WO2022019104A1 - Substrate processing device, substrate processing method, and program - Google Patents

Substrate processing device, substrate processing method, and program Download PDF

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supply nozzle
developer
transport mechanism
supply
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徹也 佐田
広 永田
豊 麻生
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東京エレクトロン株式会社
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    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

Definitions

  • the substrate processing apparatus includes a transport mechanism and a supply nozzle.
  • the transport mechanism flat-flows and transports the substrate on which the exposed photoresist film is formed on the surface.
  • the supply nozzle fills the substrate transported by the transport mechanism with the developer.
  • the transport mechanism transports the substrate on which the developer is filled by the supply nozzle in a forward-down state.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment.
  • the excimer UV irradiation unit 20 irradiates the substrate S with ultraviolet light from an ultraviolet light lamp that emits ultraviolet light, and removes organic substances adhering to the substrate S.
  • the second processing station 5 performs processing including development.
  • the second processing station 5 includes a developing unit 40, a second heating unit (HT) 41, a third cooling unit (COL) 42, an inspection unit (IP) 43, and a roller transfer mechanism 44 (see FIG. 2). To prepare for.
  • These units 40 to 43 are arranged in the order of the developing unit 40, the second heating unit 41, the third cooling unit 42, and the inspection unit 43 in the direction from the interface station 4 toward the cassette station 2.
  • the control device 6 is, for example, a computer, and includes a control unit 6A and a storage unit 6B.
  • the storage unit 6B is realized by, for example, a semiconductor memory element such as a RAM (Random Access Memory) or a flash memory (Flash Memory), or a storage device such as a hard disk or an optical disk.
  • the program is recorded on a storage medium that can be read by a computer, and may be installed from the storage medium in the storage unit 6B of the control device 6.
  • Examples of storage media that can be read by a computer include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnetic optical disk (MO), and a memory card.
  • the basic configuration of the roller transport mechanism 44 is the same as that of the roller transport mechanism 29 (see FIG. 2) in the first processing station 3. As shown by the arrow N in FIG. 1, the roller transport mechanism 44 transports the substrate S from the developing unit 40 to the inspection unit 43.
  • the roller transport mechanism 44 (an example of the transport mechanism) flatly flows and transports the substrate S on which the exposed photoresist film is formed on the surface.
  • the roller transport mechanism 44 includes a plurality of rollers 44a (an example of a support portion) that support the substrate S from below.
  • the developing unit 40 includes a developing processing unit 50, a rinsing processing unit 51, and a drying processing unit 52.
  • the developing processing unit 50, the rinsing processing unit 51, and the drying processing unit 52 are arranged in the order of the developing processing unit 50, the rinsing processing unit 51, and the drying processing unit 52 along the transport direction of the substrate S.
  • the developing unit 40 includes, for example, an FFU (Fan Filter Unit), an exhaust mechanism, and the like in order to suppress the scattering of the developing solution.
  • the second supply nozzle 61 is provided so as to supply the developer diagonally forward to the substrate S.
  • the second supply nozzle 61 is provided so as to be inclined so that the discharge angle ⁇ of the developer with respect to the vertical direction becomes a given second discharge angle.
  • the given second discharge angle is a preset angle and is larger than the given first discharge angle. That is, the discharge angle ⁇ of the second supply nozzle 61 with respect to the vertical direction is larger than the discharge angle ⁇ of the first supply nozzle 60 with respect to the vertical direction.
  • the given second ejection angle is an angle at which the developer can be spilled downward from the front end of the substrate S in the transport direction of the substrate S.
  • the substrate S is in a downward-sloping state until the front end of the substrate S on which the developer is filled by the first supply nozzle 60 is conveyed by a given distance, and the developer is supplied from the second supply nozzle 61. .. Therefore, the developer spills downward from the front end of the substrate S.
  • the control device 6 supplies the developer to the substrate S (S101). Specifically, the control device 6 supplies the developer to the substrate S by the first supply nozzle 60, and fills the substrate S with the developer. Further, the control device 6 supplies the developer to the substrate S on which the developer is filled by the first supply nozzle 60 by the second supply nozzle 61.

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Abstract

A substrate processing device according to an embodiment of the present invention is provided with a conveyance mechanism (44) and a supply nozzle (60). The conveyance mechanism conveys, in a flat floating manner, a substrate (S) having a surface on which a photoresist film exposed to light is formed. The supply nozzle applies a developer to the substrate conveyed by the conveyance mechanism. The conveyance mechanism conveys the substrate to which the developer is applied by the supply nozzle, with the front part of the substrate being lowered.

Description

基板処理装置、基板処理方法およびプログラムBoard processing equipment, board processing methods and programs
　本開示は、基板処理装置、基板処理方法およびプログラムに関する。 This disclosure relates to a substrate processing apparatus, a substrate processing method and a program.
　特許文献１には、表面が現像液によって覆われた基板を搬送機構によって搬送する現像装置が開示されている。 Patent Document 1 discloses a developing device that conveys a substrate whose surface is covered with a developer by a conveying mechanism.
特開２０１２－１２４３０９号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2012-124309
　本開示は、現像の均一性を向上させる技術を提供する。 The present disclosure provides a technique for improving the uniformity of development.
　本開示の一態様による基板処理装置は、搬送機構と、供給ノズルとを備える。搬送機構は、露光されたフォトレジスト膜が表面に形成された基板を平流し搬送する。供給ノズルは、搬送機構によって搬送される基板に現像液を液盛りする。搬送機構は、供給ノズルによって現像液が液盛りされた基板を前下がりの状態で搬送する。 The substrate processing apparatus according to one aspect of the present disclosure includes a transport mechanism and a supply nozzle. The transport mechanism flat-flows and transports the substrate on which the exposed photoresist film is formed on the surface. The supply nozzle fills the substrate transported by the transport mechanism with the developer. The transport mechanism transports the substrate on which the developer is filled by the supply nozzle in a forward-down state.
　本開示によれば、現像の均一性を向上させることができる。 According to the present disclosure, the uniformity of development can be improved.
図１は、実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す模式図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment. 図２は、実施形態に係るコロ搬送機構による基板搬送を示す模式図である。FIG. 2 is a schematic view showing substrate transfer by the roller transfer mechanism according to the embodiment. 図３は、実施形態に係る現像ユニットの概略構成を示す模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram showing a schematic configuration of a developing unit according to an embodiment. 図４は、実施形態に係る第１供給ノズル、および第２供給ノズル付近の現像処理部の構成を示す模式図である。FIG. 4 is a schematic view showing the configuration of the first supply nozzle and the development processing unit in the vicinity of the second supply nozzle according to the embodiment. 図５は、実施形態に係る現像処理部において現像液が液盛りされる基板の搬送状態を示す図（その１）である。FIG. 5 is a diagram (No. 1) showing a transport state of the substrate on which the developer is filled in the developing processing unit according to the embodiment. 図６は、実施形態に係る現像処理部において現像液が液盛りされる基板の搬送状態を示す図（その２）である。FIG. 6 is a diagram (No. 2) showing a transport state of the substrate on which the developer is filled in the developing processing unit according to the embodiment. 図７は、実施形態に係る現像液の液盛り処理を説明するフローチャートである。FIG. 7 is a flowchart illustrating the liquid filling process of the developer according to the embodiment.
　以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理装置、基板処理方法およびプログラムの実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態により開示される基板処理装置、基板処理方法およびプログラムが限定されるものではない。 Hereinafter, embodiments of the substrate processing apparatus, substrate processing method, and program disclosed in the present application will be described in detail with reference to the attached drawings. The substrate processing apparatus, substrate processing method, and program disclosed by the following embodiments are not limited.
＜全体構成＞
　実施形態に係る基板処理装置１について図１を参照し説明する。図１は、実施形態に係る基板処理装置１の概略構成を示す模式図である。 <Overall configuration>
The substrate processing apparatus 1 according to the embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a schematic diagram showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment.
　基板処理装置１は、カセットステーション２と、第１処理ステーション３と、インターフェースステーション４と、第２処理ステーション５と、制御装置６とを備える。 The board processing device 1 includes a cassette station 2, a first processing station 3, an interface station 4, a second processing station 5, and a control device 6.
　カセットステーション２には、複数のガラス基板Ｓ（以下、「基板Ｓ」と称する。）を収容するカセットＣが載置される。カセットステーション２は、複数のカセットＣを載置可能な載置台１０と、カセットＣと第１処理ステーション３との間、および第２処理ステーション５とカセットＣとの間で基板Ｓの搬送を行う搬送装置１１とを備える。 A cassette C accommodating a plurality of glass substrates S (hereinafter referred to as "substrate S") is placed in the cassette station 2. The cassette station 2 transports the substrate S between the mounting table 10 on which a plurality of cassettes C can be placed, between the cassette C and the first processing station 3, and between the second processing station 5 and the cassette C. A transport device 11 is provided.
