WO2022044756A1

WO2022044756A1 - 基板処理装置

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Publication number: WO2022044756A1
Application number: PCT/JP2021/029102
Authority: WO
Inventors: 秀一柴田; 章堀越; 美佳上野; 弥生竹市; 隆明柳田; 健二中西; 茂高辻; 貴弘木村
Original assignee: 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス
Priority date: 2020-08-31
Filing date: 2021-08-05
Publication date: 2022-03-03
Also published as: JP2022040684A; TW202218077A; TWI821722B

Abstract

基板処理装置（１）は、基板保持部（２）と、処理液ノズル（４）と、ヘッド移動機構（３０）とを備える。基板保持部（２）は基板（Ｗ）を保持しつつ、回転軸線（Ｑ１）のまわりで基板（Ｗ）を回転させる。処理液ノズル（４）は基板（Ｗ）の主面に向かって処理液を吐出する。プラズマ発生ユニット（５）は平面視において処理液ノズル（４）と隣り合う位置に設けられ、処理液ノズル（４）と一体に連結される。プラズマ発生ユニット（５）は、ガス流路（６０）を形成するユニット本体（６）と、複数の電極を有する電極群（７）とを含み、電極群（７）によって形成されたプラズマ用の電界空間を経由したガスを、基板（Ｗ）の主面に供給する。ヘッド移動機構（３０）は処理液ノズル（４）およびプラズマ発生ユニット（５）を移動方向（Ｄ１）に一体的に往復移動させる。

Description

基板処理装置

　本願は、基板処理装置に関する。

　従来から、基板の主面に形成されたレジストを除去する基板処理装置が提案されている（例えば特許文献１）。特許文献１では、基板の主面に硫酸および過酸化水素水の混合液を供給する。硫酸および過酸化水素水が混合されることで、これらが反応してカロ酸が生成される。このカロ酸は効率的に基板のレジストを除去することができる。

　しかしながら、この処理では硫酸および過酸化水素水を供給し続ける必要があり、硫酸および過酸化水素水の消費量が大きい。環境負荷の低減のためには、硫酸の使用量の削減が求められており、薬液消費量の削減が要求されている。この薬液消費量を低減するために、従来から硫酸を回収して再利用している。しかしながら、硫酸および過酸化水素水を混合することにより、硫酸の濃度が低下するので、高い濃度で硫酸を回収することは難しい。

特開２０２０－８８２０８号公報

　そこで、大気圧プラズマにより酸素ラジカル等の活性種を発生させ、当該活性種を硫酸に作用させることにより、カロ酸を生成することが考えられる。これにより、過酸化水素水を用いずにレジストを除去することができる。

　より具体的な基板処理装置の構成として、基板の主面に処理液を供給するノズルと、基板の主面に活性種を供給するユニットとを設けることが考えられる。これにより、基板の主面に着液した処理液に対して、活性種を供給することができる。よって、活性種が基板の主面上で処理液に作用して、処理液の処理能力を向上させることができる。これによって、高い処理能力で効率的に基板の主面を処理することができる。

　このような処理液および活性種を用いた処理においても、より簡易な構成でより均一に基板に対して処理を行うことが望まれている。

　そこで、本願は、より簡易な構成でより均一に基板に対して処理を行うことができる技術を提供することを目的とする。

　基板処理装置の第１の態様は、基板を保持しつつ、前記基板の中心部を通る回転軸線のまわりで前記基板を回転させる基板保持部と、前記基板保持部によって保持された前記基板の主面に向かって処理液を吐出する処理液ノズルと、前記回転軸線に沿う平面視において前記処理液ノズルと隣り合う位置に設けられ、前記処理液ノズルと一体に連結されたプラズマ発生ユニットと、ヘッド移動機構とを備え、前記プラズマ発生ユニットは、ガスが流れるガス流路を形成するユニット本体と、前記ガス流路の下流側に設けられた複数の電極を有する電極群とを含み、前記電極群によって形成されたプラズマ用の電界空間を経由した前記ガスを、前記基板保持部によって保持された前記基板の前記主面に供給し、前記ヘッド移動機構は、前記処理液ノズルおよび前記プラズマ発生ユニットを、前記基板保持部によって保持された前記基板の前記主面に沿う移動方向に一体的に往復移動させる。

　基板処理装置の第２の態様は、第１の態様にかかる基板処理装置であって、前記複数の電極は平面視において互いに間隔を空けて並んで設けられている。

　基板処理装置の第３の態様は、第１または第２の態様にかかる基板処理装置であって、前記電極群は、前記移動方向において、前記処理液ノズルと隣り合う位置に設けられている。

　基板処理装置の第４の態様は、第３の態様にかかる基板処理装置であって、前記電極群は、前記移動方向において、前記処理液ノズルの両側に設けられている。

　基板処理装置の第５の態様は、第１から第４のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記複数の電極の相互間に設けられた誘電仕切部材をさらに備える。

　基板処理装置の第６の態様は、第１から第５のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記移動方向に直交する方向における前記ガス流路の流出口の幅は、前記基板の直径以上である。

　基板処理装置の第７の態様は、第１から第６のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記ユニット本体は、水平な仕切方向において、前記ガス流路を複数のガス分割流路に仕切る流路仕切部を含む。

　基板処理装置の第８の態様は、第７の態様にかかる基板処理装置であって、前記ガス流路に前記ガスを供給するガス供給部を備え、前記複数のガス分割流路は、第１ガス分割流路と、第２ガス分割流路とを含み、前記第１ガス分割流路と前記処理液ノズルとの間の距離は、前記第２ガス分割流路と前記処理液ノズルとの間の距離よりも短く、前記ガス供給部は、前記第１ガス分割流路における前記ガスの第１流速が前記第２ガス分割流路における前記ガスの第２流速よりも高くなるように、前記第１ガス分割流路および前記第２ガス分割流路に前記ガスを供給する。

　基板処理装置の第９の態様は、第１から第８のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記ユニット本体は、前記ガス流路において前記電極群よりも上流側に設けられ、前記電極群と向かい合う複数の開口を有する第１板状体をさらに含む。

　基板処理装置の第１０の態様は、第９の態様にかかる基板処理装置であって、前記複数の開口は、第１開口と、第２開口とを含み、前記第１開口と前記処理液ノズルとの距離は、前記第２開口と前記処理液ノズルとの間の距離よりも短く、前記第１開口の面積は前記第２開口の面積よりも小さい。

　基板処理装置の第１１の態様は、第１から第１０のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記ユニット本体は、前記電極群よりも下流側に設けられた前記ガス流路の流出口を開閉するシャッタをさらに含む。

　基板処理装置の第１２の態様は、第１１の態様にかかる基板処理装置であって、前記ユニット本体は、前記ガス流路の流出口として複数の流出口を有する第２板状体をさらに含む。

　基板処理装置の第１３の態様は、第１２の態様にかかる基板処理装置であって、前記複数の流出口は、第１流出口と、第２流出口とを含み、前記第１流出口と前記処理液ノズルとの間の距離は、前記第２流出口と前記処理液ノズルとの間の距離よりも短く、前記第１流出口の面積は前記第２流出口の面積よりも小さい。

　基板処理装置の第１４の態様は、第１から第１３のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記複数の電極の相互間の前記電界空間のうち第１電界空間と前記処理液ノズルとの間の距離は、前記電界空間のうち第２電界空間と前記処理液ノズルとの間の距離よりも短く、前記第１電界空間には、前記第２電界空間に印加される電界の電界強度よりも高い電界強度で電界が印加される。

　基板処理装置の第１５の態様は、第１４の態様にかかる基板処理装置であって、前記複数の電極のうち前記第１電界空間を形成する２つの電極間に印加される電圧の大きさは、前記複数の電極のうち前記第２電界空間を形成する２つの電極間に印加される電圧の大きさよりも大きい。

　基板処理装置の第１６の態様は、第１４または第１５の態様にかかる基板処理装置であって、前記複数の電極のうち前記第１電界空間を形成する２つの電極の間隔は、前記複数の電極のうち前記第２電界空間を形成する２つの電極の間隔よりも狭い。

　基板処理装置の第１の態様によれば、ヘッド移動機構は処理液ノズルとプラズマ発生ユニットを一体に移動させる。よって、処理液およびガスの供給位置を基板の主面上で一体に移動させることができる。これによれば、簡易な構成でスキャン処理を行うことができる。このスキャン処理により、基板の全面に処理液およびガスを供給できるので、基板をより均一に処理することができる。

　基板処理装置の第２の態様によれば、電界空間の平面視における面積を大きくすることができ、ひいては、より広い範囲でプラズマを発生させることができる。したがって、プラズマによる活性種をより広い範囲で発生させることができる。

　基板処理装置の第３の態様によれば、処理液ノズルおよびプラズマ発生ユニットの往復移動中に、処理液が基板の主面に着液した直後に、その着液位置の上方に電極群が移動し得る。これにより、処理液に対して速やかに活性種を作用させることができる。

　基板処理装置の第４の態様によれば、処理液が基板の主面に着液した直後に、その着液位置の上方に電極群が移動するので、処理液に対して速やかに活性種を作用させることができる。

　基板処理装置の第５の態様によれば、電極の間で生じるアーク放電を抑制することができる。

　基板処理装置の第６の態様によれば、基板に対してより広い範囲でガスおよび活性種を供給することができる。

　基板処理装置の第７の態様によれば、ガス分割流路ごとに流量を調整することができる。

　基板処理装置の第８の態様によれば、基板の主面に着液して未だ活性種が作用していない処理液に対して、より速やかにより高い第１流速でより多くの活性種を作用させ、一旦、活性種が作用した処理液には、より低い第２流速でより少ない活性種を作用させる。これによれば、処理液の処理能力をより速やかに向上させつつも、全てのガス分割流路において高い流速でガスを供給する場合に比して、ガスの消費量を低減させることができる。また基板の主面における処理を均一化することができる。

　基板処理装置の第９の態様によれば、電極群に対してより均一にガスを供給ことができるので、基板の主面に対してより均一に活性種を供給することができる。

　基板処理装置の第１０の態様によれば、処理液ノズルに近い第１開口を通過するガスの流速を高くし、処理液ノズルから遠い第２開口を通過するガスの流速を低くすることができる。よって、基板の主面に着液して未だ活性種が作用していない処理液に対して、より速やかにより多くの活性種を作用させ、一旦、活性種が作用した処理液には、より少ない活性種を作用させることができる。

　基板処理装置の第１１の態様によれば、シャッタが流出口を閉じた状態では、ガスがガス流路内に滞留し、より多くの活性種を発生させることができる。この状態でシャッタが流出口を開くことにより、より多くの活性種を基板の主面に供給することができる。

　基板処理装置の第１２の態様によれば、基板の主面に、より均一にガスおよび活性種を供給することができる。

　基板処理装置の第１３の態様によれば、処理液ノズルに近い第１流出口を通過するガスの流速を高くし、処理液ノズルから遠い第２流出口を通過するガスの流速を低くすることができる。よって、基板の主面に着液して未だ活性種が作用していない処理液に対して、より速やかにより多くの活性種を作用させ、一旦、活性種が作用した処理液には、より少ない活性種を作用させることができる。

