WO2021170668A1

WO2021170668A1 - Optoelectronic component and method for producing same

Info

Publication number: WO2021170668A1
Application number: PCT/EP2021/054582
Authority: WO
Inventors: Dr. Ulrich STREPPEL; Robert REGENSBURGER
Original assignee: Osram Opto Semiconductors Gmbh
Priority date: 2020-02-26
Filing date: 2021-02-24
Publication date: 2021-09-02
Also published as: DE102020105021A1

Abstract

An optoelectronic component comprises a substrate and an optoelectronic semiconductor chip provided on the substrate. The optoelectronic semiconductor chip is embedded in an encapsulation body. An outer face of the encapsulation body comprises a coupling-out surface bordering the substrate and a lateral surface. The encapsulation body is embedded in a reflector body. The lateral surface is covered by the reflector body. At least part of the coupling-out surface is not covered by the reflector body.

Description

OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND DESSEN HERSTELLUNGSVERFAHREN OPTOELECTRONIC COMPONENT AND ITS MANUFACTURING METHOD

BESCHREIBUNG DESCRIPTION

Die vorliegende Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement, ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektroni schen Bauelements sowie eine optoelektronische Anordnung. The present invention relates to an optoelectronic component, a method for producing an optoelectronic component and an optoelectronic arrangement.

Diese Patentanmeldung beansprucht die Prioritäten der deut schen Patentanmeldung 102020 105 021.6, deren Offenbarungs gehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird. This patent application claims the priorities of the German patent application 102020 105 021.6, the disclosure content of which is hereby incorporated by reference.

Es ist bekannt, mit optoelektronischen Bauelementen erzeugtes Licht in Lichtleiter einzukoppeln. Hierbei besteht die Schwierigkeit, dass viele optoelektronische Bauelemente einen breiten Abstrahlwinkel aufweisen, der unter Umständen größer ist als der Akzeptanzwinkel des Lichtleiters. It is known to couple light generated with optoelectronic components into light guides. The problem here is that many optoelectronic components have a wide emission angle which, under certain circumstances, is greater than the acceptance angle of the light guide.

Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein optoelektronisches Bauelement bereitzustellen. Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfah ren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements anzu geben. Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung be steht darin, eine optoelektronische Anordnung mit einem opto elektronischen Bauelement bereitzustellen. Diese Aufgaben werden durch ein optoelektronisches Bauelement, durch ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und durch eine optoelektronische Anordnung mit den Merkmalen der unabhängigen Ansprüche gelöst. In den abhängigen Ansprü chen sind verschiedene Weiterbildungen angegeben. One object of the present invention is to provide an optoelectronic component. Another object of the present invention is to provide a method for producing an optoelectronic component. Another object of the present invention is to provide an optoelectronic arrangement with an optoelectronic component. These objects are achieved by an optoelectronic component, by a method for producing an optoelectronic component and by an optoelectronic arrangement having the features of the independent claims. Various developments are specified in the dependent claims.

Ein optoelektronisches Bauelement weist einen Träger und ei nen auf dem Träger angeordneten optoelektronischen Halb leiterchip auf. Der optoelektronische Halbleiterchip ist in einen Vergusskörper eingebettet. Eine Außenfläche des Ver gusskörpers umfasst eine an den Träger angrenzende Auskoppel- fläche und eine Mantelfläche. Der Vergusskörper ist in einen Reflektorkörper eingebettet. Die Mantelfläche ist durch den Reflektorkörper bedeckt. Die Auskoppelfläche ist zumindest teilweise nicht durch den Reflektorkörper bedeckt. An optoelectronic component has a carrier and an optoelectronic semiconductor chip arranged on the carrier. The optoelectronic semiconductor chip is embedded in a potting body. An outer surface of the casting body comprises a coupling-out adjacent to the carrier surface and a lateral surface. The potting body is embedded in a reflector body. The jacket surface is covered by the reflector body. The coupling-out surface is at least partially not covered by the reflector body.

Dieses optoelektronische Bauelement ermöglicht eine Lichtab- strahlung in eine zu dem Träger parallele Hauptabstrahlrich- tung. Dabei kann der Reflektorkörper vorteilhafterweise eine Bündelung des abgestrahlten Lichts bewirken. Dadurch kann ein großer Anteil des von diesem optoelektronischen Bauelement abgestrahlten Lichts in einen Lichtleiter eingekoppelt wer den. This optoelectronic component enables light to be emitted in a main emission direction parallel to the carrier. In this case, the reflector body can advantageously bring about a bundling of the emitted light. As a result, a large proportion of the light emitted by this optoelectronic component can be coupled into a light guide.

Durch die zu dem Träger parallele Hauptabstrahlrichtung lässt sich das optoelektronische Bauelement außerdem einfach und Platz sparend so anordnen, dass von dem optoelektronischen Bauelement abgestrahltes Licht in einen Lichtleiter eingekop pelt wird. Due to the main emission direction parallel to the carrier, the optoelectronic component can also be arranged in a simple and space-saving manner in such a way that light emitted by the optoelectronic component is coupled into a light guide.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements bildet die Mantelfläche des Vergusskörpers einen Teil eines Rotationsparaboloids . Dann bildet auch die die Mantelfläche des Vergusskörpers bedeckende Reflektorfläche des Reflektor körpers einen Teil eines Rotationsparaboloids. Dadurch kann die Reflektorfläche des Reflektorkörpers vorteilhafterweise als Parabolspiegel wirken, wodurch sich eine besonders gute Strahlformung des von dem optoelektronischen Bauelements ab gestrahlten Lichts erreichen lässt. In one embodiment of the optoelectronic component, the lateral surface of the potting body forms part of a paraboloid of revolution. Then the reflector surface of the reflector body covering the outer surface of the potting body also forms part of a paraboloid of revolution. As a result, the reflector surface of the reflector body can advantageously act as a parabolic mirror, as a result of which particularly good beam shaping of the light emitted by the optoelectronic component can be achieved.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist zwischen der Auskoppelfläche und der Mantelfläche des Vergusskörpers ein Absatz ausgebildet, der durch den Reflek torkörper bedeckt ist. Der den Absatz des Vergusskörpers be deckende Teil des Reflektorkörpers bildet dann eine Blende, die vorteilhafterweise die Abstrahlung des optoelektronischen Bauelements zu großen Abstrahlwinkeln begrenzt. In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements erstreckt sich ein Steg-Abschnitt des Reflektorkörpers derart über die Auskoppelfläche, dass die Auskoppelfläche in eine durch den Reflektorkörper unbedeckte erste Teilfläche und ei ne durch den Reflektorkörper unbedeckte zweite Teilfläche un terteilt wird. Der Steg-Abschnitt des Reflektorkörpers kann vorteilhafterweise als Sekundärreflektor wirken. Dadurch lässt sich vorteilhafterweise eine verbesserte Durchmischung und Strahlformung des von dem optoelektronischen Halbleiter chip des optoelektronischen Bauelements emittierten Lichts erreichen. Außerdem wird eine direkte Abstrahlung des von dem optoelektronischen Halbleiterchip emittierten Lichts vermie den. In one embodiment of the optoelectronic component, a shoulder is formed between the coupling-out surface and the lateral surface of the potting body and is covered by the reflector body. The part of the reflector body that covers the shoulder of the potting body then forms a screen which advantageously limits the emission of the optoelectronic component to large emission angles. In one embodiment of the optoelectronic component, a web section of the reflector body extends over the coupling-out surface in such a way that the coupling-out surface is divided into a first sub-area uncovered by the reflector body and a second sub-area uncovered by the reflector body. The web section of the reflector body can advantageously act as a secondary reflector. As a result, improved mixing and beam shaping of the light emitted by the optoelectronic semiconductor chip of the optoelectronic component can advantageously be achieved. In addition, direct emission of the light emitted by the optoelectronic semiconductor chip is avoided.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist eine der Auskoppelfläche zugewandte Oberfläche des Steg- Abschnitts konkav oder konvex ausgebildet. Durch eine konvexe Ausbildung der Oberfläche des Steg-Abschnitts wird erreicht, dass direkt von dem optoelektronischen Halbleiterchip zu der Oberfläche des Steg-Abschnitts gelangendes Licht reflektiert und dadurch mit dem übrigen Licht durchmischt wird. Eine kon kave Ausbildung der der Auskoppelfläche zugewandten Oberflä che des Steg-Abschnitts des Reflektorkörpers unterstützt vor teilhafterweise die Kollimation des von dem optoelektroni schen Bauelement abgestrahlten Lichts. In one embodiment of the optoelectronic component, a surface of the web section facing the coupling-out surface is embodied to be concave or convex. A convex design of the surface of the web section ensures that light reaching the surface of the web section directly from the optoelectronic semiconductor chip is reflected and is thereby mixed with the rest of the light. A concave formation of the surface facing the coupling-out surface of the web section of the reflector body supports the collimation of the light emitted by the optoelectronic component's rule.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist an der Mantelfläche des Vergusskörpers eine reflektieren de Schicht angeordnet. Dabei bedeckt der Reflektorkörper die reflektierende Schicht. Die zwischen dem Vergusskörper und dem Reflektorkörper angeordnete reflektierende Schicht kann vorteilhafterweise eine besonders wirkungsvolle Reflexion von Licht innerhalb des Vergusskörpers bewirken. Insbesondere kann die reflektierende Schicht eine spekulare Reflexion be wirken. Die reflektierende Schicht kann beispielsweise als Metallschicht ausgebildet sein. In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist der Vergusskörper einen ersten Teilkörper und einen zweiten Teilkörper auf. Der optoelektronische Halbleiterchip ist dabei in den ersten Teilkörper eingebettet. Der zweite Teilkörper weist die Auskoppelfläche auf. Der erste Teilkör per und der zweite Teilkörper weisen unterschiedliche Materi alien auf. Hierdurch lassen sich vorteilhafterweise zusätzli che Funktionalitäten innerhalb des Vergusskörpers erreichen. In one embodiment of the optoelectronic component, a reflective layer is arranged on the outer surface of the potting body. The reflector body covers the reflective layer. The reflective layer arranged between the potting body and the reflector body can advantageously bring about a particularly effective reflection of light within the potting body. In particular, the reflective layer can have a specular reflection. The reflective layer can be designed as a metal layer, for example. In one embodiment of the optoelectronic component, the potting body has a first part body and a second part body. The optoelectronic semiconductor chip is embedded in the first part of the body. The second part of the body has the coupling-out surface. The first part body and the second part body have different materi alien. In this way, additional functionalities can advantageously be achieved within the potting body.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist der erste Teilkörper einen höheren Brechungsindex auf als der zweite Teilkörper. Dadurch kann vorteilhafterweise eine optische Brechung an der Außenfläche zwischen dem ersten Teilkörper und dem zweiten Teilkörper erreicht werden. In one embodiment of the optoelectronic component, the first part body has a higher refractive index than the second part body. In this way, an optical refraction can advantageously be achieved on the outer surface between the first part body and the second part body.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist eine an den zweiten Teilkörper angrenzende Außenfläche des ersten Teilkörpers eine konvexe Form auf. Vorteilhafter weise kann dadurch eine Kollimation von aus dem ersten Teil körper in den zweiten Teilkörper übertretender elektromagne tischer Strahlung erreicht werden. In one embodiment of the optoelectronic component, an outer surface of the first part body adjoining the second part body has a convex shape. In this way, a collimation of electromagnetic radiation passing from the first part of the body into the second part of the body can advantageously be achieved.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist der erste Teilkörper eingebettete wellenlängenkonver tierende Partikel auf. Dadurch kann erreicht werden, dass zu mindest ein Teil des von dem optoelektronischen Halbleiter chip emittierten Lichts innerhalb des ersten Teilkörpers des Vergusskörpers in Licht einer anderen Wellenlänge konvertiert wird. In one embodiment of the optoelectronic component, the first partial body has embedded wavelength-converting particles. It can thereby be achieved that at least part of the light emitted by the optoelectronic semiconductor chip is converted into light of a different wavelength within the first part of the potting body.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist ein weiterer optoelektronischer Halbleiterchip in den Vergusskörper eingebettet. Der optoelektronische Halbleiter chip und der weitere optoelektronische Halbleiterchip können beispielsweise dazu ausgebildet sein, Licht mit unterschied lichen Wellenlängen zu emittieren. Dadurch kann das opto elektronische Bauelement ausgebildet sein, Licht mit mehreren Wellenlängen zu emittieren. Das optoelektronische Bauelement kann auch dazu ausgebildet sein, Licht mit einstellbarer Lichtfarbe abzustrahlen. In one embodiment of the optoelectronic component, a further optoelectronic semiconductor chip is embedded in the potting body. The optoelectronic semiconductor chip and the further optoelectronic semiconductor chip can be designed, for example, to emit light with different wavelengths. As a result, the optoelectronic component can be designed to emit light with a plurality of wavelengths. The optoelectronic component can also be designed to emit light with an adjustable light color.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist ein weiterer Vergusskörper in den Reflektorkörper einge bettet. Dabei ist ein weiterer optoelektronischer Halbleiter chip in den weiteren Vergusskörper eingebettet. Der weitere optoelektronische Halbleiterchip kann dazu ausgebildet sein, Licht mit einer anderen Wellenlänge abzustrahlen als der in den Vergusskörper eingebettete optoelektronische Halbleiter chip. Dadurch kann das optoelektronische Bauelement ausgebil det sein, Licht mit unterschiedlichen Wellenlängen abzustrah len. Das optoelektronische Bauelement kann auch dazu ausge bildet sein, Licht mit einstellbarer Lichtfarbe abzustrahlen. In one embodiment of the optoelectronic component, a further potting body is embedded in the reflector body. Another optoelectronic semiconductor chip is embedded in the further potting body. The further optoelectronic semiconductor chip can be designed to emit light with a different wavelength than the optoelectronic semiconductor chip embedded in the potting body. As a result, the optoelectronic component can be designed to radiate light with different wavelengths. The optoelectronic component can also be designed to emit light with an adjustable light color.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist die Auskoppelfläche eine polarisierende Struktur, eine strahlformende Struktur oder eine Filterstruktur auf. Eine strahlformende Struktur kann vorteilhafterweise eine zusätz liche Kollimation des durch das optoelektronische Bauelement abgestrahlten Lichts bewirken. Eine Filterstruktur kann vor teilhafterweise eine farbselektive Filterung des von dem optoelektronischen Bauelement abgestrahlten Lichts bewirken. Eine polarisierende Struktur kann vorteilhafterweise eine Po larisierung des von dem optoelektronischen Bauelement abge strahlten Lichts bewirken. Dies ist besonders zweckmäßig, wenn das von dem optoelektronischen Bauelement abgestrahlte Licht in einem polarisationssensitiven Element, beispielswei se einem Flüssigkristallbildschirm, genutzt wird. In one embodiment of the optoelectronic component, the coupling-out surface has a polarizing structure, a beam-shaping structure or a filter structure. A beam-shaping structure can advantageously bring about an additional collimation of the light emitted by the optoelectronic component. A filter structure can advantageously effect color-selective filtering of the light emitted by the optoelectronic component. A polarizing structure can advantageously bring about a polarization of the light emitted by the optoelectronic component. This is particularly useful when the light emitted by the optoelectronic component is used in a polarization-sensitive element, for example a liquid crystal screen.

Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauele ments umfasst Schritte zum Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips auf einem Träger, zum Ausbilden eines Ver gusskörpers mit einer Außenfläche, die eine an den Träger an grenzende Auskoppelfläche und eine Mantelfläche umfasst, wo bei der optoelektronische Halbleiterchip in den Vergusskörper eingebettet wird, und zum Ausbilden eines Reflektorkörpers, wobei der Vergusskörper in den Reflektorkörper eingebettet wird, wobei die Mantelfläche durch den Reflektorkörper be deckt wird und die Auskoppelfläche zumindest teilweise nicht durch den Reflektorkörper bedeckt wird. A method for producing an optoelectronic component comprises steps for arranging an optoelectronic semiconductor chip on a carrier, for forming a casting body with an outer surface which comprises a coupling-out surface adjoining the carrier and a jacket surface where the optoelectronic semiconductor chip is embedded in the casting body is, and for forming a reflector body, wherein the potting body is embedded in the reflector body is, wherein the lateral surface is covered by the reflector body and the coupling-out surface is at least partially not covered by the reflector body.

Vorteilhafterweise ermöglicht dieses Verfahren eine einfache und kostengünstige Herstellung eines optoelektronischen Bau elements, das kollimiertes Licht in eine zu dem Träger paral lele Hauptabstrahlrichtung abstrahlen kann. Bei diesen Her stellungsverfahren wird die Form einer Reflektorfläche des Reflektorkörpers durch die Form der Mantelfläche des Verguss körpers vorgegeben. This method advantageously enables simple and inexpensive production of an optoelectronic component which can emit collimated light in a main emission direction parallel to the carrier. In these manufacturing processes, the shape of a reflector surface of the reflector body is predetermined by the shape of the outer surface of the potting body.

In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Ausbilden des Vergusskörpers ein Ausbilden eines ersten Teilkörpers des Vergusskörpers und ein nachfolgendes Ausbilden eines zweiten Teilkörpers des Vergusskörpers. Der erste Teilkörper und der zweite Teilkörper werden aus unterschiedlichen Materialien ausgebildet. Der optoelektronische Halbleiterchip wird in den ersten Teilkörper eingebettet. Die Auskoppelfläche wird an dem zweiten Teilkörper ausgebildet. Vorteilhafterweise ermög licht es die Ausbildung des Vergusskörpers aus einem ersten Teilkörper und einem zweiten Teilkörper, die einzelnen Teil körper des Vergusskörpers so auszubilden, dass der Verguss körper zusätzliche Funktionen erfüllt. In one embodiment of the method, forming the potting body comprises forming a first part-body of the potting body and then forming a second part-body of the potting body. The first part body and the second part body are formed from different materials. The optoelectronic semiconductor chip is embedded in the first part of the body. The coupling-out surface is formed on the second partial body. Advantageously, the formation of the potting body from a first part body and a second part body makes it possible to design the individual part bodies of the potting body in such a way that the potting body fulfills additional functions.

In einer Ausführungsform des Verfahrens wird vor dem Ausbil den des Reflektorkörpers ein weiterer Schritt durchgeführt zum Anordnen einer reflektierenden Schicht an der Mantelflä che des Vergusskörpers. Die reflektierende Schicht wird dann durch den anschließend ausgebildeten Reflektorkörper bedeckt. Ein Vorteil dieses Verfahrens besteht darin, dass die zwi schen der Mantelfläche des Vergusskörpers und dem Reflektor körper angeordnete reflektierende Schicht von dem optoelekt ronischen Halbleiterchip emittiertes Licht besonders wir kungsvoll reflektieren kann. Insbesondere kann die reflektie rende Schicht eine spekulare Reflexion bewirken. Das Anordnen der reflektierenden Schicht kann beispielsweise durch Auf dampfen einer Metallschicht erfolgen. In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst dieses einen weiteren Schritt zum Anordnen einer Beschichtung an der Aus koppelfläche. Die an der Auskoppelfläche angeordnete Be schichtung kann beispielsweise eine polarisierende Wirkung oder eine Filterwirkung haben. In one embodiment of the method, before the reflector body is formed, a further step is carried out for arranging a reflective layer on the outer surface of the potting body. The reflective layer is then covered by the subsequently formed reflector body. One advantage of this method is that the reflective layer arranged between the outer surface of the potting body and the reflector body can particularly effectively reflect light emitted by the optoelectronic semiconductor chip. In particular, the reflective layer can cause a specular reflection. The reflective layer can be arranged, for example, by vapor deposition on a metal layer. In one embodiment of the method, this comprises a further step of arranging a coating on the coupling surface. The coating arranged on the coupling-out surface can, for example, have a polarizing effect or a filter effect.

In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst dieses einen weiteren Schritt zum Ausbilden einer strahlformenden Struktur an der Auskoppelfläche. Die strahlformende Struktur kann vor teilhafterweise zu einer Kollimation des von dem optoelektro nischen Bauelement abgestrahlten Lichts beitragen. In one embodiment of the method, this comprises a further step of forming a beam-shaping structure on the coupling-out surface. The beam-shaping structure can contribute to a collimation of the light emitted by the optoelectronic component before geous.

In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst dieses einen weiteren Schritt zum Anordnen einer Metallgitterstruktur an der Auskoppelfläche. Die Metallgitterstruktur kann dazu die nen, von dem optoelektronischen Bauelement abgestrahltes Licht zu polarisieren. Dies ist beispielsweise dann zweckmä ßig, wenn das von dem optoelektronischen Bauelement abge strahlte Licht in einem System mit polarisationssensitiven Elementen genutzt werden soll. In one embodiment of the method, this comprises a further step of arranging a metal grid structure on the coupling-out area. For this purpose, the metal grid structure can polarize the light emitted by the optoelectronic component. This is expedient, for example, when the light emitted by the optoelectronic component is to be used in a system with polarization-sensitive elements.

Eine optoelektronische Anordnung umfasst ein optoelektroni sches Bauelement der vorgenannten Art und einen Lichtleiter. Dabei sind das optoelektronische Bauelement und der Lichtlei ter so angeordnet, dass von dem optoelektronischen Bauelement an der Auskoppelfläche emittiertes Licht in den Lichtleiter eingestrahlt wird. An optoelectronic arrangement comprises an optoelectronic component of the aforementioned type and a light guide. The optoelectronic component and the light guide are arranged in such a way that light emitted by the optoelectronic component at the coupling-out surface is radiated into the light guide.

Ein Vorteil dieser Anordnung besteht darin, dass das von dem optoelektronischen Bauelement abgestrahlte Licht derart kol- limiert ist, dass das meiste Licht unter einem kleinen Ab strahlwinkel abgestrahlt wird. Dadurch kann ein großer Teil des von dem optoelektronischen Bauelement abgestrahlten Lichts in den Lichtleiter gelangen. Die optoelektronische An ordnung kann beispielsweise zur Hintergrundbeleuchtung in ei nem Bildschirm dienen. Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusam menhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbei spiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläu tert werden. Dabei zeigen in jeweils schematisierter Darstel lung One advantage of this arrangement is that the light emitted by the optoelectronic component is collimated in such a way that most of the light is emitted at a small emission angle. As a result, a large part of the light emitted by the optoelectronic component can get into the light guide. The optoelectronic arrangement can be used, for example, for background lighting in a screen. The properties, features and advantages of this invention described above and the manner in which they are achieved will become clearer and more understandable in connection with the following description of the exemplary embodiments which are explained in more detail in connection with the drawings. They show in each case a schematic representation

Fig. 1 eine teilweise transparente Ansicht eines Trägers mit einem darauf angeordneten optoelektronischen Halbleiterchip; 1 shows a partially transparent view of a carrier with an optoelectronic semiconductor chip arranged thereon;

Fig. 2 den Träger nach dem Ausbilden eines Vergusskörpers; 2 shows the carrier after a potting body has been formed;

Fig. 3 ein durch Einbetten des Vergusskörpers in einen Re flektorkörper gebildetes optoelektronisches Bauelement; 3 shows an optoelectronic component formed by embedding the potting body in a reflector body;

Fig. 4 den Reflektorkörper ohne Träger und Vergusskörper; 4 shows the reflector body without carrier and potting body;

Fig. 5 eine Aufsicht auf den Träger und den Vergusskörper oh ne den Reflektorkörper; Fig. 5 is a plan view of the carrier and the potting body oh ne the reflector body;

Fig. 6 eine Aufsicht auf einen Vergusskörper gemäß einer al ternativen Ausführungsform; 6 shows a plan view of a potting body according to an alternative embodiment;

Fig. 7 einen Reflektorkörper gemäß einer alternativen Ausfüh rungsform; 7 shows a reflector body according to an alternative embodiment;

Fig. 8 einen Reflektorkörper gemäß einer weiteren alternati ven Ausführungsform; 8 shows a reflector body according to a further alternati ven embodiment;

Fig. 9 einen Reflektorkörper gemäß einer weiteren alternati ven Ausführungsform; 9 shows a reflector body according to a further alternati ven embodiment;

Fig. 10 eine Aufsicht auf den Reflektorkörper dieser Ausfüh rungsform; Fig. 10 is a plan view of the reflector body of this Ausfüh approximate shape;

Fig. 11 eine Aufsicht auf einen Reflektorkörper gemäß einer weiteren alternativen Ausführungsform; Fig. 12 den Träger nach dem Ausbilden eines ersten Teilkör pers des Vergusskörpers; 11 shows a plan view of a reflector body according to a further alternative embodiment; 12 shows the carrier after the formation of a first part body of the potting body;

