WO2021246446A1 - 弾性波装置 - Google Patents

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WO2021246446A1
WO2021246446A1 PCT/JP2021/021035 JP2021021035W WO2021246446A1 WO 2021246446 A1 WO2021246446 A1 WO 2021246446A1 JP 2021021035 W JP2021021035 W JP 2021021035W WO 2021246446 A1 WO2021246446 A1 WO 2021246446A1
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WO
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electrode
elastic wave
main surface
piezoelectric layer
wave device
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Application number
PCT/JP2021/021035
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English (en)
French (fr)
Inventor
峰文 大内
Original Assignee
株式会社村田製作所
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator

Definitions

  • the present invention relates to an elastic wave device.
  • Patent Document 1 discloses an elastic wave device using a lamb wave as a plate wave.
  • the piezoelectric substrate is made of LiNbO 3 or LiTaO 3 .
  • An IDT electrode is provided on the upper surface of the piezoelectric substrate. A voltage is applied between the plurality of electrode fingers connected to one potential of the IDT electrode and the plurality of electrode fingers connected to the other potential. This encourages Lamb waves. Reflectors are provided on both sides of the IDT electrode. As a result, an elastic wave resonator using a plate wave is constructed.
  • An object of the present invention is to provide an elastic wave device having excellent surge resistance and power resistance.
  • a support member having a recess and a first main surface and a second main surface which are provided on the support member so as to cover the recess and face each other.
  • a piezoelectric layer having a surface, a first electrode provided on the first main surface of the piezoelectric layer, and a second main surface of the piezoelectric layer, which are different from the first electrode.
  • a second electrode connected to an electric potential is provided, a cavity surrounded by the recess of the support member and the piezoelectric layer is provided, and the second electrode is arranged in the cavity.
  • the first electrode and the second electrode do not overlap in a plan view and face each other in a plan view.
  • the support member and the first main surface and the second main surface which are partially provided on the support member via a cavity and face each other.
  • a piezoelectric layer having a surface, a first electrode provided on the first main surface of the piezoelectric layer, and a second main surface of the piezoelectric layer, which are different from the first electrode.
  • the second electrode is provided with a second electrode connected to an electric potential, the second electrode is arranged in the cavity, and the first electrode and the second electrode do not overlap in a plan view and are viewed in a plan view. Facing each other.
  • FIG. 1 is a plan view of an elastic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a front sectional view of the elastic wave device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a plan view of the elastic wave device of the comparative example.
  • FIG. 4 is a diagram showing impedance frequency characteristics of the first embodiment of the present invention and comparative examples.
  • FIG. 5 is a diagram showing the phase characteristics of the first embodiment of the present invention and the comparative example.
  • FIG. 6 is a plan view of an elastic wave device according to a modified example of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a schematic front sectional view showing a pair of the first electrode and the vicinity of the second electrode in the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a plan view of the elastic wave device according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a schematic front sectional view showing a pair of the first electrode and the vicinity of the second electrode in the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a schematic front sectional view showing a pair of the first electrode and the vicinity of the second electrode in the first modification of the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a schematic front sectional view showing a pair of the first electrode and the vicinity of the second electrode in the second modification of the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 is a schematic front sectional view showing a pair of the first electrode and the vicinity of the second electrode in the fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is a schematic front sectional view showing a pair of the first electrode and the vicinity of the second electrode in the modified example of the fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 14 (a) is a schematic perspective view showing the appearance of an elastic wave device using a bulk wave in a thickness slip mode
  • FIG. 14 (b) is a plan view showing an electrode structure on a piezoelectric layer.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view of a portion along the line AA in FIG. 14 (a).
  • FIG. 16A is a schematic front sectional view for explaining a Lamb wave propagating in the piezoelectric film of the elastic wave device
  • FIG. 16B is a thickness slip propagating in the piezoelectric film in the elastic wave device.
  • FIG. 17 is a diagram showing the amplitude direction of the bulk wave in the thickness slip mode.
  • FIG. 18 is a diagram showing resonance characteristics of an elastic wave device using a bulk wave in a thickness slip mode.
  • FIG. 19 is a diagram showing the relationship between d / 2p and the specific band as a resonator when the distance between the centers of adjacent electrodes is p and the thickness of the piezoelectric layer is d.
  • FIG. 20 is a plan view of an elastic wave device that utilizes a bulk wave in a thickness slip mode.
  • FIG. 21 is a partially cutaway perspective view for explaining an elastic wave device using a Lamb wave.
  • FIG. 1 is a plan view of an elastic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a front sectional view of the elastic wave device according to the first embodiment.
  • the elastic wave device 10 has a piezoelectric substrate 12 and a functional electrode 11.
  • the functional electrode 11 has a first comb-shaped electrode 17A and a second comb-shaped electrode 17B.
  • the piezoelectric substrate 12 has a support member 13 and a piezoelectric layer 16.
  • the support member 13 has a support substrate 14 and an insulating layer 15.
  • the insulating layer 15 is provided on the support substrate 14.
  • a piezoelectric layer 16 is provided on the insulating layer 15.
  • the support substrate 14 has a recess 14a and a support portion 14b.
  • the support portion 14b surrounds the recess 14a.
  • An insulating layer 15 is provided on the support portion 14b.
  • the insulating layer 15 has a frame-like shape.
  • the insulating layer 15 has a through hole 15a.
  • the recess 13a of the support member 13 is formed by the recess 14a of the support substrate 14 and the through hole 15a of the insulating layer 15.
  • a piezoelectric layer 16 is provided so as to cover the recess 13a of the support member 13. In other words, the piezoelectric layer 16 is provided so as to close the recess 13a of the support member 14. As a result, the cavity is formed.
  • the cavity is surrounded by the recess 13a of the support member 13 and the piezoelectric layer 16.
  • the support member 13 may be formed with a hollow portion without providing a recess.
  • the piezoelectric layer 16 may be provided with a hollow portion by providing a recess that opens on the support member 13 side.
  • the piezoelectric layer 16 may have a portion directly provided on the support member 13 and a portion provided on the support member 13 via the cavity portion.
  • the piezoelectric layer 16 has a first main surface 16a and a second main surface 16b.
  • the first main surface 16a and the second main surface 16b face each other.
  • the second main surface 16b is located on the support member 13 side.
  • a first comb-shaped electrode 17A is provided on the first main surface 16a.
  • a second comb-shaped electrode 17B is provided on the second main surface 16b.
  • the first comb-shaped electrode 17A and the second comb-shaped electrode 17B are connected to different potentials from each other.
  • the first comb-shaped electrode 17A is connected to the hot potential
  • the second comb-shaped electrode 17B is connected to the ground potential.
  • the potential to which the first comb-shaped electrode 17A and the second comb-shaped electrode 17B are connected is not limited to the above.
  • the first comb-shaped electrode 17A may be connected to the ground potential and the second comb-shaped electrode 17B may be connected to the hot potential.
  • the first comb-toothed electrode 17A has a first bus bar 18A and a plurality of first electrode fingers 19A.
  • the first electrode finger 19A is the first electrode in the present invention.
  • the plurality of first electrode fingers 19A are periodically arranged. One end of each of the plurality of first electrode fingers 19A is connected to the first bus bar 18A. Therefore, the plurality of first electrode fingers 19A are connected to the same potential. More specifically, all the first electrode fingers 19A are connected to the same potential.
  • the second comb-toothed electrode 17B has a second bus bar 18B and a plurality of second electrode fingers 19B.
  • the second electrode finger 19B is the second electrode in the present invention.
  • the plurality of second electrode fingers 19B are periodically arranged.
  • each of the plurality of second electrode fingers 19B is connected to the second bus bar 18B. Therefore, the plurality of second electrode fingers 19B are connected to the same potential. More specifically, all the second electrode fingers 19B are connected to the same potential.
  • the plurality of second electrode fingers 19B are arranged in the cavity.
  • the elastic wave device 10 the elastic wave is excited by applying an AC voltage to the first comb-shaped electrode 17A.
  • the first electrode finger 19A of the first comb-toothed electrode 17A and the second electrode finger 19B of the second comb-toothed electrode 17B face each other as described later.
  • the elastic wave device 10 utilizes a bulk wave in a thickness slip mode such as a thickness slip primary mode, for example.
  • the elastic wave device 10 may be an elastic wave device that utilizes a plate wave such as a lamb wave.
  • the first electrode finger 19A and the second electrode finger 19B are in a direction orthogonal to the direction perpendicular to the first main surface 16a and the second main surface 16b when viewed in a plan view. They are facing each other.
  • the plan view refers to viewing the elastic wave device 10 along the direction perpendicular to the first main surface 16a and the second main surface 16b.
  • the direction in which the first electrode finger 19A and the second electrode finger 19B face each other is defined as the electrode finger facing direction.
  • the region where adjacent electrode fingers overlap each other when viewed from the electrode finger facing direction is the crossing region D.
  • the crossing region D is a region of the functional electrode 11 including the electrode finger at one end to the electrode finger at the other end in the direction facing the electrode finger. More specifically, the crossing region D extends from the outer edge portion of the electrode finger at one end in the direction facing the electrode finger to the outer edge portion of the electrode finger at the other end in the direction facing the electrode finger. including.
  • the elastic wave device 10 has a plurality of excitation regions C.
  • the excitation region C is also a region where adjacent electrode fingers overlap each other when viewed from the direction in which the electrode fingers face each other.
  • Each excitation region C is a region between a pair of electrode fingers. More specifically, the excitation region C is a region from the center of one electrode finger in the direction facing the electrode finger to the center of the other electrode finger in the direction facing the electrode finger. Therefore, the crossing region D includes a plurality of excitation regions C.
  • the bulk wave in the thickness slip mode is excited in each excitation region C.
  • the elastic wave device 10 utilizes a plate wave
  • the crossing region D is an excitation region.