　基板処理装置の第１４の態様によれば、処理液ノズルに近い位置での電界強度が高いので、処理液ノズルに近い位置でより多くのプラズマを発生させることができ、ひいては、より多くの活性種を発生させることができる。よって、基板の主面に着液して未だ活性種が作用していない処理液に対して、より速やかにより多くの活性種を作用させ、一旦、活性種が作用した処理液には、より少ない活性種を作用させることができる。

　基板処理装置の第１５の態様によれば、処理液ノズルに近い位置で高い電界強度の電界を印加することができる。

　基板処理装置の第１６の態様によれば、処理液ノズルに近い位置で高い電界強度の電界を印加することができる。

基板処理システムの構成の一例を概略的に示す平面図である。制御部の内部構成の一例を概略的に示す機能ブロック図である。基板処理装置の構成の一例を概略的に示す側面図である。ノズルヘッドの構成の一例を概略的に示す断面図である。電極群の構成の一例を概略的に示す平面図である。電極群の構成の一例を概略的に示す断面図である。基板処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。電極群の構成の他の一例を概略的に示す断面図である。ノズルヘッドの構成の他の一例を概略的に示す断面図である。基板処理装置１の構成の一例を概略的に示す側面図である。ガス流路の流出口近傍の構成の一例を概略的に示す側断面図である。ノズルヘッドの構成の他の一例を概略的に示す断面図である。電極群の構成の他の一例を概略的に示す平面図である。電極群の構成の他の一例を概略的に示す平面図である。電極群の構成の他の一例を概略的に示す平面図である。ノズルヘッドの構成の他の一例を概略的に示す断面図である。電極群の構成の他の一例を概略的に示す平面図である。

　以下、添付される図面を参照しながら実施の形態について説明する。なお、図面は概略的に示されるものであり、説明の便宜のため、適宜、構成の省略および構成の簡略化がなされるものである。また、図面に示される構成の大きさおよび位置の相互関係は、必ずしも正確に記載されるものではなく、適宜変更され得るものである。

　また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称と機能とについても同様のものとする。したがって、それらについての詳細な説明を、重複を避けるために省略する場合がある。

　また、以下に記載される説明において、「第１」または「第２」などの序数が用いられる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられるものであり、これらの序数によって生じ得る順序などに限定されるものではない。

　相対的または絶対的な位置関係を示す表現（例えば「一方向に」「一方向に沿って」「平行」「直交」「中心」「同心」「同軸」など）は、特に断らない限り、その位置関係を厳密に表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる範囲で相対的に角度または距離に関して変位された状態も表すものとする。等しい状態であることを示す表現（例えば「同一」「等しい」「均質」など）は、特に断らない限り、定量的に厳密に等しい状態を表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる差が存在する状態も表すものとする。形状を示す表現（例えば、「四角形状」または「円筒形状」など）は、特に断らない限り、幾何学的に厳密にその形状を表すのみならず、同程度の効果が得られる範囲で、例えば凹凸や面取りなどを有する形状も表すものとする。一の構成要素を「備える」「具える」「具備する」「含む」または「有する」という表現は、他の構成要素の存在を除外する排他的表現ではない。「Ａ，ＢおよびＣの少なくともいずれか一つ」という表現は、Ａのみ、Ｂのみ、Ｃのみ、Ａ，ＢおよびＣのうち任意の２つ、ならびに、Ａ，ＢおよびＣの全てを含む。

　＜第１の実施の形態＞
　＜基板処理システムの全体構成＞
　図１は、基板処理システム１００の構成の一例を概略的に示す平面図である。基板処理システム１００は、処理対象である基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉式の処理装置である。

　基板処理システム１００は、円板状の半導体基板である基板Ｗに対して処理を行った後、乾燥処理を行う。ここでは、基板Ｗの主面にはレジストが形成されており、基板処理システム１００は基板Ｗに対する処理としてレジストを除去する。

　なお、基板Ｗは必ずしも半導体基板に限らない。例えば、基板Ｗには、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板および光磁気ディスク用基板などの各種基板を適用可能である。また基板の形状も円板形状に限らず、例えば矩形の板状形状など種々の形状を採用できる。

　基板処理システム１００は、ロードポート１０１と、インデクサロボット１１０と、主搬送ロボット１２０と、複数の処理ユニット１３０と、制御部９０とを含む。

　図１に例示されるように、複数のロードポート１０１が並んで配置される。各ロードポート１０１には、キャリアＣが搬入される。キャリアＣとしては、基板Ｗを密閉空間に収納するＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッド、または、基板Ｗを外気にさらすＯＣ（Open Cassette）が採用されてもよい。インデクサロボット１１０は、キャリアＣと主搬送ロボット１２０との間で基板Ｗを搬送する。主搬送ロボット１２０は処理ユニット１３０に基板Ｗを搬送する。

　処理ユニット１３０は基板Ｗに対して処理を行う。本実施の形態に関する基板処理システム１００には、１２個の処理ユニット１３０が配置されている。

　具体的には、それぞれが鉛直方向に積層された３個の処理ユニット１３０を含む４つのタワーが、主搬送ロボット１２０の周囲を取り囲むようにして配置されている。

　図１では、３段に重ねられた処理ユニット１３０の１つが概略的に示されている。なお、基板処理システム１００における処理ユニット１３０の数は、１２個に限定されるものではなく、適宜変更されてもよい。

　主搬送ロボット１２０は、処理ユニット１３０が積層された４個のタワーの中央に設置されている。主搬送ロボット１２０は、インデクサロボット１１０から受け取る処理対象の基板Ｗをそれぞれの処理ユニット１３０内に搬入する。また、主搬送ロボット１２０は、それぞれの処理ユニット１３０から処理済みの基板Ｗを搬出してインデクサロボット１１０に渡す。制御部９０は、基板処理システム１００のそれぞれの構成要素の動作を制御する。

　図２は、制御部９０の内部構成の一例を概略的に示す機能ブロック図である。制御部９０は電子回路であって、例えばデータ処理部９１および記憶媒体９２を有している。図２の具体例では、データ処理部９１と記憶媒体９２とはバス９３を介して相互に接続されている。データ処理部９１は例えばＣＰＵ（Central Processor Unit）などの演算処理装置であってもよい。記憶媒体９２は非一時的な記憶媒体（例えばＲＯＭ（Read Only Memory）またはハードディスク）９２１および一時的な記憶媒体（例えばＲＡＭ（Random Access Memory））９２２を有していてもよい。非一時的な記憶媒体９２１には、例えば制御部９０が実行する処理を規定するプログラムが記憶されていてもよい。データ処理部９１がこのプログラムを実行することにより、制御部９０が、プログラムに規定された処理を実行することができる。もちろん、制御部９０が実行する処理の一部または全部がハードウェアによって実行されてもよい。図２の具体例では、インデクサロボット１１０、主搬送ロボット１２０および処理ユニット１３０がバス９３に接続された態様が一例として概略的に示されている。

　＜基板処理装置＞
　図３は、基板処理装置１の構成の一例を概略的に示す側面図である。基板処理装置１は複数の処理ユニット１３０の１つに相当する。複数の処理ユニット１３０は互いに同一の構成を有していてもよく、互いに異なる構成を有していてもよい。

　図３に例示するように、基板処理装置１は、基板保持部２と、ノズルヘッド３と、ヘッド移動機構３０とを含んでいる。以下では、まず各構成について概説した後に詳述する。

　基板保持部２は基板Ｗを水平姿勢で保持しつつ、基板Ｗを回転軸線Ｑ１のまわりで回転させる。ここでいう水平姿勢とは、基板Ｗの厚み方向が鉛直方向に沿う姿勢である。回転軸線Ｑ１は、基板Ｗの中心部を通り、かつ、鉛直方向に沿う軸である。このような基板保持部２はスピンチャックとも呼ばれる。

　以下では、回転軸線Ｑ１についての径方向および周方向を、単に径方向および周方向と呼ぶ場合がある。

　ノズルヘッド３は、基板保持部２によって保持された基板Ｗの主面に処理液を供給するとともに、後述のプラズマ用の電界空間を経由したガスも基板Ｗの主面に供給する。図３では、ノズルヘッド３から基板Ｗに向かって流れる処理液を模式的に破線の矢印で示し、ノズルヘッド３から基板Ｗへ向かって流れるガスを模式的に実線の矢印で示している。電界空間とは、後に詳述するように、プラズマを発生させるための電界が印加された空間をいう。ガスが電界空間を通過する際に、ガスの一部がプラズマ化し、種々の活性種（例えば酸素ラジカルなど）が生じる。当該活性種はガスの流れに沿って移動して、基板Ｗの主面に供給される。

　図３の例では、ノズルヘッド３は、基板保持部２によって保持された基板Ｗよりも鉛直上方に設けられており、基板Ｗの上面に処理液およびガスを供給する。

　図３に示すように、ノズルヘッド３は、処理液ノズル４と、プラズマ発生ユニット５とを含む。処理液ノズル４はその下端面に吐出口４ａを有しており、その吐出口４ａから基板Ｗの主面に向かって処理液を吐出する。ここで、処理液としては硫酸が想定されるが、例えば、硫酸塩、ペルオキソ硫酸およびペルオキソ硫酸塩の少なくともいずれかを含む液、または、過酸化水素を含む液などの薬液であってもよい。処理液は、典型的には水溶液である。

　プラズマ発生ユニット５は、回転軸線Ｑ１に沿って見て（つまり平面視において）、処理液ノズル４と隣り合う位置に設けられ、処理液ノズル４と一体に連結されている。プラズマ発生ユニット５にはガス供給部５０からガスが供給され、当該ガスがプラズマ発生ユニット５内のガス流路６０を基板Ｗの主面に向かって流れる。当該ガスには、例えば、酸素を含む酸素含有ガスを適用することができる。酸素含有ガスは、例えば、酸素ガス、オゾンガス、二酸化炭素ガス、空気、または、これらの少なくとも二つの混合ガスを含む。当該ガスには、不活性ガスがさらに含まれてもよい。不活性ガスは、例えば、窒素ガス、アルゴンガス、ネオンガス、ヘリウムガス、または、これらの少なくとも二つの混合ガスを含む。

　プラズマ発生ユニット５は後述のようにガス流路６０の下流側において電極群７を有しており、この電極群７によりその周囲の電界空間に電界が印加される。ガスが当該電界空間を通過する際に、電界がガスに作用する。これにより、ガスの一部が電離してプラズマが発生する（プラズマ発生処理）。例えばアルゴンガスなどの不活性ガスが電離してプラズマが発生する。なおここでは一例として、大気圧下でプラズマを生じさせる。ここでいう大気圧とは、例えば、標準気圧の８０％以上、かつ、標準気圧の１２０％以下である。

　このプラズマの発生に際して、電子衝突反応による分子および原子の解離および励起などの諸反応が生じ、反応性の高い中性ラジカル等の種々の活性種も発生する。例えばプラズマのイオンまたは電子が酸素含有ガスに作用して酸素ラジカルを発生させる。このような活性種はガスの流れに沿って移動して、プラズマ発生ユニット５の下端部から、基板保持部２によって保持された基板Ｗの主面に向かって流出する。

