WO2021157431A1 - 発光デバイス - Google Patents

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light emitting
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荒木田　孝博
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ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
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    • H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/34313—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer having only As as V-compound, e.g. AlGaAs, InGaAs

Definitions

  • the present disclosure relates to, for example, a back-emission type light emitting device.
  • Patent Document 1 includes an n-type semiconductor multilayer film constituting a substrate-side mirror, a substrate-side contact / injection layer, a p-type semiconductor multilayer film, and a light-emitting layer on an n-type or semi-insulating GaAs substrate.
  • a planar light emitting device in which a cavity and an n-type semiconductor multilayer film constituting an air-side mirror are formed in this order is disclosed.
  • the light emitting device of the embodiment of the present disclosure includes a substrate having a first surface and a second surface facing each other, a first contact layer laminated on the first surface of the substrate, and a first contact layer.
  • a buffer layer having at least one of a carrier concentration, a material composition, and a composition ratio different from that of the first contact layer, and the first contact layer and the buffer layer are laminated on the first surface of the substrate. It is provided with a semiconductor laminate having a light emitting region capable of emitting laser light.
  • a buffer layer having at least one of the carrier concentration, the material composition, and the composition ratio different from that of the first contact layer is provided between the first contact layer and the semiconductor laminate. I did. As a result, a semiconductor laminate having excellent crystal quality is formed.
  • FIG. 3 is a block diagram showing an example of a schematic configuration of a distance measuring device using the lighting device provided with the semiconductor laser shown in FIG. 1.
  • FIG. 1 schematically shows an example of a cross-sectional configuration of a light emitting device (semiconductor laser 1) according to an embodiment of the present disclosure.
  • the semiconductor laser 1 is, for example, a back-emission type VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting LASER), for example, a plurality of VCSELs are integrated in an array as a plurality of light emitting regions.
  • VCSEL Vertical Cavity Surface Emitting LASER
  • the semiconductor laser 1 has, for example, a plurality of semiconductor laminates 10 on the first surface (surface (surface 11S1)) of the substrate 11.
  • the semiconductor laminate 10 has, for example, a columnar shape (mesa shape), and for example, the first light reflecting layer 14, the active layer 15, and the second light reflecting layer 16 are laminated in this order.
  • a current constriction layer 17 forming a current injection region 17A is provided between the first light reflection layer 14 and the active layer 15.
  • the semiconductor laminate 10 corresponds to a specific example of the "semiconductor laminate" of the present disclosure.
  • the first contact layer 12 and the buffer layer 13 are laminated in this order between the semiconductor laminate 10 and the substrate 11, and the buffer layer 13 forms a mesa shape together with the semiconductor laminate 10.
  • the first contact layer 12 extends on the substrate 11 as a common layer for the plurality of semiconductor laminates 10.
  • a first electrode 21 is provided on the first contact layer 12 as a common electrode for each semiconductor laminate 10.
  • a second contact layer 18 and a second electrode 22 are formed on the upper surface (surface 10S1) of each semiconductor laminate 10 in this order, respectively.
  • the upper surface (surface 12S1) of the first contact layer 12 excluding the first electrode 21 and the second electrode 22, the upper surface of the second contact layer 18, and the side surfaces of the second contact layer 18, the semiconductor laminate 10 and the buffer layer 13 It is covered with the insulating film 23, and the second surface (back surface (surface 11S2)) of the substrate 11 is covered with the insulating film 24.
  • the substrate 11 is a support substrate on which a plurality of semiconductor laminates 10 are integrated.
  • the substrate 11 is composed of, for example, a semi-insulating substrate made of a GaAs-based semiconductor that does not contain impurities. Further, the substrate 11 may be any as long as it has a low carrier concentration and the absorption of laser light is reduced, and is not necessarily limited to a general semi-insulating substrate.
  • a substrate having a p-type or n-type carrier concentration of 5 ⁇ 10 17 cm -3 or less can be used as the substrate 11.
  • the first contact layer 12 is made of, for example, a GaAs-based semiconductor having conductivity.
  • the first contact layer 12 is for electrically connecting the first electrode 21 and the first light reflecting layer 14 of each semiconductor laminate 10.
  • the first contact layer 12 is composed of a p-type GaAs having a high carrier concentration, for example, a carrier concentration of 1 ⁇ 10 19 cm -3 or more.
  • the first contact layer 12 corresponds to a specific example of the “first contact layer” of the present disclosure.
  • the film thickness of the first contact layer in the stacking direction is, for example, 200 nm or more and 1500 nm or less.
  • the buffer layer 13 is for recovering the crystal quality of the semiconductor laminate 10 formed above the first contact layer 12.
  • the buffer layer 13 preferably has the following configuration.
  • the buffer layer 13 is formed with a carrier concentration different from that of the first contact layer 12.
  • the buffer layer 13 has a lower carrier concentration than the first contact layer 12, for example, a carrier concentration of less than 1 ⁇ 10 19 cm -3 , preferably 5 ⁇ 10 18 cm -3 or less. It is composed of p-type GaAs that it has.
  • the buffer layer 13 is configured by using a semiconductor having a material composition and a composition ratio different from that of the first contact layer 12 (for example, the GaAs layer).
  • the buffer layer 13 can be formed as a single-layer film or a laminated film including a layer made of any of the above semiconductor materials.
  • the buffer layer 13 is formed above the first contact layer 12 by adopting at least one of the above configurations to alleviate the deterioration of the crystallinity of the first contact layer 12 due to high-concentration doping. The crystal quality of the semiconductor laminate 10 is restored.
  • the film thickness of the buffer layer 13 in the stacking direction is, for example, 100 nm or more and 1000 nm or less.
  • the first light reflecting layer 14 is arranged between the buffer layer 13 and the current constriction layer 17, and faces the second light reflection layer 16 with the active layer 15 and the current constriction layer 17 in between.
  • the first light reflecting layer 14 resonates the light generated in the active layer 15 with the second light reflecting layer 16.
  • the first light reflecting layer 14 corresponds to a specific example of the "first light reflecting layer" of the present disclosure.
  • the first light reflecting layer 14 is a DBR (Distributed Bragg Reflector) layer in which low refractive index layers (not shown) and high refractive index layers (not shown) are alternately laminated.