  • the feature of this embodiment is that it has the following configuration. 1)
  • the first electrode finger 19A and the second electrode finger 19B are provided on different main surfaces of the piezoelectric layer 16 and are connected to different potentials. 2)
  • the first electrode finger 19A and the second electrode finger 19B do not overlap in a plan view and face each other in a plan view.
  • electrodes connected to different potentials face each other on the same main surface of the piezoelectric layer.
  • the present inventor has found that electrodes connected to different potentials are provided on different main surfaces of a piezoelectric layer, and elastic waves can be suitably excited even in a configuration in which they face each other when viewed in a plan view. rice field.
  • the first electrode finger 19A and the second electrode finger 19B are provided on different main surfaces. Therefore, the distance between the first electrode finger 19A and the second electrode finger 19B can be easily increased. Thereby, in the elastic wave device 10, surge resistance and power resistance can be improved.
  • the resonance characteristic of the elastic wave device 10 of the first embodiment is equivalent to the resonance characteristic of the elastic wave device having an IDT electrode.
  • the resonance characteristics of the elastic wave device 10 having the configuration of the first embodiment and the elastic wave device of the comparative example were compared.
  • the elastic wave device 101 of the comparative example is different from the elastic wave device 10 of the first embodiment in that the functional electrode is an IDT electrode.
  • both the first comb-shaped electrode 17A and the second comb-shaped electrode 17B are provided on the first main surface 16a of the piezoelectric layer 16.
  • the IDT electrode is composed of the first comb-shaped electrode 17A and the second comb-shaped electrode 17B.
  • FIG. 4 is a diagram showing impedance frequency characteristics of the first embodiment and comparative examples.
  • FIG. 5 is a diagram showing the phase characteristics of the first embodiment and the comparative example.
  • the impedance frequency characteristics are almost the same as a whole.
  • the resonance characteristic in the first embodiment is equivalent to the resonance characteristic of the comparative example in which the functional electrode is the IDT electrode.
  • spurious is generated in the frequency range on the lower frequency side than the resonance point.
  • spurious is generated in the comparative example.
  • FIGS. 4 and 5 it can be seen that in the first embodiment, spurious in the frequency range on the low frequency side of the resonance point can be suppressed.
  • the first comb-shaped electrode 17A and the second comb-shaped electrode 17B are arranged so as to correspond to the state in which the IDT electrode is configured in the plan view.
  • the plurality of first electrode fingers 19A and the plurality of second electrode fingers 19B are interleaved with each other.
  • the tips of the plurality of first electrode fingers 19A face each other with a gap from the second bus bar 18B when viewed in a plan view.
  • the tips of the plurality of second electrode fingers 19B each face the first bus bar 18A with a gap when viewed in a plan view.
  • the arrangement of the first comb-shaped electrode 17A and the second comb-shaped electrode 17B is not limited to the above.
  • the width of the electrode finger is the dimension of the electrode finger along the direction facing the electrode finger.
  • the thickness of the electrode finger is the dimension of the electrode finger along the direction orthogonal to the direction facing the electrode finger (the direction perpendicular to the first main surface 16a and the second main surface 16b).
  • the piezoelectric layer 16 is a lithium niobate layer in this embodiment. More specifically, the piezoelectric layer 16 is a LiNbO 3 layer. However, the piezoelectric layer 16 may be a lithium tantalate layer such as a LiTaO 3 layer.
  • the insulating layer 15 is a silicon oxide layer in this embodiment. More specifically, the insulating layer 15 is a SiO 2 layer. However, the material of the insulating layer 15 is not limited to the above, and for example, silicon nitride, tantalum oxide, or the like can be used. The insulating layer 15 does not necessarily have to be provided.
  • the support member 13 may be composed of only the support substrate 14. In this case, the recess 13a of the support member 13 is a recess provided only in the support substrate 14. Further, when the insulating layer 15 is provided, the recess 13a may be composed of only the recess or the through hole provided in the insulating layer 15, and the recess 13a may not be provided in the support substrate 14.
  • the support substrate 14 is a silicon substrate in this embodiment.
  • the material of the support substrate 14 is not limited to the above, and for example, piezoelectric materials such as aluminum oxide, lithium tantalate, lithium niobate, and crystal, alumina, sapphire, silicon nitride, aluminum nitride, silicon carbide, zirconia, and cozilite.
  • piezoelectric materials such as aluminum oxide, lithium tantalate, lithium niobate, and crystal, alumina, sapphire, silicon nitride, aluminum nitride, silicon carbide, zirconia, and cozilite.
  • Various ceramics such as mulite, steatite, and forsterite, dielectrics such as diamond and glass, semiconductors or resins such as gallium nitride can also be used.
  • the support substrate 14 may be provided with a through hole.
  • the hollow portion of the support member 13 may include the through hole.
  • FIG. 6 shows an example of a case where the elastic wave device uses a plate wave as a modification of the first embodiment.
  • a pair of reflectors 22A and a reflector 22B are provided on both sides of the functional electrode 11 on the piezoelectric layer 16 in the electrode finger facing direction.
  • the resonance characteristic can be suitably improved.
  • FIG. 7 is a schematic front sectional view showing a pair of the first electrode and the vicinity of the second electrode in the second embodiment.
  • FIG. 8 is a plan view of the elastic wave device according to the second embodiment. In FIG. 7, the support substrate 14 and the like are omitted. The same applies to schematic front sectional views other than FIG. 7.
  • the present embodiment has a point that the first electrode 39A and the second electrode 39B are a pair, and the first embodiment in the configuration of the first electrode 39A and the second electrode 39B. different.
  • the elastic wave device of the present embodiment has the same configuration as the elastic wave device 10 of the first embodiment.
  • the elastic wave device of the present embodiment uses a bulk wave in a thickness slip mode. Therefore, even if the first electrode 39A and the second electrode 39B are paired, sufficient resonance characteristics can be obtained.
  • the first electrode 39A and the second electrode 39B each have a portion corresponding to an electrode finger and a portion corresponding to a bus bar. However, each of the first electrode 39A and the second electrode 39B may have only a portion corresponding to the electrode finger.
  • the first electrode 39A and the second electrode 39B are provided on different main surfaces of the piezoelectric layer 16 and are connected to different potentials. Further, the first electrode 39A and the second electrode 39B do not overlap in a plan view and face each other in a plan view. Thereby, as in the first embodiment, surge resistance and power resistance can be enhanced.
  • FIG. 9 is a schematic front sectional view showing a pair of the first electrode and the vicinity of the second electrode in the third embodiment.
  • This embodiment is different from the second embodiment in that the first additional film 45A is provided between the piezoelectric layer 16 and the first electrode 39A. Except for the above points, the elastic wave device of the present embodiment has the same configuration as the elastic wave device of the second embodiment.
  • the first additional film 45A is provided on the entire surface of the first main surface 16a of the piezoelectric layer 16. By adjusting the thickness of the first additional film 45A, the specific band can be easily adjusted.
  • the first additional film 45A is made of an appropriate dielectric material. More specifically, as the material of the first addition film 45A, for example, silicon oxide, silicon nitride, tantalum oxide, or the like can be used.
  • first electrode 39A and the second electrode 39B are provided in the same manner as in the second embodiment. Thereby, surge resistance and power resistance can be improved.
  • the arrangement of the first additional film 45A is not limited to the above.
  • a first modification and a second modification of the third embodiment in which only the arrangement of the first addition film is different from the third embodiment, will be shown.
  • the surge resistance and the power resistance can be enhanced and the specific band can be easily adjusted as in the third embodiment.
  • the first additional film 45A is provided only on the portion overlapping the first electrode 39A in a plan view.
  • the first additional film 45A may be provided around a portion that overlaps with the first additional film 45A in a plan view.
  • the first additional film 45A is provided on the first main surface 16a of the piezoelectric layer 16 as in the third embodiment.
  • the first additional film 45B is provided on the second main surface 16b.
  • the first additional film 45B is provided between the piezoelectric layer 16 and the second electrode 39B.
  • the first additional film 45B is provided on the entire surface of the second main surface 16b. Therefore, the first additional film 45B is provided integrally with the insulating layer 15 shown in FIG.
  • the first additional film 45B does not have to be integrated with the insulating layer 15.
  • the first additional film 45B may be provided on a part of the second main surface 16b.
  • the thickness of the first addition film 45A and the thickness of the first addition film 45B may be different.
  • the material of the first addition film 45A and the material of the first addition film 45B may be different.
  • the first additional film 45A may be provided between at least one of the first electrode 39A and the second electrode 39B and the piezoelectric layer 16. Thereby, surge resistance and power resistance can be improved, and the specific band can be easily adjusted.
  • the support substrate 14 is provided with a through hole. It is preferable that the hollow portion of the support member 13 includes the through hole. Thereby, the thickness of the first additional film 45B can be easily adjusted.
  • FIG. 12 is a schematic front sectional view showing a pair of the first electrode and the vicinity of the second electrode in the fourth embodiment.
  • This embodiment is different from the second embodiment in that the second addition film 55A is provided on the first main surface 16a of the piezoelectric layer 16 so as to cover the first electrode 39A. Except for the above points, the elastic wave device of the present embodiment has the same configuration as the elastic wave device of the second embodiment.
  • the second additional film 55A is provided on the entire surface of the first main surface 16a of the piezoelectric layer 16 except for the portion where the first electrode 39A and the like are provided. By adjusting the thickness of the second additional film 55A, the frequency can be easily adjusted.
  • the second additional film 55A is made of an appropriate dielectric material. More specifically, as the material of the second addition film 55A, for example, silicon oxide or silicon nitride can be used.
  • first electrode finger 19A and the second electrode finger 19B are provided in the same manner as in the second embodiment. Thereby, surge resistance and power resistance can be improved.
