WO2021157063A1 - 表示装置 - Google Patents

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WO2021157063A1
WO2021157063A1 PCT/JP2020/004867 JP2020004867W WO2021157063A1 WO 2021157063 A1 WO2021157063 A1 WO 2021157063A1 JP 2020004867 W JP2020004867 W JP 2020004867W WO 2021157063 A1 WO2021157063 A1 WO 2021157063A1
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WO
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light emitting
layer
emitting element
reflective
display device
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PCT/JP2020/004867
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English (en)
French (fr)
Inventor
学 二星
時由 梅田
優人 塚本
Original Assignee
シャープ株式会社
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Publication date
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Definitions

  • This disclosure relates to a display device.
  • a top emission type display device that emits light from the upper surface side of the light emitting element is known (see, for example, Patent Document 1).
  • the top emission type display device can increase the aperture ratio of pixels as compared with the bottom emission type display device that emits light from the upper surface side of the light emitting element.
  • the top emission type display device generally has a large change in brightness with respect to the front brightness when viewed from an oblique direction. For this reason, the top emission type display device has a problem that when the display device is lit in white, the white color appears to have a specific color when viewed from an oblique direction even if the display device is white when viewed from the front direction. ..
  • the present disclosure has been made in view of the above problems, and an object of the present disclosure is to provide a display device capable of suppressing a change in brightness with respect to front luminance when viewed from an oblique direction.
  • the display device includes a thin film transistor layer including a plurality of thin film transistors, a light emitting element layer provided with a plurality of types of light emitting elements having different emission colors, and a sealing layer covering the light emitting element layer.
  • a first electrode, a functional layer including a light emitting layer, and a second electrode are provided on the thin film transistor layer in this order from the thin film transistor layer side.
  • the first electrode of at least one of the types of light emitting elements includes a plurality of reflective layers composed of one reflective metal film and one transparent electrode film laminated on the reflective metal film.
  • the plurality of reflective layers are laminated so that the reflective metal film and the transparent electrode film are alternately arranged in this order from the thin film transistor layer side.
  • a display device capable of suppressing a change in brightness with respect to front brightness when viewed from an oblique direction.
  • FIG. It is a figure which shows typically an example of the laminated structure of the light emitting element of each color in the light emitting element layer of the display device which concerns on Embodiment 1.
  • FIG. It is sectional drawing which shows the schematic structure of the main part of the display device which concerns on Embodiment 1.
  • FIG. It is a graph which shows both the emission spectrum of the light emitting element formed on the substrate as a support shown in Table 1 and the emission spectrum of the light emitting element formed on the substrate as a support shown in Table 2. It is a graph which shows both the emission spectrum of the light emitting element formed on the substrate as a support shown in Table 1 and the emission spectrum of the light emitting element formed on the substrate as a support shown in Table 3.
  • 3 is a graph showing the relationship between the number of reflective layers of the first electrode and the angle dependence of luminance in each light emitting element formed on the substrate as a support shown in Tables 1 to 3. It is a graph which shows the angle dependence of an emission spectrum when a green light emitting element provided with three reflection layers is used and the vertical axis is relative intensity. It is another graph which shows the angle dependence of an emission spectrum when the green light emitting element provided with three reflection layers is used and the vertical axis is relative intensity. It is still another graph which shows the angle dependence of an emission spectrum when a green light emitting element provided with three reflection layers is used and the vertical axis is relative intensity.
  • the angle dependence of the brightness when the film thickness of the second reflective metal film is variously changed in the range of 40 nm to 50 nm is combined with the angle dependence of the brightness in the light emitting element shown in Table 1.
  • It is a graph shown by. 3 is a graph showing the relationship between the number of reflective layers of the first electrode and the angle dependence of luminance in each light emitting element formed on the substrate as a support shown in Tables 4 to 6.
  • 3 is a graph showing the relationship between the number of reflective layers of the first electrode and the angle dependence of luminance in each light emitting element formed on the substrate as a support shown in Tables 7 to 9. It is a figure which shows typically the laminated structure of the light emitting element of each color in the light emitting element layer of the display device which concerns on Embodiment 2.
  • FIG. 3 shows typically the laminated structure of the light emitting element of each color in the light emitting element layer of the display device which concerns on Embodiment 2.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a main part of the display device 1 according to the present embodiment.
  • the display device 1 is a self-luminous display device, and emits light on an array substrate 2 on which a thin film transistor layer (hereinafter, referred to as “TFT layer”) 4 is formed. It has a configuration in which the element layer 5 is provided.
  • TFT layer thin film transistor layer
  • the array substrate 2 shown in FIG. 2 includes a flexible substrate in which a lower surface film 10, a resin layer 12, and a barrier layer 3 (base coat film) are laminated in this order from the lower layer side as a base substrate (support).
  • the TFT layer 4 is a drive element layer and is provided on the base substrate. Therefore, as an example, the array substrate 2 includes a lower surface film 10, a resin layer 12, a barrier layer 3, and a TFT layer 4 in this order from the lower layer side.
  • the light emitting element layer 5 is provided on the TFT layer 4.
  • the light emitting element layer 5 is covered with a sealing layer 6.
  • the light emitting element layer 5 includes a plurality of light emitting element ESs.
  • the TFT layer 4 includes a plurality of thin film transistors Tr (TFTs) that drive these light emitting elements ES. It will be described in more detail below.
  • the lower surface film 10 is a film for realizing a display device 1 having excellent flexibility by peeling off a support substrate such as mother glass and then attaching it to the lower surface of the resin layer 12.
  • a plastic film made of a flexible resin such as polyimide or polycarbonate is used.
  • a solid substrate such as a glass substrate may be used instead of the bottom film 10 and the resin layer 12.
  • the material of the resin layer 12 include polyimide and the like.
  • the barrier layer 3 is a layer that prevents foreign substances such as water and oxygen from entering the TFT layer 4 and the light emitting element layer 5.
  • the barrier layer 3 can be formed of a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon nitriding film, a laminated film thereof, or the like.
  • the TFT layer 4 is formed with a sub-pixel circuit that controls each light emitting element ES in the light emitting element layer 5.
  • the TFT layer 4 includes a semiconductor film 15, an inorganic insulating film 16, a first metal layer including a gate electrode GE, an inorganic insulating film 18, a second metal layer including a capacitive wiring CE, an inorganic insulating film 20, and a source / drain wiring SH. It includes a third metal layer including the interlayer insulating film 21 (flattening film). These layers are provided in this order from the lower layer side.
  • the display device 1 includes a display area DA and a frame area NA around the display area DA.
  • a plurality of thin film transistors Tr are formed in the region corresponding to the display region DA in the TFT layer 4.
  • These thin film transistors Tr include a semiconductor film 15, an inorganic insulating film 16, a gate electrode GE, an inorganic insulating film 18, an inorganic insulating film 20, and a source / drain wiring SH.
  • a plurality of capacitive elements are formed in the region corresponding to the display region DA in the TFT layer 4. These capacitive elements include a capacitive electrode (not shown) included in the capacitive wiring CE formed directly above the inorganic insulating film 18, an inorganic insulating film 18, and a capacitive counter electrode formed so as to overlap the capacitive electrode. (Not shown) and is included.
  • the capacitance counter electrode is formed directly under the inorganic insulating film 18, is the same layer as the first metal layer forming the gate electrode GE, and is formed so as to overlap the capacitance electrode.
  • the semiconductor film 15 is composed of, for example, low-temperature polysilicon (LTPS) or an oxide semiconductor (for example, an In-Ga-Zn-O-based semiconductor).
  • LTPS low-temperature polysilicon
  • oxide semiconductor for example, an In-Ga-Zn-O-based semiconductor
  • the thin film transistor Tr is shown in the top gate structure in FIG. 2, it may have a bottom gate structure.
  • the first metal layer, the second metal layer, and the third metal layer are composed of, for example, a single-layer film or a laminated film of a metal containing at least one of aluminum, tungsten, molybdenum, tantalum, chromium, titanium, and copper.
  • NS low-temperature polysilicon
  • the inorganic insulating films 16, 18, and 20 can be formed of, for example, a silicon oxide (SiOx) film, a silicon nitride (SiNx) film, or a laminated film thereof formed by a CVD method.
  • the interlayer insulating film 21 can be made of a coatable organic material such as polyimide or acrylic.
  • the light emitting element layer 5 includes a first electrode 22, a bank 23, a functional layer 24, a second electrode 25, and a cap layer 26 in this order from the TFT layer 4 side.
  • One of the first electrode 22 and the second electrode 25 is an anode and the other is a cathode.
  • the light emitting element ES includes a first electrode 22, a functional layer 24, a second electrode 25, and a cap layer 26.
  • the layers between the first electrode 22 and the second electrode 25 constituting the light emitting element ES are collectively referred to as a functional layer 24.
  • the laminated structure of the light emitting element ES will be described in more detail later.
  • a plurality of light emitting element ESs are provided in the area corresponding to the display area DA in the light emitting element layer 5.
  • the light emitting element ES is formed for each sub-pixel SP corresponding to the sub-pixel SP of each color.
  • the bank 23 functions as an edge cover that covers each end of the first electrode 22, and also functions as a sub-pixel separation film that partitions each sub-pixel SP.
  • the bank 23 is provided with an opening 23a for each sub-pixel SP.
  • the exposed portion of the first electrode 22 by the opening 23a is the light emitting region of each sub-pixel SP.
  • the bank 23 is formed by applying an insulating organic material such as polyimide or acrylic and then patterning by photolithography.
  • a routing portion 22'formed of the same layer as the first electrode 22 is formed so as to straddle the display region DA and the frame region NA.
  • the second electrode 25 is formed on the entire surface of the display area DA.
  • An extension portion 25'of the second electrode 25 is formed in the frame region NA.
  • the cap layer 26 is formed so as to cover the second electrode 25 and the extending portion 25'of the second electrode 25.
  • the cap layer 26 is provided so as to cover the entire surface of the display region DA by covering the second electrode 25 formed on the entire surface of the display region DA.
  • the frame region NA includes a contact region CTA in which the routing portion 22'and the extending portion 25'of the second electrode 25 form a contact portion CT, and a sealing region FA outside the end portion of the cap layer 26. There is.
  • the sealing layer 6 has translucency, and for example, the first inorganic sealing film 27, the organic sealing film 28, and the second inorganic sealing film 29 are in order from the lower layer side (that is, the light emitting element layer 5 side). It has.
  • the present invention is not limited to this, and the sealing layer 6 may be formed of a single layer of an inorganic sealing film or a laminate of five or more layers of an organic sealing film and an inorganic sealing film. Since the light emitting element ES is sealed with the sealing layer 6, it is possible to prevent water, oxygen, etc. from penetrating into the light emitting element ES.
  • the first inorganic sealing film 27 and the second inorganic sealing film 29 can be formed of, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon nitride film, or a laminated film thereof, which are formed by CVD, respectively.
  • the organic sealing film 28 is a translucent organic film thicker than the first inorganic sealing film 27 and the second inorganic sealing film 29, and is formed of, for example, a coatable photosensitive resin such as a polyimide resin or an acrylic resin. can do.
  • the light emitting element layer 5 has a structure in which each layer of the light emitting element ES is laminated.
  • the bank 23 functions as a sub-pixel separation membrane that partitions each sub-pixel SP.
  • the first electrode 22 and at least the light emitting layer of the functional layer 24 are separated by the bank 23.
  • the display device 1 is provided with a plurality of light emitting elements ES corresponding to the sub-pixel SP.
  • the second electrode 25 and the cap layer 26 are not separated by the bank 23, but are formed as a common layer common to each sub-pixel SP.
  • the first electrode 22 is an anode and the second electrode is a cathode will be described as an example. That is, the first electrode 22 is a pattern electrode (pattern anode) formed in an island shape for each sub-pixel SP, and the second electrode 25 is a common electrode (common cathode) commonly provided for each sub-pixel SP. ).
  • the light emitting element layer 5 includes a plurality of light emitting element ESs having different light emitting colors.
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing an example of a laminated structure of light emitting elements ES of each color in the light emitting element layer 5 of the display device 1 according to the present embodiment.
  • the display device 1 includes a light emitting element ESR, a light emitting element ESR, and a light emitting element ESB as the light emitting element ES.
  • the light emitting element ESR is a red light emitting element that emits red light (red light, R light).
  • the light emitting element ESG is a green light emitting element that emits green light (green light, G light).
  • the light emitting element ESB is a blue light emitting element that emits blue light (blue light, B light).
  • red light refers to light having an emission peak wavelength in a wavelength band of 580 nm or more and less than 800 nm.
  • green light refers to light having an emission peak wavelength in a wavelength band of 470 nm or more and less than 580 nm.
  • Blue light refers to light having an emission peak wavelength in a wavelength band of 380 nm or more and less than 470 nm.
  • the display device 1 includes sub-pixel SPR which is a red sub-pixel, sub-pixel SPG which is a green sub-pixel, and sub-pixel SPB which is a blue sub-pixel as sub-pixel SP.
  • Each sub-pixel SP is provided with any one of the plurality of light emitting element ESs.
  • the sub-pixel SPR is provided with a light emitting element ESR.
  • a light emitting element ESG is provided on the sub-pixel SPG.
  • a light emitting element ESB is provided on the sub-pixel SPB.
  • the first electrode 22 is separated by the bank 23 corresponding to the sub-pixel SPR, the sub-pixel SPG, and the sub-pixel SPB, respectively.
  • the island-shaped first electrode 22 separated corresponding to the sub-pixel SPR, the sub-pixel SPG, and the sub-pixel SPB by the bank 23 are sequentially arranged with the first electrode 22R, the first electrode 22G, and the first electrode 22B. It is called. Therefore, the light emitting element ESR includes the first electrode 22R as the first electrode 22.
  • the light emitting element ESG includes a first electrode 22G as the first electrode 22.
  • the light emitting element ESB includes a first electrode 22B as the first electrode 22.
  • the display device 1 uses a top emission type light emitting element that emits light from the upper surface side (in other words, the side of the light emitting element ES opposite to the TFT layer 4) of the light emitting element ES. It is a type display device.
  • the first electrode 22R, the first electrode 22G, and the first electrode 22B each include a plurality of (multiple layers) of reflective layers composed of a reflective metal film and a transparent electrode film laminated on the reflective metal film. There is.
  • the reflective metal film is referred to as "RM”
  • TE transparent electrode film
  • Each reflective layer is composed of a pair of films paired with one RM31 and one TE32.
  • FIG. 1 shows a case where the first electrode 22 in each light emitting element ES includes three reflection layers, respectively, as an example.
  • the first electrode 22R of the light emitting element ESR shown in FIG. 1 has RM31 and TE32 as the first RM31R 1 , the first TE32R 1 , the second RM31R 2 , the second TM32R 2 , and the third RM31R 3.
  • the third TM32R 3 has a structure in which the third TM32R 3 is laminated in this order from the lower layer side.
  • the first electrode 22G of the light emitting element ESG shown in FIG. 1 has RM31 and TE32 as the first RM31G 1 , the first TE32G 1 , the second RM31G 2 , the second TM32G 2 , and the third RM31G 3.
  • the third TM32G 3 has a structure in which the third TM32G 3 is laminated in this order from the lower layer side.
  • the first electrode 22B of the light emitting element ESB shown in FIG. 1 has RM31 and TE32 as the first RM31B 1 , the first TE32B 1 , the second RM31B 2 , the second TM32B 2 , the third RM31G 3 , and the third.