　搬送装置１１は、搬送アーム１１ａを備える。搬送アーム１１ａは、水平方向および鉛直方向への移動、および鉛直軸を中心とする旋回が可能である。 The transport device 11 includes a transport arm 11a. The transport arm 11a is capable of moving in the horizontal and vertical directions and turning around the vertical axis.
　第１処理ステーション３は、基板Ｓにフォトレジストの塗布を含む処理を行う。第１処理ステーション３は、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ－ＵＶ）２０と、スクラブ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１と、プレヒートユニット（ＰＨ）２２と、アドヒージョンユニット（ＡＤ）２３と、第１冷却ユニット（ＣＯＬ）２４とを備える。これらのユニット２０～２４は、カセットステーション２からインターフェースステーション４に向かう方向に、配置される。具体的には、エキシマＵＶ照射ユニット２０、スクラブ洗浄ユニット２１、プレヒートユニット２２、アドヒージョンユニット２３、および第１冷却ユニット２４の順に配置される。 The first processing station 3 performs processing including coating of a photoresist on the substrate S. The first processing station 3 includes an excimer UV irradiation unit (e-UV) 20, a scrub cleaning unit (SCR) 21, a preheat unit (PH) 22, an adhesion unit (AD) 23, and a first cooling unit. (COL) 24 is provided. These units 20 to 24 are arranged in the direction from the cassette station 2 to the interface station 4. Specifically, the excimer UV irradiation unit 20, the scrub cleaning unit 21, the preheat unit 22, the adhesion unit 23, and the first cooling unit 24 are arranged in this order.
　また、第１処理ステーション３は、フォトレジスト塗布ユニット（ＣＴ）２５と、減圧乾燥ユニット（ＤＰ）２６と、第１加熱ユニット（ＨＴ）２７と、第２冷却ユニット（ＣＯＬ）２８とを備える。これらのユニット２５～２８は、第１冷却ユニット２４からインターフェースステーション４に向かう方向に、フォトレジスト塗布ユニット２５、減圧乾燥ユニット２６、第１加熱ユニット２７、第２冷却ユニット２８の順に配置される。また、第１処理ステーション３は、コロ搬送機構（図２参照）２９と、搬送装置３０とを備える。 Further, the first processing station 3 includes a photoresist coating unit (CT) 25, a vacuum drying unit (DP) 26, a first heating unit (HT) 27, and a second cooling unit (COL) 28. These units 25 to 28 are arranged in the order of the photoresist coating unit 25, the vacuum drying unit 26, the first heating unit 27, and the second cooling unit 28 in the direction from the first cooling unit 24 toward the interface station 4. Further, the first processing station 3 includes a roller transfer mechanism (see FIG. 2) 29 and a transfer device 30.
　エキシマＵＶ照射ユニット２０は、紫外域光を発する紫外域光ランプから基板Ｓに対して紫外域光を照射し、基板Ｓ上に付着した有機物を除去する。 The excimer UV irradiation unit 20 irradiates the substrate S with ultraviolet light from an ultraviolet light lamp that emits ultraviolet light, and removes organic substances adhering to the substrate S.
　スクラブ洗浄ユニット２１は、有機物が除去された基板Ｓに、洗浄液（例えば、脱イオン水（ＤＩＷ））を供給しつつ、ブラシなどの洗浄部材によって基板Ｓの表面を洗浄する。またスクラブ洗浄ユニット２１は、ブロワーなどによって洗浄した基板Ｓを乾燥させる。 The scrub cleaning unit 21 cleans the surface of the substrate S with a cleaning member such as a brush while supplying a cleaning liquid (for example, deionized water (DIW)) to the substrate S from which organic substances have been removed. Further, the scrub cleaning unit 21 dries the substrate S cleaned by a blower or the like.
　プレヒートユニット２２は、スクラブ洗浄ユニット２１によって乾燥された基板Ｓをさらに加熱し、基板Ｓをさらに乾燥させる。 The preheat unit 22 further heats the substrate S dried by the scrub cleaning unit 21 to further dry the substrate S.
　アドヒージョンユニット２３は、乾燥された基板Ｓにヘキサメチルジシラン（ＨＭＤＳ）を吹き付けて、基板Ｓに疎水化処理を行う。 The adhesion unit 23 sprays hexamethyldisilane (HMDS) on the dried substrate S to hydrophobize the substrate S.
　第１冷却ユニット２４は、疎水化処理が行われた基板Ｓに冷風を吹き付けて基板Ｓを冷却する。 The first cooling unit 24 cools the substrate S by blowing cold air on the substrate S that has been hydrophobized.
　フォトレジスト塗布ユニット２５は、冷却された基板Ｓ上にフォトレジスト液を供給し、基板Ｓ上にフォトレジスト膜を形成する。 The photoresist coating unit 25 supplies a photoresist liquid on the cooled substrate S and forms a photoresist film on the substrate S.
　減圧乾燥ユニット２６は、基板Ｓ上に形成されたフォトレジスト膜を減圧雰囲気下で乾燥させる。 The vacuum drying unit 26 dries the photoresist film formed on the substrate S under a reduced pressure atmosphere.
　第１加熱ユニット２７は、フォトレジスト膜が乾燥された基板Ｓを加熱し、フォトレジスト膜に含まれる溶剤などを除去する。 The first heating unit 27 heats the substrate S on which the photoresist film has been dried, and removes the solvent and the like contained in the photoresist film.
　第２冷却ユニット２８は、溶剤などを除去した基板Ｓに冷風を吹き付けて基板Ｓを冷却する。 The second cooling unit 28 cools the substrate S by blowing cold air onto the substrate S from which the solvent and the like have been removed.
　ここで、コロ搬送機構２９について、図２を参照し説明する。図２は、実施形態に係るコロ搬送機構２９による基板搬送を示す模式図である。 Here, the roller transport mechanism 29 will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a schematic view showing substrate transfer by the roller transfer mechanism 29 according to the embodiment.
　コロ搬送機構２９は、複数のコロ２９ａと、複数の駆動装置２９ｂとを備える。コロ２９ａは、基板Ｓの下面を支持する。すなわち、複数のコロ２９ａは、基板Ｓを下方から支持する。コロ搬送機構２９は、駆動装置２９ｂによってコロ２９ａを回転させ、コロ２９ａの回転に伴い基板Ｓを搬送する。すなわち、コロ搬送機構２９は、基板Ｓを平流し搬送する。駆動装置２９ｂは、例えば、電動モータである。 The roller transport mechanism 29 includes a plurality of rollers 29a and a plurality of drive devices 29b. The roller 29a supports the lower surface of the substrate S. That is, the plurality of rollers 29a support the substrate S from below. The roller transfer mechanism 29 rotates the rollers 29a by the drive device 29b, and conveys the substrate S as the rollers 29a rotate. That is, the roller transport mechanism 29 flat-flows and transports the substrate S. The drive device 29b is, for example, an electric motor.
　コロ搬送機構２９は、図１において矢印Ｌで示すように、基板ＳをエキシマＵＶ照射ユニット２０から第１冷却ユニット２４まで搬送する。また、コロ搬送機構２９は、図１において矢印Ｍで示すように、基板Ｓを第１加熱ユニット２７から第２冷却ユニット２８まで搬送する。 The roller transport mechanism 29 transports the substrate S from the excimer UV irradiation unit 20 to the first cooling unit 24, as shown by the arrow L in FIG. Further, the roller transport mechanism 29 transports the substrate S from the first heating unit 27 to the second cooling unit 28, as shown by an arrow M in FIG.
　図１に戻り、搬送装置３０は、搬送アーム３０ａを備える。搬送アーム３０ａは、水平方向および鉛直方向への移動、および鉛直軸を中心とする旋回が可能である。 Returning to FIG. 1, the transfer device 30 includes a transfer arm 30a. The transport arm 30a is capable of moving in the horizontal and vertical directions and turning around the vertical axis.
　搬送装置３０は、第１冷却ユニット２４からフォトレジスト塗布ユニット２５に基板Ｓを搬送する。搬送装置３０は、フォトレジスト塗布ユニット２５から減圧乾燥ユニット２６に基板Ｓを搬送する。また、搬送装置３０は、減圧乾燥ユニット２６から第１加熱ユニット２７に基板Ｓの搬送を行う。搬送装置３０は、複数の搬送アームを備えてもよく、各ユニット間での基板Ｓの搬送を異なる搬送アームで行ってもよい。 The transport device 30 transports the substrate S from the first cooling unit 24 to the photoresist coating unit 25. The transport device 30 transports the substrate S from the photoresist coating unit 25 to the vacuum drying unit 26. Further, the transfer device 30 transfers the substrate S from the vacuum drying unit 26 to the first heating unit 27. The transfer device 30 may include a plurality of transfer arms, and may transfer the substrate S between the units with different transfer arms.
