３０℃以下で行われる、請求項１３に記載の表示装置の製造方法。
  15. 　基板上に、前記第１電極と、前記正孔輸送層と、前記発光層と、前記第２電極とを含む発光素子が複数設けられ、
    　前記複数の発光素子は、第１発光素子と第２発光素子と第３発光素子とを含み、
    　前記第１発光素子は、前記発光層として、第１発光層を備え、
    　前記第２発光素子は、前記発光層として、前記第１発光層とは発光ピーク波長が異なる第２発光層を備え、
    　前記第３発光素子は、前記発光層として、前記第１発光層及び前記第２発光層とは発光ピーク波長が異なる第３発光層を備え、
    　前記発光層を形成する工程は、
    　少なくとも、前記第１発光素子、前記第２発光素子及び前記第３発光素子の前記正孔輸送層上に、第１レジスト層を形成した後、平面視において前記第１発光素子の正孔輸送層と重畳する前記第１レジスト層の第１領域を露光し、現像することで、前記第１レジスト層の前記第１領域に第１開口を形成する工程と、
    　前記第１開口における前記正孔輸送層上と、前記第１レジスト層上とに、前記第１発光層を形成した後、前記第１レジスト層を剥離することで、前記第１発光素子の前記第１発光層を形成する工程と、
    　少なくとも、前記第１発光素子の前記第１発光層上と、前記第２発光素子及び前記第３発光素子の前記正孔輸送層上とに、第２レジスト層を形成した後、平面視において前記第２発光素子の正孔輸送層と重畳する前記第２レジスト層の第２領域を露光し、現像することで、前記第２レジスト層の前記第２領域に第２開口を形成する工程と、
    　前記第２開口における前記正孔輸送層上と、前記第２レジスト層上とに、前記第２発光層を形成した後、前記第２レジスト層を剥離することで、前記第２発光素子の前記第２発光層を形成する工程と、
    　少なくとも、前記第１発光素子の前記第１発光層上と、前記第２発光素子の前記第２発光層上と、前記第３発光素子の前記正孔輸送層上とに、第３レジスト層を形成した後、平面視において前記第３発光素子の正孔輸送層と重畳する前記第３レジスト層の第３領域を露光し、現像することで、前記第３レジスト層の前記第３領域に第３開口を形成する工程と、
    　前記第３開口における前記正孔輸送層上と、前記第３レジスト層上とに、前記第３発光層を形成した後、前記第３レジスト層を剥離することで、前記第３発光素子の前記第３発光層を形成する工程と、を含む、請求項１３または１４に記載の表示装置の製造方法。
  16. 　前記現像は、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）水溶液を用いて行う、請求項１５に記載の表示装置の製造方法。
  17. 　前記剥離は、極性溶媒を用いて行う、請求項１５または１６に記載の表示装置の製造方法。
  18. 　前記極性溶媒は、ＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）である、請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
  19. 　前記第１発光層、前記第２発光層及び前記第３発光層は、量子ドットを含む発光層であり、
    　前記第１発光層、前記第２発光層及び前記第３発光層は、塗布して形成される、請求項１５から１８の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
  20. 　前記第１発光層、前記第２発光層及び前記第３発光層は、蒸着して形成される、請求項１５から１８の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
  21. 　基板上に、前記第１電極と、前記正孔輸送層と、前記発光層と、前記第２電極とを含む発光素子が複数設けられ、
    　前記複数の発光素子は、第１発光素子と第２発光素子と第３発光素子とを含み、
    　前記第１発光素子は、前記発光層として、第１発光層を備え、
    　前記第２発光素子は、前記発光層として、前記第１発光層とは発光ピーク波長が異なる第２発光層を備え、
    　前記第３発光素子は、前記発光層として、前記第１発光層及び前記第２発光層とは発光ピーク波長が異なる第３発光層を備え、
    　前記発光層を形成する工程は、
    　少なくとも、前記第１発光素子、前記第２発光素子及び前記第３発光素子の前記正孔輸送層上に、第１発光材料と感光性レジストと溶媒とを含む第１発光材料溶液を形成し、前記第１発光層を形成する工程と、
    　前記第１発光層を露光及び現像することで、前記第１発光素子の前記第１発光層を形成する、前記第１発光層のパターニング工程と、
    　少なくとも、前記第１発光素子の前記第１発光層上と、前記第２発光素子及び前記第３発光素子の前記正孔輸送層上とに、第２発光材料と感光性レジストと溶媒とを含む第２発光材料溶液を形成し、前記第２発光層を形成する工程と、
    　前記第２発光層を露光及び現像することで、前記第２発光素子の前記第２発光層を形成する、前記第２発光層のパターニング工程と、
    　少なくとも、前記第１発光素子の前記第１発光層上と、前記第２発光素子の前記第２発光層上と、前記第３発光素子の前記正孔輸送層上とに、第３発光材料と感光性レジストと溶媒とを含む第３発光材料溶液を形成し、前記第３発光層を形成する工程と、
    　前記第３発光層を露光及び現像することで、前記第３発光素子の前記第３発光層を形成する、前記第３発光層のパターニング工程と、を含む、請求項１３または１４に記載の表示装置の製造方法。
  22. 　基板上に、前記第１電極と、前記正孔輸送層と、前記発光層と、前記第２電極とを含む発光素子が複数設けられ、
    　前記複数の発光素子は、第１発光素子と第２発光素子と第３発光素子とを含み、
    　前記第１発光素子は、前記発光層として、第１発光層を備え、
    　前記第２発光素子は、前記発光層として、前記第１発光層とは発光ピーク波長が異なる第２発光層を備え、
    　前記第３発光素子は、前記発光層として、前記第１発光層及び前記第２発光層とは発光ピーク波長が異なる第３発光層を備え、
    　前記発光層を形成する工程は、
    　前記第１発光素子の前記正孔輸送層上に、第１発光材料と溶媒とを含む第１発光材料溶液を滴下し、前記第１発光層を形成する工程と、
    　前記第２発光素子の前記正孔輸送層上に、第２発光材料と溶媒とを含む第２発光材料溶液を滴下し、前記第２発光層を形成する工程と、
    　前記第３発光素子の前記正孔輸送層上に、第３発光材料と溶媒とを含む第３発光材料溶液を滴下し、前記第３発光層を形成する工程と、を含む、請求項１３または１４に記載の表示装置の製造方法。
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