  • TM32G 3 of No. 3 has a configuration in which they are laminated in this order from the lower layer side.
  • the RM e.g., first RM31R 1 ⁇ 31G 1 ⁇ 31B 1 , the second RM31R 2 ⁇ 31G 2 ⁇ 31B 2 , third RM31R 3 ⁇ 31G 3 ⁇ 31B 3
  • the TE e.g., first TE32R 1 ⁇ 32G 1 ⁇ 32B 1 , the second TE32R 2 ⁇ 32G 2 ⁇ 32B 2 , third TE32R 3 ⁇ 32G 3 ⁇ 32B 3
  • ITO Indium It is composed of tin oxide
  • the above RM is not limited to the film made of Ag (Ag film), and may be, for example, an Al film made of Al (aluminum).
  • the TE is not limited to the ITO film made of ITO, and may be, for example, an IZO film made of IZO (indium zinc oxide).
  • the material of the first electrode 22 which is the anode it is preferable to use an electrode material which can efficiently inject holes into the functional layer 24, for example, an electrode material having a work function of 4.5 or more. ..
  • the TE functions as an optical path length adjusting layer for adjusting the optical path length between the RM and the light emitting layer. Therefore, it is desirable to use a material for the TE that does not reduce the brightness and light emission characteristics of the light from the light emitting layer as much as possible.
  • the TE is preferably composed of, for example, ITO or IZO, which has a large work function (or ionization potential energy) and is a transparent electrode material.
  • the TE may be an amorphous TE or a crystalline TE.
  • the functional layer 24 is a layer between the first electrode 22 and the second electrode 25 in the light emitting element ES, and includes at least a light emitting layer.
  • the light emitting element ES is a so-called OLED (organic light emitting diode) called an organic EL (electroluminescence) element
  • the functional layer 24 is composed of an organic layer called an organic EL layer.
  • the functional layer 24 may be a single-layer type including only a light-emitting layer, or a multi-layer type including a functional layer other than the light-emitting layer.
  • the light emitting element ES is not limited to the OLED, and may be, for example, a QLED (quantum dot light emitting diode).
  • Examples of the functional layer 24 other than the light emitting layer include a hole injection layer, a hole transport layer, a hole blocking layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and the like.
  • the hole injection layer is referred to as “HIL”.
  • the hole transport layer is referred to as “HTL”.
  • the hole blocking layer is referred to as "HBL”.
  • the electron transport layer is referred to as "ETL”.
  • the electron injection layer is referred to as "EIL”.
  • EIL light emitting layer
  • HIL is a layer that transports holes from the anode to the HTL.
  • HTL is a transport that transports holes from HIL to EML.
  • HIL and HTL may be formed as layers independent of each other, or may be integrated as HIL and HTL.
  • hole transporting materials are used for HIL and HTL.
  • the hole transporting material include 4,4'-bis (N-carbazolyl) -1,1'-biphenyl (abbreviation: CBP) and N, N'-di (naphthalene-1-yl) -N.
  • N'-diphenyl-benzidine (abbreviation: ⁇ -NPD), 2,3,6,7,10,11-hexacyano-1,4,5,8,9,12-hexaazatriphenylene (abbreviation: HAT-CN) ), (4,4'-bis (2,2'-diphenylvinyl) -biphenyl) (abbreviation: BczVBi), MoO 3 (molybdenum trioxide), Cr 2 O 3 (chromium oxide), NiO (nickel oxide), etc. Can be mentioned. Only one kind of these hole transporting materials may be used, or two or more kinds may be mixed and used as appropriate. Further, the hole-transporting material may be a true hole-transporting material that is not doped with impurities, or may be doped with impurities for the purpose of increasing conductivity or the like.
  • the light emitting element ES is, for example, an OLED
  • a light emitting material made of an organic material is used for the EML.
  • the organic light emitting material may be a phosphorescent light emitting material or a fluorescent light emitting material.
  • the EML may be formed of a two-component system of a host material responsible for transporting holes and electrons and a light emitting dopant material responsible for light emission as a light emitting material, or may be formed of the light emitting material alone.
  • red organic light emitting material used for the light emitting device ESR examples include tris (1-phenylisoquinoline) iridium (III) (abbreviation: Ir (piq) 3), tetraphenyldibenzoperichanene (abbreviation: DBP) and the like. Be done.
  • Examples of the green organic light emitting material used for the light emitting element ESG include orthometalated iridium complex (abbreviation: Ir (ppy) 3) and 3- (2-benzothiazolyl) -7- (diethylamino) coumarin (abbreviation: coumarin 6). ) Etc. can be mentioned.
  • blue organic light emitting material used for the light emitting device ESB examples include 4,4'-bis (9-ethyl-3-carbazobinylene) -1,1'-biphenyl (abbreviation: BczVBi), 2,5,8,11. -Tetra-tert-butylperylene (abbreviation: TBPe) and the like can be mentioned.
  • the EML may contain nano-sized quantum dots (semiconductor nanoparticles) as the light emitting material.
  • quantum dots can be used as the quantum dots.
  • the quantum dots include, for example, Cd (cadmium), S (sulfur), Te (tellurium), Se (selenium), Zn (zinc), In (indium), N (nitrogen), P (phosphorus), As (arsenic). ), Sb (antimony), aluminum (Al), Ga (gallium), Pb (lead), Si (silicon), Ge (germanium), Mg (magnesium), composed of at least one element selected from the group. It may contain at least one semiconductor material that has been used.
  • HIL is a layer that transports electrons from the cathode to the ETL.
  • ETL is a transport that transports electrons from EIL to EML.
  • the EIL and ETL may be formed as layers independent of each other, or may be integrated as an EIL and ETL.
  • HBL is a layer that blocks the flow of holes and blocks the holes from escaping into the ETL.
  • Known electron transporting materials are used for these EIL, ETL, and HBL.
  • the electron-transporting material include bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinato) beryllium (II) (abbreviation: BeBq2), 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (abbreviation: Bphenyl), 2, Examples thereof include 9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (abbreviation: BCP) and LiF (lithium fluoride). Only one kind of these electron transporting materials may be used, or two or more kinds may be mixed and used as appropriate.
  • the functional layer 24 in the light emitting element ESR has, for example, a configuration in which HIL41R, HTL42R, EML43R, HBL4R, ETL45R, and EIL46R are laminated in this order from the first electrode 22 side.
  • the functional layer 24 in the light emitting element ESG has, for example, a configuration in which HIL41G, HTL42G, EML43G, HBL4G, ETL45G, and EIL46G are laminated in this order from the first electrode 22 side.
  • the functional layer 24 in the light emitting element ESB has, for example, a configuration in which HIL41B, HTL42B, EML43B, HBL4B, ETL45B, and EIL46B are laminated in this order from the first electrode 22 side.
  • the stacking order described above is an example in which the first electrode 22 is used as an anode and the second electrode 25 is used as a cathode as described above.
  • the order of the layers constituting the functional layer 24 is reversed.
  • the configuration of the functional layer 24 is not limited to the above-exemplified layer configuration, and a desired layer configuration can be adopted according to the required characteristics of the light emitting device ES.
  • EML43R, 43G, and 43B of the functional layer 24 are respectively formed by the bank 23 shown in FIG. It is formed for each enclosed area (in other words, for each corresponding sub-pixel SP).
  • the functional layers other than EML43R / 43G / 43B may be separated by the bank 23 or may be formed as a common layer.
  • a transparent electrode or a translucent electrode is used for the second electrode 25, which is the electrode on the side from which light is taken out, including the extension portion 25'.
  • a semitransparent electrode 51 made of a semitransparent metal thin film may be used alone, or as shown in FIG. 1, a semitransparent electrode 51 made of a semitransparent metal thin film and a transparent electrode 52 And may be used in combination.
  • the transparent electrode 52 is laminated as an auxiliary electrode layer on the translucent electrode 51.
  • the second electrode 25 when the second electrode 25 is a cathode, electrons can be efficiently injected into the second electrode 25 (particularly, the translucent electrode 51) into the functional layer 24, for example, the work function is 4. It is desirable to use an electrode material of .5 or less.
  • Examples of the translucent electrode 51 include Al (aluminum), Ag (silver), Au (gold), Mg (magnesium), Ca (calcium), Li (lithium), Cr (chromium) and the like. Examples include thin films of metals or alloys containing these metals. Examples of the transparent electrode 52 include ITO, IZO, and the like.
  • the second electrode 25 including the translucent electrode 51 and the transparent electrode 52 is formed as a common layer common to each sub-pixel SP.
  • the cap layer 26 is provided as a common layer so as to cover the entire surface of the display region DA, functions as an optical adjustment layer for adjusting the light emitted from the light emitting element ES, and is a second. It functions as a protective layer that protects the electrode 25.
  • a material that does not reduce the brightness and light emission characteristics of the light from the light emitting element ES as much as possible is used.
  • the cap layer 26 may be formed of a single layer of the organic cap layer 61 or the inorganic cap layer 62, or may be formed of a laminate of the organic cap layer 61 and the inorganic cap layer 62 as shown in FIG. ..
  • the cap layer 26 When the cap layer 26 is formed of a single layer of the organic cap layer 61, the cap layer 26 may be formed of a layer containing an aromatic hydrocarbon.
  • the aromatic hydrocarbon in the layer containing the aromatic hydrocarbon may be, for example, ⁇ -NPD.
  • the cap layer 26 when the cap layer 26 is formed of a single layer of the inorganic cap layer 62, the cap layer 26 may be formed of a LiF layer.
  • the organic cap layer 61 is a layer containing aromatic hydrocarbons
  • the inorganic cap layer 62 is a LiF layer. May be good.
  • the refractive index of the organic cap layer 61 in the visible light region is that of the inorganic cap layer 62. It is preferably higher than the refractive index in the visible light region. Specifically, the refractive index of the organic cap layer 61 in the visible light region is 1.8 or more and 2.1 or less, and the refractive index of the inorganic cap layer 62 in the visible light region is 1.2 or more and 1. It is preferably 3 or less.
  • the light emitting element ESR shown in FIG. 1 is, for example, the first RM31R 1 , the first TE32R 1 , the second RM31R 2 , the second TM32R 2 , the third RM31R 3 , and the third TM32R. 3.
  • HIL41R, HTL42R, EML43R, HBL4R, ETL45R, EIL46R, translucent electrode 51, transparent electrode 52, organic cap layer 61, and inorganic cap layer 62 are provided in this order from the lower layer side.
  • the light emitting element ESG shown in FIG. 1 is, for example, the first RM31G 1 , the first TE32G 1 , the second RM31G 2 , the second TM32G 2 , the third RM31G 3 , the third TM32G 3 , and the HIL41G.
  • HTL42G, EML43G, HBL4G, ETL45G, EIL46G, translucent electrode 51, transparent electrode 52, organic cap layer 61, and inorganic cap layer 62 are provided in this order from the lower layer side.
  • the light emitting element ESB shown in FIG. 1 is, for example, the first RM31B 1 , the first TE32B 1 , the second RM31B 2 , the second TM32B 2 , the third RM31B 3 , the third TM32B 3 , HIL41B, HTL42B. , EML43B, HBL4B, ETL45B, EIL46B, translucent electrode 51, transparent electrode 52, organic cap layer 61, and inorganic cap layer 62 are provided in this order from the lower layer side.
  • the first electrode 22 includes a plurality of reflective layers composed of RM31 and TE32.
  • the optical interference condition is relaxed by multiple reflections by a plurality of RM31s.
  • the RM31 of the reflection layer other than the reflection layer of the lowermost layer, particularly the RM31 of at least the reflection layer of the uppermost layer reflects and transmits the light to multiplely reflect the light. Therefore, it is desirable that the RM31 of the reflective layer other than the lowermost reflective layer, particularly at least the RM31 of the uppermost reflective layer, function as a semi-transmissive reflective metal film (half mirror) that reflects and transmits light.
  • the RM31 of the lowermost reflective layer has a high reflectance in order to increase the utilization efficiency of the light emitted from the EML in the functional layer 24. It is desirable that the RM31 of the reflective layer other than the lowermost reflective layer, particularly the RM31 of the uppermost reflective layer, has a lower reflectance and a higher transmittance than the RM31 of the lowest reflective layer.
  • the RM31 of the reflective layer other than the lowermost reflective layer, particularly the RM31 of the uppermost reflective layer, is thinner than the RM31 of the lowermost reflective layer. Therefore, in the example shown in FIG. 1, it is desirable that the third RM31R 3 in the light emitting element ESR is thinner than the first RM31R 1. It is desirable that the third RM31G 3 in the light emitting element ESG is thinner than the first RM31G 1. It is desirable that the third RM31B 3 in the light emitting element ESB is thinner than the first RM31B 1.
  • TE32 of the uppermost reflective layer functions as a main optical path length adjusting layer for adjusting the optical path length at which the wavelength of the main emission peak, which will be described later, resonates in the emission wavelength band of each light emitting element ES. do. Therefore, it is desirable that the TE32 of the uppermost reflective layer does not reduce the brightness and emission characteristics of the light from the EML as much as possible. Further, the TE32 also functions as an optical path length adjusting layer as described above, but the RM31 in the lower layer has a strong protective role. Therefore, the film thickness of TE32 in the uppermost reflective layer is preferably thin, for example, thinner than RM31 immediately below the TE32. Therefore, in the example shown in FIG.
  • the third TE32R 3 in the light emitting element ESR is thinner than the third RM31R 3. It is desirable that the third TE32G 3 in the light emitting element ESG is thinner than the third RM31G 3. It is desirable that the third TE32B 3 in the light emitting element ESB is thinner than the third RM31B 3.
  • the upper layer is thinner than the lower layer. Therefore, in order to utilize multiple interference from the lower layer, for example, among the plurality of reflective layers, it is desirable that the RM31 of the uppermost reflective layer is thinner than the TE32 of the lowermost reflective layer. Therefore, in the example shown in FIG. 1, it is desirable that the third RM31R 3 in the light emitting element ESR is thinner than the first TE32R 1. It is desirable that the third RM31G 3 in the light emitting element ESG is thinner than the first TE32G 1. It is desirable that the third RM31B 3 in the light emitting element ESB is thinner than the first TE32B 1.
  • the film thickness of the RM31 of the lowest reflective layer is preferably in the range of 80 nm or more and 120 nm or less regardless of the type of the light emitting element ES.
  • the film thickness of the RM 31 is 80 nm or more, high surface reflectance can be maintained.
  • the film thickness of the RM 31 is 120 nm or less, the RM 31 can be manufactured and the display device 1 can be manufactured without reducing the throughput.
  • the film thickness of the RM 31 is more preferably in the range of 80 nm or more and 120 nm or less regardless of the type of the light emitting element ES.
  • the film thickness of the RM31 of the reflective layer other than the lowest layer is preferably in the range of 10 nm or more and 60 nm or less regardless of the type of the light emitting element ES.
  • the film thickness of the RM 31 is 10 nm or more, the transmittance of the RM 31 can be suppressed and the RM 31 can function as a half mirror.
  • the film thickness of the RM 31 is 60 nm or less, the reflectance of the RM 31 can be suppressed and the RM 31 can function as a half mirror.
  • the light emitted from the EML can be multiple-reflected, and a secondary interference peak that does not occur in the single layer of the reflection layer can be obtained as a sub-emission peak smaller than the main emission peak.
  • the film thickness of the RM 31 becomes thicker within the above range, the angle dependence of the brightness becomes smaller.