　インターフェースステーション４では、第１処理ステーション３によってフォトレジスト膜が形成された基板Ｓが外部露光装置８、および第２処理ステーション５に搬送される。インターフェースステーション４は、搬送装置３１と、ロータリーステージ（ＲＳ）３２とを備える。 At the interface station 4, the substrate S on which the photoresist film is formed by the first processing station 3 is conveyed to the external exposure apparatus 8 and the second processing station 5. The interface station 4 includes a transfer device 31 and a rotary stage (RS) 32.
　外部露光装置８は、外部装置ブロック８Ａと、露光装置８Ｂとを備える。外部装置ブロック８Ａは、基板Ｓの外周部のフォトレジスト膜を周辺露光装置（ＥＥ）によって除去する。また、外部装置ブロック８Ａは、露光装置８Ｂで回路パターンに露光された基板Ｓにタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）によって所定の情報を書き込む。 The external exposure device 8 includes an external device block 8A and an exposure device 8B. The external device block 8A removes the photoresist film on the outer peripheral portion of the substrate S by a peripheral exposure device (EE). Further, the external device block 8A writes predetermined information on the substrate S exposed to the circuit pattern by the exposure device 8B by a TITTLer.
　露光装置８Ｂは、回路パターンに対応したパターンを有するフォトマスクを用いてフォトレジスト膜を露光する。 The exposure apparatus 8B exposes the photoresist film using a photomask having a pattern corresponding to the circuit pattern.
　搬送装置３１は、搬送アーム３１ａを備える。搬送アーム３１ａは、水平方向および鉛直方向への移動、および鉛直軸を中心とする旋回が可能である。 The transport device 31 includes a transport arm 31a. The transport arm 31a can move in the horizontal direction and the vertical direction, and can rotate around the vertical axis.
　搬送装置３１は、第２冷却ユニット２８からロータリーステージ３２に基板Ｓを搬送する。また、搬送装置３１は、ロータリーステージ３２から外部装置ブロック８Ａの周辺露光装置に基板Ｓを搬送し、外周部のフォトレジスト膜が除去された基板Ｓを露光装置８Ｂに搬送する。 The transport device 31 transports the substrate S from the second cooling unit 28 to the rotary stage 32. Further, the transfer device 31 conveys the substrate S from the rotary stage 32 to the peripheral exposure device of the external device block 8A, and conveys the substrate S from which the photoresist film on the outer peripheral portion has been removed to the exposure device 8B.
　また、搬送装置３１は、回路パターンに露光された基板Ｓを露光装置８Ｂから外部装置ブロック８Ａのタイトラーに基板Ｓを搬送する。そして、搬送装置３１は、所定の情報が書き込まれた基板Ｓをタイトラーから第２処理ステーション５の現像ユニット（ＤＥＶ）４０に搬送する。 Further, the transport device 31 transports the substrate S exposed to the circuit pattern from the exposure device 8B to the titer of the external device block 8A. Then, the transport device 31 transports the substrate S on which the predetermined information is written from the titler to the developing unit (DEV) 40 of the second processing station 5.
　第２処理ステーション５は、現像を含む処理を行う。第２処理ステーション５は、現像ユニット４０と、第２加熱ユニット（ＨＴ）４１と、第３冷却ユニット（ＣＯＬ）４２と、検査ユニット（ＩＰ）４３と、コロ搬送機構４４（図２参照）とを備える。これらのユニット４０～４３は、インターフェースステーション４からカセットステーション２に向かう方向に、現像ユニット４０、第２加熱ユニット４１、第３冷却ユニット４２、および検査ユニット４３の順に配置される。 The second processing station 5 performs processing including development. The second processing station 5 includes a developing unit 40, a second heating unit (HT) 41, a third cooling unit (COL) 42, an inspection unit (IP) 43, and a roller transfer mechanism 44 (see FIG. 2). To prepare for. These units 40 to 43 are arranged in the order of the developing unit 40, the second heating unit 41, the third cooling unit 42, and the inspection unit 43 in the direction from the interface station 4 toward the cassette station 2.
　現像ユニット４０は、露光されたフォトレジスト膜を現像液により現像する。また、現像ユニット４０は、フォトレジスト膜を現像した基板Ｓ上の現像液をリンス液によって洗い流し、リンス液を乾燥させる。なお、現像ユニット４０の構成について、後述する。 The developing unit 40 develops the exposed photoresist film with a developing solution. Further, the developing unit 40 rinses the developing solution on the substrate S on which the photoresist film is developed with a rinsing solution, and dries the rinsing solution. The configuration of the developing unit 40 will be described later.
　第２加熱ユニット４１は、リンス液が乾燥された基板Ｓを加熱し、フォトレジスト膜に残る溶剤、およびリンス液を除去する。 The second heating unit 41 heats the substrate S on which the rinsing liquid has been dried, and removes the solvent remaining on the photoresist film and the rinsing liquid.
　第３冷却ユニット４２は、溶剤、およびリンス液が除去された基板Ｓに冷風を吹き付けて基板Ｓを冷却する。 The third cooling unit 42 cools the substrate S by blowing cold air on the substrate S from which the solvent and the rinsing liquid have been removed.
　検査ユニット４３は、冷却された基板Ｓに対して、フォトレジストパターン（ライン）の限界寸法（ＣＤ）の測定などの検査を行う。 The inspection unit 43 inspects the cooled substrate S, such as measuring the limit dimension (CD) of the photoresist pattern (line).
　検査ユニット４３によって検査が行われた基板Ｓは、搬送装置１１の搬送アーム１１ａによって第２処理ステーション５からカセットステーション２のカセットＣに搬送される。 The substrate S inspected by the inspection unit 43 is conveyed from the second processing station 5 to the cassette C of the cassette station 2 by the transfer arm 11a of the transfer device 11.
　制御装置６は、例えば、コンピュータであり、制御部６Ａと記憶部６Ｂとを備える。記憶部６Ｂは、例えば、ＲＡＭ（Random　Access　Memory）、フラッシュメモリ（Flash　Memory）などの半導体メモリ素子、または、ハードディスク、光ディスクなどの記憶装置によって実現される。 The control device 6 is, for example, a computer, and includes a control unit 6A and a storage unit 6B. The storage unit 6B is realized by, for example, a semiconductor memory element such as a RAM (Random Access Memory) or a flash memory (Flash Memory), or a storage device such as a hard disk or an optical disk.
　制御部６Ａは、ＣＰＵ（Central　Processing　Unit）、ＲＯＭ（Read　Only　Memory）、ＲＡＭ、入出力ポート等を含むマイクロコンピュータや各種回路を含む。マイクロコンピュータのＣＰＵは、ＲＯＭに記憶されているプログラムを読み出して実行することにより、各ステーション２～５の制御を実現する。 The control unit 6A includes a microcomputer including a CPU (Central Processing Unit), a ROM (Read Only Memory), a RAM, an input / output port, and various circuits. The CPU of the microcomputer realizes the control of each station 2 to 5 by reading and executing the program stored in the ROM.
　なお、プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されており、記憶媒体から制御装置６の記憶部６Ｂにインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。 The program is recorded on a storage medium that can be read by a computer, and may be installed from the storage medium in the storage unit 6B of the control device 6. Examples of storage media that can be read by a computer include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnetic optical disk (MO), and a memory card.
　コロ搬送機構４４の基本的な構成は、第１処理ステーション３におけるコロ搬送機構２９（図２参照）と同じ構成である。コロ搬送機構４４は、図１において矢印Ｎで示すように、現像ユニット４０から検査ユニット４３まで基板Ｓを搬送する。コロ搬送機構４４（搬送機構の一例）は、露光されたフォトレジスト膜が表面に形成された基板Ｓを平流し搬送する。コロ搬送機構４４は、基板Ｓを下方から支持する複数のコロ４４ａ（支持部の一例）を備える。 The basic configuration of the roller transport mechanism 44 is the same as that of the roller transport mechanism 29 (see FIG. 2) in the first processing station 3. As shown by the arrow N in FIG. 1, the roller transport mechanism 44 transports the substrate S from the developing unit 40 to the inspection unit 43. The roller transport mechanism 44 (an example of the transport mechanism) flatly flows and transports the substrate S on which the exposed photoresist film is formed on the surface. The roller transport mechanism 44 includes a plurality of rollers 44a (an example of a support portion) that support the substrate S from below.
　コロ搬送機構４４は、現像ユニット４０に設けられたコロ４４ａの一部の高さを変更することができる。コロ４４ａの高さ変更については、後述する。また、コロ搬送機構４４は、基板Ｓを一定の速度で搬送する。コロ搬送機構４４によって搬送される基板Ｓの搬送方向において、基板Ｓが進む方向、すなわち検査ユニット４３を「前方」とする。 The roller transport mechanism 44 can change the height of a part of the rollers 44a provided in the developing unit 40. The height change of the roller 44a will be described later. Further, the roller transport mechanism 44 transports the substrate S at a constant speed. In the transport direction of the substrate S transported by the roller transport mechanism 44, the direction in which the substrate S advances, that is, the inspection unit 43 is defined as "forward".