Fig. 13 den Träger nach dem Ausbilden eines zweiten Teilkör pers des Vergusskörpers; 13 shows the carrier after the formation of a second part body of the potting body;

Fig. 14 eine Aufsicht auf einen Reflektorkörper gemäß einer weiteren alternativen Ausführungsform; 14 shows a plan view of a reflector body according to a further alternative embodiment;

Fig. 15 eine Aufsicht auf einen Reflektorkörper gemäß einer weiteren alternativen Ausführungsform; 15 shows a plan view of a reflector body according to a further alternative embodiment;

Fig. 16 eine geschnittene Darstellung des optoelektronischen Bauelements mit einer an einer Auskoppelfläche angeordneten Beschichtung; 16 shows a sectional illustration of the optoelectronic component with a coating arranged on a coupling-out surface;

Fig. 17 eine geschnittene Darstellung des optoelektronischen Bauelements mit einer an der Auskoppelfläche angeordneten, strahlformenden Struktur; 17 shows a sectional illustration of the optoelectronic component with a beam-shaping structure arranged on the coupling-out surface;

Fig. 18 eine geschnittene Darstellung des optoelektronischen Bauelements mit einer alternativen, an der Auskoppelfläche angeordneten, strahlformenden Struktur; 18 shows a sectional illustration of the optoelectronic component with an alternative, beam-shaping structure arranged on the coupling-out surface;

Fig. 19 eine geschnittene Ansicht des optoelektronischen Bau elements mit einer weiteren an der Auskoppelfläche angeordne ten, strahlformenden Struktur; 19 shows a sectional view of the optoelectronic component with a further beam-shaping structure arranged on the coupling-out surface;

Fig. 20 eine geschnittene Ansicht des optoelektronischen Bau elements mit einer alternativen, an der Auskoppelfläche ange ordneten, strahlformenden Struktur; 20 shows a sectional view of the optoelectronic component with an alternative, beam-shaping structure arranged on the coupling-out surface;

Fig. 21 eine geschnittene Ansicht des optoelektronischen Bau elements mit einer weiteren, an der Auskoppelfläche angeord neten, strahlformenden Struktur; und Fig. 22 eine optoelektronische Anordnung mit einem optoelekt ronischen Bauelement und einem Lichtleiter. 21 shows a sectional view of the optoelectronic component with a further beam-shaping structure arranged on the coupling-out surface; and 22 shows an optoelectronic arrangement with an optoelectronic component and a light guide.

Fig. 1 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung eines Trägers 100. Der Träger 100 kann auch als Substrat be zeichnet werden. Der Träger 100 weist eine im Wesentlichen flache und ebene Form mit einer Oberseite 101 auf. 1 shows a schematic perspective illustration of a carrier 100. The carrier 100 can also be referred to as a substrate. The carrier 100 has a substantially flat and planar shape with an upper side 101.

Der Träger 100 weist ein Formmaterial 120 und einen in das Formmaterial 120 eingebetteten Leiterrahmen 110 mit mehreren Abschnitten auf. Der Träger 100 kann beispielsweise herge stellt werden, indem der Leiterrahmen 110 mittels eines Form verfahrens (Moldverfahren) in das Formmaterial 120 eingebet tet wird. The carrier 100 has a molding material 120 and a leadframe 110 embedded in the molding material 120 and having a plurality of sections. The carrier 100 can be produced, for example, in that the lead frame 110 is embedded in the molding material 120 by means of a molding process.

Der Träger 100 ist zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements vorgesehen. Der Träger 100 kann Teil eines größe ren Trägerverbunds sein, der mehrere gleichartig ausgebildete und einstückig miteinander verbundene Träger 100 umfasst. In diesem Fall können mehrere optoelektronische Bauelemente gleichzeitig durch gemeinsame Bearbeitungsschritte herge stellt werden. Erst zum Abschluss der Bearbeitung werden die optoelektronischen Bauelemente vereinzelt. The carrier 100 is provided for producing an optoelectronic component. The carrier 100 can be part of a larger carrier assembly which comprises a plurality of carriers 100 of the same design and connected to one another in one piece. In this case, several optoelectronic components can be produced simultaneously by common processing steps. The optoelectronic components are only separated at the end of the processing.

An der Oberseite 101 des Trägers 100 ist ein optoelektroni scher Halbleiterchip 200 mit einer Oberseite 201, einer der Oberseite 201 gegenüberliegenden Unterseite 202 und sich zwi schen der Oberseite 201 und der Unterseite 202 erstreckenden Seitenflächen 203 angeordnet worden. An optoelectronic semiconductor chip 200 with an upper side 201, a lower side 202 opposite the upper side 201 and side surfaces 203 extending between the upper side 201 and the lower side 202 has been arranged on the upper side 101 of the carrier 100.

Der optoelektronische Halbleiterchip 200 kann beispielsweise ein Leuchtdiodenchip (LED-Chip) sein. Der optoelektronische Halbleiterchip 200 ist dazu ausgebildet, elektromagnetische Strahlung, beispielsweise sichtbares Licht, zu emittieren.The optoelectronic semiconductor chip 200 can be, for example, a light-emitting diode chip (LED chip). The optoelectronic semiconductor chip 200 is designed to emit electromagnetic radiation, for example visible light.

Der optoelektronische Halbleiterchip 200 kann beispielsweise als oberflächenemittierender Leuchtdiodenchip ausgebildet sein. In diesem Fall wird elektromagnetische Strahlung an der Oberseite 201 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 ab- gestrahlt. Der optoelektronische Halbleiterchip 200 kann aber beispielsweise auch als volumenemittierender Leuchtdiodenchip ausgebildet sein. In diesem Fall strahlt der optoelektroni sche Halbleiterchip 200 elektromagnetische Strahlung an sei ner Oberseite 201 und an seinen Seitenflächen 203 ab. The optoelectronic semiconductor chip 200 can be embodied, for example, as a surface-emitting light-emitting diode chip. In this case, electromagnetic radiation is absorbed on the top 201 of the optoelectronic semiconductor chip 200. blasted. The optoelectronic semiconductor chip 200 can, however, also be designed as a volume-emitting light-emitting diode chip, for example. In this case, the optoelectronic semiconductor chip 200 emits electromagnetic radiation on its top side 201 and on its side surfaces 203.

Der optoelektronische Halbleiterchip 200 ist derart an der Oberseite 101 des Trägers 100 angeordnet worden, dass die Un terseite 202 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 der Oberseite 101 des Trägers 100 zugewandt ist. Elektrische Kon taktflächen des optoelektronischen Halbleiterchips 200 sind elektrisch leitend mit Abschnitten des Leiterrahmens 110 des Trägers 100 verbunden worden, beispielsweise über Bonddrähte und/oder mittels elektrisch leitender Löt- oder Klebeverbin dungen. Im in Fig. 1 gezeigten Beispiel ist eine an der Ober seite 201 des optoelektronischen Bauelements 200 angeordnete elektrische Kontaktfläche mittels eines Bonddrahts mit einem Abschnitt des Leiterrahmens 110 verbunden, während eine an der Unterseite 202 des optoelektronischen Bauelements 200 an geordnete weitere elektrische Kontaktfläche mittels einer Löt- oder Klebeverbindung mit einem weiteren Abschnitt des Leiterrahmens 110 verbunden ist. The optoelectronic semiconductor chip 200 has been arranged on the top side 101 of the carrier 100 in such a way that the underside 202 of the optoelectronic semiconductor chip 200 faces the top side 101 of the carrier 100. Electrical contact surfaces of the optoelectronic semiconductor chip 200 have been connected in an electrically conductive manner to sections of the lead frame 110 of the carrier 100, for example via bonding wires and / or by means of electrically conductive solder or adhesive connections. In the example shown in FIG. 1, an electrical contact surface arranged on the upper side 201 of the optoelectronic component 200 is connected to a section of the leadframe 110 by means of a bonding wire, while a further electrical contact surface arranged on the lower side 202 of the optoelectronic component 200 is connected by means of a solder - Or adhesive connection is connected to a further section of the lead frame 110.

Fig. 2 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung des Trägers 100 in einem der Darstellung der Fig. 1 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. FIG. 2 shows a schematic perspective illustration of the carrier 100 in a processing status chronologically subsequent to the illustration in FIG. 1.

An der Oberseite 101 des Trägers 100 ist ein Vergusskörper 300 ausgebildet worden. Dabei ist der an der Oberseite 101 des Trägers 100 angeordnete optoelektronische Halbleiterchip 200 in den Vergusskörper 300 eingebettet worden. Im darge stellten Beispiel ist der optoelektronische Halbleiterchip 200 derart vollständig in den Vergusskörper 300 eingebettet worden, dass sowohl die Oberseite 201 als auch die Seitenflä chen 203 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 vollstän dig durch den Vergusskörper 300 bedeckt sind. Das Ausbilden des Vergusskörpers 300 kann beispielsweise durch ein Formverfahren (Moldverfahren) erfolgt sein. Der Vergusskörper 300 weist ein Formmaterial auf, das für durch den optoelektronischen Halbleiterchip 200 emittierte elektro magnetische Strahlung im Wesentlichen transparent ist. Bei spielsweise kann der Vergusskörper 300 ein Silikon aufweisen. Zusätzlich kann der Vergusskörper 300 eingebettete Partikel aufweisen, beispielsweise wellenlängenkonvertierende Parti kel, die dazu vorgesehen sind, zumindest einen Teil der von dem optoelektronischen Halbleiterchip 200 emittierten elekt romagnetischen Strahlung in elektromagnetische Strahlung ei ner anderen Wellenlänge zu konvertieren. A potting body 300 has been formed on the upper side 101 of the carrier 100. In this case, the optoelectronic semiconductor chip 200 arranged on the top side 101 of the carrier 100 has been embedded in the potting body 300. In the example shown, the optoelectronic semiconductor chip 200 has been completely embedded in the potting body 300 in such a way that both the top side 201 and the side surfaces 203 of the optoelectronic semiconductor chip 200 are completely covered by the potting body 300. The potting body 300 can be formed, for example, by a molding process. The potting body 300 has a molding material that is essentially transparent to electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip 200. For example, the potting body 300 can have a silicone. In addition, the potting body 300 can have embedded particles, for example wavelength-converting particles, which are provided to convert at least part of the electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip 200 into electromagnetic radiation of a different wavelength.

Der Vergusskörper 300 weist eine Außenfläche 310 auf. Die Au ßenfläche 310 umfasst eine mit der Oberseite 101 des Trägers 100 in Kontakt stehende Kontaktfläche 340, eine an die Ober seite 101 des Trägers 100 angrenzende Auskoppelfläche 320 und eine Mantelfläche 330. Die Kontaktfläche 340 ist der Obersei te 101 des Trägers 100 zugewandt und verbindet den Verguss körper 300 mit der Oberseite 101 des Trägers 100 und dem optoelektronischen Halbleiterchip 200. Die Auskoppelfläche 320 grenzt derart an die Kontaktfläche 340 an, dass die Aus koppelfläche 320 und die Kontaktfläche 340 eine gemeinsame Kante aufweisen. An dieser Kante grenzt die Auskoppelfläche 320 an den Träger 100 an. Im in Fig. 2 gezeigten Beispiel ist die Auskoppelfläche 320 eben ausgebildet und senkrecht zur Oberseite 101 des Trägers 100 orientiert. Dies ist jedoch nicht zwingend erforderlich. Die Mantelfläche 330 weist im in Fig. 2 gezeigten Beispiel die Form eines Teils eines Rotati- onsparaboloids 350 auf, was nachfolgend noch genauer be schrieben wird. Es sind aber auch andere Formen der Mantel fläche 330 möglich, wie nachfolgend ebenfalls noch erläutert wird. The potting body 300 has an outer surface 310. The outer surface 310 comprises a contact surface 340 in contact with the upper side 101 of the carrier 100, a decoupling surface 320 adjoining the upper side 101 of the carrier 100 and a lateral surface 330. The contact surface 340 faces the upper side 101 of the carrier 100 and connects the potting body 300 with the top side 101 of the carrier 100 and the optoelectronic semiconductor chip 200. The coupling-out area 320 adjoins the contact area 340 in such a way that the coupling-out area 320 and the contact area 340 have a common edge. The coupling-out surface 320 adjoins the carrier 100 at this edge. In the example shown in FIG. 2, the decoupling surface 320 is flat and oriented perpendicular to the top side 101 of the carrier 100. However, this is not absolutely necessary. In the example shown in FIG. 2, the lateral surface 330 has the shape of part of a rotational paraboloid 350, which will be described in more detail below. But there are also other shapes of the jacket surface 330 possible, as will also be explained below.