　ノズルヘッド３はヘッド移動機構３０によって移動可能に設けられている。ヘッド移動機構３０はノズルヘッド３を少なくとも、基板保持部２によって保持された基板Ｗの主面に沿う移動方向Ｄ１に沿って移動させる。例えば平面視において、ヘッド移動機構３０は基板Ｗの直径に沿ってノズルヘッド３を往復移動させる。ヘッド移動機構３０は例えばリニアモータまたはボールねじ機構などの直動機構を含んでいてもよい。

　あるいは、ヘッド移動機構３０は直動機構に替えて、アーム式の移動機構を含んでもよい。この場合、ノズルヘッド３は、水平方向に延在するアームの先端に連結される。アームの基端は、鉛直方向に沿って延在する支持柱に連結される。この支持柱はモータに連結されており、鉛直方向に沿う支持柱の中心軸のまわりで回転する。支持柱がその中心軸のまわりで回転することにより、アームが中心軸のまわりで水平面内を旋回し、アームの先端に設けられたノズルヘッド３が中心軸のまわりで水平面内を円弧状に移動する。この円弧状の移動経路が平面視において基板Ｗの直径に沿うように、ヘッド移動機構３０が構成される。このようにして、ヘッド移動機構３０はノズルヘッド３を基板Ｗの主面に対して平行に移動させることができる。

　ヘッド移動機構３０はノズルヘッド３を、その移動経路上の待機位置と処理位置との間で移動させることもできる。待機位置とは、基板Ｗの搬出入の際にノズルヘッド３が基板Ｗの搬送経路に干渉しない位置であり、例えば平面視において基板保持部２よりも径方向外側の位置である。処理位置とは、ノズルヘッド３が処理液およびガスを基板Ｗに供給する位置であり、ノズルヘッド３が基板Ｗの主面と鉛直方向において対向する位置である。

　ヘッド移動機構３０は、処理液ノズル４が基板Ｗの主面と対向する移動範囲内において、ノズルヘッド３を往復移動させることもできる。例えばヘッド移動機構３０は、処理液ノズル４が基板Ｗの直径方向の一方側の周縁部と対向する第１周縁位置と、処理液ノズル４が基板Ｗの他方側の周縁部と対向する第２周縁位置との間で、ノズルヘッド３を往復移動させることができる。図３の例では、ノズルヘッド３が第１周縁位置に位置する状態での処理液ノズル４が模式的に二点鎖線で示されている。

　このような基板処理装置１によれば、ノズルヘッド３を往復移動させながら、処理液およびガスを回転中の基板Ｗの主面に供給することができる（いわゆるスキャン処理）。このようなスキャン処理により、基板Ｗの主面の全面に処理液およびガスを供給することができ、より均一に基板Ｗを処理することができる。

　なお、このスキャン処理において、ノズルヘッド３は必ずしも第１周縁位置と第２周縁位置との間を往復移動する必要はない。例えばヘッド移動機構３０は、処理液ノズル４が基板Ｗの中央部と対向する中央位置と第１周縁位置との間で、ノズルヘッド３を往復移動させてもよい。これによっても、基板Ｗの主面の全面に処理液およびガスを供給することができる。

　処理液は基板Ｗの主面を径方向外側に流れて、基板Ｗの周縁から外側に飛散する。そこで、図３の例では、基板処理装置１にカップ８が設けられている。カップ８は、基板保持部２を取り囲む筒状の形状を有している。カップ８の筒状形状の中心軸は回転軸線Ｑ１と一致する。基板Ｗの周縁から外側に飛散した処理液はカップ８の内周面に衝突し、下方に流れて不図示の回収機構によって回収されたり、あるいは、不図示の排液機構によって外部に排液されたりする。

　また、基板処理装置１には、基板保持部２よりも径方向外側において、不図示の排気口が設けられる。例えばカップ８に排気口が設けられてもよい。基板Ｗの主面に供給された活性種およびガスは基板Ｗの主面に沿って径方向外側に流れ、排気口から排気される。

　＜基板保持部＞
　図３の例では、基板保持部２は、ベース２１と、複数のチャック２２と、回転機構２３とを含んでいる。ベース２１は、回転軸線Ｑ１を中心とした円板形状を有し、その上面には複数のチャック２２が立設されている。複数のチャック２２は基板Ｗの周縁に沿って等間隔で設けられる。チャック２２は、基板Ｗの周縁に当接するチャック位置と、基板Ｗの周縁から離れた解除位置の間で駆動可能である。複数のチャック２２がそれぞれのチャック位置で停止した状態で、複数のチャック２２が基板Ｗの周縁を保持する。複数のチャック２２がそれぞれの解除位置で停止した状態では、基板Ｗの保持が解除される。複数のチャック２２を駆動する不図示のチャック駆動部は例えばリンク機構および磁石等により構成され、制御部９０によって制御される。

　回転機構２３はモータ２３１を含んでいる。モータ２３１はシャフト２３２を介してベース２１の下面に連結されており、制御部９０によって制御される。モータ２３１がシャフト２３２およびベース２１を回転軸線Ｑ１のまわりで回転させることにより、複数のチャック２２によって保持された基板Ｗも回転軸線Ｑ１のまわりで回転する。

　なお、基板保持部２は必ずしもチャック２２を含む必要はない。基板保持部２は例えば吸引力または静電力により基板Ｗを保持してもよい。

　＜ノズルヘッド３＞
　図４は、ノズルヘッド３の構成の一例を概略的に示す断面図である。図４は図３のＡ－Ａ断面を示している。以下では、図３および図４も参照してノズルヘッド３について説明する。

　＜処理液ノズル４＞
　ノズルヘッド３の処理液ノズル４は、例えば、樹脂（例えばＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン））または石英等の絶縁体（誘電体）によって形成されており、図示の例では円筒形状を有している。プラズマに晒されたことによる溶出を防ぐ観点からは、処理液ノズル４を樹脂ではなく、石英またはセラミックスにより形成することが好ましい。処理液ノズル４はその下端面に吐出口４ａを有している。図示の例では、処理液ノズル４の内部の処理液流路４ｂは鉛直方向に沿って延在しており、処理液流路４ｂの下端開口が吐出口４ａに相当する。

　この処理液ノズル４には処理液供給管４５の一端が接続される。図３の例では、処理液ノズル４の上端が処理液供給管４５の一端に接続されている。つまり、処理液流路４ｂの上端開口４ｃが処理液供給管４５の一端開口に繋がっている。処理液供給管４５の他端は処理液供給源４７に接続される。処理液供給源４７は、例えば処理液を貯留するタンクを含む。

　処理液供給管４５にはバルブ４６が介装されている。バルブ４６は制御部９０によって制御され、バルブ４６が開くことで、処理液が処理液供給源４７から処理液供給管４５の内部を流れて処理液ノズル４に供給される。この処理液は処理液流路４ｂを上方から下方に向かって流れ、吐出口４ａから基板Ｗの主面に向かって吐出される。バルブ４６が閉じることにより、処理液ノズル４の吐出口４ａからの処理液の吐出が停止する。

　なお、基板処理装置１は、複数種類の処理液を基板Ｗの主面に供給する構成を有していてもよい。例えば、処理液ノズル４は複数の処理液流路を有していてもよい。この場合、各処理液流路が各種類の処理液供給源に個別に接続される。あるいは、基板処理装置１はノズルヘッド３とは別にノズルを含んでいてもよい。複数種類の処理液としては、例えば硫酸等の薬液の他、純水、オゾン水、炭酸水、および、イソプロピルアルコール等のリンス液を採用できる。ここでは、処理液ノズル４は複数の処理液流路を有しているものとする。

　＜プラズマ発生ユニット５＞
　プラズマ発生ユニット５は、ユニット本体６と、電極群７とを含んでいる。ユニット本体６は、ガス供給部５０からのガスを基板Ｗの主面に向けて流すためのガス流路６０を形成する。電極群７はガス流路６０の下流側に設けられており、後述のようにガスが通過可能に構成される。電極群７は周囲の空間（電界空間）に電圧を印加する。ガスが電界空間を通過する際に当該ガスに電界が印加され、当該電界の印加により、ガスの一部が電離してプラズマが発生する。このプラズマの発生に際して種々の活性種が生成され、これらの活性種がガスの流れに沿って基板Ｗの主面に供給される。

　＜ユニット本体＞
　ユニット本体６は、例えば、石英、セラミックス等の絶縁体（誘電体）によって形成される。図示の例では、ユニット本体６は、上面部６１と、側壁部６２とを含んでいる。上面部６１は例えば板状形状を有し、その厚み方向が鉛直方向に沿う姿勢で配置される。上面部６１は平面視において例えば矩形形状を有する。上面部６１は、その一辺が例えばノズルヘッド３の移動方向Ｄ１に沿う姿勢で配置される。図３の例では、上面部６１にはその中央部において貫通孔６１ａが形成される。貫通孔６１ａは上面部６１を鉛直方向に沿って貫通しており、この貫通孔６１ａには処理液ノズル４が貫通配置される。これにより、処理液ノズル４が上面部６１に対して固定される。

　側壁部６２は上面部６１の周縁の全周に立設され、上面部６１の周縁から鉛直下方に沿って延在している。この側壁部６２は、処理液ノズル４を囲む角筒形状を有している。上面部６１および側壁部６２によって囲まれる空間がガス流路６０に相当する。

　ユニット本体６には、ガス流路６０に連通する流入口６１１が形成される。図３の例では、流入口６１１は上面部６１に形成されている。流入口６１１はガス供給部５０に接続され、ガス供給部５０は流入口６１１を経由してガス流路６０にガスを供給する。

　図示の例では、ユニット本体６は、ノズルヘッド３の移動方向Ｄ１において、ガス流路６０を複数のガス分割流路６０ａ～６０ｄに仕切る１以上の流路仕切部６３をさらに含んでいる。ここでは、流路仕切部６３として３つの流路仕切部６３ａ～６３ｃ（図４参照）が設けられており、ガス流路６０を４つのガス分割流路６０ａ～６０ｄに仕切っている。各流路仕切部６３は例えば板状形状を有しており、その厚み方向が移動方向Ｄ１に沿う姿勢で配置される。流路仕切部６３ａ～６３ｃは移動方向Ｄ１の一方側から他方側においてこの順に配置される。各流路仕切部６３の上端面は上面部６１の下面に連結され、流路仕切部６３の両端面は側壁部６２の内面に連結される。

　図示の例では、３つの流路仕切部６３ａ～６３ｃによって、ガス分割流路６０ａ～６０ｄが移動方向Ｄ１においてこの順で形成される。図４の例では、流路仕切部６３ｂには、処理液ノズル４が貫通配置される貫通孔６３１が形成されている。よって、ガス分割流路６０ａ，６０ｂは処理液ノズル４に対して移動方向Ｄ１の一方側に位置し、ガス分割流路６０ｃ，６０ｄは処理液ノズル４に対して移動方向Ｄ１の他方側に位置する。つまり、移動方向Ｄ１における処理液ノズル４の両側にガス流路６０が形成される。