  • the thicker the film thickness of the RM 31 is within the above range the smaller the width of the change in brightness with respect to the front luminance when viewed from an oblique direction.
  • the thinner the film thickness of the RM 31 is within the above range the smaller the influence on the angle dependence of the brightness. Therefore, the film thickness of the RM 31 is more preferably in the range of 10 nm or more and 60 nm or less regardless of the type of the light emitting element ES.
  • the TE32 of the uppermost reflective layer functions as the main optical path length adjusting layer, so that the brightness and emission characteristics of the light from the EML may not be reduced as much as possible. desirable.
  • the TE32 has a strong protective role of the RM31 in the lower layer thereof. Therefore, the film thickness of TE32 of the uppermost reflective layer is preferably in the range of 10 nm or more and 100 nm or less regardless of the type of the light emitting element ES. When the film thickness of the TE32 is 10 nm or more, the function as a protective film that protects the RM31 under the TE32 can be ensured.
  • the film thickness of the TE32 is 100 nm or less, the in-plane film thickness distribution of the TE32 can be suppressed. Further, if the film thickness of the TE32 is thick, a film thickness distribution is likely to occur. Therefore, from the viewpoint of process controllability, the film thickness of the TE32 is within the range of 10 nm or more and 100 nm or less regardless of the type of the light emitting element ES. It is more desirable to have.
  • the film thickness of TE32 of the reflective layer other than the uppermost layer is the optical between the RM31 immediately below the TE32 and the RM31 immediately above the TE32, which functions as a half mirror. It functions as an optical path length adjusting layer that adjusts the optical path length of interference. By adjusting the film thickness of the TE32, the position of the sub-emission peak can be adjusted.
  • the film thickness of TE32 of the reflection layer other than the uppermost layer is appropriately adjusted so as to have a sub-emission peak in the wavelength band of the emission color of each light emitting element ES.
  • the film thickness of TE32 of the reflection layer other than the uppermost layer is appropriately adjusted so as to have a sub-light emission peak in the wavelength band of red light described above.
  • the film thickness of TE32 of the reflection layer other than the uppermost layer is appropriately adjusted so as to have a sub-light emission peak in the wavelength band of the green light described above.
  • the film thickness of TE32 of the reflection layer other than the uppermost layer is appropriately adjusted so as to have a sub-light emission peak in the wavelength band of blue light described above.
  • the film thickness of TE32 of the reflection layer other than the uppermost layer may be appropriately adjusted so as to have a sub-emission peak in the wavelength band of the emission color of each light emitting element ES, and is not particularly limited.
  • the film thickness of TE32 of the reflective layer other than the uppermost layer is preferably in the range of 10 nm or more and 100 nm or less regardless of the type of the light emitting element ES.
  • the film thickness of the TE32 is 10 nm or more, the function as a protective film that protects the RM31 under the TE32 can be ensured.
  • the film thickness of TE32 is large, a film thickness distribution is likely to occur.
  • the film thickness of the TE32 is 100 nm or less, it is easy to control the process of the film thickness distribution. Further, in order to secure the process controllability while ensuring the protection function against the RM31 of the lower layer, the film thickness of the TE32 is more likely to be in the range of 10 nm or more and 100 nm or less regardless of the type of the light emitting element ES. desirable.
  • the layer thickness of the semitransparent electrode 51 is preferably, for example, 10 nm or more and 40 nm or less.
  • the layer thickness of the semitransparent electrode 51 is 10 nm or more, the surface of the functional layer 24 can be coated without step breakage and can function as an electrode.
  • the layer thickness of the translucent electrode 51 is 40 nm or less, the light transmittance is not sharply lowered, and the brightness and the luminous efficiency can be prevented from being lowered.
  • the transparent electrode 52 is provided on the translucent electrode 51, the layer thickness of the transparent electrode 52 is preferably in the range of, for example, 10 nm or more and 30 nm or less.
  • the layer thickness of the transparent electrode 52 is, for example, 10 nm or more, it is possible to prevent an increase in the drive voltage caused by an increase in wiring resistance. Further, when the layer thickness of the transparent electrode 52 is, for example, 30 nm or less, it is possible to prevent the decrease in brightness without reducing the light transmittance.
  • the thickness of the cap layer 26 is preferably in the range of, for example, 10 nm or more and 100 nm or less.
  • the cap layer 26 is formed of a single layer of the inorganic cap layer 62, it is preferably in the range of, for example, 10 nm or more and 50 nm or less.
  • the layer thickness of the organic cap layer 61 is preferably thicker than the layer thickness of the inorganic cap layer 62.
  • the layer thickness of the organic cap layer 61 is within the range of 20 nm or more and 100 nm or less, and the layer thickness of the inorganic cap layer 62 is within the range of 10 nm or more and 50 nm or less. Thereby, the optical interference effect can be exhibited and the light extraction can be improved.
  • the layer thickness of the functional layer 24 (in other words, the distance between the first electrode 22 and the second electrode 25) is not particularly limited.
  • the layer thickness of the functional layer 24 is set, for example, in the range of 1 to 1000 nm, but more preferably in the range of 50 to 200 nm.
  • the layer thickness of the functional layer 24 is, for example, 50 nm or more, pixel defects caused by foreign matter such as dust can be prevented, and a decrease in luminous efficiency due to near-field light can be suppressed.
  • the layer thickness of the functional layer 24 is, for example, 200 nm or less, it is possible to suppress an increase in the drive voltage caused by the resistance component of the functional layer 24.
  • the layer thickness of each layer in the functional layer 24 may be appropriately set so as to obtain the required characteristics of the light emitting element ES according to the type thereof, and is not particularly limited.
  • the layer thickness of each layer may be adjusted to the optimum layer thickness for each emission color so that a desired optical path length can be obtained.
  • the distance between the RM 31 of the uppermost reflective layer and the second electrode 25 in the first electrode 22 is the optical path length at which the wavelength of the emission color from each light emitting element ES resonates.
  • the layer thickness of the functional layer 24 may be set according to the layer thickness of TE32 of the uppermost reflective layer.
  • the reflection of the uppermost layer in the first electrode 22R is such that the distance between the RM 31 of the uppermost reflection layer and the second electrode 25 is the optical path length at which the wavelength of red light resonates.
  • the layer thickness of the functional layer 24R may be set according to the layer thickness of the TE32 layer.
  • the distance between the RM31 of the uppermost reflection layer and the second electrode 25 is the optical path length at which the wavelength of green light resonates.
  • the layer thickness of the functional layer 24G may be set according to the layer thickness of TE32.
  • the distance between the RM31 of the uppermost reflection layer and the second electrode 25 is the optical path length at which the wavelength of blue light resonates.
  • the layer thickness of the functional layer 24B may be set according to the layer thickness of TE32.
  • the display device 1 includes sub-pixel SPR, sub-pixel SPG, and sub-pixel SPB as sub-pixels.
  • One pixel P is composed of these three sub-pixels SPR, SPG, and SPB.
  • the display device 1 can light white (in other words, display white) by simultaneously lighting the light emitting elements ESR, ESG, and ESB in each sub-pixel SPR, SPG, and SPB.
  • the conventional top emission type display device generally has a large change in brightness (specifically, a decrease in brightness) when viewed from an oblique direction. Therefore, as described above, when white is lit, even if it is white when viewed from the front direction, white appears to have a specific color when viewed from an oblique direction.
  • Such coloring from the diagonal direction (optical change in the diagonal direction) when the white light is lit causes optical interference between the light transmitted downward and the light reflected upward between the first electrode and the second electrode. It occurs because the directivity of the light emitted from the EML is strengthened.
  • the first electrode 22 has a multilayer structure in which RM31 and TE32 are repeatedly laminated, among the light emitted from the EML in the functional layer 24, the light emitted to the second electrode 25 side is emitted. , It passes through the second electrode 25 and is irradiated to the outside. Meanwhile, light emitted to the first electrode 22 side from the EML, for example, in the top layer of the reflective layer in the first electrode 22 RM31 (specifically, the third RM31R 3 ⁇ 31G 3 ⁇ 31B 3 ) It is reflected, passes through the functional layer 24 and the second electrode 25, and is irradiated to the outside.
  • the display device 1 repeats reflection according to the number of layers of the reflective layer, and causes primary interference, secondary interference, tertiary interference, and multiple interference.
  • FIG. 3 shows the emission spectrum of the light emitting element ESG having only one reflective layer formed on the substrate as a support shown in Table 1 below and the emission spectrum formed on the substrate as a support shown in Table 2 below. It is a graph which also shows the emission spectrum of the light emitting element ESG provided with two reflection layers.
  • FIG. 4 shows the emission spectrum of the light emitting element ESG having only one reflective layer formed on the substrate as a support shown in Table 1 below and the emission spectrum formed on the substrate as a support shown in Table 3 below. It is a graph which also shows the emission spectrum of the light emitting element ESG provided with three reflection layers.
  • the relative intensity is defined as the emission intensity of the main emission peak of each emission element ESG when each of the emission element ESGs shown in Tables 1 to 3 below is viewed from the front.
  • the emission intensity in front of each light emitting element ESG at the time is shown.
  • the first RM31G 1 , the second RM31G 2 , and the third RM31G 3 were Ag films. Further, the first TE32G 1 , the second TM32G 2 , and the third TM32G 3 were made into ITO films.
  • HIL41G was used as a hole injection layer made of an organic material.
  • HTL42G was used as a hole transport layer made of an organic material.
  • EML43G was used as a light emitting layer of an organic material containing a dopant.
  • HBL4G was used as a hole block layer made of an organic material.
  • ETL45G was used as an electron transport layer made of an organic material.
  • EIL46G was used as an electron injection layer having a low work function.
  • the translucent electrode 51 is an electrode made of an alloy material containing a metal material (Mg or the like) having a low work function.
  • the transparent electrode 52 was a metalloid electrode such as Ag.
  • the organic cap layer 61 was a capping layer made of an organic material and having a large refractive index.
  • the inorganic cap layer 62 was a capping layer made of LiF and having a low refractive index.
  • the first electrode 22 is multi-layered and the light emitted from the EML is multiplely reflected, so that the reflection layer is used as a sub-emission peak as shown in FIGS. 3 and 4. Secondary interference peaks that do not occur in the layer can be obtained.
  • the number of reflective layers is two
  • the number of emission peaks is one, one main emission peak and one sub emission peak, for a total of two emission peaks.
  • the reflection layer is formed into three layers, there are a total of three emission peaks, one main emission peak and two sub emission peaks.
  • the first electrode 22 is multi-layered in this way, the number of emission peaks increases in proportion to the number of reflection layers.
  • FIG. 5 is a graph showing the relationship between the number of reflective layers of the first electrode 22G and the angle dependence of the brightness in each light emitting element ESG formed on the substrate as a support shown in Tables 1 to 3.
  • the angle dependence means the angle and the brightness with respect to the front brightness when the front is 0 ° and the front brightness of the light emitting element ES provided with only one light emitting layer is 100%.
  • the relationship with the ratio is shown. Therefore, in FIG. 5, the relative brightness indicates the brightness when the front brightness of the light emitting element ESG shown in Table 1 is set to 100%.
  • the light emitting element ESG having only one reflective layer provided on the first electrode 22G is viewed from an oblique direction of 45 ° with respect to the front direction.
  • the brightness is reduced to about 1/5 of that.
  • the brightness of the light emitting element ESG is secured to be 1/2 or more of that when viewed from the front direction. can do.
  • FIG. 6 to 8 are graphs showing the angle dependence of the emission spectrum when a light emitting element ESG having three reflective layers is used as the light emitting element ESG and the vertical axis is the relative intensity.
  • the same light emitting element ESG as the light emitting element ESG shown in Table 3 was used except that the layer thickness of the second RM31G2 in the intermediate reflection layer in the light emitting element ESG shown in Table 3 was 45 nm. ..
  • FIG. 6 shows the relative intensities of the emission spectra when the light emitting element ESG is viewed from 0 ° (in other words, when viewed directly from the front) and when viewed from an angle of 30 °.
  • FIG. 7 shows the relative intensities of the emission spectra when the light emitting element ESG is viewed from 0 ° and when viewed from an angle of 40 °.
  • FIG. 8 shows the relative intensities of the emission spectra when the light emitting element ESG is viewed from 0 ° and when viewed from an angle of 50 °.
  • the relative intensity refers to the emission intensity of each emission peak when the emission intensity of each main emission peak when the light emitting element ESG is viewed from the front or an oblique direction is 100%. show.
  • the intensity of the main emission peak is lower in the oblique direction than in the front direction.
  • the intensity of the sub emission peak with respect to the main emission peak increases in the oblique direction as compared with the front direction. Therefore, the sub-emission peak can compensate for the decrease in the intensity of the main emission peak, and thereby the decrease in the brightness in the oblique direction can be alleviated.
  • the number of emission peaks can be adjusted by the number of reflective layers. Further, as described above, the position of the sub-emission peak can be adjusted by, for example, the film thickness of TE32 of the reflection layer other than the uppermost layer in the first electrode 22. Further, the position of the main emission peak can be adjusted by the distance between the RM 31 of the uppermost reflective layer and the second electrode 25 in the first electrode 22.
  • the number of emission peaks and the emission wavelengths of the main emission peak and the sub emission peak are particularly limited as long as the main emission peak and the sub emission peak are provided in the wavelength band of the emission color of each emission element ES, respectively. It is not something that is done.
  • the light emitting element ESG according to the present embodiment is not limited to the examples shown in FIGS. 3 and 4.
  • the light emitting device ESG according to the present embodiment has, for example, a main light emitting peak in a wavelength band of 510 nm or more and less than 580 nm, and a sub light emitting peak in a wavelength band of 470 nm or more and less than 530 nm. It is desirable to have. Further, as shown in FIG.
  • the light emitting element ESG according to the present embodiment has a main light emitting peak in a wavelength band of 500 nm or more and less than 550 nm, and has a wavelength band of 470 nm or more and less than 510 nm and 530 nm or more. It is desirable to have sub-emission peaks in each of the wavelength bands of less than 580 nm.
  • FIG. 9 shows the angle dependence of the brightness when the film thickness of the second RM 31G 2 is variously changed within the range of 40 nm to 50 nm in the light emitting element ESG shown in Table 3 described above. It is a graph which shows together with the angle dependence of the luminance in ESG. The angle dependence of the brightness in the light emitting element ESG shown in Table 1 is shown by “Ref” in FIG.
  • the thicker the film thickness of the second RM31G 2 as a half mirror the smaller the width of the brightness change with respect to the front luminance when viewed from an oblique direction, and the thinner the film thickness, the greater the angle dependence of the luminance. It can be seen that the effect on sexuality is small.
  • FIG. 10 is a graph showing the relationship between the number of reflective layers of the first electrode 22R and the angle dependence of the brightness in each light emitting element ESR formed on the substrate as a support shown in Tables 4 to 6 below. ..
  • the relative brightness indicates the brightness when the front brightness of the light emitting element ESR provided with only one light emitting layer, which is shown in Table 4 below, is set to 100%.
  • the first RM31R 1 , the second RM31R 2 , and the third RM31R 3 were Ag films. Further, the first TE32R 1 , the second TM32R 2 , and the third TM32R 3 were made into ITO films.
  • HIL41R was a hole injection layer made of an organic material.
  • HTL42R was a hole transport layer made of an organic material.
  • EML43R was used as a light emitting layer of an organic material containing a dopant.