Fig. 3 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung des Trägers 100 und des Vergusskörpers 300 in einem der Dar stellung der Fig. 2 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. Durch die weiteren Bearbeitungsschritte ist ein optoelektro- nisches Bauelement 10 gebildet worden, dessen Herstellung in der Darstellung der Fig. 3 abgeschlossen sein kann. FIG. 3 shows a schematic perspective illustration of the carrier 100 and the potting body 300 in a processing status chronologically following the illustration in FIG. 2. The further processing steps mean that an optoelectronic Niche component 10 has been formed, the production of which can be completed in the illustration of FIG.

An der Oberseite 101 des Trägers 100 ist ein Reflektorkörper 400 ausgebildet worden. Dabei ist der Vergusskörper 300 der art in den Reflektorkörper 400 eingebettet worden, dass die Mantelfläche 330 des Vergusskörpers 300 nun durch den Reflek torkörper 400 bedeckt ist und die Auskoppelfläche 320 des Vergusskörpers 300 zumindest teilweise nicht durch den Re flektorkörper 400 bedeckt ist. A reflector body 400 has been formed on the upper side 101 of the carrier 100. The potting body 300 has been embedded in the reflector body 400 in such a way that the outer surface 330 of the potting body 300 is now covered by the reflector body 400 and the decoupling surface 320 of the potting body 300 is at least partially not covered by the reflector body 400.

Das Ausbilden des Reflektorkörpers 400 kann beispielsweise durch ein Gießverfahren erfolgt sein. The reflector body 400 can be formed, for example, by a casting process.

Der Reflektorkörper 400 weist ein Material auf, das von dem optoelektronischen Halbleiterchip 200 emittiertes Licht mit hohem Reflexionsgrad reflektiert. Der Reflektorkörper 400 kann beispielsweise ein Matrixmaterial und einen reflektie renden Füllstoff aufweisen. Das Matrixmaterial kann bei spielsweise ein Silikon oder ein Epoxid sein. Der reflektie rende Füllstoff kann beispielsweise T1O2 sein. Dabei kann der Füllstoff beispielsweise mindestens 20 Gew.-%, bevorzugt so gar mindestens 40 Gew.-%, betragen. The reflector body 400 has a material which reflects light emitted by the optoelectronic semiconductor chip 200 with a high degree of reflection. The reflector body 400 can for example have a matrix material and a reflective filler. The matrix material can be, for example, a silicone or an epoxy. The reflective filler can be, for example, T1O2. The filler can be, for example, at least 20% by weight, preferably even at least 40% by weight.

Das in Fig. 3 gezeigte optoelektronische Bauelement 10 kann gemeinsam mit einer Mehrzahl weiterer, gleichartiger opto elektronischer Bauelemente 10 hergestellt werden. Hierzu wird ein Trägerverbund verwendet, der mehrere einstückig zusammen hängende Träger 100 umfasst. Auf jedem einen Träger 100 bil denden Abschnitt dieses Trägerverbunds wird ein optoelektro nischer Halbleiterchip 200 angeordnet. Dann werden mehrere Vergusskörper 300 derart ausgebildet, dass jeder optoelektro nische Halbleiterchip 200 in einen Vergusskörper 300 einge bettet wird. Dabei kann beispielsweise an jeweils zwei be nachbarten Trägern 100 des Trägerverbunds ein Vergusskörper verbund ausgebildet werden, der zwei Vergusskörper 300 um fasst, die in diesem Fall an ihren Auskoppelflächen 320 spie gelsymmetrisch einstückig miteinander verbunden sind. Nach dem Überfüllen der gesamten Anordnung mit dem Material des Reflektorkörpers 400 werden die einzelnen optoelektronischen Bauelemente 10 durch ein Trennverfahren in die in Fig. 3 ge zeigte Gestalt vereinzelt. Dabei werden die Auskoppelflächen 320 der Vergusskörper 300 der einzelnen optoelektronischen Bauelemente 10 erst während des Vereinzeins durch Zerteilen der jeweiligen Vergusskörperverbunde gebildet. The optoelectronic component 10 shown in FIG. 3 can be produced together with a plurality of further optoelectronic components 10 of the same type. For this purpose, a carrier assembly is used which comprises a plurality of carriers 100 that are integrally connected to one another. An optoelectronic semiconductor chip 200 is arranged on each section of this carrier assembly forming a carrier 100. A plurality of potting bodies 300 are then formed in such a way that each optoelectronic semiconductor chip 200 is embedded in a potting body 300. For example, a potting body can be formed on two adjacent carriers 100 of the carrier assembly, which encapsulates two potting bodies 300, which in this case are mirror-symmetrically connected in one piece to one another at their coupling-out surfaces 320. To the overfilling of the entire arrangement with the material of the reflector body 400, the individual optoelectronic components 10 are separated into the shape shown in FIG. 3 by a separation process. In this case, the decoupling surfaces 320 of the potting bodies 300 of the individual optoelectronic components 10 are only formed during the separation by dividing the respective potting body composites.

Fig. 4 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung des Reflektorkörpers 400 des optoelektronischen Bauelements 10 ohne den Träger 100 und ohne den Vergusskörper 300. Dadurch, dass der Vergusskörper 300 in den Reflektorkörper 400 eingebettet ist, ist in dem Reflektorkörper 400 ein Re flektorraum 410 gebildet, der ein Negativ des Vergusskörpers 300 ist. Eine an die Mantelfläche 330 des Vergusskörpers 300 angrenzende Oberfläche des Reflektorkörpers 400 bildet eine Reflektorfläche 420. Die Reflektorfläche 420 überspannt den Vergusskörper 300 und den darin eingebetteten optoelektroni schen Halbleiterchip 200 kuppelartig. 4 shows a schematic perspective illustration of the reflector body 400 of the optoelectronic component 10 without the carrier 100 and without the potting body 300. Because the potting body 300 is embedded in the reflector body 400, a reflector space 410 is formed in the reflector body 400, which is a negative of the potting body 300. A surface of the reflector body 400 adjoining the jacket surface 330 of the potting body 300 forms a reflector surface 420. The reflector surface 420 spans the potting body 300 and the optoelectronic semiconductor chip 200 embedded therein in a dome-like manner.

Fig. 5 zeigt eine an der Ebene der Oberseite 101 des Trägers 100 geschnittene Ansicht des optoelektronischen Bauelements 10. In dieser Darstellung ist erkennbar, dass die Mantelflä che 330 des Vergusskörpers 300 eine parabelförmige Grundform 351 aufweist. Diese parabelförmige Grundform setzt sich über die gesamte Mantelfläche 330 des Vergusskörpers 300 fort, so- dass die Mantelfläche 330 einen Ausschnitt des Rotationspara- boloids 350 bildet. Damit bildet auch die Reflektorfläche 420 des Reflektorkörpers 400 einen Teil eines Rotationsparabolo- ids, wodurch die Reflektorfläche 420 des Reflektorkörpers 400 als Parabolspiegel wirken kann. 5 shows a view of the optoelectronic component 10 cut at the plane of the upper side 101 of the carrier 100. In this illustration it can be seen that the outer surface 330 of the potting body 300 has a parabolic basic shape 351. This parabolic basic shape is continued over the entire surface 330 of the potting body 300, so that the surface 330 forms a section of the paraboloid of revolution 350. The reflector surface 420 of the reflector body 400 thus also forms part of a paraboloid of revolution, as a result of which the reflector surface 420 of the reflector body 400 can act as a parabolic mirror.

Im in Fig. 5 gezeigten Beispiel weist das optoelektronische Bauelement 10 an der Oberseite 101 des Trägers 100 eine quad ratische Grundform mit einer Kantenlänge 353 auf, die bei spielsweise 1,5 mm betragen kann. Ein Brennpunkt 352 der pa rabelförmigen Grundform 351 der Mantelfläche 330 des Verguss körpers 300 weist von der die Auskoppelfläche 320 des Ver- gusskörpers 300 aufweisenden Außenseite des optoelektroni schen Bauelements 10 einen ersten Abstand 354 auf, der bei spielsweise 1,3 mm betragen kann. Der Brennpunkt 352 ist da bei von einem Scheitelpunkt der parabelförmigen Grundform 351 einen zweiten Abstand 355 entfernt, der beispielsweise 0,05 mm betragen kann. Der optoelektronische Halbleiterchip 200 ist so positioniert, dass ein Mittelpunkt 204 der Unter seite 202 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 einen dritten Abstand 356 von der die Auskoppelfläche 320 aufwei senden Außenseite des optoelektronischen Bauelements 10 ent fernt ist, der beispielsweise 0,85 mm betragen kann. Das optoelektronische Bauelement 10 und die Reflektorflache 420 des Reflektorkörpers 400 können aber auch anders bemessen sein. In the example shown in FIG. 5, the optoelectronic component 10 on the top side 101 of the carrier 100 has a square basic shape with an edge length 353 which, for example, can be 1.5 mm. A focal point 352 of the parabolic basic shape 351 of the lateral surface 330 of the potting body 300 points from which the decoupling surface 320 of the Cast body 300 having outer side of the optoelectronic component 10's rule a first distance 354, which can be 1.3 mm for example. The focal point 352 is a second distance 355 away from an apex of the parabolic basic shape 351, which distance can be, for example, 0.05 mm. The optoelectronic semiconductor chip 200 is positioned such that a center point 204 of the underside 202 of the optoelectronic semiconductor chip 200 is a third distance 356 from the outside of the optoelectronic component 10 having the coupling-out area 320, which can be, for example, 0.85 mm. The optoelectronic component 10 and the reflector surface 420 of the reflector body 400 can, however, also be dimensioned differently.

Bei dem optoelektronischen Bauelement 10 wird von dem opto elektronischen Halbleiterchip 200 in Richtung zu der Reflek torfläche 420 des Reflektorkörpers 400 emittierte elektromag netische Strahlung an der Reflektorfläche 420 reflektiert. Durch die Form der Reflektorfläche 420 und die Position des optoelektronischen Halbleiterchips 200 in dem Reflektorraum 410 des Reflektorkörpers 400 wird erreicht, dass ein großer Teil der von dem optoelektronischen Halbleiterchip 200 emit tierten und an der Reflektorfläche 420 reflektierten Strah lung an der Auskoppelfläche 320 des Vergusskörpers 300 aus treten kann. Dabei wird ein großer Teil dieser Strahlung in einen engen Winkelbereich um eine zu der Auskoppelfläche 320 senkrechte Richtung abgestrahlt. Die Reflektorfläche 420 des Reflektorkörpers 400 wirkt somit als Parabolspiegel. In the case of the optoelectronic component 10, electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip 200 in the direction of the reflector surface 420 of the reflector body 400 is reflected on the reflector surface 420. The shape of the reflector surface 420 and the position of the optoelectronic semiconductor chip 200 in the reflector space 410 of the reflector body 400 ensures that a large part of the radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip 200 and reflected on the reflector surface 420 is at the coupling-out surface 320 of the potting body 300 can step out. A large part of this radiation is emitted in a narrow angular range around a direction perpendicular to the coupling-out surface 320. The reflector surface 420 of the reflector body 400 thus acts as a parabolic mirror.

Bei einer Variante des vorstehend beschriebenen Verfahrens zur Herstellung des optoelektronischen Bauelements 10 wird, ausgehend von dem in Fig. 2 gezeigten Bearbeitungsstand, vor dem Ausbilden des Reflektorkörpers 400 eine reflektierende Schicht 390 an der Mantelfläche 330 des Vergusskörpers 300 angeordnet. Die reflektierende Schicht 390 kann beispielswei se ein dünner Metallfilm sein, der beispielsweise durch Auf dampfen aufgebracht werden kann. Anschließend wird der Re- flektorkörper 400 auf die vorstehend beschriebene Weise aus gebildet und bedeckt dabei die reflektierende Schicht 390. In a variant of the above-described method for producing the optoelectronic component 10, proceeding from the processing status shown in FIG. 2, a reflective layer 390 is arranged on the lateral surface 330 of the potting body 300 before the reflector body 400 is formed. The reflective layer 390 can be, for example, a thin metal film that can be applied, for example, by vapor deposition. Subsequently, the re- The reflector body 400 is formed in the manner described above and thereby covers the reflective layer 390.