＜現像ユニット＞
　次に、現像ユニット４０について、図３を参照し説明する。図３は、実施形態に係る現像ユニット４０の概略構成を示す模式図である。図３では、コロ搬送機構４４などの一部構成は省略する。以下では、基板Ｓの搬送方向に対して直交する基板Ｓの面方向を、幅方向として説明する。なお、幅方向は、コロ搬送機構４４のコロ４４ａの回転軸に対して平行である。 <Development unit>
Next, the development unit 40 will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a schematic diagram showing a schematic configuration of the developing unit 40 according to the embodiment. In FIG. 3, a partial configuration of the roller transport mechanism 44 and the like is omitted. Hereinafter, the plane direction of the substrate S orthogonal to the transport direction of the substrate S will be described as the width direction. The width direction is parallel to the rotation axis of the roller 44a of the roller transport mechanism 44.
　現像ユニット４０は、現像処理部５０と、リンス処理部５１と、乾燥処理部５２とを備える。現像処理部５０、リンス処理部５１、および乾燥処理部５２は、基板Ｓの搬送方向に沿って現像処理部５０、リンス処理部５１、および乾燥処理部５２の順に配置される。なお、詳しい説明は省略するが、現像ユニット４０は、例えば、現像液の飛散を抑制するために、ＦＦＵ（Fan　Filter　Unit）や、排気機構などを備える。 The developing unit 40 includes a developing processing unit 50, a rinsing processing unit 51, and a drying processing unit 52. The developing processing unit 50, the rinsing processing unit 51, and the drying processing unit 52 are arranged in the order of the developing processing unit 50, the rinsing processing unit 51, and the drying processing unit 52 along the transport direction of the substrate S. Although detailed description is omitted, the developing unit 40 includes, for example, an FFU (Fan Filter Unit), an exhaust mechanism, and the like in order to suppress the scattering of the developing solution.
　現像処理部５０は、チャンバー内を搬送される基板Ｓに対して現像処理を行う。現像処理部５０は、第１供給ノズル６０と、第２供給ノズル６１と、エアナイフ６２とを備える。 The development processing unit 50 performs development processing on the substrate S conveyed in the chamber. The developing processing unit 50 includes a first supply nozzle 60, a second supply nozzle 61, and an air knife 62.
　第１供給ノズル６０は、幅方向に沿って延設される。第１供給ノズル６０は、コロ搬送機構４４によって搬送される基板Ｓに向けて現像液を供給する。第１供給ノズル６０（供給ノズルの一例）は、コロ搬送機構４４（搬送機構の一例）によって搬送される基板Ｓに現像液を液盛りする。第１供給ノズル６０には、幅方向に沿ってスリット状の吐出口６０ａ（図４参照）が形成される。 The first supply nozzle 60 is extended along the width direction. The first supply nozzle 60 supplies the developer toward the substrate S transported by the roller transport mechanism 44. The first supply nozzle 60 (an example of a supply nozzle) fills the substrate S conveyed by the roller transfer mechanism 44 (an example of a transfer mechanism) with the developer. A slit-shaped discharge port 60a (see FIG. 4) is formed in the first supply nozzle 60 along the width direction.
　第２供給ノズル６１は、基板Ｓの搬送方向において第１供給ノズル６０よりも下流側に、第１供給ノズル６０と隣接して設けられる。第２供給ノズル６１には、幅方向に沿ってスリット状の吐出口６１ａ（図４参照）が形成される。第２供給ノズル６１は、第１供給ノズル６０によって液盛りされた基板Ｓに現像液を供給する。第２供給ノズル６１における単位時間当たりの現像液の流量は、第１供給ノズル６０における単位時間当たりの現像液の流量よりも多い。また、第２供給ノズル６１における現像液の流速は、第１供給ノズル６０における現像液の流速よりも大きい。 The second supply nozzle 61 is provided adjacent to the first supply nozzle 60 on the downstream side of the first supply nozzle 60 in the transport direction of the substrate S. A slit-shaped discharge port 61a (see FIG. 4) is formed in the second supply nozzle 61 along the width direction. The second supply nozzle 61 supplies the developer to the substrate S filled with the liquid by the first supply nozzle 60. The flow rate of the developer in the second supply nozzle 61 per unit time is larger than the flow rate of the developer in the first supply nozzle 60 per unit time. Further, the flow velocity of the developer in the second supply nozzle 61 is larger than the flow velocity of the developer in the first supply nozzle 60.
　第１供給ノズル６０、および第２供給ノズル６１には、現像液供給ライン６９ａを介して現像液供給源７０から現像液が供給される。現像液供給ライン６９ａには、流量制御弁６９ｂ、６９ｃや、開閉弁６９ｄなどが設けられ、第１供給ノズル６０、および第２供給ノズル６１から吐出される現像液の流量などが制御される。第１供給ノズル６０、および第２供給ノズル６１付近の構成については、後述する。 The developer is supplied to the first supply nozzle 60 and the second supply nozzle 61 from the developer supply source 70 via the developer supply line 69a. The developer supply line 69a is provided with flow rate control valves 69b, 69c, an on-off valve 69d, and the like, and controls the flow rate of the developer discharged from the first supply nozzle 60 and the second supply nozzle 61. The configuration near the first supply nozzle 60 and the second supply nozzle 61 will be described later.
　エアナイフ６２は、幅方向に沿って延設される。エアナイフ６２には、幅方向に沿ってスリット状の吐出口（不図示）が形成される。エアナイフ６２は、基板Ｓの搬送方向において第２供給ノズル６１よりも下流側に設けられる。具体的には、エアナイフ６２は、基板Ｓの搬送方向において現像処理部５０の下流端に設けられる。 The air knife 62 is extended along the width direction. The air knife 62 is formed with a slit-shaped discharge port (not shown) along the width direction. The air knife 62 is provided on the downstream side of the second supply nozzle 61 in the transport direction of the substrate S. Specifically, the air knife 62 is provided at the downstream end of the developing processing unit 50 in the transport direction of the substrate S.
　エアナイフ６２は、基板Ｓに液盛りされた現像液に向けて空気を吐出し、基板Ｓに液盛りされた現像液を液切りする。すなわち、エアナイフ６２は、吐出口から空気を吹き出して、エアカーテンを生成し、生成したエアカーテンによって基板Ｓに液盛りされた現像液を液切りする。 The air knife 62 discharges air toward the developer filled in the substrate S, and drains the developer filled in the substrate S. That is, the air knife 62 blows out air from the discharge port to generate an air curtain, and the generated air curtain drains the developer liquid filled on the substrate S.
　エアナイフ６２には、エア供給ライン７１ａを介してエア供給源７２から圧縮空気が供給される。エア供給ライン７１ａには、流量制御弁７１ｂや、開閉弁７１ｃなどが設けられる。 Compressed air is supplied to the air knife 62 from the air supply source 72 via the air supply line 71a. The air supply line 71a is provided with a flow rate control valve 71b, an on-off valve 71c, and the like.
　リンス処理部５１は、現像処理部５０によって現像された基板Ｓをリンス液によって洗浄するリンス処理を行う。リンス処理部５１は、リンス液供給ノズル７５を備える。 The rinsing unit 51 performs a rinsing process for cleaning the substrate S developed by the developing unit 50 with a rinsing solution. The rinsing unit 51 includes a rinsing liquid supply nozzle 75.
　リンス液供給ノズル７５は、幅方向に沿って延設される。リンス液供給ノズル７５は、基板Ｓの搬送方向においてリンス処理部５１の上流端に設けられる。リンス液供給ノズル７５は、エアナイフ６２に隣接して設けられる。すなわち、リンス液供給ノズル７５は、基板Ｓの搬送方向においてエアナイフ６２の直後に設けられる。 The rinse liquid supply nozzle 75 is extended along the width direction. The rinse liquid supply nozzle 75 is provided at the upstream end of the rinse processing unit 51 in the transport direction of the substrate S. The rinse liquid supply nozzle 75 is provided adjacent to the air knife 62. That is, the rinse liquid supply nozzle 75 is provided immediately after the air knife 62 in the transport direction of the substrate S.
　リンス液供給ノズル７５には、リンス液供給ライン７８ａを介してリンス液供給源７７からリンス液が供給される。リンス液供給ライン７８ａには、流量制御弁７８ｂや、開閉弁７８ｃなどが設けられる。 The rinse liquid is supplied to the rinse liquid supply nozzle 75 from the rinse liquid supply source 77 via the rinse liquid supply line 78a. The rinse liquid supply line 78a is provided with a flow rate control valve 78b, an on-off valve 78c, and the like.
　乾燥処理部５２は、リンス処理部５１によって洗浄された基板Ｓに対して乾燥処理を行う。 The drying processing unit 52 performs a drying treatment on the substrate S washed by the rinsing processing unit 51.