　各ガス分割流路６０ｂ，６０ｃは移動方向Ｄ１において処理液ノズル４により近い位置に形成され、各ガス分割流路６０ａ，６０ｄは移動方向Ｄ１において処理液ノズル４からより遠い位置に形成される。言い換えれば、各ガス分割流路６０ｂ，６０ｃと処理液ノズル４との間の距離は、各ガス分割流路６０ａ，６０ｄと処理液ノズル４との間の距離よりも短い。

　図３の例では、上面部６１には、ガス流路６０に繋がる流入口６１１として、流入口６１１ａ～６１１ｄが形成されている。流入口６１１ａはガス分割流路６０ａに繋がり、流入口６１１ｂはガス分割流路６０ｂに繋がり、流入口６１１ｃはガス分割流路６０ｃに繋がり、流入口６１１ｄはガス分割流路６０ｄに繋がる。

　ガス供給部５０は流入口６１１ａ～６１１ｄを経由してガス分割流路６０ａ～６０ｄにガスを供給する。図３の例では、ガス供給部５０は、ガス供給管５１ａ，５１ｂと、バルブ５２ａ，５２ｂとを含む。ガス供給管５１ａは２つの分岐管と共通管とを含んでおり、分岐管の一端がそれぞれ流入口６１１ａ，６１１ｄに接続され、分岐管の他端が共通管の一端に共通して接続され、共通管の他端がガス供給源５３に接続されている。このようにガス供給管５１ａは各流入口６１１ａ，６１１ｄとガス供給源５３とを接続する。ガス供給管５１ｂも２つの分岐管と共通管とを含んでおり、ガス供給管５１ａと同様に、各流入口６１１ｂ，６１１ｃとガス供給源５３とを接続する。

　バルブ５２ａはガス供給管５１ａの共通管に介装されており、制御部９０によって制御される。バルブ５２ａが開くことにより、ガス供給源５３からのガスがガス供給管５１ａの内部を流れ、流入口６１１ａ，６１１ｄを経由してそれぞれガス分割流路６０ａ，６０ｄに流入する。バルブ５２ａが閉じることにより、ガス分割流路６０ａ，６０ｄへのガスの供給が停止される。バルブ５２ａは、ガス供給管５１ａの内部を流れるガスの流量を調整可能な流量調整バルブであってもよい。あるいは、バルブ５２ａとは別に流量調整バルブが設けられてもよい。

　バルブ５２ｂはガス供給管５１ｂの共通管に介装されており、制御部９０によって制御される。バルブ５２ｂが開くことにより、ガス供給源５３からのガスがガス供給管５１ｂの内部を流れ、流入口６１１ｂ，６１１ｃを経由してそれぞれガス分割流路６０ｂ，６０ｃに流入する。バルブ５２ｂが閉じることにより、ガス分割流路６０ｂ，６０ｃへのガスの供給が停止される。バルブ５２ｂは、ガス供給管５１ｂの内部を流れるガスの流量を調整可能な流量調整バルブであってもよい。あるいは、バルブ５２ｂとは別に流量調整バルブが設けられてもよい。

　このようなガス供給部５０によれば、ガス分割流路６０ａ，６０ｄに流れるガスの流量と、ガス分割流路６０ｃ，６０ｂに流れるガスの流量とを個別に調整することができる。つまり、処理液ノズル４に近いガス分割流路６０ｂ，６０ｃにおけるガスの流量を、処理液ノズル４から遠いガス分割流路６０ａ，６０ｄにおけるガスの流量とは独立して調整することができる。例えば、ガス分割流路６０ｂ，６０ｃにおけるガスの流速がガス分割流路６０ａ，６０ｄにおけるガスの流速よりも高くなるように、各流量を調整することができる。この作用効果については後に詳述する。

　なお、図３の例では、ガス供給部５０はガス分割流路６０ｂ，６０ｃにおける流量を一括的に調整するものの、ガス分割流路６０ｂ，６０ｃにおける流量を互いに独立に調整可能な構成を有していてもよい。ガス分割流路６０ａ，６０ｄも同様である。

　図４の例では、ガス流路６０（ガス分割流路６０ａ～６０ｄ）の移動方向Ｄ１に直交する方向における幅は、処理液ノズル４の吐出口４ａの幅よりも広く、例えば基板Ｗの半径以上、より望ましくは基板Ｗの直径以上である。なお、製造ばらつき等により、ガス流路６０の幅が移動方向Ｄ１の位置に応じて相違する場合もある。その場合、ガス流路６０の幅の最大値が処理液ノズル４の吐出口４ａの幅よりも広く、例えば基板Ｗの半径以上、より望ましくは基板Ｗの直径以上であればよい。これによれば、プラズマ発生ユニット５は平面視において、ガスをより広い範囲で基板Ｗの主面に供給することができる。つまり、より均一にガスを基板Ｗの主面に供給することができる。

　図示の例では、ユニット本体６は第１板状体６４をさらに含んでいる。第１板状体６４はガス流路６０内に設けられる。具体的には、第１板状体６４は電極群７に対してガスの流れの上流側に設けられており、鉛直方向において電極群７と向かい合う位置に設けられている。第１板状体６４は板状形状を有し、その厚み方向が鉛直方向に沿う姿勢で配置される。第１板状体６４には複数の開口６４１が形成されており、ガスは複数の開口６４１を通過して電極群７に向かって流れる。

　ここでは、第１板状体６４として２つの第１板状体６４ａ，６４ｂが設けられている。第１板状体６４ａはガス分割流路６０ａ，６０ｂに対応して設けられる。図３の例では、流路仕切部６３ａの下端は第１板状体６４ａの上面に連結されている。また第１板状体６４ａの周縁は側壁部６２および流路仕切部６３ｂに連結される。

　第１板状体６４ｂはガス分割流路６０ｃ，６０ｄに対応して設けられている。図３の例では、流路仕切部６３ｃの下端は第１板状体６４ｂの上面に連結されている。また第１板状体６４ｂの周縁は側壁部６２および流路仕切部６３ｂに連結される。

　複数の開口６４１は第１板状体６４を鉛直方向に貫通しており、例えば平面視において円形形状を有する。複数の開口６４１は平面視において２次元的に配列されており、例えばマトリクス状に配列される。

　ガス分割流路６０ａ，６０ｂをそれぞれ流れるガスは、第１板状体６４ａの複数の開口６４１を通過して電極群７ａに向かって流れる。ガス分割流路６０ｃ，６０ｄをそれぞれ流れるガスは、第１板状体６４ｂの複数の開口６４１を通過して電極群７ｂに向かって流れる。このようにガスが複数の開口６４１を通過することにより、より均一にガスを電極群７に向かって流すことができる。第１板状体６４と電極群７との間の距離が長くなると、ガスの均一性が低下し得るので、当該距離はガスの均一性を考慮して設定されるとよい。

　＜電極群７＞
　電極群７は上述のようにガス流路６０の下流側に設けられており、平面視においてガス流路６０と重なる領域に設けられる。ガスが電極群７を通過する際には電極群７が当該ガスに電界を印加する。これにより、当該ガスの一部が電離してプラズマが発生する。

　図３の例では、電極群７として２つの電極群７ａ，７ｂが設けられている。図３の例では、電極群７ａはガス分割流路６０ａ，６０ｂよりも下流側に設けられ、電極群７ｂはガス分割流路６０ｃ，６０ｄよりも下流側に設けられている。電極群７ａはガス分割流路６０ａ，６０ｂと鉛直方向において対向し、電極群７ｂはガス分割流路６０ｃ，６０ｄと鉛直方向において対向する。つまり、図３の例では、電極群７ａ，７ｂは、ノズルヘッド３の移動方向Ｄ１において、処理液ノズル４を隔てて互いに反対側に設けられている。要するに、電極群７は移動方向Ｄ１において処理液ノズル４と隣り合う位置に設けられ、図示の例では、移動方向Ｄ１において処理液ノズル４の両側に設けられている。

　図５および図６は、電極群７の構成の一例を概略的に示す図である。図５は、電極群７の構成の一例を示す平面図であり、図６は図５のＣ－Ｃ断面を示している。以下では、図５および図６を参照して電極群７を説明する。

　電極群７は複数の電極７１を含む。複数の電極７１は金属などの導電体によって形成され、平面視において間隔を空けて並んで設けられている。図５の例では、各電極７１は、水平方向に長い長尺形状を有する。ここでいう長尺形状とは、電極７１の長手方向のサイズがその長手方向に直交する水平方向のサイズよりも長い形状をいう。図示の例では、複数の電極７１は、その長手方向が移動方向Ｄ１に直交する姿勢で配置されている。

　複数の電極７１はその長手方向に直交する水平な配列方向（ここでは移動方向Ｄ１）において間隔を空けて並んで配置されている。図示の例では、複数の電極７１として４つの電極７１ａ～７１ｄが示されている。電極７１ａ～７１ｄはその配列方向の一方側から他方側にこの順で配置されている。電極７１ａ～７１ｄは例えば同一平面内に配置される。

　複数の電極７１のうち隣り合う二者には、互いに異なる極性の電位が印加される。図５の例では、配列方向の一方側から奇数番目に配置された電極７１ａ，７１ｃは電源８０の第１出力端８１に接続され、偶数番目に配置された電極７１ｂ，７１ｄは電源８０の第２出力端８２に接続される。

　図５の例では、電極７１ａ，７１ｃは長手方向の一方側の端部において連結部７１１ａを介して互いに連結される。連結部７１１ａは例えば板状形状を有し、例えば電極７１ａ，７１ｃと同一材料で一体に構成される。電極７１ｂ，７１ｄは長手方向の他方側の端部において連結部７１１ｂを介して互いに連結される。連結部７１１ｂは例えば板状形状を有し、例えば電極７１ｂ，７１ｄと同一材料で一体に構成される。これによれば、複数の電極７１は櫛歯状に配列される。連結部７１１ａは引き出し線を介して電源８０の第１出力端８１に接続され、連結部７１１ｂは引き出し線を介して電源８０の第２出力端８２に接続される。

　電源８０は例えばスイッチング電源回路（例えばインバータ回路）を含み、制御部９０によって制御される。電源８０は第１出力端８１と第２出力端８２との間に電圧（例えば高周波電圧）を印加する。これにより、複数の電極７１の相互間の空間（電界空間）に電界が生じる。

　電極群７はガス流路６０の下流側に位置しているので、ガス流路６０に沿って流れるガスは複数の電極７１の相互間の電界空間を通過する。ガスが電界空間を通過する際に当該電界がガスに作用して、ガスの一部が電離してプラズマが発生する（プラズマ発生処理）。このプラズマの発生に際して種々の活性種が生じ、これらの活性種がガスの流れに沿って基板Ｗの主面に向かって移動する。

　電極群７と基板Ｗとの間の距離は、電極群７と基板Ｗとの間でアーク放電が生じない程度の距離に設定される。電極群７と基板Ｗとの間の距離は例えば２ｍｍ程度以上かつ５ｍｍ程度以下に設定される。