  • the low refractive index layer is composed of, for example, a p-type Al x1 Ga 1-x1 As (0 ⁇ x1 ⁇ 1) having an optical film thickness of ⁇ ⁇ 1 / 4n
  • the high refractive index layer is, for example, an optical film thickness of ⁇ ⁇ . It is composed of 1 / 4n p-type Al x2 Ga 1-x2 As (0 ⁇ x2 ⁇ x1).
  • ⁇ is the oscillation wavelength of the laser beam emitted from each light emitting region
  • n is the refractive index.
  • the active layer 15 is provided between the first light reflecting layer 14 and the second light reflecting layer 16.
  • the active layer 15 is made of, for example, an aluminum gallium arsenide (AlGaAs) -based semiconductor material.
  • AlGaAs aluminum gallium arsenide
  • holes and electrons injected from the first electrode 21 and the second electrode 22 are luminescent and recombinated to generate stimulated emission light.
  • the region of the active layer 15 facing the current injection region 17A is the light emitting region.
  • undoped Al x3 Ga 1-x3 As (0 ⁇ x3 ⁇ 0.45) can be used.
  • the active layer 15 may have, for example, a Multi Quantum Well (MQW) structure of GaAs and AlGaAs.
  • MQW Multi Quantum Well
  • the constituent material of the active layer 15 may be selected according to the desired wavelength region of the laser beam. For example, in the case of obtaining laser characteristics in the 900 nm band, a multiple quantum well structure of indium gallium arsenic (InGaAs) and AlGaAs is used.
  • the active layer 15 may be formed.
  • the active layer 15 corresponds to a specific example of the “active layer” of the present disclosure.
  • the second light reflecting layer 16 is a DBR layer arranged between the active layer 15 and the second contact layer 18.
  • the second light reflecting layer 16 faces the first light reflecting layer 14 with the active layer 15 and the current constriction layer 17 in between.
  • the second light reflecting layer 16 corresponds to a specific example of the "second light reflecting layer" of the present disclosure.
  • the second light reflecting layer 16 has a laminated structure in which low refractive index layers and high refractive index layers are alternately laminated.
  • the low refractive index layer is, for example, an n-type Al x4 Ga 1-x4 As (0 ⁇ x4 ⁇ 1) having an optical film thickness of ⁇ / 4n.
  • the high refractive index layer is, for example, an n-type Al x5 Ga 1-x5 As (0 ⁇ x5 ⁇ x4) having an optical film thickness of ⁇ / 4n.
  • the current constriction layer 17 is provided between the first light reflection layer 14 and the active layer 15, and is formed in an annular shape having a predetermined width from the outer peripheral side to the inner side of the semiconductor laminate 10 having a mesa shape, for example. ing.
  • the current constriction layer 17 is provided between the first light reflection layer 14 and the active layer 15, and has an opening having a predetermined width in the central portion thereof, and this opening becomes the current injection region 17A.
  • the current constriction layer 17 is made of, for example, p-type AlGaAs.
  • the current constriction layer 17 is composed of Al 0.85 Ga 0.15 As to Al As, and by oxidizing this to form an aluminum oxide (AlO x ) layer, the current is constricted.
  • AlO x aluminum oxide
  • the semiconductor laser 1 by providing the current constriction layer 17, the current to be injected from the first electrode 21 into the active layer 15 is constricted, and the current injection efficiency is improved.
  • the second contact layer 18 is made of, for example, a GaAs-based semiconductor having conductivity.
  • the second contact layer 18 is made of, for example, an n-type GaAs.
  • the second contact layer 18 corresponds to a specific example of the "second contact layer" of the present disclosure.
  • the first electrode 21 is provided on the first contact layer 12, and is formed of, for example, a multilayer film of titanium (Ti) / platinum (Pt) / gold (Au).
  • the second electrode 22 is provided above the semiconductor laminate 10, specifically, on the second contact layer 18, and is, for example, a gold-germanium (Au-Ge) / nickel (Ni) / gold (Au) multilayer film. Is formed by.
  • the insulating film 23 is formed continuously, for example, on the upper surface of the second contact layer 18, the second contact layer 18, the side surfaces of the semiconductor laminate 10 and the buffer layer 13, and the upper surface (surface 12S1) of the first contact layer 12. There is.
  • the insulating film 23 is made of a single-layer film or a laminated film such as silicon nitride (SiN) or silicon oxide (SiO 2).
  • An opening 23H (see, for example, FIG. 2D) is provided at a predetermined position on the upper surface of each of the second contact layers 18 and the first contact layer 12 of the insulating film 23, and the first electrode 21 is provided in each opening 23H.
  • the second electrode 22 is embedded.
  • the insulating film 24 is formed on the back surface (surface 11S2) of the substrate 11, for example, the entire surface.
  • the insulating film 24 is made of a single-layer film or a laminated film such as silicon nitride (SiN) or silicon oxide (SiO 2).
  • the plurality of semiconductor laminates 10 provided on the substrate 11 and the first electrode 21 are electrically connected to each other by, for example, a first contact layer 12 formed of p-type GaAs. It is a semiconductor laser having a so-called common anode structure connected to.
  • the semiconductor laser 1 when a predetermined voltage is applied to the first electrode 21 and the second electrode 22, a voltage is applied to the semiconductor laminate 10 from the first electrode 21 and the second electrode 22. As a result, electrons are injected from the first electrode 21 and holes are injected into the active layer 15 from the second electrode 22, and light is generated by recombination of the electrons and holes. The light resonates and is amplified between the first light reflecting layer 14 and the second light reflecting layer 16, and the laser beam L is emitted from the back surface (surface 11S2) of the substrate 11.
  • the first contact layer 12, the buffer layer 13, and the first contact layer 12 are formed on the substrate 11 by an epitaxial crystal growth method such as a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) method.
  • MOCVD metal organic chemical vapor deposition
  • Each compound semiconductor layer constituting the light reflecting layer 14, the active layer 15, the second light reflecting layer 16 and the second contact layer 18 is formed in this order to prepare an epibuffer.
  • a methyl-based organometallic compound such as trimethylaluminum (TMAl), trimethylgallium (TMGa), or trimethylindium (TMIn) and arsine (AsH 3 ) gas are used as a raw material for donor impurities.