  • the second additional film 55A is provided only on the first main surface 16a of the piezoelectric layer 16. However, it is not limited to this.
  • the second additional film 55A is provided on the first main surface 16a of the piezoelectric layer 16 as in the fourth embodiment.
  • the second additional film 55B is provided on the second main surface 16b so as to cover the second electrode 39B.
  • the second additional film 55B is provided on the entire surface of the second main surface 16b except for the portion where the second electrode 39B or the like is provided. Therefore, in this modification, the second additional film 55B is provided integrally with the insulating layer 15 shown in FIG. Also in this modification, the surge resistance and the power resistance can be improved, and the frequency can be easily adjusted.
  • the second additional film 55B does not have to be integrated with the insulating layer 15.
  • the thickness of the second addition film 55A and the thickness of the second addition film 55B may be different.
  • the material of the second addition film 55A and the material of the second addition film 55B may be different.
  • the second additional film may be provided on at least one of the first main surface 16a and the second main surface 16b of the piezoelectric layer 16 so as to cover at least one of the first electrode 39A and the second electrode 39B. Just do it. Thereby, surge resistance and power resistance can be improved, and the frequency can be easily adjusted.
  • the second additional film 55B is provided only on the second main surface 16b, it is preferable that the support substrate 14 is provided with a through hole. It is preferable that the hollow portion of the support member 13 includes the through hole. Thereby, the thickness of the second additional film 55B can be easily adjusted.
  • the thickness slip mode and the plate wave will be described below.
  • the functional electrode is an IDT electrode
  • the same can be said for the following description even when the first electrode and the second electrode are provided on different main surfaces of the piezoelectric layer 16 as in each of the above embodiments.
  • the support member in the following example corresponds to the support substrate in the present invention.
  • FIG. 14 (a) is a schematic perspective view showing the appearance of an elastic wave device using a bulk wave in a thickness slip mode
  • FIG. 14 (b) is a plan view showing an electrode structure on a piezoelectric layer
  • FIG. 15 is a cross-sectional view of a portion along the line AA in FIG. 14 (a).
  • the elastic wave device 1 has a piezoelectric layer 2 made of LiNbO 3.
  • the piezoelectric layer 2 may be made of LiTaO 3.
  • the cut angle of LiNbO 3 and LiTaO 3 is Z-cut, but may be rotary Y-cut or X-cut.
  • the thickness of the piezoelectric layer 2 is not particularly limited, but in order to effectively excite the thickness slip mode, it is preferably 40 nm or more and 1000 nm or less, and more preferably 50 nm or more and 600 nm or less.
  • the piezoelectric layer 2 has first and second main surfaces 2a and 2b facing each other.
  • the electrode 3 and the electrode 4 are provided on the first main surface 2a.
  • the electrode 3 is an example of the “first electrode”
  • the electrode 4 is an example of the “second electrode”.
  • a plurality of electrodes 3 are connected to the first bus bar 5.
  • the plurality of electrodes 4 are connected to the second bus bar 6.
  • the plurality of electrodes 3 and the plurality of electrodes 4 are interleaved with each other.
  • the electrode 3 and the electrode 4 have a rectangular shape and have a length direction.
  • the electrode 3 and the adjacent electrode 4 face each other in a direction orthogonal to the length direction. Both the length direction of the electrodes 3 and 4 and the direction orthogonal to the length direction of the electrodes 3 and 4 are directions intersecting with each other in the thickness direction of the piezoelectric layer 2.
  • the electrode 3 and the adjacent electrode 4 face each other in the direction of crossing in the thickness direction of the piezoelectric layer 2.
  • the length directions of the electrodes 3 and 4 may be replaced with the directions orthogonal to the length directions of the electrodes 3 and 4 shown in FIGS. 14 (a) and 14 (b). That is, in FIGS. 14 (a) and 14 (b), the electrodes 3 and 4 may be extended in the direction in which the first bus bar 5 and the second bus bar 6 are extended. In that case, the first bus bar 5 and the second bus bar 6 extend in the direction in which the electrodes 3 and 4 extend in FIGS. 14 (a) and 14 (b).
  • a pair of structures in which the electrode 3 connected to one potential and the electrode 4 connected to the other potential are adjacent to each other are provided in a direction orthogonal to the length direction of the electrodes 3 and 4.
  • the case where the electrode 3 and the electrode 4 are adjacent to each other does not mean that the electrode 3 and the electrode 4 are arranged so as to be in direct contact with each other, but that the electrode 3 and the electrode 4 are arranged so as to be spaced apart from each other. Point to. Further, when the electrode 3 and the electrode 4 are adjacent to each other, the electrode connected to the hot electrode or the ground electrode, including the other electrodes 3 and 4, is not arranged between the electrode 3 and the electrode 4.
  • This logarithm does not have to be an integer pair, and may be 1.5 pairs, 2.5 pairs, or the like.
  • the distance between the centers of the electrodes 3 and 4, that is, the pitch is preferably in the range of 1 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less.
  • the distance between the centers of the electrodes 3 and 4 is the center of the width dimension of the electrode 3 in the direction orthogonal to the length direction of the electrode 3 and the width dimension of the electrode 4 in the direction orthogonal to the length direction of the electrode 4. It is the distance connecting the center of.
  • the width of the electrodes 3 and 4, that is, the dimensions of the electrodes 3 and 4 in the facing direction are preferably in the range of 50 nm or more and 1000 nm or less, and more preferably in the range of 150 nm or more and 1000 nm or less.
  • the distance between the centers of the electrodes 3 and 4 is the center of the dimension (width dimension) of the electrode 3 in the direction orthogonal to the length direction of the electrode 3 and the electrode 4 in the direction orthogonal to the length direction of the electrode 4. It is the distance connected to the center of the dimension (width dimension) of.
  • the direction orthogonal to the length direction of the electrodes 3 and 4 is the direction orthogonal to the polarization direction of the piezoelectric layer 2. This does not apply when a piezoelectric material having another cut angle is used as the piezoelectric layer 2.
  • “orthogonal” is not limited to the case of being strictly orthogonal, and is substantially orthogonal (the angle formed by the direction orthogonal to the length direction of the electrodes 3 and 4 and the polarization direction is, for example, 90 ° ⁇ 10 °). Within the range).
  • a support member 8 is laminated on the second main surface 2b side of the piezoelectric layer 2 via an insulating layer 7.
  • the insulating layer 7 and the support member 8 have a frame-like shape, and as shown in FIG. 15, have through holes (cavities) 7a and 8a. As a result, the cavity 9 is formed.
  • the cavity 9 is provided so as not to interfere with the vibration of the excitation region of the piezoelectric layer 2. Therefore, the support member 8 is laminated on the second main surface 2b via the insulating layer 7 at a position where it does not overlap with the portion where at least one pair of electrodes 3 and 4 are provided.
  • the insulating layer 7 may not be provided. Therefore, the support member 8 may be directly or indirectly laminated on the second main surface 2b of the piezoelectric layer 2.
  • the insulating layer 7 is made of silicon oxide. However, in addition to silicon oxide, an appropriate insulating material such as silicon nitride or alumina can be used.
  • the support member 8 is made of Si. The plane orientation of Si on the surface of the piezoelectric layer 2 side may be (100), (110), or (111).
  • the Si constituting the support member 8 preferably has a high resistance having a resistivity of 2 k ⁇ or more, and more preferably a high resistance having a resistivity of 4 k ⁇ or more. However, the support member 8 can also be configured by using an appropriate insulating material or semiconductor material.
  • the plurality of electrodes 3, 4 and the first and second bus bars 5, 6 are made of an appropriate metal or alloy such as an Al or AlCu alloy.
  • the electrodes 3 and 4 and the first and second bus bars 5 and 6 have a structure in which an Al film is laminated on a Ti film.
  • An adhesive layer other than the Ti film may be used.
  • an AC voltage is applied between the plurality of electrodes 3 and the plurality of electrodes 4. More specifically, an AC voltage is applied between the first bus bar 5 and the second bus bar 6.
  • d / p is 0. It is said to be 5 or less. Therefore, the bulk wave in the thickness slip mode is effectively excited, and good resonance characteristics can be obtained. More preferably, d / p is 0.24 or less, in which case even better resonance characteristics can be obtained.
  • the Q value is unlikely to decrease even if the logarithm of the electrodes 3 and 4 is reduced in order to reduce the size. This is because the propagation loss is small even if the number of electrode fingers in the reflectors on both sides is reduced. Further, the reason why the number of the electrode fingers can be reduced is that the bulk wave in the thickness slip mode is used. The difference between the lamb wave used in the elastic wave device and the bulk wave in the thickness slip mode will be described with reference to FIGS. 16 (a) and 16 (b).
  • FIG. 16A is a schematic front sectional view for explaining a Lamb wave propagating in a piezoelectric film of an elastic wave device as described in Patent Document 1.
  • the wave propagates in the piezoelectric film 201 as shown by an arrow.
  • the first main surface 201a and the second main surface 201b face each other, and the thickness direction connecting the first main surface 201a and the second main surface 201b is the Z direction.
  • the X direction is the direction in which the electrode fingers of the IDT electrodes are lined up.
  • the wave propagates in the X direction as shown in the figure.
  • the piezoelectric film 201 vibrates as a whole because it is a plate wave, the wave propagates in the X direction, so reflectors are arranged on both sides to obtain resonance characteristics. Therefore, a wave propagation loss occurs, and the Q value decreases when the size is reduced, that is, when the logarithm of the electrode fingers is reduced.
  • the wave is generated by the first main surface 2a and the second main surface of the piezoelectric layer 2. It propagates substantially in the direction connecting 2b, that is, in the Z direction, and resonates. That is, the X-direction component of the wave is significantly smaller than the Z-direction component. Since the resonance characteristic is obtained by the propagation of the wave in the Z direction, the propagation loss is unlikely to occur even if the number of electrode fingers of the reflector is reduced. Further, even if the logarithm of the electrode pair consisting of the electrodes 3 and 4 is reduced in order to promote miniaturization, the Q value is unlikely to decrease.