　電極群７の移動方向Ｄ１に直交する方向における幅（ここでは電極７１の長手方向の長さ）は、処理液ノズル４の吐出口４ａの幅よりも広く（図５参照）、例えば基板Ｗの半径以上であり、より望ましくは基板Ｗの直径以上である。これによれば、平面視において、基板Ｗに対してより広い範囲でプラズマを生成することができ、基板Ｗの主面に対して活性種をより広い範囲で供給することができる。

　＜誘電保護部材＞
　図示の例では、各電極７１は誘電保護部材７２によって覆われている。誘電保護部材７２は例えば石英、セラミックス等の絶縁体（誘電体）によって形成されており、電極７１の表面を覆っている。例えば誘電保護部材７２は電極７１の表面に密着している。誘電保護部材７２は、電極７１の表面に形成された誘電膜であってもよい。この誘電保護部材７２は電極７１をプラズマから保護することができる。図６の例では、各電極７１は断面円形状を有しており、各誘電保護部材７２は断面円環形状を有している。

　＜誘電仕切部材＞
　図示の例では、隣り合う電極７１の二者の間において、誘電仕切部材７３が設けられている。具体的には、誘電仕切部材７３は複数の電極７１の全ての二者間に設けられている。誘電仕切部材７３は、例えば、石英、セラミックス等の絶縁体（誘電体）によって形成され、各電極７１と間隔を空けて設けられている。誘電仕切部材７３は例えば板状形状を有し、その厚み方向が電極７１の配列方向（ここでは移動方向Ｄ１）に沿う姿勢で設けられている。誘電仕切部材７３の主面は、例えば電極７１の長手方向に長い矩形形状を有する。

　図６の例では、誘電仕切部材７３の上端は電極７１の上端よりも上方に位置しており、誘電仕切部材７３の下端は電極７１の下端よりも下方に位置している。製造ばらつき等も考慮すると、例えば、複数の誘電仕切部材７３のうち最も低い上端位置が、複数の電極７１のうち最も高い上端位置よりも高く、複数の誘電仕切部材７３のうち最も高い下端位置が、複数の電極７１のうち最も低い下端位置よりも低い。

　このような誘電仕切部材７３が設けられていれば、複数の電極７１の相互間における絶縁距離を長くすることができる。これによれば、複数の電極７１の電圧を大きくしてプラズマをより効率的に発生させつつも、複数の電極７１の相互間におけるアーク放電の発生を抑制することができる。

　＜枠体＞
　図５の例では、誘電仕切部材７３は枠体７４に連結されている。枠体７４も、例えば、石英、セラミックス等の絶縁体（誘電体）によって形成され、例えば平面視において角型の環状形状を有している。枠体７４は平面視において複数の誘電仕切部材７３の周りを囲っており、各誘電仕切部材７３の長手方向の両端が枠体７４の内面に連結される。

　枠体７４は複数の電極７１もほぼ囲っている。図５の例では、連結部７１１ａ，７１１ｂは枠体７４よりも外側に位置しており、各電極７１ａ，７１ｃはその長手方向の一方側で枠体７４を貫通して連結部７１１ａに連結され、各電極７１ｂ，７１ｃはその長手方向の他方側で枠体７４を貫通して連結部７１１ｂに連結されている。図５の例では、電極７１の大部分が枠体７４の内部に位置しており、平面視において電界空間は枠体７４の内側に形成される。この枠体７４は例えばユニット本体６の側壁部６２の下端に連結される。

　ガスは枠体７４内において電極群７を通過する。具体的には、ガスは複数の電極７１および複数の誘電仕切部材７３の相互間の空間を下方に通過する。複数の電極７１の相互間の電界空間に生じる電界がガスに作用すると、ガスの一部が電離してプラズマが発生する。このプラズマの発生に際して種々の活性種が発生する。これらの活性種はガスの流れに沿って下方に移動し、基板Ｗの主面に向かって流出する。

　以上のように、ノズルヘッド３は処理液ノズル４およびプラズマ発生ユニット５によって、処理液およびガスを基板Ｗの主面に供給することができる。

　＜基板処理装置の動作＞
　次に基板処理装置１の動作の一例について説明する。図７は、基板処理装置１の動作の一例を示すフローチャートである。まず、未処理の基板Ｗが主搬送ロボット１２０によって基板処理装置１に搬入される（ステップＳ１）。ここでは、基板Ｗの上面にはレジストが形成されている。基板処理装置１の基板保持部２は、搬入された基板Ｗを保持する。次に基板保持部２は基板Ｗを回転軸線Ｑ１のまわりで回転させ始める（ステップＳ２）。

　次に薬液処理が行われる（ステップＳ３）。具体的には、まずヘッド移動機構３０がノズルヘッド３を待機位置から処理位置へと移動させる。次にバルブ４６，５２ａ，５２ｂが開き、電源８０が電極７１に電圧を印加し、ヘッド移動機構３０がノズルヘッド３を移動方向Ｄ１に沿って往復移動させる（いわゆるスキャン処理）。例えば、ヘッド移動機構３０は第１周縁位置と第２周縁位置との間でノズルヘッド３を往復移動させる。

　バルブ４６が開くことにより、処理液ノズル４の吐出口４ａから処理液（ここでは硫酸等の薬液）が基板Ｗの上面に向かって吐出される。回転中の基板Ｗの上面に着液した薬液は、基板Ｗの上面に沿って径方向外側に流れ、基板Ｗの周縁から外側に飛散する。

　バルブ５２ａ，５２ｂが開くことにより、ガス供給部５０から流入口６１１を経由してガス流路６０にガス（ここでは酸素含有ガスおよび希ガスの混合ガス）が供給される。より具体的には、流入口６１１ａ～６１１ｄを経由してガス分割流路６０ａ～６０ｄにガスが流入する。

　ここでは、処理液ノズル４から遠いガス分割流路６０ａ，６０ｄには第１流量でガスが供給され、処理液ノズル４に近いガス分割流路６０ｂ，６０ｃには、第１流量よりも大きい第２流量でガスが供給される。

　ガス分割流路６０ａ，６０ｂを下方に向かって流れるガスは第１板状体６４ａの複数の開口６４１を通過する。これにより、ガスが整流され、より均一に電極群７ａに向かって流れる。同様に、ガス分割流路６０ｃ，６０ｄを下方に向かって流れるガスは第１板状体６４ｂの複数の開口６４１を通過する。これにより、ガスが整流され、より均一に電極群７ｂに向かって流れる。

　電源８０は電極７１に電圧を印加するので、各電極群７ａ，７ｂにおいて電極７１の相互間の電界空間には電界が生じている。ガスが電界空間を通過する際に、ガスに電界が作用し、ガスの一部が電離してプラズマが発生する。このプラズマの発生に際して、電子衝突反応による分子および原子の解離および励起などの諸反応が生じ、反応性の高い中性ラジカル等の種々の活性種（例えば酸素ラジカル）が発生する。例えば、アルゴンガスが電界によってプラズマ化し、当該プラズマが酸素含有ガスに作用して酸素ラジカルを生成する。これらの活性種（例えば酸素ラジカル）はガスの流れに沿って移動し、基板Ｗの上面に向かって流出する。

　活性種は、基板Ｗの上面の薬液に作用する。例えば、酸素ラジカルが基板Ｗの上面の硫酸に作用すると、酸素ラジカルの酸化力により、ペルオキソ一硫酸（カロ酸）が生成される。ここで、硫酸を含有する処理液を用いる場合、硫酸の濃度は、硫酸の濃度が高いほど高い剥離力が期待され、９４～９８％の範囲が好ましく、９８％に近いほどより好ましい。カロ酸は基板Ｗの上面のレジストを効果的に除去することができる。換言すると、活性種が薬液に作用することにより、薬液の処理能力が向上する。

　活性種は基板Ｗの主面上の薬液のみならず、基板Ｗにも直接に作用し得る。例えば酸素ラジカルが基板Ｗのレジストに直接に作用することによっても、酸素ラジカルの酸化力により、レジストを除去することができる。

　基板Ｗのレジストが十分に除去されると、バルブ４６，５２ａ，５２ｂが閉じ、電源８０が電圧の出力を停止する。これにより、処理液ノズル４からの薬液の吐出が停止し、プラズマ発生ユニット５からのガスの流出も停止する。またヘッド移動機構３０はノズルヘッド３の往復移動を停止させる。これにより、実質的な薬液処理（ここではレジスト除去処理）が終了する。

　次にリンス処理が行われる（ステップＳ４）。具体的には、例えばヘッド移動機構３０は処理液ノズル４が基板Ｗの中央部と対向するようにノズルヘッド３を移動させ、基板処理装置１は例えば処理液ノズル４から基板Ｗの上面に向かってリンス液を吐出させる。これにより、基板Ｗの上面の薬液がリンス液に置換される。なお、ヘッド移動機構３０はこのリンス処理においても、ノズルヘッド３を往復移動させてもよい（いわゆるスキャン処理）。

　基板Ｗの上面の薬液が十分にリンス液に置換されると、処理液ノズル４からのリンス液の吐出を停止し、ヘッド移動機構３０はノズルヘッド３を待機位置へ移動させる。

　次に乾燥処理が行われる（ステップＳ５）。例えば基板保持部２は基板Ｗの回転速度を増加させる。これにより、基板Ｗの上面のリンス液が基板Ｗの周縁から振り切られて、基板Ｗが乾燥する（いわゆるスピン乾燥）。

　基板Ｗが乾燥すると、基板保持部２は基板Ｗの回転を終了させる（ステップＳ６）。次に処理済みの基板Ｗが主搬送ロボット１２０によって基板処理装置１から搬出される（ステップＳ７）。

　＜実施の形態の効果＞
　この基板処理装置１においては、処理液ノズル４およびプラズマ発生ユニット５が平面視において互いに隣り合って配置されている。よって、処理液ノズル４から吐出されて基板Ｗの主面で着液した処理液に、プラズマ発生ユニット５からのガスが供給される。これにより、活性種を基板Ｗの主面上の当該処理液に作用させることができる。よって、基板Ｗの主面において処理液の処理能力を向上させることができる。したがって、処理能力が向上した状態で処理液が基板Ｗの主面に作用し、より短時間で基板Ｗを処理することができる。また活性種が基板Ｗの主面に直接に作用し得るので、さらに短時間で基板Ｗを処理することができる。

　しかも、基板処理装置１では、処理液ノズル４およびプラズマ発生ユニット５が互いに一体に連結されている。よって、ヘッド移動機構３０は処理液ノズル４およびプラズマ発生ユニット５を一体に移動させることができる。よって、処理液およびガスの供給位置を基板Ｗの主面上で一体に移動させることができる。これによれば、簡易な構成でスキャン処理を行うことができる。すなわち、本実施の形態とは異なって、処理液ノズル４およびプラズマ発生ユニット５が互いに連結されていない場合、これらを個別に移動させる移動機構が必要となる。これに対して本実施の形態では、単一のヘッド移動機構３０で足りる。よって、簡易な構成でスキャン処理を行うことができ、装置サイズおよび製造コストを低減できる。