  • TMAl trimethylaluminum
  • TMGa trimethylgallium
  • TMIn trimethylindium
  • AsH 3 arsine
  • Uses, for example, disilane (Si 2 H 6 ) and uses, for example, carbon tetrabromide (CBr 4 ) as a raw material
  • the second contact layer 18 and the second contact layer 18 are used as a mask.
  • the light reflecting layer 16, the active layer 15, and the first light reflecting layer 14 are etched to form a columnar mesa structure (semiconductor laminate 10).
  • RIE reactive Ion Etching
  • Cl-based gas Cl-based gas
  • an oxide layer having a high aluminum (Al) composition for example, an AlGaAs layer, which has been laminated in advance during epi-growth, is oxidized and a current is narrowed (current narrowing layer 17).
  • Al aluminum
  • the buffer layer 13 is removed by etching to expose the first contact layer 12.
  • the insulating film 24 is formed.
  • the first electrode 21 and the second electrode 22 are formed on the first contact layer 12 and the second contact layer 18, respectively.
  • the insulating films 23 and 24 are formed by, for example, a chemical vapor deposition (CVD) method or an atomic layer deposition (ALD) method.
  • the insulating film 23 is formed so as to cover the entire upper surface (surface 12S1) of the first contact layer 12 exposed by etching from the upper surface of the second contact layer 18, and then a resist film (surface 12S1) having a predetermined pattern is formed on the insulating film 23. (Not shown) is formed into a pattern, and etching such as RIE is performed to form an opening 23H at a predetermined position. Then, for example, a lift-off method using a resist pattern is used to form a pattern of the first electrode 21 and the second electrode 22 on the first contact layer 12 and on the upper surface of the second contact layer 18, respectively. As a result, the semiconductor laser 1 shown in FIG. 1 is completed.
  • a buffer layer 13 having a carrier concentration, a material composition, or a composition ratio different from that of the first contact layer 12 is provided between the first contact layer 12 and the semiconductor laminate 10. I did. As a result, the semiconductor laminate 10 having excellent crystal quality is formed. This will be described below.
  • a contact layer is provided in the middle of the DBR layer like the above-mentioned planar light emitting element, and a light emitting layer (active layer) is provided via an electrode provided on the contact layer. ) Is applied with a voltage. Therefore, the contact layer is generally formed with a high carrier concentration.
  • the contact layer having a high carrier concentration is formed at a position close to the active layer in the DBR layer as described above, the light absorption by the contact layer may be increased and the laser oscillation characteristics may be deteriorated.
  • the film thickness of the contact layer is reduced in order to reduce the light absorption of the contact layer, there is a possibility that the margin at the time of process processing is lost and the manufacturing yield is lowered. Further, since the crystallinity of the contact layer doped with a high concentration of impurities tends to deteriorate, the crystallinity of the device structure growing on the contact layer may decrease.
  • a buffer layer 13 having a carrier concentration, a material composition, or a composition ratio different from that of the first contact layer 12 is provided on the first contact layer 12, and the buffer layer 13 is provided.
  • the first light reflecting layer 14, the active layer 15, and the second light reflecting layer 16 constituting the device structure (semiconductor laminate 10) are crystal-grown through the structure. This alleviates the deterioration of the crystallinity of the first contact layer 12, and makes it possible to form the semiconductor laminate 10 in which the crystal quality is maintained.
  • any of the carrier concentration, the material composition, and the composition ratio between the first contact layer 12 and the semiconductor laminate 10 is different from that of the first contact layer 12. Since the buffer layer 13 is provided, it is possible to maintain the crystal quality of the semiconductor laminate 10 formed above the first contact layer (for example, on the buffer layer 13). Therefore, it is possible to improve the reliability.
  • the buffer layer 13 is provided between the first contact layer 12 and the semiconductor laminate 10, the degree of freedom in designing the film thickness of the first contact layer is improved. As a result, it becomes possible to reduce the light absorption in the first contact layer while suppressing the decrease in the process margin. Therefore, it is possible to improve the oscillation characteristics of the laser beam L emitted from the back surface (surface 11S2) of the substrate 11 while maintaining the manufacturing yield.
  • This technology can be applied to various electronic devices including semiconductor lasers.
  • a light source provided in a portable electronic device such as a smartphone, a light source of various sensing devices for detecting a shape, an operation, or the like.
  • FIG. 3 is a block diagram showing a schematic configuration of a distance measuring device (distance measuring device 200) using the lighting device 100 provided with the semiconductor laser 1 described above.
  • the distance measuring device 200 measures the distance by the ToF method.
  • the distance measuring device 200 includes, for example, a lighting device 100, a light receiving unit 210, a control unit 220, and a distance measuring unit 230.
  • the lighting device 100 includes, for example, the semiconductor laser 1 shown in FIG. 1 or the like as a light source.
  • illumination light is generated in synchronization with the emission control signal CLKp of a square wave.
  • the light emission control signal CLKp is not limited to a rectangular wave as long as it is a periodic signal.
  • the light emission control signal CLKp may be a sine wave.
  • the light receiving unit 210 receives the reflected light reflected from the irradiation target object 300, and detects the amount of light received within the period of the vertical synchronization signal VSYNC each time the period of the vertical synchronization signal VSYNC has elapsed.
  • a 60 Hz (Hz) periodic signal is used as the vertical sync signal VSYNC.
  • a plurality of pixel circuits are arranged in a two-dimensional lattice pattern in the light receiving unit 210.
  • the light receiving unit 210 supplies image data (frames) corresponding to the amount of light received by these pixel circuits to the distance measuring unit 230.
  • the frequency of the vertical synchronization signal VSYNC is not limited to 60 hertz (Hz), and may be 30 hertz (Hz) or 120 hertz (Hz).
  • the control unit 220 controls the lighting device 100.
  • the control unit 220 generates a light emission control signal CLKp and supplies it to the lighting device 100 and the light receiving unit 210.
  • the frequency of the light emission control signal CLKp is, for example, 20 MHz (MHz).
  • the frequency of the light emission control signal CLKp is not limited to 20 MHz (MHz), and may be, for example, 5 MHz (MHz).
