WO2021181868A1 - 測距センサ及び距離測定方法 - Google Patents

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Definitions

  • FIG. 5 is a block diagram showing another example in the case of allocating a region other than the ROI region to the sampling circuit and the histogram generation circuit according to the angle of view in the sixth embodiment of the present technology. It is a figure which shows an example of the case where the pixel is processed by the sampling circuit and the histogram generation circuit on the surface in the three-layer structure in the seventh embodiment of this technique. It is a figure which shows an example of the case where the pixel is processed by the sampling circuit and the histogram generation circuit on the surface in the two-layer structure in the seventh embodiment of this technique. It is a figure which shows an example of the case of outputting one region at a time in the eighth embodiment of this technique.
  • the light emitting unit 20 emits pulsed light such as infrared light (IR) toward the target area.
  • the light emitting timing adjusting unit 30 is a circuit for adjusting the light emitting timing of the light emitting unit 20.
  • the light emitting timing adjusting unit 30 outputs a trigger pulse so as to synchronize with the reading timing for each line from the light receiving unit 40, which will be described later, and drives the light emitting unit 20.
  • the sampling circuit 51 is a component that samples an electric signal output from a specific pixel group at a predetermined sampling frequency in response to the emission of pulsed light.
  • the sampling circuit 51 outputs a High or Low value (sampling value) according to the value of the electric signal output from each of the activated pixel groups, for example.
  • the communication interface unit 60 is an interface circuit for outputting the calculated ranging data to an external host IC.
  • the communication interface unit 60 is an interface circuit compliant with MIPI (Mobile Industry Processor Interface), but is not limited to this.
  • MIPI Mobile Industry Processor Interface
  • SPI Serial Peripheral Interface
  • LVDS LVDS
  • SLVS-EC SLVS-EC
  • FIG. 2 illustrates a pixel 41 of one of a plurality of pixels arranged in a two-dimensional matrix in the light receiving unit 40, and a power supply 42 that supplies electric power to the pixels 41.
  • the pixel 41 has a photoelectric conversion element that photoelectrically converts the received light and generates an electric charge according to the amount of light.
  • the pixel drive unit 70 is connected to the light receiving unit 40 via the pixel drive line 43.
  • the pixel driving unit 70 drives each pixel of the light receiving unit 40 at the same time for all pixels, in units of rows, or the like.
  • the pixel signals output from each pixel of the pixel line (pixel line) selectively scanned by the pixel drive unit 70 are supplied to the sampling circuit 51 through each of the vertical signal lines 44.
  • FIG. 3 is a flowchart for explaining a distance measuring processing method by the distance measuring device 1A in the first embodiment of the present technology.
  • a plurality of sampling circuits (1, 2, 3, 3) can simultaneously process pixel signals output from the plurality of pixels 41 in one line (one line) in the imaging frame. Since 4, 5) 51 are fixedly prepared, sampling processing can be performed with high accuracy.
  • the system control unit 10 turns off the power supply 42 of the light receiving element 45 belonging to the pixel 41a, and the light receiving element 46 belonging to the pixels 41b and 41c via the pixel drive line 43. Is driven, and the pixel signal output from the light receiving element 46 via each of the vertical signal lines 441, 442, 443, 444, 445, 446 is simultaneously input to the sampling circuit 51.
  • the sampling circuit 51 and the histogram generation circuit 52 simultaneously process electrical signals output from a plurality of pixels 41 corresponding to the ROI region on one line in the imaging frame.
  • a possible number for example, 7 in FIG. 13 is provided (hereinafter, sampling circuit (2,3,4,5,6,7,8) 51 and histogram generation circuit (2,3,4,5,6). 7, 8) 52).
  • Two sampling circuits 51 and a histogram generation circuit 52 are provided except for the ROI region (hereinafter, referred to as a sampling circuit (1,9) 51 and a histogram generation circuit (1,9) 52).
  • the system control unit 10 uses the sampling circuit (1,3,4,5,6,7,8) 51. 9) Turn off the power gate cell 56 to the power supply 55 of the module belonging to 51 and the histogram generation circuit (1, 9) 52.
  • the power may be cut off as needed during the set or read-out use case of all pixels 41.
  • four sampling circuits 51 and four histogram generation circuits 52 are provided in order to reduce the particle size of the region other than the ROI (hereinafter, sampling circuits (1-1, 1-2, 2-1, 1). -2) 51 and the histogram generation circuit (referred to as 1-1, 1-2, 2-1, 1-2) 52).
  • the system control unit 10 uses the sampling circuit (1-1, 1-2, 2-).
  • the power gate cell 56 to the power supply 55 of the module belonging to 1, 1-2) 51 and the histogram generation circuit (1-1, 1-2, 2-1, 1-2) 52 is turned off.
  • the system control unit 10 uses a sampling circuit (1-1, 1-2) 51 and a histogram generation circuit (1-1, 1-2).
  • the power gate cell 56 to the power supply 55 of the module belonging to 52 can also be turned off.
  • FIG. 19 is a diagram showing an example in which a region to which light is applied is narrowed down to an ROI region when measuring a distance on a surface in a ninth embodiment of the present technology.
  • the communication interface unit 60 when reading different regions in the V direction at the same time, arranges the distance measurement data of the frame 1, the frame 2, and the frame 3 on one line, and arranges the distance measurement data of each frame 1, each frame 1. PH and PF are added to the distance measurement data of the frames 2 and 3.
  • the light receiving unit 40 is a CMOS image sensor including a plurality of light receiving elements (SPADs) arranged in a two-dimensional array. That is, each SPAD detects incoming light (photons) and converts the carriers generated thereby into electrical signal pulses using avalanche multiplication.
  • a specific SPAD group for example, a SPAD group in the one-line direction in the imaging frame
  • an electric signal is activated.
  • the pulse is read out.
  • the SPAD group of each line is sequentially activated in one frame time, and one imaging frame for the target area is formed by the electric signal pulses output from each of the activated SPAD groups.
  • FIG. 24 is a block diagram showing an example of the configuration of the distance measuring device 1C according to the twelfth embodiment of the present technology.
  • the distance measuring device 1C emits light from a light emitting element, the reflected light from an object OBJ (object or subject) is photoelectrically converted by a photoelectric conversion unit, and the electric charge generated by the photoelectric conversion unit is generated by a plurality of transfer transistors.
  • It is a distance measuring sensor that is distributed to a plurality of charge storage units and measures the distance to the object OBJ based on the amount of charges accumulated in the plurality of charge storage units.
  • the ROI area determination unit 80 determines, for example, the ROI area including the object OBJ based on the calculated distance measurement data. This determination result is output to the system control unit 10.
  • the system control unit 10 controls the pixel drive unit 70 provided in the light receiving unit 40 based on the determination result of the ROI region by the ROI area determination unit 80.
  • the system control unit 10 may use the V (vertical) control determination unit 100 that determines skipping of the read region or the like.
  • the first to eighth pixels 411 from the left end of the third line from the upper end are connected by the pixel drive line 431, and the ninth from the left end.
  • the twelfth pixel 412 is connected by the pixel drive line 432.
  • the 13th to 16th pixels 413 from the left end are connected by the pixel drive line 433, and the 17th to 20th pixels 414 from the left end are connected by the pixel drive line 434.
  • the pixel drive unit 70 drives the pixel 416 via the pixel drive line 436 and outputs the pixel 416 from the pixel 416.
  • the pixel signal is input to the AD conversion unit 91.
  • the pixel 4111 in the first row of the frame 1 is connected by the pixel drive line 4311 and is connected by the vertical signal line 4411.
  • the pixels 4112 in the second row of the frame 1 are connected by the pixel drive line 4312 and are connected by the vertical signal line 4412.
  • the pixel 4131 in the first line of the frame 3 is connected by the pixel drive line 4331 and is connected by the vertical signal line 4431.
  • the pixels 4132 in the second row of the frame 3 are connected by the pixel drive line 4332 and are connected by the vertical signal line 4432.
  • the pixel drive unit 70 drives the pixels 4121 and 4122 via the pixel drive lines 4321 and 4322, and from the pixels 4121 and 4122.
  • the output pixel signal is input to the AD conversion unit 91 via the vertical signal lines 4421 and 4422.
  • a switch can be interposed between the vertical signal line 44 and the AD conversion unit 91. In this way, the system control unit 10 can control the switch on / off according to the ROI region.
  • the distance calculation circuit 92 shown in FIG. 24 and the ROI area determination unit 80 shown in FIG. 24 are provided in the host IC 2 instead of being provided in the distance measuring device 1C.
  • the host IC 2 includes a corresponding communication interface unit. Similar to the first embodiment, the distance measurement calculation circuit of the host IC 2 calculates the distance to the object OBJ when the distance measurement data is received from the distance measurement processing unit 94 via the communication interface unit 60. Then, the ROI area determination unit of the host IC 2 determines the ROI area based on the distance measurement data. The ROI area determination unit of the host IC 2 transmits the determination result to the system control unit 10 via the communication interface unit 60.
  • the host IC 2 may include a frame buffer (not shown) capable of holding distance measurement data for one imaging frame.
  • the ROI area determination unit of the host IC 2 refers to the frame buffer and determines the ROI area for each read line in the next imaging frame.
  • the distance measuring processing unit includes a sampling circuit that samples the electric signal output for each pixel at a predetermined sampling frequency and outputs a sampling value.
  • the distance measuring processing unit A sampling circuit that samples the electrical signal output for each pixel at a predetermined sampling frequency and outputs a sampling value.
  • a histogram generation unit that generates a histogram showing the intensity of the reflected light for each time based on a plurality of the sampling values obtained by performing the light reception is provided.