＜第１供給ノズル、および第２供給ノズル付近の現像処理部の構成＞
　次に、第１供給ノズル６０、および第２供給ノズル６１付近の現像処理部５０の構成について、図４を参照し説明する。図４は、実施形態に係る第１供給ノズル６０、および第２供給ノズル６１付近の現像処理部５０の構成を示す模式図である。 <Structure of the development processing unit near the first supply nozzle and the second supply nozzle>
Next, the configuration of the development processing unit 50 near the first supply nozzle 60 and the second supply nozzle 61 will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a schematic view showing the configuration of the first supply nozzle 60 and the development processing unit 50 in the vicinity of the second supply nozzle 61 according to the embodiment.
　第１供給ノズル６０は、基板Ｓに対して斜め前方に向けて現像液を供給するように設けられる。第１供給ノズル６０は、鉛直方向に対する現像液の吐出角度αが所与の第１吐出角度となるように傾斜して設けられる。所与の第１吐出角度は、予め設定された角度であり、基板Ｓに現像液を液盛りするための角度である。 The first supply nozzle 60 is provided so as to supply the developer diagonally forward to the substrate S. The first supply nozzle 60 is provided so as to be inclined so that the discharge angle α of the developer with respect to the vertical direction becomes a given first discharge angle. The given first discharge angle is a preset angle, which is an angle for filling the developer S on the substrate S.
　第２供給ノズル６１は、基板Ｓに対して斜め前方に向けて現像液を供給するように設けられる。第２供給ノズル６１は、鉛直方向に対する現像液の吐出角度βが所与の第２吐出角度となるように傾斜して設けられる。 The second supply nozzle 61 is provided so as to supply the developer diagonally forward to the substrate S. The second supply nozzle 61 is provided so as to be inclined so that the discharge angle β of the developer with respect to the vertical direction becomes a given second discharge angle.
　所与の第２吐出角度は、予め設定された角度であり、所与の第１吐出角度よりも大きい。すなわち、鉛直方向に対する第２供給ノズル６１の吐出角度βは、鉛直方向に対する第１供給ノズル６０の吐出角度αよりも大きい。所与の第２吐出角度は、基板Ｓの搬送方向における基板Ｓの前端から現像液を下方にこぼすことができる角度である。 The given second discharge angle is a preset angle and is larger than the given first discharge angle. That is, the discharge angle β of the second supply nozzle 61 with respect to the vertical direction is larger than the discharge angle α of the first supply nozzle 60 with respect to the vertical direction. The given second ejection angle is an angle at which the developer can be spilled downward from the front end of the substrate S in the transport direction of the substrate S.
　具体的には、所与の第２吐出角度は、第１供給ノズル６０によって現像液が液盛りされた後に、基板Ｓの前端が所与の距離搬送されるまで基板Ｓの前端から現像液が下方にこぼすことができる角度である。第２供給ノズル６１は、搬送方向における基板Ｓの前端から現像液が下方にこぼれるように現像液を供給する。 Specifically, at a given second discharge angle, after the developer is filled with the first supply nozzle 60, the developer is discharged from the front end of the substrate S until the front end of the substrate S is conveyed by a given distance. The angle at which it can be spilled downwards. The second supply nozzle 61 supplies the developer so that the developer spills downward from the front end of the substrate S in the transport direction.
　所与の距離は、例えば、第１供給ノズル６０の下方からの距離であり、予め設定された距離である。所与の距離は、基板Ｓの前端付近において現像液が渦を巻いて対流する渦流の発生が抑制される距離である。なお、基板Ｓの前端と供給ノズル６０、６１との距離が長くなると、渦流の発生が抑制される。 The given distance is, for example, a distance from below the first supply nozzle 60, which is a preset distance. The given distance is a distance at which the generation of a vortex in which the developer swirls and convects in the vicinity of the front end of the substrate S is suppressed. When the distance between the front end of the substrate S and the supply nozzles 60 and 61 becomes long, the generation of eddy current is suppressed.
　第２供給ノズル６１の吐出口６１ａの高さは、第１供給ノズル６０の吐出口６０ａの高さよりも低い。 The height of the discharge port 61a of the second supply nozzle 61 is lower than the height of the discharge port 60a of the first supply nozzle 60.
　コロ搬送機構４４は、複数のコロ４４ａの一部を上下方向に移動可能となるように設けられる。すなわち、複数のコロ４４ａ（支持部の一例）の一部（以下、「コロ４４ｂ」と称する。）は、高さを変更可能である。コロ４４ｂは、基板Ｓの搬送方向において、第１供給ノズル６０よりも下流側に設けられる。コロ４４ｂは、第１供給ノズル６０によって現像液が液盛りされた後に、基板Ｓの前端が所与の距離搬送されるまで基板Ｓの前端から現像液が下方にこぼすことができるように設けられる。コロ４４ｂは、電動モータなどによって上下方向に移動される。 The roller transport mechanism 44 is provided so that a part of the plurality of rollers 44a can be moved in the vertical direction. That is, the height of a part of the plurality of rollers 44a (an example of the support portion) (hereinafter, referred to as "rollers 44b") can be changed. The roller 44b is provided on the downstream side of the first supply nozzle 60 in the transport direction of the substrate S. The rollers 44b are provided so that after the developer is filled with the first supply nozzle 60, the developer can be spilled downward from the front end of the substrate S until the front end of the substrate S is conveyed by a predetermined distance. .. The roller 44b is moved in the vertical direction by an electric motor or the like.
　ここで、現像液が液盛りされる基板Ｓの搬送状態について図５、および図６を参照し説明する。図５は、実施形態に係る現像処理部５０において現像液が液盛りされる基板Ｓの搬送状態を示す図（その１）である。図６は、実施形態に係る現像処理部５０において現像液が液盛りされる基板Ｓの搬送状態を示す図（その２）である。 Here, the transport state of the substrate S on which the developer is filled will be described with reference to FIGS. 5 and 6. FIG. 5 is a diagram (No. 1) showing a transport state of the substrate S on which the developer is filled in the developing processing unit 50 according to the embodiment. FIG. 6 is a diagram (No. 2) showing a transport state of the substrate S on which the developer is filled in the developing processing unit 50 according to the embodiment.
　第１供給ノズル６０によって現像液が液盛りされた基板Ｓには、第２供給ノズル６１からさらに現像液が供給される。コロ搬送機構４４は、第１供給ノズル６０によって現像液が液盛りされた基板Ｓを前下がりの状態で搬送する。具体的には、コロ搬送機構４４は、コロ４４ｂの高さをコロ４４ａの高さよりも低くする。コロ搬送機構４４（搬送機構の一例）は、図５に示すように、現像液が液盛りされた後に、基板Ｓの前端が所与の距離搬送されるまで基板Ｓを前下がりの状態で搬送する。 The developer is further supplied from the second supply nozzle 61 to the substrate S on which the developer is filled with the first supply nozzle 60. The roller transport mechanism 44 transports the substrate S on which the developer is filled by the first supply nozzle 60 in a forward-down state. Specifically, the roller transport mechanism 44 makes the height of the roller 44b lower than the height of the roller 44a. As shown in FIG. 5, the roller transfer mechanism 44 (an example of the transfer mechanism) conveys the substrate S in a forward-down state until the front end of the substrate S is conveyed by a predetermined distance after the developer is filled. do.
　前下がりの状態とは、基板Ｓの搬送方向において基板Ｓの前端の高さが低くなる状態である。すなわち、前下がりの状態とは、基板Ｓにおいて、前端となるにつれて基板Ｓの高さが低くなる状態である。なお、前下がりの状態は、基板Ｓの前端側の一部が、前端となるにつれて基板Ｓの高さが低くなる状態を含む。 The front-down state is a state in which the height of the front end of the substrate S is lowered in the transport direction of the substrate S. That is, the front-down state is a state in which the height of the substrate S decreases toward the front end of the substrate S. It should be noted that the front-down state includes a state in which the height of the substrate S becomes lower as a part of the front end side of the substrate S becomes the front end.
　第１供給ノズル６０によって現像液が液盛りされた基板Ｓの前端が、所与の距離搬送されるまで、基板Ｓは、前下がりの状態となり、第２供給ノズル６１から現像液が供給される。そのため、基板Ｓの前端から下方に現像液がこぼれる。 The substrate S is in a downward-sloping state until the front end of the substrate S on which the developer is filled by the first supply nozzle 60 is conveyed by a given distance, and the developer is supplied from the second supply nozzle 61. .. Therefore, the developer spills downward from the front end of the substrate S.