  • the distance measuring unit 230 measures the distance to the irradiation target 300 by the ToF method based on the image data.
  • the distance measuring unit 230 measures the distance for each pixel circuit and generates a depth map showing the distance to the object for each pixel as a gradation value. This depth map is used, for example, for image processing that performs a degree of blurring processing according to a distance, autofocus (AF) processing that obtains the in-focus of a focus lens according to a distance, and the like.
  • AF autofocus
  • the present technology has been described above with reference to embodiments and application examples, the present technology is not limited to the above-described embodiments and can be modified in various ways.
  • the layer structure of the semiconductor laser 1 described in the above embodiment is an example, and other layers may be further provided.
  • the material of each layer is also an example, and is not limited to the above-mentioned ones.
  • the present technology can be configured as follows. According to the present technology having the following configuration, a buffer layer having at least one of the carrier concentration, the material composition, and the composition ratio different from that of the first contact layer 12 is provided between the first contact layer and the semiconductor laminate. Therefore, a semiconductor laminate having excellent crystal quality can be formed. Therefore, it is possible to improve the reliability.
  • a light emitting device comprising a semiconductor laminate having a light emitting region capable of emitting laser light, which is laminated on the first surface of the substrate with the first contact layer and the buffer layer in between.
  • the buffer layer has a single-layer structure or a laminated structure including at least one of a GaAs layer, an AlAs layer, an AlGaAs layer, an InGaAs layer, an AlGaInAs layer, a GaInP layer and an AlGaInP layer (1) to (3).
  • the light emitting device according to any one of the above.
  • the substrate is a semi-insulating substrate having a p-type or n-type carrier concentration of 5 ⁇ 10 17 cm -3 or less.
  • the semiconductor laminate is any one of (1) to (5) above, wherein the first light-reflecting layer, the active layer, and the second light-reflecting layer are laminated in order from the substrate side.
  • the semiconductor laminate further has a current constriction layer having a current injection region between the first light reflection layer and the active layer.
  • the light emitting device according to any one of (6) to (8) above, wherein the semiconductor laminate is a light emitting device in which a second contact layer is further laminated on the second light reflecting layer.
  • a plurality of the semiconductor laminates are provided on the first surface of the substrate.
  • the light emitting device according to any one of (1) to (9), wherein the first contact layer is formed as a common layer for a plurality of the semiconductor laminates.