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Abstract

高解像度化しても消費電力を削減し、データ出力帯域律速の緩和を図ることが可能な測距センサを提供する。距離測定装置は、行列状に配置され、受光した対象領域からの反射光を電気信号に変換する受光素子をそれぞれ有する複数の画素を備える受光部と、画素ごとに出力される電気信号に基づいて信号処理を行い対象領域までの距離を算出し、それぞれ独立に電源供給の制御が可能な複数の信号処理モジュールを有する測距処理部と、入力信号に応じて、複数の信号処理モジュールの電源供給制御を実行する制御部とを備える。

Description

測距センサ及び距離測定方法
　本開示に係る技術（本技術）は、測距センサ及び距離測定方法に関する。
　光飛行時間に基づいて物体（対象物）までの距離を測定するTime of Flight（ＴｏＦ）方式として、パルス波を利用して直接的に計測される光飛行時間から距離を測定する直接ＴｏＦ（ｄＴｏＦ）方式の測距センサと、変調光の位相を利用して間接的に算出される光飛行時間から距離を測定する間接ＴｏＦ（ｉＴｏＦ）方式の測距センサが知られている。
　ところで、上記ｄＴｏＦ方式の測距センサでは、単一のパルス光の発光に対する反射光（フォトン）を受光素子で受けて受光素子により反射光を検出するため、物体までの距離や環境光（外乱光）の影響により、フォトンが到来するかしないかは確率的な事象である。従って、受光素子を用いた測距センサは、所定単位時間内における複数回の発光による受光素子の反応を時間ごとに累積したヒストグラムを作成することで、測距精度を高めている。このような測距センサは、ライン状に配置された画素列ごとにフォトンを読み出すことにより、画素ごとに距離情報を持った撮像フレーム（距離画像）をリアルタイムに得ることができる。
　なお、外乱光が多くかつ変動する環境であっても、測距精度を高めるために、複数の受光素子の中から、フォトンの測定に用いる受光領域を形成する受光素子を選択可能な測距センサも提案されている（例えば、特許文献１参照）。
特開２０１８－４４９２３号公報
　ところで、上記測距センサにあっても、高解像度化が強く望まれている。この高解像度化に伴い１度で読み出すデータが増加することになる。
　また、測距を行う時間内（短時間）でデータを処理するために、ロジック回路の並列処理化が必要なための回路規模、消費電力が大きくなる。
　さらに、データの出力帯域が増加し、出力帯域律速で測距の間隔が空いてしまう。
　本開示はこのような事情に鑑みてなされたもので、高解像度化しても消費電力を削減し、データ出力帯域律速の緩和を図ることが可能な測距センサ及び距離測定方法を提供することを目的とする。
　本開示の一態様は、行列状に配置され、受光した対象領域からの反射光を電気信号に変換する受光素子をそれぞれ有する複数の画素を備える受光部と、前記画素ごとに出力される電気信号に基づいて信号処理を行い前記対象領域までの距離を算出し、それぞれ独立に電源供給の制御が可能な複数の信号処理モジュールを有する測距処理部と、入力信号に応じて、前記複数の信号処理モジュールの電源供給制御を実行する制御部とを備える測距センサである。
　本開示の他の態様は、行列状に配置され受光素子をそれぞれ有する複数の画素を備える受光部により対象領域からの反射光を受光し、電気信号に変換して出力することと、前記複数の画素によって形成される撮像フレームにおいて、測距処理部により前記画素ごとに出力される前記電気信号に基づいて、前記撮像フレーム中の関心領域までの距離を算出するための測距処理を実行することと、前記撮像フレームに対する前記画素ごとの前記距離に関するデータを出力することと、前記関心領域の判定結果に基づいて、前記関心領域以外の領域に属する電源部をオフ制御すること、及び前記関心領域に対応する前記電気信号を入力するように前記測距処理部を制御することの少なくとも一方を実行することと、を含む、距離測定方法である。
本技術の第１の実施形態における距離測定装置の構成の一例を示すブロック図である。 本技術の第１の実施形態における受光部の構成の一例を示すブロック図である。 本技術の第１の実施形態における距離測定装置による測距処理方法を説明するためのフローチャートである。 本技術の第１の実施形態における距離測定装置による撮像フレームの形成中の測距処理を説明するための図である。 本技術の第１の実施形態において、ＲＯＩ領域のみデータを出力するために、サンプリング回路の個数を減らす場合の一例を示すブロック図である。 本技術の第１の実施形態において、領域全面のデータを出力するために、サンプリング回路を切り替える場合の一例を示すブロック図である。 上記図６に続き、本技術の第１の実施形態において、領域全面のデータを出力するために、サンプリング回路を切り替える場合の一例を示すブロック図である。 本技術の第２の実施形態におけるＲＯＩ領域以外の画素の電源をオフにする場合の一例を示すブロック図である。 本技術の第３の実施形態におけるヒストグラム生成回路の個数を減らす場合の一例を示すブロック図である。 本技術の第４の実施形態において、走査方向に重ならない領域を同時に読み出す場合の一例を示すブロック図である。 本技術の第４の実施形態において、受光部がアレイ型であり、複数の受光素子の出力端子を画素ごとに共通化する場合の一例を示すブロック図である。 本技術の第５の実施形態におけるＲＯＩ領域以外の領域に属するサンプリング回路及びヒストグラム生成回路の電源をオフにする場合の一例を示すブロック図である。 本技術の第６の実施形態において、画角に合わせてＲＯＩ領域をサンプリング回路及びヒストグラム生成回路に割り当てる場合の一例を示すブロック図である。 本技術の第６の実施形態いて、画角に合わせてＲＯＩ領域以外の領域をサンプリング回路及びヒストグラム生成回路に割り当てる場合の他の一例を示すブロック図である。 本技術の第７の実施形態における３層構造で画素に対して面でサンプリング回路及びヒストグラム生成回路による処理を行う場合の一例を示す図である。 本技術の第７の実施形態における２層構造で画素に対して面でサンプリング回路及びヒストグラム生成回路による処理を行う場合の一例を示す図である。 本技術の第８の実施形態における１領域づつ出力する場合の一例を示す図である。 本技術の第９の実施形態において、ライン単位で測距する場合に、光を充てる領域をＲＯＩ領域に絞る一例を示す図である。 本技術の第９の実施形態において、ライン単位で測距する場合に、光を充てる領域を複数の領域に分割し、分割した領域に絞る場合の一例を示す図である。 本技術の第１０の実施形態における１領域づつ出力する場合の一例を示す図である。 本技術の第１０の実施形態における通信インタフェース部が測距データを読み出す場合の一例を説明するために示す図である。 本技術の第１０の実施形態における通信インタフェース部が測距データを読み出す場合の他の一例を説明するために示す図である。 本技術の第１１の実施形態における距離測定装置の構成の一例を示すブロック図である。 本技術の第１２の実施形態における距離測定装置の構成の一例を示すブロック図である。 本技術の第１２の実施形態における受光部の構成の一例を示すブロック図である。 本技術の第１２の実施形態において、ＲＯＩ領域のみデータを出力するために、ＡＤ変換部の個数を減らす場合の一例を示すブロック図である。 本技術の第１３の実施形態において、Ｖスキャン（読み出しラインの指定）を領域ごとに行えるようにする場合の一例を示す図である。 以前における、画素に対しラインごとに画素駆動線で接続する場合の一例を示す図である。 本技術の第１３の実施形態において、１ライン中の領域に分けて、領域ごとに異なる画素駆動線で接続する場合の一例を示す図である。 本技術の第１４の実施形態において、ＲＯＩ領域が３つの枠に分けられる一例を示す図である。 本技術の第１４の実施形態において、ＲＯＩ領域の３つの枠それぞれが異なる垂直信号線により接続される一例を示す図である。 本技術の第１５の実施形態における１領域づつ出力する場合の一例を示す図である。 本技術の第１５の実施形態において、通信インタフェース部が測距データを読み出す場合の一例を説明するために示す図である。 本技術の第１５の実施形態において、通信インタフェース部が測距データを読み出す場合の他の一例を説明するために示す図である。 本技術の第１６の実施形態における距離測定装置の構成の一例を示すブロック図である。
　以下において、図面を参照して本開示の実施形態を説明する。以下の説明で参照する図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付し、重複する説明を省略する。但し、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各装置や各部材の厚みの比率等は現実のものと異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判定すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
　なお、本明細書中に記載される効果はあくまで例示であって限定されるものでは無く、また他の効果があってもよい。
　＜第１の実施形態＞　
　＜距離測定装置の構成＞　
　図１は、本技術の第１の実施形態における距離測定装置１Ａの構成の一例を示すブロック図である。距離測定装置１Ａは、発光素子からパルス光を発射し、パルス光が照射された物体ＯＢＪ（対象物または被写体）からの反射光を受光素子で受けることにより得られる電気信号に基づいて、物体ＯＢＪまでの距離を測定する測距センサである。
　同図に示すように、距離測定装置１Ａは、例えば、システム制御部１０と、発光部２０と、発光タイミング調整部３０と、受光部４０と、測距処理部５０といったコンポーネントを備える。これらのコンポーネントは、例えば、ＣＭＯＳ　ＬＳＩのようなシステム・オン・チップ（ＳｏＣ）として一体的に構成され得るが、例えば、発光部２０や受光部４０といったいくつかのコンポーネントが別体のＬＳＩとして構成されてもよい。距離測定装置１Ａは、図示しない動作クロックに従って動作する。また、距離測定装置１Ａは、測距処理部５０により算出された距離に係るデータ（測距データ）を外部に出力するための通信インタフェース部６０を含む。図示されていないが、距離測定装置１Ａは、通信インタフェース部６０を介して、外部に配置されたホストＩＣとの通信可能に構成されている。
　システム制御部１０は、距離測定装置１Ａの動作を統括的に制御するコンポーネントである。典型的には、システム制御部１０は、マイクロプロセッサを含み構成される。
　発光部２０は、対象エリアに向けて赤外光（ＩＲ）等のパルス光を発光する。発光タイミング調整部３０は、発光部２０の発光タイミングを調整する回路である。例えば、発光タイミング調整部３０は、後述する受光部４０からのラインごとの読み出しタイミングに同期するようにトリガパルスを出力し、発光部２０を駆動する。