　コロ搬送機構４４（搬送機構の一例）は、基板Ｓの前端が所与の距離搬送された後に、基板Ｓを水平にする。具体的には、図６に示すように、コロ４４ｂ（複数の支持部の一部の一例）の高さは、基板Ｓの前端が所与の距離搬送された後に高くなる。これによって、基板Ｓの前端から下方に現像液がこぼれずに、基板Ｓが搬送方向に搬送される。なお、第２供給ノズル６１から供給される現像液の流量などは、基板Ｓの前端が所与の距離搬送された後に、基板Ｓの前端から下方に現像液がこぼれないように、制御されてもよい。 The roller transfer mechanism 44 (an example of the transfer mechanism) makes the substrate S horizontal after the front end of the substrate S has been conveyed by a given distance. Specifically, as shown in FIG. 6, the height of the roller 44b (an example of a part of a plurality of support portions) is increased after the front end of the substrate S is conveyed by a given distance. As a result, the substrate S is conveyed in the conveying direction without spilling the developer downward from the front end of the substrate S. The flow rate of the developer supplied from the second supply nozzle 61 is controlled so that the developer does not spill downward from the front end of the substrate S after the front end of the substrate S is conveyed by a predetermined distance. May be good.
＜現像液の液盛り処理＞
　次に、実施形態に係る現像液の液盛り処理について図７を参照し説明する。図７は、実施形態に係る現像液の液盛り処理を説明するフローチャートである。現像液の液盛り処理は、制御装置６によって実行される。 <Developer filling process>
Next, the liquid filling process of the developer according to the embodiment will be described with reference to FIG. 7. FIG. 7 is a flowchart illustrating the liquid filling process of the developer according to the embodiment. The liquid filling process of the developer is executed by the control device 6.
　制御装置６は、コロ搬送機構４４によって基板Ｓを現像処理部５０に搬送する（Ｓ１００）。制御装置６は、コロ搬送機構４４のコロ４４ｂの高さをコロ４４ａよりも低い状態にし、コロ４４ａとコロ４４ｂとによって段差を付ける。 The control device 6 transports the substrate S to the developing processing unit 50 by the roller transport mechanism 44 (S100). The control device 6 sets the height of the roller 44b of the roller transport mechanism 44 to be lower than that of the roller 44a, and creates a step between the roller 44a and the roller 44b.
　制御装置６は、基板Ｓに現像液を供給する（Ｓ１０１）。具体的には、制御装置６は、第１供給ノズル６０によって基板Ｓに現像液を供給し、基板Ｓに現像液を液盛りする。また、制御装置６は、第１供給ノズル６０によって現像液が液盛りされた基板Ｓに、第２供給ノズル６１によって現像液を供給する。 The control device 6 supplies the developer to the substrate S (S101). Specifically, the control device 6 supplies the developer to the substrate S by the first supply nozzle 60, and fills the substrate S with the developer. Further, the control device 6 supplies the developer to the substrate S on which the developer is filled by the first supply nozzle 60 by the second supply nozzle 61.
　制御装置６は、第１供給ノズル６０によって液盛りされた後に、基板Ｓの前端が所与の距離搬送された場合には（Ｓ１０２：Ｙｅｓ）、コロ搬送機構４４のコロ４４ｂの高さを高くし、基板Ｓを水平にする（Ｓ１０３）。制御装置６は、例えば、センサからの信号や、基板Ｓの搬送速度に基づいて、基板Ｓの前端の位置を検出する。 When the front end of the substrate S is transported by a given distance (S102: Yes) after the liquid is filled by the first supply nozzle 60, the control device 6 increases the height of the rollers 44b of the roller transport mechanism 44. Then, the substrate S is made horizontal (S103). The control device 6 detects the position of the front end of the substrate S, for example, based on the signal from the sensor and the transport speed of the substrate S.
　制御装置６は、第１供給ノズル６０によって液盛りされた後に、基板Ｓの前端が所与の距離搬送するまで（Ｓ１０２：Ｎｏ）、コロ搬送機構４４のコロ４４ｂの高さを低い状態に維持する（Ｓ１００）。 The control device 6 maintains the height of the roller 44b of the roller transfer mechanism 44 in a low state until the front end of the substrate S is conveyed by a given distance (S102: No) after being filled with the liquid by the first supply nozzle 60. (S100).
＜効果＞
　実施形態に係る現像処理を行わない比較例に係る基板処理装置は、基板の前端から現像液を下方にこぼさずに基板が搬送される。平流し搬送される基板に、供給ノズルから現像液が液盛りされた場合には、基板に対する現像は、基板に現像液が付着した直後に大きく進行することが知られている。 <Effect>
In the substrate processing apparatus according to the comparative example in which the development processing according to the embodiment is not performed, the substrate is conveyed from the front end of the substrate without spilling the developer downward. It is known that when a developer is filled on a substrate that is conveyed in a flat flow from a supply nozzle, development on the substrate proceeds significantly immediately after the developer adheres to the substrate.
　比較例に係る基板処理装置は、液盛りの開始時に供給ノズルから吐出された現像液が基板の前端で渦を巻いて対流する渦流が発生する。基板の前端で渦流が長い時間発生すると、基板の前端の現像が他の箇所よりも進行する。そのため、比較例に係る基板処理装置は、基板に現像斑が発生し、現像の均一性が低下する。なお、基板の前端と供給ノズルとの距離が長くなると、渦流の影響は低減する。 In the substrate processing apparatus according to the comparative example, a vortex flow in which the developer discharged from the supply nozzle at the start of liquid filling swirls at the front end of the substrate and convects is generated. When a vortex is generated at the front edge of the substrate for a long time, the development of the front edge of the substrate progresses more than at other points. Therefore, in the substrate processing apparatus according to the comparative example, development spots are generated on the substrate, and the uniformity of development is lowered. When the distance between the front end of the substrate and the supply nozzle becomes long, the influence of the eddy current is reduced.
　そのため、比較例に係る基板処理装置において、基板の搬送速度を大きくした高速搬送を行いながら、現像液の液盛りを行うことで、短い時間で基板の前端と供給ノズルとの距離を長くすることができ、渦流の影響を低減することができる。 Therefore, in the substrate processing apparatus according to the comparative example, the distance between the front end of the substrate and the supply nozzle can be lengthened in a short time by filling the developer liquid while performing high-speed transfer at a high transfer speed of the substrate. And the influence of eddy current can be reduced.
　しかし、高速搬送を行うと、基板を現像するための搬送経路が長くなり、基板処理装置が大型になる。また、比較例に係る基板処理装置において、基板に現像液を液盛りする場合にのみ高速搬送を行い、その後、搬送速度を小さくすることも考えられる。しかし、この場合、基板Ｓ一枚分の変速エリアが必要となり、基板処理装置が大型になる。 However, when high-speed transfer is performed, the transfer path for developing the substrate becomes long, and the substrate processing device becomes large. Further, in the substrate processing apparatus according to the comparative example, it is conceivable to perform high-speed transfer only when the developer is filled on the substrate, and then reduce the transfer speed. However, in this case, a shift area for one board S is required, and the board processing device becomes large.
　実施形態に係る基板処理装置１は、コロ搬送機構４４（搬送機構の一例）と、第１供給ノズル６０（供給ノズルの一例）とを備える。コロ搬送機構４４は、露光されたフォトレジスト膜が表面に形成された基板Ｓを平流し搬送する。第１供給ノズル６０は、コロ搬送機構４４によって搬送される基板Ｓに現像液を液盛りする。コロ搬送機構４４は、第１供給ノズル６０によって現像液が液盛りされた基板Ｓを前下がりの状態で搬送する。 The substrate processing device 1 according to the embodiment includes a roller transfer mechanism 44 (an example of a transfer mechanism) and a first supply nozzle 60 (an example of a supply nozzle). The roller transport mechanism 44 flat-flows and transports the substrate S on which the exposed photoresist film is formed on the surface. The first supply nozzle 60 fills the substrate S transported by the roller transport mechanism 44 with the developer. The roller transport mechanism 44 transports the substrate S on which the developer is filled by the first supply nozzle 60 in a forward-down state.
　これにより、基板処理装置１は、基板Ｓの前端から現像液を下方にこぼすことができる。そのため、基板処理装置１は、基板Ｓの前端における渦流の発生を抑制することができる。従って、基板処理装置１は、現像の均一性を向上させることができる。また、基板処理装置１は、基板Ｓを高速搬送させずに、渦流の発生を抑制することができる。従って、基板処理装置１は、搬送経路を短くし、装置全体を小型化することができる。 As a result, the substrate processing apparatus 1 can spill the developer downward from the front end of the substrate S. Therefore, the substrate processing apparatus 1 can suppress the generation of a vortex at the front end of the substrate S. Therefore, the substrate processing apparatus 1 can improve the uniformity of development. Further, the substrate processing apparatus 1 can suppress the generation of a vortex flow without transporting the substrate S at high speed. Therefore, the substrate processing apparatus 1 can shorten the transport path and reduce the size of the entire apparatus.
　また、コロ搬送機構４４は、現像液が液盛りされた後に、基板Ｓの前端が所与の距離搬送されるまで基板Ｓを前下がりの状態で搬送する。 Further, the roller transport mechanism 44 transports the substrate S in a forward-down state until the front end of the substrate S is transported by a predetermined distance after the developer is filled.