  • (11) A first electrode provided on the surface of the semiconductor laminate opposite to the substrate and provided so that a predetermined voltage can be applied to the semiconductor laminate in the light emitting region, and the first contact.
  • the light emitting device according to (10) above, further comprising a second electrode provided on the layer.
  • (12) The light emitting device according to any one of (1) to (11), wherein the laser beam is emitted from the second surface of the substrate.

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Abstract

本開示の一実施の形態の発光デバイスは、対向する第１の面および第２の面を有する基板と、基板の第１の面に積層された第１のコンタクト層と、第１のコンタクト層に積層され、第１のコンタクト層とは、少なくともキャリア濃度、材料組成および組成比のいずれかが異なるバッファ層と、第１のコンタクト層およびバッファ層を間に、基板の第１の面に積層され、レーザ光を出射可能な発光領域を有する半導体積層体とを備える。

Description

発光デバイス
　本開示は、例えば、裏面出射型の発光デバイスに関する。
　例えば、特許文献１では、ｎ形または半絶縁性のＧａＡｓ基板上に、基板側ミラーを構成するｎ形半導体多層膜と、基板側コンタクト兼注入層およびｐ形半導体多層膜と、発光層を含むキャビティと、空気側ミラーを構成するｎ形半導体多層膜とがこの順に形成された面形発光素子が開示されている。
特開平５－２１１３４６号公報
　ところで、発光デバイスでは信頼性の向上が望まれている。
　信頼性を向上させることが可能な発光デバイスを提供することが望ましい。
　本開示の一実施の形態の発光デバイスは、対向する第１の面および第２の面を有する基板と、基板の第１の面に積層された第１のコンタクト層と、第１のコンタクト層に積層され、第１のコンタクト層とは、少なくともキャリア濃度、材料組成および組成比のいずれかが異なるバッファ層と、第１のコンタクト層およびバッファ層を間に、基板の第１の面に積層され、レーザ光を出射可能な発光領域を有する半導体積層体とを備えたものである。
　本開示の一実施の形態の発光デバイスでは、第１のコンタクト層と半導体積層体との間に、少なくともキャリア濃度、材料組成および組成比のいずれかが第１コンタクト層とは異なるバッファ層を設けるようにした。これにより、優れた結晶品質を有する半導体積層体を形成する。
本開示の一実施の形態に係る半導体レーザの構成の一例を表す断面模式図である。 図１に示した半導体レーザの製造方法の一例を説明する断面模式図である。 図２Ａに続く工程を表す断面模式図である。 図２Ｂに続く工程を表す断面模式図である。 図２Ｃに続く工程を表す断面模式図である。 図１に示した半導体レーザを備えた照明装置を用いた測距装置の概略構成の一例を表すブロック図である。
　以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。以下の説明は本開示の一具体例であって、本開示は以下の態様に限定されるものではない。また、本開示は、各図に示す各構成要素の配置や寸法、寸法比等についても、それらに限定されるものではない。なお、説明する順序は、下記の通りである。
　１．実施の形態（第１コンタクト層と第１光反射層との間に、第１コンタクト層とはキャリア濃度、材料組成および組成比のいずれかが異なるバッファ層を有する裏面出射型の半導体レーザの例）
　　１－１．半導体レーザの構成
　　１－２．半導体レーザの製造方法
　　１－３．作用・効果
　２．適用例（測距装置の例）
＜１．実施の形態＞
　図１は、本開示の一実施の形態に係る発光デバイス（半導体レーザ１）の断面構成の一例を模式的に表したものである。この半導体レーザ１は、例えば、裏面出射型のＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting LASER）であり、例えば、複数の発光領域として複数のＶＣＳＥＬがアレイ状に集積されたものである。
（１－１．半導体レーザの構成）
　半導体レーザ１は、例えば、基板１１の第１面（表面（面１１Ｓ１））に複数の半導体積層体１０を有している。半導体積層体１０は、例えば柱状形状（メサ形状）を有し、例えば、第１光反射層１４、活性層１５および第２光反射層１６がこの順に積層されている。第１光反射層１４と活性層１５との間には、電流注入領域１７Ａを形成する電流狭窄層１７が設けられている。この半導体積層体１０が、本開示の「半導体積層体」の一具体例に相当する。半導体積層体１０と基板１１との間には、第１コンタクト層１２およびバッファ層１３が基板側から順に積層されており、バッファ層１３は半導体積層体１０と共にメサ形状を形成している。第１コンタクト層１２は、複数の半導体積層体１０に対する共通層として基板１１上に延在している。第１コンタクト層１２上には、第１電極２１が各半導体積層体１０の共通電極として設けられている。各半導体積層体１０の上面（面１０Ｓ１）には、それぞれ、第２コンタクト層１８および第２電極２２がこの順に形成されている。更に、第１電極２１および第２電極２２を除く第１コンタクト層１２の上面（面１２Ｓ１）および第２コンタクト層１８の上面ならびに第２コンタクト層１８、半導体積層体１０およびバッファ層１３の側面は絶縁膜２３に覆われており、基板１１の第２面（裏面（面１１Ｓ２））は絶縁膜２４に覆われている。
　以下に、半導体レーザ１の各部の構成や材料等について詳細に説明する。
　基板１１は、複数の半導体積層体１０を集積する支持基板である。基板１１は、例えば不純物を含まない、例えばＧａＡｓ系半導体からなる半絶縁性基板によって構成されている。また、基板１１は、キャリア濃度が低く、レーザ光の吸収が低減されるものであればよく、必ずしも、一般的な半絶縁性基板に限定されるものではない。例えば、基板１１としては、ｐ型またはｎ型のキャリア濃度が５×１０17ｃｍ-3以下のキャリア濃度を有する基板を用いることができる。
　第１コンタクト層１２は、導電性を有する、例えばＧａＡｓ系半導体によって構成されている。第１コンタクト層１２は、第１電極２１と各半導体積層体１０の第１光反射層１４とを電気的に接続するためのものである。第１コンタクト層１２は、高いキャリア濃度、例えば１×１０19ｃｍ-3以上のキャリア濃度を有するｐ型のＧａＡｓによって構成されている。第１コンタクト層１２は、本開示の「第１のコンタクト層」の一具体例に相当する。第１コンタクト層の積層方向の膜厚は、例えば２００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下である。