　受光部４０は、対象エリアから入射する光に反応して、電気信号を出力するセンサである。入射光は、物体ＯＢＪからの反射光を含む。本開示において、受光部４０は、２次元の行列状に配置された複数の受光素子を含む複数の画素により構成されたＣＭＯＳイメージセンサである。本開示では、例えば、システム制御部１０の制御の下、特定の画素群（例えば撮像フレームにおける１ライン方向の画素群）が有効化され、これによって、電気信号が読み出される。また、１フレーム時間において順次に各ラインの画素群が有効化され、有効化された画素群のそれぞれから出力される電気信号によって、対象エリアに対する１撮像フレームが形成される。
　測距処理部５０は、発光部２０により出射したパルス光と受光部４０により受光した反射光とに基づいて、物体ＯＢＪまでの距離を算出するコンポーネントである。測距処理部５０は、典型的には、信号処理プロセッサにより構成される。本開示では、測距処理部５０は、サンプリング回路５１と、ヒストグラム生成回路５２と、距離演算回路５３とを含み構成されている。
　サンプリング回路５１は、パルス光の出射に応答して特定の画素群から出力される電気信号を所定のサンプリング周波数でサンプリングするコンポーネントである。サンプリング回路５１は、例えば、有効化された画素群のそれぞれから出力される電気信号の値に従って、Ｈｉｇｈ又はＬｏｗの値（サンプリング値）を出力する。
　ヒストグラム生成回路５２は、サンプリング回路５１により出力される、サンプリング時間ごとのサンプリング値の合計値に基づいて、時間ごとの反射光の強さを示すヒストグラムを生成するコンポーネントである。ヒストグラムは、例えば、図示しないメモリ上に、ある種のデータ構造ないしはテーブルとして保持される。ヒストグラムは、撮像フレームにおける読み出しラインごとに発光されるパルス光に基づいて、画素の数に対応する数だけ生成される。ヒストグラム生成回路５２により生成されたヒストグラムは、距離演算回路５３により参照される。
　距離演算回路５３は、生成されたヒストグラムを参照して、ヒストグラム中のピーク値を検出し、ピーク値に対応する時間（すなわち到来時間）から距離を算出するコンポーネントである。すなわち、出射されたパルス光が物体ＯＢＪに照射したときの反射光が受光されたとすれば、該時間は、物体ＯＢＪまでの往復時間であるから、これにｃ／２（ｃは光速）を乗算することにより、画素ごとに物体ＯＢＪまでの距離を算出することができる。したがって、撮像フレームを構成する全ての画素に対して算出された距離により、距離画像を得ることができる。距離演算回路５３は、各撮像フレームにおける画素ごとに算出した距離に係るデータ（測距データ）を、通信インタフェース部６０及び関心（ＲＯＩ（Region of Interest））領域判定部８０に順次に出力する。
　通信インタフェース部６０は、算出された測距データを外部のホストＩＣに出力するためのインタフェース回路である。例えば、通信インタフェース部６０は、ＭＩＰＩ（Mobile Industry Processor Interface）に準拠したインタフェース回路であるが、これに限らない。例えば、ＳＰＩ（Serial Peripheral Interface）やＬＶＤＳ、ＳＬＶＳ－ＥＣ等であってもよいし、これらのインタフェース回路のうちのいくつかを実装していてもよい。
　ＲＯＩ領域判定部８０は、算出された測距データに基づいて、例えば物体ＯＢＪを含むＲＯＩ領域を判定する。この判定結果は、システム制御部１０に出力される。システム制御部１０は、ＲＯＩ領域判定部８０によるＲＯＩ領域の判定結果に基づいて、ＲＯＩ領域に対応する画素からの電気信号を処理するように、測距処理部５０及び受光部４０に設けられる画素駆動部７０を制御する。
　＜受光部の構成＞　
　図２は、受光部４０において、２次元の行列状に配置された複数の画素のうちの１つの画素４１、及び画素４１に電力を供給する電源４２を例示している。画素４１は、受光した光を光電変換し、光量に応じた電荷を生成する光電変換素子を有する。
　受光部４０には、画素駆動線４３を介して画素駆動部７０が接続されている。画素駆動部７０は、受光部４０の各画素を、全画素同時あるいは行単位等で駆動する。画素駆動部７０によって選択走査された画素ライン（画素行）の各画素から出力される画素信号は、垂直信号線４４の各々を通してサンプリング回路５１に供給される。
　サンプリング回路５１は、受光部４０の画素列ごとに、選択ライン（選択行）の各画素単位から垂直信号線４４を通して出力される画素信号に対して、所定のサンプリング周波数でサンプリングする。
　＜測距処理方法＞　
　図３は、本技術の第１の実施形態における距離測定装置１Ａによる測距処理方法を説明するためのフローチャートである。
　すなわち、距離測定装置１Ａは、測距処理を開始すると、まず、撮像フレーム中の読み出しラインを選択する（ステップＳＴ１ａ）。例えば、測距処理の開始直後であれば、撮像フレーム中の最上行のラインが選択される。
　続いて、距離測定装置１Ａは、選択中の読み出しラインにおける画素４１に対する測距を行う（ステップＳＴ１ｂ）。これにより、受光部４０は、画素４１から画素信号を測距処理部５０に出力する。
　測距処理部５０は、各画素４１の画素信号を、所定のサンプリング周波数に従ってサンプリングしながらサンプリング値を決定し、サンプリング時間ごとのサンプリング値の合計値に基づいて、ヒストグラムを生成する（ステップＳＴ１ｃ）。
　続いて、測距処理部５０は、生成されたヒストグラムにおけるピーク値を検出し、該ピーク値に対応する時間から距離を算出する（ステップＳＴ１ｄ）。そして、距離測定装置１Ａは、ＲＯＩ領域判定部８０により、算出された測距データから物体ＯＢＪがあるか否かの判定を行い（ステップＳＴ１ｅ）、物体ＯＢＪがある場合に（Ｙｅｓ）、画素駆動部７０を制御してＲＯＩ領域のみ電源４２をオンし、またはサンプリング回路５１を制御してＲＯＩ領域のみ画素信号のサンプリングを実行する（ステップＳＴ１ｆ）。なお、上記ステップＳＴ１ｆの処理については、ＲＯＩ領域判定部８０による判定結果以外に、例えば外部カメラ画像を用いて画像認識であっても、外部から物体ＯＢＪがある旨の信号を受信するようにしてもよい。さらに、物体ＯＢＪがある旨の信号を用いなくても、予めエリアの切り分けとエリアごとの電源オンを決めて、インプットさせておいてもよい。
　以後、距離測定装置１Ａは、選択したラインが終了したか否かの判定を行い（ステップＳＴ１ｇ）、ライン終了でない場合（Ｎｏ）、上記ステップＳＴ１ｂの処理に移行するが、ライン終了の場合（Ｙｅｓ）、上記ステップＳＴ１ａの処理に移行して次の読み出しラインを選択する。
　このようにして、距離測定装置１Ａは、図４に示すように、例えば、車両前方のシーンにおいて、近くの障害物（例えば他の車両）については、より高い測距精度での測距により、衝突等の回避をより正確に行えるようになる。一方、測距の結果、近くに障害物（例えば他の車両）がない場合、画素４１に電力を供給する電源４２のオフ、もしくは画素４１から出力される画素信号のマスクを行うことで、画素の駆動電圧やプロセッサによる演算負荷を下げ、消費電力を抑えることができるようになる。
　＜サンプリング回路の削減＞　
　図５は、本技術の第１の実施形態において、ＲＯＩ領域のみデータを出力するために、サンプリング回路５１の個数を減らす場合の一例を示すブロック図である。高解像度のデータを高いフレームレートで処理するために、サンプリング回路５１は、複数の画素４１から出力される画素信号を同時にサンプリングする必要がある。図５の例では、サンプリング回路５１は、撮像フレーム中の１ライン上でＲＯＩ領域に対応する複数の画素４１から出力される電気信号を同時に処理可能な個数（図５では、例えば３個）のモジュールが備えられる（以下、サンプリング回路（２，３，４）５１と称する）。なお、１ライン上の全ての画素４１から出力される電気信号を同時に処理する場合、図５の例では、例えば５個のサンプリング回路５１が必要となる。また、１つの画素４１には、複数の受光素子が含まれる。また、サンプリング回路５１の複数のモジュールは、それぞれ独立に電源供給の制御が可能である。
　受光部４０とサンプリング回路（２，３，４）５１との間には、セレクタ５４が介在される。セレクタ５４は、システム制御部１０からの切替指示に従って、受光部４０とサンプリング回路（２，３，４）５１との間を選択的に接続する。
　システム制御部１０は、例えばＲＯＩ領域判定部８０による判定結果に基づいて、ＲＯＩ領域に対応する複数の画素４１と複数のサンプリング回路５１とを接続するようにセレクタ５４を切替制御する。
　図５中の太枠で示すラインにおいて、ＲＯＩ領域に対応し右端から３番目から６番目の画素４１から出力される画素信号はセレクタ５４を介してサンプリング回路（４）５１に入力され、右端から７番目の画素４１から出力される画素信号はセレクタ５４を介してサンプリング回路（３）５１に入力される。
　図６及び図７は、本技術の第１の実施形態において、領域全面のデータを出力するために、サンプリング回路５１を切り替える場合の一例を示すブロック図である。
　まず、図６中の太枠で示すラインにおいて、左端から１番目から１０番目の画素４１から出力される画素信号は、セレクタ５４を介してサンプリング回路（２，３，４）５１に入力される。そして、システム制御部１０は、セレクタ５４を切り替えて、図７に示すように、残りの画素４１（左端から１１番目から２０番目の画素４１）から出力される画素信号をサンプリング回路（２，３，４）５１に入力する。
　＜第１の実施形態の作用効果＞　
　以上のように上記第１の実施形態によれば、サンプリング回路５１の回路規模を撮像フレームのライン（行）方向の画素４１の数に対して減らして、セレクタ５４で測距する領域をサンプリング回路５１に割り振ることで、１ライン（行）方向において、少数のサンプリング回路５１をそれよりも多数の画素４１で共用する場合に、サンプリング回路５１の回路規模を減らせる分、消費電力を削減できる。
　従って、必要な箇所だけ活性化することにより、高解像度化しても消費電力を削減し、データ出力帯域律速の緩和を図ることができる。
　また、上記第１の実施形態によれば、距離測定装置１Ａ内に、ＲＯＩ領域判定部８０を設けているので、リアルタイムで撮像フレーム中のＲＯＩに関する処理が可能となる。
　＜第２の実施形態＞　
　次に、第２の実施形態について説明する。第２の実施形態は、第１の実施形態の変形であり、ＲＯＩ領域以外の画素４１の電源４２をオフにする場合について説明する。
　図８は、本技術の第２の実施形態におけるＲＯＩ領域以外の画素４１の電源４２をオフにする場合の一例を示すブロック図である。図８の例では、上端から３番目のライン（行）において、システム制御部１０は、同じタイミングで読み出す領域のうち、ＲＯＩ領域以外（図８中では、灰色の領域）の画素４１の電源４２をオフにする。すると、左端から８番目から１２番目の画素４１から出力される画素信号が、サンプリング回路５１に入力される。
　また、上端から１０番目のライン（行）において、システム制御部１０は、ＲＯＩ領域以外の画素４１の電源４２をオフにする。すると、左端から５番目から７番目、１２番目から１５番目の画素４１から出力される画素信号が、サンプリング回路５１に入力される。
　＜第２の実施形態の作用効果＞　