　これにより、基板処理装置１は、渦流の影響が低減するまで、基板Ｓの前端から現像液を下方にこぼすことができ、基板Ｓの前端における渦流の発生を抑制することができる。そのため、基板処理装置１は、現像の均一性を向上させることができる。 As a result, the substrate processing apparatus 1 can spill the developer downward from the front end of the substrate S until the influence of the vortex is reduced, and can suppress the generation of the vortex at the front end of the substrate S. Therefore, the substrate processing apparatus 1 can improve the uniformity of development.
　コロ搬送機構４４は、基板Ｓの前端が所与の距離搬送された後に、基板Ｓを水平にする。これにより、基板処理装置１は、渦流の影響が低減された後に、現像液が下方にこぼれることを抑制し、基板Ｓを現像するための液盛り量が少なくなることを抑制することができる。そのため、基板処理装置１は、精度良く現像することができる。また、基板処理装置１は、現像を行うための現像液の量を抑制することができる。 The roller transport mechanism 44 makes the substrate S horizontal after the front end of the substrate S has been transported by a given distance. As a result, the substrate processing apparatus 1 can suppress the developer from spilling downward after the influence of the eddy current is reduced, and can suppress the amount of liquid for developing the substrate S from being reduced. Therefore, the substrate processing apparatus 1 can develop with high accuracy. Further, the substrate processing apparatus 1 can suppress the amount of the developer for developing.
　コロ搬送機構４４は、複数のコロ４４ａ、４４ｂ（支持部の一例）を備える。複数のコロ４４ａ、４４ｂは、基板Ｓを下方から支持する。コロ４４ｂ（複数のコロの一部の一例）は、高さを変更可能である。コロ４４ｂの高さは、基板Ｓの前端が所与の距離搬送された後に高くなる。 The roller transport mechanism 44 includes a plurality of rollers 44a and 44b (an example of a support portion). The plurality of rollers 44a and 44b support the substrate S from below. The height of the rollers 44b (an example of a part of a plurality of rollers) can be changed. The height of the rollers 44b is increased after the front end of the substrate S has been transported a given distance.
　これにより、基板処理装置１は、基板Ｓの前端が所与の距離搬送された後に、コロ全体で基板Ｓを水平に支持することができる。そのため、基板処理装置１は、現像液が下方にこぼれることを抑制し、基板Ｓを現像するための液盛り量が少なくなることを抑制することができる。従って、基板処理装置１は、精度良く現像することができる。また、基板処理装置１は、現像を行うための現像液の量を抑制することができる。 Thereby, the substrate processing apparatus 1 can horizontally support the substrate S with the entire roller after the front end of the substrate S is conveyed by a given distance. Therefore, the substrate processing apparatus 1 can suppress the developer from spilling downward and suppress the decrease in the amount of liquid for developing the substrate S. Therefore, the substrate processing apparatus 1 can develop with high accuracy. Further, the substrate processing apparatus 1 can suppress the amount of the developer for developing.
　基板処理装置１は、第２供給ノズル６１を備える。第２供給ノズル６１は、第１供給ノズル６０よりも基板Ｓの搬送方向の下流側に、第１供給ノズル６０と隣接して設けられ、基板Ｓに現像液を供給する。第２供給ノズル６１は、搬送方向における基板Ｓの前端から現像液が下方にこぼれるように現像液を供給する。 The substrate processing device 1 includes a second supply nozzle 61. The second supply nozzle 61 is provided adjacent to the first supply nozzle 60 on the downstream side of the substrate S in the transport direction with respect to the first supply nozzle 60, and supplies the developer to the substrate S. The second supply nozzle 61 supplies the developer so that the developer spills downward from the front end of the substrate S in the transport direction.
　これにより、基板処理装置１は、基板Ｓの前端における渦流の発生を抑制することができる。そのため、基板処理装置１は、現像の均一性を向上させることができる。また、基板処理装置１は、基板Ｓを高速搬送させずに、渦流の発生を抑制することができる。そのため、基板処理装置１は、搬送経路を短くし、装置全体を小型化することができる。 Thereby, the substrate processing apparatus 1 can suppress the generation of eddy current at the front end of the substrate S. Therefore, the substrate processing apparatus 1 can improve the uniformity of development. Further, the substrate processing apparatus 1 can suppress the generation of a vortex flow without transporting the substrate S at high speed. Therefore, the substrate processing apparatus 1 can shorten the transport path and reduce the size of the entire apparatus.
　第１供給ノズル６０、および第２供給ノズル６１は、基板Ｓに対して斜め前方に向けて現像液を供給する。鉛直方向に対する第２供給ノズル６１の吐出角度βは、鉛直方向に対する第１供給ノズル６０の吐出角度αよりも大きい。 The first supply nozzle 60 and the second supply nozzle 61 supply the developer diagonally forward with respect to the substrate S. The discharge angle β of the second supply nozzle 61 with respect to the vertical direction is larger than the discharge angle α of the first supply nozzle 60 with respect to the vertical direction.
　これにより、基板処理装置１は、液盛りされた現像液中に、第２供給ノズル６１から供給される現像液によって泡が混入することを抑制し、泡の混入による現像不良の発生を抑制することができる。また、基板処理装置１は、基板Ｓの前端に向けた現像液の流れを、第２供給ノズル６１から供給される少ない流量の現像液によって生成することができる。すなわち、基板処理装置１は、第２供給ノズル６１から供給される現像液の流量を少なくしつつ、基板Ｓの前端から処理液を下方にこぼすことができる。 As a result, the substrate processing apparatus 1 suppresses the mixing of bubbles in the developer filled with the liquid by the developer supplied from the second supply nozzle 61, and suppresses the occurrence of development defects due to the mixing of the bubbles. be able to. Further, the substrate processing apparatus 1 can generate a flow of the developer toward the front end of the substrate S by a small flow rate of the developer supplied from the second supply nozzle 61. That is, the substrate processing apparatus 1 can spill the processing liquid downward from the front end of the substrate S while reducing the flow rate of the developing liquid supplied from the second supply nozzle 61.
　第２供給ノズル６１の吐出口６１ａの高さは、第１供給ノズル６０の吐出口６０ａの高さよりも低い。
　これにより、基板処理装置１は、液盛りされた現像液中に、第２供給ノズル６１から供給される現像液によって泡が混入することを抑制し、泡の混入による現像不良の発生を抑制することができる。 The height of the discharge port 61a of the second supply nozzle 61 is lower than the height of the discharge port 60a of the first supply nozzle 60.
As a result, the substrate processing apparatus 1 suppresses the mixing of bubbles in the developer filled with the liquid by the developer supplied from the second supply nozzle 61, and suppresses the occurrence of development defects due to the mixing of the bubbles. be able to.
＜変形例＞
　基板処理装置１において、第２供給ノズル６１は、現像液が液盛りされ、基板Ｓの前端が所与の距離搬送された後に、現像液の供給を停止してもよい。これにより、基板処理装置１は、使用される現像液の量を少なくすることができる。 <Modification example>
In the substrate processing apparatus 1, the second supply nozzle 61 may stop the supply of the developer after the developer is filled and the front end of the substrate S is conveyed by a predetermined distance. As a result, the substrate processing apparatus 1 can reduce the amount of the developer used.
　基板処理装置１は、基板Ｓの搬送方向におけるコロ４４ｂの間隔を調整することによって、基板Ｓの前端を前下がりの状態にしてもよい。コロ４４ｂの間隔が長くなることによって、基板Ｓの前端は、コロ４４ｂに支持されていない場合に、自重によって下方に撓み、前下がりの状態となる。 The substrate processing apparatus 1 may bring the front end of the substrate S into a front-down state by adjusting the spacing between the rollers 44b in the transport direction of the substrate S. By increasing the distance between the rollers 44b, the front end of the substrate S bends downward due to its own weight when it is not supported by the rollers 44b, and is in a state of lowering forward.
　これにより、基板処理装置１は、基板Ｓの前端における渦流の発生を抑制することができる。そのため、基板処理装置１は、現像の均一性を向上させることができる。 Thereby, the substrate processing apparatus 1 can suppress the generation of eddy current at the front end of the substrate S. Therefore, the substrate processing apparatus 1 can improve the uniformity of development.
　基板処理装置１は、第２供給ノズル６１を用いずに、コロ搬送機構４４によって基板Ｓの前端を前下がりの状態とし、基板Ｓの前端から現像液を下方にこぼしてもよい。また、基板処理装置１は、コロ搬送機構４４のコロ４４ａの高さを均一にし、基板Ｓを水平に保った状態で、第２供給ノズル６１から現像液を供給し、基板Ｓの前端から現像液を下方にこぼしてもよい。 In the substrate processing device 1, the front end of the substrate S may be lowered forward by the roller transfer mechanism 44 without using the second supply nozzle 61, and the developer may be spilled downward from the front end of the substrate S. Further, the substrate processing apparatus 1 supplies the developing solution from the second supply nozzle 61 in a state where the height of the rollers 44a of the roller transport mechanism 44 is made uniform and the substrate S is kept horizontal, and develops from the front end of the substrate S. The liquid may be spilled downward.