　バッファ層１３は、第１コンタクト層１２の上方に形成される半導体積層体１０の結晶品質を回復するためのものである。バッファ層１３は、以下のような構成を有していることが好ましい。例えば、バッファ層１３は、第１コンタクト層１２とは異なるキャリア濃度で形成されている。具体的には、バッファ層１３は、第１コンタクト層１２よりも低いキャリア濃度を有し、例えば１×１０19ｃｍ-3未満、好ましくは、例えば５×１０18ｃｍ-3以下のキャリア濃度を有しているｐ型のＧａＡｓによって構成されている。例えば、バッファ層１３は、第1コンタクト層１２（例えばＧａＡｓ層）とは異なる材料組成や組成比の半導体を用いて構成されている。バッファ層１３の構成材料としては、例えば、ＡｌＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＡｌＧａＩｎＡｓ、ＧａＩｎＰおよびＡｌＧａＩｎＰが挙げられる。バッファ層１３は、上記いずれかの半導体材料からなる層を含む単層膜または積層膜として形成することができる。
　バッファ層１３は、少なくとも上記いずれかの構成をとることにより、高濃度にドーピングされたことによる第１コンタクト層１２の結晶性の悪化を緩和して、第１コンタクト層１２の上方に形成される半導体積層体１０の結晶品質を回復する。バッファ層１３の積層方向の膜厚は、例えば１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。
　第１光反射層１４は、バッファ層１３と電流狭窄層１７との間に配置され、活性層１５および電流狭窄層１７を間にして第２光反射層１６と対向している。第１光反射層１４は、活性層１５で発生した光を第２光反射層１６との間で共振させるようになっている。第１光反射層１４は、本開示の「第１の光反射層」の一具体例に相当する。
　第１光反射層１４は、低屈折率層（図示せず）および高屈折率層（図示せず）を交互に積層したＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）層である。低屈折率層は、例えば光学膜厚がλ×１／４ｎのｐ型のＡｌx1Ｇａ1-x1Ａｓ（０＜ｘ１≦１）からなり、高屈折率層は、例えば光学膜厚がλ×１／４ｎのｐ型のＡｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ（０≦ｘ２＜ｘ１）からなる。λは、各発光領域から発せられるレーザ光の発振波長であり、ｎは、屈折率である。
　活性層１５は、第１光反射層１４と第２光反射層１６との間に設けられている。活性層１５は、例えばアルミニウムガリウムヒ素（ＡｌＧａＡｓ）系の半導体材料により構成されている。活性層１５では、第１電極２１および第２電極２２から注入された正孔および電子が発光再結合して誘導放出光を発生するようになっている。活性層１５のうち電流注入領域１７Ａとの対向領域が発光領域となる。活性層１５には、例えばアンドープのＡｌx3Ｇａ1-x3Ａｓ（０＜ｘ３≦０．４５）を用いることができる。活性層１５は、例えばＧａＡｓとＡｌＧａＡｓとの多重量子井戸（ＭＱＷ：Multi Quantum Well）構造を有していてもよい。活性層１５は、所望のレーザ光の波長地域に応じて構成材料を選択すればよく、例えば９００ｎｍ帯域のレーザ特性を得る場合には、インジウムガリウムヒ素（ＩｎＧａＡｓ）とＡｌＧａＡｓとの多重量子井戸構造により活性層１５を構成するようにしてもよい。活性層１５は、本開示の「活性層」の一具体例に相当する。
　第２光反射層１６は、活性層１５と第２コンタクト層１８との間に配置されたＤＢＲ層である。第２光反射層１６は、活性層１５および電流狭窄層１７を間にして第１光反射層１４と対向している。第２光反射層１６は、本開示の「第２の光反射層」の一具体例に相当する。
　第２光反射層１６は、低屈折率層および高屈折率層を交互に重ねた積層構造を有している。低屈折率層は、例えば光学膜厚がλ／４ｎのｎ型のＡｌx4Ｇａ1-x4Ａｓ（０＜ｘ４≦１）である。高屈折率層は、例えば光学膜厚がλ／４ｎのｎ型のＡｌx5Ｇａ1-x5Ａｓ（０≦ｘ５＜ｘ４）である。
　電流狭窄層１７は、第１光反射層１４と活性層１５との間に設けられ、例えば、メサ形状を有する半導体積層体１０の外周側から内側に所定の幅を有して環状に形成されている。換言すると、電流狭窄層１７は、第１光反射層１４と活性層１５との間に設けられ、その中央部分に所定の幅の開口を有しており、この開口が電流注入領域１７Ａとなっている。電流狭窄層１７は、例えばｐ型のＡｌＧａＡｓにより構成されている。具体的には、電流狭窄層１７は、Ａｌ0.85Ｇａ0.15Ａｓ～ＡｌＡｓからなり、これを酸化して酸化アルミニウム（ＡｌＯx）層とすることで、電流を狭窄する。半導体レーザ１では、この電流狭窄層１７を設けることにより、第１電極２１から活性層１５に注入させる電流の狭窄がなされ、電流注入効率が高められる。
　第２コンタクト層１８は、導電性を有する、例えばＧａＡｓ系半導体によって構成されている。第２コンタクト層１８は、例えば、ｎ型のＧａＡｓによって構成されている。第２コンタクト層１８は、本開示の「第２のコンタクト層」の一具体例に相当する。
　第１電極２１は、第１コンタクト層１２上に設けられ、例えば、チタン（Ｔｉ）／白金（Ｐｔ）／金（Ａｕ）の多層膜によって形成されている。
　第２電極２２は、半導体積層体１０の上方、具体的には、第２コンタクト層１８上に設けられ、例えば金－ゲルマニウム（Ａｕ－Ｇｅ）／ニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）の多層膜によって形成されている。
　絶縁膜２３は、第２コンタクト層１８の上面および第２コンタクト層１８、半導体積層体１０およびバッファ層１３の側面ならびに第１コンタクト層１２の上面（面１２Ｓ１）に、例えば連続して形成されている。絶縁膜２３は、例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）あるいは酸化シリコン（ＳｉＯ2）等の単層膜または積層膜により構成されている。絶縁膜２３の各第２コンタクト層１８の上面および第１コンタクト層１２の所定の位置は、それぞれ、開口２３Ｈ（例えば、図２Ｄ参照）が設けられており、各開口２３Ｈに、第１電極２１または第２電極２２が埋め込まれている。
　絶縁膜２４は、基板１１の裏面（面１１Ｓ２）の、例えば全面に形成されている。絶縁膜２４は、絶縁膜２４と同様に、例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）あるいは酸化シリコン（ＳｉＯ2）等の単層膜または積層膜により構成されている。
　本実施の形態の半導体レーザ１は、基板１１上に設けられた複数の半導体積層体１０と、第１電極２１とが、例えばｐ型のＧａＡｓによって構成された第１コンタクト層１２によって互いに電気的に接続された、所謂アノード共通構造を有する半導体レーザである。
　半導体レーザ１では、第１電極２１および第２電極２２に所定の電圧を印加すると、第１電極２１および第２電極２２から半導体積層体１０に電圧が印加される。これにより、第１電極２１から電子が、第２電極２２からホールが、活性層１５に注入され、電子およびホールの再結合により光が発生する。光は第１光反射層１４と第２光反射層１６との間で共振して増幅され、基板１１の裏面（面１１Ｓ２）からレーザ光Ｌが出射される。
（１－２．半導体レーザの製造方法）
　次に、図２Ａ～図２Ｄを参照して、半導体レーザ１の製造方法について説明する。