Die reflektierende Schicht 390 dient bei dem fertigen opto elektronischen Bauelement 10 als spekularer Reflektor und re flektiert von dem optoelektronischen Halbleiterchip 200 emit tierte elektromagnetische Strahlung zusätzlich zu oder an stelle der Reflektorflache 420 des Reflektorkörpers 400. Dadurch kann eine noch engwinkligere Abstrahlung des opto elektronischen Bauelements 10 erreicht werden. In the finished optoelectronic component 10, the reflective layer 390 serves as a specular reflector and reflects electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip 200 in addition to or instead of the reflector surface 420 of the reflector body 400 can be achieved.

Fig. 6 zeigt eine schematisierte Aufsicht auf den Vergusskör per 300 einer alternativen Variante des optoelektronischen Bauelements 10. Fig. 7 zeigt eine schematische perspektivi sche Darstellung des Reflektorkörpers 400 in seiner sich in Kombination mit dieser Variante des Vergusskörpers 300 erge benden Form. Dabei sind der Träger 100 und der Vergusskörper 300 in Fig. 7 der Übersichtlichkeit halber nicht gezeigt. FIG. 6 shows a schematic plan view of the potting body 300 of an alternative variant of the optoelectronic component 10. FIG. 7 shows a schematic perspective illustration of the reflector body 400 in its form resulting in combination with this variant of the potting body 300. The carrier 100 and the potting body 300 are not shown in FIG. 7 for the sake of clarity.

Bei der in Fig. 6 gezeigten Variante weist die Mantelfläche 330 des Vergusskörpers 300 keine parabelförmige Grundform auf. Entsprechend bildet die Mantelfläche 330 des Vergusskör pers 300 auch keinen Teil eines Rotationsparaboloids. Statt- dessen weist die Mantelfläche 330 des Vergusskörpers 300 in ihrem der Kontaktfläche 340 gegenüberliegenden Deckenbereich einen ebenen Abschnitt 331 auf. Daran schließt sich ein ge krümmter Abschnitt 332, der sich bis zu der Oberseite 101 des Trägers 100 und der Kontaktfläche 340 der Außenfläche 310 des Vergusskörpers 300 erstreckt. Die Kontaktfläche 340 des Ver gusskörpers 300 weist eine U-Form mit einer in ihrem Innenbe reich gegenüber einer parabelförmigen Grundform erhöhten Breite auf. In the variant shown in FIG. 6, the lateral surface 330 of the potting body 300 does not have a parabolic basic shape. Correspondingly, the lateral surface 330 of the Vergusskör pers 300 also does not form part of a paraboloid of revolution. Instead, the jacket surface 330 of the potting body 300 has a flat section 331 in its ceiling area opposite the contact surface 340. This is followed by a curved section 332, which extends as far as the top side 101 of the carrier 100 and the contact surface 340 of the outer surface 310 of the potting body 300. The contact surface 340 of the casting body 300 has a U-shape with a width that is increased in its inner area compared to a parabolic basic shape.

Der Reflektorraum 410 des Reflektorkörpers 400 ergibt sich bei der in Figuren 6 und 7 gezeigten Variante des optoelekt ronischen Bauelements 10 wiederum als Negativ des Vergusskör pers 300. Somit weist die Reflektorfläche 420 des Reflektor- körpers 400 wiederum eine der Mantelfläche 330 des Verguss körpers 300 entsprechende Geometrie auf. The reflector space 410 of the reflector body 400 results in the variant of the optoelectronic component 10 shown in Figures 6 and 7 again as a negative of the potting body 300. Thus, the reflector surface 420 of the reflector body 400, in turn, has a geometry corresponding to the lateral surface 330 of the potting body 300.

Es sind auch andere Gestaltungen des Vergusskörpers 300 und des Reflektorraums 410 des Reflektorkörpers 400 möglich. Da bei kann die Reflektorflache 420 des Reflektorkörpers 400 ab hängig von den gewünschten Abstrahleigenschaften des opto elektronischen Bauelements 10 gestaltet werden. Other configurations of the potting body 300 and the reflector space 410 of the reflector body 400 are also possible. Since the reflector surface 420 of the reflector body 400 can be designed depending on the desired radiation properties of the optoelectronic component 10.

Fig. 8 zeigt eine schematische und teilweise transparente Darstellung einer weiteren Variante des optoelektronischen Bauelements 10. Der Träger 100 und der optoelektronische Halbleiterchip 200 sind in der Darstellung der Fig. 8 der Übersichtlichkeit halber nicht gezeigt. FIG. 8 shows a schematic and partially transparent illustration of a further variant of the optoelectronic component 10. The carrier 100 and the optoelectronic semiconductor chip 200 are not shown in the illustration in FIG. 8 for the sake of clarity.

Bei der in Fig. 8 gezeigten Variante des optoelektronischen Bauelements 10 ist zwischen der Auskoppelfläche 320 und der Mantelfläche 330 des Vergusskörpers 300 ein Absatz 360 ausge bildet. Im Bereich dieses Absatzes 360 ist eine Blende 430 des Reflektorkörpers 400 ausgebildet. Die Blende 430 umgrenzt die Öffnung des Reflektorraums 410 des Reflektorkörpers 400 an der Auskoppelfläche 320 des Vergusskörpers 300. In the variant of the optoelectronic component 10 shown in FIG. 8, a shoulder 360 is formed between the coupling-out surface 320 and the lateral surface 330 of the potting body 300. A screen 430 of the reflector body 400 is formed in the area of this shoulder 360. The aperture 430 delimits the opening of the reflector space 410 of the reflector body 400 on the coupling-out surface 320 of the potting body 300.

Durch die Blende 430 wird unter einem großen Abstrahlwinkel in Richtung zur Auskoppelfläche 320 des Vergusskörpers 300 gelangende elektromagnetische Strahlung abgeschirmt. Diese elektromagnetische Strahlung wird durch die Blende 430 re flektiert und kann nach weiteren Reflexionen innerhalb des Reflektorraums 410 unter einem kleineren Abstrahlwinkel aus dem optoelektronischen Bauelement 10 austreten. Dadurch kann die Blende 430 den Raumwinkel der durch das optoelektronische Bauelement 10 abgestrahlten Lichts weiter verkleinern. The aperture 430 shields electromagnetic radiation reaching the decoupling surface 320 of the potting body 300 at a large radiation angle. This electromagnetic radiation is reflected by the diaphragm 430 and, after further reflections within the reflector space 410, can emerge from the optoelectronic component 10 at a smaller emission angle. As a result, the diaphragm 430 can further reduce the solid angle of the light emitted by the optoelectronic component 10.

Fig. 9 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung einer weiteren Variante des optoelektronischen Bauelements 10. Dabei sind der Träger 100 und der Vergusskörper 300 der Übersichtlichkeit halber nicht gezeigt. Fig. 10 zeigt eine schematische geschnittene Aufsicht auf die in Fig. 9 gezeigte Variante des optoelektronischen Bauelements 10. 9 shows a schematic perspective illustration of a further variant of the optoelectronic component 10. In this case, the carrier 100 and the potting body 300 are not shown for the sake of clarity. Fig. 10 shows a schematic sectional top view of the variant of the optoelectronic component 10 shown in FIG. 9.

Bei der in Figuren 9 und 10 gezeigten Variante des optoelekt ronischen Bauelements 10 weist der Reflektorkörper 400 einen Steg-Abschnitt 440 auf, der sich derart über die Auskoppel fläche 320 des Vergusskörpers 300 erstreckt, dass die Auskop pelfläche 320 in eine durch den Reflektorkörper 400 unbedeck te erste Teilfläche 321 und eine durch den Reflektorkörper 400 unbedeckte zweite Teilfläche 322 unterteilt wird. Der Steg-Abschnitt 440 erstreckt sich in zur Oberseite 101 des Trägers 100 senkrechte Richtung zwischen der Oberseite 101 des Trägers 100 und der Reflektorfläche 420 des Reflektorkör pers 400. Der Steg-Abschnitt 440 ist dabei derart in einer Vertiefung der Auskoppelfläche 320 des Vergusskörpers 300 an geordnet, dass der Steg-Abschnitt 440 und die durch den Re flektorkörper 400 unbedeckten Teilflächen 321, 322 der Aus koppelfläche 320 an der Außenseite des optoelektronischen Bauelements 10 bündig abschließen. In the variant of the optoelectronic component 10 shown in FIGS. 9 and 10, the reflector body 400 has a web section 440 which extends over the coupling-out surface 320 of the potting body 300 in such a way that the coupling-out surface 320 is uncovered by the reflector body 400 te first sub-area 321 and a second sub-area 322 uncovered by the reflector body 400 is subdivided. The web section 440 extends in a direction perpendicular to the top side 101 of the carrier 100 between the top side 101 of the carrier 100 and the reflector surface 420 of the reflector body 400 arranged in such a way that the web section 440 and the partial surfaces 321, 322 of the coupling surface 320 uncovered by the reflector body 400 terminate flush with the outside of the optoelectronic component 10.

In Fig. 10 ist erkennbar, dass eine der Auskoppelfläche 320 des Vergusskörpers 300 zugewandte Oberfläche 450 des Steg- Abschnitts 440 konvex ausgebildet ist. Die Oberfläche 450 des Steg-Abschnitts 440 ist auch dem Reflektorraum 410 des Re flektorkörpers 400 zugewandt. Aus dem Reflektorraum 410 auf die Oberfläche 450 des Steg-Abschnitts 440 auftreffende elektromagnetische Strahlung wird an der Oberfläche 450 zu rück in den Reflektorraum 410 reflektiert und kann nach wei teren Reflexionen an der Reflektorfläche 420 des Reflektor körpers 400 an einer der durch den Reflektorkörper 400 unbe deckten Teilflächen 321, 322 durch die Auskoppelfläche 320 aus dem Vergusskörper 300 des optoelektronischen Bauelements 10 austreten. Der Steg-Abschnitt 440 verhindert insbesondere, dass von dem optoelektronischen Halbleiterchip 200 auf direk tem Wege ohne Reflexion an der Reflektorfläche 420 des Re flektorkörpers 400 zur Auskoppelfläche 310 des Vergusskörpers 300 gelangende elektromagnetische Strahlung durch die Auskop pelfläche 310 aus dem Vergusskörper 300 austritt. Dies ist sinnvoll, wenn eine Abstrahlung dieses direkten Lichts ver mieden werden soll. In FIG. 10 it can be seen that a surface 450 of the web section 440 facing the decoupling surface 320 of the potting body 300 is convex. The surface 450 of the web section 440 also faces the reflector space 410 of the reflector body 400. Electromagnetic radiation striking the surface 450 of the web section 440 from the reflector space 410 is reflected on the surface 450 back into the reflector space 410 and can after white direct reflections on the reflector surface 420 of the reflector body 400 at one of the areas caused by the reflector body 400 Covered partial areas 321, 322 emerge from the potting body 300 of the optoelectronic component 10 through the coupling-out area 320. The web section 440 prevents in particular that electromagnetic radiation reaching the decoupling surface 310 of the potting body 300 from the optoelectronic semiconductor chip 200 directly without reflection at the reflector surface 420 of the reflector body 400 exits the potting body 300 through the decoupling surface 310. This is makes sense if this direct light is to be avoided.

Fig. 11 zeigt eine schematische geschnittene Aufsicht auf ei ne weitere Variante des optoelektronischen Bauelements 10.11 shows a schematic sectional top view of a further variant of the optoelectronic component 10.

Die in Fig. 11 gezeigte Variante des optoelektronischen Bau elements 10 weist große Übereinstimmungen mit der in Figuren 9 und 10 gezeigten Variante des optoelektronischen Bauele ments 10 auf. Allerdings weist die dem Reflektorraum 410 zu gewandte Oberfläche 450 des Steg-Abschnitts 440 des Reflek torkörpers 400 bei der in Fig. 11 gezeigten Variante des optoelektronischen Bauelements 10 eine konkave Form auf. The variant of the optoelectronic component 10 shown in FIG. 11 has great similarities with the variant of the optoelectronic component 10 shown in FIGS. 9 and 10. However, the surface 450 of the web section 440 of the reflector body 400 facing the reflector space 410 has a concave shape in the variant of the optoelectronic component 10 shown in FIG. 11.