  • HBL4R was a hole block layer made of an organic material.
  • ETL45R was used as an electron transport layer made of an organic material.
  • EIL46R was used as an electron injection layer having a low work function.
  • the translucent electrode 51 is an electrode made of an alloy material containing a metal material (Mg or the like) having a low work function.
  • the transparent electrode 52 was a metalloid electrode such as Ag.
  • the organic cap layer 61 was a capping layer made of an organic material and having a large refractive index.
  • the inorganic cap layer 62 was a capping layer made of LiF and having a low refractive index.
  • the light emitting element ESR in which only one reflective layer is provided on the first electrode 22R is viewed from an oblique direction of 45 ° with respect to the front direction.
  • the brightness is reduced to about 1/5 of that.
  • a 45 ° oblique direction with respect to the front direction is compared with the light emitting element ESR in which only one reflective layer is provided on the first electrode 22R. Relative brightness when viewed from above increases.
  • the light emitting device ESR according to the present embodiment has, for example, a main light emitting peak in a wavelength band of 600 nm or more and less than 800 nm, and a sub light emitting peak in a wavelength band of 580 nm or more and less than 625 nm.
  • the light emitting element ESR according to the present embodiment has, for example, a main light emitting peak in a wavelength band of 600 nm or more and less than 800 nm, a wavelength band of 580 nm or more and less than 625 nm, and a wavelength band of 650 nm or more and less than 800 nm. It is desirable that each has a sub-emission peak.
  • FIG. 11 is a graph showing the relationship between the number of reflective layers of the first electrode 22B and the angle dependence of the brightness in the light emitting element ESB formed on the substrate as the support shown in Tables 7 to 9 below. be.
  • the relative brightness indicates the brightness when the front brightness of the light emitting element ESB provided with only one light emitting layer, which is shown in Table 7 below, is set to 100%.
  • the first RM31B 1 , the second RM31B 2 , and the third RM31B 3 were Ag films. Further, the first TE32B 1 , the second TM32B 2 , and the third TM32B 3 were made into ITO films.
  • HIL41B was a hole injection layer made of an organic material.
  • HTL42B was used as a hole transport layer made of an organic material.
  • EML43B was used as a light emitting layer of an organic material containing a dopant.
  • HBL4B was a hole block layer made of an organic material.
  • ETL45B was used as an electron transport layer made of an organic material.
  • EIL46B was used as an electron injection layer having a low work function.
  • the translucent electrode 51 is an electrode made of an alloy material containing a metal material (Mg or the like) having a low work function.
  • the transparent electrode 52 was a metalloid electrode such as Ag.
  • the organic cap layer 61 was a capping layer made of an organic material and having a large refractive index.
  • the inorganic cap layer 62 was a capping layer made of LiF and having a low refractive index.
  • the light emitting element ESB having only one reflective layer provided on the first electrode 22B is viewed from an oblique direction of 45 ° with respect to the front direction.
  • the brightness is reduced to about 1/5 of that.
  • the light emitting element ESB having two reflective layers provided on the first electrode 22B has a 45 ° oblique direction with respect to the front direction as compared with the light emitting element ESB having only one reflective layer provided on the first electrode 22B.
  • the relative brightness when viewed increases, but only slightly.
  • the light emitting element ESB having three reflective layers provided on the first electrode 22B is oblique to the front direction by 45 ° as compared with the light emitting element ESB having only one reflective layer provided on the first electrode 22B.
  • the relative brightness when viewed from the direction is clearly increased.
  • the light emitting device ESB according to the present embodiment has, for example, a main light emitting peak in a wavelength band of 420 nm or more and less than 470 nm, and a sub light emitting peak in a wavelength band of 380 nm or more and less than 440 nm.
  • the light emitting element ESB according to the present embodiment has, for example, a main light emitting peak in a wavelength band of 420 nm or more and less than 470 nm, a wavelength band of 380 nm or more and less than 440 nm, and a wavelength band of 440 nm or more and less than 470 nm. It is desirable that each has a sub-emission peak.
  • the angle dependences shown in FIGS. 5 to 11 were calculated (simulated) by using the simulator "SETFOS” manufactured by Cybernet Co., Ltd. for each emission direction. Further, for the emission spectra shown in FIGS. 3 and 4, the emission intensity for each wavelength was calculated using the above-mentioned "SETFOS” manufactured by Cybernet Co., Ltd., respectively.
  • the optical interference condition can be relaxed by forming the first electrode 22 in a multilayer structure in which the RM 31 and the TE 32 are repeatedly laminated, and the brightness angle dependence. Can be more relaxed. Therefore, the display device 1 according to the present embodiment can suppress the directivity while maintaining the front luminance as compared with the case where a thick metal layer having a strong light-shielding property is provided as a single layer as in the conventional case. , It is possible to suppress a change in brightness (decrease in brightness) when viewed from an oblique direction. Therefore, according to the display device 1 according to the present embodiment, it is possible to eliminate the coloring phenomenon when viewed from an oblique direction when the white light is lit.
  • the display device 1 is a bottom emission type display device and the second electrode 25 is multi-layered, the surface resistance value of the second electrode 25 increases, so that the in-plane brightness distribution deteriorates and the IR drop increases. Induces harmful effects such as.
  • the optical characteristics can be improved without such an adverse effect.
  • each of the light emitting elements ESR, ESG, and ESB has three reflective layers is shown as an example.
  • the present embodiment is not limited to this.
  • the light emitting element ESR, ESG, and ESB may each include the above two reflective layers, and only one or two types of the light emitting element ES may include the plurality of the reflective layers.
  • At least one of the light emitting elements ESR, ESG, and ESB, at least one kind of light emitting element ES may include a plurality of the above reflective layers.
  • the present embodiment is not limited to this, and may include four or more reflective layers.
  • the upper limit of the number of reflective layers included in the first electrode 22 is not particularly limited from the viewpoint of mitigating the change in brightness when the display device 1 is viewed from an angle.
  • the number of the reflective layers increases, the number of manufacturing processes increases, which causes problems such as an increase in the number of processes and an increase in cost. Therefore, it is desirable that the number of reflective layers is 3 or less in practical use.
  • the case where the first electrode 22 is an anode and the anode is multi-layered has been described as an example.
  • the present embodiment is not limited to this, and the first electrode 22 may be a cathode, and the cathode may be multi-layered.