　まず、図２Ａに示したように、基板１１上に、例えば有機金属気相成長（Metal Organic Chemical Vapor Deposition ：ＭＯＣＶＤ）法等のエピタキシャル結晶成長法により、第１コンタクト層１２、バッファ層１３、第１光反射層１４、活性層１５、第２光反射層１６および第２コンタクト層１８を構成する各化合物半導体層をこの順に形成し、エピウェハを作製する。この際、化合物半導体の原料としては、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）等のメチル系有機金属化合物と、アルシン(ＡｓＨ3)ガスを用い、ドナー不純物の原料としては、例えばジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）を用い、アクセプタ不純物の原料としては、例えば四臭化炭素（ＣＢｒ4）を用いる。
　続いて、図２Ｂに示したように、第２コンタクト層１８上に、所定のパターンのレジスト膜（図示せず）を形成した後、このレジスト膜をマスクとして、第２コンタクト層１８、第２光反射層１６、活性層１５および第１光反射層１４をエッチングし、柱状のメサ構造（半導体積層体１０）を形成する。このとき、例えばＣｌ系ガスによるＲＩＥ（Reactive Ion Etching）を用いることが好ましい。第２コンタクト層１８、第２光反射層１６、活性層１５および第１光反射層１４のエッチングでは、バッファ層１３がエッチングストップ層として機能する。これにより、ウェハ面内におけるエッチングの深さが一定となる。その後、水蒸気雰囲気下で高温処理を施すことで、予めエピ成長の際に積層しておいたアルミニウム（Ａｌ）組成の高い、例えばＡｌＧａＡｓ層を酸化し、電流狭窄する酸化層（電流狭窄層１７）を形成する。
　次に、図２Ｃに示したように、バッファ層１３をエッチングにより除去し、第１コンタクト層１２を露出させる。
　続いて、図２Ｄに示したように、第２コンタクト層１８の上面から第１コンタクト層１２上に連続する絶縁膜２３および基板１１の裏面（面１１Ｓ２）に絶縁膜２４を形成した後、第１コンタクト層１２上および第２コンタクト層１８上に第１電極２１および第２電極２２をそれぞれ形成する。絶縁膜２３，２４は、例えば化学気相成長（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）法または原子層堆積（ＡＬＤ：Atomic Layer Deposition）法により形成する。絶縁膜２３は、第２コンタクト層１８の上面からエッチングにより露出した第１コンタクト層１２の上面（面１２Ｓ１）全体を被覆するように形成した後、絶縁膜２３上に所定のパターンのレジスト膜（図示せず）をパターン形成し、ＲＩＥ等のエッチングを行い、所定の位置に開口２３Ｈを形成する。その後、例えばレジストパターンを用いたリフトオフ法を用いて、第１コンタクト層１２上および第２コンタクト層１８の上面に、それぞれ、第１電極２１および第２電極２２をパターン形成する。以上により、図１に示した半導体レーザ１が完成する。
（１－３．作用・効果）
　本実施の形態の半導体レーザ１は、第１コンタクト層１２と半導体積層体１０との間に、キャリア濃度、材料組成および組成比のいずれかが第１コンタクト層１２とは異なるバッファ層１３を設けるようにした。これにより、優れた結晶品質を有する半導体積層体１０を形成する。以下、これについて説明する。
　一般的な面発光レーザでは、前述した面形発光素子のように、例えば、ＤＢＲ層の途中にコンタクト層が設けられており、このコンタクト層上に設けられた電極を介して発光層（活性層）に電圧が印加されるようになっている。このため、コンタクト層は、一般にキャリア濃度が高く形成されている。このように、キャリア濃度が高いコンタクト層をＤＢＲ層中の活性層に近い位置に形成した場合、コンタクト層による光吸収が大きくなり、レーザ発振特性が低下する虞がある。一方で、コンタクト層の光吸収を低減するために、コンタクト層の膜厚を小さくした場合には、プロセス加工時のマージンがなくなり、製造歩留まりが低下する虞がある。また、不純物が高濃度にドーピングされたコンタクト層は結晶性が悪化しやすいため、コンタクト層上に成長するデバイス構造の結晶性が低下する虞がある。
　これに対して、本実施の形態では、第１コンタクト層１２上に、第１コンタクト層１２とはキャリア濃度、材料組成および組成比のいずれかが異なるバッファ層１３を設け、このバッファ層１３を介してデバイス構造（半導体積層体１０）を構成する第１光反射層１４、活性層１５および第２光反射層１６を結晶成長させるようにした。これにより、第１コンタクト層１２の結晶性の悪化を緩和し、結晶品質が保持された半導体積層体１０の形成が可能となる。
　以上のように、本実施の形態の半導体レーザ１では、第１コンタクト層１２と半導体積層体１０との間に、キャリア濃度、材料組成および組成比のいずれかが第１コンタクト層１２とは異なるバッファ層１３を設けるようにしたので、第１コンタクト層の上方（例えば、バッファ層１３上）に形成される半導体積層体１０の結晶品質を保持することが可能となる。よって、信頼性を向上させることが可能となる。
　また、本実施の形態では、第１コンタクト層１２と半導体積層体１０との間にバッファ層１３を設けるようにしたので、第１コンタクト層の膜厚の設計自由度が向上する。これにより、プロセスマージンの低下を抑制しつつ、第１コンタクト層における光吸収を低減することができるようになる。よって、製造歩留まりを維持しつつ、基板１１の裏面（面１１Ｓ２）から出射されるレーザ光Ｌの発振特性を向上させることが可能となる。
＜２．適用例＞
　本技術は、半導体レーザを含む種々の電子機器に適用できる。例えば、スマートフォン等の携帯電子機器に備えられる光源や、形状や動作等を検知する各種センシング機器の光源等に適用できる。
　図３は、上述した半導体レーザ１を備えた照明装置１００を用いた測距装置（測距装置２００）の概略構成を表したブロック図である。測距装置２００は、ＴｏＦ方式により距離を測定するものである。測距装置２００は、例えば、照明装置１００と、受光部２１０と、制御部２２０と、測距部２３０とを有する。
　照明装置１００は、例えば、図１等に示した半導体レーザ１を光源として備えたものである。照明装置１００では、例えば、矩形波の発光制御信号ＣＬＫｐに同期して照明光を発生する。また、発光制御信号ＣＬＫｐは、周期信号であれば、矩形波に限定されない。例えば、発光制御信号ＣＬＫｐは、サイン波であってもよい。
　受光部２１０は、照射対象物３００から反射された反射光を受光して、垂直同期信号ＶＳＹＮＣの周期が経過するたびに、その周期内の受光量を検出するものである。例えば、６０ヘルツ（Ｈｚ）の周期信号が垂直同期信号ＶＳＹＮＣとして用いられる。また、受光部２１０には、複数の画素回路が二次元格子状に配置されている。受光部２１０は、これらの画素回路の受光量に応じた画像データ（フレーム）を測距部２３０に供給する。なお、垂直同期信号ＶＳＹＮＣの周波数は、６０ヘルツ（Ｈｚ）に限定されず、３０ヘルツ（Ｈｚ）や１２０ヘルツ（Ｈｚ）としてもよい。
　制御部２２０は、照明装置１００を制御するものである。制御部２２０は、発光制御信号ＣＬＫｐを生成して照明装置１００および受光部２１０に供給する。発光制御信号ＣＬＫｐの周波数は、例えば２０メガヘルツ（ＭＨｚ）である。なお、発光制御信号ＣＬＫｐの周波数は、２０メガヘルツ（ＭＨｚ）に限定されず、例えば５メガヘルツ（ＭＨｚ）としてもよい。