　そして、スキャン処理により、処理液およびガスを基板Ｗの主面の全面により均一に供給することができる。したがって、基板Ｗに対してより均一に処理を行うことができる。

　また上述の例では、電極群７の複数の電極７１は、平面視において並んで配列されている。例えば、水平方向に長い長尺形状を有する複数の電極７１がその短手方向（配列方向）において互いに間隔を空けて並んで配列されている。これによれば、電極群７の平面視における面積を容易に大きくすることができる。したがって、平面視において広い範囲でプラズマを発生させることができ、ひいては、活性種を基板Ｗの主面に対して広い範囲で供給することができる。よって、より均一に基板Ｗを処理することができる。

　また上述の例では、ガス流路６０および電極群７はノズルヘッド３の移動方向Ｄ１において、処理液ノズル４の隣り合う位置に設けられており、より具体的な一例として両側に設けられる。これにより、移動方向Ｄ１の処理液ノズル４の両側で活性種が基板Ｗの主面に供給される。ここで、平面視において活性種が供給される領域を流出領域と呼ぶと、処理液ノズル４の両側に流出領域が存在する。これによれば、ノズルヘッド３の往復移動中において、処理液ノズル４が処理液を吐出した直後に、いずれか一方の流出領域がその吐出位置に速やかに到達する。よって、基板Ｗの主面に着液して未だ活性種が作用してない処理液に対して、より速やかに活性種を作用させることができる。これにより、基板Ｗの処理時間を短縮することができる。

　また上述の例では、複数の開口６４１を有する第１板状体６４が電極群７に対して上流側に設けられている。これによれば、複数の開口６４１を通過したガスがより均一に電極群７を通過する。よって、より均一にガスが電界空間を通過し、より均一にプラズマが発生する。ひいては、より均一に活性種を生じさせて当該活性種をより均一に基板Ｗの主面に供給できる。よって、より均一に基板Ｗを処理することができる。

　また上述の例では、ガス流路６０を移動方向Ｄ１において複数のガス分割流路６０ａ～６０ｄに分割する流路仕切部６３が設けられている。これによれば、ガス分割流路６０ａ～６０ｄにおけるガスの流量を調整することが可能である。例えば、処理液ノズル４に近いガス分割流路６０ｂ，６０ｃにおけるガスの流速が、処理液ノズル４から遠いガス分割流路６０ａ，６０ｄにおけるガスの流速よりも高くなるように、各ガス分割流路６０ａ～６０ｄにおける流量を調整することができる。

　ところで、酸素ラジカル等の活性種は短時間で失活することが知られている。よって、ガスの流速が低いほど、活性種は基板Ｗの主面に到達する前に失活する可能性が高い。上述のようにガス分割流路６０ｂ，６０ｃのガスの流速が高ければ、処理液ノズル４に近い位置でより多くの活性種を基板Ｗの上面に到達させることができる。一方、ガス分割流路６０ａ，６０ｄのガスの流速は比較的に低いので、処理液ノズル４から遠い位置では、より少ない活性種が基板Ｗの上面に到達する。

　これによれば、処理液ノズル４から吐出されて基板Ｗの主面に着液した処理液に対して、まず、より多くの活性種を作用させることができる。つまり、処理液ノズル４から吐出されて未だ活性種が作用していない処理液に対してより多くの活性種を作用させ、一旦、活性種が作用した処理液には、より少ない活性種を作用させる。これによれば、処理液の処理能力をより速やかに向上させつつも、全てのガス分割流路６０ａ～６０ｄにおいて高い流速でガスを供給する場合に比して、ガスの消費量を低減させることができる。また一旦、活性種が作用した処理液に対して少ない活性種を作用させることにより、さらに均一に基板Ｗを処理することもできる。

　また上述の例では、電極７１の相互間に誘電仕切部材７３が設けられている。これによれば、電極７１に印加する電圧を大きくしてプラズマの発生を促進させつつも、電極７１の相互間におけるアーク放電を抑制することができる。

　＜電極群＞
　図８は、電極群７の構成の他の一例を概略的に示す断面図である。図８の例では、電極７１は断面矩形形状を有している。図８の例では、電極７１の鉛直方向の幅（つまり高さ）は、電極７１の配列方向（ここでは移動方向Ｄ１）の幅よりも広い。ガスは電極７１の相互間の電界空間を鉛直方向に沿って流れるので、電極７１の鉛直方向の幅が広ければ、より長い期間にわたってガスに電界を作用させることができる。これにより、鉛直方向においてより広い範囲でプラズマを発生させることができ、より多くの活性種を発生させることができる。

　図８の例では、誘電保護部材７２も断面矩形形状を有している。図８の例では、誘電保護部材７２の鉛直方向における幅（つまり高さ）も配列方向における幅よりも広い。これによれば、誘電保護部材７２の相互間を鉛直方向に沿って流れるガスの流れを整えることができる。

　図８の例では、誘電仕切部材７３が設けられていない。この場合には、誘電保護部材７２の配列方向における幅を比較的に広く設定することにより、電極７１の相互間のアーク放電を抑制することができる。

　＜開口の面積＞
　上述の例では、第１板状体６４の複数の開口６４１の平面視における面積は互いにほぼ同一である（図４参照）ものの、必ずしもこれに限らない。例えば、処理液ノズル４に近い開口６４１の面積を、処理液ノズル４から遠い開口６４１の面積よりも小さくしてもよい。

　図９は、ノズルヘッド３の構成の他の一例を概略的に示す断面図である。図９は、図３のＡ－Ａ断面の他の一例を示している。図９の例では、移動方向Ｄ１において処理液ノズル４に近いガス分割流路６０ｂ内の開口６４１の面積は、移動方向Ｄ１において処理液ノズル４から遠いガス分割流路６０ａ内の開口６４１の面積よりも小さい。ここで、ガス分割流路６０ｂ内の一つの開口６４１（以下、第１開口６４１と呼ぶ）と、ガス分割流路６０ａ内の一つの開口６４１（以下、第２開口６４１と呼ぶ）とに着目すると、次のように説明することができる。第１開口６４１と処理液ノズル４との移動方向Ｄ１における距離は、第２開口６４１と処理液ノズル４との移動方向Ｄ１のおける距離よりも短く、第１開口６４１の面積は第２開口６４１の面積よりも小さい。

　同様に、移動方向Ｄ１において処理液ノズル４に近いガス分割流路６０ｃ内の開口６４１の面積は、移動方向Ｄ１において処理液ノズル４から遠いガス分割流路６０ｄ内の開口６４１の面積よりも小さい。

　これによれば、移動方向Ｄ１において処理液ノズル４に近い位置で、ガスの流速を高めることができる。よって、基板Ｗの主面に着液した処理液に対してより速やかにより多くの活性種を作用させることができる。これにより、処理液の処理能力を速やかに向上させつつ、さらに均一に基板Ｗを処理することができる。

　＜第２の実施の形態＞
　図１０は、第２の実施の形態にかかる基板処理装置１の構成の一例を概略的に示す図である。第２の実施の形態にかかる基板処理装置１は、ユニット本体６の構成を除いて、第１の実施の形態にかかる基板処理装置１と同様の構成を有している。

　第２の実施の形態では、ユニット本体６は電極群７を収容している。つまり、電極群７はユニット本体６の内部に設けられている。図１０の例でも、電極群７として２つの電極群７ａ，７ｂが設けられている。電極群７ａはガス分割流路６０ａ，６０ｂよりも下流側において、ユニット本体６の内部に設けられる。電極群７ｂはガス分割流路６０ｃ，６０ｄよりも下流側において、ユニット本体６の内部に設けられる。

　ユニット本体６はシャッタ６５をさらに含んでいる。シャッタ６５は電極群７よりも下流側において側壁部６２の下端部に設けられている。シャッタ６５は制御部９０によって制御され、側壁部６２の下端部に形成されるガス流路６０の流出口を開閉する。図１０の例では、シャッタ６５として２つのシャッタ６５ａ，６５ｂが設けられている。シャッタ６５ａは電極群７ａよりも下流側に設けられ、シャッタ６５ｂは電極群７ｂよりも下流側に設けられる。シャッタ６５の構成は特に制限されないものの、以下にその一例について簡単に説明する。

　図１１は、ガス流路６０の流出口近傍の構成の一例を概略的に示す側断面図である。図１１の例では、ユニット本体６には、第２板状体６６が設けられている。第２板状体６６は電極群７よりもガス流路６０の下流側に設けられており、その厚み方向が鉛直方向に沿う姿勢で設けられる。ここでは、２つの電極群７ａ，７ｂが設けられるので、２つの第２板状体６６が設けられる。

　第２板状体６６の周縁はユニット本体６の側壁部６２と流路仕切部６３ｂに連結される。第２板状体６６には、ガス流路６０の流出口となる複数の開口６６１が形成されている。以下では、開口６６１を流出口６６１とも呼ぶ。複数の流出口６６１は第２板状体６６をその厚み方向に貫通する。複数の流出口６６１は平面視において、例えば２次元的に配列され、より具体的な一例としてマトリクス状に配列される。各流出口６６１は平面視において例えば円形形状を有する。

　シャッタ６５は流出口６６１の開閉を切り替える。シャッタ６５は例えば板状形状を有しており、その厚み方向が鉛直方向に沿う姿勢で配置される。シャッタ６５は例えば第２板状体６６と重なり合うように設けられる。シャッタ６５にも複数の開口６５１が設けられている。複数の開口６５１はシャッタ６５を鉛直方向に貫通する。複数の開口６５１は平面視において流出口６６１と同様の配列で形成される。複数の開口６５１は例えば円形形状を有し、開口６５１の径は例えば流出口６６１の径以上である。

　シャッタ６５は第２板状体６６に対して水平に移動可能に設けられている。シャッタ６５は、複数の開口６５１が複数の流出口６６１と水平方向においてずれた第１位置と、複数の開口６５１が複数の流出口６６１とそれぞれ向かい合う第２位置との間で往復移動することができる。第１位置では、シャッタ６５の開口６５１以外の部分が複数の流出口６６１と対向し、流出口６６１を閉じる。図１１では、シャッタ６５が第１位置で停止した状態を示している。第２位置では、シャッタ６５の開口６５１が対応する流出口６６１と向かい合い、流出口６６１が対応する開口６５１を通じて外部空間に繋がる。つまり、流出口６６１が開く。

　駆動部６７は制御部９０によって制御され、シャッタ６５を駆動することができる。例えば駆動部６７はシャッタ６５を第１位置と第２位置との間で往復移動させる。駆動部６７は例えばボールねじ機構またはエアシリンダなどの駆動機構を有する。

　なお、シャッタ６５は開口６５１を有さない板状形状を有していてもよい。この場合、例えば駆動部６７は、シャッタ６５が第２板状体６６と鉛直方向で対向しない位置と、第２板状体６６と対向する位置との間で、シャッタ６５を往復移動させてもよい。

　シャッタ６５が流出口６６１を閉じているときには、ガス供給部５０から供給されたガスがユニット本体６のガス流路６０内に滞留する。これにより、ガス流路６０内で活性種の量（活性種の濃度）を増やすことができる。そして、この状態でシャッタ６５が流出口６６１を開くことにより、より多くの活性種をプラズマ発生ユニット５の流出口６６１から流出させることができる。