Durch die konkave Form unterstützt die Oberfläche 450 des Steg-Abschnitts 440 die Kollimation des von dem optoelektro nischen Bauelement 10 abgestrahlten Lichts. Due to the concave shape, the surface 450 of the web section 440 supports the collimation of the light emitted by the optoelectronic component 10.

Anhand der Figuren 12 und 13 wird nachfolgend eine alternati ve Variante des vorstehend anhand der Figuren 1 bis 3 be schriebenen Verfahrens zum Herstellen des optoelektronischen Bauelements 10 beschrieben. Bei diesem Verfahren wird der Vergusskörper 300 aus einem ersten Teilkörper 370 und einem zweiten Teilkörper 380 gebildet, die in getrennten Verfah rensschritten nacheinander hergestellt werden. Der erste Teilkörper 370 und der zweite Teilkörper 380 können bei spielsweise jeweils durch ein Formverfahren hergestellt wer den. An alternative variant of the method described above with reference to FIGS. 1 to 3 for producing the optoelectronic component 10 is described below with the aid of FIGS. In this method, the potting body 300 is formed from a first part body 370 and a second part body 380, which are produced one after the other in separate process steps. The first sub-body 370 and the second sub-body 380 can each be produced by a molding process, for example.

Fig. 12 zeigt den Träger 100 nach dem Ausbilden des ersten Teilkörpers 370. Der optoelektronische Halbleiterchip 200 ist derart in den ersten Teilkörper 370 eingebettet worden, dass der erste Teilkörper 370 die Oberseite 201 und die Seitenflä chen 203 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 bedeckt. Der erste Teilkörper 370 weist eine an die Oberseite 101 des Trägers 100 angrenzende Außenfläche 371 auf. 12 shows the carrier 100 after the first partial body 370 has been formed. The optoelectronic semiconductor chip 200 has been embedded in the first partial body 370 in such a way that the first partial body 370 covers the top side 201 and the side surfaces 203 of the optoelectronic semiconductor chip 200. The first partial body 370 has an outer surface 371 adjoining the top side 101 of the carrier 100.

Fig. 13 zeigt den Träger 100 in einem der Darstellung der Fig. 12 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand nach dem Ausbilden des zweiten Teilkörpers 380. Der zweite Teilkörper 380 schließt an die Außenfläche 371 des ersten Teilkörpers 370 an. Gemeinsam bilden der erste Teilkörper 370 und der zweite Teilkörper 380 den Vergusskörper 300 mit der anhand der Fig. 2 beschriebenen Form. Die Auskoppelfläche 320 des Vergusskörpers 300 ist an dem zweiten Teilkörper 380 ausge bildet. Der erste Teilkörper 370 und der zweite Teilkörper 380 weisen jeweils einen Teil der Mantelfläche 330 des Ver gusskörpers 300 und einen Teil der mit der Oberseite 101 des Trägers 100 in Kontakt stehenden Kontaktfläche 340 auf. FIG. 13 shows the carrier 100 in a processing status chronologically subsequent to the illustration in FIG. 12 after the formation of the second part body 380. The second part body 380 adjoins the outer surface 371 of the first partial body 370. Together, the first partial body 370 and the second partial body 380 form the potting body 300 with the shape described with reference to FIG. 2. The decoupling surface 320 of the potting body 300 is formed on the second part body 380. The first partial body 370 and the second partial body 380 each have a part of the lateral surface 330 of the cast body 300 and a part of the contact surface 340 which is in contact with the top side 101 of the carrier 100.

Der erste Teilkörper 370 und der zweite Teilkörper 380 können aus unterschiedlichen Materialien ausgebildet sein. Bei spielsweise kann der erste Teilkörper 370 eingebettete wel lenlängenkonvertierende Partikel 372 aufweisen, während der zweite Teilkörper 380 weniger oder keine wellenlängenkonver tierenden Partikel aufweist. The first partial body 370 and the second partial body 380 can be formed from different materials. For example, the first partial body 370 can have embedded wavelength-converting particles 372, while the second partial body 380 has fewer or no wavelength-converting particles.

Der erste Teilkörper 370 kann einen höheren Brechungsindex aufweisen als der zweite Teilkörper 380. Beispielsweise kann der erste Teilkörper 370 einen Brechungsindex von mehr als 1,55 aufweisen, während der zweite Teilkörper 380 einen Bre chungsindex kleiner als 1,45 aufweist. Zusätzlich kann die an den zweiten Teilkörper 380 angrenzende Außenfläche 371 des ersten Teilkörpers 370 eine konvexe Form aufweisen. Dann bil det die Außenfläche 371 des ersten Teilkörpers 370 eine Sam mellinse für aus dem ersten Teilkörper 370 in den zweiten Teilkörper 380 des Vergusskörpers 300 übertretende elektro magnetische Strahlung. Diese Sammellinse kann eine weitere zusätzliche Kollimation der von dem optoelektronischen Bau element 10 abgestrahlten elektromagnetischen Strahlung bewir ken. The first part body 370 can have a higher refractive index than the second part body 380. For example, the first part body 370 can have a refractive index of more than 1.55, while the second part body 380 has a refractive index less than 1.45. In addition, the outer surface 371 of the first partial body 370 adjoining the second partial body 380 can have a convex shape. Then the outer surface 371 of the first partial body 370 forms a collecting lens for electromagnetic radiation passing from the first partial body 370 into the second partial body 380 of the potting body 300. This converging lens can cause a further additional collimation of the electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic component 10.

Fig. 14 zeigt eine schematische geschnittene Darstellung ei ner weiteren Variante des optoelektronischen Bauelements 10. Bei dieser Variante des optoelektronischen Bauelements 10 sind zusätzlich zu dem optoelektronischen Halbleiterchip 200 ein erster weiterer optoelektronischer Halbleiterchip 210 und ein zweiter weiterer optoelektronischer Halbleiterchip 211 in den Vergusskörper 300 eingebettet. Im dargestellten Beispiel sind der optoelektronische Halbleiterchip 200, der erste wei tere optoelektronische Halbleiterchip 210 und der zweite wei tere optoelektronische Halbleiterchip 211 nebeneinander ent lang einer zu der Auskoppelfläche 320 des Vergusskörpers 300 parallelen Geraden angeordnet. Die optoelektronischen Halb leiterchips 200, 210, 211 könnten aber auch auf andere Weise in dem Vergusskörper 300 angeordnet sein. 14 shows a schematic sectional illustration of a further variant of the optoelectronic component 10. In this variant of the optoelectronic component 10, in addition to the optoelectronic semiconductor chip 200, a first further optoelectronic semiconductor chip 210 and a second further optoelectronic semiconductor chip 211 are shown in FIG the potting body 300 is embedded. In the example shown, the optoelectronic semiconductor chip 200, the first further optoelectronic semiconductor chip 210 and the second further optoelectronic semiconductor chip 211 are arranged next to one another along a straight line parallel to the coupling-out surface 320 of the potting body 300. The optoelectronic semiconductor chips 200, 210, 211 could, however, also be arranged in the potting body 300 in a different manner.

Der optoelektronische Halbleiterchip 200, der erste weitere optoelektronische Halbleiterchip 210 und der zweite weitere optoelektronische Halbleiterchip 211 können dazu vorgesehen sein, elektromagnetische Strahlung mit unterschiedlichen Wel lenlängen zu emittieren. Beispielsweise kann der optoelektro nische Halbleiterchip 200 dazu ausgebildet sein, elektromag netische Strahlung mit einer Wellenlänge aus dem grünen Spektralbereich zu emittieren. Der erste weitere optoelektro nische Halbleiterchip 210 kann beispielsweise dazu vorgesehen sein, elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge aus dem roten Spektralbereich zu emittieren. Der zweite weitere optoelektronische Halbleiterchip 211 kann beispielsweise dazu vorgesehen sein, elektromagnetische Strahlung mit einer Wel lenlänge aus dem blauen Spektralbereich zu emittieren. The optoelectronic semiconductor chip 200, the first further optoelectronic semiconductor chip 210 and the second further optoelectronic semiconductor chip 211 can be provided to emit electromagnetic radiation with different wavelengths. For example, the optoelectronic semiconductor chip 200 can be designed to emit electromagnetic radiation with a wavelength from the green spectral range. The first further optoelectronic semiconductor chip 210 can be provided, for example, to emit electromagnetic radiation with a wavelength from the red spectral range. The second further optoelectronic semiconductor chip 211 can be provided, for example, to emit electromagnetic radiation with a wavelength from the blue spectral range.

Es ist auch möglich, eine andere Anzahl von optoelektroni schen Halbleiterchips in den Vergusskörper 300 des optoelekt ronischen Bauelements 10 einzubetten, beispielsweise insge samt zwei optoelektronische Halbleiterchips oder mehr als drei optoelektronische Halbleiterchips. Dabei können die ein zelnen optoelektronischen Halbleiterchips gleich oder unter schiedlich ausgebildet sein. It is also possible to embed a different number of optoelectronic semiconductor chips in the potting body 300 of the optoelectronic component 10, for example a total of two optoelectronic semiconductor chips or more than three optoelectronic semiconductor chips. The individual optoelectronic semiconductor chips can be designed identically or differently.

Fig. 15 zeigt in schematischer geschnittener Darstellung eine weitere Variante des optoelektronischen Bauelements 10. Bei der in Fig. 15 gezeigten Variante des optoelektronischen Bau elements 10 sind zusätzlich zu dem Vergusskörper 300 ein ers ter weiterer Vergusskörper 500 und ein zweiter weiterer Ver gusskörper 510 in den Reflektorkörper 400 eingebettet. Dadurch sind in dem Reflektorkörper 400 zusätzlich zu dem Re flektorraum 410 ein erster weiterer Reflektorraum 505 und ein zweiter weiterer Reflektorraum 515 ausgebildet. In den ersten weiteren Vergusskörper 500 ist wiederum ein erster weiterer optoelektronischer Halbleiterchip 210 eingebettet. In den zweiten weiteren Vergusskörper 510 ist ein zweiter weiterer optoelektronischer Halbleiterchip 211 eingebettet. Der Ver gusskörper 300, der erste weitere Vergusskörper 500 und der zweite weitere Vergusskörper 510 sind nebeneinander entlang einer zu der Auskoppelfläche 320 des Vergusskörpers 300 pa rallelen Geraden angeordnet. Der erste weitere Vergusskörper 500 und der zweite weitere Vergusskörper 510 sind ausgebildet wie der Vergusskörper 300. 15 shows a further variant of the optoelectronic component 10 in a schematic sectional illustration. In the variant of the optoelectronic component 10 shown in FIG Reflector body 400 embedded. As a result, a first additional reflector space 505 and a second additional reflector space 515 are formed in the reflector body 400 in addition to the reflector space 410. A first further optoelectronic semiconductor chip 210 is in turn embedded in the first further potting body 500. A second further optoelectronic semiconductor chip 211 is embedded in the second further potting body 510. The potting body 300, the first further potting body 500 and the second further potting body 510 are arranged next to one another along a straight line parallel to the coupling-out surface 320 of the potting body 300. The first further potting body 500 and the second further potting body 510 are designed like the potting body 300.

Selbstverständlich sind auch Kombinationen der in Figuren 14 und 15 gezeigten Varianten des optoelektronischen Bauelements 10 möglich. Beispielsweise kann in den Reflektorkörper 400 mehr als ein Vergusskörper 300, 500, 510 eingebettet sein. In diese Vergusskörper 300, 500, 510 können jeweils ein opto elektronischer Halbleiterchip 200 oder mehrere optoelektroni sche Halbleiterchips 200, 210, 211 eingebettet sein. Combinations of the variants of the optoelectronic component 10 shown in FIGS. 14 and 15 are of course also possible. For example, more than one potting body 300, 500, 510 can be embedded in the reflector body 400. An optoelectronic semiconductor chip 200 or a plurality of optoelectronic semiconductor chips 200, 210, 211 can each be embedded in these potting bodies 300, 500, 510.

Fig. 16 zeigt eine schematische geschnittene Darstellung ei ner weitere Variante des optoelektronischen Bauelements 10. Bei der in Fig. 16 gezeigten Variante des optoelektronischen Bauelements 10 ist an der Auskoppelfläche 320 des Vergusskör pers 300 eine Beschichtung 600 angeordnet. Die Beschichtung 600 kann nach dem Ausbilden des Reflektorkörpers 400 an der Auskoppelfläche 320 des Vergusskörpers 300 angeordnet worden sein. 16 shows a schematic sectional illustration of a further variant of the optoelectronic component 10. In the variant of the optoelectronic component 10 shown in FIG. 16, a coating 600 is arranged on the coupling-out surface 320 of the potting body 300. The coating 600 may have been arranged on the coupling-out surface 320 of the potting body 300 after the reflector body 400 has been formed.