  • the amplitude direction of the bulk wave in the thickness slip mode is opposite between the first region 451 included in the excitation region of the piezoelectric layer 2 and the second region 452 included in the excitation region.
  • FIG. 17 schematically shows a bulk wave when a voltage at which the electrode 4 has a higher potential than that of the electrode 3 is applied between the electrode 3 and the electrode 4.
  • the first region 451 is a region of the excitation region between the virtual plane VP1 orthogonal to the thickness direction of the piezoelectric layer 2 and dividing the piezoelectric layer 2 into two, and the first main surface 2a.
  • the second region 452 is a region of the excitation region between the virtual plane VP1 and the second main surface 2b.
  • the elastic wave device 1 at least one pair of electrodes consisting of the electrodes 3 and 4 is arranged, but since the waves are not propagated in the X direction, they are composed of the electrodes 3 and 4.
  • the number of pairs of electrodes does not have to be multiple. That is, it is only necessary to provide at least one pair of electrodes.
  • the electrode 3 is an electrode connected to a hot potential
  • the electrode 4 is an electrode connected to a ground potential.
  • the electrode 3 may be connected to the ground potential and the electrode 4 may be connected to the hot potential.
  • at least one pair of electrodes is an electrode connected to a hot potential or an electrode connected to a ground potential as described above, and is not provided with a floating electrode.
  • FIG. 18 is a diagram showing the resonance characteristics of the elastic wave device shown in FIG.
  • the design parameters of the elastic wave device 1 that has obtained this resonance characteristic are as follows.
  • Insulation layer 7 1 ⁇ m thick silicon oxide film.
  • Support member 8 Si.
  • the length of the excitation region C is a dimension along the length direction of the electrodes 3 and 4 of the excitation region C.
  • the distances between the electrodes of the electrode pairs consisting of the electrodes 3 and 4 were all equal in the plurality of pairs. That is, the electrodes 3 and 4 are arranged at equal pitches.
  • d / p is more preferably 0.5 or less. Is 0.24 or less. This will be described with reference to FIG.
  • FIG. 19 is a diagram showing the relationship between this d / 2p and the specific band as a resonator of the elastic wave device.
  • the ratio band is less than 5% even if d / p is adjusted.
  • the specific band can be set to 5% or more by changing d / p within that range. That is, a resonator having a high coupling coefficient can be constructed.
  • the specific band can be increased to 7% or more.
  • a resonator having a wider specific band can be obtained, and a resonator having a higher coupling coefficient can be realized. Therefore, it can be seen that by setting d / p to 0.5 or less, a resonator having a high coupling coefficient can be configured by utilizing the bulk wave in the thickness slip mode.
  • the above p is the distance between the centers of the adjacent electrodes 3 and 4.
  • the thickness d of the piezoelectric layer if the piezoelectric layer 2 has a thickness variation, a value obtained by averaging the thickness may be adopted.
  • FIG. 20 is a plan view of an elastic wave device that utilizes bulk waves in a thickness slip mode.
  • a pair of electrodes having an electrode 3 and an electrode 4 is provided on the first main surface 2a of the piezoelectric layer 2.
  • K in FIG. 20 is the crossover width.
  • the logarithm of the electrodes may be one pair. Even in this case, if the d / p is 0.5 or less, the bulk wave in the thickness slip mode can be effectively excited.
  • FIG. 21 is a partially cutaway perspective view for explaining an elastic wave device using a Lamb wave.
  • the broken line in FIG. 21 indicates the position of the cavity 9 as seen from the piezoelectric layer 83 side.
  • the elastic wave device 81 has a support substrate 82.
  • the support substrate 82 is provided with a recess opened on the upper surface.
  • the piezoelectric layer 83 is laminated on the support substrate 82.
  • the cavity 9 is configured.
  • An IDT electrode 84 is provided on the piezoelectric layer 83 above the cavity 9. Reflectors 85 and 86 are provided on both sides of the IDT electrode 84 in the elastic wave propagation direction. In FIG. 21, the outer peripheral edge of the cavity 9 is shown by a broken line.
  • the IDT electrode 84 has first and second bus bars 84a and 84b, a plurality of first electrode fingers 84c, and a plurality of second electrode fingers 84d.
  • the plurality of first electrode fingers 84c are connected to the first bus bar 84a.
  • the plurality of second electrode fingers 84d are connected to the second bus bar 84b.
  • the plurality of first electrode fingers 84c and the plurality of second electrode fingers 84d are interleaved with each other.