　第２の実施の形態にかかる基板処理装置１の動作の一例は図７と同様である。ただし、薬液処理（ステップＳ３）の開始時において、シャッタ６５が流出口６６１を閉じ、かつ、バルブ４６が閉じた状態で、まずバルブ５２ａ，５２ｂが開く。これにより、処理液の供給に先立って、ガス供給部５０からプラズマ発生ユニット５にガスが供給される。このガスはガス流路６０内で滞留する。また、電源８０が電極７１に電圧を印加する。これにより、電極群７の周囲の電界空間においてガスの一部が電離してプラズマが発生する。このプラズマの発生に際して活性種も生じる。シャッタ６５が閉じているので、電界空間に滞留するガスは比較的に長期間にわたって電界の作用を受けるので、より多くのプラズマが発生するとともに、当該プラズマの発生に際して、より多くの活性種が生成される。

　続いて、バルブ４６を開いて処理液ノズル４から処理液を基板Ｗの主面に供給させるとともに、シャッタ６５を開いてガスを基板Ｗの主面に供給させ、ヘッド移動機構３０がノズルヘッド３を移動方向Ｄ１に沿って往復移動させる。シャッタ６５が開くことにより、ガス流路６０内に滞留したより多くの活性種が基板Ｗの主面に向かって流出する。よって、より多くの活性種が基板Ｗの主面上の処理液および基板Ｗの主面に作用する。これによって、処理液の処理能力をさらに向上させることができる。また、基板Ｗの主面に直接に作用する活性種も多くなる。これらにより、基板Ｗの処理時間をさらに短縮することができる。

　また上述の例では、複数の流出口６６１が設けられているので、活性種をより均一に基板Ｗの主面に供給することもできる。

　薬液処理（ステップＳ３）において、シャッタ６５を間欠的に開いてもよい。つまり、シャッタ６５の開閉を所定時間ごとに交互に切り替えてもよい。シャッタ６５が流出口６６１を閉じることにより、ガスはガス流路６０内で滞留するので、より多くの活性種が発生し、シャッタ６５が流出口６６１を開くことにより、その多くの活性種をガスの流れに沿って流出口６６１から基板Ｗの主面に供給することができる。

　また上述の例では、電極群７と基板Ｗとの間にシャッタ６５が設けられるので、電極群７が基板Ｗからより遠い位置に設けられる。よって、電極群７の周囲の電界空間で発生したプラズマは基板Ｗに到達しにくい。よって、プラズマによる基板Ｗのダメージを抑制することができる。

　＜流出口の面積＞
　第２板状体６６の複数の流出口６６１の平面視における面積は互いにほぼ同一であってもよく、あるいは、例えば、処理液ノズル４に近い流出口６６１の面積を、処理液ノズル４から遠い流出口６６１の面積よりも小さくしてもよい。

　図１２は、ノズルヘッド３の構成の他の一例を概略的に示す断面図である。図１２は図１０のＢ－Ｂ断面を示している。図１２の例では、各第２板状体６６の複数の流出口６６１は移動方向Ｄ１において複数列（図の例では５列）に配列されている。そして、移動方向Ｄ１において処理液ノズル４に近い３列の流出口６６１の面積は、当該３列よりも処理液ノズル４から遠い２列の流出口６６１の面積よりも小さい。ここで、当該３列に属する一つの流出口６６１（以下、第１流出口６６１と呼ぶ）と、当該２列に属する一つの流出口６６１（以下、第２流出口６６１と呼ぶ）とに着目すると、次のように説明することができる。第１流出口６６１と処理液ノズル４との移動方向Ｄ１における距離は、第２流出口６６１と処理液ノズル４との移動方向Ｄ１のおける距離よりも短く、第１流出口６６１の面積は第２流出口６６１の面積よりも小さい。

　これによれば、移動方向Ｄ１において処理液ノズル４により近い位置で、ガスの流速をより高めることができる。よって、基板Ｗの主面に着液した直後の処理液に対してより速やかにより多くの活性種を作用させることができる。

　＜第３の実施の形態＞
　第３の実施の形態にかかる基板処理装置１の構成の一例は、電極群７を除いて、第１または第２の実施の形態にかかる基板処理装置１と同様の構成を有している。第３の実施の形態では、電界空間の電界強度分布を調整する。具体的には、電極群７は、処理液ノズル４に近い空間においてより高い電界強度で電界を印加し、処理液ノズル４から遠い空間においてより低い電界強度で電界を印加する。

　図１３は、電極群７の構成の他の一例を概略的に示す平面図である。図１３の例でも、複数の電極７１として４つの電極７１ａ～７１ｄが設けられている。電極７１ａ～７１ｄは移動方向Ｄ１において処理液ノズル４に近い側からこの順で並んで配置される。つまり、電極７１ａが最も処理液ノズル４に近く、電極７１ｄが処理液ノズル４から最も遠い。したがって、電極７１ａ，７１ｂによって形成される電界空間と処理液ノズル４との距離は、電極７１ｂ，７１ｃによって形成される電界空間との間の距離よりも短く、電極７１ｂ，７１ｃによって形成される電界空間と処理液ノズル４との距離は、電極７１ｃ，７１ｄによって形成される電界空間との間の距離よりも短い。また、ここでは、電極７１ａ～７１ｄの相互間の間隔は互いにほぼ同じである。

　図１３の例では、電極７１ｃと電源８０の第１出力端８１との間に抵抗８３が設けられている。この抵抗８３に電流が流れると電圧降下が生じる。一方、電極７１ａと電源８０の第１出力端８１との間には抵抗８３は設けられていない。つまり、処理液ノズル４に近い電極７１ａと第１出力端８１との間の抵抗値は、処理液ノズル４から遠い電極７１ｃと第１出力端８１との間の抵抗値よりも小さい。このような接続関係によれば、電極７１ａ，７１ｂの間の電圧の大きさは、電極７１ｂ，７１ｃの間の電圧の大きさよりも大きい。したがって、電極７１ａ，７１ｂの間の電界空間には、電極７１ｂ，７１ｃの間の電界空間の電界強度よりも高い電界強度で電界が印加される。

　また図１３の例では、各電極７１ｂ，７１ｄと電源８０の第２出力端８２との間には抵抗８３が設けられておらず、電極７１ｂと第２出力端８２との間の抵抗値は電極７１ｄと第２出力端８２との間の抵抗値とほぼ同じである。よって、電極７１ｂ，７１ｃの間の電圧の大きさも電極７１ｃ，７１ｄの間の電圧の大きさとほぼ同じである。したがって、電極７１ｃ，７１ｄの間の電界空間の電界強度は、電極７１ｂ，７１ｃの間の電界空間の電界強度とほぼ同じである。

　この電極群７によれば、処理液ノズル４に近い電極７１ａ，７１ｂの間の電界空間を通過するガスには、高い電界強度の電界が作用する。よって、処理液ノズルに近い位置でより多くのプラズマが発生し、より多くの活性種が生じる。処理液ノズル４から遠い電極７１ｂ～７１ｃの相互間の電界空間を通過するガスには、より低い電界強度の電界が作用する。よって、処理液ノズル４から遠い位置ではより少ない活性種が生じる。

　以上のように第３の実施の形態によれば、処理液ノズル４に近い位置で多くの活性種を発生させることができる。よって、処理液ノズル４から吐出されて基板Ｗの主面に着液した処理液に対して、より速やかに多くの活性種を作用させることができる。したがって、処理液の処理能力を速やかに向上させることができる。

　なお、図１３において、電極７１ｄも抵抗８３を介して電源８０の第２出力端８２に接続されていてもよい。これによれば、電極７１ｂ，７１ｃの間の電界空間の電界強度を、電極７１ｂ，７１ｃの間の電界空間の電界強度よりも高くすることができる。

　図１４は、電極群７の構成の他の一例を概略的に示す平面図である。図１４の例では、電源８０として電源８０ａ，８０ｂが設けられている。電極７１ａは電源８０ａの第１出力端８１に接続され、電極７１ｂは電源８０ａの第２出力端８２に接続されており、電極７１ｃは電源８０ｂの第１出力端８１に接続され、電極７１ｄは電源８０ｂの第２出力端８２に接続されている。つまり、処理液ノズル４に近い電極７１ａ，７１ｂは電源８０ａに接続され、処理液ノズル４から遠い電極７１ｃ，７１ｄは電源８０ａとは異なる電源８０ｂに接続される。

　これによれば、電極７１ａ，７１ｂの間の電圧と、電極７１ｃ，７１ｄの間の電圧とを互いに独立に制御することができる。具体的には、電源８０ａは電源８０ｂよりも大きな電圧を出力する。これにより、処理液ノズル４に近い電極７１ａ，７１ｂの間の電界空間における電界強度を、処理液ノズル４から遠い電極７１ｃ，７１ｄの間の電界空間における電界強度よりも高くすることができる。

　図１５は、電極群７の構成の他の一例を概略的に示す平面図である。図１５の例では、電極７１ａ，７１ｃは電源８０の第１出力端８１に接続されており、電極７１ｂ，７１ｄは電源８０の第２出力端８２に接続されている。ここでは、電極７１の相互間に印加される電圧の大きさは互いにほぼ同じである。

　図１５の例では、電極７１の相互間の間隔は、処理液ノズル４に近づくにつれて狭くなっている。言い換えれば、電極７１の空間密度は、処理液ノズル４に近づくにつれて高くなっている。具体的には、電極７１ａ，７１ｂの間の間隔は電極７１ｂ，７１ｃの間の間隔よりも狭く、電極７１ｂ，７１ｃの間の間隔は電極７１ｃ，７１ｄの間の間隔よりも狭い。

　これによれば、処理液ノズル４に近い電極７１ａ，７１ｂの間の電圧空間には、より高い電界強度で電界を印加することができる。一方で、電極７１ｂ，７１ｃの間の電圧空間には、電極７１ａ，７１ｂの間の電圧空間における電界強度よりも低い電界強度で電界が印加される。同様に、電極７１ｃ，７１ｄの間の電界空間には、電極７１ｂ，７１ｃの間の電界空間の電界強度よりも低い電界強度で電界を印加される。

　＜第４の実施の形態＞
　第４の実施の形態にかかる基板処理装置１は、プラズマ発生ユニット５を除いて、第１または第２の実施の形態にかかる基板処理装置１と同様の構成を有している。図１６は、ノズルヘッド３の構成の一例を概略的に示す図であり、図３のＡ－Ａ断面を示す。

　第４の実施の形態では、ユニット本体６の側壁部６２は、処理液ノズル４を囲む円筒形状を有している。側壁部６２の上端はユニット本体６の上面部６１に連結され、上面部６１は平面視において例えば円形形状を有する。

　第４の実施の形態でも、ユニット本体６の上面部６１および側壁部６２の内部空間がガス流路６０に相当する。図１６の例では、流路仕切部６３はガス流路６０を径方向において複数のガス分割流路６０ａ，６０ｂに仕切っている。具体的には、流路仕切部６３も、処理液ノズル４を囲む円筒形状を有しており、処理液ノズル４と側壁部６２と間に設けられる。つまり、流路仕切部６３の内径は処理液ノズル４の外径よりも大きく、流路仕切部６３の外径は側壁部６２の内径よりも小さい。流路仕切部６３の上端は上面部６１の下面に連結される。