　以上のように上記第２の実施形態によれば、ＲＯＩ領域以外の画素４１の電源４２をオフにすることで、サンプリング回路５１及びヒストグラム生成回路５２の回路規模を変更することなく、消費電力を削減できる。
　＜第３の実施形態＞　
　次に、第３の実施形態について説明する。第３の実施形態は、第１の実施形態の変形であり、ＲＯＩ領域のみデータを出力するために、ヒストグラム生成回路５２のモジュールの個数を減らす場合について説明する。
　図９は、本技術の第３の実施形態におけるヒストグラム生成回路５２のモジュールの個数を減らす場合の一例を示すブロック図である。図９の例では、サンプリング回路（１，２，３，４，５）５１とヒストグラム生成回路（２，３，４）５２との間には、セレクタ５４が介在される。セレクタ５４は、システム制御部１０からの切替指示に従って、サンプリング回路（１，２，３，４，５）５１とヒストグラム生成回路（２，３，４）５２との間を選択的に接続する。ヒストグラム生成回路５２の複数のモジュールは、それぞれ独立に電源供給の制御が可能である。
　システム制御部１０は、例えばＲＯＩ領域判定部８０による判定結果に基づいて、サンプリング回路（１，２，３，４，５）５１とヒストグラム生成回路（２，３，４）５２とを接続するようにセレクタ５４を切替制御する。
　＜第３の実施形態の作用効果＞　
　以上のように上記第３の実施形態によれば、ヒストグラム生成回路５２の回路規模を撮像フレームのライン（行）方向の画素４１の数に対して減らして、セレクタ５４で測距する領域をヒストグラム生成回路５２に割り振ることで、１ライン（行）方向において、少数のヒストグラム生成回路５２をそれよりも多数のサンプリング回路５１で共用する場合に、ヒストグラム生成回路５２の回路規模を減らせる分、消費電力を削減できる。
　また、上記第３の実施形態では、撮像フレーム中の１ライン（１行）において、複数の画素４１から出力される画素信号を同時に処理できるように複数個のサンプリング回路（１，２，３，４，５）５１が固定的に用意されるので、精度良くサンプリング処理を行うことができる。
　＜第４の実施形態＞　
　次に、第４の実施形態について説明する。第４の実施形態は、第１の実施形態の変形であり、アレイ型でＲＯＩデータを読み出す場合、走査方向（Ｖ方向）に重ならない領域を同時に読み出す例について説明する。
　図１０は、本技術の第４の実施形態において、走査方向に重ならない領域を同時に読み出す場合の一例を示すブロック図である。
　受光部４０はアレイ型であり、図１１に示すように、複数の受光素子の出力端子を画素４１ごとに共通化する。図１０に示す画素４１ａには、図１１に示すように、例えば１２個の受光素子４５が備えられる。画素４１ｂには、例えば１２個の受光素子４６が備えられる。画素４１ｃには、例えば１２個の受光素子４６が備えられる。なお、受光素子４５は同時に読みださない受光素子であり、受光素子４６は同時に読み出す受光素子である。
　受光素子４５の出力端子は、垂直信号線４４のうち垂直信号線４４４，４４５，４４６に接続される。画素４１ｂに属する受光素子４６の出力端子は、垂直信号線４４のうち垂直信号線４４１，４４２，４４３に接続される。画素４１ｃに属する受光素子４６の出力端子は、垂直信号線４４のうち垂直信号線４４４，４４５，４４６に接続される。垂直信号線４４４，４４５，４４６は、受光素子４５，４６で共通化される。
　ここで、ＲＯＩデータのみをサンプリング回路５１に出力する場合、システム制御部１０は画素４１ａに属する受光素子４５の電源４２をオフし、画素駆動線４３を介して画素４１ｂ，４１ｃに属する受光素子４６を駆動し、垂直信号線４４１，４４２，４４３，４４４，４４５，４４６それぞれを介して受光素子４６から出力される画素信号をサンプリング回路５１に同時に入力する。
　＜第４の実施形態の作用効果＞　
　以上のように第４の実施形態によれば、配線数削減のために、複数の受光素子４５，４６の出力端子を画素４１ごとに共通化することで、読み出したい受光素子４６以外の受光素子４５を電源オフあるいは出力マスクを行うことで、同時に異なるＶ方向に重ならない領域を読み出し可能となる。
　＜第５の実施形態＞　
　次に、第５の実施形態について説明する。第５の実施形態は、第１の実施形態の変形であり、ＲＯＩ領域以外の領域に属するサンプリング回路５１及びヒストグラム生成回路５２の電源をオフにする場合について説明する。
　図１２は、本技術の第５の実施形態におけるＲＯＩ領域以外の領域に属するサンプリング回路５１及びヒストグラム生成回路５２の電源をオフにする場合の一例を示すブロック図である。
　図１２の例では、サンプリング回路５１及びヒストグラム生成回路５２は、撮像フレーム中の１ライン上の複数の画素４１から出力される電気信号を同時に処理可能な個数のモジュールが備えられる。サンプリング回路５１及びヒストグラム生成回路５２は、モジュール化され、モジュールごとに電源５５との間にパワーゲート（登録商標）セル５６が介在される。なお、１つの電源５５に限らず、複数の電源と複数のモジュールとの間が、パワーゲートセル５６が介して接続される構成であってもよい。
　システム制御部１０は、ライン（行）において、ＲＯＩ領域以外の画素４１に属するモジュール（図１２では、モジュール１）の電源５５へのパワーゲートセル５６をオフにする。そして、ＲＯＩ領域の画素４１に属するモジュール（図１２では、モジュール２，３）の電源５５へのパワーゲートセル５６をオンにし、画素４１から出力される画素信号を、サンプリング回路５１に入力する。なお、パワーゲートセル５６以外に、クロックゲーティングセルを用いてもよい。
　＜第５の実施形態の作用効果＞　
　第５の実施形態によれば、ＲＯＩ領域以外の領域に属するサンプリング回路５１及びヒストグラム生成回路５２の電源５５をオフ制御することで、回路規模を変更することなく、消費電力を削減できる。
　＜第６の実施形態＞　
　次に、第６の実施形態について説明する。第６の実施形態は、第５の実施形態の変形であり、電源遮断、クロックゲーティング領域が等間隔でない場合について説明する。
　図１３は、本技術の第６の実施形態におけるＲＯＩ領域以外の領域に属するサンプリング回路５１及びヒストグラム生成回路５２の電源をオフにする場合の一例を示すブロック図である。
　図１３の例では、中央の粒度を細かくするため、サンプリング回路５１及びヒストグラム生成回路５２は、撮像フレーム中の１ライン上でＲＯＩ領域に対応する複数の画素４１から出力される電気信号を同時に処理可能な個数（図１３では、例えば７個）備えられる（以下、サンプリング回路（２，３，４，５，６，７，８）５１及びヒストグラム生成回路（２，３，４，５，６，７，８）５２と称する）。サンプリング回路５１及びヒストグラム生成回路５２は、ＲＯＩ領域以外では、２個備えられる（以下、サンプリング回路（１，９）５１及びヒストグラム生成回路（１，９）５２と称する）。
　１ライン上のＲＯＩ領域の画素４１から出力される画素信号をサンプリング回路（２，３，４，５，６，７，８）５１に入力する場合、システム制御部１０は、サンプリング回路（１，９）５１及びヒストグラム生成回路（１，９）５２に属するモジュールの電源５５へのパワーゲートセル５６をオフにする。
　また、１ライン上のＲＯＩ領域の顔の箇所の画素４１から出力される画素信号をサンプリング回路（３，４，５，６，７）５１に入力する場合、システム制御部１０は、サンプリング回路（１，２，８，９）５１及びヒストグラム生成回路（１，２，８，９）５２に属するモジュールの電源５５へのパワーゲートセル５６をオフにする。
　また、１ライン上のＲＯＩ領域の右手の箇所の画素４１から出力される画素信号をサンプリング回路（２，３）５１に入力する場合、システム制御部１０は、サンプリング回路（１，４，５，６，７，８，９）５１及びヒストグラム生成回路（１，４，５，６，７，８，９）５２に属するモジュールの電源５５へのパワーゲートセル５６をオフにする。
　さらに、１ライン上のＲＯＩ領域の右手の箇所の画素４１から出力される画素信号をサンプリング回路（６，７，８）５１に入力する場合、システム制御部１０は、サンプリング回路（１，２，３，４，５，９）５１及びヒストグラム生成回路（１，２，３，４，５，９）５２に属するモジュールの電源５５へのパワーゲートセル５６をオフにする。
　これにより、撮像フレーム中の１ライン上の両端を一般的な画角に合わせて遮断可能となる。
　なお、図１４に示すように、ＲＯＩの他に、セットや全画素４１の読み出しのuse case時の必要に応じて電源遮断をできるように構成してもよい。図１４の例では、ＲＯＩ以外の領域の粒度を細かくするため、サンプリング回路５１及びヒストグラム生成回路５２は、４個備えられる（以下、サンプリング回路（１－１，１－２，２－１，１－２）５１及びヒストグラム生成回路（１－１，１－２，２－１，１－２）５２と称する）。
　１ライン上のＲＯＩ領域の画素４１から出力される画素信号をサンプリング回路（３，４，５）５１に入力する場合、システム制御部１０は、サンプリング回路（１－１，１－２，２－１，１－２）５１及びヒストグラム生成回路（１－１，１－２，２－１，１－２）５２に属するモジュールの電源５５へのパワーゲートセル５６をオフにする。また、ＶＧＡの画角を、ＨＶＧＡやＱＶＧＡの画角にするときに、システム制御部１０は、サンプリング回路（１－１，１－２）５１及びヒストグラム生成回路（１－１，１－２）５２に属するモジュールの電源５５へのパワーゲートセル５６をオフにすることもできる。
　＜第７の実施形態＞　
　次に、第７の実施形態について説明する。第７の実施形態は、第１の実施形態の変形であり、例えば積層構造で画素４１に対して面でサンプリング回路５１及びヒストグラム生成回路５２による処理を行う場合について説明する。
　図１５は、本技術の第７の実施形態における３層構造で画素４１に対して面でサンプリング回路５１及びヒストグラム生成回路５２による処理を行う場合の一例を示す図である。
　図１５の例では、受光部４０の面と測距処理部５０の面との間に、パルス変化回路２００の面が介在される。パルス変化回路２００は、受光部４０の面内に配置される画素４１ごと、またはいくつかの画素４１により構成される画素群ごとに設けられ受光素子に電力を供給する複数の電源部を備える。また、パルス変化回路２００は、任意の画素４１に対し、LowレベルからHighレベルに変化する画素出力パルスを供給して、画素４１内に蓄積された電荷を画素信号として出力させる。画素４１内の受光素子は、パルス変化回路２００から供給される画素出力パルスがLowレベルからHighレベルに変化すると、クエンチ電圧が下がり、これにより蓄積していた電荷を放電する。
　システム制御部１０は、パルス変化回路２００を制御して、ＲＯＩ領域以外のロジックの電源遮断またはクロック停止を行うことができる。
　なお、３層構造以外に２層構造であってもよい。図１６は、本技術の第７の実施形態における２層構造で画素４１に対して面でサンプリング回路５１及びヒストグラム生成回路５２による処理を行う場合の一例を示す図である。
　図１６の例では、パルス変化回路２００は、測距処理部５０の面に設けられる。なお、パルス変化回路２００は、受光部４０の面に設けられてもよい。
　＜第７の実施形態の作用効果＞　