  • the emission spectrum becomes multi-peak, and the change in brightness when viewed from an angle is alleviated.
  • FIG. 12 is a diagram schematically showing a laminated structure of light emitting elements ES of each color in the light emitting element layer 5 of the display device 1 according to the present embodiment.
  • the light emitting element ES may include a plurality of the reflective layers, and any one or two types of light emitting elements may be provided. Only the ES may include the plurality of reflective layers.
  • the relative balance of each emission color is important.
  • the change in brightness of green when viewed from an oblique direction is larger than that of other colors. For this reason, when synthesizing white, the green component appears to be reduced, so that the white is easily reddish when viewed from an oblique direction.
  • the light emitting element ESG has three layers of the reflective layer, the light emitting element ESR has two layers of the reflective layer, and the light emitting element ESB has one layer of the reflective layer.
  • the waveform showing the angle dependence of the brightness becomes almost the same waveform. Therefore, as shown in FIG. 12, the light emitting element ESG is provided with the three reflective layers, the light emitting element ESR is provided with the two reflective layers, and the light emitting element ESB is further provided with the reflective layer, thereby producing white light emission. It is possible to provide a display device 1 having a good color balance.
  • Display device 4 TFT layer (thin film transistor layer) 5 Light emitting element layer 6 Encapsulating layer 22, 22R, 22G, 22B 1st electrode 24, 24R, 24G, 24B Functional layer 25 2nd electrode 31 RM (Reflective metal film) 32 TE (transparent electrode film) ES, ESR, ESG, ESB light emitting element

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Abstract

表示装置（１）は、互いに発光色が異なる複数種類の発光素子（ＥＳＲ、ＥＳＧ、ＲＧＢ）を備えた発光素子層（５）を備えている。上記発光素子の第１電極（２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂ）は、一つのＲＭ（３１）と該ＲＭ上に積層された一つのＴＥ（３２）とで構成される反射層を複数備え、上記複数の反射層は、ＲＭとＴＥとが、この順に、交互に配置されるように積層されている。

Description

表示装置
　本開示は、表示装置に関する。
　従来、発光素子を備えた自発光型の表示装置として、発光素子の上面側から光を出射するトップエミッション方式の表示装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
　特許文献１に記載されているように、トップエミッション方式の表示装置は、発光素子の上面側から光を出射するボトムエミッション方式の表示装置と比較して、画素の開口率を高めることができる。
日本国公開特許公報「特開２０１９－２０４７６３号」
　しかしながら、トップエミッション方式の表示装置は、一般的に、斜め方向から見たときの、正面輝度に対する輝度変化が大きい。このため、トップエミッション方式の表示装置は、白色点灯時に、正面方向から見ると白色であっても、斜め方向から見ると、白色が特定の色みを帯びて見えるという問題点を有している。
　本開示は、上記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、斜め方向から見たときの、正面輝度に対する輝度変化を従来よりも抑制することができる表示装置を提供することにある。
　本開示の一態様に係る表示装置は、複数の薄膜トランジスタを含む薄膜トランジスタ層と、互いに発光色が異なる複数種類の発光素子を備えた発光素子層と、上記発光素子層を覆う封止層と、を備え、上記複数種類の発光素子は、それぞれ、上記薄膜トランジスタ層上に、上記薄膜トランジスタ層側から、第１電極と、発光層を含む機能層と、第２電極とが、この順に設けられ、上記複数種類の発光素子のうち少なくとも一種の発光素子の上記第１電極は、一つの反射金属膜と該反射金属膜上に積層された一つの透明電極膜とで構成される反射層を複数備え、上記複数の反射層は、上記反射金属膜と上記透明電極膜とが、上記薄膜トランジスタ層側から、この順に、交互に配置されるように積層されている。
　本開示の一態様によれば、斜め方向から見たときの、正面輝度に対する輝度変化を従来よりも抑制することができる表示装置を提供することができる。
実施形態１に係る表示装置の発光素子層における各色の発光素子の積層構造の一例を模式的に示す図である。 実施形態１に係る表示装置の要部の概略構成を示す断面図である。 表１に示す、支持体としての基板上に形成した発光素子の発光スペクトルと、表２に示す、支持体としての基板上に形成した発光素子の発光スペクトルと、を併せて示すグラフである。 表１に示す、支持体としての基板上に形成した発光素子の発光スペクトルと、表３に示す、支持体としての基板上に形成した発光素子の発光スペクトルと、を併せて示すグラフである。 表１～３に示す、支持体としての基板上に形成した各発光素子における、第１電極の反射層の数と輝度の角度依存性との関係を示すグラフである。 反射層を３層設けた緑色発光素子を使用し、縦軸を相対強度としたときの、発光スペクトルの角度依存性を示すグラフである。 反射層を３層設けた緑色発光素子を使用し、縦軸を相対強度としたときの、発光スペクトルの角度依存性を示す他のグラフである。 反射層を３層設けた緑色発光素子を使用し、縦軸を相対強度としたときの、発光スペクトルの角度依存性を示すさらに他のグラフである。 表３に示す発光素子において第２の反射金属膜の膜厚を４０ｎｍ～５０ｎｍの範囲内で種々変更したときの輝度の角度依存性を、表１に示す発光素子における輝度の角度依存性と併せて示すグラフである。 表４～６に示す、支持体としての基板上に形成した各発光素子における、第１電極の反射層の数と輝度の角度依存性との関係を示すグラフである。 表７～９に示す、支持体としての基板上に形成した各発光素子における、第１電極の反射層の数と輝度の角度依存性との関係を示すグラフである。 実施形態２に係る表示装置の発光素子層における各色の発光素子の積層構造を模式的に示す図である。
　〔実施形態１〕
　図２は、本実施形態に係る表示装置１の要部の概略構成を示す断面図である。
　図２に示すように、本実施形態に係る表示装置１は、自発光型の表示装置であり、薄膜トランジスタ層（以下、「ＴＦＴ層」と記す）４が形成されたアレイ基板２上に、発光素子層５が設けられた構成を有している。
　図２に示すアレイ基板２は、ベース基板（支持体）として、下面フィルム１０、樹脂層１２、バリア層３（ベースコート膜）が、下層側からこの順に積層されたフレキシブル基板を備えている。ＴＦＴ層４は、駆動素子層であり、上記ベース基板上に設けられている。したがって、アレイ基板２は、一例として、下層側から順に、下面フィルム１０、樹脂層１２、バリア層３、およびＴＦＴ層４を備えている。
　発光素子層５は、ＴＦＴ層４上に設けられている。発光素子層５は、封止層６で覆われている。
　発光素子層５は、複数の発光素子ＥＳを備えている。ＴＦＴ層４は、これら発光素子ＥＳを駆動する複数の薄膜トランジスタＴｒ（ＴＦＴ）を備えている。以下に、より詳細に説明する。
　下面フィルム１０は、マザーガラス等の支持基板を剥離した後に樹脂層１２の下面に貼り付けることで柔軟性に優れた表示装置１を実現するためのフィルムである。下面フィルム１０としては、例えば、ポリイミド、ポリカーボネート等の、可撓性を有する樹脂からなるプラスチックフィルムが用いられる。なお、下面フィルム１０および樹脂層１２に代えて、ガラス基板等のソリッドな基板を用いても構わない。樹脂層１２の材料としては、例えばポリイミド等が挙げられる。バリア層３は、水、酸素等の異物がＴＦＴ層４および発光素子層５に侵入することを防ぐ層である。バリア層３は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜等で形成することができる。
　ＴＦＴ層４には、発光素子層５における各発光素子ＥＳを制御するサブ画素回路が形成されている。ＴＦＴ層４は、半導体膜１５、無機絶縁膜１６、ゲート電極ＧＥを含む第１金属層、無機絶縁膜１８、容量配線ＣＥを含む第２金属層、無機絶縁膜２０、ソース・ドレイン配線ＳＨを含む第３金属層、および層間絶縁膜２１（平坦化膜）を備えている。これらの層は、下層側からこの順に設けられている。
　表示装置１は、表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周囲の額縁領域ＮＡと、を備えている。
　ＴＦＴ層４における、表示領域ＤＡに相当する領域には、複数の薄膜トランジスタＴｒが形成されている。これら薄膜トランジスタＴｒは、半導体膜１５、無機絶縁膜１６、ゲート電極ＧＥ、無機絶縁膜１８、無機絶縁膜２０、およびソース・ドレイン配線ＳＨを含む。
　ＴＦＴ層４における、表示領域ＤＡに相当する領域には、複数の容量素子が形成されている。これら容量素子は、無機絶縁膜１８の直上に形成された容量配線ＣＥに含まれる容量電極（図示せず）と、無機絶縁膜１８と、上記容量電極と重畳するように形成された容量対向電極（図示せず）とを含む。上記容量対向電極は、無機絶縁膜１８の直下に形成され、ゲート電極ＧＥを形成する第１金属層と同一層で、上記容量電極と重畳するように形成されている。
　半導体膜１５は、例えば低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）あるいは酸化物半導体（例えばＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の半導体）で構成される。なお、図２では、薄膜トランジスタＴｒがトップゲート構造で示されているが、ボトムゲート構造でもよい。第１金属層、第２金属層、および第３金属層は、例えば、アルミニウム、タングステン、モリブデン、タンタル、クロム、チタン、および銅の少なくとも１つを含む金属の単層膜あるいは積層膜によって構成される。無機絶縁膜１６・１８・２０は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。層間絶縁膜２１は、例えば、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な有機材料によって構成することができる。
　発光素子層５は、ＴＦＴ層４側から順に、第１電極２２、バンク２３、機能層２４、第２電極２５、およびキャップ層２６を備えている。第１電極２２および第２電極２５は、一方が陽極であり、他方が陰極である。
　発光素子ＥＳは、第１電極２２と、機能層２４と、第２電極２５と、キャップ層２６と、を含む。本実施形態では、発光素子ＥＳを構成する、第１電極２２と第２電極２５との間の層を総称して機能層２４と称する。なお、発光素子ＥＳの積層構造については、後でより詳細に説明する。
　発光素子層５における、表示領域ＤＡに相当する領域には、発光素子ＥＳが複数設けられている。発光素子ＥＳは、各色のサブ画素ＳＰに対応して、サブ画素ＳＰ毎に形成されている。バンク２３は、第１電極２２の各端部を覆うエッジカバーとして機能するとともに、各サブ画素ＳＰを仕切るサブ画素分離膜として機能する。バンク２３には、サブ画素ＳＰ毎に開口部２３ａが設けられている。この開口部２３ａによる第１電極２２の露出部が、各サブ画素ＳＰの発光領域となっている。バンク２３は、例えば、ポリイミド、アクリル等の絶縁性の有機材料を塗布した後にフォトリソグラフィよってパターニングすることで形成される。
　また、発光素子層５には、第１電極２２と同一層で形成された引き回し部２２’が、表示領域ＤＡと額縁領域ＮＡとに跨がるように形成されている。
　第２電極２５は、表示領域ＤＡの全面に形成されている。額縁領域ＮＡには、第２電極２５の延設部２５’が形成されている。キャップ層２６は、この第２電極２５と、第２電極２５の延設部２５’と、を覆うように形成されている。キャップ層２６は、表示領域ＤＡの全面に形成された第２電極２５を覆うことで、表示領域ＤＡの全面を覆うように設けられている。額縁領域ＮＡは、引き回し部２２’と第２電極２５の延設部２５’とがコンタクト部ＣＴを形成するコンタクト領域ＣＴＡと、キャップ層２６の端部より外側の封止領域ＦＡとを含んでいる。
　封止層６は透光性を有し、例えば、下層側（つまり、発光素子層５側）から順に、第１無機封止膜２７、有機封止膜２８、および第２無機封止膜２９を備えている。但し、これに限定されず、封止層６は、無機封止膜の単層、または、有機封止膜および無機封止膜の５層以上の積層体で形成されてもよい。発光素子ＥＳが封止層６で封止されていることで、発光素子ＥＳへの水、酸素等の浸透を防ぐことができる。
　第１無機封止膜２７および第２無機封止膜２９は、それぞれ、例えば、ＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で形成することができる。有機封止膜２８は、第１無機封止膜２７および第２無機封止膜２９よりも厚い透光性有機膜であり、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の塗布可能な感光性樹脂で形成することができる。
　次に、発光素子ＥＳの積層構造について、図１および図２を参照してより詳細に説明する。
　図２に示すように、発光素子層５は、発光素子ＥＳの各層が積層された構造を有している。前述したように、バンク２３は、各サブ画素ＳＰを仕切るサブ画素分離膜として機能する。第１電極２２と、機能層２４のうち少なくとも発光層とは、バンク２３によって分離されている。これにより、表示装置１には、サブ画素ＳＰに対応した複数の発光素子ＥＳが設けられている。なお、第２電極２５およびキャップ層２６は、バンク２３によって分離されず、各サブ画素ＳＰに共通な共通層として形成されている。
　以下では、第１電極２２が陽極であり、第２電極が陰極である場合を例に挙げて説明する。つまり、第１電極２２は、サブ画素ＳＰ毎に島状にパターン形成されたパターン電極（パターン陽極）であり、第２電極２５は各サブ画素ＳＰに共通して設けられた共通電極（共通陰極）である。
　発光素子層５には、発光色が異なる複数の発光素子ＥＳが含まれる。図１は、本実施形態に係る表示装置１の発光素子層５における各色の発光素子ＥＳの積層構造の一例を模式的に示す図である。
　図１に示すように、表示装置１は、発光素子ＥＳとして、発光素子ＥＳＲと、発光素子ＥＳＲと、発光素子ＥＳＢと、を備えている。発光素子ＥＳＲは、赤色の光（赤色光、Ｒ光）を発光する赤色発光素子である。発光素子ＥＳＧは、緑色の光（緑色光、Ｇ光）を発光する緑色発光素子である。発光素子ＥＳＢは、青色の光（青色光、Ｂ光）を発光する青色発光素子である。
　なお、本開示において、赤色光とは、５８０ｎｍ以上、８００ｎｍ未満の波長帯域に発光ピーク波長を有する光を示す。また、緑色光とは、４７０ｎｍ以上、５８０ｎｍ未満の波長帯域に発光ピーク波長を有する光を示す。青色光とは、３８０ｎｍ以上、４７０ｎｍ未満の波長帯域に発光ピーク波長を有する光を示す。