Die Beschichtung 600 kann beispielsweise eine Antireflex- Beschichtung sein. Die Beschichtung 600 kann auch eine pola risierende Struktur 610 bilden, die an der Auskoppelfläche 320 aus dem optoelektronischen Bauelement 10 austretende elektromagnetische Strahlung polarisiert. Die Beschichtung 600 kann auch eine Filterstruktur 620 bilden, die an der Aus koppelfläche 320 aus dem optoelektronischen Bauelement 10 austretende elektromagnetische Strahlung färb- bzw. wellen längenselektiv filtert. The coating 600 can be, for example, an anti-reflective coating. The coating 600 can also form a polarizing structure 610 which polarizes electromagnetic radiation emerging from the optoelectronic component 10 at the coupling-out surface 320. The coating 600 can also form a filter structure 620 that is formed on the coupling-out surface 320 from the optoelectronic component 10 filters emerging electromagnetic radiation color or waves length-selectively.

Fig. 17 zeigt eine schematische geschnittene Darstellung ei ner weiteren Variante des optoelektronischen Bauelements 10. Bei der in Fig. 17 gezeigten Variante des optoelektronischen Bauelements 10 ist an der Auskoppelfläche 320 des Vergusskör pers 300 eine strahlformende Struktur 630 angeordnet. Die strahlformende Struktur 630 ist nach dem Vereinzeln des opto elektronischen Bauelements 10 an der Auskoppelfläche 320 aus gebildet worden, beispielsweise durch ein Formverfahren (Mol dverfahren). Im in Fig. 17 gezeigten Beispiel ist die strahl formende Struktur 630 als Kollimationslinse ausgebildet. Dadurch bewirkt die an der Auskoppelfläche 320 angeordnete strahlformende Struktur 630 bei der in Fig. 17 gezeigten Va riante des optoelektronischen Bauelements 10 eine zusätzliche Kollimation der an der Auskoppelfläche 320 aus dem optoelekt ronischen Bauelement 10 austretenden elektromagnetischen Strahlung. 17 shows a schematic sectional illustration of a further variant of the optoelectronic component 10. In the variant of the optoelectronic component 10 shown in FIG. 17, a beam-shaping structure 630 is arranged on the coupling-out surface 320 of the potting body 300. The beam-shaping structure 630 has been formed after the isolation of the optoelectronic component 10 on the coupling-out surface 320, for example by a molding process (molar process). In the example shown in FIG. 17, the beam-shaping structure 630 is designed as a collimation lens. As a result, in the variant of the optoelectronic component 10 shown in FIG.

Fig. 18 zeigt eine weitere Variante des optoelektronischen Bauelements 10. Bei der in Fig. 18 gezeigten Variante des optoelektronischen Bauelements 10 ist ebenfalls eine strahl formende Struktur 630 an der Auskoppelfläche 320 des Verguss körpers 300 angeordnet. In Fig. 18 ist die strahlformende Struktur 630 als Fresnellinse ausgebildet. Dadurch kann auch bei der in Fig. 18 gezeigten Variante des optoelektronischen Bauelements 10 eine zusätzliche Kollimation der aus dem opto elektronischen Bauelement 10 austretenden elektromagnetischen Strahlung erreicht werden. 18 shows a further variant of the optoelectronic component 10. In the variant of the optoelectronic component 10 shown in FIG. 18, a beam-shaping structure 630 is also arranged on the coupling-out surface 320 of the potting body 300. In FIG. 18, the beam-shaping structure 630 is designed as a Fresnel lens. As a result, in the variant of the optoelectronic component 10 shown in FIG. 18, an additional collimation of the electromagnetic radiation emerging from the optoelectronic component 10 can be achieved.

Fig. 19 zeigt eine weitere Variante des optoelektronischen Bauelements 10. Auch bei der in Fig. 19 gezeigten Variante des optoelektronischen Bauelements ist an der Auskoppelfläche 320 des Vergusskörpers 300 eine strahlformende Struktur 630 angeordnet. In Fig. 19 ist die strahlformende Struktur 630 in Form von Prismen ausgebildet. Fig. 20 zeigt eine weitere Variante des optoelektronischen Bauelements 10. Bei der in Fig. 20 gezeigten Variante des optoelektronischen Bauelements 10 ist an der Auskoppelfläche 320 des Vergusskörpers 300 eine strahlformende Struktur 630 angeordnet, die als binäre Gitterstruktur ausgebildet ist.19 shows a further variant of the optoelectronic component 10. In the variant of the optoelectronic component shown in FIG. 19, too, a beam-shaping structure 630 is arranged on the coupling-out surface 320 of the potting body 300. In FIG. 19, the beam-shaping structure 630 is designed in the form of prisms. FIG. 20 shows a further variant of the optoelectronic component 10. In the variant of the optoelectronic component 10 shown in FIG. 20, a beam-shaping structure 630, which is designed as a binary grating structure, is arranged on the coupling-out surface 320 of the potting body 300.

Die als binäre Gitterstruktur ausgebildete strahlformende Struktur 630 kann eine Strahlformung des von dem optoelektro nischen Bauelement 10 abgestrahlten Lichts durch diffraktive Effekte bewirken. The beam-shaping structure 630 embodied as a binary lattice structure can effect beam shaping of the light emitted by the optoelectronic component 10 by means of diffractive effects.

Fig. 21 zeigt eine schematische geschnittene Darstellung ei ner weiteren Variante des optoelektronischen Bauelements 10. Bei der in Fig. 21 gezeigten Variante des optoelektronischen Bauelements 10 ist an der Auskoppelfläche 320 des Vergusskör pers 300 eine Metallgitterstruktur 640 angeordnet worden, die als polarisierende Struktur 610 wirkt. Die Metallgitterstruk tur 640 kann eine Polarisierung des von dem optoelektroni schen Bauelement 10 abgestrahlten Lichts bewirken. 21 shows a schematic sectional illustration of a further variant of the optoelectronic component 10. In the variant of the optoelectronic component 10 shown in FIG . The metal grid structure 640 can bring about a polarization of the light emitted by the optoelectronic component 10.

Die jeweiligen Besonderheiten der vorstehend beschriebenen Varianten des optoelektronischen Bauelements 10 können mitei nander kombiniert werden. Beispielsweise kann bei jeder Vari ante des optoelektronischen Bauelements 10 die Mantelfläche 330 des Vergusskörpers 300 einen Teil eines Rotationsparabo- loids 350 bilden oder eine andere Form aufweisen, etwa die in Fig. 6 gezeigte Form. Bei jeder Variante des optoelektroni schen Bauelements 10 kann der Reflektorkörper 400 eine Blende 430 aufweisen, wie dies in Fig. 8 dargestellt ist. Bei jeder Variante des optoelektronischen Bauelements 10 kann der Re flektorkörper 400 einen Steg-Abschnitt 440 aufweisen, wie es in Figuren 9 bis 11 dargestellt ist. Bei jeder Variante des optoelektronischen Bauelements 10 kann der Vergusskörper 300 aus einem ersten Teilkörper 370 und einem zweiten Teilkörper 380 gebildet sein, wie es anhand der Figuren 12 und 13 be schrieben worden ist. Bei jeder Variante des optoelektroni schen Bauelements 10 kann mehr als ein optoelektronischer Halbleiterchip 200 in den Vergusskörper 300 eingebettet sein. Bei jeder Variante des optoelektronischen Bauelements 10 kann mehr als ein Vergusskörper 300 in den Reflektorkörper 400 eingebettet sein. Bei jeder Variante des optoelektronischen Bauelements 10 kann an der Auskoppelfläche 320 des Verguss körpers 300 eine Beschichtung 600, eine polarisierende Struk tur 610, eine Filterstruktur 620 oder eine strahlformende Struktur 630 angeordnet sein, wie sie anhand der Figuren 16 bis 21 beschrieben worden sind. The respective special features of the variants of the optoelectronic component 10 described above can be combined with one another. For example, in each variant of the optoelectronic component 10, the lateral surface 330 of the potting body 300 can form part of a paraboloid of revolution 350 or have another shape, for example the shape shown in FIG. 6. In each variant of the optoelectronic component 10, the reflector body 400 can have a screen 430, as is shown in FIG. 8. In each variant of the optoelectronic component 10, the reflector body 400 can have a web section 440, as is shown in FIGS. 9 to 11. In each variant of the optoelectronic component 10, the potting body 300 can be formed from a first part body 370 and a second part body 380, as has been described with reference to FIGS. 12 and 13. In each variant of the optoelectronic component 10, more than one optoelectronic semiconductor chip 200 can be embedded in the potting body 300. In each variant of the optoelectronic component 10 can more than one potting body 300 can be embedded in the reflector body 400. In each variant of the optoelectronic component 10, a coating 600, a polarizing structure 610, a filter structure 620 or a beam-shaping structure 630, as described with reference to FIGS. 16 to 21, can be arranged on the coupling-out surface 320 of the potting body 300.

Fig. 22 zeigt eine schematische Darstellung einer optoelekt ronischen Anordnung 20. Die optoelektronische Anordnung 20 umfasst ein optoelektronisches Bauelement 10 und einen Licht leiter 700. Das optoelektronische Bauelement 10 und der Lichtleiter 700 sind so angeordnet, dass von dem optoelektro nischen Bauelement 10 an der Auskoppelfläche 320 des Verguss körpers 300 abgestrahltes Licht 710 in den Lichtleiter 700 eingestrahlt wird. Günstig ist dabei, dass das von dem opto elektronischen Bauelement 10 abgestrahlte Licht 710 in einen engen Raumwinkel abgestrahlt wird, sodass ein großer Teil dieses Lichts 710 in den Lichtleiter 700 eingekoppelt werden kann. 22 shows a schematic illustration of an optoelectronic arrangement 20. The optoelectronic arrangement 20 comprises an optoelectronic component 10 and a light guide 700. The optoelectronic component 10 and the light guide 700 are arranged so that of the optoelectronic component 10 on the coupling-out surface 320 of the potting body 300 light 710 is radiated into the light guide 700. It is favorable here that the light 710 emitted by the optoelectronic component 10 is emitted into a narrow solid angle, so that a large part of this light 710 can be coupled into the light guide 700.

Die optoelektronische Anordnung 20 kann beispielsweise in ei nem Bildschirm zur Hintergrundbeleuchtung genutzt werden. The optoelectronic arrangement 20 can, for example, be used in a screen for background lighting.