　以上のように第７の実施形態によれば、積層構造で画素４１に対して面で測距処理を行う場合に、受光部４０の面内でＲＯＩ領域以外の領域に属する電源４２をオフ制御することができる。
　＜第８の実施形態＞　
　次に、第８の実施形態について説明する。第８の実施形態は、第１の実施形態の変形であり、１撮像フレーム中に全ての領域を出力するのではなく、１領域づつ出力する場合について説明する。
　図１７は、本技術の第８の実施形態における１領域づつ出力する場合の一例を示す図である。
　図１７の例では、システム制御部１０は、ＲＯＩ領域を、例えば「顔」と「右手」と「左手」に分割し、撮像フレームごとに分割した領域を読み出すように受光部４０を制御する。なお、「右手」と「左手」は、読み出し時に重なる領域であるとする。
　システム制御部１０は、１フレーム目で「右手」を読み出すように受光部４０を制御する。続いて、システム制御部１０は、２フレーム目で「顔」を読み出すように受光部４０を制御する。３フレーム目で、システム制御部１０は、「左手」を読み出すように受光部４０を制御する。　
　なお、上記読み出し処理は、指定してもシーン変化まで複数回測距してもよい。
　＜第８の実施形態の作用効果＞　
　以上のように第８の実施形態によれば、１撮像フレーム中に全ての領域を出力するのではなく分割した１領域づつ出力することで、領域が重なる場合、同時に読み出すサイズを削減することで温度上昇を制限したり、領域内のみ光を照射することで測距精度を上げることができる。
　＜第９の実施形態＞　
　次に、第９の実施形態について説明する。第９の実施形態は、第１の実施形態の変形であり、光を充てる領域をＲＯＩ領域に絞る場合について説明する。
　図１８は、本技術の第９の実施形態において、ライン単位で測距する場合に、光を充てる領域をＲＯＩ領域に絞る一例を示す図である。
　図１８（ａ）の例では、システム制御部１０は、ＲＯＩ領域判定部８０による判定結果に基づいて、撮像フレームの１ライン上で、ＲＯＩ領域に絞って発光するように、発光タイミング調整部３０に指示信号を送って発光タイミング調整部３０により発光部２０を制御する。
　また、図１８（ｂ）の例では、システム制御部１０は、ＲＯＩ領域判定部８０による判定結果に基づいて、ＲＯＩ領域に絞って発光強度を上げて発光するように、発光タイミング調整部３０により発光部２０を制御する。
　図１９は、本技術の第９の実施形態において、面で測距する場合に、光を充てる領域をＲＯＩ領域に絞る一例を示す図である。
　図１９の例では、システム制御部１０は、ＲＯＩ領域判定部８０による判定結果に基づいて、ＲＯＩ領域を、例えば「顔」と「右手」と「左手」に分割し、分割した領域に絞って発光するように、発光タイミング調整部３０に指示信号を送って発光タイミング調整部３０により発光部２０を制御する。
　例えば、図１９（ａ）に示すように、システム制御部１０は、「顔」に絞って発光するように、発光タイミング調整部３０に指示信号を送って発光タイミング調整部３０により発光部２０を制御する。また、図１９（ｂ）に示すように、システム制御部１０は、「右手」に絞って発光するように、発光タイミング調整部３０に指示信号を送って発光タイミング調整部３０により発光部２０を制御する。さらに、図１９（ｃ）に示すように、システム制御部１０は、「左手」に絞って発光するように、発光タイミング調整部３０に指示信号を送って発光タイミング調整部３０により発光部２０を制御する。
　なお、ＲＯＩ領域を、例えば「顔」と「右手」と「左手」に分割し、分割した領域に絞って発光する以外にも、ＲＯＩ領域全体に絞って発光するようにしてもよい。
　＜第９の実施形態の作用効果＞　
　以上のように第９の実施形態によれば、光を充てる領域をＲＯＩ領域に絞ることで、光量の強化、発光部２０の低消費、無駄な領域に光を照射しないことによるセーフティ機能の向上が期待できる。
　＜第１０の実施形態＞　
　次に、第１０の実施形態について説明する。第１０の実施形態は、第１の実施形態の変形であり、ＭＩＰＩ規格に従って、ラインごとにデータにパケットヘッダ（ＰＨ）及びパケットフッタ（ＰＦ）を付加する場合について説明する。ｄＴｏＦの場合、１画素あたりのデータ情報が多いため、複数画素単位でＰＨ及びＰＦを付加したり、ヒストグラムデータを出力する場合に、画素ごとにＰＨ及びＰＦを付加する場合もある。ＰＨ及びＰＦは、ラインごとに異なる値を示す。
　図２０は、本技術の第１０の実施形態における１領域づつ出力する場合の一例を示す図である。
　図２０の例では、システム制御部１０は、ＲＯＩ領域を、例えば枠１（顔）と枠２（右手）と枠３（左手）に分割し、枠１、枠２、枠３のデータを読み出すように受光部４０を制御する。
　通信インタフェース部６０は、図２１に示すように、測距処理部５０から出力される枠１の測距データに対しラインごとに識別されたＰＨ及びＰＦを付加し、続いて、枠２及び枠３の測距データに対しラインごとに識別されたＰＨ及びＰＦを付加する。
　また、通信インタフェース部６０は、図２２に示すように、異なるＶ方向の領域を同時に読み出す場合、枠１、枠２、枠３の測距データを１ライン上に並べるとともに、それぞれの枠１、枠２、枠３の測距データにＰＨ及びＰＦを付加する。
　＜第１０の実施形態の作用効果＞　
　以上のように第１０の実施形態によれば、ＲＯＩ領域について撮像フレームの１ラインごとにＰＨ及びＰＦを付加することで、例えばホストＩＣといった外部装置側でラインごとに識別されたＰＨ及びＰＦに基づいて、ＲＯＩ領域の測距データを管理することが可能となる。
　＜第１１の実施形態＞　
　次に、第１１の実施形態について説明する。第１１の実施形態では、上記測距処理部５０から上記距離演算回路５３を削除した測距処理部５７とし、測距処理部５７により算出された測距データを受信した外部のホストＩＣを用いて、ＲＯＩ領域を判定することを可能とする距離測定装置１Ｂが開示される。ここで、外部のホストＩＣとは、上記第１の実施形態で説明したＳｏＣとしての距離測定装置１Ｂの外部に設けられるという意味で用いられている。
　図２３は、本技術の第１１の実施形態における距離測定装置１Ｂの構成の一例を示すブロック図である。同図に示すように、ホストＩＣ２が、測距処理部５７から通信インタフェース部６０を介して受信した測距データに基づいて、上記距離演算回路５３による処理を実行し、ＲＯＩ領域を判定するように構成されている点で、上記第１の実施形態において図示したものと異なっている。なお、図２３中、既に図示したコンポーネントと同一の機能ないし構成のコンポーネントについては、同一の符号を付し、適宜、その説明を省略する。
　同図に示すように、本例では、図１に示した距離演算回路５３及び図１に示したＲＯＩ領域判定部８０が、距離測定装置１Ａ内に設けられる代わりに、ホストＩＣ２に設けられている。図示していないが、ホストＩＣ２は、対応する通信インタフェース部を含み構成される。ホストＩＣ２の測距演算回路は、上記第１の実施形態と同様、測距処理部５０から通信インタフェース部６０を介して測距データを受信すると、物体ＯＢＪまでの距離を算出する。そして、ホストＩＣ２のＲＯＩ領域判定部は、該測距データに基づいて、ＲＯＩ領域を判定する。ホストＩＣ２のＲＯＩ領域判定部は、該判定結果を、通信インタフェース部６０を介して、システム制御部１０に送信する。
　一例として、ホストＩＣ２は、１撮像フレーム分の測距データを保持し得るフレームバッファ（図示せず）を備え得る。ホストＩＣ２のＲＯＩ領域判定部は、フレームバッファを参照し、次の撮像フレームにおける読み出しラインごとにＲＯＩ領域を判定する。
　＜第１１の実施形態の作用効果＞　
　このようにして、上記第１１の実施形態によっても、上記第１の実施形態と同様の作用効果ないしは利点を奏し得る。また、上記第１１の実施形態によれば、距離測定装置１Ｂ内で測距演算回路による処理及びＲＯＩ領域の判定処理を省略できる分、高度な処理が可能となる。特に、現在の撮像フレームの形成中に、該ＲＯＩ領域の判定結果に基づいて、ＲＯＩ領域以外の領域に属する電源４２をオフ制御すること、ＲＯＩ領域に対応する画素信号を入力するように測距処理部５０を制御することの少なくとも一方を実行できる。
　＜第１から第１１の実施形態で使用されるＳＰＡＤの説明＞　
　本開示の第１から第１１の実施形態において、受光部４０は、２次元アレイ状に配置された複数の受光素子（ＳＰＡＤ）を含み構成されたＣＭＯＳイメージセンサである。すなわち、各ＳＰＡＤは、飛来した光（フォトン）を検出し、これにより発生したキャリアをアバランシェ増倍を用いて電気信号パルスに変換する。本開示の第１から第１１の実施形態では、例えば、システム制御部１０の制御の下、特定のＳＰＡＤ群（例えば撮像フレームにおける１ライン方向のＳＰＡＤ群）が有効化され、これによって、電気信号パルスが読み出される。また、１フレーム時間において順次に各ラインのＳＰＡＤ群が有効化され、有効化されたＳＰＡＤ群のそれぞれから出力される電気信号パルスによって、対象エリアに対する１撮像フレームが形成される。
　＜第１２の実施形態＞　
　＜距離測定装置の構成＞　
　図２４は、本技術の第１２の実施形態における距離測定装置１Ｃの構成の一例を示すブロック図である。距離測定装置１Ｃは、発光素子から光を発射し、物体ＯＢＪ（対象物または被写体）からの反射光が光電変換部により光電変換され、光電変換部により生成された電荷は、複数の転送トランジスタにより複数の電荷蓄積部へ振り分けられ、複数の電荷蓄積部に蓄積された電荷量に基づいて、物体ＯＢＪまでの距離を測定する測距センサである。
　同図に示すように、距離測定装置１Ｃは、測距処理部９０に、ＡＤ（アナログ・デジタル）変換部９１及び距離演算回路９２を備えて構成されている点で、上記第１の実施形態において図示したものと異なっている。なお、図２４中、既に図示したコンポーネントと同一の機能ないし構成のコンポーネントについては、同一の符号を付し、適宜、その説明を省略する。
　ＡＤ変換部９１は、画素４１ごとに出力され蓄積された電荷量に応じた画素信号を、アナログ信号からデジタル信号に変換する。画素４１ごとの画素信号は、距離演算回路９２に出力される。距離演算回路９２は、画素４１ごとの画素信号に基づき、物体ＯＢＪまでの距離を算出する。距離演算回路９２では、撮像フレームを構成する全ての画素に対して算出された距離により、距離画像を得ることができる。距離演算回路９２は、各撮像フレームにおける画素ごとに算出した距離に係るデータ（測距データ）を、通信インタフェース部６０及びＲＯＩ領域判定部８０に順次に出力する。
　ＲＯＩ領域判定部８０は、算出された測距データに基づいて、例えば物体ＯＢＪを含むＲＯＩ領域を判定する。この判定結果は、システム制御部１０に出力される。システム制御部１０は、ＲＯＩ領域判定部８０によるＲＯＩ領域の判定結果に基づいて、受光部４０に設けられる画素駆動部７０を制御する。なお、画素駆動部７０を制御する際、システム制御部１０は、読み出し領域のスキップ等を判定するＶ（垂直）制御判定部１００を用いてもよい。
　＜受光部の構成＞　
　図２５は、受光部４０において、２次元の行列状に配置された複数の画素のうちの１つの画素４１を例示している。画素４１は、受光した光を光電変換し、光量に応じた電荷を生成する光電変換素子を有する。