　これにより、基板処理装置１は、基板Ｓの前端から現像液を下方にこぼす構成を簡易にすることができる。 This makes it possible for the substrate processing apparatus 1 to simplify the configuration in which the developer is spilled downward from the front end of the substrate S.
　基板処理装置１は、コロ搬送機構４４におけるコロ４４ｂの高さを変更可能とせずに、コロ４４ｂの高さをコロ４４ａの高さよりも低くした状態に固定してもよい。すなわち、基板処理装置１は、コロ４４ｂの高さが低い状態で、基板Ｓへの液盛りを終了させてもよい。これにより、コロ４４ｂの高さを変更する機構を設けずに、簡易な構成にすることができる。なお、基板Ｓの前端が所与の距離搬送された後に、基板Ｓの前端が前上がりの状態となるように、高さが調整されたコロ４４ｂが配置される。そのため、基板処理装置１は、基板Ｓの前端が所与の距離搬送された後に、基板Ｓを水平にすることができる。 The board processing device 1 may fix the height of the roller 44b lower than the height of the roller 44a without making the height of the roller 44b in the roller transport mechanism 44 changeable. That is, the substrate processing apparatus 1 may finish filling the substrate S with the liquid in a state where the height of the rollers 44b is low. This makes it possible to have a simple configuration without providing a mechanism for changing the height of the roller 44b. After the front end of the substrate S has been conveyed by a given distance, the rollers 44b whose height has been adjusted are arranged so that the front end of the substrate S is in a state of rising forward. Therefore, the substrate processing apparatus 1 can level the substrate S after the front end of the substrate S has been conveyed by a given distance.
　なお、今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。 It should be considered that the embodiments disclosed this time are exemplary in all respects and are not restrictive. Indeed, the above embodiments can be embodied in a variety of forms. Moreover, the above-mentioned embodiment may be omitted, replaced or changed in various forms without departing from the scope of the attached claims and the purpose thereof.
１　　　基板処理装置
６　　　制御装置
２９　　コロ搬送機構
４０　　現像ユニット
４４　　コロ搬送機構（搬送機構）
４４ａ　コロ
４４ｂ　コロ（支持部）
５０　　現像処理部
６０　　第１供給ノズル（供給ノズル）
６０ａ　吐出口
６１　　第２供給ノズル
６１ａ　吐出口
Ｓ　　　基板 1 Substrate processing device 6 Control device 29 Roller transfer mechanism 40 Development unit 44 Roller transfer mechanism (conveyor mechanism)
44a roller 44b roller (support part)
50 Development processing unit 60 First supply nozzle (supply nozzle)
60a Discharge port 61 Second supply nozzle 61a Discharge port S Substrate

Claims (11)

  1. 　露光されたフォトレジスト膜が表面に形成された基板を平流し搬送する搬送機構と、
    　前記搬送機構によって搬送される前記基板に現像液を液盛りする供給ノズルと
    　を備え、
    　前記搬送機構は、前記供給ノズルによって前記現像液が液盛りされた前記基板を前下がりの状態で搬送する
    　基板処理装置。     A transport mechanism in which the exposed photoresist film is flat-flowed and conveyed on the substrate formed on the surface.
    The substrate transported by the transport mechanism is provided with a supply nozzle for filling the developer.
    The transport mechanism is a substrate processing device that transports the substrate on which the developer is filled by the supply nozzle in a forward-down state.
  2. 　前記搬送機構は、前記現像液が液盛りされた後に、前記基板の前端が所与の距離搬送されるまで前記基板を前記前下がりの状態で搬送する
    　請求項１に記載の基板処理装置。     The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the transport mechanism transports the substrate in a front-down state until the front end of the substrate is transported by a predetermined distance after the developer is filled with the liquid.
  3. 　前記搬送機構は、前記基板の前端が前記所与の距離搬送された後に、前記基板を水平にする
    　請求項２に記載の基板処理装置。     The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the transport mechanism makes the substrate horizontal after the front end of the substrate is transported by the given distance.
  4. 　前記搬送機構は、前記基板を下方から支持する複数の支持部
    　を備え、
    　前記複数の支持部の一部は、高さを変更可能であり、
    　前記複数の支持部の一部の高さは、前記基板の前端が前記所与の距離搬送された後に高くなる
    　請求項３に記載の基板処理装置。     The transport mechanism includes a plurality of support portions that support the substrate from below.
    Some of the plurality of supports can be changed in height and can be changed in height.
    The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the height of a part of the plurality of supports is increased after the front end of the substrate is transported by the given distance.
  5. 　露光されたフォトレジスト膜が表面に形成された基板を平流し搬送する搬送機構と、
    　前記搬送機構によって搬送される前記基板に現像液を液盛りする第１供給ノズルと、
    　前記第１供給ノズルよりも前記基板の搬送方向の下流側に、前記第１供給ノズルと隣接して設けられ、前記基板に前記現像液を供給する第２供給ノズルと
    　を備え、
    　前記第２供給ノズルは、前記搬送方向における前記基板の前端から前記現像液が下方にこぼれるように前記現像液を供給する
    　基板処理装置。     A transport mechanism in which the exposed photoresist film is flat-flowed and conveyed on the substrate formed on the surface.
    A first supply nozzle for filling a developer on the substrate conveyed by the transfer mechanism, and
    A second supply nozzle provided adjacent to the first supply nozzle and supplying the developer to the substrate is provided on the downstream side of the first supply nozzle in the transport direction of the substrate.
    The second supply nozzle is a substrate processing device that supplies the developer so that the developer spills downward from the front end of the substrate in the transport direction.
  6. 　前記第１供給ノズル、および前記第２供給ノズルは、前記基板に対して斜め前方に向けて前記現像液を供給し、
    　鉛直方向に対する前記第２供給ノズルの吐出角度は、前記鉛直方向に対する前記第１供給ノズルの吐出角度よりも大きい
    　請求項５に記載の基板処理装置。     The first supply nozzle and the second supply nozzle supply the developer diagonally forward with respect to the substrate.
    The substrate processing apparatus according to claim 5, wherein the discharge angle of the second supply nozzle with respect to the vertical direction is larger than the discharge angle of the first supply nozzle with respect to the vertical direction.
  7. 　前記第２供給ノズルの吐出口の高さは、前記第１供給ノズルの吐出口の高さよりも低い
    　請求項５または６に記載の基板処理装置。     The substrate processing apparatus according to claim 5 or 6, wherein the height of the discharge port of the second supply nozzle is lower than the height of the discharge port of the first supply nozzle.
  8. 　前記第２供給ノズルは、前記現像液が液盛りされ、前記基板の前端が所与の距離搬送された後に、前記現像液の供給を停止する
    　請求項５～７のいずれか一つに記載の基板処理装置。     The second supply nozzle according to any one of claims 5 to 7, wherein the developer is filled with the developer and the front end of the substrate is conveyed by a predetermined distance, and then the supply of the developer is stopped. Board processing equipment.
  9. 　露光されたフォトレジスト膜が表面に形成された基板を搬送機構によって平流し搬送する搬送工程と、
    　前記搬送機構によって搬送される前記基板に、供給ノズルによって現像液を液盛りする供給工程と
    　を有し、
    　前記搬送工程では、
    　前記供給ノズルによって前記現像液が液盛りされた前記基板が前下がりの状態で搬送される
    　基板処理方法。     A transport process in which the substrate on which the exposed photoresist film is formed is flown flat by a transport mechanism and transported.
    The substrate transported by the transport mechanism is provided with a supply step of filling a developer solution with a supply nozzle.
    In the transfer process,
    A substrate processing method in which the substrate on which the developer is filled is conveyed by the supply nozzle in a state of being lowered forward.
  10. 　露光されたフォトレジスト膜が表面に形成された基板を搬送機構によって平流し搬送する搬送工程と、
    　第１供給ノズルによって前記基板に現像液を液盛りする第１供給工程と、
    　前記第１供給ノズルよりも前記基板の搬送方向の下流側に、前記第１供給ノズルと隣接して設けられる第２供給ノズルによって、前記基板に前記現像液を供給する第２供給工程と
    　を有し、
    　前記第２供給工程では、前記搬送方向における前記基板の前端から前記現像液が下方にこぼれるように前記現像液が供給される
    　基板処理方法。     A transport process in which the substrate on which the exposed photoresist film is formed is flown flat by a transport mechanism and transported.
    In the first supply step of filling the substrate with the developer by the first supply nozzle,
    A second supply step of supplying the developer to the substrate by a second supply nozzle provided adjacent to the first supply nozzle is provided on the downstream side of the first supply nozzle in the transport direction of the substrate. death,
    In the second supply step, a substrate processing method in which the developer is supplied so that the developer spills downward from the front end of the substrate in the transport direction.
  11. 　請求項９または１０に記載の基板処理方法をコンピュータに実行させる、プログラム。 A program that causes a computer to execute the board processing method according to claim 9 or 10.
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