  • a lamb wave as a plate wave is excited by applying an AC electric field to the IDT electrode 84 on the cavity 9. Since the reflectors 85 and 86 are provided on both sides, the resonance characteristic due to the Lamb wave can be obtained.
  • the d / p is 0.5 or less also in the elastic wave device of the present invention.
  • the electromechanical coupling coefficient when exciting the bulk wave in the thickness slip mode can be increased.
  • d / p is 0.24 or less.
  • good resonance characteristics can be obtained.
  • the component in the direction parallel to the thickness direction of the piezoelectric layer 16 is set to 0. That is, the center-to-center distance p is the center-to-center distance between adjacent electrodes when viewed in a plane.

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Abstract

耐サージ性及び耐電力性に優れる、弾性波装置を提供する。　本発明の弾性波装置１０は、凹部１３ａを有する支持部材１３と、支持部材１３上に凹部１３ａを覆うように設けられており、かつ対向し合う第１の主面１６ａ及び第２の主面１６ｂを有する圧電層１６と、圧電層１６の第１の主面１６ａに設けられている第１の電極指１９Ａ（第１電極）と、圧電層１６の第２の主面１６ｂに設けられており、かつ第１の電極指１９Ａと異なる電位に接続される第２の電極指１９Ｂ（第２電極）とを備える。支持部材１３の凹部１３ａ及び圧電層１６により囲まれている空洞部が設けられており、空洞部内に第２の電極指１９Ｂが配置されている。第１の電極指１９Ａ及び第２の電極指１９Ｂが、平面視において重なっておらず、かつ平面視したときに対向し合っている。

Description

弾性波装置
　本発明は、弾性波装置に関する。
　従来、ＬｉＮｂＯ３またはＬｉＴａＯ３からなる圧電膜を伝搬する板波を利用した弾性波装置が知られている。例えば、下記の特許文献１では、板波としてのラム波を利用した弾性波装置が開示されている。ここでは、圧電基板はＬｉＮｂＯ３またはＬｉＴａＯ３からなる。圧電基板の上面にＩＤＴ電極が設けられている。ＩＤＴ電極の一方電位に接続される複数の電極指と、他方電位に接続される複数の電極指との間に電圧が印加される。それによって、ラム波が励振される。このＩＤＴ電極の両側には反射器が設けられている。それによって、板波を利用した弾性波共振子が構成されている。
特開２０１２－２５７０１９号公報
　特許文献１に記載のような弾性波共振子においては、圧電基板の同じ面に、異なる電位に接続される電極指同士が隣接するように配置されている。そのため、異なる電位に接続される電極指同士の距離が短くなり易い。よって、耐サージ性や耐電力性において問題が生じることがあった。
　本発明の目的は、耐サージ性及び耐電力性に優れる、弾性波装置を提供することにある。
　本発明に係る弾性波装置のある広い局面では、凹部を有する支持部材と、前記支持部材上に前記凹部を覆うように設けられており、かつ対向し合う第１の主面及び第２の主面を有する圧電層と、前記圧電層の前記第１の主面に設けられている第１電極と、前記圧電層の前記第２の主面に設けられており、かつ前記第１電極と異なる電位に接続される第２電極とが備えられており、前記支持部材の前記凹部及び前記圧電層により囲まれている空洞部が設けられており、前記空洞部内に前記第２電極が配置されており、前記第１電極及び前記第２電極が、平面視において重なっておらず、かつ平面視したときに対向し合っている。
　本発明に係る弾性波装置の他の広い局面では、支持部材と、前記支持部材上に一部が空洞部を介して設けられており、かつ対向し合う第１の主面及び第２の主面を有する圧電層と、前記圧電層の前記第１の主面に設けられている第１電極と、前記圧電層の前記第２の主面に設けられており、かつ前記第１電極と異なる電位に接続される第２電極とを備え、前記空洞部内に前記第２電極が配置されており、前記第１電極及び前記第２電極が、平面視において重なっておらず、かつ平面視したときに対向し合っている。
　本発明によれば、耐サージ性及び耐電力性に優れる、弾性波装置を提供することができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の平面図である。 図２は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。 図３は、比較例の弾性波装置の平面図である。 図４は、本発明の第１の実施形態及び比較例のインピーダンス周波数特性を示す図である。 図５は、本発明の第１の実施形態及び比較例の位相特性を示す図である。 図６は、本発明の第１の実施形態の変形例に係る弾性波装置の平面図である。 図７は、本発明の第２の実施形態における１対の第１電極及び第２電極付近を示す略図的正面断面図である。 図８は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置の平面図である。 図９は、本発明の第３の実施形態における１対の第１電極及び第２電極付近を示す略図的正面断面図である。 図１０は、本発明の第３の実施形態の第１の変形例における１対の第１電極及び第２電極付近を示す略図的正面断面図である。 図１１は、本発明の第３の実施形態の第２の変形例における１対の第１電極及び第２電極付近を示す略図的正面断面図である。 図１２は、本発明の第４の実施形態における１対の第１電極及び第２電極付近を示す略図的正面断面図である。 図１３は、本発明の第４の実施形態の変形例における１対の第１電極及び第２電極付近を示す略図的正面断面図である。 図１４（ａ）は、厚み滑りモードのバルク波を利用する弾性波装置の外観を示す略図的斜視図であり、図１４（ｂ）は、圧電層上の電極構造を示す平面図である。 図１５は、図１４（ａ）中のＡ－Ａ線に沿う部分の断面図である。 図１６（ａ）は、弾性波装置の圧電膜を伝搬するラム波を説明するための模式的正面断面図であり、図１６（ｂ）は、弾性波装置における、圧電膜を伝搬する厚み滑りモードのバルク波を説明するための模式的正面断面図である。 図１７は、厚み滑りモードのバルク波の振幅方向を示す図である。 図１８は、厚み滑りモードのバルク波を利用する弾性波装置の共振特性を示す図である。 図１９は、隣り合う電極の中心間距離をｐ、圧電層の厚みをｄとした場合のｄ／２ｐと共振子としての比帯域との関係を示す図である。 図２０は、厚み滑りモードのバルク波を利用する弾性波装置の平面図である。 図２１は、ラム波を利用する弾性波装置を説明するための部分切り欠き斜視図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
　図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の平面図である。図２は、第１の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。
　図１に示すように、弾性波装置１０は、圧電性基板１２と、機能電極１１とを有する。機能電極１１は、第１の櫛歯状電極１７Ａ及び第２の櫛歯状電極１７Ｂを有する。図２に示すように、圧電性基板１２は、支持部材１３と、圧電層１６とを有する。本実施形態では、支持部材１３は、支持基板１４と、絶縁層１５とを有する。圧電性基板１２においては、支持基板１４上に絶縁層１５が設けられている。絶縁層１５上に圧電層１６が設けられている。
　より具体的には、支持基板１４は、凹部１４ａと支持部１４ｂとを有する。支持部１４ｂは凹部１４ａを囲んでいる。支持部１４ｂ上に絶縁層１５が設けられている。絶縁層１５は枠状の形状を有する。絶縁層１５は貫通孔１５ａを有する。支持基板１４の凹部１４ａ及び絶縁層１５の貫通孔１５ａにより、支持部材１３の凹部１３ａが構成されている。さらに、支持部材１３の凹部１３ａを覆うように、圧電層１６が設けられている。言い換えれば、支持部材１４の凹部１３ａを塞ぐように、圧電層１６が設けられている。これにより、空洞部が構成されている。空洞部は、支持部材１３の凹部１３ａ及び圧電層１６に囲まれている。なお、支持部材１３に凹部が設けられずに空洞部が構成されていてもよい。例えば、圧電層１６に支持部材１３側に開口する凹部を設けることにより、空洞部が設けられていてもよい。圧電層１６が、支持部材１３上に直接的に設けられている部分、及び空洞部を介して支持部材１３上に設けられている部分を有していればよい。
　圧電層１６は、第１の主面１６ａ及び第２の主面１６ｂを有する。第１の主面１６ａ及び第２の主面１６ｂは対向し合っている。第１の主面１６ａ及び第２の主面１６ｂのうち第２の主面１６ｂが支持部材１３側に位置する。図１に示すように、第１の主面１６ａに第１の櫛歯状電極１７Ａが設けられている。第２の主面１６ｂに第２の櫛歯状電極１７Ｂが設けられている。第１の櫛歯状電極１７Ａ及び第２の櫛歯状電極１７Ｂは、互いに異なる電位に接続される。本実施形態では、第１の櫛歯状電極１７Ａはホット電位に接続され、第２の櫛歯状電極１７Ｂはグラウンド電位に接続される。もっとも、第１の櫛歯状電極１７Ａ及び第２の櫛歯状電極１７Ｂが接続される電位は上記に限定されない。例えば、第１の櫛歯状電極１７Ａがグラウンド電位に接続され、第２の櫛歯状電極１７Ｂがホット電位に接続されてもよい。
　第１の櫛歯状電極１７Ａは、第１のバスバー１８Ａと、複数の第１の電極指１９Ａとを有する。第１の電極指１９Ａは本発明における第１電極である。複数の第１の電極指１９Ａは周期的に配置されている。複数の第１の電極指１９Ａの一端はそれぞれ、第１のバスバー１８Ａに接続されている。よって、複数の第１の電極指１９Ａは同じ電位に接続される。より具体的には、全ての第１の電極指１９Ａは同じ電位に接続される。同様に、第２の櫛歯状電極１７Ｂは、第２のバスバー１８Ｂと、複数の第２の電極指１９Ｂとを有する。第２の電極指１９Ｂは本発明における第２電極である。複数の第２の電極指１９Ｂは周期的に配置されている。複数の第２の電極指１９Ｂの一端はそれぞれ、第２のバスバー１８Ｂに接続されている。よって、複数の第２の電極指１９Ｂは同じ電位に接続される。より具体的には、全ての第２の電極指１９Ｂは同じ電位に接続される。複数の第２の電極指１９Ｂは空洞部内に配置されている。