　受光部４０には、画素駆動線４３を介して画素駆動部７０が接続されている。画素駆動部７０は、受光部４０の各画素を、全画素同時あるいは行単位等で駆動する。画素駆動部７０によって選択走査された画素ライン（画素行）の各画素から出力される画素信号は、垂直信号線４４の各々を通してＡＤ変換部９１に供給される。
　ＡＤ変換部９１は、受光部４０の画素列ごとに、選択ライン（選択行）の各画素単位から垂直信号線４４を通して出力される画素信号に対して、アナログ信号からデジタル信号に変換する。
　＜ＡＤ変換部の削減＞　
　図２６は、本技術の第１２の実施形態において、ＲＯＩ領域のみデータを出力するために、ＡＤ変換部９１の個数を減らす場合の一例を示すブロック図である。高解像度のデータを高いフレームレートで処理するために、ＡＤ変換部９１は、複数の画素４１から出力される画素信号を同時にアナログ信号からデジタル信号に変換する必要がある。図２６の例では、ＡＤ変換部９１は、撮像フレーム中の１ライン上でＲＯＩ領域に対応する複数の画素４１から出力される画素信号を同時に処理可能な個数（図２６では、例えば３個）備えられる（以下、ＡＤ変換部（２，３，４）９１と称する）。なお、１ライン上の全ての画素４１から出力される電気信号を同時に処理する場合、図２６の例では、例えば５個のＡＤ変換部（１，２，３，４，５）９１が必要となる。また、１つの画素４１には、複数の受光素子が含まれる。
　受光部４０とＡＤ変換部（１，２，３，４，５）９１との間には、セレクタ９３が介在される。セレクタ９３は、システム制御部１０からの切替指示に従って、例えば受光部４０とＡＤ変換部（２，３，４）９１との間を選択的に接続する。
　システム制御部１０は、例えばＲＯＩ領域判定部８０による判定結果に基づいて、ＲＯＩ領域に対応する複数の画素４１とＡＤ変換部（２，３，４）９１とを接続するようにセレクタ９３を切替制御する。
　図２６中の太枠で示すラインにおいて、ＲＯＩ領域に対応し左端から４番目から６番目の画素４１から出力される画素信号はセレクタ９３を介してＡＤ変換部（２）９１に入力され、左端から１１番目から１４番目の画素４１から出力される画素信号はセレクタ９３を介してＡＤ変換部（４）９１に入力される。
　＜第１２の実施形態の作用効果＞　
　以上のように第１２の実施形態によれば、ＡＤ変換部９１の個数を撮像フレームのライン方向の受光素子数や画素数に対して減らして、セレクタ９３で測距する領域をＡＤ変換部９１に割り振ることで、１ライン（行）方向において、少数のＡＤ変換部９１をそれよりも多数の画素４１で共用でき、ＡＤ変換部９１の個数を減らせる分、消費電力を削減できる。
　＜第１３の実施形態＞　
　次に、第１３の実施形態について説明する。第１３の実施形態は、第１２の実施形態の変形であり、Ｖスキャン（読み出しラインの指定）を領域ごとに行えるようにする場合の構成について説明する。
　図２７は、本技術の第１３の実施形態において、Ｖスキャン（読み出しラインの指定）を領域ごとに行えるようにする場合の一例を示す図である。
　図２７の例では、上端から３ライン目のＲＯＩ領域（図２７では、１行目を図示）の画素４１から画素信号を出力する場合、図２８に示す画素駆動線４３（１）により３ライン目の全画素４１から画素信号は同じタイミングで出力されることになる。また、上端から４ライン目のＲＯＩ領域（図２７では、２行目を図示）の画素４１から画素信号を出力する場合、図２８に示す画素駆動線４３（２）により４ライン目の全画素４１から画素信号は同じタイミングで出力されることになる。
　そこで、本技術の第１３の実施形態では、図２９に示すように、１ライン中の領域を分けて異なるタイミングで読み出し可能にする。
　図２７に戻って、本技術の第１３の実施形態では、画素４１のうち、上端から３ライン目の左端から１番目から８番目の画素４１１を画素駆動線４３１により接続し、左端から９番目から１２番目の画素４１２を画素駆動線４３２により接続する。そして、左端から１３番目から１６番目の画素４１３を画素駆動線４３３により接続し、左端から１７番目から２０番目の画素４１４を画素駆動線４３４により接続する。
　また、本技術の第１３の実施形態では、画素４１のうち、上端から４ライン目の左端から１番目から８番目の画素４１５を画素駆動線４３５により接続し、左端から９番目から１２番目の画素４１６を画素駆動線４３６により接続する。そして、左端から１３番目から１６番目の画素４１７を画素駆動線４３７により接続し、左端から１７番目から２０番目の画素４１８を画素駆動線４３８により接続する。
　３ライン目のＲＯＩ領域の画素４１２（図２７では、顔部分の１行目）を読み出す場合、画素駆動部７０は、画素駆動線４３２を介して画素４１２を駆動し、画素４１２から出力される画素信号をＡＤ変換部９１に入力させる。
　４ライン目のＲＯＩ領域の画素４１６（図２７では、顔部分の２行目）を読み出す場合、画素駆動部７０は、画素駆動線４３６を介して画素４１６を駆動し、画素４１６から出力される画素信号をＡＤ変換部９１に入力させる。
　＜第１３の実施形態の作用効果＞　
　以上のように上記第１３の実施形態によれば、読み出しラインの指定を領域ごとに行えるように構成することで、撮像フレームのＶ（走査）方向に重なっていない領域の複数の画素４１から出力される画素信号を同時に読み出してＡＤ変換部９１に入力することで、ＡＤ変換部９１の処理時間を短縮でき、その分消費電力を削減できる。
　＜第１４の実施形態＞　
　次に、第１４の実施形態について説明する。第１４の実施形態は、第１２の実施形態の変形であり、ＡＤ変換部９１に対して垂直信号線４４を多く持つ場合の構成について説明する。
　図３０は、本技術の第１４の実施形態において、ＲＯＩ領域が枠１、枠２、枠３に分けられる一例を示す図である。図３１は、枠１、枠２、枠３それぞれが異なる垂直信号線４４により接続される一例を示す図である。
　図３１の例では、画素４１のうち、例えば、枠１の１行目の画素４１１１は、画素駆動線４３１１により接続され、垂直信号線４４１１により接続される。枠１の２行目の画素４１１２は、画素駆動線４３１２により接続され、垂直信号線４４１２により接続される。
　枠２の１行目の画素４１２１は、画素駆動線４３２１により接続され、垂直信号線４４２１により接続される。枠２の２行目の画素４１２２は、画素駆動線４３２２により接続され、垂直信号線４４２２により接続される。
　枠３の１行目の画素４１３１は、画素駆動線４３３１により接続され、垂直信号線４４３１により接続される。枠３の２行目の画素４１３２は、画素駆動線４３３２により接続され、垂直信号線４４３２により接続される。
　枠１（図３０では、顔部分の１行目及び２行目）を読み出す場合、画素駆動部７０は、画素駆動線４３１１，４３１２を介して画素４１１１，４１１２を駆動し、画素４１１１，４１１２から出力される画素信号を垂直信号線４４１１，４４１２を介してＡＤ変換部９１に入力させる。
　枠２（図３０では、右手部分の１行目及び２行目）を読み出す場合、画素駆動部７０は、画素駆動線４３２１，４３２２を介して画素４１２１，４１２２を駆動し、画素４１２１，４１２２から出力される画素信号を垂直信号線４４２１，４４２２を介してＡＤ変換部９１に入力させる。
　枠３（図３０では、左手部分の１行目及び２行目）を読み出す場合、画素駆動部７０は、画素駆動線４３３１，４３３２を介して画素４１３１，４１３２を駆動し、画素４１３１，４１３２から出力される画素信号を垂直信号線４４３１，４４３２を介してＡＤ変換部９１に入力させる。
　＜第１４の実施形態の作用効果＞　
　以上のように第１４の実施形態によれば、ＡＤ変換部９１に対して垂直信号線４４を多く持つことで、ＲＯＩ領域を例えば枠１，枠２，枠３に分割して設定し、Ｖ方向重ならない場合に、枠１，枠２，枠３ごとに異なる垂直信号線４４を用いて複数の画素信号を同時にＡＤ変換部９１に入力することが可能になり、これにより処理時間を短縮でき、その分消費電力を削減できる。
　＜第１４の実施形態の変形例＞　
　なお、本技術の第１４の実施形態の変形例として、垂直信号線４４と、ＡＤ変換部９１との間に、スイッチを介在させることができる。このようにすれば、システム制御部１０は、ＲＯＩ領域に合わせてスイッチをオン・オフ制御することができる。
　＜第１５の実施形態＞　
　次に、第１５の実施形態について説明する。第１５の実施形態は、第１２の実施形態の変形であり、異なるラインにあるデータを同時に連続して出力する場合について説明する。
　図３２は、本技術の第１５の実施形態における１領域づつ出力する場合の一例を示す図である。
　図３２の例では、システム制御部１０は、ＲＯＩ領域を、例えば枠１（顔）と枠２（右手）と枠３（左手）に分割し、枠１、枠２、枠３のデータを読み出すように受光部４０を制御する。
　通信インタフェース部６０は、図３３に示すように、測距処理部５０から出力される枠１及び枠２及び枠３の測距データに対しラインごとに並べて出力する。
　また、通信インタフェース部６０は、図３４に示すように、異なるＶ方向の領域を同時に読み出す場合、枠１、枠２、枠３の測距データを１ライン上に並べて出力する。
　＜第１６の実施形態＞　
　次に、第１６の実施形態について説明する。第１６の実施形態では、測距処理部９０により算出された測距データを受信した外部のホストＩＣを用いて、ＲＯＩ領域を判定することを可能とする距離測定装置１Ｄが開示される。ここで、外部のホストＩＣとは、上記第１２の実施形態で説明したＳｏＣとしての距離測定装置１Ｄの外部に設けられるという意味で用いられている。
　図３５は、本技術の第１６の実施形態における距離測定装置１Ｄの構成の一例を示すブロック図である。同図に示すように、距離測定装置１Ｄは、上記測距処理部９０から上記距離演算回路９２を削除した測距処理部９４とし、ホストＩＣ２が、測距処理部９４から通信インタフェース部６０を介して受信した測距データに基づいて、ＲＯＩ領域を判定するように構成されている点で、上記第１２の実施形態において図示したものと異なっている。なお、図３５中、既に図示したコンポーネントと同一の機能ないし構成のコンポーネントについては、同一の符号を付し、適宜、その説明を省略する。
　同図に示すように、本例では、図２４に示した距離演算回路９２及び図２４に示したＲＯＩ領域判定部８０が、距離測定装置１Ｃ内に設けられる代わりに、ホストＩＣ２に設けられている。図示していないが、ホストＩＣ２は、対応する通信インタフェース部を含み構成される。ホストＩＣ２の測距演算回路は、上記第１の実施形態と同様、測距処理部９４から通信インタフェース部６０を介して測距データを受信すると、物体ＯＢＪまでの距離を算出する。そして、ホストＩＣ２のＲＯＩ領域判定部は、該測距データに基づいて、ＲＯＩ領域を判定する。ホストＩＣ２のＲＯＩ領域判定部は、該判定結果を、通信インタフェース部６０を介して、システム制御部１０に送信する。
　一例として、ホストＩＣ２は、１撮像フレーム分の測距データを保持し得るフレームバッファ（図示せず）を備え得る。ホストＩＣ２のＲＯＩ領域判定部は、フレームバッファを参照し、次の撮像フレームにおける読み出しラインごとにＲＯＩ領域を判定する。
　＜第１６の実施形態の作用効果＞　