　ガス分割流路６０ａ，６０ｂは平面視において円環形状を有しており、ガス分割流路６０ａはガス分割流路６０ｂよりも径方向内側に位置している。ガス分割流路６０ａ，６０ｂはそれぞれ上面部６１に形成された流入口６１１からガスが供給される。ガス供給部５０は、処理液ノズル４に近いガス分割流路６０ａを流れるガスの流速が、処理液ノズル４から遠いガス分割流路６０ｂを流れるガスの流速よりも高くなるように、ガス分割流路６０ａ，６０ｂにおけるガスの流量を調整するとよい。

　第１板状体６４は円環状の板状形状を有し、その厚み方向が鉛直方向に沿う姿勢で配置される。第１板状体６４は側壁部６２と処理液ノズル４との間に設けられる。第１板状体６４には複数の開口６４１が設けられている。複数の開口６４１は２次元的に配列されており、ガス分割流路６０ａ，６０ｂを流れるガスが複数の開口６４１を通過することにより、より均一にガスが電極群７に供給される。

　図１７は、電極群７の構成の一例を概略的に示す平面図である。この電極群７も複数の電極７１を有しており、各電極７１はその長手方向に長い長尺形状を有している。複数の電極７１はその長手方向に直交する水平な方向（ここでは移動方向Ｄ１）に沿って配列される。

　図１７の例では、複数の電極７１として６つの電極７１ａ～７１ｆが設けられている。電極７１ａ～７１ｆは配列方向（ここでは移動方向Ｄ１）の一方側から他方側にこの順で設けられている。電極７１ａ～７１ｃは処理液ノズル４に対して一方側に位置し、電極７１ｄ～７１ｆは処理液ノズル４に対して他方側に位置する。

　配列方向の一方側から奇数番目に配置された電極７１ａ，７１ｃ，７１ｅは電源８０の第１出力端８１に接続され、偶数番目に配置された電極７１ｂ，７１ｄ，７１ｆは電源８０の第２出力端８２に接続される。図１７の例では、電極７１ａ，７１ｃ，７１ｅの長手方向の一方側の端部は連結部７１１ａを介して互いに連結される。連結部７１１ａは円弧状の板状形状を有し、例えば電極７１ａ，７１ｃ，７１ｅと同一材料で一体に構成される。電極７１ｂ，７１ｄ，７１ｆの長手方向の他方側の端部は連結部７１１ｂを介して互いに連結される。連結部７１１ｂは円弧状の板状形状を有し、例えば電極７１ｂ，７１ｄ，７１ｆと同一材料で一体に構成される。連結部７１１ａ，７１１ｂはそれぞれ引き出し線を介して第１出力端８１および第２出力端８２に接続される。

　図１７では、電極７１の長手方向の長さは互いに相違している。これは、ガス流路６０から流入するガスに対して電極群７が電界を印加すればよいので、ガスが通過する通過領域のみに電極７１があればよいからである。つまり、図１６の例では、ガス分割流路６０ａ，６０ｂは平面視において全体として円領域に含まれおり、この円領域がおおよその通過領域に相当する。よって、電極群７も平面視において当該円領域に電界を印加できればよく、この円領域よりも外側に電界を印加する必要性は高くない。そこで、電極７１の先端が当該円領域よりも外側まで突出しないように電極７１の長さを適宜に調整し、不要な電界の発生を抑制しているのである。図１７の例では、電極７１は処理液ノズル４に近いほど長くなっている。

　図１７の例でも、電極７１の相互間には誘電仕切部材７３が設けられており、枠体７４に連結される。図１７の例では、枠体７４は円環状の形状を有し、ユニット本体６の側壁部６２に連結される。

　以上のように、第４の実施の形態では、ガス流路６０が処理液ノズル４を囲む筒状形状を有しており（図１６参照）、電極群７も処理液ノズル４の周囲のほぼ全周に設けられる（図１７参照）。よって、プラズマ発生ユニット５は処理液ノズル４のまわりの全周において、ガスを基板Ｗの主面に向かって供給できる。これによれば、より等方的に基板Ｗに対して活性種を供給することができる。

　また第４の実施の形態でも、ガス流路６０および電極群７の一部は移動方向Ｄ１において処理液ノズル４と隣り合って設けられ、具体的には、移動方向Ｄ１において処理液ノズル４の両側に設けられる。よって、ノズルヘッド３の往復移動中において、処理液が基板Ｗの主面に着液した直後に、その処理液に対して活性種を作用させることができる。

　以上のように、基板処理装置１は詳細に説明されたが、上記の説明は、全ての局面において、例示であって、この基板処理装置１がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この開示の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。上記各実施の形態および各変形例で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わせたり、省略したりすることができる。

　例えば流路仕切部６３、第１板状体６４、第２板状体６６および誘電仕切部材７３の少なくともいずれか一つは設けられていなくてもよい。流路仕切部６３が設けられた場合、その個数は１以上であればよい。また流路仕切部６３は、ガス流路を、処理液ノズル４に近いガス分割流路と、処理液ノズル４から遠いガス分割流路とに分割するとよく、その仕切方向は、移動方向Ｄ１以外の水平方向であってもよい。電極７１の配列方向も移動方向Ｄ１に限らず、平面視において任意の方向に配列されればよい。電極７１は必ずしも同一平面に設けられる必要はなく、電極７１の鉛直方向の位置が互いに相違していてもよい。

　また基板Ｗに対する処理は必ずしもレジスト除去処理に限らない。例えば、活性種により処理液の処理能力を向上させることができる全ての処理に適用可能である。

　１　基板処理装置
　２　基板保持部
　３０　ヘッド移動機構
　４　処理液ノズル
　５　プラズマ発生ユニット
　５０　ガス供給部
　６　ユニット本体
　６０　ガス流路
　６０ａ～６０ｄ　ガス分割流路
　６２，６２ａ～６２ｃ　流路仕切部
　６３　誘電仕切部材
　６４，６４ａ，６４ｂ　第１板状体
　６４１　開口（第１開口、第２開口）
　６５　シャッタ
　６６，６６ａ，６６ｂ　第２板状体
　６６１　流出口（第１流出口、第２流出口）
　７　電極群
　７１　電極
　Ｄ１　移動方向
　Ｑ１　回転軸線
　Ｗ　基板

Claims

　基板を保持しつつ、前記基板の中心部を通る回転軸線のまわりで前記基板を回転させる基板保持部と、
　前記基板保持部によって保持された前記基板の主面に向かって処理液を吐出する処理液ノズルと、
　前記回転軸線に沿う平面視において前記処理液ノズルと隣り合う位置に設けられ、前記処理液ノズルと一体に連結されたプラズマ発生ユニットと、
　ヘッド移動機構と
を備え、
　前記プラズマ発生ユニットは、
　ガスが流れるガス流路を形成するユニット本体と、
　前記ガス流路の下流側に設けられた複数の電極を有する電極群と
を含み、前記電極群によって形成されたプラズマ用の電界空間を経由した前記ガスを、前記基板保持部によって保持された前記基板の前記主面に供給し、
　前記ヘッド移動機構は、前記処理液ノズルおよび前記プラズマ発生ユニットを、前記基板保持部によって保持された前記基板の前記主面に沿う移動方向に一体的に往復移動させる、基板処理装置。
　請求項１に記載の基板処理装置であって、
　前記複数の電極は平面視において互いに間隔を空けて並んで設けられている、基板処理装置。
　請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、
　前記電極群は、前記移動方向において、前記処理液ノズルと隣り合う位置に設けられている、基板処理装置。
　請求項３に記載の基板処理装置であって、
　前記電極群は、前記移動方向において、前記処理液ノズルの両側に設けられている、基板処理装置。
　請求項１から請求項４のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
　前記複数の電極の相互間に設けられた誘電仕切部材をさらに備える、基板処理装置。
　請求項１から請求項５のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
　前記移動方向に直交する方向における前記ガス流路の流出口の幅は、前記基板の直径以上である、基板処理装置。
　請求項１から請求項６のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
　前記ユニット本体は、水平な仕切方向において、前記ガス流路を複数のガス分割流路に仕切る流路仕切部を含む、基板処理装置。
　請求項７に記載の基板処理装置であって、
　前記ガス流路に前記ガスを供給するガス供給部を備え、
　前記複数のガス分割流路は、第１ガス分割流路と、第２ガス分割流路とを含み、
　前記第１ガス分割流路と前記処理液ノズルとの間の距離は、前記第２ガス分割流路と前記処理液ノズルとの間の距離よりも短く、
　前記ガス供給部は、前記第１ガス分割流路における前記ガスの第１流速が前記第２ガス分割流路における前記ガスの第２流速よりも高くなるように、前記第１ガス分割流路および前記第２ガス分割流路に前記ガスを供給する、基板処理装置。
　請求項１から請求項８のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
　前記ユニット本体は、前記ガス流路において前記電極群よりも上流側に設けられ、前記電極群と向かい合う複数の開口を有する第１板状体をさらに含む、基板処理装置。
　請求項９に記載の基板処理装置であって、
　前記複数の開口は、第１開口と、第２開口とを含み、
　前記第１開口と前記処理液ノズルとの距離は、前記第２開口と前記処理液ノズルとの間の距離よりも短く、
　前記第１開口の面積は前記第２開口の面積よりも小さい、基板処理装置。
　請求項１から請求項１０のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
　前記ユニット本体は、前記電極群よりも下流側に設けられた前記ガス流路の流出口を開閉するシャッタをさらに含む、基板処理装置。
　請求項１１に記載の基板処理装置であって、
　前記ユニット本体は、前記ガス流路の流出口として複数の流出口を有する第２板状体をさらに含む、基板処理装置。
　請求項１２に記載の基板処理装置であって、
　前記複数の流出口は、第１流出口と、第２流出口とを含み、
　前記第１流出口と前記処理液ノズルとの間の距離は、前記第２流出口と前記処理液ノズルとの間の距離よりも短く、
　前記第１流出口の面積は前記第２流出口の面積よりも小さい、基板処理装置。
　請求項１から請求項１３のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
　前記複数の電極の相互間の前記電界空間のうち第１電界空間と前記処理液ノズルとの間の距離は、前記電界空間のうち第２電界空間と前記処理液ノズルとの間の距離よりも短く、
　前記第１電界空間には、前記第２電界空間に印加される電界の電界強度よりも高い電界強度で電界が印加される、基板処理装置。
　請求項１４に記載の基板処理装置であって、
　前記複数の電極のうち前記第１電界空間を形成する２つの電極間に印加される電圧の大きさは、前記複数の電極のうち前記第２電界空間を形成する２つの電極間に印加される電圧の大きさよりも大きい、基板処理装置。
　請求項１４または請求項１５に記載の基板処理装置であって、
　前記複数の電極のうち前記第１電界空間を形成する２つの電極の間隔は、前記複数の電極のうち前記第２電界空間を形成する２つの電極の間隔よりも狭い、基板処理装置。