　弾性波装置１０においては、第１の櫛歯状電極１７Ａに交流電圧を印加することにより、弾性波が励振される。具体的には、第１の櫛歯状電極１７Ａの第１の電極指１９Ａと第２の櫛歯状電極１７Ｂの第２の電極指１９Ｂとの双方が後述の通り対向した状態で、第１の櫛歯状電極１７Ａに交流電圧を印加することにより、第１の櫛歯状電極１７Ａ及び第２の櫛歯状電極１７Ｂの双方により弾性波が励振される。本実施形態では、弾性波装置１０は、例えば、厚み滑り１次モードなどの厚み滑りモードのバルク波を利用している。なお、弾性波装置１０は、ラム波などの板波を利用する弾性波装置であってもよい。
　図１に示す通り、第１の電極指１９Ａと第２の電極指１９Ｂとは、平面視したときに、第１の主面１６ａ及び第２の主面１６ｂに垂直な方向と直交する方向において対向し合っている。なお、平面視とは、第１の主面１６ａ及び第２の主面１６ｂに垂直な方向に沿って弾性波装置１０を見ることを指す。ここで、平面視において、第１の電極指１９Ａ及び第２の電極指１９Ｂが対向する方向を電極指対向方向とする。電極指対向方向から見たときに、隣り合う電極指同士が重なり合う領域が交叉領域Ｄである。なお、ここでいう重なり合うとは、平面視したときに、電極指対向方向において重なり合う位置に相当していることを指す。交叉領域Ｄは、機能電極１１の、電極指対向方向における一方端の電極指から他方端の電極指までを含む領域である。より具体的には、交叉領域Ｄは、上記一方端の電極指の、電極指対向方向における外側の端縁部から、上記他方端の電極指の、電極指対向方向における外側の端縁部までを含む。
　さらに、弾性波装置１０は、複数の励振領域Ｃを有する。励振領域Ｃも、電極指対向方向から見たときに、隣り合う電極指同士が重なり合う領域である。なお、各励振領域Ｃはそれぞれ、１対の電極指間の領域である。より詳細には、励振領域Ｃは、一方の電極指の電極指対向方向における中心から、他方の電極指の電極指対向方向における中心までの領域である。よって、交叉領域Ｄは、複数の励振領域Ｃを含む。厚み滑りモードのバルク波は、各励振領域Ｃにおいて励振される。他方、弾性波装置１０が板波を利用する場合には、交叉領域Ｄが励振領域である。
　本実施形態の特徴は、以下の構成を有することにある。１）第１の電極指１９Ａ及び第２の電極指１９Ｂが圧電層１６の異なる主面に設けられており、かつ互いに異なる電位に接続されること。２）第１の電極指１９Ａ及び第２の電極指１９Ｂが、平面視において重なっておらず、かつ平面視したときに対向し合っていること。従来では、弾性波を励振させる機能電極においては、異なる電位に接続される電極同士は、圧電層の同じ主面において対向し合っていた。本発明者は、異なる電位に接続される電極同士が、圧電層の異なる主面に設けられており、平面視したときに対向し合う構成としても、弾性波を好適に励振させられることを見出した。そして、本実施形態では、第１の電極指１９Ａ及び第２の電極指１９Ｂは、互いに異なる主面に設けられている。そのため、第１の電極指１９Ａ及び第２の電極指１９Ｂの間の距離を容易に遠ざけることができる。それによって、弾性波装置１０において、耐サージ性及び耐電力性を高めることができる。
　第１の実施形態の弾性波装置１０の共振特性が、ＩＤＴ電極を有する弾性波装置の共振特性と同等であることを、以下において示す。第１の実施形態の構成を有する弾性波装置１０と、比較例の弾性波装置との共振特性を比較した。なお、図３に示すように、比較例の弾性波装置１０１は、機能電極がＩＤＴ電極である点において第１の実施形態の弾性波装置１０と異なる。比較例においては、圧電層１６の第１の主面１６ａに第１の櫛歯状電極１７Ａ及び第２の櫛歯状電極１７Ｂの双方が設けられている。第１の櫛歯状電極１７Ａ及び第２の櫛歯状電極１７Ｂにより、ＩＤＴ電極が構成されている。
　図４は、第１の実施形態及び比較例のインピーダンス周波数特性を示す図である。図５は、第１の実施形態及び比較例の位相特性を示す図である。
　図４に示すように、第１の実施形態及び比較例においては、全体的に、ほぼ同様のインピーダンス周波数特性を有する。このように、第１の実施形態における共振特性は、機能電極がＩＤＴ電極である比較例の共振特性と同等である。
　なお、比較例においては、図４中の矢印Ｅに示すように、共振点よりも低域側の周波数域において、スプリアスが生じている。同様に、図５中の矢印Ｅに示すように、比較例においては、スプリアスが生じていることがわかる。これに対して、図４及び図５に示すように、第１の実施形態においては、共振点よりも低域側の周波数域のスプリアスを抑制できることがわかる。
　図１に戻り、第１の実施形態では、平面視において、ＩＤＴ電極が構成された状態に相当するように、第１の櫛歯状電極１７Ａ及び第２の櫛歯状電極１７Ｂが配置されている。より具体的には、平面視したときに、複数の第１の電極指１９Ａ及び複数の第２の電極指１９Ｂは互いに間挿し合っている。複数の第１の電極指１９Ａの先端はそれぞれ、平面視したときに、第２のバスバー１８Ｂとギャップを隔てて対向している。同様に、複数の第２の電極指１９Ｂの先端はそれぞれ、平面視したときに、第１のバスバー１８Ａとギャップを隔てて対向している。もっとも、第１の櫛歯状電極１７Ａ及び第２の櫛歯状電極１７Ｂの配置は上記に限定されない。
　第１の電極指１９Ａ及び第２の電極指１９Ｂにおいて、幅及び厚みのうち少なくとも一方が互いに異なることが好ましい。それによって、共振特性を容易に調整することができる。なお、電極指の幅とは、電極指対向方向に沿う電極指の寸法である。また、電極指の厚みとは、電極指対向方向と直交する方向（第１の主面１６ａ及び第２の主面１６ｂに垂直な方向）に沿う電極指の寸法である。
　圧電層１６は、本実施形態では、ニオブ酸リチウム層である。より具体的には、圧電層１６はＬｉＮｂＯ３層である。もっとも、圧電層１６は、例えばＬｉＴａＯ３層などの、タンタル酸リチウム層であってもよい。
　絶縁層１５は、本実施形態では、酸化ケイ素層である。より具体的には、絶縁層１５はＳｉＯ２層である。もっとも、絶縁層１５の材料は上記に限定されず、例えば、窒化ケイ素または酸化タンタルなどを用いることもできる。なお、絶縁層１５は必ずしも設けられていなくともよい。支持部材１３は、支持基板１４のみからなっていてもよい。この場合、支持部材１３の凹部１３ａは、支持基板１４のみに設けられた凹部である。また、絶縁層１５が設けられている場合、凹部１３ａは、絶縁層１５に設けられた凹部または貫通孔のみからなっていてもよく、支持基板１４に凹部が設けられていなくてもよい。
　支持基板１４は、本実施形態ではシリコン基板である。なお、支持基板１４の材料は上記に限定されず、例えば、酸化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、サファイア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライトなどの各種セラミック、ダイヤモンド、ガラスなどの誘電体、窒化ガリウムなどの半導体または樹脂などを用いることもできる。
　なお、支持基板１４には貫通孔が設けられていてもよい。支持部材１３の空洞部は、該貫通孔を含んでいてもよい。
　図６には、第１の実施形態の変形例として、弾性波装置が板波を利用する場合の例を示す。図６に示すように、平面視において、圧電層１６上における機能電極１１の電極指対向方向両側に、１対の反射器２２Ａ及び反射器２２Ｂが設けられている。それによって、板波を利用する場合において、共振特性を好適に高めることができる。
　図７は、第２の実施形態における１対の第１電極及び第２電極付近を示す略図的正面断面図である。図８は、第２の実施形態に係る弾性波装置の平面図である。なお、図７においては、支持基板１４などを省略している。図７以外の略図的正面断面図も同様である。
　図７及び図８に示すように、本実施形態は、第１電極３９Ａ及び第２電極３９Ｂが１対である点、及び第１電極３９Ａ及び第２電極３９Ｂの構成において第１の実施形態と異なる。上記以外の点においては、本実施形態の弾性波装置は第１の実施形態の弾性波装置１０と同様の構成を有する。なお、本実施形態の弾性波装置は、厚み滑りモードのバルク波を利用している。そのため、第１電極３９Ａ及び第２電極３９Ｂが１対であっても、十分な共振特性を得られる。
　図８に示すように、第１電極３９Ａ及び第２電極３９Ｂはそれぞれ、電極指に相当する部分と、バスバーに相当する部分とを有する。もっとも、第１電極３９Ａ及び第２電極３９Ｂはそれぞれ、電極指に相当する部分のみを有していてもよい。
　本実施形態においても、第１電極３９Ａ及び第２電極３９Ｂが圧電層１６の異なる主面に設けられており、かつ互いに異なる電位に接続される。さらに、第１電極３９Ａ及び第２電極３９Ｂが、平面視において重なっておらず、かつ平面視したときに対向し合っている。それによって、第１の実施形態と同様に、耐サージ性及び耐電力性を高めることができる。
　図９は、第３の実施形態における１対の第１電極及び第２電極付近を示す略図的正面断面図である。
　本実施形態は、圧電層１６及び第１電極３９Ａの間に、第１付加膜４５Ａが設けられている点において第２の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第２の実施形態の弾性波装置と同様の構成を有する。
　本実施形態においては、第１付加膜４５Ａは、圧電層１６の第１の主面１６ａの全面に設けられている。第１付加膜４５Ａの厚みを調整することにより、比帯域を容易に調整することができる。第１付加膜４５Ａは適宜の誘電体からなる。より具体的には、第１付加膜４５Ａの材料としては、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素または酸化タンタルなどを用いることができる。
　さらに、本実施形態においても、第１電極３９Ａ及び第２電極３９Ｂは、第２の実施形態と同様に設けられている。それによって、耐サージ性及び耐電力性を高めることができる。
　なお、第１付加膜４５Ａの配置は上記に限定されない。以下においては、第１付加膜の配置のみが第３の実施形態と異なる、第３の実施形態の第１の変形例及び第２の変形例を示す。第１の変形例及び第２の変形例においても、第３の実施形態と同様に、耐サージ性及び耐電力性を高めることができ、かつ比帯域を容易に調整することができる。
　図１０に示す第１の変形例においては、第１付加膜４５Ａは、平面視において、第１電極３９Ａと重なる部分のみに設けられている。もっとも、第１付加膜４５Ａは、第１付加膜４５Ａと平面視において重なる部分の周囲にも設けられていてもよい。
　図１１に示す第２の変形例においては、第１付加膜４５Ａは第３の実施形態と同様に、圧電層１６の第１の主面１６ａに設けられている。加えて、第１付加膜４５Ｂが第２の主面１６ｂに設けられている。第１付加膜４５Ｂは、圧電層１６及び第２電極３９Ｂの間に設けられている。本変形例では、第１付加膜４５Ｂは、第２の主面１６ｂの全面に設けられている。よって、第１付加膜４５Ｂは、図２に示す絶縁層１５と一体として設けられている。
　もっとも、第１付加膜４５Ｂは、絶縁層１５と一体ではなくてもよい。第１付加膜４５Ｂは、第２の主面１６ｂの一部に設けられていてもよい。第１付加膜４５Ａの厚み及び第１付加膜４５Ｂの厚みは異なっていてもよい。あるいは、第１付加膜４５Ａの材料及び第１付加膜４５Ｂの材料は異なっていてもよい。