　このようにして、上記第１６の実施形態によっても、上記第１１の実施形態及び上記第１２の実施形態と同様の作用効果ないしは利点を奏し得る。また、上記第１６の実施形態によれば、距離測定装置１Ｄ内で測距演算回路による処理及びＲＯＩ領域の判定処理を省略できる分、高度な処理が可能となる。
　＜その他の実施形態＞　
　上記のように、本技術は第１から第１６の実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面は本技術を限定するものであると理解すべきではない。上記の実施形態が開示する技術内容の趣旨を理解すれば、当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が本技術に含まれ得ることが明らかとなろう。また、第１から第１６の実施形態及び第１から第１６の実施形態の変形例がそれぞれ開示する構成を、矛盾の生じない範囲で適宜組み合わせることができる。例えば、複数の異なる実施形態がそれぞれ開示する構成を組み合わせてもよく、同一の実施形態の複数の異なる変形例がそれぞれ開示する構成を組み合わせてもよい。
　なお、本開示は以下のような構成も取ることができる。　
（１）
　行列状に配置され、受光した対象領域からの反射光を電気信号に変換する受光素子をそれぞれ有する複数の画素を備える受光部と、
　画素ごとまたはいくつかの画素により構成される画素群ごとに設けられ前記受光素子に電力を供給する複数の電源部と、
　前記複数の画素によって形成される撮像フレームにおいて、前記画素ごとに出力される前記電気信号に基づいて、前記撮像フレーム中の関心領域までの距離を算出するための測距処理を実行する測距処理部と、
　前記測距処理部により出力され、前記撮像フレームに対する前記画素ごとの前記距離に関するデータを出力する出力インタフェース部と、
　前記複数の電源部のオン・オフ制御、前記受光素子の出力マスク及び前記測距処理部による測距処理の制御の少なくとも１つを実行する制御部と、
を備え、
　前記制御部は、前記関心領域の判定結果に基づいて、前記関心領域以外の領域に属する電源部をオフ制御すること、及び前記関心領域に対応する前記電気信号を入力するように前記測距処理部を制御することの少なくとも一方を実行する、
測距センサ。
（２）
　前記測距処理部は、
　前記画素ごとに出力される前記電気信号を、所定のサンプリング周波数でサンプリングして、サンプリング値を出力するサンプリング回路と、
　前記受光が行われることにより得られる複数の前記サンプリング値に基づいて、時間ごとの前記反射光の強さを示すヒストグラムを生成するヒストグラム生成部と、
　前記ヒストグラムにおけるピーク値を検出し、前記ピーク値から前記関心領域までの距離を算出する距離算出部と、
を備える前記（１）に記載の測距センサ。
（３）
　前記受光部と前記サンプリング回路との間に接続される選択回路を備え、
　前記サンプリング回路は、撮像フレーム中の１ライン上で前記関心領域に対応する複数の画素から出力される電気信号を同時に処理可能な複数個備えられ、
　前記制御部は、前記関心領域に対応する複数の画素と複数の前記サンプリング回路とを接続するように前記選択回路を切替制御する前記（２）に記載の測距センサ。
（４）
　前記サンプリング回路と前記ヒストグラム生成部との間に接続される選択回路を備え、
　前記サンプリング回路は、前記撮像フレーム中の１ラインを構成する複数の画素から出力される電気信号を同時に処理可能な複数個備えられ、
　前記ヒストグラム生成部は、前記撮像フレーム中の１ライン上で前記関心領域に対応する複数のサンプリング回路の出力を同時に処理可能な複数個備えられ、
　前記制御部は、前記関心領域に対応する複数の画素からの電気信号を処理するべく、複数の前記サンプリング回路と複数の前記ヒストグラム生成部とを接続するように前記選択回路を切替制御する前記（２）に記載の測距センサ。
（５）
　前記受光部はアレイ型であり、
　複数の前記受光素子の出力端子を前記画素ごとに共通化する、前記（１）に記載の測距センサ。
（６）
　前記サンプリング回路及び前記ヒストグラム生成部は、前記撮像フレーム中の１ラインを構成する複数の画素から出力される電気信号を同時に処理可能な複数個備えられ、
　前記制御部は、前記関心領域以外の領域に属する前記サンプリング回路及び前記ヒストグラム生成部の電源をオフ制御する、前記（２）に記載の測距センサ。
（７）
　前記受光部と、前記測距処理部とが互いに異なる層に属する積層構造であり、
　前記制御部は、前記複数の画素から構成する面における前記関心領域以外の領域に属する電源部をオフ制御する、前記（１）に記載の測距センサ。
（８）
　前記制御部は、前記関心領域を複数の領域に分割し、前記撮像フレームごとに分割した領域を読み出すように前記受光部を制御する、前記（１）に記載の測距センサ。
（９）
　前記対象領域に対して光を照射する発光部を備え、
　前記制御部は、前記関心領域の判定結果に基づいて、前記光を前記関心領域のみに照射するように前記発光部を制御する、前記（１）に記載の測距センサ。
（１０）
　前記測距処理部は、
　前記画素ごとに出力される前記電気信号を、アナログ信号からデジタル信号に変換するアナログ／デジタル変換部と、
　前記デジタル信号に基づいて、前記関心領域までの距離を算出する距離算出部と、
を備える前記（１）に記載の測距センサ。
（１１）
　前記受光部と前記アナログ／デジタル変換部との間に接続される選択回路を備え、
　前記アナログ／デジタル変換部は、前記撮像フレーム中の１ライン上で前記関心領域に対応する複数の画素から出力される電気信号を同時に処理可能な複数個備えられ、
　前記制御部は、前記関心領域に対応する複数の画素と複数の前記アナログ／デジタル変換部とを接続するように前記選択回路を切替制御する前記（１０）に記載の測距センサ。
（１２）
　前記制御部は、前記関心領域において読み出しラインを指定し、かつ前記撮像フレームの走査方向に重なっていない領域の複数の画素から出力される電気信号を同時に前記アナログ／デジタル変換部に入力する、前記（１０）に記載の測距センサ。
（１３）
　前記画素と前記アナログ／デジタル変換部との間は、前記撮像フレームのラインごとに異なる複数の信号線により接続され、
　前記制御部は、前記関心領域を複数の枠に分割して設定し、枠ごとに異なる信号線を用いて前記電気信号を前記アナログ／デジタル変換部に転送する、前記（１０）に記載の測距センサ。
（１４）
　前記複数の信号線と前記アナログ／デジタル変換部との間に接続されるスイッチを備え、
　前記制御部は、前記関心領域に合わせて前記スイッチをオン・オフ制御する、前記（１３）に記載の測距センサ。
（１５）
　測距処理部からの出力から前記関心領域を判定する関心領域判定部を備え、
　前記制御部は、前記関心領域判定部による前記関心領域の判定結果に基づいて、前記関心領域以外の領域に属する電源部をオフ制御すること、及び前記関心領域に対応する前記電気信号を入力するように前記測距処理部を制御することの少なくとも一方を実行する、前記（１）から前記（１４）のいずれか１項に記載の測距センサ。
（１６）
　前記制御部は、外部装置から提供される前記関心領域の判定結果に基づいて、前記関心領域以外の領域に属する電源部をオフ制御すること、及び前記関心領域に対応する前記電気信号を入力するように前記測距処理部を制御することの少なくとも一方を実行する、前記（１）から前記（１４）のいずれか１に記載の測距センサ。
（１７）
　出力インタフェース部は、前記関心領域について前記撮像フレームの１ラインごとにヘッダ情報及びフッタ情報を付加する、前記（１）から前記（１０）のいずれか１に記載の測距センサ。
（１８）
　行列状に配置され受光素子をそれぞれ有する複数の画素を備える受光部により対象領域からの反射光を受光し、電気信号に変換して出力することと、
　前記複数の画素によって形成される撮像フレームにおいて、測距処理部により前記画素ごとに出力される前記電気信号に基づいて、前記撮像フレーム中の関心領域までの距離を算出するための測距処理を実行することと、
　前記撮像フレームに対する前記画素ごとの前記距離に関するデータを出力することと、
　前記関心領域の判定結果に基づいて、前記関心領域以外の領域に属する電源部をオフ制御すること、及び前記関心領域に対応する前記電気信号を入力するように前記測距処理部を制御することの少なくとも一方を実行することと、を含む、
距離測定方法。
（１９）
　行列状に配置され、受光した対象領域からの反射光を電気信号に変換する受光素子をそれぞれ有する複数の画素を備える受光部と、
　前記画素ごとに出力される電気信号に基づいて信号処理を行い前記対象領域までの距離を算出し、それぞれ独立に電源供給の制御が可能な複数の信号処理モジュールを有する測距処理部と、
　入力信号に応じて、前記複数の信号処理モジュールの電源供給制御を実行する制御部とを備える測距センサ。
（２０）
　前記測距処理部は、前記複数の画素によって形成される撮像フレームにおいて、前記画素ごとに出力される前記電気信号に基づいて、撮像フレーム中の関心領域までの距離を算出するための測距処理を実行し、
　前記制御部は、前記関心領域に対応する複数の画素に対応した前記信号処理モジュールに電源を供給する
前記（１９）に記載の測距センサ。
（２１）
　前記受光部と前記複数の信号処理モジュールとの間に接続される選択回路を備え、
　前記制御部は、前記関心領域に対応する複数の画素と、前記関心領域に対応する複数の画素に対応した信号処理モジュールとを接続するように前記選択回路を切替制御する
前記（２０）に記載の測距センサ。
（２２）
　前記受光素子は、アバランシェフォトダイオードである前記（２１）に記載の測距センサ。
（２３）
　前記測距処理部は、前記画素ごとに出力される前記電気信号を、所定のサンプリング周波数でサンプリングして、サンプリング値を出力するサンプリング回路を備え、
　前記選択回路は、前記受光部と前記サンプリング回路との間に配置される
前記（２２）に記載の測距センサ。
（２４）
　前記測距処理部は、
　前記画素ごとに出力される前記電気信号を、所定のサンプリング周波数でサンプリングして、サンプリング値を出力するサンプリング回路と、
　前記受光が行われることにより得られる複数の前記サンプリング値に基づいて、時間ごとの前記反射光の強さを示すヒストグラムを生成するヒストグラム生成部と、を備え、
　前記選択回路は、前記サンプリング回路と前記ヒストグラム生成部との間に配置される前記（２２）に記載の測距センサ。
　１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ…距離測定装置、２…ホストＩＣ、１０…システム制御部、２０…発光部、３０…発光タイミング調整部、４０…受光部、４１，４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１１，４１２，４１３，４１４，４１５，４１６，４１７，４１８，４１１１，４１１２，４１２１，４１２２，４１３１，４１３２…画素、４２…電源部、４３，４３１，４３２，４３３，４３４，４３５，４３６，４３７，４３８，４３１１，４３１２，４３２１，４３２２，４３３１，４３３２…画素駆動線、４４，４４１，４４２，４４３，４４４，４４５，４４６，４４１１，４４１２，４４２１，４４２２，４４３１、４４３２…垂直信号線、４５，４６…受光素子、５０，９０…測距処理部、５１…サンプリング回路、５２…ヒストグラム生成回路、５３，６３，９２…距離演算回路、５４，９３…セレクタ、５５…電源、５６…パワーゲートセル、６０…通信インタフェース部、７０…画素駆動部、８０…ＲＯＩ領域判定部、９１…ＡＤ変換部、１００…Ｖ（垂直）制御判定部、２００…パルス変化回路