　また、表示装置１は、サブ画素ＳＰとして、赤色のサブ画素であるサブ画素ＳＰＲと、緑色のサブ画素であるサブ画素ＳＰＧと、青色のサブ画素であるサブ画素ＳＰＢと、を備えている。各サブ画素ＳＰには、上記複数の発光素子ＥＳのうち、何れか１つの発光素子ＥＳが設けられている。具体的には、サブ画素ＳＰＲには発光素子ＥＳＲが設けられている。サブ画素ＳＰＧには発光素子ＥＳＧが設けられている。サブ画素ＳＰＢには発光素子ＥＳＢが設けられている。
　このため、第１電極２２は、バンク２３によって、サブ画素ＳＰＲ、サブ画素ＳＰＧ、サブ画素ＳＰＢにそれぞれ対応して分離されている。以下、バンク２３によって、サブ画素ＳＰＲ、サブ画素ＳＰＧ、サブ画素ＳＰＢにそれぞれ対応して分離された島状の第１電極２２を、順に、第１電極２２Ｒ、第１電極２２Ｇ、第１電極２２Ｂと称する。したがって、発光素子ＥＳＲは、第１電極２２として、第１電極２２Ｒを備えている。発光素子ＥＳＧは、第１電極２２として、第１電極２２Ｇを備えている。発光素子ＥＳＢは、第１電極２２として、第１電極２２Ｂを備えている。
　本実施形態に係る表示装置１は、発光素子ＥＳの上面側（言い替えれば、発光素子ＥＳにおける、ＴＦＴ層４とは反対側）から光を出射するトップエミッション方式の発光素子を用いた、トップエミッション方式の表示装置である。第１電極２２Ｒ、第１電極２２Ｇ、第１電極２２Ｂは、それぞれ、反射金属膜と、該反射金属膜上に積層された透明電極膜とで構成される反射層を複数（複数層）備えている。以下、反射金属膜を「ＲＭ」と称し、透明電極膜を「ＴＥ」と称する。各反射層は、一つのＲＭ３１と一つのＴＥ３２とで対をなす、一対の膜でそれぞれ構成されている。これら複数の反射層は、ＲＭ３１とＴＥ３２とが、下層側（言い替えれば、ＴＦＴ層４側）から、この順に交互に配置されるように積層されている。図１は、各発光素子ＥＳにおける第１電極２２が、上記反射層をそれぞれ三層備えている場合を例に挙げて図示している。
　したがって、図１に示す発光素子ＥＳＲの第１電極２２Ｒは、ＲＭ３１とＴＥ３２として、第１のＲＭ３１Ｒ１、第１のＴＥ３２Ｒ１、第２のＲＭ３１Ｒ２、第２のＴＭ３２Ｒ２、第３のＲＭ３１Ｒ３、第３のＴＭ３２Ｒ３が、下層側からこの順に積層された構成を有している。
　また、図１に示す発光素子ＥＳＧの第１電極２２Ｇは、ＲＭ３１とＴＥ３２として、第１のＲＭ３１Ｇ１、第１のＴＥ３２Ｇ１、第２のＲＭ３１Ｇ２、第２のＴＭ３２Ｇ２、第３のＲＭ３１Ｇ３、第３のＴＭ３２Ｇ３が、下層側からこの順に積層された構成を有している。
　図１に示す発光素子ＥＳＢの第１電極２２Ｂは、ＲＭ３１とＴＥ３２として、第１のＲＭ３１Ｂ１、第１のＴＥ３２Ｂ１、第２のＲＭ３１Ｂ２、第２のＴＭ３２Ｂ２、第３のＲＭ３１Ｇ３、第３のＴＭ３２Ｇ３が、下層側からこの順に積層された構成を有している。
　上記ＲＭ（例えば、第１のＲＭ３１Ｒ１・３１Ｇ１・３１Ｂ１、第２のＲＭ３１Ｒ２・３１Ｇ２・３１Ｂ２、第３のＲＭ３１Ｒ３・３１Ｇ３・３１Ｂ３）は、例えば、Ａｇ（銀）で構成される。また、上記ＴＥ（例えば、第１のＴＥ３２Ｒ１・３２Ｇ１・３２Ｂ１、第２のＴＥ３２Ｒ２・３２Ｇ２・３２Ｂ２、第３のＴＥ３２Ｒ３・３２Ｇ３・３２Ｂ３）は、例えば、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）で構成される。
　但し、上記ＲＭは、Ａｇからなる膜（Ａｇ膜）に限定されるものではなく、例えば、Ａｌ（アルミニウム）からなるＡｌ膜であってもよい。
　また、上記ＴＥは、ＩＴＯからなるＩＴＯ膜に限定されるものではなく、例えば、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）からなるＩＺＯ膜であってもよい。このように、陽極である第１電極２２の材料としては、機能層２４に対して効率良く正孔を注入することができる、例えば仕事関数が４．５以上の電極材料を使用することが好ましい。また、上記ＴＥは、上記ＲＭと発光層との間の光路長を調整する光路長調整層として機能する。このため、上記ＴＥには、発光層からの光の輝度や発光特性等を極力低下させない材料を用いることが望ましい。したがって、上記ＴＥは、例えば、仕事関数（ないしは、イオン化ポテンシャルエネルギー）が大きく、透明な電極材料である、ＩＴＯまたはＩＺＯで構成されていることが好ましい。なお、上記ＴＥは、アモルファスのＴＥであってもよく、結晶質のＴＥであってもよい。
　機能層２４は、前述したように、発光素子ＥＳにおける第１電極２２と第２電極２５との間の層であり、少なくとも発光層を含んでいる。発光素子ＥＳが、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子と称される、いわゆるＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）である場合、機能層２４は、有機ＥＬ層と称される有機層からなる。なお、機能層２４は、発光層のみからなる単層型であってもよいし、発光層以外の機能層を含む多層型であってもよい。また、上記発光素子ＥＳは、ＯＬＥＤに限定されるものではなく、例えば、ＱＬＥＤ（量子ドット発光ダイオード）であってもよい。
　機能層２４のうち発光層以外の機能層としては、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層等が挙げられる。以下、正孔注入層を「ＨＩＬ」と称する。正孔輸送層を「ＨＴＬ」と称する。正孔ブロッキング層を「ＨＢＬ」と称する。電子輸送層を「ＥＴＬ」と称する。電子注入層を「ＥＩＬ」と称する。また、発光層を「ＥＭＬ」と称する。
　ＨＩＬは、陽極からＨＴＬに正孔を輸送する層である。ＨＴＬは、ＨＩＬからＥＭＬに正孔を輸送する送である。ＨＩＬとＨＴＬとは、互いに独立した層として形成されていてもよく、ＨＩＬ兼ＨＴＬとして一体化されていてもよい。
　ＨＩＬおよびＨＴＬには、公知の正孔輸送性材料が使用される。上記正孔輸送性材料としては、例えば、４，４’－ビス（Ｎ－カルバゾリル）－１，１’－ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、Ｎ，Ｎ’－ジ（ナフタレン－１－イル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－ベンジジン（略称：α－ＮＰＤ）、２，３，６，７，１０，１１－ヘキサシアノ－１，４，５，８，９，１２－ヘキサアザトリフェニレン（略称：ＨＡＴ－ＣＮ）、（４，４’－ビス（２，２’－ジフェニルビニル）－ビフェニル）（略称：ＢｃｚＶＢｉ）、ＭｏＯ３（三酸化モリブデン）、Ｃｒ２Ｏ３（酸化クロム）、ＮｉＯ（酸化ニッケル）等が挙げられる。これら正孔輸送性材料は、一種類のみを用いてもよく、適宜、二種類以上を混合して用いてもよい。また、上記正孔輸送性材料は、不純物がドープされていない真性正孔輸送性材料であってもよく、導電性を高める等の理由で不純物がドープされていてもよい。
　発光素子ＥＳが、例えばＯＬＥＤである場合、ＥＭＬには、有機材料からなる発光材料が使用される。上記有機発光材料としては、燐光発光材料であってもよく、蛍光発光材料であってもよい。また、ＥＭＬは、正孔および電子の輸送を担うホスト材料と、発光材料として発光を担う発光ドーパント材料との２成分系で形成されていてもよく、発光材料単独で形成されていてもよい。
　発光素子ＥＳＲに用いられる赤色有機発光材料としては、例えば、トリス（１－フェニルイソキノリン）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）３）、テトラフェニルジベンゾペリフランテン（略称：ＤＢＰ）等が挙げられる。
　発光素子ＥＳＧに用いられる緑色有機発光材料としては、例えば、オルトメタル化イリジウム錯体）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、３－（２－ベンゾチアゾリル）－７－（ジエチルアミノ）クマリン（略称：クマリン６）等が挙げられる。
　発光素子ＥＳＢに用いられる青色有機発光材料としては、例えば、４，４’－ビス（９－エチル－３－カルバゾビニレン）－１，１’－ビフェニル（略称：ＢｃｚＶＢｉ）、２，５，８，１１－テトラ－ｔｅｒｔ－ブチルペリレン（略称：ＴＢＰｅ）等が挙げられる。
　発光素子ＥＳが、例えばＱＬＥＤである場合、ＥＭＬは、発光材料として、ナノサイズの量子ドット（半導体ナノ粒子）を含んでいてもよい。上記量子ドットには、公知の量子ドットを用いることができる。上記量子ドットは、例えば、Ｃｄ（カドミウム）、Ｓ（硫黄）、Ｔｅ（テルル）、Ｓｅ（セレン）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｉｎ（インジウム）、Ｎ（窒素）、Ｐ（リン）、Ａｓ（ヒ素）、Ｓｂ（アンチモン）、アルミニウム（Ａｌ）、Ｇａ（ガリウム）、Ｐｂ（鉛）、Ｓｉ（ケイ素）、Ｇｅ（ゲルマニウム）、Ｍｇ（マグネシウム）、からなる群より選択される少なくとも一種の元素で構成されている少なくとも一種の半導体材料を含んでもよい。
　ＨＩＬは、陰極からＥＴＬに電子を輸送する層である。ＥＴＬは、ＥＩＬからＥＭＬに電子を輸送する送である。ＥＩＬとＥＴＬとは、互いに独立した層として形成されていてもよく、ＥＩＬ兼ＥＴＬとして一体化されていてもよい。
　また、ＨＢＬは、正孔の流れをせきとめ、正孔がＥＴＬに抜けるのをブロックする層である。
　これらＥＩＬ、ＥＴＬ、ＨＢＬには、公知の電子輸送性材料が使用される。上記電子輸送性材料としては、例えば、ビス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ２）、４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）、２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（略称：ＢＣＰ）、ＬｉＦ（フッ化リチウム）等が挙げられる。これら電子輸送性材料は、一種類のみを用いてもよく、適宜、二種類以上を混合して用いてもよい。
　図１に示すように、発光素子ＥＳＲにおける機能層２４は、例えば、第１電極２２側から、ＨＩＬ４１Ｒ、ＨＴＬ４２Ｒ、ＥＭＬ４３Ｒ、ＨＢＬ４Ｒ、ＥＴＬ４５Ｒ、ＥＩＬ４６Ｒが、この順に積層された構成を有している。発光素子ＥＳＧにおける機能層２４は、例えば、第１電極２２側から、ＨＩＬ４１Ｇ、ＨＴＬ４２Ｇ、ＥＭＬ４３Ｇ、ＨＢＬ４Ｇ、ＥＴＬ４５Ｇ、ＥＩＬ４６Ｇが、この順に積層された構成を有している。発光素子ＥＳＢにおける機能層２４は、例えば、第１電極２２側から、ＨＩＬ４１Ｂ、ＨＴＬ４２Ｂ、ＥＭＬ４３Ｂ、ＨＢＬ４Ｂ、ＥＴＬ４５Ｂ、ＥＩＬ４６Ｂが、この順に積層された構成を有している。
　なお、上述した積層順は、前述したように第１電極２２を陽極とし、第２電極２５を陰極とした場合の例である。第１電極２２を陰極とし、第２電極２５を陽極とした場合、機能層２４を構成する各層の順序は反転する。また、機能層２４の構成は上記例示の層構成に限定されるものではなく、要求される発光素子ＥＳの特性に応じて所望の層構成を採用することができる。
　発光素子ＥＳがサブ画素ＳＰ毎に異なる色の光を出射するように機能層２４を塗り分け蒸着する場合、機能層２４のうち少なくともＥＭＬ４３Ｒ・４３Ｇ・４３Ｂは、それぞれ、図２に示すバンク２３によって囲まれた領域毎（言い替えれば、対応するサブ画素ＳＰ毎）に形成される。なお、ＥＭＬ４３Ｒ・４３Ｇ・４３Ｂ以外の機能層は、バンク２３によって分離されていてもよく、共通層として形成されていても構わない。
　延設部２５’を含めて、光を取り出す側の電極である第２電極２５には、透明電極または半透明電極が使用される。第２電極２５には、例えば、半透明の金属薄膜からなる半透明電極５１を単体で用いてもよいし、図１に示すように半透明の金属薄膜からなる半透明電極５１と透明電極５２とを組み合わせて用いてもよい。例えば、半透明電極５１の抵抗が高く、発光輝度の均一性が損なわれる場合には、その上に、補助電極層として透明電極５２が積層される。
　上述したように第２電極２５が陰極である場合、第２電極２５（特に、半透明電極５１）には、機能層２４に対して効率良く電子を注入することができる、例えば仕事関数が４．５以下の電極材料を用いることが望ましい。
　上記半透明電極５１（金属薄膜）としては、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｃａ（カルシウム）、Ｌｉ（リチウム）、Ｃｒ（クロム）等の金属またはこれらの金属を含有する合金の薄膜が挙げられる。透明電極５２としては、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ等が挙げられる。
　これら半透明電極５１および透明電極５２を含む第２電極２５は、各サブ画素ＳＰに共通な共通層として形成される。
　また、キャップ層２６は、前述したように、共通層として、表示領域ＤＡの全面を覆うように設けられており、発光素子ＥＳから発せられる光を調整する光学調整層として機能するとともに、第２電極２５を保護する保護層として機能する。キャップ層２６には、発光素子ＥＳからの光の輝度や発光特性等を極力低下させない材料が用いられる。キャップ層２６は、有機キャップ層６１または無機キャップ層６２の単層で形成されてもよく、図１に示すように有機キャップ層６１と無機キャップ層６２との積層体で形成されていてもよい。
　キャップ層２６を有機キャップ層６１単層で形成する場合には、キャップ層２６を、芳香族炭化水素を含む層で形成してもよい。なお、芳香族炭化水素を含む層における芳香族炭化水素は、例えば、α－ＮＰＤであってもよい。一方、キャップ層２６を無機キャップ層６２単層で形成する場合には、キャップ層２６を、ＬｉＦ層で形成してもよい。キャップ層２６を有機キャップ層６１と無機キャップ層６２との積層体で形成する場合には、有機キャップ層６１は、芳香族炭化水素を含む層で、無機キャップ層６２は、ＬｉＦ層であってもよい。
　また、本実施形態のように、キャップ層２６を、有機キャップ層６１と無機キャップ層６２との積層体で形成する場合、有機キャップ層６１の可視光領域における屈折率は、無機キャップ層６２の可視光領域における屈折率よりも高いことが好ましい。具体的には、有機キャップ層６１の可視光領域における屈折率は、１．８以上、２．１以下であり、無機キャップ層６２の可視光領域における屈折率は、１．２以上、１．３以下であることが好ましい。
　以上のように、図１に示す発光素子ＥＳＲは、例えば、第１のＲＭ３１Ｒ１、第１のＴＥ３２Ｒ１、第２のＲＭ３１Ｒ２、第２のＴＭ３２Ｒ２、第３のＲＭ３１Ｒ３、第３のＴＭ３２Ｒ３、ＨＩＬ４１Ｒ、ＨＴＬ４２Ｒ、ＥＭＬ４３Ｒ、ＨＢＬ４Ｒ、ＥＴＬ４５Ｒ、ＥＩＬ４６Ｒ、半透明電極５１、透明電極５２、有機キャップ層６１、無機キャップ層６２を、下層側からこの順に備えている。
　また、図１に示す発光素子ＥＳＧは、例えば、第１のＲＭ３１Ｇ１、第１のＴＥ３２Ｇ１、第２のＲＭ３１Ｇ２、第２のＴＭ３２Ｇ２、第３のＲＭ３１Ｇ３、第３のＴＭ３２Ｇ３、ＨＩＬ４１Ｇ、ＨＴＬ４２Ｇ、ＥＭＬ４３Ｇ、ＨＢＬ４Ｇ、ＥＴＬ４５Ｇ、ＥＩＬ４６Ｇ、半透明電極５１、透明電極５２、有機キャップ層６１、無機キャップ層６２を、下層側からこの順に備えている。
　図１に示す発光素子ＥＳＢは、例えば、第１のＲＭ３１Ｂ１、第１のＴＥ３２Ｂ１、第２のＲＭ３１Ｂ２、第２のＴＭ３２Ｂ２、第３のＲＭ３１Ｂ３、第３のＴＭ３２Ｂ３、ＨＩＬ４１Ｂ、ＨＴＬ４２Ｂ、ＥＭＬ４３Ｂ、ＨＢＬ４Ｂ、ＥＴＬ４５Ｂ、ＥＩＬ４６Ｂ、半透明電極５１、透明電極５２、有機キャップ層６１、無機キャップ層６２を、下層側からこの順に備えている。
　次に、各発光素子ＥＳにおける上記各層の厚みについて説明する。
　上述したように、第１電極２２は、ＲＭ３１とＴＥ３２とで構成される反射層を複数備えている。
　詳しくは後述するが、本実施形態では、複数のＲＭ３１による多重反射によって、光学干渉条件を緩和させる。具体的には、本実施形態では、最下層の反射層以外の反射層のＲＭ３１、特に、少なくとも最上層の反射層のＲＭ３１が、光を反射および透過させることで、光を多重反射させる。したがって、最下層の反射層以外の反射層のＲＭ３１、特に、少なくとも最上層の反射層のＲＭ３１は、光を反射および透過させる半透過反射金属膜（ハーフミラー）として機能することが望ましい。一方、最下層の反射層のＲＭ３１は、機能層２４におけるＥＭＬから発光された光の利用効率を高めるため、反射率が高いことが望ましい。最下層の反射層以外の反射層のＲＭ３１、特に、最上層の反射層のＲＭ３１は、最下層の反射層のＲＭ３１よりも、反射率が低く、透過率が高いことが望ましい。
　このため、最下層の反射層以外の反射層のＲＭ３１、特に、最上層の反射層のＲＭ３１は、最下層の反射層のＲＭ３１よりも薄いことが望ましい。したがって、図１に示す例では、発光素子ＥＳＲにおける第３のＲＭ３１Ｒ３は、第１のＲＭ３１Ｒ１よりも薄いことが望ましい。発光素子ＥＳＧにおける第３のＲＭ３１Ｇ３は、第１のＲＭ３１Ｇ１よりも薄いことが望ましい。発光素子ＥＳＢにおける第３のＲＭ３１Ｂ３は、第１のＲＭ３１Ｂ１よりも薄いことが望ましい。
　また、上記複数の反射層中、最上層の反射層のＴＥ３２は、各発光素子ＥＳの発光波長帯域における、後述するメイン発光ピークの波長が共振する光路長を調整するメイン光路長調整層として機能する。このため、最上層の反射層のＴＥ３２は、ＥＭＬからの光の輝度や発光特性等を極力低下させないことが望ましい。また、該ＴＥ３２は、上述したように光路長調整層としても機能するが、その下層のＲＭ３１の保護的な役割が強い。したがって、最上層の反射層のＴＥ３２の膜厚は、薄い方がよく、例えば、該ＴＥ３２の直ぐ下のＲＭ３１よりも薄いことが望ましい。したがって、図１に示す例では、発光素子ＥＳＲにおける第３のＴＥ３２Ｒ３は、第３のＲＭ３１Ｒ３よりも薄いことが望ましい。発光素子ＥＳＧにおける第３のＴＥ３２Ｇ３は、第３のＲＭ３１Ｇ３よりも薄いことが望ましい。発光素子ＥＳＢにおける第３のＴＥ３２Ｂ３は、第３のＲＭ３１Ｂ３よりも薄いことが望ましい。