Die Erfindung wurde anhand der bevorzugten Ausführungsbei spiele näher illustriert und beschrieben. Dennoch ist die Er findung nicht auf die offenbarten Beispiele eingeschränkt. Vielmehr können hieraus andere Variationen vom Fachmann abge leitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlas- sen. BEZUGSZEICHENLISTE The invention has been illustrated and described in more detail with reference to the preferred Ausführungsbei games. Nevertheless, the invention is not limited to the examples disclosed. Rather, other variations can be derived from this by the person skilled in the art without departing from the scope of protection of the invention. REFERENCE LIST

10 optoelektronisches Bauelement 20 optoelektronische Anordnung 10 optoelectronic component 20 optoelectronic arrangement

100 Träger 100 carriers

101 Oberseite 110 Leiterrahmen 120 Formmaterial 101 top 110 lead frame 120 molding material

200 optoelektronischer Halbleiterchip 200 optoelectronic semiconductor chip

201 Oberseite 201 top

202 Unterseite 202 bottom

203 Seitenfläche 203 side face

204 Mittelpunkt 204 center point

210 erster weiterer optoelektronischer Halbleiterchip210 first further optoelectronic semiconductor chip

211 zweiter weiterer optoelektronischer Halbleiterchip 211 second further optoelectronic semiconductor chip

300 Vergusskörper 310 Außenfläche 300 potting body 310 outer surface

320 Auskoppelfläche 320 decoupling area

321 erste Teilfläche 321 first partial area

322 zweite Teilfläche 322 second partial area

330 Mantelfläche 330 outer surface

331 ebener Abschnitt 331 flat section

332 gekrümmter Abschnitt 340 Kontaktfläche 332 curved section 340 contact surface

350 Rotationsparaboloid 350 paraboloid of revolution

351 parabelförmige Grundform 351 parabolic basic shape

352 Brennpunkt 352 focus

353 Kantenlänge 353 edge length

354 erster Abstand 354 first distance

355 zweiter Abstand 355 second distance

356 dritter Abstand 360 Absatz 356 third distance 360 paragraph

370 erster Teilkörper 370 first part of the body

371 Außenfläche 371 exterior surface

372 wellenlängenkonvertierende Partikel 380 zweiter Teilkörper 390 reflektierende Schicht 372 wavelength converting particles 380 second part body 390 reflective layer

400 Reflektorkörper 410 Reflektorraum 420 Reflektorflache 430 Blende 440 Steg-Abschnitt 400 reflector body 410 reflector space 420 reflector surface 430 cover 440 web section

450 Oberfläche des Steg-Abschnitts 450 Surface of the web section

500 erster weiterer Vergusskörper 505 erster weiterer Reflektorraum 510 zweiter weiterer Vergusskörper 515 zweiter weiterer Reflektorraum 500 first further potting body 505 first further reflector space 510 second further potting body 515 second further reflector space

600 Beschichtung 600 coating

610 polarisierende Struktur 610 polarizing structure

620 Filterstruktur 620 filter structure

630 strahlformende Struktur 630 beam shaping structure

640 Metallgitterstruktur 640 metal grid structure

700 Lichtleiter 710 Licht 700 light guide 710 light

Claims

PATENTANSPRÜCHE PATENT CLAIMS

1. Optoelektronisches Bauelement (10) mit einem Träger (100) und einem auf dem Träger (100) an geordneten optoelektronischen Halbleiterchip (200), wobei der optoelektronische Halbleiterchip (200) in einen Vergusskörper (300) eingebettet ist, wobei eine Außenfläche (310) des Vergusskörpers (300) ei ne an den Träger (100) angrenzende Auskoppelfläche (320) und eine Mantelfläche (330) umfasst, wobei der Vergusskörper (300) in einen Reflektorkörper (400) eingebettet ist, wobei die Mantelfläche (330) durch den Reflektorkörper (400) bedeckt ist und die Auskoppelfläche (320) zumindest teilweise nicht durch den Reflektorkörper (400) bedeckt ist. 1. Optoelectronic component (10) with a carrier (100) and an optoelectronic semiconductor chip (200) arranged on the carrier (100), the optoelectronic semiconductor chip (200) being embedded in a potting body (300), an outer surface (310 ) of the potting body (300) comprises a coupling-out surface (320) adjoining the carrier (100) and a lateral surface (330), the potting body (300) being embedded in a reflector body (400), the lateral surface (330) being through the Reflector body (400) is covered and the coupling-out surface (320) is at least partially not covered by the reflector body (400).

2. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß Anspruch 1, wobei die Mantelfläche (330) des Vergusskörper (300) ei nen Teil eines Rotationsparaboloids (350) bildet. 2. Optoelectronic component (10) according to claim 1, wherein the lateral surface (330) of the potting body (300) forms egg NEN part of a paraboloid of revolution (350).

3. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß einem der vor hergehenden Ansprüche, wobei zwischen der Auskoppelfläche (320) und der Mantel fläche (330) des Vergusskörpers (300) ein Absatz (360) ausgebildet ist, der durch den Reflektorkörper (400) be deckt ist. 3. Optoelectronic component (10) according to one of the foregoing claims, wherein between the coupling-out surface (320) and the jacket surface (330) of the potting body (300), a shoulder (360) is formed, which is covered by the reflector body (400) is.

4. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß einem der vor hergehenden Ansprüche, wobei ein Steg-Abschnitt (440) des Reflektorkörpers (400) sich derart über die Auskoppelfläche (320) erstreckt, dass die Auskoppelfläche (320) in eine durch den Reflek torkörper (400) unbedeckte erste Teilfläche (321) und ei ne durch den Reflektorkörper (400) unbedeckte zweite Teilfläche (322) unterteilt wird. 4. Optoelectronic component (10) according to one of the foregoing claims, wherein a web portion (440) of the reflector body (400) extends over the decoupling surface (320) in such a way that the decoupling surface (320) in a gate body through the reflector ( 400) uncovered first partial area (321) and a second partial area (322) uncovered by the reflector body (400) is divided.

5. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß Anspruch 4, wobei eine der Auskoppelfläche (320) zugewandte Oberflä che (450) des Steg-Abschnitts (440) konkav oder konvex ausgebildet ist. 5. The optoelectronic component (10) according to claim 4, wherein one of the coupling-out surface (320) facing Oberflä surface (450) of the web portion (440) is concave or convex.

6. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß einem der vor hergehenden Ansprüche, wobei an der Mantelfläche (330) eine reflektierende Schicht (390) angeordnet ist, wobei der Reflektorkörper (400) die reflektierende Schicht (390) bedeckt. 6. Optoelectronic component (10) according to one of the preceding claims, wherein a reflective layer (390) is arranged on the lateral surface (330), wherein the reflector body (400) covers the reflective layer (390).

7. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß einem der vor hergehenden Ansprüche, wobei der Vergusskörper (300) einen ersten Teilkörper (370) und einen zweiten Teilkörper (380) aufweist, wobei der optoelektronische Halbleiterchip (200) in den ersten Teilkörper (370) eingebettet ist, wobei der zweite Teilkörper (380) die Auskoppelfläche (320) aufweist, wobei der erste Teilkörper (370) und der zweite Teilkör per (380) unterschiedliche Materialien aufweisen. 7. Optoelectronic component (10) according to one of the foregoing claims, wherein the potting body (300) has a first part body (370) and a second part body (380), wherein the optoelectronic semiconductor chip (200) is embedded in the first part body (370) is, wherein the second part body (380) has the decoupling surface (320), wherein the first part body (370) and the second part body per (380) have different materials.

8. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß Anspruch 7, wobei der erste Teilkörper (370) einen höheren Brechungs index aufweist als der zweite Teilkörper (380). 8. The optoelectronic component (10) according to claim 7, wherein the first part body (370) has a higher refractive index than the second part body (380).

9. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß einem der An sprüche 7 und 8, wobei eine an den zweiten Teilkörper (380) angrenzende Außenfläche (371) des ersten Teilkörpers (370) eine kon vexe Form aufweist. 9. Optoelectronic component (10) according to one of claims 7 and 8, wherein an outer surface (371) of the first part body (370) adjoining the second part body (380) has a convex shape.

10.Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß einem der An sprüche 7 bis 9, wobei der erste Teilkörper (370) eingebettete wellenlän genkonvertierende Partikel (372) aufweist. 10. Optoelectronic component (10) according to one of claims 7 to 9, wherein the first part-body (370) has embedded wavelength-converting particles (372).

11.Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß einem der vor hergehenden Ansprüche, wobei ein weiterer optoelektronischer Halbleiterchip (220) in den Vergusskörper (300) eingebettet ist. 11. Optoelectronic component (10) according to one of the preceding claims, wherein a further optoelectronic semiconductor chip (220) is embedded in the potting body (300).

12.Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß einem der vor hergehenden Ansprüche, wobei ein weiterer Vergusskörper (500) in den Reflektor körper (400) eingebettet ist, wobei ein weiterer optoelektronischer Halbleiterchip (210) in den weiteren Vergusskörper (500) eingebettet ist. 12. Optoelectronic component (10) according to one of the foregoing claims, wherein a further potting body (500) is embedded in the reflector body (400), a further optoelectronic semiconductor chip (210) being embedded in the further potting body (500).

13.Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß einem der vor hergehenden Ansprüche, wobei die Auskoppelfläche (320) eine polarisierende Struktur (610), eine strahlformende Struktur (630) oder eine Filterstruktur (620) aufweist. 13. Optoelectronic component (10) according to one of the preceding claims, wherein the coupling-out surface (320) has a polarizing structure (610), a beam-shaping structure (630) or a filter structure (620).

14.Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauele ments (10) mit den folgenden Schritten: 14. Method for producing an optoelectronic component (10) with the following steps:

- Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips (200) auf einem Träger (100); - Arranging an optoelectronic semiconductor chip (200) on a carrier (100);

- Ausbilden eines Vergusskörpers (300) mit einer Außen fläche (310), die eine an den Träger (100) angrenzende Auskoppelfläche (320) und eine Mantelfläche (330) um fasst, wobei der optoelektronische Halbleiterchip (200) in den Vergusskörper (300) eingebettet wird; - Forming a potting body (300) with an outer surface (310) which comprises a coupling-out surface (320) adjoining the carrier (100) and a jacket surface (330), the optoelectronic semiconductor chip (200) in the potting body (300) is embedded;

- Ausbilden eines Reflektorkörpers (400), wobei der Ver gusskörper (300) in den Reflektorkörper (400) eingebettet wird, wobei die Mantelfläche (330) durch den Reflektor körper (400) bedeckt wird und die Auskoppelfläche (320) zumindest teilweise nicht durch den Reflektorkörper (400) bedeckt wird. - Forming a reflector body (400), the Ver cast body (300) is embedded in the reflector body (400), wherein the lateral surface (330) is covered by the reflector body (400) and the decoupling surface (320) at least partially not by the Reflector body (400) is covered.

15.Verfahren gemäß Anspruch 14, wobei das Ausbilden des Vergusskörpers (300) ein Ausbil- den eines ersten Teilkörpers (370) des Vergusskörpers (300) und ein nachfolgendes Ausbilden eines zweiten Teil körpers (380) des Vergusskörpers (300) umfasst, wobei der erste Teilkörper (370) und der zweite Teilkör per (380) aus unterschiedlichen Materialien ausgebildet werden, wobei der optoelektronische Halbleiterchip (200) in den ersten Teilkörper (370) eingebettet wird, wobei die Auskoppelfläche (320) an dem zweiten Teilkörper (380) ausgebildet wird. 15. The method according to claim 14, wherein the formation of the potting body (300) is a formation comprises a first part body (370) of the potting body (300) and a subsequent formation of a second part body (380) of the potting body (300), the first part body (370) and the second part body (380) being formed from different materials wherein the optoelectronic semiconductor chip (200) is embedded in the first partial body (370), the coupling-out surface (320) being formed on the second partial body (380).

16.Verfahren gemäß einem der Ansprüche 14 und 15, wobei vor dem Ausbilden des Reflektorkörpers (400) der folgende weitere Schritt durchgeführt wird: 16. The method according to any one of claims 14 and 15, the following further step being carried out before the reflector body (400) is formed:

- Anordnen einer reflektierenden Schicht (390) an der Mantelfläche (330) des Vergusskörpers (300). - Arranging a reflective layer (390) on the lateral surface (330) of the potting body (300).

17.Verfahren gemäß einem der Ansprüche 14 bis 16, wobei das Verfahren den folgenden weiteren Schritt um fasst: 17. The method according to any one of claims 14 to 16, wherein the method comprises the following further step:

- Anordnen einer Beschichtung (600) an der Auskoppelflä che (320). - Arranging a coating (600) on the Auskoppelflä surface (320).

18.Verfahren gemäß einem der Ansprüche 14 bis 16, wobei das Verfahren den folgenden weiteren Schritt um fasst: 18. The method according to any one of claims 14 to 16, wherein the method comprises the following further step:

- Ausbilden einer strahlformenden Struktur (630) an der Auskoppelfläche (320). - Forming a beam-shaping structure (630) on the coupling-out surface (320).

19.Verfahren gemäß einem der Ansprüche 14 bis 16, wobei das Verfahren den folgenden weiteren Schritt um fasst: 19. The method according to any one of claims 14 to 16, wherein the method comprises the following further step:

- Anordnen einer Metallgitterstruktur (640) an der Aus koppelfläche (320). - Arranging a metal grid structure (640) on the coupling surface from (320).

20.Optoelektronische Anordnung (20) mit einem optoelektronischen Bauelement (10) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 13 und mit einem Lichtleiter (700), wobei das optoelektronische Bauelement (10) und der Lichtleiter (700) so angeordnet sind, dass von dem opto elektronischen Bauelement (10) an der Auskoppelfläche (320) emittiertes Licht (710) in den Lichtleiter (700) eingestrahlt wird. 20. Optoelectronic arrangement (20) with an optoelectronic component (10) according to one of claims 1 to 13 and with a light guide (700), wherein the optoelectronic component (10) and the light guide (700) are arranged in such a way that light (710) emitted by the optoelectronic component (10) at the coupling-out surface (320) enters the light guide (700) ) is irradiated.