Claims (20)

  1. 　行列状に配置され、受光した対象領域からの反射光を電気信号に変換する受光素子をそれぞれ有する複数の画素を備える受光部と、
    　前記画素ごとに出力される電気信号に基づいて信号処理を行い前記対象領域までの距離を算出し、それぞれ独立に電源供給の制御が可能な複数の信号処理モジュールを有する測距処理部と、
    　入力信号に応じて、前記複数の信号処理モジュールの電源供給制御を実行する制御部とを備える測距センサ。
  2. 　前記測距処理部は、前記複数の画素によって形成される撮像フレームにおいて、前記画素ごとに出力される前記電気信号に基づいて、撮像フレーム中の関心領域までの距離を算出するための測距処理を実行し、
    　前記制御部は、前記関心領域に対応する複数の画素に対応した前記信号処理モジュールに電源を供給する
    請求項１に記載の測距センサ。
  3. 　前記受光部と前記複数の信号処理モジュールとの間に接続される選択回路を備え、
    　前記制御部は、前記関心領域に対応する複数の画素と、前記関心領域に対応する複数の画素に対応した信号処理モジュールとを接続するように前記選択回路を切替制御する
    請求項２に記載の測距センサ。
  4. 　前記受光素子は、アバランシェフォトダイオードである請求項３に記載の測距センサ。
  5. 　前記測距処理部は、前記画素ごとに出力される前記電気信号を、所定のサンプリング周波数でサンプリングして、サンプリング値を出力するサンプリング回路を備え、
    　前記選択回路は、前記受光部と前記サンプリング回路との間に配置される
    請求項４に記載の測距センサ。
  6. 　前記測距処理部は、
    　前記画素ごとに出力される前記電気信号を、所定のサンプリング周波数でサンプリングして、サンプリング値を出力するサンプリング回路と、
    　前記受光が行われることにより得られる複数の前記サンプリング値に基づいて、時間ごとの前記反射光の強さを示すヒストグラムを生成するヒストグラム生成部と、を備え、
    　前記選択回路は、前記サンプリング回路と前記ヒストグラム生成部との間に配置される請求項４に記載の測距センサ。
  7. 　前記測距処理部は、
    　前記画素ごとに出力される前記電気信号を、所定のサンプリング周波数でサンプリングして、サンプリング値を出力するサンプリング回路と、
    　前記受光が行われることにより得られる複数の前記サンプリング値に基づいて、時間ごとの前記反射光の強さを示すヒストグラムを生成するヒストグラム生成部と、
    　前記ヒストグラムにおけるピーク値を検出し、前記ピーク値から前記関心領域までの距離を算出する距離算出部と、
    を備える請求項４に記載の測距センサ。
  8. 　前記受光部はアレイ型であり、
    　複数の前記受光素子の出力端子を前記画素ごとに共通化する、
    請求項１に記載の測距センサ。
  9. 　画素ごとまたはいくつかの画素により構成される画素群ごとに設けられ前記受光素子に電力を供給する複数の電源部をさらに備え、
    　前記受光部と、前記測距処理部とが互いに異なる層に属する積層構造であり、
    　前記制御部は、前記複数の画素から構成する面における関心領域以外の領域に属する電源部をオフ制御する、
    請求項１に記載の測距センサ。
  10. 　前記制御部は、前記関心領域を複数の領域に分割し、前記撮像フレームごとに分割した領域を読み出すように前記受光部を制御する、
    請求項２に記載の測距センサ。
  11. 　前記対象領域に対して光を照射する発光部を備え、
    　前記制御部は、前記関心領域の判定結果に基づいて、前記光を前記関心領域のみに照射するように前記発光部を制御する、
    請求項２に記載の測距センサ。
  12. 　前記測距処理部は、
    　前記画素ごとに出力される前記電気信号を、アナログ信号からデジタル信号に変換するアナログ／デジタル変換部と、
    　前記デジタル信号に基づいて、前記関心領域までの距離を算出する距離算出部と、
    を備える請求項２に記載の測距センサ。
  13. 　前記受光部と前記アナログ／デジタル変換部との間に接続される選択回路を備え、
    　前記制御部は、前記関心領域に対応する複数の画素と前記アナログ／デジタル変換部とを接続するように前記選択回路を切替制御する
    請求項１２に記載の測距センサ。
  14. 　前記制御部は、前記関心領域において読み出しラインを指定し、かつ前記撮像フレームの走査方向に重なっていない領域の複数の画素から出力される電気信号を同時に前記アナログ／デジタル変換部に入力する、
    請求項１２に記載の測距センサ。
  15. 　前記画素と前記アナログ／デジタル変換部との間は、前記撮像フレームのラインごとに異なる複数の信号線により接続され、
    　前記制御部は、前記関心領域を複数の枠に分割して設定し、枠ごとに異なる信号線を用いて前記電気信号を前記アナログ／デジタル変換部に転送する、
    請求項１２に記載の測距センサ。
  16. 　前記複数の信号線と前記アナログ／デジタル変換部との間に接続されるスイッチを備え、
    　前記制御部は、前記関心領域に合わせて前記スイッチをオン・オフ制御する、
    請求項１５に記載の測距センサ。
  17. 　測距処理部からの出力から関心領域を判定する関心領域判定部を備え、
    　前記制御部は、前記関心領域判定部による前記関心領域の判定結果に基づいて、関心領域以外の領域に属する電源部をオフ制御すること、及び前記関心領域に対応する前記電気信号を入力するように前記測距処理部を制御することの少なくとも一方を実行する、
    請求項１から請求項１６のいずれか１項に記載の測距センサ。
  18. 　前記制御部は、外部装置から提供される関心領域の判定結果に基づいて、関心領域以外の領域に属する電源部をオフ制御すること、及び前記関心領域に対応する前記電気信号を入力するように前記測距処理部を制御することの少なくとも一方を実行する、
    請求項１から請求項１６のいずれか１項に記載の測距センサ。
  19. 　前記関心領域について前記撮像フレームの１ラインごとにヘッダ情報及びフッタ情報を付加する出力インタフェース部を備える、
    請求項２に記載の測距センサ。
  20. 　行列状に配置され受光素子をそれぞれ有する複数の画素を備える受光部により対象領域からの反射光を受光し、電気信号に変換して出力することと、
    　前記複数の画素によって形成される撮像フレームにおいて、測距処理部により前記画素ごとに出力される前記電気信号に基づいて、撮像フレーム中の関心領域までの距離を算出するための測距処理を実行することと、
    　前記撮像フレームに対する前記画素ごとの前記距離に関するデータを出力することと、
    　前記関心領域の判定結果に基づいて、関心領域以外の領域に属する電源部をオフ制御すること、及び前記関心領域に対応する前記電気信号を入力するように前記測距処理部を制御することの少なくとも一方を実行することと、を含む、
    距離測定方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023145261A1 (ja) * 2022-01-26 2023-08-03 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 測距装置および測距装置の制御方法
WO2024095626A1 (ja) * 2022-10-31 2024-05-10 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 測距装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013046232A (ja) * 2011-08-24 2013-03-04 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 固体撮像装置
JP2016161438A (ja) * 2015-03-03 2016-09-05 株式会社デンソー 演算装置
JP2017173298A (ja) * 2016-03-16 2017-09-28 株式会社リコー 物体検出装置及び移動体装置
JP2018205288A (ja) * 2017-05-31 2018-12-27 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 距離計測装置、距離計測方法、およびプログラム
US10445896B1 (en) * 2016-09-23 2019-10-15 Apple Inc. Systems and methods for determining object range

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013046232A (ja) * 2011-08-24 2013-03-04 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 固体撮像装置
JP2016161438A (ja) * 2015-03-03 2016-09-05 株式会社デンソー 演算装置
JP2017173298A (ja) * 2016-03-16 2017-09-28 株式会社リコー 物体検出装置及び移動体装置
US10445896B1 (en) * 2016-09-23 2019-10-15 Apple Inc. Systems and methods for determining object range
JP2018205288A (ja) * 2017-05-31 2018-12-27 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 距離計測装置、距離計測方法、およびプログラム

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023145261A1 (ja) * 2022-01-26 2023-08-03 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 測距装置および測距装置の制御方法
WO2024095626A1 (ja) * 2022-10-31 2024-05-10 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 測距装置

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