　また、下層からの多重干渉を積極的に活用するために、上層は下層よりも薄いことが望ましい。そこで、下層からの多重干渉を活用するために、例えば、上記複数の反射層中、最上層の反射層のＲＭ３１は、最下層の反射層のＴＥ３２よりも薄いことが望ましい。したがって、図１に示す例では、発光素子ＥＳＲにおける第３のＲＭ３１Ｒ３は、第１のＴＥ３２Ｒ１よりも薄いことが望ましい。発光素子ＥＳＧにおける第３のＲＭ３１Ｇ３は、第１のＴＥ３２Ｇ１よりも薄いことが望ましい。発光素子ＥＳＢにおける第３のＲＭ３１Ｂ３は、第１のＴＥ３２Ｂ１よりも薄いことが望ましい。
　具体的には、上記複数の反射層中、最下層の反射層のＲＭ３１の膜厚は、発光素子ＥＳの種類に拘らず、８０ｎｍ以上、１２０ｎｍ以下の範囲内であることが望ましい。該ＲＭ３１の膜厚が８０ｎｍ以上であれば、高い表面反射率を保持できる。一方、該ＲＭ３１の膜厚が１２０ｎｍ以下であれば、スループットを落とさずに、該ＲＭ３１の作製並びに表示装置１の生産を行うことができる。また、製造効率の観点から、該ＲＭ３１の膜厚は、発光素子ＥＳの種類に拘らず、８０ｎｍ以上、１２０ｎｍ以下の範囲内であることがより望ましい。
　また、上記複数の反射層中、最下層以外の反射層のＲＭ３１の膜厚は、発光素子ＥＳの種類に拘らず、１０ｎｍ以上、６０ｎｍ以下の範囲内であることが望ましい。該ＲＭ３１の膜厚が１０ｎｍ以上であれば、該ＲＭ３１の透過率を抑え、該ＲＭ３１をハーフミラーとして機能させることができる。一方、該ＲＭ３１の膜厚が６０ｎｍ以下であれば、該ＲＭ３１の反射率を抑え、該ＲＭ３１をハーフミラーとして機能させることができる。この結果、ＥＭＬから出射された光を多重反射させることができ、メイン発光ピークよりも小さいサブ発光ピークとして、反射層単層では発生しない、副次的な干渉ピークを得ることができる。
　また、該ＲＭ３１の膜厚は、上記範囲内において厚くなるほど、輝度の角度依存性が小さくなる。言い替えれば、該ＲＭ３１の膜厚は、上記範囲内において厚くなるほど、斜め方向から見たときの、正面輝度に対する輝度変化の幅が小さくなる。そして、該ＲＭ３１の膜厚は、上記範囲内において薄くなるほど、輝度の角度依存性に及ぼす影響が小さくなる。このため、該ＲＭ３１の膜厚は、発光素子ＥＳの種類に拘らず、１０ｎｍ以上、６０ｎｍ以下の範囲内であることがより望ましい。
　また、前述したように、上記複数の反射層中、最上層の反射層のＴＥ３２は、メイン光路長調整層として機能することから、ＥＭＬからの光の輝度や発光特性等を極力低下させないことが望ましい。また、該ＴＥ３２は、前述したように、その下層のＲＭ３１の保護的な役割が強い。このため、最上層の反射層のＴＥ３２の膜厚は、発光素子ＥＳの種類に拘らず、１０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下の範囲内であることが望ましい。該ＴＥ３２の膜厚が１０ｎｍ以上であれば、該ＴＥ３２の下層のＲＭ３１を保護する保護膜としての機能を確保できる。一方、該ＴＥ３２の膜厚が１００ｎｍ以下であれば、該ＴＥ３２の面内の膜厚分布を抑制できる。また、該ＴＥ３２の膜厚が厚いと膜厚分布を生じ易いため、プロセス制御性の観点から、該ＴＥ３２の膜厚は、発光素子ＥＳの種類に拘らず、１０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下の範囲内であることがより望ましい。
　また、上記複数の反射層中、最上層以外の反射層のＴＥ３２の膜厚は、該ＴＥ３２の直ぐ下のＲＭ３１と、該ＴＥ３２の直ぐ上の、ハーフミラーとして機能するＲＭ３１との間での光学干渉の光路長を調整する光路長調整層として機能する。該ＴＥ３２の膜厚を調整することで、サブ発光ピークの位置を調整することができる。
　したがって、最上層以外の反射層のＴＥ３２の膜厚は、各発光素子ＥＳの発光色の波長帯域にサブ発光ピークを有するように適宜調節される。例えば、発光素子ＥＳＲでは、最上層以外の反射層のＴＥ３２の膜厚は、前述した赤色光の波長帯域にサブ発光ピークを有するように適宜調節される。発光素子ＥＳＧでは、最上層以外の反射層のＴＥ３２の膜厚は、前述した緑色光の波長帯域にサブ発光ピークを有するように適宜調節される。発光素子ＥＳＧでは、最上層以外の反射層のＴＥ３２の膜厚は、前述した青色光の波長帯域にサブ発光ピークを有するように適宜調節される。
　このように、最上層以外の反射層のＴＥ３２の膜厚は、各発光素子ＥＳの発光色の波長帯域にサブ発光ピークを有するように適宜調節すればよく、特に限定されるものではない。しかしながら、最上層以外の反射層のＴＥ３２の膜厚は、発光素子ＥＳの種類に拘らず、１０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下の範囲内であることが望ましい。該ＴＥ３２の膜厚が１０ｎｍ以上であれば、該ＴＥ３２の下層のＲＭ３１を保護する保護膜としての機能を確保できる。一方、該ＴＥ３２の膜厚が厚いと膜厚分布を生じ易い。該ＴＥ３２の膜厚が１００ｎｍ以下であれば、膜厚分布のプロセス制御を行い易い。また、下層のＲＭ３１に対する保護機能を確保しつつ、プロセス制御性を確保するため、該ＴＥ３２の膜厚は、発光素子ＥＳの種類に拘らず、１０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下の範囲内であることがより望ましい。
　また、第２電極２５が金属薄膜からなる半透明電極５１である場合、該半透明電極５１の層厚は、例えば１０ｎｍ以上、４０ｎｍ以下であることが好ましい。半透明電極５１の層厚が１０ｎｍ以上であれば、機能層２４の表面を段切れすることなく被覆して、電極として機能できる。また、半透明電極５１の層厚が４０ｎｍ以下であれば、光の透過率を急激に低下させることがなく、輝度および発光効率の低下を防ぐことができる。また、半透明電極５１上に透明電極５２を設ける場合、該透明電極５２の層厚は、例えば１０ｎｍ以上、３０ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。透明電極５２の層厚が例えば１０ｎｍ以上であれば、配線抵抗が高くなることによって生じる駆動電圧の上昇を防ぐことができる。また、透明電極５２の層厚が例えば３０ｎｍ以下であれば、光の透過率を低下させることなく、輝度の低下を防ぐことができる。
　キャップ層２６の厚みは、キャップ層２６を有機キャップ層６１単層で形成する場合、例えば１０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。また、キャップ層２６を無機キャップ層６２単層で形成する場合、例えば１０ｎｍ以上、５０ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。また、キャップ層２６を、有機キャップ層６１と無機キャップ層６２との積層体で形成する場合、有機キャップ層６１の層厚は、無機キャップ層６２の層厚より厚いことが好ましい。この場合、有機キャップ層６１の層厚が２０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下の範囲内で、かつ、無機キャップ層６２の層厚が１０ｎｍ以上、５０ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。これにより、光学干渉効果を発現して光取り出しの改善を行うことができる。
　なお、機能層２４の層厚（言い換えれば、第１電極２２と第２電極２５との間の距離）は特に限定されるものではない。機能層２４の層厚は、例えば、１～１０００ｎｍの範囲内で設定されるが、５０～２００ｎｍの範囲であることがより好ましい。機能層２４の層厚が例えば５０ｎｍ以上であれば、ゴミ等の異物によって生じる画素欠陥を防ぐことができ、近接場光による発光効率の低下を抑制することができる。また、機能層２４の層厚が例えば２００ｎｍ以下であれば、機能層２４の抵抗成分によって生じる駆動電圧の上昇を抑えることができる。なお、機能層２４における各層の層厚は、その種類に応じて、要求される発光素子ＥＳの特性が得られるように適宜設定すればよく、特に限定されない。干渉効果（マイクロキャビティー効果）によって色純度を向上させる場合には、所望の光路長が得られるように、各層の層厚を、発光色毎に、最適な層厚に調整すればよい。
　具体的には、第１電極２２における、最上層の反射層のＲＭ３１と第２電極２５との間の距離が、各発光素子ＥＳからの発光色の波長が共振する光路長となるように、最上層の反射層のＴＥ３２の層厚に応じて、機能層２４の層厚を設定すればよい。例えば、発光素子ＥＳＲでは、第１電極２２Ｒにおける、最上層の反射層のＲＭ３１と第２電極２５との間の距離が、赤色光の波長が共振する光路長となるように、最上層の反射層のＴＥ３２の層厚に応じて、機能層２４Ｒの層厚を設定すればよい。発光素子ＥＳＧでは、第１電極２２Ｇにおける、最上層の反射層のＲＭ３１と第２電極２５との間の距離が、緑色光の波長が共振する光路長となるように、最上層の反射層のＴＥ３２の層厚に応じて、機能層２４Ｇの層厚を設定すればよい。発光素子ＥＳＢでは、第１電極２２Ｂにおける、最上層の反射層のＲＭ３１と第２電極２５との間の距離が、青色光の波長が共振する光路長となるように、最上層の反射層のＴＥ３２の層厚に応じて、機能層２４Ｂの層厚を設定すればよい。
　次に、第１電極２２の多層化による効果について、図３～図１１を参照して具体的に説明する。
　本実施形態に係る表示装置１は、前述したように、サブ画素として、サブ画素ＳＰＲと、サブ画素ＳＰＧと、サブ画素ＳＰＢと、を備えている。１つの画素Ｐは、これら３つのサブ画素ＳＰＲ・ＳＰＧ・ＳＰＢで構成されている。上記表示装置１は、各サブ画素ＳＰＲ・ＳＰＧ・ＳＰＢにおける発光素子ＥＳＲ・ＥＳＧ・ＥＳＢを同時に点灯させることで、白色を点灯させる（言い替えれば、白色表示を行う）ことができる。
　前述したように、従来のトップエミッション方式の表示装置は、一般的に、斜め方向から見たときの輝度変化（具体的には、輝度の低下）が大きい。このため、上述したように白色点灯時に、正面方向から見ると白色であっても、斜め方向から見ると、白色が特定の色みを帯びて見える。このような、白色点灯時の斜め方向からの色付き（斜め方向の光学変化）は、第１電極と第２電極との間で、下向きに透過する光と上向きに反射する光との光学干渉が生じ、ＥＭＬからの発光の指向性が強められるために生じる。
　上述したように、第１電極２２を、ＲＭ３１とＴＥ３２とを繰り返し積層してなる多層構造とすると、機能層２４におけるＥＭＬから発光された光のうち、第２電極２５側に発せられた光は、第２電極２５を透過して外部に照射される。一方、上記ＥＭＬから第１電極２２側に発せられた光は、例えば、第１電極２２における最上層の反射層のＲＭ３１（具体的には、第３のＲＭ３１Ｒ３・３１Ｇ３・３１Ｂ３）で反射され、機能層２４および第２電極２５を透過して外部に照射される。このとき、最上層の反射層のＲＭ３１で反射されずに該ＲＭ３１を通過した光は、図１に示すように、該ＲＭ３１よりも下層の反射層のＲＭ３１で反射され、機能層２４および第２電極２５を透過して外部に照射される。このように、本実施形態に係る表示装置１は、反射層の層数に応じて、反射を繰り返し、一次干渉、二次干渉、三次干渉と、多重干渉を引き起こす。
　図３は、下記表１に示す、支持体としての基板上に形成した、反射層を１層のみ設けた発光素子ＥＳＧの発光スペクトルと、下記表２に示す、支持体としての基板上に形成した、反射層を２層設けた発光素子ＥＳＧの発光スペクトルと、を併せて示すグラフである。図４は、下記表１に示す、支持体としての基板上に形成した、反射層を１層のみ設けた発光素子ＥＳＧの発光スペクトルと、下記表３に示す、支持体としての基板上に形成した、反射層を３層設けた発光素子ＥＳＧの発光スペクトルと、を併せて示すグラフである。なお、図３および図４中、相対強度とは、下記表１～表３に示す各発光素子ＥＳＧをそれぞれ正面から見たときの各発光素子ＥＳＧのメイン発光ピークの発光強度をそれぞれ１としたときの各発光素子ＥＳＧの正面の発光強度を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
 　なお、表１～表３中、第１のＲＭ３１Ｇ１、第２のＲＭ３１Ｇ２、第３のＲＭ３１Ｇ３は、Ａｇ膜とした。また、第１のＴＥ３２Ｇ１、第２のＴＭ３２Ｇ２、第３のＴＭ３２Ｇ３は、ＩＴＯ膜とした。ＨＩＬ４１Ｇは、有機材料からなる正孔注入層とした。ＨＴＬ４２Ｇは、有機材料からなる正孔輸送層とした。ＥＭＬ４３Ｇは、ドーパントを含有した有機材料の発光層とした。ＨＢＬ４Ｇは、有機材料からなる正孔ブロック層とした。ＥＴＬ４５Ｇは、有機材料からなる電子輸送層とした。ＥＩＬ４６Ｇは、低仕事関数の電子注入層とした。半透明電極５１は、低仕事関数の金属材料（Ｍｇ等）を含有する合金材料からなる電極とした。透明電極５２は、Ａｇ等の半金属電極とした。有機キャップ層６１は、有機材料からなる大きな屈折率のキャッピング層とした。無機キャップ層６２は、ＬｉＦからなる低屈折率のキャッピング層とした。
　本実施形態によれば、上述したように第１電極２２を多層化し、ＥＭＬから出射された光を多重反射させることで、図３および図４に示すように、サブ発光ピークとして、反射層単層では発生しない、副次的な干渉ピークを得ることができる。このとき、図３に示すように、反射層を２層にすると、発光ピークが、メイン発光ピーク１つとサブ発光ピーク１つの計２つになる。また、図４に示すように、反射層を３層にすると、発光ピークが、メイン発光ピーク１つとサブ発光ピーク２つの計３つになる。このように、第１電極２２を多層化すると、反射層の数に比例して、発光ピークの数が増加する。
　図５は、表１～３に示す、支持体としての基板上に形成した各発光素子ＥＳＧにおける、第１電極２２Ｇの反射層の数と輝度の角度依存性との関係を示すグラフである。なお、本実施形態において、角度依存性とは、正面を０°とし、発光層が１層のみ設けられている発光素子ＥＳの正面輝度を１００％としたときの、角度と、正面輝度に対する輝度比との関係を示す。したがって、図５中、相対輝度とは、上述した、表１に示す発光素子ＥＳＧの正面輝度を１００％としたときの輝度を示す。
　図５に示すように、第１電極２２Ｇに反射層が１層しか設けられていない発光素子ＥＳＧを正面方向に対して４５°斜め方向から見ると、該発光素子ＥＳＧを正面方向から見たときの１／５程度に輝度が低下する。しかしながら、第１電極２２Ｇに反射層を複数設けた発光素子ＥＳＧを正面方向に対して４５°斜め方向から見ると、該発光素子ＥＳＧを正面方向から見たときの１／２以上の輝度を確保することができる。
　この理由としては、以下の理由が考えられる。図６～図８は、発光素子ＥＳＧとして、反射層を３層設けた発光素子ＥＳＧを使用し、縦軸を相対強度としたときの、発光スペクトルの角度依存性を示すグラフである。なお、上記発光素子ＥＳＧには、表３に示す発光素子ＥＳＧにおいて中間の反射層における第２のＲＭ３１Ｇ２の層厚を４５ｎｍとした以外は表３に示す発光素子ＥＳＧと同じ発光素子ＥＳＧを使用した。図６では、上記発光素子ＥＳＧを０°から見たとき（言い替えれば、正面から直視したとき）と斜め３０°から見たときの発光スペクトルの相対強度を示している。図７では、上記発光素子ＥＳＧを０°から見たときと斜め４０°から見たときの発光スペクトルの相対強度を示している。図８では、上記発光素子ＥＳＧを０°から見たときと斜め５０°から見たときの発光スペクトルの相対強度を示している。なお、図６～図８中、相対強度とは、上記発光素子ＥＳＧを正面並びに斜め方向から見たときの各メイン発光ピークの発光強度をそれぞれ１００％としたときの各発光ピークの発光強度を示す。
　図示はしないが、発光素子ＥＳの発光スペクトルは、斜め方向においては、正面方向と比較して、メイン発光ピークの強度が低下する。しかしながら、図６～図８に示すように、発光素子ＥＳの発光スペクトルは、斜め方向においては、正面方向と比較して、メイン発光ピークに対するサブ発光ピークの強度が増加する。このため、このサブ発光ピークにより、メイン発光ピークの強度の低下を補完することができ、これにより、斜め方向の輝度低下を緩和することができる。
　なお、本実施形態によれば、前述したように、発光ピークの数は、反射層の層数によって調節が可能である。また、前述したように、サブ発光ピークの位置は、例えば、第１電極２２における、最上層以外の反射層のＴＥ３２の膜厚によって調節が可能である。また、メイン発光ピークの位置は、第１電極２２における、最上層の反射層のＲＭ３１と第２電極２５との間の距離によって調節が可能である。
　このため、発光ピークの数、並びに、メイン発光ピークおよびサブ発光ピークの発光波長は、各発光素子ＥＳの発光色の波長帯域にそれぞれメイン発光ピークおよびサブ発光ピークが設けられていれば、特に限定されるものではない。
　したがって、本実施形態に係る発光素子ＥＳＧは、図３および図４に示す例に限定されるものではない。しかしながら、本実施形態に係る発光素子ＥＳＧは、図３に示すように、例えば、５１０ｎｍ以上、５８０ｎｍ未満の波長帯域にメイン発光ピークを有し、４７０ｎｍ以上、５３０ｎｍ未満の波長帯域にサブ発光ピークを有することが望ましい。また、本実施形態に係る発光素子ＥＳＧは、図４に示すように、例えば、５００ｎｍ以上、５５０ｎｍ未満の波長帯域にメイン発光ピークを有し、４７０ｎｍ以上、５１０ｎｍ未満の波長帯域と、５３０ｎｍ以上、５８０ｎｍ未満の波長帯域と、にそれぞれサブ発光ピークを有することが望ましい。