　第１付加膜４５Ａは、第１電極３９Ａ及び第２電極３９Ｂのうち少なくとも一方と、圧電層１６との間に設けられていればよい。それによって、耐サージ性及び耐電力性を高めることができ、かつ比帯域を容易に調整することができる。なお、第２の主面１６ｂのみに第１付加膜４５Ｂが設けられている場合には、支持基板１４に貫通孔が設けられていることが好ましい。支持部材１３の空洞部が該貫通孔を含むことが好ましい。それによって、第１付加膜４５Ｂの厚みを容易に調整することができる。
　図１２は、第４の実施形態における１対の第１電極及び第２電極付近を示す略図的正面断面図である。
　本実施形態は、第２付加膜５５Ａが第１電極３９Ａを覆うように、圧電層１６の第１の主面１６ａに設けられている点において、第２の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第２の実施形態の弾性波装置と同様の構成を有する。
　本実施形態においては、第２付加膜５５Ａは、第１電極３９Ａなどが設けられている部分以外の、圧電層１６における第１の主面１６ａの全面に設けられている。第２付加膜５５Ａの厚みを調整することにより、周波数を容易に調整することができる。第２付加膜５５Ａは適宜の誘電体からなる。より具体的には、第２付加膜５５Ａの材料としては、例えば、酸化ケイ素または窒化ケイ素などを用いることができる。
　さらに、本実施形態においても、第１の電極指１９Ａ及び第２の電極指１９Ｂは、第２の実施形態と同様に設けられている。それによって、耐サージ性及び耐電力性を高めることができる。
　第２付加膜５５Ａは、圧電層１６の第１の主面１６ａのみに設けられている。もっとも、これに限られるものではない。図１３に示す第４の実施形態の変形例においては、第２付加膜５５Ａは、第４の実施形態と同様に、圧電層１６の第１の主面１６ａに設けられている。加えて、第２付加膜５５Ｂが、第２電極３９Ｂを覆うように、第２の主面１６ｂに設けられている。第２付加膜５５Ｂは、第２電極３９Ｂなどが設けられている部分以外の、第２の主面１６ｂの全面に設けられている。よって、本変形例では、第２付加膜５５Ｂは、図２に示す絶縁層１５と一体として設けられている。本変形例においても、耐サージ性及び耐電力性を高めることができ、かつ周波数を容易に調整することができる。
　なお、第２付加膜５５Ｂは、絶縁層１５と一体ではなくてもよい。第２付加膜５５Ａの厚み及び第２付加膜５５Ｂの厚みは異なっていてもよい。あるいは、第２付加膜５５Ａの材料及び第２付加膜５５Ｂの材料は異なっていてもよい。
　第２付加膜は、第１電極３９Ａ及び第２電極３９Ｂのうち少なくとも一方を覆うように、圧電層１６の第１の主面１６ａ及び第２の主面１６ｂのうち少なくとも一方に設けられていればよい。それによって、耐サージ性及び耐電力性を高めることができ、かつ周波数を容易に調整することができる。なお、第２の主面１６ｂのみに第２付加膜５５Ｂが設けられている場合には、支持基板１４に貫通孔が設けられていることが好ましい。支持部材１３の空洞部が該貫通孔を含むことが好ましい。それによって、第２付加膜５５Ｂの厚みを容易に調整することができる。
　以下において、厚み滑りモード及び板波の詳細を説明する。なお、以下においては、機能電極がＩＤＴ電極である場合の例を用いて説明する。もっとも、上記各実施形態のように、第１電極及び第２電極が、圧電層１６の異なる主面に設けられている場合においても、以下の記載と同様のことがいえる。ここで、以下の例における支持部材は、本発明における支持基板に相当する。
　図１４（ａ）は、厚み滑りモードのバルク波を利用する弾性波装置の外観を示す略図的斜視図であり、図１４（ｂ）は、圧電層上の電極構造を示す平面図であり、図１５は、図１４（ａ）中のＡ－Ａ線に沿う部分の断面図である。
　弾性波装置１は、ＬｉＮｂＯ３からなる圧電層２を有する。圧電層２は、ＬｉＴａＯ３からなるものであってもよい。ＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３のカット角は、Ｚカットであるが、回転ＹカットやＸカットであってもよい。圧電層２の厚みは、特に限定されないが、厚み滑りモードを効果的に励振するには、４０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下であることが好ましく、５０ｎｍ以上、６００ｎｍ以下であることがより好ましい。圧電層２は、対向し合う第１，第２の主面２ａ，２ｂを有する。第１の主面２ａ上に、電極３及び電極４が設けられている。ここで電極３が「第１電極」の一例であり、電極４が「第２電極」の一例である。図１４（ａ）及び図１４（ｂ）では、複数の電極３が、第１のバスバー５に接続されている。複数の電極４は、第２のバスバー６に接続されている。複数の電極３及び複数の電極４は、互いに間挿し合っている。電極３及び電極４は、矩形形状を有し、長さ方向を有する。この長さ方向と直交する方向において、電極３と、隣りの電極４とが対向している。電極３，４の長さ方向、及び、電極３，４の長さ方向と直交する方向はいずれも、圧電層２の厚み方向に交叉する方向である。このため、電極３と、隣りの電極４とは、圧電層２の厚み方向に交叉する方向において対向しているともいえる。また、電極３，４の長さ方向が図１４（ａ）及び図１４（ｂ）に示す電極３，４の長さ方向に直交する方向と入れ替わっても良い。すなわち、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）において、第１のバスバー５及び第２のバスバー６が延びている方向に電極３，４を延ばしてもよい。その場合、第１のバスバー５及び第２のバスバー６は、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）において電極３，４が延びている方向に延びることとなる。そして、一方電位に接続される電極３と、他方電位に接続される電極４とが隣り合う１対の構造が、上記電極３，４の長さ方向と直交する方向に、複数対設けられている。ここで電極３と電極４とが隣り合うとは、電極３と電極４とが直接接触するように配置されている場合ではなく、電極３と電極４とが間隔を介して配置されている場合を指す。また、電極３と電極４とが隣り合う場合、電極３と電極４との間には、他の電極３，４を含む、ホット電極やグラウンド電極に接続される電極は配置されない。この対数は、整数対である必要はなく、１．５対や２．５対などであってもよい。電極３，４間の中心間距離すなわちピッチは、１μｍ以上、１０μｍ以下の範囲が好ましい。また、電極３，４間の中心間距離とは、電極３の長さ方向と直交する方向における電極３の幅寸法の中心と、電極４の長さ方向と直交する方向における電極４の幅寸法の中心とを結んだ距離となる。また、電極３，４の幅、すなわち電極３，４の対向方向の寸法は、５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下の範囲であることが好ましく、１５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下の範囲であることがより好ましい。なお、電極３，４間の中心間距離とは、電極３の長さ方向と直交する方向における電極３の寸法（幅寸法）の中心と、電極４の長さ方向と直交する方向における電極４の寸法（幅寸法）の中心とを結んだ距離となる。
　また、本実施形態では、Ｚカットの圧電層を用いているため、電極３，４の長さ方向と直交する方向は、圧電層２の分極方向に直交する方向となる。圧電層２として他のカット角の圧電体を用いた場合には、この限りでない。ここにおいて、「直交」とは、厳密に直交する場合のみに限定されず、略直交（電極３，４の長さ方向と直交する方向と分極方向とのなす角度が例えば９０°±１０°の範囲内）でもよい。
　圧電層２の第２の主面２ｂ側には、絶縁層７を介して支持部材８が積層されている。絶縁層７及び支持部材８は、枠状の形状を有し、図１５に示すように、貫通孔（空洞部）７ａ，８ａを有する。それによって、空洞部９が形成されている。空洞部９は、圧電層２の励振領域の振動を妨げないために設けられている。従って、上記支持部材８は、少なくとも１対の電極３，４が設けられている部分と重ならない位置において、第２の主面２ｂに絶縁層７を介して積層されている。なお、絶縁層７は設けられずともよい。従って、支持部材８は、圧電層２の第２の主面２ｂに直接または間接に積層され得る。
　絶縁層７は、酸化ケイ素からなる。もっとも、酸化ケイ素の他、酸窒化ケイ素、アルミナなどの適宜の絶縁性材料を用いることができる。支持部材８は、Ｓｉからなる。Ｓｉの圧電層２側の面における面方位は（１００）であってもよく、（１１０）であってもよく、（１１１）であってもよい。支持部材８を構成するＳｉは、抵抗率２ｋΩ以上の高抵抗であることが好ましく、抵抗率４ｋΩ以上の高抵抗であることがより好ましい。もっとも、支持部材８についても適宜の絶縁性材料や半導体材料を用いて構成することができる。
　上記複数の電極３，４及び第１，第２のバスバー５，６は、Ａｌ、ＡｌＣｕ合金などの適宜の金属もしくは合金からなる。本実施形態では、電極３，４及び第１，第２のバスバー５，６は、Ｔｉ膜上にＡｌ膜を積層した構造を有する。なお、Ｔｉ膜以外の密着層を用いてもよい。
　駆動に際しては、複数の電極３と、複数の電極４との間に交流電圧を印加する。より具体的には、第１のバスバー５と第２のバスバー６との間に交流電圧を印加する。それによって、圧電層２において励振される厚み滑りモードのバルク波を利用した、共振特性を得ることが可能とされている。また、弾性波装置１では、圧電層２の厚みをｄ、複数対の電極３，４のうちいずれかの隣り合う電極３，４の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐは０．５以下とされている。そのため、上記厚み滑りモードのバルク波が効果的に励振され、良好な共振特性を得ることができる。より好ましくは、ｄ／ｐは０．２４以下であり、その場合には、より一層良好な共振特性を得ることができる。
　弾性波装置１では、上記構成を備えるため、小型化を図ろうとして、電極３，４の対数を小さくしたとしても、Ｑ値の低下が生じ難い。これは、両側の反射器における電極指の本数を少なくしても、伝搬ロスが少ないためである。また、上記電極指の本数を少なくできるのは、厚み滑りモードのバルク波を利用していることによる。弾性波装置で利用したラム波と、上記厚み滑りモードのバルク波の相違を、図１６（ａ）及び図１６（ｂ）を参照して説明する。
　図１６（ａ）は、特許文献１に記載のような弾性波装置の圧電膜を伝搬するラム波を説明するための模式的正面断面図である。ここでは、圧電膜２０１中を矢印で示すように波が伝搬する。ここで、圧電膜２０１では、第１の主面２０１ａと、第２の主面２０１ｂとが対向しており、第１の主面２０１ａと第２の主面２０１ｂとを結ぶ厚み方向がＺ方向である。Ｘ方向は、ＩＤＴ電極の電極指が並んでいる方向である。図１６（ａ）に示すように、ラム波では、波が図示のように、Ｘ方向に伝搬していく。板波であるため、圧電膜２０１が全体として振動するものの、波はＸ方向に伝搬するため、両側に反射器を配置して、共振特性を得ている。そのため、波の伝搬ロスが生じ、小型化を図った場合、すなわち電極指の対数を少なくした場合、Ｑ値が低下する。