　測距部２３０は、画像データに基づいて、照射対象物３００までの距離をＴｏＦ方式で測定するものである。この測距部２３０は、画素回路毎に距離を測定して画素毎に物体までの距離を諧調値で示すデプスマップを生成する。このデプスマップは、例えば、距離に応じた度合いのぼかし処理を行う画像処理や、距離に応じてフォーカスレンズの合焦点を求めるオートフォーカス（ＡＦ）処理等に用いられる。
　以上、実施の形態および適用例を挙げて本技術を説明したが、本技術は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態において説明した半導体レーザ１の層構成は一例であり、更に他の層を備えていてもよい。また、各層の材料も一例であって、上述のものに限定されるものではない。
　なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、また他の効果があってよい。
　なお、本技術は以下のような構成とすることができる。以下の構成の本技術によれば、第１のコンタクト層と半導体積層体との間に、少なくともキャリア濃度、材料組成および組成比のいずれかが第１コンタクト層１２とは異なるバッファ層を設けるようにしたので、優れた結晶品質を有する半導体積層体が形成できるようになる。よって、信頼性を向上させることが可能となる。
（１）
　対向する第１の面および第２の面を有する基板と、
　前記基板の前記第１の面に積層された第１のコンタクト層と、
　前記第１のコンタクト層に積層され、前記第１のコンタクト層とは、少なくともキャリア濃度、材料組成および組成比のいずれかが異なるバッファ層と、
　前記第１のコンタクト層および前記バッファ層を間に、前記基板の前記第１の面に積層され、レーザ光を出射可能な発光領域を有する半導体積層体と
　を備えた発光デバイス。
（２）
　前記バッファ層のキャリア濃度は１×１０19ｃｍ-3未満である、前記（１）に記載の発光デバイス。
（３）
　前記第１のコンタクト層のキャリア濃度は、１×１０19ｃｍ-3以上である、前記（１）または（２）に記載の発光デバイス。
（４）
　前記バッファ層は、少なくともＧａＡｓ層、ＡｌＡｓ層、ＡｌＧａＡｓ層、ＩｎＧａＡｓ層、ＡｌＧａＩｎＡｓ層、ＧａＩｎＰ層およびＡｌＧａＩｎＰ層のうちのいずれかを含む単層構造または積層構造を有する、前記（１）乃至（３）のうちのいずれか１つに記載の発光デバイス。
（５）
　前記基板は、ｐ型またはｎ型のキャリア濃度が５×１０17ｃｍ-3以下の半絶縁性基板である、前記（１）乃至（４）のうちのいずれか１つに記載の発光デバイス。
（６）
　前記半導体積層体は、第１の光反射層と、活性層と、第２の光反射層とが、前記基板側から順に積層されている、前記（１）乃至（５）のうちのいずれか１つに記載の発光デバイス。
（７）
　前記半導体積層体は、第１の光反射層と前記活性層との間に、電流注入領域を有する電流狭窄層をさらに有する、前記（６）に記載の発光デバイス。
（８）
　前記第１のコンタクト層、前記バッファ層および前記第１の光反射層は、ｐ型の不純物を含んでいる、前記（６）または（７）に記載の発光デバイス。
（９）
　前記半導体積層体は、前記第２の光反射層に第２のコンタクト層がさらに積層されている、前記（６）乃至（８）のうちのいずれか１つに記載の発光デバイス。
（１０）
　前記半導体積層体は、前記基板の前記第１の面に複数設けられ、
　前記第１のコンタクト層は、複数の前記半導体積層体に対する共通層として形成されている、前記（１）乃至（９）のうちのいずれか１つに記載の発光デバイス。
（１１）
　前記半導体積層体の、前記基板とは反対側の表面に設けられると共に、前記発光領域において、前記半導体積層体に所定の電圧を印加可能に設けられた第１の電極と、前記第１のコンタクト層上に設けられた第２の電極とをさらに有する、前記（１０）に記載の発光デバイス。
（１２）
　前記レーザ光は、前記基板の前記第２の面から出射される、前記（１）乃至（１１）のうちのいずれか１つに記載の発光デバイス。
　本出願は、日本国特許庁において２０２０年２月７日に出願された日本特許出願番号２０２０－０１９５６７号を基礎として優先権を主張するものであり、この出願の全ての内容を参照によって本出願に援用する。
　当業者であれば、設計上の要件や他の要因に応じて、種々の修正、コンビネーション、サブコンビネーション、および変更を想到し得るが、それらは添付の請求の範囲やその均等物の範囲に含まれるものであることが理解される。

Claims (12)

  1. 　対向する第１の面および第２の面を有する基板と、
    　前記基板の前記第１の面に積層された第１のコンタクト層と、
    　前記第１のコンタクト層に積層され、前記第１のコンタクト層とは、少なくともキャリア濃度、材料組成および組成比のいずれかが異なるバッファ層と、
    　前記第１のコンタクト層および前記バッファ層を間に、前記基板の前記第１の面に積層され、レーザ光を出射可能な発光領域を有する半導体積層体と
    　を備えた発光デバイス。
  2. 　前記バッファ層のキャリア濃度は１×１０19ｃｍ-3未満である、請求項１に記載の発光デバイス。
  3. 　前記第１のコンタクト層のキャリア濃度は、１×１０19ｃｍ-3以上である、請求項１に記載の発光デバイス。
  4. 　前記バッファ層は、少なくともＧａＡｓ層、ＡｌＡｓ層、ＡｌＧａＡｓ層、ＩｎＧａＡｓ層、ＡｌＧａＩｎＡｓ層、ＧａＩｎＰ層およびＡｌＧａＩｎＰ層のうちのいずれかを含む単層構造または積層構造を有する、請求項１に記載の発光デバイス。
  5. 　前記基板は、ｐ型またはｎ型のキャリア濃度が５×１０17ｃｍ-3以下の半絶縁性基板である、請求項１に記載の発光デバイス。
  6. 　前記半導体積層体は、第１の光反射層と、活性層と、第２の光反射層とが、前記基板側から順に積層されている、請求項１に記載の発光デバイス。
  7. 　前記半導体積層体は、第１の光反射層と前記活性層との間に、電流注入領域を有する電流狭窄層をさらに有する、請求項６に記載の発光デバイス。
  8. 　前記第１のコンタクト層、前記バッファ層および前記第１の光反射層は、ｐ型の不純物を含んでいる、請求項６に記載の発光デバイス。
  9. 　前記半導体積層体は、前記第２の光反射層に第２のコンタクト層がさらに積層されている、請求項６に記載の発光デバイス。
  10. 　前記半導体積層体は、前記基板の前記第１の面に複数設けられ、
    　前記第１のコンタクト層は、複数の前記半導体積層体に対する共通層として形成されている、請求項１に記載の発光デバイス。
  11. 　前記半導体積層体の、前記基板とは反対側の表面に設けられると共に、前記発光領域において、前記半導体積層体に所定の電圧を印加可能に設けられた第１の電極と、前記第１のコンタクト層上に設けられた第２の電極とをさらに有する、請求項１０に記載の発光デバイス。
  12. 　前記レーザ光は、前記基板の前記第２の面から出射される、請求項１に記載の発光デバイス。
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