　また、図９は、前述した表３に示す発光素子ＥＳＧにおいて第２のＲＭ３１Ｇ２の膜厚を４０ｎｍ～５０ｎｍの範囲内で種々変更したときの輝度の角度依存性を、表１に示す発光素子ＥＳＧにおける輝度の角度依存性と併せて示すグラフである。なお、表１に示す発光素子ＥＳＧにおける輝度の角度依存性を、図９中、「Ｒｅｆ」で示す。
　図９に示すように、ハーフミラーとしての第２のＲＭ３１Ｇ２の膜厚は、厚くなるほど、斜め方向から見たときの、正面輝度に対する輝度変化の幅が小さくなり、薄くなるほど、輝度の角度依存性に及ぼす影響が小さくなることが判る。
　なお、発光素子ＥＳＧおよび発光素子ＥＳＢについても、発光素子ＥＳＧと同じことが言える。
　図１０は、下記表４～６に示す、支持体としての基板上に形成した各発光素子ＥＳＲにおける、第１電極２２Ｒの反射層の数と輝度の角度依存性との関係を示すグラフである。図１０中、相対輝度とは、下記表４に示す、発光層が１層のみ設けられている発光素子ＥＳＲの正面輝度を１００％としたときの輝度を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
 　なお、表４～表６中、第１のＲＭ３１Ｒ１、第２のＲＭ３１Ｒ２、第３のＲＭ３１Ｒ３は、Ａｇ膜とした。また、第１のＴＥ３２Ｒ１、第２のＴＭ３２Ｒ２、第３のＴＭ３２Ｒ３は、ＩＴＯ膜とした。ＨＩＬ４１Ｒは、有機材料からなる正孔注入層とした。ＨＴＬ４２Ｒは、有機材料からなる正孔輸送層とした。ＥＭＬ４３Ｒは、ドーパントを含有した有機材料の発光層とした。ＨＢＬ４Ｒは、有機材料からなる正孔ブロック層とした。ＥＴＬ４５Ｒは、有機材料からなる電子輸送層とした。ＥＩＬ４６Ｒは、低仕事関数の電子注入層とした。半透明電極５１は、低仕事関数の金属材料（Ｍｇ等）を含有する合金材料からなる電極とした。透明電極５２は、Ａｇ等の半金属電極とした。有機キャップ層６１は、有機材料からなる大きな屈折率のキャッピング層とした。無機キャップ層６２は、ＬｉＦからなる低屈折率のキャッピング層とした。
　図１０に示すように、第１電極２２Ｒに反射層が１層しか設けられていない発光素子ＥＳＲを正面方向に対して４５°斜め方向から見ると、該発光素子ＥＳＲを正面方向から見たときの１／５程度に輝度が低下する。しかしながら、第１電極２２Ｒに反射層を複数設けた発光素子ＥＳＲでは、第１電極２２Ｒに反射層が１層しか設けられていない発光素子ＥＳＲと比較して、正面方向に対して４５°斜め方向から見たときの相対輝度が増加する。
　本実施形態に係る発光素子ＥＳＲは、例えば、６００ｎｍ以上、８００ｎｍ未満の波長帯域にメイン発光ピークを有し、５８０ｎｍ以上、６２５ｎｍ未満の波長帯域にサブ発光ピークを有することが望ましい。また、本実施形態に係る発光素子ＥＳＲは、例えば、６００ｎｍ以上、８００ｎｍ未満の波長帯域にメイン発光ピークを有し、５８０ｎｍ以上、６２５ｎｍ未満の波長帯域と、６５０ｎｍ以上、８００ｎｍ未満の波長帯域と、にそれぞれサブ発光ピークを有することが望ましい。
　また、図１１は、下記表７～９に示す、支持体としての基板上に形成した発光素子ＥＳＢにおける、第１電極２２Ｂの反射層の数と輝度の角度依存性との関係を示すグラフである。図１１中、相対輝度とは、下記表７に示す、発光層が１層のみ設けられている発光素子ＥＳＢの正面輝度を１００％としたときの輝度を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000007
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000008
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000009
 　なお、表７～表９中、第１のＲＭ３１Ｂ１、第２のＲＭ３１Ｂ２、第３のＲＭ３１Ｂ３は、Ａｇ膜とした。また、第１のＴＥ３２Ｂ１、第２のＴＭ３２Ｂ２、第３のＴＭ３２Ｂ３は、ＩＴＯ膜とした。ＨＩＬ４１Ｂは、有機材料からなる正孔注入層とした。ＨＴＬ４２Ｂは、有機材料からなる正孔輸送層とした。ＥＭＬ４３Ｂは、ドーパントを含有した有機材料の発光層とした。ＨＢＬ４Ｂは、有機材料からなる正孔ブロック層とした。ＥＴＬ４５Ｂは、有機材料からなる電子輸送層とした。ＥＩＬ４６Ｂは、低仕事関数の電子注入層とした。半透明電極５１は、低仕事関数の金属材料（Ｍｇ等）を含有する合金材料からなる電極とした。透明電極５２は、Ａｇ等の半金属電極とした。有機キャップ層６１は、有機材料からなる大きな屈折率のキャッピング層とした。無機キャップ層６２は、ＬｉＦからなる低屈折率のキャッピング層とした。
　図１１に示すように、第１電極２２Ｂに反射層が１層しか設けられていない発光素子ＥＳＢを正面方向に対して４５°斜め方向から見ると、該発光素子ＥＳＢを正面方向から見たときの１／５程度に輝度が低下する。第１電極２２Ｂに反射層を２層設けた発光素子ＥＳＢは、第１電極２２Ｂに反射層が１層しか設けられていない発光素子ＥＳＢと比較して、正面方向に対して４５°斜め方向から見たときの相対輝度が、増加はするものの、若干増加するにとどまる。しかしながら、第１電極２２Ｂに反射層を３層設けた発光素子ＥＳＢは、第１電極２２Ｂに反射層が１層しか設けられていない発光素子ＥＳＢと比較して、正面方向に対して４５°斜め方向から見たときの相対輝度が明らかに増加する。
　本実施形態に係る発光素子ＥＳＢは、例えば、４２０ｎｍ以上、４７０ｎｍ未満の波長帯域にメイン発光ピークを有し、３８０ｎｍ以上、４４０ｎｍ未満の波長帯域にサブ発光ピークを有することが望ましい。また、本実施形態に係る発光素子ＥＳＢは、例えば、４２０ｎｍ以上、４７０ｎｍ未満の波長帯域にメイン発光ピークを有し、３８０ｎｍ以上、４４０ｎｍ未満の波長帯域と、４４０ｎｍ以上、４７０ｎｍ未満の波長帯域と、にそれぞれサブ発光ピークを有することが望ましい。
　なお、本実施形態において、図５～図１１に示す角度依存性は、それぞれ、サイバネット社製のシミュレータ「ＳＥＴＦＯＳ」を使用して、出射方向毎の発光輝度を試算（シミュレーション）した。また、図３および図４に示す発光スペクトルは、それぞれ、サイバネット社製の上記「ＳＥＴＦＯＳ」を使用して、波長毎の発光強度を試算した。
　以上のように、本実施形態によれば、第１電極２２を、ＲＭ３１とＴＥ３２とを繰り返し積層してなる多層構造とすることで、光学干渉条件を緩和することができ、輝度の角度依存性をより緩和することができる。したがって、本実施形態に係る表示装置１は、従来のように、遮光性の強い、厚い金属層を単層で設ける場合と比較して、正面輝度を維持しつつ指向性を抑制することができ、斜め方向から見たときの輝度変化（輝度の低下）を抑制することができる。このため、本実施形態に係る表示装置１によれば、白色点灯時における、斜め方向から見たときの色付き現象を解消することができる。
　なお、表示装置１をボトムエミッション方式の表示装置とし、第２電極２５を多層化した場合、第２電極２５の面抵抗値が増加するために、面内の輝度分布の悪化、ＩＲドロップの増加等の弊害を誘発する。しかしながら、本実施形態によれば、このような弊害もなく、光学特性を改善することができる。
　＜変形例１＞
　なお、図１では、発光素子ＥＳＲ・ＥＳＧ・ＥＳＢが、それぞれ反射層を３層備えている場合を例に挙げて図示した。しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではない。上述したように、第１電極２２を多層化すると、反射層の数に比例して、発光ピークの数が増加する。これにより、斜め方向の輝度低下を緩和することができる。したがって、発光素子ＥＳＲ・ＥＳＧ・ＥＳＢは、それぞれ上記反射層を２層備えていてもよく、何れか一種または二種の発光素子ＥＳのみが、上記反射層を複数備えていてもよい。つまり、本実施形態によれば、発光素子ＥＳＲ・ＥＳＧ・ＥＳＢのうち少なくとも一種の発光素子ＥＳが上記反射層を複数備えていればよい。これにより、斜め方向の輝度低下を緩和し、斜め方向の色付き現象を、従来よりも緩和もしくは解消することができる。
　＜変形例２＞
　また、本実施形態では、発光素子ＥＳＲ・ＥＳＧ・ＥＳＢが、それぞれ反射層を２層または３層備えている場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではなく、反射層を４層以上備えていてもよい。上述したように、第１電極２２を多層化することによって、発光スペクトルがマルチピークになり、表示装置１を斜めから見たときの輝度変化が緩和される。このため、第１電極２２を４層以上に多層化しても、上記効果を得ることができる。したがって、第１電極２２に含まれる反射層数の上限数は、表示装置１を斜めから見たときの輝度変化の緩和の観点からは、特に限定されるものではない。しかしながら、上記反射層数が増加すると、製造工程が多工程化するため、プロセス数の増加、コストの上昇といった問題を招来する。このため、上記反射層数は、実用上、３層以下とすることが望ましい。
　＜変形例３＞
　また、本実施形態では、第１電極２２が陽極であり、陽極を多層化する場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではなく、第１電極２２が陰極であり、陰極が多層化されていてもよい。この場合にも、第１電極２２が陽極である場合と同じく、発光スペクトルがマルチピークになり、斜めから見たときの輝度変化が緩和される。
　〔実施形態２〕
　本実施形態では、実施形態１との相異点について説明する。なお、説明の便宜上、実施形態１で説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
　図１２は、本実施形態に係る表示装置１の発光素子層５における各色の発光素子ＥＳの積層構造を模式的に示す図である。
　実施形態１で説明したように、表示装置１は、発光素子ＥＳＲ・ＥＳＧ・ＥＳＢのうち少なくとも一種の発光素子ＥＳが前記反射層を複数備えていればよく、何れか一種または二種の発光素子ＥＳのみが、上記反射層を複数備えていてもよい。
　特に、白色を合成する場合、各発光色の相対的なバランスが重要になる。絶対値で比較した場合、斜め方向から見たときの緑の輝度変化は、他色に比べて大きい。このため、白色を合成する場合、緑成分が目減りして見えることで、斜め方向から見ると、白色が赤みを帯びて見え易い。
　しかしながら、図５、図１０、および図１１に示したように、発光素子ＥＳＧが前記反射層を三層備え、発光素子ＥＳＲが前記反射層を二層備え、発光素子ＥＳＢが前記反射層を一層備える場合、輝度の角度依存性を示す波形がほぼ同じ波形となる。このため、図１２に示すように、発光素子ＥＳＧが前記反射層を三層備え、発光素子ＥＳＲが前記反射層を二層備え、発光素子ＥＳＢが前記反射層を一層備えることで、白色発光での色バランスが良い表示装置１を提供することができる。
　本開示は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本開示の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
　　　１　　表示装置
　　　４　　ＴＦＴ層（薄膜トランジスタ層）
　　　５　　発光素子層
　　　６　　封止層
　　２２、２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂ　　第１電極
　　２４、２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂ　　機能層
　　２５　　第２電極
　　３１　　ＲＭ（反射金属膜）
　　３２　　ＴＥ（透明電極膜）
　　ＥＳ、ＥＳＲ、ＥＳＧ、ＥＳＢ　　発光素子

Claims (18)

  1. 　複数の薄膜トランジスタを含む薄膜トランジスタ層と、
    　互いに発光色が異なる複数種類の発光素子を備えた発光素子層と、
    　上記発光素子層を覆う封止層と、を備え、
    　上記複数種類の発光素子は、それぞれ、上記薄膜トランジスタ層上に、上記薄膜トランジスタ層側から、第１電極と、発光層を含む機能層と、第２電極とが、この順に設けられ、
    　上記複数種類の発光素子のうち少なくとも一種の発光素子の上記第１電極は、一つの反射金属膜と該反射金属膜上に積層された一つの透明電極膜とで構成される反射層を複数備え、
    　上記複数の反射層は、上記反射金属膜と上記透明電極膜とが、上記薄膜トランジスタ層側から、この順に、交互に配置されるように積層されていることを特徴とする表示装置。
  2. 　上記少なくとも一種の発光素子の発光スペクトルは、最も発光ピークが大きいメイン発光ピークと、上記メイン発光ピークよりも小さい、少なくとも一つのサブ発光ピークと、を有していることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  3. 　上記少なくとも一種の発光素子は、緑色の光を発光する緑色発光素子を含み、
    　上記緑色発光素子は、５１０ｎｍ以上、５８０ｎｍ未満の波長帯域にメイン発光ピークを有し、４７０ｎｍ以上、５３０ｎｍ未満の波長帯域にサブ発光ピークを有することを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
  4. 　上記少なくとも一種の発光素子は、緑色の光を発光する緑色発光素子を含み、
    　上記緑色発光素子は、５００ｎｍ以上、５５０ｎｍ未満の波長帯域にメイン発光ピークを有し、４７０ｎｍ以上、５１０ｎｍ未満の波長帯域と、５３０ｎｍ以上、５８０ｎｍ未満の波長帯域と、にそれぞれサブ発光ピークを有することを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
  5. 　上記少なくとも一種の発光素子は、赤色の光を発光する赤色発光素子を含み、
    　上記赤色発光素子は、６００ｎｍ以上、８００ｎｍ未満の波長帯域にメイン発光ピークを有し、５８０ｎｍ以上、６２５ｎｍ未満の波長帯域にサブ発光ピークを有することを特徴とする請求項２～４の何れか１項に記載の表示装置。
  6. 　上記少なくとも一種の発光素子は、赤色の光を発光する赤色発光素子を含み、
    　上記赤色発光素子は、６００ｎｍ以上、８００ｎｍ未満の波長帯域にメイン発光ピークを有し、５８０ｎｍ以上、６２５ｎｍ未満の波長帯域と、６５０ｎｍ以上、８００ｎｍ未満の波長帯域と、にそれぞれサブ発光ピークを有することを特徴とする請求項２～４の何れか１項に記載の表示装置。
  7. 　上記少なくとも一種の発光素子は、青色の光を発光する青色発光素子を含み、
    　上記青色発光素子は、４２０ｎｍ以上、４７０ｎｍ未満の波長帯域にメイン発光ピークを有し、３８０ｎｍ以上、４４０ｎｍ未満の波長帯域にサブ発光ピークを有することを特徴とする請求項２～６の何れか１項に記載の表示装置。
  8. 　上記少なくとも一種の発光素子は、青色の光を発光する青色発光素子を含み、
    　上記青色発光素子は、４２０ｎｍ以上、４７０ｎｍ未満の波長帯域にメイン発光ピークを有し、３８０ｎｍ以上、４４０ｎｍ未満の波長帯域と、４４０ｎｍ以上、４７０ｎｍ未満の波長帯域と、にそれぞれサブ発光ピークを有することを特徴とする請求項２～６の何れか１項に記載の表示装置。
  9. 　上記複数種類の発光素子は、青色の光を発光する青色発光素子と、赤色の光を発光する赤色発光素子と、緑色の光を発光する緑色発光素子と、を備え、
    　上記青色発光素子は、上記反射層を一層備え、
    　上記赤色発光素子は、上記反射層を二層備え、
    　上記緑色発光素子は、上記反射層を三層備えていることを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置。
  10. 　上記反射金属膜は銀膜であることを特徴とする請求項１～９の何れか１項に記載の表示装置。
  11. 　上記透明電極膜はＩＴＯ膜であることを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
  12. 　上記複数の反射層中、最上層の反射層の透明電極膜は、該透明電極膜の直ぐ下の反射金属膜よりも薄いことを特徴とする請求項１～１１の何れか１項に記載の表示装置。
  13. 　上記複数の反射層中、最上層の反射層の反射金属膜は、最下層の反射層の反射金属膜よりも薄いことを特徴とする請求項１～１２の何れか１項に記載の表示装置。
  14. 　上記複数の反射層中、最上層の反射層の反射金属膜は、最下層の反射層の透明電極膜よりも薄いことを特徴とする請求項１～１３の何れか１項に記載の表示装置。
  15. 　上記複数の反射層中、最上層の反射層の透明電極膜の膜厚は、１０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下の範囲内であることを特徴とする請求項１～１４の何れか１項に記載の表示装置。
  16. 　上記複数の反射層中、最上層以外の反射層の透明電極膜の膜厚は、１０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下の範囲内であることを特徴とする請求項１～１５の何れか１項に記載の表示装置。
  17. 　上記複数の反射層中、最下層の反射層の反射金属膜の膜厚は、８０ｎｍ以上、１２０ｎｍ以下の範囲内であることを特徴とする請求項１～１６の何れか１項に記載の表示装置。
  18. 　上記複数の反射層中、最下層以外の反射層の反射金属膜の膜厚は、１０ｎｍ以上、６０ｎｍ以下の範囲内であることを特徴とする請求項１～１７の何れか１項に記載の表示装置。
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