　これに対して、図１６（ｂ）に示すように、弾性波装置１では、振動変位は厚み滑り方向であるから、波は、圧電層２の第１の主面２ａと第２の主面２ｂとを結ぶ方向、すなわちＺ方向にほぼ伝搬し、共振する。すなわち、波のＸ方向成分がＺ方向成分に比べて著しく小さい。そして、このＺ方向の波の伝搬により共振特性が得られるため、反射器の電極指の本数を少なくしても、伝搬損失は生じ難い。さらに、小型化を進めようとして、電極３，４からなる電極対の対数を減らしたとしても、Ｑ値の低下が生じ難い。
　なお、厚み滑りモードのバルク波の振幅方向は、図１７に示すように、圧電層２の励振領域に含まれる第１領域４５１と、励振領域に含まれる第２領域４５２とで逆になる。図１７では、電極３と電極４との間に、電極４が電極３よりも高電位となる電圧が印加された場合のバルク波を模式的に示してある。第１領域４５１は、励振領域のうち、圧電層２の厚み方向に直交し圧電層２を２分する仮想平面ＶＰ１と、第１の主面２ａとの間の領域である。第２領域４５２は、励振領域のうち、仮想平面ＶＰ１と、第２の主面２ｂとの間の領域である。
　上記のように、弾性波装置１では、電極３と電極４とからなる少なくとも１対の電極が配置されているが、Ｘ方向に波を伝搬させるものではないため、この電極３，４からなる電極対の対数は複数対ある必要はない。すなわち、少なくとも１対の電極が設けられてさえおればよい。
　例えば、上記電極３がホット電位に接続される電極であり、電極４がグラウンド電位に接続される電極である。もっとも、電極３がグラウンド電位に、電極４がホット電位に接続されてもよい。本実施形態では、少なくとも１対の電極は、上記のように、ホット電位に接続される電極またはグラウンド電位に接続される電極であり、浮き電極は設けられていない。
　図１８は、図１５に示す弾性波装置の共振特性を示す図である。なお、この共振特性を得た弾性波装置１の設計パラメータは以下の通りである。
　圧電層２：オイラー角（０°，０°，９０°）のＬｉＮｂＯ３、厚み＝４００ｎｍ。
　電極３と電極４の長さ方向と直交する方向に見たときに、電極３と電極４とが重なっている領域、すなわち励振領域Ｃの長さ＝４０μｍ、電極３，４からなる電極の対数＝２１対、電極間中心距離＝３μｍ、電極３，４の幅＝５００ｎｍ、ｄ／ｐ＝０．１３３。
　絶縁層７：１μｍの厚みの酸化ケイ素膜。
　支持部材８：Ｓｉ。
　なお、励振領域Ｃの長さとは、励振領域Ｃの電極３，４の長さ方向に沿う寸法である。
　弾性波装置１では、電極３，４からなる電極対の電極間距離は、複数対において全て等しくした。すなわち、電極３と電極４とを等ピッチで配置した。
　図１８から明らかなように、反射器を有しないにも関わらず、比帯域が１２．５％である良好な共振特性が得られている。
　ところで、上記圧電層２の厚みをｄ、電極３と電極４との電極の中心間距離をｐとした場合、前述したように、本実施形態では、ｄ／ｐは０．５以下、より好ましくは０．２４以下である。これを、図１９を参照して説明する。
　図１８に示した共振特性を得た弾性波装置と同様に、但しｄ／２ｐを変化させ、複数の弾性波装置を得た。図１９は、このｄ／２ｐと、弾性波装置の共振子としての比帯域との関係を示す図である。
　図１９から明らかなように、ｄ／２ｐが０．２５を超えると、すなわちｄ／ｐ＞０．５では、ｄ／ｐを調整しても、比帯域は５％未満である。これに対して、ｄ／２ｐ≦０．２５、すなわちｄ／ｐ≦０．５の場合には、その範囲内でｄ／ｐを変化させれば、比帯域を５％以上とすることができ、すなわち高い結合係数を有する共振子を構成することができる。また、ｄ／２ｐが０．１２以下の場合、すなわちｄ／ｐが０．２４以下の場合には、比帯域を７％以上と高めることができる。加えて、ｄ／ｐをこの範囲内で調整すれば、より一層比帯域の広い共振子を得ることができ、より一層高い結合係数を有する共振子を実現することができる。従って、ｄ／ｐを０．５以下とすることにより、上記厚み滑りモードのバルク波を利用した、高い結合係数を有する共振子を構成し得ることがわかる。
　なお、前述したように、上記ｐは、１対の電極の場合、隣り合う電極３，４の中心間距離とする。
　また、圧電層の厚みｄについては、圧電層２が厚みばらつきを有する場合、その厚みを平均化した値を採用してもよい。
　図２０は、厚み滑りモードのバルク波を利用する弾性波装置の平面図である。弾性波装置６１では、圧電層２の第１の主面２ａ上において、電極３と電極４とを有する１対の電極が設けられている。なお、図２０中のＫが交叉幅となる。前述したように、本発明の弾性波装置では、電極の対数は１対であってもよい。この場合においても、上記ｄ／ｐが０．５以下であれば、厚み滑りモードのバルク波を効果的に励振することができる。
　図２１は、ラム波を利用する弾性波装置を説明するための部分切り欠き斜視図である。なお、図２１中の破線は、圧電層８３側から見た空洞部９の位置を示す。
　弾性波装置８１は、支持基板８２を有する。支持基板８２には、上面に開いた凹部が設けられている。支持基板８２上に圧電層８３が積層されている。それによって、空洞部９が構成されている。この空洞部９の上方において圧電層８３上に、ＩＤＴ電極８４が設けられている。ＩＤＴ電極８４の弾性波伝搬方向両側に、反射器８５，８６が設けられている。図２１において、空洞部９の外周縁を破線で示す。ここでは、ＩＤＴ電極８４は、第１，第２のバスバー８４ａ，８４ｂと、複数本の第１の電極指８４ｃ及び複数本の第２の電極指８４ｄとを有する。複数本の第１の電極指８４ｃは、第１のバスバー８４ａに接続されている。複数本の第２の電極指８４ｄは、第２のバスバー８４ｂに接続されている。複数本の第１の電極指８４ｃと、複数本の第２の電極指８４ｄとは間挿し合っている。
　弾性波装置８１では、上記空洞部９上のＩＤＴ電極８４に、交流電界を印加することにより、板波としてのラム波が励振される。そして、反射器８５，８６が両側に設けられているため、上記ラム波による共振特性を得ることができる。
　上記に示した場合と同様に、本発明の弾性波装置においても、ｄ／ｐが０．５以下であることが好ましい。それによって、厚み滑りモードのバルク波を励振させる場合の電気機械結合係数を高くことができる。ｄ／ｐが０．２４以下であることが好ましい。それによって、良好な共振特性を得ることができる。なお、本発明における中心間距離ｐにおいては、圧電層１６の厚み方向と平行な方向の成分は０とする。すなわち、中心間距離ｐは、平面視したときの、隣り合う電極の中心間距離である。
１…弾性波装置
２…圧電層
２ａ…第１の主面
２ｂ…第２の主面
３，４…第１，第２電極
５，６…第１，第２のバスバー
７…絶縁層
７ａ…貫通孔
８…支持部材
８ａ…貫通孔
９…空洞部
１０…弾性波装置
１１…機能電極
１２…圧電性基板
１３…支持部材
１３ａ…凹部
１４…支持基板
１４ａ…凹部
１４ｂ…支持部
１５…絶縁層
１５ａ…貫通孔
１６…圧電層
１６ａ，１６ｂ…第１，第２の主面
１７Ａ，１７Ｂ…第１，第２の櫛歯状電極
１８Ａ，１８Ｂ…第１，第２のバスバー
１９Ａ，１９Ｂ…第１，第２の電極指
２２Ａ，２２Ｂ…反射器
３９Ａ，３９Ｂ…第１，第２電極
４５Ａ，４５Ｂ…第１付加膜
５５Ａ，５５Ｂ…第２付加膜
６１…弾性波装置
８１…弾性波装置
８２…支持基板
８３…圧電層
８４…ＩＤＴ電極
８４ａ，８４ｂ…第１，第２のバスバー
８４ｃ，８４ｄ…第１，第２の電極指
８５，８６…反射器
１０１…弾性波装置
２０１…圧電膜
２０１ａ，２０１ｂ…第１，第２の主面
４５１，４５２…第１，第２領域
Ｃ…励振領域
Ｄ…交叉領域
ＶＰ１…仮想平面

Claims (12)

  1. 　凹部を有する支持部材と、
    　前記支持部材上に前記凹部を覆うように設けられており、かつ対向し合う第１の主面及び第２の主面を有する圧電層と、
    　前記圧電層の前記第１の主面に設けられている第１電極と、
    　前記圧電層の前記第２の主面に設けられており、かつ前記第１電極と異なる電位に接続される第２電極と、
    を備え、
    　前記支持部材の前記凹部及び前記圧電層により囲まれている空洞部が設けられており、前記空洞部内に前記第２電極が配置されており、
    　前記第１電極及び前記第２電極が、平面視において重なっておらず、かつ平面視したときに対向し合っている、弾性波装置。
  2. 　前記第１電極及び前記第２電極の双方により弾性波が励振される、請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　前記第１電極及び前記第２電極において、幅及び厚みのうち少なくとも一方が互いに異なる、請求項１または２に記載の弾性波装置。
  4. 　前記第１電極及び前記第２電極のうち少なくとも一方と、前記圧電層との間に設けられている、第１付加膜をさらに備える、請求項１～３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  5. 　前記第１電極及び前記第２電極のうち少なくとも一方を覆うように、前記圧電層の前記第１の主面及び前記第２の主面のうち少なくとも一方に設けられている、第２付加膜をさらに備える、請求項１～４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  6. 　複数の前記第１電極と、
    　複数の前記第２電極と、
    を備え、
    　前記複数の第１電極が周期的に配置されており、前記複数の第２電極が周期的に配置されている、請求項１～５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  7. 　前記複数の第１電極が接続され、前記第１の主面に設けられた第１のバスバーと、
    　前記複数の第２電極が接続され、前記第２の主面に設けられた第２のバスバーと、
    をさらに備え、
    　前記第１のバスバーに接続された全ての前記第１電極は、前記第２のバスバーに接続された全ての前記第２電極と平面視で重なっていない、請求項６に記載の弾性波装置。
  8. 　厚み滑りモードのバルク波を利用可能に構成されている、請求項１～７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  9. 　前記圧電層がニオブ酸リチウム及びタンタル酸リチウムのうち一方からなり、
    　前記圧電層の厚みをｄ、平面視において隣り合う前記第１電極及び前記第２電極の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下である、請求項１～８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  10. 　ｄ／ｐが０．２４以下である、請求項９に記載の弾性波装置。
  11. 　前記複数の第１電極は、同じ電位に接続され、
    　前記複数の第２電極は、同じ電位に接続される、請求項７に記載の弾性波装置。
  12. 　支持部材と、
    　前記支持部材上に一部が空洞部を介して設けられており、かつ対向し合う第１の主面及び第２の主面を有する圧電層と、
    　前記圧電層の前記第１の主面に設けられている第１電極と、
    　前記圧電層の前記第２の主面に設けられており、かつ前記第１電極と異なる電位に接続される第２電極と、
    を備え、
    　前記空洞部内に前記第２電極が配置されており、
    　前記第１電極及び前記第２電極が、平面視において重なっておらず、かつ平面視したときに対向し合っている、弾性波装置。
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